coursPHC 2008

IFIPS Cycle ingénieur 1ère année
Département Electronique
Département Matériaux
Physique des composants
2007/2008
Avant-Propos :
Ce cours de physique des composants est une introduction à ce domaine de la physique des
composants à base de semiconducteurs. De nombreux livres sont disponibles en bibliothèques
pour le compléter.
C.Pasquier
Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 3

Propriétés des semiconducteurs
L’objet de ce chapitre est de présenter les matériaux semiconducteurs, leurs propriétés

électroniques ainsi que les bases nécessaires pour aborder l’étude des propriétés physiques des
différents composants électroniques que les ingénieurs et chercheurs du monde entier ont
réalisés.
I Les matériaux semiconducteurs :

1) Propriétés générales des matériaux :
La figure 1, ci-dessous, représente une partie de la classification périodique des

éléments (table de Mendeleev). L’arrangement de cette table n’est pas un hasard : de gauche à
droite, les propriétés des matériaux évoluent et on passe des meilleurs métaux aux pires
isolants.
IIIA IVA VA VIA VIIA He
B C N O F Ne
IB IIB Al Si P S Cl Ar
Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
Figure 1 : classification périodique des éléments.
Les propriétés des différents matériaux peuvent être précisées ci-dessous, en fonction de leur
numéro de colonne :
Colonnes IB à IIIA: métaux de transition tels que Cuivre, Aluminium, Or,
Colonne IVA : semiconducteurs , en réalité, le carbone diamant est un isolant , le
Silicium et le Germanium sont des semiconducteurs. Mais, l’étain (Sn) et le Plomb sont des
métaux, supraconducteurs à basse température.
Colonnes VA et VIA : les chalcogénures (colonne VI)
Colonne VIIA : les halogènes : ceux sont des gaz, ils sont donc isolants
Colonne VIIIA : les gaz rares
Une remarque importante est que de manière générale, en passant d’une ligne à la
suivante de la table, l’atome devenant de plus en plus gros, les électrons périphériques sont de
moins en moins liés à l’atome et peuvent plus facilement se délocaliser, favorisant des
comportements métalliques (cf colonne IV). La frontière entre matériaux à caractère plutôt
métallique et matériaux à caractère plutôt isolant est matérialisée sur la figure 1 par un trait
épais. Les matériaux semiconducteurs se retrouvent ainsi à la frontière de cette ligne.
2) Les matériaux semiconducteurs :
Les matériaux semiconducteurs sont constitués par :

-) des éléments de la colonne IV : Si, Ge ou des alliages binaires voire ternaires de C,
Si et Ge

-) des « semiconducteurs III-V » : ils sont obtenus en assemblant des éléments de la

colonne III avec des éléments de la colonne V. Ils peuvent être binaires (GaAs,InP,…),
ternaires (GaxAl1-xAs…) voire quaternaires (InxGa1-xAsyP1-y).
-) des « semiconducteurs II-VI » : ils sont obtenus en assemblant des atomes des
colonnes II et VI (CdTe,…).
Dans une application industrielle, le choix du semiconducteur est dicté par l’utilisation
souhaitée. Ainsi les semiconducteurs III-V et II-VI sont utilisés essentiellement pour les
applications optoélectroniques. La modification précise des concentrations relatives x et y
introduites précédemment permettent d’ajuster finement les propriétés de chacune des
couches semiconductrices constituant le composant optoélectronique.
2) Structure cristalline des semiconducteurs :
Les semiconducteurs précédemment cités cristallisent tous selon la structure blende

1
(III-V ) ou diamant (IV). Pour les II-VI, on trouve d’autres structures non discutées ici.
La structure diamant du silicium est constituée de deux réseaux cubiques à faces
centrées (cfc) décalées d’un quart de grande diagonale. C’est la seule structure compatible
avec une hybridation sp3 du carbone (d’où le nom de structure diamant)( cf figure 2). Pour le
silicium, le paramètre de maille est de 0,543nm.
Figure 2 : structure diamant du silicium
Pour l’arséniure de Gallium, la structure est cfc avec 2 sous-réseaux cfc de As et Ga,
l’un étant décalé par rapport à l’autre d’un quart de grande diagonale. C’est la structure blende
(structure de ZnS qui est d’ailleurs un semiconducteur II-VI)(figure 3).
Figure 3 : structure blende
1
Pour simplifier, par abus de langage, on remplace semiconducteur III-V par III-V, idem pour les autres cas

3) Structure de bandes des semiconducteurs :
Un atome est caractérisé par des niveaux d’énergie discrets, pour un cristal périodique
constitué de 1023 atomes/cm3, ces niveaux d’énergie se transforment en bandes d’énergie qui
ont une certaine largeur. Ces bandes sont séparées par des régions sans états accessibles
appelées bandes interdites. Dans un matériau quelconque, les électrons remplissent des bandes
d’énergie. Si la dernière bande occupée est pleine, on parle de semiconducteur ou d’isolant, si
elle est partiellement remplie, on a affaire à un métal.
On se limite au cas du semiconducteur (ou de l’isolant). La dernière bande remplie est
appelée bande de valence (BV). Son sommet est noté, par convention, Ev. La première bande
inoccupée est appelée bande de conduction (BC), son minimum est noté Ec. La région
intermédiaire sans états disponibles entre la bande de valence et la bande de conduction est la
bande interdite, sa largeur est appelée gap et notée Eg. Ce gap correspond à l’énergie qu’il faut
fournir à un électron pour passer de la bande de valence à la bande de conduction. La figure 4
ci-dessous représente la structure de bandes pour 4 semiconducteurs. La région hachurée
correspond à la bande interdite.
Figure 4 : structure de bandes (a) du Silicium, (b) du Germanium, (c) de l’Arséniure de Gallium, (d) de GaP. Le
point Γ est le centre de la zone de Brillouin (k=0), le point X correspond à la limite de la zone de Brillouin au
point 2π/a.(100), le point L correspond à la limite de la zone de Brillouin au point 2π/a.(111)2
2
Dans la zone de Brillouin, à cause de la symétrie cubique, il y a 6 points X équivalents et 8 points L
équivalents.

En observant, les structures de bandes de la figure 4, on peut remarquer que :

a) le maximum de la bande de valence se situe toujours au centre de la zone de
Brillouin (point Γ).
b) le minimum de la bande de conduction peut se trouver ou non au centre de la zone
de Brillouin (point Γ). Lorsque le minimum de la bande de conduction se situe au
point Γ, on parle de semiconducteur à gap direct3 (GaAs et la plupart des III-V et
II-VI). Sinon, le semiconducteur est dit à gap indirect (Si, Ge, GaP,…)
c) Au point Γ, il y a en réalité convergence de deux bandes de valence qui sont
dégénérées au sommet.
II Masses effectives des porteurs :
1) Masse effective des électrons-Approximation parabolique :
Au voisinage du minimum de la bande de conduction, on peut effectuer un

développement limité de la structure de bandes et écrire :
r r
r h 2 (k − k 0 ) 2
E c (k ) = E c + (1)
2 me
r r
au voisinage du minimum situé au vecteur d’onde k 0 4, k est le vecteur d’onde de l’électron :
c’est l’approximation parabolique. Dans la suite du cours, on se placera toujours dans cette
approximation5. La quantité me est appelée masse effective des électrons6. La masse effective
mesure la courbure des bandes d’énergie au voisinage de leurs extrema :
h2
me = 2 (2)
∂ E / ∂k 2
2) Notion de trou :
A température nulle, tous les électrons sont dans la bande de valence. Il y a alors N
électrons dans la bande de valence. La bande de conduction est vide. A la température
ambiante, température de fonctionnement des composants électroniques, quelques électrons
3
Cette particularité est fondamentale dans les composants optoélectroniques
4
Pour le silicium, il y a 6 vecteurs d’onde qui correspondent à la même énergie Ec. Ils ont pour coordonnées
(±k0,0,0), (0,±k0,0), (0,0,±k0) avec k0=0.85*2π/a. On parle alors d’un semiconducteur multivallée (pour Si, il y a
6 vallées). Pour les semiconducteurs à gap direct, il n’y a qu’un seul minimum situé en Γ, on a un
semiconducteur univallée. La formule (1) est en réalité plus complexe pour un semiconducteur multivallée car la
courbure des bandes d’énergie va dépendre de la direction du vecteur d’onde. Néanmoins, dans ce cas, on pourra
toujours se ramener à ce type de formule faisant apparaître une seule masse effective.
5
Justification de cette approximation : sur l’axe des ordonnées de la figure 4, sont indiqués les échelles
d’énergie. on remarque que les échelles d’énergie mises en jeu sont de l’ordre de l’électron-volt voire plus.
Comme on se situera toujours à la température ambiante, ce qui correspond à une énergie de 25meV, seuls les
électrons aux voisinage des extrema des bandes d’énergie pourront voir leur énergie modifiée. On peut donc
effectuer un développement limité de l’énergie au voisinage de ces points et se contenter du développement au
plus bas ordre.
6
Pourquoi parle-t-on de masse effective et non de masse tout simplement ? Un électron est toujours caractérisé
par sa charge -q et sa masse m0. Néanmoins, cet électron se déplace dans un cristal et est donc soumis au
potentiel créé par les ions du cristal dit potentiel cristallin. On dit parfois que l’électron est « quasi-libre ». Ainsi
dans les équations de la dynamique, il faudrait rajouter la force dérivant de ce potentiel cristallin aux forces
habituelles (champ électrique,…). Pour éviter ces complications, au lieu de considérer l’électron de masse m0
soumis au potentiel cristallin, on considère une « quasi-particule » que l’on continue à appeler électron, par abus
de langage, qui a toujours une charge -q, mais qui a une masse effective me≠m0. Son mouvement est alors
identique à celui d’un électron libre.

(en nombre n) sont dans la bande de conduction, ils ont laissé des états d’énergie de la bande
de valence inoccupés.
En notant p, le nombre d’états ainsi libres dans la bande de valence (p=n dans le cas
d’un semiconducteur non dopé), il reste donc N-p électrons dans la bande de valence.
A chaque fois qu’un électron de la bande de valence se déplace, soumis à un champ
électrique, il se déplace dans une direction donnée (vers la droite par exemple, cf figure 5). Il
laisse derrière lui une place libre que l’on appelle trou. Au lieu de considérer que l’électron se
déplace vers la droite, on peut considérer que le trou se déplace vers la gauche. Ce trou peut
donc être considéré comme un objet chargé qui a une charge opposée à celle de l’électron et
qui a la même masse que celle de l’électron. Ainsi, au lieu de considérer les N-p électrons de
la bande de valence, il sera beaucoup plus aisé de considérer les p trous ainsi formés au
sommet de la bande de valence. Ainsi, un trou est une « quasi-particule » de charge +q (pour
l’électron, c’est –q) et qui possèdera aussi une masse effective mv différente de celle de
l’électron libre.
Déplacement du trou
Déplacement de l’électron
+q
-q
r r
E E
Figure 5 : schématisation de la notion de trou.
Dans la bande de valence, il y a une petite difficulté supplémentaire. Il y a en fait deux

bandes de valence dégénérées au point Γ. Ces deux bandes ont chacune leurs masses
effectives. On parle de bande de trous lourds pour les trous de masse effective mhh (hh=heavy
hole) et de bande de trous légers pour ceux de masse effective mlh (lh=light hole). La
définition précédente impose évidemment mhh > mlh , c’est à dire que la bande d’énergie des
trous légers est plus « courbée » que celle des trous lourds.
 h2k 2
E
 hh ( k ) = E v + , pour les trous lourds Γ k
 2mhh
 2 2
(3)
Trous lourds
 E (k ) = E + h k , pour les trous légers
(hh)
 lh v
2mlh Trous légers
(lh)
On peut remarquer qu’on note les énergies positives
« vers le bas » pour les trous.
E
On peut également simplifier les relations (3) en une seule :
r h2k 2
E v (k ) = Ev + (4)
2m h
en définissant une masse effective des trous, mh : mh = mhh
3/ 2
(
+ mlh3 / 2 )2/3
.
3) Valeurs pour certains semiconducteurs :
Voici quelques exemples de semiconducteurs avec la valeur du gap et des masses

effectives associés :

Matériau Si GaAs GaP InP ZnS InSb

type IV III-V III-V III-V II-VI III-V
gap indirect direct indirect direct direct direct
gap(eV) 1,12 1,43 2,25 1,27 3,58 0,17
longueur d’onde 0,87 visible 0,97 0,35 7,3
associée (µm)7 (infrarouge) (infrarouge) (ultraviolet) (IR lointain)
me/m0 1,06 0,066 0,78 0,073 0,28 0,012

mhh/m0 0,53 0,62 0,79 0,85 1,76 0,47
mlh/m0 0,16 0,074 0,14 0,089 0,23 0,015
mh/m0 0,59 0,64 0,83 0,87 1,81 0,47
Ce tableau montre que les masses effectives peuvent être très faibles par rapport à la
masse d’un électron libre m0. Le fait que la masse effective des semiconducteurs à gap direct
soit très faible par rapport à celle du silicium est d’ailleurs très utile pour les applications en
électronique rapide.
III Peuplement des bandes d’énergie :

1) Statistique de Fermi-Dirac :
Les électrons sont des particules qui obéissent à une statistique d’exclusion d’après le
principe de Pauli, c’est la statistique de Fermi-Dirac . Ceci a pour conséquence qu’on ne peut
occuper un état que par un seul électron8. Le remplissage des bandes s’effectuant à partir des
plus basses énergies, on peut définir un niveau dit niveau de Fermi et noté EF, tel que à
température nulle, pour E<EF, l’état ait une probabilité de 1 d’être occupé et pour E>EF, cette
probabilité est nulle9 :
A température finie, la probabilité d’occupation d’un état par un électron est donnée
par :
1
f n , FD ( E ) = (5)
 E − EF 
1 + exp 
 k BT 
où kB est la constante de Boltzmann. Cette fonction a l’allure suivante (figure 6) :
1 .0
0 .9
0 .8
0 .7
0 .6
4 kB T
(E)
0 .5
n,FD
0 .4
f
0 .3
T = 3 00 K
0 .2
0 .1
T=0 K
0 .0
- 0 .2 - 0 .1 0 .0 0 .1 0 .2
( E - E F ) [e V ]
Figure 6 : statistique de Fermi-Dirac.
7
On ne donne les valeurs que pour les semiconducteurs à gap direct utilisés notamment en optoélectronique.
8
On oublie le spin de l’électron
9
ceci implique que, pour un semiconducteur, le niveau de Fermi se situe dans la bande interdite. Nous
montrerons au IV que pour un semiconducteur non dopé, celui-ci se trouve à peu près au milieu de la bande
interdite.

Cette fonction est caractérisée par une variation notable sur une échelle d’énergie
caractéristique, autour de EF, d’environ 4kBT qui vaut donc 0,1eV à 300K.
On peut également calculer la probabilité qu’un état d’énergie E soit occupé par un
trou :
 E − EF 
exp 
 B k T  = 1
f p , FD ( E ) = 1 − f n, FD ( E ) = (6)
 E − EF   EF − E 
1 + exp  1 + exp 
 B k T   B k T 
2) Statistique de Boltzmann :
Lorsque E est très éloigné de EF (régions entourées en pointillés sur la figure 6), les
fonctions fn,FD(E) et fp,FD(E) peuvent être approximées par une fonction de Boltzmann :
  EF − E 
 E >> E F , f n , FD ( E ) ≈ f n, B ( E ) = exp  << 1
  k BT 
 (7)
 E << E , f  E − EF 
p , FD ( E ) ≈ f p , B ( E ) = exp
  << 1
 F
  k BT 
Ces approximations ne sont valables que pour des énergies E éloignées de EF
typiquement de plus d’environ 4kBT.
3) Densité d’états dans une bande d’énergie :
Connaissant, la probabilité d’occupation d’un état, on va pouvoir décompter le nombre

de particules dans les bandes de conduction ou de valence. Pour cela, il faut connaître la
densité d’états, n(E ) , c’est à dire le nombre d’états électroniques ayant une énergie entre E et
E+dE. Dans la bande interdite, cette valeur est nulle.
Nous admettrons le résultat suivant pour un matériau tridimensionnel possédant un
minimum d’énergie pour E=E0 (pour un maximum d’énergie en E0, il suffit de remplacer E-E0
par E0-E) :
3/ 2
1  2meffective 
n( E ) =   E − E0 (8)
2π 2  h 2 
où E0 est l’énergie de l’extremum de la bande que l’on considère. Cette formule s’applique
évidemment pour les trous. On notera p(E) la densité d’états ainsi obtenue.
4) Concentration d’électrons dans la bande de conduction :
La concentration d’électrons libres dans la bande de conduction est donc la somme des
probabilités d’occupation pour chaque état de la bande de conduction10 :
+∞
n = ∫ n( E ) f n, FD ( E ) dE (9)
Ec
Lorsque Ec-EF>4kBT, ce qui est le cas en pratique,, on peut remplacer fn,FD(E) par
fn,B(E). Le résultat de l’intégration donne alors le résultat fondamental suivant :
10
On utilise +∞ comme limite supérieure pour simplifier. En réalité, il faudrait écrire Ecmax qui est l’énergie du
haut de la bande de conduction et additionner les contributions de toutes les bandes d’énergie supérieures. Mais
cela ne change rien aux températures où on se place.

Ec − E F
−
n = Nce k BT
(10)
 2πme k B T 
3/ 2
où N c = 2  est la densité d’états effective de la bande de conduction.

 h2 
5) Concentration de trous dans la bande de valence :
De la même manière, on peut calculer la concentration de trous dans la bande de

valence :
Ev
p = ∫ p( E ) f p , FD ( E ) dE (11)
−∞
En supposant ici que EF-Ev>4kBT, alors :
E F − Ev
−
p = Nve k BT
(12)
 2πmh k B T 
3/ 2
où N v = 2  est la densité d’états effective de la bande de valence.

 h2 
6) Représentation schématique du peuplement des bandes d’énergie :
La figure suivante représente la densité d’états des bandes de valence et de conduction,

ainsi que la répartition en énergie des trous et électrons qui vont participer à la conduction.
L’aire de la région grisée représente la concentration de trous (électrons) dans la bande de
valence (de conduction).
n(E)
p(E)
Bande de Bande de
valence conduction
p n
Ev EF Ec E
Figure 7 : densité d’états et concentration de porteurs dans les bandes de valence et de conduction.
7) Densité intrinsèque de porteurs d’un semiconducteur :
Dans un semiconducteur non dopé, tout électron qui « monte » dans la bande de
conduction laisse un trou dans la bande de valence, il y a donc autant d’électrons que de
trous : n=p. On note ce nombre, ni : c’est la densité intrinsèque de porteurs du semiconducteur
à une température donnée.
De plus, on peut remarquer que le produit np (formules (10) et (12)) est indépendant
de EF et ne dépend que de propriétés intrinsèques au matériau (valeur du gap, masses
effectives) pour un semiconducteur ayant un niveau de Fermi suffisamment loin des extrema
des bandes d’énergies :
Ec − E v Eg
− −
np = n = N c N v e
2
i
k BT
= N c N ve k BT
(13)

Comme nous avons pu le remarquer plus haut, les masses effectives restant le plus
souvent proches de la masse de l’électron libre, Nc et Nv vont peu varier d’un semiconducteur
à l’autre. Par contre Eg peut varier grandement et donc la densité de porteurs intrinsèques
aussi. C’est ce qui différencie fondamentalement un semiconducteur d’un isolant11. Le tableau
suivant donne les valeurs des différents paramètres pour différents semiconducteurs à la
température ambiante : T=300K.
Semiconducteur Si GaAs GaP InP ZnS InSb12

gap (eV) 1,12 1,43 2,25 1,27 3,58 0,17
Nc(*1019cm-3) 2,7 0,04 1,7 0,05 0,4 0,003
Nv(*1019cm-3) 1,1 1,3 1,9 2 6 0,8
ni (cm-3) 1010 3106 1 3,107 <<1 1,6 1016
8) Niveau de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque :
A partir de la relation n=p=ni dans un semiconducteur intrinsèque, on peut en déduire

la position du niveau de Fermi, notée EFi, à partir des relations (10) et (12) :
E + EV k B T  N v 
E F = E Fi = c + ln  (14)
2 2  Nc 
Sachant que Nc et Nv sont du même ordre de grandeur et que kBT est très inférieur à la
bande interdite, en première approximation, le niveau de Fermi se situe au milieu du gap :
E + Ev
E Fi ≈ c (15)
2
Il est parfois utile d’exprimer n et p en fonction de ni et EFi. ceci s’effectue en écrivant
que EF-Ec=EF-EFi+EFi-Ec. On obtient alors, à partir des relations (10) et (12) ; les relations
suivantes très utiles :
E F − E Fi qφ Fi

n = n i e k BT
= ni e k B T
 E − E Fi qφ
(16)
 − F − Fi
 p = ni e = ni e k B T
k BT
où qφ Fi = E F − E Fi . Ces équations se réduisent à n=ni, p=ni pour un semiconducteur

intrinsèque mais qui montrent les résultats suivants :
-) pour EF>EFi, n>ni>p
-) pour EF<EFi, p>ni>n
IV Dopage d’un semiconducteur :

Dans ce paragraphe, on ne considère que le cas du Silicium, mais les résultats sont
évidemment généralisables.
11
Ainsi, on définit la frontière entre un semiconducteur et un isolant de la manière suivante : pour un gap
environ inférieur à 3eV, on parlera plutôt de semiconducteur. Au-delà, on parlera plutôt d’isolant
12
Les formules données précédemment sont difficilement applicables ici car le gap est très petit : on ne peut plus
considérer que EF est suffisamment loin de Ec ou Ev pour utiliser la statistique de Boltzmann.

