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TRANSISTOR
BIPOLAIRE
2
Références:
Plan
• Principe de fonctionnement
• Caractéristiques statiques
• Équations d’Ebers-Moll
• Paramètres statiques – gains
• Effets du second ordre
• Transistor en commutation
• Transistor en HF
• Transistor à Hétéro-jonction TBH ou HBT
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Géométrie conventionnelle
• Géométrie:
• Latérale
• Verticale
C
B
E latéral
npn
5
Principe de fonctionnement
• 2 jonctions pn tête
bêche.
• La première (EB) sert à
injecter les porteurs
• La deuxième (BC) à les
collecter
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Principe de fonctionnement
• Jonction en inverse:
• Courant faible car
« réservoir » vide
• En modulant le remplissage
du réservoir, modulation du
courant inverse collecté
(collecteur)
• On remplit le réservoir (la
base) en polarisant en direct
la jonction EB
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Principe de fonctionnement
• La polarisation inverse CB
permet de créer un champ
électrique favorable à la
collecte.
• Conditions:
• Base fine:
• Éviter les recombinaisons
• Base peu dopée /émetteur
• Privilégie un seul type de
porteurs injectés (meilleure
efficacité d’injection)
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Caractéristiques statiques
idéal
Avec recombinaisons
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Dopage homogène de la
Base
Faible Injection
Transistor PNP
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p( x)dx
E'
• Or J n J pet n p
• En régime normal, Jn
J d ( p.n) négatif ( e- vers x<0)
p n
eDn dx
p( x)dx
E'
15
eVkTBE eVBC
( e 1) ( e kT
1) eVBE eVBC
2 2
J n eDnb ni2
eD n eD n
C '
C '
nb i
( e kT
1) C '
nb i
( e kT
1)
p ( x)dx
' p( x)dx
E ' p ( x)dx
E E'
Or:
C'
p( x)dx N AB WBeff
E'
eVBE eVBC
J pE J spE exp( ) 1 J pC J spC exp( ) 1
kT kT
Isn
Aen i2 Dnb eV BE Aen i2 Dnb eV
I C I n I pC C' (exp 1) [ C ' I spC ](exp BC 1)
kT kT
p ( x ) dx p ( x )dx
E' E'
eV eV
I B I E I C I pE I pC I spE exp( BE ) 1 I spC exp( BC ) 1
kT kT
18
eVBE eVBC
I E I S1 (exp 1) I I S 2 (exp 1)
kT kT
eVBE eVBC
I C N I S (exp 1) I S (exp 1)
1
kT 2
kT
avec:
Ae 2 n i2 D nb Aen i2 D pe Ae2 ni2 Dnb Aeni2 Dpc
I S1 IS C
N N D ( x)
C' '
( x) 2
ep ( x ) dx ep( x)dx
D
E C
' '
E E
Ae 2 ni2 DnB eV
I E ( I SpE ) exp BE
Q B QS kT
eVBE
I I E I C I SpE exp
*
B
kT
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IC 1
IE J Sp .(QB QS )
1
e 2 ni2 DnB
• Gain en courant émetteur commun:
IC
Rem: si on néglige Recomb
IB 1 dans la base, identique à E
21
IC n 2 L2n
2 1
I rB t X Beff
22
Aeni eVBE
I rD WT exp
2 2kT
avec WT, largeur de la ZCE E-B.
I B I I rB I rD
*
B
23
1 I B I B* I rB I rD 1 1 I rD
• Avec:
IC IC E IC
•
• I B* le courant de base intrinsèque (pas de recombinaisons)
•
I rBle courant de recombinaisons dans la région neutre de la Base
•
I rDle courant de recombinaisons dans la région déplétée E-B
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• Régime saturé:
• Les 2 jonctions sont polarisées en direct.
