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Electronique.
Universite de Nantes, 2009. Francais. <tel-00751910>
UNIVERSIT DE NANTES
UFR SCIENCES ET TECHNIQUES
_____
Anne 2009
THSE DE DOCTORAT
Discipline : Physique
Spcialit : lectronique et Gnie lectrique
Prsente et soutenue publiquement par
Mohammed EL GIBARI
Le 22 Octobre 2009 luniversit de Nantes, devant le jury ci-dessous
Prsident
Rapporteurs
Examinateurs
Invit
Directeur de thse
Encadrant
Encadrant
Serge VERDEYME
Didier DECOSTER
Catherine ALGANI
Jean CHAZELAS
Henri PORTE
Dominique BOSC
HongWu LI
Dominique AVERTY
Cyril LUPI
N ED : 503-074
Remerciements
Le travail de cette thse a t ralis au sein de lquipe photonique et communication
du laboratoire IREENA, je tiens donc remercier chaleureusement toute lquipe ainsi que la
direction du laboratoire de mavoir accueilli dans les meilleures conditions possibles pour
effectuer cette thse.
Je souhaite remercier M. Didier Decoster, Professeur lIEMN de lUniversit de
Lille 1 et Mme Catherine Algani, Professeur lESYCOM au CNAM de Paris pour avoir
accept dtre rapporteur de ce travail ainsi que M. Serge Verdeyme, Professeur lXLIM de
lUniversit de Limoges qui ma fait lhonneur de prsider le jury de cette thse. Je remercie
au mme titre les autres membres du jury M. Dominique Bosc, Ingnieur de recherche et
HDR au laboratoire FOTON de lUniversit de Rennes 1, M. Jean Chazelas, Directeur des
cooprations scientifiques Thales Division Aronautique et M. Henri Porte, Directeur de
recherche au CNRS et PDG de Photline Technologies. Lintrt quils ont port ce travail
reprsente pour moi un grand honneur.
Je naurais videmment pas pu mener bien ce projet de thse sans mon directeur de
thse et mes encadrants. Je remercie donc M. HongWu Li pour mavoir accord sa confiance,
pour son accueil et pour sa disponibilit, je tiens donc lui exprimer tous mes remerciements.
Bien sr, je ne saurais oublier davouer toute ma reconnaissance mes encadrants de thse M.
Dominique Averty et M. Cyril Lupi. Merci Dominique pour ta disponibilit permanente et
particulirement ton courage pour aller affronter des problmes en hyperfrquence et chercher
les rsoudre en tant que spcialiste matriau. Cyril, je te dis merci de mavoir appris la
rigueur et la dmarche scientifique indispensables pour mener bien des projets de recherche.
Tes remarques et critiques, plus particulirement pendant la priode de rdaction, me seront
trs utiles pour le futur. Je remercie galement M. Serge Toutain davoir accept de nous
aider, merci Serge pour tous les changes et les conseils prcieux que vous avez pu nous
donner durant ces trois annes. Je vous remercie tous pour lensemble des remarques
pertinentes et des discussions qui ont contribu lenrichissement scientifique de ce
manuscrit.
Je tiens remercier M. Yann Mahe de mavoir initi lutilisation de HFSS, M. Marc
Brunet pour les ralisations des transitions sur substrats pais et M. Nicolas Barreau pour le
dpt de laluminium sur wafers en silicium.
~1~
~2~
Introduction ..........................................................................................................................13
1.2.
1.2.1.
1.2.2.
1.3.
1.3.1.
1.3.1.1.
1.3.1.2.
1.3.1.3.
1.3.1.4.
Relation entre lordre des modes guids et les paramtres opto-gomtriques ........ 22
1.3.1.5.
1.3.1.6.
1.3.2.
1.4.
1.4.1.
1.4.2.
1.4.2.1.
1.4.2.2.
1.4.2.3.
1.5.
1.5.1.
Modulateurs lectro-absorption.................................................................................... 32
1.5.2.
1.5.2.1.
1.5.2.2.
1.5.3.
1.6.
1.6.1.
1.6.2.
~3~
1.6.3.
1.7.
1.7.1.
1.7.2.
1.7.3.
1.7.4.
1.7.5.
1.8.
1.9.
Bilan .....................................................................................................................................53
Bibliographie ............................................................................................................................ 54
2.
Introduction ..........................................................................................................................63
2.2.
2.2.1.
2.2.2.
2.2.2.1.
2.2.2.2.
2.3.
2.3.1.
2.3.2.
2.3.2.1.
2.3.2.2.
2.4.
2.4.1.
2.4.1.1.
2.4.1.2.
2.4.2.
2.4.3.
2.5.
Quelle structure finale, pour quelles performances et avec quels facteurs limitatifs ? .........94
2.5.1.
2.5.2.
2.1.
Bilan .....................................................................................................................................99
Introduction ........................................................................................................................107
3.2.
3.2.1.
3.2.2.
3.2.3.
~4~
3.3.
3.3.1.
3.3.2.
3.4.
3.4.1.
3.4.1.1.
3.4.1.2.
3.4.1.3.
3.4.2.
3.4.2.1.
3.4.2.2.
3.4.3.
3.4.3.1.
3.4.3.2.
3.5.
3.5.1.
3.5.2.
3.5.3.
3.6.
3.7.
Bilan ...................................................................................................................................147
~5~
Introduction gnrale
Les polymres font actuellement lobjet de recherches trs actives dans de nombreux
domaines dapplication en raison essentiellement dun bon rapport performances-cot des
dispositifs. Ils sont utiliss entre autres dans les cellules photovoltaques, les crans matrice
active base de diodes lectroluminescentes, les hologrammes (stockage de donnes et
scurit), les verres correcteurs pour la lunetterie, systmes d'clairage, capteurs et
amplificateurs
optiques[1-3].
Dans
le
domaine
optolectronique
et
de
lopto-
hyperfrquence, les polymres effet lectro-optique peuvent cumuler au moins trois atouts :
bas cot, large bande passante et faible signal de commande lectrique grce un bon accord
de vitesse de phase entre ondes lumineuses et signaux hyperfrquences dune part et un
coefficient lectro-optique pouvant tre beaucoup plus lev que celui du Niobate de Lithium
(LiNbO3) dautre part. La faisabilit du modulateur le plus rapide 110 GHz a t dmontre
base de polymre par des quipes amricaines de lUniversit de la Californie du Sud et de
lUniversit de Washington [4].
Le champ dapplication des polymres lectro-optiques est trs vaste tant ils peuvent
servir de foyers dinteraction efficace entre les signaux optiques et les signaux
hyperfrquences, et ce dans de nombreux domaines o on veut profiter de la trs large bande
passante optique pour obtenir de meilleures performances, tels que les tlcommunications,
les capteurs et les systmes hyperfrquences. On peut citer titre dexemple les dispositifs et
fonctions suivants : modulateurs bien entendu, mais galement convertisseurs analogiquenumriques de signaux RF [5], commutateurs de signaux optiques [6], antennes photoniques
[7], capteurs de champ lectromagntique [8], etc.
Avec sa bande passante sans commune mesure avec aucune autre technologie, grce
la frquence porteuse optique trs leve et la rduction de lattnuation dans les fibres
monomodes en silice 0,2 dB/km la longueur donde de 1550 nm en 1984, loptique a
acquis une suprmatie sans partage dans les rseaux de cur des tlcommunications. Depuis
la mise en service de la premire liaison transatlantique par cbles de fibres optiques en 1988,
~6~
le dbit ne cesse daugmenter pour rpondre aux besoins toujours croissants dans lchange
de donnes. La capacit de transmission dune fibre dpasse aujourdhui le Tb/s laide du
multiplexage de longueur donde [9]. Loptique permet galement damliorer les
performances des systmes hyperfrquences, apportant faible poids, immunit aux
perturbations lectromagntiques, trs faibles pertes de propagation et trs large bande
passante. Lattnuation de la fibre monomode de silice est faible, indpendamment de la
frquence des signaux RF sur sous-porteuse optique et de leur occupation spectrale, alors que
celle des cbles coaxiaux atteint le dB/m pour les frquences dans la gamme des dizaines de
GHz. Or les systmes radar hyperfrquences de la nouvelle gnration tendent vers un
fonctionnement multifaisceaux et multibandes dans la gamme de frquences de 20 GHz voire
40 GHz, ce qui ncessite donc de larges bandes passantes que seule loptique est capable
doffrir [10].
A lheure o loptique est en passe de pntrer dans les rseaux daccs haut dbit
garanti quelle que soit la distance entre labonn et la centrale, de nombreuses quipes
travaillent sur loptique dans les rseaux locaux domestiques chez labonn en utilisant la
radio sur fibre [11]. Dans ce contexte, il est important de disposer de modulateurs bas cots et
performants pour transcrire le signal lectrique transmettre en signal optique. Les polymres
effet lectro-optique possdent des proprits requises permettant de raliser ce type de
modulateurs. Il existe aussi dautres domaines o les polymres permettent de faire sauter des
goulots dtranglement. La conversion analogique-numrique des signaux est de ceux-l. En
effet, dans les systmes hyperfrquences, on souhaite effectuer le maximum de traitements de
signaux par voie numrique laide des DSP (Digital Signal Processor pour processeur de
signal numrique) de plus en plus puissants pour rduire les composants analogiques
spcifiques coteux et encombrants dune part, et gagner en flexibilit et reconfigurabilit
dautre part. Mais avec laccroissement du dbit et/ou de la frquence porteuse, les
convertisseurs analogique-numriques lectroniques peinent rpondre au besoin avec une
cadence plafonne 10 GHz.
Cette thse sinscrit dans la continuit des recherches sur les polymres effet lectrooptique en Pays de la Loire dmarres dans le cadre du CPER N 18007 Photonique
Microondes en 2000. Ce dernier a runi des quipes ayant des comptences
complmentaires : synthse de polymres effet lectro-optique (CEISAM de Nantes et
UCO2M du Mans), mise en forme de polymres et fabrication de guides dondes optiques
(quipe Matriaux Fonctionnels de lIREENA de Nantes et CCLO de Lannion), conception et
~7~
masse. En effet, ayant adopt la technique de Poling par effet couronne, pour avoir une
efficacit lectro-optique optimale, le signal de commande lectrique doit tre appliqu par
une ligne microruban alors que nous utilisons un systme sous pointes coplanaires de type
GSG (Ground Signal Ground) pour amener le signal hyperfrquence. Ces transitions sont
donc indispensables et doivent avoir la plus large bande passante possible et tre faciles
raliser.
Le premier chapitre est consacr une prsentation gnrale des principes de
modulation de la lumire en mettant en avant lavantage de la modulation externe en terme de
bande passante et de chirp , nous tudierons ensuite la notion de guidage de la lumire
dans un guide plan afin dillustrer les diffrents lments qui nous seront ncessaires pour la
conception du modulateur base de polymre. Aprs une prsentation de leffet lectrooptique linaire, nous ferons un tat de lart des diffrents modulateurs lectro-optiques base
des matriaux semi-conducteur (GaAs), niobate de lithium (LiNbO3) et polymres. Nous
prsenterons le polymre lectro-optique PGMA/DR1, baptis PIII, utilis dans notre tude
ainsi que les techniques mises en place dans notre laboratoire pour orienter les chromophores
et dterminer ses proprits intrinsques. Nous terminerons le chapitre par un tat de lart des
modulateurs lectro-optique base de polymre.
Dans le deuxime chapitre nous commencerons par expliquer les diffrentes
contraintes lies la ralisation dun modulateur lectro-optique base de polymre telles que
lpaisseur de film dposable avec le polymre PIII et lorientation de ses chromophores.
Nous expliquerons ensuite le choix dune lectrode de commande optimale aprs un bref
rappel des lignes de transmission utilises gnralement pour la ralisation dun tel
composant. La conception optique et hyperfrquence de la structure dun modulateur lectrooptique de type Mach-Zehnder sera alors dveloppe en dtail.
