Mohssine Poly Du Cours D - Électronique Analogique

ECOLE MOHAMMADIA D’INGENIEURS
Electronique Analogique
Année Universitaire 2013-2014
MOHSSINE
EMI Electronique analogique M. Mohssine 1

1.Introduction aux semi-conducteurs
Les semi-conducteurs sont des solides cristallisés. Par définition, le cristal possède une
structure ordonnée. Dans le cas du silicium Fig. 1, qui est le semi-conducteur le plus utilisé, la
rigidité du cristal est assurée par la mise en commun de quatre électrons périphériques avec
quatre électrons d’atomes voisins
• Semi-conducteurs purs
Fig. 1
L’énergie, qui apparaît du fait de l’agitation thermique qui règne à une température ordinaire
d'environ 20°C, peut être suffisante pour que certains électrons périphériques échappent à
l’attraction de leur noyau et deviennent des électrons libres. La libération d’un électron laisse
place à un trou. L’atome correspondant est alors devenu un ion positif.
Le semi-conducteur devient donc un conducteur puisqu’il contient des électrons libres

porteurs de charge (-e). Fig. 2
Fig. 2
Par ailleurs, certains électrons libres peuvent se fixer dans des trous qui n’étaient pas les leurs

au départ, avant de repartir pour se fixer dans d’autres trous. Tout se passe comme si on
observait un déplacement de porteurs de charge (+e) d’atomes en atomes.
Toutefois, l’ensemble reste neutre puisqu’il y a autant de trous que d’électrons libres.
• Semi-conducteurs dopés
Semi-conducteur de type N
Fig. 3
Ajoutons dans une structure cristalline de semi-conducteurs un atome qui possède cinq
électrons libres sur sa couche périphérique. Quatre de ces cinq électrons vont assurer les
liaisons avec les atomes voisins Fig. 3, et le dernier va rester libre. L’atome d’impureté ainsi
ajouté est appelé atome donneur.
Les électrons libres sont devenus majoritaires, alors que les trous par voie de conséquences
sont devenus minoritaires. Le semi-conducteur est dit de type N.
Semi-conducteur de type P
Prenons le cas maintenant de l’addition d’un atome avec trois électrons périphériques. Il va de
ce fait y avoir un défaut d’un électron pour assurer la cohésion du cristal. Cet atome
d’impureté est appelé atome accepteur.
Ainsi les électrons libres sont-ils devenus minoritaires tandis que les trous par voie de
conséquences devenaient majoritaires.
Le semi-conducteur est dit de type P.
2.La jonction PN
Une jonction PN est obtenue en réalisant à l’intérieur d’un même morceau semi-
conducteur un dopage N d’un côté et un dopage P de l’autre Fig. 4. Il se forme, entre
les deux régions P et N, une zone de transition ZT dépourvue de porteurs, donc non
conductrices.

Fig. 4 a
Etudions les propriétés d’une jonction PN. Les électrons libres de la région N
diffusent vers la région P et inversement les trous de la région P vers la région N. Ces
porteurs mobiles se neutralisent dans une zone dite de transition de part et d’autre de la
jonction.
Fig. 4 b
Comment se constitue cette zone de transition. Nous savons qu’un semi conducteur est
constitué d’atomes ayant 4 électrons sur leurs couches périphériques. Nous plaçons lors du
dopage d’autre atome possédant 3 ou 5 électrons.

ZONE P :
Les + représentent les trous et ils sont majoritaires dans la zone P. Normale
puisque cette zone est dopée avec des atomes ne possédant que trois électrons
périphériques.
Les – représentent les électrons libres et sont minoritaires dans la zone P. Rappel
que nous avons des électrons libre à cause de l’agitation thermique. (Agitation
thermique présente par le seul fait de se trouver à température ambiante).
Les cercles avec un – représentent les atomes dit atome accepteur ionisé. Ce sont
des ions négatifs.
ZONE N :
Les – représentent les électrons libres et ils sont majoritaires dans la zone N.
Normale puisque cette zone est dopée avec des atomes possédant 5 électrons
périphériques.
Les + représentent les trous et sont minoritaires dans la zone N.
Les cercles avec un + représentent les atomes dit atome donneur ionisé. Ce sont
des ions positifs.
Les électrons libres, très nombreux dans la région N, diffusent dans la région P.
de même les trous de la région P, diffusent dans la région N. Ces porteurs
mobiles, de signes opposés, se neutralise dans une petite zone dite de transition,
qui s’étend de part et d’autre de la jonction.
Dans la zone de transition, il n’y a plus que les ions fixes. Positif du côté N et
négatif du côté P.
Les ions de cette zone de transition entraîne l’existence d’une différence de

potentiel Vd, dite tension de diffusion, entre les frontières de la zone de
transition. (Cette valeur est de l’ordre de 0,7V pour le silicium) et dirigée du
« + » vers le «- » donc de la zone N vers la zone P. Cette configuration entraîne
donc l’apparition d’un champ électrostatique Ed dirigé de P vers N. Fig. 5
Etant donné que la diode se trouve à température ambiante, la jonction PN est soumise à
une certaine agitation thermique qui se caractérise par l’existence d’une énergie au sein des
atomes et donc des électrons. Ces derniers se déplacent dans le substrat avec une quantité
d’énergie et l’espoir de se faire capter par un atome possédant un manque d’électron. Ces
derniers se trouvant bien entendu dans la zone P les électrons vont tenter de si rendre.

Fig. 5
Dans la zone de transition, des anions et des cations fixes créent un champ électrostatique ED,
dirigé de N vers P. Il en résulte une tension de diffusion VD entre les frontières de la zone de
transition.
Les électrons libres de la région N qui pénètrent dans la zone de transition sont
soumis au champ Ed dirigé de P vers N. On peut conclure que les électrons vont
être repoussés dans la zone N. Seul quelques uns qui auront acquis par agitation
thermique une énergie au moins égale à VD passeront dans la région P et ce
malgré le champ de répulsion Ed. De la même façon, Je peux donc conclure que
les trous vont être repoussés dans la zone P. Un petit nombre passera toutefois
vers la région N par le même principe que les électrons. On peut dire que j’ai un
déplacement d’électron et de trou et que ce dernier peut être caractérisé par le
courant de diffusion qui est dirigé de P vers N. Fig. 6
Si les porteurs majoritaires étaient en règle général repoussés, on ne peut pas en

dire autant des porteurs minoritaires qui eux vont lors de leur approche de la zone
de transition être précipités par le champ Ed dans l’autre région. On peut
conclure qu’il existe un courant appelé courant de saturation qui est dirigé de N
vers P. Comme les porteurs minoritaires sont fonctions de l’agitation thermique,
le courant de saturation sera d’autant plus important que la température augmente
et alors, Id (courant de diffusion) = Is (courant de saturation).
Fig. 6

Conclusion :
Si aucune modification thermique n’apparaît, le courant de saturation sera constant dans la
jonction.
Courant de diffusion: quelques électrons du fait de

l’agitation thermique acquièrent assez d’énergie
pour s’opposer à la force électrostatique engendrée
par le champ ED. De même, les trous de la région
P ont un comportement similaire. Il en résulte un
courant ID de diffusion, dirigé de P vers N.
Courant de saturation: certains porteurs minoritaires sont

de suite plongés dans le champ et de ce fait accélérés. Il
en résulte un courant IS de saturation orienté de N vers
P, qui croît avec la température.
Si la jonction n’est soumise à aucune différence de

potentiel, alors on a :
IS = ID
3.La jonction PN polarisée

• Polarisation directe
La région P est reliée au pole ⊕ du
générateur. Fig. 7
Il règne de ce fait une différence de
potentiel imposée par le générateur qui reste
inférieure à la tension de diffusion, mais qui
entraîne une augmentation de potentiel de la région
P.
Les porteurs majoritaires susceptibles de

franchir la jonction deviennent plus nombreux
qu’en l’absence de polarisation: l’énergie
nécessaire pour passer cette zone n’est plus que de
e(V D − V ) au lieu de eVD .
Le courant de diffusion devient alors très

supérieur au courant de saturation. On définit alors
le courant direct noté Id tel que
Id = I D − IS ≈ I D .
Fig. 7
La jonction PN polarisée en sens direct est conductrice

• Polarisation inverse
C’est la région N qui est maintenant

reliée au pole ⊕ du générateur Fig. 8
Du fait de la différence de potentiel, la
région P est le siège d’une diminution de
potentiel égale à V. La d.d.p aux bornes de la
zone de transition est alors V D + V . A
l’inverse du cas précédent, les porteurs de
charge majoritaire susceptibles de passer la
zone de transition sont beaucoup moins
nombreux puisqu’ils doivent fournir une
énergie supérieure à e(V D + V ) . Le courant de
diffusion devient de ce fait négligeable. On
introduit dès lors le courant inverse noté Ii qui
est tel que I i = I S − I D ≈ I S .
Or ce courant est toujours très faible
(voire négligeable dans la plupart des cas)
puisqu’il est dû aux porteurs de charges
minoritaires.
Une jonction PN polarisée en sens inverse est dite bloquée.

Fig. 8
• La dissymétrie
Ces expériences nous montrent qu’un semi-conducteur comportant une jonction est un
composant dissymétrique, conducteur si la région P est positive par rapport à la région N et
non conducteur dans le cas contraire.
On dit que la jonction est passante de P vers N et non passante de N vers P.
On appellera anode le côté P et cathode le côté N.
Lorsque la jonction est passante, le courant va de l’anode à la cathode.
4.La diode à jonction
Fig. 9

Une diode à jonction est un cristal de semi-conducteur comportant une jonction PN à laquelle
on ajoute deux électrodes respectivement en contact avec chacune des régions. Fig. 9
L’élément de base est une jonction PN dont la diode a toutes les propriétés. Pour permettre
son insertion dans des équipements, la jonction doit être « habillée » et se présenter sous
forme d’un composant maniable. En outre, pour faciliter les échanges thermiques avec l’air
ambiant.
Symbole
Orientations
L’orientation de la diode dans le sens passant Fig. 10, c’est à dire pour une tension positive
et un courant de circulation non nul, est le suivant :
Fig. 10
4.1 Caractéristique directe
La diode est polarisée en mode passant, Fig. 10 la borne positive de la source sur la jonction P
ou sur l’anode et la borne négative de la source sur la jonction N ou sur la cathode.
Comme nous le savons déjà, dans ce cas nous aurons circulation d’un courant.
Fig. 10

Il paraît intéressant avant de tracer l’allure de la caractéristique direct U=f(I) de découvrir
le fonctionnement interne de la diode.
Nous savons que notre jonction de par la présence d’un champ électrostatique Ed empêche
tout déplacement des porteurs majoritaires au sein de notre diode. Il faudrait donc que nous
parvenions à vaincre cette dernière afin de permettre la circulation des porteurs
majoritaires et ainsi augmenter le courant de diffusion qui deviendra plus important que le
courant de saturation et ainsi permettre la conduction de la diode et la circulation d’un
courant à l’extérieur de cette dernière. Pour permettre aux porteurs majoritaires de
traverser la zone de transition, nous devrions créer un champ plus important et de sens
inverse à Ed. Nous savons que le champ Ed est dirigé de N vers P. Il nous faudrait donc
créer un champ dirigé de P vers N. Pour cela, il nous suffit d’augmenter le potentiel de la
région P d’une valeur V et ainsi porter le potentiel de la zone de transition à VD-V. Pour
porter le potentiel de la région P, il me suffit d’appliquer la borne positive d’un générateur
sur l’anode ou la zone P de la diode. Nous devons vaincre la barrière de potentiel de la
jonction de transition en appliquant une tension égale à VD (0,7V), pendant se temps nous
n’avons pas de circulation des porteurs majoritaires et donc pas de circulation de courant.
Ensuite, nous avons présence d’un champ résultant au droit de la zone de transition qui
contribue à accroître le déplacement des porteurs majoritaires, donc des électrons et par
conséquent du courant à l’extérieur de la diode. Noter encore que une fois les électrons
majoritaires de la zone N parvenu dans la zone P, il n’y a pas combinaison de ces derniers,
en effet, grâce à l’énergie emmagasinée ils traverseront la zone P pour être attiré par la
borne positive du générateur. Il en sera de même pour les trous qui seront après traversée
de la zone N attiré par la borne négative du générateur. La courbe ci-dessous Fig. 11 nous
montre l’amplification rapide du courant au sein de la diode pour de faible variation de
potentiel et ce après avoir vaincu la barrière de potentielle de la zone de transition.
U=f(I)
12
10
6
I(A)
0
0 0,5 1
-2
U(V)
Fig. 11

Équation.
Fig. 12. Linéarité de Log (I) fonction de V.
la courbe Fig.12. (à l'exception de la zone de claquage) répond assez bien à la formule

suivante, expliquée par la thermodynamique statistique :
où :
If est le courant de fuite appelé aussi Is ou courant de saturation.
q la charge de l'électron = 1,6E-19C
k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K
T température absolue
1. Résistance différentielle (ou dynamique).

Fig. 13. Résistance dynamique.
La résistance dynamique étant l'inverse de la pente de la caractéristique en un point

donné, on peut la déduire par dérivation de la formule du courant dans la diode en fonction de
la tension aux bornes de celle ci :
C'est la résistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est fonction du
courant de polarisation Id au point étudié.
La figure Fig. 13 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations

sont très importantes.
2. Schéma équivalent.
La représentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour l'emploi de
tous les jours. Plusieurs schémas équivalents simplifiés sont proposés :
 Diode idéale.
Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode. La

caractéristique est alors celle de la figure Fig. 14.
Ce schéma est utile pour des pré calculs, surtout si les diodes sont employées dans des circuits
où les tensions sont élevées (plusieurs dizaines de volts) : la tension de coude est alors
négligeable.

Fig. 14. Caractéristique idéale.
 Diode avec seuil.
On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractéristique devient :
Fig. 15. Caractéristique avec seuil.
Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs.
 Diode avec seuil et résistance.
Attention : dans ce cas, on considère que la résistance dynamique est constante, ce qui n'est
vrai que si la variation du signal alternatif est très petite autour du point de polarisation en
continu !
Ici, on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode en
petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance dynamique.
Fig. 17. Caractéristique avec seuil et résistance.

4.2 Caractéristique inverse
La diode est polarisée en mode bloquant, la borne positive de la source sur la jonction N ou
sur la cathode et la borne négative de la source sur la jonction P ou sur l’anode. Fig. 18 Dans ce
cas nous n’aurons pas circulation d’un courant.
Fig. 18
Si nous reprenons le raisonnement appliqué dans le cas de la conduction de la diode, pour

la conduction, nous avons veillé à augmenter le potentiel de la jonction P et pour cela nous
avons appliqué la borne positive du générateur sur l’anode (P) de la diode.
Dans notre nouveau cas, nous remarquons que la borne positive du générateur est
appliquée non plus à l’anode mais à la cathode. Cela entraîne au sein de la diode
l’apparition d’un champ supplémentaire de sens P vers N donc de même sens que le champ
de la zone de transition. En effet, nous augmentons la différence de potentiel Ud=VD déjà
existante au droit de la zone de transition créée par les ions, cela veut donc dire que nous
amplifions cette dernière plutôt que de la combattre renforçant ainsi également le champ
électrostatique renforçant le blocage de la diode. Nous pouvons donc conclure en disant
que le courant qui circule est très faible voir nul et est du aux porteurs minoritaires. Si l’on
augmente suffisamment le potentiel du générateur, nous allons obtenir un phénomène
d’avalanche au sein de la diode. En quoi consiste-t-il ?
Le champ résultant va être important, il va donc permettre au minoritaire

d’acquérir une énergie telle qu’ils vont pouvoir lors de leur passage dans la
zone de transition d’ioniser des atomes et ainsi libéré de nouveaux électrons.
Ce dernier électron libéré est à son tour accéléré par Ed et donc susceptible
d’ioniser d’autres atomes. Il y a ainsi multiplication rapide des porteurs
mobiles (on parle de phénomène d’avalanche) et le courant augmente très vite.
On dit qu’il y a claquage de la jonction par effet Zéner. Fig. 19

U=f(I)
-600 -400 -200 0

0
I(A)
-1
-2
-3
-4
-5
-6
U(mV)
Fig. 19
4.3 Grandeurs caractéristiques d’une diode Fig. 20
U=f(I)
12
10 B
6
I(A)
2
A
0
Uo
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
-2
U(V)
Fig. 20

Seuil de tension
Le seuil de tension d’une diode définit le seuil pratique de tension Uo=VD et qui
correspond à l’intersection entre la partie rectiligne de la caractéristique et l’axe des
tensions (valeur un rien supérieur à 0,7V.
Résistance statique
Il s’agit de la résistance apparente de la diode, c’est le rapport entre une valeur de la

tension directe appliquée à la diode et la valeur correspondante du courant.
Ud
Rs =
Id
Résistance dynamique
Il s’agit du rapport entre une tension et un courant (loi d’ohm). Dans notre cas, il s’agit de
la valeur de la tension directe que l’on retrouve sur la courbe comme étant la valeur de la
tension entre les points A et B et le courant entre ces deux mêmes points.
∆Ud
Rd =
∆Id
Limite d’utilisation d’une diode
Ces limites sont fixées par le fabricant, on retrouve :
• URM = tension inverse maximum. (c’est la valeur maximum que la diode peut
supporter en inverse)
• IAV = courant moyen direct. (c’est, en fait, le courant de service que peut
supporter la diode)
• Tj = température maximum de jonction. (il est important de connaître cette
température afin de calculer le radiateur à placer, au besoin, sur la diode)
• IR = courant inverse. (c’est la valeur instantanée maximum du courant
traversant la diode polarisée en inverse.
Choix d’une diode
Pour bien choisir une diode, il faut tenir compte de la tension maximum, du
courant moyen direct et de la température maximum de jonction.
Au niveau des valeurs usuelles des diodes, on considérera la chute de tension
dans le sens passant et la valeur maximum du courant direct.

