Cours - Matériaux Et Introduction À La Haute Tension

Dr NACEUR Sonia
Maître de Conférences
Université Kasdi
Merbah Ouargla
Faculté des Sciences
Matériaux En Electrotechnique
Appliquées
Et Technique De La Haute
Département de Tension
Génie Electrique
Année 2016/2017
Avant-propos 2017
AVANT PROPOS
Ce polycopié sur les ‘’ Matériaux en électrotechnique et la technique de la haute
tension’’ est destiné aux étudiants Master machines électriques pour la spécialité
Electrotechnique et toux ceux qui ont à pratiquer cette discipline.
Ce cours qui comprend l’enseignement des matériaux en électrotechnique, est expliqué
d’une manière simple afin d’éviter l’effet répulsif de nos étudiants devant la complexité
du sujet,
Des figures et des exemples sont largement utilisés à travers le développement de
l’ouvrage, car l’expérience à travers des années a démontré que pédagogiquement de
telles illustrations permettent une meilleure compréhension du sujet.
Ce travail est scindé en cinq chapitres :
 Matériaux diélectriques : ce chapitre définit les matériaux diélectriques, leurs
propriétés électriques, les différents types de polarisation, et dégradation de la
rigidité diélectrique ainsi que la méthode de choix des matériaux isolant.
 Matériaux magnétiques : ce chapitre introduit l’étude généralisée sur les
matériaux magnétiques, leurs classifications et leur cycle d’hystérésis…
 Matériaux conducteurs: ce chapitre présente deux parties : La première est une
étude sur les matériaux conducteurs ; les différents types de conducteurs ainsi
que l’effet de certains paramètres sur la modification des caractéristiques du
matériau ; la deuxième partie est consacrée à l’étude des matériaux semi-
conducteurs.
 Supraconductivité et les matériaux supraconducteurs : ce chapitre aborde l’état
des supraconducteurs et leurs applications et intégration dans le génie électrique.
 Techniques de la haute tension : ce dernier chapitre illustre les différente types
de sources de la haute tension et leurs mesures ainsi leurs effets sur
l’environnement.
Le contenu de ce polycopié est conforme au programme du module Matériaux en
électrotechnique et la technique de la haute tension recommandé et établit par le
ministère de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique (MESRS).
J’espère que ce travail sera utile et bénéfique à tous ceux qui ont à apprendre et à
enseigner Matériaux en électrotechnique et la technique de la haute tension.
Université KASDI Merbah Ouargla- S2-M1 Machine électrique- cour Matériaux en électrotechnique et technique de haute tension-
Dr : NACEUR Sonia
Sommaire 2017
Sommaire
Chapitre UN : Matériaux Diélectrique
I.1 Définition 01
I.1.1 Dipôle électrique 01
I.1.2 Moment dipolaire p 01
I.1.3 Vecteur polarisation P 01
I.2 Représentation d'un état de polarisation 02
I.3 Induction Électrique (généralisation de loi de Gauss) 03
I.4 Permittivité diélectrique : 04
I.5 Condition aux limites dans les diélectriques 04
I.6 Champ local EL 05
I.7 Facteur de polarisation α. Définition 05
I.8 Types de polarisation 06
I.8.1 La polarisation électronique 06
I.8.2 La polarisation ionique 06
I.8.3 La polarisation par orientation 06
I.8.4 La polarisation interfaciale 07
I.9 Relation de Clausius-Mossotti 08
I.10 Permittivité d'un mélange homogène 08
I.11 Polarisation électronique en régime variable 09
I.12 Polarisation dipolaire en régime variable (Pellat-Debye) 10
I.12 Etude des Courants de conduction et de déplacement dans un diélectrique 10
I.12.1 Loi d’Ohm 10
I.12.2 Courant de déplacement 11
I.12.3 Conduction des isolants (expérience) 12
I.14 Schéma équivalent d’un diélectrique régime statique 13
I.15 courants transitoires dans les isolants : courant d’absorption, courant de 13
résorption
I.15.1 Définition 13
I.15.2 Courant d’absorption 13
I.15.3 Courant de résorption 14
I.16 Indice de polarisation 14
I.17 Schéma équivalent d’un diélectrique régime variable 15
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I.20 Pertes diélectrique 15

I.19 Facteur de dissipation (tan δ) 16
I.20 Effet de la fréquence sur les pertes diélectrique 17
I.21 Rigidité diélectrique et mécanismes de claquage 17
1.21.1 La rigidité diélectrique d’un matériau 17
I.22 Dégradation de la rigidité diélectrique 18
I.23 Contraintes rencontrées par la fonction isolation 18
a Contraintes mécaniques 18
b Contraintes électriques 19
c Contraintes climatiques 19
d Contraintes radiatives 19
I.24 Méthode de choix d’un isolant 20
Chapitre II : Matériaux Magnétiques
II.1 Définition 21
II.1.1 Moment magnétique 21
II.1.2 Le dipôle magnétique 21
II.2 Vecteur aimantation 21
II.3 Potentiel vecteur magnétique 22
II.4 Représentation d’un état d’aimantation 22
II.5 Génération de loi d’Ampère 22
II.6 Perméabilité et susceptibilité magnétique 23
II.7 Nature des matériaux 23
II.7.1 Moment magnétique orbital : 24
II.7.1 Moment magnétique de spin : 24
II.8 Classification Des Matériaux Magnétiques 24
II.8.1 Diamagnétique 24
II.8.2 Paramagnétique 25
II.8.3 Ferromagnétique 25
II.8.4 Antiferromagnétique 25
II.8.4 Ferrimagnétique 25
II.9 Domaines magnétiques 26
II.10 Courbe d’aimantation 27
I.11 Cycle d’hystérésis et son dépendance de la fréquence et la température 27
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II.12 Matériaux doux 28

 Exemple et caractéristique 28
 Pertes par hystérésis 29
 Pertes par courants de Foucault 29
II.13 Matériaux durs 29
II.14 Mesure des caractéristiques magnétiques 30
II.15 Circuits magnétiques 30
II.15.1 Constitution 30
II.15.2 Mise en équation : cas parfait 30
II.15.3 Réluctance – Loi d’Hopkinson 31
Chapitre III : Matériaux Conducteurs
III.1 Définitions et Propriétés physiques 34
1) Définition des matériaux conducteurs 34
2) Propriétés physiques des matériaux conducteurs 34
III.2 Présentation des différents types de conducteurs 34
III.3 Modification des caractéristiques par rapport à des phénomènes extérieurs 35
III.3.1 Influence importante de la fréquence sur la résistivité : effet de peau 35
III.3.2 Influence de la température 35
Matériaux Semi-Conducteurs
III.4 Introduction des Semi- conducteurs 37
III.5 Définition des semi- Conducteur 37
III.5.1 Porteur de charges 37
III.5.2 Dopage 38
III.5.3 Types de semi- conducteurs 38
III.5.4 Jonction PN et leur applications 40
a La jonction PN 40
b Les applications de la jonction PN 41
III.6 Modification des caractéristiques par rapport à des phénomènes 41
extérieurs (température)
Chapitre IV : Supraconductivité et matériaux supraconducteurs

IV.1 Définitions de l’état supraconducteur 42
IV.2 Théorie du BCS 42
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IV.3 Application et intégration des supraconducteurs dans le génie électrique 43
Chapitre V : Technique de Haute Tension

V.1 Source de la haute tension 46
V.1.1 Généralité 46
V.1.2 Source de HT en continu 46
V.1.2 Générateurs de tension alternative 49
V.1.3 Générateurs de tension impulsionnelle (de Choc) 50
V.2 Métrologie en HT 53
V.2.1 Mesure de la HT alternative et continu et de choc 53
V.2.2 Mesure des pertes diélectriques 56
V.3 Elément de la compatibilité électromagnétique 57
V.3.1 Généralité sur les systèmes perturbés
V.3.2 Règle pratique de protection contre les champs électrique et magnétique 58
V.4 Décharge électrique 60
V.4.1 Décharge dans les gaz 60
V.4.2 Décharge dans les liquides 61
V.4.3 Décharge dans les solides 61
V.4.4 Protection contre la foudre 62
V.4.5 Effet couronne 63
V.5 Impacte de la HT sur l’environnement 64
Référence bibliographique 65
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Matériaux Diélectriques 2017
Chapitre UN : Matériaux Diélectrique

I.1 Définition
Un matériau est diélectrique s’il ne contient pas de charges électriques susceptibles de
se déplacer de façon macroscopique. Autrement dit, c’est un milieu qui ne peut pas
conduire le courant électrique. A ce titre, on l’appelle parfois isolant électrique. On
compte parmi ces milieux le verre et de nombreux plastiques. Par exemple, les câbles
électriques sont souvent protégés d’un revêtement en plastique pour éviter que le
courant électrique ne puisse en sortir. Malgré l’impossibilité des milieux diélectriques
de conduire le courant, ils présentent de nombreuses caractéristiques électriques. En
effet les atomes qui constituent le matériau peuvent présenter des dipôles
électrostatiques qui sont susceptibles d’interagir avec un champ électrique.
I.1.1 Dipôle électrique
Un dipôle électrique est un système formé de deux charges ponctuelles de même
valeur mais de signe opposés +q et –q, placées en A et B. séparées par une distance
d ; L'importance de ce dipôle est mesurée par son moment dipolaire p ; (Figure (1.1)).
A B
-q d +q
Fig 1.1 Dipôle électrique (modèle).

I.1.2 Moment dipolaire p
Moment dipolaire est défini par le vecteur
ሬሬሬሬሬ⃗ ou p = q.d
‫݌‬Ԧൌ ‫ܤܣݍ‬ (1.1)
Dans SI, p s’exprime en C.m. Cette unité étant très grande on utilise le debye D :
ଵ
1D = (ଷ)10-19Cm.
I.1.3 Vecteur polarisation P

La Polarisation : Lors de l’application d’un champ électrique sur un matériau
diélectrique, les molécules ou atomes dont il est constitué sont déformés de telle
manière que les barycentres des charges positives et négatives qui les composent ne
coïncident plus, cette situation se présente pour certaines molécules même en
l’absence d’un champ électrique extérieur (exemple, la molécule d’eau). Un tel atome
ou une telle molécule possède ce que l’on nomme un “moment dipolaire électrique”
(induit (Les pertes diélectriques sont dues aux mouvements des porteurs de charges.
L’effet de ces mouvement est appelé polarisation induite)
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haute tension-Dr : NACEUR Sonia 1
Soit un volume V, limité par la surface fermée A, et contenant N dipôles. La

charge globale de V est nulle. Si l'orientation des dipôles est parfaitement aléatoire, V
ne présente pas, à l'échelle macroscopique, de propriété particulière. Si par contre
l'orientation des dipôles n'est pas aléatoire, V présentera un moment dipolaire
macroscopique PV.
ܲ௏ = ∑ே௜ିଵ ‫݌‬௜ (1.2)
Dans un volume dV, en principe infinitésimal mais supposé tout de même assez
grand pour contenir un nombre élevé de dipôles, on peut définir une densité de
moment dipolaire P, faisant ainsi le passage d'un ensemble de dipôles discrets à une
distribution continue de moment dipolaire. Si dp est la somme vectorielle des
moments dipolaires contenus dans dV,
⃗ = ௗ௣⃗
ሬ
ܲ (1.3)
ௗ௏
On appelle aussi P, vecteur polarisation ou simplement polarisation. A l'échelle du

volume V, dans le modèle continu, l'équation s'écrit :
ܲ௏ = ∫௏ ܸܲ݀ (1.4)
I.2 Représentation d'un état de polarisation
On peut montrer que le potentiel créé par les moments dipolaires contenus dans V est
identique à celui créé par une densité volumique ρ' de charges réparties dans V,
complétée par une densité superficielle σ' de charges réparties sur A, et telles que :
σ'= Pn (1.5)
ρ' = - div P (1.6)
où n’est encore le vecteur unité normal à A et dirigé vers l'extérieur. Les primes sont
là pour indiquer que ces distributions de charges sont fictives. Seuls les dipôles
contenus dans V ont une réalité physique. L'intérêt de ces équations réside en ceci
qu'il est toujours possible de remplacer dans l'étude d'un système comprenant un
milieu polarisé électriquement, l'effet des moments dipolaires par celui de σ' et ρ'. Il
en résulte une simplification des calculs et une meilleure compréhension des
phénomènes. La charge globale de V étant nulle, Figure (1.2),
∫஺ ߪᇱ݀‫ ܣ‬൅ ∫௏ ߩᇱܸ݀ ൌ Ͳ (1.7)
I.3 Induction Électrique (généralisation de loi de Gauss)
En dehors du diélectrique, le théorème de Gauss est inchangé. Dans le diélectrique, il

doit être réécrit en introduisant la distribution équivalente de charges rendant compte
de la polarisation. [B2]
ఘାఘ೑
ሬ
⃗=
݀݅‫ܧݒ‬ ሬ
⃗ ൯ൌ ߩ െ ݀݅‫ܲݒ‬
֜ ݀݅‫ݒ‬൫ߝ଴‫ܧ‬ ሬ
⃗ (1.8)
ఌబ
Avec ߩ௙ est la distribution de charges de densité volumique et donnée par :

ሬ
⃗
ߩ௙ ൌ െ݀݅‫ܲݒ‬ (1.9)
On obtient alors
ሬ
⃗ ሻ൅ ሺ݀݅‫ܲݒ‬
݀݅‫ݒ‬൫ߝ଴‫ܧ‬ ሬ
⃗ ൯ൌ ߩ ֜ ൫ߝ଴‫ܧ‬
ሬ
⃗൅ܲ
ሬ
⃗ ൯ൌ ߩ (1.10)
Donc
ሬ⃗ où
ߩ ൌ ݀݅‫ܦݒ‬ ሬ
⃗൅ܲ
ߝ଴‫ܧ‬ ሬ
⃗ൌ‫ܦ‬
ሬ⃗ (1.11)
Où D est appelée induction électrique
ሬ⃗ connue sous le nom d’équation de Maxwell-Gauss est l'une
L’équation ߩ ൌ ݀݅‫ܦݒ‬
des quatre équations de Maxwell.
On conçoit que la polarisation est d'autant plus forte que le milieu est dense et que le
champ extérieur est fort.
Pour de nombreux matériaux et pour les champs électriques pas trop intenses
couramment utilisés, on peut écrire avec une bonne approximation
ሬ
⃗ ൌ ࣲ ߝ଴‫ܧ‬
ܲ ሬ
⃗ (1.12)
Où ࣲ est appelée susceptibilité diélectrique du milieu considéré.
Ces diélectriques sont dits linéaires, homogènes, isotropes, on se place dans cette
hypothèse.
ሬ⃗ ൌ ߝ଴ሺͳ ൅ ࣲ ሬ
Alors. ‫ܦ‬ ሻሬሬ
ሬ⃗ ൌ ߝ‫ܧ‬
‫ܧ‬ ሬ
⃗ ൌ ߝ଴ߝ௥‫ܧ‬
ሬ
⃗ ͳ ൅ ࣲ ൌ ߝ௥‫ܧ‬
ሬ
⃗ (1.13)
ߝ est la permittivité diélectrique absolue et ߝ௥ la permittivité diélectrique relative (par

rapport au vide).
I.4 Permittivité diélectrique :
La Permittivité diélectrique (constante diélectrique) symbolise la propriété du

matériau à s’opposer au passage d’un courant électrique. Plus le matériau limite le
passage d’un courant électrique et plus son constant diélectrique est élevée. Dans la
littérature, on parle souvent du constant diélectrique relatif.
க
ε୰ = க (1.14)
଴
C’est à dire du rapport entre la constante diélectrique du matériau et celle de la

constante diélectrique du vide prise comme référence (ε0 = 8.85.10−12F/m).
Permittivité relative de quelques isolants : Ces valeurs sont approximatives et peuvent
varier nettement en fonction de la fréquence, de la température. La permittivité est
appelée également constante diélectrique (symbole εr ). ; [B3]
Isolant Permittivité relative
Air sec 1
Caoutchouc 4
Mica 6
Papier 2
I.5 Condition aux limites dans les diélectriques