1) Atomes donneurs :
On introduit dans le réseau du Silicium, des impuretés d’un élément de la colonne V

tel que l’Arsenic par exemple. L’atome d’Arsenic remplace un atome de Silicium et forme des
liaisons avec ses 4 voisins. Il lui reste donc un électron qui ne forme pas de liaison avec ces
voisins. L’énergie de liaison de cet électron étant faible à la température ambiante, cet
électron va être libéré et se rajoutera à ceux existant dans le réseau. On dit que l’Arsenic est
un atome donneur d’électrons. L’électron perdu, l’atome d’Arsenic devient un ion As+ qui
reste immobile (figure 8).
2) Atomes accepteurs :
On introduit dans le réseau du Silicium, des impuretés d’un élément de la colonne III
tel que le Bore par exemple. L’atome de Bore remplace un atome de Silicium et forme des
liaisons avec 3 voisins seulement. Il existe donc une liaison non satisfaite d’un Silicium. Il
reste donc un trou libre. On dit que le Bore est un atome accepteur d’électrons. L’atome de
Bore devient un ion B- qui reste immobile (figure 8).
Si Si Si Si Si Si Si
Si As+ Si Si Si B- Si
Si Si Si Si Si Si Si
électron libre
trou “libre”
Figure 8 : Représentation schématique de l’insertion d’atomes donneurs ou accepteurs dans le réseau du

Silicium.
On peut remarquer que rien n’interdit de doper un semiconducteur avec à la fois des
atomes donneurs et des atomes accepteurs. Sachant qu’un semiconducteur contient toujours
des impuretés naturelles. L’introduction d’atomes donneurs et d’atomes accepteurs permet
d’obtenir un semiconducteur « compensé » qui correspond au cas où il y a autant d’atomes
donneurs que d’atomes accepteurs (situation semblable au semiconducteur intrinsèque).
3) Densités d’électrons et de trous :
Un semiconducteur dopé avec une majorité d’atomes donneurs d’électrons est dit de
type n. Les électrons sont alors dits porteurs majoritaires et les trous, porteurs minoritaires. Un
semiconducteur dopé avec une majorité d’atomes accepteurs est dit de type p. De la même
manière, les porteurs majoritaires sont les trous, les porteurs minoritaires, les électrons.
On considère un semiconducteur contenant une densité ND d’atomes donneurs et une
densité NA d’atomes accepteurs. On note ND+, la densité d’atomes donneurs ionisés, c’est à

dire ayant libéré leur électron supplémentaire13. De la même manière, on note NA-, la densité
d’atomes accepteurs ionisés qui libèrent un trou.
Les relations de base sont : l’équation d’électroneutralité et la relation fixant le produit
np :
n + N A− = p + N D+
 (17)
np = ni2
A température ambiante, l’énergie thermique est du même ordre de grandeur que
l’énergie de liaison des électrons des atomes donneurs ou de celle des trous pour les atomes
accepteurs, on supposera ainsi par la suite que tous les atomes donneurs et accepteurs sont
ionisés :
N A− ≈ N A , N D+ ≈ N D (18)
A partir des relations (17), on peut en déduire n et p. Ils sont tous les deux solutions
d’une équation du second degré : n2-(ND-NA)n-ni2=0 et p2+(ND-NA)p-ni2=0. On en déduit
que :
 1 + 1 + 4ni2 /( N D − N A ) 2
n = ( N D − N A )
 2
 (19)
 1 + 1 + 4ni /( N D − N A )
2 2
 p = (N A − N D )
 2
Ces relations se simplifient dans tous les cas pratiques :
Pour un semiconducteur de type n : N D − N A >> ni : n ≅ N D − N A p = ni2 /( N D − N A )

(20)
Pour un semiconducteur de type p : N A − N D >> ni : n ≅ ni2 /( N A − N D ) p = N A − N D
4) Niveau de Fermi d’un semiconducteur dopé :
A partir des relations (10) et (12), et de (20), on en déduit que :
 Nc 
Pour un semiconducteur de type n : E F = Ec − k B T ln 
 ND − NA 
(21)
 Nv 
Pour un semiconducteur de type p : E F = E v + k B T ln 
 NA − ND 
On peut aussi remarquer que pour un semiconducteur de type n14, E c > E F > E Fi et
que pour un semiconducteur de type p, E v < E F < E Fi .
13
Il n’y a aucune raison, a priori, pour que ND+=ND. A température nulle, on a même ND+=0, alors qu’à
température ambiante, on a quasiment l’égalité entre les deux densités.
14
La première inégalité, Ec>EF n’est pas immédiate, mais elle est imposée par les hypothèses effectuées qui sont
que EF est éloigné de Ec d’au moins 4kBT. En pratique, cette inégalité sera toujours vérifiée : on parle alors de
semiconducteur non dégénéré. Si EF>Ec, les formules (21) ne sont plus valides. Le semiconducteur est dit
dégénéré, car en fait on se retrouve plutôt dans la situation d’un métal. Ceci est utilisé dans les diodes
électroluminescentes (LEDs). Les remarques sont analogues dans un semiconducteur de type p.

5) Représentation schématique du remplissage des bandes d’énergie :
On représente successivement les 3 cas suivants : un semiconducteur intrinsèque (cf

figure 7), un semiconducteur de type n et un semiconducteur de type p.
Semiconducteur intrinsèque
Bande de Bande de
valence conduction
p n
EF E
Ev Ec
Semiconducteur de type n
N(E)
Bande de Bande de
valence conduction
p n
Ev EF Ec E
Semiconducteur de type p
N(E)
Bande de Bande de
valence conduction
p n
Ev EF Ec E
V Transport électronique dans un semiconducteur :

Connaissant les densités de porteurs, nous allons pouvoir exprimer les différentes
densités de courant dans un semiconducteur. Il faut distinguer 2 types de courant :
-) le courant de conduction qui est la réponse à un champ électrique

-) le courant de diffusion qui apparaît si il existe dans le composant un gradient de

concentration. En effet, si il existe des régions riches en électrons et d’autres riches en trous,
les électrons vont avoir tendance à diffuser pour « boucher » les trous.
Dans un semiconducteur, comme dans un métal, les électrons se déplacent en ligne

droite et subissent un choc au bout d’un temps moyen τ, appelé le plus souvent temps de
relaxation. Cette durée est de l’ordre de 10-13 à 10-12s. La distance moyenne parcourue par un
électron entre deux chocs est le libre parcours moyen, noté l=vτ, où v est la vitesse des
porteurs. Cette vitesse est typiquement d’environ 105m.s-1. Ce libre parcours moyen vaut alors
typiquement 10 à 100nm.
1) Courant de conduction :
Lorsque des particules chargées (électrons ou trous) se déplacent sous l’action d’un
champ électrique, il y a création d’un courant dont la densité est définie comme la quantité de
r r
charges traversant une unité de surface pendant une unité de temps : j = − nqv n pour des
électrons par exemple. La densité de courant s’exprime également en fonction du champ
r r nq 2τ
électrique : j = σ E où σ = est la conductivité donnée par la formule de Drude : m* est
m*
la masse effective de conduction.
Pour les électrons, dans un semiconducteur à gap direct, m*=me, la masse effective
définie dans les paragraphes précédents. Par contre, il n’y a pas égalité pour un
semiconducteur à gap indirect tel que le Silicium. On définit la mobilité des électrons, µ n, par
la relation15 :
r r r r
j c ,n = − nqv n = σ n E = nqµ n E (22)
qτ
donc µ n =
m*
La mobilité des électrons est d’autant plus grande que le temps de relaxation (ou le
libre parcours moyen) est grand16 et que la masse effective des électrons est petite. Ceci joue
un rôle très important dans les applications très hautes fréquences où l’Arséniure de
Gallium( m* = 0.07 m0 ) a de bien meilleures performances que le Silicium ( m* = 0.27 m0 ). La
mobilité est une grandeur positive dont l’unité courante est le cm2V-1s-1.
Pour les trous, on définit les mêmes quantités, la masse effective à utiliser est la masse
effective des trous, mh, définie précédemment, m*=mh :
r r r r
j c , p = pqv p = σ p E = pqµ p E (23)
qτ
donc µ p =
m*
On peut alors en déduire le courant de conduction total qui est la somme des deux
courants précédents :
r r r r
j c = j c ,n + j c , p = σ E (24)
avec σ = nqµ n + pqµ p
15
On utilisera les notations suivantes pour noter les courants : le premier indice indiquera si il s’agit d’un courant
de conduction (c) ou de diffusion (d). Le deuxième indice éventuel indiquera le type de porteurs concernés : n
pour les électrons, p pour les trous.
16
Ainsi le Silicium monocristallin présente une bien meilleure mobilité des électrons que le Silicium
microcristallin et surtout le Silicium polycristallin. De même, si on dope un semiconducteur, la mobilité diminue
car on introduit de cette manière des centres diffuseurs en nombre plus important.

σ est la conductivité du matériau. Cette relation est valable en régime de mobilité,

c’est à dire pour de faible champ électriques. Dans la pratique, µ n>µ p, c’est à dire que les
électrons sont beaucoup plus mobiles que les trous. C’est pour cette raison qu’on utilisera
plutôt un semiconducteur de type n pour avoir une meilleure conductivité. Dans ce cas,
σ≈nqµ n. On essaiera ainsi au maximum de réaliser des composants électroniques utilisant les
électrons comme porteurs « utiles »17 au fonctionnement du composant. Le tableau suivant
donne quelques exemples les valeurs de la mobilité des porteurs pour quelques
semiconducteurs intrinsèques.
Semiconducteur Si GaAs GaP InP ZnS InSb

µ n(cm2V-1s-1) 1350 8000 300 4500 100 80000
µ p(cm2V-1s-1) 480 300 150 100 10 450
2) Courant de diffusion :
Lorsque les porteurs libres ne sont pas distribués uniformément, ils vont diffuser18.
Tout se passe comme si la concentration de chaque type de porteurs tendait à être uniforme
dans tout le matériau. Ce processus de diffusion obéit à la loi de Fick, régissant les processus
de diffusion. Le flux de porteurs se déplaçant par unité de temps est donc proportionnel au
gradient de la concentration de porteurs.
On définit alors les courants de diffusion pour les électrons et les trous par :
r r r r
j d ,n = qDn ∇n , j d , p = − qD p ∇p (25)
où Dn et Dp sont les constantes de diffusion des électrons et des trous respectivement. Le
courant de diffusion total est donc :
r r r r r
j d = j d ,n + j d , p = qDn ∇n − qD p ∇p (26)
On peut également définir différents courants que sont :

r r r r r
-) le courant d’électrons : j n = j c ,n + j d ,n = nqµ n E + qDn ∇n
r r r r r
-) le courant de trous : j p = j c , p + j d , p = pqµ p E − qD p ∇p
r r r r r
-) le courant total : j = j n + j p = j c + j d
les constantes de diffusion sont reliées à la mobilité des porteurs via la relation d’Einstein :
Dn D p k B T
= = (27)
µn µp q
Ceci permet d’écrire :
r
[ r r
 j n = µ n qnE + k B T∇n ]
r
[ r r
 j p = µ p qpE − k B T∇p ] (28)
17
Dans les chapitres suivants, nous reviendrons sur ce que veut dire ce mot « utile ».
18
Un exemple simple de diffusion est l’exercice classique où on considère deux enceintes, une pleine de gaz et
l’autre vide. On ouvre la vanne entre les deux compartiments et la pression s’équilibre dans les deux enceintes.
Ici la région pleine de gaz sera une région dopé n (riche en électrons) et celle vide sera une région dopée p (riche
en trous). Néanmoins, ici, il y a quelques subtilités que nous reverrons précisément dans le chapitre sur la
jonction p-n.

3) Génération et recombinaison de porteurs :
Sous l’effet de la lumière par exemple, il peut y avoir génération de porteurs (paires
électron-trou) ou au contraire recombinaison des porteurs. On note g’, le nombre de porteurs
créés par unité de temps et de volume(unité : cm-3s-1). Le nombre de porteurs qui disparaissent
par unité de temps et de volume, r’, caractérise la recombinaison des porteurs et est une
quantité caractéristique du matériau.
La génération des porteurs provient de 2 sources :
-) la première est la génération thermique : un électron saute de la bande de valence
vers la bande de conduction par activation thermique, il y a alors formation d’une paire
électron (dans la bande de conduction)-trou (dans la bande de valence). Ce processus ne
dépend que des caractéristiques du matériau ainsi considéré.
-) la deuxième résulte de la génération à cause d’une excitation extérieure telle que la
lumière ou bien, un fort champ électrique par exemple.
On peut ainsi écrire g ' = g th + g . La variation totale du nombre de porteurs dans le
semiconducteur est donc le nombre g’-r’=g-r où r=r’-gth. Ce nombre r est à nouveau
caractéristique du matériau. Ce nombre est en fait le bilan entre les recombinaisons et les
générations thermiques des porteurs.
La variation du nombre de porteurs par unité de volume et unité de temps est donc :
 dn 
 = g −r (29)
 dt 
g est alors appelé taux de génération des porteurs et r, le taux de recombinaison des
porteurs. Ces taux de génération et de recombinaison introduisent un excès de porteurs notés
∆n et ∆p pour les électrons et les trous respectivement par rapport à leurs valeurs à l’équilibre,
n0 et p0 respectivement.
Dans la plupart des cas pratiques, on se place dans la limite de faible injection19 où
ces accroissements sont faibles par rapport aux densités de départ : ∆n=∆p<<sup (n0, p0) :
l’excès de porteurs est faible devant la densité de porteurs majoritaires du semiconducteur.
Dans un semiconducteur de type p, et dans la limite de faible injection, p0>>n0 et
∆n=∆p<<p0 et donc p=p0+∆p≈p0 et n=n0+∆n. On définit le taux de recombinaison des
électrons, rn, il peut se mettre sous la forme :
∆n
rn = (30)
τn
où ∆n est l’accroissement du nombre d’électrons par rapport à la situation d’équilibre. Le
temps τn est appelé durée de vie des porteurs20.
Dans un semiconducteur de type n, et dans la limite de faible injection, on définit de la
même manière, un temps de vie τp21 des trous (porteurs minoritaires) et le taux de
recombinaison des trous, rp, est :
∆p
rp = (31)
τp
19
Attention, cette notion de limite de faible injection est très importante et sera quasiment systématiquement
utilisée dans toute la suite du cours.
20
Pour un semiconducteur de type p, on peut également définir un taux de génération des trous, qui est d’ailleurs
égal à rn. Néanmoins, à cause de l’hypothèse de faible injection le nombre de trous restera inchangé, il est donc
inutile de définir ce taux de recombinaison. Ainsi, pour un semiconducteur de type p, on s’intéresse au taux de
variation des électrons (porteurs minoritaires). Il en sera de même pour un semiconducteur de type n. Cette
notion et l’intérêt des porteurs minoritaires seront fondamentaux dans l’étude de la jonction p-n et des autres
composants électroniques.
21
Il n’y a aucune raison pour que τn=τp.

4) Equation de continuité :
Dans un composant excité (hors d’équilibre), les équations de continuité permettent de

suivre l’évolution dans le temps et l’espace de la densité de porteurs. Cette équation de
continuité est une simple conséquence des équations de Maxwell (en absence de générations
et de recombinaisons) et s’écrit :
∂ρ
divj + =0 (32)
∂t
où j est le courant de porteurs considérés. On obtient ainsi une équation pour les
électrons et une équation pour les trous. Même si la plupart du temps, on se place en régime
∂ρ
permanent où = 0 , ces équations de continuité sont fondamentales. On obtient ainsi22 :
∂t
 ∂n 1 r
 ∂t = q divj n + g n − rn

 (33)
 ∂p = − 1 divj + g − r
r
 ∂t q
p p p
On se place alors en général dans la limite de faible injection pour résoudre l’équation
de continuité. Ainsi, on utilisera la première relation pour un semiconducteur de type p afin
d’obtenir la densité de porteurs minoritaires. De la même manière, on utilisera la deuxième
pour un semiconducteur de type n.
Ainsi, en remplaçant les courants d’électrons et de trous par leur valeur (équations 26 à
28), on obtient successivement pour un semiconducteur p puis pour un semiconducteur n en
régimes de faible injection et en supposant que les quantités ne dépendent que d’une direction
x:
∂n ∂E ∂n ∂ 2n n − n0
= nµ n + µn E + Dn 2 + g n − (34)
∂t ∂x ∂x ∂x τn
∂p ∂E ∂p ∂2 p p − p0
= − pµ p − µpE + Dp 2 + g p − (35)
∂t ∂x ∂x ∂x τp
En général, ces équations se simplifient grâce à quelques hypothèses (cf TDs).
VI Rappels d’électrostatique :
Enfin, pour terminer ce chapitre, nous allons rappeler quelques principes
d’électrostatique qui seront indispensables pour la résolution et la compréhension du
fonctionnement des composants électroniques.
En effet, à partir d’une détermination exacte des charges présentes dans la structure,
on peut remonter au potentiel V(x) dans la structure, grâce à la loi de Poisson, puis à l’énergie
potentielle (-qV(x)) et donc à la structure des bandes d’énergie et donc aux propriétés
physiques intéressantes et utilisées dans les composants électroniques.
Ces relations de l’électrostatique découlent des lois de l’électromagnétisme (lois de
Maxwell).Les paragraphes qui suivent ne sont que des rappels de principes connus.
r r r ∂j ∂j y ∂j z
avec j = ( j x , j y , j z ) .
r
22
Rappel : divj = ∇. j = x + +
∂x ∂y ∂z

1) Lois de Poisson et de Laplace :

Dans ce cours, le champ magnétique sera toujours considéré comme nul. Les deux
équations de Maxwell liées au champ électrique sont :
r r
rot(E) = 0

 r ∂E ∂E ∂E ρ ρ (36)
div(E) = ∂x + ∂y + ∂z = ε = ε ε
 r 0
où ε est la permittivité absolue du milieu, εr la permittivité relative du milieu et ε0 la

permittivité du vide. ρ est la densité volumique totale de charges (ρ est donc la différence
entre la densité de porteurs positifs et la densité de porteurs négatifs présents dans le
semiconducteur). Nous utilisons évidemment la deuxième équation.
Les lois de Poisson et Laplace se déduisent de la deuxième équation de Maxwell
écrite ci-dessus et de la relation qui relie le potentiel V(x,y,z) au champ électrique E(x,y,z) :
r
E = −grad(V ) . La loi de Poisson est ainsi :
ρ
∆V + =0 (37)
ε
qui se simplifie en l’équation de Laplace ∆V = 0 lorsque la densité de porteurs est
nulle.
2) Continuité du champ électrique :
En électromagnétisme, il existe également des lois qui régissent la continuité des

différentes grandeurs champs et potentiels lorsqu’on change de milieu. Ici, on ne s’intéresse
qu’au champ électrique, mais il faut se souvenir que de telles équations existent aussi pour les
grandeurs magnétiques.
En notant avec un indice 1, les grandeurs dans le milieu 1 et avec un indice 2, celles
dans le milieu 2, on a les relations suivantes pour le champ électrique :
E 1// = E 2//
 (38)
ε 1E 1⊥ − ε 2 E 2 ⊥ = σ
où εi est la constante diélectrique du milieu i, σ, la densité surfacique de charges à
l’interface. Les vecteurs E 1// , E 2// , E 1⊥ , E 2 ⊥ sont représentés schématiquement sur la figure ci-
dessous :
1 2
E2
E1 E2//
E1//
E2⊥⊥
E1⊥⊥
Il faut remarquer que les équations (38) sont générales et permettent en particulier de
comprendre l’évolution du champ électrique dans les hétérostructures semiconductrices où les
milieux peuvent avoir des constantes diélectriques différentes.