Une tude approfondie de la partie hyperfrquence de notre modulateur fera lobjet du
troisime et dernier chapitre. Notre but tant dobtenir un composant faible cot, il est
primordial de minimiser les tapes technologiques de sa ralisation et de simplifier laccs
llectrode de commande. Dans ce cadre, une tude sur les transitions entre lignes coplanaire
et microruban (CPW-MS) est fondamentale. La largeur de la bande passante et la tension du
signal de commande dpendent en grande partie de cette tude. Aprs un tat de lart des
transitions CPW-MS large bande et sans via, nous avons retenu une topologie simple et bien
adapte la caractrisation du modulateur lectro-optique avec un systme sous pointes. Nous
prsenterons et comparerons les rsultats de mesures et de simulations de transitions ralises
~9~
~ 10 ~
Chapitre I : Modulation de la
lumire
~ 11 ~
~ 12 ~
Chapitre I :
1.
Modulation de la lumire
1.1.
Introduction
1.2.
Modes de modulation
Une chane de transmission par fibre optique de base est constitue dun module
dmission et dun module de rception placs aux extrmits dune fibre optique. Selon le
format de modulation, le dbit, la frquence, la puissance requise, le type de source optique et
le chirp acceptable, on recourt la modulation directe ou la modulation externe au
niveau du module dmission.
~ 13 ~
Figure 1- 1 : Synoptique
Synoptique dun module dmission en modulation directe
~ 14 ~
~ 15 ~
intense avec un signal lectrique de faible tension. Cest pourquoi on utilise des guides
dondes optiques de faible dimension transverse h en appliquant une tension V laide
dlectrodes places de part et dautre des guides, pour obtenir un champ lectrique E=V/h.
1.3.
Nous allons tudier des guides plans, dont la simplicit de rsolution analytique
permet dexpliquer facilement les notions et les phnomnes utiles pour la conception de
modulateurs sur polymre lectro-optique,
lectro
tels que le taux de confinement,
confinemen la constante de
propagation et londe vanescente.
vanescente Les relations entre les paramtres opto--gomtriques et les
proprits des guides plans resteront qualitativement valables pour les guides enterrs utiliss
dans les modulateurs sur polymre lectro-optique.
lectro optique. Pour simplifier la prsentation, nous
supposerons ici que les milieux
milieux considrs sont linaires, homognes, transparents et
isotropes.
quation 1- 1
quation 1- 2
.
quation 1- 3
.
quation 1- 4
Nous pouvons en dduire dune part lquation donde, appele aussi quation
dHelmholtz :
,
,
quation 1- 5
Dans cette quation, c est la clrit de la lumire dans le vide et le rayon vecteur du
point courant.
, !.
Une quation donde similaire peut tre obtenue pour lexcitation magntique
Dautre part, les relations de continuit des composantes tangentielles des champs aux
# ,
# ,
,
et
x = -tg
,
quation 1- 6
quation 1- 7
quation 1- 8
~ 17 ~
O +
,
-
./
01
quation 1- 9
3
B?C, o
fonction des variables despace scrit alors sous la forme : 2 3@3A
est la constante de propagation qui dcrit lvolution de la phase de londe suivant laxe des z,
2 3 est la distribution transverse du champ, uniquement fonction de x, tant donn quil ny
a pas de discontinuit suivant laxe des y. En reportant dans lquation donde (1(1 9),
nous obtenons, pour chacune de ses composantes :
4 %
)
%
4 %
%
5*
6 7 8
quation 1- 10
9:; <
Le champ 2 3 et sa drive 9<
doivent tre continus aux interfaces entre les trois
milieux. Les solutions 2 3 de cette quation sont sinusodales ou exponentielles en fonction
de x selon le signe de la quantit + . =>. ? . , comme cela est prsent sur la figure 1- 4.
Pour +=E D ?, les solutions correspondent des modes de fuite (ou rayonns), qui
Seules les solutions obtenues avec +=. D ? D +=E correspondent des modes
permettent une propagation du champ lumineux sans pertes si les matriaux eux mmes ne
prsentent pas dabsorption. On les appelle les modes de propagation guide.
La propagation guide de londe lectromagntique diffre dans une mme structure
selon sa polarisation. On distingue deux modes de polarisation : le mode TE (Transverse
Electrique) dont le champ lectrique est parallle laxe des y et le mode TM (Transverse
1.3.1.1.
Mode de polarisation TE
quation 1- 11
lquation
9 I :J1 <
9< I
F 3 aux interfaces du cur avec les gaines x = 0 et x = tg et celle de la drive
9:J1 <
9<
G
Y%Y
N O $%& 5 Q%8
L
Q
W Y % Y _
T6
ORSTU% U T6
U%[
M
Q
LO VST5UW 8 ) T6
5U
T6
W 8\ $%&]&5% ) W 8^ Y % Y W
U
K
quation 1- 12
O les paramtres pour les modes guids sont positifs et donns par les expressions
suivantes :
Q 7 *
"
"
& 7
*
#
"
U *
7
"
quation 1- 13
1.3.1.2.
9 J1 <
9:
9<
linterface
&
&Sb ` , ",
quation 1- 14
Cette quation
quation transcendantale,
transcendantale, appele quation de dispersion, nadmet que des
solutions discrtes pour la constante de propagation , en fonction des indices n2, n3 et n1, de
lpaisseur du cur tg, de la longueur donde de la lumire 0 et du nombre entier m.
m Chaque
valeur m correspond une distribution transverse du champ lumineux F
F 3 dans le guide,
appele mode dordre m (cf. figure 11 5).
1.3.1.3.
lumire dans le vide, on pose donc ndee k pour dfinir lindice effectif ndee pour le mode
indice varie entre lindice de rfraction de la gaine la plus rfringente et celui du cur, soit
rapproche de son indice n2. Sur la figure 1- 6, lindice effectif est prsent en fonction de
lordre du mode TE et du rapport entre lpaisseur du cur tg du guide et la longueur donde
de la lumire 0. Lvolution de lindice effectif, donc de la phase, de la lumire diffre selon
lordre du mode guid.
~ 21 ~
1.3.1.4.
gomtriques
Pour cette tude, on se place dans le cas dun guide symtrique o n1 = n3. La lumire
du mode dordre m nest guide que lorsque kn. D h D +nE kni. Dans le cas limite o
h knE kni , lquation 1- 13 donne :
Q&
U *
"
"
quation 1- 15
` k
W m
"
quation 1- 16
Pour quun mode dordre donn soit guid, il faut que lcart dindice entre le cur et
les gaines et/ou lpaisseur du cur soit dautant plus grand que la longueur donde est
grande. En principe, le mode fondamental m = 0 peut toujours tre guid mais son
confinement sera mauvais lorsque le contraste dindice n est faible et/ou que la couche de
cur est mince (cf. figure 1- 6). Le guide est monomode si seul le mode fondamental peut sy
propager. On le qualifie de multimode sil admet deux modes au minimum.
1.3.1.5.
Daprs ce que nous avons vu, les paramtres q et p de la relation 1- 13 peuvent tre
crits en fonction de lindice effectif :
Q *
$nn
"
"
& *
$nn
#
"
quation 1- 17
Daprs les quations 1- 12 et 1- 17, londe vanescente prsente dans les gaines
dcrot dautant plus vite vers les gaines suivant la normale, et donc le confinement de la
lumire dans le cur est dautant meilleur, que :
-
Lpaisseur du cur est grande par rapport une longueur donde donne.
~ 22 ~
s
p" r
p
"
o" a " t "
p w
W
"
r
u" ) " v
a
W
q
z
y
y
x
quation 1- 18
Avec :
p"
"/
5 | " 8
quation 1- 19
~ %%
W
~ %%
quation 1- 20
pour le mode TE, o 3 peut tre exprime en fonction de F 3.
i
.
1.3.1.6.
Mode de polarisation TM
non nulle (F 0). Les composantes x et z du champ lumineux sexprimeront en fonction
de F :
GS %
%
) 5* 6 7 8GS %
HS %
6 ", $ #
quation 1- 21
quation 1- 22
"
GS %
'(
quation 1- 23
G
N
L
"
Y%Y
W Y % Y _ quation 1- 24
"
M
L V U ST5U 8 ) T6
5U 8\ $%&]&5% ) 8^ Y % Y W
W
W
W
K
Q"
RQ STU% ) T6
U%[
U
&
&Sb ` , ",
quation 1- 25
Avec
Q"
"
Q $ &"
#
&
quation 1- 26
~ 24 ~
1.4.
Effet lectro-optique
#
~ 25 ~
quation 1- 27
O > est le tenseur de susceptibilit linaire, > et > sont les tenseurs de
i
.
E
lectrique. Dans un milieu dont la structure microscopique est centrosymtrique, les tenseurs
dordre pair sont nuls, notamment le tenseur de susceptibilit dordre deux.
quation 1- 28
quation 1- 29
En reportant cette expression du champ dans la formule 1- 28, on obtient alors celle de
la polarisation la pulsation 0 :
quation 1- 30
( $nn ST(
quation 1- 31
quation 1- 32
susceptibilit effective :
quation 1- 33
"
$
#
# $
#
#
quation 1- 34
~ 27 ~
quation 1- 35
G G et
H H ,
quation 1- 36
Ainsi lellipsode des indices qui dcrit les proprits optiques dun milieu anisotrope
transparent a pour quation dans les axes principaux du tenseur de permittivit :
%
%
G
G
H
H
"
quation 1- 37
Pour une onde lumineuse se propageant suivant laxe z dans un milieu dont
lanisotropie est dcrite par lellipsode ci-dessus, la composante de son champ lectrique
rfraction gal =< , sa composante vibrant suivant la direction y voit quant elle un
indice gal =F .
~ 28 ~
1.4.2.2.
Tenseur lectro-optique
En 1893, Pockels dcouvre leffet lectro-optique linaire qui porte son nom. Il
correspond une dformation de lellipsode des indices proportionnelle au champ lectrique
appliqu dcrite par la formule gnrale suivante :
% )
G )
H )
GH )
%H )
%G " quation 1- 38
"
"
"
"
"
"
"
En prsence dun champ lectrique appliqu E (Ex, Ey, Ez), chacun des coefficients de
lquation 1- 38 subit une variation linaire due leffet lectro-optique :
_
"
"
6
)
"
6 ", , . . ,
quation 1- 39
O dune part, par identification entre (1-37) et (1-38), les valeurs des coefficients en
labsence de champ lectrique appliqu scrivent :
_ "
"
_ "
l
"
,
%
_ "
"
_
"
,
G
"
_
_ "
#
"
H
quation 1- 40
6 ", , . . ,
quation 1- 41
~ 29 ~
s
" z
r " y
""
r
y
r " y s"
r
# y r#"
r " y rrl"
r
l y r"
r " y q
"
r
y
"
r " y
q
x
"
#
l
"#
# z
"
## y
y .
l# y
# y #
# x
quation 1- 42
LiNbO3
..
..
0
0
z
iE
y
EE y
0y
0y
0x
iE
s
r
r
r
r
q
0
0
0
0
0
GaAs
0
0
0
0
0
0
0
0
0
z
y
y
y
y
i x
s
r
r
r
r
q
Polymres
0
0
0
0
iE
0
0
0
iE
0
0
z
y
EE y
0y
0y
0x
iE
iE
Les coefficients lectro-optiques pour le LiNbO3 sont : r22 = 3,4 pm/V, r13 = 8,6 pm/V,
r33 = 30,8 pm/V et r51 = 28 pm/V et pour le GaAs r41 = 1,4 pm/V.
noter que les polymres prsenteront une anisotropie uniaxe uniquement aprs une
tape dorientation de leurs chromophores responsables de leur proprit lectro-optique par
un champ lectrique. Cette opration, appel poling en anglais, est indispensable pour faire
apparatre leffet lectro-optique au niveau macroscopique. Leur axe optique z sera orient
suivant le champ de poling utilis.
