Semi-conducteurs I

Transistor

Semi-conducteurs I
Transistor
280-215

Semi-conducteurs I
Structure du transistor
Transistor bipolaire
Caractristiques et paramtres du transistor

Transistor bipolaire jonction

La structure fondamentale
Le transistor bipolaire jonction (BJT)
3 rgions semi-conducteurs dops,
spares par 2 jonctions PN

Les trois rgions sont appeles:

metteur

Base

Collecteur

Transistor bipolaire jonction

N
P

P
N

Transistor bipolaire jonction

Transistor bipolaire jonction

Transistor bipolaire jonction

Les jonctions PN
La jonction base-metteur
La jonction base-collecteur
Les matriaux de la base est faiblement dop
et trs troit
Les matriaux du collecteur et de lmetteur
sont fortement dops

Transistor bipolaire jonction

Le terme bipolaire
utilisation commune des trous et des lectrons
comme porteurs

La jonction base-metteur (BE) est sous

polarisation directe
La jonction base-collecteur (BC) est
polarisation inverse
On appelle ce procd la polarisation directeinverse

Transistor bipolaire jonction

Transistor bipolaire jonction

Transistor bipolaire jonction

* Sens conventionnel du courant

Transistor bipolaire jonction

IE = IC + IB
* Sens conventionnel du courant

Transistor bipolaire jonction

Application des tensions de polarisation:
VBB = Jonction Base-metteur (Directe)
VCC = Jonction Base-Collecteur (Inverse)

VBB de valeur plus faible que VCC est

fournie par un diviseur de tension

Transistor bipolaire jonction

Bta CC (CC)
Le rapport entre IC et IB est appel:
Le gain bta CC

CC

Cest--dire le gain direct en courant c.c.

dun transistor
La formule dmontre la relation:
CC = IC
IB

Bta CC (CC)
Lchelle typique pour CC se situe
environ entre 20 200
CC quivalent hFE

Alpha CC (CC)
Le rapport entre IC et IE se nomme:
Alpha CC

CC

Lchelle typique pour CC se situe

environ entre 0,95 0,99
La valeur de CC est toujours infrieure
1 puisque IC est toujours un peu plus
faible que IE

Bta CC (CC) et Alpha CC (CC)

Analyse des courants et tensions

IB: Courant c.c. la base

IE: Courant c.c. lmetteur
IC: Courant c.c. au collecteur
VBE: Tension c.c. de base par rapport lmetteur
VCB: Tension c.c. du collecteur par rapport la base
VCE: Tension c.c. du collecteur par rapport
lmetteur

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Jonction base-metteur
polarisation directe, son action est
semblable celle dune diode
elle possde une tension ses bornes gale la
valeur dune barrire de potentiel

VBE 0,7 V

Analyse des courants et tensions

metteur est la masse (0V), la tension aux
bornes de RB, selon la loi des tensions de
Kirchhoff:
VRB = VBB - VBE
Aussi, selon la loi dOhm,
VRB = IBRB

Analyse des courants et tensions

En substituant les termes,
IBRB = VBB - VBE
Et IB,
IB = VBB - VBE
RB
La tension aux bornes de RC est:
VRC = ICRC

Analyse des courants et tensions

La tension au collecteur par rapport
lmetteur:
VCE = VCC - ICRC

O IC = CCIB. La tension aux bornes de la jonction collecteur-base sous

polarisation inverse est:
VCB = VCE - VBE

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Analyse des courants et tensions

Courbes caractristiques du
collecteur

Daprs le circuit, une srie de courbes

dmontrent comment IC varie avec VCE
pour diffrentes valeurs de IB

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur
Blocage:
Le transistor est en blocage, lorsque IB = 0
Il existe une infime quantit de courant de fuite au

collecteur ICEO
cause de sa trs faible valeur, ICEO sera souvent
nglig; VCE = VCC
Lors du blocage, les jonctions base-metteur et basecollecteur sont toutes les deux en polarisation inverse

Courbes caractristiques du
collecteur
Saturation:
Lorsque la jonction base-metteur passe en polarisation
directe et que le courant la base est augment
Le courant au collecteur augmente galement
IC = CCIB
VCE diminue puisque la tension aux bornes de RC
augmente
VCE = VCC ICRC
Lorsque VCE atteint sa valeur de saturation; VCE(sat)

Courbes caractristiques du
collecteur
Saturation:
Lorsque VCE atteint sa valeur de saturation; VCE(sat)

La jonction BC passe en polarisation directe

IC cesse daugmenter mme si lon continue

augmenter la valeur de IBdu collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur
Saturation:
Au point de saturation, la relation suivante nest plus

valable:
IC = CCIB

VCE(sat) se produit quelque part sous le genou des courbes

du collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur
Droite de charge c.c.:
Une droite de charge c.c. se dresse entre les
points de blocage et de saturation
Le point infrieur de la droite de charge est le point
de blocage idal o:
IC = 0
VCE = VCC

Courbes caractristiques du
collecteur
Droite de charge c.c.:
Le point suprieur est le point de saturation:
IC = IC(sat)
VCE = VCE(sat)
La rgion active se situe le long de la droite entre
les points de blocage et saturation

Courbes caractristiques du
collecteur

VCE > 0,7 V

BC polarisation inverse
Rgion linaire
IC stabilise VCE
IC = CCIB
La proportion du
courant de fuite pour
IB = 0 est exagre
pour les fins
dillustration

Courbes caractristiques du
collecteur
Droite de charge c.c.