Un cas particulier de ces équations est le cas où un des milieux est un semiconducteur
(de constante diélectrique ε) et l’autre un métal (dans un métal, le champ électrique est
identiquement nul) : le champ électrique est alors un vecteur normal au métal (d’après la
première équation) et sa norme est σ / ε .
Une loi fondamentale est la continuité du potentiel : le potentiel est une fonction
nécessairement continue dans l’espace, un champ électrique peut, lui, être discontinu.
3) Résolution d’un problème d’électrostatique dans les semiconducteurs :

Les jonctions entre semiconducteurs entraînent une variation spatiale de la densité de
porteurs dans le semiconducteur en fonction de la distance à l’interface.
Le fonctionnement d’un composant à base de semiconducteurs est basée justement sur
la disposition relative entre régions avec présence ou absence de porteurs libres. Cette
distribution induit des courbures des bandes d’énergie.
La première étape est de déterminer précisément l’évolution de la concentration des
porteurs de charge : ρ(x) (on se place à une dimension). Il faut en particulier faire attention à :
-) il peut apparaître des charges en surface d’un métal
-) si le semiconducteur est de type n et que dans une région de celui-ci, les porteurs ont
disparu, la concentration de charge totale, dans cette région, est positive et vaut qND où ND est
la densité de donneurs ionisés (pour un semiconducteur de type p, elle est négative et vaut
–qNA où NA est la densité d’accepteurs).
Enfin, une règle absolue : tout le composant est électriquement neutre, il doit donc
y avoir autant de charges positives que de charges négatives sur l’ensemble de la
structure.
On peut alors en déduire le champ électrique E(x) en utilisant l’équation de Maxwell
(équation (36)). En général, dans un problème à une dimension, la composante tangentielle est
nulle et donc, seule la composante normale est importante. Il faut veiller à ce que :
-) le champ électrique ne peut présenter des discontinuités qu’en surface d’un métal ou
d’un semiconducteur (seuls endroits où il peut y avoir des densités surfaciques de charge)
-) le champ électrique est identiquement nul dans le métal et dans le semiconducteur
« loin » des jonctions qui peuvent exister dans le composant.
Enfin, on calcule le potentiel V(x) en intégrant –E(x). Il faut s’assurer que celui-ci est
continu. Sachant que le potentiel est toujours défini à une constante près, cette constante sera
choisie de manière judicieuse.
4) Condensateurs :
Très souvent, dans les structures à semiconducteurs, il y a présence de régions de

l’espace sans porteurs libres (cf par exemple dans la jonction p-n, la zone de charge d’espace).
Dans ces régions, il y a tout de même des charges électriques présentes mais non mobiles.
L’électroneutralité impose que les charges positives soient compensées par des charges
négatives. Il apparaît ainsi des capacités dont la valeur est C=εrε0S/d où S est la section du
composant23, d est la distance entre les armatures du condensateur, en général, d est reliée à la
largeur de la zone de charge d’espace.
23
Souvent, on parlera de capacité par unité de surface en oubliant l’expression « par unité de surface », on
parlera alors de capacité tout simplement, mais il faut bien garder à l’esprit que ceci n’est qu’une simplification
et que tout composant possède une surface perpendiculaire à l’axe x de variation de la densité des porteurs).

VII Interaction rayonnement –semiconducteur :

Pour les généralités sur le rayonnement électromagnétique, le lecteur est invité à se
reporter à un cours d’optique.
1) Photons et électrons :
a) Photons :
Un photon se propageant dans un milieu de constante diélectrique ε==ε0εr est
c c
caractérisé par sa pulsation ω et son vecteur d’onde k : ω = k = k où c = 1 / ε 0 µ0 est
εr n
la vitesse de propagation de l’onde dans le vide, n est l’indice de réfraction. La longueur
d’onde est λ=c/ν où ν est la fréquence de l’onde.
Une onde électromagnétique voit ses points de phase constante (surface d’onde) se
déplacer à une vitesse v=ω/k=c/n dite vitesse de phase. Un rayonnement réel correspond en
fait à un groupe d’ondes monochromatiques de pulsations voisines de ω. L’onde réelle est
alors constituée de paquets d’onde résultant de l’interférence de différentes ondes. Ces
dω
paquets se propagent à la vitesse v g = appelée vitesse de groupe.
dk
Un photon est en général caractérisé par sa longueur d’onde λ et un semiconducteur
1,24
par son gap, Eg. l’énergie du photon est E=hν=hc/λ c’est à dire E (eV ) = .
λ ( µm)
b) Electrons :
Un électron libre dans le vide est caractérisé par son vecteur d’onde k et sa longueur
h2k 2
d’onde de de Broglie (λ=h/p=2π/k) avec p = hk et donc E = .
2m
h2 k 2
Dans un semiconducteur à gap direct : E = Ec + , dans un semiconducteur
2me
h 2 (k // − k 0 )
2
h 2 k ⊥2
à gap indirect, E = Ec + + . La figure 9 représente les différentes situations.
2ml 2mt

Photon Electron dans le vide

E(k) E(k)
vide
semiconducteur
k k
Electron dans un Electron dans un

semiconducteur à gap direct semiconducteur à gap indirect
E(k) E(k)
Eg
Eg
k k
Figure 9 : diagrammes représentant l’énergie en fonction du vecteur d’onde pour différentes situations.
2) Interaction électron-photon :
L’interaction entre les photons et les électrons du semiconducteur se manifeste selon
trois processus distincts :
a) Un photon peut induire le saut d’un électron d’un état occupé de la bande
de valence (BV) vers un état libre de la bande de conduction (BC) : c’est
l’absorption . Ce processus est utilisé dans les capteurs de rayonnement.
b) Un électron de la bande de conduction peut retomber spontanément sur un
état vide de la BV avec émission d’un photon : c’est l’émission spontanée.
c) Un photon présent dans le semiconducteur peut induire la transition d’un
électron de la BC vers un état vide de la BV avec émission d’un deuxième
photon de même énergie : c’est l’émission stimulée.
Ces différents processus sont conditionnés par les règles de conservation de l’énergie
et de la quantité de mouvement. En notant avec des indices p pour photon, i pour l’état initial
de l’électron et f pour son état final, on a les relations suivantes : pour l’absorption,
E f = Ei + E p et k f = k i + k p (39)
et pour l’émission,
Ei = E f + E p et k i = k f + k p
(40)
Les rayonnements mis en jeu dans les composants optoélectroniques, sont proches du
rayonnement visible, c’est à dire caractérisés par des longueurs d’onde de l’ordre du micron,
2π
ce qui donne des vecteurs d’onde pour les photons de l’ordre de k p = ≅ 10 −3 Å −1 . Pour les
λ
électrons, k varie entre 0 et π/a en bord de zone. Avec a≈3Å, cela correspond à k≤1Å-1. Ainsi,
en général, sauf pour k très proche de 0, le vecteur d’onde du photon est donc négligeable.

Ainsi, la relation de conservation de la quantité de mouvement (ou du vecteur d’onde)

impose : ki=kf.
Les transitions avec absorption ou émission d’un photon sont dites transitions
radiatives et sont “verticales dans l’espace des k”(figure 10). C’est la raison pour laquelle, les
processus d’absorption ou d’émission de photons sont plus importants dans les
semiconducteurs à gap direct que dans ceux à gap indirect. Dans un semiconducteur à gap
indirect, les transitions électroniques entre extrema de bandes sont obliques et donc non
radiatives (figure 10). Comme le montre aussi la figure 10, il est possible d’avoir des
transitions radiatives dans un semiconducteur à gap direct. L’électron qui se trouve dans la
bande de conduction peut alors redescendre en minimum de bande par ‘thermalisation’.
semiconducteur à gap direct semiconducteur à gap indirect
absorption émission absorption
Transitions radiatives Transitions non radiatives

Figure 10 : différents types de transitions dans les semiconducteurs.
3) Recombinaison de porteurs et génération de porteurs en excès :
Il faut faire attention que dans le temps de vie des porteurs, il apparaît deux termes , un
premier terme qui correspond à la durée de vie radiative et un deuxième à la durée de vie non
radiative. Les taux de recombinaison sont additifs, ce qui veut dire que si τr représente la
durée de vie radiative et τnr représente la durée de vie non radiative, alors 1/τ =1/τ r +1/τ nr . Si
τr<<τnr, la durée de vie est donc conditionnée par les processus radiatifs, les recombinaisons
de porteurs se font essentiellement par des processus radiatifs. A l’opposé, si τr>>τnr,, les
porteurs excédentaires se recombinent par d’autres voies que les processus radiatifs. On
définit le rendement radiatif d’un semiconducteur par le rapport :
1/τ r τ nr
η= = (41)
1 / τ τ r + τ nr
D’autre part, les états de surface d’un semiconducteur sont des sites privilégiés de
recombinaison des porteurs. Ceci implique que la durée de vie des porteurs est inférieure en
surface par rapport à celle en volume. Ainsi, dans un semiconducteur excité optiquement, la
densité de porteurs excédentaires est en général plus faible qu’en volume. Il apparaît alors un
gradient de concentration en surface qui donne naissance à un courant de diffusion :
d∆n
j = qD n (42)
dx
Le signe de j est fonction de l’orientation de l’axe x normal à l’interface. Le flux de
porteurs est toujours dirigé de l’intérieur du semiconducteur vers la surface du
semiconducteur. En utilisant l’expression traditionnelle d’un courant en fonction de la vitesse
des porteurs : j=q ∆n s, le paramètre s, appelé vitesse de recombinaison en surface, s’écrit :

D n d ∆n
s= (43)
∆n dx
Nous allons maintenant considérer la photoexcitation où l’excédent de porteurs est
créé par un rayonnement lumineux :
Φ0(E)
Φ (E,x)
Φ t(E)
Φr(E)
0 x
Figure 14 : Flux de photons à l’interface vide-semiconducteur.
On note Φ0(E) (en photons/cm2/s), le flux de photons incidents d’énergie E. Si R(E)

désigne le coefficient de réflexion du semiconducteur pour le rayonnement d’énergie E, le
flux de photons transmis à la surface est : Φ t ( E ) = [1 − R ( E )]Φ 0 ( E ) . (le flux de photons
réfléchis est alors Φ r ( E ) = R ( E )Φ 0 ( E ) ). Dans le matériau, ces photons sont absorbés. On
définit le coefficient d’absorption, α, du matériau comme étant la variation relative de densité
de rayonnement par unité de longueur :
1 dΦ ( E , x )
α =− (44)
Φ ( E , x) dx
où dΦ (E,x) est la variation de densité de rayonnement d’énergie E entre les points x et
x+dx. Si α est constant dans tout le matériau, on a :
Φ ( E , x) = Φ t ( E ) e −α ( E ) x = Φ 0 ( E )[1 − R ( E )]e −α ( E ) x (45)
Si α(E) est nul pour une énergie E, le rayonnement n’est pas absorbé par le matériau, il
est transparent à ce rayonnement. Ceci se produit pour des rayonnements d’énergie E<Eg. Si
α(E) est non nul, le matériau absorbe ce rayonnement et son intensité s’atténue
exponentiellement avec la distance. Le taux de génération de paires électron-trou est :
dΦ ( E , x )
g ( E , x) = − = [1 − R ( E )]Φ 0 ( E )α ( E )e −α ( E ) x (46)
dx
et le nombre total de paires électron-trou photocréées au point x, pour un rayonnement
non monochromatique, est : g ( x) = ∫ g ( E , x)dE . La figure 15 représente la variation du
E
coefficient d’absorption avec l’énergie pour GaAs.

Figure 15 : variation du coefficient d’absorption avec l’énergie dans GaAs pur et dopé n à température
ambiante.
Cette courbe est assez typique des semiconducteurs à gap direct. On observe une
variation assez brutale du coefficient α(E). En première approximation, on peut considérer
que pour E<Eg, α(E)≈0 et pour E>Eg, α(E)≈α=Cste, avec α de l’ordre de 104cm-1. Ceci
signifie que les porteurs sont créés sur une épaisseur de quelques microns à partir de la
surface.
Outre α(E), il faut connaître le coefficient de réflexion R(E). Pour des rayonnements
voisins de l’énergie du gap du semiconducteur, on peut admettre que R(E)=R=Cte. Sa valeur
est très sensible à l’angle d’incidence du rayonnement. Il est minimal en incidence normale, et
son expression est donnée par :
2
 n −1
2
 ε r −1
R=  =  

(47)
 n + 1 ε
 r + 1 
où n est l’indice de réfraction du matériau et εr est sa constante diélectrique relative.
Pour les semiconducteurs, ε est de l’ordre de 12, n est alors de l’ordre de 3 à 4 et R varie entre
0,25 et 0,35. Ainsi, dans les meilleures conditions, en incidence normale, 30% du
rayonnement excitateur est réfléchi par le semiconducteur. Finalement, pour E>Eg, on peut
écrire :
g ( x) ≈ [1 − R ]α Φ 0 e −αx = Φα e −αx = g 0 e −αx (48)
4) Semiconducteurs pour l’optoélectronique :

Le choix du matériau approprié dépend de l’application envisagée. Pour un système
d’affichage, le choix sera basé sur le spectre de sensibilité de l’œil, pour une cellule
photovoltaïque qui transforme l’énergie solaire en courant, on se basera sur le spectre solaire.
Enfin, pour la lecture des CDs ou DVDs, on a besoin de matériaux qui fonctionnent à des
longueurs d’onde les plus petites possibles, la densité de stockage étant proportionnelle à λ-2.
La figure 16 montre que le maximum de sensibilité de l’œil se situe dans le jaune
(λ=0,555µm) en éclairement normal et dans le vert (λ=0,513µm) en éclairement atténué.

Sensibilité
(unités
arbitraires)
λ(µm)
0,4 0,5 0,6 0,7

Figure 16 : spectre de sensibilité de l’œil en éclairement normal (ligne continue), en éclairement atténué
(ligne pointillée).
Le rayonnement émis par le Soleil correspond à celui d’un corps noir de température
6000°C. L’intensité du rayonnement au dessus de l’atmosphère est de 1,35kW/m2 et le
maximum du spectre se situe à une longueur d’onde λ=0,48µm. Au niveau du sol, la
puissance par unité de surface n’est plus que de 0,9kW/m2 en raison de l’absorption de
l’atmosphère et essentiellement de l’ozone, la vapeur d’eau et le gaz carbonique qui ont de
plus des bandes d’absorption marqués pour certaines longueurs d’onde dans l’infrarouge
(figure 17). L’effet de l’atmosphère est mesuré par l’indice AirMasse défini par AM=1/cosβ
où β est l’angle que fait le Soleil avec la verticale. AM1 correspond ainsi au Soleil au zénith
(β=0) et AM4 à l’horizon (β=75°). Pour comparer, les performances des piles solaires, on
utilise en général la référence AM1,5 (β=48,2°). On note AM0 la courbe qui représente les
conditions au dessus de l’atmosphère.
Figure 17 : Spectre solaire

Les CD-ROMs et DVD-ROMs utilisent des diodes lasers qui détectent par réflectivité
différentielle les creux imprimés à la fabrication dans un sillon gravé en spirale dans une
couche de polycarbonate déposée à la surface du disque. Pour les CD-RW et DVD-RAM, on
utilise plutôt les propriétés de rélectivité différentes entre les états amorphes et polycristallins
de AgInSbTe, le matériau (non brûlé est initialement réfléchissant, il devient amorphe en le
chauffant localement avec le laser à 500-600°C puis trempe à froid, l’effacement se fait de la
même manière en le chauffant seulement vers 200°C et recuit ce qui permet de recristalliser le
matériau).
La taille minimale d’un spot est limitée par la longueur d’onde du faisceau à cause de
la diffraction. Les CDs actuels utilisent des diodes laser infrarouges en AlGaAs dont la
longueur d’onde d’émission est 780nm, le diamètre du spot est de 1,6µm. La capacité de
stockage du disque est de 650Mo. Les DVDs utilisent des diodes lasers rouges AlGaInP

émettant à 650nm, le diamètre du spot est de 0,74µm, la capacité de stockage est de 4,7Go par
face. Enfin, les DVDs à haute densité (HD-DVD) utilisent des lasers bleus à GaN qui
émettent à λ=410nm réduisant le spot à 0,24µm.
La figure 18 représente la position des différents semiconducteurs en fonction de leur
énergie (ou longueur d’onde) par rapport au spectre visible, solaire et aux ‘fenêtres’ utilisées
dans les fibres optiques.
Figure 18 : position de différents semiconducteurs par rapport à différentes ‘fenêtres optiques’.
5) Cellule photoconductrice :
Une cellule photoconductrice est basée sur l’augmentation de la conductivité d’un
matériau soumis à un éclairement. Un courant circule en permanence dans la cellule et celui-
ci augmente si la cellule est éclairée. Ce composant détecte simplement une variation de
luminosité. Le schéma de principe est représenté sur la figure 19.
z hν
Z
I
y
Vs
d
x
Figure 19 : Schéma de principe d’une cellule photoconductrice.

En absence d’éclairement, la conductance du matériau s’écrit σ 0 = nqµ n + pqµ p .

Avec éclairement, la conductivité devient σ = σ 0 + ∆σ où ∆σ = qµ n ∆n + qµ p ∆p . Sachant
que ∆n=∆p et que la mobilité de trous est très inférieure à celle des électrons, on a
∆σ = qµ n ∆n . On en déduit alors la variation de conductance d’un élément de barreau
semiconducteur de volume dx dy dz : dg=∆σ (dx dz/dy)24. Sachant que l’éclairement est
uniforme dans le plan (yz) (cf figure 19), alors on peut écrire la variation de la conductance du
barreau semiconducteur :
Z d Zµ n q d
∆g = ∫ ∆σ ( x)dx =
l ∫0
∆n( x)dx (49)
l 0
Pour déterminer ∆n(x), on utilise l’équation de continuité (à une dimension) et on se
place en régime permanent pour simplifier. En absence de tension extérieure (champ
électrique nul), cette équation de continuité peut s’écrire :
∂ 2 ∆n ∆n
D − + Φ α e −αx = 0 (50)
∂x 2 τ
le dernier terme représente le taux de génération de porteurs défini dans l’équation
(48), D le coefficient de diffusion des électrons et τ, la durée de vie des porteurs25. Cette
équation différentielle peut se résoudre et la solution générale de cette équation s’écrit :
Φ α τ −αx
∆n ( x ) = A e − x / L + B e x / L + e (51)
1 − α 2 L2
où L = Dτ est la longueur de diffusion des électrons dans le semiconducteur. Les
constantes d’intégration sont déterminées par les vitesse de recombinaison en surface en x=0
D  d∆n  D  d∆n 
et x=d : s 0 =   et s d =   . On peut alors distinguer deux
∆n(0)  dx  x =0 ∆n(d )  dx  x =d
régimes simples :
-) La cellule photoconductrice est épaisse : d>>L et d>>1/α. Dans ce cas, les photons
n’atteignent pas la face arrière de l’échantillon et donc B=0 (sd=0). La constante A est donc
déterminée par s0=s. On obtient alors :
Zµ n q Φτ  s / D +α 
∆g = 2 2 
1− α L (52)
l 1 _ α L  s / D + 1/ L 
Si la vitesse de recombinaison en surface est en plus négligeable, alors :
Zµ n q
∆g = Φτ (53)
l
-) La cellule photoconductrice est mince : d<<L et d<<1/α. Si on suppose, en plus, que
les vitesses de recombinaison en surface sont négligeables, on obtient alors :
Zµ n q
∆g = Φτ α d (54)
l
Sachant que αd<<1, on en déduit que la variation de conductance est plus petite dans
une cellule mince que dans une cellule épaisse. Ceci est vrai en valeur absolue mais ceci n’est
pas tout à fait vrai en valeur relative. Si g est la conductance en absence d’éclairement, on a
24
On utilise la relation R=ρl/S où l est la longueur de l’échantillon (dans le sens du courant), S la section de
l’échantillon, ρ sa résistivité et R la résistance résultante.
25
On admet que ce sont les processus radiatifs qui dominent et donc τ≈τr.