Imaginons de part et d’autre de l’interface de deux diélectriques un petit cylindre de
hauteur h négligeable (figure 3) ; sur la surface ∆S délimitée par ce cylindre, plaçons
une charge libre de densité superficielle σ. Soit ‫ݑ‬
ሬ
⃗ le vecteur unitaire perpendiculaire à
οܵ⃗
Fig 3 – Répartition des champs électriques dans un matériau diélectrique ℇ de

permittivité et dans le vide ℇ 0
En appliquant la loi de Gauss, on établit la relation
(Dn2- Dn1 ) ∆S = σ ∆S où ሬሬሬሬ

‫ܦ‬௡ଵ ൌ‫ܦ‬ ⃗ ሬሬሬሬ
ଵ.‫ݑ‬
ሬሬሬሬ⃗ ‫ݑ‬ሬሬሬ
௡⃗ et ‫ܦ‬௡ଶ ൌ ‫ܦ‬ଶǤሬ ௡⃗ (1.14)
sont les composantes normales de l’induction dans les milieux de permittivités ߝଵ et

ߝଶ .
On en tire : (Dn2- Dn1 ) = σ
et si σ=0 , on obtient Dn2= Dn1 d’où ߝଵEn1 = ߝଵଶEn2
On peut montrer, également, que les composantes tangentielles du champ électrique
Et1 et Et1 sont continues
I.6 Champ local EL

Dans un milieu polarisé, le champ électrique varie sur la distance séparant un
dipôle de son voisin. Cette variation à l'échelle microscopique n'est pas décrite par les
équations de Maxwell, qui ne relient entre elles que des grandeurs représentatives à
l'échelle macroscopique. Ces grandeurs sont des mesures moyennes des phénomènes
se déroulant à l'échelle des atomes. Pour calculer la contribution d'un dipôle à la
polarisation P en fonction de données microscopiques, il est indispensable de
connaître le champ électrique local EL agissant directement sur ce dipôle. Ce champ
peut être calculé en fonction de E et P.
Pour établir EL dans le cas d'un champ électrique homogène tel qu'il existe dans un
condensateur plan (fig.1.2). Le champ local au point A comprend deux composantes :
EL = E + Edip (1.15)
Où E est le champ imposé par la source de tension U. Ce champ ne dépend pas de la
présence du diélectrique entre les armatures du condensateur, il est égal à U/l; Edip est
le champ résultant de la présence de dipôles dans tout le volume du diélectrique.
Fig.1.4 L'effet de P est remplacé par les charges représentées schématiquement dans le diélectrique
Finalement, le champ local agissant sur un dipôle est donné par l'expression
EL = E + P / 3 εo (1.16)
I.7 Facteur de polarisation α. Définition
Soit p le moment dipolaire d'un atome ou d'une molécule, projeté sur le champ local
EL auquel cet atome ou cette molécule est soumis. On appelle facteur de polarisation
α le rapport.
α = p / EL [F/m2] (1.17)
Si N est le nombre volumique des porteurs de p, la polarisation due à ces derniers vaut
P= N α EL (1.18)
I.8 Types de polarisation
Polarisation des matériaux peut être due à plusieurs mécanismes connus sous le nom
électronique, ionique ou atomique, dipolaire, la polarisation interfaciale, représentés
schématiquement dans le tableau 2.
I.8.1 La polarisation électronique
La polarisation électronique est due à un déplacement relatif du noyau de l'atome par
rapport à l'ensemble des électrons qui l'entourent. Tous les atomes présentent, à des
degrés divers, ce type de polarisation qui s'établit en un temps très court (~ 10-15s).
Pe = NαeEl (1.19)
E1 étant le champ électrique local, N représente le nombre de dipôles induits par unité
de volume, αe la polarisabilité qui dépend de la nature du matériau (Fm2).
αe =4ߨߝ଴‫ݎ‬ଷ
(r est le rayon de l'atome).
I.8.2 La polarisation ionique
La polarisation ionique résulte du déplacement en sens contraire des ions de signes

opposés à l'intérieur de la molécule. Cette polarisation s'établit plus lentement que la
précédente, la durée correspondante est d'environ 10-13 à 10-12 secondes.
Pi = NαiEl (1.20)
I.8.3 La polarisation par orientation
Dans le cas général, en l'absence d'un champ électrique externe, tous les dipôles
permanents sont orientés de façon aléatoire de telle sorte que la polarisation nette
résultante est nulle, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de polarisation macroscopique
observable.
Par contre, sous l'effet d'un champ, les moments ont tendance à s'aligner. Il en résulte
une polarisation appelée polarisation par orientation. Ce type de polarisation dépend
de la température et la durée correspondante est d'environ 10-10 à 10-7 secondes:
En plus de ce phénomène d'orientation, le champ peut faire varier le moment de la
molécule, par déformation de cette dernière et de ses orbitales.
Pd =NαdEl (1.21)
௣మ
Avec ߙௗ =
ଷ௞்
p étant le moment dipolaire de la molécule, k = 1.380658 * 10-23 J / K constante de
Boltzmann, tandis que T représente la température.
La polarisation d'orientation peut exister seulement dans les gaz, les liquides et les
matières amorphes visqueuses.
I.8.3 La polarisation interfaciale
Dans un diélectrique, les porteurs de charges qui jamais totalement absents, migrent
sous l'effet du champ et ont tendance à se concentrer autour de défauts tels que les
impuretés, les lacunes, les joints de grains, etc. On regroupe sous le nom de
polarisation interfaciale, la polarisation résultant des accumulations locales de charges

dues à l'ensemble des phénomènes de migration. Le délai nécessaire pour l'apparition
d'une telle polarisation est de 10-2 à 10-1 secondes.
I.9 Relation de Clausius-Mossotti
Dans la mesure où plusieurs mécanismes de polarisation différents existent
simultanément, leurs effets s'additionnent. En caractérisant par un indice i les nombres
volumiques de porteurs de moments dipolaires, les facteurs de polarisation et les
champs locaux propres à chacun de ces mécanismes, la polarisation globale s'obtient
par une généralisation de (I.16) de la forme :
P= ∑Ni αi ELi (1.22)
Si le diélectrique peur être considéré comme isotrope, ou s'il présente une symétrie
cubique, Il en découle ( résulte) que EL a la même valeur pour tous les types de
dipôles, donc P= ∑Ni αi EL
Il est maintenant possible d'exprimer la permittivité relative en fonction des facteurs
de polarisation, il vient :
ଵ
ܲ ൌ ሺ‫ ܧ‬൅ ܲሻ∑ ܰ௜ߙ௜ (1.23)
ଷఌబ
En identifiant cette expression de la polarisation à celle donnée par (1.11), on tire

pour εr l'expression :
ఌೝିଵ ଵ
= ∑ ܰ௜ߙ௜ (1.24)
ఌೝାଶ ଷఌబ
Connue sous le nom d'équation de Clausius-Mosotti. Cette équation relie les

propriétés microscopiques αi à la grandeur macroscopique qu'est la permittivité
I.10 Permittivité d'un mélange homogène
Les diélectriques utilisés en pratique se présentent souvent sous la forme de mélanges.
On peut ainsi varier certains paramètres et obtenir une combinaison optimum de
propriétés correspondant à une application donnée.
Par exemple, dans les liquides, on modifie de cette façon la viscosité, le point de
solidification, la permittivité etc... Dans les thermoplastiques, l'adjonction de diverses
substances permet d'améliorer la stabilité chimique, d'abaisser le prix volumique,
d'augmenter la résistance mécanique, etc.... .L'utilité d'une formule donnant la
permittivité d'un mélange est donc évidente. Si le mélange est parfaitement
homogène, la relation (I.24) est utilisable sous la forme :
ఌ೘ ିଵ ఌ ିଵ
= ∑௡௜ିଵ ߛ௜ఌ೔ାଶ (1.25)
ఌ೘ ାଶ ೔
où εm est la permittivité relative du mélange, εi celle du constituant i. Il y

a n constituant occupant chacun une fraction Yi du volume total.
Dans de nombreux cas, le mélange ne peut pas être considéré comme homogène à
l'échelle microscopique. Alors, il n'existe pas de théorie absolument rigoureuse
permettant d'obtenir une formule valable d'une façon générale. Plusieurs formules
approchées ont été établies sur des bases théoriques, empiriques ou les deux à la fois.
I.11 Polarisation électronique en régime variable
Si l’on se reporte aux types de polarisation déjà étudiés (tableau2) il faut noter que,
sous l’action d’un champ électrique alternatif, il est possible de distinguer divers
phénomènes
 Les phénomènes de résonance résultent du déplacement de charges, contrarié par
des forces de rappel proportionnelles à l’amplitude du déplacement ; dans les
isolants, ils sont dus à des électrons ou à des ions soumis à des champs électriques
de fréquence 1012 à 1014 Hz. Il s’agit de la polarisation électronique ou atomique.
La résonance est caractérisée par une chute brutale de avec changement de signe à
une fréquence déterminée (figure 5). À la chute brutale de la composante réelle 
correspond un pic de la composante imaginaire .
Fig 5 – Représentation du phénomène de résonance électronique et atomique
 Les phénomènes de relaxation, dus généralement à l’oscillation de dipôles à des

fréquences comprises entre 107 et 1010 Hz, traduisent bien la polarisation dipolaire
ou d’orientation ; diminue progressivement lorsque la fréquence augmente, sans
s’annuler. C’est la relaxation dipolaire de Pellat-Debye.
Aux basses et très basses fréquences apparaissent des phénomènes de relaxation de

charges d’espace ; l’effet Maxwell-Wagner, qui concerne les milieux hétérogènes, en
est un exemple.
I.12 Polarisation dipolaire en régime variable (Pellat-Debye)
Ce modèle s’applique particulièrement bien au cas des diélectriques liquides dont
chaque molécule (ou chaque agrégat moléculaire) peut être assimilée à un dipôle.
 Sous un champ statique, les dipôles s’orientent dans la même direction ; tous les
phénomènes de polarisation sont concernés : la permittivité relative est
représentée par s .
 Aux fréquences très élevées, dans le domaine du rayonnement infrarouge et au-
delà, la contribution des phénomènes de relaxation dipolaire à la polarisation est
négligeable. On peut supposer que seules les polarisations atomique et ionique
subsistent et que la réponse du diélectrique est instantanée. Dans ce domaine de
fréquence, la permittivité relative tend vers la valeur 
I.12 Etude des Courants de conduction et de déplacement dans un
diélectrique
I.12.1 Loi d’Ohm
Le courant de conduction résulte du mouvement des charges qui se déplacent

jusqu’aux armatures, sous l’action d’une différence de potentiel. Considérons un
volume élémentaire du diélectrique dSdl , (figure 6) soumis à une différence de
potentiel -dV; l’intensité du courant correspondant est :
dI = J dS (1.26)
ௗ௟ ௃
et, en vertu de la loi d’Ohm, on a : െܸ݀ ൌ ܴ݀‫ܫ‬ൌ ‫ ܵ݀ܬ‬ൌ ݈݀
ఙௗௌ ఙ
σ étant la conductivité du diélectrique et R la résistance. On obtient donc pour la

ௗ௏
densité de courant : ‫ܬ‬ൌ ߪ (1.27)
ௗ௟
soit, en considérant le milieu comme isotrope :

J=σE (1.28)
Fig 6 Loi d’Ohm dans un diélectrique

E étant la composante du champ électrique dans l’axe du tube. Soumis à des champs
électriques peu intenses, la plupart des isolants utilisés en électrotechnique présentent
une conduction ohmique.
I.12.2 Courant de déplacement
Dans un diélectrique, la loi de Gauss se traduit par la relation :

ሬ
ሬ
ሬ⃗ ‫ܦ‬
∇. ሬ⃗ ൌ ߩ (1.29)
où ρ est la densité volumique de charges libres. Si le champ électrique dépend du
temps, la relation précédente devient :
ሬ⃗
ሬ⃗ . ௗ஽ = ௗఘ
∇ (1.30)
ௗ௧ ௗ௧
En tenant compte de l’équation de conservation des charges :
∇ ⃗ + ௗఘ = 0
ሬ⃗‫ܬ‬ (1.31)
ௗ௧
on obtient :
ሬ⃗
ሬ ⃗ + ௗ஽ )=0
∇⃗ (‫ܬ‬ (1.32)
ௗ௧
ሬ⃗
ௗ஽
a les dimensions d’une densité de courant ; c’est la densité ሬ
‫ܬ‬ሬሬ
⃗
஽ du courant de
ௗ௧
déplacement :
ሬ⃗
ௗ஽
⃗=
‫ܬ‬ (1.33)
ௗ௧
D’après Maxwell, toute variation du champ électrique doit provoquer l’apparition

d’un champ magnétique rotationnel. Cela entraîne nécessairement la présence d’un
ሬ
ሬ
ሬ⃗, l’induction est
ܲ
courant électrique. Pour un diélectrique présentant une polarisation
donnée par la relation :
ሬሬሬ⃗ ൌ ߳଴‫ܧ‬
‫ܦ‬ ሬ
⃗ ൅ ܲ
ሬ
⃗ (1.34)
Dans ce cas, la densité du courant de déplacement relation
ௗா ௗ௣⃗ ሬ
⃗
ሬ
‫ܬ‬ሬሬ
⃗
஽ ൌ ߝ଴ ௗ௧ + ௗ௧ (1.35)
ௗாሬ
⃗
ߝ଴ ௗ௧ :Est la densité du courant de déplacement dans le vide ;
ௗ௣⃗
est la densité du courant de polarisation, correspondant à la moyenne des courants
ௗ௧
microscopiques produits par de faibles déplacements relatifs li des charges liées. En
effet, si divers porteurs de charges qi , présents dans un volume macroscopique à la

concentration Ni , sont animés d’une vitesse moyenne :
ሬ
ሬ⃗ഢ
ௗ௟
‫ݒ‬
ሬ
ሬ
ሬሬ
ప⃗ = (1.36)
ௗ௧
le courant de polarisation de densité ሬ
ሬ
ሬ
‫ܬ‬
௣
⃗
ௗ௟ሬ
ሬ⃗ഢ
ሬ
ሬ
ሬ
‫ܬ‬⃗ ⃗
௣ =∑௜ܰ௜‫ݍ‬௜݈௜ = ∑௜ܰ௜‫ݍ‬௜ ௗ௧ (1.37)
Et comme ሬ ⃗௜
⃗ = ∑௜ܰ௜‫ݍ‬௜݈
ܲ
ሬ
⃗
On a donc : ሬሬሬ⃗ డ௉
‫ܬ‬ሬ
௉ = డ௧ (1.38)
I.12.3 Conduction des isolants (expérience)

 Aux champs faibles (de l’ordre de 106 V/m), la conduction des isolants présente
généralement un caractère ohmique. Pour les gaz et les liquides, il est admis
qu’elle est due à la présence d’ions. Dans les solides, tels que les verres, les
céramiques et les polymères, le passage du courant électrique est, de même,
souvent attribué au déplacement d’ions ; en ce qui concerne les polymères, de
nombreux chercheurs insistent sur le rôle joué par les ions, résultant de la
dissociation d’impuretés qui ont été introduites dans le matériau lors des
opérations de fabrication et de mise en œuvre. Dans la plupart des cas, la
conductivité σ varie avec la température T de telle façon que :
οௐ
ߪ ൌ ߪ଴exp(− ௞் ) (1.39)
Où ∆W est l’énergie d’activation

