Note dapplication

Conception dun convertisseur DC/DC de type boost

Critres de choix et dimensionnement des composants

Benot Issartel - Projet P10AB04

Gestion intelligente des transferts dnergie dun pylne dclairage public olien

Client : entreprise WINDELA reprsente par M. AUDUBERT

Tuteur Industriel : M. JOUANNET
Tuteur Technique : M. PASQUIER
Responsable projet : M. LAFFONT
 Conception dun convertisseur DC/DC de type boost

Sommaire
1 Introduction 4

2 tude du fonctionnement 4
2.1 Prsentation du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Conduction continue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3 Conduction discontinue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.4 Conduction critique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.5 Caractritiques de sortie statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.6 Limitation du gain en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

3 tude de la commande 13
3.1 Signal de commande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.2 laboration du signal de commande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.3 Dispositifs de scurit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

4 Dimensionnement des composants 15

4.1 Cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
4.2 Cellule de commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
4.3 Interface de commande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.4 lments ractifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.5 Dissipateur thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

5 Bibliographie 21

Liste des figures

1 Schma de principe dun hacheur boost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2 Signal de commande de linterrupteur T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3 Schmas quivalents lors des squences 1 ( gauche) et 2 ( droite) . . . . . . 6
4 Formes dondes obtenues en conduction continue . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5 Allure du courant traversant linductance en conduction discontinue (T = Td ) 11
6 Caractristiques de sortie paramtres par . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
7 Caractristiques de transfert paramtres par R L . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
8 Diagramme puissance-frquence des composants . . . . . . . . . . . . . . . . 16
9 Pot RM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
10 Modle thermique statique de la cellule de commutation . . . . . . . . . . . . 20

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Notations utilises

Symbole Unit Dfinition

<s> valeur moyenne du signal s(t)
S MAX valeur maximale du signal s(t)
S MI N valeur minimale du signal s(t)
Srms valeur efficace du signal s(t)
iB A intensit du courant traversant llment B
vB V tension aux bornes de llment B

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 Conception dun convertisseur DC/DC de type boost

1 Introduction
Cette note dapplication traite de la conception dun convertisseur DC/DC de type boost
(appel galement hacheur survolteur ou parallle). Ce type de convertisseur statique per-
met de convertir une tension continue en une autre tension continue de plus forte valeur.
Dans un premier temps, nous tudierons le fonctionnement de cette structure afin de
dterminer les relations entre les diffrents signaux lectriques. Puis, nous expliquerons
comment dimensionner les diffrents lments qui la composent partir des spcifications
dun cahier des charges.

2 tude du fonctionnement
2.1 Prsentation du circuit
Le schma de principe dun hacheur boost est donn par la figure 1. Cette structure est
compose principalement dune inductance L et de deux interrupteurs T et D. selon ltat
de ces deux interrupteurs, on peut distinguer deux phases de fonctionnement :

- la phase active lorsque linterrupteur T est ferm et linterrupteur D est ouvert. Durant
cette squence, le courant traversant linductance L va augmenter linairement et une
nergie WL est stocke dans L. Le condensateur C fournit de lnergie la charge R.

- la phase de roue libre lorsque linterrupteur T est ouvert et linterrupteur D est ferm.
Durant cette squence, lnergie emmagasinne dans linductance L est restitue au
condensateur et la charge R. Lors de cette phase, le fait que linductance L soit en
srie avec la source de tension dentre permet dobtenir un montage survolteur.

L D
iE iD

iT iC iS
vL vD
VE T vT C R vS

Figure 1: Schma de principe dun hacheur boost

La figure 2 prsente lallure du signal de commande appliqu linterrupteur T. Cest

un signal rectangulaire de frquence f dont la largeur de la dure ltat haut (dure de
conduction de linterrupteur T, note TON ) est ajuste par le paramtre . Ce paramtre,
appel rapport cyclique, est dfini comme tant le rapport entre la dure de conduction de
linterrupteur T et la priode de dcoupage Td de celui-ci :

TON
= (1)
Td
On a : Td = TON + TOFF , o TOFF correspond la dure de blocage de linterrupteur T.

