CDRF Indp2 Systel 2017

École Supérieure des Communications
Ingénieurs en Télécommunications, 2ère année

Dominante: Systèmes des Télécommunications (SYSTEL)
Circuits et dispositifs RF
Rim Barrak
Maître Assistante
Rim.barrak@supcom.tn
1 © SUP’COM, Mars-Mai 2017

R. Barrak, Circuits et dispositifs RF, INDP2 SYSTEL, @SUP’COM
Système de communication radio
Information Radio channel

Signal processing Signal processing Information
Voice Coding A/D conversion
Data reconvery
Modulation Demodulation
Image D/A conversion Decoding
Video
RF devices Supports de
transmission :
• Cables coax
•Guides d’ondes
• lignes micro-ruban
Circuits passifs:
• Filtres
• Déphaseurs
• Coupleurs
Circuits actifs:
• Amplificateurs
• Mélangeurs
2 • Oscillateurs
Architecture hétérodyne
Problème image
3
Régimes de fonctionnement des circuits RF
Spectre à la sortie d'un système non linéaire

4
Objectifs du cours
A l'issue de cet enseignement, les élèves-ingénieurs seront en mesure de:
Comprendre l’utilité des circuits RF dans les systèmes de transmission radio
Comprendre les régimes de fonctionnement linéaire et non-linéaire des circuits RF
Analyser les paramètres caractéristiques des circuits RF
Comprendre les méthodes de simulation et manipuler un outil de CAO de circuits RF
Concevoir des circuits RF passifs (filtres, coupleurs etc)
Concevoir des circuits RF actifs (Ampli RF, LNA, PA, etc)
Méthode d’enseignement
Ce module comporte des exposés théoriques , des travaux dirigés et des projets
Mode d’évaluation
Projets (40%) / examen (60%)
5
Programme
Séance Programme VH
Séance 1 - Rappel sur les lignes de transmission et les
paramètres S 3H
Séance 2 - Composants et circuits passifs 3H
Séance 3 TD filtre RF 3H
Séance 4 - Notions liées à la conception des 3H
amplificateurs linéaires
Séance 5 - Amplificateurs à faible bruit LNA 3H
- Amplificateurs de puissance PA
Séance 6 TD LNA 3H
Séance 7 - Mélangeurs de fréquences 3H
- Oscillateurs RF
6
Paramètres S
7
Propagation sur une ligne
• Si L << λ, le courant est constant sur la ligne à un instant donné stationnaire
• Lorsque L >>λ, les lois classiques de l’électricité (Lois de Kirchoff) ne s’appliquent plus
et le courant varie tout au long de la ligne propagation
Une ligne de transmission est une paire de conducteurs dans un milieu isolant avec une
géométrie transversale uniforme sur toute la longueur. Sur une structure à deux
conducteurs, un mode TEM peut se propager.
La direction de propagation est rectiligne (direction longitudinale z). Lors du déplacement
dans cette direction la géométrie et les propriétés des matériaux sont supposées
constants.
8
Modélisation de la ligne
Les conducteurs ayant des pertes ohmiques sont décrits par une résistance série,
proportionnelle à la longueur (R dx).
• Les deux conducteurs, placés face à face, et séparés par un isolant, se comportent
comme un condensateur dont la capacité est proportionnelle à la superficie des
électrodes face à face : (C dx).
• Les courants qui circulent dans les fils créent des champs magnétiques qui engendrent
un flux magnétique entre les deux fils. Ceci est modélisé par une inductance série (L dx).
• Le diélectrique séparant les deux conducteurs n’est pas parfait, un courant de fuite
pourra circuler entre ceux-ci. Ce qui engendrera des pertes modélisées par une
résistance parallèle ou une conductance (G dx ).
i(x) i(x+dx)
Ldx
Rdx
v(x) Cdx v(x+dx)
Gdx
Pertes dans les conducteurs Paramètres primaires Pertes dans les diélectriques
L : inductance linéique H/m G : conductance linéique S/m
R : résistance linéique Ω/m C : capacité linéique F/m
9
Equations de Télégraphiste
Tension Courant
.
∂ i( x ,t ) ∂ v( x ,t )
v(x,t ) = Ldx + Rdx⋅ i(x,t ) + v(x+ dx,t ) i(x,t ) = Cdx + Gdx ⋅ v(x,t ) + i(x + dx,t )
∂t ∂t
∂ v( x ,t ) ∂ i( x ,t )
v(x+ dx,t ) = v(x,t ) + dx i(x + dx,t ) = i(x,t ) + dx
∂x ∂x
∂v ∂i ∂i ∂v
= − R ⋅ i− L ⋅ = − G ⋅ v− C ⋅
∂x ∂t ∂x ∂t
∂2v ∂2v ∂v
− LC − (RC + LG ) − RG ⋅ v = 0
∂ x2 ∂ t2 ∂t
∂2i ∂2i ∂i
− LC − (RC + LG ) − RG ⋅ i = 0
∂ x2 ∂ t2 ∂t
10
Solution en régime harmonique
Résolution des équations de Télégraphiste en régime harmonique
En posant :
v(x, t) = V(x)exp(jωt)
i(x, t) = I(x)exp(jωt)
γ 2 = ( R + jLω )( G + jCω ) = (α + jβ ) 2
Les équations deviennent
∂2v
−γ 2 v = 0 v(x, t) = [A1exp(-γ .x) + B1exp( γ .x)] exp(jωt)
2
∂x
i( x ,t ) = [A2 exp(-γ .x) + B2 exp( γ .x)] exp(jωt)
2
∂ i
−γ 2 i = 0
∂ x2
En posant :
A
A2 = 1
( R + jLω ) Zc
Zc =
( G + jCω ) B
B2 = − 1
Zc
11
Solution en régime harmonique
v(x, t) = [Aexp(-γ .x) + Bexp( γ .x)] exp(jωt)