5 La diode Zéner
5.1 Définition
Une diode zéner Fig. 21 est une diode à jonction qui, sous une tension inverse un peu
supérieure à la valeur de claquage, supporte sans dommage un courant inverse relativement
important. Le claquage est donc réversible. Cette propriété a été obtenue par un dopage
convenable du semi-conducteur. La diode zéner est donc un composant non linéaire,
dissymétrique, à seuils de tension. En d’autre terme, la zone P et N d’une telle diode
possède un nombre plus important de porteurs majoritaires (du à un plus grand dopage) et
donc une zone de jonction plus étroite. Cela à pour conséquence d’avoir un champ interne
intense. Cela veut aussi dire que la tension d’avalanche sera relativement faible.
5.2 Représentation
Fig. 21
5.3 Caractéristique
Dans le sens direct ou passant, elle est identique à celle d’une diode simple. Fig. 22
Dans le sens inverse ou bloqué, le courant reste nul ou négligeable tant que la tension
du générateur n’est pas devenue supérieure à la tension de zéner.

U=f(I)
12
10
8
6
4
I(A)
2
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 -2 0 1 2
-4
-6
U(V)
Fig. 22

Utilisation
La propriété de cette diode est utilisée dans les montages stabilisateurs de tension. Fig. 23
Fig. 23
Comme on le voit, le courant i qui passera dans la diode va dépendre du courant I2

qui passera dans la résistance R2 ; à la limite, si le courant dans R2 est nul, le
courant dans la diode sera maximum. Je peux considérer que j’ai un générateur infini
et en tirer que le courant I1 est constant.
Dans ces hypothèses, je peux dire que si I2 est maximum, i est minimum.
Dans la zone avant stabilisation, la tension U2 est inférieure à Uz et le courant i reste

nul.
Dans ce cas, le circuit se ramène à deux résistances en série.
R1 + R 2
U 1 = U 2.
R2
Dans le domaine de stabilisation, la tension U2 reste égale à Uz et le courant i n’est

plus nul.
Uz
U 1 = Uz + R1.(i + )
R2
On peut dire que c’est la résistance R1 qui limitera le courant dans la zéner lorsque R2
sera déconnectée et c’est également R1 qui limitera le courant dans R2 lorsque cette
dernière sera minimum.
La valeur de R1 est donc très importante, voyons comment trouver sa valeur :
U1 − U 2
R1 = nous prendrons le cas le plus défavorable et nous retiendrons que I1 =
I1
IZM lorsque I2 est nul.
La puissance dissipée par la résistance R1 pourra s’écrire : PR1= R1.I1² .
Exemple numérique :

Soit à calculer la résistance de limitation du courant R1 à placer dans le cas d’une
tension d’alimentation du montage égale à U1 = 17V pour une tension de sortie U2 =
9,1V délivrée par une diode zéner et pouvant dissiper une puissance de 1,3w ; le
courant minimum devant circuler dans la diode zéner est de 25mA.
1,3
IZM = Pz = =143mA
U2 9,1
17−9,1
R1=U1−U2 = =55,2Ω soit 56 ohms
IZM 143.10 −3
−3
PR1= R1.I1²=56.143.10 =1,145w
6 La diode en redressement.
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du
secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages
électroniques (entre autres). Avant le système de redressement, on a presque toujours un
transformateur qui sert à abaisser la tension secteur (les montages électroniques fonctionnent souvent
sous des tensions de polarisation allant de quelques volts à quelques dizaines de volts), et qui sert aussi
à isoler les montages du secteur (220V).
6.1 Redressement mono alternance.
C'est le redressement le plus simple qui soit Fig. 24. Lorsque la tension aux bornes du
transformateur Vt dépasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le
courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge Vr est alors égale à la tension
aux bornes du transformateur moins la tension directe VF de la diode.
Redressement avec une diode.
Fig. 24

Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil, la
diode est bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est négligeable en comparaison
du courant direct.
La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du transformateur : il
faudra choisir une diode avec une tension VR au minimum égale à la tension crête du
secondaire du transformateur.
6.2 Redressement double alternance.

6.2.1 Avec transfo double enroulement. Fig. 25
Fig. 25. Redressement avec transfo double sortie.
Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que
peut délivrer le transformateur. Pour remédier à cela, on utilise un transformateur avec deux
enroulements secondaires que l'on câble de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de
phase sur les diodes.
On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non négligeable quand les
tensions alternatives sont faibles (4V crête dans l'exemple ci-dessus).
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui de la
Fig. 24 qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance négative. On
vérifie bien (Fig. 26 et 27) que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même
sens.

Fig. 26. Alternance positive.
Fig. 27. Alternance négative.
Les diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne
conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de transformateur, la
tension aux bornes de la résistance. Au total, elle devra supporter une tension VR double de celle
requise dans le montage à simple alternance, soit deux fois la tension crête présente sur chacun des
secondaires.
6.1.2 Avec pont de Grætz.
Fig.28. Redressement avec pont de diodes.
Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes montées en pont. Des ponts tous faits sont
disponibles dans le commerce, permettant de réduire le nombre de composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et

quand elle est négative, D2 et D3 conduisent (Fig. 29 et 30).

Fig. 29. Alternance positive.
Fig.30. Alternance négative.
Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du transformateur
(contre deux fois pour le montage précédent), mais en revanche, on a deux tensions directes
de diode en série. La puissance totale dissipée dans les diodes est double par rapport à la
solution précédente.

6.2 Filtrage.
Les montages précédents délivrent des tensions redressées mais non continues.
Pour obtenir une tension (quasi) continue, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle
avec la charge.
6.3.1 Redressement simple alternance.

La charge est absolument quelconque Fig. 31, et peut être un montage électronique complexe ayant
une consommation en courant aléatoire.
Fig. 31. Redressement simple alternance et filtrage.
Sur le graphique du bas de la Fig. 31, on voit en pointillé la tension redressée telle qu'elle serait sans
condensateur. En traits pleins épais, on voit la tension filtrée.
Sur ce graphe, le courant de décharge du condensateur est linéaire : il correspond à

l'hypothèse de décharge à courant constant.
Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à
la tension aux bornes du condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode
conduit. Le transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant
de recharge du condensateur.
Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension

de coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur / charge forme alors une
boucle isolée du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie

accumulée dans la phase précédente.

A noter que la tension aux bornes du condensateur étant en permanence voisine de la tension
crête positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de crête négative, la diode
doit supporter deux fois la tension crête délivrée par le transformateur : on perd le seul
avantage (hormis la simplicité) du montage à redressement simple alternance.
Calcul du condensateur : dans la littérature, on trouve classiquement le calcul du

condensateur pour une charge résistive. La décharge est alors exponentielle et le calcul
inutilement compliqué.
Ce calcul est assez éloigné des besoins réels : en général, on ne fait pas des alimentations
continues pour les faire débiter dans des résistances !
Très souvent, ces alimentations redressées et filtrées sont suivies d'un régulateur de tension.
La charge est fréquemment un montage complexe ayant une consommation variable au cours
du temps.
Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une décharge à courant constant, le
courant servant au calcul étant le maximum (moyenné sur une période du secteur) consommé
par la charge.
Le critère de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune utilité pratique,
mais une chute de tension maxi autorisée sur le condensateur pour que le montage connecté
en aval fonctionne correctement.
Avec ces hypothèses, le calcul du condensateur devient très simple : On considère que le
condensateur C se décharge à courant Imax constant pendant un temps ∆ T et que la chute de
sa tension est inférieure à ∆V.
On a alors la relation :
Le temps ∆T choisi va être approximé à la période du secteur. En pratique, le condensateur va

se décharger moins longtemps (Fig. 31), on va donc le sur dimensionner, mieux vaut prévoir
large pour éviter les mauvaises surprises ! Pour un redressement simple alternance, on aura un
∆T de 20ms, qui correspond à l'inverse de la fréquence secteur 50Hz. La valeur du
condensateur est alors :
Il faudra veiller à choisir un condensateur supportant au moins la tension crête du

transformateur à vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de tensions
diverses (résistance du transfo, diode ).

6.2.2 Redressement double alternance.
Les hypothèses seront les mêmes que précédemment. La seule différence viendra du temps T ; vu
qu'on a un redressement double alternance, Fig. 32. La fréquence du courant redressé est double de
celle du secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :
F est la fréquence secteur (50Hz). A chute de tension égale, le condensateur sera donc deux
fois plus petit que pour le redressement simple alternance, ce qui est intéressant, vu la taille
importante de ces composants.
La diode aura à tenir deux fois la tension crête délivrée par chaque enroulement du
transformateur.
Fig. 32. Redressement double alternance et filtrage.
6.2.2.1 Fonctionnement des diodes et transfos.
On peut remarquer Fig. 29 et 30 que les diodes ne conduisent pas pendant toute l'alternance du secteur,
mais seulement pendant un temps très court vis à vis de cette alternance. L'énergie qui est restituée par
le condensateur dans la phase de roue libre doit être au préalable stockée pendant ce court temps de
conduction des diodes.
La conséquence de ceci, c'est que pour assurer un certain courant moyen dans la charge,
l'ensemble transfo plus diode devra débiter un courant de crête beaucoup plus intense que le
courant moyen lors des phases de conduction des diodes (environ 15 fois le courant moyen).
(Voir chronogramme)

La chute de tension dans les diodes sera alors importante (plus près d'1V que de 0,6V) ainsi
que la chute de tension dans les résistances du transformateur.
Il ne faudra pas perdre ces considérations de vue quand on voudra calculer l'alimentation au
plus juste !
L'autre conséquence est le démarrage de l'alimentation : lorsqu'on branche le transformateur

sur le secteur, on peut se trouver au maximum de tension de l'alternance secteur. La charge du
transformateur, principalement constituée du condensateur de filtrage, sera l'équivalent d'un
court-circuit. Le courant d'appel sera alors uniquement limité par la résistance interne du
transformateur (quelques dizièmes d'ohms à quelques ohms), et il sera très intense : les diodes
devront supporter ce courant (paramètre IFSM)
6.2.3 Alimentations doubles symétriques.

Si on analyse le fonctionnement du redresseur double alternance à transformateur à point milieu, on
s'aperçoit que chaque secondaire débite du courant seulement pendant une alternance. L'autre
alternance serait susceptible de fournir un courant négatif.
Partant de cette constatation, on peut imaginer facilement une alimentation double

symétrique, avec 4 diodes disposée en pont : deux diodes vont conduire les alternances
positives des secondaires du transformateur, et les deux autres les alternances négatives.
Le point milieu du transformateur sera le potentiel commun des deux alimentations.
Fig. 33. Alimentation double positive et négative.
On peut bien évidemment mettre un condensateur aux bornes de chacune des charges pour filtrer les
tensions redressées obtenues.

Ces alimentations sont incontournables dans les montages symétriques où il est nécessaire
d'amplifier des tensions continues, et notamment dans les montages à amplificateurs
opérationnels
7 DIODES SPÉCIALES.
DIODES ZENER.
7.1 Caractéristique.
Fig. 34. Caractéristique d'une diode zéner.
Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode.
En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.
En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche se produise à
une tension bien déterminée, et ne soit pas destructif. La caractéristique inverse présente alors
l'allure d'un générateur de tension à faible résistance interne.
En général, les constructeurs spécifient :
la tension d'avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt. (les valeurs de tension sont
normalisées).
à ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la résistance dynamique de la diode rzt.
le courant Izm pour lequel la puissance dissipée dans le composant sera le maximum
admissible.
on indique aussi le coefficient de variation en température de la tension Vzt.
En dessous de Vzt = 5V, c'est l'effet zéner qui prédomine. Au dessus, c'est l'effet d'avalanche.
L'effet zéner est affecté d'un coefficient de température négatif (Vzt diminue quand la
température augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes ayant une
tension Vzt d'environ 5V ont un coefficient de température nul, car les deux phénomènes se
produisent de manière équilibrée, et leurs effets se compensent.

L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet zéner, ce qui fait que le coude de tension inverse
est plus arrondi pour les diodes zéner de faible tension.
Les diodes optimales en terme d'arrondi de coude et de résistance dynamique ont des tensions
zéner voisines de 6 à 7V.
7.1.2 Schéma équivalent.
Pour simplifier les calculs, et comme pour la diode, on va définir un schéma équivalent approchant la
réalité.
Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schéma suivant modélise bien le

comportement d'une diode zéner :
Fig. 35. Schéma équivalent de la diode zéner
On définit une tension de coude Vzo, et une résistance interne constante Rz.
Ce schéma sera à utiliser avec beaucoup de prudence sur des zéners de faible tension (< 5V) :
leur coude est très arrondi, et la résistance dynamique varie beaucoup avec le courant. Pour
des tensions supérieures à 5V, il n'y aura en général pas de problèmes.
7.2 Régulation de tension.
De par leurs caractéristiques de générateur de tension, ces diodes sont idéales pour réguler
des tension continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas des tensions
redressées filtrées).
Fig. 36. Régulation de tension avec diode zéner.
Il est nécessaire d'intercaler une résistance (ou un générateur de courant) entre le générateur de tension
filtrée et la zéner de régulation : ces deux éléments ayant des caractéristiques de générateurs de tension

à faible résitance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un sur l'autre sans les détruire.
Pour que la zéner fonctionne et assure son rôle de régulateur, il faut qu'un courant Iz non nul
circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension
d'entrée Vc et de la charge Ru.
La résistance R assure donc le rôle de polarisation de la zéner, et elle sera calculée pour que
la condition énoncée ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller à ce que le courant Iz ne
dépasse pas le courant Izm, sous peine de détruire le régulateur.
Fig.37. Schéma équivalent du régulateur
Lorsque la polarisation est correcte, on peut faire le schéma équivalent du montage. La tension
d'entrée du régulateur a été scindée en une tension continue (la tension moyenne aux bornes du
condensateur), et une tension alternative (l'ondulation).
On peut définir deux coefficients de stabilisation pour caractériser ce montage. En effet, il est
loin d'être parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension d'entrée et / ou la charge
vont varier. On distingue deux coefficients :
Stabilisation amont : ce coefficient est représentatif de la sensibilité du montage aux

variations de la tension non régulée, et ceci à charge constante . Si on utilise les notations de
la Fig. 37, c'est le rapport (∆Vz/∆Vc)Iu = cte.
Stabilisation aval : ce coefficient est représentatif de la variation de la tension de sortie

quand le courant dans la charge varie (Ru varie de ±∆Ru), et ceci à tension d'entrée constante.
C'est le rapport (∆Vz/∆Iu)Vc = cte, soit en fait, l'impédance de sortie du montage . Ce
paramètre est très important dans tous les régulateurs de tension.
Il est plus simple pour calculer ces coefficients d'utiliser le schéma équivalent alternatif petits
signaux. On retire alors toutes les sources de tension continues.
Fig. 38. Schéma équivalent petits signaux
Pour le coefficient de stabilisation amont, on a :

Comme en général Ru >> Rz, cette formule devient :
On voit le dilemme : plus R est grand, plus la stabilisation amont est bonne, mais en
contrepartie, quel gâchis ! Il faudrait prévoir des tensions filtrées très grandes par rapport aux
tensions régulées pour avoir un bon coefficient de régulation. Cela ferait beaucoup d'énergie
perdue dans R. Pour pallier cet inconvénient, on remplace R par un générateur de courant : la
chute de tension à ses bornes pourra être petite, et par contre, sa résistance interne (celle qui
va servir pour le calcul en remplacement de R) sera très grande : on a les deux avantages, une
très bonne régulation et un bon rendement.
Le coefficient de stabilisation aval est égal à l'impédance de sortie du montage ; c'est la

résistance du générateur de Thévenin équivalent, soit :
R étant souvent très supérieur à Rz, on obtient :
Dans ce cas, il n'y a pas grand chose à espérer d'un artifice quelconque pour améliorer cette
valeur, sauf à rajouter d’autres composants actifs comme des transistors.
En général, on rajoute toutefois un condensateur en parallèle avec la zéner : son impédance

vient diminuer celle du montage aux fréquences élevées. C'est avantageux si le montage
alimenté a une consommation en courant avec des composantes à hautes fréquences. Ce
condensateur diminue aussi le bruit interne de la zéner qui est assez important.
Ce type d'alimentation est appelé régulateur shunt , car le courant de régulation Iz est dérivé
à la masse.
En pratique, ces régulateurs sont utilisés dans des montages simples nécessitant peu de
puissance.
7.3 Écrêtage des surtensions.
De par leurs caractéristiques, les diodes zéner sont idéales pour écrêter des surtension (commutation de
selfs ou autres) et sont donc toutes indiquées pour la protection d'autre semi-conducteurs sensibles a
ces surtensions.