 Aux champs élevés (supérieurs à 106 V/m), la conduction des isolants perd son
caractère ohmique, Pour les isolants gazeux la croissance exponentielle du
courant s’explique essentiellement par le modèle de Townsend. Pour les isolants
liquides, plusieurs théories peuvent rendre compte des courants observés selon
que les liquides sont contaminés ou non par des impuretés ; les deux modèles les
plus utilisés sont l’électro dissociation d’impuretés dissoutes, traitée par Onsager,
et les processus d’injection d’électrons à la cathode (ou de trous à l’anode), décrits
ci-après pour le cas des isolants solides.
I.14 Schéma équivalent d’un diélectrique régime statique
Un matériau isolant place entre deux conducteurs peut être modélisé de manière
simplifiée comme une connexion parallèle / série d'un condensateur et une résistance.
Circuit RC parallèle. Circuit RC série.
C représente la capacité entre les deux conducteurs et R est la résistance d'isolement

de l'isolant; elle est toujours > 1012Ω.
Le condensateur n’est "intéressant" qu’en régime variable, c’est à dire lorsque la
tension varie alors le condensateur se comporte donc en régime permanent comme un
interrupteur ouvert. Donc le schéma d’un diélectrique en régime statique se comporte
comme une résistance de très grande valeur.
I.15 courants transitoires dans les isolants : courant d’absorption,
courant de résorption
I.15.1 Définition
Lorsqu’un matériau diélectrique est soumis à une tension continue, le courant qui en
résulte évolue dans le temps et peut être décomposé en deux phases principales qui
sont : • Un pic dont la hauteur est finie et qui dépend du front de tension appliquée et
de la capacité hautes fréquences du diélectrique, puis une décroissance du courant
plus ou moins longue, correspondant à divers phénomènes de polarisation intervenant
dans le matériau et/ou aux interfaces dans le matériau et aux électrodes. Cette
décroissance a une durée variable et peut être très longue avant d’atteindre un régime
établi, constant aux temps longs.
I.15.2 Courant d’absorption : Ce courant de première phase (appelé courant de
polarisation) est lui-même composé de deux courants ; le courant d’absorption IA
qui correspond à la partie transitoire du courant et le courant de conduction IC
pendant le régime stationnaire. Le courant d’absorption (IA) correspond donc au
courant de charge (IP ) auquel on a retranché le courant de conduction (IC) :
IA = IP − IC (1.40)
Le courant d’absorption est lié à l’orientation des dipôles à l’intérieur du diélectrique
dans le sens du champ électrique appliqué. Lorsque les dipôles atteignent leur position
d’équilibre progressivement avec le temps, le courant provoqué par ces déplacements
diminue. Le courant de conduction, quant à lui, est lié au déplacement des entités
libres dans le matériau (électrons, trous, ions), il nous renseigne donc sur la
conductivité électrique du matériau.
I.15.3 Courant de résorption : Le courant de dépolarisation ou de résorption
(IR), c’est le transitoire du courant enregistré entre l’arrêt de la tension et l’annulation
du courant. Il correspond à une redistribution aléatoire des dipôles après suppression
du champ électrique. Il en résulte un courant de signe opposé au courant d’absorption
qui diminue jusqu’à annulation, lorsque le nouvel équilibre est atteint. Il s’exprime
par : ID = IR = −IA (1.41)
Les courants transitoires, lors de l’application d’un échelon de tension à un matériau
diélectrique, sont représentés sur la figure.
Fig 8 Variation des courants d’absorption, de conduction et de résorption en

fonction du temps dans un diélectrique.
I.16 Indice de polarisation

Dans l’industrie des machines tournantes, on utilise l’indice de polarisation pour
caractériser l’état d’une isolation ; on peut le définir comme le rapport des courants
mesurés 1 min et 10 min après application d’une tension continue :
ࡵ૚
ࡵࡼ ൌ ࡵ૚૙ (1.42)
L’isolation est considérée comme satisfaisante si : IP≤ 2
I.17 Schéma équivalent d’un diélectrique régime variable
Un matériau isolant place entre deux conducteurs peut être modélisé de manière
simplifiée comme une connexion parallèle / série d'un condensateur et une résistance
L'impédance Zp équivalente du circuit RC parallèle
Circuit RC
parallèle.
L'impédance équivalente au modèle RC série
Circuit RC
série.
I.20 Pertes diélectrique

Un diélectrique soumis à un champ sinusoïdal doit être caractérisé par des facteurs de
polarisation complexes, fonctions de la pulsation. L'équation de Clausius Mosotti
montre que la permittivité relative est alors, elle aussi, une grandeur complexe
fonction de la pulsation. Par analogie avec la perméabilité on pose:
εr(w) = ε'r- jε''r (1.43)
Pour interpréter ε'r et ε''r considérons le cas d'un condensateur plan de surface S, dont
les armatures sont distantes de d. Son admittance Y( w) vaut:
Y (w) = j ω εo εr (w) S/d (1.44)
Le courant I circulant dans ce condensateur soumis à une tension sinusoïdale U de
pulsation ω est égal à :
I = Y(ω) U = ε0ω S/d (ε''r + j ε'r) U (1.45)
II présente donc une composante en phase avec U, traduisant la dissipation d'une

puissance dans le diélectrique. Cette puissance, en général non récupérable, constitue
ce qu'on appelle les pertes diélectriques. Ces pertes peuvent avoir deux origines:
Le travail irréversible nécessaire à l'établissement de la polarisation (les facteurs de
polarisation sont complexes), la conduction ohmique résiduelle du diélectrique.
Dans le premier cas on parle plus particulièrement de pertes diélectriques de
polarisation, dans le second, de pertes diélectriques de conduction.
Au lieu de décrire un diélectrique par une permittivité complexe, on peut utiliser la
composante relie de la permittivité, complétée par un angle de pertes.
Par définition, on appelle angle de pertes δ d'un diélectrique, l'angle de phase défini
par le courant total et le courant en quadrature avec la tension. on a :
tan δ = ε''r/ ε'r (1.46)
Les pertes diélectriques de polarisation peuvent également être traduites en termes de
conductivité équivalente σp. Soit ε''rp la partie imaginaire de εr représentant ces pertes.
On obtient :
σp = ω ε0 ε''rp (1.47)
I.19 Facteur de dissipation (tan δ)
Dans le cas des diélectriques réels (donc imparfaits), on définit la permittivité relative
complexe ߝ௥∗ .Cette notion permet d'analyser le défaut de quadrature entre le courant et
la tension aux bornes d'un condensateur, et donc d'introduire des pertes diélectriques
ߝ௥∗ =ߝ௥ᇱ െ ݆ߝ௥ᇱᇱ (1.48)
ᇲᇲ
ఌೝ
Le facteur de dissipation diélectrique est égal au quotient ᇲ . Ce quotient est
ఌೝ
également appelé tangente de l'angle de pertes ou tan δ.

δ est l'angle complémentaire du déphasage entre la tension appliquée au diélectrique
et le courant qui en résulte. Donc
ᇲᇲ
ఌೝ
ᇲ ൌ ‫ ߜ݃ݐ‬՜ ߝ௥ᇱ ‫ ߜ݃ݐכ‬ൌ ߝ௥ᇱᇱ (1.49)
ఌೝ
Le produit est appelé indice de pertes car il caractérise l'énergie dissipée dans le
diélectrique.
I.20 Effet de la fréquence sur les pertes diélectrique

En général, les propriétés diélectriques des matériaux varient considérablement avec
la fréquence du champ électrique appliquée. L’apparition des pertes diélectriques peut
être expliquée comme suit: aux très basses fréquences, la polarisation suit le champ
alternatif, ce qui fait que sa contribution à la constante diélectrique est maximale et les
pertes n’apparaissent pas. Aux fréquences très élevées, le champ alterne trop vite pour
que la polarisation puisse augmenter et il n’y a aucune contribution à la constante
diélectrique – aucune énergie n'est perdue dans le milieu. Mais quelque part entre ces
deux extrêmes, la polarisation commence à prendre du retard par rapport au champ
électrique d'où dissipation de l'énergie. Le facteur de pertes atteint une valeur
maximale à une fréquence fm , liée au temps de relaxation caractéristique par la
relation,
૚ ଵ
࣎ൌ =ఠ (1.50)
૛࣊ࢌ࢓ ೘
I.21 Rigidité diélectrique et mécanismes de claquage

1.21.1 La rigidité diélectrique d’un matériau est la valeur maximale du champ
électrique que l’on peut lui appliquer sans que se produise une dégradation
irréversible nommée claquage ou perforation diélectrique rendant impossible une
nouvelle application de la tension. Le claquage est précédé par une augmentation
importante du courant circulant dans le matériau avec des conséquences thermiques
destructives : fusion, évaporation, décomposition, carbonisation, ... En pratique, la
rigidité diélectrique est le rapport entre la tension de claquage et la distance entre les
électrodes auxquelles cette tension est appliquée dans des conditions d’essai
spécifiées. Pour que cela soit tout à fait exact, il conviendrait que le champ soit
uniforme, c’est-à-dire que les électrodes soient planes et parallèles avec des bords tels
qu’ils ne provoquent en aucun point de renforcement du champ. On se contente de fait
souvent d’électrodes dont le rayon de courbure est grand devant la distance inter
électrodes. Divers mécanismes peuvent conduire au claquage. Nous analyserons les
principaux mécanismes invoqués actuellement.
1.21.2 Mécanismes de claquage : Le claquage est l’aboutissement d’une série de
processus complexes et interactifs. Assez souvent, l’un des mécanismes est
prédominant. On distingue
 Le claquage intrinsèque du matériau qui est lié à des phénomènes électroniques,

thermiques ou mécaniques et le claquage pratique qui survient au voisinage d’un
défaut ou par suite d’une dégradation progressive du matériau.
 Claquage thermique Les pertes diélectriques de polarisation et de conduction
provoquent un dégagement de chaleur dans les isolants. Tant que la quantité de
chaleur ainsi produite est supérieure à celle que peut évacuer l'isolant, la
température augmente. Avec elle, la conductivité augmente entraînant un
accroissement de la chaleur produite par effet Joule. La chaleur dégagée par les
pertes diélectriques de polarisation augmente également, ou au contraire diminue
selon que l'on se trouve à gauche ou à droite du pic de tan δ (T).
I.22 Dégradation de la rigidité diélectrique
De nombreux phénomènes sont susceptibles d'altérer un diélectrique au cours du
temps (vieillissement), provoquant en particulier une diminution de la rigidité
diélectrique. Ils sont responsables de la majorité des claquages intervenant des mois,
voire des années après la mise sous tension. De telles réductions de Ec se manifestent
par exemple quand l'isolant présente des défauts d'homogénéité, cavités, inclusions de
particules étrangères etc.. Les décharges partielles prenant naissance au voisinage de
ces défauts dès que le champ est suffisant peuvent, par érosion, fusion localisée,
transformations chimiques induites ou autres processus, créer dans l'isolant des
réseaux de canaux plus ou moins conducteurs, appelés arborescences en raison de
leur ressemblance avec les branches d'un arbre. Les arborescences croissent au cours
du temps provoquant un claquage dès que leur taille est suffisante.
I.23 Contraintes rencontrées par la fonction isolation
a) Contraintes mécaniques
Dans tous les matériels électriques, les isolants solides ont à transmettre les efforts qui
s’exercent entre les conducteurs et le support. On en déduit que les isolants doivent
également supporter les efforts mécaniques. L’origine des contraintes mécaniques en
fonctionnement est due :
 Aux forces électromécaniques (jeux de barres, température et dilatations
cycliques...) ;
 aux forces dues au mouvement (machines tournantes, vibrations...) ;
 aux forces de charge (isolateurs de ligne) ;
 aux efforts exceptionnels : courts- circuits, régimes transitoires, surcharges...
b) Contraintes électriques
Les isolants des systèmes électriques sont dimensionnés de telle façon qu’ils
supportent des champs électriques plus ou moins élevés. Cependant, il est d’usage de
sur dimensionner le système d’isolation pour garantir sa tenue diélectrique. Les
modes d’action du champ électrique ont été et sont étudiés, on peut citer :
 Les phénomènes d’arborescence électrique dus à des décharges électriques
internes qui détruisent localement le matériau en formant des canaux très fins. Ces
derniers évoluent et peuvent finalement provoquer le claquage.
 les phénomènes d’arborescence d’eau ou d’arborescence électrochimique
dus à l’existence simultanée d’eau, de vacuoles, d’inclusions, de protubérances en
présence de champs électriques, peut se transformer en arborescence électrique et
conduire au claquage.
 les décharges partielles (par exemple la présence de vacuoles) qui dégradent
l’isolant et peuvent conduire au claquage par arborescences électriques. Dans les
huiles minérales, l’apparition de décharges partielles entraîne la formation de
bulles gazeuses pouvant conduire au claquage.
 Les charges d’espace sont à l’origine des mécanismes précurseurs des
phénomènes d’arborescence
c) Contraintes climatiques
Le vieillissement climatique résulte de l’exposition aux rayonnements solaires, aux
intempéries et à la pollution (marine, atmosphérique, industrielle...)
Les matériels utilisés dans le réseau de transport et de distribution situés à l’extérieur
sont directement exposés à ce type de contrainte. C’est le cas des isolateurs de ligne,
des conducteurs isolés, des coffrets...
Avec l’emploi des isolants synthétiques, la durée de vie des systèmes doit être étudiée
parce qu’elle est directement liée au vieillissement naturel. Les causes de dégradation
sont nombreuses :
 Rayonnement solaire ;
 Humidité relative, pluie, gel ;
 Composants chimiques : air, ozone, particules dues à la pollution.
d) Contraintes radiatives
Les contraintes radiatives se rencontrent principalement dans les applications
nucléaires, spatiales, médicales. c’est principalement l’usage des matériels électriques
en ambiance nucléaire qui a conditionné la mise au point de systèmes résistants aux

rayonnements ionisants (de type a, b, g, X, neutrons). Sur les isolants synthétiques,
l’application de contraintes radiatives entraîne des coupures de chaînes des polymères
et des réticulations. L’oxygène réagit avec les radicaux libres formés. Cette réaction
est d’autant plus rapide que l’énergie du rayonnement est importante.
I.24 Méthode de choix d’un isolant
Le choix d’un matériau isolant ne peut pas se faire en considérant uniquement ses
caractéristiques électriques telles que, par exemple, la rigidité diélectrique. De
nombreuses autres caractéristiques doivent être prises en compte pour résister aux
contraintes d’environnement, mécaniques, ou pour permettre la mise en œuvre. Elles
diffèrent suivant les applications. La méthodologie suivante est proposée pour
sélectionner les matériaux utilisables pour une application donnée :
 Recenser toutes les contraintes d’environnement auxquelles le matériau sera
soumis, notamment la température et sa vitesse de variation, l’humidité (vapeur ou
eau liquide), les contaminants chimiques (gaz, ions,...), les rayonnements (UV,
ionisants,...), etc ;
 Réaliser une première sélection des matériaux réputés aptes à supporter ces
contraintes ;
 sélectionner les matériaux acceptant un mode de mise en œuvre compatible avec
la géométrie de la pièce à réaliser (exemple : polymère thermoplastique pour
réaliser un câble ou un film mince pour condensateur) ;
 Eliminer les matériaux inaptes à supporter les contraintes mécaniques rencontrées
dans le matériel considéré ;
 Ne retenir que les matériaux présentant les caractéristiques électriques requises
(exemple : rigidité diélectrique élevée ou permittivité faible, ou résistance au
cheminement suffisante,...) ;
 Examiner le problème de la comptabilité entre matériaux (exemple : comptabilité
avec les liquides diélectriques ou risque d’attaque par les produits de dégradation
de certains gaz tels que le SF6 ) ;
 Parmi les matériaux restants, ce sont en général les critères économiques qui
permettront de sélectionner le meilleur candidat. Le calcul du prix de revient
de la pièce à réaliser devra prendre en compte non seulement le coût de la
matière, mais également le coût de la transformation.
Matériaux Magnétiques 2017
Chapitre II : Matériaux Magnétiques

II.1 Définition
Soumises à une induction magnétique, certaines substances se mettent à produire elles-
mêmes, dans le volume qu'elles occupent et à l'extérieur, une induction magnétique. On dit
qu’elle s’aimante ou se polarisent magnétiquement. Il s'agit-là d'une propriété générale de la
matière. Toutefois, cette propriété ne se manifeste très visiblement que dans certains
matériaux appelés matériaux magnétiques.
II.1.1 Moment magnétique