~ 30 ~
1.4.2.3.
polarisation de la lumire
Pour tirer le meilleur parti de leffet lectro-optique dun matriau, la direction du
champ lectrique appliqu doit tre choisie de manire exploiter son coefficient lectrooptique le plus lev. Par exemple, LiNbO3 est un matriau anisotrope uniaxe en labsence de
leffet lectro-optique, son ellipsode des indices ne possde donc quun seul axe de symtrie,
appel axe optique. On oriente laxe z suivant cet axe de symtrie, lquation de son
ellipsode des indices en labsence de champ lectrique scrit donc :
% mG
S
)
"
H
quation 1- 43
"
"
quation 1- 44
EE E
d o =
1
= =E
2
1 ) =. EE E
EE E
EE E
variation :
H
#$ ## #
"
quation 1- 45
Cet indice est proportionnel au champ lectrique appliqu E3, au coefficient lectrooptique r33 et au cube de lindice de rfraction ne. De mme, lindice de rfraction vu par
le champ lumineux suivant laxe x ou suivant laxe y =< =F = . =E
variation =< =F . =E
i
iE E ,
iE E
subit une
cube de lindice de rfraction no. Comme les indices ordinaire no et extraordinaire ne sont trs
peu diffrents et que le coefficient r33 est presque trois suprieur au coefficient r13, le champ
lumineux suivant laxe z subit un effet lectro-optique trois fois plus important que le champ
lumineux suivant laxe x en terme de variation dindice de rfraction lorsquon applique un
champ lectrique suivant laxe optique z de LiNbO3.
1.5.
~ 32 ~
1.5.2.1.
Modulateur de phase
La variation de lindice
dice effectif induite
induite par lapplication du champ lectrique E scrit
:
$nn
#
"
quation 1- 46
O n et r reprsentent respectivement lindice de rfraction et le coefficient lectrooptique du matriau de cur, le taux de recouvrement entre londe optique et le champ
lectrique appliqu. Ce paramtre peut
ut tre calcul partir de la formule suivante [30]:
~ 33 ~
~ W ~ S %,G%,G%G
U
U T
~U ~T S %,G%G
quation 1- 47
~ W ~ S %,G%G
}
W
U T
~U ~T S %,G%G
quation 1- 48
a
$nn
k
quation 1- 49
k U
#
quation 1- 50
~ 34 ~
1.5.2.2.
La figure 1- 8 montre larchitecture dun modulateur dintensit de type MachZehnder. Il est compos dune jonction Y en entre permettant de sparer le faisceau incident
en deux ondes de puissances gales sur les deux bras du modulateur. Sur lun des bras de
linterfromtre, llectrode permet dappliquer un champ lectrique modifiant ainsi la phase
de londe lumineuse dans ce bras comme un modulateur de phase. A la sortie de
linterfromtre, une autre jonction Y combine les deux ondes dphases. Celles-ci interfrant
en fonction du dphasage optique introduit, lamplitude de londe optique en sortie est alors
module.
~ 35 ~
sexprime en dB : 10
minimum du modulateur. Pour amliorer le taux dextinction dun modulateur, comme le taux
de transmission maximum est plafonn par ses pertes
pertes dinsertions, on doit rduire au
maximum son taux de transmission minimum. Le taux de transmission dun
d modulateur
dintensit de type Mach-Zehnder
Zehnder est donn par :
ST ST
7.
quation 1- 51
en gnral diffrent de + 2b
2b (b un entier) pour le mode dordre m = 1 avec ?i ,
tant donn que chaque mode a une constante de propagation et un taux de recouvrement
propres,, le taux de transmission minimum ne pourra pas atteindre sa valeur thorique zro.
~ 36 ~
lectrique la vitesse
et le signal
Le champ
hamp lectrique de modulation : !, C cos
cos ! + C
C avec le signal appliqu ! cos !
cos !
Le dphasage
phasage dun front lumineux : reprsente la diffrence entre sa phase
,
-
Le coefficient lectro-optique
lectro
: reo
Lorsque le signal de modulation vm(t) varie trs lentement, tel que 1, on crit
directement le dphasage total subi par le front donde lumineux, tant donn que le champ de
modulation vu par lui reste pratiquement le mme pendant son transit dans la zone
dinteraction lectro-optique
optique : t cos t
quation 1- 52
Avec nE rd
C CC. Le
Le dphasage cr sur la tranche dz est donn par : C
dphasage total en sortie de la zone dinteraction est donn par cette intgrale :
~ 38 ~
CC
Pour exprimer le dphasage dans le temps, on remarque que pour un front donde
donn, sil sort de la zone dinteraction (z = L) linstant t = t, il est entr dans la zone
dinteraction (z = 0) linstant ! ! , la position du front lumineux considr
scrit donc : C
` R , H [ ST V(`
o 1
lectrique et
(`
$nn H\ STR(` ) [
! .
lmentaire C
cumul :
X.
$nn
(
"
X.
$nn
~| STR(` ) [
ST (` ) (` T6
(`
"
quation 1- 53
quation 1- 54
"
(` "
$nn
$nn
et
(
T6
`
(
`
Dans ce cas, tend vers zro et le facteur sinus cardinal tend vers un, les formules
(1- 52) et (1- 54) sont identiques, ce qui est logique.
2 rad, le
$nn |$nn
quation 1- 55
~ 40 ~
1.6.
LiNbO3
GaAs
Polymre
2,2
3,4
1,5 - 1,7
28
12,9
2,5 4 [46]
Coefficient EO (pm/V)
30,8
1,4
> 100
0,2
>1
40
40
> 100
V (V)
<1
Tan
0,004 [48]
0,00025 [49]
Fabrication [51;52]
moyen
moyen
facile
Intgration [52;53]
moyen
facile
facile
Cot [52]
lev
moyen
faible
1.7.
au laboratoire
Nous prsentons dans ce paragraphe quelques gnralits sur les polymres effet
lectro-optique puis nous dcrivons quelques techniques de caractrisation mises en uvre au
laboratoire pour dterminer les proprits des polymres indispensables la conception dun
modulateur sur polymre.
~ 43 ~
Figure 1- 10 : Schmatisation dun chromophore, constitu dun accepteur et dun donneur reli
par un connecteur conjugu
quation 1- 56
quation 1- 57
&
4&
quation 1- 58
Nous avons vu que les molcules organiques, les chromophores, doivent avoir le le
facteur de mrite le plus grand possible ainsi quune forte densit afin davoir un fort
coefficient lectro-optique. Le chromophore commercial le plus utilis dans le cadre de
loptique non-linaire est le DR1 (Disperse Red One) [54-56]. Cependant dautres
chromophores sont apparus avec des proprits lectro-optiques beaucoup plus intressantes.
A titre dexemple nous pouvons citer le chromophore AJL8 [57] qui possde un coefficient
lectro-optique de lordre de 83 pm/V 1300 nm ainsi que le CLD-1 [58] mis au point par
lquipe de L. R. Dalton dont le coefficient lectro-optique est de lordre de 55 pm/V 1550
nm.
Les chromophores sont insrs dans une matrice hte qui doit tre constitue dun
polymre amorphe dot dune excellente transparence. Une des matrices les plus utilises est
le PMMA (PolyMthacrylate de Mthyle) [59] pour sa qualit de rsistance mcanique et sa
transparence. La performance lectro-optique des milieux dpend de la concentration des
chromophores insrs dans la matrice. Cette insertion des chromophores dans la matrice
support peut se faire de plusieurs manires. Nous citerons ici deux mthodes couramment
utilises :
Par dopage (guest-host):
Cest la mthode la plus simple mettre en uvre. Elle consiste disperser les
chromophores dans la matrice support (cf. figure 1- 11 a). Cette mthode prsente cependant
des inconvnients limitant son utilisation. Parmi ses inconvnients, on peut citer la
compatibilit rduite des chromophores avec la matrice polymre et la faible stabilit dans le
~ 45 ~
Figure 1- 11 : Deux techniques dinsertion de chromophores dans une matrice polymre (a)
( dopage
(b) greffage
~ 46 ~
Chromophore DR1
Figure 1- 12: Notre polymre dtude PGMA/DR1 (PIII) dvelopp par CEISAM et UCO2M
MATTADOR : Matriaux,
triaux, Technologies, Traitements et Architectures
rchitectures pour les systmes et
Dispositifs Optiques et Radiofrquences
adiofrquences utiliss en communications
2
MILES : Multimdia Ingnierie
ngnierie du Logiciel aidE la dcision Tlecommunication, Dtection et
LocaliSation
3
CEISAM : Chimie Et Interdisciplinarit : Synthse, Analyse, Modlisation
4
UCO2M : Unit de Chimie Organique Molculaire et Macromolculaire
~ 47 ~
~ 48 ~
Champ propagatif
Interstice dair
Champ vanescent
Couche mince
Substrat
Dans le cadre de sa thse prpare lIREENA, S. Le Tacon a dpos sur des substrats
de silicium des films de polymre PIII de lordre de 2,7 m dpaisseur, ce qui permet davoir
une structure multimode la longueur donde de 1550 nm ncessaire la mesure de lindice
de rfraction par la technique M-lines [64]. Les chantillons caractriss ont donn un indice
de rfraction en mode TM de 1,621.
}
quation 1- 59
~ 49 ~
Le film de polymre caractriser est pris en sandwich entre une couche daluminium
rflchissante et une couche conductrice transparente. Ces couches servent dlectrodes pour
appliquer un signal lectrique induisant une modulation de polarisation de la lumire lors de
sa traverse du film de polymre. Le compensateur Babinet-Soleil sert annuler le dphasage
d la birfringence entre les deux composantes orthogonales de la lumire, de telle manire
ce que lintensit transmise par lanalyseur soit nulle en labsence de signal lectrique, ce
qui permet davoir une intensit transmise module sur fond continu quasiment nul pour une
dtection optimum.
~ 50 ~
Les molcules de chromophores sont planes, ce qui permet de supposer que r33 =
3r13.
Avec ces hypothses, les mesures effectues donnent une estimation du coefficient
lectro-optique r33 du polymre PIII variant de 5 10 pm/V 1550 nm [8]. On remarque un
cart important de la valeur de r33 suivant les chantillons analyss. Il est d la prsence de
points de court-circuit sur les chantillons qui ne permettaient pas de connatre le champ
lectrique avec prcision en tout point de lchantillon. Les prcdentes tudes sur le mme
polymre ont montr que le coefficient lectro-optique du PIII est de lordre de 12 pm/V [62].
Le tableau suivant regroupe les proprits de notre polymre dtude partir
desquelles nous avons procd au choix du matriau des gaines infrieure et suprieure et
optimis la structure dun modulateur lectro-optique.
Proprits
Valeur
4,46
5-10 pm/V
1.8.
Les meilleures performances sont obtenues par des quipes amricaines, notamment
celles de Dalton et Steier.
Lexemple le plus clatant qui illustre le potentiel en bande passante des modulateurs
sur polymres lectro-optiques est la faisabilit dun modulateur 110 GHz rapporte par D.
~ 51 ~
Chen et al. en 1997 [4]. Il faut signaler que dans cette tude, les auteurs ont fait abstraction
des pertes dinsertion et quils ne donnent pas dinformation sur la tension de commande V
ncessaire au bon fonctionnement du modulateur.
Y. Shi et al. ont prsent, quant eux, un modulateur Mach-Zehnder avec une tension
de commande V de 0,8 V et des pertes dinsertion de 7 dB 1318 nm [66]. Le modulateur
est en mode de fonctionnement push-pull (chromophores orients en sens opposs dans les
bras) avec une longueur dinteraction entre ondes lectrique et optique de 2,75 cm. Les guides
optiques ont une structure de ruban invers. Leur cur est constitu dun polymre de type
dop, dont la matrice hte est le PMMA et le chromophore est le CLD-1. Il prsente un r33 de
58 pm/V 1318 nm selon la valeur de V obtenue. Pour cette tude, la valeur de la bande
passante nest pas indique.
H. Chen et al. [67] ont prsent en 2008 trois modulateurs Mach-Zehnder avec des
polymres de cur diffrents : LPD-80, AJ-416 et AJ-CKL1. La structure guidante du
modulateur est un guide ruban invers. La longueur dinteraction est de 2 cm. Les trois
modulateurs ont une bande passante de 40 GHz. A la longueur donde de 1,55 m, selon le
polymre utilis, le coefficient lectro-optique va de 43 84 pm/V, la tension de commande
est comprise entre 0,6 et 0,9 V. Ces rsultats trs intressants sont malheureusement
contrebalancs par des pertes dinsertion optiques leves (entre 11 et 17 dB).