∆g Φ τ 1 ∆g Φ τ
pour une cellule épaisse : = et pour une cellule mince, = α . Donc, dans
g n d g n
une cellule épaisse, ∆g/g augmente comme 1/d, lorsque 1/d devient supérieur à α, la cellule
devient mince et la valeur sature à celle de la cellule mince. On a donc intérêt à choisir τ et α
grands et n petit (semiconducteur faiblement dopé) et on choisira l’épaisseur de la cellule
photoconductrice, d, de l’ordre de quelques 2 à 3 fois 1/α pour absorber la totalité du
rayonnement.
Une quantité importante qui caractérise la cellule est son gain qui est le rapport entre
le nombre de charges débitées par seconde et le nombre de photons absorbés par seconde. Si
on applique une tension V aux bornes de la cellule photoconductrice, alors le photocourant est
∆I=∆gV, le nombre de charges débitées par seconde est donc ∆I/q=∆gV/q. Si Φ0 est le flux de
photons incidents, Φ =(1-R)Φ0 est le flux de photons entrants dans la cellule et si la cellule est
suffisamment épaisse, le nombre de photons absorbés par seconde est ΦZl. Le gain de la
∆gV
cellule est alors G = . Si la vitesse de recombinaison en surface est négligeable, on a
qΦZl
µV µ E τ
G = n2 τ = n τ = où vn est la vitesse des électrons. Si on note τt, le tempsd e transit
l l l / vn
du photon dans la cellule, on a G=τ/τt c’est à dire que le gain est donné par le rapport entre le
temps de vie des porteurs et le temps de transit dans la cellule photoconductrice. Si la cellule
est mince, il faut multiplier ce résultat par αd.
Le paramètre qui mesure les performances de la cellule photoconductrice est sa
réponse, Ξ qui est le rapport entre la variation du courant débité et la puissance incidente :
Ξ=∆I/Pi. La puissance incidente est donnée par Pi=Φ0Zlhν. On obtient alors :
q
Ξ = (1 − R )G .
hν
Pour réaliser une cellule photoconductrice, on utilise couramment comme
semiconducteur les composés binaires CdS et CdSe pour des cellules sensibles dans le visible,
le sulfure de Plomb, PbS pour le proche infrarouge et les composés ternaires HgxCd1-xTe dans
la gamme 5-15µm (infrarouge lointain). Les électrodes métalliques sont rélaisées par dépôt
d’or. la géométrie de la cellule est choisie pour optimiser le rapport Z/l (Z grand et l petit) afin
d’augmenter au maximum ∆g. Un schéma simple est représenté sur la figure 20.
Figure 20 : Schématisation d’une structure de cellule photoconductrice. La partie grisée représente les deux
électrodes, la partie blanche restante, la surface sensible au rayonnement. On remarquera la géométrie des
électrodes qui permet de maximiser le rapport Z/l.

La jonction p-n
La jonction p-n
Avec ce chapitre, nous abordons un premier composant qui est le plus simple et qui est
constitué par la mise en contact d’un semiconducteur dopé n et d’un semiconducteur p. Le
composant obtenu est ce qu’on appelle la diode à jonction. Son fonctionnement est très simple
et il correspond à la synthèse en électronique d’une vanne ou interrupteur. Ainsi, pour
simplifier, si la tension à ses bornes est positive, l’interrupteur est fermé (la vanne est ouverte,
le courant passe) et si la tension est négative, l’interrupteur est ouvert (la vanne est fermée, le
courant ne passe pas).
I Etude phénomonologique de la jonction p-n :

On considère deux semi-
conducteurs : un de type p et l’autre de
type n. Lorsque ces deux semiconducteurs SC de type p SC de type n
ne sont pas en contact, ils sont, chacun
BC BC
séparément, à l’équilibre. Ils ont chacun
leur niveau de Fermi tel qu’indiqué sur le EF
1er schéma ci-contre. Les régions noircies
représentent les états d’énergies occupées EF
par les électrons et les trous. BV BV
Lorsqu’on met en contact ces deux
semiconducteurs (2ième schéma), leurs
niveaux de Fermi s’équilibrent. La région SC de type p
de type n étant riche en électrons, les SC de type n
électrons vont diffuser vers la région de -
type p à l’interface. Il apparaît ainsi une - +
+
région à l’interface côté n moins riche en -
EF +
électrons. Ces électrons partis, ils laissent
+
derrière eux des ions positifs (les
« atomes » donneurs) immobiles dont la
charge positive n’est plus compensée. Le
même phénomène se produit du côté p
pour les trous. D’autre part, étant donné
que les électrons mobiles ont disparu, le SC de type p
semiconducteur devient de moins en moins SC de type n
de type n au fur et à mesure qu’on -
s’approche de l’interface ce qui signifie - +
+
que le niveau de Fermi s’éloigne de la -
EF +
bande de conduction, c’est à dire que la +
bande de conduction se courbe. Sachant
que le bas de la bande de conduction est
une énergie, c’est une fonction continue :
le 3ième schéma est correct (le 2ième est
inexact). Il faut remarquer que la diffusion
des électrons (ou trous) ne s’effectue pas
dans tout le composant formé à cause du
champ électrique qui apparaît à l’interface
à cause des charges fixes (ions donneurs et
accepteurs) et qui limite cette diffusion.

La jonction p-n
Cette première approche nous permet qualitativement de comprendre les phénomènes

qui apparaissent à l’interface d’une jonction p-n :
-) Equilibration des niveaux de Fermi.
-) Diffusion des porteurs d’une région vers l’autre.
-) Apparition de charges fixes non compensées (les ions donneurs ou accepteurs) qui
créent un champ électrique qui s’oppose à la diffusion des porteurs.
-) L’équilibre est alors atteint lorsque la force électrique compense la force de
diffusion. L’existence d’un champ électrique implique alors une différence de potentiel
électrostatique aux bornes du composant appelé potentiel de diffusion.
II Jonction p-n abrupte à l’équilibre thermodynamique :

1) Introduction :
Dans ce paragraphe, nous allons déterminer précisément les caractéristiques d’une

diode à jonction (jonction p-n) à l’équilibre thermodynamique, c’est à dire à la température
ambiante, en absence de toute source de rayonnement et en absence de toute polarisation.
On considère une jonction abrupte, c’est à dire que la différence entre les densités de
donneurs et d’accepteurs, ND-NA, passe brutalement au niveau de l’interface (en x=0) d’une
valeur positive du côté n à une valeur négative du côté p.
Nous ferons les hypothèses suivantes et utiliserons les notations suivantes :
-) dans le semiconducteur de type n, on supposera que les électrons ont complètement
déserté (n≈0 et d’ailleurs p≈0) une région de largeur xn à partir de l’interface. Au delà de xn, le
semiconducteur a les mêmes propriétés qu’un semiconducteur de type n habituel (n≈ND26 et
p≈0).
-) du côté p, on effectue les mêmes approximations et on note –xp, la limite de la zone
de charge d’espace (ZCE) côté p : pour x<-xp, p≈NA et n≈0 ; pour –xp<x<0, p≈0 et n≈0.
2) Profil du potentiel dans la structure :
Nous allons tout d’abord déterminer la structure de bandes schématiquement

représentée sur la page précédente.
La méthode consiste à déterminer la variation du potentiel électrostatique entre les
deux extrémités du composant en utilisant l’équation de Poisson.
Tout d’abord, il faut donc déterminer la distribution de charges, ρ(x), dans le
composant. En un point x quelconque, on a :
ρ ( x) = q[N D − N A + p ( x) − n( x)] (1)
La figure 1a représente la variation de ρ avec la distance à l’interface . :
27
26
Plus précisément, on suppose que du côté n : (ND-NA)n>>ni et on note cette différence tout simplement ND. De
la même manière, du côté p, (NA-ND)p>>ni et la différence sera simplement notée NA.
27
En x=xn et x=-xp, la variation de ρ est en réalité plus douce, mais on supposera en première approximation que
ρ varie brutalement en ces points. Ceci permet de simplifier les calculs et ne déforme pas de manière notable la
réalité dans un composant. Cette approximation dite de complète désertion sera toujours utilisée dans toute la
suite du cours.

La jonction p-n
 ρ ( x) = 0 pour x ≤ − x p

 ρ ( x) = − qN A pour − x p ≤ x ≤ 0
 (2)
 ρ ( x ) = qN D pour 0 ≤ x ≤ x n
 ρ ( x) = 0 pour x ≥ x
 n
Nous allons pouvoir en déduire le champ électrique puis la variation du potentiel le

long de la structure.
Le champ électrique s’obtient à partir de l’équation de Maxwell divE=ρ/ε où ε=ε0εSC
est la constante diélectrique du semiconducteur considéré(ε0 est la permittivité du vide, εSC, la
permittivité relative du semiconducteur). Ici, il n’y a aucune charge accumulée à une
quelconque surface. Par conséquent, le champ électrique sera une fonction continue (figure
1b). On en déduit alors que :
 E ( x) = 0 pour x ≤ − x p
 E ( x) = −qN A (x + x p ) / ε pour − x p ≤ x ≤ 0

 (3)
 E ( x) = qN D ( x − x n ) / ε pour 0 ≤ x ≤ x n
 E ( x) = 0 pour x ≥ x
 n
On en déduit alors la variation du potentiel, Φ avec la position x en utilisant la relation

E=-grad Φ (figure 1c) et en utilisant le fait que Φ est une fonction continue. On prend
traditionnellement l’origine des potentiels du côté p de la jonction :
Φ( x) = 0 pour x ≤ − x p

Φ( x) = qN A (x + x )2 pour − x ≤ x ≤ 0
 2ε
p p
 (4)
Φ( x) = V − qN D ( x − x )2 pour 0 ≤ x ≤ x
 d
2ε
n n

Φ( x) = Vd pour x ≥ x n
Vd est le potentiel de diffusion. L’énergie potentielle des électrons –qV s’en déduit
alors et finalement, l’évolution des minimum de la bande de conduction et maximum de la
bande de valence (figure 1d).

La jonction p-n
- - - - + + +
p - - - - + + + n
- - - - + + +
ZCE
a) ρ(x)
qND
-xp 0 x
xn
-qNA
b) E(x)
x
Emax
Φn
c) Φ(x)
Φn-Φ
Vd=Φ Φp
Φp
x
d)
Eg=Ec-Ev
Ec
EF
Ev
Figure 1 : évolution de la charge, du champ électrique, du potentiel et de Ec et Ev en fonction de la

distance à l’interface.

La jonction p-n
3) Potentiel de diffusion :
Il y a deux manières de déterminer le potentiel de diffusion : la première consiste à
écrire que le niveau de Fermi est horizontal dans toute la structure. La deuxième est d’écrire
qu’à l’équilibre, le courant d’électrons (ou le courant de trous) est nul.
a) Le niveau de Fermi est le même dans toute la structure :
Les équations de base sont celles qui donnent la densité d’électrons dans un
semiconducteur (éq 10 du chapitre 1)28 et celles qui donnent ces densités dans un
semicondcuteur dopé (éq 20 du chapitre 1):
Ec , n − E F
 −
n n = N D = N c e k BT

 2 −
Ec , p − E F (5)
n = n i = N e k BT
 p N A c
On en déduit la différence, Ec,n-Ec,p, qui est la différence d’énergie potentielle (-qVd, cf

figure 1) entre les deux extrémités de la structure :
n  N N 
E c , p − E c ,n = k B T ln n  = k B T ln D 2 A  = qVd (6)
n  n
 p  i 
On en déduit le potentiel de diffusion29 :
k T N N 
Vd = B ln D 2 A  (7)
q  ni 
En pratique, à température ambiante et avec les dopages usuels, le potentiel de
diffusion est de l’ordre de 0,7V dans le silicium.
b) Les courants d’électrons et de trous sont nuls :
L’équilibre thermodynamique est atteint lorsque les processus de diffusion et de dérive
par le champ électrique se compensent exactement, c’est à dire lorsque le courant d’électrons
dans la structure est identiquement nul. En appliquant les formules (28) du chapitre 1 à notre
cas 30:
  dn 
 j n = µ n qnE + k B T dx  = 0
  
 (8)
 j = µ qpE − k T dp  = 0
p
 p dx 
B

on en déduit les équations différentielles vérifiées par les densités d’électrons et de
trous :
 dn q q
 n = − k T E dx = k T dV
 B b
 (9)
 dp = q E dx = − q dV
 p k B T k bT
En intégrant une de ces équations entre -∞ et +∞, et en explicitant les densités de
porteurs comme nous l’avons fait dans (5) en fonction de ND, NA, ni, on retrouve le résultat
donné par l’expression (7).
28
On notera avec un indice n, ce qui se rapporte à la région n et par un indice p, ce qui se rapporte à la région p.
29
ATTENTION, le potentiel de diffusion Vd, n’est pas un potentiel électromoteur, contrairement à une tension
appliquée aux bornes d’un composant électronique.
30
ATTENTION, ici, l’indice n, indique que nous considérons les électrons, cette formule est valable partout
dans la région n ET dans la région p. Il en est de même pour l’indice p. Une note rappellera toujours ces
situations ambiguës.

La jonction p-n
4) Largeur de la zone de charge d’espace :
Outre le potentiel de diffusion, il nous reste deux quantités qui sont apparues dans le
problème : xp et xn que nous devons déterminer. La somme w=xp+xn est la largeur de la zone
de charge d’espace.
Tout d’abord l’électroneutralité de la structure globale impose que les surfaces grisées
de la figure 1a se compensent exactement, c’est à dire qu’il y ait autant de charges positives
que de charges négatives :
N A x p = N D xn (10)
D’autre part, les équations (4) ont été obtenues en écrivant simplement la continuité du
potentiel aux points x=-xp et x=xn. En écrivant la continuité du potentiel en x=0, nous
obtenons successivement :
qN A 2 qN D 2
x p = Vd − xn (11)
2ε 2ε
Vd =
q
2ε
( )
N D x n2 + N A x 2p (12)
En utilisant (10) et (12), on en déduit alors que :
 2 2ε 1
 x n = qN 1 + N / N Vd
 D D A
 (13)
x =2 2ε 1
V
 p qN A 1 + N A / N D d
Sachant que (en utilisant (10)),

w = x n + x p = ( N D / N A + 1) x n = ( N A / N D + 1) x p (14)
on en déduit w en fonction de Vd (en utilisant (13)) :
1/ 2
 2ε  1 1  
w =   + Vd 
 (15)
 q  ND NA  
A partir des relations (10) à (15), on peut remarquer que :
-) l’extension de la zone de charge d’espace dans une région est d’autant plus faible
que le semiconducteur est dopé, c’est à dire que cette zone de charge d’espace s’étend
essentiellement dans la région la moins dopée. De manière générale, la zone de charge
d’espace a une largeur qui vaut entre 0,1 à 1µm typiquement.
-) d’autre part, le champ électrique à l’interface (qNDxn=qNAxp en valeur absolue) est
d’autant plus important que le semiconducteur est dopé.
III Jonction p-n polarisée en direct :

La diode à jonction est un composant actif. Si on applique une tension
(électromotrice), V, à ces bornes, un courant, I, va apparaître. Ce courant I va dépendre de V
évidemment. L’objet de ce paragraphe est de déterminer la caractéristique I(V) pour V>0 de
la diode à jonction.
On considère que la diode est polarisée en direct si on applique une tension positive V
entre la région de type p et la région de type n (cf figure 2).
p n

La jonction p-n
V
Figure 2 : diode à jonction p-n, son symbole équivalent et les conventions de signe utilisées.
1) Approche phénoménologique :
Tout d’abord, une remarque très importante : lorsqu’on applique une différence de
potentiel V aux bornes d’un composant, il faut connaître où s’applique cette tension. On note
Vj, la chute de potentiel aux bornes de la zone de charge d’espace, et Ve=V-Vj, la différence
de potentiel au travers des régions n et p restantes. Sachant que les régions n et p sont
beaucoup plus conductrices que la zone de charge d’espace (où il n’y a pas de porteurs libres),
alors on peut négliger Ve. Dans ce cas, Vj≈V et on peut admettre que toute la chute de
potentiel s’établit au niveau de la jonction.
Lorsqu’on applique une différence de potentiel positive aux bornes de la jonction p-n,
la barrière de potentiel de part et d’autre de la ZCE diminue et devient Vd-V (figure 3).
-qV
Ec
-qV EFn
EFp
-qV
Ev
Figure 3 : diminution de la barrière de potentiel lorsqu’on applique une différence de potentiel positive
aux bornes de la jonction p-n. Ce shéma n’est valable que pour des tensions V appliquées, faibles devant Vd.
La hauteur de la barrière ayant diminuée, les électrons de la région n vont pouvoir

diffuser dans la région p, au delà de la limite de la zone de charge d’espace. Quand ils arrivent
dans cette région p, ils sont minoritaires et vont se recombiner avec des électrons porteurs
majoritaires. De la même manière, des trous de la région p vont pouvoir traverser la zone de
charge d’espace et vont se recombiner avec les électrons porteurs majoritaires de la région n.
Les trous et les électrons pénètrent dans les régions n et p, respectivement, sur une distance
caractéristique qui est la longueur de diffusion et que nous exprimerons plus loin. Pour assurer
la neutralité électrique du milieu, des porteurs (majoritaires) sont injectés en nombre égal à
ceux qui se sont recombinés. Il y a alors passage d’un courant I dans la diode.
2) Conséquences de l’hypothèse de faible injection :

On se place dans l’hypothèse de faible injection. Ceci signifie que hors de la zone de
charge d’espace, on admet que la densité de porteurs majoritaires est constante et que donc,
seule la densité de porteurs minoritaires sera notablement modifiée.
Nous cherchons à déterminer le courant I traversant la diode ou plus simplement, la
densité de courant J en fonction de V.

La jonction p-n
J est la somme du courant de trous et du courant d’électrons. Dans chacun de ces

courants, il y a une composante provenant de la diffusion et une composante provenant du
champ électrique.
Tout d’abord, dans la région p, hors de la zone de charge d’espace, on a donc quelque
soit x, en utilisant les notations du chapitre 131 :
J = J ( x) = j cp, p ( x) + j dp, p ( x) + j cp,n ( x) + j dp,n ( x) (16)
Sachant que le champ électrique est nul dans cette région quasi-neutre, les deux
courants de conduction j cp, n et j cp, p sont donc nuls quelque soit x. Donc,
J = j dp, p ( x) + j dp,n ( x) = j dp, p (− x p ) + j dp,n (− x p ) (17)
De la même manière du côté n, on peut écrire que :
J = j dn, p ( x) + j dn, n ( x) = j dn, p ( x n ) + j dn, n ( x n ) (18)
On utilise maintenant une autre hypothèse fondamentale : il n’y a pas de
recombinaison ni de génération de porteurs dans la zone de charge d’espace. En
appliquant l’équation de continuité, cela veut dire que dans la zone de charge d’espace,
∂j ∂j p
divj n = n = 0 et divj p = =0 (19)
∂x ∂x
Ceci revient à dire que les courants de trous et d’électrons sont identiques de part et
d’autre de la zone de charge d’espace32 :
j dn,n ( x n ) = j dp, n (− x p ) et j dn, p ( x n ) = j dp, p (− x p ) (20)
Donc,
J = j dp,n (− x p ) + j dn, p ( x n ) = j dp, p (− x p ) + j dn,n ( x n ) (21)
Nous n’utiliserons pas la deuxième égalité, car elle demande de calculer les courants
de diffusion des porteurs majoritaires, ce qui est impossible dans l’hypothèse de faible
injection. Nous ne retiendrons que la première égalité qui indique que le courant total est la
somme des courants de diffusion des porteurs minoritaires en limite de zone de charge
d’espace. Il suffit donc de calculer ces deux quantités, la première étape est donc de
déterminer la densité de porteurs minoritaires dans chacune des régions neutres.
3) Densités de porteurs minoritaires :

a) densité de porteurs en limite de zone de charge d’espace :
En limite de zone de charge d’espace, les relations obtenues pour l’équilibre
thermodynamique peuvent s’appliquer en remplaçant Vd par Vd-V et en faisant attention à
prendre les densités de porteurs en limite de zone de charge d’espace. Ceci peut être obtenu
soit en utilisant l’équation (6) ou plutôt en intégrant les équations (9) entre –xp et +xn.
En absence de polarisation, on a donc33 :
 n ( x )  qV
ln n 0 n  = d (22)
 n (− x )  k T
 p0 p  B
avec n n 0 ( x n ) = N D et n p 0 (− x p ) = ni2 / N A 34. En présence de polarisation,
31
L’indice c indique conduction, l’indice d, diffusion. Le deuxième indice indique le type de porteurs.
L’exposant explicite la région où on écrit cette relation, ici p en l’occurrence.
32
L’égalité a lieu sur les courants de diffusion car aux points xn et –xp, le courant de conduction est nul.
33
Les indices n et p indiquent la région où on regarde la densité d’électrons. L’indice 0 indique que ce sont les
valeurs à l’équilibre.
34
Ces densités d’équilibre ne dépendent pas de la position x dans les régions neutres, on laissera alors tomber la
dépendance en x pour ces quantités à l’équilibre.