Le moment magnétique d'un atome est une propriété de celui-ci que l'on peut représenter par
deux modèles:
Le dipôle magnétique (fig. 2.1); Le courant ampérien (fig. 2.2).
II.1.2 Le dipôle magnétique est constitué de deux masses magnétiques de signes opposés,
séparées par une distance l. Le moment magnétique associé à ce modèle porte le nom de
moment magnétique dipolaire mdǢ
ሺܹ ܾǤ݉ ሻ. Il est défini par :
݉ ௗ ൌ ݉ Ǥ݈ (2.1)
II.1.3 Le courant ampérien : est un petit courant circulaire censé exister à l'échelle
atomique, qui pourrait représenter une résultante des mouvements des électrons autour du
noyau. Le moment magnétique associé à ce modèle porte le nom de moment magnétique
ampérien mA, (A-m2). Il est défini par (2.2) dans laquelle A est le vecteur représentant la
surface délimitée par le courant circulaire i.
݉ ஺ ൌ ݅Ǥ‫ܣ‬ (2.2)
II.2 Vecteur aimantation
L'induction magnétique dans la matière peut être exprimée par l'équation :

‫ܤ‬ൌ ߤ‫݋‬ሺ‫ܪ‬൅ ‫ ܯ‬ሻ (2.3)
Dr : NACEUR Sonia 21
Cette équation définit la vectrice aimantation M, mesure de la densité volumique de moment

magnétique ampérien. L'unité de M est l'ampère par mètre.[A/m] .
II.3 Potentiel vecteur magnétique
ሬ⃗ = 0, impose nécessairement l’existence d’au moins une grandeur

on sait que l’équation: divB
A dite potentiel vecteur, telle que
ሬ⃗ ൌ ሬ
‫ܤ‬ ሬሬሬሬሬ⃗‫⃗ܣ‬
ሬ
‫ݐ݋ݎ‬ (2.4)
Le potentiel vecteur Α joue un rôle primordial, car la connaissance de Α implique la
connaissance de toutes les autres grandeurs physiques.
II.4 Représentation d’un état d’aimantation
L’état d’aimantation d’un corps est caractérisé dans chaque point du corps par le vecteur
aimantation qui représente la somme vectorielle des moments magnétiques mi (associés aux
particules magnétiques polaires) contenus dans le volume infiniment petit ΔV m
∑೔ሺത
௠തതത
ഢത
‫ܯ‬ഥ = limο௏՜ ଴
ሻ
(2.5)
ο௏
തതതത
L’aimantation peut être temporaire (‫ܯ‬ തതതത
௧) ou permanente (‫)݌ ܯ‬
ഥ ത
തതത തത
ത
‫ ܯ‬ൌ ‫ݐ ܯ‬+ ‫݌ ܯ‬ത (2 .6)
 Aimantation temporaire: aimantation induite par l’intensité du champ magnétique ‫ܪ‬ഥ et

qui s’annule en son absence. La loi de l’aimantation temporaire s’écrit
ത
‫ܯ‬തതത
‫ ݐ‬ൌ ߯݉ Ǥ‫ܪ‬ഥ (2.7)
Où χm est la susceptibilité magnétique
 Aimantation permanente : aimantation qui existe même en l’absence du champ
magnétique appliqué au matériau
II.5 Génération de loi d’Ampère
L'équation de Maxwell (2.7) se simplifie dans le domaine de l'électrotechnique où l'on peut

ሬ⃗
négliger le courant de déplacement ‫ܦ‬
ሬ⃗
ሬሬሬሬሬሬ⃗ ‫ܪ‬
‫ݐ݋ݎ‬ ⃗ + డ஽
ሬ⃗ ൌ ‫ܬ‬ (2.8)
డ௧
Ainsi, cette équation devient ǣሬ ሬ⃗ ൌ ଔ

ሬሬሬሬሬ⃗ ‫ܪ‬
‫ݐ݋ݎ‬ Ԧ
Une intégration de cette relation conduit à la relation suivante, qui constitue le théorème
d'Ampère Une ∮௰ ‫ܪ‬ ⃗ ൌ ܰǤ‫ܫ‬

ሬ⃗ Ǥ݈݀ (2.9)
ሬ⃗ le long d'une ligne d'induction Γ fermée

La circulation du vecteur excitation magnétique ‫ܪ‬
entourant un circuit C parcouru par un courant I est égale au produit du courant I par le
nombre de fois que cette ligne Γ traverse le circuit C. Ou encore : la circulation du vecteur
excitation magnétique le long d'un contour fermé est égal à la somme algébrique des
intensités électriques traversant une surface quelconque supportée par ce contour.
Fig 3 Illustration du théorème d'Ampère
II.6 Perméabilité et susceptibilité magnétique

On appelle perméabilité magnétique absolue μ la grandeur
ߤൌ ߤ‫݋‬൅ ߕൌ ߤ‫݋‬ሺͳ൅ ߕ‫ݎ‬ሻ (2.10)
La perméabilité magnétique relative
ߤ
ߤ‫ݎ‬ൌ ;
ߤ‫݋‬
Susceptibilité magnétique : On appelle susceptibilité magnétique absolue Χ ; [H/m], le
ூ
rapport ߕൌ (2.11)
ு
Avec I et le vecteur de polarisation magnétique [Tesla] ; La susceptibilité magnétique relative
ெ
Χr est définie par ߕ‫ݎ‬ൌ ு (2.12)
II.7 Nature des matériaux

Les propriétés des matériaux proviennent des courants électriques existant à l’échelle
microscopique en leur sein. Les courants tirent principalement leur origine de deux
phénomènes,
 Le mouvement des électrons autour de leur noyau, appelé mouvement orbital
 Leur mouvement de rotation auteur d’eux même appelé spin.
II.7.1 Moment magnétique orbital :
⃗ de l’électron par rapport au centre de la force comme

On définit le moment cinétique orbital ݈
le produit vectoriel.
ሬ
ℓ⃗ =݉
ሬሬ⃗௘ሺ‫ݎ‬
Ԧ‫ݒ ר‬Ԧሻ (2.13)
หሬ
κ⃗หൌ ݉ ௘‫ݒݎ‬ (2.14)
Avec :
r : Distance entre le noyau est l’électron ; me : la masse d’électron qui vaut 9.109.10-19kg ;
v : Vitesse de l’électron dans son mouvement autour du noyau ;
II.7.1 Moment magnétique de spin :
L’électron possède un moment cinétique intrinsèque ‫ݏ‬

Ԧ que l’on appelle spin, ce moment
cinétique est également au moment magnétique de spin ݉ ௦ qui lui est propositionnel, le
coefficient de proportionnalité étant 2µs.
L’équation du moment magnétique de spin donnée par :
ି௘
݉
ሬሬ⃗௦ = ௠ ‫ݏ‬
Ԧ (2.15)
೐
II.8 Classification Des Matériaux Magnétiques

II.8.1 Diamagnétique : Les matériaux diamagnétiques ont une susceptibilité magnétique χ
négative, pratiquement constante et très faible. Un matériau parfaitement diamagnétique offre
ሬ⃗
une grande résistance au passage du champ magnétique. Les lignes d'excitation magnétique ‫ܪ‬
ne pénètrent pas dans le matériau. La perméabilité est donc nulle.
Fig 2.4 Comportement d'un matériau diamagnétique placé dans une excitation magnétique
ሬ⃗ sera dans la
La magnétisation induite dans le corps diamagnétique par une excitation ‫ܪ‬
ሬ⃗ .Exemples de matériaux diamagnétiques: l'eau (χ = −9×10−6), le cuivre,
direction opposée à ‫ܪ‬
le graphite, le gypse, le marbre, le quartz, le sel, les gaz rares, le diamant et le bismuth
(χ = −1,5×10−4). Les matériaux qui peuvent accéder à l'état supraconducteur, deviennent
parfaitement diamagnétiques dans cet état.
II.8.2 Paramagnétique : Par définition, tous les matériaux qui ne sont pas diamagnétiques
sont paramagnétiques. Ils possèdent une susceptibilité magnétique χ positive, pratiquement
constante et très faible. Dans un matériau paramagnétique, chaque atome possède un moment
magnétique non nul. On retrouve parmi les substances paramagnétiques : l'air (χ = 3,8×10−7),
l'oxygène (χ = 2×10−5), l'aluminium, le platine.
II.8.3 Ferromagnétique : Le ferromagnétisme est le type de magnétisme résultant de
l'alignement de moments magnétiques permanents, ces moments étant orientés parallèlement
les uns aux autres par une interaction mutuelle appelée couplage ferromagnétique (fig.2.5).
Les matériaux ferromagnétiques présentent donc également une polarisation spontanée.
Le fer, le cobalt, le nickel et un certain nombre de leurs alliages sont ferromagnétiques.
Quelques terres rares, et certains alliages de manganèse avec l'aluminium et le cuivre le sont
aussi.
Fig 2.5 Représentation schématique de l'alignement des moments magnétiques dans un matériau
ferromagnétique
II.8.4 Antiferromagnétique : L'antiferromagnétisme se distingue par une variation de la

susceptibilité en fonction de la température d'une allure très particulière Comme dans les
matériaux paramagnétiques, les atomes portent un moment magnétique permanent, toute fois
ces moments ne sont plus indépendants les uns des autres mais au contraire fortement liés. De
cette interaction, qui porte le nom de couplage antiferromagnétique, résulte un arrangement
antiparallèle des moments, représenté schématiquement à la figure
Fig 2.6 Représentation schématique de l'alignement des moments magnétiques dans un matériau
Antiferromagnétique
II.8.4 Ferrimagnétique : Le ferrimagnétisme est le magnétisme d'une classe d'oxydes

appelés ferrites. Dans la structure cristalline de ces matériaux, on peut distinguer deux
familles de sites A et B, occupés par des ions possédant des moments magnétiques mA et mB
respectivement. Le nombre de sites A diffère du nombre de sites B et le plus souvent mA
différent de mB. Le fort couplage antiferromagnétique existant entre les sites A et B provoque
donc une polarisation spontanée IS, c'est-à-dire, une polarisation existant en l'absence d'un
champ magnétique appliqué (fig2.7).
Fig 2.7 Représentation schématique de l'alignement des moments magnétiques
II.9 Domaines magnétiques

Les matériaux magnétiques de volume suffisant se divisent spontanément en régions plus
petites (environ 10−9 cm3) que l'on appelle des domaines élémentaires. A l'intérieur d'un
domaine tous les moments magnétiques atomiques sont maintenus parallèles de telles sortes
que chaque domaine se présente comme un petit volume aimanté à saturation. Les domaines
différents par l'orientation du vecteur résultant B de chacun d'eux. Vu de l'extérieur,
l'aimantation est une grandeur statistique. Historiquement, l'idée d'une structure en domaine a
été introduite pour la première fois par Pierre Weiss en 1907.
Fig 2.8 Domaines magnétiques de Weiss dans une substance ferromagnétique..
Lorsque H augmente à partir de zéro, les parois de Bloch se déplacent, entraînant une
magnétisation de l'échantillon et donc un champ B non nul. Quand H est suffisamment
intense, un seul domaine occupe tout l'échantillon. Le champ Bs (B saturation) est donc le
champ d'induction maximal de l'échantillon.
Fig 2.9 Déplacement des parois de Bloch sous l'action d'un champ magnétique extérieur.
II.10 Courbe d’aimantation

Le diagramme B-H, appelé aussi courbe d'aimantation ou cycle d'hystérésis est la courbe de
réponse de matériaux magnétiques. La simplicité de l'équation B = μ H n'est qu'apparente. En
fait, cette relation n'est pas linéaire puisque la perméabilité μ dépend de H, d'où la nécessité
d'une représentation de la fonction B(H). Le non linéarité des matériaux magnétiques ne rend
pas leur utilisation particulièrement aisée. Par contre, elle permet la réalisation de certains
dispositifs intéressants,
Fig 1.10 Courbe d'aimantation d'un matériau ferromagnétique. Bs représente le champ

d'induction magnétique à saturation, Br le champ d'induction rémanent et Hc le champ
magnétique coercitif.
I.11 Cycle d’hystérésis et son dépendance de la fréquence et la température
Le cycle d’hystérèse illustre la relation existant entre l’aimantation ‫ܯ‬ሬ

ሬ⃗ (ou l’induction ‫ܤ‬
ሬ⃗ ) en
fonction du champ magnétique appliqué ሬ

ሬ
ሬሬ⃗(Fig. 2). Il caractérise chaque corps
‫ܪ‬
ferromagnétique et sa forme dépend en outre le la géométrie de l’échantillon, des contraintes
mécaniques auxquelles ce dernier est soumis, de sa température, etc.
On y distingue :
- la courbe OP de première aimantation ;

- la valeur ‫ݏܪ‬du champ de saturation (pour lequel
tous les domaines de Weiss ont une même
direction) ;
- la valeur ‫ݎܤ‬de l’induction rémanente
- la valeur ‫ܿܪ‬du champ coercitif ;
- la symétrie du cycle (des points P’(-‫)ݏܪ‬
et P(‫ )ݏܪ‬par rapport à O) ;
Fig 1.11 Cycle d’hystérèse
Par ailleurs, le cycle (les propriétés magnétiques) évolue avec la température puisque la
susceptibilité des matériaux ferromagnétiques varie avec la température selon une loi de la
‫݉ܥ‬
forme : ࣑ = ou Cm est la constante de Curie et T la température, la fréquence selon les
ܶ
matériaux. En effet, l’augmentation de la fréquence n’affecte pas l’ordre magnétique mais

entraine une augmentation de l’aire du cycle et donc des pertes dans le matériau. Cependant.
II.12 Matériaux doux
Matériaux qui possèdent une aimantation rémanente facile à annuler (Hc est petit). A l’opposé
des matériaux durs, un matériau doux présente un cycle d’hystérésis très petit ( 2 A/m < Hc <
100 A/m). C’est la base des machines tournantes ou de tout système magnétique voyant une
induction alternative (μr dans la zone linéaire : 50 à 1E4).
Ils sont réalisés à base de Fer. En fonction de l’alliage utilisée, on trouve différente valeur de
champ de saturation Bs valeur de champ de saturation Bs :
 Exemple et caractéristique
Fe : Bs 2,2 T. FeSi : Bs  1,8 T.
Bonne tenue mécanique (Moteur, Transformateur)
FeCo : Bs 2,4 T. Faibles pertes
Céramique : Bs0,5 T.
Très faibles pertes (H.F.)
FeNi : Bs ® 1,3 T faible Hc (Alim à découpage)
Exemples d’alliages utilisés pour les tôles des transformateurs :
FeSi 3,5% de Si FeSi à grains orientés
Saturation à 2 T - Br ≈ 0 - Hc ≈ 0 saturation à 3 T - Br = 1,4 T - Hc = 8 A/m
μr = 7000 à 50 Hz μr > 40 000 à 50 Hz
 Pertes par hystérésis Ce type de perte est lié au cycle d’hystérésis du matériau.
Le parcours du cycle B(H) fait apparaître une perte d’énergie qui correspond alors à
un échauffement de la matière. Elles sont donc proportionnelles à la fréquence et sont
liées à la structure du matériau.ܲ௛ ൌ ߙ‫ܤ‬ெଶ Ǥ݂ (2.16)
 Pertes par courants de foucault :Les variations du champ magnétique dans la
matière génèrent par induction des courants induits qui se rebouclent sur eux-mêmes.
Il y a donc échauffement par effet joule. Cette fois-ci ces pertes sont proportionnelles
au carré de la fréquence: ܲ௛ = b‫ܤ‬ெଶ Ǥ݂ଶ (2.17)
II.13 Matériaux durs
Matériaux qui présentent une forte aimantation rémanente et difficile à annuler (Hc est grand).
Ils sont utilisés pour faire des aimants permanents (ex :acier). Ce sont des matériaux qui
présentent un cycle d’hystérésis très large ( 104 A/m < Hc < 106 A/m ).Ils sont utilisés en
général comme aimant. On les utilise dans le 4ème quadrant ( B>0 et H<0 ). Hc devient alors
le champ démagnétisant à ne pas dépasser.
Exemples et caractéristiques
Evolution B=f(H) pour matériaux durs Caractéristiques d’Aimant
Exemples d’alliages utilisés pour les aimants :

Ferrite (oxyde de fer) Samarium-Cobalt (Sm-Co)
Saturation à 0,6 T saturation à 1 T

Br 0,4 T - Hc 200 kA/m Br  0,8 T - Hc = 500 kA/m
II.14 Mesure des caractéristiques magnétiques

