6- Contact métal semi-conducteur – diode Schottky

Diode Schottky
Une diode Schottky " doit son nom à Walter H. Schottky (1886-
1976)" est une diode qui a un seuil de tension directe très bas et un
temps de commutation très rapide. Ceci permet la détection des
signaux HF (haut fréquence)

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 On l'emploie aussi bien pour ses propriétés de redressement (diodes Schottky)
que pour réaliser des contacts ohmiques de bonne qualité.

1) Travail de sortie d'un métal et affinité électronique d'un Semiconducteur

Le travail de sortie d'un électron dans un métal représente l'énergie qu'il faut
apporter à un électron du métal pour l'extraire de ce métal. On le représente par la
différence entre le niveau de Fermi du métal et le niveau d'énergie du vide.
De la même façon un Semi-conducteur est caractérisé par son affinité
électronique qui représente l'énergie qu'il faut fournir à un électron de la bande de
conduction pour l'extraire du SC
Lorsque l'on réalise un contact avec les deux matériaux tels que représentés à la
figure 7.1, les électrons auront tendance à se déplacer du côté où le travail de
sortie est faible vers le côté où il est le plus grand. Les électrons auront tendance,
dans notre cas, à se déplacer du SC vers le métal, créant ainsi une charge
d'espace dans les deux matériaux. La charge d'espace s'étend quasiment
uniquement du côté N du fait des fortes différences de concentration en électrons
entre le métal et le Semi-conducteur. A l'équilibre thermodynamique on a une
barrière de potentiel qui se crée pour s'opposer à la diffusion des électrons du SC
vers le métal à l'équilibre.

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physique des dispositifs à semiconducteurs L. Laânab lundi 29 avril 2024
Les caractéristiques I(V) d'un contact métal semi-conducteur dépendent
essentiellement du niveau de dopage du semi-conducteur. Suivant ce
niveau de dopage on aura affaire à une diode Schottky ou à un contact
ohmique.

Fig. 7.1

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 Fig. 7.2

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2) diode Schottky (dopage SC< 1017 cm-3)
a) Polarisation en direct
Comme pour une jonction PN, la polarisation directe impose une élévation de la bande de
conduction du semiconducteur, donc une diminution de la barrière de potentiel. Alors les
électrons diffusent de du SC vers le métal et le courant s’établie.

Fig. 7.3

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Pour un matériau normalement dopé le courant à travers la jonction est
principalement due à l’effet thermo-ionique : c’est le passage des électrons
"chauds" c'est-à-dire des ê ayant une énergie au dessus de la barrière de
potentiel. On montre que :
qV - q B
J  J s (exp  1) avec J s  A* .T 2 .exp
kt kt

 où A* est la constante de Richardson : A* =120 AK-2cm-2

 B est la hauteur de la barrière de potentiel à l'équilibre (analogue à la barrière de
potentiel rencontrée dans la jonction PN). Cette caractéristique est analogue à
celle d'une diode; cependant le seuil d'une telle diode est plus faible que pour
une jonction PN, de l'ordre de 0,3 à 0,5Volt.
b) Polarisation en inverse
 On obtient le diagramme de la figure 6.4. Aucun flux n'est possible dans le sens
SC  métal. Il ne subsiste qu'un flux du métal  SC qui constitue le courant de
fuite de la jonction. J=-Js.
 Js pour une diode Schottky est beaucoup plus grand que pour une jonction PN:
 Exemple : Jonction PN : NA=1018 cm-3, ND=1015 cm-3 , LpN=27µm,T=300°K,
Js=4,410-11 A.cm-2
 Jonction métal-SC : B=0,6V à 300°K on trouve Js=4,410-4 A.cm-2
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 métal Semiconducteur N

fB
EFm

q.V q(Vs -
V)
EC
EFs
EV
Fig. 7.4

L'épaisseur de la ZCE s'écrit W  x  2εscε 0 (  V)

n B
qN d

sc  . 0 qN dε sc ε 0
la capacité de jonction CZCE  W 
2(B  V)

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 c) comportement en transitoire
 La différence principale entre une diode Schottky et une jonction normale est que
dans la jonction normale le courant passe à travers une injection de minoritaires,
alors que dans une diode Schottky se sont uniquement les majoritaires qui sont
mis en jeu. Il n'y a pas donc de charge stockée. Il en résulte un excellent
comportement en fréquence (jusqu'à 1000GHZ).

3) Contact ohmique
 Tout échantillon ou structure semi-conductrice est inévitablement reliée à des
lignes métalliques de transport du courant. Il est indispensable que les contacts
entre les lignes de transport et le semiconducteur laissent passer le courant dans
les deux sens et présentent des résistances les plus faibles possible.
 La résistance d'un contact est définie par : R = Rc/S ()
 Rc : la résistance spécifique du contact (.cm2 ); S = surface du contact

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Si le dopage de la région N devient important le
mécanisme de conduction du courant à travers la
jonction est un mécanisme d'effet tunnel à travers la
barrière de potentiel à l'interface des deux matériaux.

En pratique, on diminue la résistance du contact en

surdopant superficiellement la région où l'on veut
réaliser le contact : on réalise une couche tampon
dégénérée (de 1019 à 1020 cm-3).
La ZCE de la barrière ainsi formée entre la couche
tampon et le métal du contact est tellement fine que
les porteurs peuvent la traverser par effet tunnel. On
peut ainsi obtenir des résistances spécifiques de
quelques m.cm2.

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 Contact ohmique
J Schottky J

PN PN

V V

Dopage SC< 1017 cm-3 Dopage SC> 1018 cm-3

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