1
i( x ,t ) = [Aexp(-γ .x) − Bexp( γ .x)] exp(jωt)
Zc
• L’amplitude du premier terme (A e-αx) décroît quand x augmente (déplacement du

générateur vers la charge):C’est une onde incidente qui se propage suivant les x
positifs.
• L’amplitude du second terme (B eαx) décroît quand x diminue (déplacement de la
charge vers le générateur) : C’est une onde réfléchie qui se propage en sens contraire
(onde rétrograde).
• La tension et le courant sur la ligne résultent de la superposition de deux ondes se
propagent en sens inverse.
12
Paramètres secondaires
Vitesse de phase:
ω
Vϕ =
β
Vϕ est la vitesse d’un mobile qui accompagne l’onde en observant une phase cst φ=ωt-βx
Longueur d’onde:
la périodicité dans le temps est décrite par la fréquence f ou la pulsation ω = 2π f ou la
période T = 1/f. La fréquence dans l’espace est décrite par la constante de propagation β
ou par la longueur d’onde λ.
2π 2π
λ= ou β =
β λ
Lorsque l’onde se déplace le long d’une ligne d’une longueur d’onde λ, sa phase effectue
une rotation de 2π.
Affaiblissement:
l’amplitude décroît exponentiellement avec le trajet. α est le coefficient d’amortissement.
α=Re(γ). On donne normalement le coefficient d’affaiblissement α dB/m de la puissance.
α dB/m = 20log(exp(-α))=-8,686 α
lmpédance caractéristique:
Le passage de la tension à l’intensité est effectué grâce à Zc(Ω)
Zc=|Zc|exp(jζ)
Les quatre grandeurs réelles R , C , L , G sont remplacées, en pratique, par les quatre
grandeurs réelles α, β, |Zc| , ζ caractérisant l’onde et qui sont accessibles aux mesures.
13
Paramètres secondaires
Ligne sans pertes Ligne à faibles pertes
Impédance
caractéristique
L L
Zc = Zc =
C C
Constante de γ = jβ ,
propagation γ = α + jβ ,
β = ω LC
β = ω LC ,
r Z g
α= + c
2Zc 2
14
Impédance d’entrée d’une ligne
On considère une ligne de longueur L fermée sur une charge d’impédance ZL et est
alimentée par un générateur d’impédance interne ZG.
L’impédance de charge est donnée par:
v( x = 0 ) A+ B
Z( x = 0 ) = = Zc = ZL
i( x = 0 ) A− B
L’impédance ramenée en un point d’abscisse l est donnée par :
v( x = −l ) Z L + Z c .th( γl )
Z l = Z ( x = −l ) = = Zc
i( x = −l ) Z c + Z L .th( γl )
Impédance d’entrée de la ligne Zin
ZL=Zc, Zin=Zc (ligne adaptée)
ZL=0 (court-circuit), Zin=Zc.th(γL)
ZL=∞ (circuit ouvert), Zin=Zc.coth(γL)
0
-L x
15
Coefficient de réflexion
Coefficient de réflexion
La tension en un point d’abscisse x est donnée par:
V(x) = Ae −γ .x + Beγ .x
−γ .x
Tension incidenteV:+ (x) = Ae
γ .x
Tension réfléchie V: − (x) = Be
Le coefficient de réflexion en tout point de la ligne est défini par le rapport :
Tension réfléchie Be − γl B − 2γl Z l − Z c
Γ (x = -l) = = γl
= e =
Tension incidente Ae A Zl + Zc
Au niveau de la charge le coefficient de réflexion est:
B Z L − Zc
Γ (x = 0) = = = Γ o e jθ
A Z L + Zc
Rapport d’onde stationnaire