La jonction p-n
 n ( x )  q (Vd − V )
ln n n  = (23)
 n (− x )  k T
 p p  B
Dans la région n, les électrons sont les porteurs majoritaires donc n n ( x n ) ≅ n n 0 ( x n )

noté tout simplement nn0. En faisant la différence entre les relations (22) et (23), on obtient
que :
qV qV
n2
n p (− x p ) = n p 0 e k BT
= i e k BT (24)
NA
De la même manière, on obtient,
qV qV
ni2 k BT
pn ( xn ) = pn 0 e k BT
= e (25)
ND
On peut enfin remarquer que :
qV
n p (− x p ) p p (− x p ) = nn ( x n ) p n ( x n ) = n e
2
i (26)
k BT
c’est à dire que si V>0, le produit np en limite de zone de charge d’espace peut être
très supérieur à ni2.
b) densité de porteurs dans les régions neutres :
Dans les régions neutres, les porteurs majoritaires ne sont pas affectés. Pour
déterminer l’évolution de la densité de porteurs minoritaires, nous allons utiliser les équations
de continuité (34) et (35) du chapitre 1. On supposera qu’il n’y a pas de génération de
porteurs dans chacune de ces régions neutres.
Dans la région neutre p, en régime stationnaire, la densité de porteurs minoritaires
vérifie :
∂ 2 n p n p − n p0
Dnp − =0 (27)
∂x 2 τ np
En introduisant la longueur de diffusion des électrons dans la région p,
Lnp = Dnpτ np , on peut écrire que la solution de l’équation différentielle (27) est de la
forme :
−x / L
n p − n p 0 = Ae np + Be np
x/L
(28)
Les deux constantes A et B sont déterminées par les conditions aux limites. En x=-xp,
la densité d’électrons est donnée par la formule (24). D’autre part, à l’extrémité de
l’échantillon côté p, notée -Xp, la densité d’électrons est celle à l’équilibre35.
On obtient alors les densités de porteurs minoritaires (électrons dans la région p et
trous dans la région n) :
 n p0  kqVT  x+ Xp 
n p − n p 0 =  e B − 1 sh  pour x ≤ − x p
 sh(d p / Lnp )    Lnp 
  
 (29)
 pn0  kTqV
  X − x
 e B − 1 sh n  pour x ≥ x n
 pn − pn0 =   L pn 
 sh(d n / L pn )    
où dp=Xp-xp est la largeur de la région neutre p et dn=Xn-xn est la largeur de la région
neutre n.
4) caractéristique courant-tension :
35
Il en est ainsi à cause des modifications cristallines notables au niveau du contact électrique à l’extrémité de
l’échantillon, la durée de vie d’un porteur libre devient alors quasi nulle. On obtient donc la valeur à l’équilibre.

La jonction p-n
On en déduit alors les courants de diffusion de porteurs minoritaires en dérivant les

équations (29)36 :
qV
dp n qni2 D pn X −x
j d , p ( x) = −qD pn
n
= (e − 1) ch n
k BT
pour x ≥ x n (30)
dx N D L pn sh(d n / L pn ) L pn
x+ Xp
qV
dn p qni2 Dnp
j p
d ,n ( x) = qDnp = pour x ≤ − x p(e k BT
− 1) ch (31)
dx N A Lnp sh(d p / Lnp ) Lnp
Le courant total traversant la diode est donc, d’après (30),(31) et (21) :
qV
J = J s (e k BT
− 1) avec
2
qn D pn qni2 Dnp (32)
Js = +
i
N D L pn th(d n / L pn ) N A Lnp th(d p / Lnp )

Js est appelé densité de courant de saturation. Cette caractéristique courant-tension
est représentée schématiquement sur la figure 4. Il faut noter que le calcul effectué est aussi
valable pour V<0 (polarisation inverse). Pour qV>quelques kBT, alors, l’exponentielle
l’emporte et J = J S exp(qV / k B T ) . Dans la limite où V<0 et -qV> quelques kBT,
l’exponentielle est négligeable et J ≅ − J s . Il faut noter que la formule (32) devient fausse aux
fortes polarisations (positives ou négatives) où l’hypothèse de faible injection n’est plus
valable. La valeur typique de la densité de courant de saturation est de l’ordre de 10-10A.cm-2.
3
J[ A/ cm2]
-1
-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
V[V]
Figure 4 : caractéristique J(V) d’une diode à jonction p-n. La courbe a été tracée avec
J s = 10 −10 A.cm −2 .
5) Cas limites :
Il y a deux cas limites importants, utilisés en pratique, dans les formules obtenues
précédemment : une (ou les) région neutre est étroite ou large par rapport à l’échelle
caractéristique que représente la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans la région
neutre.
a) régions étroites : dn<<Lpn et dp<<Lnp :

Dans ce cas, les formules (29) à (32) se simplifient en effectuant un développement
limité au plus bas ordre des fonctions hyperboliques, shε ≈ ε , chε ≈ 1, thε ≈ ε :
36
On rappelle les notations : pour les courants, les exposants indiquent la région considérée, les indices le type
de courant (diffusion ou conduction) puis le type de porteurs considérés. Pour les densités, longueurs de
diffusion, temps de diffusion, et coefficients de diffusion, le premier indice indique les porteurs considérés, le
deuxième le milieu dans lequel on travaille. Ainsi Lnp est la longueur de diffusion des électrons dans la région p.

La jonction p-n
qV
p
pn − pn0 = n 0 (e k BT − 1) ( X n − x) pour x ≥ x n
dn
qV
n p0
n p − n p0 = (e k BT
− 1) ( x + X p ) pour x ≤ − x p
dp
qV
qni2 D pn
j n
d,p ( x) = (e k BT
− 1) pour x ≥ x n (33)
NDdn
qV
qni2 Dnp
j p
d ,n ( x) = (e k BT
− 1) pour x ≤ − x p
N Ad p
qni2 D pn qni2 Dnp
Js = +
NDdn N Ad p
b) régions larges : dn>>Lpn et dp>>Lnp :
Dans ce cas, les formules (29) à (32) se simplifient en effectuant une approximation
des fonctions hyperboliques pour u->+∞, shu ≈ exp(u ), chu ≈ exp(u ), thu ≈ 1 :
qV
( xn − x ) / L pn
p n − p n 0 = p n 0 (e k BT
− 1) e pour x ≥ x n
qV
( x + x p ) / Lnp
n p − n p 0 = n p 0 (e k BT
− 1) e pour x ≤ − x p
qV
qni2 D pn ( xn − x ) / L pn
j n
d,p ( x) = (e k BT
− 1)e pour x ≥ x n (34)
N D L pn
qV
qni2 Dnp ( x + x p ) / Lnp
j p
d ,n ( x) = (e k BT
− 1)e pour x ≤ − x p
N A Lnp
qni2 D pn qni2 Dnp
Js = +
N D L pn N A Lnp
6) Représentation graphique des profils de densités de porteurs et de la densité
de courant :
La figure 5 représente dans le cas général, l’évolution de la densité de porteurs dans la
structure ainsi que les contributions des courants d’électrons, de trous au courant total dans le
cas d’une polarisation directe (V>0). Pour les densités de courant, le courant de trous se
déduit du courant d’électrons via la relation J=jn(x)+jp(x). On remarquera que les densités de
porteurs majoritaires sont constantes conformément à l’hypothèse de faible injection. Pour les
densités, l’axe vertical correspond à un axe logarithmique (sinon, les densités de porteurs
minoritaires seraient sur l’axe horizontal).
La figure 6 représente les mêmes fonctions lorsque la diode est polarisée en inverse en
conservant l’hypothèse de faible injection. Les calculs effectués précédemment se
généralisent et on trouve les mêmes formules.

La jonction p-n
p
n
ni
p
n
Lpn
Lnp
J=jn(x)+jp(x)
jn jp
Lnp Lpn
0
Figure 5 : densité des porteurs et densité de courant dans une jonction p-n polarisée en direct37.
p
n
ni
p
n
jn jp
0
≈-Js<0
J=jn(x)+jp(x)≈
Figure 6 : densité des porteurs et densité de courant dans une jonction p-n polarisée en inverse.
37
Le courant d’électrons provient essentiellement du courant de diffusion dans la région n et du courant de
conduction dans la région p. Ceci implique que dans une région de largeur Lpn au delà de la zone de charge
d’espace, dans la région p, le champ électrique n’est pas strictement nul. On appelle cette région , région quasi-
neutre, elle n’existe qu’en présence d’une polarisation. Pour le courant de trous, on peut effectuer le même
raisonnement.

La jonction p-n
IV Jonction p-n polarisée en inverse :

Dans ce paragraphe, on s’intéresse au cas de la jonction p-n, lorsque l’hypothèse de
faible injection n’est plus valable, c’est à dire à forte polarisation.
La figure 7 représente la structure de bandes dans ce cas. La barrière devient
q(Vd + V ) et a donc fortement augmentée. Il apparaît un nouveau phénomène utilisé dans les
diodes Zener.
-qV
EFp
-qV
Ec
EFn
Ev
Figure 7 : augmentation de la barrière de potentiel lorsqu’on applique une différence de potentiel très
négative aux bornes de la jonction p-n. Les électrons peuvent franchir la barrière par effet tunnel.
Nous avons vu que pour tenir compte de la tension de polarisation dans les formules
donnant le champ électrique, dans la zone de charge d’espace, il suffit de remplacer Vd par
Vd-V. Le champ électrique maximal (en x=0), E0, vaut qNAxp/ε en valeur absolue. Sachant
que xp est proportionnel à la largeur de la zone de charge d’espace (formule (14)) qui varie
comme la racine carrée de la hauteur de la barrière. Plus V augmente (en valeur absolue), plus
ce champ électrique augmente. Ce champ électrique ne peut pas augmenter indéfiniment.
Lorsque le champ électrique atteint une valeur critique, les électrons de la bande de valence
peuvent passer tout seuls dans la bande de conduction par effet tunnel. Le champ électrique
reste alors constant et la tension aux bornes de la barrière ne bouge plus. On peut la noter –VZ,
cette tension s’appelle tension Zener. L’effet de claquage de la jonction est appelé effet
Zener. On forme alors une paire électron-trou par ce processus d’ionisation et on peut ainsi
obtenir un courant inverse important, l’électron passant de la bande de valence vers la bande
de conduction par effet tunnel. Les diodes Zener sont tout de même des composants spéciaux
qui sont très fortement dopés afin d’avoir une largeur de zone de charge d’espace relativement
petite (inférieure à 500Å).
Si la largeur de la zone de charge d’espace est supérieure à 1000Å (jonctions peu
dopées), il apparaît un autre phénomène avant le claquage, c’est l’effet d’avalanche. Pour un
champ électrique de l’ordre de 105V/cm (il faut 106V/cm pour avoir un effet Zener), l’énergie
accumulée par les quelques porteurs libres en limite de zone de charge d’espace est suffisante
pour générer des paires électrons-trous en ionisant par choc les atomes du cristal. Ces paires
sont à leur tour accélérées et peuvent engendrer de nouvelles paires, c’est l’effet d’avalanche.
La caractéristique courant–tension est identique à celle d’une diode Zener, mais la tension
caractéristique -Vc est d’origine différente.

La jonction p-n
-Vc ou -VZ
(>-10V)
V
1V
Figure 8 : caractéristique courant-tension d’une diode Zener ou d’une diode à avalanche.
V Schéma équivalent d’une diode :

Pour chaque composant électronique, on peut définir son modèle équivalent en petits
ou grands signaux.
1) Résistance :
∂V
On peut définir la résistance différentielle d’un composant par : rd = . Pour la
∂I
diode, on a :
qV
− k BT
rd = rd 0 e k BT
avec rd 0 = (35)
qJ s S
où S est la section de la diode. On a :
k T
rd = B (36)
qI
où I est le courant circulant dans la diode.
2) Capacité de transition :
Une variation dV de la tension de polarisation V entraîne une modification de la

largeur de la zone de charge d’espace (zone de transition) et donc du nombre d’impuretés
positives (côté n) et d’impuretés négatives (côté p). On remarque que ces charges positives et
négatives se font face comme dans un condensateur. Dans la relation (13), en tenant compte
de la tension de polarisation V, et en supposant NA>>ND, on a
2ε
xn = (Vd − V ) (37)
qN D

La jonction p-n
1 2ε 1 / 2
et donc une variation dV entraîne une variation dx n =
( ) (Vd − V ) −1 / 2 dV et
2 qN D
donc de la charge accumulée sur une des électrodes du condensateur dQ=qNdSdxn c’est à
dire : dQ=(εS/xn)dV. La jonction polarisée se comporte donc comme un condensateur plan,
Ct, dont l’épaisseur du diélectrique est w≈xn :
εS εqN D 1 / 2 1
Ct = = S( ) (38)
w 2 Vd − V
Cet effet est notable essentiellement en polarisation inverse (on oublie ici les effets
Zener et d’avalanche).
3) Capacité de diffusion :
Lorsqu’on module la tension de δV autour d’une tension statiqueV38, la densité des

électrons minoritaires injectés dans la zone p est modulée ainsi que celle des trous
minoritaires dans la région n. Ceci correspond à une modulation de la densité de charge de
part et d’autre de la zone de charge d’espace et donc à nouveau à un effet capacitif qui se
rajoute au précédent. La capacité de diffusion, Cd, est définie comme le rapport entre la
variation de charge accumulée de part et d’autre de la zone de charge d’espace et δV.
On peut montrer que :
qV
Cd =
q2
(d p n p 0 + d n pn 0 )e kBT (39)
2k B T
pour les diodes ayant une région n et une région p étroite. Cet effet est surtout notable
en polarisation directe.
4) Schéma équivalent petits signaux :
En polarisation directe, le schéma équivalent petits signaux est donc le suivant :

Cd
rd
En polarisation inverse, la résistance rd devenant très grande, on peut se contenter de

ne représenter que la capacité de transition :
rd très grand
Ct
38
Ceci peut s’effectuer en superposant un petit signal alternatif à une tension de polarisation : V(t)=V+δVejωt.

La jonction p-n
VI Photodiode:
On utilise une jonction p-n polarisée en inverse. Dans ce régime, la génération de
porteurs sous l’action d’un rayonnement fait augmenter (en valeur absolue), le courant inverse
de la diode.
Le principe de fonctionnement de la photodiode est schématisé sur la figure 9.
zone de
charge d'espace
métal p n métal
hν
métal
x
0 xp xn xc
Figure 9 : Schéma de principe d’une photodiode.
Les photons incidents créent des porteurs dans chacune des trois régions de la jonction
p-n (région p neutre, ZCE, région n neutre). Dans les régions électriquement neutres, les
porteurs minoritaires créés (les trous dans la région n et les électrons dans la région p)
diffusent, ceux qui atteignent la zone de charge d’espace sont accélérés vers la zone où ils
sont majoritaires par le champ électrique. Il y a donc apparition d’un photocourant de
diffusion. D’autre part, les paires électron-trou générées dans la zone de charge d’espace sont
dissociées par le champ électrique : les trous rejoignent la région p, les électrons, la région n.
Il y a alors apparition d’un photocourant de génération. On obtient donc un photocourant , Iph,
qui s’ajoute au courant habituel d’une jonction p-n :
( )
I = I s e qV / k BT − 1 − I ph (40)
Le photocourant est quasiment indépendant de la tension appliquée. Dans la pratique,

soit on mesure le photocourant débité par la diode, soit on mesure le photovoltage qui apparaît
aux bornes de la diode (figure 10).
Si on souhaite mesurer le photocourant, on polarise la diode par une tension négative
V0. Dans ce cas, le courant I est I = −( I s + I ph ) ≈ − I ph car le courant de saturation de la diode
est très faible devant le photocourant. Dans le mode photovoltaïque, la diode est connectée
aux bornes d’un voltmètre, le courant est nul, on mesure alors le photovoltage qui varie
logarithmiquement avec le photocourant et donc avec l’intensité du rayonnement :
k T  I ph 
V ph = B ln + 1 (41)
q  Is 
I
La jonction p-n
Vph V
obscurité
éclairement Iph
Figure 10 : caractéristique d’une photodiode dans l’obscurité et avec éclairement.

Pour calculer le photocourant, on utilise exactement le même raisonnement que pour le
calcul du courant habituel dans une jonction p-n. On écrit tout d’abord que le courant total est
la somme des courants de porteurs minoritaires en limite de ZCE auquel, on ajoute le courant
de photogénération dans la ZCE :
J ph = j ndiff ( x = x n ) + j g ( x = x n ) + j pdiff ( x = x n ) = j ndiff ( x p ) + j gn ( x n ) + j pdiff ( x n ) (42)
La deuxième égalité est vraie si on néglige les recombinaisons dans la ZCE. On se

retrouve ainsi, comme dans la jonction p-n à calculer les courants de porteurs minoritaires en
limite de ZCE. D’autre part, en ce qui concerne le courant de génération dans la ZCE , jg(x).
Ce courant est la somme d’une contribution des photoélectrons créés entre xp et x et des
phototrous créés entre x et xn : on a ainsi jg(x)= jgn(x)+ jgp(x). Ainsi, pour x=xp, ce courant
n’est dû qu’aux trous qui arrivent en xp : jg(xp)= jgp(xp). De la même manière, en xn, ce courant
n’est dû qu’aux électrons créés dans la ZCE et qui arrivent en xn : jg(xn)= jgn(xn), d’où l’égalité
des deux termes intermédiaires dans la relation (42).
-) courant de génération dans la ZCE :
En régime stationnaire ( ∂n / ∂t = 0 ), et en négligeant les recombinaisons dans la ZCE
1 dj n ( x)
(rn=0), l’équation de continuité s’écrit : 0 = + g ( x) . On peut donc écrire le courant
q dx
de génération en x=xn :
xn
j gn ( x n ) − j gn ( x p ) = j gn ( x n ) = −q ∫ g ( x)dx (43)
xp
En utilisant de nouveau la relation pour le taux de génération de porteurs vue au

premier chapitre, on obtient finalement :
−αx
j gn ( x n ) = − qΦ e p (1 − e −αw ) (44)
où w=xn-xp est la largeur de la zone de charge d’espace.