A ce jour, aucun modulateur sur polymre nest encore parvenu runir toutes les
qualits pour concurrencer les modulateurs dj commercialiss. Vraisemblablement, le
problme de stabilit des caractristiques des modulateurs demandera encore des efforts de
recherche avant darriver lindustrialisation de modulateurs sur polymres.
~ 52 ~
1.9.
Bilan
Dans ce chapitre, nous avons dans un premier temps compar les deux modes de
modulation, modulation directe et modulation externe, en mettant en avant lavantage de la
modulation externe en termes de bande passante et de chirp . Nous avons ensuite tudi les
notions et les phnomnes utiles pour la conception de modulateurs sur polymre lectrooptique, tels que le facteur de confinement, la constante de propagation et londe vanescente.
Les effets optiques non-linaires en gnral sont brivement abords avant de
prsenter leffet lectro-optique plus en dtail. Parmi les modulateurs actuellement
disponibles sur le march, nous avons prsent les deux types les plus performants,
modulateurs lectro-absorption et modulateurs lectro-optiques bass sur leffet Pockels, en
soulignant leurs avantages et leurs inconvnients. Nous avons tudi galement linfluence du
dsaccord de vitesse de phase entre ondes optique et lectrique sur la bande passante
intrinsque des modulateurs commande lectrique.
Une prsentation comparative a t effectue sur les trois principales familles de
matriaux lectro-optiques et fait apparatre les polymres comme une piste prometteuse pour
franchir le plafond en bande passante des modulateurs lectro-optiques base de semiconducteurs et de cristaux inorganiques. Nous avons expos quelques gnralits sur les
polymres lectro-optiques et les techniques mises en place dans notre laboratoire pour
dterminer leurs proprits. Enfin, un tat de lart des modulateurs sur polymres rapports
dans la littrature a t dress.
~ 53 ~
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~ 60 ~
~ 61 ~
~ 62 ~
Chapitre II
2.
de polymre
2.1.
Introduction
2.2.
composant
Quelles que soient la nature et les performances du polymre, il est ncessaire de le
rendre exploitable dun point de vue optique. Cela passe par la ralisation dune structure
guidante, mais avant darriver cette fonctionnalisation, il faut raliser des films minces de
polymres.
~ 64 ~
Les multicouches seront ralises sur un substrat en silicium. Ce dernier sera mtallis
en vue de raliser un plan de masse ncessaire lapplication du champ lectrique lorigine
de leffet lectro-optique. Ces multicouches, nous le verrons par la suite, seront ralises
partir de polymres passif (gaine optique) et actif (lectro-optique).
~ 65 ~
En ce qui concerne le polymre actif, il est ncessaire dorienter les chromophores afin
dobtenir un effet lectro-optique optimal et ce, avant de rticuler le polymre. Un dispositif
dorientation des chromophores plus communment appel poling est alors employ.
2.2.2.1.
Les chromophores, placs entre les lectrodes, vont tre orients selon le champ
lectrostatique appliqu (cf. figure 2- 3). Pour cela, une forte tension lectrique (de lordre de
500 V [3]) est applique entre les deux lectrodes. Le champ lectrique ainsi cr lintrieur
du matriau va permettre lorientation des chromophores dans la direction perpendiculaire au
~ 66 ~
substrat. Cette mthode permet davoir une orientation homogne sur de grandes
grand surfaces,
mais prsente des risques de claquage plus importants. En effet, linhomognit prsente
dans le film de polymre peut provoquer un point de court-circuit
court circuit entre les lectrodes [4].
2.2.2.2.
~ 67 ~
Figure 2- 4 : Les
es deux techniques dorientation des chromophores par effet couronne
2.3.
Dmarche
he de ralisation dune structure lectrolectro
Il faut garder en mmoire quun composant est galement qualifi par ses pertes
dinsertions optiques. Or, les pertes dinjection dans un tel guide sont gnralement lorigine
de pnalits souvent rdhibitoires. Cest pourquoi, les dimensions du guide et/ou du mode
devront tre les plus grandes possibles afin de faciliter le couplage entre la fibre optique et le
guide donde en polymre lectro-optique.
Les dimensions gomtriques dun guide donde et son caractre monomode sont
directement lis lcart dindice entre le cur et la gaine entourant celui-ci. titre
dexemple, nous prsentons sur la figure 2- 5 le caractre monomode ou multimode dun
guide de section carr en fonction de ses dimensions et de lcart dindice entre le cur et la
gaine.
Cependant plusieurs autres critres essentiels sont prendre en compte lors du choix
du matriau de la gaine optique. Dabord, lindice de rfraction optique doit tre plus faible
que celui du polymre lectro-optique tout en respectant un cart dindice raisonnable nous
permettant davoir un guide optique avec une section la plus grande possible. Ensuite, ce
matriau de gaine doit tre compatible chimiquement et thermiquement avec le matriau
lectro-optique. En effet, la gaine infrieure ne doit pas subir de dgradation lors du dpt en
solution et du cycle thermique de lorientation et de la rticulation du polymre. Et
finalement, dun point de vue lectrique, sa permittivit relative doit tre proche du carr de
son indice de rfraction car une fraction de lumire guide est tout de mme confine dans la
~ 69 ~
gaine et sa tangente de perte (tan ) doit tre assez faible pour limiter lattnuation de la
puissance du signal lectrique. Nous avons ainsi choisi le polymre SU8 qui semble tre la
rsine commerciale la plus approprie pour rpondre nos besoins selon ltude effectue par
S. Le Tacon [8]. Cette rsine est constitue dune matrice poxy dans laquelle sont disperss
des agents photosensibles. Elle est couramment utilise en photolithographie et elle a fait
lobjet de plusieurs tudes en optique intgre [9-11].
Les proprits optiques et lectriques de la rsine SU8, qui nous seront ncessaires
pour loptimisation du modulateur lectro-optique, sont regroupes dans le tableau 2- 1:
Proprits
Valeur
1,575 [8]
Rsistivit
Pour la ralisation du guide donde optique, nous avons opt pour une structure de
guides enterrs rectangulaires laide de dpt et gravures successives. La figure 2- 6
schmatise le procd technologique complet pour la ralisation du guide optique base du
polymre lectro-optique PGMA/DR1 (PIII).
~ 70 ~
Figure 2- 6 : Procd technologique de ralisation dun guide donde optique enterr base du
polymre actif PGMA/DR1 (PIII)
~ 71 ~
Figure 2- 7 : Vue de la structure finale retenue pour loptimisation et la ralisation du guide donde
optique base de polymre PGMA/DR1 (PIII)
La structure finale sera donc constitue de ce guide donde qui se sparera en deux
bras travers une jonction Y pour venir se recombiner au sein dun mme guide travers une
seconde jonction Y en vue de constituer un interfromtre
interfromtre de type Mach-Zehnder.
Mach
Une
illustration de la structure du modulateur lectro-optique
lectro
[12] base du polymre
PGMA/DR1 (PIII) en vue dune ralisation est montre sur la figure 2- 7.
Lutilisation dun modulateur Mach-Zehnder
Mach Zehnder ncessite lapplication dune tension de
commande pour modifier les proprits optiques du guide. Nous allons maintenant nous
intresser la mise en place des lectrodes qui permettront lapplication de cette tension.
ten
TEM lorsque la distance entre les rubans mtalliques est beaucoup plus
sont en mode quasi-TEM
faible devant la longueur donde. 80 GHz, la longueur donde est de 3,75 mm dans le vide
et denviron 2 mm dans le polymre SU8. Elle est bien suprieure la distance de 8 m entre
le ruban et le plan de masse dune ligne microruban et la distance 13 m entre les rubans
dune ligne coplanaire.
lanaire. On parle alors dun mode quasi-TEM
quasi TEM au lieu du mode TEM pur dont
les composantes longitudinales sont nulles.
"
an
quation 2- 1
~ 74 ~
2.3.2.2.
Figure 2- 9 : Lignes de champ lectrique appliqu par llectrode de commande et lorientation des
chromophores
En effet, le champ lectrique appliqu par llectrode microruban est parallle aux
chromophores orients (cf. figure 22 9): condition ncessaire pour induire la variation dindice
optique du polymre lectro-optique
optique et garantir une efficacit lectro-optique
lectro optique optimale.
optimale
La structure de la ligne microruban (cf. figure 2- 10 (a)) a t propose pour la
premire fois en 1952 [18].. Elle est constitue dun ruban mtallique de largeur (W) et
~ 75 ~
La bande passante dune ligne microruban est limite par les pertes globales de
propagation (pertes mtalliques, pertes dilectriques et pertes par rayonnement), par
lapparition des modes dordre suprieur ou encore par lapparition des modes parasites lis
li
aux modes de substrat [19]. Une estimation de la frquence dapparition dun mode suprieur
dordre n est donne par la relation suivante [20] :
n,
o U
quation 2- 2
~ 76 ~
relativement faible. Dans ce cas, nous ne pouvons pas dire que W / h >> 1. Par ailleurs, mme
si la seconde condition nest pas totalement remplie, nous pouvons obtenir une valeur
approximative de la frquence de coupure et sassurer ainsi de ne pas avoir des problmes lis
lapparition des modes dordre suprieur.
Les modes de substrat ou ondes de surface sont des modes de type TE ou TM. Ces
modes peuvent tre coupls avec le mode fondamental quasi-TEM de la ligne microruban
lorsque la vitesse de phase de ce dernier devient proche de celle dun mode de substrat.
Lexcitation de ces modes est lorigine de pertes supplmentaires. Lexpression de la
frquence de couplage du premier mode de substrat de type TE au mode quasi-TEM est
donne par la formule suivante :
nX,4
#
lU |"
quation 2- 3
.XX
aU "
quation 2- 4
~ 77 ~
2.4.
Optimisation lectro-optique
lectro optique du modulateur
Le dpt des diffrentes couches de polymre et les gravures successives vont nous
amener raliser un guide donde optique, nous rappelons que celui-ci
celui ci devra prsenter les
dimensions gomtriques les plus grandes possibles tout en restant monomode. Nous allons
donc optimiser la structure partir des donnes physiques des polymres que nous utilisons
(indice de rfraction, pertes, paisseur dposable, etc) et ce, laide dun logiciel de
simulation optique. Par la suite, nous nous intresserons au dimensionnement de llectrode
pour optimiser ses performances tout en garantissant un taux de recouvrement de londe
lon
optique et lectrique optimal. partir de ces donnes, le design du coupleur 1 vers 2
(jonction Y) -33 dB qui permettra de raliser les "jonctions sparatrices" du Mach-Zehnder
Mach
~ 78 ~
sera effectu [21]. Il sera enfin temps dvaluer la bande passante du modulateur que nous
aurons numriquement optimis.
dans les milieux considrs. Le calcul est effectu en divisant la structure en tranches
espaces dun pas de discrtisation z dfini par lutilisateur (cf. figure 22 12). Le calcul
du champ chaque pas est obtenu partir du rsultat du champ connu au pas prcdent. Le
champ initial est dtermin
n par lutilisateur et peut correspondre un faisceau gaussien, dont
on peut dfinir les
es proprits pour sapprocher du mode similaire linjection
linjecti partir dune
fibre optique. Cee champ peut correspondre aussi un mode rectangulaire ou encore un
mode propre de la structure guidante dtermin partir de lanalyse modale.