GENERALITE SUR LES CIRCUIT INTÉGRÉS LINEAIRES
Le vocable analogique est utilisé pour tout ce qui est en dehors de la logique ou de la
commutation. L'électronique analogique traite donc de signaux continûment variables de formes
quelconque.
capteur Systèmes Actionneurs

Electro-
niques
Système Phy-
sique
Grandeurs électriques :
V,I
1- Définition des CIRCUIT INTÉGRÉS Analogique

Un CIRCUIT INTÉGRÉS Analogique est un ensemble électronique comprenant,
outre ses alimentations, une ou plusieurs entrées et une ou plusieurs sorties. Le signal recueilli sur la
ou les sorties est une fonction continue du signal injecté dans la ou les entrées. Les signaux d'entrée
ou de sortie peuvent être des tensions ou des courants. L'amplitude des signaux de sortie est liée à
celle des signaux d'entrée par une loi dite fonction de transfert. Cette fonction de transfert ainsi que
la nature des signaux d'entrée et de sortie définissent le type de circuit. On parlera de CIRCUIT
INTÉGRÉ linéaire lorsque le signal ou l'information ne sont pas déformés par l'utilisation de tels
circuits.
2- Définition des principaux paramètres

Nous donnons dans ce paragraphe les définitions courantes des principaux para-
mètres rencontrés lors de l'utilisation des CIRCUITS INTÉGRÉS analogiques. Il faut noter, cepen-
dant, que les notations peuvent varier selon les autres et que le retour de façon détaillée sur certains
paramètres importants sera fait ultérieurement.
1- Tension d'alimentation VCC+ ou VCC-. C'est la tension d'alimentation continue

positive (VCC+) ou négative (VCC-) par rapport à la masse.
2- Tension différentielle d'entrée : Différence des tensions appliquées sur chacune
des entrée.
3- Tension d'entrée en mode commun : Tension appliquée en phase sur les entrées .
4- Gain de tension différentielle Ad : Rapport de la variation de la tension de sortie à
la variation de la tension différentielle d'entrée qui l'a provoquée.
5- Rapport de rejection en mode commun (CMRR) :

Rapport exprimé en bd, d'une variation de tension d'entrée en mode commun pro-
voquant une certaine variation de la tension de sortie à la variation de tension d'entrée différentielle
provoquant la même variation de la tension de sortie.
6- Tension de décalage à l'entrée (Tension d'offset) VIo :
Tension différentielle qui doit être appliquée à l'entrée pour annuler la tension de
sortie.
7- Coefficient de température de la tension de décalage à l'entrée VIo : Variation
exprimée en V/C de la tension de décalage à l'entrée en fonction de la température.
8- Courant d'entrée :
Courant nécessaire pour assurer la polarisation des transistors d'entrée.
9- Courant de décalage à l'entrée (courant d'offset) :
IIo différence des deux courants de polarisation des entrées.
10- Impédance d'entrée (Résistance dynamique d'entrée) ZI :
Rapport d'une variation de tension différentielle d'entrée à la variation de cou-
rant différentiel correspondante.
11- Impédance de sortie (Résistance dynamique de sortie) Zo :

Rapport d'une variation de tension de sortie à la variation du courant qui l'a pro-
voquée.
12- Bande passante à 3 bd:
Fréquence à laquelle le gain de tension différentielle en boucle ouverte est de 3 bd
inférieur au gain de tension différentiel à une fréquence nulle (courant continu).
13- Bande passante au gain unité B1 :
Fréquence à laquelle le gain de tension différentiel est égal à l'unité.
14- Vitesse de balayage (Slew Rate) SR :
Perte exprimée en V/µs de la droite suivie par la tension de sortie lorsqu'on ap-
plique à l'entrée un échelon de tension différentiel de grande amplitude qui ne provoque pas de satu-
ration. Généralement cette mesure est effectuée au gain unité.
15- Tension de seuil (VT) :
Tension d'entrée qui provoque le changement d'état logique de la sortie quand
toutes les autres conditions exigées par les spécifications sont réunies. On parle de tension de seuil
positive lorsque la tension d'entrée décroît à partir du niveau haut.
16- Temps de transition (tTLH ou tTHL) :
Temps mis par un signal pour passer d'un niveau défini à un autre niveau défini
(tTLH passage d'un niveau bas à un niveau haut et tTHL passage d'un niveau haut à un niveau bas).
17- Temps de propagation (tPHL ou tPLH) :
Temps séparant une transition de niveau à l'entrée à la transition de niveau à la
sortie.
18- Sortance (Fan out) N :

Ce nombre caractérise la quantité de charge TTL (Standard ou basse consomma-
tion) qui peuvent être commandée par des comparateurs ou certains circuits d'interface.
19- Tension de décalage à la sortie :
C'est la tension qui existe entre les sorties ou la sortie et la masse quand les en-
trées sont à la masse .
20- Codes usuels (Texas Instruments)
Le très grand nombre de circuits intégrés rend la mise au point d'un répertoire quasi
impossible. Quelques codes sont cependant utilisés afin de faciliter un classement. Nous donnons
ici un exemple largement suivi (Texas instrument). Ces codes on numéros d'identification sont con-
çus pour contenir des informations sur au moins le type de circuit, la gamme de température d'utili-
sation et le boîtier… . Ils se composent généralement de quatre blocs de chiffre et /ou lettre :
I II III IV
- Le premier bloc est constitué d'un seul chiffre définissant la gamme de température
d'utilisation :
5 : de -55°c à +125°c gamme dite militaire
6 ou 8 : de -25°c à 85°c gamme dite militaire réduire
7 : de 0°c à 85°c gamme dite industrielle
- Le second bloc définit la nature du circuit intégré . Il ne comporte qu'un seul chiffre.
2 pour un CIRCUIT INTÉGRÉS linéaire
4 pour un CIRCUIT INTÉGRÉS logique
5 pour un CIRCUIT INTÉGRÉS interface
6 pour un CIRCUIT INTÉGRÉS de communication et gd public.
- Le 3ème bloc se compose de 2 ou 3 chiffres suivis ou non d'une lettre et sert à défi-
nir précisément la fonction exacte du CIRCUIT INTÉGRÉS
- Ensuite vient une lettre ou deux représentants le type de boîtier
J : Boîtier céramique enfichable 14 ou 16 broches.
DA : Boîtier 14 ou 16 broches céramique - métal.
DC : Boîtier 8 broches céramique - métal.
L : Boîtier métallique rond.
N : Boîtier plastique enfichable 16 - 24 broches.
REMARQUE :
- Tous les circuits n'existent pas forcement dans toutes les gammes d'utilisation ni
dans tous les boîtiers. (Voir les spécifications des constructeurs).
Les broches sont numérotées. Un ergot de repérage est prévu dans tout type de boî-
tier. Le numéro des broches croit en tournant dans le sens des aiguilles d'une montre quand le cir-
cuit et vu du dessous et en sans inverse quand il est vu du dessus.

On rencontre plusieurs types de CIRCUIT INTÉGRÉS linéaires :
. Ampli Opérationnels
. Comparateurs
. Ampli vidéo
3- Le simulateur de circuit SPICE
Les simulations sont basée sur le programme SPICE « Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis » inventé par l’université de Berkely dans les années 70. Par la suite, SPICE a été perfec-
tionné par différents fournisseurs (Pspice= SPICE pour PC, MICRO-CAP II, Touchstone, Menthor,
CADANCE, HP Advanced Design System etc). Les composants comme les transistors bipolaires
ou les transistors MOS sont décrits par des fichiers SPICE avec des paramètres standardisés. La
bibliothèque de circuits contient tous les éléments nécessaires pour l’élaboration d’un circuit élec-
tronique:
www.LTspice.linear-tech.com

1. Le transistor bipolaire
Les transistors bipolaires sont fabriqués à partir de silicium, ils sont constitués de deux diodes en
série montées en inverse avec une couche semi-conductrice commune. on les appelle transistor pnp
ou npn (Fig.1).
Caisson Emetteur
D’isolement Collecteur
. . .
. Couche
N épitaxiale N
Couche P P P
N
enterrée N
. N
Substrat P Emetteur
Base
Collecteur
Base
Symbole
Coupe du Transistor bipolaire NPN
Fig1
C
N
B
P
N
1.1 Description et symbole
Un transistor est formé par la succession de 3 semi-conducteurs (SC).

E == Emetteur, B == Base, C == Collecteur
• Le terme ‘émetteur’ signifie que c’est ce SC qui émet les porteurs à travers la base B jus-
qu’au ‘collecteur’ qui les collecte.
• Le sens de la flèche indique le sens du courant lorsque, l’émetteur ‘émet’ c’est-à-dire lors-
que le transistor est conducteur.
L’épaisseur de la base est beaucoup plus faible que celle du transistor.
La suite du cours sera illustrée par l’étude du transistor NPN. Celle du transistor PNP est similaire.
Les propriétés du transistor pnp (complémentaire) sont très similaires. Il faut seulement renverser la
polarisation des sources. Le transistor est un élément amplifiant car le courant du collecteur IC Beta
fois plus fort que le courant de base IB Dans un circuit le transistor est couramment utilisé selon

trois montages différents. Montage émetteur commun, base commune et collecteur commun ou
émetteur suiveur.
1.2 L’effet transistor
Cet effet consiste à contrôler avec un courant de base relativement faible, un courant de collecteur
IC beaucoup plus important.
Le transistor est alimenté avec des éléments passifs et des sources externes qui créent une polarisa-
tion directe pour la diode base-émetteur et une polarisation inverse pour la diode émetteur-
collecteur (Fig.2).
IC
IB VCE
VBE
IE
Fig.2 Polarisation des tensions et courants (transistor npn)
Le transistor peut être représenté comme un quadripôle (4 pôles, entrée BE et sortie CE). Le pôle E
est commun à l’entrée et à la sortie, on parle de montage en émetteur ‘commun’.
L’effet transistor apparaît lorsque :

• La jonction BE (base-émetteur) est polarisée en direct (VBE≈0.7V) : la jonction est plus
ou moins conductrice suivant que VBE est légèrement en dessous ou légèrement au-
dessus de la tension seuil 0.7 V.
• La jonction CB (collecteur-base) est polarisée en inverse (VBC<0.7V) : il existe un
champ électrique important EZD dans la zone de déplétion (Zone de jonction) qui aspire
littéralement les électrons présents dans la base et les ‘injecte’ dans le collecteur avant
qu’ils ne se recombinent avec les trous de la base. Celle-ci est de faible épaisseur, les
porteurs émis par l’émetteur sont rapidement à proximité du champ EZD. un fort courant
iC peut traverser le transistor du Collecteur vers l’Emetteur tandis que le courant de Base
iB peut rester faible.
Les 2 conditions (VBE≈0.7V) et (VBC<0.7V ⇒ VCB>-0.7V) donnent VCB+VBE=VCE≥0V

1.3 Les caractéristiques des transistors
Les propriétés des transistors sont décrites par leurs caractéristiques et les paramètres quadripôles..
Ces valeurs sont représentées par les caractéristiques du transistor (Fig. 3)
Autour de 0.7V la jonction La jonction BE est passante.
A IB=Constante, les caractéristiques IC=f(VCE) présentent 3 zones:
Fig.3 les caractéristiques d’entrée-sortie du transistor.
Zone1 : La zone ‘ohmique’. IC est proportionnel à la tension VCE. Le champ ‘injecteur’ EZD est plus
ou moins intense ce qui donne un courant plus ou moins intense.
Zone2 : Au-dessus d’une certaine valeur de VCE, tous les électrons présents dans la base sont injec-
tés dans le collecteur. En conséquence, l’augmentation du champ EZD ne s’accompagne pas d’une
augmentation du courant. Cette zone est appelée ‘zone de fonctionnement linéaire’ du transistor car
la valeur du ‘plateau’ IC dépend linéairement de IB. On a IC=β.IB. Le coefficient β est appelé gain
en courant du transistor. Les valeurs de β sont typiquement de l’ordre de 50 à 300.
Zone3 : Au-dessus d’une valeur critique, le transistor peut se détériorer par le phénomène
d’avalanche.
Résumé
En pratique on considérera que le comportement d’un transistor est celui d’un dipôle Collecteur-
Emetteur commandé par le courant de base :
• Si IB≈0 ou faible, le transistor est bloqué. Le dipôle C-E correspond à un circuit ouvert avec
IC≈0 quel que soit la tension VCE

• Si IB possède une valeur intermédiaire qui place le point de polarisation dans la zone de
fonctionnement linéaire du transistor, le dipôle C-E est parcouru par un courant IC=β.IB.
• Si IB est trop important, le transistor est dit ‘saturé’ et le dipôle C-E est assimilé à un circuit
fermé avec VCE=0 quel que soit le courant IC.
1.3.1 Caractéristique de sortie et valeurs limites des transistors.
Pour un transistor du type 2N222 dont le beta=200, Ib variant de 0 à 10u et Vce de 0 à 5v, la simu-
lation sous le simulateur électrique Spice de la caractéristique de sortie Ic = f(Vce) nous donne en
figure 4 les résultats suivants :
.
Fig.4 caractéristique de sortie Ic en fonction de Vce du transistor
Les caractéristiques les plus importantes sont:
• la caractéristique de transfert IC(IB, VCE=const.),

• la caractéristique d’entrée IB(VBE, VCE=const.) (Fig.5) et
• la caractéristique de sortie IC(VCE, IB=const) (Fig.6).
60
200
50 ∆IB
[mA] 150
40 I
I
∆IC
B
µΑ
C
[ Caractéristique I =f (V )
B BE
∆IB
30
100
20
I =f (I B)
C
50
10
∆UBE
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
I B [µA]
Basis-Emitter VBE[V]
Fig.5 La caractéristique de transfert et la caractéristique d’entrée

60
IC=f (VCE), ParameterBI
50
[mA]
40
IC ∆IC ∆UCE
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
VCE [V]
Fig.6 Le réseau de la caractéristique de sortie
1.3.2 Le comportement en signaux faibles et les paramètres quadripôles
Dans une plage restreinte, autour du point de polarisation, les courbes des caractéristiques peu-
vent être linéarisées. Les valeurs absolues des courants et tensions sont ensuite remplacées par des
variations différentielles, qui décrivent le transistor dans la proximité du point de repos (l’état sans
signal d’entrée, donné par IC0 et VCE0)
La dérivée partielle du courant de collecteur en fonction de la tension de base est nommée admit-
tance de transfert direct S, souvent appelé Transconductance. La transconductance aussi appe-
lée pente, pour un transistor bipolaire, est le rapport entre la variation du courant de sortie et la va-
riation de la tension d'entrée. Elle s'exprime en ampères/volt.
Pour un transistor bipolaire, dans une large plage de courant, la transconductance est donnée par la
relation (approximative) où I est le courant continu (ou courant de polarisation) circu-
lant dans le transistor.
On la trouve dans la caractéristique de sortie avec le paramètre tension de base VBE :
∂I C
Gm = S = [A/V]
∂VBE VCE = const
Dans la caractéristique de sortie on trouve la résistance différentielle de sortie rCE
∂VCE ∂VCE
rCE = rCE = [Ω]
∂I C V BE = const
∂I C I B =const
La résistance différentielle d’entrée rBE ou h11 est déduite de la caractéristique d’entrée

∂VBE
h11 = rBE = [Ω]
∂I B VCE = const
L’amplification du courant statique Beta (B) et dynamique β sont aussi des valeurs importantes
IC ∂I C
Beta = β=
IB ∂I B VCE = const
Quatre des différentiels mentionnés décrivent les propriétés du transistor dans le détail et mènent
aux paramètres quadripôles à l’aide de la dérivée totale.
∂I B ∂I B
dI B = dVBE + dVCE
∂VBE ∂VCE
∂I C ∂I
dI C = dVBE + C dVCE
∂VBE ∂VCE
Ou
 1 
 Sr 
 dI B   rBE
  =   dVBE 
 dI C   S 1   dVCE 

 rCE 
Dans la matrice ci-dessus, la matrice contient les paramètres Y du transistor. Dans les applications,
ceux-ci sont souvent remplacés par les paramètres H (hybride, mixte). Ces derniers donnent la ten-
sion d’entrée et le courant de sortie en fonction du courant d’entrée et de la tension de sortie.
 dVBE   h11e h12 e   dI B 

  =    
 dI C   h21e h22 e   dVCE 
On remplace les différentiels par les grandeurs alternatives
u BE = h11e i B + h12 e u CE
ic = h21e i B + h22 e u CE
L’indice e montre que les paramètres sont valables pour le montage émetteur commun.
• Point de repos ou point de fonctionnement

Les propriétés du transistor dépendent fortement de son état statique donné par le courant moyen
IC0 et sa tension moyenne Vce0. Ce courant de repos et cette tension de repos sont mesurés sans
signal d’entrée. Ceci donne un point sur la caractéristique, défini comme étant le point de repos ou
point de polarisation.