Les propriétés d’un matériau magnétique sont généralement représentées par sa courbe de
magnétisation B(H) . A cet effet le cycle d’Hystérise est l’un des indicateurs de quelque
paramètre importants pour caractérisation d’un matériau magnétique comme le champ
coercitif Hc, le champ maximal Hmax induction rémanente Br, induction maximal Bmax, et la
perméabilité magnétique µ.
II.15 Circuits magnétiques
Ils sont basés sur l’utilisation de matériaux ferromagnétiques avec comme but d’obtenir un
champ d’induction B dans une zone précise (entrefer). Pour ce faire, on crée un champ
d’excitation H à l’aide de bobinage puis on le canalise vers la zone d’utilisation (entrefer).
II.15.1 Constitution
On peut résumer un circuit magnétique à cette géométrie :
On retrouve trois éléments :

 Le bobinage qui génère l’excitation et donc le champ
 la culasse qui dirige le champ H vers la zone utile. La culasse impose le parcours du
champ magnétique de parts sa grande perméabilité par rapport à l’air. Le matériau qui
compose la « culasse » se comporte comme un tube de champ
 l’entrefer où l’on souhaite utiliser le champ. L’entrefer est la zone d’interaction avec
l‘extérieur.
II.15.2 Mise en équation : cas parfait
La mise en équation se base sur les trois lois fondamentales que nous avons établies :
Conservation du Flux – Théorème d’Ampère – Loi des matériaux. Dans le cas parfait, le
circuit magnétique se confond avec un tube de champ. Tout le flux est canalisé par le circuit.
De plus, il a un comportement linéaire en tout point : B=μH ,(μ=μoμr). Il en est de même dans
l’entrefer : B = μoH.
a) Exemple N°1 : Cas d’un circuit magnétique sans entrefer
D’après le théorème d’Ampère : HL = NI
L : longueur moyenne des lignes de champ (m) (L=2πR)
N : nombre de spires de la bobine, I : courant dans la bobine (A)
H : excitation magnétique (A/m), La valeur du champ
magnétique est donc : B= μo μr NI / L
Fig2.10 circuit magnétique sans entrefer
b) Exemple N°2 : Circuit magnétique avec entrefer
D’après le théorème d’Ampère:

H(L - e) +H0e =NI
L : longueur moyenne des lignes de champ (m)
e : longueur de l’entrefer (m)
N : nombre de spires de la bobine
I : courant dans la bobine (A)
H : excitation magnétique dans la matière (A/m) Fig2.11 circuit magnétique avec entrefer
H0 : excitation magnétique dans l’entrefer (A/m)
II.15.3 Réluctance – Loi d’Hopkinson

a) Force magnétomotrice
De manière à simplifier l’étude des circuits magnétiques on définit , la force
magnétomotrice, à partir du théorème d’Ampère :
x ൌ ܰ‫ܫ‬ൌ ∫௖ ‫ܪ‬ሬ⃗ Ǥሬ
ሬሬ⃗ 
݈݀
Le sens de cette force magnétomotrice est donné par la méthode du tire-bouchon en rapport
avec le sens de parcours de C.
b) Réluctance
De même, en tenant compte de la loi constitutive du matériau, on peut établir en tout point M
du parcours C :
ሬ⃗
ሬ⃗ ‫ ܯ‬ൌ ஻ ெ
‫ܪ‬ (2.19)
ఓெ

On peut alors exprimer le théorème d’ampère sous la forme :
ሬ⃗ಾ
஻ ‫׎‬ௗ௟
ܰ‫ܫ‬ൌ ∫௖ ሬ⃗ಾ
Ǥሬ
ሬሬ⃗=∫
݈݀ ௖
(2.20)
ఓ ఓಾ ௌಾ
ௗ௟
Soit ܰ‫ܫ‬ൌ ‫∫ ׎‬௖ (2.21)
ఓಾ ௌಾ
(On suppose B et dl colinéaires), On définit la réluctance 

ௗ௟
Â = ∫௖ (2.22)
ఓಾ ௌಾ
Ainsi, un barreau de longueur L, de section S et perméabilité μ aura une réluctance :

௟
Â =ఓ (2.23)
ௌ
c) Loi d’Hopkinson
En combinant la force magnétomotrice à la réluctance, on obtient alors la relation
d’Hopkinson :
x ൌ ܰ‫ܫ‬ൌ Â j (2.24)
La réluctance  ne dépend que des caractéristiques géométriques du circuit.
La force magnétomotrice  représente l’excitation qui va générer le flux au sein du circuit
mais est indépendante de sa géométrie. On est donc typiquement dans le cas analogue du
générateur de tension que l’on connecte à une résistance ce qui va engendrer un courant I.
ܷൌ ܴ‫ܫ‬Û Â j (2.25)
d) Analogie magnétique – Electrique
L’observation des relations d’Hopkinson permet d’effectuer une analogie avec les circuits
électriques linéaires :
A tout circuit magnétique, on peut affecter une représentation électrique permettant d’étudier
le comportement du circuit à l’aide de relation électrique ;
Le tableau ci-dessous résume l’analogie Magnétique/Electrique
Grandeurs magnétiques Grandeurs électriques
force magnétomotrice force électromotrice E en Volts (V)
flux d’induction : en Webers (Wb) Courant électrique : i en Ampères (A)
௟ Résistance R=ρ.l/S
Réluctance : Â =
ఓ ௌ
ddp magnétique =  ddp électrique : U = RI

maille magnétique ∑maille Maille électrique : Umaille=0
noeud magnétique∑noeud noeud électrique∑ noeud=0
e) Exemple d’application de l’analogie par schéma équivalent

 Circuit avec entrefer
 Circuit avec deux tronçons
Matériaux Conducteurs 2017
Chapitre III : Matériaux Conducteurs

III.1 Définitions et Propriétés physiques
1) Définition des matériaux conducteurs : Ce sont des matériaux dans lesquels un champ
très faible suffit à fournir une énergie permettant le déplacement des électrons libres (porteurs
de charges arrachés à chaque atome). On a un à deux électrons libres en moyenne par atome.
La concentration en électrons dépend du matériau ; par exemple pour le cuivre, on a 1028
électrons par m3
2) Propriétés physiques des matériaux conducteurs
Les conducteurs électriques sont essentiellement des métaux ou des alliages métalliques. Ils
possèdent tous à peu près les caractéristiques suivantes :
 faible résistivité électrique : < 10-6 m (1 million de milliard fois plus pour les
isolants)
 bonne conductivité thermique :  100 W/(m°C) ( 500 fois moins pour les isolants)
 solide de grande dureté sauf pour le mercure (liquide), le sodium et le plomb
 densité élevée :  10 sauf pour Al : 2,6 et Au, Pt et W :  20
 influence importante de la température sur :
. La résistivité : 40 % en plus pour 100 °C d’élévation
. la dilatation linéique : qq. mm/m pour 100 °C d’élévation
III.2 Présentation des différents types de conducteurs
1) Bobinages de machines et câbles électriques
Les moins résistifs et les plus économiques sont le cuivre et l’aluminium. Ce dernier, étant
quasiment 2 fois plus résistif mais 3 fois plus léger, est utilisé pour les lignes de transport
haute tension.
2) Amélioration des contacts électriques
Le platine, l’or et surtout l’argent, qui ont une très bonne résistivité, et qui sont difficilement
altérable (par choc, par corrosion ou par arc électrique) sont déposés en surface du cuivre ou de
l’aluminium pour améliorer les résistances de contact et la durée de vie des fusibles, des bras de
sectionneur HT, des contacteurs...
3) Câblage et soudure
L’étain et le plomb, grâce à leur faible température de fusion sont utilisés pour le câblage des
circuits imprimés.
En micro-électronique, on utilise l’argent pour braser les « puces », et l’or ou l’aluminium
pour effectuer le câblage par fils de très faible diamètre (bondings de 10 à 500 µ).
4) Contacts glissants
Le carbone amorphe (« charbon ») entre dans la constitution des balais de machines à courant
continu et de machines synchrones ou asynchrones. Malgré sa résistivité médiocre, il n’altère
pas les bagues ou collecteurs tournants et présentent une bonne résistance de contact.
Le bronze est utilisé dans les contacts avec les caténaires.
5) Résistances bobinées
Il faut une résistivité plus élevée que pour les câbles ( 100.10-8 ). On les atteint avec des
alliages :
- Fe Cu Ni (maillechort)
- Ni Cr
- Fe Ni Cr
- Fe Cr Al
6) Lampes à incandescence
Le tungstène, grâce à sa température de fusion élevée (3400 °C), constitue le filament des
lampes à incandescence.
7) Lampes à décharges
Le mercure et le sodium, sous forme de vapeur, émettent un rayonnement lumineux.
8) Sondes de température
thermocouple : plages de [-185 °C , 300 °C] à [20 °C , 2300 °C] : la jonction de 2 métaux
différents (fer, cuivre, platine...) génère une tension fonction de la température.
thermorésistance : plages de [0 °C, 200 °C] à [600 °C , 850 °C] : le plus souvent en fil de
platine (sonde PT 100). La résistance, parcourue par un courant connu, génère une tension
fonction de la température.
III.3 Modification des caractéristiques par rapport à des phénomènes
extérieurs
III.3.1 Influence importante de la fréquence sur la résistivité : effet de peau : en alternatif,
le courant n’utilise pas la totalité de la section du conducteur mais a tendance à circuler sur sa
périphérie. Ce phénomène se traduit par l’augmentation de la résistance du conducteur. C’est
la raison pour laquelle on fractionne le câble en plusieurs brins (fil de Litz en HF).
III.3.2 Influence de la température
En augmentant la température, va accroître l'agitation des particules dans la matière, et ainsi
gêner leur déplacement lors de l'application d'un champ électrique externe. La résistivité du
matériau va augmenter. Cette augmentation de la résistivité avec la température est une loi
linéaire, et peut se mettre sous la forme :
ߩ ൌ ߩ଴ሺͳ ൅ ܽሺܶ െ ܶ଴))
a est la constante du matériau,࣋૙ la résistivité à To et ࣋ la résistivité à la température T.
a vaut 4.10-3K-1 pour le cuivre. Cela signifie que la résistance d'un conducteur de cuivre va
varier de 1% tous les 2,5°C.
Matériaux Semi-Conducteurs
III.4 Introduction des Semi- conducteurs
On différencie trois types des matériaux : les isolants, les conducteurs et les semi-conducteurs.
Ceux-ci sont intermédiaires entre les métaux et les isolants : à T = 0 K un semi- conducteur se
comporte comme un isolant. Néanmoins, il conduit l'électricité dès que la température
augmente. La résistivité des semi- conducteurs varie entre 10-3 Ωcm et 109 Ωcm, alors que
celle des métaux est de l'ordre de 10-6 Ωcm et celle des isolants peut atteindre 1022 Ωcm.
Dans un semi -conducteur il existe deux types de conductions : la conduction par électrons et
la conduction par trou. Lorsque dans un cristal certaines liaisons entre atomes se cassent, les
électrons sont libres de se déplacer. L'emplacement de la liaison cassée est appelé trou. Sous
l’effet du champ électrique les électrons se déplacent dans le sens inverse du champ et les
trous se déplacent dans le sens de champ.
III.5 Définition des semi- Conducteur
Un semi -conducteur est généralement défini comme étant un matériau dont la résistivité
dépend de la température de telle façon que :
 Si la température (T) croit, la résistivité (ρ) décroît ;
 Si la température (T) décroît, la résistivité (ρ) croit.
Par conséquent, on peut qualifier le semi -conducteurs d’isolant pour les basses températures
et de conducteur pour les hautes températures.
III.5.1 Porteur de charges : dans un cristal semi -conducteur, les atomes sont arrangés de
telle sorte qu’un atome sera entouré de quatre autres atomes. L’atome semi -conducteur est un
atome tétravalent, il a quatre électrons sur sa couche périphérique. Alors une fois cet atome,
dans un cristal, est entouré par quatre autre atomes de même nature il se trouve avec huit (8)
électrons sur sa couche périphérique comme montré sur la figure(3.2)
e E
Ec
Eg
Ev
Fig3.2 .Etat d’une structure semi conducteur
Aux basses températures tous les électrons de la couche de valence assurent les liaisons entre
les atomes. On se trouve alors dans un cas où la bande de conduction est totalement vide. Par
conséquent, le corps semi- conducteur se comporte comme un isolant.
Aux températures élevées ou même ambiantes les électrons de valence reçoivent de l’énergie
thermique qui peut dans certains cas dépasser Eg et qui permet par la suite aux électrons
excités de passer de la bande de valence à la bande de conduction comme illustré
Recombinaison Génération
Génération Ec
Eg
Ev
Fig 3. 3 Etat d’une structure semi -conducteur à T ambiante
Le passage d’électron de la bande de valence à la bande de conduction est appelé Génération

en perdant son énergie, l’électron excite retombe dans la bande de valence, ceci est appelé
Recombinaison. En conclusion, à la température ambiante ou plus, un semi- conducteur peut
être considéré comme un conducteur d’électricité, et la conduction d’électricité est assurée par
deux types de porteurs de charge :
 Trou de la bande de valence : porteur de charge positive p.
 Electron de la bande de conduction : porteur de charge négative n.
III.5.2 Dopage
Le dopage définit le procédé d’ajout des atomes d’impuretés pour augmenter un type donné
de porteurs de charge.
Pour augmenter le nombre n des porteur de charge négative (électron de a bande de
conduction), on ajoute au semi- conducteur pur des atomes pentavalents (Phosphore et
Arsenic) le semi- conducteur obtenu est dit extrinsèque et il est de type N.
Pour augmenter le nombre p des porteur de charge positive (trous de a bande de valence), on
ajoute au semi - conducteur pur des atomes trivalents (Aluminium ou Bore) le semi-
conducteur obtenu est dit extrinsèque et il est de type P.
III.5.3 Types de semi- conducteurs
a) Semi- conducteur intrinsèque : Un semi -conducteur est dit intrinsèque si le nombre

d’électrons est égal au nombre de trous. Le taux d'impuretés y est très faible (moins d'un
atome pour 1013 atomes de l’élément semi- conducteur).
b) Semi- conducteur extrinsèque : Un semi -conducteur est dit extrinsèque s’il comporte un
taux d’impuretés très grand par rapport à celui du semi -conducteur intrinsèque (un atome
pour 105 atomes de l'élément semi -conducteur). Selon la nature des impuretés il existe
deux types des semi -conducteurs : type N et type P.
 Type N. Considérons par exemple les semi -conducteurs tétravalents tels que Si ou Ge. Ils
cristallisent dans une structure où chaque atome est relié à quatre atomes voisins par des
liaisons covalentes. Introduisons un atome ayant cinq électrons de valence (Phosphore,
arsenic antimoine…). Il prend la place d'un atome du cristal. Parmi les électrons de
l’impureté, quatre participeront aux liaisons avec les voisins et le cinquième restera
célibataire. L’atome d’impureté est associé un niveau d’énergie appelé niveau donneur qui
se situe juste en dessous de la bande de conduction. Dans ce cas, le semi -conducteur est dit
de type N.
 Type P. Si on introduit un atome d'impureté ayant trois électrons de valence (bore

aluminium ou galium). Cet atome ne peut saturer que trois liaisons. Ainsi une liaison par
atome d'impureté manque et correspond un niveau d'énergie situé au-dessus de la bande de
valence appelé niveau accepteur. Le semi-conducteur est dit de type p.
Dopage de type P : Trous majoritaires électrons minoritaires. Conductivité fixée : σ ≈ μp.P.e

avec P=cte
Dopage de type N : Electrons majoritaires trous minoritaires Conductivité fixée : σ ≈ μn.N.e
avec N=cte
III.5.4 Jonction PN et leur applications
a) La jonction PN : La mise en contact d’un semi -conducteur dopé « N » et un semi-

conducteur dopé « P » permet d’obtenir ce que l’on appelle une jonction ’’PN’’. La
transition de la zone P à la zone N se fait brutalement. Lorsque les deux semi-conducteurs
de type N et de type P sont assemblés, la différence de concentration entre les porteurs des
régions P et N va provoquer la circulation d’un courant de diffusion. Les trous de la région
P vont diffuser vers la région N laissant eaux des atomes ionisés, qui constituent autant de
charges négatives fixes.
+++++++ - ++++ --------

