TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (JFET) CANAL N 1

1° PARTIE : ETUDE DE LA « ZONE OHMIQUE »

La figure 1 représente la structure d’un transistor JFET à canal N. Il est formé :

• D’un barreau de silicium de type N (Nd =1015 atomes cm -3, résistivité !n = 5 !. cm) dont les
extrémités forment la source et le drain du dispositif.
• De silicium de type P (Na= 1016 atomes cm -3, résistivité !p= 1,5 !. cm) divisé en deux
zones, séparées de la distance H, qui prennent en « sandwich » le silicium N. Cette zone P
constitue la grille du dispositif.

Grille Z
Z
P
VGS Z.C.E. W(VGS)
Drain
e
H
+ H
N Z.C.E. W(VGS)
Source P
Grille L
Z.C.E. W (VGS)
L

Figure 1 Figure 2

Le drain est “en l’air” (figure 1) c’est à dire déconnecté. On applique alors une tension VGS
négative entre grille et source. La jonction PN, dont l’anode est formée par la grille et la cathode
par la région N entre source et drain, est polarisée en inverse par la tension VGS.
Elle présente alors une zone de charge d’espace (Z.C.E.) dépourvue de porteurs et donc isolante,
d’épaisseur W (VGS) telle que :

W (VGS ) = k V! "VGS (1)

Avec :
2" 0" si
• k= (2)
qN d
#N N &
• V! est le potentiel interne de jonction : V" = UT ln% a 2 d ( = 0, 639V à 25°C (3)
$ ni '
-12 -1
! • On donne de plus : "0 "si= 1,05.10 F cm (4)

Dans cet exercice, on s’intéressera uniquement au canal situé sous la grille (figure 2) de
largeur L et de section (Z. e) où la !distance e est variable ( on néglige les résistances d’accès au
canal sous la grille du côté source et drain).

On donne de plus : H = 5 µ m, L = 6 µ m et Z = 600 µ m.

1
Philippe ROUX© 2010 http://philippe.roux.7.perso.neuf.fr
 1. Sachant que la zone de charge d’espace W possède une épaisseur dépendante de la tension
VGS, déterminer la valeur particulière de cette tension appelée tension de pincement VP qui
conduit à une résistance de canal infinie et ceci en fonction de V!, H et k. Faire l’application
numérique en prenant garde aux unités.

2. En déduire l’expression de la résistance RDS du canal en fonction de ses paramètres

technologiques (#n , H, L, Z) et des tensions VP, VGS, V! .

2° PARTIE : ETUDE DE LA « REGION DE COUDE »

On fixe maintenant la tension VGS à une valeur supérieure à la tension de pincement VP et on

connecte le drain à une tension VDS positive par rapport à la source de manière à faire circuler un
courant de drain ID entre drain et source (figure 3).

Grille
Z
VGS Drain

ID
- +
VDS

Source ID
L

Figure 3

Le canal en silicium N, situé sous la grille G, où circulent (de la source S vers le drain D) les
électrons, sous l’influence de la tension VDS, présente une résistance à géométrie variable. En effet,
la section de cette résistance est maintenant liée à l’influence conjuguée de la tension VGS négative
et de la tension VDS positive. La tension VDS se répartie dans le canal de telle manière que la Z.C.E.
du côté du drain sera plus étendue que du côté source (figure 4).

GRILLE

SOURCE
dR H
DRAIN
W(x)

H ID ID

Z
W(x)

0 distance/ source
x x+dx L
0 potentiel/source
Vx Vx +dVx VDS
Figure 4

2
A la distance x de la source l’épaisseur de la zone de charge d’espace est telle que :

W (x) = k V! "VGS +V (x) (4)

On se propose de calculer l’expression du courant de drain ID en fonction de VDS, VGS et des

paramètres technologiques du dispositif.

A la distance x de la source, le canal possède une section : S(x) = Z [ H " 2W (x)] (5)

Pour un déplacement de x vers x + dx, on définit alors :

dx
• Une résistance élémentaire du canal !
: dR = " n (6)
S(x)
• Une variation correspondante de potentiel : dV (x) = I D dR (7)

1. Déterminer, compte tenu des équations précédentes, l’expression de l’équation différentielle

du premier ordre reliant ID, V(x) !
et dx.
!
2. Afin d’exprimer le courant de drain ID (VDS, VGS), résoudre cette l’équation différentielle en
séparant les variables dx, V(x) et en prenant pour bornes d’intégrations :

• x variant de 0 à L (la largeur du canal)

• V(x) variant de 0 à VDS.

3. On se propose de déterminer la tension particulière VDS appelée VDsat qui conduit au

maximum du courant de drain ID et ceci pour une tension VGS maintenue constante.

# "I &
a. Calculer l’expression la dérivée partielle : % D (
$"VDS 'VGS const.

b. En déduire en fonction de VP et VGS, l’expression de VDsat (où ID doit être maximal)

! V correspondante et la valeur correspondante
c. Pour VGS = 0 V, Calculer la tension Dsat
du courant maximum de drain IDSS. Faire l’application numérique.