Le point de repos est établi d’après le cahier des charges pour le circuit et en fonction des con-
traintes supplémentaires. Il est fixé avec des composantes externes. Il est important de s’assurer
qu’il ne change que dans des limites données si l’influence de la température fait varier les proprié-
tés du transistor.
• Le schéma équivalent
On désigne un circuit électrique comme schéma équivalent, s’il possède les mêmes propriétés que
l’original. Il est souvent composé d’éléments de base tels que les résistances, les sources, les capaci-
tés ou les inductances. Le schéma équivalent du transistor se base sur des paramètres quadripôles.
La figure 6 montre l’exemple du schéma équivalent d’un transistor en montage émetteur commun
Fig.6 Le schéma équivalent du transistor (paramètres H avec h12=0)
2.Montage émetteur commun

• Schéma de base et schéma équivalent
Dans le schéma de principe du montage émetteur commun (figure 7) une résistance RC conduisant
le courant IC produit une chute de tension qui représente le signal de sortie. Souvent, une résistance
RGenerateur représentant la résistance de la source du signal d’entrée est prise en compte.

Fig.7 Transistor en montage émetteur commun
La figure 8 montre le schéma équivalent utilisant les paramètres H du transistor et complété par les
résistances RG et RC.
Fig.8 Le schéma équivalent (paramètres H avec h12=h22=0)
• Le choix et le réglage du point de repos

Les résultats montrés ci-dessus sont valables pour des applications à signal faible, c. à d. pour des
petites variations autour du point de repos donné par IC0 et VCE0.
Le choix du point de repos dépend des du circuit à dimensionner et d’autres contraintes:
• La tension de l’alimentation
• L’amplification de tension maximale
• L’amplification de puissance maximale
• Amplitude maximale à la sortie
• Gamme de fréquence
Les propriétés du transistor et les exigences au circuit mentionnées ci-dessus donnent le choix du
point de repos, donné par le courant de collecteur IC0 et la tension collecteur-émetteur VCE0. La
polarisation peut être effectuée à l’aide d’une ou plusieurs sources externes. L’une fournit la ten-
sion émetteur-collecteur, l’autre la tension de repos base-émetteur. Parce qu’il est plus économique
d’utiliser une seule source, on polarise la base avec des éléments supplémentaires. Dans la figure 9
deux possibilités sont présentées

Fig.9 Montages possible pour obtenir la polarisation de la base
Dans les deux cas le signal est branché à l‘entrée et à la sortie par les condensateurs C1 et C2. Cela
permet de conserver les niveaux DC (courant directe) du transistor qui restent non perturbés par les
éléments externes.
Les deux capacités forment deux filtres passe haut qu’il faut choisir d’après la fréquence inférieure
donnée par le cahier des charges. Ils seront considérés comme des circuits ouverts lors du calcul
du point de polarisation, (i.e. : en l’absence du signal d’entrée).
Dans le circuit à gauche la résistance de base polarise la tension de base à Vbe0

Vcc − Vbe Vcc − Vbe
Ib = Et Ic = β × ( ) .
Ra Ra
Si β augmente, sous l’effet de la température, le point de repos peut se trouver dans le domaine de
saturation.
Dans celui de droite le pond de base fixe la tension de base Vbe0, mais il y a deux inconvenants:
• la caractéristique d’entrée du transistor varie à cause des tolérances de fabrication.
• la tension de base VBE pour un courant IC donné dépend de la température (approximative 2
mV/°C).
Une augmentation de la température de 10°C et une amplification de 200 produiraient une variation
de la tension VCE de ∆VCE= 200*0.002 V/°C*1O°C = 4 V.
Le circuit avec une seule résistance (circuit à gauche) donnerait un courant de base
IB = (VCC-VBE0)/Ra ≈ VCC/Ra. Pour VCC >>Vbe0
L’amplification en courant Beta, qui dépend de la température, varie de1%/°C, ainsi que les varia-
tions des conditions de fabrication des transistors (facteur de 0.5 et 2 fois la valeur moyenne du Be-
ta d’un transistor à un autre).
Les deux méthodes ne sont pas recommandées pour un circuit qui doit être indépendant de la tem-
pérature et des tolérances de la fabrication du transistor.
Une meilleure possibilité utilise une contre-réaction pour stabiliser le point de repos. Elle est effec-
tuée par une résistance Re supplémentaire qui produit une chute de tension qui diminue
l’importance de tous les effets mentionnés (Fig.10)

Fig.10 Stabilisation du point de repos par une contre-réaction
MESURE DU POINT DE POLARISATION
Direct Newton iteration for .op point succeeded.

Semiconductor Device Operating Points:
--- Bipolar Transistors ---
Name: q1
Model: 2n2222
Ib: 5.66e-06
Ic: 1.15e-03
Vbe: 6.59e-01
Vbc: -1.80e+00
Vce: 2.46e+00
BetaDC: 2.03e+02
BetaAC: 2.02e+02
Gm: 4.43e-02
MESURE DU GAIN ET DE LA BANDE PASSANTE

gain: MAX(mag(v(vsortie)))=(18.92dB,0°) FROM 100 TO 5e+008
bw=1.10833e+008 FROM 383.185 TO 1.10833e+008
REMARQUE: l’exposant est de base 10 i.e.: e+02 lire 100 et e-03 lire 0.001.
• Effet de la contre-réaction

L’effet de la contre-réaction se base sur le mécanisme suivant :
Si la tension VBE augmente de ∆VBE, le courant IC qui est augmenté de ∆IC≈S.∆VBE≈IE

Induit sur la résistance RE une chute de tension supplémentaire de ∆IE.RE. Celle-ci diminue
l’influence de ∆VBE et ainsi cette contre-réaction stabilise le point de repos. L’amplification
avec contre-réaction s’écrit :
R
A≅− C
RE
Il ne faut pas que cette contre-réaction réduise l’amplification du signal alternatif utile, aussi une
capacité CE est ajoutée pour court-circuiter la résistance RE et ainsi annuler l’influence de RE pour
les fréquences désirées. Attention ces deux éléments forment un troisième filtre passe-haut.
La résistance RC dépend de différentes contraintes telles que la tension d’alimentation, l’impédance
de sortie ou d’entrée, la puissance du signal etc.
Par l'approche approximative on est en mesure d'estimer rapidement les tensions et les courants
qu'on devrait normalement retrouver dans un circuit lorsqu'on tente de corriger un dysfonctionne-
ment.
Si l’on veut s’assurer qu’une certaine variation du courant de base influence peu la tension de la
base, on choisit le courant du pont pour qu’il soit environ dix fois plus fort que le courant de base
Ip=10IB0. On peut mieux déterminer l’influence des différents éléments en remplaçant le pont par
son schéma équivalent (théorème de Thévénin)
(Eth−Vbe) Eth − Vbe

Ib= Donc Ic = β × ( )
(Rth+ β.Re) Rth + β . Re
Eth − Vbe
si β.Re est grand devant Rth, (Rth = Ra//Rb) alors Ic ne dépend plus de β et on a Ic ≈ .
Re
• La droite de charge statique

La répartition de la tension entre le transistor et les deux résistances Rc et Re est facile à démontrer
sur la caractéristique de sortie du transistor IC-VCE (Fig.13-a). Pour le transistor, le courant est dé-
crit par la fonction I C = f (VCE , I B = const ) . La chute de tension à la somme des deux résistances RC
et RE est donnée par la loi d’Ohm (Fig.13b). Un courant approximativement identique (IE ≅ IC=IR)
circule par les trois composants (le transistor et les deux résistances) et la somme des tensions est
VCC :
VCC = VCE + VR = VCE ( I C , I B = const ) + R I R
VCC − VCE V
Il suit que I R = = I max − CE Qui est l’équation d’une droite, la droite de charge statique.
R R

60 60
IC=f(VCE), ParameterB I
50 50
[mA]
I 40 Ic [mA]
40
C
30 30
20 20
10 10
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
V CE [V] VCE=VCC-VR [V]
Fig.13-a Fig.13-b
Fig.13 Caractéristique de sortie et droite de charge statique
Ces fonctions sont tracées dans une même représentation. En cherchant l’intersection entre les deux
fonctions, on trouve facilement les deux tensions (interpoler entre les caractéristiques)
VCE et VR pour un courant IC donné (Fig.14). (TD1 et TD2)
60 IC=f(VCE), Parameter BI
50
[mA]
40
I C
30
IC0
20 UCC
UCEA URA
10
0
0 5 10 15 20 25
V CE [V]
Fig.14 Droite de charge statique sur la caractéristique de sortie du transistor
• Le transistor bipolaire en régime dynamique Le régime des petits signaux
On applique une tension alternative 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 de petite amplitude autour de la tension de polarisation sta-
tique 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵0 .
[MAJUSCULE=tension continue, minuscule=tension alternative petite amplitude]

Fig15
On a donc𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵0 + 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 . Si 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 est d’amplitude suffisamment faible, alors les paramètres élec-
triques varieront linéairement, ainsi 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐼𝐼𝐵𝐵0 + 𝑖𝑖𝐵𝐵 = 𝑓𝑓(𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 ) ≡ droite dans cette région de la Fig15.
En conséquence, 𝑖𝑖𝐵𝐵 = 𝑘𝑘. 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 . Puisque𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽. 𝐼𝐼𝐵𝐵 ⟹ 𝑖𝑖𝐶𝐶 = 𝛽𝛽. 𝑖𝑖𝐵𝐵 = 𝛽𝛽. 𝑘𝑘. 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 .
Il existe une amplification.
En exemple, la figure15 montre le point de fonctionnement (PF) pour 3 valeurs de IC :
1. IC =9mA est maximum, le PF se situe sur la caractéristique IB=80µA,
2. IC =IC0= 5mA, le PF se situe sur la caractéristique IB=60µA, enfin
3. IC =4mA est minimum, le PF se situe sur la caractéristique IB=40µA.
• Paramètres hybrides du transistor NPN
On notera 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 , 𝑖𝑖𝐵𝐵 , 𝑖𝑖𝐶𝐶 et 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 les variations des grandeurs électriques autour de leur point de polarisa-
tion 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵0 , 𝐼𝐼𝐵𝐵0 , 𝐼𝐼𝐶𝐶0 et 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶0 .Le principe de superposition permet d’analyser le transistor sans faire
apparaître ces tensions et ces courants de polarisation.
En régime linéaire (petits signaux), on a :
𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 = ℎ11 𝑖𝑖𝐵𝐵 + ℎ12 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 𝑖𝑖

� � 𝑖𝑖 � = 𝐻𝐻 × � 𝐵𝐵 �
𝑖𝑖𝐶𝐶 = ℎ21 𝑖𝑖𝐵𝐵 + ℎ22 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 𝐶𝐶 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶
H est appelée la matrice hybride et hij les paramètres hybrides. Fig16

• h11 correspond à la résistance dynamique de la jonction B-E. Elle est de l’ordre du kΩ.
• h12est sans dimension. Souvent de valeur faible il est généralement négligé dans les calculs :
h12≈ 0.
• h21 = β est le gain en courant : 𝑖𝑖𝐶𝐶 = β. 𝑖𝑖𝐵𝐵
• h22 a pour unité [Ω-1] est la conductance de sortie. Généralement h22 a typiquement une va-
leur de 10-4 Ω-1 et il est souvent négligé.

• Schéma équivalent ‘petits signaux’ du transistor
𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 = ℎ11 𝑖𝑖𝐵𝐵 + ℎ12 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶

𝑖𝑖𝐶𝐶 = ℎ21 𝑖𝑖𝐵𝐵 + ℎ22 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶
Les schémas de ces quadripôles sont équivalents. Les sources sont des sources commandées. Le
dernier circuit est dit ‘simplifié’ : 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 = ℎ11 𝑖𝑖𝐵𝐵 et 𝑖𝑖𝐶𝐶 = ℎ21 𝑖𝑖𝐵𝐵 .
Fig16 Schéma équivalent du transistor seul
Pour analyser les petits signaux alternatifs on peut par application du principe de superposition,
annuler les sources de tensions de polarisation statique (donc annuler leur fem en les connectant à la
masse) :Fig17
Fig17
• Condensateur de liaison
Pour maintenir la polarisation statique d’un transistor, par exemple VB sur la base tout en appliquant
un petit signal alternatif, on doit utiliser une capacité dite de ‘liaison’. La capacité présente une im-
pédance négligeable pour le signal variable et constitue un interrupteur ouvert pour la tension conti-
nue VB.
Un montage électronique est souvent constitué de différents étages dont les sorties sont connectées
aux entrées des suivants. Fig18
Un étage électronique fonctionne avec une tension de polarisation (tension continue utile au fonc-
tionnement des composants). Les tensions de polarisations de deux étages successifs ne doivent pas
se mélanger. En revanche, le signal issu d'un étage doit passer vers l'étage suivant. C'est là ou le
condensateur de liaison intervient.

Le condensateur de
liaison bloque les ten-
sions de polarisation
(continues) mais laisse
passer les variations
dynamiques (signal).
Sa capacité doit être
suffisante pour ne pas
atténuer les plus basses
fréquences du signal à
transmettre.
Fig18
On voit ci dessus un montage à transistor avec deux condensateurs de liaison.

