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A1
R1
ve1
D
G
S
VGS +
vs 1
2.5 V
Figure 1
Lamplificateur dont le schma est donn en figure 1, utilise un amplificateur oprationnel
A1 parfait utilis en mode linaire. Entre lentre - et la masse, on a dispos un transistor JFET
canal N utilis dans sa zone ohmique, cest--dire travaillant sous une tension VDS faible (vDS = ve1)
o ses caractristiques sont symtriques par rapport lorigine. Dans la zone ohmique, la
rsistance RDS du JFET est donne par la loi :
RDS 0
RDS =
1 + kVGS
-1
Avec : RDS0 = 100 et k = 1/3 V . Le graphe de la figure 2 indique lvolution de la rsistance RDS
du JFET en fonction de la tension VGS.
1500
1200
900
RDS ()
600
300
VGS (V)
0
3
2. 75
2. 5
2. 25
1. 75
1. 5
1. 25
0. 75
0. 5
0. 25
2
I.
ETUDE DE LAMPLIFICATEUR
1.1) Sachant que la tension de repos VGS du JFET est fixe - 2,5 V, calculer la valeur donner la
rsistance R1 pour obtenir un gain en tension du montage : A = vs1 / ve1 de 101.
1.2) Pour les petites variations autour du point de repos choisi, savoir VGS = - 2,5 V, lon peut
crire, en assimilant la courbe RDS = f (VGS ) sa tangente : dRDS = - a dVGS.
Dterminer lexpression du coefficient de proportionnalit a et donner sa valeur numrique sans
oublier son unit.
1.3) En supposant maintenant que la tension continue VGS varie lgrement autour de sa valeur
nominale, montrer qualitativement que le gain A du montage varie. Indiquer le sens de ces
variations.
II.
Ve2m
R3
R2
D1
i2 (t)
0
T/2
ve2 (t)
D2
e
vs2 (t)
A2
Figure 3
Le montage de commande (figure 3) utilise un autre amplificateur oprationnel idal A2 attaqu par
une tension sinusodale ve2 = Ve2m sin (.t), damplitude Ve2m . Les diodes D1 et D2 sont idales.
2.1) Montrer qualitativement, en analysant ltat des diodes D1 et D2, pour :
0 < t < T/2
T/2 < t < T,
que la tension de sortie vS2 (t) est obtenue par redressement mono-alternance de la tension dentre
ve2 (t). Dessiner sur une priode la forme de la tension de sortie vS2 (t).
2.2) En dduire lorsque la diode D1 est passante, lexpression du rapport des amplitudes Vs2m / Ve2m
en fonction des rsistances R2 et R3.
III
A1
ve1
R3
R2
D1
R1
D2
vs 1
C
100 F
A2
VGS
S
Figure 4
3.1) Ecrire la relation liant la tension continue VGS et lamplitude Ve1m de la tension dentre ve1 en
fonction de RDS, R1, R2 et R3.
On donne R2 = 100 k, calculer la valeur donner la rsistance R3 pour obtenir : VGS = - 2,5V.
3.2) On suppose maintenant que lamplitude Ve1m de la tension dentre varie de dVe1m autour de sa
valeur nominale gale 10 mV. Le systme tant rtro actionn, la variation de lamplitude de ve1
entrane une variation de la tension VGS qui va modifier RDS.
Comme le montre le rsultat de la question 3.1, la tension VGS est fonction de deux variables Ve1m et
R DS. En dduire lexpression de la variation dVGS de VGS (diffrentielle totale) en fonction des
variations dVe1m de Ve1m et dRDS de RDS..
3.3) En exploitant les proprits du montage (questions 1.2, 3.1), rechercher lexpression du facteur
dVs1 m
en fonction de RDS, R1, a, R2, R3 et Ve1m .
de rgulation : S =
dVe 1 m
Faire lapplication numrique pour la valeur nominale Ve1m = 10mV.
CORRIGE
Q12 : a =
dRDS
dVGS
A=
RDS = 600
avec : RDS =
v s1
R
= 1+ 1
v e1
RDS
RDS 0
1 + k .VGS
a=
R1 = 60 k
k .RDS 0
= 1200 A1
(1 + kVGS ) 2
Q21 : lorsque 0 < t < T/2 la diode D1 est passante et D2 bloque (i2 (t) > 0)
Pour T/2 < t < T, la diode D2 est passante et D1 bloque (i2 (t) < 0)
Vs2 (t) a la forme suivante qui correspond un redressement mono alternance :
vs2 (t)
T/2
Vs2 m
R
= 3
Ve 2 m
R2
D1 est idale cest--dire analogue un court-circuit.
Q31 : VGS = VS 2 m =
R3
VS1m
R2
R1
)Ve1m
RDS
R
R
VGS = 3 (1 + 1 )Ve1m
R2
RDS
avec : VS1m = (1 +
R3 = 247,5 k
R3
R
(1 + 1 )Ve1m
R2
RDS
VGS
V
) RDS cte dVe1m + ( GS )Ve1mcte dRds
Ve1m
Rds
dVGS =
soit :
R R
R3
R
(1 + 1 )dVe1m + Ve1m 3 21 dRDS
R2 RDS
R2
RDS
dVGS =
R3
VS1m
R2
1+
R1
RDS
R R
R3
R
(1 + 1 ) dVe1m Ve1m 3 21 a.dVGS
R2 RDS
R2
RDS
R3
dVS1m
R2
dVS1m
=
R1
dVe1m 1 + R3 V
a
e1m
2
R2
RDS