Panneaux Solaires PDF

Document d'application technique n10
Installations photovoltaques
Technical Application Papers
Table des matires
Introduction................................................ 4 2 Production d'nergie............... 18
PARTIE I 2.1 Circuit quivalent de la cellule................. 18
1 Gnralits sur les installa- 2.2 Caractristique courant-tension de la
cellule....................................................... 18
tions photovoltaques (PV)... 5
2.3 Schma de raccordement au rseau...... 19
1.1 Principe de fonctionnement...................... 5
2.4 Puissance crte nominale....................... 20
1.2 nergie solaire........................................... 5
2.5 Prvision de production annuelle
1.3 Principaux composants d'une installation d'nergie.................................................. 20
photovoltaque............................................ 8
1.3.1 Gnrateur photovoltaque.............................. 8
2.6 Inclinaison et orientation
1.3.2 Onduleur........................................................ 11 des panneaux.......................................... 22
1.4 Types de panneaux photovoltaques ..... 12 2.7 Tensions et courants d'une installation
1.4.1 Panneaux en cristaux de silicium.................. 12 PV............................................................ 24
1.4.2 Panneaux couche mince............................ 13 2.8 Variation de la production d'nergie....... 24
1.5 Types d'installations photovoltaques..... 15 2.8.1 Irradiance....................................................... 24
1.5.1 Installations autonomes................................. 15 2.8.2 Tempratures des modules........................... 25

1.5.2 Installations raccordes au rseau................ 16 2.8.3 Ombrage........................................................ 25
1.6 Intermittence de la gnration et

stockage de l'nergie produite................ 17
3 Mthodes d'installation et
configurations................................. 26
3.1 Intgration architecturale................................ 26
3.2 Configuration du champ solaire ..................... 27
3.2.1 Installation mono-onduleur..................................... 27
3.2.2 Installation avec un onduleur pour chaque string... 27
3.2.3 Installation multi-onduleurs..................................... 27
3.3 Choix de l'onduleur et interfaage.................. 28

3.4 Choix des cbles............................................. 32
3.4.1 Types de cbles....................................................... 32
3.4.2 Section et intensit admissible..................................... 32
Suite
1
Table des matires
PARTIE II Contexte italien
6 Protection contre les surin-
4 Raccordement au rseau et tensits et les surtensions..... 42
mesure de l'nergie................... 33
6.1 Protection contre les surintensits du ct DC.42
4.1 Gnralits...................................................... 33 6.1.1 Protection des cbles.............................................. 42
6.1.2 Protection des strings contre le courant inverse..... 43
4.2 Montage en parallle au rseau BT................ 34
6.1.3 Comportement de l'onduleur.................................. 43
4.3 Montage en parallle au rseau MT................ 36 6.1.4 Choix des dispositifs de protection......................... 43
4.4 Mesure de l'nergie produite et change 6.2 Protection contre les surintensits du ct AC.44
avec le rseau................................................. 38
6.3 Choix des dispositifs de commutation et de
dconnexion.................................................... 44
5 Mise la terre et protection
contre le contact indirect... 39 6.4 Protection contre les surtensions.................... 45
6.4.1 Foudroiement direct................................................ 45
5.1 Mise la terre.................................................. 39 6.4.1.1 Btiment sans systme de protection
contre la foudre (LPS)................................. 45
5.2 Installations avec transformateur.................... 39 6.4.1.2 Btiment avec systme de protection
5.2.1 Parties conductrices exposes du ct charge du contre la foudre (LPS)................................. 45
transformateur......................................................... 39
6.4.1.3 Installation PV au sol.................................. 46
5.2.1.1 Installation avec systme IT........................ 39
6.4.2 Foudroiement indirect............................................. 46
5.2.1.2 Installation avec systme TN....................... 39
6.4.2.1 Protection du ct DC................................ 47
5.2.2 Parties conductrices exposes du ct
6.4.2.2 Protection du ct AC................................ 48
alimentation du transformateur................... 40
5.3 Installations sans transformateur ................... 41
2
PARTIE III
Annexe A Nouvelles technologies de panneaux
7 Solutions d'ABB pour les ap-
A.1 Technologies mergentes................................. 55
plications photovoltaques... 49
A.2 Photovoltaque concentration......................... 56
7.1 Disjoncteurs botier moul et disjoncteurs A.3 Photovoltaque avec panneaux cylindriques...... 56
ouverts............................................................. 49
7.1.1 Disjoncteurs botier moul T Tmax pour les
Annexe B Autres sources d'nergie renouvelables
applications de courant alternatif............................ 49
7.1.2 Disjoncteurs diffrentiels........................................ 50 B.1 Introduction..................................................... 57
B.2 nergie olienne.............................................. 57
7.2 Contacteurs................................................... 50
B.3 nergie de la biomasse................................... 57
7.3 Interrupteurs-sectionneurs............................ 50 B.4 nergie gothermique..................................... 58
7.4 Disjoncteurs miniatures................................. 51 B.5 nergie marmotrice et nergie variable.......... 58

B.6 nergie mini-hydrolectrique........................... 59
7.5 Dispositifs de protection contre les surtesions,
B.7 nergie solaire thermique................................ 59
Type 2............................................................ 52
B.8 nergie solaire thermodynamique.................... 61
7.6 Fusibles sectionneurs et porte-fusibles........ 52 B.9 Systmes hybrides.......................................... 63
7.7 Tableaux de distribution................................ 53
7.8 Units de consommation murales................. 53
7.9 Botes de jonction......................................... 53
7.10 Bornes de raccordement............................... 54

7.11 Automates programmables........................... 54
3
Introduction
Dans le contexte nergtique et environnemental mondial et de protection contre les surintensits, les surtensions
actuel, l'objectif visant rduire les missions de gaz et le contact, afin de bien choisir les dispositifs de com-
Introduction
effet de serre et les substances polluantes (au-del du mande et de protection des diffrents composants des
protocole de Kyoto), en exploitant et en combinant des installations.
sources d'nergie alternatives et renouvelables ainsi Ce document technique est divis en trois parties : la
qu'en rduisant l'utilisation de combustibles fossiles premire partie, qui est plus gnrale et comprend les
vous l'puisement en raison de leur forte consomma- trois premiers chapitres, dcrit le principe de fonctionne-
tion dans de nombreux pays, est devenu capital. ment des installations PV, leur typologie, les principaux
Le Soleil constitue naturellement une source d'nergie composants, les mthodes d'installation et les diffrentes
renouvelable offrant un grand potentiel et pouvant tre configurations. Elle propose par ailleurs une analyse de
utilise tout en respectant l'environnement. chaque la production d'nergie d'une installation et illustre la
instant, la surface de l'hmisphre terrestre expose manire dont celle-ci varie en fonction de quantits dter-
au Soleil reoit une nergie suprieure 50 000 TW par mines. La seconde partie (comprenant les chapitres
consquent, la quantit d'nergie solaire atteignant la quatre a huit) traite des mthodes de raccordement au
surface de la Terre est considrable, quivalant prs de rseau et des systmes de protection puis fournit une
10 000 fois l'nergie utilise dans le monde entier. description du systme de tarif de rachat ainsi qu'une
Parmi les diffrents systmes utilisant des sources analyse conomique simple de l'investissement requis
d'nergie renouvelables, le photovoltaque s'avre pro- pour la mise en place d'une installation PV, en faisant
metteur en raison de ses qualits intrinsques: ses frais notamment rfrence a la situation Franaise et aux
de fonctionnement sont trs rduits (le combustible est normes, rsolutions et dcrets en vigueur au moment
gratuit), ses exigences d'entretien sont limites, il est de l'laboration de ce document technique. Enfin, la
fiable, silencieux et relativement facile installer. De plus, troisime partie (comprenant le chapitre 9) dcrit les
dans certaines applications autonomes, le photovolta- solutions proposes par ABB pour les applications
que est trs pratique compar d'autres sources d'ner- photovoltaques.
gie, en particulier dans les endroits difficiles d'accs et
peu rentables pour l'installation de lignes lectriques
traditionnelles.
En France, la croissance du photovoltaque est lie Deux annexes viennent complter ce document tech-
la politique de tarif de rachat. Ce mcanisme visant a nique et proposent :
financer le secteur PV en rmunrant, par des mesures une description des nouvelles technologies de pan-
d'incitation mises en place par ltat, l'nergie lectrique neaux solaires et de la mthode de concentration
produite par les installations raccordes au rseau. solaire permettant d'augmenter le rayonnement solaire
sur les panneaux;
Ce document technique a pour but d'analyser les pro- une description des autres nergies renouvelables, une
blmes et les concepts de base rencontrs lors de la analyse de la situation italienne en matire d'nergie.
mise en place d'une installation photovoltaque. Partant
d'une description gnrale des modalits d'exploitation
de l'nergie solaire par des installations PV, il expose
brivement les mthodes de raccordement au rseau
4 Installations photovoltaques
PARTIE I
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

1.1 Principe de fonctionnement 1.2 nergie solaire

Une installation photovoltaque (PV) transforme directement Des ractions de fusion thermonuclaire se produisent sans
et instantanment l'nergie solaire en nergie lectrique sans cesse dans le noyau du Soleil des millions de degrs ; elles
utiliser de combustible. En fait, la technologie photovoltaque librent des quantits d'nergie considrables sous forme
(PV) exploite l'effet photolectrique, par lequel des semi- de rayonnements lectromagntiques. Une partie de cette
conducteurs correctement dops gnrent de l'lectricit nergie atteint l'espace extra-atmosphrique de la Terre avec
lorsqu'ils sont exposs au rayonnement solaire. une irradiance moyenne (constante solaire) d'environ 1,367
W/m2 3%, valeur qui varie en fonction de la distance Terre-
Les principaux avantages des installations photovolta- Soleil (Figure 1.1)1 et de l'activit solaire (taches solaires).
ques (PV) peuvent tre rsums comme suit :
Figure 1.1 - Rayonnement extra-atmosphrique
rpartition de la gnration si ncessaire ;
W/m2
absence d'mission de substances polluantes ; 1400
conomie de combustibles fossiles ;
fiabilit car les installations ne comportent pas de pices 1380
mobiles (vie utile gnralement suprieure 20 ans) ;
1360
rduction des cots de fonctionnement et d'entretien ;
modularit du systme (pour accrotre l'nergie produite 1340
par l'installation, il suffit d'augmenter le nombre de pan-
neaux) en fonction des besoins rels des utilisateurs. 1320
Cependant, le cot initial du dveloppement d'une installa-
tion PV est relativement lev car le march n'a pas encore 1300
J F M A M J J A S O N D
atteint sa pleine maturit du point de vue technique et co- Mois
nomique. De plus, la gnration d'nergie est imprvisible Par irradiance solaire, nous faisons rfrence l'intensit
en raison de la variabilit de la source d'nergie solaire. du rayonnement lectromagntique incident sur une sur-
face de 1 mtre carr [kW/m2]. Cette intensit est gale
La production annuelle d'nergie lectrique d'une instal- l'intgrale de l'nergie associe chaque valeur de
lation PV dpend de diffrents facteurs. Notamment : frquence du spectre de rayonnement solaire.
rayonnement solaire incident sur le site de l'installation ; Lorsqu'il traverse l'atmosphre, le rayonnement solaire
inclinaison et orientation des panneaux ; perd de son intensit car il est partiellement rflchi et ab-
prsence ou absence d'ombrage ; sorb (principalement par la vapeur d'eau et par d'autres
performances techniques des composants de l'instal- gaz atmosphriques). Le rayonnement qui traverse est en
lation (principalement les modules et les onduleurs). partie diffus par l'air et par les particules solides en sus-
pension dans l'air (Figure 1.2).
Les principales applications des installations PV sont
Figure 1.2 - Flux d'nergie entre le soleil, l'atmosphre et le sol
les suivantes :
1. installations (avec systmes de stockage) pour les 25% rflchis
par l'atmosphre
utilisateurs isols du rseau;
2. installations pour les utilisateurs raccords au
rseau BT ; 18% diffuss
par l'atmosphre
3. centrales PV gnralement raccordes au rseau 5% rflchis
MT. Les mesures d'incitation telles que le tarif de par le sol
rachat concernent uniquement les applications de 5% absorbs
par l'atmosphre
type 2 et 3, savoir des installations dont la puis-
sance assigne est suprieure ou gale 1 kW.
Une installation PV est essentiellement constitue d'un g-

nrateur (panneaux PV), d'un cadre de support pour monter
les panneaux au sol, sur un btiment ou sur une structure
de btiment, d'un systme de contrle de l'nergie et de 27% absorbs
climatisation, d'un ventuel systme de stockage de l'ner- par la surface du sol
gie, de tableaux de distribution lectriques et d'appareils

de commutation abritant l'quipement de commutation et
de protection et de cbles de raccordement. 1
En raison de son orbite elliptique, la Terre est une distance minimale du Soleil (prihlie)
en dcembre et en janvier et une distance maximale (aphlie) en juin et juillet.
Installations photovoltaques 5
Par ensoleillement, nous faisons rfrence l'intgrale Le rayonnement rflchi dpend de la capacit d'une
de l'irradiance solaire sur une priode donne [kWh/m2]. surface rflchir le rayonnement solaire. Il est mesur
Par consquent, le rayonnement tombant sur une sur- par le coefficient albdo calcul pour chaque matriau
face horizontale est constitu d'un rayonnement direct, (Figure 1.4).
associ l'irradiance directe sur la surface, d'un rayon- Figure 1.4 - Rayonnement rflchi
nement diffus qui frappe la surface depuis l'ensemble
Type de surface albdo
du ciel et non depuis une partie spcifique de celui-ci et
Routes sales 0.04
d'un rayonnement rflchi sur une surface donne par
Surfaces aqueuses 0.07
le sol et l'environnement (Figure 1.3). En hiver, le ciel est
couvert et le composant diffus est donc suprieur au Fort de conifres en hiver 0.07
composant direct. Asphalte us 0.10
Toits et terrasses en bitume 0.13
Figure 1.3 - Composants du rayonnement solaire
Terre (argile, marne) 0.14
Herbe sche 0.20
Gravats 0.20
Bton us 0.22
Fort en automne/champs 0.26
constante solaire
Rduction Herbe verte 0.26
du rayonnement solaire
Surfaces fonces de btiments 0.27
Feuilles mortes 0.30
Diffus Surfaces claires de btiments 0.60

Direct 0.75
Neige frache
Rflchi
La Figure 1.5 montre l'atlas mondial de l'irradiance solaire

Figure 1.5 - Atlas solaire moyenne sur un plan inclin 30 Sud [kWh/m2/jour]
1 kWh/m2 2 kWh/m2 3 kWh/m2 4 kWh/m2 5 kWh/m2 6 kWh/m2 7 kWh/m2
En France, l'irradiance annuelle moyenne varie de 3 kWh/ sible d'obtenir pratiquement 2 MWh (5.2 * 365) par an a
m2 par jour la frontire Belge un peu plus de 4 kWh/ partir de chaque mtre carr, soit l'quivalent nergtique

m par jour au sud de Lyon. Elle peut atteindre 5.2 kWh/ de 1.5 baril de ptrole par mtre carr.
m2 par jour dans le Var (Figure 1.6). Le reste de la France varie de 1450 kWh/m2 a plus de
Par consquent, dans les rgions favorables, il est pos- 1700 kwh/m pour le quart sud est avec une moyenne
1300 kWh/m2 pour le reste du territoire.
Figure 1.6 - Ensoleillement quotidien global en kWh/m2
1.3 Principaux composants d'une installation

Dans la zone de contact entre les deux couches diffrem-
ment dopes (jonction P-N), les lectrons ont tendance
photovoltaque se dplacer de la moiti riche de l'lectron (N) la moiti

pauvre de l'lectron (P), gnrant par consquent une
1.3.1 Gnrateur photovoltaque accumulation de charge ngative dans la rgion P. Un
Le principal composant d'un gnrateur PV est la cellule double phnomne se produit pour les trous d'lectron,
photovoltaque, dans laquelle se produit la conversion avec une accumulation de charge positive dans la rgion
du rayonnement solaire en courant lectrique. La cellule N. Un champ lectrique se cre donc autour de la jonc-
est constitue d'une fine couche de matriau semi-con- tion, empchant la diffusion des charges lectriques. En
ducteur, gnralement du silicium trait adquatement, appliquant une tension de l'extrieur, la jonction permet
d'une paisseur d'environ 0,3mm et d'une surface de au courant de circuler dans un seul sens (fonctionnement
100 225cm2. d'une diode).
Le silicium, qui comprend quatre lectrons de valence Lorsque la cellule est expose la lumire, en raison
(ttravalent), est dop en ajoutant des atomes tri- de l'effet photovoltaque2, des couples lectron-trou se
valents (par ex. bore - dopage P) sur une couche et forment dans la rgion N ainsi que dans la rgion P. Le
de grandes quantits d'atomes pentavalents (par ex. champ lectrique interne permet aux lectrons en excs
phosphore - dopage N) sur l'autre. La rgion de type P (provenant de l'absorption des photons par une partie
prsente un excs de trous, tandis que la rgion de type du matriau) d'tre spars des trous et les pousse dans
N a un excs d'lectrons (Figure 1.7). des directions opposes les uns par rapport aux autres.
Par consquent, une fois que les lectrons ont pass
Figure 1.7 - La cellule photovoltaque la rgion d'appauvrissement, ils ne peuvent pas revenir
en arrire car le champ les empche de circuler dans le
Silicium dop sens inverse. En raccordant la jonction un conducteur
externe, il est possible d'obtenir un circuit ferm dans
lequel le courant circule de la couche P, avec un potentiel
suprieur, la couche N, avec un potentiel infrieur, tant
Si Si Si
que la cellule est claire (Figure 1.8).
Trou lectron libre
Figure 1.8 - Fonctionnement d'une cellule photovoltaque
B Si P
Charge
Atome Atome
de BORE de PHOSPHORE
Rayonnement Courant lectrique
Si Si Si lumineux
Silicium de type N
Rgion d'appauvrissement
Jonction P-N
Jonction Silicium de type P
Photons Flux des
lectrons
+5 +5 +5 +3 +3 +3
+5 +5 +5 +3 +3 +3 Flux des
trous
+5 +5 +5 +3 +3 +3
+5 +5 +5 +3 +3 +3
+5 +5 +5 +3 +3 +3
2
L'effet photovoltaque se produit lorsqu'un lectron se trouvant dans la bande de valence
d'un matriau (gnralement un semi-conducteur) passe dans la bande de conduction
en raison de l'absorption d'un photon incident suffisamment nergtique (quantum
+5 +5 +5 +3 +3 +3 de rayonnement lectromagntique) sur le matriau. De fait, dans les matriaux semi-
conducteurs, l'instar des matriaux isolants, les lectrons de valence ne peuvent pas
se dplacer librement. Toutefois, par rapport aux matriaux isolants, l'cart nergtique
entre la bande de valence et la bande de conduction (typique des matriaux conducteurs)
est rduit, de sorte que les lectrons peuvent facilement se dplacer vers la bande de
conduction lorsqu'ils reoivent de l'nergie de l'extrieur. Cette nergie peut tre fournie
par le rayonnement lumineux, d'o l'effet photovoltaque.
La partie du silicium contribuant fournir le courant est la Des modules photovoltaques constitus d'un assem-
zone entourant la jonction P-N ; les charges lectriques se blage de cellules sont disponibles sur le march. Les
Gnralits sur les installations photovoltaques (PV

forment dans les zones loignes, mais le champ lectri- plus communs comprennent 36 cellules disposes en 4
que ne peut pas les dplacer et par consquent elles se ranges parallles raccordes en srie, avec une surface
allant de 0.5 1m2.
recombinent. Il est donc important que la cellule PV ait
Plusieurs modules raccords mcaniquement et lectri-
une grande surface : plus la surface est grande, plus le quement forment un panneau, autrement dit une structure
courant gnr est important. commune qui peut tre monte au sol ou un btiment
La Figure 1.9 reprsente l'effet photovoltaque et le bilan (Figure 1.10).
nergtique montrant le pourcentage considrable d'ner-
gie solaire incidente non convertie en nergie lectrique. Figure 1.10
Figure 1.9 - Effet photovoltaque
1 Sparation de la charge
2 Recombinaison
3 Transmission
4 Rflexion et ombrage des contacts frontaux
lectrode
ngative
4
Couche N
Plusieurs panneaux raccords lectriquement en srie
constituent une range et plusieurs ranges raccordes
lectriquement en parallle pour gnrer l'nergie requise
1 constituent le gnrateur ou champ photovoltaque (Fi-
gures 1.11 et 1.12).
Figure 1.11
2 1
Rgion P-N Panneau
Contact assemblage de plusieurs modules
positif 1 Couche P
en une structure unique
3 Cellule Module
Range
assemblage de panneaux
raccords en srie
100% de l'nergie solaire incidente

- 3% de pertes par rflexion et ombrage des contacts
frontaux
- 23% de photons ayant une grande longueur d'onde
et une nergie insuffisante pour librer les lectrons ;
gnration de chaleur
- 32% de photons ayant une courte longueur d'onde et
un excdent d'nergie (transmission) Gnrateur photovoltaque
assemblage de ranges raccordes
- 8.5% de recombinaison des porteurs de charge libres en parallle pour obtenir l'nergie requise
- 20% de gradient lectrique dans la cellule, surtout dans

Figure 1.12
les rgions de transition
- 0.5% de rsistance en srie, reprsentant les pertes
par conduction
= 13% d'nergie lectrique utilisable
Dans des conditions d'utilisation standards (irradiance de

1W/m2 une temprature de 25C), une cellule PV gnre
un courant d'environ 3A avec une tension de 0.5V et une
puissance crte de 1.5-1.7Wp.
Les cellules PV des modules ne sont pas exactement un matriau d'encapsulation afin d'viter le contact
identiques en raison des carts de fabrication invita- direct entre le verre et la cellule, d'liminer les intersti-
bles ; par consquent, deux blocs de cellules raccords ces dus aux imperfections de la surface des cellules et
en parallle peuvent avoir des tensions diffrentes. Un d'isoler lectriquement la cellule du reste du panneau ;
courant circule alors du bloc de cellules ayant une ten- dans les processus o la phase de laminage est requise,
sion suprieure au bloc de cellules ayant une tension l'thylne-actate de vinyle (EVA) est souvent utilis ;
infrieure. Une partie de l'nergie gnre par le module un substrat de support (verre, mtal, plastique) l'ar-
est donc perdue dans le module lui-mme (pertes par rire ;
dissipation). un cadre mtallique, gnralement en aluminium.
L'ingalit des cellules peut galement tre dfinie par
une irradiance solaire diffrente, par exemple lorsque
certaines cellules sont ombrages ou dtriores. Ces Figure 1.13
cellules se comportent comme une diode, bloquant le
courant gnr par les autres cellules. Cette diode est Cadre d'aluminium
soumise la tension des autres cellules, ce qui entrane
la perforation de la jonction ainsi qu'une surchauffe locale
et des dommages sur le module.
Afin de limiter ce phnomne, les modules sont quips
de diodes by-pass court-circuitant la partie ombrage
ou endommage du module. Le phnomne de dissipa-
tion se produit galement entre les ranges du champ
photovoltaque, en raison de l'ingalit des modules, de
la diffrence d'irradiance des ranges, des ombrages et
des dfauts d'une range. Pour viter la circulation de
courant inverse dans les ranges, il est possible d'insrer
des diodes.
Les cellules formant le module sont encapsules dans
un systme d'assemblage qui :
isole lectriquement les cellules de l'extrieur ;
protge les cellules contre les agents atmosphriques Verre
et les contraintes mcaniques ;
rsiste aux rayons ultraviolets, aux basses tempra- Sous-couche
Cellules
de support
tures, aux variations soudaines de temprature et EVA
l'abrasion ;
vacue facilement la chaleur afin d'viter que la hausse de
temprature ne rduise l'nergie fournie par le module.
Ces proprits doivent tre conserves pendant toute Dans les modules en silicium cristallin, des contacts m-
la dure de vie du module. La Figure 1.13 montre la vue talliques souds aprs la construction des cellules sont
en coupe d'un module standard en silicium cristallin utiliss pour raccorder les cellules ; dans les modules
comprenant : couche mince, le raccordement lectrique entre dans le
une couche de protection sur le ct suprieur expos processus de fabrication des cellules et est assur par
la lumire, caractrise par une grande transparence une couche d'oxydes mtalliques transparents, tels que
(le matriau le plus utilis est le verre tremp) ; l'oxyde de zinc ou l'oxyde d'tain.
1.3.2 Onduleur L'nergie fournie par un gnrateur PV dpend de son
point de fonctionnement. Afin de maximiser la production
Le systme de conditionnement d'nergie et de contrle

d'nergie de l'installation, le gnrateur doit s'adapter la
est constitu d'un onduleur convertissant le courant
charge, afin que le point de fonctionnement corresponde
continu en courant alternatif et contrlant la qualit de la toujours au Maximum Power Point (MPP).
puissance de sortie fournie au rseau au moyen d'un filtre cette fin, un hacheur contrl appel Maximum Power
LC situ l'intrieur de l'onduleur. La Figure 1.14 montre Point Tracker (MPPT) est utilis l'intrieur de l'ondu-
le schma de principe d'un onduleur. Les transistors, uti- leur. Le MPPT calcule rgulirement la paire de valeurs
liss comme commutateurs statiques, sont contrls par courant-tension du gnrateur laquelle la puissance
un signal d'ouverture-fermeture qui se traduit en mode maximale disponible est produite. partir de la courbe
simple par une forme d'onde de sortie carre. I-V du gnrateur PV :
Figure 1.14 Schma de principe d'un onduleur monophas
Maximum Power Point (MPP) d'un gnrateur photovoltaque
+ L
I
Maximum Power Point
- N
Pour obtenir une forme d'onde aussi sinusodale que V . I = const

possible, une technique plus sophistique, la modulation
de largeur d'impulsions (MLI), est utilise ; la technique
MLI permet d'obtenir une rgulation de la frquence
ainsi que de la valeur r.m.s de la forme d'onde de sortie 0 V
(Figure 1.15).
Le point maximum de transfert de puissance correspond au
Figure 1.15 Principe de fonctionnement de la technologie MLI point de tangence entre la caractristique I-V d'une valeur
donne de rayonnement solaire et l'hyperbole de l'quation
V . I = const.
8
6 Les systmes MPPT disponibles dans le commerce