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La dure de conduction TON est compris entre 0 et Td donc, le rapport cyclique est compris
entre 0 et 1. On peut exprimer la dure de conduction et de blocage de linterrupteur T en
fonction de et Td :

- Dure de conduction : TON = Td

- Dure de blocage : TOFF = (1 )Td

Figure 2: Signal de commande de linterrupteur T

Dans ltude qui suit, nous ferons les hypothses suivantes :

- la tension dalimentation VE est parfaitement continue et constante

- la valeur du condensateur C est suffisamment grande afin de pouvoir considrer la

tension de sortie VS comme continue

- les composants sont idaux

Ltude de la structure se fera en rgime permanent. Nanmoins, nous aborderons en

partie 3.3 quelques aspects du rgime dynamique.
On peut distinguer trois rgimes de conduction :

- la conduction continue qui correspond au cas o le courant i L traversant linductance

ne sannule jamais

- la conduction discontinue qui correspond au cas o le courant i L traversant linductance

sannule avant la prochaine phase active

- la conduction critique qui dfinit la limite entre les deux modes de fonctionnement
prcdents

La suite de ce document explique le comportement de la structure en fonction de ces

trois rgimes de conduction. Lobjectif principal est de dterminer les relations reliant les
grandeurs lectriques dentre et de sortie du convertisseur ainsi que les formules permet-
tant de dimensionner les diffrents composants.

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2.2 Conduction continue

Squence 1 : phase active
linstant t = 0, on ferme linterrupteur T pendant une dure Td . La tension aux bornes
de la diode D est gale v D = v T VS . Comme linterrupteur T est ferm, on a v T = 0, ce
qui implique v D = VS . La diode est donc bloque puisque VS > 0. Dans ces conditions,
on obtient alors le schma quivalent de la figure 3. La tension aux bornes de linductance
est alors :

di L
v L = VE = L>0 (2)
dt
En rsolvant cette quation diffrentielle, on obtient la formule suivante qui exprime
lvolution du courant traversant linductance :
 
VE
iL = t + IL MI N (3)
 L

Squence 2 : phase de roue libre

linstant t = Td , on ouvre linterrupteur T pendant une dure Td (1 ). Pour as-
surer la continuit du courant, la diode D entre en conduction. On obtient alors le schma
quivalent se la figure 3. La tension aux bornes de linductance est alors :

di L
v L = VE VS = L <0 (4)
dt
En rsolvant cette quation diffrentielle, on obtient la formule suivante qui exprime
lvolution du courant traversant linductance :
 
VE VS
iL = (t T ) + IL MAX (5)
 L

iE L iD iE L iD
iT iC iS iT iC iS
vL vD vL vD
VE vT C R vS VE vT C R vS

Figure 3: Schmas quivalents lors des squences 1 ( gauche) et 2 ( droite)

Expression de VS et IS
Par dfinition :

1 1
Z T Z T Z T
d d d
< v L >= v L dt = ( VE dt + (VE VS ) dt) (6)
Td 0 Td 0 Td

Comme la tension moyenne aux bornes dune inductance est nulle, on peut crire :

< v L >= VE + (VE VS )(1 ) = 0 (7)

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Finallement, on obtient la relation suivante :

 
VE
VS =< vS (t) >= (8)
 1
Le rapport cyclique est compris entre 0 et 1 donc la tension de sortie VS est ncessaire-
ment suprieure la tension dentre VE (montage survolteur).
Si on suppose que le courant dentre est parfaitement continu, on peut crire :

1
Z T
d
IS =< iS (t) >= IE dt (9)
Td Td

Ce qui conduit :
 
IS = IE (1 ) (10)
 

Cette expression montre que le hacheur boost est abaisseur en courant.