V
ROS = max
Vmin
1 + Γo
ROS =
1 − Γo
la valeur du ROS varie entre 1 et ∞. Lorsque le ROS est voisin de 1, le régime de la
ligne est proche du régime d’ondes progressives. Lorsque le ROS>1, il y a
16
désadaptation et le régime de la ligne est celui du régime d’ondes stationnaires.
Paramètres S
Amplitudes complexes normalisées:
Soient Ui, Ii et Zci la tension, le courant et l’impédance caractéristique de la ligne i.
U + Z ci I i U − Z ci I i
ai = i bi = i
2 Z ci 2 Z ci
La dimension des ai et bi est la racine carrée d’une puissance.
Pour une ligne sans pertes, la solution générale de l’équation des télégraphistes est :
U i = U i + exp (− jβ i zi ) + U i − exp ( jβ i zi ) U i + exp(− jβ i zi ) − U i − exp( jβi zi )
Ii =
Z ci
On déduit:
Ui + Ui−
ai = exp(− jβ i zi ) bi = exp ( jβ i zi )
Z ci Z ci
Le terme ai correspond à une onde progressive représentant le signal entrant au
composant et le terme bi correspond à une réfléchie représentant le signal sortant du
composant.
Puissance à un accès:
La puissance active Pi à l’accès i est donnée par :
[ ] [ (
Pi = Re U i I i* = Re (ai + bi ) a*i − bi* = ai )] 2
− bi
2
Elle représente la différence entre la puissance |ai|² entrant dans le composant par
l’accès i et la puissance |bi|² sortant du composant par le même accès.
17
Paramètres S
Rq: Les paramètres ai et bi peuvent être déterminés directement à partir des
mesures de puissance. Ils sont universellement employés pour l’étude des
composants hyperfréquences.
Matrice de répartition:
Pour tout composant linéaire, il existe des relations algébriques linéaires liant tous les
signaux qui sortent aux signaux qui entrent. Ceci se traduit par la matrice de
répartition ou matrice S (Scattering Matrix) :
 b1   S11 S12 S1n   a1 
    
 b2   S 21 S 22 S 2 n   a2 
 =
.
 