-) courant de diffusion des trous en x=xn :
Dans la région neutre n, le courant de trous photocréés est un courant de diffusion et
d∆p ( x)
on a j pdiff ( x) = − qD p . Pour déterminer ∆p(x), on utilise l’équation de continuité et un
dx
raisonnement semblable à une jonction p-n non éclairée. La solution générale de cette
équation différentielle est donnée par la relation (28) où A et B sont des constantes
d’intégration à déterminer. Ces constantes sont fixées par les conditions aux limites en x=xn et

La jonction p-n
x=xc. En x=xn, on a ∆p=0 car tout phototrou qui atteint la limite de zone de charge d’espace
est propulsé vers la région p. Ceci implique que la durée de vie d’un trou en ce point est nulle
non pas à cause des recombinaisons mais parce que les trous sont évacués. En x=xc, comme
nous l’avons déjà mentionnés auparavant, la perturbation induite par le contact ohmique,
impose ∆p=0 aussi. Pour simplifier les calculs, on peut supposer que la région dopé n est
beaucoup plus épaisse que la longueur de diffusion des trous, Lp et 1/α. Dans ce cas, ceci
revient à considérer que xc=∞ et donc B=0. Après quelques calculs, on obtient le résultat
suivant :
α L p −α xn
j pdiff ( x n ) = − qΦ e (45)
1 + α Lp
-) courant de diffusion des électrons en x=xp :

On effectue exactement le même raisonnement que pour les trous dans la région n
neutre. Les conditions aux limites sont différentes. En bord de zone de charge d’espace, on
retrouve une condition analogue : ∆n=0. Par contre, en x=0, les conditions aux limites sont
définies par la vitesse de recombinaison en surface. On obtient ainsi des valeurs An et Bn des
constantes A et B. On obtient finalement pour le courant de diffusion des électrons en x=xp,
 A −x / L B x / L Φ α τ n −αx p 
j ndiff ( x p ) = qDn  − n e p n + n e p n − e  (46)
 Ln Ln 1 − α 2 L2n 
-) photocourant :
En additionnant les trois termes des relations (44), (45) et (46), on obtient le
photocourant. Pour simplifier et se rapprocher de la réalité, on peut supposer que la région p
en surface est très fine et de longueur très inférieure à 1/α. Dans ce cas, le courant de
diffusion des électrons est négligeable et on peut simplifier les expressions en écrivant xp=0 et
α L p −α w
xn=w. Dans ce cas, on obtient : j gn ( x n ) ≈ −qΦ (1 − e −αw ) et j pdiff ( x n ) ≈ − qΦ e . Le
1 + α Lp
photocourant s’écrit donc :
 1 
J ph ≈ − qΦ1 − e −α w  (31)
 1+α L 
 p 
On remarque que pour obtenir un photocourant important, on a intérêt à choisir
αw>>1 c’est à dire à ce que le terme de génération des porteurs dans la ZCE l’emporte, les
courants de diffusion devenant négligeables. Dans ce cas, le photocourant est tout
simplement : Jph=-qΦ. Ce courant est négatif et est dirigé de la zone n vers la zone p, c’est
donc un courant inverse par rapport au courant habituel traversant une jonction p-n.
Un autre aspect d’un composant est son temps de réponse. Deux processus entrent en
jeu dans une photodiode : le premier est un processus de diffusion des porteurs , ce qui est un
phénomène lent qui a des temps caractéristiques de l’ordre de 1 à 10ns (10-9 à 10-8s). Par
contre, le deuxième processus qui est caractérisé par un temps de transit dans la zone de
charge d’espace sous l’action d’un champ électrique est beaucoup plus rapide. Il est fixé par
la vitesse des électrons dans cette région et la largeur de la ZCE (temps = w/vitesse des
électrons). Le temps caractéristique est maintenant de 10 à 100ps (10-11 à 10-10s). Par
conséquent, pour diminuer le temps de réponse de la photodiode, on a intérêt à augmenter la
largeur de la zone de charge d’espace. Néanmoins si on augmente trop w, on augmente trop le
temps de transit dans la ZCE.

La jonction p-n
-) différents types de cellules photovoltaïques :

Une première manière de réaliser une photodiode est de réaliser une photodiode pin.
En rajoutant une région intrinsèque (i) entre les deux régions p et n, on augmente
artificiellement la largeur de la zone de charge d’espace w. Si en plus, on polarise
suffisamment la structure , alors le champ électrique devient assez fort pour que les électrons
atteignent leur vitesse de saturation39 dans cette région et on obtient alors des photodiodes très
rapides et sensibles. Cette structure est la plus courante.
Si on veut une structure qui peut avoir un gain important, on utilisera une photodiode à
avalanche : si on polarise la photodiode à une tension suffisamment proche de la tension de
claquage, les photoporteurs créés sont multipliés par effet d’avalanche, on peut obtenir un
gain de 100. Cette technique est l’analogue des encombrants photomultiplicateurs
couramment utilisés.
Une autre alternative est d’utiliser un phototransistor. La base du transistor est
flottante permettant un courant de base nul. Le courant récupéré dans le collecteur est ainsi
βIph. La sensibilité du phototransistor (6A/W) est intermédiaire entre celle de la photodiode
pin (0,5A/W) et de la photodiode à avalanche(60A/W). Son inconvénient majeur est que le
photocourant est induit par des phénomènes de diffusion et c'’st un composant donc très lent
(temps de réponse de quelques µs).
Enfin, la photodiode Schottky créé en évaporant de l’or sur du silicium dopé n, peut
également être le siège d’un photocourant comme pour une jonction p-n. L’avantage est que si
la couche d’or est suffisamment mince, cette couche peut-être transparente au rayonnement
dans le proche ultra-violet.
VII Diode électroluminescente(LED) :

Les deux principaux émetteurs à rayonnement basés sur les semiconducteurs sont la
diode électroluminescente et la diode laser. Nous n’étudierons que la diode
électroluminescente.
La LED (Light Emitting Diode) est constituée par une jonction p-n réalisées à partir de
semiconducteurs dont les recombinaisons de porteurs excédentaires se font essentiellement de
manière radiative. On utilise ainsi surtout des semiconducteurs III-V. La structure type d’un
tel composant est représentée sur la figure 11.
Une tension de polarisation fixe (positive) est appliquée entre les deux bornes de la
jonction p-n( la jonction est polarisée en direct). Comme précédemment, les recombinaisons
ont lieu dans la zone de charge d’espace ou bien dans chacune des régions neutres. La
jonction étant fortement polarisée en direct, la zone de charge d’espace est très peu étendue,
on peut donc négliger les processus qui s’y déroulent. Dans chacune des régions neutres, les
recombinaisons ont lieu en limite de zone de charge d’espace et donc sur une distance
caractéristique donnée par la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans chacune
d’elles. On a évidemment Ln(longueur de diffusion des électrons dans la région p)>Lp
(longueur de diffusion des trous dans la région n). Par conséquent, la région émettrice de
lumière sera essentiellement la région dopée p.
39
Rappel : a faible champ électrique, il existe une relation linéaire entre la vitesse des électrons et le champ
électrique : vn=µ nE. Lorsque le champ électrique augmente trop, cette relation n’est plus valable et la vitesse
sature à une valeur dite vitesse de saturation.

La jonction p-n
Al
SiO2
substrat
Figure 11 : structure d’une LED et diagramme énergétique

On définit les taux d’injection de porteurs minoritaires dans chacune des régions de la
jn ( x p ) j p ( xn )
jonction : γ n = et γ p = . Sachant que les régions n et p sont beaucoup plus
J J
épaisses que les longueurs de diffusion, on peut utiliser les formules approchées obtenues
pour la jonction p-n : j n ( x p ) =

N A Ln
e(
qni2 Dn qv / k BT
)
− 1 et j p ( xn ) =
Nd Lp
(
qni2 D p qv / k B T
e )− 1 . On en
Dn L p N d µ nτ p N d σn
déduit alors le rapport entre les taux d’injection : γ = = ≈ . Ce
D p Ln N A µ pτ n N A σp
rapport est bien supérieur à 1, donc la région p est effectivement la région émettrice, c’est
pour cela que c’est celle qui est placée en surface. Pour obtenir un signal lumineux suffisant,
on dope fortement chacune des régions n et p. Ce fort dopage entraîne d’ailleurs une
diminution du gap du semiconducteur et ceci encore plus dans la région p ce qui favorise
encore plus l’injection des électrons et donc l’émission de photons.
Le spectre d’émission d’une LED est défini par le gap du matériau de type p dans
lequel se produit donc l’essentiel des recombinaisons radiatives. Les différents matériaux
semiconducteurs de type III-V permettent de couvrir l’ensemble du domaine visible et ce
d’autant plus facilement que la plupart d’entre aux sont miscibles en toutes proportions. Le
domaine des grandes longueurs d’onde est couvert par les alliages du type GalAs, GaAsP et
InGaAlP. En ce qui concerne les faibles longueurs d’onde, on utilise maintenant les alliages
InGaN. La figure 12 représente les énergies des raies qu’on peut obtenir avec différents
alliages.

La jonction p-n
Figure 12 :Spectre d’émission de différents alliages semiconducteurs.

Avant de définir la structure d’une diode électroluminescente, un autre paramètre
important est le rendement. On définit plusieurs rendements :
-) Le rendement quantique interne, ηi, qui est le rapport entre le taux de
recombinaisons radiatives et le taux de recombinaisons totales : ηi=rr/r=τnr/(τr+τnr).
Evidemment, les matériaux utilisés pour réaliser une diode électroluminescente ont un
rendement quantique interne ηi≈100%.
-) Le rendement optique, η0, qui est le rapport entre le nombre de photons émis à
l’extérieur de la LED et le nombre de photons créés au niveau de la jonction. En effet, une
partie des photons créés peuvent être réabsorbés dans le semiconducteur et après réflexion à la
surface du semiconducteur. Ce phénomène est caractérisé par l’indice n du matériau . Cet
indice est relativement élevé, n≈3,5, ce qui induit un fort coefficient de réflexion à l’interface
semiconducteur-air et il existe un angle de réflexion totale relativement faible. En oncidence
normale, le coefficient de réflexion est donc de 0,3 et l’angle de réflexion totale est de l’ordre
de θrt=16°40. Pour un angle d’incidence de 16°, on a donc un coefficient de réflexion de 1. Le
θ rt2
rendement optique η0, est donné par la formule η 0 = (1 − R ) où R est le coefficient moyen
4
de réflexion pour θ variant de 0 à θrt. En supposant R = R , on a η 0 ≈ 1 /[n(n + 1)] , ce qui
donne un rendement optique de l’ordre de 1% pour n=3,5. Pour améliorer le rendement, il faut
couvrir le composant par un matériau plastique qui a un indice optique, np, intermédiaire entre
celui de l’air et celui du semiconducteur. Pour np≈1,5 et n=3,5, on obtient un rendement
optique de 4%.
-) Le rendement quantique externe, ηe, est le rapport entre le nombre de photons émis
par la diode et le nombre de porteurs traversant la jonction : ηe=ηi.η0.
-) Le rendement global , η, est le rapport entre la puissance lumineuse émise et la
hν
puissance électrique absorbée : on a η = η e . Une partie de la tension appliquée est perdue
qV
par la résistance série, rs, de la diode et si on note Vd, la tension de diffusion de la diode et
Eg / q
sachant que hν≈Eg, alors on a η = η e .
rs I + Vd
Pour terminer, voici quelques exemples de diodes électroluminescentes :
40
ceci veut dire que si un photon arrive de la jonction vers la surface externe avec un angle supérieure à 16° par
rapport à la normale à cette interface, alors le photon sera renvoyé vers le semiconducteur et a donc toutes les
chances d’être réabsorbé.

La jonction p-n
Matériau Longueur d’onde (Å) couleur

GaAs (dopé Si) 10000 Infrarouge
GaP (dopé Zn ou O) 6990 Rouge
GaAs0,6P0,4(Te)/GaAs 6490 Rouge
GaAs0,65P0,35(S,N)/GaP 6320 Orange
GaAs0,15P0,85(S,N)/GaP 5890 Jaune
GaP (N) 5700 Vert
La figure 13 représente la structure d’une diode électroluminescente orange. On utilise

un substrat de GaP de type n qui assure une bonne conductivité électrique et thermique. La
couche suivante GaAsxP1-x avec x variant de 0 à 0,35 permet d’obtenir un l’accord de maille
entre le substrat en GaP et la couche active de GaAs0,65P0,35. Ensuite, on réalise la région
active (jonction p-n) en GaAs0,65P0,35. La couche de type p fait quelques microns d’épaisseur.
La taille et la forme du contact électrique supérieur est choisie pour assurer à la fois une
bonne homogénéité du courant et une surface émettrice suffisante.
Figure 13 : structure d’une LED orange

Diode Schottky-Contact Ohmique
Diode Schottky- Contact ohmique

Tous les composants électroniques à base de semiconducteurs utilisent les propriétés
des jonctions entre matériaux de même nature (homojonctions) ou de nature diférentes
(hétérojonctions).
Les « matériaux » mis en jeu sont :
-) un semiconducteur éventuellement dopé,
-) un métal,
-) un isolant (un oxyde voire l’air)
I Travail de sortie et affinité électronique :
1) Travail de sortie d’un métal :

Dans un métal, à température nulle, tous les électrons sont situés au dessous du niveau
de Fermi, l’énergie minimale qu’il faut pour extraire un électron du métal vers le vide est
appelé travail de sortie du métal, noté ici qΦ. Lorsque cette énergie a été exactement fournie,
l’électron se retrouve sans énergie cinétique au « niveau du vide » NV. Le tableau suivant
indique que les travaux de sortie des différents métaux usuels sont tous du même ordre de
grandeur de l’ordre de 4.5eV.
Matériau Ni Al Cu Ag Au Pt
qΦ 4.5eV 4.3eV 4.4eV 4.3eV 4.8eV 5.3eV
Niveau duVide
qΦ
EF
Métal
Figure 1 : interface métal-vide : échelles d’énergies importantes
2) Affinité électronique d’un semiconducteur :
Dans un semiconducteur (ou un isolant)41, le niveau de Fermi dépend du dopage et en
plus, il n’y a pas d’électrons au niveau de Fermi, car ce dernier se trouve dans la bande
interdite. Un semiconducteur est alors caractérisé principalement par son affinité électronique
qχ . Le tableau suivant donne des valeurs pour quelques semiconducteurs, l’affinité
électronique varie donc en général entre 3.5 et 4.5 eV. La dernière ligne, qφmax, indique le
41
On rappelle que la différence entre un semiconducteur et un isolant est juste l’ordre de grandeur du gap : pour
des valeurs de gap de l’ordre de 1 à 2 voire 3eV, on parlera de semiconducteur (car à température ambiante, il est
possible d’obtenir des porteurs libres en nombre certes faible mais non complétement négligeable dans la bande
de conduction). Pour des gaps plus élevés, on parle d’isolant (aucun porteur dans la bande de conduction à
température ambiante)

travail de sortie maximal du semiconducteur : sa valeur est égale à la somme de l’affinité

électronique et du gap.
Matériau Si GaAs AlAs InP CdTe ZnS
qχ (eV) 4.01 4.07 3.5 4.38 4.28 3.9
qφmax (eV) 5.13 5.50 5.66 5.65 5.72 7.48
Niveau duVide
qχ
qφmax
BC
BV
Vide
Figure 2 : interface métal-vide : échelles d’énergies importantes
3) Barrière de surface :
Lorsqu’on met en contact deux matériaux42 de natures différentes, il n’y a aucune
raison que les travaux de sortie soient identiques, il apparaît alors une barrière de surface, Eb,
à l’interface entre les matériaux.
Attention, les dessins ci-dessous sont très schématiques et la courbure des bandes
d’énergie du côté du(des) semiconducteur(s) est inexacte.
qφ qχ qχ1 qχ2
BC2
BC Eb
BC1
Eb
BV1
BV BV2
Métal Semiconducteur
Eb=qφ-qχ, Eb=qχ1-qχ2,
Figure 3 : barrières de surface pour une jonction métal-semiconducteur et une jonction semiconducteur-
semiconducteur. L’espace vide entre les deux matériaux est effectivement le vide.
42
on suppose qu’un des deux matériaux est un semiconducteur

II Effet Schottky :
Pour simplifier, on s’intéresse au cas d’un métal. Un électron s’échappant du métal
dont il vient de s’extraire interagit avec ce métal. Si un électron (charge –e) est expulsé, il
laisse un trou de charge +e à la surface. L’effet Schottky correspond au fait qu’un électron
extrait du métal à tendance à y retourner...
L’électron à une distance x de la surface du métal interagit avec sa charge
image dans le métal (charge +e à une distance –x de l’interface ; la force de rappel est ainsi
F=(-1/4πε0)q2/(2x)2, ce qui implique que l’électron se trouve dans un potentiel
W(x)=-q2/(16πε0x). Pour x voisin de zéro, il faut en fait raccorder ce potentiel au niveau de
Fermi du métal :W(0)=-qφ . La figure 4 a) représente cette situation. La barrière de surface est
ici Eb=qφ.
W(x)
a) b)
W(x)
qΦ NV ∆Eb NV
qΦ
EF F E
+q
-q x
x
-x 0 0 force F de rappel vers ce métal,
Figure 4 : a) jonction métal-vide . Unxélectron, arraché du métal est soumis à une
et se trouve placé dans un potentiel W(x). b) nouveau potentiel W(x) si on applique un champ électrique E dans
le vide et pointant vers le métal : au delà d’une certaine distance au métal, l’électron est effectivement arraché du
métal. La ligne pointillé représente le potentiel –eEx supplémentaire qui s’ajoute au potentiel du a).
Une manière d’abaisser la barrière de potentiel est d’appliquer un champ

électrique dans le vide qui pointe vers le métal (ce champ électrique peut être créé par une
zone de charge d’espace d’un semiconducteur par exemple). Dans ce cas, le potentiel est
W(x)=-q2/(16πε0x)-qEx. Cette courbe présente un maximum. La hauteur de la barrière à
franchir est maintenant Eb=qφ-∆Eb. Malheureusement, même pour des champs électriques très
forts, l’abaissement de la barrière est très faible et peut même être négligé43.
Dans la suite, on négligera ainsi la diminution du travail de sortie d’un matériau (métal
ou semiconducteur) en présence d’un champ électrique (quelque soit la source de ce champ
électrique).
Dans tous les composants électroniques à base de semiconducteurs, il se pose la
question fondamentale de la nature du contact entre le composant lui-même (le
semiconducteur) et le monde extérieur (fil métallique ou bien à proximité immédiate du
composant, le plot de contact évaporé à la surface du semiconducteur). Si ce contact est très
résistif, le courant passera très mal et il y a alors risque d’échauffement local, ce qui est très
mauvais pour les performances.
Il faudra ainsi veiller à ce que le contact entre le semiconducteur et le métal déposé
(aluminium en général) soit ohmique c’est à dire très faiblement résistif et non un contact
Schottky très résistif.
43
la maximum du potentiel W(x) se situe en xm=(q/16πε0E)1/2. L’abaissement de la barrière vaut ∆Eb=2qExm.
Pour un champ électrique E=104V/m, l’abaissement de la barrière est de 40meV ! On peut remarquer que si on
remplace le vide par un autre matériau de constante diélectrique ε, l’abaissement de la barrière est encore plus
faible.

D’autre part, la diode Schottky est un composant électronique à part entière qui a des
caractéristiques voisines de la diode p-n si ce n’est une plus grande rapidité de commutation
(meilleur fonctionnement en hautes fréquences).
III Diagramme de bandes d’énergie d’une diode Schottky :
qφs qχ
qφm BC
EFm EFs
BV
Métal
Figure 5 : On approche (par la pensée) un semiconducteur d’un métal. Chaque matériau, considéré
comme indépendant, est caractérisé par son niveau de Fermi et son travail de sortie. Les étoiles indiquent, côté
semiconducteur, les points (en énergie) qui seront inchangés lorsqu’on aura accolé le semicondcuteur au métal.
La ligne pointillée fine horizontale représente la position que doit prendre le niveau de Fermi , lorsque le métal et
le semiconducteur sont accolés.
On met en contact un métal et un semiconducteur. Pour construire le diagramme
énergétique, il y a quelques règles à respecter :
Tout potentiel est une fonction continue : ici, ceci indique que le niveau du vide doit
être continu au niveau de l’interface. De plus, si le niveau du vide est fixé à l’interface, la
position des bas de bande de conduction et haut de bande de valence est aussi fixée en ce
point (cf figure 5).
Le niveau de Fermi est constant tout le long de la structure: ceci implique que si par
exemple on choisit le métal comme référence, il faut, sur la figure 5, « descendre » tous les
potentiels loin de l’interface côté semiconducteur.
La structure de bandes dépend ainsi de la différence qφm-qφs et du type du
semiconducteur.
1) qφm=qφs :
C’est le régime de bandes plates qui sert en fait de référence.
qφs qχ
qφm
BC
EF
BV
Métal
Figure 6 : structure de bandes d’une jonction métal-semiconducteur dans le régime de bandes plates.