n(x)
Ae n DnB
2 2
eVBE 2 2
Ae n DnB
eVBC
Base
I E i
I spE e kT
i
e kT
QS Q B QS Q B
QS2
nex (0)
Ae 2 ni2 DnB
eVBE
Ae 2 ni2 DnB eVkTBC nex (WB )
IC e kT
I spC e
QS Q B QS QB
QS1 0 WB
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Régime saturé
eVBE eVBE
1 1 ni2
QS 1 WB en( x 0) WB e kT
t J sn e kT
2 2 NA
eVBC eVBC
1 1 ni2
QS 2 WB en( x WB ) WB e kT
t J sn e kT
2 2 NA
26
Régime saturé
QSN
Responsable de la dégradation des
0 WB performances dynamiques
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Régime saturé
QS eni (e 2 kT e 2 kT )WB
2
Jn ni e ni e
WB WB
• En fait, ces résultats doivent être modifiés par des effets secondaires ou parasites
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Effets secondaires
1 3
2
29
Effets secondaires
Ic
31
eWB2 N A ( N A N D )
V pt B B C
2 SC N D C
32
Claquage de la jonction B - C
• Avalanche de la jonction B-
C:
• Apparaît souvent avant le
perçage Ionisation
• Comment l’éviter? par impacts
x) x)
Nc Nc-n
Wb0 Wb0
E’ C’ E’ C’
Nb Nb+n
35
Et l’effet 2 ????????????????
36
• État ON : interrupteur
fermé (Tr. Saturé)
• Signal de commande
(d’entrée) le plus faible
possible
• Puissance de
commande la plus
petite possible
Emetteur Commun
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• Mise en conduction:
• IC augmente jusqu’à
atteindre :
V (on néglige VCEsat )
I Csat DD
RC
• La charge limite QB(ton)
pour saturer le transistor est
donnée par :
2
I Csat d pB
QS Q B (t ) I B n [1 exp(
t
)]
2 DnB n
• Le temps de mise en
conduction est donné par:
1 1
tON n ln
n ln
1 (QS I
B n
) 1 ( I c I B )
41
I B n
t ln
• AuS delà,
n même phénomène
QS
que jonction PN
42
IB Cµ
Ib Ic
44
1
I C V 1
ro A
VCE I C h22
45
• capacité de stockage C SE F g m
• temps de transit F t E tt tt tt
B BE BC
C CTCB
• Capacité de la couche de déplétion de la diode collecteur – substrat
C dCS
46
ic g m vbe jCµvbe
x
1
ib jC jCµ vbe
r
ic g m j C µ
( ) h21
ib (1 / r ) j (C Cµ )
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• À basse fréquence:
• Dans les transistors modernes, en général,
ic g m r
Cµ g m ( )
ib 1 jr (C Cµ )
gm
( )
j (C Cµ )
48
gm
2fT
• Soit encore C Cµ
1 kT
F (CSE CTBC ) CTBC (re rc )
2fT eI C
fT
f max
8rbCdBC
50
• Expression du gain :
E 1 n 2
D p N A WBeff WBeff2
1 iE E B
1 2
1 E N D DnE
ni
2
B
Lp B E 2 Ln B
• Si la base est courte:
E 1 ni Dp N A WBeff
2
1 E E
B
1 E N D Dn ni Lp
2
E B B E
51
E 1 n 2
Dp N A WBeff
1 i E E B
1 E N D
Dn
ni
2
E
LpB B E
E 1 n 2
Dp N A WBeff
1 i E E B
1 E N D
Dn
ni
2
Lp E B B E
• Autre solution:
• Augmenter le dopage de l’émetteur
• Améliore l’efficacité d’injection
• Pb: « gap shrinking »
E g E g ( base ) E g ( émetteur ) 0.
Eg
ni (émetteur ) ni ( Base) exp(
2 2
)
kT
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N D Dn ni Lp kT
2
E B B E
N D Dn L p E g
E
exp(
B
) 1
E
1 N A D p WBeff
B E
kT
• On « construit » une
structure à
différence de
« gap » négatif:
• Le TBH ou HBT
Eg Egb Eg e
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Demandes Problèmes
Diminution du Gap:
émetteur fortement dopé
=> injection par la Base
•Emetteur fortement dopé en utilisant un SC à gap plus grand que celui de la Base
•Base peut être fortement dopée et étroite sans augmenter la résistance de base
•Collecteur peut être choisi tel que la tension de claquage soit élevée
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Dispositifs Bipolaires
Si peut être combiné avec:
TBH avec Si: •Silicium amorphe (Eg=1.5 eV)
•Si/SiGe très prometteur •SiC (Eg=2.2 eV)
avec fréquence de coupure •Polysilicium (Eg=1.5 eV)
de l’ordre de 100 GHz
•Haute fréquence
•Filière GaN/AlGaN •Évacuation thermique (puissance)
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ni2 ( SiGe)
collecteur
emetteur
Améliore le beta
ni2 ( Si ) Améliore le temps de transit
Dégrade la tension d’Early