    
b   S S n 2 S nn   an 
 n   n1
Le terme Sij i≠j représente la fonction de transfert de l’accès j à l’accès i. Le terme Sii
représente la réflexion à l’accès i.
b
Sij = i
aj
ak =0 ,k ≠ j
Les paramètres S dépendent de la fréquence et sont usuellement déterminés par

rapport à une impédance caractéristique égale à 50Ω.
18
Propriétés des composants
Réciprocité
Un composant est dit réciproque lorsque la fonction de transfert liant deux accès
distincts ne dépend pas du sens.
Sij = S ji pour i ≠ j
Le nombre d’inconnus sera réduit à n(n+1)/2.
Rq: les composants actifs sont généralement non réciproques.
Conservation d’énergie
Dans un circuit passif non dissipatif (ne consomme pas et ne fournit pas d’énergie),
les puissances entrantes sont égales aux puissances sortantes.
n 2 n 2
∑ ai = ∑ bi
i =1 i =1
Ce qui donne:
(S T )* .S = I
n *
ou bien : ∑ Sij Sik =δ jk (δ jk = 1 si j = k etδ jk = 0 si j ≠ k )
i =1
19
Propriétés des composants
Adaptation
On dit qu’un composant est adapté à un accès i si aucun signal n’est réfléchi lorsque
ce seul accès est alimenté (aj=0, j≠i).
Sii=0
Un composant est adapté à tous ses accès lorsque les termes diagonaux de la
matrice S sont nuls.
Symétrie
Quand un composant réciproque possède un ou plusieurs plans de symétrie
géométrique et les plans de référence sont symétriques, les termes de la matrice S
correspondant à ces accès symétriques sont égaux ou de signe opposé.
Déplacement des plans de référence
zid = zi − ∆zi
aid = ai exp (− jϕi ) et bid = bi exp ( jϕi ) avecϕi = − β ∆zi
Les vecteurs colonnes des signaux entrants (a) et des signaux sortants(b) deviennent
( a ) = (diag exp( jϕ ))( a d ) et ( b d ) = (diag exp( jϕ ))( b )
 exp( jϕ1 ) 0 0 
 

avec (diag exp( jϕ )) = 
0 exp( j ϕ 2 ) 0  sijd = sij exp( j( ϕi + ϕ j ))

 
 0 0 exp( j ϕ ) 
 n 
20
Matrices Z, Y, ABCD
Les circuits électroniques sont généralement étudiés à travers des matrices. Une
méthode usuelle pour connaître la fonctionnalité d’un quadripôle est de connaître sa
matrice de transformation courant-tension. On définit la matrice des impédances
(matrice Z), matrice des admittances (matrice Y) et la matrice chaîne (matrice ABCD).
Matrice Z:
V1 = Z 11 I1 + Z12 I 2  V1   Z11 Z12  I 1 

  =   
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2 V2   Z 21 Z 22  I 2 
I1 I2
Z11 Z22
+ +
Z12 I2 Z21 I1
V1 - - V2
Schéma électrique équivalent du quadripôle
21
Matrices Z, Y, ABCD
Matrice Y:
I 1 = Y11V1 + Y12V2  I1   Y11 Y12  V1 
  =   
I 2 = Y21V1 + Y22V2  I 2   Y21 Y22 V2 
Matrice ABCD:
V1 = AV2 + B( − I 2 ) V1   A B  V2 
  =   
I 1 = CV2 + D( − I 2 ) I
 1  C D −
 2 I
On remarque qu’on a
  I1 I  V1 I
Z11 =
V1 V
, Z 21 = 2 Y11 = ,Y21 = 2 A = ,C = 1
I 1 I =0 I 1 I =0  V1 V =0 V1 V =0  V2 I =0 V2 I =0
 2 2 2 2

2 2
 
Z = V1 V Y = I 1 I2  B = V1 =
I1
 12 I , Z 22 = 2  12 ,Y22 =  , D
 I 2 I =0  V2 V =0 V2 V =0 − I 2 V =0 − I 2 V =0
2 I 1 =0 1 1 1  2 2
Pour déterminer les éléments des matrices on procède à des mesures en circuit
ouvert (i=0) et en court-circuit (v=0). Au-dessus de 100 MHz ces circuits sont difficiles
à réaliser, à cause des capacités et inductances parasites. De plus la mise en court-
circuit ou en circuit ouvert de quadripôles possédant du gain conduit souvent à une
oscillation. Alors, les matrices [Z], [Y ] et [ABCD] sont inadaptées aux hautes
fréquences. La matrice [S] a l’avantage d’être mesurable sur entrée et sortie
adaptées usuellement à 50Ω.
22
Conversions matricielles
Conversions Z, Y, ABCD à S Conversions S à Z, Y et ABCD
23
Exemples de paramètres S
 Z 2Z 0 
Z
1 Z   
Z0 Z0    Z + 2Z 0 Z + 2Z 0 
[ABCD] =   [S ] =  
0 1   2Z 0 Z 
   