Sur chaque tranche, la mthode BPM fait appel aux mthodes de rsolution numrique
les plus couramment utilises telles
te s que la mthode des lments finis (FEM) [29], la
transforme
ransforme de Fourier rapide (FFT)
(
[30] ou encore la mthode de diffrences
diffrence finies (FD)
[31]. La mthode de calcul que nous utilisons partir du
du logiciel commercial OptiBPM est
fonde sur les diffrences finies. Cette mthode dcoule directement des quations de
Maxwell avec dpendance temporelle [32] et permet de prendre en compte les changements
de direction de propagation. En effet, le champ prsent sur le plan transverse (xy) (cf. figure
2- 12)) est dtermin partir de la mthode de diffrence finie selon une discrtisation dfinie
par lutilisateur. Ensuite, partir des conditions initiales et des conditions aux limites,
li
le
champ correspondant au point de coordonnes
coordonne (m, n), par exemple, est obtenu partir des
points qui lentourent. Lorsque la totalit du champ est connue sur le plan transverse (xy), le
champ est projet sur le plan z suivant partir dun pas de discrtisation dfini par
lutilisateur. Enfin, la mthode que nous utilisons est une mthode vectorielle qui permet de
prendre en compte les effets de la polarisation.
Figure 2- 12 : Schma de principe de la mthode de faisceaux propags (BPM) base sur les
diffrences finies
~ 80 ~
Pour de plus amples informations quant au dtail de lalgorithme utilis par cette
mthode et notamment les conditions aux limites, nous renvoyons le lecteur aux articles
suivants [33;34].
2.4.1.2.
les paisseurs de ces gaines sont trop petites et que par consquent,
nsquent, une grande partie de
l'nergie de l'onde se trouve absorbe terme par les
l lectrodes infrieure et suprieure.
suprieure Afin
dviter labsorption de la lumire par les lectrodes, la littrature montre quune paisseur pe
suprieure deux trois foiss la profondeur de pntration de londe vanescente suffit pour
lviter [35;36].. En effet, la profondeur pe=3, le champ lumineux dcrot dun facteur e3
par rapport au champ linterface entre le cur et la gaine. Avec un cur en polymre PIII
de section rectangulaire 4 m x 2,5 m, le calcul de la profondeur
ur de pntration de londe
vanescente dans les matriaux de gaines en polymre SU8 effectu suivant les relations
dcrites au chapitre 1 (formules 11 18 et 1- 19), a montr que cette profondeur de pntration
est comprise entre 0,8 m et 1,15 m dans le cas o lindice de rfraction du polymre PIII
La figure 2- 13 (b) qui montre la composante (Ey) du champ lumineux, confirme donc
quune paisseur de 1 m pour les gaines infrieure et suprieure nest pas suffisante pour que
londe vanescente soit totalement
lement attnue. Par consquent, une portion non ngligeable de
lnergie se confine dans les matriaux de gaines et risque dtre absorbe par les lectrodes.
~ 82 ~
82
2,5
80
77
~ 83 ~
}
| %,G| % G
~
~W
S
quation 2- 5
second cas (0,046 au lieu de 0,025), est lorigine de ce constat. En effet, la lumire se
confine davantage dans le cur si lcart dindice est important.
Dans tous les cas de figures, la largeur (Lg) du guide doit tre suffisamment grande
pour faciliter linjection de la lumire dans le guide et, par consquent, de minimiser les
pertes dinsertion globale du composant. tant donn que la valeur de lindice optique de
notre polymre actif nest pas connue avec certitude, nous avons retenu une largeur (Lg) de 4
m.
titre dillustration, la figure 2- 15 reprsente la distribution normalise de londe
lumineuse dans le guide optique optimal. Le maximum dnergie est donc bien confin dans
le cur form en polymre PIII de 4 m de largeur et de 2,5 m dpaisseur.
Indice optique
Gaine
SU8
1,575
1,575
Cur
PIII
1,6
1,621
Gaine
SU8
1,575
1,575
Lg (m)
Nombre de
Modes
Indice effectif
du mode
Confinement
(%)
1,5773
51
1,5828
64
1,5849
77
1,5862
80
1,5870
82
1,5929
71,32
1,5987
80
1,6017
85
~ 85 ~
Figure 2- 15 : Amplitude normalise du champ lumineux dans une section droite du guide optique
retenue avec une largeur Lg = 4 m et une paisseur d = 2,5 m
vise pour viter toute rflexion du signal hyperfrquence et par consquent ltablissement
dune onde stationnaire.. Cette impdance dpend de la largeur de llectrode, de la distance
entre llectrode et le plan de masse, de lpaisseur du mtal et de la permittivit relative des
matriaux dilectriques. La distance
stance entre llectrode et le plan de masse a t dtermine lors
de ltude optique de notre composant. Cette distance, que nous appelons h, a t fixe 8
m. partir de cette donne et de la valeur de la permittivit relative du polymre SU8 et de
celle du polymre lectro-optique
optique PIII, nous pouvons dterminer la largeur optimale de
llectrode afin davoir une impdance caractristique proche de 50 .. Il existe des relations
analytiques simples permettant de donner une valeur approche de cette impdance
impd
caractristique, comme par exemple lapproximation de Wheeler [38] ou encore
lapproximation dHammerstad [39].. Cependant lutilisation de ces deux approximations reste
limite au cas quasi-statique.
statique. En effet, le mode de propagation est considr de type TEM pur
et de ce fait, la ligne
igne de transmission est suppose baigner dans un milieu homogne de
permittivit effective eff. Par ailleurs, ces mthodes dapproximations ne permettent pas de
prendre en compte
te les structures multicouches telles que celle du modulateur lectro-optique
lectro
~ 87 ~
Pour cette tude, llectrode est en aluminium avec une paisseur de 4 m. Nous
avons arrt de manire prliminaire ce matriau car ce type de dpt est aisment accessible
au Laboratoire. Pour raliser une adaptation 50 , ltude montre quune largeur de
llectrode de lordre de 17 m est ncessaire. Or, ladaptation dimpdance nest pas la seule
condition remplir pour loptimisation de notre composant. En effet, laccord de vitesse de
phase entre londe optique et londe hyperfrquence doit tre optimal. En dautres termes,
laccord de phase entre les deux ondes est ralis lorsque le carr de lindice effectif du guide
optique est gal la permittivit effective du guide hyperfrquence. titre dillustration, nous
avons prsent sur la figure 2- 18 lvolution de la permittivit effective, 2 GHz, pour les
deux cas de figures tudis (r1 (SU8)= 3,2 et r2 (SU8)= 3,55 avec r (PIII) = 4,46) en
fonction de la largeur de llectrode de commande (W).
~ 88 ~
~ 90 ~
Pour raliser la jonction Y, il faut, comme dans les cas tudis prcdemment,
prcdemment, trouver
le compromis idal et minimiser les pertes globales de la structure. Or celles-ci
celles
sont
essentiellement dues aux pertes intrinsques du matriau lectro-optique
lectro optique (PIII) (de 4 dB/cm
10 dB/cm pour une longueur donde de 1550 nm [8]) et au dimensionnement
nsionnement de la jonction Y.
En effet, les courbures ncessaires la ralisation de la jonction dpendent de lespace entre
les deux bras (D) et de la longueur sur laquelle se ralise cette jonction (Lj) (cf. figure 2- 20).
Plus lespace entre les deux bras est grand, plus la longueur de jonction (Lj) devra tre grande
pour minimiser les pertes par courbure. Or, laugmentation de cette longueur de jonction aura
a
pour effet daugmenter la longueur de propagation dans le matriau lectro-optique
lectro
dont les
pertes dabsorption sont leves.
~ 91 ~
Figure 2- 21 : Lignes quipotentielles du champ lectrique appliqu avec une ligne micro ruban de
17 m de largeur sur lun des bras de linterfromtre Mach-Zehnder
Mach
; (a) Avec une distance entre
les deux bras de linterfromtre D = 15 m, (b) D = 25 m, (c) D = 30 m
Le travail restant alors raliser consiste trouver un compromis entre les pertes de
courbures et les pertes dabsorption de notre polymre actif (PIII) afin de minimiser les pertes
globales du modulateur lectro-optique.
lectro
Pour ltude, nous avons ralis
alis des simulations de la
jonction Y pour diffrentes longueurs (Lj) (cf. figure 2- 22 (a)) et pour les deux distances de
sparation entre les bras de linterfromtre Mach-Zehnder retenues (25 et 30 m). Nous
avons galement effectu la mme tude en intgrant les pertes dabsorption du polymre
lectro-optique (PIII) dans les simulations effectues en les considrant
ant gales de 4 dB/cm.
~ 92 ~
(b) Puissance de sortie normalise en fonction de la distance entre les bras de linterfromtre
MZ sans et avec pertes dabsorption du matriau
Figure 2- 22 : Optimisation de la jonction Y
~ 93 ~
2.5.
~ 94 ~
3 m
2,5 m
d = 2,5 m
Lg = 4 m
Largeur de llectrode
W = 17 1 m
D = 25 - 30 m
Longueur de la jonction
Lj = 1 mm
Longueur dinteraction
L = 2 cm
~ 95 ~
25
30
Perte (dB)
Psortie
Sans perte
dabsorption
0,55
2,59
Avec perte
dabsorption
(4 dB/cm)
0,1
10
Sans perte
dabsorption
0,52
2,84
Avec perte
dabsorption
(4 dB/cm)
0,08
10,97
Tableau 2- 5 : tude des performances optiques de la structure retenue de linterfromtre MachZehnder avec une longueur de la jonction Lj = 1 mm et une longueur dinteraction L = 2 cm.
~ 97 ~
~ 98 ~
2.1.
Bilan
Dans ce chapitre, nous avons optimis la structure dun modulateur base de matriau
polymre lectro-optique PGMA/DR1 (PIII) en tenant compte des contraintes diverses
auxquelles nous sommes soumis. Pour raliser cette tude, nous avons employ les logiciels
de simulation OptiBPM et HFSS, respectivement ddis ltude optique et lectrique du
modulateur lectro-optique.
Une tude approfondie nous a permis de retenir la structure la plus performante : nous
avons dfini, dans un premier temps, un guide optique monomode avec un fort facteur de
confinement afin de minimiser la tension de commande du modulateur. Ensuite, nous nous
sommes intresss ltude de la jonction Y permettant de sparer le faisceau lumineux dans
les deux bras de manire quilibre tout en maintenant une distance raisonnable entre ces
derniers. Ltude de la distance de sparation entre les bras de linterfromtre Mach-Zehnder
tant indispensable afin dviter tout couplage entre les bras lorsque le champ lectrique est
appliqu sur un seul bras.
Ltude de llectrode de commande est une tape aussi importante que les autres. En
effet, en raison de lorientation des molcules actives du polymre, une ligne microruban a t
retenue afin de bnficier dune efficacit optimum de leffet lectro-optique. partir des
dimensions de la structure optique, nous avons donc dtermin celles de la ligne microruban
pour avoir une impdance caractristique de 50 tout en optimisant laccord de vitesse de
phase de londe optique et de londe lectrique afin daugmenter la bande passante lectrooptique de notre composant. Au-del des performances envisages du modulateur lectrooptique optimis, nous avons montr et ralis une tude approfondie applicable tous les
matriaux du mme genre.
Dans le troisime chapitre, nous prsenterons une tude dtaille de transitions back to
back entre lignes coplanaires et microruban que nous proposons afin de tester notre
composant avec le systme sous pointes. Une ralisation de cette transition sur un substrat
commercial sera effectue, dans un premier temps, pour dmontrer sa faisabilit et, en mme
temps, talonner le logiciel de simulation HFSS sur de telles structures. Les rsultats de
mesures et de simulations sur couches minces en polymre SU8 sont trs encourageants et
permettent de donner des perspectives quant lutilisation de cette transition pour des
applications autres que le modulateur.
~ 99 ~
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~ 103 ~
~ 104 ~
~ 105 ~
~ 106 ~
Chapitre III
3.
3.1.
Introduction
3.2.
du composant
3.2.1. Problmatique
Dans le chapitre prcdent, nous avons dcrit la dmarche suivie et explicit nos choix
pour raliser une structure de type Mach-Zehnder partir du polymre lectro-optique et des
technologies notre disposition. Cependant, il ne faut pas perdre de vue que, outre les
performances du composant, le choix de ce dernier, par le client industriel, se fait galement
par sa facilit demploi. Cette dernire est fortement conditionne par la mise en botier du
composant (cf. Figure 3- 1). Dans le cas dun modulateur, ses dimensions ne sont pas les
~ 107 ~
seules contraintes prendre en compte, mais il faut aussi prendre en considration les entres
et sorties du composant.