Vtr
Vsin 4 identifient le Maximum Power Point (MPP) sur la courbe
de caractristique du gnrateur en provoquant, inter-
Tension (V)
2
valles rguliers, de lgres variations de charges qui se
0
traduisent par des carts des valeurs courant-tension et
-2 en valuant si la valeur I-V du nouveau produit est sup-
-4 rieure ou infrieure la prcdente. En cas de hausse, les
-6
conditions de charge continuent de varier dans le sens
en question. Dans le cas contraire, les conditions sont
-8
0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 modifies dans le sens oppos.
temps (s)
En raison des caractristiques de performances requi-
ses, les onduleurs des installations autonomes et des
installations raccordes au rseau doivent prsenter des
caractristiques diffrentes :
dans les installations autonomes, les onduleurs doivent
tre capables de fournir une tension ct AC aussi
constante que possible lors de la variation de la pro-
duction du gnrateur et de la demande de charge ;
dans les installations raccordes au rseau, les onduleurs
m = Vsin / Vtr <1
doivent reproduire le plus fidlement possible la tension
du rseau et en mme temps tenter d'optimiser et de
maximiser la production d'nergie des panneaux PV.
1.4 Types de panneaux photovoltaques panneaux en silicium polycristallin (Figure 1.17), o les
cristaux constituant les cellules s'agrgent en prenant
diffrentes formes et sens. En fait, les irisations typi-

1.4.1 Panneaux en silicium cristallin ques des cellules en silicium polycristallin sont causes
l'heure actuelle, les panneaux en silicium cristallin sont par les diffrents sens des cristaux et donc par le com-
les plus utiliss et sont diviss en deux catgories : portement diffrent par rapport la lumire. Le lingot
silicium monocristallin (Figure 1.16), les panneaux de silicium polycristallin est obtenu en faisant fondre
monocristallins sont composs de cristaux de silicium et en coulant le silicium dans un moule en forme de
de grande puret. Le lingot de silicium monocristallin a paralllpipde. Les plaquettes ainsi obtenues ont une
une forme cylindrique, un diamtre de 13-20 cm et une forme carre et des stries caractristiques de 180-300
longueur de 200 cm, et est obtenu par la croissance m d'paisseur.
d'un cristal filiforme en lente rotation. Ce cylindre est L'efficacit est infrieure celle du silicium monocris-
ensuite coup en plaquettes de 200-500 m d'pais- tallin (12 14%), toutefois le cot est plus avantageux,
seur et la surface est traite pour obtenir des micro- de 2.8 3.3 /W. La dure de vie est leve (compa-
rainures visant minimiser les pertes par rflexion. rable celle du silicium monocristallin) de mme que
Le principal avantage de ces cellules est leur efficacit la conservation des performances avec le temps (85%
(14 17%), leur longue dure de vie et la conservation de l'efficacit initiale aprs 20 ans).
des caractristiques avec le temps3. Les cellules labores partir de cette technologie
Le cot de ces modules est d'environ 3.2 3.5 /W et peuvent tre reconnues leur surface prsentant des
les panneaux labors avec cette technologie sont g- grains de cristaux assez visibles.
nralement caractriss par une couleur bleu fonc4.
Figure 1.16 Panneau en silicium monocristallin Figure 1.17 Panneau en silicium polycristallin
3
Certains fabricants garantissent les panneaux pendant 20 ans avec une perte maximale
d'efficacit de 10% par rapport la valeur nominale.
4
La couleur bleu fonc est due au revtement antireflet en oxyde de titane visant amliorer
l'absorption du rayonnement solaire.
Le march est actuellement domin par la technologie silicium amorphe ;
de silicium cristallin, qui reprsente environ 90% des CdTeS (Tellure de cadmium-Sulfure de cadmium) ;

panneaux. Cette technologie est mature en termes GaAs (Arsniure de gallium) ;
d'efficacit disponible et de cots de fabrication et elle CIS, CIGS et CIGSS (Alliages de cuivre iridium disl-
continuera probablement dominer le march court et niure).
moyen terme. Seules quelques lgres amliorations sont Le silicium amorphe (symbole a-Si) dpos sous forme
attendues en termes d'efficacit (les nouveaux produits de couche mince sur un support (par ex. aluminium)
industriels dclarent une efficacit de 18%, avec une va- permet d'avoir une technologie PV un cot rduit par
leur en laboratoire de 24.7%, qui est considre comme rapport au silicium cristallin, toutefois l'efficacit de ces
quasiment imbattable) de mme qu'une ventuelle r- cellules a tendance diminuer au fil du temps. Le sili-
duction des cots lie d'une part l'introduction dans les cium amorphe peut galement tre vaporis sur une
processus industriels de plaquettes plus grandes et plus couche mince de plastique ou de matriau flexible. Il est
fines et d'autre part aux conomies d'chelle. Par ailleurs, surtout utilis lorsqu'il est ncessaire de rduire au maxi-
l'industrie PV employant cette technologie utilise le sur- mum le poids du panneau et de l'adapter des surfaces
plus de silicium de l'industrie lectronique. Toutefois, en courbes. L'efficacit de l'a-Si (5% 6%) est trs faible
raison du dveloppement constant de cette dernire et en raison des nombreuses rsistances rencontres par
de la croissance exponentielle de la production PV un les lectrons qui circulent. Les performances des cellu-
taux moyen de 40% au cours des six dernires annes, les ont galement tendance diminuer dans le temps.
la disponibilit sur le march des matires premires Une application intressante de cette technologie est le
utilises dans le secteur photovoltaque devient de plus tandem, combinant une couche de silicium amorphe
en plus limite. une ou plusieurs couches de silicium cristallin multi-jonc-
tions; grce la sparation du spectre solaire, chaque
jonction monte en srie donne son meilleur rendement
1.4.2 Panneaux couche mince et garantit des niveaux suprieurs en termes d'efficacit
et d'endurance.
Les cellules couche mince sont composes de ma-
triau semi-conducteur dpos, gnralement sous
Les cellules solaires CdTeS sont composes d'une cou-
forme de mlanges gazeux, sur des supports tels que
che P (CdTe) et d'une couche N (CdS) qui forment une
le verre, les polymres, l'aluminium, qui donnent une
jonction P-N.
cohrence physique au mlange. La couche mince de
Les cellules en CdTeS ont une plus grande efficacit que
semi-conducteur a quelques m d'paisseur par rapport
les cellules en silicium amorphe: 10% 11% pour les
aux cellules en silicium cristallin qui en comptent des
produits industriels (15.8% dans les laboratoires d'es-
centaines. Par consquent, l'conomie de matriau est
sais). La production grande chelle de la technologie
remarquable et la possibilit d'avoir un support flexible
CdTeS pose un problme environnemental en raison du
augmente le champ d'application des cellules couche
mince (Figure 1.18). Figure 1.19 Structures des cellules couche mince base de CdTe-CdS
Les matriaux utiliss sont les suivants :
Verre calcium-sodium
Figure 1.18 Module couche mince

Oxyde d'indium-tain
(ITO 400nm)
Couche tampon
100-200nm
Sulfure de cadmium
(CdS 60nm)
Tellure de cadmium
(CdTe 6nm)
Tellurure d'antimoine
(Sb2 Te3 200nm)
Molybdne
(Mo 200nm)

CdTe contenu dans la cellule: tant donn qu'il n'est pas court, correspondant uniquement la priode durant
soluble dans l'eau et qu'il est plus stable que d'autres laquelle une installation PV doit fonctionner avant que
composs contenant du cadmium, il peut s'avrer pro- l'nergie utilise pour la construire ait t gnre (envi-
blmatique s'il n'est pas correctement recycl ou utilis ron 1 an pour les couches minces de silicium amorphe
(Figure 1.19). Le cot unitaire de ces modules varie de contre 2 ans pour le silicium cristallin). Compars aux
1.5 2.2 /W. modules en silicium cristallin, les modules couche
Actuellement, la technologie GaAs est la plus intres- mince montrent une dpendance moindre entre l'effica-
sante du point de vue de l'efficacit, qui est suprieure cit et la temprature d'utilisation et une bonne rponse
25 30%. Cependant, la production de ces cellules mme lorsque le composant diffus est plus marqu et
est limite par le cot lev et la raret du matriau, que les niveaux de rayonnement sont bas, notamment
principalement utilis dans les semi-conducteurs les jours nuageux.
grande vitesse et l'industrie optolectronique. En fait,
la technologie GaAs est essentiellement employe dans
les applications spatiales o la rduction du poids et des
dimensions joue un rle cl.
Tableau 1.1
Les modules CIS/CIGS/CIGSS correspondent une Silicium Silicium Couche mince
technologie qui est encore l'tude et en cours de d- monocristallin polycristallin (silicium
amorphe)
veloppement. Le silicium est remplac par des alliages 14% - 17% 12% - 14% 4-6% mono
cellule
spciaux tels que : 7-10% tandem
cuivre, indium et slnite (CIS) ; lev cot infrieur cot infrieur
cuivre, indium, gallium et slnite (CIGS) ; constant production plus influence rduite
simple de la temprature
cuivre, indium, gallium, slnite et soufre (CIGSS). Avantages
nergie suprieure dimensions rendement nergtique
L'efficacit est actuellement de 10 11% et les perfor- globales optimales suprieur avec
rayonnement diffus
mances restent constantes au fil du temps ; concernant
nergie suprieure sensibilit aux dimensions suprieures
le silicium monocristallin et polycristallin, une rduction du impurets dans cot de la structure
Inconvnients quantit ncessaire
cot de production est prvue, tant aujourd'hui d'environ pour la production les processus de et temps de
2.2-2.5 /W.
fabrication montage
La part de march des technologies couche mince est

encore trs limite (7%), toutefois des solutions offrant Tableau 1.2
des capacits suprieures moyen et long terme sont
GaAs (Arsniure CdTe (Tellure CIS (Alliages de
envisages afin de rduire considrablement les prix. En de gallium) de cadmium) cuivre iridium
dposant directement la couche mince grande chelle, slniure)
autrement dit sur plus de 5 m2, les chutes inhrentes cellule 32,5% 11% 12%
l'opration de dcoupage de plaquettes en silicium cris- grande rsistance des
tempratures leves
Avantages faible cot trs constant
tallin partir du lingot initial sont vites. Les techniques (compatible avec les
concentrateurs)
de dpt sont des processus faible consommation toxicit toxicit
d'nergie, par consquent le dlai d'amortissement est Inconvnients disponibilit des disponibilit des toxicit
matriaux matriaux
5
Selon certaines tudes dans ce domaine, d'ici 2020 la part de march des couches
minces pourrait atteindre 30% 40%.
1.5 Types d'installations photovoltaques Figure 1.20 Abris et clairage public photovoltaques

1.5.1 Installations autonomes
Les installations autonomes sont des installations non
raccordes au rseau, composes de panneaux PV et
dont le systme de stockage garantit une nergie lec-
trique mme en cas de faible clairage ou d'obscurit.
tant donn que le courant fourni par le gnrateur PV
est du courant DC, si l'installation de l'utilisateur requiert
du courant AC, un onduleur est ncessaire.
Ces installations sont avantageuses d'un point de vue
technique et financier si le rseau lectrique n'est pas
prsent ou s'il n'est pas facile d'accs, car elles peu-
vent remplacer des ensembles moteur-gnrateur. Par
ailleurs, dans une configuration autonome, le champ PV
est surdimensionn de sorte que, pendant les heures
d'ensoleillement, l'alimentation de charge ainsi que la re-
charge des batteries de stockage puissent tre garanties
avec une certaine marge de scurit en tenant compte
des jours de faible ensoleillement.
l'heure actuelle, les applications les plus communes

sont utilises pour alimenter ce qui suit (Figure 1.20) :
quipement de pompe eau ;
rpteurs radio, stations de transmission de donnes
et d'observation mtorologique ou sismique ;
systmes de protection contre la foudre ;
systmes de signalisation routire, portuaire ou aro-
portuaire ;
services de caravanes et camping-cars ;
La Figure 1.21 montre le schma de principe d'une ins-
installations publicitaires ;
tallation PV autonome.
refuges de haute montagne.
Figure 1.21
5 7
3 6
2
4
1 Gnrateur PV 5 Charges DC possibles

2 Tableaux de distribution ct DC 6 Convertisseur statique DC/AC (onduleur)
1
3 Rgulateur de charge 7 Charges AC
4 Systme de stockage (batterie) Raccordements DC

Raccordements AC
1.5.2 Installations raccordes au rseau Figure 1.23
Les installations raccordes en permanence au rseau

utilisent l'nergie du rseau lorsque le gnrateur PV Rseau BT

n'est pas en mesure de produire l'nergie ncessaire pour
nergie
satisfaire les besoins du consommateur. En revanche, si provenant du rseau
le systme PV produit un excdent d'nergie lectrique,
nergie introduite
celui-ci est mis sur le rseau, qui agit par consquent sur le rseau
comme un grand accumulateur : les systmes raccords
au rseau n'ont donc pas besoin de batterie d'accumu-
lateur (Figure 1.22).
Onduleur
Ces installations (Figure 1.23) offrent l'avantage de
Figure 1.22
fournir une gnration rpartie et non centralise : en

effet, la valeur de l'nergie produite prs de la zone de
consommation est suprieure celle de l'nergie produite
dans les grandes centrales traditionnelles, car les pertes
par transmission sont limites et les dpenses lies au
transport et aux systmes lectriques de rpartition sont
rduites. En outre, la production d'nergie lors des heures
d'ensoleillement permet de rduire le recours au rseau
pendant la journe, autrement dit lorsque la demande
est suprieure.
La Figure 1.24 montre le schma de principe d'une ins-

tallation photovoltaque raccorde au rseau.
Figure 1.24
1 Gnrateur PV
2 Tableaux de distribution ct DC
1
3 Convertisseur statique DC/AC (onduleur)
4 Tableau de distribution ct AC Raccordements DC
5 Rseau de distribution Raccordements AC
1.6 Intermittence de la gnration et stockage de synthse et nergie lectrochimique dans les accu-
de l'nergie produite

mulateurs lectriques (batteries). Lors de la slection
technique de ces options en tenant compte de l'exigence
L'utilisation du PV grande chelle est freine par une de conservation de l'nergie pendant plusieurs jours et/
limite technique due l'intermittence incertaine de la ou mois, deux systmes de stockage se dtachent :
production. En effet, le rseau de distribution lectrique celui utilisant les batteries et celui utilisant l'hydrogne.
national peut accepter une quantit limite de puissance Grce ces deux technologies de pointe, le stockage
d'entre intermittente, au-del de laquelle de srieux lectrochimique semble permettre court et moyen
problmes peuvent se poser pour la stabilit du rseau. terme de conserver l'nergie pendant des heures voire
La limite d'acceptation dpend de la configuration du des jours. Par consquent, s'agissant du photovoltaque
rseau et de son degr d'interconnexion avec les rseaux appliqu aux petites installations raccordes au rseau,
contigus. l'introduction d'un sous-systme de stockage consistant
Dans le cas dune puissance leve introduite par inter- en des batteries de petites dimensions peut limiter les
mittence dans le rseau, elle peut tre considr comme inconvnients dus l'intermittence et permettre ainsi de
dangereuse lorsqu'elle excde un pourcentage signi- dpasser partiellement la limite d'acceptation du rseau.
ficatif de la puissance totale des centrales lectriques Concernant le stockage saisonnier de la grande quantit
traditionnelles. d'nergie lectrique requise pour remplacer le ptrole
Par consquent, la prsence d'une contrainte due dans tous les secteurs d'utilisation, l'hydrogne semble
l'intermittence de la gnration d'nergie restreint la tre la technologie la plus adapte sur le long terme car
possibilit d'apporter une contribution PV significative elle tire parti du fait que la productivit lectrique solaire
au bilan nergtique national. Cette observation peut en t est prs de trois fois suprieure la productivit
s'appliquer toutes les sources d'nergie renouvelables en hiver. L'excdent d'nergie stock en t pourrait tre
intermittentes. utilis pour optimiser le facteur de charge annuel des
Afin de contourner cet obstacle, il est ncessaire de installations de sources d'nergie renouvelables, passant
stocker suffisamment longtemps l'nergie lectrique de la valeur actuelle de 1500-1600 heures sans stockage
intermittente produite pour la mettre sur le rseau de une valeur proche de la moyenne des centrales lec-
manire plus continue et plus stable. L'nergie lectrique triques conventionnelles (environ 6000 heures). Dans
peut tre stocke dans de grandes bobines supra- ce cas, l'nergie provenant de la source renouvelable
conductrices ou tre transforme en une autre forme pourrait remplacer l'nergie thermolectrique car la limite
d'nergie : nergie cintique dans les volants d'inertie d'acceptation du rseau serait retire.
ou les gaz comprims, nergie gravitationnelle dans les
bassins d'eau, nergie chimique dans les carburants
2 Production d'nergie
2.1 Circuit quivalent de la cellule Par consquent, le courant fourni la charge est obtenu
par la formule :
Une cellule photovoltaque peut tre considre comme K.V

[ ]
OC
un gnrateur de courant et tre reprsente par le circuit I = Ig - Id - II = Ig - ID . e A . k . T -1 - GI . VOC [2.3]
quivalent indiqu dans la Figure 2.1.
Le courant I au niveau des bornes de sortie est gal au Dans les cellules traditionnelles, le dernier terme, savoir
courant gnr par l'effet PV Ig du gnrateur de cou- le courant de fuite la terre Il, est ngligeable par rapport
rant idal, moins le courant de diode Id et le courant de aux deux autres courants. Par consquent, le courant
fuite Il. de saturation de la diode peut tre dtermin expri-
La srie de rsistances Rs reprsente la rsistance interne mentalement en appliquant la tension vide Voc une
au flux de courant gnr et dpend de l'paisseur de la cellule non claire et en mesurant le courant circulant
jonction P-N, des impurets prsentes et des rsistances l'intrieur de la cellule.
de contact.
La conductance de fuite Gl tient compte du courant la 2.2 Caractristique courant-tension de la cellule
terre dans des conditions normales d'utilisation.
Dans une cellule idale, nous aurions Rs=0 et Gl=0. Ce-
La courbe de la caractristique courant-tension d'une cel-
pendant, dans une cellule en silicium de grande qualit,
lule PV est montre dans la Figure 2.2. Dans des conditions
nous avons Rs=0.05 0.10 et Gl=3 5mS. L'efficacit
de court-circuit, le courant gnr est son maximum
de conversion de la cellule PV est considrablement
(Isc), tandis que lorsque le circuit est ouvert, la tension
affecte par une lgre variation de Rs, alors qu'elle est
(Voc=tension du circuit ouvert) est son maximum. Dans
nettement moins affecte par une variation de Gl.
les deux conditions susmentionnes, l'nergie lectrique
Figure 2.1 produite dans la cellule est nulle, alors que dans toutes les
autres conditions, lorsque la tension augmente, l'nergie
Ig Rs
produite augmente galement: elle atteint tout d'abord le
Maximum Power Point (Pm) puis elle chute soudainement
I jusqu' approcher la valeur de tension vide.
Id II
Figure 2.2
Voc 4.5
Temp. cellule= 25C Pm = Im* Vm
GI
4.0 Irrad. incid. = 1 000W/m2
ISC 59.9 W
3.5
Im
3.0
P=I*V
2.5
Courant [A]
La tension vide Voc se produit lorsque la charge n'absor-

2.0
be pas de courant (I=0) et est obtenue par le rapport :
1.5
II
Voc = w 1.0
GI Vm
0.5
Le courant de diode est obtenu par la formule classique 0.0

0 5 10 15 20 VOC 25
du courant direct : Tension [V]
Q . VOC
[ ] Par consquent, les donnes caractristiques d'une
[2.2]
Id = ID . e A . k . T -1
cellule solaire peuvent tre rsumes comme suit :
o : Isc courant de court-circuit ;
Voc tension vide ;
ID est le courant de saturation de la diode ;
Pm puissance maximale produite dans des conditions
Q est la charge de l'lectron (1.6 . 10-19 C) ;
standards (STC) ;
A est le facteur d'identit de la diode et dpend des
Im courant produit au Maximum Power Point ;
facteurs de recombinaison l'intrieur de la diode Vm tension au Maximum Power Point ;
(pour le silicium cristallin, environ 2) ; FF facteur de remplissage : c'est un paramtre qui d-
J
k est la constante de Boltzmann (1.38 . 10-23 ); termine la forme de la courbe de la caractristique
K
T est la temprature absolue en degrs K. V-I et c'est le rapport entre la puissance maximale
et le produit (Voc . Isc ) de la tension vide multiplie Les courants Ig et Ir, qui proviennent respectivement du
par le courant de court-circuit. gnrateur PV et du rseau, convergent au nud N de
Si une tension extrieure est applique la cellule PV en la Figure 2.4 et le courant Iu absorb par l'installation du
sens inverse par rapport au fonctionnement standard, le consommateur part du nud :
courant produit reste constant et l'nergie est absorbe
par la cellule. Lorsqu'une certaine valeur de tension in- Iu = Ig + Ir [2.4]
verse (tension de rupture) est dpasse, la jonction P-N
est perfore, comme cela se produit dans une diode, et tant donn que le courant de la charge est galement
le courant atteint une valeur leve endommageant la le rapport entre la tension du rseau U et la rsistance
cellule. En l'absence de lumire, le courant gnr est nul de charge Ru :
pour la tension inverse jusqu' la tension de rupture. Il y a
ensuite un courant de dcharge comme dans des condi- U
Iu = [2.5]
tions d'ensoleillement (Figure 2.3 partie gauche). Ru
Figure 2.3
Courant [A]
le rapport entre les courants devient :
U
Ir = - Ig [2.6]
Courant [A] Ru
Si dans [2.6], nous avons Ig = 0, comme cela se produit

pendant les heures nocturnes, le courant absorb du
rseau est :
U
Ir = [2.7]
Ru
Tension [V]
En revanche, si l'intgralit du courant gnr par l'ins-
Vinv 0 Voc
tallation PV est absorbe par l'installation du consom-
mateur, le courant fourni par le rseau doit tre nul et par
consquent la formule [2.6] devient :
2.3 Schma de raccordement au rseau
U
Ig = [2.8]
Une installation PV raccorde au rseau et alimentant une Ru
installation de consommateur peut tre reprsente de
manire simplifie par le schma de la Figure 2.4.
Le rseau d'alimentation (dont la puissance de court-cir- Lorsque l'ensoleillement augmente, si le courant gnr
cuit est prsume infinie) est schmatis par un gnra- Ig devient suprieur celui requis par la charge Iu, le
teur de tension idal dont la valeur est indpendante des courant Ir devient ngatif, autrement dit il n'est plus pris
conditions de charge de l'installation du consommateur. du rseau mais introduit dans celui-ci.
Le gnrateur PV est quant lui reprsent par un gn- En multipliant les termes de [2.4] par la tension du rseau
rateur de courant idal (avec un courant constant et un U, les remarques prcdentes peuvent galement s'ap-
ensoleillement gal) tandis que l'installation du consom- pliquer aux puissances, en considrant que :
mateur est reprsente par une rsistance Ru. U2
Pu = U . Iu = l'nergie absorbe par l'installation de
Ru
Figure 2.4 l'utilisateur ;
Ig N Ir Pg = U . Ig l'nergie gnre par l'installation PV ;
Iu Pr = U . Ir l'nergie fournie par le rseau.
Gnrateur
PV U Rseau
RU
2.4 Puissance crte nominale AM = 1 au niveau de la mer un jour o le ciel est dgag
et le soleil au znith (P = Po, sen(h) = 1) ;
La puissance crte nominale (kWp) est l'nergie lectri- AM = 2 au niveau de la mer un jour splendide avec le
que fournie par une installation PV dans des conditions soleil un angle de 30 au-dessus de l'horizon
d'essai standards (STC) : 1
(P = Po, sen(h) = ).
1 kW/m2 ensoleillement perpendiculaire aux panneaux ; 2
25C temprature dans les cellules ;
Figure 2.6
masse d'air (AM) gale 1.5.
Limite suprieure de
l'atmosphre absorbante
La masse d'air influence la production d'nergie PV car
elle constitue un indicateur de tendance de la densit AM = AM1 = 0
spectrale de puissance du rayonnement solaire. De fait,
ce dernier a un spectre dot d'une longueur d'onde W/ )
n(h
m2 caractristique qui varie galement en fonction de /se
AM = AM1 = 1 =1
la densit de l'air. Dans le schma de la Figure 2.5, la AM Surface
h de la distance znithale
surface jaune reprsente le rayonnement perpendiculaire Horizon local
la surface de la Terre absorb par l'atmosphre tandis m
0k
que la surface bleue reprsente le rayonnement solaire 10
qui atteint rellement la surface de la Terre ; la diffrence
entre la tendance des deux courbes donne une indication Surface de la Terre
de la variation du spectre due la masse d'air1.
Figure 2.5
2.5 Prvision de production annuelle d'nergie
[W/m2]
D'un point de vue nergtique, le principe de conception g-

1800 nralement adopt pour un gnrateur PV consiste maxi-
Densit spectrale de puissance
miser le captage du rayonnement solaire annuel disponible.