 Z + 2Z 0 Z + 2Z 0 
 −Y 2Y0 
1 0  
   Y + 2Y0 Y + 2Y0 
Y0 Y Y0
[ABCD] =   [S ] =  
Y  2Y0 −Y 
 1   
 Y + 2Y0 Y + 2Y0 
24
Ds = Z 02 + QZ 0 + D
 − Z02 + PZ0 + D 2Z0 Z3 
1   D=Z Z +Z Z +Z Z
[S] =   1 2 2 3 1 3
DS  2  Q = Z1 + 2Z 3 + Z 2
 2Z 0 Z3 − Z0 − PZ0 + D 
P = Z1 − Z 2
Ds = Y02 + QY0 + D
 Y02 − PY0 − D 2Y0Y3 
1   D = Y Y +Y Y +Y Y
[S ] =   1 2 2 3 1 3
DS  2  Q = Y1 + 2Y3 + Y2
2Y
 0 3 Y Y0 + PY0 − D 
P = Y1 − Y2
25
 
 cosh( γl ) Z sinh( γl ) 
 
Z0 Ζ,γ l Z0
[ABCD] =  
 sinh( γl ) 
 cosh( γl ) 
 Z 
 ( Z 2 − Z 02 ) Sinhγ l 2 ZZ 0 
1  
[S ] =  
DS 
 2 ZZ 0 ( Z 2
− Z 2
0 ) Sinhγ l 
Ds = 2 ZZ0 Coshγl + ( Z 2 + Z02 ) Sinh γl
26
Avantages des Paramètres S
☺ Grandeurs usuelles (gains & coefficients de réflexion)
☺ Terminaison 50Ω : Précises vs court-circuits ou co @ HF

☺ Terminaison 50Ω : Réduire le risque d’oscillations
☺ Terminaison 50Ω : Mesures large bandes
☺ Pas besoin d’ajuster des stubs (cc ou co)

☺ Relations simples des ondes de puissance
☺ Conception aisée avec l’abaque de Smith et les outils CAO, d’Amplificateurs,

Oscillateurs, Mélangeurs, coupleurs, filtres, …
☺Mesures aisées à l’aide de l’analyseur de réseaux vectoriel