Au regard de ces diffrentes expressions, on peut remarquer que le rapport cyclique
permet de rgler la tension moyenne de sortie (respectivement le courant moyen de sortie)
pour une tension moyenne dentre donne (respectivement un courant moyen dentre). Il
est donc possible de rgler le transfert moyen de puissance entre lentre et la sortie de la
structure partir du rapport cyclique . Le transfert moyen de puissance est :
 
< p >= P = (1 )VS IE (11)
 

Ondulation de courant IL
Londulation absolue du courant i L est dfini par IL = IL MAX IL MI N . A partir des
relations 3 et 5, t = T, on peut crire :

VE
T + IL MI N = IL MAX (12)
L
On en dduit lexpression de IL suivante :
 
VE
IL = (13)
Lf

Cette expression nous montre que londulation en courant diminue lorsque la frquence
de commutation f ou la valeur de linductance L augmente.
Comme VE = VS (1 ), on peut crire :

(1 )VS
IL = (14)
Lf
En rsolvant dIL /d = 0, on trouve que londulation en courant IL est maximale
pour = 0, 5. Le dimensionnement de linductance L, partir dune ondulation en courant
donne, seffectue laide lquation suivante :
 
VS
L (15)
4 f IL


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Ondulation de tension VS
Pour dterminer lexpression de londulation en tension VS , on fait lhypothse que le
courant IS est parfaitement constant. On a la relation suivante iC = C dvS /dt or, pour
0 t T on a iC = IS . La rsolution de cette quation diffrentielle donne :

IS
vS = t + VSmax (16)
C
A t = Td , on a :

IS
vS (T ) = VSmin = T + VSmax (17)
C d
Par suite, on a :

IS
VS = VSmax VSmin = T (18)
C d
Finalement :
 
VS
VS = (19)
RC f

Cette expression nous montre que londulation en tension diminue lorsque la frquence
de commutation f ou la valeur du condensateur C augmente.
Le dimensionnement du condensateur C, partir dune ondulation en tension donne,
seffectue laide lquation suivante :
 
VS
C MAX (20)
R f VS


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Formes dondes des principaux signaux

Les formes dondes des principaux signaux sont donnes la figure 4. A partir de ces
formes dondes, on peut exprimer les valeurs moyennes et efficaces des courants qui tra-
versent la diode D et linterrupteur T. Nous pouvons galement en dduire les contraintes
maximales en tension et courant sur les interrupteurs. Ces relations seront utilises lors du
dimensionnement des diffrents composants de la structure.

- Courant moyen traversant la diode D

ID =< i D >= IS (21)

- Courant efficace traversant la diode D
s
IS 2 IL2
IDrms = (( ) + ) (1 ) (22)
1 12
- Courant moyen traversant linterrupteur T

IS
IT =< i T >= = IE (23)
1
- Courant efficace traversant linterrupteur T
s
IS 2 IL2
ITrms = (( ) + ) (24)
1 12

Figure 4: Formes dondes obtenues en conduction continue

Document extrait de la source [4]

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Les contraintes en tension et courant sur linterrupteur command T et la diode D sont

les mmes. Ces caractristiques statiques extrmes sont utilises pour choisir les composants
de la cellule de commutation. Il faut choisir des composants dont laire de scurit englobe
ces valeurs (absolute maximum ratings). Laire de scurit dun composant correspond au
domaine courant-tension lintrieur duquel le point de fonctionnement doit demeurer.
Cependant, ce point de fonctionnement peut exceptionnellement sortir de manire impul-
sionnelle (il convient alors de vrifier que le composant concern tolre ces carts).
- Contraintes maximales en tension
 
VE VS
v TMAX = |v D MAX | = vS MAX = + (25)
 1 2

- Contraintes maximales en courant

 
I I
i TMAX = i D MAX = i L MAX = S + L (26)
 1 2

Le dimensionnement de la cellule de commutation seffectue dans le cas le plus dfavor-

able. Pour calculer les contraintes en tension et courant dans le pire des cas, il faut remplacer
dans les expressions ci-dessus par MAX .