Remarque : la faible impédance de ces capacités vis-à-vis des petits signaux variables permet de
court-circuiter ces résistances de polarisation et d’augmenter significativement les gains
d’amplification.
RESUME: En régime des petits signaux alternatifs :

• Tout point du montage dont le potentiel est constant, est relié à la masse lorsque l’on dessine
le circuit équivalent en petits signaux alternatifs.
• Les capacités de liaison ou de découplage sont supposées avoir une valeur telle que leur im-
pédance est négligée vis-à-vis des petits signaux alternatifs. On les remplace donc par un
Court-circuit (CC) lorsque l’on dessine le circuit équivalent en petits signaux alternatifs.
EXAMPLE
Etude d’un Montage émetteur commun avec contre-réaction de courant
Ucc = 15V
R1 RC
100k 10k
Entrée Sortie
+ +
C1 C2
1µF 1µF Rc
(charge)
R2 RE
10k 1k
Fig18.
En faisant la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son
équivalent de Thévenin, on obtient le circuit de la Fig19.
Eth = Vbb = 15V x 10k / (100k + 10k) = 1,36V
Rth = Rbb = 100k // 10k = 9,09k

Vcc = 15V
Rc
10k
Rbb
ß = 100
9,09k
Vbb
1,36V Re
1k
Fig 19
Examinons la boucle en tension suivante de la Fig19 :

Vbb = VRE + VBE + VRbb
Vbb = IE x RE + VBE + IB x Rbb
Vbb = IE x RE + VBE + IE / (ß+1) x Rbb
IE = (Vbb - VBE) / (RE + Rbb / (ß+1))
Le terme Rbb / (ß+1) est petit comparé à RE; il peut même être négligé. Ceci revient à dire
qu'on suppose qu'aucun courant ne circule dans Rbb, ou si on veut, que le courant de base
est négligé ou nul. On affirme alors que la tension de base vaut Vbb.
À titre d'exemple, à partir du circuit de la Figure 19, voici un calcul précis de toutes les tensions et
de tous les courants, sans négliger, et ensuite un autre calcul en supposant un courant de base nul.
Calcul précis (ß = 100):
IE = (1,36V - 0,7V) / (1k + 9,09k / (100+1)) = 605µA
IC0 = 605µA x 100 / (100 + 1) = 600µA
VE = 605µA x 1k = 605mV
VC = 15V - 600µA x 10k = 9V
VCE0 = 9V - 605mV = 8,4V
VB = 605mV + 0,7V = 1,31V
Calcul approximatif:
VB = 1,36V
VE = 1,36V - 0,7V = 660mV
IE = ICO = 660mV / 1k = 660µA
VC = 15V - 660µA x 10k = 8,4V
VCE0 = 8,4V - 660mV = 7,74V

Par l'approche approximative on est en mesure d'estimer rapidement les tensions et les cou-
rants qu'on devrait normalement retrouver dans un circuit lorsqu'on tente de corriger un dys-
fonctionnement.
Exemple:
Vcc = 20V
Ra Rc
240k 22k
+ +
Entrée Sortie
C1 C2
5µF 5µF
VBE = 0,7V
ß = 150
Rb Re
22k 2,2k
Figure 20
Questions:
Faire premièrement tous les calculs pour le schéma de la Fig20 de a) à e), en utilisant l'ap-
proximation et ensuite recommencer le travail, mais en calculant précisément.
a) VB = ?
b) VE = ?
c) IC0 = ?
d) VC = ?
e) VCE0 = ?
Solution approximative:
a) VB = 20V x 22k / (22k + 240k) = 1,68V (diviseur de tension)
b) VE = VB - VBE = 1,68V - 0,7V = 979mV
c) IC0 = IE = VE / RE = 979mV / 2,2k = 445µA
d) VC = Vcc - VRC = 20V - 445µA x 22k = 10,21V
e) VCE0 = VC - VE = 10,21V - 979mV = 9,23V
Solution précise:
a) Vbb = 20V x 22k / (22k + 240k) = 1,68V
Rbb = 22k // 240k = 20,2k
c) IE = (1,68V - 0,7V) / (2,2k + 20,2k / (150 + 1)) = 420µA
IC0 = 420µA x 150 / (150 + 1) = 417µA
b) VE = 420µA x 2,2k = 924mV
a) VB = 924mV + 0,7V = 1,62V
d) VC = 20V - 417µA x 22k = 10,8V
e) VCE0 = 10,8V - 924mv = 9,9V

• Calcul des caractéristiques Ze, Zs et Av de l’amplificateur émetteur commun avec
contre-réaction de courant
Le montage utilisé est celui d’un émetteur commun avec contre-réaction de courant sans résistance
d’émetteur Fig20 et ensuite on va étudier l’effet de cette résistance sur le montage.
Fig20
Le schéma équivalent en petits signaux du montage de la Fig20 est représenté en Fig21
Fig21
ve = ie ( 1
+
1
) ⇒ Ye = 1 + 1 ⇒ Ze = Rb h11 ≅ h11
h11 Rb Rb h11
Si Rb est grande devant h11 alors Ze=h11=rbe=26mV / IE. IE a été calculé précédemment pour la
polarisation du transistor Ic ≈ Eth
Re
βi
vs = − b
1
⇒ Ys =
1
⇒ Zs = Rc
Rc Rc
Av = vs = − Rc ∗ b
βi R
= − β c = −h21
Rc
ve h11ib h11 h11
Dans le cas où Ce n’existe pas, le schéma équivalent en petits signaux du montage est le suivant
représenté sur la Fig 22

Fig 22
ve = ib ∗ (h11 + (β + 1)Re )
vs = − βib ∗ Rc
is = βib
ie = ib
Av = vs
βi
= − Rc ∗ b
ve ( h11 + (β + 1 ) ∗ Re )ib
Les résultats sont représentés dans le tableau suivant
Résultat Effet de Re
impédance L’impédance d’entrée
d’entrée h11 + Re (1 + h21 ) est fortement augmen-
tée
L’amplification de
amplification h21 courant est identique
en courant
L’admittance L’admittance de sortie
1 est identique
de sortie
Rc
amplification
en tension Rc Le gain est diminué
Av ≈ −
Re
Les résultats sont valables sous les conditions h12<<1 et Reh22<<1.

• Montage émetteur commun avec contre-réaction de tension
Une autre possibilité pour la stabilisation du point de repos consiste à alimenter la base avec la ten-
sion du collecteur via une résistance R3=Rf (feedback) Fig23.
Fig.23 Montage émetteur commun avec contre-réaction de tension
Cette variante est nommée contre-réaction de tension, parce que le signal de la boucle de retour est
proportionnel à la tension de sortie (collecteur). Ce signal agit contre la variation de la tension
d’entrée (tension de base).
En effet, si la tension de base augmente, le courant du collecteur augmente également et, la chute de
tension au long de la résistance RC s‘agrandit et la tension du collecteur décroît. En conséquence la
tension de contre-réaction réduit l’effet du signal d‘entrée.
On peut déterminer l’effet de la contre-réaction à l’aide de la théorie de quadripôles appliquée sur le
schéma équivalent (Fig.24). Dans le cas présent, on admet que la résistance RE est court-circuitée
par la capacité CE.
Fig.24 Schéma équivalent avec contre-réaction de tension
ve=h11(ib+ (ve-vs)/ Rf) donc ve(1-h11/Rf) =-vs[(h11/h21Rc)+h11/Rf]
vs/ve= -(1-h11/Rf)/ [(h11/h21Rc)+h11/Rf] = -(h21Rc/h11)[ (1-h11/Rf)/1+(h21Rc/h11) h11/Rf]
= -(h21Rc/h11)[ (Rf-h11)/Rf+h21Rc/h11]

Les résultats sont représentés dans le tableau suivant
Résultat Effet de la résistance Rf

impédance d’entrée L’impédance d’entrée est légèrement augmentée
h11
amplification de courant L’amplification de courant est légèrement réduite
h21
L'admittance de sortie 1+ h21 L'admittance de sortie est augmentée
Rf
amplification en tension h21 RC Rf

A≅− Le gain est diminué
h11 RC + R f
Les approximations données sont valables sous les conditions h12<<1 et h11<<Rf.
La diminution de l’amplification en tension du montage émetteur commun avec contre-réaction de
tension le met hors compétition par rapport au montage émetteur commun avec contre-réaction de
courant
• Effet des capacités

Si l’on veut supprimer la contre-réaction par la résistance RE pour les signaux alternatifs courants,
il faut court-circuiter les fréquences de la bande passante de la capacité CE. Le dimensionnement de
la capacité produit un effet sur l’amplification. On remplace dans la formule du gain la résistance
RE par le montage en parallèle de RE//CE
RE
ZE =
1 + j ωC E R E
50
20 *log¦A¦
45
40
35
30
25
20
15
10 0 2 4
10 Frequence 10 10
Fig25 L’effet de la capacité CE sur l‘amplification
L’amplification montrée dans la figure Fig25 varie entre deux niveaux constants

• pour les fréquences basses la contre-réaction est maximale et l’amplification est de
A = − RC RE .
• Pour les fréquences suffisamment élevées, la contre-réaction est supprimée et l’amplification est
de A = − h21 RC h11 .
• Entre ces deux niveaux, l’amplification peut être approchée dans la présentation log-log par une
droite (20log¦A¦ est proportionnel à log(f)).
• Ces trois intervalles sont limités par les fréquences f1 (ca. 1 Hz) et f2 (ca. 100 Hz)
1
• On trouve pour la fréquence f1: RE = .
2π f1C E
Ces faits permettent de déterminer la valeur de la capacité CE :
log(h21 RC h11 ) − log(RC R E ) h R f h21

= 1 Ou 21 E = 2 donc C E =
lg f 2 − lg f 1 h11 f1 2π f 2 h11
Fig.26 La capacité de couplage à l’entrée et à la sortie du circuit émetteur commun.
Les capacités de couplage à l’entrée et à la sortie de l’étage (Fig.26) forment avec les impédances
voisines des filtres passe-haut. La capacité à l’entrée C1, la résistance de sortie du générateur RG et
l’impédance d’entrée de l’étage RTE forment un filtre RC avec une fréquence de coupure fC qui
permet de déterminer la capacité par
1
C1 =
2π f u ((R B1 // R B 2 // RG ) + RTE )
Pour le passe-haut à la sortie, la capacité C2, la résistance de la charge RC et l’impédance de sortie

de l’étage RTA sont importantes et on trouve
1
C2 =
2π f u ((RTA // RC ) + R L )
Il est préférable qu’une seule capacité soit responsable du filtrage et que les autres n’aient que peu
d’influence. On choisit souvent la plus grande des capacités pour cet effet. Avec cette méthode, le
déphasage produit par la somme des filtres autour de la fréquence de coupure reste faible.
Les formules citées si dessus permettent de dimensionner tous les éléments d‘un étage émetteur
commun (TD2).

RESUME :
On pose Ra/Rb=k
• k=fini et non nul
Le fonctionnement est linéaire tant que Vcc/(1+k) >Vbe+Re*Ie et k déter-

mine la position du point de fonctionnement sur la droite de charge
• k=0
Le transistor est saturé et reçoit tout le courant Ib dans sa base. Ic est max et vaut Vcc/(Rc+Re),
valeur qui ne peut être dépassé et Vce=Vcesat=0. (Voir DS1)
Eth=Vcc
A gauche, Ib= (Vcc-Vbe) /beta*Re, Ic=(Vcc-Vbe)/Re donc Ic=Icmax
Dans le cas de droite, Ib = (Vcc-Vb)/Ra = (Vcc-(Vbe+Re*Ic))/Ra) = (Vcc-Vbe)/Ra-beta*Ib*Re/Ra

d’où Ib(1+betaRe/Ra)=(Vcc-Vbe)/Ra donc Ic= beta*[(Vcc-Vbe)/Ra]/ (1+betaRe/Ra) et Ic = be-
ta*[(Vcc-Vbe)]/ (Ra+betaRe) et Ic = [(Vcc-Vbe)]/( (Ra/beta)+Re)= (Vcc-Vbe)/Re donc Ic=Icmax
• k=infini
le transistor est bloqué car la jonction base-émetteur est bloquée et

Vb=0<Vbe=0.7v et Vce=Vcc
En régime des petits signaux alternatifs :

• Tout point du montage dont le potentiel est constant, est relié à la masse lorsque l’on dessine
le circuit équivalent en petits signaux alternatifs et les capacités de liaison ou de découplage
sont supposées avoir une valeur telle que leur impédance est négligée vis-à-vis des petits si-
gnaux alternatifs. On les remplace donc par un Court-circuit lorsque l’on dessine le circuit
équivalent en petits signaux alternatifs puis on effectue les calculs du quadripôle équivalent
avec les paramètres Yij.

3.Montage collecteur commun ou émetteur suiveur
Dans le montage collecteur commun, on applique le signal d'entrée entre la base et le collecteur. La
résistance d'émetteur sert à fixer le point de fonctionnement (Fig.33).
Fig.33 Transistor en montage collecteur commun
La tension d'émetteur VE est égale à la tension d'entrée VB diminuée de la tension base-émetteur

(env. 0,6 V). La tension de sortie suit donc la tension d'entrée à la différence près d’infimes varia-
tions de la tension base-émetteur VEB(IB). C'est pour cette raison que ce montage s'appelle émetteur
suiveur.
Le gain en tension est d’une valeur pratiquement égale à 1. Les autres caractéristiques découlent
également du schéma équivalent et de la théorie des quadripôles (Fig.34).
Fig.34 Schéma équivalent du montage collecteur commun

L'analyse du schéma équivalent donne les résultats suivants pour les impédances d'entrée et de sor-
tie ainsi que pour le gain de tension
ve = ib ∗ (h11 + (β + 1)Re )
vs = ( β + 1 )ib ∗ Re
is = ( β + 1 )ib
ie = ib
Av = vs = Re*
( β + 1 )ib ≈1
ve ( h11 + (β + 1 ) ∗ Re )ib
Z e = h11 + ( β + 1) Re// RB1 // RB 2 Avec Re = RE // RL
h11c + R
Zs = // RE Avec R = RG // RB1 // RB 2 remarquons que pour le calcul de Zs on fait le
β +1
schéma équivalent Thévenin entre l’émetteur et la masse. Zth=Zs
• Caractéristiques des montages émetteur commun et collecteur commun
Emetteur com- Collecteur commun

mun
résistance d'entrée en
équation h11e // RB1 // RB 2 (h11e + h21e RE )
alternatif // RB1 // RB 2
Ze
Valeurs ty- 0.4 ... 5 kΩ 200 ... 500 kΩ
piques
h11e + R B1 // R B 2
résistance de sortie équation // RE
RC // 1 h22 e h21e
en alternatif
ZS
Valeurs ty- 10 ... 100 kΩ 100 ... 500 Ω
piques
gain en tension Av équation h21e h21e RE

RC // 1 h22 e
h11e h21e RE + h11e
Valeurs ty- 100 ... 1000 <1
piques
gain en courant équation h21e 1 h22 e 1 h22 e (1 + h21e )

Ai RC + 1 h22 e RE + 1 h22 e

Valeurs ty- 20 ... 500 20 ... 500
piques
RC
≈ h21
2
gain en puissance
équation e
h11e ≈ h21e
Valeurs ty- 2000 ... 50000 20 ... 500
piques
Déphasage (fré-
quences basses) 180° 0°
Application Circuits stan- Convertisseur d'im-

dards pour ap- pédances, étages
plication BF et d'entrée BF
HF
4.Amplificateur différentiel
Le schéma fondamental de l’amplificateur différentiel est composé de deux transistors symétriques
avec les émetteurs reliés. Il possède deux entrées et deux sorties et peut être utilisé pour
l’amplification de signaux continus et alternatifs.
Fig.36 Schéma de principe de l’amplificateur différentiel
La résistance émetteur RE est souvent remplace par une source de courant constant (miroir de cou-
rant) qui améliore la suppression du signal pour le mode commun (Common mode rejection). Le
schéma équivalent pour des transistors identique peut être représenté sur la figure Fig37

Fig37
D’après le schéma on peut écrire les équations reliant les différentes grandeurs :
Vémetteur = (ib1 + ib 2 ) ∗ ((β + 1)Re )
ve1 = ib1 ∗ h11 + Vémetteur
ve2 = ib 2 ∗ h11 + Vémetteur
v S 1 = − βib1 ∗ Rc
vS 2 = − βib 2 ∗ Rc
ib1 + ib 2 ib1 − ib 2
ib1 = +
2 2
i +i i −i
ib2 = b1 b 2 − b1 b 2
2 2
ib1 + ib 2 ve1 + ve 2
=
2 2(h11 + ( β + 1) Re )
ib1 − ib 2 ve1 − ve 2
=
2 2h11

Exprimons vs1 ou vs2 en fonction de ve1+ve2 et de ve1-ve2
vs1= Adiff.(ve1-ve2)+Acomm.(ve1+ve2)/2
ve1 + ve 2 v −v
vS 1 = − βib1 ∗ Rc = − β ∗ Rc [ + e1 e 2 ]
2(h11 + ( β + 1) Re ) 2h11
ve1 + ve 2 v −v
vs1= − β ∗ Rc [ + e1 e 2 ]= Adiff.(ve1-ve2)+Acomm.(ve1+ve2)/2
2(h11 + ( β + 1) Re ) 2h11
le même calcul nous donne pour vs2,
ve 2 + ve1 v −v
vs2= − β ∗ Rc [ + e 2 e1 ] = Adiff.(ve2-ve1)+Acomm.(ve1+ve2)/2
2(h11 + ( β + 1) Re ) 2h11
On obtient donc :
− βRc − βRc
Adiff = Et Acomm =
2h11 h11 + ( β + 1) Re
Si l’on est intéressé par la différence de signal entre les deux entrées, le signal en mode commun
présente un signal non désiré qui doit être supprimé. Dans ce cas, on utilise l’expression Common
mode rejection ratio (CMRR), qui est définie par l’affaiblissement de ce signal perturbateur (en-
trée entre les bases reliées et la masse, sortie entre les collecteurs).
On défini le taux de rejection en mode commun TRMC comme étant le log du rapport
Adiff/Acomm (ou plus communément le Rapport de rejection en mode commun (CMRR)).
Adiff
Si CMRR = log( ) → ∞, alorsVs = Vs1, 2 = Adiff (ve1 − ve2)
Acomm
Adiff h + ( β + 1) Re
CMMR = log = log( 11 ) Pour faire tendre cette expression vers l’infini il faut
Acomm 2h11
que Re tende vers l’infini. Le seul composant qui peut répondre à notre requête est une source de
courant (résistance dynamique) qui puisse tirer le courant de polarisation à travers la résistance Rc
C’est pour cela qu’on a remplacer la résistance d’émetteur Re de la figure Fig.36 par une source à
diode zener qui délivre un courant Ie=(Vz-Vbe)/re_tr
re_tr étant la résistance située à l’émetteur de la source à diode zener qui délivre le courant de pola-
risation.
rb_tr permet a cette même diode zener de polariser son courant entre Icoude et Ivalet pour quelle
fixe la base de ce transistor à Vz.
− βRc
Vs = Vs1, 2 = Adiff (ve1 − ve2) = (ve1 − ve2)
2h11
− βRc
De plus on aimerait que Adiff → ∞, → ∞, DoncRc → ∞ , la solution est donc de mettre une
2h11
autre source de courant qui injecte le courant de polarisation depuis l’alimentation Vcc et ceci est
possible par un miroir de courant qui injecte le courant de polarisation.
On peut donc écrire l’expression de Vs :