1350 [W/m2] (AM0) Dans certains cas (par ex. installations PV autonomes), le
1200 critre de conception peut tre d'optimiser la production
d'nergie sur des priodes dfinies de l'anne.
1000 [W/m2] (AM1) La puissance lectrique produite par une installation PV au
800 cours d'une anne dpend avant tout de ce qui suit :
Rayonnement visible l'il nu
disponibilit du rayonnement solaire ;
orientation et inclinaison des modules ;
400 efficacit de l'installation PV.
Etant donne que le rayonnement solaire est variable dans

0 le temps, afin de dterminer l'nergie lectrique pouvant
0.3 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 tre produite par l'installation a un intervalle de temps fixe,
Longueur d'onde
L'indicateur de masse d'air AM est calcul comme suit : le Rayonnement solaire correspondant a cet intervalle est
tudi en prsumant que les performances des modules sont
P proportionnelles a l'ensoleillement. Les valeurs du rayonne-
AM = [2.9]
Posen (h) ment solaire moyen en France peuvent tre dduites de :
o : la norme UNI 10349 : chauffage et refroidissement des
P est la pression atmosphrique mesure au point et btiments. Donnes climatiques ;
l'instant considrs [Pa] ; l'Atlas europen du rayonnement solaire sur la base des
Po est la pression atmosphrique de rfrence au niveau donnes enregistres par le CNR-IFA (Institut italien de
de la mer [1.013 . 105 Pa] ; physique atmosphrique) au cours de la priode 1966-1975.
h est la distance znithale, savoir l'angle d'lvation Il comprend des cartes d'iso-rayonnement de l'Italie et du
du Soleil au-dessus de l'horizon local l'instant territoire europen sur une surface horizontale ou incline ;
considr. la banque de donnes d'ENEA ; depuis 1994, ENEA
Valeurs remarquables de l'AM (Figure 2.6) : recueille des donnes sur le rayonnement solaire en
AM = 0 l'extrieur de l'atmosphre o P = 0 ; Italie grce aux images satellite de Meteosat. Les car-
tes obtenues jusqu' prsent ont t compiles dans
1
Les trous dans l'ensoleillement correspondent aux frquences du rayonnement solaire deux publications : une concernant l'anne 1994 et
absorb par la vapeur d'eau prsente dans l'atmosphre.
une autre couvrant la priode 1995-1999.
La carte ci-dessous reprsente le nombre dheure variations de temprature, pertes dues l'ingalit des
densoleillement sur le territoire franais. On constate que performances, pertes dues l'ombrage et un faible
la partie Sud-Est du pays, ainsi que la Corse, sont les rayonnement solaire, pertes dues la rflexion). Cette
zones bnficiant du meilleur ensoleillement du territoire efficacit, dans une installation correctement conue et
Le rayonnement solaire annuel pour un site donne peut installe, peut varier de 0.75 0.85.
varier de 10% d'une source a l'autre, car il drive du
traitement statistique des donnes recueillies sur diff- Cependant, si nous tenons compte de l'ensoleillement quo-
rentes priodes ; de plus, ces donnes sont soumises a tidien moyen Emg, la production d'nergie annuelle attendue
la variation des conditions mtorologiques d'une anne pour chaque kWp est calcule l'aide de la formule :
a l'autre. Par consquent, les valeurs d'ensoleillement
ont une signification probabiliste, autrement dit elles Ep = Emg . 365 . hBOS [kWh/kWp] [2.11]
reprsentent une valeur attendue et non dfinie.

Exemple 2.1
partir du rayonnement annuel moyen Ema, la production Nous souhaitons dterminer la production d'nergie
d'nergie annuelle attendue Ep pour chaque kWp est annuelle moyenne d'une installation PV de 3kWp
calcule l'aide de la formule suivante : NICE. L'efficacit des composants de l'installation est
gale a 0.75. A partir du tableau 2.2, nous obtenons
un rayonnement annuel moyen de 1545 kWh/m2. En
Ep = Ema . hBOS [kWh/kWp] [2.10] supposant que nous soyons en dessous des condi-
o : tions standards de 1 kW/m2, la production annuelle
hBOS (Bilan du systme) est l'efficacit globale de tous moyenne attendue est gale :
les composants des installations PV du ct charge des
Ep = 3 . 1545 . 0.75 = 3476 kWh
panneaux (onduleur, raccordements, pertes dues aux
Tableau 2.2
Site Janvier Fvrier Mars Avril Mai Juin Juillet Aot Septembre Octobre Novembre Dcembre Anne
Paris 27 43 89 118 155 168 165 138 101 61 30 22 1117
Metz 25 45 81 121 155 161 171 144 106 59 29 20 1117
Lyon 31 52 100 136 165 179 197 158 110 69 33 22 1252
Nantes 31 52 107 134 154 179 182 160 119 73 40 26 1257
Montpellier 52 77 120 145 180 205 209 178 135 84 59 48 1490
Montlimar 43 78 119 157 180 209 231 187 143 94 52 36 1529
Marseille 52 67 121 154 192 209 219 189 139 93 58 46 1539
Nice 50 69 114 157 194 208 228 193 138 95 55 44 1545
Toulon 58 82 126 164 195 223 249 202 153 101 67 51 1670
2.6 Inclinaison et orientation des panneaux En trouvant l'angle complmentaire de (90-), il est
possible d'obtenir l'angle d'inclinaison des panneaux
L'efficacit maximale d'un panneau solaire serait atteinte par rapport au plan horizontal (CEI/TS 61836) de manire
si l'angle d'incidence des rayons solaires tait toujours de ce que les panneaux soient touchs perpendiculai-
90. De fait, l'incidence du rayonnement solaire varie en rement par les rayons du soleil au moment mentionn
fonction de la latitude ainsi que de la dclinaison solaire plus haut2.
pendant l'anne. tant donn que l'axe de rotation de la Cependant, il ne suffit pas de connatre l'angle pour
Terre est inclin d'environ 23.45 par rapport au plan de dterminer l'orientation optimale des panneaux. Il est
l'orbite de la Terre autour du Soleil, une latitude dfinie, galement ncessaire de considrer la trajectoire du
la hauteur du Soleil sur l'horizon varie quotidiennement. Soleil dans le ciel pendant les diffrentes priodes de
Le Soleil se trouve un angle d'incidence de 90 par l'anne et par consquent l'angle d'inclinaison doit tre
rapport la surface de la Terre (Znith) au niveau de calcul en tenant compte de tous les jours de l'anne3
l'quateur lors des quinoxes et le long des tropiques (Figure 2.8). Cela permet d'obtenir un rayonnement total
lors des solstices (Figure 2.7). annuel capt par les panneaux (et par consquent la
production d'nergie annuelle) suprieur celui obtenu
Figure 2.7 dans la condition d'irradiance prcdente perpendiculaire
aux panneaux lors du solstice.
N Figure 2.8
Solstice d't au diagramme solaire la latitude 45 Nord
Tropique du Cancer
21 ou 22 juin 11
12

, 45 quinoxe de printemps 10
+23
Hauteur du Soleil
0 20 ou 21 mars
+23
, 45 quinoxe d'automne 9 11
12
22 ou 23 septembre
10
8
Solstice d'hiver au
9
Tropique du Capricorne
*2
7
1j
22 ou 23 dcembre 11 12
uin
8 O
*2
6 10
U
1m
S
*2
9
1
E 7
ars
E
d
8 S
ce
S
m
6 T
br
T 0
e
Au-del de la latitude des tropiques, le Soleil ne peut pas

atteindre le znith au-dessus de la surface de la Terre,
mais il sera son point le plus haut (en fonction de la lati- Les panneaux fixes doivent tre orients autant que
tude) lors du solstice d't dans l'hmisphre Nord et du possible vers le sud dans l'hmisphre nord4 de manire
solstice d'hiver dans l'hmisphre Sud. Par consquent, obtenir un meilleur ensoleillement de leur surface
si nous souhaitons incliner les panneaux de manire midi heure locale et un meilleur ensoleillement quotidien
ce qu'ils puissent tre touchs perpendiculairement par global.
les rayons du soleil midi le jour le plus long de l'anne, L'orientation des panneaux peut tre indique avec
il est ncessaire de connatre la hauteur maximale (en l'angle d'azimut5 () de la dviation par rapport la di-
degrs) atteinte par le Soleil au-dessus de l'horizon cet rection optimale vers le sud (pour les installations dans
instant, en appliquant la formule suivante : l'hmisphre nord) ou vers le nord (pour les installations
dans l'hmisphre sud).
a = 90 - lat + d [2.12]
o : 2
Sur les toits deux versants, l'angle d'inclinaison est dtermin par l'inclinaison du
lat est la valeur (en degrs) de la latitude du site d'ins- toit.
3
En France, l'angle d'inclinaison optimal est d'environ 30.
tallation des panneaux ; 4
tant donn que l'irradiance solaire est maximale midi, la surface du collecteur doit tre
oriente autant que possible vers le sud. Au contraire, dans l'hmisphre sud, l'orientation
d est l'angle de dclinaison solaire [23.45] optimale est videmment vers le nord.
5
En astronomie, l'angle d'azimut est dfini comme l'angle horizontal, mesur du nord (0)
vers l'est, du point d'intersection du cercle vertical traversant l'objet.
Une valeur positive de l'angle d'azimut indique une orien- Pour la premire valuation de la capacit de production
tation vers l'ouest, tandis qu'une valeur ngative indique annuelle de puissance lectrique d'une installation PV, il
une orientation vers l'est (CEI 61194). suffit gnralement d'appliquer au rayonnement annuel
Concernant les panneaux monts au sol, la combinaison moyen sur le plan horizontal (Tableaux 2.2) les coeffi-
de l'inclinaison et de l'orientation dtermine l'exposition cients de correction du tableau 2.3.
des panneaux (Figure 2.9). En revanche, lorsque les pan-
neaux sont installs sur les toits des btiments, l'exposition 6
Albdo suppos gal 0.2.
est dtermine par l'inclinaison et l'orientation de la pente Tableau 2.3 Italie du Nord : latitude 44N
du toit. De bons rsultats sont obtenus par les collecteurs
orients vers le sud-est ou le sud-ouest avec une dviation Orientation / Inclinaison 0 30 60 90
de 45 maximum (Figure 2.10) par rapport au sud. Des Est 0,93 0,90 0,78 0,55
Sud-Est 0,93 0,96 0,88 0,66
dviations suprieures peuvent tre compenses par un Sud 0,93 1,00 0,91 0,68
Sud-Ouest 0,93 0,96 0,88 0,66
lger largissement de la surface du collecteur. Ouest 0,93 0,90 0,78 0,55
Figure 2.9
Exemple 2.2
Nous souhaitons dterminer l'nergie annuelle moy-
enne produite par l'installation PV de l'exemple pr-
cdent, prsent avec une orientation sud-est et une
inclinaison de 30.
Le Tableau 2.3 nous donne un coefficient croissant
gal 0.96. En multipliant ce coefficient par l'nergie
attendue sur le plan horizontal de l'exemple prcdent,

la capacit de production attendue devient :
SUD E = 0.96 . Ep = 0.96 . 3476 3337 kWh
Figure 2.10
-170
Nord
+170
0
+16
-16
0
+1
-15
50

+1
40

+1
40
-1
30 30

-1
+1 0
20
-12
+11 0
0 -11
+100 -100
Ouest 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Est
+80 -80
-70
+70
-60
0
+6 -5
0 0
+5
-4
0
0
+4
-30
0
-20

+3
-10

+20
+10
Sud

Ensoleillement annuel en %
30 40 50 60 70 40 80 90 100
Angle d'inclinaison
10 20 30 40 50 60 70 80 90
O : Exemple : 30C ; 45C sud-ouest ; 95%

Un panneau non-horizontal reoit, en plus du rayonne-
ment direct et diffus, le rayonnement rflchi par la sur-
face qui l'entoure (composant albdo). En rgle gnrale,
un coefficient albdo de 0.2 est prsum.
2.7 Tensions et courants d'une installation PV 2.8 Variation de la production d'nergie

Les panneaux PV gnrent GNRALEMENT un courant Les principaux facteurs influenant la production d'ner-
de 4 12A une tension de 30 60V. gie lectrique d'une installation PV sont les suivants :
Pour obtenir la puissance crte attendue, les panneaux irradiance ;
sont raccords lectriquement en srie pour former des temprature des modules ;
strings, qui sont leur tour raccords en parallle. La ombrage.
tendance est de dvelopper des strings constitus du
plus grand nombre de panneaux possible, tant donn la 2.8.1 Irradiance
complexit et le cot du cblage, en particulier la mise en En fonction de l'irradiance incidente sur les cellules PV,
parallle des tableaux de distribution entre les strings. leur courbe de caractristique V-I varie comme indiqu
Le nombre maximum de panneaux pouvant tre rac- dans la Figure 2.11.
cords en srie (et par consquent la tension maximale Lorsque l'irradiance diminue, la gnration de courant
accessible) pour former un string est dtermin par la PV diminue proportionnellement, tandis que la variation
plage d'utilisation des onduleurs (voir Chapitre 3) et par de la tension vide est trs faible.
la disponibilit des dispositifs de dconnexion et de
protection compatibles avec la tension obtenue. De fait, l'efficacit de conversion n'est pas influence
Plus particulirement, la tension de l'onduleur est lie, par la variation de l'irradiance dans la plage d'utilisation
pour des raisons d'efficacit, sa puissance : en gn- standard des cellules. Cela signifie que l'efficacit de
ral, lors de l'utilisation d'un onduleur d'une puissance conversion est la mme lorsque le ciel est dgag ou
infrieure 10 kW, la plage de tension la plus utilise nuageux.
est comprise entre 250 et 750V, alors que si la puissance Par consquent, la rduction de la gnration d'nergie
de l'onduleur dpasse 10 kW, la plage de tension est lorsque le ciel est nuageux est lie non pas une baisse
gnralement de 500 900V. de l'efficacit mais une rduction de la gnration de
courant due une irradiance solaire infrieure.
Figure 2.11
3.5 1000 W/m2
900 W/m2
800 W/m2
3
700 W/m2
600 W/m2
500 W/m2
2.5
2
Courant [A]
1.5
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Tension [V]
2.8.2 Temprature des modules 2.8.3 Ombrage
Contrairement au cas prcdent, en cas de hausse de
Compte tenu de la surface occupe par les modules
la temprature des modules, le courant produit reste sur une installation PV, certains (une ou plusieurs cellu-
pratiquement inchang, tandis que la tension diminue et les) peuvent tre ombrags par des arbres, des feuilles
entrane une rduction des performances des panneaux en mortes, des chemines, des nuages ou des panneaux
termes de production d'nergie lectrique (Figure 2.12). PV installs proximit.
En cas d'ombrage, une cellule PV prsentant une jonc-
tion P-N cesse de produire de l'nergie et devient une
Figure 2.12
charge passive. Cette cellule se comporte comme une
3
diode qui bloque le courant produit par les autres cellules
E = 1000 W/m2 raccordes en srie, compromettant toute la production
du module. De plus, la diode est soumise la tension des
autres cellules, ce qui peut entraner la perforation de la
2 20
jonction due une surchauffe localise (point chaud) et
40 endommager le module.
60 Afin d'viter qu'une ou plusieurs cellules ombrages
80 ne compromettent la production de l'ensemble d'un
1
100 string, des diodes court-circuitant la partie ombrage
ou endommage du modle sont insres au niveau du
module. Par consquent, le fonctionnement du module
Tension
est garanti mme si l'efficacit est rduite. En thorie,
0
0.2 0.4 0.6
il serait ncessaire de monter une diode by-pass en
parallle chaque cellule, toutefois cela s'avrerait trop
La variation de la tension vide Voc d'un module PV par onreux en termes de rapport cot/bnfice. 2 4 diodes
rapport aux conditions standards Voc,stc, en fonction de by-pass sont donc gnralement installes sur chaque
la temprature d'utilisation des cellules Tcell, est exprime module (Figure 2.13).
par la formule suivante (Guide CEI 82-25, II d.) :
Figure 2.13
Diode by-pass
Voc(T) = Voc,stc - NS . b . (25-Tcel) [2.13]
o :
est le coefficient de variation de la tension en fonction
de la temprature et dpend du type de module PV
(gnralement -2.2 mV/C/cellule pour les modules en
silicone cristallin et environ -1.5 -1.8 mV/C/cellule pour Rayonnement solaire
les modules couche mince) ;
Ns est le nombre de cellules montes en srie dans le
module.
Ombre
Par consquent, pour viter une rduction excessive des
performances, il convient de contrler la temprature de
service en tentant de fournir une bonne ventilation aux
+
panneaux en vue de limiter leur variation de tempra-
ture. De cette manire, il est possible de rduire la perte
I I
d'nergie due la variation de temprature (par rapport
la temprature de 25C dans des conditions standards)
une valeur de l'ordre de 7%7.
7
La rduction de l'efficacit en cas d'augmentation de la temprature peut tre estime
0.4 0.6 pour chaque C.
3 Mthodes d'installation et configurations

3.1 Intgration architecturale Tableau 3.1
Typologie spcifique 1 Modules PV installs sur les toits plats et les terras-
ses de btiments et d'difices. En prsence d'une

De grands progrs ont t faits au cours des dernires balustrade, la dimension maximale correspondant
annes dans l'intgration architecturale des panneaux l'axe moyen des modules PV ne doit pas excder
la hauteur minimale de la balustrade.
la structure des btiments grce la fabrication de
Typologie spcifique 2 Modules PV installs sur les toits, les couvertures,
panneaux dont les dimensions et les caractristiques les faades, les balustrades ou les parapets des
peuvent entirement remplacer certains composants. btiments et difices coplanaires avec surface
de support et sans remplacement des matriaux
constituant les surfaces de support.
Trois types d'intgration architecturale des installations Typologie spcifique 3 Modules PV installs sur les lments de mobilier
PV peuvent tre dfinis, notamment afin de dterminer urbain, les barrires d'insonorisation, les auvents,
les tonnelles et les abris coplanaires avec surface
le tarif de rachat correspondant (Voir l'arrt NOR : de support et sans remplacement des matriaux
DEVR1106450A du 4 mars 2011 paru au journal officiel constituant les surfaces de support.
du 5 mars 2011) :
Les installations avec intgration architecturale sont les
1 installations avec une intgration au bti ;
installations dans lesquelles les modules sont positionns
2 installations avec une intgration simplifie au bti ;
conformment aux typologies listes dans le Tableau 3.2
3 installations non intgres.
et remplacent, totalement ou partiellement, la fonction
des lments de construction (soutien, insonorisation,
Les installations non intgres sont des installations
isolation thermique, clairage, ombrage) (Figure 3.3).
composes de modules monts au sol, autrement dit les
modules sont placs sur les lments de mobilier urbain, Figure 3.3
la surface extrieure des enveloppes de btiment, les
btiments et les structures toute fin dont les modalits
diffrent de celles des typologies 2) et 3) (Figure 3.1).
Figure 3.1
Tableau 3.2
Typologie spcifique 1 Remplacement des matriaux de revtement des
toits, couvertures et faades de btiment par
des modules PV ayant la mme inclinaison et la
mme fonctionnalit architecturale que la surface
recouverte.
Typologie spcifique 2 Auvents, tonnelles et abris dans lesquels la structure
Les installations partiellement intgres sont des instal- du revtement est constitue de modules PV et de
leurs systmes de support.
lations dont les modules sont placs conformment aux
Typologie spcifique 3 Parties du revtement du toit des btiments dans
typologies listes dans le Tableau 3.1 sur les lments de lesquelles les modules PV remplacent le matriau
mobilier urbain, les surfaces extrieures des enveloppes transparent ou semi-transparent permettant l'clai-
rage naturel d'une ou plusieurs pices.
de btiment, les btiments et les structures toute fin Typologie spcifique 4 Barrires acoustiques dans lesquelles une partie des
sans remplacer les matriaux de construction de ces panneaux d'insonorisation est constitue de modules PV.
structures (Figure 3.2). Typologie spcifique 5 lments d'clairage dans lesquels la surface des
lments rflchissants expose au rayonnement
Figure 3.2 solaire est constitue de modules PV.
Typologie spcifique 6 Brise-soleil dans lesquels les lments structurels
sont constitus de modules PV et de leurs systmes
de support.
Typologie spcifique 7 Balustrades et parapets dans lesquels les lments de revte-
ment et de couverture sont remplacs par des modules PV.
Typologie spcifique 8 Fentres dans lesquelles les modules PV remplacent
ou intgrent les surfaces vitres des fentres.
Typologie spcifique 9 Stores dont les modules PV constituent les lments
structurels.
Typologie spcifique 10 Toute surface dcrite dans les typologies ci-dessus
sur laquelle les modules PV constituent un revte-
ment ou une couverture adhrant la surface.
3.2 Configuration du champ solaire 3.2.2 Installation avec un onduleur pour chaque
string

Le raccordement des strings formant le champ solaire de Dans une installation de taille moyenne, chaque string peut
l'installation PV peut tre ralis en utilisant : tre directement raccord son propre onduleur et donc
un seul onduleur pour toutes les installations (onduleur fonctionner selon son propre Maximum Power Point.
simple ou central) (Figure 3.4) ; Dans cette configuration, la diode, qui empche la source
un onduleur pour chaque string (Figure 3.5) ; de circuler dans le sens inverse, est gnralement incluse
un onduleur pour plusieurs strings (installations multi- dans l'onduleur. Ce dernier ralise un diagnostic de la
onduleurs) (Figure 3.6). production et assure galement la protection contre les
surintensits et les surtensions d'origine atmosphrique
du ct DC.
3.2.1 Installation mono-onduleur De plus, la prsence d'un onduleur sur chaque string
Cette configuration est utilise dans les petites installa- limite les problmes de couplage entre les modules et les
tions avec des modules du mme type ayant la mme onduleurs de mme que la rduction des performances
exposition. cause par l'ombrage ou une exposition diffrente. Par
La prsence d'un onduleur unique prsente des avan- ailleurs, avec plusieurs strings, des modules prsentant
tages conomiques, en rduisant l'investissement initial diffrentes caractristiques peuvent tre utiliss, augmen-
et les cots d'entretien. Cependant, la dfaillance de tant par consquent l'efficacit et la fiabilit de l'ensemble
l'onduleur peut entraner l'arrt de la production de l'en- de l'installation.
semble de l'installation. De plus, cette solution n'est pas
trs adapte l'agrandissement (et donc la hausse de
Figure 3.5
la puissance crte) de l'installation PV, car elle augmente
string
les problmes de protection contre les surintensits et
ceux lis un ombrage diffrent, autrement dit lorsque
module
l'exposition des panneaux n'est pas la mme dans l'en-

semble de l'installation.
Le fonctionnement de l'onduleur est rgul par le MPPT1,
L1
en tenant compte des paramtres moyens des strings
raccords l'onduleur ; par consquent, si tous les L2
strings sont raccords un onduleur unique, l'ombrage L3

ou la dfaillance de tout ou partie des strings entrane N
une rduction accrue des performances lectriques de
l'installation par rapport d'autres configurations.
Figure 3.4
string
module
3.2.3 Installation multi-onduleurs