2.3 Conduction discontinue

En conduction discontinue, on rajoute une phase pendant laquelle la diode D ne conduit
pas (i L = 0). A partir de lallure de i L (figure 5), on peut crire :

1 t f + to VE
< i L >= IL MAX et IL MAX = tf (27)
2 Td L
La tension moyenne aux bornes de linductance tant nulle, on a alors :

t f VE = to (VS VE ) (28)
Lgalit des puissances dentre et de sortie de la structure conduit :

VE2 2
IS = (29)
2L f VS VE
Ou bien :

VE
VS = VE [1 + 2 ] (30)
2L f IS
Dans ce rgime de fonctionnement, la tension de sortie est donc dpendante de la charge
pour un rapport cyclique fixe. Ceci implique quen conduction dicontinue, il est ncessaire
de mettre en uvre une boucle de rgulation.

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Figure 5: Allure du courant traversant linductance en conduction discontinue (T = Td )

Document extrait de la source [4]

2.4 Conduction critique

Ce mode dfinit la limite entre les rgimes continu et discontinu.
La relation (mode continu) :

VE
VS = (31)
1
et (mode discontinu) :

VE2 2
IS = (32)
2L f VS VE
sont valables simultanment, on peut alors crire :

VE2 VS VE
IS = (33)
2L f VS2

2.5 Caractritiques de sortie statique

A partir de ltude de ces trois modes de fonctionnement, on peut tracer la caractristiques
de sortie statique VS ( IS ). Cette caractristique est donne la figure 6 (VE remplace par E).

Figure 6: Caractristiques de sortie paramtres par

Document extrait de la source [4]

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A partir de ce rseau de courbes, on peut effectuer plusieurs remarques :

- En conduction continue, la structure se comporte comme une source de tension rglable
par lintermdiaire du paramtre . Les caractristiques de sortie VS ( IS ) sont des droites
horizontales.
- En conduction discontinue, le comportement de la structure est tout fait diffrent. En
effet, la tension de sortie devient fortement dpendante du courant de sortie. Dans ce cas,
les caractristiques de sortie VS ( IS ) sont des hyperboles asymptotes.
- Le lieu des points de conduction critique est une courbe qui passe par le point (IS =0;VS =VE ),
a pour asymptote la droite IS =0 et dont lextrmum est le point (IS =VE /8;VS =2VE ).
Il est donc ncessaire de rguler la structure surtout faible charge (la tension de sortie
peut alors devenir extrmement leve).

2.6 Limitation du gain en tension

Le gain en tension dfini prcdemment pour cette structure tend thoriquement vers
linfini pour un rapport cyclique unitaire. En ralit, ce gain est limit par la rsistance srie
de linductance. Cette rsistance srie est note ESR (Equivalent Serie Resistance) dans la
documentation constructeur. En notant R L la rsistance srie de linductance, on peut crire,
en valeur moyenne :

VE = R L < IL > + < v T > (34)

Or :

< v T >= (1 )VS (35)

et

VS
< IL >= (36)
R (1 )
Ce qui conduit :

RL
VE = VS + (1 )VS (37)
R (1 )
Finalement :
 
VS 1
= RL 1
(38)
VE (1 )[1 + R (1 )2 ]
 
On peut voir sur la figure 7 que cette
r courbe nest pas continment croissante. Elle
RL
atteint un maximum pour : L = 1 . Dans ce cas, le gain en tension maximal est
R
donn par la formule suivante :
s
1 R
[VS /VE ] MAX = (39)
2 RL
De plus, on peut remarquer que si > L , le gain en tension retombe alors rapidem-
ment zro. En pratique, il nest donc pas possible dobtenir des rapports dlvation en

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tension quelconques. Les structures isoles (type Flyback et Forward) permettent de r-

soudre ce problme lorsque les niveaux de tensions dentre et de sortie sont trs diffrents.
Ladaptation de niveau est alors ralise en fixant le rapport de transformation du transfor-
mateur.