+++++ ----
- ++
P N
Jonction PN
Fig 3.4. La jonction PN
Il en de même pour les électrons de la région N qui diffusent vers la région P laissant derrière
eux des charges positives. Il apparaît aussi au niveau de la jonction une zone contenant des
charges fixes positives et négatives. Ces charge vont créer un champ électrique qui va
s’opposer à la diffusion des porteurs pour crées une situation d’équilibre électrique. La région
dépeuplée de porteurs mobiles est appelée zone de charge d’espace. La formule da la densité
de charge est donnée pour un cas idéal.
Le champ électrique est relié à la densité de charge par la relation :
dE ( x) 1
  ( x) (3.1)
dx 
Donc on peut définir aisément le potentiel au niveau de la jonction à l’aide de la relation :
V ( x)    Edx (3.2)
A l’équilibre, le potentiel crée par la diffusion va jouer le rôle d’une barrière qui va empêcher
toute circulation de courant.
Pour pouvoir assurer une conduction à travers la jonction, il est nécessaire de fournir une
énergie externe pour avoir vaincre cette barrière de potentiel.
Cette énergie peut être thermique ou électrique. Comme généralement on travaille à
température ambiante, on verra que l’énergie externe fournie est généralement de type
électrique.
b) Les applications de la jonction PN : Cette structure élémentaire est la base des

composants à semi-conducteurs comme :
 Transistors bipolaires
 Diodes électroluminescentes
 Diodes laser
 Cellules solaires
 Détecteurs
III.6 Modification des caractéristiques par rapport à des phénomènes
extérieurs (température)
La conductivité des semi-conducteurs est une fonction de la température. Trois domaines
peuvent être distingués. Aux faibles températures la conduction est de nature extrinsèque
Dans ce domaine les porteurs de charge ne sont activés que par les impuretés. Ce domaine
n'est pas observé dans le cas de semi-conducteurs purs. Aux températures modérées on parle
de déplétion des défauts. Dans ce domaine, l'augmentation de la température n'entraîne pas
l'activation des impuretés. Aux températures élevées la conduction intrinsèque prédomine.
Les porteurs de charge sont transférés par excitation thermique de la bande de valence vers la
bande de conduction.
Supraconductivité et matériaux supraconducteurs 2017
Chapitre IV : Supraconductivité et matériaux supraconducteurs
IV.1 Définitions de l’état supraconducteur
La supraconductivité est un état particulier de la matière dans lequel le matériau perd toute
résistance électrique. Ainsi, tout courant parcourant une boucle supraconductrice peut
perdurer indéfiniment sans perte d’énergie liée à l’effet Joule. Les supraconducteurs sont
également diamagnétiques, ils repoussent tout champ magnétique auquel ils sont soumis. Pour
qu’un matériau passe à l’état supraconducteur, il doit se trouver en dessous d’une certaine
température, appelé température critique (Tc), mais il existe aussi une limite à l’intensité du
courant qui le parcours (intensité critique Ic), et à l’intensité du champ magnétique auquel il
est soumis (champ critique Hc). Les matériaux supraconducteurs connus actuellement ont des
Tc allant de moins d’un micro Kelvin à 138K (-135°C).
IV.2 Théorie du BCS
la théorie BCS (Bardeen, Cooper, Schrieffer). Introduite en 1957, cette théorie propose une
explication à la supraconductivité. Les vibrations de la grille des atomes sont responsables de
la circulation du courant. En effet, les électrons sont forcés de se regrouper par paires et
peuvent donc passer au travers des obstacles. Ce couplage, connu sous le nom de paires de
Cooper, trouve une explication dans les phonons: paquets d’ondes présents dans la grille
lorsqu’elle vibre naturellement. Les interactions entre les électrons et les phonons sont à la
l’origine de la résistivité et de la supraconductivité. Lorsqu’un électron passe au travers de la
grille, non loin d’un ion positif, celle-ci se déforme, sous l’effet de la vitesse (10+6 m/s). Cela
engendre la formation de phonons ainsi que celle d’un vide chargé positivement autour de
l’électron. Du fait de l’inertie générale du métal, la déformation de la grille persiste durant un
laps de temps néanmoins suffisant pour qu’un autre électron soit projeté dans ce vide. Malgré
la répulsion liée aux charges, les deux électrons se couplent, par l’action de la force exercée
par les phonons, tout en étant séparés d’une certaine distance. La théorie BCS montre
comment deux atomes peuvent s’attirer du fait des interactions avec la grille d’atome. Le
pairage des électrons est favorable à l’explication de la supraconduction car il plonge le métal
dans un état de faible énergie. Lorsque les électrons sont couplés, ils se déplacent de façon
ordonnée sans rencontrer de résistance au sein du supraconducteur (équilibre des forces
appliquées sur les électrons).
IV.3 Application et intégration des supraconducteurs dans le génie

électrique
On distingue trois catégories d’applications des supraconducteurs en électrotechnique suivant

la valeur utile de l’induction magnétique générée par le bobinage supraconducteur :
 Très forts champs magnétiques. Cette catégorie concerne les bobines de champs, les
systèmes de stockage d’énergie...
 Forts champs magnétiques. Cette catégorie concerne les moteurs, les alternateurs, les
transformateurs, les systèmes de stockage de l’énergie…
 Faible champ magnétique. Cette catégorie concerne les lignes du transport
d’électricité, les transformateurs, les limiteurs de courant...
La découverte en 1986 des supraconducteurs à haute température critique a encouragé
l’application des supraconducteurs en électrotechnique. Ce changement est dû à la capacité de
ces matériaux à conduire du courant électrique de très forte densité pour des températures
assez élevées par rapport aux supraconducteurs à basse température critique.
Nous présentons ci-dessous quelques applications majeures des supraconducteurs en
électrotechnique
1) Les lignes de transport : Les câbles supraconducteurs de transport intéressent de plus
en plus les chercheurs et les industriels. En effet, avec ce type de lignes, on peut
augmenter la puissance transmise avec des niveaux de tensions faibles par rapport à ceux
permis par les lignes conventionnelles
2) Les transformateurs : L’une des applications des supraconducteurs en
électrotechnique concerne les transformateurs. Pour cette application les pertes en régime
alternatif des supraconducteurs restent un inconvénient majeur. Les études effectuées ont
montré des performances remarquables de ce type de transformateurs. En effet, par
rapport à un transformateur conventionnel, les pertes peuvent diminuer de 30%, le volume

de 50% et le poids de 70% ;
3) Les limiteurs du courant : Le fonctionnement des limiteurs supraconducteurs est basé
sur la transition de l’état supraconducteur vers l’état normal de ces matériaux. Cette
transition en un temps très bref fait des supraconducteurs de bons limiteurs. En présence
d’un court-circuit dans le réseau électrique, le courant augmente rapidement et dépasse le
courant critique du supraconducteur. Ce dernier en transitant à l’état normal voit sa
résistance augmenter ce qui entraîne une limitation du courant du court-circuit. La
puissance dissipée dans le matériau supraconducteur juste après la transition est
considérable et qui peut entraîner la destruction du dispositif
4) Les systèmes de stockage de l’énergie : Le stockage d’énergie est l’une des
applications industrielles les plus mures des supraconducteurs. L’énergie est stockée sous
forme magnétique dans une bobine supraconductrice. Cette énergie est le résultat de la
circulation, pratiquement sans diminution dans le temps, du courant dans la bobine. Les
avantages de tels systèmes sont surtout le rendement très élevé en comparaison avec les
systèmes conventionnels de stockage d’énergie et la rapidité à restituer de l’énergie. En
effet, le rendement d’un système supraconducteur de stockage d’énergie peut atteindre
97% alors que ce rendement ne dépasse pas 70% pour un système de barrage à pompe.
5) Moteurs et génératrices supraconducteurs : Un des objectifs de la recherche sur les
matériaux supraconducteurs est lié au développement des machines supraconductrices
performantes. Les machines supraconductrices à basse température critique et à haute
température critique sont les deux générations des machines supraconductrices connues.
Selon leur conception, nous les classons en deux catégories :
 Machines conçues comme les machines classiques en cuivre en remplaçant les
enroulements en cuivre par des bobinages supraconducteurs pour augmenter les
performances.
 Machines utilisant des supraconducteurs pour concevoir de nouvelles topologies.
Ci-dessous, nous présentons quelques exemples des machines supraconductrices les plus
6) Les aimants permanents supraconducteurs : Un supraconducteur massif peut
aussi être utilisé comme aimant permanent. En refroidissant à champ nul un
supraconducteur à haute température critique, puis en l’exposant à une variation rapide du
champ magnétique, il va piéger le champ magnétique. Le champ piégé dans le
supraconducteur est lié à des courants induits par la loi de Lenz. Ces courants se
développent comme dans un métal normal, à partir de la surface extérieure, mais

contrairement aux matériaux résistifs, ils ne s’amortissent pas puisque la résistivité est
nulle. Lorsque le champ extérieur diminue, la répartition des courants change pour
s’opposer à cette nouvelle variation et tendre à piéger l’induction. Pour que le
supraconducteur piège efficacement le champ magnétique il faut que le champ extérieur
atteigne une valeur appelée champ de pénétration Hp.
Technique de Haute Tension 2017
Chapitre V : Technique de Haute Tension

V.1 Source de la haute tension :
V.1.1 Généralité :
L’énergie électrique sort des centrales avec une tension de quelques kV (5 à 10 kV), le
transport se fait avec une haute tension (220 kV et plus) pour minimiser les pertes Joule dans
la ligne et de pouvoir transiter de grandes puissances
a) Réseaux électriques HT
• Les réseaux de transport sont triphasés, sans conducteur de neutre.
• Le domaine de ce qu’on appelle Très Haute Tension va de 60 à 800 kV (entre phases). II
existe des projets jusqu’à 1 200 kV.
• Leurs fréquences sont 50 ou 60 Hz (quelques cas à 16 2/3 Hz).
• Les courant transportés vont de 400 à 3 000 A.
b) Problèmes liés à la haute tension :
Claquage ; Isolation ; effet couronne ; contournement des isolateurs ; pertes diélectriques…
Il y a trois types de tensions conventionnelles :

 Tension alternative
 Tension continue
 Tension de choc
V.1.2 Source de HT en continu :
La haute tension continue est utilisée dans de nombreuses applications, telles que :
 Réseaux HVDC (High Voltage Direct Current)
 Recherche fondamentale : il est plus facile de travailler et d’analyser les phénomènes
avec une tension constante qu’avec une tension constamment variable.
 De nombreuses applications nécessitent une tension continue (rayons X de la
radiologie, séparation électrostatique, filtre électrostatique…).
 Dans les applications ou les essais de test d’équipement a charge capacitive sont très
nombreux ; pour des raisons économiques on évite la tension alternative.
1) Redresseur de tension alternative
a) Redresseur a simple alternance
avec :C : capacité de lissage du redresseur + capacité
de l’objet en essai+ capacités parasites.
R : résistance de l’objet testé + résistance de fuite Fig 5.1 Redresseur à simple

alternance en charge
du condensateur de lissage.
Diode haute tension : Elle est équivalente a la mise en série de n diodes conventionnelles. Le
nombre de diodes n est détermine suivant la tension inverse à supporter par l’ensemble. Par
exemple, pour redresser une tension de 100 kV, on met en série 100 diodes de 1000 V
chacune pour avoir une diode haute tension de 100 kV.
b) Redresseur double alternance :
Contrairement au redresseur a simple
alternance, l’alternance négative est
également redressée. Il n’y a pas de très
grande différence entre les montages
redresseurs à simple et a double alternance,
en présence d’une capacité de lissage Fig 5.2 Redresseur a double alternance
en charge (pont de Graetz alternance en
Fig 5. Courbes des tensions redressées de livrées

par un pont de Graetz.
2) Multiplicateur de tension : La première phase consiste à fermer les interrupteurs S1 pour

charger en parallèle les condensateurs Ci .Apres, on ouvre les interrupteurs S1 et on ferme S2 :
les tensions des condensateurs Ci qui sont maintenant en série, s’ajoutent pour donner aux
bornes de C une tension de sortie U 0 =n U c . Avec n : nombre de condensateurs Ci
Fig 5.3 Multiplicateur de tension
3) Générateurs électrostatiques : (Van de Graff) : Utilise entre autres dans les laboratoires
de recherche de physique nucléaire.
Principe de fonctionnement : Un ensemble d’électrode-pointes ou une lame très fine
(électrode couronne) charge par effet couronne une courroie isolante. Celle-ci qui tourne avec
une vitesse réglable, introduit les charges dans la partie supérieure du générateur (sphère) ou
elles sont prélevées par le collecteur. Les quelques charges qui ≪ échappent ≫ au collecteur
sont neutralisées par effet couronne grâce a des aiguilles fixées sur la paroi interne de
l’électrode haute tension. En arrivant en bas, ces charges négatives sont neutralisées par
l’électrode couronne.
L’électrode sphérique continue de stocker les charges jusqu’à atteindre des tensions, sphère-
terre, considérables. Le générateur Van de Graff n’est pas très utilise car le courant délivre est
faible (de l’ordre du PA), mais la tension de sortie peut atteindre jusqu’à une centaine de MV.
1. Pointe créant des charges par frottement

2. Poulie entraînée par moteur
3. Bande isolante transporteuse de charges
4. Electrode HT
5. Collecteur de charges
6. Poulie supérieure isolée de la HT
7. Pointe pour décharger le surplus de
charges.
8. Enceinte métallique mise à la terre.
Fig 5. 4Générateurs électrostatiques
V.1.2 Générateurs de tension alternative

1) Transformateur élévateur
Le transformateur élévateur représente la source de haute tension la plus répandue et la plus
utilisée dans la pratique. Ce sont des transformateurs de faible puissance (de quelques
centaines de VA a quelques kVA) dont l’objectif principal est de procurer une haute tension
au détriment du courant qui est de l’ordre du milliampère généralement. Ces transformateurs
qui sont destinés principalement aux laboratoires d’essais, doivent avoir une très bonne
isolation car ils sont appelés à supporter les nombreux claquages qui surviennent lors des
tests.
La forme de la HT délivrée par un transformateur HT est généralement différente de la forme
sinusoïdale, sans toutefois dépasser les tolérances permises. Ces transformateurs possèdent
généralement une borne de l’enroulement qui est reliée à la terre.
De nombreux transformateurs sont des transformateurs a point milieu (voir figure).
Pour des tensions supérieures a 750 kV, le cout, le transport et l’encombrement deviennent
très gênants; On préfère alors recourir aux transformateurs montes en cascade.
Fig 5. 5Circuit électrique équivalent du transformateur et de l’isolant teste
2) Circuit résonnant
Dans les essais réalises en haute tension, quelques fois il se produit une explosion de
l’équipement teste, suite à l’apparition d’une forte surtension générée par résonance électrique
Le phénomène de résonance est mis a profit pour produire de très hautes tensions (figure 5.) ;
une impédance de réglage variable insérée en série avec la circuit du transformateur permet de
régler et d’augmenter la tension a des valeurs très grandes (jusqu’à 600 kV).
Le régulateur, alimente par une source BT alternative, règle la tension en ajustant la valeur
totale de l’impédance réactive. Les circuits oscillants sont utilisés surtout dans les essais
d’équipement à grande capacité, comme les câbles HT par exemple.
Fig 5.6 Circuit résonnant

V.1.3 Générateurs de tension impulsionnelle (de Choc)

Définition : La tension de choc (ou impulsion) est une très haute tension unidirectionnelle,
appliquée pendant un temps très bref de l’ordre de quelques Ps. C’est un courant ou une
tension qui croit rapidement jusqu’à a une valeur crête, puis décroit jusqu'à zéro.
Les générateurs de choc sont nécessaires pour :
 Simuler les surtensions des lignes comme l’onde de la foudre par exemple, pour
l’étude et la recherche.
 Réaliser des tests d’essais sur les appareillages haute tension destines à fonctionner
lors des surtensions, tels que les appareils de protection contre les surtensions.
1) Générateur de choc à un étage
La tension continue V charge le condensateur C1 jusqu’à produire le claquage de l’éclateur E
Une tension brusque (choc) est ainsi appliquée aux extrémités de la charge capacitive C2.
C1 : capacité de choc (réservoir d’énergie).
C2 : capacité de l’objet en essai ; C1 = (10…20) C2 ; R1 : résistance de front d’onde (série) ;
R2 : résistance de queue d’onde (parallèle) ;
Fig 5.7 Générateur de choc à un étage

