Techniques de caractérisation des dispositifs S/C Chapitre III : Le contact métal/semiconducteur

Le contact métal/semiconducteur

Diode Schottky
Nous allons étudier dans ce chapitre le contact métal-semiconducteur qui est très
utilisé dans tous les dispositifs microélectroniques. Suivant la nature du métal et du
semiconducteur, ce contact peut aboutir soit à un contact dit ohmique, autrement dit dont
la résistance est négligeable par rapport à celles des couches mises en jeu, soit à un contact
redresseur.

I. Constitution
Le contact métal-semiconducteur fut l'un des tous premiers composants
électroniques utilisé dès 1904. Cependant ce n'est qu'en 1938 que Schottky donna une
interprétation des effets de redressement d'un tel contact. Le contact métal semi-
conducteur constitue encore l'un des dispositifs de base de l'électronique moderne. On
l'emploie aussi bien pour ses propriétés de redressement (diodes Schottky) que pour réaliser
des contacts ohmiques de bonne qualité.
La structure de base est un contact direct entre un métal et un semiconducteur, peu dopé,
tel que représente la figure ci-dessous :

Pour comprendre le fonctionnement d'une telle jonction il nous faut définir la notion de
travail de sortie d'un métal et la notion d'affinité électronique d'un Semi-conducteur.

1. Travail de sortie et affinité électronique

Le travail de sortie d'un électron dans un métal représente l'énergie qu'il faut apporter à un
électron du métal pour l'extraire de ce métal. On le représente par la différence entre le
niveau de Fermi du métal et le niveau d'énergie du vide. Ce travail de sortie est Φm.

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De la même façon un Semi-conducteur est caractérisé par son affinité électronique χ qui
représente l'énergie qu'il faut fournir à un électron de la bande de conduction pour l'extraire
du SC. De la même façon le travail de sortie est Φs.

2. Travail de sortie et affinité électroniques de quelques matériaux :

Lorsque l'on réalise un contact avec les deux matériaux tels que représentés à la figure ci -
dessus, les électrons auront tendance à se déplacer du côté où le travail de sortie est faible
vers le côté où il est le plus grand. Les électrons auront tendance, dans notre cas, à se
déplacer du SC vers le métal, créant ainsi une charge d'espace dans les deux matériaux.

II. Diagramme des bandes d’énergie

Pour comprendre le diagramme d’énergie des jonctions métal semiconducteur, il faut
tout d’abord tracer le diagramme des deux matériaux indépendamment.

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1. Jonction métal-SC : avant contact

Barrière de potentiel : ΦB = qΦm - qχ
Structure des bandes au voisinage de

l’interface dépend de la différence entre

Φm et ΦSC

1.
2.
3.

2. Mise en contact métal-SC :

a. Cas Φm = ΦSC à l’équilibre
 Alignement des niveaux de Fermi ;
 Diagramme des bandes identique si SC dopé N ou P ;
 Mise en contact sans échange d’électrons entre SC et Métal.

b. Cas Φm > ΦSC à l’équilibre

 Alignement des niveaux de Fermi  courbure des bandes à l’interface vers le haut ;
 Diagramme des bandes différent selon dopage du SC ;
 Mise en contact avec passage d’électrons du SC vers Métal  accumulation, à
l’interface, d’électrons dans le Métal.

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i. SC type N :
 Apparition d’1 zone de déplétion au voisinage de la jonction : les e- qui ont
atteint le métal laissent une charge > 0 (Nd-) dans cette zone
 Dans cette ZD : champ électrique et potentiel de diffusion VD à l’équilibre ;
Sachant que VD = qΦm - qΦSC
VD correspond au potentiel interne à l’équilibre thermodynamique ou encore
«built-in potential» en anglais puisqu’il est créé par fabrication. C’est cette
barrière de potentiel que doivent vaincre les électrons de la bande de
conduction du semiconducteur pour passer dans le métal. Ce potentiel V D est
compté positivement dans le sens métal-semiconducteur.
 NM >> NDSC  Charge d’espace relativement étalée à l’intérieur du SC 
courbure des bandes.

ii. SC type P
 Apparition d’1 ZCE au voisinage de la jonction : diffusion des électrons vers le Métal
 Accumulation de trous libres à l’interface dans le SC  charge d’espace > 0 à
l’interface dans le SC
 Dans cette ZCE : champ électrique et potentiel de diffusion VD à l’équilibre
 Charge d’espace relativement étalée à l’intérieur du SC  courbure des bandes

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c. Cas Φm < ΦSC à l’équilibre

 Alignement des niveaux de Fermi  courbure des bandes à l’interface
vers le bas ;
 Diagramme des bandes différent selon dopage du SC ;
 Mise en contact avec passage d’électrons du métal vers SC  déficit
d’électrons dans le métal, à l’interface.
i. SC type N :
Apparition d’1 ZCE au voisinage de la jonction : les électrons qui ont quitté le métal s’accumulent
dans cette zone
 Dans cette ZCE : champ électrique et potentiel de diffusion VD à l’équilibre
 Charge d’espace relativement peu étalée à l’intérieur du SC  courbure des
bandes.