2) qφm>qφs :
Exemple d’une jonction Aluminium (qφm=4.3eV) -Silicium :
-) dans du silicium(qχ=4.01eV) dopé n avec 1017 impuretés/cm3,
qφs=qχ+(Ec-EF)=4.01+0.14=4.15eV donc qφm>qφs
-) dans du Silicium dopé p avec 1017 impuretés/cm3,
qφs=qφmax-(EF-Ev)=5.13-0.12=5.01eV donc qφm<qφs44
a) semiconducteur de type n :
Il apparaît une zone de déplétion en surface. La structure de bandes est la suivante :
Niveau du vide
qφs
qφm
BC
EF
BV
Métal
Figure 7 : structure de bandes d’une jonction métal-semiconducteur lorsque qφm>qφs, les étoiles
rappellent les valeurs fixées en énergie à l’interface. Le niveau de Fermi est constant, le niveau du vide est
continu mais NON constant.
A la surface, il apparaît une zone de déplétion où toutes les impuretés sont ionisées
(côté semiconducteur). Dans le métal, il y a accumulation d’électrons à l’interface45.
La structure représentée sur la figure 7 correspond à celle d’une diode Schottky. Le
terme de diode se justifie par le fait qu’à l’interface entre les deux matériaux, il apparaît une
zone de déplétion (ou zone de charge d’espace).
Si on rajoute une tension de polarisation V entre le semiconducteur et le métal (le
métal est pris pour origine des potentiels), la courbure des bandes va évoluer. Si V<0 (figure
8), la courbure des bandes diminue, la barrière semiconducteur-> métal diminue, par contre la
barrière métal->semiconducteur est inchangée. Pour V>0, la courbure des bandes augmente,
la barrière semiconducteur->métal augmente.
44
Ces relations et valeurs numériques peuvent se déduire des diagrammes de ce chapitre ainsi que des formules
et valeurs numériques données dans les chapitres précédents.
45
Pourquoi, y-a-t-il, au voisinage de l’interface, courbure des bandes dans le semiconducteur et pas dans le
métal ? La raison de base est que la densité d’électrons dans un métal est de l’ordre de 1022cm-3 alors que dans un
semiconducteur dopé, elle est au plus de l’ordre de 1018cm-3. Comme nous le verrons plus loin, la largeur de la
zone de charge d’espace, où la densité de porteurs est différente de celle du volume, est inversement
proportionnelle à la racine carrée de la densité de porteurs : sachant que, dans un semiconducteur, cette largeur
est supérieure à 100Å (pour des densités de l’ordre de 1018cm-3), la largeur équivalente dans le métal serait donc
100 fois plus petite, c’est à dire de l’ordre des distances interatomiques. D’où une modification de la densité de
porteurs dans le métal restreinte à la surface du métal.

qφm
V<0
V=0
EF V>0
V +
Figure 8 : évolution du bas de la bande de conduction en fonction du potentiel appliqué entre le
semiconducteur et le métal. Il faut noter qu’à l’interface, le bas de la bande de conduction est à une énergie qui
ne dépend pas de la tension de polarisation.
b) semiconducteur de type p :
Pour un semiconducteur de type p, on a toujours une courbure vers le haut des bandes
d’énergie du semiconducteur au voisinage de l’interface. Par contre, en surface, il y a
apparition d’une région avec des porteurs libres. Le contact métal-semiconducteur est
conducteur, on vient de réaliser un contact ohmique (figure 9).
Niveau du vide
qφs
qφm BC
EF EF
BV
BV
Métal
Métal
Figure 9 : Structure de bandes d’une jonction métal-semiconducteur de type p lorsque qφm>qφs,

la partie grossie à droite élargie la région proche de l’interface. Au niveau de l’interface, côté semiconducteur, le
niveau de Fermi se situe dans la bande de valence, on se retrouve en fait dans la situation d’un métal (plus
exactement d’un semiconducteur dégénéré). Les électrons peuvent facilement passer du métal au semiconducteur
et réciproquement.
Si on applique une tension V entre le semiconducteur et le métal, la situation est
différente. Comme dans le cas du semiconducteur de type n, les choses sont inchangées côté
métal. Côté semiconducteur, à l’interface, les potentiels sont non modifiés, mais la courbure
des bandes est différente plus loin de l’interface (figure 10)46.
46
Pourquoi le haut de la bande de valence n’est-il pas horizontal comme avant ? La raison fondamentale
provient de la résistance de chacune des régions. Dans les jonctions métal-semiconducteur, on peut distinguer 3
régions aux propriétés de conduction différentes : le métal, la région de l’interface côté semiconducteur (région
où les bandes d’énergie sont modifiées même à polarisation nulle), le volume du semiconducteur (où les bandes
sont plates à polarisation nulle). Le métal sera toujours la région la plus conductrice (grâce à une très forte
densité électronique), le semiconducteur en volume est une région assez conductrice mais moins que le métal.
Reste la région intermédiaire : dans la jonction métal-semiconducteur de type n , il y a une zone de déplétion
(sans porteurs libres donc), cette région est donc très faiblement conductrice. A l’opposé, dans une jonction
métal-semiconducteur de type p, cette région est à peu près aussi conductrice qu’un métal normal car le niveau
de Fermi se trouve dans une bande d’énergie et non dans une bande interdite. Lorsqu’on applique une différence
de potentiel entre les deux extrémités de la structure, on peut admettre que cette différence de potentiel
s’applique uniquement aux bornes de la région la moins conductrice (dans les autres régions, la chute de
potentiel est négligeable). Ainsi, dans la jonction métal-semiconducteur de type n, la chute de potentiel ne se
produit qu’aux bornes de la zone de déplétion. Dans la jonction métal-semiconducteur de type p, la région la
moins conductrice est le volume du semiconducteur lui-même, d’où une structure de bandes « inclinée » dans le

V<0
qφm
EF V=0
V +
V>0
Figure 10 : évolution du haut de la bande de valence du semiconducteur de type p en fonction de la
tension appliquée.
3) qφm>qφs :
La situation est exactement inverse à la situation précédente mais la structure de
bandes est similaire à la différence qu’au voisinage de l’interface, les bandes ont une courbure
vers le bas.
Type de la jonction qΦm>qΦs qΦm<qΦs
Métal-semiconducteur de type n Diode Schottky Contact ohmique
Métal-semiconducteur de type p Contact ohmique Diode Schottky
La figure 11 rappelle dans un même tableau les différentes structures de bandes pour
les 4 cas précédents.
volume du semiconducteur. Ce résultat se généralise évidemment à toute structure à base de semiconducteurs

(hétérojonctions ou autres).

Cas qΦ m > qΦ S Cas qΦ m > qΦ S
SC de type n : diode Schottky SC de type n : Contact Ohmique
Niveau du vide Niveau du vide
qφm qφs qφs

qφm
BC BC
EF
BV BV
Métal SC de type n V Métal SC de type n V
qV(<0)
EF qV(<0)
qV(>0) qV(>0)
SC de type p : Contact Ohmique SC de type p : Diode Schottky

Niveau du vide Niveau du vide
qφm qφs qφs

qφm
BC
EF
BV
Métal SC de type p V Métal SC de type p V
qV(<0)
qV(<0)
qV(>0)
qV(>0)
Figure 11 : résumé des diagrammes de bandes d’énergie dans les différents cas possibles et situation en
présence d’une polarisation de la jonction.

IV Caractéristiques d’une diode Schottky :
Comme pour tout composant électronique, nous allons maintenant déterminer les
caractéristiques de la diode Schottky et en déduire la caractéristique courant-tension.
1) zone de charge d’espace :
On supposera qφm>qφs et que le semiconducteur est de type n avec une concentration
Nd de donneurs et de constante diélectrique εs. De la même manière que pour une jonction p-
n, on supposera qu’il apparaît, dans le semiconducteur, à l’interface une région vide de
porteurs libres et de largeur w.
Métal Semiconducteur n
ρ
qNd
Qs x
Qm= -Qs
Ε x
V
Vd
Figure 12 : densité de charge, champ électrique et potentiel d’une diode Schottky métal-semiconducteur
de type n.
quantité x<0 0<x<w x>w
Densité de charge ρ(x) 0 sauf en surface du métal eNd 0
Champ électrique E(x) 0 qN d 0
( x − w)
εs
Potentiel V(x) 0 (référence) qN d C ste = Vd
−
( x − w) 2 + C ste
2ε s
A partir des relations du tableau précédent, on peut exprimer la largeur de la zone de
charge d’espace. Pour cela, on utilise le fait que le potentiel V(x) est continu en x=0 et x=w.
D’après la figure 12, la différence de potentiel qVd correspond en fait également à la

différence entre les travaux de sortie des 2 matériaux : qVd = qφ m − qφ s . D’autre part, la
qN d 2
continuité du potentiel en 0 donne : Vd = w .
2ε s
1/ 2
 2ε 
On en déduit : w =  s (φ m − φ s ) avec Vd = φ m − φ s
 qN d 
Si on rajoute une tension de polarisation V entre le semiconducteur et le métal, la
barrière de potentiel devient Vd-V et la largeur de la zone de charge d’espace devient :
1/ 2
 2ε 
w(V ) =  s (Vd − V ) . On peut alors en déduire la charge d’espace dans le
 qN d 
semiconducteur : Qs (V ) = qN d w(V ) = [2ε s qN d (Vd − V )]
1/ 2
dQ  ε s qN d  ε
1/ 2
 (Vd − V )
−1 / 2
et la capacité différentielle de la jonction : C (V ) = = = s .
dV  2  w
Remarque : en mesurant la variation de 1 / C 2 (V ) en fonction de la tension appliquée V,
on obtient une droite qui permet de mesurer la concentration en donneurs Nd et Vd.
2) Caractéristique courant-tension :
Pour déterminer le courant traversant une diode Schottky, il existe deux modèles qui
aboutissent à des formes générales identiques mais à des valeurs numériques différentes. La
première est basée sur l’émission thermoélectronique des porteurs majoritaires à travers une
barrière de potentiel, la deuxième prend en compte la conduction et la diffusion des porteurs
majoritaires dans le semiconducteur. On peut même associer les deux théories voire tenir
compte de l’effet tunnel à travers la barrière de potentiel, nous ne présenterons que la
première.
A l’interface entre deux matériaux de natures différentes, il y a une barrière d’énergie
à franchir. A T=0, aucun électron ne peut franchir cette barrière. Pour une température non
nulle, certains électrons pourront la franchir grâce à l’activation thermique : c’est l’émission
thermoélectronique.
a) A polarisation nulle :
Le courant de porteurs du métal vers le semiconducteur, JM->SC, équilibre celui du
semiconducteur vers le métal, JSC->M :
J M − > SC = J SC −> M = A*T 2 exp(− Eb / k B T ) où
4πqme k B2 me
A* = = 1.610 6 A.cm −2 K −2 est la constante de Richardson avec me, la
h3 m0
masse effective des électrons et Eb=qVd, la barrière de surface. On peut réécrire les courants
sous la forme :
1/ 2
 k T 
J M − > SC = J SC −> M = qN d  B  exp(−qVd / k B T )
 2πme 

b) A polarisation non nulle :

A polarisation non nulle, la barrière métal vers semiconducteur est inchangée et reste
Eb=qVd. Si on choisit toujours le métal comme référence de tension et on applique une tension
-V47 sur le semiconducteur, la barrière semiconducteur vers métal est abaissée et vaut q(Vd-
V). Le courant total qui circule à travers la jonction est alors :
J = J SC- >M - J M->SC = J se (exp(qV / k B T ) − 1) où
1/ 2
 k T 
J se = qN d  B  exp(− qVd / k B T ) est le courant de saturation. Cette formule
 2πme 
ressemble beaucoup à celle d’une jonction p-n.
3) Quel est l’intérêt d’une diode Schottky ?
La caractéristique courant-tension d’une diode Schottky est très semblable à celle
d’une diode à jonction p-n.
a) courant de saturation ;
Dans une jonction Schottky, tel que Au/Si dopé n, la hauteur de la barrière étant de
0.8eV, le courant de saturation est J se ≈ 10 −7 A.cm −2 .
Dans une jonction p-n avec du Silicium et en supposant la base (région la moins
dopée) de type n : si Nd=1016cm-3, le courant de saturation est : J spn ≈ 10 −10 A.cm −2 , et si
Nd=1018cm-3, le courant de saturation est : J spn ≈ 10 −12 A.cm −2 . On remarque donc que le
courant de saturation est beaucoup plus faible dans une jonction p-n. Ceci est un défaut en
pratique qui peut être compensé par le fait qu’il suffit d’une tension directe V plus faible pour
obtenir un courant donné
b) réponse en fréquence :
Le plus grand intérêt de la jonction Schottky réside dans un bien meilleur
fonctionnement en haute fréquence que pour une jonction p-n. Ceci est lié au fait que dans
une jonction Schottky, ce sont les porteurs majoritaires qui conduisent le courant, alors que
dans une jonction p-n, ce sont les porteurs minoritaires (en plus petit nombre donc). La figure
suivante montre un exemple de la fréquence de coupure dans une diode Schottky pour
différents semiconducteurs. L’amélioration des propriétés en remplaçant le Silicium par
l’Arséniure de Gallium provient de la meilleure mobilité des porteurs dans GaAs (d’où
l’utilisation de GaAs dans les composants haute fréquence).
47
Attention, on écrit –V afin d’obtenir une formule similaire à celle de la jonction p-n. La convention est ainsi
légèrement différente de celle prise dans le I…Par contre, pour une diode Schottky avec un semiconducteur de
type p, on prendra la convention +V. Ceci permet d’écrire dans tous les cas que si V>0, la diode est passante et
que si V<0, elle est bloquée (comme une jonction p-n).

Figure 13 : exemple de variation de la fréquence de coupure haute fréquence48 d’une diode Schottky en
fonction du dopage du semiconducteur pour différents semiconducteurs et diamètre du plot métallique réalisant
la jonction.
V Réalisation d’un contact ohmique :
A l’opposé, il est fondamental de savoir réaliser un contact ohmique c’est à dire une
jonction métal-semiconducteur qui ne soit pas résistive. Le tableau précédent semble indiquer
que la situation est plus ou moins désespérée. Pourtant, la réalisation d’un tel contact ohmique
est relativement simple.
Un bon contact ohmique est un contact qui a une résistance négligeable devant celle
−1
 dJ  k qV
du semiconducteur. Sa résistance, Rc, est définie par R c =   = B* exp( d ) . On
 dV  V = 0 qA T k BT
peut ainsi remarquer que plus la barrière est faible, plus la résistance du contact est faible. Il y
a en fait deux méthodes pour réaliser un contact ohmique:
a) Barrière de Schottky peu élevée :
Pour les semiconducteurs à gaps relativement faibles, et pour des dopages
suffisamment importants, il se peut que la hauteur de la barrière de surface soit faible. Dans ce
cas, la température ambiante est suffisante pour faire passer, quasiment comme s’il n’y avait
pas de barrière, les électrons d’un côté à l’autre de la jonction (figure 14).
BC
BV
Métal Semiconducteur de type n

Figure 14 : Barrière Schottky à faible barrière=contact ohmique.

b) Surdopage en surface :
La méthode la plus courante et la seule possible pour les semiconducteurs à
grand gap est de surdoper localement la surface de manière à ce que la région de déplétion
soit suffisamment faible pour que les électrons puissent passer à travers cette barrière par effet
tunnel. En effet, nous avons vu précédemment que la largeur de la zone de déplétion, w était
inversement proportionnelle à la racine carrée de la densité de porteurs :
Dans le silicium dopé n : pour Nd=1017 cm-3, w=720Å, pour Nd=1019cm-3, w=72Å.
L’allure des bandes d’énergie en surface est représentée sur la figure 15 pour un
semiconducteur de type n et un semiconducteur de type p.
BC
BC
BV
BV
Métal n+ n Métal p+ p
Figure 15 : contact ohmique entre un métal et un semiconducteur. A gauche, semiconducteur de type n,
à droite, semicondcuteur de type p.
48
En électronique, la fréquence de coupure haute est la fréquence au-delà de laquelle les propriétés de la diode
sont fortement dégradées.

Le transistor bipolaire
Le deuxième composant que nous allons étudier est le transistor bipolaire, il est
constitué d’un assemblage de trois régions dopées différemment npn ou pnp d’un même
semiconducteur. Ce composant est le composant actif de base de l’électronique analogique.
I Approche phénoménologique :
Un transistor bipolaire npn ou pnp est constitué de deux diodes à jonction p-n tête-
bêche avec une région commune (figure 1).
Emetteur Base Collecteur Emetteur Base Collecteur
IE IC IE IC
p++ n+ p n++ p+ n
IB IB
VEC VCE
VBC VBE
VEB VCB
Figure 1 : transistors pnp (à gauche) et npn (à droite) ainsi que leurs symboles et les notations utilisées.
Les courants et les tensions vérifient les relations suivantes :
I E = I B + IC (1)
VCE = VCB + VBE (2)
Considérons dans un premier temps, deux jonctions p-n tête-bêche, telles que la base
soit une région large, c’est à dire de largeur grande devant les longueurs de diffusion des
porteurs libres. La structure du transistor est alors la mise en série de deux diodes, une
polarisée en direct laissant passer un courant I élevé et l’autre polarisée en inverse laissant
passer un très faible courant –Is. Dans ces conditions, tout le courant circule dans la base en
provenant de la diode polarisée en direct (cf figure 2). Ce composant n’a aucun intérêt.

IE=I
E B C
IB≈IE
IC=-Is
n p
n
Figure 2 : deux diodes tête-bêches : tout le courant circule dans la base…Les lignes pointillées
représentent l’évolution de la densité de trous en fonction de la position, les lignes pleines celles de la densité
d’électrons (pour un transistor npn). Les densités de porteurs sont tracés en échelle logarithmique. On néglige les
largeurs des zones de charge d’espace.
IE IC≤IE
IB≈0
E B C
n
p
n
Figure 3 : courant total et variation de la densité de porteurs en fonction de la position dans un transistor
bipolaire49. Les lignes pointillées représentent l’évolution de la densité de trous en fonction de la position, les
lignes pleines celles de la densité d’électrons (pour un transistor npn)(profils en échelle logarithmique). On
néglige les largeurs des zones de charge d’espace.
49
On considère dans tout ce chapitre la structure d’un transistor dit « filamentaire », c’est à dire tel que la section
de la jonction émetteur-base est égale à celle de la jonction base-collecteur. Dans la pratique, ceci n’est pas du
tout le cas : la jonction base-collecteur est beaucoup plus large que la section de la jonction émetteur-base.

. Le régime de fonctionnement normal50 d’un transistor est tel que la jonction Base-
Collecteur (B-C) est polarisée en inverse et la jonction émetteur-base (E-B) est polarisée en
direct. L’effet transistor consiste à moduler le courant inverse de la jonction p-n Base-
Collecteur par injection de porteurs minoritaires de la base. Ces porteurs doivent être issus de
l’émetteur par la jonction Emetteur-Base polarisée en direct. Ce fonctionnement nécessite
donc que les porteurs minoritaires de la base issus de l’émetteur ne se recombinent pas avant
d’être transmis dans le collecteur. Ceci implique que la base doit être étroite (au sens défini au
chapitre précédent),c’est à dire que la base à une largeur très inférieure à la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires de la base (figure 3).
Ainsi à partir d’un fort courant direct Emetteur-Base, pour une faible tension
Emetteur-Base, on recueille en sortie au Collecteur, un fort courant51 pour une forte tension
(tension inverse d’une jonction p-n). Le transistor est donc un amplificateur de puissance. Ce
courant de sortie ne dépend principalement que de la tension d’entréeVBE.
Sans entrer dans le détail des calculs, on peut déjà obtenir le courant d’émetteur, IE, et
le courant de collecteur, IC, en fonction des deux tensions VCB et VBE52.
Pour cela, on applique le principe de superposition. On considère ainsi que le
courant total est la somme de deux composantes : la première qui correspond à supposer
VCB=0 (Base et Collecteur court-circuités), la seconde pour laquelle VBE=0 (Base et Emetteur
court-circuités).
a) VCB=0,VBE≠0 :
Le courant d’émetteur est alors celui d’une jonction p-n, polarisée par une tension VBE.
 qV BE


Donc , I E = I sE e k BT
− 1 où IsE est le courant de saturation de la jonction Emetteur-Base. Le
 
 
courant de collecteur, JC est une fraction importante de ce courant d’émetteur : I C = αI E .
b) VCB≠0,VBE=0 :
Le courant de collecteur est alors celui d’une jonction n-p, polarisée par une tension
 qVk BCT 
VCB. Donc, I C = − I sC  e B − 1 où IsC est le courant de saturation de la jonction Base-
 
 
Collecteur. Le courant d’émetteur, IE est une fraction importante de ce courant de collecteur :
I E = αi IC .
c) courant total :
En appliquant le théorème de superposition, on a donc :
  qVk BET   qVk BCT 

 I E = I sE e B
− 1 − α i I sC  e B − 1

    
   
 (3)
  qVBE
  qVBC

 k B T − 1 − I  e k B T − 1
 I C = αI sE  e  sC  
    
50
Dans la suite, on se placera toujours dans ce régime, dans la suite de ce chapitre, le terme de régime normal
correspondra à cette situation.
51
environ le même que celui issu de l’émetteur
52
On en déduit évidemment le courant de base à partir de la relation (1) et la troisième tension à partir de la
relation (2).