Dans les installations de grande taille, le champ PV est
gnralement divis en un plus grand nombre de parties
(sous-champs), chacune tant alimente par un onduleur
auquel diffrents strings sont raccords en parallle. Par
rapport la configuration prcdente, le nombre d'ondu-
module
leurs est dans ce cas infrieur, entranant une rduction

consquente de l'investissement et des cots d'entretien.
Cette configuration prsente galement l'avantage de
rduire les problmes lis l'ombrage et la diffrence
d'exposition des strings mais galement ceux lis l'uti-
lisation de modules diffrents, condition que les strings
du sous-champ ayant des modules et une exposition
1
Voir Chapitre 1. identiques soient raccords au mme onduleur.
De plus, la dfaillance d'un onduleur n'implique pas 3.3 Choix de l'onduleur et interfaage
la perte de production de l'ensemble de l'installation
(comme dans le cas de l'onduleur unique) mais du sous- Le choix de l'onduleur et de sa taille est ralis en tenant
champ correspondant uniquement. Il est recommand compte de la puissance assigne PV prise en charge. La
de pouvoir dconnecter chaque string sparment, de taille de l'onduleur peut tre dtermine par un rapport
manire ce que les vrifications de fonctionnement et variant de 0.8 0.9 entre la puissance active mise dans
d'entretien requises puissent tre ralises sans mettre le rseau et la puissance assigne du gnrateur PV.
hors service l'ensemble du gnrateur PV. Ce rapport tient compte de la perte de puissance des
Lors de l'installation en parallle du tableau de distribu- modules PV dans des conditions relles d'utilisation
tion du ct DC, il est ncessaire de prvoir l'introduction (temprature d'utilisation, chutes de tension au niveau
d'un dispositif de protection contre les surtensions et les des raccordements lectriques...) et de l'efficacit de
courants inverses sur chaque string afin d'viter l'ali- l'onduleur. Il dpend galement des mthodes d'ins-
mentation des strings ombrags ou dfectueux par ceux tallation des modules (latitude, inclinaison, temprature
monts en parallle. La protection contre les surtensions ambiante...) susceptibles d'entraner une variation de la
peut tre assure par un disjoncteur thermomagntique puissance gnre. C'est pourquoi l'onduleur est fourni
ou un fusible, tandis que la protection contre le courant avec une limitation automatique de l'nergie fournie afin
inverse est assure par des diodes3. de contourner les situations dans lesquelles la puissance
Dans cette configuration, le diagnostic de l'installation gnre est suprieure celle gnralement estime.
est ralis par un systme de supervision qui vrifie la Afin d'obtenir un bon dimensionnement de l'onduleur,
production des diffrents strings. les caractristiques suivantes doivent notamment tre
Figure 3.6 considres :
string Ct DC :
- puissance assigne et puissance maximale ;
- tension assigne et tension maximale admissible ;
module
- champ de variation de la tension du MPPT dans

des conditions d'utilisation standards.
Ct AC :
- puissance assigne et puissance maximale pouvant
tre fournies en continu par le groupe de conver-
sion, ainsi que la plage de temprature ambiante
string
auquel cette puissance peut tre fournie ;
L1
- courant assign fourni ;
L2 - courant fourni maximum permettant le calcul de
module
la contribution de l'installation PV au courant de

L3 court-circuit ;
N - tension maximale et distorsion du facteur de puis-
sance ;
- rendement maximal ;
- rendement une charge partielle et 100% de
la puissance assigne (selon l' efficacit euro-
string
penne4 ou le schma d'efficacit5 (Figure 3.7).
module
2
Remarque : l'ouverture du dispositif de dconnexion n'empche pas la prsence d'une 4
L'efficacit europenne est calcule en tenant compte des efficacits la charge partielle
tension du ct DC. de l'onduleur l'aide de la formule suivante :
heuro = 0.03.h5% + 0.06.h10% + 0.13.h20% + 0.10.h30% + 0.48.h50% + 0.20.h100%
3
Les diodes entranent une perte de puissance constante due la chute de tension au
niveau de leur jonction. Cette perte peut tre rduite par l'utilisation de composants dots 5
Ce schma fait apparatre que l'efficacit maximale varie de 40% 80% de la puissance
d'une jonction mtal-semi-conducteur ayant une perte de 0.4V (diodes Schottky), au lieu assigne de l'onduleur, ce qui correspond l'intervalle de puissance dans lequel l'onduleur
de 0.7V comme les diodes conventionnelles. fonctionne la plupart du temps.
Figure 3.7 du string pour une puissance maximale correspondante
100 dans des conditions de rayonnement solaire standards

90
80 doit tre suprieure la tension d'utilisation minimale du
MPPT de l'onduleur ; la tension minimale du MPPT est
Efficacit [%]
70 VDC = 190 V200 V

60 la tension maintenant la logique de commande active
50 VDC = 350 V370 V
40 VDC = 470 V490 V
et permettant une livraison de puissance correcte sur le
30 rseau du distributeur. De plus, elle doit tre :
20
10 Umax UMPPT max [3.3]
0
0 5 10 20 30 50 100
99 autrement dit, la tension minimale ( -10C), la sortie
98
du string pour une puissance maximale correspondante
Efficacit [%]
97
96 dans des conditions de rayonnement solaire standards,
95
94
doit tre infrieure ou gale la tension d'utilisation
93 maximale du MPPT de l'onduleur.
92
91
90
0 5 10 20 30 50 100
La Figure 3.8 montre un schma de couplage entre le
Puissance [% de la puissance assigne] champ PV et l'onduleur tenant compte des trois ingalits
susmentionnes.
De plus, il est ncessaire d'valuer les valeurs assignes
Outre la conformit avec les trois conditions susmen-
de tension et de frquence la sortie et de tension
l'entre de l'onduleur. tionnes concernant la tension, il est ncessaire de v-
Pour les installations raccordes au rseau public, les rifier que le courant maximum du gnrateur PV lors de
valeurs de tension et de frquence la sortie sont impo- l'utilisation au Maximum Power Point (MPP) est infrieur
ses par le rseau dans les tolrances dfinies6. au courant maximum admis par l'onduleur au niveau de
Concernant la tension l'entre, les conditions extrmes l'entre.
d'utilisation du gnrateur PV doivent tre values Figure 3.8
afin de garantir un fonctionnement sr et productif de Plage d'utilisation du champ PV
l'onduleur.
Il est tout d'abord ncessaire de vrifier que la tension 0V U min U max U oc max
vide Uoc la sortie des strings, la temprature pros-
pective minimale (-10C), est infrieure la temprature
maximale prise en charge par l'onduleur, savoir : 0V U MPPT min U MPPT max U MAX
Uoc max UMAX [3.1]
Plage d'utilisation DC de l'onduleur
Certains modles d'onduleurs prsentent une batterie de
condensateurs l'entre ; par consquent, la connexion Dfaut d'allumage de l'onduleur
dans le champ PV peut gnrer un appel de courant gal Possible disfonctionnement en cas de limite basse de la tolrance rseau
la somme des courants de court-circuit de tous les
Opration autorise
strings raccords. Ce courant ne doit pas dclencher
les protections internes, le cas chant. Blocage de l'onduleur protection contre les surtensions d'entre
Chaque onduleur est caractris par une plage normale Possible dommage de l'onduleur
de tensions l'entre. tant donn que la tension la
sortie des panneaux PV est fonction de la temprature,
il est ncessaire de vrifier que dans des conditions Lgende :
d'utilisation prvisibles (de -10C +70C), l'onduleur Umin tension au Maximum Power Point (MPP) du champ PV
fonctionne dans la plage de tensions dclare par le la temprature d'utilisation maximale attendue pour les
fabricant. Par consquent, les deux ingalits [3.2] et modules PV sur le site d'installation
[3.3] doivent tre simultanment vrifies : Umax tension au Maximum Power Point (MPP) du champ PV,
correspondant la temprature d'utilisation minimale
Umin UMPPT min [3.2]
attendue pour les modules PV sur le site d'installation
autrement dit, la tension minimale ( 70C) la sortie Uoc max tension vide du champ PV la temprature d'utilisation
minimale attendue pour les modules PV sur le site d'ins-
tallation
6
Depuis 2008, la tension standard europenne est de 230/400V avec une tolrance de UMPPT min tension d'entre minimale admise par l'onduleur
+6% et -10%, tandis que la tolrance pour la frquence est de 0.3 Hz.
UMPPT max tension d'entre maximale admise par l'onduleur
7
Concernant le choix de l'onduleur et des autres composants de l'installation PV du
ct AC, une valeur de prcaution de 1.2 Uoc pour la tension maximale du string peut UMAX tension d'entre maximale supporte par l'onduleur
tre prsume.
Les onduleurs disponibles sur le march ont une puis- Dans les installations de petite/moyenne taille, la solution
sance assigne de 11 kW maximum pour les modles privilgie comporte gnralement plusieurs onduleurs
monophass et jusqu' plusieurs centaines de kW pour monophass rpartis de manire gale sur les trois
les modles triphass. phases et sur le neutre commun et un seul transformateur
Dans les installations de petite taille jusqu' 6 kW avec pour la sparation du rseau public (Figure 3.9).
un raccordement monophas au rseau BT, un onduleur
unique est gnralement install, tandis que dans les En revanche, pour les installations de moyenne/grande
installations de plus de 6 kW avec un raccordement taille, il convient de privilgier une structure comportant
triphas au rseau BT ou MT, plusieurs onduleurs sont un nombre rduit d'onduleurs triphass auxquels sont
gnralement installs. raccords plusieurs strings en parallle du ct DC des
tableaux de distribution du sous-champ (Figure 3.10).
Figure 3.9
Coffret de distribution Onduleur mont en parallle dans le tableau de distribution basse tension
OND 1
I1
Coffret de distribution
OND 2 I2
OND 3 I3
U
V
W
OND 4 I4 N
OND 5 I5
OND 6
I6
Figure 3.10

Coffrets de protections Coffrets de
de spring regroupements
Champ PV Q1-1 Onduleur
dans le coffret de protection
String mont en parallle
Vers le tableau de distribution Q7 - 1

Q1-2 Onduleur
Vers le coffret de regroupement Q7 - 2

Onduleur mont en
parallle dans le
tableau AC distribution
Q1-3 Onduleur

Q1-4 Onduleur

Pour permettre la maintenance des onduleurs PV, des sur chaque string, afin qu'il soit possible d'effectuer
moyens de sectionnement doivent tre prvus par ondu- les oprations de vrification et d'entretien sur chaque
leur, tant du ct continu que du ct alternatif. string sans mettre hors service les autres parties de
De plus, comme indiqu dans la Figure 3.10, il est l'installation.
recommand d'installer un dispositif de dconnexion
3.4 Choix des cbles modules et le string du premier tableau de distribution

Tout dabord, les cbles doivent avoir une tension du sous-champ ou directement l'onduleur ;
cbles non solaires qui sont utiliss du ct charge du

assigne compatible avec celle de linstallation. C'est-
premier tableau de distribution.
-dire que pour la partie courant alternatif, la tension
de linstallation ne doit pas excder la tension assigne Les cbles raccordant les modules sont fixs l'arrire
des cbles. Les cbles utiliss dans la partie courant de ces derniers, o la temprature peut atteindre 70
continue doivent possder une tension assigne sup- 80C. Par consquent, des cbles particuliers sont utiliss,
rieur ou gale Uoc MAX. gnralement des cbles unipolaires gaine et isolation
La caractristique Uoc MAX , dfinie la tension maximale en caoutchouc. Pour ceux qui sont soumis directement
du systme. Sa valeur est : au rayonnement solaire, il faut quils rpondent de plus
Uoc MAX = k x Uoc STC la condition dinfluence externe AN2, ce qui assure
avec k correspondant au facteur de correction en fonction la rsistance aux rayons UV. Il est cependant possible
de la temprature ambiante minimale au lieu dinstallation datteindre cette condition par mise en uvre dcran
dinterposition ou lments similaires.
des modules (Tableau 3.4, issu de lUTE C 15-712-1). En
labsence dinformation de temprature k = 1,2.
3.4.2 Section et intensit admissible
Tableau 3.4 : Facteur de correction k pour les modules mono ou poly
cristallins La section d'un cble doit tre telle que :
son intensit admissible Iz ne soit pas infrieure au
Temprature ambiante Facteur de correction (k)
minimale (en C) courant d'emploi Ib ;
24 20 1,02
la chute de tension son extrmit se trouve dans les
19 15 1,04
limites fixes.
14 10 1,06
Dans des conditions d'utilisation ne ncessitant pas de
95 1,08
protection pour tous les strings, chaque module fournit
40 1,10
un courant proche du courant de court-circuit, de sorte
-1 -5 1,12
que le courant maximal Ib du circuit du string est sup-
-6 -10 1,14
pos au plus gal :
-11 -15 1,16
Ib = 1.25 . ISC STC [3.4]
-16 -20 1,18
-21 -25 1,20 o Isc STC est le courant de court-circuit dans des
-26 -30 1,21 conditions d'essai standards et l'augmentation de 25%
-31 -35 1,23 tient compte des valeurs de rayonnement suprieures
-36 -40 1,25 1kW/m2.
3.4.1 Types de cbles Lorsque chaque string possde un appareil de protec-

Les cbles des installations PV sont diviss en deux types. tion, le calibre (In) de cet appareil de protection pour
Les cbles installs sur la partie tension alternative. Ils valeur minimale :
se conforment aux rgles applicables sur les installations
I = 1.4 . I [3.5]
lectriques communes (en France : NF C15-100, ). n SC STC
Les cbles installs sur la partie tension continue. Dans ce cas, le courant admissible des cbles doit au
Ceux-ci possdent des particularits. moins tre gal au courant conventionnel I2. Ce dernier
dpend du type dappareil de protection utilis. Il est
Les conducteurs du ct DC de l'installation doivent avoir dfini comme suit :
une isolation double ou renforce (classe II) afin de mini- - pour les fusibles : I2 = 1,45 x In
miser le risque de dfauts la terre et de courts-circuits - pour les disjoncteurs : I2 = 1,3 x In
(CEI 60364-7-712).
Ils doivent tre au minimum de type C2 (non propagateur Le mode de pose influe galement sur la section et linten-
la flamme). sit admissible des cbles.
Ils doivent possder en rgime permanant, une tempra- Pour le calcul des cbles de chanes, la temprature
ture minimale sur lme dau moins 90C. prendre en compte pour leur dimensionnement est
Les cbles HO7 RN-F install en poste fixe et R02V sont considre gale 70C et un facteur de correction de
utilisable jusqu 1500V DC. 0,58 est appliquer conformment au Tableau 3.4.2 dans
les cas suivant :
Les cbles du ct DC sont diviss en : - Cbles soumis lchauffement direct des
cbles solaires (ou cbles de string) qui raccordent les modules ;
- Cbles soumis au rayonnement solaire. Dans ce
cas, le facteur de correction de 0,85 dfini larticle 512-
8
L'ensemble des cbles et du systme de conduits dans lequel ils sont placs.
2-11 de la NF C 15-100 nest pas prendre en compte ;
- Cbles cheminant dans des isolants thermiques
de toiture ou de faade. Dans ce cas, le facteur de cor-
rection de 0,58 doit tre multipli par 0,77, soit 0,45.
.
Tableau 3.4 : Facteur de correction k pour les modules mono ou poly
cristallins
Temprature Elastomre Isolation
ambiante (caoutchouc)
(C) PVC PR / EPR
10 1,29 1,22 1,15
15 1,22 1,17 1,12
20 1,15 1,12 1,08
25 1,07 1,06 1,04
30 0,93 0,94 0,96
35 0,82 0,87 0,91
40 0,71 0,79 0,87
45 0,58 0,71 0,82
50 0,61 0,76
55 0,50 0,71
60 0,65
65 0,58
70 0,50
75 0,41
Dans les installations PV il est ncessaire de diffrentier la

partie tension continue de la partie tension alternative.
Dans le premier cas, la chute de tension maximale autorise
est de 3% Impp STC.
Dans le second cas, la chute de tension maximale entre
les bornes de londuleur et lAGCP est de 3% puissance
nominale.
Dans le cas o plusieurs circuits sont prsents, cest le cir-
cuit possdant la plus forte chute de tension qui est retenu.
Le calcul de la chute de tension pour la partie tension
continue doit se faire avec la tension de rfrence Umpp STC,
le courant Impp STC, la rsistivit du cble correspondant la
temprature maximale de lme en service normal (=1,25
x 0).
PARTIE II - Contexte italien
4 Raccordement au rseau et mesure de l'nergie

4.1 Gnralits

Une installation PV peut tre raccorde en parallle au
rseau de distribution public si les conditions suivantes
Figure 4.1
sont respectes (CEI 0-16) :
Rseau public
le raccordement parallle ne doit pas nuire la conti-
nuit et la qualit du service du rseau public afin de
prserver le niveau de service pour les autres utilisa- quipement de production
d'nergie et quipement
teurs raccords ; de mesure
l'installation de production ne doit pas tre raccorde
ou le raccordement en parallle doit immdiatement Systme lectrique
et automatiquement tre interrompu en cas d'absence de l'autoproducteur
d'alimentation du rseau de distribution ou si les va- DG
leurs de tension et de frquence du rseau ne sont pas Dispositif principal
dans la plage des valeurs autorises ; QF

Partie du rseau
l'installation de production ne doit pas tre raccorde non autonome
ou le raccordement en parallle doit immdiatement de l'autoproducteur
et automatiquement tre interrompu si la valeur seuil

DDI
du dsquilibre de la puissance gnre par les ins-
Dispositif d'interface
tallations triphases comprenant des gnrateurs
monophass n'est pas infrieure la valeur maximale QF
Partie du rseau
autorise pour les raccordements monophass. autonome de
l'autoproducteur
Ceci afin d'viter que (CEI 0-16) : DDG

en cas de manque de tension dans le rseau, l'utilisa- Dispositif du gnrateur
teur actif connect puisse alimenter le rseau ;
en cas de dfaillance sur la ligne MT, le rseau puisse
tre aliment par l'installation PV raccorde celui-ci ;
en cas de renclenchement automatique ou manuel
des disjoncteurs du rseau de distribution, le gn- Systme
rateur PV puisse tre hors phase avec la tension du de gnration
rseau, endommageant probablement le gnrateur. PV
L'installation PV peut tre raccorde au rseau BT, MT

ou HT en fonction de la valeur de puissance crte g-
nre (TICA) :
raccordement au rseau BT pour les installations
jusqu' 100 kW1 ;
raccordement au rseau MT pour les installations Concernant le schma particulier de l'installation PV, la
jusqu' 6 MW. norme (CEI 0-16) permet que le mme dispositif ralise
Plus particulirement, le raccordement de l'installation un plus grand nombre de fonctions condition que,
PV au rseau BT : entre le gnrateur et le rseau, deux disjoncteurs ou
peut tre monophas pour des puissances jusqu' un disjoncteur et un contacteur monts en srie soient
6kW ; prsents.
doit tre triphas pour des puissances suprieures 6
kW et, si les onduleurs sont monophass, la diffrence Lors du choix du pouvoir de coupure des dispositifs QF
maximale entre les phases ne doit pas excder 6 kW. (arrt du flux), il convient de considrer que l'installation
Le schma de principe de la configuration du systme de de gnration peut contribuer, outre au rseau et au
gnration mont en parallle au rseau public est illustr fonctionnement de grands moteurs, au courant de court-
dans la Figure 4.1 (Guide CEI 82-25, II d.). circuit au niveau du point d'installation.
1
Ces limites peuvent tre dpasses la discrtion de l'autorit de distribution. De plus,
s'agissant des installations dj raccordes au rseau, ces limites sont augmentes jusqu'au
niveau de puissance dj disponible pour le retrait.
4.2 Montage en parallle au rseau BT Pour une puissance allant jusqu' 6kW dans des syst-
mes monophass et 20kW dans des systmes tripha-
En analysant la Figure 4.1, nous pouvons remarquer que ss, le dispositif d'interface peut galement tre intgr
trois dispositifs de commutation sont interposs entre au systme de conversion. Pour les installations allant
l'installation de production de l'utilisateur et le rseau jusqu' 20 kW, la fonction d'interface peut tre assure
public (Guide CEI 82-25, II d.) : par jusqu' 3 diffrents dispositifs (Guide de raccorde-
dispositif principal, il spare l'installation de l'utilisateur ment aux rseaux lectriques d'Enel Distribution).
du rseau public ; il se dclenche en cas de dfaillance
de l'installation PV ou, si cette dernire est facturation Dans les installations PV dotes d'une puissance
nette, en raison d'une dfaillance du systme PV ou de maximale de 20 kW et d'au maximum trois onduleurs,
l'installation de l'utilisateur ; il consiste en un disjoncteur auxquels les charges ne sont pas raccordes pour le
permettant la dconnexion en cas de surintensit et le fonctionnement autonome, le dispositif du gnrateur
dclenchement de toutes les phases et du neutre ; peut galement assurer la fonction de dispositif d'inter-
dispositif d'interface, il spare l'installation de gnration face (Figure 4.1a), tandis que dans les installations PV de
du rseau non autonome de l'utilisateur et par cons- gnration uniquement, autrement dit celles auxquelles
quent du rseau public ; il se dclenche en prsence de aucune installation de consommation n'est associe,
perturbations sur le rseau du distributeur et consiste le dispositif d'interface peut tre combin au dispositif
en un contacteur ou un disjoncteur automatique dclen- principal (Figure 4.1b).
chant toutes les phases impliques et le neutre en cas Figure 4.1a
de surtension ; il est de catgorie AC-7a si monophas Rseau public
ou AC-1 si triphas (CEI EN 60947-4-1) ;
quipement de production
dispositif du gnrateur, il spare le gnrateur PV du d'nergie et quipement
reste de l'installation de l'utilisateur; il se dclenche en de mesure Ener
prsence d'une dfaillance dans le gnrateur et peut

Systme lectrique de l'autoproducteur
consister en un contacteur ou un disjoncteur automa- DG
tique dclenchant toutes les phases impliques et le Dispositif principal
neutre.
Partie du rseau QF
non autonome
Le systme de protection d'interface, qui agit sur le dis- de l'autoproducteur
positif d'interface, prsente les fonctions listes dans le Dispositif d'interface /
du gnrateur
Tableau 4.1. DI/DDG
Systme
de gnration
Tableau 4.1
PV
Valeur de Temps de
Protection Version consigne dclenchement
Figure 4.1b
Tension maximale (59) Unipolaire/ 1.2 Un 0.1 s
Tripolaire(1)
Rseau public
Tension minimale (27) Unipolaire/ 0.8 Un 0.2 s quipement de production

Tripolaire(1) d'nergie et quipement
de mesure
Frquence maximale (81>) Unipolaire 50.3 ou 51 Hz(2) Sans
retard intentionnel
Systme lectrique de l'autoproducteur
Frquence minimale (81<) Unipolaire 49 ou 49.7 Hz(2) Sans
retard intentionnel
Drive de frquence (81)(3) Unipolaire 0.5 Hz/s Sans Dispositif d'interface /
retard intentionnel du gnrateur
DG/DI
(1) Unipolaire pour les systmes monophass et tripolaire pour les
systmes triphass. Dispositif du gnrateur
DDG
(2) Les rglages par dfaut sont 49.7 Hz et 50.3 Hz. Si dans des conditions
normales d'utilisation, les variations de la frquence du rseau du
distributeur sont telles qu'elles causent des dclenchements intempestifs
du dispositif de protection contre la frquence maximale/minimale, les
rglages 49 et 51 Hz doivent tre appliqus. Systme
(3) Dans des cas particuliers uniquement. de gnration
PV
Une sparation mtallique entre l'installation PV et le Les installations PV peuvent fournir une nergie active
prsentant un facteur de puissance (Guide CEI 82-25,

rseau public doit tre garantie afin de ne pas introduire
de courants directs dans le rseau. Pour les installations II d.)3 :
dont la puissance totale gnre n'est pas suprieure en retard de 0.8 minimum (absorption de la puissance
20kW, cette sparation peut tre remplace par une pro- ractive) lorsque la puissance active varie de 20%
tection (gnralement situe l'intrieur de la commande 100% de la puissance totale installe ;
lectronique et du systme de rglage de l'onduleur) qui unitaire ;
ouvre le dispositif d'interface (ou de gnrateur) si les en avance, lorsqu'elles fournissent une puissance rac-
valeurs du composant direct total excdent 0.5% de tive totale n'excdant pas la valeur minimale comprise
la valeur r.m.s. du composant fondamental du courant entre 1kvar et (0.05+P/20)kvar (o P est la puissance
maximal total sortant des convertisseurs. Pour les ins- totale installe exprime en kW).
tallations dont la puissance de gnration totale excde
20kW et dotes d'onduleurs sans sparation mtallique
entre les parties courant direct et alternatif, l'insertion
d'un transformateur BT/BT la frquence industrielle est
2
Un transformateur haute frquence n'est pas compatible car ses composants de
requise (Guide CEI 82-25, II d.). courant direct de sortie excdent les limites autorises ; de plus, seul un transformateur
La Figure 4.2 montre un schma unifilaire type d'une ins- de sparation est admis pour plusieurs onduleurs.
tallation PV raccorde au rseau BT en prsence d'une 3

