TD : Transistor JFET –MOSFET

Exercice 1 Etude d’un JFET canal N

Le schéma d’un JFET canal N est représenté sur la figure suivante :

On donne les valeurs suivantes :

2a=5µm ; L =10µm ; Z =100µm ; ni= 1010 cm-3 ; =10-12F/cm

Région P+ : NA=1018 cm-3 ; =10-6 s ; Région N : ND=1015 cm-3 ; µn=1000cm2/V.s
1) Calculer la conductance G0 du canal pour w(x) =0, quelque soit x
2) Déterminer la valeur de la tension de pincement
3) Dans le cas où VDS est très faible (VGSVGD), déterminer la conductance du
canal pour VGS=0 ; -1 ; -2 ; -3 ; -4V
4) Calculer la valeur de VDsat correspondant aux valeurs précédentes de VGS
5) Calculer la valeur de IDsat correspondant aux valeurs précédentes de VGS
6) Déterminer ID=f(VDS) pour VGS=0 ; et VGS=-1 ;
7) Donner un ordre de grandeur de CGS et CGD pour VGS =-1V et VDS très faible
8) Sachant que le courant de fuite est principalement un courant de génération
dans la zone de transition, calculer le courant de fuite de la grille et
impédance d’entrée du JFET à très basses fréquences pour une tension
VGS=-1V. donner le schéma équivalent du JFET en régime dynamique.

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Exercice 2 MOSFET canal N
Un transistor à effet de champ à enrichissement NMOS est constitué d’un
substrat P de densité NA=1015cm-3 ; d’un isolant d’oxyde de silicium d’épaisseur
50nm et d’une grille d’aluminium. Déterminer à température ambiante :
1) La capacité de l’oxyde
2) la valeur de la tension de seuil VT.
3) la valeur de VDsat pour une tension de commande VGS=5V
4) la valeur de IDsat pour une tension de commande VGS=5V
5) on mesure la résistance entre le drain et la source d'un MOSFET pour des
faibles tensions VDS (région Ohmique) on trouve : 1K pour VGS1 = 2V et
500 pour VGS2 = 5V. Calculer la tension d'inversion VT de ce transistor
on donne :
Travail de sortie de l'aluminium :qfm = 4.3 eV;
Hauteur de la BI de Si : Ec - Ev = 1.12 eV.
Affinité électronique de Si : q c s = 4.05eV.;
Longueur du canal L=2µm ; b=100µm
L’épaisseur de l’oxyde Wox=50nm ; ox = 0,33.10-12 F/cm
La mobilité de ê µn=1000cm2/Vs

G
+ + ++++ + + + + + + + + + + + + + + + + +

wox SiO2 b
N+ N+
S D

0 x x+dx x
L

2
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