Gain en tension Hacheur Boost

7

Inductance parfaite (RL = 0)

6 Inductance relle (Rch/RL = 100)
Inductance relle (Rch/RL = 10)
5
Gain en tension

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
alpha

Figure 7: Caractristiques de transfert paramtres par R L

3 tude de la commande
3.1 Signal de commande
Le signal de commande a t prsent la figure 2. Il existe deux procds de rglages :

- rglage f fixe et tON variable

- rglage tON fixe et f variable

Le choix de la frquence de dcoupage f est un compromis, en effet :

- plus la frquence f est grande, plus les dimensions des lments seront faibles

- plus la frquence f est grande, plus les pertes de commutations seront grandes

Il faut noter aussi que les composants sont limits en frquence. Il nest donc pas possible
de choisir une frquence de dcoupage trop leve lorsque des contraintes dencombrement
sont imposes. De plus, il est ncessaire de choisir une frquence qui permette de respecter
les normes CEM. Dans de nombreuses applications, la frquence de dcoupage est choisie
suprieure au domaine audible ( 20 kHz).

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3.2 laboration du signal de commande

Lobjectif de la commande est de pouvoir contrler lvolution de variables lectriques. Par
exemple, certaines applications ncessitent de disposer dune sortie rgule en tension, pour
cela, on ralise un asservissement. Limplantation de ce contrle peut tre soit analogique,
soit numrique.

Implantation analogique
Dans ce cas, le contrle est conu via des circuits analogiques. Ces implantations perme-
ttent dobtenir des rponses quasi-instantannes puisque le contrle seffectue en continu.
De plus, le contrle seffectue avec une haute rsolution (traitement sur des grandeurs con-
tinues). En revanche, les drives thermiques des paramtres des composants engendrent
des variations sur les grandeurs de contrle. Ce type de systme est aussi trs sensible aux
perturbations.

Implantation numrique
Dans ce cas, lalgorithme de commande est discrtis et est ralis via des solutions
numriques telles que des cibles de type DSP ou FPGA. Ce type dimplantation permet
dobtenir une grande flexibilit de modifications des structures de contrle. Elles apportent
aussi un niveau de complexit plus grand que celui obtenu avec un contrle analogique.
Ces systmes disposent dune bonne immunit vis vis des perturbations (seulement deux
niveaux logiques). En revanche, la numrisation du signal (utilisation dun CAN) induit
invitablement des erreurs de quantification. La prcision de contrle est donc plus faible
que celle obtenue par un contrle analogique.

3.3 Dispositifs de scurit

Dans ce document, nous ne traitons pas ltude en rgime dynamique du convertisseur
de puissance. Cependant, il est ncessaire de faire quelques remarques sur le sujet afin de
commander convenablement cette structure. On peut distinguer quatre cas :

- la mise sous tension de la structure

- une variation du rapport cyclique

- une variation de la charge

- larrt de la structure

Dune faon gnrale, ltude des comportements dynamiques de la structure face ces
quatre cas de figure montrerait que des surtensions et surintensits apparaissent lors des
transitions. Ces lvations en tension et courant dtriorent les composants. Une solution
pour diminuer ces phnomnes est de limiter la rapidit de croissance du rapport cyclique.
la mise sous tension, cette technique est appele soft start . Cette limitation permet de
faire voluer le systme par paliers, cest--dire, une succession de rgimes permanents sans
dpassements.