Correspondant au composant fondamental.
installation d'utilisateur.
Figure 4.2
Rseau public BT
Mesure de l'nergie prise

kWh et introduite dans le rseau
kvarh
Distributeur
Installation de l'utilisateur
Disjoncteur principal
(DG)
Dispositif
Protection
d'interface (DDI ) 27 - 59 - 81 d'interface (PI)
Utilisateurs BT non autonomes

kWh Mesure de l'nergie produite
Disjoncteur Disjoncteur
du gnrateur du gnrateur
(DDG) (DDG)
Onduleur
Gnrateur
photovoltaque
(PV)
4.3 Montage en parallle au rseau MT sont autoriss condition que la commande de dclen-
chement de chaque protection agisse sur tous les dis-
positifs, afin que la dtection d'une condition anormale

Le dispositif principal est constitu de (CEI 0 -16) :
par une protection dconnecte tous les gnrateurs du
un disjoncteur tripolaire en version amovible avec unit
rseau6.
de dclenchement d'ouverture ;
Si des onduleurs monophass dots d'une puissance
ou un disjoncteur tripolaire avec unit de dclenche-
allant jusqu' 10kW sont utiliss, le systme de protection
ment d'ouverture et interrupteur-sectionneur tripolaire
d'interface peut tre intgr au convertisseur pour des
du ct alimentation du disjoncteur.
puissances gnres totales de 30kW maximum (Fiche
Concernant la commande d'ouverture du dispositif prin-
d'interprtation CEI 0-16).
cipal transmise par la protection principale, une bobine
De plus, tant donn que les onduleurs utiliss dans les
manque de tension doit tre utilise. En effet, si pour
installations PV fonctionnent comme des gnrateurs
une raison quelconque la tension d'alimentation de la
de courant et non comme des gnrateurs de tension,
protection principale est insuffisante, l'ouverture du dis-
il n'est pas ncessaire d'intgrer dans la protection
positif principal se produit mme en cas d'absence de
d'interface les protections homopolaires contre les sur-
commande de la protection principale.
tensions (59N) ni la protection supplmentaire contre le
La protection gnrale comprend (CEI 0-16) :
dfaut d'ouverture du dispositif d'interface (Guide CEI
un dclencheur maximum de courant avec trois seuils
82-25, II d.).
de dclenchement, un retard inverse I> (seuil de
Le systme de protection d'interface comprend les fonc-
surcharge 51), deux temps constant I>> (seuil avec
tions listes dans le Tableau 4.2 (Fiche d'interprtation
retard intentionnel 51) et I>>> (seuil instantan 50) ;
CEI 0-16).
un dclencheur maximum de courant homopolaire
51N avec deux seuils de dclenchement temps Tableau 4.2
constant Io> et Io>>, un pour les dfauts la terre mo- Valeur de Dlai d'extinction en Retard
Protection consigne cas de dfaillance intentionnel
nophass et un pour les dfauts la terre monophass
Tension maximale (59) 1.2 Un 170 ms 100 ms
doubles, ou un dclencheur maximum de courant
Tension minimale (27) 0,7 Un 370 ms 300 ms
homopolaire directionnel avec deux seuils 67N.1 et
67N.2, un pour la slection des dfauts internes en Frquence maximale (81>) 50.3 Hz 170 ms 100 ms
cas de rseaux neutre compens et un en cas de Frquence minimale (81<) 49.7 Hz 170 ms 100 ms
neutre isol, associ un dclencheur maximum de
courant homopolaire avec un seuil pour les dfauts
la terre monophass doubles. Concernant le dispositif du gnrateur, les observations
faites pour le montage en parallle avec la partie BT
Le dispositif d'interface peut tre plac du ct MT ou s'appliquent.
BT. Si ce dispositif est install sur la partie MT de l'instal-
lation, il peut tre constitu des lments suivants (Fiche Les Figures 4.3 et 4.4 montrent deux schmas type de
d'interprtation CEI 0-16) : raccordement du rseau MT d'une installation PV. Le
un disjoncteur tripolaire en version amovible avec schma de la Figure 4.3 montre une installation quipe
dclencheur d'ouverture minimum de tension ou ; d'onduleurs monophass dans laquelle le dispositif
un disjoncteur tripolaire avec dclencheur d'ouverture d'interface est plac du ct BT. Cette configuration est
minimum de tension et un interrupteur-sectionneur ins- caractristique des installations ayant une puissance
tall du ct alimentation ou charge du disjoncteur5. maximale de 100 kW.
En revanche, les installations plus grandes utilisent des
En rgle gnrale, pour les installations dotes de plu- onduleurs triphass avec un ou plusieurs transformateurs
sieurs gnrateurs PV, le dispositif d'interface doit tre BT/MT et le dispositif d'interface est gnralement plac
unique et permettre d'exclure en mme temps tous les du ct MT (Figure 4.4).
gnrateurs. Cependant, plusieurs dispositifs d'interface
4
Une protection 67N est requise lorsque la contribution au courant capacitif de dfaut 6
Lorsqu'une installation PV (d'une puissance totale de 1 MW maximum) est ajoute des
la terre monophas du rseau MT de l'utilisateur excde 80% du courant de consigne fix installations raccordes au rseau depuis plus d'un an, il n'est pas possible d'installer plus
par le distributeur de la protection 51N. En pratique, lorsque les cbles MT de l'utilisateur de trois dispositifs d'interface, chacun d'eux pouvant prendre en charge 400 kW maximum
excdent la longueur de : (CEI 0-16 Fiche d'interprtation).
400m pour les rseaux avec Un=20 kV ;
533m pour les rseaux avec Un=15kV.
5
L'ventuelle prsence de deux interrupteurs-sectionneurs (un du ct alimentation et
l'autre du ct charge) doit tre envisage par l'utilisateur en fonction du besoin de scurit
pendant les oprations d'entretien.
Figure 4.3

Rseau MT
kWh
kvarh Distributeur
Installation de
l'utilisateur
Disjoncteur 50-51 - 51N - (67N) Protection principale PG
principal
(DG)
Dispositif Dispositif
d'interface <U 27 - 59 - 81 d'interface
(DDI ) (DDI )
Utilisateurs BT non autonomes Mesure de

kWh l'nergie produite
Disjoncteur Disjoncteur
du gnrateur du gnrateur
(DDG) (DDG)
Onduleur
Gnrateur
photovoltaque
(PV)
Figure 4.4
Rseau MT
kWh
kvarh Distributeur
Installation de
l'utilisateur
Disjoncteur
principal 50-51 - 51N - (67N) Protection principale PG
(DG)
Dispositif Protection
d'interface <U 27 - 59 - 81 d'interface
(DDI) (PI)
Utilisateurs BT
non autonomes
kWh kWh
Disjoncteur
du gnrateur
(DDG)
Onduleur Onduleur
triphas triphas
4.4 Mesure de l'nergie produite et change
avec le rseau En revanche, lorsque l'installation PV gnre de l'nergie,
les deux situations suivantes peuvent se produire :

Dans une installation PV raccorde au rseau public, P > C : dans ce cas le bilan est positif et l'nergie est
l'interposition de systmes de mesure est ncessaire introduite sur le rseau ;
pour dtecter : P < C : dans ce cas le bilan est ngatif et l'nergie est
l'nergie lectrique prise du rseau ; prise du rseau.
l'nergie lectrique introduite sur le rseau ;
l'nergie produite par l'installation PV. L'nergie change avec le rseau est gnralement
mesure par un compteur lectronique bi-directionnel
La modalit d'insertion des systmes de mesure est M2 et le systme de mesure doit tre horaire.
montre dans la Figure 4.5.
Le service public de distribution est gnralement res-
Figure 4.5
ponsable de l'installation et de l'entretien de l'quipement
Charges
lectriques de mesure de l'nergie change.
Le dcret ministriel DM 19/2/07 dfinit l'nergie lectri-
que produite par une installation PV comme l'nergie
E lectrique mesure la sortie de l'ensemble onduleur
C
convertissant le courant direct en courant alternatif,
M2 Rseau
y compris l'ventuel transformateur, avant que cette
Installation PV P nergie ne soit mise disposition des charges lectri-
U
ques du sujet responsable et/ou introduite sur le rseau
M1
public.
La mesure de l'nergie produite est ralise par un

Le bilan nergtique du systme pour une priode sp- compteur M1, qui doit tre capable de dtecter l'ner-
cifique est donn par : gie produite par heure et tre quip d'un dispositif de
U-E=P-C [4.1] demande de tlcommunication et d'acquisition des
mesures par l'administrateur du rseau.
L'quipement de mesure de l'nergie produite doit tre
o : install le plus prs possible de l'onduleur et tre quip
U est l'nergie produite par l'installation PV et l'nergie de dispositifs anti-fraude adapts.
introduite sur le rseau ;
E est l'nergie prise du rseau ; Pour les installations dotes d'une puissance assigne
P est l'nergie produite par l'installation PV (nergie sou- maximale de 20 kW, le responsable de la mesure de
tenue par le tarif de rachat) ; l'nergie produite est l'administrateur du rseau. Pour
C est l'nergie consomme par l'installation de l'utilisa- les puissances suprieures 20 kW, le responsable
teur. est l'utilisateur actif (autrement dit l'utilisateur qui
produit galement de l'nergie), lequel a la possibilit
Pendant la nuit ou lorsque l'installation PV ne produit de faire appel l'administrateur du rseau pour raliser
pas d'nergie pour d'autres raisons, (U=P=0), la formule cette activit, tout en conservant la responsabilit de
[4.1] devient : ce service.
E=C [4.2]
autrement dit toute l'nergie consomme est prise du

rseau.
5 Mise la terre et protection contre le contact indirect

5.1 Mise la terre Dans ce cas, la rsistance de terre Re des pices conduc-
trices exposes doit respecter la condition (CEI 64-8) :

Le concept de mise la terre appliqu un systme 120
photovoltaque (PV) peut impliquer la fois les parties Re [5.1]
conductrices exposes (par ex. le cadre mtallique des Id
panneaux) et le systme de gnration d'nergie (parties
sous tension du systme PV, par ex. les cellules). o Id est le courant du premier dfaut la terre, qui n'est
Un systme PV peut tre mis la terre uniquement s'il est pas connu l'avance mais qui est gnralement trs bas
spar galvaniquement (par ex. au moyen d'un transfor- dans les installations de petite taille.. Par consquent, la
mateur) du rseau lectrique. Un systme PV isol pourrait rsistance de terre Re de l'installation du consommateur,
sembler en apparence plus sr pour les personnes tou- qui est dfinie pour un dfaut dans le rseau, respecte g-
chant une pice sous tension ; en fait, la rsistance la nralement le rapport [5.1] uniquement. En cas de double
terre de l'isolation des pices sous tension n'est pas infinie dfaut la terre, tant donn que le gnrateur PV est un
et une personne peut tre lectrocute par un courant re- gnrateur de courant, la tension des pices conductrices
traversant cette rsistance. Ce courant augmente lorsque exposes interconnectes doit tre infrieure :
la tension la terre de l'installation et la taille de l'installa-
Isc . Reqp 120V [5.2]
tion augmentent, car la rsistance la terre de l'isolation
diminue. De plus, la dcomposition physiologique des
isolants, au fil du temps et en prsence d'humidit, rduit o Isc est le courant de court-circuit des cellules impliques,
la rsistance de l'isolation. Par consquent, dans les trs tandis que Reqp est la rsistance du conducteur intercon-
grandes installations, le courant traversant une personne nectant les parties conductrices exposes affectes par
en contact avec une pice sous tension peut causer une le dfaut. Par exemple, si Reqp = 1 (valeur approche par
lectrocution. L'avantage sur les systmes mis la terre excs), le rapport [5.2] est respect pour Isc n'excdant pas
concerne donc uniquement les petites installations. 120A, ce qui est habituel dans les installations de petite
taille; par consquent, la tension de contact effective en
5.2 Installations avec transformateur
cas de second dfaut la terre n'est pas dangereuse.
En revanche, dans les installations de grande taille, il est
Dans les installations quipes d'un transformateur, outre
ncessaire de rduire une limite acceptable la probabilit
l'analyse du systme PV isol ou mis la terre, il est
d'un second dfaut la terre en supprimant le premier
ncessaire, pour la protection contre les contacts indi-
rects, de diffrencier les pices conductrices exposes dfaut la terre dtect par le contrleur d'isolement (
en amont et en aval du transformateur1. l'intrieur ou l'extrieur de l'onduleur).
5.2.1 Parties conductrices exposes du ct 5.2.1.2 Installation avec systme TN

charge du transformateur Dans ce type d'installation, les parties sous tension et les
parties conductrices exposes sont raccordes au mme
systme de mise la terre (systme de mise la terre
5.2.1.1 Installation avec systme IT de l'installation du consommateur). Par consquent, un
Dans ce type d'installation, les pices sous tension sont systme TN est obtenu du ct DC (Figure 5.2).
isoles de la terre, tandis que les pices conductrices Figure 5.2
exposes sont mises la terre2 (Figure 5.1). A
Figure 5.1
A + - + - + - B
Id
+ - + - + - B
Charge
Id Re
Charge 1
Dans ce cas, l'amont et l'aval se rapportent au sens de l'nergie lectrique produite
par l'installation PV.
2
Pour des raisons de scurit, le systme de mise la terre est commun l'installation
Re PV et l'installation de consommation. Cependant, afin que le contrleur d'isolement de
l'onduleur fonctionne correctement et contrle le gnrateur PV, il est ncessaire que
les cadres et/ou les structures de support des panneaux (y compris de classe II) soient
mis la terre.
En prsence d'un dfaut la terre, un court-circuit se des points parallles A-B, par exemple la partie conduc-
produit comme dans les systmes TN habituels, toutefois trice expose du transformateur ou de l'onduleur lorsque
ce courant ne peut pas tre dtect par les dispositifs le transformateur est intgr, un disjoncteur de courant
de courant maximum car les installations PV sont carac- rsiduel4 doit tre interpos comme indiqu dans la Figure
trises par la gnration de courants de dfaut ayant 5.4 ; ce dispositif de courant rsiduel dtecte les courants
des valeurs peine suprieures au courant assign. Par de fuite venant du rseau ainsi que du gnrateur PV.
consquent, concernant la dangerosit de ce dfaut, les Lorsque le dispositif de courant rsiduel se dclenche en
observations faites dans le paragraphe prcdent3 sur le raison d'un courant de dfaut la terre, l'onduleur se met
second dfaut pour un systme IT s'appliquent. en veille cause du manque de tension du rseau.
Figure 5.4
5.2.2 Parties conductrices exposes du ct
alimentation du transformateur A
Considrons prsent le systme rseau-consomma-

teur de type TT. Les parties conductrices exposes de + - Id Rseau
Idr
l'installation du consommateur, laquelle est protge par B
des disjoncteurs de courant rsiduel placs au dbut de
l'installation (Figure 5.3), sont protges du rseau ainsi
que du gnrateur PV.
Rn
Figure 5.3
Re Id
A
IdPV
+ - IdPV Idr Rseau
B
Charge
Rn
En revanche, si le systme rseau-consommateur est de

Id type TN, des disjoncteurs de courant rsiduel ne sont pas
requis pour les deux options d'alimentation, partir du
rseau ou du gnrateur PV, condition que le courant
Charge
de dfaut du ct AC provoque le dclenchement des
dispositifs de protection contre les surintensits aux
moments dcrits dans la norme. (Figure 5.5).
Re
Figure 5.5
A
Il ne doit y avoir aucune partie conductrice expose entre
les points parallles A-B et le rseau, sinon l'exigence
+ -
normative stipulant que toutes les parties conductrices IdPV Idr Rseau
exposes d'une installation de consommation dans un B
systme TT doivent tre protges par un disjoncteur de

courant rsiduel n'est pas respecte.
Concernant les parties conductrices exposes en amont
3
La norme CEI 60364-7 recommande que l'ensemble de l'installation du ct DC (tableaux
de distribution, cbles et plaques bornes) comprenne des dispositifs de classe II ou une Rn
isolation quivalente. Cependant, afin que le contrleur d'isolement de l'onduleur fonc-
tionne correctement et contrle le gnrateur PV, il est ncessaire que les cadres et/ou les
structures de support des panneaux (mme en cas de classe II) soient mis la terre. Charge
4
Le courant rsiduel assign doit tre coordonn avec la rsistance de terre Re, confor-
mment au rapport habituel des systmes TT :
50
Re
Idn
5.3 Installations sans transformateur s'appliquent.

En cas de dfauts la terre du ct DC et sur les parties

En cas d'absence de transformateur de sparation entre conductrices exposes en amont des points parallles
l'installation PV et le rseau, l'installation PV doit tre A-B, le disjoncteur de courant rsiduel du ct charge
isole de la terre dans ses parties actives devenant une de l'onduleur est travers par un courant rsiduel qui
extension du rseau d'alimentation, avec gnralement
n'est pas alternatif. Par consquent, ce dispositif doit
un point raccord la terre (systme TT ou TN).
Concernant les parties conductrices exposes de l'ins- tre de type B5, moins que l'onduleur ne soit conu
tallation de consommation situes en amont des points de manire ne pas injecter de courants de dfaut la
parallles A-B, le concept dcrit dans la clause 5.2.2 terre DC (CEI 60364-7)6.
s'applique.
Du ct DC, un dfaut la terre sur les parties conductri-

ces exposes entrane le dclenchement du disjoncteur
5
Le dispositif de courant rsiduel de type B dtecte les types suivants de courants de
de courant rsiduel plac en aval de l'onduleur (Figure dfaut la terre :
5.6). Aprs le dclenchement du dispositif de courant alternatifs (galement une frquence excdant celle du rseau, par ex. jusqu'
1000 Hz) ;
rsiduel, l'onduleur se met en veille en raison du manque pulss unidirectionnels ;
directs.
de tension du rseau, toutefois le dfaut est aliment par
le gnrateur PV. tant donn que le systme PV est de 6
La norme CEI EN 62040-1 recommande que la protection de l'ASI (comprenant un on-
duleur) contre les dfauts la terre soit assure par des dispositifs de courant rsiduel de
type IT, les observations faites dans la clause 5.2.2.1 type B (pour les ASI triphases) et de type A (pour les ASI monophases), si un courant de
dfaut la terre ayant des composants DC est compatible avec la conception de l'ASI.
Figure 5.6
IdPV A
Idr
Id Rseau
type B
B
+ - + - + -
Rn
Charge
Re
6 Protection contre les surintensits et les surtensions
Lors de la dfinition de la configuration d'une installation au courant de service du circuit entre le tableau de distri-
photovoltaque, il convient de prvoir, si ncessaire, bution du sous-champ et l'onduleur, tandis que le courant
la protection des diffrentes sections de l'installation Isc4 = (x-y) . 1.25 . Isc est suprieur au courant de service
contre les surintensits et les surtensions d'origine at- si x-y > y x > 2y.
mosphrique. Dans ce cas, il est ncessaire de protger le cble contre
Nous indiquerons tout d'abord les conditions de protec- le court-circuit si son intensit admissible est infrieure
tion contre les surtensions de l'installation PV du ct Isc4, soit Iz<(x-y).1.25.Isc.
alimentation (ct DC) et du ct charge (ct AC) de Figure 6.1
l'onduleur, puis les mthodes de protection de l'instal-
A reprsente le dispositif de protection dans le tableau de distribution du
lation contre les dommages causs par une ventuelle sous-champ pour la protection du cble 1 raccordant le string et le
fulmination directe ou indirecte1. tableau de distribution.
B reprsente le dispositif de protection install dans le tableau de distri-
bution de l'onduleur pour protger le cble 2 raccordant l'onduleur
6.1 Protection contre les surintensits du ct DC et le tableau de distribution du sous-champ.
y nombre de strings raccords au mme tableau de distribution de
sous-champ.
x nombre total de strings raccords au mme onduleur.
6.1.1 Protection des cbles
Il n'est pas ncessaire de protger les cbles contre les String
+ Cble 1
Tableau de distribution
surcharges (CEI 64-8/7) si leur intensit admissible n'est du sous-champ
A
pas infrieure au courant maximum qui peut les affecter
(1.25 Isc)2.
Cble 2
+
Concernant les courts-circuits, les cbles du ct DC y

sont affects par cette surintensit en cas de :
dfaut de polarit du systme PV ; Isc3
dfaut la terre des systmes mis la terre ; Dfaut 1
double dfaut la terre des systmes isols de la terre. Dfaut 2
Isc1 Isc2
Un court-circuit sur un cble raccordant le string au
tableau de distribution du sous-champ (dfaut 1 de la
Isc4
Figure 6.1) est fourni simultanment en amont du ct Tableau de
distribution
charge par le string considr (Isc1 = 1.25 . Isc) et en aval du sous-champ
par les autres x-1 strings raccords au mme onduleur

(Isc2 = (x-1) . 1.25 . Isc). Point parallle
au rseau
Si l'installation PV est de petite taille et compte seule-
B
+ +
ment deux strings (x=2), alors Isc2 = 1.25 . Isc = Isc1 et par
x +
consquent il n'est pas ncessaire de protger les cbles
Tableau de
des strings contre le court-circuit. distribution
En revanche, lorsque trois strings ou plus (x3) sont de l'onduleur
raccords l'onduleur, le courant Isc2 est suprieur au

courant de service et par consquent les cbles doivent
tre protgs contre le court-circuit lorsque leur intensit
admissible est infrieure Isc2, soit Iz< (x-1) . 1.25 . Isc.
Un court-circuit entre un tableau de distribution de sous-
champ et le tableau de distribution de l'onduleur (dfaut
2 de la Figure 6.1) est fourni en amont par les y strings
monts en parallle du sous-champ (Isc3) et en aval par
les strings restants (x-y) associs au mme tableau de
distribution d'onduleur. +
Le courant de court-circuit Isc3 = y . 1.25 . Isc correspond
1
Concernant la correction du facteur de puissance d'une installation d'utilisateur com-
prenant une installation PV, voir l'Annexe E de QT8 Correction du facteur de puissance
et filtrage des harmoniques dans les installations lectriques.
2
Isc est le courant de court-circuit dans le module dans des conditions d'essai standards et
l'augmentation de vingt-cinq pour cent tient compte de valeurs d'ensoleillement excdant
1kW/m2 (voir Chapitre 3).
6.1.2 Protection des strings contre le courant est nulle.