Ces entres et sortiess sont au nombre de quatre : une entre et une sortie optiques
caractrises par deux pigtails de fibre optique, un connecteur RF qui donne accs
llectrode de commande et des accs via des traverses DC tanches qui permettent
dapporter des fonctionnalits
onnalits (Bias, .) (cf. Figure 3- 1).
microruban. Encore une fois, de par les fortes contraintes lies leurs dimensions, les accs
optiques seront privilgis. Classiquement, le couplage optique se fait par des fibres lentilles
permettant dinjecter la lumire dans le guide et de la collecter en sortie de linterfromtre
Mach-Zehnder. Aprs un alignement dynamique, ces dernires peuvent tre fixes au botier
laide dune colle poxy ou encore par brasage dun revtement mtallique dpos sur la fibre
optique laide de source laser, on parle alors de soudure la torche laser. Cependant, avant
de raliser la mise en botier du composant, nous aurons tester le modulateur lectro-optique
hors botier. Compte tenu des dimensions du guide optique optimis dans le second chapitre,
nous avons retenu des fibres lentilles de chez LovaLite avec un rayon de courbure de 3 m,
dont la taille de mode la sortie de la fibre est de 3 m la distance de travail optimum de 3
m selon le fabricant [4]. Les accs RF la ligne de commande restent alors dfinir. Il
faudra donc venir relier la ligne microruban un connecteur dont laxe est perpendiculaire
la ligne (cf. partie rouge (1) de la figure 3- 2) et relier lautre extrmit de la ligne (cf. partie
rouge (2) de la figure 3- 2) une charge 50 .
La qualit de cette ligne est value partir de la bande passante -3dB, gnralement
dfinie comme tant la gamme de frquences sur laquelle le gain en tension est suprieur au
gain maximum divis par racine carre de deux. Or dun point de vue pratique, lutilisateur
voit ce quun lment actif lui requiert en termes dalimentation par rapport un composant
sans perte c'est--dire ayant un gain maximum nul. Par consquent, par la suite nous
utilisons la bande passante utile comme tant celle dfinie partir dun gain maximal 0 dB.
~ 109 ~
Figure 3- 3 : Difficult lie linterconnexion dune charge 50 sur une ligne microruban
Un moyen ais est de reporter deux charges de 100 sur une structure coplanaire.
Elles sont en parallle et permettent donc le chargement par 50 de la ligne microruban (cf.
figure 3- 4).
). La problmatique se rsume alors, dans ce cas, raliser une transition
coplanaire microruban (CPW--MS)
MS) pour relier les deux lignes (partie rouge sur la figure 3- 4).
Figure 3- 4 : Interconnexion dune charge 50 ralise avec deux charges de 100 mises en
parallle sur une ligne coplanaire
~ 110 ~
Figure 3- 5 : Contrainte lie lexcitation par un connecteur coaxial dune structure en couche
mince
Entre
coplanaire
tapes de fabrication et par consquent, le cot du composant. Bien sr, la transition GCPWMS ncessaire aux tests sous pointes nest pas identique celle ncessaire au montage du
connecteur lors de la mise en botier du composant. En effet, en vue dlargir et doptimiser la
bande passante pour tester la rponse du composant avec un systme sous pointes, des
structures de type stub sont proposes dans la littrature [6-8]. Nous avons nous-mmes
tudi et ralis une transition avec des stubs enveloppant les extrmits de la ligne
microruban [9], cependant, elle ne peut pas tre relie aux connecteurs en vue de la mise en
botier du composant. Cest pourquoi nous avons poursuivi nos travaux sur des transitions
GCPW-MS ouvertes leurs deux extrmits, dont lultime tape, en vue du conditionnement
du composant, consiste alors en ltude dun taper dadaptation du mode GCPW (cf.
figure 3- 7).
Structure
ltude
~ 112 ~
Figure 3- 9 : tude
tude de la zone de liaison entre la position des pointes coplanaires et llectrode de
commande microruban
Daprs la figure 3- 9,, une liaison entre la position des pointes coplanaires et
llectrode de commande du modulateur doit tre tudie. Pour ce faire, nous
n
avons analys
trois configurations : une liaison angle droit, une liaison chanfreine et une liaison courbe
(cf. figure 3- 10).
). Les dimensions du chanfrein
chanfrein sont dtermines partir des relations
analytiques donnes par Edwards [2] afin de rduire la dsadaptation due au coin externe du
coude droit et par consquent, rendre maximale la puissance lectrique transmise. Pour
obtenir les meilleures performances avec un coude chanfrein, il faut que le rapport x/d (cf.
figure 3- 10 (b)) vrifie la relation 33 1:
~ 113 ~
, ) , $
",#
U
quation 3- 1
0,25
Figure 3- 10 : Diffrentes configurations tudies de la zone coude pour relier les pointes
coplanaires llectrode de commande microruban ; (a) Coude droit, (b) Coude chanfrein et (c)
Coude courbe
Les rsultats de simulations de ces trois structures, sans tenir compte des pertes
dilectriques du polymre SU8, sont prsents sur la figure 3- 11. Comme nous pouvons le
constater en tudiant cette dernire, la structure la plus performante est celle utilisant une
liaison courbe (cf. figure 3- 10 c) du fait que le changement de direction de propagation se fait
de manire progressive. Nous estimons, dans ce cas, que les pertes engendres par les coudes
sont de lordre de 0,8 dB 40 GHz. Par ailleurs, ces pertes sont de lordre de 1 dB et 1,1 dB
dans le cas o les coudes sont respectivement en chanfrein et en angle droit. Enfin cest la
configuration courbe que nous avons retenue pour assurer la liaison entre llectrode de
commande microruban et la zone coplanaire correspondant lemplacement des pointes
CPW. Dans notre tude, le rayon de courbure du coude a t fix 2 mm, ce qui rpond nos
besoins en termes dencombrement li au banc de caractrisation opto-hyperfrquence.
~ 114 ~
3.3.
Avec les modulateurs sur polymres, on vise non seulement de bonnes performances
fonctionnelles, telles quune large bande passante et une faible tension de commande, mais
aussi le bas cot. Dans ce contexte, nous nous attachons raliser la structure permettant de
~ 115 ~
rduire au maximum les tapes de fabrication afin de minimiser le cot du modulateur. Cest
pourquoi les structures contenant des via-holes seront proscrites de notre tude. Dans la
littrature, il existe diffrentes topologies de transitions plus au moins compliques raliser
selon lapplication souhaite et la bande passante dsire [10-13]. La plupart des transitions
sans via-holes sont ralises sur des substrats commerciaux dune paisseur standard de 635
m. Avec un substrat de cette paisseur, la ralisation des transitions coplanaire microruban
est gnralement plus facile , en terme de gravure, que dans le cas des couches minces. Les
rsultats de telles transitions proposes par la littrature sont prometteurs [14;15], mais avant
de les raliser directement sur polymre en couche mince, nous avons dabord voulu prouver
et confronter les performances de certaines transitions proposes dans la littrature. Les
structures slectionnes et tudies sont prsentes sur la figure 3- 13. Les structures 1 et 2
tudies par Straub et al. [15] prsentent lavantage davoir un plan de masse infrieur
homogne. La premire propose une ligne coplanaire plan de masse suprieur constitu de
rectangles. Lextension de la bande passante peut tre obtenue en ajoutant aux rectangles des
stubs radiaux (structure 2 sur la figure 3- 13). La troisime structure propose par Zhu et al.
[14] prsente une bande passante de [2,5 GHz - 11,8 GHz], mais requiert une gravure prcise
du plan de masse infrieur. Cependant, les rsultats donns par la littrature concernent des
substrats diffrents, la comparaison est donc dlicate. Nous avons donc dcid de raliser la
simulation numrique sous HFSS de ces trois structures en configuration back to back sur
un substrat commercial PTFE/glass ceramic NH9338 de 635 m dpaisseur et de permittivit
relative de 3,41. Nous avons retenu ce substrat en raison de sa permittivit relative proche de
celle du polymre utilis en vue dune validation ultrieure des rsultats de simulation. Les
substrats commerciaux proposs sont mtalliss des deux cts par une couche de cuivre de
18 m dpaisseur. Nous avons donc utilis ces caractristiques pour nos simulations.
~ 116 ~
Structure 2
Structure 3
~ 117 ~
La bande passante la plus tendue est celle obtenue avec la structure 3 propose par
Zhu et al. [14]. Cependant, la gravure du plan de masse infrieur et le double masquage
prsentent des inconvnients pour notre application et compliquent le procd de fabrication.
Pour les deux autres structures, la prsence des stubs radiaux a bien pour effet dtendre la
bande passante de la structure 2 par rapport celle obtenue pour la structure 1. Toutefois, au
vu de la bande passante obtenue pour la structure 1, et malgr les pertes importantes du
polymre utilis, elle pourrait tre une base dtude raisonnable. Elle prsente notamment
lavantage de ne pas ncessiter la gravure du plan de masse. De plus, si lon sintresse de
plus prs la structure du champ excit, le mode qui se propage dans la ligne coplanaire
plan de masse est un mode quasi-TEM. La carte du champ lectrique vrifie les relations de
continuit dans la structure. Comme le propose Raskin et al. [16], il peut se propager trois
configurations de modes dans cette structure (cf. Figure 3- 15) : le mode microruban (MS), le
mode coplanaire (CPW) et le mode microruban coplanaire (CPM). Or, notre application
concerne des couches dpaisseur trs faibles, nous pouvons donc envisager que lexcitation
du mode microruban sera favorise rapidement et que, par consquent, les effets non dsirs
dexcitation du mode CPM seront alors moins pnalisants.
~ 118 ~
Afin de valider cette hypothse, nous avons donc tudi la structure de la transition 1
pour les trois paisseurs standards du substrat commercial NH9338 savoir 635 m, 254 m
et 127 m. La mtallisation retenue tant du cuivre dune paisseur de 18 m. Pour chaque
paisseur, la largeur de la ligne et le gap coplanaire de la transition GCPW-MS-GCPW
simule ont t ajusts de manire vrifier une adaptation dimpdance de 50 . La
longueur de la ligne que nous avons retenue est de 2 cm car elle correspond la longueur
dinteraction de londe lectrique et de londe optique du modulateur lectro-optique
envisag. Les paramtres S simuls pour ces trois structures sont donns dans la figure 3- 16.
cas dune longueur coplanaire L1 de 5 mm alors quil apparat autour de 35 GHz dans le cas
o L1 = 1 mm (cf. figure 3- 17 (a)). Par ailleurs, nous pouvons galement constater que la
limite basse de la bande passante dpend de la surface globale du pad coplanaire. En effet,
pour avoir une transition qui dmarre des basses frquences, il faut que la surface du pad
coplanaire soit la plus grande possible augmentant ainsi leffet capacitif entre les plans de
masse suprieurs et le plan de masse infrieur. Dans le cas o L1 = 5 mm, la frquence de
coupure basse est de lordre de 1,1 GHz alors quelle est de lordre de 2,5 GHz dans le cas o
L1 = 1 mm. Par consquent, il est important de bien optimiser les dimensions des pads
coplanaire afin de bnficier dune large bande passante selon lapplication et la bande de
frquence souhaite et ceci est valable mme pour des substrats ayant des paisseurs leves.
(a) L1 = 1 mm
(b) L1 = 5 mm
~ 121 ~
~ 122 ~
substrat employ. Logiquement, lorsque cette paisseur est faible, nous pouvons prdire une
trs large bande en optimisant au mieux les pads du tronon de ligne coplanaire. Par
consquent, une transition simplifiant de manire considrable les tapes technologiques peut
tre utilise pour caractriser le modulateur lectro-optique sur polymre en couche mince.
Nous allons donc largir cette tude et examiner le comportement et les amliorations que
nous pouvons apporter la transition GCPW-MS-GCPW de la structure 1 sur des couches
minces en polymre SU8.
3.4.
