ANALYSE D’UN AMPLIFICATEUR POUR ANTENNE DE TELEVISION1

On se propose d’analyser un montage destiné à amplifier le signal fourni par une antenne
de télévision (fréquence de l’ordre de 500 MHz). En effet, cette antenne est située dans une région
trop éloignée de l’émetteur pour obtenir une réception de l’image et du son dans de bonnes
conditions. Aussi, l’amplificateur proposé permettra de palier à cet inconvénient.

PARTIE 1 : ADAPTATION EN PUISSANCE DU SIGNAL

DELIVRE PAR L’ANTENNE

Le signal délivré par l’antenne, véhiculé par un câble blindé, est assimilable à un
générateur sinusoïdal indépendant eg de résistance interne RG de 75Ω .
Sachant que le signal eg possède une valeur efficace eg eff de valeur faible (inférieure à 100 µV), il
est nécessaire de prévoir son adaptation en puissance. À cet effet, on donne en figure 1 le schéma
du générateur eg, Rg chargé par une résistance R variable.
75 Ω
RG
+
eg
ve R
-

Figure 1

1. Déterminer en fonction de e R et R, l’expression de la puissance efficace P qui est

g (eff), G eff

reçue dans la résistance R.

2. On désire que la puissance efficace P soit maximale. Calculer d’abord la dérivée de la

eff

puissance par rapport à R soit :

dP eff
dR
Puis, en déduire la relation simple qui relie alors les résistances R et R. Faire l’A.N.
G

PARTIE 2 : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR

Le schéma complet du montage amplificateur est donné en figure 2. La tension

d'alimentation est fixée à V = 5V et la température de fonctionnement est de 25 °C. Les deux
CC

transistors NPN sont identiques avec un gain en courant β = 200. On négligera leur résistance
dynamique r . ce

A – ETUDE DE LA POLARISATION

1. Dessiner le schéma d’étude en régime continu.

2. Montrer que la tension VC1E1 du transistor T1 est sensiblement de1,2V.

1
Ph.ROUX © 2009 rouxphi3.perso.cegetel.net

1
3. On supposera que les courants de base de T1 et T2 sont suffisamment faibles pour êtres
négligés devant les courants de collecteur. En déduire la valeur du courant de repos IC1 du
transistor T1.

4. Calculer la valeur des tensions VE1M , VE2M et VC 1 M qui seront reportées sur le schéma
précédent. En déduire la valeur du courant de repos IC2 du transistor T2. Calculer la valeur
du potentiel VC2M.

+ VCC = +5 V

6,8 KΩ

75 Ω
RC1 RC2

IC2 1 nF
IC1
C2
C1 B2 CL2
T2

CL1 T1 E2
RG B1 vs

75 Ω
75 Ω RU
E1
+ 1 nF
1,8 KΩ
4,7KΩ

eg ve R E1 RE2
- 1 µF Cd

Figure 2 : schéma de l’amplificateur.

5. Ce montage sera fabriqué en grande série. On implantera sur chaque circuit imprimé des
transistors donc le gain en courant β sera compris entre 200 et 500. Montrer que dans tous
les cas les hypothèses faites à la question A3 sont justifiées.

B – ETUDE DYNAMIQUE AUX PETITES VARIATIONS

On supposera qu’aux fréquences de fonctionnement du montage, les condensateurs sont

équivalents à des courts-circuits. Le gain en courant des transistors est fixé à 200.

1. Déterminer le type de montage amplificateur relatif à chaque transistor. Que peut-on dire du
signe du gain du montage complet ?

2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations du montage complet. On utilisera le

schéma en « gm1 vbe1 » pour T1 et « gm2 vbe2 » pour T2. On rappelle que les résistances rce1 et
rce2 sont négligeables. Il est conseillé de faire et de nommer des regroupements de
résistances.

3. Calculer les paramètres dynamiques petits signaux de chaque transistor :

Transistor T1 rbe1 gm1

Transistor T2 rbe2 gm2

4. Déterminer l’expression du gain en tension de l’amplificateur : Av = vs/ve. Faire l’A.N.

2
5. En déduire la valeur du gain en tension à vide AV0.

6. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re du montage, vue par le générateur

d’excitation eg, RG. Faire l’A.N.

7. L’entrée de l’amplificateur est telle conforme au cahier des charges à savoir adaptation en
puissance du générateur d’excitation ? Commenter.

8. En utilisant la méthode habituelle de «l’ohmmètre» dessiner le schéma qui permet de

déterminer la résistance de sortie RS du montage vue par la résistance d’utilisation RU.

9. Déterminer l’expression de la résistance de sortie RS vue par la résistance d’utilisation RU et

faire l’A.N. La sortie de l’amplificateur est telle aussi adaptée en puissance. Déterminer le
gain en puissance du montage exprimé en dB.

11. On se place maintenant à une fréquence f = 1 MHz où l’impédance des condensateurs de

liaisons n’est pas négligeable. Cependant à cette fréquence, le condensateur de découplage
est encore un court-circuit. Déterminer, dans ces conditions, l’atténuation en dB du gain du
montage complet provoqué par les capacités de liaisons. Faire le schéma permettant ce faire
cette analyse.

3
 CORRECTION

PARTIE 1 : ADAPTATION EN PUISSANCE DU SIGNAL

R
1. Expression de la puissance efficace P : Peff = ( egeff ) 2
( RG + R ) 2
eff

dPeff R −R
2. Calculons la dérivée de la puissance efficace par rapport à R : = ( egeff ) 2 G
dR ( RG + R ) 3
Cette expression est nulle pour R = RG = 75Ω. La puissance efficace est alors maximale.