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4 Dimensionnement des composants

4.1 Cahier des charges
Les spcifications minimales pour pouvoir raliser un hacheur boost, avec la mthode de
dimensionnement expose dans ce document, sont les suivantes :
- Tension dentre variant entre VE MI N et VE MAX
VS
- Tension de sortie VS avec une ondulation relative VS XX %
- Puissance ncessaire la charge PCH
- Frquence de hachage f = XX kHz
A partir de ces spcifications, on peut tablir :

VS VE MAX
MI N = (40)
VS
VS VE MI N
MAX = (41)
VS

4.2 Cellule de commutation

La cellule de commutation est compos de deux interrupteurs :

- linterrupteur D doit supporter une tension inverse et doit pouvoir conduire un courant
positif. Son amorage et son blocage peuvent tre spontans. Cet interrupteur sera
donc une diode.

- linterrupteur T doit supporter une tension positive et doit pouvoir conduire un courant
positif. Les commutations de cet interrupteur doivent tre commandes. Cet interrup-
teur pourra tre de type transistor.

Choix de la diode D
Les diodes Schottky sont bien adaptes ce type de convertisseur. En effet, elles ont
une faible tension de seuil (pertes en conduction minimise) et un pouvoir de commuter
rapidement de ltat passant ltat bloqu (temps de recouvrement inverse trr trs faible).
Toutefois, elles prsentent deux inconvnients : la tenue en tension inverse est faible et leur
capacit parasite est importante.
Les principaux critres de choix pour une diode sont les suivants :

- Courant moyen IF ( AV )

- Courant crte IFSM

- Tension inverse VRRM

Choix de linterrupteur T
Le tableau, prsent la figure 8, permet de choisir le type de technologie utiliser en
fonction de la puissance nominale et la frquence de dcoupage auxquelles est soumis le
composant.

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Figure 8: Diagramme puissance-frquence des composants

Cette figure nous montre que le transistor Mosfet est bien adapt pour les hacheur boost
basse/moyenne puissances fonctionnant avec une grande frquence de commutation. Cest
pourquoi, dans la suite de ce document, nous considrerons que linterrupteur T est un
transistor Mosfet.
Les principaux critres de choix pour un transistor Mosfet sont les suivants :

- VDSS : Tension drain-source maximale

- IDS : Courant de drain

- RDS(on) : Rsistance drain-source ltat passant (pertes en conduction)

- Q G (on) : Charge ncessaire sur la grille pour saturer le transisror (choix driver)

- td(on) : Retard la commande pour saturer le transistor

- tr : Temps de monte pour saturer le transistor

- td(o f f ) : Retard la commande pour bloquer le transistor

- t f : Temps de descente pour bloquer le transistor

Un surdimensionnement, dun facteur 1.2 2, est prvoir pour le calibre en tension et

en courant (VDSS et IDS ).
On peut estimer la frquence maximale de commutation envisageable partir de la
relation suivante :

Tmin = 100 (td(on) + tr + td(o f f ) + t f ) (42)

On a alors :

1
f max (43)
Tmin

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4.3 Interface de commande

Ce circuit ralise linterface entre les circuits de commande et les composants de puissance.
Ces caractristiques essentielles sont : - isolement galvanique (protection des circuits de
commande et possibilit de transmettre des signaux pour des composants fonctionnant
des potentiels diffrents) - retard la transmission du signal de commande le plus faible
possible (permettre un fonctionnement en haute frquence) - gnration de signaux adapts
pour la commande en puissance, par exemple, le driver dun transistor Mosfet doit tre
capable de charger et dcharger la capacit quivalente dentre le plus rapidement possible.
Les principaux critres de choix pour un driver Mosfet command par un circuit numrique
sont les suivants :

- VGS suffisant pour obtenir ID dsir

- Capacit de piloter une charge Q G du transistor Mosfet

- Frquence de commutation

- High Side / Low Side

- Compatible TTL / CMOS

- Consommation

4.4 lments ractifs

Inductance L
Pour dimensionner une inductance, il faut calculer les caractristiques du circuit magn-
tique (dimensions et entrefer) et du bobinage (section du fil et nombre de spires). Les tapes
du processus de dimensionnement dune inductance sont les suivantes :