27
Mesures des paramètres S
Analyseur de réseau
Le générateur hyperfréquence est commuté entre le sens direct et le sens inverse
pour permettre la mesure des quatre quantités vectorielles a0, b0, a3 et b3. Dans
l’hypothèse où les coupleurs sont parfaits, les paramètres S s’écrivent :
b
S11 = o ( générateur sur direct )
ao
b
S 21 = 3 ( générateur sur direct )
ao
b
S 22 = 3 ( générateur sur inverse )
a3
b
S12 = o ( générateur sur inverse )
a3
28
Lignes de transmission
29
Composants, circuits et dispositifs
• Dispositifs: émetteur, récepteur,…
• Supports de transmission : guides, lignes
• Composants passifs : L, C, Lignes
• Circuits passifs: coupleurs, filtres,…
• Composants actifs: diodes, transistors
• Circuits actifs: amplificateurs, oscillateurs,.
• Partout ! Importance capitale des lignes
• Attention aux discontinuités
• Modèles (Topology, extraction,…)
• Analyse (Méthodes, CAD,…)
• Optimisation, Mesures
30
Lignes de transmission filaires
• Lignes bifilaires (symétriques) :elles sont utilisées dans les câbles téléphoniques.
Elles sont constituées par deux conducteurs filiformes identiques et isolés.
• Lignes coaxiales (non-symétriques) : elles sont utilisées dans les câbles TV. Elles
sont constituées de deux conducteurs concentriques. Le conducteur extérieur est
mis à la terre et le conducteur intérieur est isolé et centré à l'aide d'un matériau
diélectrique.
31
Caractéristiques d’une ligne coaxiale
Paramètres Expressions Unités
55.556ε r
Capacité……………………….………………………… C= pF/m
ln (b / a )
Inductance………………………………………………. L = 200 ln (b / a ) nH/m
60
Impédance caractéristique………………………………. ZC = ln (b / a ) W
εr
3 x108
Vitesse de Phase……………………………………….. vp = m/s
εr
Retard…………………………………………………… τ d = 3.33 ε r ns/m
tan δ
Affaiblissement du Diélectrique…………………………. α d = 27.3 ε r dB/m
λ0
9.5 x10 −5 f ( a + b ) ε r
Affaiblissement du Conducteur..………………………. αc = dB/m
ab ln(b / a )
(cuivre à 20°C)
λc = π ε r (a + b)
Longueur d’onde à la coupure (ordres supérieurs)……. Unit of a or b
2
Puissance Max……….………………………………… Pmax = 44 Emax a 2 ε r ln (b / a )
kW
λ0= long d’onde dans le vide; tand = tangente de l’angle des pertes; f fréquence en GHz;
Emax= Champ électrique de claquage.
http://www-lemm.univ-lille1.fr/physique/hyper/electro/hyper/apprendre/ch8/lt3.htm
32
Caractéristiques d’une ligne coaxiale
33
Lignes planaires
Les lignes planaires sont composées de deux parties : le substrat, couche généralement
diélectrique et à faible perte, et un métal conducteur. Le métal est appliqué sur les deux
faces du substrat d'une façon partielle ou totale selon le type de ligne envisagé. Ces
lignes sont utilisées avec les circuits intégrés pour leur compatibilité, leur faible coût et leur
faible poids. Pour la technologie micro-ruban, pour des fréquences de signal relativement
faibles au regard des dimensions géométriques du substrat, on peut faire l’hypothèse
qu’un mode quasi-TEM s’y propage.
Substrat εr, µr
h
Metal Thickness
34
Lignes Microruban ou Microstrip
Impédance caractéristique : (Analyse)
W η  8h W
≤1 Zc = ln  + 0.25 
h 2π ε eff W h 
Où : η = 120 π
−1
W η W W 
≥1 Zc =  + 1.393 + 0.667 ln  + 1.444  
h ε eff  h  h 
 −
1
2
1 + 12 h   W W 
2
εr +1 ε r −1  W   + 0.041 −   ≤ 1
ε eff = + F   W   W   h  h 
F  = 
2 2  h   h 
 h 
−
1
2 W 
1 + 12   ≥ 1
 W  h 
35
Dimensions: (Synthesize)
W W 8 exp( A )
Si ≤2 =
h h exp( 2 A ) − 2
W 2 ε −1  0.61  
=  B − 1 − ln( 2 B − 1) + r  ln( B − 1) + 0 . 39 − 
ε r  
W
Si ≥2 h π 2ε r 
h
1
Z  ε + 1 2 ε r − 1  0.11 
Où : A= c  r  + 0.23 + 
60  2  εr +1 εr 
60 π 2
B=
Zc ε r
36
37
Discontinuités des Microbandes
38
Circuits Ouverts
Microbande Physique
∆L ε eff
Capacité de bord Cf =
Cf C.Z c
W
ε eff + 0. 3 h + 0. 262
Longueur effective ∆L = 0. 412 h
∆L ε eff − 0. 258 W +.813
h
• Effets de bord dans les stubs