En général, le condensateur C1 se charge par l’intermédiaire d’un transformateur HT associe à
une diode D. la résistance d’amortissement Ra empêche une charge trop rapide. La constante
de temps lors du processus de charge τ = Ra C1 est de l’ordre de 10 à 20 s.
Lorsque la tension disruptive U0 de l’éclateur E est atteinte, C1 se décharge brusquement dans
C2 a travers la résistance de front R1. la résistance de queue d’onde R2 étant beaucoup plus
grande que R1, les capacités C1 et C2 vont se décharger ensuite plus lentement dans cette
résistance R2.
Les résistances R1 et R2 servent à contrôler les constantes de temps respectivement de front et
de queue de l’onde. Ainsi, un temps de front bref requiert une charge rapide du condensateur
C2, et un temps de queue long nécessite une décharge plus lente ; ceci est réalisé en
choisissant une résistance R2 très grande par rapport à R1. Quand R2〉〉R1, au moment de
l’amorçage de l’éclateur, toute la tension U est pratiquement appliquée à R1 et C2 en série. La
charge du condensateur C2 est d’autant plus rapide que le produit R1C2 est petit.
2) Générateur de choc à plusieurs étages (Générateur de Marx)

Des tensions continues plus élevées sont obtenues avec le générateur de Marx, c’est un
ensemble de générateurs de choc a un étage, montes en cascade. Les tensions obtenues sont de
L’ordre du MV (maximum réalise env. 6 MV).
Dans une première phase, le sectionneur I ferme permet la charge en parallèle des n
condensateurs C à travers de grandes résistances de charge Rch ; l’alimentation étant assurée
par une source continue de tension U0 (généralement comprise entre 50 et 200 kV).
Ensuite, dans une deuxième phase, le sectionneur est ouvert et l’amorçage de tous les
éclateurs Ei est commande presque simultanément (la tension de claquage des éclateurs a
sphères étant ajustée légèrement au-dessus de U0); à ce moment précis les condensateurs C se
trouvent en série et constituent une source de tension égale à nU0.
Fig 5.8 Générateur de Marx à 5 étages
3) Générateur de Ruhmkorff
La haute tension est produite par l’interruption du courant dans un circuit inductif.
Les vibrations du rupteur ferment et ouvrent brusquement le circuit.
L’équation du circuit est :
݀݅௣ ݀݅௦
‫ݑ‬௣ ൌ ܴ௣ ݅௣ ൅ ݈௉ ൅‫ܯ‬
݀‫ݐ‬ ݀‫ݐ‬
ou Rp et Lp sont la résistance et l’inductance de L’enroulement primaire ;
Fig 5.9 Générateur de Ruhmkorff
ip et is courants primaire et secondaire ; M l’inductance mutuelle entre les circuits primaire et

secondaire.
ௗ௜೛ ௗ௜
Comme l’interruption du courant est très brève (dt ≅ 0), les termes ݁‫ݐ‬ௗ௧ೞ sont
ௗ௧
tellement élevés qu’ils produisent, pendant un bref moment, de la haute tension.

Ces générateurs sont utilisés, lorsqu’on a besoin d’une haute tension pendant une durée très
brève, comme l’allumage par exemple. On les trouve pour l’allumage des lampes à décharge
et l’allumage des moteurs à explosion (bobine HT des voitures).
4) Générateur de Tesla : Il fournit une haute tension oscillante.
Le condensateur C1 se charge par l’intermédiaire du transformateur HT associe à la diode D.
Fig 5. 10 Générateur de Tesla
Le transformateur charge le condensateur C1 a une tension U1. Quand la tension est

suffisamment grande, le claquage de l’éclateur E provoque la décharge de l’énergie
emmagasinée dans C1 dans un système de deux circuits RLC couples, générant une tension de
sortie U2 qui croit de façon oscillante.
Les résistances R1 et R2 servent a amortir l’oscillation. L’arrêt de la tension oscillante
s’effectue par l’extinction de l’arc aux bornes de l’éclateur par soufflage d’air. Des tensions a
HF fréquence 104 a 105 Hz sont obtenues et qui peuvent atteindre des valeurs de 1 MV.
V.2 Métrologie en HT :
V.2.1 Mesure de la HT alternative et continu et de choc
Pour la mesure de haute tension en alternative et continu et la tension de choc en distingue ces
appareillages
Tension Continue Tension alternative Tension de choc
Voltmètre électrostatique Voltmètre électrostatique Mesure par éclateur
Mesure par éclateur Mesure par éclateur Diviseur capacitif avec
Diviseur résistif Mesure galvanométrique à l’aide adaptation
Mesure galvanométrique a d’une capacité Diviseur résistif avec
l’aide d’une résistance Diviseur capacitif adaptation
Transformateur de tension
. 1) Voltmètre électrostatique : Il fonctionne suivant le
principe de la force d’attraction électrique Fe entre

deux charges. Le disque mobile M relie au potentiel
HT à mesurer, et situe au centre de l’anneau de garde
G, est attiré par le disque fixe F, l’attraction est
d’autant plus forte que le potentiel est élevé. Une
aiguille d’indication de mesure est reliée à l’électrode
M, la force de rappel du disque M étant assurée par un
contre poids P qui permet aussi de régler le calibre de
mesure.
L’anneau de garde G, de même diamètre que
l’électrode fixe F, assure l’uniformité du champ
électrostatique suivant l’axe vertical entre les
Fig 5.10 Le disque mobile et
électrodes fixe et mobile l’anneau de garde (vus de dessus),
La précision de mesure de ces appareils égale a environ 0,1, est bonne. De plus, le voltmètre
électrostatique permet de mesurer des tensions allant jusqu’à 270 kV.
Des voltmètres spéciaux peuvent mesurer des tensions de 600 kV et plus ; dans ce cas, le
voltmètre est place dans une enceinte étanche ou l’espace inter électrodes est rempli par un
gaz électronégatif comme le SF6 ou le nitrogène, et porte à une haute pression de 15
atmosphères. Quelques fois, le gaz pressurise est remplacé tout simplement par du vide.
Il n’y a pratiquement pas d’énergie perdue par ce voltmètre car le seul courant qui puisse
circuler est un courant de fuite entre les électrodes qui est négligeable. Les pertes sont donc
Négligeables lors de la mesure des tensions continues et alternatives. Néanmoins, comme ces
pertes sont proportionnelles à la fréquence de la tension elles deviennent considérables lors de
la mesure des hautes tensions HF (Haute Fréquence de l’ordre du MHz).
C’est le meilleur moyen recommande pour la mesure des tensions continues et alternatives.
2) Mesure par éclateur : L’éclateurs est constitué de deux électrodes sphériques identiques,
dont l’une est reliée a la terre et l’autre reliée au potentiel à mesurer, ou la distance inter-
électrodes d est réglable.
Il peut être conçu pour être utilise soit:
• Dans une position horizontale (voir la figure ci-dessous) qui est la disposition la plus
fréquemment utilisée ;
• Dans une position verticale, utilisée pour les sphères de grand diamètre D (D ≥ 50cm).
L’éclateur peut être utilise pour la mesure des trois types de tension : alternative et onde de
choc (valeur crête), ainsi que la tension continue. Il compte parmi les tous premiers appareils
utilisés pour la mesure des HT. Il constitue la référence conventionnelle permettant
d’étalonner tous les types de voltmètres utilises dans un laboratoire d’essais à haute tension.
La précision de mesure dépend entre autres de l’uniformité du champ entre les sphères ; celle-
ci pourrait être améliorée avec une forme géométrique des électrodes moins arrondie et plus
plate.
3) Mesure Galvanométrique : La mesure de la tension est effectuée par la dérivation d’un
courant I à travers une grande résistance de mesure R (R ≥1MΩ ). La mesure du courant I
donne la valeur de la tension U = RI.
Vu la grande valeur de R, le courant I doit être très petit (de l’ordre du milliampère) pour
minimiser l’échauffement par effet Joule. D’autre part, la mesure d’un courant faible pourrait
éventuellement être faussée par des courants parasites, tels que les courants de fuite ou ceux
produits par effet couronne.
La précision de mesure dépend de la qualité de la résistance qui ne doit pas varier
énormément avec la température et avoir un faible coefficient de température ; la précision est
généralement très bonne, de l’ordre de 0,01 %.
La précision de mesure est difficile à garantir étant donné que la valeur de la résistance est
fonction de la température, de l’humidité, du vieillissement, etc…v
4) Diviseurs De Tension
a) Diviseur résistif : Un diviseur de tension est forme d’une grande résistance R1 et
d’une petite résistance R2 placées en série.
Rapport de division g:
ܷ ܴଵ ൅ ܴԢଶ 1 1 1
݃ൌ = ܽ‫= ܿ݁ݒ‬ +
ܷଶ ܴԢଶ ܴԢଶ ܴԢଶ ܴ௩
Ou Rv la résistance du voltmètre or Rv>> R2 donc R’2 R2 donc
௎ ோభାோమ ோభ
= Alor ܷ ൌ ܷଶ
௎మ ோమ ோమ
La mesure de la ddP U2 aux bornes de R2 nous donne la valeur de la tension globale U.

b) Diviseur capacitif : En tension alternative, on recourt au diviseur capacitif pour
minimiser les pertes d’énergie. La capacité C1 est un condensateur à haute tension dont
la valeur de capacité est beaucoup plus faible que celle du condensateur C2 de la
branche basse tension. D’autre part, on néglige la grande impédance du voltmètre
devant celle de C2
Rapport de division :
U Cଵ + Cଶ
g= =
Uଶ Cଵ
େభାେమ
Comme : ܷଶ ൌ ܷ,
େభ Fig 5.11Diviseur de tension
La mesure de U2 nous donne la tension

globale U.
5) Transformateur de mesure
On utilise aussi tout simplement un transformateur de tension abaisseur de petite puissance;
afin de connaitre la tension à mesurer il suffit de multiplier la tension mesurée au secondaire
par le rapport de transformation. Il donne des mesures très précises, mais il est surtout utilise
pour la mesure des tensions des réseaux de puissance et rarement utilise dans les laboratoires
V.2.2 Mesure des pertes diélectriques : Mesures au pont de Schering : C'est le
montage classique utilisé pour la mesure des condensateurs en haute tension et pour
déterminer les pertes diélectriques dans les isolants en général (mesure sur éprouvettes
d'isolants solides, liquides ou gazeux) et des appareils complets. Une mesure des pertes
diélectriques permet de contrôler la qualité de l'isolant des enroulements de machines, des
câbles, des condensateurs à haute tension. Par exemple, la présence d'humidité dans un isolant
au papier imprégné se traduit immédiatement par une augmentation des pertes diélectriques.
Le diagramme vectoriel du condensateur réel est le suivant :
Fig 5.12 schéma équivalent et diagramme vectoriel

ூ
‫ܫ‬ൌ ݆ܷ௖߱‫ܥ‬௫Þ ܷ௖ = ௝ఠ ஼ (5.1)
௎ೝ
‫ ߜ݃ݐ‬ൌ (5.2)
௎೎
ோೣூ
‫ߜ݃ݐ‬௦ = ಺ =ܴ௫߱‫ܥ‬௫ (5.3)
ഘ ಴ೣ
Fig 5.13 Schéma du pont de Schering

Le condensateur à mesurer est figuré par la capacité Cx et la résistance représentative des

pertes par Rx. Cn est un condensateur étalon, (en général à gaz SF6 sous pression)
pratiquement sans pertes diélectriques (δ < 10-5).
R3 est une résistance de précision (décades) alors que C4 est constituée par des décades de
condensateurs à faibles pertes (condensateurs au polystyrène). Cette capacité C4 est shuntée
par une résistance de précision R4, qui est parfois ajustable.
Donc tgδx = R4 ⋅ω⋅C4 (5.4)
V.3 Elément de la compatibilité électromagnétique
1) Généralité sur les systèmes perturbés : Les systèmes électriques et/ou électroniques ne
sont pas isolés de leur environnement. De l’énergie électromagnétique peut donc franchir non
intentionnellement leurs frontières soit pour y pénétrer, soit pour s'en échapper. Cette énergie
parasite est appelée perturbation électromagnétique.
Si nous nous intéressons à l'environnement électromagnétique d'un équipement, nous pouvons
distinguer les sources de perturbations d'origine naturelle et les sources de perturbations qui
tiennent à l'activité humaine.
Parmi les sources de perturbation d'origine naturelle, nous pouvons citer :
 La foudre (décharge électrostatique entre nuages ou entre nuage et sol) ;
 Les rayonnements cosmiques et en particulier solaires
Parmi les sources de perturbation qui découlent de l'activité humaine, on peut distinguer trois
catégories :
 Les sources de rayonnement électromagnétique volontairement créées par l'homme :
émetteurs radio, télévision, radar, téléphones portables, etc. ;
 Les sources de perturbation involontaires qui proviennent de l'utilisation de l'électricité
: lignes de transport de l'énergie, éclairage fluorescent, moteurs électriques,
alimentations des systèmes électroniques, etc.
 Les décharges électrostatiques qui impliquent le corps humain ou des matériaux mis
en mouvement par l'homme.
Un équipement électrique ou électronique peut devenir victime de l'environnement
électromagnétique dans lequel il opère. Le fonctionnement du système est alors perturbé. Ce
qui peut aller du simple désagrément, comme le grésillement d'un récepteur radio, à la perte
de fonctionnalité momentanée ou permanente. Il est donc indispensable de se préoccuper lors
de sa conception des perturbations électromagnétiques qu'il aura à subir et de sa capacité à
leur résister.
Parallèlement, en tant qu'émetteur non intentionnel d'énergie électromagnétique, un système

électrique ou électronique constitue une source potentielle de perturbations.
La compatibilité électromagnétique (CEM) est la discipline qui a pour objet d'étudier les
problèmes de cohabitation électromagnétique. Sa vocation est :
 D’étudier les transferts d'énergie non intentionnels entre systèmes électriques et/ou
électroniques ;
 De mettre au point des procédés permettant de limiter les perturbations
électromagnétiques émises et ainsi de satisfaire à la réglementation en vigueur ;
 De mettre au point des procédés permettant d'accroître l'immunité des systèmes aux
parasites dans des limites faisant également l'objet de réglementations
Les perturbations électromagnétiques peuvent prendre deux formes distinctes : les
perturbations dites conduites et celles dites rayonnées. Les gammes de fréquences
correspondant à chacune d'elles sont différentes et complémentaires (150kHz-30MHz et
30MHz-1GHz dans notre exemple).
 Les signaux parasites émis par la source (par exemple dans un convertisseur statique,
la ou les cellules de commutations) sont propagés vers la source d'énergie (ou vers la
charge) qui est désignée par le terme de "victime", de plusieurs façons, liées à leur
environnement respectif. Deux cas peuvent alors se présenter :
 Si la source et la victime sont voisins avec ou sans liaison galvanique, le couplage est
dit proche et il peut être de nature capacitive, inductive ou résistive. Les outils
d'analyse font appel à des modèles de types réseau électrique où les couplages sont
représentés par des phénomènes perturbateurs sont dans ce cas les variations rapides
de courant ou de tension (di/ dt ; dv/dt Ce type de perturbations est appelé
perturbations conduites et elles se développent dans les câbles ou conducteurs de
liaisons aux réseaux, sources d'énergie ou charges.
 Si source et victime sont éloignées et sans liaison galvanique, la perturbation est
transmise par une onde électromagnétique, on parle de perturbations rayonnées ou
propagées. Les phénomènes sont décrits avec les outils théoriques et expérimentaux
propres à ce domaine (équation de Maxwell et utilisation d'antennes de mesure).
2) Règle pratique de protection contre les champs électrique et magnétique
De nombreuses dispositions constructives permettent d’avoir à coûts réduits des matériels