Vs = Vs1, 2 = Adiff (ve1 − ve2) = Adiff (v + − v − ) , avec Adiff → ∞, Ze → ∞, Zs → 0
Les expressions de Ze et Zs sont calculés à partir du montage émetteur commun avec résistance
h
d’émetteur. Ze ∝ β Re → ∞, Zs ∝ 11 → 0
β
Pour augmenter l’amplification en courant beta des transistors on utilisera un montage Darlington.
En général on distingue différents modes d’amplification :
• L’amplification du signal en mode symétrique (entrée entre les bases, sortie entre les collec-
teurs)
• L’amplification du signal en mode commun (entrée entre les bases reliées et la masse, sortie
entre les collecteurs)
• L’amplification d’un signal asymétrique (entrée entre une base et la masse, sortie entre le
collecteur du même transistor et la masse)
5.Amplificateur Darlington
L’amplificateur de Darlington est constitué de deux ou plusieurs émetteurs suiveurs en cascade
(Fig.38). L’amplification de tension vaut cependant presque un. Il possède une très haute amplifica-
tion de courant (à peu près le produit des amplifications de courant individuelles), une très haute
impédance d’entrée et une basse impédance de sortie.
• Amplification de tension A ≅ 1 (− 0.2 dB )
• Amplification de courant β = β1 β 2
• Impédance d’entrée Z e ≅ β 1 β 2 Re
h11e ,1 + R / β1
• Impédance de sortie Z s = h11e , 2 + ≅ h11e , 2 avec R = RQ // RB1 // RB 2
β2
Fig.38 Amplificateur de Darlington et sa courbe de transfert

Fig 39 mesure du gain en courant
La simulation permet de déterminer l’impédance d’entrée en fonction de la fréquence. On introduit

une petite résistance (p. ex. 1 Ohm) pour mesurer le courant et on trouve :
u
Compte tenu du pont de base re = B1 et
i RQ
u B1
Pour l’amplificateur de Darlington propre re' = .
i B1
L’utilisation de la méthode de la demi-tension est très peu précise mais donne une bonne idée de
l’impédance d »entrée et de sortie
Fig.40 Amplificateur de Darlington et détermination de l’impédance d’entrée
Pour mesurer l’impédance de sortie puis effectuer la simulation de cette mesure, on alimente la sor-
tie avec un signal sinusoïdal, on mesure ensuite le courant avec une résistance Rm . L’impédance de
sortie se calcule alors d’après le rapport :
u
rs = e . L’entrée peut rester ouverte, peut être court-circuitée ou encore être munie d’une résis-
i Rm
tance de source. Il est seulement important de ne pas surcharger la sortie avec un signal de trop
haute amplitude.

Fig.41 Circuit Darlington et détermination de l’impédance de sortie
6.Miroir de courant
Dans beaucoup d’applications de hautes valeurs de résistance sont nécessaires. Dans l’amplificateur
différentiateur par exemple, une grande résistance émetteur RE permet une forte suppression du
mode commun. Un autre exemple est fourni par la résistance collecteur RC dont l’amplification dé-
pend directement. Il est connu que l’impédance de sortie d’un transistor montre une haute impé-
dance et ce qui permet de créer une haute impédance dynamique. Ce circuit porte le nom de « mi-
roir de courant ».
Fig.42 Miroir de courant
La polarisation de la base se fait à l’aide d’une diode. Dans les circuits intégrés cette diode est sou-
vent remplacée par un transistor Q2, qui a la même caractéristique que Q1 parce qu’ils sont fabri-
qués avec le même processus. Le courant passant par le transistor Q2 doit être égal au courant par le
transistor Q1. Ainsi le dimensionnement de la résistance R est fixé.

VCC − V D 2
R=
I Q2
Un changement de la caractéristique de la diode à la suite d’une variation de température est le

même pour ces deux semi-conducteurs et le courant par ces éléments reste pratiquement inchangé.
En effet :
I=Is*exp(Vbe /Ut) et VbQ2=VbQ1. alors ln(IQ2/Is)=ln(IQ1/Is). Donc IQ2=IQ1

[Lire ln=logarithme népérien]
7. Amplificateur Push-pull
On a souvent à fournir de l'énergie alternative, un transistor suiveur seul ne serait pas en mesure
d'accomplir cette tâche économiquement. Prenons l'exemple d'un haut-parleur de 8  auquel un
puissance de 5 watts est fournie. Pour être en mesure d'obtenir cette puissance au haut-parleur dans
les deux alternances il est nécessaire, avec suiveur simple, d'installer une résistance d'émetteur de
valeur très basse. Lors de l'alternance négative, c'est le condensateur de couplage qui est la source
d'énergie. À cause de cela la résistance d'émetteur ainsi en série avec le haut-parleur doit avoir une
valeur très basse La Figure 43 montre un exemple de cette absurdité.
20V
10,6V
1000µF
10,6A +
8Ω
1R
Figure 43
Les valeurs de tension et de courant de la Figure 43 ont été optimisées de sorte à être en mesure
d'atteindre 5W dans le haut parleur.
VCE = 9,4V
IC = 10,6A
Puissance dissipée par le transistor = 9,4V x 10,6A = 100W
• Montage à alimentation symétrique
Dans cette configuration, chaque transistor amplifie une demi-onde du signal ou plus général la
partie positive et la partie négative. Par les deux transistors passe seulement une faible composante
transversale du courant. Le rendement est nettement meilleure (environ 75%). Cet amplificateur est
de la classe B. Dans les applications hautes fréquences, on utilise aussi des amplificateurs de la
classe C qui travaillent par impulsions et ont souvent un circuit résonnant parallèle comme élément

de charge (voir 1er DS 2013-2014), qui à l’aide de sa sélectivité, produit un signal sinusoïdal en sor-
tie correspondant à la fréquence de résonnance du circuit résonnant.
Dans l’amplificateur classe B seulement un des deux transistors est tour à tour actif, l’un tire et
l’autre pousse. Cela explique le nom « push-pull ». Le schéma de principe montré dans la figure 45
possède la désavantage d’être sensible aux variations de température, car le changement de la ten-
sion base-émetteur influence directement la polarisation des transistors
On utilise la structure de suiveur appelée "push-pull". Un transistor (NPN) prendra la charge du
cycle positif et un autre transistor (PNP) prendra la charge du cycle négatif. Lorsque la tension de
sortie sera nulle, les deux transistors auront un courant presque nul les traversant. Leur dissipation
de puissance au repos sera faible, donc acceptable. Chacun des deux transistors s'occupe de la moi-
tié du signal (180°). C'est ce qu'on nomme la classe B.
Lors du passage à 0 volt aux bornes de la charge, il est désiré que les transistors soient tous les deux
encore en conduction. C'est une conduction très faible mais qui est nécessaire pour que les deux
transistors puissent contrôler correctement le signal lors du passage à 0 volt. Ceci implique que les
transistors travailleront sur une plage plus grande que 180° mais plus petite que 360°. C'est ce qu'on
nomme la classe AB. Examinons la Figure 44, celle-ci est l'idée de principe d'un push-pull.
Courant
Ucc+
Courant
push (pousse) et
Tension
Tension
pull (tire)
Ucc-
Courant
Figure 44
Le défaut de la configuration push-pull est la distorsion de croisement, le croisement étant l'instant
où, comme à la course à relais, l'un des transistors donne le bâton à l'autre. La Figure 45
exprime ce défaut. C'est le besoin d'éliminer ce défaut qui est à l'origine de la classe AB
Ucc+
Ucc-
Figure 45

Le problème vient du fait que le signal d'entrée doit atteindre une tension suffisante afin de mettre le
transistor en route, approximativement 0,7V. Cela produit la disparition à la sortie de la portion du
signal se trouvant autour de 0 volt, c'est à dire ±0,7V. Ceci cause une distorsion très désagréable
lorsque le signal est à basse amplitude.
Fig.45 Amplificateur Push-Pull
Si la tension de polarisation est trop faible, l’étage produit autour du passe-zéro du signal des distor-
sions non-linéaires (degré d’escalier, figure 45, à droite). Plus la tension de la polarisation augmente
et plus la composante transversale du courant augmente. La façon de régler ce problème est de pola-
riser à l'avance les transistors du push-pull. On insère entre leurs bases une source de tension d'envi-
ron 1,4V de sorte qu'ils soient près à démarrer immédiatement. Cette source est fabriquée électroni-
quement par des diodes
La distorsion non-linéaire disparaît (figure 46 à droite). Les mêmes effets se produisent si la ten-
sion base-émetteur varie en raison d’un changement de température.
Fig.46 L’effet des diodes D1et D2 sur la distorsion du signal de sortie

Cette méthode consiste à utiliser une diode pour produire la tension de polarisation (ou un transis-
tor connecté comme une diode, figure 46). La composante transversale du courant est choisie entre
2 et 5 % du courant de charge maximale.
Fig.47 Génération de la tension de polarisation à l’aide de deux diodes
Les résultats des simulations faits pour ces deux méthodes illustrent l’influence de la température
sur la composante transversale du courant (figure 47). Si l’on utilise une diode, le courant reste pra-
tiquement constant.
8.Amplificateur à plusieurs étages

Un amplificateur est souvent composé de plusieurs étages:
• un étage d’entrée, qui est construit pour produire qu’un bruit faible,
• un circuit d’attaque, qui est suffisant puissant pour alimenter l’étage de puissance et
• l’étage de puissance ou de sortie, qui possède une faible résistance de sortie et produit la
puissance demandée avec un bon rendement.
L’exemple d’un amplificateur pour des signaux alternatifs (couplage avec capacités) est montré
dans la figure 49. L’étage d’entrée est réalisé par un amplificateur différentiel suivi d’un amplifica-

teur d’attaque et d’un étage de sortie de type push-pull. La courbe de transfert (en dB et en degrés)
est présenté par la figure 1.50.
Fig.49 Amplificateur à plusieurs étages
Fig.50 Courbe de transfert de l’amplificateur de figure 49
L’application des résistances dynamiques ou SOURCES DE COURANTS permet une plus grande
amplification, une plus grande impédance d’entrée et une plus petite impédance de sortie. Dans ce
qui suit nous présentons la modification a apporter pour aboutir à un amplificateur opérationnel
idéal.

Fig.51 Amplificateur à plusieurs étages avec résistances dynamiques

Semiconductor Device Operating Points:
--- Diodes ---
Name: d2 d1
Model: d d
Id: 4.23e-04 4.23e-04
Vd: 6.33e-01 6.33e-01
Req: 6.11e+01 6.11e+01
CAP: 0.00e+00 0.00e+00
--- Bipolar Transistors ---
Name: q11 q10 q3 q6 q8
Model: 2n3906 2n3906 2n3906 2n3906 2n3904
Ib: -1.03e-06 -1.03e-06 -1.99e-06 -2.07e-06 1.28e-06
Ic: -2.06e-04 -2.06e-04 -4.24e-04 -4.60e-04 4.25e-04
Vbe: -6.14e-01 -6.14e-01 -6.31e-01 -6.32e-01 6.30e-01
Vbc: 1.71e-02 0.00e+00 6.63e+00 1.15e+01 -1.08e+01
Vce: -6.31e-01 -6.14e-01 -7.27e+00 -1.21e+01 1.15e+01
BetaDC: 2.00e+02 2.00e+02 2.13e+02 2.23e+02 3.32e+02
Gm: 7.95e-03 7.95e-03 1.64e-02 1.78e-02 1.64e-02
Rpi: 2.51e+04 2.51e+04 1.30e+04 1.25e+04 2.02e+04
Rx: 2.00e+01 2.00e+01 2.00e+01 2.00e+01 2.00e+01
Ro: 4.86e+05 4.86e+05 2.51e+05 2.42e+05 2.61e+05
Cbe: 1.80e-11 1.80e-11 2.11e-11 2.16e-11 1.81e-11
Cbc: 4.47e-12 4.50e-12 2.12e-12 1.79e-12 1.62e-12
Cjs: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
BetaAC: 2.00e+02 2.00e+02 2.13e+02 2.22e+02 3.32e+02
Cbx: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
Ft: 5.63e+07 5.63e+07 1.12e+08 1.21e+08 1.33e+08

Name: q7 q4 q2 q1 q5
Model: 2n3904 2n3904 2n3904 2n3904 2n3904
Ib: 1.28e-06 1.28e-06 6.34e-07 6.34e-07 1.43e-06
Ic: 4.17e-04 3.84e-04 2.08e-04 2.08e-04 4.61e-04
Vbe: 6.30e-01 6.30e-01 6.12e-01 6.12e-01 6.33e-01
Vbc: -8.76e+00 0.00e+00 -9.39e+00 -9.37e+00 -7.27e+00
Vce: 9.39e+00 6.30e-01 1.00e+01 9.98e+00 7.90e+00
BetaDC: 3.26e+02 3.00e+02 3.28e+02 3.28e+02 3.21e+02
Gm: 1.61e-02 1.48e-02 8.03e-03 8.03e-03 1.78e-02
Rpi: 2.02e+04 2.02e+04 4.08e+04 4.08e+04 1.80e+04
Rx: 2.00e+01 2.00e+01 2.00e+01 2.00e+01 2.00e+01
Ro: 2.61e+05 2.61e+05 5.26e+05 5.26e+05 2.33e+05
Cbe: 1.80e-11 1.75e-11 1.50e-11 1.50e-11 1.86e-11
Cbc: 1.73e-12 4.00e-12 1.69e-12 1.69e-12 1.83e-12
Cjs: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
BetaAC: 3.26e+02 2.99e+02 3.28e+02 3.28e+02 3.21e+02
Cbx: 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
Ft: 1.30e+08 1.10e+08 7.67e+07 7.67e+07 1.39e+08
Fig.52 Courbe de transfert
Nous remarquons à travers la simulation que le gain atteint la valeur de 110db ie : une amplification
de plus que 100000.
La résistance d’entrée est mesuré à l’aide de la méthode de la demi-tension. On mesure une impé-
dance d’entrée Ze= 2 Mégohms.

Fig.53 Impédance d’entrée
L’impédance de sortie mesurée par la même méthode de la demi-tension nous donne Zs=10 Ohms
Fig.54 Impédance de sortie

9.Amplificateur opérationnel
• Propriétés et structure d’un amplificateur opérationnel
L’amplificateur opérationnel (Ampliop) est un composant essentiel en électronique analogique.
Quelques exemples de circuits à base d’ampiop seront cités ci après (amplificateur des faibles si-
gnaux, amplificateur de courant continu, filtres actifs, sommateur, convertisseurs Numérique Ana-
logiques et Analogiques Numérique, comparateurs… Les principales caractéristiques d’un ampliop
sont :
• Une haute amplification de tension (>100 dB)
• Une haute impédance d’entrée (1 MΩ) ou beaucoup plus grand
• Une faible impédance de sortie (< 100 Ω) ou beaucoup plus petit
• Une grande amplification de puissance
• La gamme de fréquence couvre le courant continu à quelques MHz ou, selon le type
quelques GHz
• L’amplification en tension décroît régulièrement de 20 dB par décade
• L’amplificateur opérationnel est équipé de deux entrées une positive et une négative (inver-
seuse). A la sortie il produit la différence amplifiée des deux tensions aux entrées. Cela lui
donne le nom « d’amplificateur différentiateur » ou moins précisément d’ « amplificateur
différentiel ».
• L’ampliop est le plus souvent alimenté par deux alimentations symétriques mais on peut
aussi le brancher à une seule tension. Dans ce cas la masse se trouve au milieu de cette ten-
sion et est fixée par deux résistances.
• La correction de la réponse fréquentielle est réalisée par un circuit externe
Fig. 55 Symbole de l’amplificateur opérationnel et les tensions des signaux et de l’alimentation
L’amplificateur opérationnel contient un étage d’entrée (l’ampli diff), un étage de couplage ou cir-
cuit d’attaque(l’émetteur commun à transistor PNP) et un étage de sortie(le Push-Pull). La tech-
nique est celle étudiée dans le chapitre amplificateur différentiel.
Comme mentionné dans l’introduction, les amplificateurs opérationnels possèdent une amplifica-
tion de tension très élevée. Dans la plupart des applications cette amplification est réduite à la va-
leur désirée à l’aide de la contre-réaction. On réalise la contre-réaction en branchant le signal de
sortie partiellement à l’entrée inverseuse.