PARTIE 2 : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR

A – ETUDE DE LA POLARISATION

1. Schéma d’étude en régime continu.

+ VCC = +5 V
6,8 KΩ

75 Ω

RC1 RC2

IC1 IC2
C2
C1 T2

V BE2
T1 2,15V
E2
E1 V BE1 IC2
1,8 KΩ
4,7KΩ

RE1 1,55V RE2

2. Montrer que la tension VC1E1 du transistor T1 est sensiblement de1,2V.

VCE1 = VBE2+VBE1 = 1,2 V.

3. Valeur du courant de repos IC1 du transistor T1.

La résistance RE1 est parcourue par le courant IC1.

VCE 1 = − RC 1 IC 1 + VCC − RE 1 IC 1
On en déduit : IC1 = 330 µA.

4. Tension VE1M = RE1 IC1 = 1,55 V VE2M = 2,15 V VC1M = 2,75 V IC2 = 1,19 mA.

4
 + VCC = +5 V

6,8 KΩ

75 Ω
RC1 RC2

IC1 IC2

C2
C1 T2

V BE2
T1 2,15V
E2
E1 V BE1 IC2

1,8 KΩ
4,7KΩ RE1 1,55V RE2

5. Avec β = 200 les courants de base : IB1 = 1,65 µA et IB2 = 5,6 µA, sont négligeables
devant le courant de collecteur (à fortiori pour β = 500).

B – ETUDE DYNAMIQUE AUX PETITES VARIATIONS

1. T1 est monté en base commune (entrée sur l’émetteur, sortie sur le collecteur et gain
positif) . T2 est monté en émetteur commun ( entrée sur la base et sortie sur le collecteur
et gain négatif). Le gain du montage complet sera négatif (sortie en opposition de phase
avec l’entrée).

2. Schéma équivalent aux petites variations.

gm1 vbe1
E1 C1 B2 C2

RG
+
eg
ve RE1 rbe1 vbe1 rbe2 RC1 vbe2 gm2 vbe2 RC2 Ru vs
-
B1
Req1 Req2 E2 Req3

3. Calcul des paramètres.

Transistors T1 T2
Résistance base-émetteur rbe1 = 15,15 kΩ rbe2 = 4,2 kΩ
Transconductance gm1 = 13,2 mS gm2 = 47,6 mS

4. Expression du gain en tension de l’amplificateur : Av = vs/ve.

v e = − v be 1 v be 2 = − gm 1v be 1 Req 2 v s = − gm 2 v be 2 Req 3

vs vs
= − gm 1 gm 2 Req 2 Req 3 A.N. = −61, 26
ve ve
5
 5. Gain à vide c’est à-dire sans Ru : Av0 = -122,5.

ve
6. Schéma du montage : Re =
ig
gm1 vbe1
ig E1 C1 B2 C2

RG
+
ve RE1 rbe1 vbe1 rbe2 RC1 vbe2 gm2 vbe2 RC2 Ru vs
eg
-
B1
Req1 Req2 E2 Req3

v e = ( ig + gm 1vbe 1 )Req 1 avec : v e = − v be 1

Req 1
Re =
1 + gm 1 Req 1
Re = 74,2 Ω

7. L’entrée est adaptée en puissance, en effet : Re = Rg.

8. Schéma qui permet de déterminer la résistance de sortie RS du montage.

gm1 vbe1
E1 C1 B2 C2

RG i
+
ve RE1 rbe1 vbe1 rbe2 RC1 vbe2 gm2 vbe2 u
-
RC2
B1
Req1 Req2 E2

9. Méthode : faire eg nulle, enlever Ru et mettre à sa place un générateur u délivrant un

courant i : Rs = u/i.
vb e 1
Equation au nœud E1 : − − gm 1v be 1 = 0 .
RG // Req 1
Cette relation a pour solution : vbe1 = 0. En conséquence la tension de commande vbe2 est
nulle entraînant alors un générateur de courant dépendant : gm2vbe2 = 0.

u
On a donc : Rs = = RC 2 = 75 Ω La sortie est alors adaptée en puissance.
i

Re
Gain en puissance : A p = ( Av )
2
soit 71,5 dB.
Ru

6
10. Schéma tenant compte des capacités de liaisons.

CL1 CL2

Rg + Rs
+
eg ve Re [A v0] ve vs Ru
- -

Le gain du montage complet se met sous la forme :

vs v 1 1
= [ s ] fréqmoy [ ][ ]
eg eg f ce f cs
(1 − j ) (1 − j )
f f
Avec :
vs Re Ru
• [ ] fréqmoy = Av0
eg ( Rg + Re )( Rs + Ru )
1
• f ce =
2π ( Rg + Re )CL 1
1
• f cs =
2π ( Rs + Ru )CL 2

Dans ces conditions, l’atténuation en dB du gain du montage complet provoqué par les
capacités de liaisons s’exprime selon :

dB
v v f ce 2 f
At ( dB ) = s − s = −10 log( 1 + ( ) − 10 log( 1 + ( cs ) 2
eg eg f f
dB fmoy

Ici les valeurs des résistances et des condensateurs sont tels que : fce = fcs = 1MHz.
L’atténuation totale est alors de –6 dB.