ii. SC type P :
 Apparition d’une ZD (zone de déplétion) au voisinage de la jonction : recombinaison
des électrons venant du Métal avec les trous ;
 Déplétion de trous libres à l’interface dans le SC  charge d’espace < 0 (Na-) à
l’interface dans le SC ;
 Dans cette ZCE : champ électrique et potentiel de diffusion V D à l’équilibre ;
 Charge d’espace relativement étalée à l’intérieur du SC  courbure des bandes

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3. Jonction métal/semiconducteur
a. Contact ohmique

Il y a accumulation d’électrons (trous) à l’interface et le semiconducteur se comporte alors

comme un matériau très dopé. L’absence de barrière de potentiel et de zone désertée ne
limite pas le transport au contact et nous avons dans ce cas un contact électrique qui peut
être considéré «ohmique». Ceci signifie que la conduction est limitée par le volume du
semiconducteur et non pas par le contact.

b. Contact Schottky
Au voisinage de la jonction, le niveau de Fermi s’éloigne de Ec et se rapproche de Ev
dans le cas d’un SC type P, (le niveau de Fermi s’éloigne de Ev et se rapproche de Ec (SC type
N)). Il y a donc appauvrissement du semiconducteur de type N (type P) dans la zone de
contact et création d’une zone de charge d’espace de largeur W. Cette charge positive est
compensée à la surface du métal par une charge négative, donc très près de la jonction
métallurgique. Il est clair que, d’une part la désertion du semiconducteur, et d’autre part la
création d’une barrière d’énergie vont limiter la conduction à travers la structure. Un effet
diode peut être attendu «Diode Schottky».

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4. Champ et potentiel électrique dans la ZCE

Equation de Poisson

Dans le cas d’une polarisation de la structure, en appliquant une tension V sur le métal par
rapport au semiconducteur. Si la tension appliquée, V, est positive, cela revient à diminuer le
champ interne et donc à diminuer la différence de potentiel totale. La formule précédente
devient simplement : Vbio = VD

5. Capacité dans la zone de charge d’espace

Nous définissons la capacité équivalente par unité de surface du semiconducteur par :

De la formule précédente nous pouvons déduire :

A partir de cette expression, nous pouvons extraire la variation de l’inverse du carré de la

capacité en fonction de la tension appliquée, V :

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Cette formule est importante car elle montre qu’en traçant l’inverse du carré de la capacité
en fonction de la tension, (qu’il est possible de faire varier), la variation de la pente de la
courbe est directement proportionnelle au dopage :

Dans le cas d’une concentration variable de dopage, ce qui est très souvent le cas, il est
possible de tracer l’inverse de la variation de cette pente :

6. Courant à travers la diode Schottky à l’équilibre

Pour un matériau normalement dopé le courant à travers la jonction est du à un effet
thermoïonique et il est donné par:

où A* est la constante de Richardson :

et ΦBn est la hauteur de la barrière de potentiel à l'équilibre (analogue à la barrière de

potentiel Φ rencontrée dans la jonction PN). Cette caractéristique est analogue à celle d'une
diode; cependant le seuil d'une telle diode est plus faible que pour une jonction PN, de

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l'ordre de 0,3 à 0,5Volt. De plus du fait qu'il n'existe pas de charge stockée dans la diode les
temps de commutation sont très inférieurs à ceux d'une jonction PN, ce type de diode est
donc utilisé en Hautes Fréquences comme dispositif de commutation rapide.

7. Courant à travers le contact ohmique

Si le dopage de la région N devient important, le mécanisme de conduction du courant à
travers la jonction est un mécanisme d'effet tunnel à travers la barrière de potentiel à
l'interface des deux matériaux. Dans ces conditions le courant à travers la jonction est
approximativement donné par:

où mn est la masse effective des électrons (mn = 0,19.mo pour le Si), ħ est la constante de
Planck réduite (1,05458 10-34 J.s), εs est la permittivité diélectrique du semi-conducteur (εr =
11,9 pour Si) et ND est le dopage de la zone N.
Compte tenu de l'expression du courant précédente, on obtient la résistance du contact à
V=0, en dérivant l'expression précédente et on obtient:

avec des dopages de l'ordre de 1019 cm-3 on peut obtenir des résistances de quelques
mΩ.cm2.

8. Intérêt : diode Schottky ou contact ohmique

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 Jonction Schottky :
 Dopage du semiconducteur < 1017 cm-3
 Structure du type « rectifiant »
 Comparaison avec une jonction PN

 Contact ohmique
 Dopage du semiconducteur > 1018 cm-3
 Caractéristique linéaire
 Résistance de contact

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