Il existe ensuite différentes méthodes pour raccorder le signal à l’amplificateur:
• Entre entrée « + » et la masse : amplificateur inverseur

• Entre entrée « - » et la masse : amplificateur non-inverseur
• Entre les deux entrées : amplificateur différentiateur
10. Exemples et applications

Dans les exemples suivants l’amplificateur opérationnel est considéré comme idéal. Sous cette con-
dition, les calculs se simplifient remarquablement. L’amliop idéal remplit les conditions suivantes :
• Pour les fréquences examinées, il possède une amplification infinie. Cela permet de déduire
que la tension entre les entrées est zéro (Ud=0). Autrement, la tension de sortie était infinie.
• L’impédance d’entrée est infinie (courant d’entrée Id=0).
• L’impédance de sortie est négligeable est n’a aucune influence sur l’amplification.
• On renonce à compenser le courant offset et la tension offset.
• L’amplificateur inverseur
Le signal est branché à l’entrée négative (inverseuse). L’entrée positive est connectée à la masse.
Rf
A=−
Re
R E = Re
RA ≅ 0
Fig. 56 L’amplificateur inverseur
Si on exige que l’amplification soit très grande, les résistances sont souvent très grandes dans le
circuit de contre-réaction. Le circuit montré dans la fig. 2.15 permet un choix de résistances beau-
coup moins hautes.

R f (R1 + R2 ) + R1 R2 R f (R1 + R2 )
A=− ≅−
Re R 2 Re R 2
R E = Re
RA ≅ 0
Fig. 57 L’amplificateur inverseur avec diviseur de tension dans le circuit de contre-réaction.
• Le convertisseur courant-tension avec inversion
UE
IR = = −I A
R
I 1
S = A =−
UE R
Rein = R
Raus = ∞
Fig. 58 Le convertisseur courant-tension avec inversion
• L’amplificateur non-inverseur
Rn
UE =UA
R f + Rn
 Rf 
U A = U E 1 + 
 Rn 
Rein = ∞
Raus = 0
Fig. 59 L’amplificateur non-inverseur
• Le suiveur de tension

UE =UA
Rein = ∞
Raus = 0
Fig. 60 Le suiveur de tension
• Le convertisseur courant-tension sans inversion
U E = I AR
IA 1
S= =
UE R
Rein = ∞
Raus = ∞
Fig. 61 Le convertisseur courant-tension sans inversion
• L’additionneur analogue
I Re 1 + I Re 2 = − I f
U E1 U E 2 U
+ =− A
R E1 R E 2 Rf
U U 
U A = − R f  E1 + E 2 
 Re1 Re 2 
Fig. 62L’additionneur analogue

Fig. 63 L’exemple d’un additionneur analogique
• L’amplificateur différentiateur
Rf
U E 2 = 0 : U A = −U E1
Re1
Rn Re1
U E1 = 0 : U E 2 =UA
R f + Rn Re1 + R f
Principe de superposition:
Rn (Re1 + R f ) Rf
U A = U E2 − U E1
Re1 (Re 2 + Rn ) Re1
Pour entrées symétriques: Rn Re1 = R f Re 2
UA =
R
(U E 2 − U E1 ) ; R = R f = Rn ; Re1 = Re 2
Re
Fig. 64 L’amplificateur différentiateur
La tension Ue2 est la tension Ue1 redressée par une diode dans les deux cas de
l’addition et la soustraction.

• L’intégrateur
UE 1
ic = ; − U A = U C = ∫ iC dt
R C
1
RC ∫
UA = − U E dt
Pour signaux sinusoïdaux:

UE
UA = −
jωCR
Fig. 65 L’intégrateur
Fig. 66 Intégration de signal sinusoïdal et rectangulaire
• Le dérivateur
1 dU E
U E = UC =
C ∫ iC dt ⇒ iC = C
dt
dU E
U A = −i R R = −iC R = − RC
dt
Pour signaux sinusoïdaux:
U A = − jωRCU E

Fig. 67 Le dérivateur²
Le limiteur
U D ≅ 0.7 V
UA
UA < UD ⇒ = − A0
UE
UA R
UA > UD ⇒ = − Diode
UE R
Fig. 68 Le limiteur
Fig. 69 Limiteur avec diodes

Fig. 70 Limiteur avec diodes zener
• Le redresseur „ultra“-linéaire
U E > 0 :U A = 0
Rf
U E < 0 : U A = −U E
Re
Fig. 71 Le redresseur „ultra“-linéaire
Fig.72Exemple d’un redresseur „ultra“-linéaire
• Le comparateur (Schmitt-Trigger)
Rn
Uentrée = U A min
R f + Rn
Rn
Usortie = U A max
R f + Rn
Rn
1 : U E << Uentrée ⇒ U + = U A max
R f + Rn
2 : U E = U + ⇒ instable U E > U + ⇒ U A = U A min
R f + Rn
A0 > 3 : ana log 1
Rn
4 : ana log 2
Fig. 73 Le comparateur (Schmitt-Trigger)
Fig. 74 Exemple d’un comparateur (Schmitt-Trigger)
• L’amplificateur logarithmique

U 
U a = −U 0 lg e 
 R I0 
U 0 = 61 mV (20  C )
I 0 ≈ 1.3 ⋅10 −13 A
Fig. 75 L’amplificateur logarithmique
Fig. 76Exemple et signal de sortie d’un amplificateur logarithmique (R=330 / 3300 Ohm)

ANNEXE1
Termes, outils
• Le facteur de transfert et la fonction de transfert
Le facteur de transfert A(ω) décrit le rapport entre le signal de sortie S2(ω) (effet) et le signal
d’entrée S1 (cause). (ne pas confondre avec la fonction de transfert H(s)).
S 2 (ω )
A(ω ) =
S1 (ω )
Les grandeurs A(ω), S1(ω) et S2(ω) sont des fonctions complexes.
La valeur réciproque A(ω) s’appelle coefficient d’affaiblissement D(ω)

S1 (ω )
D(ω ) =
1
=
A(ω ) S 2 (ω )
L’atténuation q est la valeur logarithmique du coefficient d’affaiblissement D ou du facteur de
transfert A (signe !).
S1 S2
q = log = − log
S2 S1
Les grandeurs A, D sont des fonctions de fréquence et il est intéressant d’en avoir une représenta-
tion graphique. Pour cette tâche il existe deux méthodes, le diagramme de Nyquist et le diagramme
de Bode.
0.2
-0.2
Imaginärteil
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

Realteil
Fig. 1.1 Diagramme de Nyquist du facteur de transfert
Dans le diagramme de Nyquist la fonction complexe de A ou de D est présentée avec la fréquence

comme paramètre.

0 0
-10 -0.5
Verstärkung, 20lg(|D|
-20
-1
Phase in Radian
-30
-1.5
-40
-2
-50
-2.5
-60
-70 -3
-80 -3.5
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Frequenz Frequenz
Fig. 1.2 Diagramme de Bode du facteur de transfert (module et phase separés)
Dans le diagramme de Bode la fonction complexe de A ou de D est dessinée dans deux dia-
grammes séparés comme fonction du module (appelé atténuation a ou amplification v) et de la
phase (appelée réponse en phase b). Dans les deux représentations on choisit le plus souvent
l’échelle logarithmique pour l’axe de fréquence.
• Décibel, Neper et niveau

Les unités pour l’amplification ou pour l’atténuation en échelle logarithmique sont Neper (Np) ou
Décibel (dB), selon la base utilisée (e ou 10).
P
Définition: 10 lg 2 ⇒ dB (décibel)
P1
U
ln 2 ⇒ N (Neper)
U1
On peut aussi exprimer le rapport entre deux tensions en décibels:
u 22
P R u R
10 lg 2 = 10 lg 22 = 20 lg 2 − 10 lg 2
P1 u1 u1 R1
R1
Important: L’unité Neper est basée sur le rapport de deux tensions et les décibels sur le rapport
de deux puissances. Le facteur de conversion (20 lg(e)= 8.686) est seulement appli-
cable, si les tensions étaient mesurées au long des impédances identiques.
Le niveau donne l’intensité d’un signal par rapport à une valeur de référence. Dans la pratique, les
systèmes les plus courants sont les suivants :
Niveau de référence Formule Désignation
watt P dBW
10 log
1W

milliwatt P dBm
10 lg
1mW
mikrovolt U dBµV
20 lg
1µV
• Réseaux linéaires et non-linéaires
Dans un réseau linéaire (circuit composé) la relation entre le signal de sortie et le signal d’entrée est
donnée par la fonction linéaire :
U 2 = kU 1
Cette relation n’est plus valable dans un réseau non-linéaire, qui possède p. ex. la caractéristique de
transfert U 2 = f (U 1 ) montrée dans la figure 1.3.
Übertragungskennlinie
1
0.8
0.6 begrenzend
ideal
0.4
Ausgangsspannung U2
0.2
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Eingangsspannung U1
Fig. 1.3 Caractéristique de transfert
A la sortie d’un circuit non-linéaire on constate généralement la somme ou la différence de mul-

tiples des fréquences appliquées à l’entrée du circuit. Ce sont le plus souvent des composantes non
désirées (exceptions : multiplication de la fréquence, modulation et mixage).
nf1 ± mf 2 avec n = 0,1,2,... et m = 0,1,2,...
Leur amplitude est décrite à l’aide du facteur de distorsion kn. Il désigne le rapport de l’amplitude
de l’harmonique avec la fréquence n f et la première harmonique avec la fréquence f .
u (n f )
n = 0,1,2,...
u( f )
Si l’on est intéressé par une mesure globale, on utilise alors le coefficient de distorsion harmo-
nique totale k, définit par
∞ ∞
∑ ui2
i=2
∑u
i=2
2
i
k= ou souvent aussi par k =

∞
u1
∑u
i =1
2
i

Pour de faibles valeurs de k les deux définitions sont équivalentes. On détermine le coefficient de
distorsion harmonique totale à l’aide d’un pont de distorsion. Celui consiste en un filtre coupe-
bande (pour supprimer la première harmonique) et un voltmètre qui mesure la valeur efficace. On
étalonne l’appareil en mesurant le signal total (égale 100%) et on mesure après le signal sans pre-
mière harmonique en appliquant le filtre. Le rapport donne le coefficient de distorsion harmonique
totale d’après la formule
ANNEXE2
• Caractéristiques des trois montages fondamentaux
Emetteur com- Collecteur commun Base commune

mun
h11e
// R E
résistance d'entrée en
équation h11e // RB1 // RB 2 (h11e + h21e RE ) h21e
alternatif // RB1 // RB 2
Ze
Valeurs ty- 0.4 ... 5 kΩ 200 ... 500 kΩ 50 ... 200 Ω
piques
h11e + R B1 // R B 2
résistance de sortie équation // RE
RC // 1 h22 e h21e RC // 1 h22 e
en alternatif
ZS
Valeurs ty- 10 ... 100 kΩ 100 ... 500 Ω 50 ... 200 kΩ
piques
gain en tension Av équation h21e h21e RE h21e

RC // 1 h22 e RC // 1 h22 e
h11e h21e RE + h11e h11e
Valeurs ty- 100 ... 1000 <1 100 ... 1000
piques
gain en courant équation h21e 1 h22 e 1 h22 e (1 + h21e ) h21e

Ai RC + 1 h22 e RE + 1 h22 e 1 + h21e
Valeurs ty- 20 ... 500 20 ... 500 <1
piques
RC
≈ h21
2
gain en puissance
équation e
h11e ≈ h21e ≈ Au
Valeurs ty- 2000 ... 50000 20 ... 500 100 ... 1000
piques
Déphasage (fré-
quences basses) 180° 0° 0°
Application Circuits stan- Convertisseur d'im- Amplificateurs

dards pour ap- pédances, étages HF, spécialement
plication BF et d'entrée BF pour f >100 MHz
HF

• Définition et transformation des paramètres quadripôles
 u1   z11 z12   i1   i1   y11 y12   u1 

  =      =   
 u2   z21 z22   i2   i2   y21 y22   u2 
 u1   h11 h12   i1   u1   a11 a12   u2 

  =       =    
 i2   h21 h22   u2   i1   a21 a22   − i2 
∆x = x11 x22 − x21 x12
z y h a
y 22 y12 ∆h h12 a11 ∆a

−
z11 z12 ∆y ∆y h22 h22 a21 a21
z z 21 z 22 y y11 h 1 1 a22
− 21 − 21
∆y ∆y h22 h22 a21 a21
z 22 z12 1 h a 22 ∆a
− − 12 −
∆z ∆z y11 y12 h11 h11 a12 a12
y z
− 21
z11 y 21 y 22 h21 ∆h −1 a11
∆z ∆z h11 h11 a12 a12
∆z z12 1 y12 a12 ∆a
−
z 22 z 22 y11 y11 h11 h12 a 22 a 22
h z 1 y 21 ∆y h21 h22 − 1 a 21
− 21
z 22 z 22 y11 y11 a 22 a 22
z11 ∆z y22 1 ∆h h11
− − − −
z21 z21 y21 y21 h21 h21 a11 a12
a 1 z22 ∆y y h22 −1 a 21 a 22
− − − 11 −
z21 z21 y21 y21 h21 h21
• Transformation des paramètres h du transistor
Montage émetteur commun
h11b
h11e = 1 − h12b + h21b + ∆hb h11c
∆hb − h12 b
h12e = 1 − h12 b + h21b + ∆hb 1− h12c

− ( ∆hb + h21b )
h21e = 1 − h12b + h21b + ∆hb − (1 + h21c )
h22b
h22e = 1 − h12b + h21b + ∆hb h22c
∆hb
∆he = 1 − h12b + h21b + ∆hb 1 − h12c + h21c + ∆hc
Montage collecteur commun
h11b
h11c = 1 − h12b + h21b + ∆hb h11e
1 + h21b
h12c = 1 − h12b + h21b + ∆hb 1− h12e
− (1 − h12b )
h21c = 1 − h12b + h21b + ∆hb − (1 + h21e )
h22b
h22c = 1 − h12b + h21b + ∆hb h22e
1
∆hc = 1 − h12b + h21b + ∆hb 1 − h12e + h21e + ∆he
Montage base commune
h11e h11c
h11b = 1 − h12e + h21e + ∆he ∆hc
∆he − h12e ∆hc + h21c
h12b = 1 − h12e + h21e + ∆he ∆hc
− ( ∆he + h21e ) h12c − ∆hc
h21b = 1 − h12e + h21e + ∆he ∆hc
h22e h22c
h22b = 1 − h12e + h21e + ∆he ∆hc
∆he 1 − h12c + h21c + ∆hc
∆hb = 1 − h12e + h21e + ∆he ∆hc

ANNEXE 4
4.1 Structure et les caractéristiques techniques de l’amplificateur opérationnel uA741
Fig. 1.1 Schéma de l’amplificateur classique µA741

Fig. 4.1 Les caractéristiques les plus importantes de l’ampliop µa741
Fig. 4.2 La réponse fréquentielle de l’ampliop LM324 sans contre-réaction (open loop)

4.2 L’amplificateur opérationnel réel, tension et courant offset
Le schéma équivalent de l’amliop réel se distingue de l’ampliop idéal par des éléments supplémen-
taires que l’on n’a pas encore pris compte. En particulier il ne faut pas oublier que les bases des
transistors d’entrée ne sont pas connectées en interne et ont besoin d’une liaison en courant direct
avec le potentiel approprié (souvent la masse)
4.3 Le schéma équivalent de l’amplificateur opérationnel réel.