4. On suppose maintenant que la tension VDS est suffisamment faible pour effectuer
l’approximation :
3
$ VDS '2 3 VDS
&1+ ) * 1+
% V" #VGS ( 2 V" #VGS

a. Dans l’expression du courant de drain ID, faire apparaître le 1° membre de l’équation

précédente.
!
b. Effectuer l’approximation indiquée et montrer que la tension VDS est proportionnelle
au courant de drain ID. Que pensez-vous du résultat compte tenu de la relation (2) ?

3
 CORRECTION

1° PARTIE : ETUDE DE LA ZONE OHMIQUE

1. La tension de pincement VP est obtenue lorsque la zone de charge d’espace d’épaisseur W,

de part et d’autre des deux zones P, envahie tout le canal du dispositif.

On a alors : H = 2W = 2k V" #VP

H2
On en déduit la tension de pincement : VP = V" # 2 (5)
4k
A.N.
! V P = -4,129 V

Remarque : La tension de pincement du JFET varie dans une même série de composants, en
effet, lors de sa fabrication, !il est difficile de maîtriser la distance H qui intervient dans
l’expression de VP.

2. Résistance RDS du canal en fonction de ses paramètres technologiques. La résistance du

canal est à géométrie variable :
L
RDS = " n avec : e = H " 2W (VGS ) = H " 2k V# "VGS
Z.e

L "n L 1
RDS = " n soit : RDS =
! [
Z H #!
2k V$ #VGS ] ZH % 2k (
'&1# H V$ #VGS *)
H
L’équation (5) permet d’exprimer : = V" #VP
2k
! Dans ces conditions :
!
L 1
! RDS = " n (6)
ZH V$ #VGS
1#
V$ #VP

7
10
R DS !
! 10
6

5
10

4
10

1000

100
5 4 3 2 1 0
VGS (V)

Evolution de la résistance du canal en fonction de la tension VGS

4
 2° PARTIE : ETUDE DE LA REGION DE COUDE

1. Equation différentielle du premier ordre reliant ID, V(x) et dx.

dx
dR = " n S(x) = [ H " 2W (x)] Z W (x) = k V" #VGS +V (x)
S(x)
dV (x) = I D dR

! I D"n ! dx
! dV (x) = (7)
! [
Z H # 2k V$ #VGS +V (x) ]

2. Résolution de l’équation différentielle.

!
Z
I D dx =
"n
[
H # 2k V$ #VGS +V (x) dV (x) ]
Z & DS )
L V VDS 1
I D " dx = ' H " dV (x) $ 2k " [V% $VGS +V (x)] 2 dV (x)*
0 #n ( 0 0 +
!
Z # 4 3
4 3&
ID = $ HVDS ! k [V" !VGS +VDS ] 2 + k [V" !VGS ] 2 ' (8)
! !n L % 3 3 (

3. Tension particulière VDS appelée VDsat qui conduit au maximum du courant de drain ID et ceci
pour une tension VGS maintenue constante.

# "I & ZH , 2k 1/
a. % D ( = -1* [V+ *VGS +VDS ] 2 0
$"VDS 'VGS const. ) n L . H 1
2k 1
b. La dérivée partielle précédente s’annule lorsque : = [V" #VGS +VDSsat ] 2 .
H
$ H2 '
! On en déduit alors : VDSsat = & 2 "V# ) +VGS
% 4k (
Compte tenu de la relation (5), il vient : !

VDSsat = VGS !VP

!
c. Pour une tension VGS nulle, on obtient : VDSsat = -VP = 4,123V.
Calculons la valeur correspondante du courant maximum de drain IDSS :

ZH % 4 k 3
4 k 3(
k 1
I DSS = &#VP # [V$ #VP ] 2 + [V$ ] 2 ) sachant que : =
"n L ' 3H 3H * H 2 [V" #VP ]
Il vient :
% 3 )
ZH ' 2 2 [V$ ] 2 '
! I DSS = &#VP # [V$ #VP ] + *
"n L ' 3 3 V$ #V !P '
( +

Application numérique : IDSS = 11 mA.

!
5
4. La tension VDS est supposée faible.

a. Expression du courant de drain :

+ 3 /
3% (
ZH - 4 VDS
2 4 3-
ID = ,VDS # k [V$ #VGS ] 2 '1+ * + k [V$ #VGS ] 2 0
"n L - 3H & V$ #VGS ) 3H -1
.

b. En utilisant l’approximation, on obtient après simplifications :

!
ZH % V #V (
ID = '1# $ GS *
"n L & V$ #VP )

VDS
Soit compte tenu de la relation (6) : ID =
! RDS

On retrouve donc la zone « ohmique » du transistor JFET comme indiqué ci-dessous.

ID (mA) VGS (V)

12

11 0V IDSS

10

9
- 0,5 V
8

7
- 1V
6

5
- 1,5 V
4

3 - 2V

2
- 2,5 V
1 - 3V
0 VDS (V)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

Zone Ohmique V DS de saturation en fonction de V GS