Ces deux équations forment ce qu’on appelle les équations d’Ebers-Moll. α est le
gain en courant du transistor à tension Collecteur-Base nulle. αi est le gain en courant à
tension émetteur-base nulle. On utilise souvent le rapport β=IC/IB dans les montages à
émetteur commun (Emetteur connecté à la masse) on obtient alors en régime normal
β = α /(1 − α ) . Sachant que α est proche de 1, le nombre β peut être très grand, il peut
dépasser 100.
II Réseaux de caractéristiques :
1) Schéma équivalent :
Le schéma « grands signaux » le plus utilisé pour le transistor bipolaire est celui
d’Ebers-Moll et correspond à l’application directe des équations d’Ebers-Moll (figure 5). Il
faut savoir qu’il existe beaucoup d’autres modèles décrits dans les cours d’électronique.
E C
JE JC
αiJC B αJE
Figure 5 : Modèle d’Ebers-Moll équivalent d’un transistor bipolaire.
Le modèle d’Ebers-Moll a l’avantage d’être simple et de représenter les différents

régimes de fonctionnement.
2) Régimes de fonctionnement d’un transistor bipolaire :
Les jonctions Emetteur-Base et Base-Collecteur peuvent être polarisées en direct ou en

inverse. On obtient ainsi quatre régimes de fonctionnement :
Régime Jonction Base-Emetteur Jonction Base-Collecteur

normal direct Direct Inverse
normal inversé Inverse Direct
saturé Direct Direct
bloqué Inverse Inverse

3) Montage émetteur commun :

Nous ne traiterons que le cas du montage à émetteur commun et qui correspond à une
mise à la masse de l’émetteur (figure 6).
IC
IB
VCE
VBE
IE
Figure 6 : montage émetteur commun.
On peut remarquer sur le schéma de la figure 6, 2 tensions différentes et trois courants.

Tracer le réseau de caractéristiques revient en fait à représenter certaines quantités en fonction
d’autres. Pour simplifier, nous allons considérer la caractéristique la plus importante,
IC=f(VCE) à IB constant.
Ces caractéristiques s’obtiennent à partir des équations d’Ebers-Moll et des différentes
relations entre courants et entre tensions de la figure 6 (ou de la figure 1) :
  qVk BET   qVk BCT 

 I E = I sE e B
− 1 − α i I sC  e B − 1

    
   

  qVBE
  qVBC

 I C = αI sE  e k BT − 1 − I sC  e k BT − 1 (4)
    
   

− I E + I B + I C = 0
V + V + V = 0
 BE EC CB
Dans le régime normal direct, tel que VBE>>kBT/q et -VBC>>kBT/q, on obtient à partir
des relations (4) :
 qVBE
 I E = I sE e B
k T

 I C = αI E = βI B
 (5)
 I B = (1 − α ) I E
 α
β =
 1−α
Dans ce régime normal direct, on remarque que Ic est indépendant de VCE, donc la
caractéristique est horizontale. En fait, à cause de l’effet Early53, β=β0+K VCE. Le gain en
courant dépend donc de VCE. K est une constante et la caractéristique à forte tension est plutôt
croissante (cf figure 7).
Dans le régime normal inverse (figure 7 à gauche), le résultat est semblable.
53
L’effet Early provient du fait que les largeurs des zones de charge d’espace et donc les largeurs des régions
neutres Emetteur, Base et Collecteur dépendent des tensions de polarisation.

Dans le régime saturé, lorsque VBE>>kBT/q et +VBC>>kBT/q, le courant IC s’annule

quelque soit la valeur de IB, pour une valeur de VCE=VCE0 :
k T I
VCE 0 = B ln( sC ) (6)
q αI sE
Toutes les caractéristiques passent par cette tension seuil qui est de l’ordre de 50mV.
Ce régime correspond aux régions intermédiaires de la figure 7 où la variation de Ic est
notable.
IC
IB
VCE
VCE0
Figure 7 : caractéristique IC=f(VCE) du montage émetteur commun.

Capteur à effet Hall
Le capteur à effet Hall permet de mesurer un champ magnétique créé par un aimant. Il
sert dans….
I Effet Hall :
Qu’est-ce que l’effet Hall ? C’est le fait que si on plonge un échantillon dans un
r
champ magnétique B orienté selon Oz et qu’on applique un courant I dans la direction Ox,
alors il apparaît une différence de potentiel selon Ox ET une différence de potentiel selon Oy,
cette dernière est proportionnelle à l’intensité du champ magnétique.
Nous avons vu jusqu’à présent qu’une quantité importante qui caractérisait un matériau est sa
densité de porteurs électronique notée n. Avoir beaucoup de porteurs est une chose mais si ces
électrons ne peuvent pas bouger, cela ne sert pas à grand chose, on voit ainsi apparaître une
deuxième quantité fondamentale qui est la mobilité des porteurs notée µ.
Ces deux quantités sont fondamentales et doivent être connues pour tout matériau dès sa
synthèse en vue d’applications éventuelles dans le domaine du transport du courant. Il nous
faut donc trouver deux quantités physiques mesurables qui vont dépendre de la mobilité ou
bien de la densité de porteurs (ou des deux). Ces techniques sont la mesure de la résistivité et
l’effet Hall.
1) La loi d’Ohm :
Nous allons reprendre un exercice classique qui consiste à calculer la vitesse d’un
électron supposé particule soumis à un champ électrique E qui sera supposé uniforme. Nous
allons utiliser un traitement hydrodynamique du fluide chargé : l’électron vérifie la relation
fondamentale de la dynamique et on obtient le résultat trivial suivant : l’accélération de
q
l’électron est54 a = E . Si on intègre, on obtient la vitesse de l’électron, cependant, on voit
m
que si on faisait cette intégration, la vitesse tendrait vers l’infini au bout d’un certain temps.
Ceci n’est pas réaliste et en fait, il faut tenir compte que l’électron subit des chocs dans son
déplacement dans le matériau. On note τ, le temps moyen entre deux collisions. Cette échelle
de temps porte différents noms dans la littérature : temps libre moyen, temps de relaxation ou
temps de collision. Ce temps de collision oblige à rajouter dans la relation fondamentale de la
dynamique un terme -mv/τ dans la somme des forces qui est donc un terme de frottements (ou
de viscosité pour rester dans l’hydrodynamique). La relation fondamentale de la dynamique
devient :
dv v
m = − m + qE (2)
dt τ

à une dimension, cette équation différentielle du premier ordre se résout et on obtient :

qτ
v=
m
(
E 1 − e−t / τ ) qui ne tend plus vers l’infini aux temps longs. En général, le temps de
collision est très court et dépasse rarement 1ps(=10-12s). La vitesse moyenne acquise par un
qτ
électron est v D = E et s’appelle vitesse moyenne ou vitesse de dérive. On en déduit alors
m
nq 2τ
la densité de courant J = nqv D = E , c’est à dire la loi d’Ohm. Par conséquent, la
m
conductivité du matériau, σ, est :
nq 2τ  qτ 
σ = = (nq)  = nqµ (3)
m m
c’est la formule de Drude. La conductivité est ainsi le produit de la densité de charge
(nq) et de la mobilité (µ). On peut ainsi croire que augmenter la conductivité d’un matériau
revient à augmenter la densité de porteurs libres (n) et la mobilité et qu’on peut ainsi obtenir
des conductivités quasi-infinies. Le problème n’est pas aussi simple car si on augmente
fortement n, alors les électrons subissent des chocs entre eux et la mobilité diminue ! (cf cours
de Physique des composants).
Une autre quantité connue qui découle du temps de relaxation est le libre parcours
moyen l=vDτ. Dans la plupart des cas, le libre parcours moyen est assez court et vaut quelques
angströms voire nanomètres, il dépasse très très rarement un micron.
2) L’effet Hall :
On peut compliquer le modèle précédent en rajoutant maintenant un champ
magnétique…Pour le simplifier un peu, nous allons supposer que nos électrons sont confinés
dans un plan xy et que le champ magnétique est appliqué perpendiculairement à ce plan selon
la direction z (cf figure 4). Il suffit de rajouter à la relation (2) la force magnétique : qv∧B.
Pour simplifier encore le calcul, on suppose que le régime permanent est atteint (les vitesses
sont constantes). On peut alors calculer les composantes Ex=E (champ appliqué) et Ey du
champ électrique sachant qu’il n’y aucun courant qui circule selon y : vy=0. On en déduit
que :
J
J = σE , E y = vD B = B (4)
nq
Ainsi ces formules (4) (cf TD et TP Matériaux) montrent que dans la direction x, on
retrouve les résultats précédents et que le champ magnétique n’a aucune influence. Par contre,
54
On note q la charge de l’électron, l’autre notation possible est e.

si on mesure la tension transverse, il apparaît une tension, dite tension de Hall et une
B
résistance de Hall qui vaut RH = .
nq
3) Mesure de la mobilité et de la densité de porteurs :
Les résultats du modèle hydrodynamique précédent montrent que la conductivité
‘longitudinale’55 est donnée par la formule de Drude : σ = nqµ et que la résistance
B
‘transverse’ est RH = .
nq
Ainsi en mesurant la résistance transverse, on peut connaître le type des porteurs (trous
ou électrons, cf cours Physique des composants) selon la pente (croissante ou décroissante) de
la droite RH(B). La pente de la droite permet alors de mesurer la densité de porteurs56.
Pour obtenir la mobilité, il ne reste plus qu’à mesurer la conductivité longitudinale et
utiliser la valeur de la densité mesurée par effet Hall.
4) Caractérisation des semiconducteurs :
Pour caractériser un semiconducteur, malgré son gap, on utilise la même technique
que précédemment (mesures de conductivité et d’effet Hall). Ceci est fondamental pour
connaître le dopage d’un semiconducteur et la mobilité des porteurs : ces quantités sont à la
base de toutes les caractéristiques électriques d’un composant électronique (cf cours physique
des composants). Il existe d’autres techniques spécifiques à ces matériaux
5) Caractérisation des isolants :
Dans un isolant, la densité de porteurs libres est à peu près nulle ainsi que la mobilité
de ces rares électrons susceptibles de se mouvoir. Pour caractériser un isolant, il faut trouver
autre chose. Les isolants font en fait partie des diélectriques et leur rôle est différent même si
il y a isolant et isolant, c’est à dire que selon l’isolant que l’on choisit, on aura un isolant
parfait ou un isolant avec un courant de fuite non négligeable.
Ainsi, si on ouvre un catalogue de composants électroniques, on trouvera des
condensateurs papier, avec du téflon, de l’électrolyte, du mica, du Tantale… Le matériau
indiqué est isolant mais donne certains avantages pour des applications spécifiques. Ce qui
caractérise un isolant est maintenant plutôt sa constante diélectrique εε0 où ε0 est la
permittivité du vide et ε la permittivité relative du matériau57 : ε vaut 1 dans le vide, est
55
longitudinale = le long des lignes de champ électrique, transverse= perpendiculairement à ces lignes de champ
électrique.
56
Dans un même matériau il peut y avoir à la fois des porteurs de charges positives et des porteurs de charges
négatives, les formules se compliquent alors…
57
la permittivité relative est maintenant souvent notée κ dans la littérature.

légèrement supérieur à 1 dans l’air , vaut 4 pour la silice (SiO2), 9 dans l’alumine (Al2O3) et
peut atteindre 4000 voire plus dans SrTiO3. Ces constantes diélectriques élevées sont utilisées
pour pouvoir stocker plus d’énergie (la capacité d’un condensateur est proportionnelle à la
constante diélectrique de l’isolant entre les armatures du condensateur d’où l’utilisation de
capacités électrochimiques pour les blocs alimentations des appareils électroniques car on
peut obtenir des valeurs élevées de capacité58).
Un condensateur est certes caractérisé par la valeur C de sa capacité mais aussi par son
terme de pertes noté « tanδ ». Ce terme de pertes traduit le fait qu’un isolant n’est jamais
parfait et qu’un courant dit courant de fuite peut le traverser si on applique une différence de
potentiel à ces bornes : la résistance d’un isolant n’est jamais infinie, elle est très élevée et est
R
notée R dans ce paragraphe : tan δ = 59
. Un isolant parfait correspond à tanδ=∞. Ces
Cω
« fuites » proviennent d’impuretés incluses dans l’isolant : ces impuretés vont favoriser le
passage du courant contrairement au cas d’un métal. Le passage du courant se fera par saut
d’un électron d’une impureté à l’autre jusqu’à la sortie du diélectrique : ce mécanisme de saut
est donc totalement différent de celui de la conduction dans un métal. Ces impuretés sont en
effet des impuretés souvent chargées ( par exemple, Na+ ou K+ dans une mauvaise couche de
silice, SiO2 ) et qui peuvent d’ailleurs en plus migrer dans l’isolant.
D’autre part, ces condensateurs pourraient supporter des champs électriques infinis et
stocker une énergie considérable : dans la pratique, cela n’est pas le cas à cause de ces
impuretés et d’un phénomène de type ionisation qui se produit aux forts champs électriques :
à faible champ électrique, il existe un courant de fuite très faible quasi négligeable.
Cependant, si le champ électrique dépasse une valeur caractéristique dit champ de claquage
(breakdown field en Anglais), le courant augmente brutalement de plusieurs ordres de
grandeur. Cet effet est en général irréversible et détruit totalement le condensateur60.
58
On peut obtenir des capacités de l’ordre de 1mF ( milliFarad).
59
On remarquera que le terme tanδ dépend de la fréquence et à tendance à se dégrader à haute fréquence ! ( à ne
pas oublier en électronique, il faudra donc bien choisir son type de condensateur pour éviter de mauvaises
surprises en haute fréquence, par exemple, on évitera soigneusement les capacités électrochimiques pour faire de
la haute fréquence…).
60
Le courant ne traverse pas l’isolant de manière homogène : il passe par certains chemins et ce à la manière de
la foudre entre un nuage et le sol qui servent de plaques de condensateur au diélectrique, l’air, qui est entre les
deux. Si le champ électrique entre les deux parties, est suffisamment élevé un « éclair » traverse le diélectrique et
détruit tout sur son passage car l’énergie stockée juste avant le claquage se libère en chaleur (le matériau est
isolant thermique aussi, voir plus loin) et ce de manière très locale, il peut y avoir fusion de l’isolant et des
armatures localement. Les impuretés ou défauts dans l’isoalnt favorisent ce phénomène : ils sont équivalents aux
paratonnerres ou bien aux arbres pour un orage (effet de pointe).

Outre les condensateurs, et même si cela revient au même, une application importante
des isolants est la réalisation des transistors à effet de champ (cf cours Physique des
composants) qui sont la brique élémentaire de tous les composants informatiques ( de la
simple porte logique au microprocesseur le plus moderne qui contient un grand nombre de
milliards de ces ‘briques’) et qui représentent plus de 98% du marché mondial de
l’électronique !
Il ne faut donc pas négliger les propriétés des isolants qui seront à l’avenir de la même
importance industrielle que les propriétés des métaux ou des semiconducteurs61.
61
Une petite anecdote : comme cela sera vu en cours de physique des composants, le silicium est un
semiconducteur qui a des propriétés électriques très moyennes et très inférieures en tout cas à d’autres
semiconducteurs comme GaAs par exemple. Mais alors pourquoi tous les composants (ou presque) utilisent du
silicium ? Grâce à la silice, SiO2 ! ! ! Dans un process industriel, il faut dominer toutes les étapes de réalisation et
on sait faire une excellente silice (elle pousse à partir du substrat lui-même !) et qui aura les bonnes propriétés
pour faire des transistors à effet de champ, ce qui est beaucoup plus difficile avec les autres semiconducteurs.
Néanmoins, même si actuellement, la silice semble atteindre ses limites et on cherche des remplaçants (cf MRS
Bulletin, Mars 2002), la technologie Silicium a de beaux jours devant elle

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IFIPS Cycle ingénieur 1ère année

Physique des composants

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 3

Propriétés des semiconducteurs

L’objet de ce chapitre est de présenter les matériaux semiconducteurs, leurs propriétés

I Les matériaux semiconducteurs :

La figure 1, ci-dessous, représente une partie de la classification périodique des

2) Les matériaux semiconducteurs :

Les matériaux semiconducteurs sont constitués par :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 5

-) des « semiconducteurs III-V » : ils sont obtenus en assemblant des éléments de la

2) Structure cristalline des semiconducteurs :

Les semiconducteurs précédemment cités cristallisent tous selon la structure blende

Figure 2 : structure diamant du silicium

Figure 3 : structure blende

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 6

3) Structure de bandes des semiconducteurs :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 7

En observant, les structures de bandes de la figure 4, on peut remarquer que :

II Masses effectives des porteurs :

1) Masse effective des électrons-Approximation parabolique :

Au voisinage du minimum de la bande de conduction, on peut effectuer un

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 8

Figure 5 : schématisation de la notion de trou.

Dans la bande de valence, il y a une petite difficulté supplémentaire. Il y a en fait deux

Voici quelques exemples de semiconducteurs avec la valeur du gap et des masses

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 9

Matériau Si GaAs GaP InP ZnS InSb

me/m0 1,06 0,066 0,78 0,073 0,28 0,012

III Peuplement des bandes d’énergie :

Figure 6 : statistique de Fermi-Dirac.

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 10

3) Densité d’états dans une bande d’énergie :

Connaissant, la probabilité d’occupation d’un état, on va pouvoir décompter le nombre

4) Concentration d’électrons dans la bande de conduction :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 11

où N c = 2  est la densité d’états effective de la bande de conduction.

De la même manière, on peut calculer la concentration de trous dans la bande de

où N v = 2  est la densité d’états effective de la bande de valence.

6) Représentation schématique du peuplement des bandes d’énergie :

La figure suivante représente la densité d’états des bandes de valence et de conduction,

7) Densité intrinsèque de porteurs d’un semiconducteur :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 12

Semiconducteur Si GaAs GaP InP ZnS InSb12

8) Niveau de Fermi dans un semiconducteur intrinsèque :

A partir de la relation n=p=ni dans un semiconducteur intrinsèque, on peut en déduire

où qφ Fi = E F − E Fi . Ces équations se réduisent à n=ni, p=ni pour un semiconducteur

IV Dopage d’un semiconducteur :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 13

On introduit dans le réseau du Silicium, des impuretés d’un élément de la colonne V

Figure 8 : Représentation schématique de l’insertion d’atomes donneurs ou accepteurs dans le réseau du

3) Densités d’électrons et de trous :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 14

Ces relations se simplifient dans tous les cas pratiques :

Pour un semiconducteur de type n : N D − N A >> ni : n ≅ N D − N A p = ni2 /( N D − N A )

4) Niveau de Fermi d’un semiconducteur dopé :

A partir des relations (10) et (12), et de (20), on en déduit que :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 15

5) Représentation schématique du remplissage des bandes d’énergie :

On représente successivement les 3 cas suivants : un semiconducteur intrinsèque (cf

V Transport électronique dans un semiconducteur :

Cours Semiconducteurs IFIPS Electronique/Matériaux S6; C.Pasquier 16

-) le courant de diffusion qui apparaît si il existe dans le composant un gradient de