Le schéma équivalent de l’amplificateur opérationnel (fig. 2.9) contient des éléments supplémen-
taires comme les source de courant et tension, des composants non-linéaires et des capacités qui
déterminent la fréquence de coupure supérieure (passe-bas).
Fig. 4.3 Schéma équivalent de l’amplificateur opérationnel réel
Dans la fig. 4.3 , différents points sont à remarquer :

1. La source de tension VOB (polarité indéterminée) décrit la tension d’offset différentielle. Elle
donne le montant et le signe de la tension de dérive, de la tension différentielle résiduelle
due aux variations de la température et au mode commun.
2. Les sources de courant iOA et iOB représentent les courants d’offset des deux transistors à
l’entrée (courant de base).
3. Les deux sources de courant bruit iNA et iNB décrivent les perturbations aléatoires produites
par les effets thermiques (ne pas confondre avec les effets de température sous point 1).
4. e’NB produit un bruit en série avec la source de tension offset VOB.
5. Cette capacité est responsable pour l’effet passe-bas de 20 dB par décade (voir aussi
2.3.3.3).
6. La résistance variable décrit la variation de l’amplification due au vieillissement, variation
de la température et tension d’alimentation.
7. Ces éléments représentent de façon fortement simplifiée les non-linéarités du circuit
d’entrée.
8. Ces diodes zener décrivent les effets non-linéaires du circuit de sortie et les effets de la satu-
ration de l’étage sortie.
9. ZAG et ZBG symbolisent les impédances d’entrée mode commun, ZAB celle du mode différen-
tiel. Tous les trois sont des impédances dynamiques.

SwitcherCAD III/LTspice
Getting Started Guide

Copyright © 2008 Linear Technology. All rights reserved.
2
Benefits of Using SwitcherCAD III/LTspice

Stable SPICE circuit simulation with Outperforms pay-for options
Unlimited number of nodes
Schematic/symbol editor LTspice is also a great
schematic capture
Waveform viewer
Library of passive devices
Fast simulation of switching mode power supplies (SMPS)
Steady state detection Over 1100 macromodels of
Turn on transient Linear Technology products
Step response 500+ SMPS
Efficiency / power computations

Advanced analysis and simulation options
Not covered in this presentation
© 2008 Linear Technology
3
How Do You Get SwitcherCAD III/LTspice

Go to http://www.linear.com/software
Left click on download SwitcherCAD III/LTspice
Register for a new MyLinear account to receive updates if you have not done so
already

Getting Started

5
Getting Started using SwitcherCAD III/LTspice

Use one of the 100s of demo circuits available on linear.com
Reviewed by Linear Technology’s Factory Applications Group
Use a pre-drafted test fixture (JIG)
Provides a good starting point
Use the schematic editor to create your own design
LTspice contains macromodels for most LTC power devices

6
Demo Circuits on linear.com

Go to http://www.linear.com
Enter root part number in the search
box (e.g. 3411)
Select Simulate Tab
Follow the instructions provided
If you do not find a demo circuit of

interest, use a pre-drafted test
fixture – covered next
Download LTspice
Download Demo Circuit
Complete list of demo circuits available

at www.linear.com/democircuits
7
Demo Circuit
9 Designed and Reviewed by Factory Apps Group
To run a demo circuit jump

to the Run and Probe a
Circuit in LTspice section
What if I cannot find

a demo circuit?
It remains the customer's responsibility to verify proper and reliable operation in the
actual application
Printed circuit board layout may significantly affect circuit performance or reliability
8


9
Pre-Drafted Test Fixture (JIG)

Used for testing models during development
Provides a draft starting point
Not reviewed by Linear Technology’s factory applications team
It remains the customer's responsibility to verify proper and reliable operation in the
actual application
Printed circuit board layout may significantly affect circuit performance or reliability
10
Start with a New Schematic

New Schematic
Left click on the New Schematic symbol in the Schematic Editor Toolbar

11
Add a Macromodel & Opening Test Fixture

Add Component
Left click on the Component symbol in

the Schematic Editor Toolbar
Enter “root” part to search for the model
(e.g. 3411)
Left click on Open this macromodel’s
test fixture
To run a test fixture, jump to the Run and

Probe a Circuit in LTspice section

12


Draft a Design Using the
Schematic Editor

14
Start with a New Schematic

New Schematic
Left click on the New Schematic symbol in the Schematic Editor Toolbar
LTspice is also a great

schematic capture

15
Add a Linear Technology Macromodel

Add Component
Left click on the Component symbol in the Schematic Editor Toolbar

Enter “root” part to search for the model (e.g. 3411)
Left click on OK

16
Getting the Latest Datasheet

Use the macromodel’s shortcuts to download the Datasheet
as a reference for your design
Hold Ctrl key and right click (Ctrl – right click) over the LT
macromodel’s symbol
Left click on Go to Linear website for datasheet on the dialog
box that appears
You can also open the macromodel's test fixture as a draft starting point

17
Adding Circuit Elements Place Diode Rotate

Place Inductor Mirror
Place Capacitor
Place Resistor
Left click on the desired component in the Schematic Editor Toolbar

Left click on Rotate or Mirror to adjust orientation
Alternate you can also use Ctrl – R and Ctrl – M key shortcuts
Move the mouse to the position you want to place it
Left click to place it
To cancel or quit a component type,
click the right mouse button

18
Adding Sources, Loads & Additional Circuit Elements
Left click on the Component symbol in

the Schematic Editor Toolbar
Search directory structure for desired
circuit element (e.g. load and voltage)
Left click on OK
Move the mouse to the position you
want to place it
Left click to place it
Additional Circuit Elements

EMI Like Sources and Loads
Electronique analogique M. Mohssine 112
19
Highlights of Additional Circuit Elements

Left click on the Component symbol in the Schematic Editor Toolbar for a
directory of additional circuit elements:
Arbitrary behavioral source Lossy transmission line
Voltage dependent voltage Bipolar transistor
Current dependent current Voltage controlled switch
Voltage dependent current Lossless transmission line
Current dependent voltage Uniform RC-line
Independent current source Independent voltage source
JFET transistor Current controlled switch
Mutual inductance Subcircuit
MOSFET transistor MESFET transistor

…many more

20
Drawing Lines and Labeling Nodes
Draw Wire
Place Ground
Do not forget to place a
Label Node ground in your design, it is
required for simulation!
Lines
Left click on the Draw Wire in the Schematic Editor Toolbar
Left click a blue box (terminal)
Define the line’s path with a left click over intermediate points
Left click on another blue box (terminal)

21
Editing Circuit Elements Delete

Duplicate
Move
Drag
Undo
Redo
Left click on the desired editing option

Left click on the circuit element
To organize your layout, use the Drag option to move circuit

elements around and to adjust lines between terminals

22
Editing Circuit Elements Attributes

Right click on the component symbol to modify attributes
Right click on the text next to the component to edit the

visible attribute and label
Pointer will turn into a text caret

23
Use Labels to Specify Units in Circuit Elements Attributes

K = k = kilo = 103 M = m = milli = 10-3
MEG = meg = 106 U = u = micro = 10-6
G = g = giga = 109 N = n = nano = 10-9
T = t = terra = 1012 P = p = pico = 10-12
F = f = femto = 10-15
Hints
Use MEG to specify 106, not M
Enter 1 for 1 Farad, not 1F

24
Circuit Elements Database

Some components have an available database of
manufacturers’ attributes
Resistors, capacitors, inductors, diodes,
Bipolar transistors, MOSFET transistors, JFET
transistors
Independent voltage and current sources
To configure a component to a manufacture’s
attributes
Right click on the component symbol
Left click on Select… or Pick New…
Left click on a selected device
Left click on OK

25
Editing Voltage Sources and Loads

Voltage Source
Right click the voltage
symbol
Enter DC voltage value and
(optional) Series Resistance
Left click on OK
Load (current)
Right click on the load
symbol
Enter DC current value
Left click on OK

26
Summary of Schematic Editor Toolbar

Place Circuit Element
Place Diode
Place Inductor
Place Capacitor
Place Resistor
Label Node
Place Ground
Draw Wire
Move
Drag
Undo
Redo
Delete Rotate
Duplicate Mirror
Paste b/t Schematics Place Comment
Find Place SPICE directive
Run and Probe a Circuit

28
Simulation Commands
To run a simulation, specify the type of analysis to be
performed
There are six different types of analyses:
Transient analysis
Small signal AC More information on simulation and dot
commands are available in
DC sweep SwitcherCAD III/LTspice User Guide
Noise
DC transfer function
DC operating point
Simulation commands are placed on the schematic as text
Called dot commands

29
Editing Simulation Commands

Left click on Simulation menu Demo Circuits and Test Fixtures
have predefined Simulations
Left click on Edit Simulation Cmd Commands
As a starting point in a simulation
Left click on Transient tab
Enter a Stop Time
You may need to adjust this
again later
Select OK

30
Running a Circuit
Run
If model is not found please Sync Release

under Help menu to update LTspice
31
Probing a Circuit & Waveform Viewer

Left click on any wire to plot the voltage
on the waveform viewer
Voltage probe cursor
Left click on the body of the component

to plot the current on the waveform
viewer
Convention of positive current is in
the direction into the pin
Current probe cursor

32
Probing a Demo Circuit and Test Fixture

Demo Circuits and Test Fixtures have INs and OUTs clearly
labeled to help you quickly select them
To view the waveform left click on IN and OUT
Left Click Left Click

Here for Here for
Input Output
Waveform Waveform

33
Voltage Differences Across Nodes

Left click and hold on one
node and drag the mouse
to another node
Red voltage probe at the first
node
Black probe on the second
Differential voltages are

displayed in the waveform
viewer

34
Plot Planes
Multiple plot panes can be displayed on one window to allow better
separation between traces permitting different traces to be
independently autoscaled
Right click in the waveform pane
Select Add Plot Pane
Left click and hold to drag a label to a new plot pane

35
Zooming In and Out in the Waveform Viewer

To zoom in
Left click and hold as you
drag a box about the region
you wish to zoom in then
release
To zoom out
Right click and select Zoom
to Fit or Zoom Back
Zoom In
Pan
Zoom Out
EMI
Autoscale Electronique analogique M. Mohssine 129
36
Measuring VRipple, IRipple and Time (Frequency)

Drag a box about the region you wish to measure (peak to peak
over a period)
Left click and hold to drag a box over the portion of interest
View the lower left hand side of the screen
To avoid resizing, shrink your box before you let go of the left mouse
click or use the Undo command in the Edit menu
To view SMPS voltage ripple you will

need to zoom into a narrow section
since waveform is initially
compressed to full range

37
Average/RMS Current or Voltage Calculations

Hold down Ctrl and left click on the I or V trace label in the
waveform viewer

38
Instantaneous & Average Power Dissipation

Instantaneous Power Dissipation
Hold down the ALT key and
left click on the symbol of the
component
Pointer will change to a
thermometer
Plotted in units of Watts
Average Power Dissipation

Hold down the Ctrl key and
left click on the trace label
power dissipation waveform

Generating a BOM and
Efficiency Report

40
Bill of Materials (BOM)

Left click on View menu
Left click on Bill of Materials

41
Computing Efficiency of SMPS Circuits

Left click on Simulate menu
Left click on Edit Simulation Cmd
Left click on Stop simulating if steady state is detected
Automatically detect the steady state by checking the internal
state of the macromodels
Automatic detection of steady state
Rerun simulation
may not work – steady state detection
may be too strict or lenient

42
Viewing Efficiency Report

Left click on Simulate menu
Left click on Efficiency Report

Simulate a Transient Response
in a SMPS
Advanced Topic

44
Use a Pulsed Function as a Transient Response Load

Insert a current source load
Left click on the Component symbol in the Schematic Editor Toolbar
Select load (or load2) circuit element and configure as pulsed
Left click on OK
Configure load as a pulsed function (covered next)
Steps current from initial to pulsed value and back
Run and review results

45
Configuring Load as a Pulse Function

Right click on the load (or load2) component
Select Pulse
Modify the Attributes
I1 = Initial value
I2 = Pulsed Value
Tdelay = Delay
Tr = Rise time
Tf = Fall time
Ton = On time
Tperiod = Period
Tdelay needs to be adequate so that
the device is in steady state and out
Ncycles = Number of cycles of startup before the load step occurs
Omit for free running
You may need to un-click Stop simulating if steady state is detected
and specify an end time in Edit Simulation Cmd under the Simulate menu
Simulate a Transformer
Advanced Topic

47
Simulating a Transformer
Draw each winding of the transformer as an individual inductor
Couple inductors with a mutual inductance statement
Add a SPICE directive of the form K1 L1 L2 L3 ... 1 to the schematic
Left Click on Edit then SPICE Directive
Inductors in a mutual inductance will be drawn with a phasing dot
Start initially with a mutual coupling coefficient equal to 1
K statement coupling
the windings
For more information check out LTC1871

demo circuit and page 23-24 of September
2006 LT Magazine at www.linear.com
1:3 turns ration gives Note: winding inductance ratio is

a 1:9 inductance ratio the square of the turns ratio
Additional Information and
Support

49
Reminder to Periodically Sync Release

Update your release of LTspice to get the latest
Software updates
Models and examples Sign up for Linear Insider via
MyLinear (www.linear.com) for
email news and updates
List of changes are available in the changelog.txt that is located in

your LTspice root directory (C:\Program Files\LTC\SwCADIII)
50
Built-in Help System

Left Click on Help menu and then Help Topics
To print out a hardcopy, download user guide at

http://LTspice.linear.com/software/scad3.pdf
51
Emailing Comments and Signing up for Linear Insider

52
Customer Support
Linear Technology customers can obtain support by
Calling your local field applications engineer
http://www.linear.com/contact/
Calling +1 (408) 432 – 1900 for factory application support
Additional support (not related to Linear Technology circuits
or models support)
Built-in help topics & User Manual
Independent LTspice users’ group (search messages)
Simulation with the supplied models is fully supported

All bug reports are appreciated and will be resolved

53
Independent LTspice Users’ Group

The group has a section of files and messages with
additional tutorials, libraries, and examples
http://groups.yahoo.com/group/LTspice/
Join LTspice Users’ Group
Email LTspice-subscribe@yahoogroups.com
Subject=Subscribe


Mohssine Poly Du Cours D - Électronique Analogique

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ECOLE MOHAMMADIA D’INGENIEURS

Année Universitaire 2013-2014

EMI Electronique analogique M. Mohssine 1

Le semi-conducteur devient donc un conducteur puisqu’il contient des électrons libres

EMI Electronique analogique M. Mohssine 2

EMI Electronique analogique M. Mohssine 3

EMI Electronique analogique M. Mohssine 4

Les ions de cette zone de transition entraîne l’existence d’une différence de

EMI Electronique analogique M. Mohssine 5

Si les porteurs majoritaires étaient en règle général repoussés, on ne peut pas en

EMI Electronique analogique M. Mohssine 6

Courant de diffusion: quelques électrons du fait de

Courant de saturation: certains porteurs minoritaires sont

Si la jonction n’est soumise à aucune différence de

3.La jonction PN polarisée

Les porteurs majoritaires susceptibles de

Le courant de diffusion devient alors très

EMI Electronique analogique M. Mohssine 7

C’est la région N qui est maintenant

Une jonction PN polarisée en sens inverse est dite bloquée.

4.La diode à jonction

EMI Electronique analogique M. Mohssine 8

4.1 Caractéristique directe

EMI Electronique analogique M. Mohssine 9

EMI Electronique analogique M. Mohssine 10

Fig. 12. Linéarité de Log (I) fonction de V.

la courbe Fig.12. (à l'exception de la zone de claquage) répond assez bien à la formule

If est le courant de fuite appelé aussi Is ou courant de saturation.

q la charge de l'électron = 1,6E-19C

k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K

1. Résistance différentielle (ou dynamique).

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La résistance dynamique étant l'inverse de la pente de la caractéristique en un point

La figure Fig. 13 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations

Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode. La

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 Diode avec seuil.

Fig. 15. Caractéristique avec seuil.

Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs.

 Diode avec seuil et résistance.

Fig. 17. Caractéristique avec seuil et résistance.

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Si nous reprenons le raisonnement appliqué dans le cas de la conduction de la diode, pour

Le champ résultant va être important, il va donc permettre au minoritaire

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-600 -400 -200 0

4.3 Grandeurs caractéristiques d’une diode Fig. 20

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Il s’agit de la résistance apparente de la diode, c’est le rapport entre une valeur de la

Limite d’utilisation d’une diode

Ces limites sont fixées par le fabricant, on retrouve :

Choix d’une diode

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Comme on le voit, le courant i qui passera dans la diode va dépendre du courant I2

Dans la zone avant stabilisation, la tension U2 est inférieure à Uz et le courant i reste

Dans le domaine de stabilisation, la tension U2 reste égale à Uz et le courant i n’est

La puissance dissipée par la résistance R1 pourra s’écrire : PR1= R1.I1² .

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6.1 Redressement mono alternance.

Redressement avec une diode.

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