1-) Calcul de L et ILMAX laides des relations suivantes :

VS IS I
L et IL MAX = + L (44)
4 f IL 1 2

2-) Choix du circuit magntique adquat

On peut dduire le type de noyau utiliser par le calcul ou laide dabaques con-
structeurs. Si on utilise des abaques, il faut calculer le produit L IL2 MAX et choisir le
type de noyau magntique. Si lon ne dispose pas dabaque, il faut calculer le produit
Ae Sb (Section Surface du noyau) et choisir le type de noyau magntique. On dispose
de la relation suivante :

KB LILrms IL MAX
A e Sb (45)
JB MAX

On a introduit un cfficient de foisonnement (KB ) qui permet de tenir compte de la

place des isolants autour du cuivre (vernis) et des espaces vides comme les conduc-
teurs sont cylindriques. En gnral, KB = 2, 5 constitue une bonne valuation. On
peut galement choisir une densit de courant J = 2 5 A/mm2 . De plus, pour une
premire valuation on peut fixer linduction maximale B MAX 0, 2 T. Il conviendra
ensuite de vrifier que B MAX < BS (induction de saturation du matriau retenu).

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Il existe une multitude de composants magntiques pour raliser une inductance (cir-
cuits E, pots, tores). La figure 9 montre un pot magntique de type RM. Le construc-
teur donne les informations suivantes (pour la rfrence RM8-N41) :
- longueur moyenne dune ligne de champ : le = 35, 1 mm
- surface du noyau : Ae = 52 mm2
- surface du noyau : Ve = 1825 mm3
- induction de saturation : BS = 390 mT
- inductance spcifique : A L = 1600 nH
- frquence de fonctionnement : 25 kHz f 150 kHz.
3-) Dtermination du nombre de spires N , deux formules peuvent tre utilises :

L L IL( MAX )
N= ou N= (46)
AL Ae B MAX
Se
Avec A L = 0 e (spcifie par le fabricant). A lissue de cette tape, on peut sassurer
le
que linduction crte ne dpasse pas linduction de saturation.
4-) Calculer la section du fil de cuivre Sf

ILrms
Sf (47)
J
Il faut ensuite vrifier la possibilit de loger lensemble des spires sur le circuit magn-
tique. Si tel nest pas le cas, alors il faut choisir un nouveau noyau.

5-) valuer la valeur entrefer e

0 N 2 A e
e= (48)
L
Remarques : - lorsque le matriau magntique entre en saturation, linductance appar-
ente diminue fortement. Le courant traversant linductance va augmenter ce qui peut avoir
pour consquence de dtruire un ou des composants du circuit. Cest pourquoi, il est nces-
saire de dimensionner linductance pour ne jamais atteindre cette saturation.
- il serait ncessaire daborder aussi les aspects thermiques et dtudier
si leffet de peau peut tre nglig. Ce dernier point traduit le fait que plus la frquence
de fonctionnement est grande, plus la section utile offerte au passage du courant diminue.
Pour contourner ce problme, on utilise du fil de Litz (adapt au transport du courant
haute frquence). Linconvnient de cette solution est son cot.

Figure 9: Pot RM

Note dapplication - Projet P10AB04 18 Benot ISSARTEL

 Conception dun convertisseur DC/DC de type boost

Condensateur C
Le rle de ce condensateur est de diminuer londulation de la tension de sortie du conver-
tisseur. En gnral, pour des applications de filtrage en tension basse frquence, on utilise
des condensateurs lectrolytiques. Ces condensateurs sont polariss, il faut donc faire at-
tention leur sens de connexion. Il est possibles de raliser des associations srie-parallle
pour obtenir des puissances importantes.
Les critres de choix dun condensateur sont les suivants :
- la capacit nominale et sa tolrance
- la tension admissible ses bornes
- la tenue aux courants impulsionnels
La capacit du condensateur est calcule partir de lexpression suivante :