• Capacités parasites des lignes courtes
39
Composants et circuits RF passifs
Tout intégré
Avantages
- gains fonctionnels électroniques (performances électriques améliorées du fait de la
diminution du cheminement).
- réduction de tous les volumes (circuit imprimé, équipement, atelier, stockage)
- réduction des coûts d'exploitation (vitesse de pose, ligne automatisée, diminution des
40
erreurs de montage).
Synthèse des Capacités et inductances
v( x = −l ) Z L + Z c .th( γl )
Z l = Z ( x = −l ) = = Zc
i( x = −l ) Z c + Z L .th( γl ) L
0
Synthèse d’inductances -L x
si ZL=0 ou ZL<<Zc.tg(βℓ), alors l’impédance ramenée est:
Z l = jZ c tg ( β l )
Zc
qui est équivalent à une inductance L= tg( βl )
ω
Cette inductance peut être réalisée par une ligne court-circuitée ou par une ligne
d’impédance caractéristique Zc très grande devant la charge ZL.
Synthèse de capacités
Si ZL=∞ ou ZL>>Z0.tg(βℓ), alors l’impédance ramenée est:
Z l = − jZ c cot g ( βl )
1
qui est équivalent à une capacité de valeur C = tg( β l )
ωZ c
Cette capacité peut être réalisée par une ligne en circuit ouvert ou par une ligne
d’impédance caractéristique Zc faible devant la charge ZL.
41
capacités et inductances distribuées
Inductance série
Inductance parallèle
Capacité série
Capacité parallèle
42
capacités et inductances distribuées
43
Composants localisés intégrés
En général, les valeurs des inductances et des capacités obtenues avec les lignes
sont relativement faibles. Certains phénomènes parasites (couplage entre les lignes,
rayonnement, mise à la masse) peuvent influencer la réponse désirée. Pour obtenir
des valeurs plus élevées, on est amené à utiliser des composants localisés dont les
dimensions doivent rester faibles devant la longueur d’onde (<λ/30) pour ne pas
introduire des effets parasites importants.
Résistance
l 1 l
R = ρ. =
S σ w.t
ρ : résistivité Ω .m l , w,t : longueur , l arg eur , épaisseur de la résis tan ce.
Aux fréquences élevées (supérieures au GHz), le courant circule sur une fine épaisseur
(δ : épaisseur de peau) de la couche résistive.
on obtient une résistance qui augmente avec la fréquence du signal R(f)

un effet dispersif.
l
t
w
44
Composants intégrés
Inductances
Boucle Méandre
Spirale
Di
De
45
Composants intégrés
MIM : Métal/Isolant/Métal
Capacité
Interdigitée
46
Circuit intégré micro-
micro-onde
47
Etapes de Conception de filtres
Paramètres Conception du Conversion Implémentation

du filtre filtre Passe-bas (Dénormalisation)
• Gabarit du filtre • Choix de l’approximation • Transformations • Choix de la technologie

• Type : passe-bas, passe- (Butterworth, Chebychev, Pbas à Passe-bas • Elements discrets
bande, passe-haut, coupe- Elliptique, etc) Pbas à Passe-Haut (ajustement des valeurs)
bande •Synthèse de l’ordre du filtre Pbas à Passe-bande • Elements distribués,
• Atténuations dans la bande • Calcul des coefficients (gk) Pbas à coupe-bande • guides,
et hors bande du filtre • coax,…
• Zin, Zout
• Délai
•…
48
Gabarit de Butterworth
A(dB) n=3 2 1
  ω 2n 
A( dB ) = 10 log 1 +   
3   ωc  
ω
ωc
49
Etude des filtres LC : Prototype Passe
Passe--bas
g2 gn-1
1 g1 g3 gn 1
n impair
Rn = rR1
R1 = input impedance
g2 gn Rn = output impedance
R1
Lk = gk
ωc
g1 gn-1 1 1 1
1
Ck = gk
R1 ω c
n pair
50
Calcul des gk pour le gabarit Butterworth
 (2k − 1)π 
r =1 ; g k = 2 sin   k = 1,2,....n
 2n 
n g1 g2 g3 g4 g5 g6 g7
1 2.000 1.000
2 1.414 1.414 1.000
3 1.000 2.000 1.000 1.000
4 0.7654 1.848 1.848 0.7654 1.000
5 0.6180 1.618 2.000 1.618 0.618 1.000
6 0.5176 1.414 1.932 1.932 1.414 0.5176 1.000
51
Transformations
52
Exemple
Faire la conception d’un filtre passe-bande du type Butterworth d’ordre 3,

ayant une fréquence centrale de 940MHz et une largeur de bande de 40
MHz. L’impédance caractéristiques est 50 Ω
1- déterminer les gi
2- appliquer la transformation Passe-bas Passe-bande
3- calculer les éléments L et C
4- vérifier la réponse S21 du circuit par simulation