inverse Dans tous les cas, le court-circuit du ct DC cause

une chute de la tension directe, l'onduleur s'arrte cer-
En raison de l'ombrage ou d'un dfaut, un string devient
tainement et est probablement dconnect du rseau.
passif, absorbant et dissipant l'nergie lectrique gnre
Normalement, les temps d'arrt de l'onduleur sont de
par les autres strings raccords en parallle au mme on-
l'ordre de quelques millisecondes, tandis que les temps
duleur par l'intermdiaire d'un courant qui traverse le string
de dconnexion peuvent tre de l'ordre de quelques
en question en sens inverse par rapport au sens normal,
douzaines de millisecondes. Dans l'intervalle entre l'arrt
susceptible d'endommager les modules.
et la dconnexion, le rseau peut produire l'effet susmen-
Ceux-ci sont capables de supporter un courant inverse
tionn et les condensateurs internes, s'ils sont impliqus,
de 2.5 3 Isc (CEI TS 62257-7-1). tant donn qu'avec x
participent jusqu' leur complte dcharge.
strings en parallle raccords au mme onduleur, le cou-
Cependant, l'influence du rseau et des condensateurs
rant inverse maximum est gal Iinv = (x-1) . 1.25 . Isc, il n'est
internes sur le court-circuit est uniquement temporaire et
pas ncessaire de protger les strings si Iinv 2.5 . Isc soit
gnralement insuffisante pour affecter le calibrage des
(x-1) . 1.25 2.5 x 33.
dispositifs de protection, de commutation et de dcon-
nexion placs du ct DC.
6.1.3 Comportement de l'onduleur
6.1.4 Choix des dispositifs de protection
La contribution au court-circuit du ct DC de l'onduleur
Concernant la protection contre les courts-circuits du
peut provenir du rseau et de la dcharge des conden-
ct DC, les dispositifs doivent tre videmment com-
sateurs l'intrieur de l'onduleur.
patibles avec l'utilisation DC et avoir une tension de
Le courant de rseau est li aux diodes de recirculation service assigne Ue suprieure ou gale la tension
du pont onduleur qui agit dans ce cas comme un pont maximale du gnrateur PV qui est gale 1.2 Uoc4 (CEI
redresseur. Ce courant est limit par les impdances du TS 62257-7-1).
transformateur et des inducteurs du circuit de sortie et
par les fusibles de protection de l'onduleur du ct AC De plus, les dispositifs de protection doivent tre placs
afin de limiter les effets thermiques des ventuels d- la fin du circuit pour tre protgs, des strings vers
fauts internes des semi-conducteurs. Par consquent, l'onduleur, autrement dit dans les divers tableaux de
le courant I2t circulant sera normalement rduit. titre distribution des sous-champs et les tableaux de distri-
indicatif, une valeur finale du courant (condensateurs bution des onduleurs car les courants de court-circuit
internes entirement dchargs) de 10In peut tre une proviennent des autres strings, savoir du ct charge
valeur limite suprieure. Ce courant est prsent si l'on- et non du ct alimentation (CEI TS 62257-7-1).
duleur est quip d'une isolation galvanique 50Hz et
nul si l'onduleur n'a pas de transformateur. En fait, ces Afin d'viter un dclenchement intempestif dans des
onduleurs comprennent gnralement un convertisseur conditions normales d'utilisation, les dispositifs de pro-
d'entre DC/DC afin de garantir le fonctionnement sur une tection situs dans les tableaux de distribution des sous-
large plage de tensions du gnrateur PV ; ce conver- champs (dispositif A dans la Figure 6.1) doivent avoir un
tisseur, de par sa construction, comporte au moins une courant assign In5 :
diode vitant la contribution du courant de rseau au In 1.25 . Isc [6.1]
court-circuit.
Ces dispositifs doivent protger :
Le courant de dcharge des condensateurs est limit par
chaque string contre le courant inverse ;
les cbles situs entre l'onduleur et le dfaut et s'puise le string du cble de raccordement 6 vers le tableau de
avec une tendance exponentielle : plus l'impdance de distribution (cble 1 de la Figure 6.1) si ce dernier a une
l'tirement du cble est basse, plus le courant initial est intensit admissible infrieure au courant de court-circuit
lev mais plus la constante de temps de la dcharge est maximum des autres x-1 strings raccords au mme
basse. L'nergie qui circule se limite celle initialement tableau de distribution de l'onduleur7, par ex. si :
stocke dans les condensateurs. De plus, si une diode Iz < Isc2 = (x - 1) . 1.25 . Isc [6.2]
ou un autre dispositif similaire est install en srie avec
l'un des deux ples, cette contribution au court-circuit 4
Uoc est la tension vide provenant des strings (voir Chapitre 3).
3
Les diodes peuvent tre utilises, toutefois elles ne remplacent pas les protections contre 5
Pour les disjoncteurs thermomagntiques, [6.1] devient I1 1.25 . Isc, tandis que pour les
les surintensits (CEI TS 62257-7-1), car il faut envisager la possibilit que la diode ne disjoncteurs magntiques seulement Iu 1.25 . Isc afin d'viter leur surchauffe.
fonctionne pas correctement et soit court-circuite. De plus, les diodes impliquent une
perte d'nergie en raison de la chute de tension au niveau de la jonction, une perte qui 6
Protection contre le court-circuit uniquement car Iz 1.25 . Isc .
peut tre rduite en utilisant des diodes Schottky causant une chute de 0.4V au lieu de
0.7V pour les diodes traditionnelles. Cependant, la tension inverse assigne des diodes 7
Le court-circuit Isc1 = 1.25 . Isc (fig. 6.1) (Figure 6.1) n'a pas d'importance car le cble du
devra tre 2 Uoc et le courant assign 1.25 Isc (Guide CEI 82-25). string a une intensit admissible minimale de 1.25 . Isc .
Aux fins de la protection du string, le courant assign du requise. Cependant, le cble doit tre protg contre les
dispositif de protection (disjoncteur thermomagntique courts-circuits du rseau 10 par un dispositif de protection
ou fusible) ne doit pas excder le courant indiqu par le situ proximit du point parallle au rseau.
fabricant pour la protection des panneaux (clause 6.1.2) ; Pour protger ce cble, le disjoncteur principal de l'ins-
si aucune indication n'est donne par le fabricant, les tallation de consommation peut tre utilis si l'nergie
valeurs suivantes sont prsumes (CEI TS 62257-7-1) : passante est supporte par le cble. Cependant, le
1.25 . I I 2 . I [6.3] dclenchement du disjoncteur principal met l'ensemble
sc n sc
de l'installation de consommation hors service. Dans
Aux fins de la protection du cble de raccordement, le dis- les installations multi-onduleurs (Figure 6.2), la prsence
positif de protection doit tre choisi de manire ce que le d'une protection pour chaque string permet, en cas de
rapport suivant soit respect pour chaque valeur de court- dfaut sur un onduleur, le fonctionnement des autres,
circuit (CEI 60364)8 jusqu' un maximum de (x-1) . 1.25 . Isc : condition que les disjoncteurs de chaque string soient
I2t K2 S2 [6.4] slectifs avec le disjoncteur principal.
Le pouvoir de coupure du dispositif ne doit pas tre in-

Figure 6.2
frieur au courant de court-circuit des autres n-1 strings,
savoir:
I (x-1) . 1.25 . I
cu
[6.5]
sc
Les dispositifs du tableau de distribution de l'onduleur

doivent protger du court-circuit les cbles raccordant
le tableau de distribution du sous-champ au tableau de Point parallle
au rseau
distribution de l'onduleur lorsque ces cbles ont une
intensit admissible infrieure Isc4 = (x-y) . 1.25 . Isc9
(Figure 6.1). Dans ce cas, ces dispositifs doivent respec-
ter les rapports [6.1] et [6.4] et leur intensit admissible
ne doit pas tre infrieure au courant de court-circuit des
autres n-m strings, savoir :
Icu (x-y) . 1.25 . Isc [6.6]
En rsum, le cble raccordant le tableau de distribution

de l'onduleur l'onduleur ne doit pas tre protg si son
intensit admissible est au moins gale (CEI 64-8/7) :
Iz x . 1.25 . Isc [6.7]
6.2 Protection contre les surintensits du ct 6.3 Choix des dispositifs de commutation et
AC de dconnexion
tant donn que le cble raccordant l'onduleur au point L'installation d'un dispositif de dconnexion sur chaque
de raccordement avec le rseau est gnralement di- string est recommande afin de permettre les interven-
mensionn de manire obtenir une intensit admissible tions de vrification et d'entretien sur le string sans mettre
suprieure au courant maximum pouvant tre fourni par hors service d'autres parties de l'installation PV (Guide
l'onduleur, une protection contre les surcharges n'est pas CEI 82-25 II d.)11.
8
Pour le disjoncteur magntique uniquement, il convient dans la mesure du possible 10
L'onduleur limite gnralement le courant de sortie une valeur correspondant au double
de rgler I3 une valeur gale la valeur Iz du cble afin de dfinir le dclenchement de son courant assign et se met en veille en quelques dizaines de secondes suite au
du dispositif lorsque le courant de court-circuit excde l'intensit admissible du cble dclenchement de la protection interne. Par consquent, la contribution de l'onduleur au
protg. De plus, il est possible d'utiliser un disjoncteur magntique uniquement si le courant de court-circuit est ngligeable par rapport la contribution du rseau.
nombre de strings raccords au mme onduleur est au maximum de 3 ; sinon, pour la
protection du string, il est ncessaire d'utiliser un disjoncteur thermomagntique choisi 11
Lorsqu'un disjoncteur automatique est utilis, la fonction de commutation et de d-
en fonction de [6.3]. connexion est dj incluse.
9
Le courant de court-circuit Isc3 = y . 1.25 . Isc (Figure 6.1) n'a pas d'importance car le cble
du string a une intensit admissible minimale de y . 1.25 . Isc.
La dconnexion de l'onduleur doit tre possible du ct Figure 6.3

DC et du ct AC, de manire pouvoir raliser l'entretien

en excluant les deux sources d'alimentation (rseau et
gnrateur PV) (CEI 64-8/7).
Du ct DC de l'onduleur, un dispositif de dconnexion
tel qu'un interrupteur-sectionneur doit tre install et
commut en charge. Du ct AC, un dispositif de dcon-
nexion gnral doit tre fourni. Le dispositif de protection
install au point de raccordement avec le rseau peut tre
utilis ; si ce dispositif n'est pas proche de l'onduleur, il
est recommand de placer un dispositif de dconnexion
immdiatement du ct charge de l'onduleur.
6.4 Protection contre les surtensions
tant donn que les installations PV sont gnralement En revanche, si l'installation PV modifie considrablement
places l'extrieur des btiments, elles peuvent tre le profil du btiment, il convient de reconsidrer la fr-
soumises des surtensions d'origine atmosphrique, quence des fulminations sur celui-ci et donc d'envisager
aussi bien directes (foudre frappant la structure) qu'indi- la ncessit d'intgrer un LPS (Guide CEI 82-25 II d.)
rectes (foudre tombant ct de la structure du btiment, (Figure 6.4).
affectant l'nergie ou les lignes de signalisation entrant
dans la structure) par un couplage rsistif ou inductif.
Le couplage rsistif se produit lorsque la foudre frappe la Figure 6.4
ligne lectrique entrant dans le btiment. Le courant de

foudre, par l'impdance caractristique de la ligne, pro-
duit une surtension qui peut excder la tension de tenue
aux chocs de l'quipement, entranant des dommages
et un risque d'incendie.
Le couplage inductif se produit car le courant de foudre
est puls et gnre un champ lectromagntique trs
variable dans l'espace environnant. Par consquent, la
variation du champ magntique gnre des surtensions
induites sur les circuits lectriques proximit.
Outre les surtensions d'origine atmosphrique, l'installa-
tion PV peut galement tre expose des surtensions
de commutation internes.
6.4.1 Foudroiement direct

6.4.1.1 Btiment sans systme de protection
contre la foudre (LPS)12 6.4.1.2 Btiment avec systme de protection
En rgle gnrale, le montage d'une installation PV ne contre la foudre (LPS)
modifie pas le profil d'un btiment et donc la frquence En prsence d'un systme de protection contre les
des fulminations ; par consquent, aucune mesure sp- dcharges atmosphriques13, si l'installation PV n'altre
cifique contre le risque de fulmination n'est ncessaire pas le profil du btiment et si la distance minimale d
(Guide CEI 82-25, II d.) (Figure 6.3). entre l'installation PV et l'installation LPS est suprieure
12
Systme de protection contre la foudre : il est constitu de systmes de protection 13
Il est recommand de raccorder l'installation de mise la terre de la protection celle
externes (dtecteurs, conducteurs de foudre et lectrodes de terre) et internes (mesures de la protection contre la foudre.
de protection visant rduire les effets lectromagntiques du courant de foudre entrant
dans la structure protger).
la distance de scurit s (EN 62305-3), des mesures Enfin, si l'installation PV altre le profil du btiment, une
supplmentaires pour la protection de la nouvelle ins- nouvelle valuation des risques et/ou une modification
tallation (Guide CEI 82-25 II d.) ne sont pas requises du LPS sont ncessaires (Guide CEI 82-25, II d.) (Figure
(Figure 6.5). 6.7).
Figure 6.5 Figure 6.7
6.4.1.3 Installation PV au sol

Si une installation PV est monte au sol, il n'y a pas de
risque d'incendie d la fulmination directe. Les seuls
risques pour les humains sont les tensions d'chelon et
de contact. Lorsque la rsistivit de la surface excde
En revanche, si l'installation PV n'altre pas le profil du 5 km (par ex. sol asphalt rocheux, d'au moins 5 cm
btiment, mais que la distance minimale d est infrieure d'paisseur ou recouvert d'au moins 15 cm de graviers),
la distance s, il convient d'agrandir l'installation LPS et il n'est pas ncessaire de prendre des mesures particu-
lires car les valeurs de tension d'chelon et de contact
de la raccorder aux structures mtalliques de l'installation
sont ngligeables (CEI 81-10). En revanche, si la rsistivit
PV (Guide CEI 82-25, II d.) (Figure 6.6).
du sol est infrieure ou gale 5 km, il est ncessaire
Figure 6.6 de vrifier en thorie si certaines mesures de protection
contre les tensions d'chelon et de contact sont requises.
Cependant la probabilit de foudroiement est dans ce
cas trs faible, par consquent ce problme se produit
uniquement dans des installations de trs grande taille.
6.4.2 Foudroiement indirect

Mme lorsque la foudre ne frappe pas directement la
structure d'une installation PV, il est ncessaire de pren-
dre quelques mesures pour minimiser les surtensions
causes par tout ventuel foudroiement indirect :
protection des circuits afin de rduire le champ magnti-
que l'intrieur du botier et les surtensions induites14 ;
rduction du primtre du circuit induit obtenu en rac-
cordant correctement les modules l'un l'autre (Figure
6.8), en torsadant les conducteurs et en rapprochant
le plus possible le conducteur sous tension du point
d'entre.
14
L'effet protecteur du botier mtallique est possible grce aux courants induits dans le
botier ; ces derniers crent un champ magntique qui, selon la loi de Lenz, s'oppose la
cause les gnrant, savoir le champ magntique du courant de foudre; plus les courants
induits dans la protection sont levs (autrement dit plus la conductance est leve), plus
l'effet de protection est important.
Figure 6.8
6.4.2.1 Protection du ct DC

Pour la protection du ct DC, il est recommand d'uti-
liser des SPD varistance ou des SPD combins.
Les onduleurs ont gnralement une protection contre
les surtensions, toutefois l'ajout de SPD leurs bornes
amliore leur protection et permet d'viter leur mise hors
service suite au dclenchement des protections internes,
qui interrompt la production d'nergie et ncessite l'in-
tervention d'un personnel qualifi.
Ces SPD doivent prsenter les caractristiques suivan-
tes :
type 2 ;
tension de service assigne maximale Ue > 1.25 Uoc ;
niveau de protection Up Uinv15 ;
courant de dcharge nominal In 5 kA ;
protection thermique ayant la capacit de supprimer
le courant de court-circuit en fin de vie et coordination
avec une protection de secours adapte.
tant donn que les modules des strings ont gnrale-

ment une tension de tenue aux chocs suprieure celle
de l'onduleur, les SPD installs pour protger l'onduleur
permettent de protger galement les modules, condi-
tion que la distance entre les modules et l'onduleur soit
Les surtensions susceptibles d'tre gnres, mme si infrieure 10 m16.
elles sont limites, doivent tre vacues vers le sol au
moyen d'un dispositif de protection contre les surtensions
(SPD) afin de protger l'quipement. En fait, les SPD
sont des dispositifs dont l'impdance varie en fonction
de la tension: la tension assigne de l'installation, ils
ont une impdance trs leve, tandis qu'en prsence
d'une surtension, ils rduisent leur impdance, drivant
le courant associ la surtension et maintenant cette
dernire dans une plage dfinie de valeurs. En fonction
de leurs modalits de fonctionnement, les SPD peuvent
tre diviss selon les catgories suivantes :
les SPD de commutation, tels que les spintermtres ou
les diodes contrles, qui lorsque la tension excde une
valeur dfinie, rduisent instantanment leur impdance
et par consquent la tension leurs extrmits ;
les SPD de limitation, tels que les varistances ou les
diodes Zener, ont une impdance qui diminue mesure
que la tension leurs extrmits augmente ;
les SPD combins comprenant les deux dispositifs
susmentionns raccords en srie ou en parallle.
15
Uinv est la tension de tenue aux chocs de l'onduleur ct DC.
16
Le SPD doit tre install du ct alimentation (sens de l'nergie du gnrateur PV) du
dispositif de dconnexion de l'onduleur de manire galement protger les modules
lorsque le dispositif de dconnexion est ouvert.
6.4.2.2 Protection du ct AC Si l'analyse des risques du btiment prconise l'installa-
Une installation PV raccorde au rseau est galement tion d'un LPS l'extrieur, il est ncessaire de placer un
soumise aux surtensions provenant de la ligne. En pr- SPD pour la protection contre le foudroiement direct au
sence d'un transformateur de sparation dot d'une point de distribution de l'nergie. Ce SPD doit prsenter
protection mtallique mise la terre, l'onduleur est pro- les caractristiques suivantes :
tg des surtensions du transformateur. En l'absence type 1 ;
de transformateur ou en prsence d'un transformateur tension de service assigne maximale Ue > 1.1 Uo ;
dnu de protection, il est ncessaire d'installer un SPD niveau de protection Up Uinv ;
adapt immdiatement en aval de l'onduleur. courant de choc Iimp 25 kA pour chaque ple ;
Ce SPD doit prsenter les caractristiques suivantes : pouvoir de coupure du courant de suite Ifi excdant le
type 2 ; courant de court-circuit au point d'installation et coor-
tension de service assigne maximale Ue > 1.1 Uo17 ; dination avec une protection de secours adapte.
niveau de protection Up Uinv18 ;
courant de dcharge nominal In 5 kA ; Les Figures ci-dessous montrent la configuration d'une
protection thermique ayant la capacit de supprimer installation PV divise en zones de A E et indiquent la
le courant de court-circuit en fin de vie et coordination fonction de protection ralise par le SPD lorsqu'il est
avec une protection de secours adapte. install dans chaque zone.
Limite extrieure de la zone de rception du paratonnerre

Paratonnerre
Zone de liaison quipotentielle
des masses du btiment
String
A +
A
B L1 L2
C
G
D
E
A B C D E
Emplacement du SPD Fonction Recommandation Remarques

Protection de chaque Recommand si la distance L1 excde Le raccordement au panneau doit tre aussi
panneau solaire (cellule 10 m ou s'il existe un risque de couplage court et droit que possible. Si l'environnement le
A + raccordements) inductif requiert, le SPD doit tre install dans un botier
A ayant une protection IP adapte
A
A
A Protection de la ligne DC Toujours recommand Le raccordement la barre de liaison
B principale ( l'entre du quipotentielle doit tre aussi court et droit que
B btiment) possible.
B
B
B
C Protection d'entre de Recommand si la distance L2 excde 10 m Le raccordement la barre de liaison
C l'onduleur, du ct DC quipotentielle et la masse de l'onduleur
C du ct DC doit tre aussi court et droit que
C
C possible
D
D Protection de la sortie de Toujours recommand Le raccordement la barre de liaison
D l'onduleur, du ct AC quipotentielle et la masse de l'onduleur
D
D du ct AC doit tre aussi court et droit que
E possible
E
E Protection principale au Toujours recommand Le raccordement la barre de liaison
E
E
point de distribution de quipotentielle doit tre aussi court et droit que
l'nergie possible.
17
Uo est la tension la terre des systmes TT et TN; en cas de systme IT, c'est Ue > 1.73 Uo. 18
Uinv est la tension de tenue aux chocs de l'onduleur ct AC.
PART III
7 Solutions d'ABB pour les application photovoltaques

7.1 Disjoncteurs botier moul et disjoncteurs thermomagntiques de type TMF avec seuils thermi-
7 Solutions d'ABB pour les applications photovoltaques

ouverts ques et magntiques fixes (I3 = 10 x In) ;
disjoncteurs Tmax T1, T2, T3 et T4 (jusqu' 50A) qui-
ABB propose les types suivants de disjoncteurs botier ps de dclencheurs thermomagntiques de type TMD
moul, de disjoncteurs ouverts et d'interrupteurs-sec- avec seuil thermique rglable (I1 = 0.7..1 x In) et seuil
tionneurs pour la protection contre les surintensits et magntique fixe (I3 = 10 x In) ;
la dconnexion des installations PV dans les sections disjoncteurs Tmax T4, T5 et T6 quips de dclen-
DC et AC. cheurs thermomagntiques de type TMA avec seuils
thermiques (I1 = 0.7..1 x In) et magntiques rglables
7.1.1 Disjoncteurs botier moul Tmax T pour les (I3 = 5..10 x In) ;
applications de courant alternatif disjoncteurs Tmax T2 quips de dclencheurs lec-
Les disjoncteurs botier moul Tmax, conformes la troniques de type PR221DS ;
norme CEI 60947-2 ont une plage d'intensits allant de disjoncteurs Tmax T4, T5 et T6 quips de dclen-
1A 1600A, une tension d'utilisation assigne de 690V cheurs lectroniques de type PR221DS, PR222DS et
et des pouvoirs de coupure allant de 16kA 200kA ( PR223DS ;
380/415V). disjoncteurs Tmax T7 quips de dclencheurs lectro-
Pour la protection de la section AC des installations PV, niques de type PR231/P, PR232/P, PR331/P et PR332/P,
les disjoncteurs suivants sont disponibles : disponibles en deux versions, avec commande manuelle
disjoncteurs Tmax T1B, 1p, quips de dclencheurs ou commande moteur accumulation d'nergie.
T1 1P T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
800/1000
Courant ininterrompu assign Iu [A] 160 160 160 250 250/320 400/630 630/800/1000 1250/1600
Ples [N] 1 3/4 3/4 3/4 3/4 3/4 3/4 3/4
[V] (AC)
Tension de service assigne Ue 50-60 Hz 240 690 690 690 690 690 690 690
Tension de tenue aux chocs assigne
Uimp [kV] 8 8 8 8 8 8 8 8
Tension d'isolement assigne Ui [V] 500 800 800 800 1000 1000 1000 1000
Tension d'essai la frquence
industrielle pendant 1 mn [V] 3000 3000 3000 3000 3500 3500 3500 3500
Pouvoir de coupure ultime assign en
court-circuit Icu B B C N B C N S H L N S N S H L V N S H L V N S H L S H L V(3)
(AC) 220-230V 50-60Hz [kA] 25* 25 40 50 25 40 65 85 100 120 50 85 70 85 100 200 200 70 85 100 200 200 70 85 100 200 85 100 200 200
(AC) 380-400-415V 50-60Hz [kA] - 16 25 36 16 25 36 50 70 85 36 50 36 50 70 120 200 36 50 70 120 200 36 50 70 100 50 70 120 150
(AC) 440V 50-60Hz [kA] - 10 15 22 10 15 30 45 55 75 25 40 30 40 65 100 180 30 40 65 100 180 30 45 50 80 50 65 100 130
(AC) 500V 50-60Hz [kA] - 8 10 15 8 10 25 30 36 50 20 30 25 30 50 85 150 25 30 50 85 150 25 35 50 65 50 50 85 100
(AC) 690V 50-60Hz [kA] - 3 4 6 3 4 6 7 8 10 5 8 20 25 40 70 80 20 25 40 70 80 20 22 25 30 30 42 50 60
B (630A-800A) (2)
Catgorie d'utilisation (CEI 60947-2) A A A A A B (400A)(1) - A (630A) A (1000A) B(4)
Comportement d'isolement
Dclencheurs:
thermomagntiquesT fixe, M fixe TMF - - - - - - -
T rglable, M fixe TMD - (jusqu' 50A) - - -
T rglable,
M rglable (5..10 x In) TMA - - - - (jusqu' 250A) (jusqu' 500A) (jusqu' 800A) -
magntiques
uniquement MA - - (MF jusqu' 12.5A) - - -
lectroniques -
PR221DS - - - -
PR222DS - - - - -
PR223DS - - - - -
PR231/P - - - - - - -
PR232/P - - - - - - -
PR331/P - - - - - - -
PR332/P - - - - - - -
Interchangeabilit - - - -
Versions F F F-P F-P F-P-W F-P-W F-W F-W
* Le pouvoir de coupure pour les rglages In=16A et In=20A est 16kA

(1)
Icw = 5kA
(2)
Icw = 7.6kA (630A) - 10kA (800A)
(3)
Uniquement pour T7 800/1000/1250A
(4)
Icw = 20kA (Versions S, H, L) - 15kA (Version V)
7.2.2 Disjoncteurs diffrentiels 7.2 Contacteurs
F204 B type B
Courant assign In : 40, 63, 125 A Srie A
Tension d'utilisation maximale assigne 1000 V AC
Sensibilit assigne Idn : 30, 300, 500 mA
Courant assign :
Tension assigne : 230 400 V
- contacteurs tripolaires : de 25 A 2050 A
Ples : 4 dans 4 modules (dans AC-1 - 40C) ;
Type : B, B slectif - contacteurs ttrapolaires : de 25 A 1000 A
Normes de rfrence : EN 61008, CEI 60755, (dans AC1- 40C).
CEI 62423
Accessoires pour F204 type B Design compact de toute la gamme
- contact auxiliaire/de signalisation Gamme :
- contacteurs tripolaires ;
F202 PV B - contacteurs ttrapolaires ;
Courant assign In : 25, 63 A - contacteurs auxiliaires.
Sensibilit assigne Idn : 30, 300 mA
Tension assigne : 230 V
Ples : 2 dans 4 modules
Type : B
Normes de rfrence : EN 61008, CEI 60755, CEI
62423
Accessoires pour F202PV B
- contact auxiliaire/de signalisation
7.3 Interrupteurs-sectionneurs
Srie OT
Courant assign In: de 15 125 A
Ples : 3, 4, 6 et 8 ples selon la tension d'utilisation
Caractristiques :
- mcanisme de fermeture/d'ouverture rapide et fonction
d'attache indpendante (Version OT 45...125) ;
- accessoires pour le montage par encliquetage sur les
disjoncteurs ;
- mcanisme de montage sur rail DIN des interrup-
teurs-sectionneurs OT 45...125, cadenassable par un
adaptateur de verrouillage.
Norme de rfrence : CEI 60947-3
S800 PV-M
Courant assign In: 32, 63, 125 A
Tension assigne Ue :
- 2 ples, jusqu' 800 V DC ;
- 4 ples, jusqu' 1200 V DC.
Courant de courte dure admissible assign Icw : 1.5 kA
Plage de tempratures : 25C...+60C
Catgorie d'utilisation : DC-21A S800 PV-S