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur

Courbes caractristiques du
collecteur

CC

CC varie en fonction:
Le courant au collecteur
De la temprature

Valeurs maximales
Comme toute composante lectronique, le transistor a ses
limites de fonctionnement
Elles sont spcifies sous forme de valeurs maximales sur la fiche
technique du fabricant

Les valeurs maximales sont donnes pour:

La tension collecteur-base (VCB)
La tension metteur-base (VEB)
Le courant au collecteur (IC)
La dissipation de puissance (PD)

Valeurs maximales

Valeurs maximales

Valeurs maximales
Le produit de VCE et de IC ne doit pas excder la dissipation de
puissance maximale
Si la valeur de VCE est maximale, la valeur de IC peut tre
calcule avec la formule:
IC = PD(max)
VCE
Si la valeur de IC est maximale, la valeur de VCE peut tre
calcule avec la formule:
VCE = PD(max)
IC

Valeurs maximales

Pour ce transistor:
PD(max) = 500 mW
VCE(max) = 20 V
IC(max) = 50 mA

Points B et C
Points C et D
Points A et B

Valeurs maximales

Valeurs maximales

Valeurs maximales

Valeurs maximales

Valeurs maximales

Valeurs maximales

Transistor comme
amplificateur
Lamplification, lune des plus importantes
proprits du transistor, est le procd par
lequel on augmente lamplitude dun signal
lectrique de faon linaire
Le transistor produit un gain en courant
appel
Lorsquun transistor est polaris pour
fonctionner dans sa rgion active:
La rsistance de BE est faible par polarisation
directe
La rsistance de BC est leve par polarisation

Transistor comme
amplificateur
Glossaire:
Les quantits c.c.:
IB, IC et IB
VBE, VCB et VCE
VB, VC et VE

Les quantits c.a.:

Ib, Ic et Ie
Vbe, Vcb et Vce

Les rsistances internes:

rb, rc et re

Transistor comme
amplificateur
Pour un transistor, le
courant la base est
infime compar aux
courant au collecteur
et lmetteur
IC IE

Une tension c.a. Ven

est connecte en
srie VBB
VCC est connecte au
collecteur travers

Transistor comme
amplificateur
Le courant au
collecteur produit une
tension aux bornes
de RC
Vc est une
reproduction
amplifie mais
inverse de Ven
Les sources de
polarisation c.c. se
comportent comme
des courts-circuits

Transistor comme
amplificateur
La jonction BE;
polarisation directe,
prsente une trs
faible rsistance
Ven
Cette rsistance
metteur c.a. interne
est reprsente par
re
Le courant c.a.
lmetteur est:

Transistor comme
amplificateur
La tension c.a. au
collecteur, Vc est
gale la tension
c.a. aux bornes de
RC
Vc = IcRC

Puisque Ic Ie, la
tension au collecteur
est:
Vc IeRC

Transistor comme
amplificateur
La valeur de Vb peut
tre considre
comme Ven
Vb = Ven IbRB

Vc peut tre
considre comme
Vsor
Le rapport entre Vc et
Vb est le gain en
tension c.a.: Av

Transistor comme
amplificateur
En substituant IeRC
par Vc et Iere par Vb
Av = Vc IeRC
Vb Iere

Les termes Ie
sannulent:
Av RC
re

La valeur de RC est
toujours plus leve

Transistor comme
amplificateur
Dterminer le gain en tension et la tension
c.a. de sortie si re = 50

Transistor comme
amplificateur
Dterminer le gain en tension et la tension c.a. de sortie si re = 50

Transistor comme interrupteur

La seconde application majeure est
dagir comme interrupteur
Le transistor est alternativement mis en
mode de blocage et en mode de
saturation

Transistor comme interrupteur

Sous la condition de saturation, il existe
idalement un court-circuit entre le
collecteur et lmetteur
En ralit, nous pourrions y mesurer une
tension denviron quelques diximes de
volt que lon appelle tension de
saturation: VCE(sat)

Transistor comme interrupteur

Condition de blocage:
La jonction BE nest pas en polarisation
directe
Tous les courants sont approximativement
nuls
La valeur de VCE est approximativement =
VCC
VCE(blocage) = VCC

Transistor comme interrupteur

Condition de saturation:
La jonction BE est en polarisation directe
IB assez lev pour produire IC(max)
Lors de la saturation, IC est:
IC(sat) = VCC VCE(sat)
RC

Transistor comme interrupteur

Condition de saturation:
La jonction BE est en polarisation directe
IB assez lev pour produire IC(max)
Lors de la saturation, IC est:
IC(sat) = VCC VCE(sat)
RC

Transistor comme interrupteur

Condition de saturation:
Comme VCE(sat) est infime comparativement
VCC
La valeur minimale de courant la base
requise pour produire la saturation est:
IB(min) = IC(sat)
CC
IB doit tre sensiblement
plus
lev que IB(min) pour garder
le transistor en mode de
saturation

Transistor comme interrupteur

Transistor comme interrupteur

Transistor comme interrupteur

Transistor comme interrupteur

Lorsque londe carr est
0V, le transistor est bloqu
Aucun IB donc aucun IC
DEL est teinte
Lorsque londe carr est
max., le transistor est
sature
DEL est en polarisation
directe
IC permet DEL est allume
Consquemment, la DEL
clignote chaque seconde

Transistor comme interrupteur

Transistors bipolaires
jonction

Transistors bipolaires
jonction

Botiers de transistors

Botiers de transistors

Botiers de transistors