Le schma de la transition tudie est rappel sur la figure 3- 20, la largeur de la ligne
centrale W a t fixe 17 m lissue de ltude de la structure optique du modulateur afin
davoir une impdance caractristique de lordre de 50 . Par ailleurs, le gap coplanaire S a
t optimis pour rester compatible avec les pointes CPW utilises pour la caractrisation des
structures tudies tout en maintenant limpdance caractristique de la ligne coplanaire
proche de 50 . Pour toutes les tudes effectues dans ce chapitre, nous avons considr que
la permittivit relative du polymre SU8 est de 3,55. Nous verrons dans la partie
exprimentale quavec cette valeur, nous avons un trs bon accord entre les rsultats de
mesures et de simulations. Compte tenu donc de la valeur de la permittivit relative du
polymre SU8 et de lpaisseur retenue lors de ltude optique (8 m), le gap coplanaire S a
t fix 13 m.
~ 124 ~
coplanaire L1
de 130 MHz dans le cas o L1 = 3 mm et de 420 MHz dans le cas o L1 = 1 mm. En ce qui
concerne le coefficient de rflexion de londe, la figure 3- 21 (b) montre une trs bonne
adaptation avec un coefficient de rflexion S11 infrieur 10 dB partir dune frquence de
370 MHz et ce mme dans le cas o les pertes du polymre SU8 (tan = 0,043) sont prises en
compte (cf. figure 3- 21 (d)).
Figure 3- 21 : Influence de la longueur de la ligne coplanaire L1 de la transition GCPW-MSGCPW pour une largeur du plan de masse coplanaire G fixe 1 mm
~ 126 ~
Tan
f -3 dB (GHz)
420
47,6
47,18
200
35,2
35
130
24,39
24,26
420
20,34
19,92
200
20
19,8
130
19,95
19,82
L1 (mm)
1
2
0,043
Dans le cas du polymre SU8 sans prise en compte de ses pertes dilectriques
(tan = 0), nous obtenons une trs large bande passante (- 3 dB) de 47 GHz avec
une longueur L1 de 1 mm. La bande passante est alors limite par les pertes
mtalliques. Nous verrons dans la suite que le choix du mtal peut influer nettement
sur la bande passante. Par ailleurs, la limite basse de cette bande passante, avec
cette longueur de 1 mm, est de 420 MHz. Cette dernire peut tre ramene une
frquence de 130 MHz lorsque la longueur L1 est de 3 mm. Cependant, la bande
passante dans ce cas est limite 24 GHz du fait de lapparition du premier pic de
rsonance (cf. figure 3- 21 (a)).
-
(tan = 0,043), la limite basse de la bande ne change pas par rapport au cas du
polymre SU8 sans prise en compte de ses pertes. Par contre, la borne haute de la
bande passante (-3 dB) est maintenant limite 19,9 GHz indpendamment de la
longueur du tronon coplanaire L1 car les pertes dilectriques ont rduit le
paramtre de transmission S21 3 dB avant lapparition des pics de rsonance
(cf. figure 3- 21 (c)).
~ 127 ~
3.4.1.2.
coplanaire G
Les frquences des pics de rsonance sont identiques celles observes lors de ltude
de linfluence de la longueur du plan de masse coplanaire L1. Par consquent, ces frquences,
comme nous lavions indiqu au paragraphe 3.3.1 sont lies lexcitation du mode CPM.
~ 128 ~
Daprs ce rsultat, le compromis permettant davoir la plus large bande passante est celui
obtenu avec la transition 1, soit celle de la figure 3- 20 dont la longueur du tronon coplanaire
L1 est de 1 mm et la largeur des plans de masse G est galement de 1 mm.
3.4.1.3.
Ce que nous venons dobserver dans ce paragraphe est valable quelle que soit la
frquence de londe se propageant dans la structure, lexception des frquences o le mode
CPM est excit. Dans la structure tudie, lexcitation de ce mode a lieu aux environs dune
frquence de 71 GHz (cf. figure 3- 23). La figure 3- 26 prsente la cartographie du champ
lectrique de londe la frquence dapparition du pic de rsonance. La distribution
correspond bien lexcitation du mode CPM (cf. figure 3- 15).
Pour obtenir une paisseur totale de 8 m en polymre, nous avons ralis deux dpts
successifs. La vitesse de la tournette a t rgle une valeur de 4000 tr/min qui permet
davoir une paisseur de lordre de 4 m comme nous lavons montr lors de ltalonnage du
polymre SU8 dans le deuxime chapitre. Nous dcrivons dans ce paragraphe, les tapes
suivies pour la ralisation des structures en polymre SU8. Pour le dpt du polymre SU8
sur un wafer en silicium, nous avons suivi les tapes suivantes :
~ 131 ~
Le wafer est plac sur une plaque chauffante rgle 100 C, pendant 4 min, afin
de faciliter lvaporation des solvants et de densifier la couche. Le wafer est
ensuite insol afin damorcer le processus de rticulation par lirradiation UV
(~100 mJ/cm) 365 nm.
La plaque chauffante est rgle pour passer de 100 C 180 C en 8 min. Cette
tape permet une rticulation du polymre SU8.
Une fois lchantillon refroidi, les mmes tapes dcrites ci-dessus sont effectues
pour le dpt de la seconde couche.
~ 132 ~
3.4.2.2.
Dpt daluminium par effet Joule dans une enceinte sous vide,
Pour obtenir un motif qui servira de barrire lors de la gravure chimique, nous
utilisons une plaque de verre recouverte des motifs raliser sous la forme dune couche
mince de chrome (masque lithographique). Cette fine couche empchera les rayonnements
UV dinteragir avec le polymre photosensible.
La rsine utilise pour cette tape est une rsine positive S1818 fabrique par Shipley.
Le dpt de cette rsine seffectue par centrifugation avec une vitesse de rotation de la
tournette de 2000 tr/min pendant 30 s. Une tape dvacuation des solvants et de schage de
la couche (100C pendant 3 min) est ncessaire avant de passer linsolation par
rayonnement UV travers le masque chrom (~100 mJ/cm) 365 nm.
Ltape de dveloppement seffectue dans un dveloppeur Microposit 351 de chez
Shipley (solution aqueuse alcaline) pendant environ 45 s. La rsine tant une rsine positive,
ce sont les zones ayant t insoles qui disparaissent.
Finalement, lchantillon est pass dans une solution de gravure daluminium
(mlange dacide nitrique, dacide phosphorique, dacide actique dilu avec de leau),
chauff 50 C, pendant environ 8 min pour graver les structures de 4 m dpaisseur et
environ 6 min pour les structures de 2 m dpaisseur. Cette tape est visuelle et savre une
tape critique du procd de ralisation.
Afin de minimiser les tapes technologiques, nous avons choisi de raliser toutes nos
structures sur un wafer en silicium dop dont la rsistivit est choisie pour tre trs faible
~ 133 ~
(0,001 0,05 .cm) dans le but de lutiliser comme plan de masse infrieur. Cela permet
donc dvaluer la possibilit dviter ltape technologique supplmentaire qui consiste
dposer un plan de masse mtallique.
Sur un wafer 3 pouces en silicium dop dune paisseur de 365 m, nous avons
dpos 8 m de polymre SU8 et avons ralis un certain nombre de lignes coplanaires plan
de masse infrieur ainsi que des transitions GCPW-MS-GCPW (cf. photographie de la figure
3- 28 (a)). La plupart de ces structures ont une largeur de ruban central de 17 m et un gap
coplanaire de 13 m. Les dimensions de toutes les structures que nous avons pu exploiter ont
t dtermines grce une mesure au profilomtre, ce qui a permis de prsenter tous les
rsultats de mesures et de simulations des lignes coplanaires et des transitions GCPW-MSGCPW avec leurs dimensions relles. En effet, en raison de la gravure chimique de
laluminium une tolrance de gravure de 2 m est observe. La photo de la figure 3- 28 (b)
montre la qualit dune des transitions ainsi ralises.
Pour la caractrisation des structures ci-dessus, nous avons utilis des pointes Cascade
I40AGSG250 [23] diffrentes de celles employes pour la caractrisation des transitions sur
le substrat commercial NH9338. En effet, pour mesurer les paramtres S des structures
ralises, il faut des pointes avec une largeur de contact infrieure 17 m, celle du ruban
central des transitions. Les pointes utilises pour la caractrisation de ces structures sur
couche mince de SU8 ont une largeur de contact de 12 m alors que celles utilises pour la
caractrisation des transitions sur le substrat commercial NH9338 avaient une largeur de
~ 134 ~
contact de 30 m. Pour ltalonnage des dispositifs de mesure, nous avons utilis la mthode
classique LRM (Line-Reflect-Match) avec le substrat de calibration commercial de Cascade
AE-101-190 [24]. Tout le systme est pilot par le logiciel Wincal de Cascade [25].
La figure 3- 29 montre les rsultats de mesures et de simulations HFSS dune ligne
coplanaire ralise sur ce substrat, les paramtres caractristiques de cette ligne sont : une
largeur du ruban central W de 15 m, un gap coplanaire S de 13 m et une longueur de la
ligne de 1 cm. Quant lpaisseur du mtal, nous avons d la limiter 350 nm suite des
problmes dadhrence de laluminium sur la SU8 (en particulier lors de ltape de gravure).
Figure 3- 29 : Rsultats de mesures et de simulations dune ligne coplanaire ralise sur le wafer en
silicium dop avec la largeur du ruban central W = 16 m, le gap coplanaire S = 13 m, lpaisseur
de laluminium de 350 nm et une longueur L = 1 cm
Sur la figure ci-dessus, nous remarquons un trs bon accord entre les rsultats de
mesures et de simulations de la ligne coplanaire. Pour obtenir ce bon accord des rsultats
exprimentaux et simuls, il est obligatoire de mailler lintrieur des botes mtalliques
afin de prendre en compte leffet de peau. Cette opration ncessite un maillage plus fin et
donc un grand nombre de ttradres. Le temps de simulation peut tre long. La faible
paisseur de la mtallisation est probablement la cause principale des pertes dinsertion de la
ligne coplanaire de 3,7 dB. Par ailleurs, nous avons galement constat que le wafer en
silicium utilis comme plan de masse infrieur engendrait des pertes dilectriques
supplmentaires ce qui explique la pente du coefficient de transmission S21 observe sur la
~ 135 ~
figure prcdente. Dans le cas gnral, les pertes dilectriques sont calcules partir de la
relation suivante [2]:
O/` , #
$nn
$nn |" X
|"
k
quation 3- 2
effective,
la longueur donde dans le vide et != la tangente de pertes dilectrique et elle
sexprime comme suit :
X
(
)
"
Avec
quation 3- 3
$nn |"
$nn
" ,
)
", . " |# n
"
quation 3- 4
~ 136 ~
Par cette ralisation et mesure de ligne coplanaire sur le wafer en silicium dop, nous
avons pu valider le process de ralisation et les performances des dispositifs de mesures sous
pointes. Nous avons galement vrifi que le logiciel HFSS tait adapt aux simulations de
lignes hyperfrquences sur des substrats en polymre en couche mince. Cette validation nous
permet alors daborder la mesure de notre transition.
3.4.3.2.
~ 137 ~
Mme si les rsultats de mesures sont mdiocres cause de nos difficults actuelles
dposer un mtal pais avec une bonne adhrence et des pertes dilectriques prononces du
polymre SU8, nous avons pu, avant tout, valider notre matrise de loutil de simulation en
confrontant les rsultats de mesures obtenus sur cette ralisation ceux issus des simulations.
De plus, dun point de vue technologique, il est tout fait envisageable de changer la nature
du mtal, daugmenter lpaisseur de dpt et de dposer un mtal sur le wafer en silicium
afin de raliser un plan de masse optimal. Cest pourquoi nous allons nous attacher, par la
suite, optimiser cette lectrode de commande.
3.5.
MS-GCPW
Compte tenu des rsultats obtenus prcdemment, nous allons chercher optimiser
certains paramtres de la transition GCPW-MS-GCPW de 1 cm de long. Cela nous permettra
de dterminer quelle bande passante nous pouvons esprer avec ce genre de structure. Puis,
nous finaliserons notre tude par la structure quil est ncessaire de raliser pour tester le
modulateur lectro-optique base de polymre avec le systme sous pointes.