Norme de rfrence : CEI 60947-3 Courant assign In : 10...125 A

Accessoires pour S800 PV-M : Tension assigne Ue :
- dclencheurs d'ouverture mission ; - 2 ples, jusqu' 800 V DC (100 125 A, jusqu' 600
- dclencheurs minimum de tension ; V DC) ;
- contacts auxiliaires/de signalisation ; - 4 ples, jusqu' 1200 V DC.
- adapteur commande rotative et poigne rotative. Pouvoir ultime de coupure en court-circuit Icu: 5 kA
Accessoires pour S800 PV-S :
- dclencheurs d'ouverture mission ;
- dclencheurs minimum de tension ;
- contacts auxiliaires/de signalisation ;
- adapteur commande rotative et poigne rotative.
7.4 Disjoncteurs miniatures
S284 UC Z
Courant assign In : 6...63 A
Ples : 4
Tension assigne Ue : 500 V DC
Pouvoir ultime de coupure en court-circuit Icu : 4.5 kA
Accessoires pour S284 UC Z :
- dclencheurs d'ouverture mission ;
- dclencheurs minimum de tension ;
- contacts auxiliaires/de signalisation ;
- adapteur commande rotative et poigne rotative.
Utilisation d'interrupteurs-section- Schma de cblage d'une installa- Utilisation de disjoncteurs thermoma-

neurs S800 PV-M dans DC tion PV en aval des strings gntiques S800 PV-S avec DC
Configuration des panneaux PV dans les syst- S 284 UC - Systme IT Configuration des panneaux PV dans les syst-
mes isols de la terre mes isols de la terre
800 V DC 1200 V DC 80 A
1 3 5 7 800 V DC 1200 V DC
2 4 6 8
1 3 1 3 5 7
2 4 2 4 6 8 1 3 1 3 5 7
+
2 4 2 4 6 8
Onduleur
100, 125 A
+
600 V DC 1200 V DC
1 3 1 3 5 7
Panneaux solaires 2 4 2 4 6 8
7.5 Dispositifs de protection contre les surtensions, 7.6 Fusibles sectionneurs et porte-fusibles
Type 2
E 90 PV
OVR PV Tension assigne : 1000 V DC
Protection du ct DC Courant assign : jusqu' 32 A
Tension continue applique maximale jusqu' 1120 V DC Dimensions du fusible : 10.3 mm x 38 mm
Courant de dcharge assign du ple : 20 kA Catgorie d'utilisation : DC-20B
Courant de dcharge maximum du ple : 40 kA Norme de rfrence : CEI EN 60947-3
Autres caractristiques : Autres caractristiques :

- protection thermique intgre avec pouvoir de coupure - un module par ple ;
25 A DC ; - disponibles en version unipolaire et bipolaire ;
- cartouches enfichables ; - compatibles avec les barres PS ;
- contact de signalisation distance dans les versions - section des bornes de 25mm2 ;
TS (indicateur distant) ; - scellables en position ferm et verrouillables en position
- pas de courant de court-circuit de suite ; ouvert ;
- pas de risque en cas d'inversion de polarit ; - versions disponibles avec LED de signalisation de
- protection de secours avec fusible 4A gR (ou 16A coupure du fusible.
gR uniquement en cas d'installation dans un botier
IP65).
7.7 Tableaux de distribution brides bi-matriau rigides pour faciliter l'introduction de

conduits et de cbles

Srie Gemini Normes de rfrence : CEI 23-48, CEI 23-49, CEI
Degr de protection : IP 66 60670
Classe d'isolement II Approuves IMQ
Tension d'isolement assigne : 1000 V AC, 1500 V DC
Matriau de co-injection thermoplastique, 100% recy-
clable
GWT : 750C
Plage de tempratures : de 25C +100C
Rsistance aux chocs : jusqu' 20 J (degr IK 10)
Pour une utilisation en intrieur/extrieur
Compatibles avec l'installation de disjoncteurs et d'autres
composants sur rail DIN, de disjoncteurs botier moul,
de contacteurs et d'autres produits d'automation.
Normes de rfrence : CEI EN 50298, CEI EN 50439-1,
CEI 23-48, CEI 23-49, CEI 60670
Approuvs IMQ
7.9 Botes de jonction
Degr de protection : IP 65
Classe d'isolement : II
Disponibles en matriau polycarbonate auto-extincteur,
rsistant la chaleur extrme et aux incendies jusqu'
960C (essai au fil incandescent) conformment la
norme CEI 60695-2-11
Temprature d'installation : de 25C +60C
Rsistance aux chocs : 20 J (degr IK 10)
Normes de rfrence : CEI 23-48, CEI 60670
Approuves IMQ
7.8 Units de consommation murales
Srie Europa
Degr de protection : IP 65
Classe d'isolement : II
Disponibles en matriau thermoplastique auto-extincteur,
rsistant la chaleur extrme et aux incendies jusqu'
650C (essai au fil incandescent) conformment la
norme CEI 60695-2-11
Temprature d'installation : de 25C +60C
Tension d'isolement assigne : 1000 V AC, 1500 V DC
Rsistance aux chocs : 6 J (degr IK 08)
Cadre de rail DIN amovible afin de faciliter le cblage
du banc, il peut galement tre dmont (et encliquet)
afin de faciliter le raccordement des cbles des ranges
simples
Possibilit d'installer un quipement d'une profondeur
de 53, 68 et 75 mm
Units comprenant 8 modules ou plus, quipes de
7.10 Bornes de raccordement Moteurs sans balai Srie 9C
Transducteur contre-raction absolue
Conformes aux normes CEI 60947-7-1 et CEI 60947-7-2 Frein d'urgence

Interconnexions parallles disponibles Surcharge : jusqu' 4 fois la valeur assigne
Matriau auto-extincteur V0 Couple d'appel : jusqu' 90 Nm
Dimensions globales compactes
Connexion de vis
Tension : max 1000 V Principaux avantages :
Courant : max 415 A - dimensions compactes ;
Section : max 240 mm2 - construction robuste avec protection IP 65 ;
- uniformit de rotation avec tpm bas ;
Raccordement autodnudant (Systme ADO) - couples d'appel levs.
Tension : max 1000 V
Courant : max 32 A
Section : max 4 mm2
Disponible galement en version collier vis ADO
Raccordement ressort
Tension : max 800 V
Courant : max 125 A
Section : max 35 mm2
Nouvelle srie SNK

Raccordement vis
Tension : max 1000 V
Courant : max 232 A
Section : max 95 mm2 7.11 Automates programmables
AC500 CPU
2 interfaces srie intgres, configurables RS232/
RS485
cran intgr pour le diagnostic et le contrle d'tat
Possibilit d'extension centralise, jusqu' 10 modules
d'extension locale et jusqu' 4 modules de communi-
cation externe simultanment, dans toute combinaison
souhaite
Option : carte SD pour le stockage des donnes et la
sauvegarde du programme
Ils peuvent galement tre utiliss en tant qu'esclave sur
Profibus DP, CANopen et DeviceNet via FieldBusPlug
Disponibles avec ports Ethernet intgrs
Annexe A : Nouvelles technologies de panneaux

A.1 Technologies mergentes du processus de photosynthse de la chlorophylle : elles
utilisent un mlange de composs tels que les pigments

De nouvelles technologies font actuellement l'objet de vgtaux, par ex. les anthocyanines provenant des fruits
recherches et de dveloppements. Ces technologies mer- des bois, ou les polymres et les molcules synthtiss afin
gentes peuvent tre classes en deux groupes en fonction de maximiser l'absorption du rayonnement solaire.
de leur concept innovant :
faible cot, comprenant les cellules pigment photosen- Dans les cellules hybrides, la matire active peut tre un
sible et les cellules hybrides base de nanocomposs mlange de molcules organiques et de nanoparticules de
inorganiques/organiques (DSSC) ; composs inorganiques (par ex. nanotubes de carbone).
grande efficacit, comprenant diffrentes approches Les semi-conducteurs organiques offrent les capacits
visant obtenir des cellules capables de dpasser la requises pour atteindre moyen-long terme l'objectif de
limite thorique de l'efficacit de conversion solaire pour production de panneaux PV faible cot, car ils peuvent
une jonction simple, savoir 31% sans concentration et tre synthtiss puis dposs, basse temprature et un
40.8% la concentration maximale possible (OSC). faible cot industriel, sur une grande surface mais gale-
ment sur des sous-couches flexibles. l'heure actuelle, la
Les cellules pigment photosensible (DSSC galement principale limite de ce type de panneaux est leur efficacit
connues sous le nom de cellules Grtzel du nom de leur de conversion (<7%). De plus, des tudes plus approfon-
inventeur) sont constitues d'une sous-couche en verre dies sur la rsistance et la dure de vie de ces dispositifs
ou en plastique comprenant les lments suivants super- doivent tre menes.
poss les : une lectrode transparente conductrice fine Les activits d'optimisation de l'efficacit visent avant tout
couche, une couche de nanocristaux poreux de dioxyde produire plusieurs dispositifs monts en srie, o chaque
de titane semi-conducteur (Ti02), des molcules de colorant jonction est conue et ralise avec un matriau spcifique
(complexes mtal-organique de ruthnium) rparties sur la pour la photognration dans un intervalle dfini du spectre
surface en Ti02, un lectrolyte form d'un solvant organique de rayonnement solaire.
et d'une paire d'oxydorduction telle que iodure/trioxyde tant donn que chaque jonction requiert une nergie
et une contre-lectrode catalyse par du platine. Contrai- diffrente pour effectuer le transfert des lectrons de la
rement aux cellules traditionnelles, la fonction d'absorption bande de valence la bande de conduction, il est possible
du rayonnement solaire et de gnration de charges lectri- d'utiliser l'nergie d'un plus grand nombre de photons que
ques est spare de la fonction de transport des charges. le rayonnement solaire, avec une efficacit de conversion
En fait, les molcules de colorant absorbent la lumire et suprieure 30% (limite thorique 50%). La ralisation de
crent les paires lectron-trou, puis les lectrons sont in- cellules base de points quantiques (QD) de silicium est
jects dans le Ti02 et transports jusqu' la zone de contact l'une des solutions les plus prometteuses. Dans ce cas, le
o la paire d'oxydorduction fournit la coloration aux lec- matriau photoactif est constitu de nanocristaux de sili-
trons produits en fermant le circuit interne avec l'lectrode cium d'une forme quasi sphrique et d'un diamtre infrieur
arrire ( l'endroit o les lectrons des circuits externes sont 7nm, intgrs dans une matrice de matriau dilectrique
prlevs). Le principal avantage de cette technologie est base de silicium, tel que l'oxyde de silicium, le nitrure de
la possibilit de dposer les diffrents matriaux sur une silicium ou le carbure de silicium. En contrlant les dimen-
grande surface en employant des processus bas cot. sions et la densit des points, il est possible de fournir le
Toutefois ce type de cellules a une efficacit de conversion matriau prsentant les caractristiques les plus adaptes
limite (<11%) et surtout une rsistance de quelques annes l'exploitation d'une partie du spectre solaire. Pour tre
seulement l'exposition aux agents atmosphriques et au compatible avec l'usage photovoltaque, un matriau doit
rayonnement solaire. tre constitu de rseaux plus ou moins rguliers de QD
Les cots de production sont estims environ 0.5 /W. de silicium de quelques nm de diamtre une distance
d'environ 1 nm dans une matrice de nitrure ou de carbure
Les cellules solaires organiques (OSC) sont constitues de silicium.
d'une lectrode transparente conductrice (ITO sur verre ou Afin d'obtenir une efficacit leve, une autre approche
plastique), d'un matriau actif compos de molcules ou consiste utiliser des systmes de concentration capables
polymres organiques et d'une contre-lectrode mtallique. de sparer, par des matriaux dichroques, les diffrents
Dans les OSC, l'absorption du rayonnement solaire et la composants chromatiques du rayonnement solaire incident,
libration des charges lectriques sont ralises par la ma- en dirigeant ce dernier vers diffrentes cellules physique-
tire organique qui est galement responsable du transport ment spares, chacune capable d'exploiter au mieux une
des charges gnres par l'effet PV vers les lectrodes. partie du spectre solaire. Cette approche vite l'utilisation de
Les cellules organiques les plus efficaces (toutefois elles cellules multi-jonctions coteuses et rduit le problme de
atteignent seulement un pourcentage dfini) s'inspirent la hausse de temprature des cellules PV rencontre dans
les systmes de concentration traditionnels. 40% pour les cellules multi-jonctions ayant une sous-couche
En dpit de la mise en uvre des premires lignes de de germanium (Ge) ou d'arsniure de gallium (GaAs).
production pilote, les modules bass sur ces technologies Concernant la production dcentralise d'nergie, les
ne sont encore pas disponibles sur le march. Le dlai de systmes PV concentration permettent non seulement
commercialisation des cellules organiques est estim la production d'nergie lectrique mais galement la rcu-
environ dix ans. pration de la chaleur ncessaire pour les applications de
La Figure A.1 montre la prvision de part de march de ces cognration. En effet, la chaleur lie au refroidissement des
technologies court, moyen et long terme. Outre les tech- cellules (60 120C selon le facteur de concentration) peut
nologies mergentes, les nouveaux concepts comprennent tre utilise pour la climatisation ou l'eau chaude sanitaire.
le photovoltaque concentration. Cependant, la solution de cognration prsente l'incon-
vnient de faire fonctionner les cellules une temprature
Figure A.1 suprieure pour la production de chaleur, entranant une
100% rduction de l'efficacit PV.
90% Le photovoltaque concentration est encore en phase
80% de dmonstration, toutefois, un passage progressif la
70% phase de production industrielle a t constat au cours
60%
des dernires annes. Par consquent, le cot de cette
March
50%
technologie (3.5 5 /W) est encore li au dveloppement
40%
30%
pr-industriel ; cependant, une rduction 2-3/W est
20% prvue pour les 5 prochaines annes de mme qu'une
10% rduction supplmentaire de moiti au cours des 5 annes
0% suivantes, notamment grce aux nouveaux systmes de
2010 2020 2030
suiveur solaire et la recherche sur les systmes haute
Nouveaux concepts Couches minces Silicium cristallin concentration (1000x).
A.3 Photovoltaque panneaux cylindriques

A.2 Photovoltaque concentration
Ces installations solaires semi-intgres utilisent des
Les installations solaires concentration utilisent le principe panneaux cylindriques entirement revtus de couches
de concentration du rayonnement solaire, au moyen de minces, qui exploitent le rayonnement solaire toute la
systmes optiques adapts, pour frapper les cellules PV journe ainsi que la lumire rflchie par la surface sur
avec de la lumire. En conservant une puissance crte du laquelle ils reposent (Figure A.2).
systme constante, la surface du semi-conducteur est r- Les panneaux cylindriques ont un rendement optimal
duite d'un facteur gal la concentration optique. Ce facteur lorsqu'ils sont monts horizontalement les uns ct des
varie de la valeur 30x dans les systmes prsentant la plus autres. Ce systme est lger et, contrairement celui des
faible concentration une valeur proche de 1000x dans les panneaux traditionnels, il n'est pas soumis l'effet de
systmes ayant une concentration suprieure. Cependant, voile. Par consquent, il n'est pas ncessaire que les
contrairement aux panneaux PV, le photovoltaque concen- modules soient fixs par des poids d'quilibrage.
tration peut convertir en nergie lectrique le rayonnement
Figure A.2
solaire direct uniquement, par consquent ces systmes ont
Rayonnement direct
besoin d'un systme de suiveur solaire (hliostat).
Les concentrateurs actuellement utiliss sont des concen-
trateurs par rfraction (lentille de Fresnel ou prismatique) Rayonnement diffus
comme dans les solutions de type concentr en un point
(dans lesquelles chaque cellule a une optique ddie) et des
concentrateurs par rflexion dans les solutions paraboliques
de type rseau dense (comprenant une seule optique Rayonnement
rflchi
focale pour un assemblage de cellules places au point
focal, autrement dit le long de la ligne de concentration du
rayonnement solaire).
L'efficacit des panneaux solaires concentration varie de
12% pour les cellules en silicium monocristallin (concentra-
tion 20x) environ 20% (concentration 200x) avec des pics
Annexe B : Autres sources d'nergie renouvelables

B.1 Introduction de dcrochage arodynamique, dtournant les pales
du vent. Certaines oliennes disposent galement de

Les nergies renouvelables sont les formes d'nergie pales pas variable qui s'adaptent au sens du vent,
gnres par des sources qui, de par leurs caract- permettant ainsi de conserver une production d'nergie
ristiques intrinsques, sont rgnres ou ne sont pas constante. Les tours par minute (TPM) de l'olienne
puisables une chelle de temps humaine et sont trs variables car la vitesse du vent est elle-mme
dont l'utilisation ne met pas en danger les ressources variable ; cependant, tant donn que la frquence du
naturelles des gnrations futures. rseau doit tre constante, les rotors sont raccords
des onduleurs afin de contrler la tension et la frquence
Par consquent, le soleil, la mer et la chaleur de la Terre de l'nergie introduite sur le rseau. La cintique de l'o-
sont gnralement considrs comme des sources lienne est caractrise par de faibles frictions associes
d'nergie renouvelables , autrement dit des sources une lgre surchauffe. Par consquent, aucun systme
dont l'usage actuel ne compromet pas la disponibilit de rfrigration (huile et eau) n'est requis, ce qui rduit
dans le futur ; en revanche, les sources dites non re- considrablement les cots d'entretien.
nouvelables sont limites pour le futur, d'une part car
elles ont des priodes de formation longues, suprieures L'impact environnemental a toujours t un facteur
celles de la consommation relle (en particulier les important de dissuasion de l'implantation de ces instal-
combustibles fossiles tels que le ptrole, le charbon, le lations. De fait, dans la plupart des cas, les endroits les
gaz naturel) et d'autre part car leurs rserves ne sont pas plus exposs au vent sont les cimes et les versants des
inpuisables une chelle de temps humaine. reliefs montagneux. Les parcs oliens sont alors visibles
une grande distance et ont un impact sur le paysage
Si la dfinition stricte d'nergie renouvelable est celle qui n'est pas toujours tolrable.
indique plus haut, les expressions synonymes ner-
gie durable et sources d'nergie alternatives sont Un autre problme consquent ds lors qu'on envisage
galement employes. Cependant, il existe de lgres une production grande chelle est l'intermittence de
diffrences ; en effet, l'nergie durable est une mthode l'nergie lectrique gnre. En effet, l'instar du soleil
de production et d'utilisation de l'nergie permettant un et l'oppos des sources d'nergie conventionnelles, le
dveloppement durable, incluant par consquent ga- vent ne fournit pas d'nergie homogne et continue. Plus
lement l'aspect d'efficacit des utilisations de l'nergie. particulirement, il ne permet pas de contrler l'nergie
Les sources d'nergie alternatives dsignent quant produite afin de l'adapter l'exigence de charge. De plus,
elles toutes les sources autres que les hydrocarbures, les autorits de contrle du trafic arien de certains pays
drivant de matriaux non fossiles. ont rcemment mis des rserves quant l'installation de
Il n'existe donc pas de dfinition unique de l'ensemble nouveaux parc oliens car ceux-ci pourraient interfrer
des sources renouvelables, tant donn que les opinions avec les radars, qui ne peuvent pas facilement supprimer
divergent selon les disciplines concernant l'inclusion les chos produits par les oliennes en raison de leur
d'une ou plusieurs sources dans le groupe des sources section radar (SR) leve1.
renouvelables.
En dpit de toutes ces contraintes, les parcs oliens
connaissent un essor dans de nombreux pays europens,
notamment grce leur facilit d'installation et leur en-
B.2 nergie olienne
tretien rduit ainsi qu' la possibilit d'une exploitation sur
terre mais galement en mer, avec les parcs offshore.
L'nergie olienne est le produit de la conversion de
l'nergie cintique du vent en d'autres formes d'nergie,
principalement en nergie lectrique. Les dispositifs
B.3 nergie de la biomasse
adapts ce type de transformation sont appels aro-
gnrateurs ou oliennes.
Une olienne requiert une vitesse minimale (de conjonc- La biomasse utilisable pour la production d'nergie est
tion) du vent de 3-5 m/s et produit la puissance nominale constitue de toutes les matires vivantes pouvant tre
une vitesse du vent de 12-14 m/s. des vitesses 1
La section radar (SR) est une mesure de la dtectabilit d'un objet par un radar. En
suprieures, le gnrateur est bloqu par le systme de effet, lorsque les ondes du radar sont diffuses vers une cible, seul un certain nombre
d'entre elles sont renvoyes. Diffrents facteurs dterminent la quantit d'nergie lec-
freinage pour des raisons de scurit. Ce blocage peut tromagntique renvoye la source, tels que les angles crs par les intersections du
tre ralis par de vritables freins qui ralentissent le plan et de la surface. Par exemple, un avion furtif (conu pour tre indtectable) aura des
caractristiques de conception impliquant une faible SR, contrairement un avion de
rotor ou l'aide de mthodes bases sur le phnomne ligne qui aura une forte SR.
employes directement comme combustibles ou transfor- L'immense rserve nergtique offerte par la mer (plus de
mes en combustibles liquides ou gazeux dans les usines 70% de la surface de la Terre est constitue d'eau d'une
de transformation, pour un usage plus adapt et plus large. profondeur moyenne de 4000 m) peut tre exploite de dif-
Le terme biomasse regroupe des matires htrognes, frentes manires. En effet, outre la chaleur lie au gradient
allant des rsidus forestiers aux dchets de l'industrie de thermique (diffrence de temprature entre deux points),
transformation du bois ou de fermes zootechniques. En la mer produit une nergie cintique due la prsence de
gnral, toutes les matires organiques drives de rac- courants, de vagues et de mares.
tions photosynthtiques peuvent tre dfinies comme de
Dans les rgions prsentant une grande amplitude entre la
la biomasse.
mare haute et la mare basse, il est possible d'envisager
En Italie, les biomasses couvrent environ 2.5% de la
la construction d'une usine marmotrice. Sur les ctes
demande d'nergie. Leur contribution aux missions de
canadiennes ou sur le littoral de la Manche, la diffrence
dioxyde de carbone dans l'atmosphre peut tre quasiment
de hauteur entre les mares hautes et les mares basses
considre comme nulle tant donn que la quantit de
atteint 8 15 m ; en revanche, dans la Mer Mditerrane,
CO2 mise pendant la combustion est quivalente celle
le marnage n'excde gnralement pas 50 cm.
absorbe par la plante durant sa phase de croissance. Les
Dans un usine marmotrice, l'eau circule l'intrieur et
biomasses peuvent tre utilises dans des centrales thermi-
l'extrieur d'un bassin de quelques kilomtres carrs,
ques de diffrentes dimensions, lesquelles sont strictement
passant dans une srie de tuyaux dans lesquels elle gagne
lies aux caractristiques du territoire et la disponibilit de
de la vitesse et entrane des turbines raccordes des g-
ce combustible dans les zones environnantes.
nrateurs (alternateurs). mare descendante, l'eau circule
du bassin vers la haute mer, entranant les turbines; lorsque
B.4 Gothermie le niveau de la mer commence monter et que la mare est
suffisamment haute, l'eau de la mer circule dans le bassin,
La gothermie est une forme d'nergie utilisant les sources entranant nouveau les turbines. Une particularit de ce
de chaleur des rgions intrieures de la terre, savoir le systme est la rversibilit des turbines, qui peuvent fonc-
sous-sol. Elle est naturellement prsente dans les rgions tionner mare montante et descendante (Figure B.1).
connaissant des phnomnes gothermiques (la Toscane, Figure B.1
le Latium, la Sardaigne, la Sicile et d'autres rgions de la
Vntie, de l'milie Romagne et de la Lombardie peuvent
tre signales comme des rgions chaudes). La chaleur
se diffusant dans les pierres proches de la surface peut tre Haute mer
exploite pour gnrer de l'lectricit l'aide de turbines
vapeur ou utilise dans des applications rsidentielles et
industrielles2.
Il existe galement des technologies (pompes chaleur Bassin
capteurs gothermiques) capables d'exploiter l'nergie
latente stocke dans le sol : dans ce cas, nous parlons
de gothermie basse temprature. Ces pompes sont des Turbine avec
gnrateur
systmes de chauffage (mais galement de refroidisse-
ment) lectrique qui exploitent la temprature relativement
constante du sol pendant l'anne et peuvent trouver une
application dans un grand nombre de btiments dans Globalement, l'exploitation des mares pour produire de
le monde entier. Les capteurs gothermiques sont des l'lectricit s'avre peu efficace ; jusqu' prsent, seules
changeurs de chaleur (des tubes) monts verticalement deux installations de ce type ont t construites : la plus
(ou horizontalement) au sol dans lesquels circule un fluide importante est situe sur l'estuaire de la Rance en Bretagne
caloporteur. Pendant l'hiver, l'environnement est chauff (France) et a une capacit nergtique totale de 240 MW
en transfrant l'nergie du sol vers la maison. En t le tandis que l'autre se trouve en Russie.
systme est invers, prlevant la chaleur ambiante et la Les vagues emmagasinent l'nergie du vent. Plus la lon-
transfrant dans le sol. gueur d'onde est importante, plus la quantit d'nergie
stocke est grande. tant donn l'tendue de l'ocan et
B.5 nergie marmotrice et nergie variable l'nergie contenue dans une seule vague, nous disposons
d'une immense rserve d'nergie renouvelable. La quantit
totale moyenne d'nergie contenue dans le mouvement
En Italie, l'exploitation de la gothermie est aujourd'hui limite la Toscane et au haut
ondulatoire des vagues (parcourant des centaines de ki-
2
Lazio avec une capacit totale de 681 MW en 2004 et une production de 5.4 milliards de
kWh quivalant 1.55% de la production lectrique nationale. lomtres sans vent et avec une faible dispersion) au large
des ctes amricaines, calcule avec une profondeur piscines. Cette technologie est mature et fiable, offrant
d'eau de 60 m (l'nergie commence se dissiper une des installations d'une dure de vie suprieure 20 ans