MAX VS
C (49)
R f VS

4.5 Dissipateur thermique

Cette partie prsente la mthode permettant de dimensionner le dissipateur thermique. La
figure 10 prsente le modle thermique statique de la chane de dissipation thermique. On
se place dans le cas de figure o le transistor Mosfet et la diode sont sur le mme dissipa-
teur thermique (le modle comporte donc une seule rsistance thermique radiateur-ambiant,
note Rthra ).
Nous utiliserons les notations suivantes:
- indice 1 pour la diode
- indice 2 pour le transistor mosfet
- j : jonction Si
- b : botier
- r : radiateur
- a : ambiant
Dans un premier temps, il faut valuer les pertes PD des composants de puissance. Ces
pertes correspondent la somme des pertes lors de la conduction (Pcond ) et de la commuta-
tion (Pcom ). En toute rigueur, on devrait avoir :

PD = Pcond + Pcom (50)

Il est prfrable de se placer dans le cas le plus dfavorable ( proche de 1), on a alors :

PD Pcond + Pcom (51)

Pour valuer ces pertes, on peut utiliser les formules suivantes :
Diode Transistor Mosfet

Pcond = VF < IF > + r D ( IFrms )2 Pcond = RD(ON ) ( IDrms )2

1
Pcom = Qrr VCC f Pcom = V I ( tr + t f ) f
2

Note dapplication - Projet P10AB04 19 Benot ISSARTEL

 Conception dun convertisseur DC/DC de type boost

Ensuite, il faut effectuer le dimensionnement du dissipateur. A partir du modle ther-

mique statique, on tablit les deux conditions suivantes :

Tj1 Ta PD1 ( Rthjb1 + Rthbr1 )

Rthra < (52)
PD1 + PD2
Et

Tj2 Ta PD2 ( Rthjb2 + Rthbr2 )

Rthra < (53)
PD1 + PD2

Il faut prendre une marge de scurit sur Tj1 et Tj2 (de lordre de 20 %).
Il faut retenir la valeur la plus faible des deux Rthra calcules et choisir un dissipateur qui
a une rsistance thermique infrieure ou gale cette valeur. Comme les deux interrupteurs
sont fixs sur le mme dissipateur, il faut mettre en place une feuille conductrice thermique
avec isolation lectrique (afin dviter de mettre en contact des lectrodes avec des potentiels
diffrents et amliorer le transfert thermique entre le botier et le dissipateur).
Le fait de baser uniquement ltude sur le comportement thermique statique des l-
ments conduit surdimensionner le dissipateur thermique. Il serait intressant deffectuer
une tude dynamique afin de juger sil est possible de rduire la taille du dissipateur et de
rpondre aux mieux aux contraintes dencombrement et cot du systme.

Tj1 Tb1

Rthjb1 Rthbr1 Tr
Tj2 Tb2
Rthra
Rthjb2 Rthbr2

PD1 PD2 Ta

Figure 10: Modle thermique statique de la cellule de commutation

Note dapplication - Projet P10AB04 20 Benot ISSARTEL

 Conception dun convertisseur DC/DC de type boost

5 Bibliographie
[1] Cours dlectronique de puissance,
Synthse des structures de puissance,
PolytechClermont-Ferrand, EL KHAMLICHI DRISSI Khalil

[2] Alimentation dcoupage - Convertisseurs rsonance,

Principes - Composants - Modlisation,
Jean-Paul Ferrieux et Franois Forest, 3e dition DUNOD

[3] Convertisseurs et lectronique de puissance,

Commande - Description - Mise en uvre,
Michel Pinard, lUsine Nouvelle, dition DUNOD

[4] Alimentations dcoupage

Convertisseurs continu-continu non isols
Henri Foch, Raphal Arches, Yvon Chron, Bernard Escaut, Pierre Marty et Michel Metz
Article D3163, Techniques de lIngnieur

Note dapplication - Projet P10AB04 21 Benot ISSARTEL