~ 138 ~
~ 139 ~
paisseur Al (m)
4
1
420
22,35
25,8
20,1
210
22,5
25,35
~ 140 ~
Mtal utilis
Aluminium (Al)
1
Or (Au)
420
Cuivre (Cu)
Argent (Ag)
20,85
26,3
27,2
plus loin nos investigations dans ce domaine, mais il est clair que llaboration de polymres
lectro-optiques ayant de plus forts coefficients lectro-optiques doit saccompagner du
dveloppement de matriaux de confinement optique prsentant des pertes dilectriques les
plus faibles possibles. Faute de quoi, la bande passante des modulateurs sur polymres sera
limite par leurs pertes dilectriques, bien loin de la bande passante intrinsque autorise par
le faible dsaccord de vitesse de phase entre ondes optique et lectrique dans les polymres.
Pour montrer cela, nous avons test numriquement notre structure dans les cas o le
substrat utilis prsente des pertes identiques celles du polymre NOA61 (tan = 0,013) [27]
voire celles du substrat NH9338 (tan = 0,0047).
~ 142 ~
Daprs la figure 3- 35, nous pouvons avoir une trs large bande passante qui stend
de 420 MHz jusqu 60,35 GHz dans le cas o le substrat de la transition est compose du
polymre NOA61. Cette bande passante peut mme tre porte 67,4 GHz avec un matriau
de substrat ayant une tangente de pertes gale celles du substrat commercial NH9338. Ces
bandes passantes ultra-larges ouvrent la voie des applications en pleine expansion [28].
Mme si lindice de rfraction n = 1,5 de NOA61 ne nous permet pas de lutiliser comme
gaine optique pour notre polymre dtude PIII dont lindice de rfraction est de 1,6, il nest
pas utopique de penser quil existe ou quil est possible de synthtiser des matriaux
polymres de faibles pertes dilectriques adapts des matriaux lectro-optiques
performants en termes de proprits optiques et mcano-chimiques.
Le tableau 3- 5 rcapitule les performances en bande passante (-3 dB) pour diffrentes
configurations de la transition GCPW-MS-GCPW sur substrat en couche mince. Une trs
large bande passante est possible avec des matriaux de gaine optique adapts comme
substrat, un mtal de forte conductivit et dpaisseur suffisante permettant dchapper
leffet de peau. Une fois les matriaux choisis, une optimisation des dimensions de la
transition est indispensable afin dviter lexcitation des modes CPM non dsirs et qui ont
pour effet de dgrader la bande passante. Cette optimisation dimensionnelle mrite dautant
plus dattention que cest le CPM qui dterminera la limite haute de la bande passante quand
les pertes dilectriques sont faibles.
~ 143 ~
Tan
Mtal
L1 (mm)
Al
Au
Cu
0,043
4
1
0,013
0,0047
Ag
Ag
Al
Ag
Al
Ag
3.6.
lectrode
lectrode de test de modulateur lectro-optique
lectro optique
Dans notre cas, la longueur dinteraction lectro-optique est de 2 cm. On peut rduire
1 cm cette longueur en utilisant des polymres actifs ayant un fort coefficient lectro-optique
sans pour autant augmenter la tension de commande du modulateur. La figure 3- 37 donne les
paramtres S de la structure de test pour les deux longueurs dinteractions (1 et 2 cm) avec
une lectrode en aluminium de 4 m dpaisseur. La structure hyperfrquence simule inclut
le guide optique, dans la zone dinteraction de londe optique et londe lectrique, dont le
cur en polymre PIII est enterr dans le polymre SU8 (cf. figure 2- 15), avec la constante
dilectrique du polymre PIII r = 4,45 et sa tangente de pertes suppose gale celle du
polymre NOA61 (tan = 0,013). Cette hypothse sur la tangente de pertes est certes
arbitraire mais son influence est faible sur le rsultat de simulation, tant donn que le volume
du cur en PIII est trs faible devant celui occup par le champ lectromagntique sur toute la
longueur de la structure hyperfrquence. Par exemple, en supposant la tangente de pertes du
PIII gale celle du polymre SU8 (tan = 0,043), la bande passante est rduite seulement
8,63 GHz contre 8,65 GHz avec une tangente de pertes de 0,013 pour une longueur
dinteraction lectro-optique de 1 cm.
Bien sr, la bande passante serait beaucoup plus attrayante si le substrat prsentait
moins de pertes. Cest pourquoi, nous avons ralis le mme genre dtude que
prcdemment avec des pertes dilectriques identiques celles du polymre NOA61 et du
substrat NH9338. Lensemble de ces rsultats sont synthtiss dans le tableau 3- 6.
~ 145 ~
Tan
0,0047
0,013
0,043
0,0047
0,013
0,043
~ 146 ~
3.7.
Bilan
Dans ce chapitre, nous avons dans un premier temps explicit les contraintes lies la
caractrisation dun modulateur lectro-optique base de polymre et avons fait en sorte de
rendre la ralisation, la caractrisation et lutilisation de notre composant le plus simples
possible pour une exploitation industrielle : une transition coplanaire microruban plan de
masse infrieur et sans via-holes, facilement ralisable permet de caractriser le
modulateur avec un systme sous pointes tout en rduisant son cot global de fabrication.
Ltude dun taper dadaptation afin dinsrer le connecteur coplanaire V constitue lultime
tape pour la mise en botier du composant.
Les rsultats exprimentaux de cette transition sur le substrat commercial NH9338 de
254 m sont trs encourageants et ont permis davoir une trs large bande passante. Par cette
premire ralisation, nous avons dmontr limportance de lpaisseur du substrat et en avons
conclu que lexcitation du mode CPM qui perturbe la bande passante est repousse des
frquences trs leves dans le cas des couches minces. Le composant en couche mince nous
permet dailleurs daccder des frquences basses jusqu 400 MHz, voire 200 MHz, et ce
sans via-holes.
Les pertes leves des matriaux que nous avons utiliss, la nature et lpaisseur du
mtal employ, ont une grande influence sur la bande passante de notre transition et lont
dgrade dune manire significative. Nanmoins, nous avons effectu une tude
complmentaire avec diffrents types de mtaux et pour diffrentes paisseurs : il savre que
la bande passante peut tre nettement amliore en faisant le bon choix de mtal et de son
paisseur. De mme, le dveloppement et ltude du matriau de gaine optique requirent
autant dattention que ceux du matriau actif.
Finalement, nous savons que les performances de notre modulateur lectro-optique
seront pnalises par les pertes trs leves de nos matriaux, mais au-del du modulateur,
ltude que nos proposons, notamment celle de la transition, ouvre la voie dautres
applications telle que la radio sur fibre par exemple.
~ 147 ~
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[27]
~ 150 ~
Conclusion gnrale
~ 151 ~
rsultats obtenus qui nous approchent indniablement de la ralisation dun modulateur sur
polymre lectro-optique, nous prsentons dabord quelques pistes possibles explorer suite
nos travaux, puis nous ferons part de quelques rflexions.
- Dans un futur proche, on pense naturellement la ralisation dun modulateur sur
polymre PIII optimis dans le cadre de cette thse afin de montrer sa faisabilit. Ceci permet
aussi de tirer des renseignements prcieux sur les moyens de caractrisation optohyperfrquence, process technologique et la conception du dispositif.
- La ralisation de transitions avec une mtallisation dor de plusieurs m dpaisseur
est en cours. Leur caractrisation nous permettra de confronter leurs performances relles
des frquences plus leves avec les pertes dinsertion et la bande passante dtermines par
simulation laide de HFSS.
- Lors de notre tude de transitions GCPW-MS-GCPW sur substrats pais
de 254 m, une amlioration de la bande passante a t obtenue avec les stubs radiaux par
rapport aux pads rectangulaires. Il serait intressant dtudier lapport rel des stubs radiaux
pour les transitions sur substrat en couche mince.
- Ensuite, ltude du taper dadaptation entre la transition et le connecteur coplanaire
de type V est une tape prendre en compte pour rendre le prototype exploitable
industriellement.
- Il existe plusieurs techniques pour la dtermination de la constante dilectrique et la
tangente de pertes des polymres. Par exemple, lIEMN a mis au point une mthode trs
performante de mesure partir des lignes coplanaires sur polymre utilisant un code de calcul
dvelopp en interne. Dans le cadre de cette thse, nous avons voulu mettre en place une
mthode de caractrisation propre notre utilisation. Pour cela, une tude thorique
accompagne de simulations HFSS a t ralise sur la rsonance dun disque sur polymres
mais ltude na pas abouti une ralisation exprimentale. La mise au point de cette mthode
~ 153 ~
~ 154 ~
Rsum
Les polymres lectro-optiques devraient permettre de raliser terme des modulateurs de
meilleures performances au moindre cot que ceux base des cristaux inorganiques comme LiNbO3 et
des semi-conducteurs comme GaAs. Cette thse porte sur la conception de la structure optique et
hyperfrquence dun modulateur Mach-Zehnder sur polymre, en vue de dmontrer la faisabilit de sa
ralisation base du polymre lectro-optique PIII (PGMA/DR1).
Ltude de la structure optique laide du logiciel OptiBPM a permis dabord de
dimensionner la section droite du guide donde monomode avec un fort taux de confinement, afin de
minimiser labsorption de londe vanescente par llectrode mtallique et la tension de commande du
modulateur. Ltude des jonctions Y a abouti un compromis entre les pertes par absorption du
polymre PIII et celles par courbure, tout en respectant la distance minimum requise entre les deux
bras de linterfromtre Mach-Zehnder permettant dviter que le champ appliqu un bras ne
dborde sur lautre.
Afin de rduire le cot de fabrication des modulateurs et de faciliter leur caractrisation sur
wafer avec des pointes CPW, nous avons tudi des transitions coplanaire et microruban trs large
bande sans via-holes ni motif dans le plan de masse. Les rsultats de mesures et de simulations
effectues laide du logiciel HFSS sont en trs bon accord pour les transitions aussi bien sur le
substrat commercial NH9338 que sur le polymre SU8 en couche mince de 8 m. Les simulations
prvoient une bande passante de 420 MHz 60 GHz pour une transition GCPW-MS-GCPW sur le
polymre NOA61 en couche mince avec une mtallisation dargent de 6 m.
Mots cls : guides dondes optiques, modulateurs lectro-optique, polymres, structure de propagation
hyperfrquence, transition coplanaire microruban, caractrisation sous pointes
Summary
The electro-optical polymers are expected to allow realizing eventually cheaper modulators
with better performances than those based on inorganic crystals such as LiNbO3 and semiconductors
such as GaAs. This PhD thesis concerns the study and the design of the microwave and optical
structure of a Mach-Zehnder modulator based on polymer, in order to demonstrate the feasibility of its
realization based on the electro-optical polymer PIII (PGMA/DR1).
The study of the optical structure using the software OptiBPM allowed, at first, to optimize the
dimensions of the cross section of single mode with high confinement factor, so the absorption of the
evanescent lightwave by the metallic electrode and the driving voltage of the modulator are
minimized. The study of Y-junctions results in a trade-off between the losses by absorption of the
polymer PIII and those by curvature, while keeping the minimum distance required between the two
arms of the Mach-Zehnder interferometer, so the electrical field applied to one arm does not extend
into the other one.
In order to reduce the manufacturing cost of modulators and facilitate their characterization on
chip with CPW probes, we studied especially ultra-broadband transitions coplanar microstrip (GCPWMS) without via-holes and etching the ground plane. The results of measurements and simulations
obtained using the software HFSS are in very good agreement for the transitions realized on both the
commercial NH9338 substrate and polymer SU8 in thin layer of 8 m. The simulations anticipate a
bandwidth from 420 MHz to 60 GHz for a transition GCPW-MS-GCPW on polymer NOA61 in thin
film with a metallization of silver of 6 m.
Keywords : optical waveguides, electro-optics modulators, polymers, microwave propagation
structure, coplanar microstrip transition, probe characterization