profondeur d'environ 200 m et est divise par trois 20 et un dlai de rentabilit parfois trs court. Une famille de
m) a t estime environ 2100 trawatt-heure (TWh/an) 4 personnes utilisant 75 litres d'eau chaude par personne/
(210010 Wh). jour et associant une chaudire gaz traditionnelle une
La production d'nergie marmotrice est d'ores et dj installation solaire (installation type : panneaux de 4 m2 et
une ralit et suscite un grand intrt. Dans des pays tels rservoir de 300 litres) peut amortir l'investissement initial
que le Portugal, le Royaume-Uni, le Danemark, le Canada, d'environ 4 000 euros sur une priode de trois ans.
les tats-Unis, l'Australie, la Nouvelle-Zlande ou autres, Ce calcul tient compte des actuelles mesures d'incitation
des dizaines d'entreprises et d'instituts de recherche se permettant de dduire des impts une partie des frais
consacrent exclusivement ce domaine. Le cot par KWh d'achat et d'installation (rduction d'impts de 55% pour
de cette ressource s'approche dj de celui de l'nergie la requalification nergtique des btiments).
olienne.
Les technologies en phase d'essai et en cours d'utilisa- Les solutions technologiques actuellement disponibles
tion sont diffrentes et nombreuses : dispositifs flottants peuvent tre classes en trois catgories :
ancrs au moyen d'un cble droul et enroul, pastilles collecteurs sans vitrage, bass sur un principe de fonc-
pizolectriques, caissons remplis et vids d'eau, divers tionnement trs simple : l'eau circule dans des tuyaux
systmes flottants et systmes fixes sur terre et sur les gnralement constitus de matire plastique directe-
fonds marins. ment exposs au rayonnement solaire. En chauffant, ces
Les premires installations taient des structures fixes tuyaux permettent d'augmenter la temprature de l'eau
ayant un fort impact environnemental. Le premier projet y circulant ;
flottant fut le projet Kaimei, dans le cadre duquel un groupe
de nations (tats-Unis, Royaume-Uni, Irlande, Canada et collecteurs plats, qui sont bass sur le mme principe
Japon) a entrepris en 1978 la construction d'un navire dont que les collecteurs sans vitrage, mais utilisent des
la gnration de puissance tait de 2 MWh. Un autre projet matriaux ayant une conductivit thermique suprieure
similaire est le Mighty Whale japonais. Le projet italien Sea (cuivre, acier inoxydable, aluminium, etc.) et sont pro-
Breath s'inscrit dans le cadre de cette initiative. tgs dans des botiers (panneaux) constitus d'une
plaque absorbante l'arrire (visant retenir la chaleur
B.6 nergie mini-hydrolectrique et maximiser le rayonnement) et d'une plaque en verre
(ou en matire plastique) dans la partie suprieure, afin
Le terme mini-hydrolectrique fait gnralement rfrence de prvenir la perte de chaleur dans l'environnement
aux centrales hydrolectriques dont la puissance est inf- due la convection ;
rieure 10 MW, dont les dimensions sont rduites et dont
l'impact environnemental est faible. L'nergie est obtenue collecteurs tubulaires sous vide, dans lesquels le tube
par des centrales hydrauliques qui utilisent le flux de l'eau contenant le fluide caloporteur est protg par un tube
pour entraner des turbines. La technique mini-hydrolec- en verre de diamtre suprieur, dont la surface interne
trique peut constituer une ressource importante pour de est revtue de matriau absorbant et o le vide est cr
nombreuses rgions agricoles et montagneuses. Elle peut afin d'obtenir une isolation thermique visant rduire la
tre exploite en utilisant les structures existant le long des perte de chaleur due la convection.
rivires (conduits, stations d'puration, aqueducs) de mme
que, en prsence d'un flux d'eau suffisant, en formant des La chaleur capte par le fluide caloporteur est transfre de
vagues et en effectuant des interventions ayant un impact diffrentes manires selon le type d'installation vers l'eau
limit sur les bassins versants. sanitaire stocke dans un rservoir particulier.
L'eau chaude produite par une installation solaire thermi-
que peut tre utilise :
B.7 nergie solaire thermique 1. pour un usage sanitaire (salle de bain, cuisine, ma-
chine laver, lave-vaisselle) ;
2. pour un chauffage domestique (l'association avec
Les installations solaires thermiques sont les installations des systmes radiants tels que le chauffage au sol
les plus rpandues et les plus facilement applicables sur et les panneaux muraux est recommande car ils
les toits en Italie. Par l'intermdiaire d'un collecteur solaire, requirent de l'eau une plus basse temprature
elles utilisent le rayonnement solaire principalement pour le que les radiateurs normalement utiliss et causent
chauffage de l'eau, les utilisations sanitaires ainsi que, aprs moins de perte de chaleur) ;
une valuation prcise, pour le chauffage des pices et des 3. pour maintenir la temprature dans les piscines ;
4. pour les particuliers ainsi que pour les structures plus circulation force. Contrairement la circulation na-
grandes (centres de loisirs, hpitaux, htels, etc.). turelle, la circulation force permet de placer l'unit de
En simplifiant cette classification, trois types d'installations stockage un niveau infrieur celui des collecteurs
solaires thermiques peuvent tre identifis : et donc dans la maison. Dans ce type d'installation, la
circulation naturelle. Ces systmes exploitent le principe prsence d'une pompe lectrique permet au fluide calo-
naturel selon lequel un fluide chaud a tendance monter, porteur de circuler des collecteurs (position suprieure)
tandis qu'un fluide froid tendance descendre. Dans ce l'unit de stockage thermique (position infrieure). Par
cas, l'unit de stockage thermique est place au-dessus rapport aux systmes circulation naturelle, ce type
du panneau (montage sur le toit comme dans la Figure d'installation requiert une pompe de circulation, une
B.2a ou installation au grenier comme dans la Figure unit de commande, des capteurs de temprature et des
B.2b). Le fluide caloporteur, aprs avoir t chauff par le cuves d'expansion et implique des cots gnralement
rayonnement solaire, monte directement dans l'unit de plus levs et des exigences d'entretien suprieures.
stockage et transfre sa chaleur l'eau contenue dans Cependant, les personnes habitant dans des centres
l'unit. Lorsque le fluide a refroidi, il redescend dans les historiques prestigieux (et par consquent dans des
panneaux et le cycle recommence. Cette technologie btiments soumis des rgles architecturales) et ne dis-
requiert simplement quelques collecteurs solaires et une posant pas de grenier pour cacher l'unit de stockage
unit de stockage/changeur de chaleur. Les surfaces et du systme circulation naturelle, peuvent rsoudre ce
les tailles varient en fonction des exigences thermiques. problme de dimensions de l'unit de stockage sur le
Les avantages de ce type d'installations sont notamment toit grce la circulation force (Figure B.3) ;
le faible cot, le fonctionnement sans pompe lectrique
Figure B.3 - Types de collecteurs solaires
ni unit de contrle, l'inclinaison donne par la pente du
Panneaux gnralement placs
toit, l'installation rapide et conomique, l'entretien mini- sur un toit ou tout autre
mum et la grande efficacit renforce par la circulation endroit suffisamment
spacieux et ensoleill
naturelle du fluide caloporteur. Toutefois, ces installations
prsentent galement quelques inconvnients, allant
des plus mineurs comme la nature esthtique aux plus
importants comme l'exposition de l'unit de stockage
aux agents atmosphriques et aux conditions environ-
nementales adverses et la ncessit que la structure du
toit puisse supporter le poids de l'installation ;
Figure B.2
Unit de stockage
contenant de l'eau Chaudire utilise pour intgrer
la chaleur si ncessaire
circulation force et vidange automatique. Cette

technologie est une volution de la circulation force
traditionnelle. Elle supprime l'ventuel inconvnient de
la stagnation du fluide caloporteur dans les collecteurs,
susceptible de se produire en cas de blocage de la
pompe ou d'autres problmes caractristiques de la
circulation force. En effet, la stagnation peut causer
une surchauffe du fluide et endommager srieusement
l'installation solaire. Au contraire, avec ce type d'ins-
tallation, les panneaux se vident et le liquide circule
l'intrieur de l'unit de vidange ds que la pompe
s'arrte, vitant ainsi la rupture des collecteurs due
la stagnation.
Une installation circulation naturelle de 2-3 m2 avec
une unit de stockage de 150/200 litres pour l'eau tu de miroirs spcialement conus pour capter et focaliser
chaude sanitaire (utile pour rpondre aux besoins de le rayonnement solaire sur un rcepteur qui l'absorbe et le

2 4 personnes) a un cot moyen de 2,000-3,000 transforme en nergie thermique. L'ensemble du concen-
(installation, main d'uvre et TVA comprises). Pour une trateur et du rcepteur forme le collecteur solaire.
installation plus grande, toujours circulation naturelle, Dans les technologies actuellement disponibles, le
de 4 m2 de surface, avec une unit de stockage de 300 concentrateur peut tre linaire ou concentr en un point,
litres (utile pour rpondre aux besoins de 4 6 person- de type continu ou discontinu (Figure B.4) :
nes), un cot indicatif d'environ 4,000-4,500 doit tre solution a), concentrateurs cylindro-paraboliques ;
envisag. Une installation encore plus grande - 15 m2 solution b), concentrateurs paraboliques ;
avec une unit de stockage de 1,000 litres (pour une famille solution c), rflecteurs de Fresnel linaires ;
de 5 membres dans une maison dote d'un systme de solution d), systmes tour solaire.
chauffage au sol) et une circulation force contribuant Figure B.4 - Types de collecteurs solaires
au chauffage des pices - a un cot indicatif d'environ LINAIRE CONCENTR EN UN POINT
12,000 . Une installation solaire thermique permet de
Rcepteur/Moteur
faire des conomies sur les factures d'lectricit et/ou de
gaz tout en ayant un dlai d'amortissement intressant. Concentrateur
Les panneaux solaires rpondent environ 70% des be-
CONTINU
soins en eau chaude sanitaire d'une maison. Lors de l'uti- Concentrateur
lisation de l'nergie solaire pour le chauffage domestique,
le besoin total satisfait peut atteindre 40%. Un systme Rcepteur
solaire thermique correctement install peut tre garanti
jusqu' quinze ans et un entretien appropri peut allonger
sa dure de vie.
Il est possible de bnficier d'une exonration fiscale pour Rcepteur
les installations thermiques (uniquement lorsqu'elles sont Rcepteur
DISCONTINU
Concentrateur
installes dans des btiments dj inscrits au cadastre)
quivalant 55% des cots d'achat et de montage de
l'installation, rpartie sur 5 ans conformment la Loi n2
du 28 janvier 2009 relative la conversion du Dcret lgis-
latif anticrise 185/2008. Cette dduction a t prolonge
Heliostat
d'une priode de trois ans dans la Loi des finances 2008.
La TVA pour les installations solaires est de 10%. De plus,
dans de nombreuses rgions, provinces et communes,
des incitations et des prts sont proposs, couvrant g- Chaque technologie permet d'atteindre divers facteurs
nralement 25 30% des dpenses totales. de concentration, autrement dit diffrentes valeurs de
temprature maximale ainsi que des types de cycles ther-
modynamiques plus adapts la conversion de l'nergie
B.8 nergie solaire thermodynamique thermique en nergie lectrique.
Par consquent, une installation solaire thermique peut
Dans une installation solaire thermodynamique, la conver- tre considre comme le regroupement de deux sous-
sion de l'nergie solaire en lectricit est ralise en deux ensembles :
phases : l'un constitu du collecteur solaire qui ralise la pre-
le rayonnement solaire est tout d'abord converti en mire phase de la conversion d'nergie ;
nergie thermique ; l'autre convertissant l'nergie thermique en nergie
puis l'nergie thermique est convertie en nergie lectrique et constitu de l'quipement de conversion
lectrique par un cycle thermodynamique. d'nergie et du systme de transport et de stockage
qui transfre la chaleur du collecteur au cycle ther-
La conversion thermodynamique de la seconde phase est modynamique.
entirement analogue celle des installations thermiques
conventionnelles. Il est donc ncessaire que l'nergie L'unit de stockage thermique a pour but de stocker la
thermique ait une temprature leve afin d'obtenir une chaleur gnre afin de garantir le bon fonctionnement de
grande efficacit. Par consquent, dans les systmes so- l'installation en cas de variations soudaines de l'ensoleille-
laires thermodynamiques, il faut gnralement concentrer le ment dues des phnomnes mtorologiques.
rayonnement solaire au moyen d'un concentrateur, consti- Selon la temprature maximale du fluide caloporteur, les
types de cycles thermodynamiques suivants peuvent tre petit moteur Stirling ou d'une petite turbine gaz.
adopts : le cycle de Rankine eau-vapeur (pour les tem- Ces types d'installations ont une conversion nette an-
pratures comprises entre 400 et 600C) typique pour les nuelle moyenne d'environ 18% avec des pics quotidiens
installations collecteurs cylindro-paraboliques, le cycle 24%, toutefois elles sont adaptes la gnration de
de Stirling (pour les tempratures jusqu' 800C) dans les faibles puissances (quelques dizaines de kW).
installations concentrateurs paraboliques et le cycle de Figure B.6 Installation parabolique
Joule-Brayton (pour les tempratures jusqu' 1000C) en
configuration simple ou en cycle combin, gnralement
dans des installations tour solaire.
Dans les installations concentrateurs cylindro-parabo-

liques (Figure B.5), les miroirs sont utiliss pour focaliser
le rayonnement solaire sur les tubes rcepteurs thermo-
efficaces circulant le long de la ligne focale de la parabole.
Un fluide caloporteur (huile synthtique ou mlange de
sels fondus) circule dans ces tubes. Il prend la chaleur du
rcepteur et la transfre vers l'eau du cycle thermodynami-
que par l'intermdiaire d'changeurs de chaleur, gnrant
une vapeur surchauffe qui entrane une turbine vapeur
standard.
Ces types d'installations ont une conversion nette annuelle

moyenne d'environ 12 14% et reprsentent la quasi-totali-
t des installations solaires thermodynamiques actuelles.
Figure B.5 - Concentrateurs cylindro-paraboliques
Les installations concentrateurs de Fresnel linaires (Fi-
gure B.7) sont similaires d'un point de vue conceptuel aux
installations cylindriques linaires. Elles ont des retours
optiques lgrement infrieurs mais des systmes de sui-
veurs plus simples pour les miroirs et des structures plus
lgres car elles sont moins exposes au vent. Elles sont
encore en phase d'essai toutefois, selon les valuations
des cots de fabrication des collecteurs, elles s'avrent
plus rentables que d'autres technologies.
Figure B.7 Installation concentrateurs de Fresnel linaires
Dans les installations concentrateurs paraboliques

(Figure B.6), le rayonnement solaire est concentr dans
un collecteur plac dans le foyer d'un rflecteur parabo-
lique. Le collecteur absorbe la chaleur du rayonnement
et chauffe un fluide utilis pour gnrer de l'nergie
lectrique directement dans le rcepteur au moyen d'un
Dans les installations rcepteur central (Figure B.8), d'utilisation ; le second permet de raccorder un systme
le rayonnement solaire provenant des miroirs plats PV en remplacement temporaire du cognrateur afin

(hliostats) placs en cercles sur le sol est focalis sur que les panneaux puissent tre exploits lors de l'enso-
le rcepteur central mont sur une tour. Dans le rcep- leillement maximum et que le cognrateur fonctionne
teur, un changeur absorbe le rayonnement rflchi et pendant la nuit ou en cas de faible ensoleillement. La
le convertit en nergie thermique, gnrant une vapeur flexibilit de la cognration DC, qui s'applique ga-
surchauffe envoye dans les turbines ou chauffant l'air lement aux petits consommateurs avec une efficacit
ou le gaz dment comprim et utilis directement dans pouvant atteindre 90%, est bien adapte l'intermittence
des turbines gaz cycle ouvert ou ferm. des sources renouvelables, permettant une alimentation
constante des systmes autonomes qui n'utilisent pas le
rseau pour stocker l'nergie lectrique.
Figure B.8 Installation rcepteur central
De plus, des systmes hybrides plus complexes sont en
train de voir le jour : ils permettent de stocker l'nergie
dans l'hydrogne produit par lectrolyse en utilisant
l'excdent d'nergie lectrique gnr par les systmes
photovoltaques ou oliens lorsque la consommation des
charges et du rseau est basse3. L'hydrogne produit est
stock dans des rservoirs haute pression puis utilis
pour gnrer de l'nergie lectrique au moyen de piles
combustibles ou d'un mlange de biogaz4. Toutefois,
ces systmes ont encore une faible efficacit totale dans
la chane de conversion de l'nergie lectrique en hydro-
gne puis en lectricit par les piles combustible. De
plus ces dispositifs sont encore relativement coteux.
Il existe cependant des solutions techniques visant
rduire ces inconvnients ; leur utilisation grande
chelle doit permettre une rduction des cots et une
augmentation de l'intgration du systme avec une dif-
fusion croissante, recherchant l'introduction de rseaux
intelligents, autrement dit des rseaux de distribution
intelligents capables de transfrer l'nergie lectrique
d'un point du rseau un autre dans une configuration
caractrise par une varit de producteurs galement
auto-consommateurs.
B.9 Systmes hybrides
Dans un futur proche, il sera non seulement possible

d'envisager l'application d'une source renouvelable un
btiment ou un site, mais galement de considrer des
solutions hybrides permettant une source de complter
l'autre. Cette intgration a dj des applications dans les
btiments rsidentiels, o de plus en plus de systmes
solaires thermiques sont coupls des installations PV
ou bien des systmes de gothermie sont combins
des systmes solaires thermiques.
De plus, la cognration DC est actuellement dj utilise
dans les installations de cognration produisant de la 3
C'est le cas typique des systmes oliens en Europe du Nord, o le vent souffle souvent
chaleur et de l'nergie lectrique DC, qui est convertie en trop fort par rapport aux demandes relles du rseau. Les oliennes doivent alors tre
arrtes, perdant par consquent le quota de production susceptible d'tre utilis. Afin
courant alternatif par un onduleur l'instar des installa- d'viter cette situation, des systmes de stockage d'hydrogne sont raliss pour stocker
l'nergie produite par les oliennes les jours de vents forts, autrement dit lorsque les
tions PV. Ce type d'installation offre deux avantages : le installations gnrent plus d'nergie que la quantit requise par le rseau.
premier permet de moduler la production lectrique de 4
Ou gnration de chaleur pour le chauffage urbain et vente d'ventuels biogaz rsiduels
15 100% de la puissance maximale selon les exigences comme combustible pour les moyens de transport.
Documents d'application technique
QT5
Disjoncteurs ABB pour les applications de cou-
rant direct
QT6
Appareils de commutation et de contrle basse
tension l'preuve des arcs lectriques
QT1 QT7
Slectivit basse tension avec les disjoncteurs Moteurs asynchrones triphass
ABB Gnralits et propositions d'ABB pour la coordi-
nation des dispositifs de protection
QT2 QT8
Postes de transformation MT/BT : thorie et Correction du facteur de puissance et filtrage
exemples de calcul de court-circuit des harmoniques dans les installations lectri-
ques
QT3 QT9
Systmes de distribution et protection contre le Communication par bus avec les disjoncteurs ABB
contact indirect et le dfaut la terre
QT4 QT10
Disjoncteurs ABB dans les tableaux de distribu- Installations photovoltaques
tion BT
Contact
ABB SACE Les donnes et les illustrations sont fournies titre
1SDC007109G0201 - 04/2010
Une division de ABB S.p.A. indicatif. Nous nous rservons le droit de modifier sans
L.V. Breakers pravis le contenu de ce document sur la base du
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Document d'application technique n10

1.5.1 Installations autonomes................................. 15 2.8.2 Tempratures des modules........................... 25

1.6 Intermittence de la gnration et

3.3 Choix de l'onduleur et interfaage.................. 28

5.3 Installations sans transformateur ................... 41

7.4 Disjoncteurs miniatures................................. 51 B.5 nergie marmotrice et nergie variable.......... 58

7.7 Tableaux de distribution................................ 53

7.8 Units de consommation murales................. 53

7.9 Botes de jonction......................................... 53

7.10 Bornes de raccordement............................... 54

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Une installation PV est essentiellement constitue d'un g-

gie, de tableaux de distribution lectriques et d'appareils

Diffus Surfaces claires de btiments 0.60

La Figure 1.5 montre l'atlas mondial de l'irradiance solaire

1 kWh/m2 2 kWh/m2 3 kWh/m2 4 kWh/m2 5 kWh/m2 6 kWh/m2 7 kWh/m2

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

1.3 Principaux composants d'une installation

photovoltaque se dplacer de la moiti riche de l'lectron (N) la moiti

Gnralits sur les installations photovoltaques (PV

Figure 1.9 - Effet photovoltaque

100% de l'nergie solaire incidente

- 20% de gradient lectrique dans la cellule, surtout dans

Dans des conditions d'utilisation standards (irradiance de

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Maximum Power Point

Pour obtenir une forme d'onde aussi sinusodale que V . I = const

6 Les systmes MPPT disponibles dans le commerce

diffrentes formes et sens. En fait, les irisations typi-

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Figure 1.18 Module couche mince

La part de march des technologies couche mince est

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

l'heure actuelle, les applications les plus communes

1 Gnrateur PV 5 Charges DC possibles

4 Systme de stockage (batterie) Raccordements DC

1.5.2 Installations raccordes au rseau Figure 1.23

Les installations raccordes en permanence au rseau

utilisent l'nergie du rseau lorsque le gnrateur PV Rseau BT

fournir une gnration rpartie et non centralise : en

La Figure 1.24 montre le schma de principe d'une ins-

1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)

Une cellule photovoltaque peut tre considre comme K.V

La tension vide Voc se produit lorsque la charge n'absor-

Le courant de diode est obtenu par la formule classique 0.0

Si dans [2.6], nous avons Ig = 0, comme cela se produit

Iu Pr = U . Ir l'nergie fournie par le rseau.

D'un point de vue nergtique, le principe de conception g-

miser le captage du rayonnement solaire annuel disponible.

Etant donne que le rayonnement solaire est variable dans

reprsentent une valeur attendue et non dfinie.

Au-del de la latitude des tropiques, le Soleil ne peut pas

O : Exemple : 30C ; 45C sud-ouest ; 95%

2.7 Tensions et courants d'une installation PV 2.8 Variation de la production d'nergie

3 Mthodes d'installation et configurations

ses de btiments et d'difices. En prsence d'une

3 Mthodes d'installation et configurations

l'exposition des panneaux n'est pas la mme dans l'en-

strings sont raccords un onduleur unique, l'ombrage L3

3.2.3 Installation multi-onduleurs

leurs est dans ce cas infrieur, entranant une rduction

- champ de variation de la tension du MPPT dans