Présentant une bonne tenue aux perturbations électromagnétiques. Ces précautions concernent
:
a ) La conception des circuits imprimés : Lors du dessin des cartes, un certain nombre de
règles sont à respecter. Ces règles concernent le découpage fonctionnel des cartes et le tracé
des pistes. Tout d’abord à l’implantation, il est déjà possible à leur proximité ; par exemple le
regroupement des circuits par type : numérique - analogique - puissance, en fonction de leur
susceptibilité réduit leurs interférences. D'autre part le tracé des pistes (routage) sur un circuit
imprimé a une incidence importante sur la susceptibilité d’une carte : le même schéma
électrique, implanté de différentes manières aura une immunité aux perturbations pouvant
varier d’un facteur un à plusieurs dizaines. Par exemple un tracé des circuits à l’anglaise en
retirant le minimum de cuivre réduit leur rayonnement et leur sensibilité
b) Le choix des composants électroniques : De nombreux composants permettent d’assurer
une protection efficace contre les perturbations conduites. Le choix de ces composants est
guidé par la puissance des circuits à protéger (alimentation, contrôle-commande,…), et en
fonction du type de perturbations. Ainsi, contre les perturbations de mode commun sur un
circuit de puissance, un transformateur sera utilisé si elles sont de basses fréquences (< 1
kHz), et un filtre sera préféré pour les hautes fréquences.
c) La réalisation des enveloppes : La réalisation d’une enveloppe conductrice (blindage)

autour des équipements sensibles est un moyen de les protéger contre les champs
électromagnétiques. Pour une bonne efficacité, l'épaisseur du matériau conducteur utilisé doit
dépasser la valeur de son épaisseur de peau aux fréquences perturbatrices considérées. Face à
une perturbation, très haute fréquence ou à un champ électrique, un vernis conducteur peut
être utilisé avec efficacité. Mais seule une enveloppe en matériaux à forte perméabilité permet
d'arrêter les champs magnétiques en BF.
d) L'interconnexion des masses : Dans ce domaine, la continuité électrique entre les

différentes parties du boîtier est extrêmement importante. Leur connexion doit être réalisée
avec soin, par exemple en protégeant leurs zones de contact de tout dépôt de peinture, mais
aussi en utilisant des tresses larges et courtes (recherche d’une réduction maximale de leur
impédance).
f) Le câblage : De même, le blindage des câbles, parfois appelé écran (cf. vocabulaire des
câbliers), est une extension de l’enveloppe conductrice réalisée autour de l’équipement
sensible. Il est donc relié à celle-ci au plus court, et si possible sur toute sa circonférence pour
une protection contre des perturbations de fréquences élevées.
V.4 Décharge électrique :

La décharge électrique désigne le passage du courant dans un isolant, lors d’un claquage.
On appelle claquage la perte subite de la propriété isolante d’un diélectrique soumis à un
champ électrique, manifesté souvent comme une modification irréversible du diélectrique
Le claquage est caractérisé par l’apparition brusque d’un courant électrique intense dans
un isolant.
La rigidité diélectrique Ec est la valeur maximale du champ auquel peut être soumis un
diélectrique, sans apparition d’un claquage.
V.4.1 Décharge dans les gaz
Dans un volume de gaz, les électrons libres fortement accélérés sous l’action d’un
champ électrique intense sont susceptibles de produire par leurs chocs avec les molécules du
gaz des électrons et ions positifs en avalanche et des ions négatifs dans les gaz électronégatifs.
Une avalanche d’électrons se développe par le suivant mécanisme : un électron libre
initial dans le volume de gaz est accéléré dans le champ électrique extérieur et cède à un
atome pendant l’impact une partie de son énergie. L’électron continue d’être accéléré. Après
plusieurs tels impacts, l’électron accumule l’énergie wi qui, fourni à un atome, réussit arracher
un électron. Les deux électrons continuent d’être accélérés et après n impacts ionisants le
nombre d’électrons créés est 2n. L’énergie wi nécessaire pour l’ionisation d’un atome de gaz
s’appelle énergie d’ionisation.
La plus complète théorie, la théorie de Townsend, détermine la tension de claquage Uc
pour un gaz trouvé entre deux électrodes plans et parallèles de surface étendue, situés à la
distance d et alimentés avec une tension continue. On considère que l’électron ne cède pas
d’énergie par choc si son énergie est w < wi (impact non ionisant) et la vitesse est nulle après
chaque impact. Un choc ionisant avec la création d’un électron secondaire se produit si
l’énergie de l’électron devient w > wi. On considère aussi que les ions positifs n’ont pas une
vitesse suffisante pour provoquer des ionisations par choc du fait de leur masse supérieure.
En notant avec a le parcours moyen ionisant (égal avec la distance d’entre deux chocs
ionisants successifs) on peut écrire :
q0  E  a  wi (5.5)
où : E  a  U i (5.6)
Ui représente le potentiel électrique d’ionisation.
On définit le premier coefficient d’ionisation α comme le nombre des chocs ionisants

produits d’un électron sur l’unité de longueur de son parcours. Le coefficient α a
1  a
l’expression : α  ~ exp  ~ 
l  l
~
Dans un gaz le parcours libre moyen l  1/p , p étant sa pression, on peut écrire le
coefficient α en fonction de grandeurs macroscopiques. Avec les relations :
1
~  A  p , B  A U i
l
 B p
et s’obtient :   A  p  exp 
 E 
Où A et B sont constantes. En exprimant le champ électrique E en fonction de la tension
appliquée aux électrodes (E=U/d) l’expression du coefficient α devient :
 B pd 
  A  p  exp 
 U 
V.4.2 Décharge dans les liquides

Le claquage des liquides est un phénomène complexe qui n’a pas une théorie complète.
Quelques théories sont consacrées.
a. La théorie de l’ionisation (Peek) est similaire à celle du claquage des gazes (théorie de
Townsend). On peut justifier les valeurs plus élevées de la rigidité diélectrique Ec des liquides
par le parcours moyen ionisant a plus petit du fait que leurs atomes sont plus proches.
b. La théorie du claquage thermique considère que par l’effet Joule, le gaz se peut
vaporiser localement et dans ces bulles on a lieu le claquage du gaz conformément à la théorie
de Townsend. Dans les liquides Ec baisse en présence des impuretés dissociables.
L’augmentation de la fréquence du champ implique l’augmentation de la rigidité diélectrique
en absence des pertes spécifiques.
V.4.3 Décharge dans les solides

Les claquages des solides sont classés en deux catégories : claquages intrinsèques; claquages
thermiques.
1) Le claquage intrinsèque
Ce type de claquage se déroule en avalanche comme aux gaz par collisions ionisantes produits
des électrons de conductions. Le déplacement des trous vers la cathode crée des charges
d’espace qui renforcent le champ électrique au voisinage de la cathode. Par suite, l’émission
électronique augmente et l’isolant est détruit rapidement.
Ce type de claquage se déroule très rapidement, en temps de l’ordre de la microseconde et
laisse dans le matériau une trace sous forme de canal fin. La dépendance de la rigidité
diélectrique des dimensions de l’isolant et des électrodes est très faible.
2) Le claquage thermique
Les pertes diélectriques et par l’effet Joule provoquent un dégagement de chaleur dans
l’isolant. Lorsque la quantité de chaleur produite est supérieure à celle évacuée, la température
augmente, entraînant l’accroissement de la conduction et de la chaleur par l’effet Joule dans
un processus d’instabilité thermique. Il résulte une augmentation de la température de l’isolant
par rapport au milieu ambiant qui produit la dégradation de l’isolant. Le mécanisme se
déroule en temps relativement long de l’ordre de la seconde.
Le claquage thermique est favorisé des conditions défavorables d’évacuation de la chaleur.
On peut démontrer que la tension de claquage thermique est reliée à la fréquence f par
C
l’expression : Uc 
f
C étant une constante.
Le claquage thermique suit le claquage intrinsèque. En général le claquage d’un isolant
solide est une combinaison entre les deux types de claquage. On peut identifier le type de
claquage dominant d’après ses conséquences (la forme de la trace) et du temps de
déroulement.
V.4.4 Protection contre la foudre

Toutes les protections utilisées contre la foudre consistent à dévier le courant vers la terre.
Notons que les perturbations dues aux coups de foudre directs (déclenchement et
réenclenchèrent des disjoncteurs) sont beaucoup plus fréquentes que les dégâts eux-mêmes
dont on a appris à se prémunir, on distingue.
 Paratonnerre : Le Paratonnerre est un conducteur relié à la terre qui présente au
sommet une forme pointue. Il est placé sur ou près de l’installation à protéger.
 Eclateur : L’éclateur est généralement placé en parallèle avec l’isolateur, il est formé
de deux électrodes-pointes, dont l’une est reliée à la terre et l’autre à l’installation à
protéger
 Parafoudre (Varistance) : La varistance est une résistance non linéaire qui chute
considérablement lorsque la tension augmente. En fonctionnement normal en
l’absence de surtension, la résistance de la varistance est très élevée et empêche le
passage du courant de la ligne vers la terre. Par contre, en régime de surtension la
résistance chute subitement pour dévier le courant, et donc la surtension, vers la terre.
 Câbles de garde : Le câble de garde protège contre la foudre car il est placé juste au-
dessus des conducteurs, en cas de coup de foudre c’est lui qui est touché en premier.
Après l’impact de la foudre il transfère le courant vers la terre à travers le pylône.
 Cage maillée : Protection utilisée dans les bâtiments (nouveaux) sensibles et
importants (Electronique, informatique, militaire…). Le blindage externe protégé
contre les ondes de la foudre.
V.5 Effet couronne
L’effet de couronne se produit sur tous les conducteurs et lignes soumis à une haute tension.
Dés que le champ électrique à la surface du conducteur devient suffisamment grand (supérieur
au champ d’ionisation de l’air, ≈ 30 kV/cm), l’air s’ionise et forme autour du conducteur une
couronne lumineuse (Figure)
La lumière de la décharge couronne n’est visible que sur les lignes THT (U ≥ 400kV),
lorsqu’il fait sombre.
Inconvénients : pertes couronne, interférence avec les ondes radio, bruit et vibrations des
conducteurs.
Avantages : plusieurs applications industrielles (Filtres électrostatiques, séparateurs
électrostatiques, photocopie…).
L’effet couronne devient très gênant pour les réseaux à partir de 345 kV. Le bruit et le champ
électrique superficiel représentent actuellement les paramètres d’environnement les plus
importants à prendre en considération lors de la construction de nouvelles lignes U ≥ 750 kV.
L’effet couronne se produit principalement sur les conducteurs de ligne, mais aussi sur les
parties métalliques aiguës reliées à la haute tension, telles que sur l’isolateur, surtout par
temps humide.
V.5 Impacte de la HT sur l’environnement
Les lignes Haute Tension (HT) et Très Haute Tension (THT) près ou au-dessus des
habitations génèrent des craintes et des questionnements, quant à leurs conséquences sur la
santé des riverains. La circulation du courant électrique dans une ligne Haute Tension ou Très
Haute Tension crée des champs magnétiques à très basses fréquences. Ces champs sont
potentiellement dangereux pour la humaine, et particulièrement pour celle des enfants.
Les champs électriques et magnétiques induisent dans notre corps des courants qui interférent
avec ceux de l'organisme et peuvent provoquer des effets biologiques désastreux ayant des
répercussions importantes sur la santé. On donne quelques exemples :
 Maux de tête, malaises, nervosité, irritabilité, dépression.
 Difficultés de concentration, insomnies.
 Manque de repos : on se réveille plus fatigué que lorsque l'on s'est couché.
 Diminution des défenses immunitaires.
 Acidification de l'organisme.
 Augmentation du risque de fausses couches.
 Diminution de la sécrétion de mélatonine.
 Enfin, à plus long terme, risque de cancers, leucémie, tumeurs du système nerveux...
Notre environnement électromagnétique saturé modifie dangereusement les informations
électriques naturelles intervenant dans le fonctionnement des organismes vivants.
Référence Bibliographique 2017
Référence Bibliographique
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Structure Electrotechniques - L’hystérésis Magnétique Sous l’Effet des Contraintes
Magnétique et Mécanique ; Thèse de doctorat en sciences ; 2016
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Dr NACEUR Sonia

I.20 Pertes diélectrique 15

II.12 Matériaux doux 28

Chapitre IV : Supraconductivité et matériaux supraconducteurs

IV.3 Application et intégration des supraconducteurs dans le génie électrique 43

Chapitre V : Technique de Haute Tension

Chapitre UN : Matériaux Diélectrique

Fig 1.1 Dipôle électrique (modèle).

I.1.3 Vecteur polarisation P

Soit un volume V, limité par la surface fermée A, et contenant N dipôles. La

On appelle aussi P, vecteur polarisation ou simplement polarisation. A l'échelle du

I.2 Représentation d'un état de polarisation

∫஺ ߪᇱ݀‫ ܣ‬൅ ∫௏ ߩᇱܸ݀ ൌ Ͳ (1.7)

I.3 Induction Électrique (généralisation de loi de Gauss)

En dehors du diélectrique, le théorème de Gauss est inchangé. Dans le diélectrique, il

Avec ߩ௙ est la distribution de charges de densité volumique et donnée par :

ߝ est la permittivité diélectrique absolue et ߝ௥ la permittivité diélectrique relative (par

I.4 Permittivité diélectrique :

La Permittivité diélectrique (constante diélectrique) symbolise la propriété du

C’est à dire du rapport entre la constante diélectrique du matériau et celle de la

I.5 Condition aux limites dans les diélectriques

Fig 3 – Répartition des champs électriques dans un matériau diélectrique ℇ de

En appliquant la loi de Gauss, on établit la relation

(Dn2- Dn1 ) ∆S = σ ∆S où ሬሬሬሬ

sont les composantes normales de l’induction dans les milieux de permittivités ߝଵ et

I.6 Champ local EL

I.8.2 La polarisation ionique

La polarisation ionique résulte du déplacement en sens contraire des ions de signes

I.8.3 La polarisation par orientation

I.8.3 La polarisation interfaciale

polarisation interfaciale, la polarisation résultant des accumulations locales de charges

En identifiant cette expression de la polarisation à celle donnée par (1.11), on tire

Connue sous le nom d'équation de Clausius-Mosotti. Cette équation relie les

où εm est la permittivité relative du mélange, εi celle du constituant i. Il y

Fig 5 – Représentation du phénomène de résonance électronique et atomique

 Les phénomènes de relaxation, dus généralement à l’oscillation de dipôles à des

Aux basses et très basses fréquences apparaissent des phénomènes de relaxation de

Le courant de conduction résulte du mouvement des charges qui se déplacent

σ étant la conductivité du diélectrique et R la résistance. On obtient donc pour la

soit, en considérant le milieu comme isotrope :

Fig 6 Loi d’Ohm dans un diélectrique

Dans un diélectrique, la loi de Gauss se traduit par la relation :

En tenant compte de l’équation de conservation des charges :

D’après Maxwell, toute variation du champ électrique doit provoquer l’apparition

microscopiques produits par de faibles déplacements relatifs li des charges liées. En

effet, si divers porteurs de charges qi , présents dans un volume macroscopique à la

I.12.3 Conduction des isolants (expérience)

Où ∆W est l’énergie d’activation

I.14 Schéma équivalent d’un diélectrique régime statique

Circuit RC parallèle. Circuit RC série.

C représente la capacité entre les deux conducteurs et R est la résistance d'isolement

Fig 8 Variation des courants d’absorption, de conduction et de résorption en

I.16 Indice de polarisation

L’isolation est considérée comme satisfaisante si : IP≤ 2

I.17 Schéma équivalent d’un diélectrique régime variable

L'impédance Zp équivalente du circuit RC parallèle

L'impédance équivalente au modèle RC série

I.20 Pertes diélectrique

II présente donc une composante en phase avec U, traduisant la dissipation d'une

également appelé tangente de l'angle de pertes ou tan δ.

I.20 Effet de la fréquence sur les pertes diélectrique

I.21 Rigidité diélectrique et mécanismes de claquage

 Le claquage intrinsèque du matériau qui est lié à des phénomènes électroniques,