53
Inverseurs de Z et de Y
Les inverseurs peuvent être utilisés pour transformer les éléments en séries en
éléments parallèles et inversement. Une des formes les plus simple de l’inverseur est
l’utilisation d’une ligne quart d’onde d’impédance caractéristique K (d’admittance J)
K2
Z' = Inverseur K
Z
Z Z’
±90°
J2
Y '= Inverseur J
± 90° Y
Y Y’
L
C=
K2
C
L=
J2
54
Filtres à lignes micro
micro--ruban
Il existe deux limitations principales à l’utilisation de filtres LC classiques à éléments discrets
lorsque les fréquences augmentent :
- limitation des composants L et C : apparition d’une fréquence de résonance (changement du
comportement)
- Valeurs discrètes des composants
Filtre passe-bas
Filtre passe-bande
55
Filtres à lignes couplées
Couplage parallèle
Couplage aux extrémités
56
Exemple de conception d’un filtre sous ADS
Exercice :
On se propose de concevoir un filtre passe bas de deuxième ordre selon
l’approximation de Butterworth ayant une fréquence de coupure de 1GHz.
1- Déterminer les valeurs de L et C
2- Simuler les paramètres S du filtre
3- Trouver l’équivalent des éléments discrets en ligne microruban.
4- Synthétiser le layout du filtre sur un diélectrique du type FR4 et simuler sa réponse.
5- Modifier le circuit pour que la fréquence de coupure devienne de l’ordre de 2 GHz.
57
58
L’atténuateur
Un atténuateur idéal est un quadripôle réciproque, dissipatif, parfaitement adapté.
0 S12 
[S ] = S 0 
avec S12 < 1
 12
A( dB ) = 20 log S12
Atténuateur en T Atténuateur en PI
1− A 1+ A
R1 = R 2 = Zo R1 = R 3 = Zo
1+ A 1− A
2A 1 − A²
R 3 = Zo R 2 = Zo
1 − A² 2A
AdB AdB
A = 10 20
A = 10 20
Les paramètres à considérer lors de la conception d’un atténuateur sont:

- Atténuation
- Réponse en fréquence (R(f))
- Impédances entrée/sortie
Puissance à l’entrée
59
Atténuateur RF (applications)
Protection d’un appareil de mesure (SA,VNA)
Générateur RF Analyseur de
Amplificateur de
Atténuateur spectre
puissance
10dB Max 30dBm
Pout=10W
Masquage d’une désadaptation : protection de la source

0dBm S11=0.8
DST
10dBm
-2dBm
Atténuateur
10dB
-12dBm
Inconvénient : affaiblissement simultané du signal réfléchi et du signal incident.

60
Le déphaseur
Un déphaseur idéal est un quadripôle réciproque non dissipatif parfaitement adapté.
[S ] = 
0 exp jΦ 
exp jΦ 0 
déphasage = Arg(S 21 ) = Φ
Le circuit déphaseur le plus simple est une ligne de transmission de longueur ℓ.
Cette ligne introduit un déphasage négatif égal à -β.ℓ.
Les quadripôles en PI et en T, passe-bas et pass-haut peuvent être utilisés

comme déphaseurs.
Avantage : apporter un déphasage positif ou négatif
Topologies de déphaseurs
Applications: déphasage en quadrature dans un récepteur homodyne
61
L’isolateur
Un isolateur idéal est un quadripôle non réciproque parfaitement adapté qui

transmet parfaitement le signal dans un sens mais l’atténue infiniment dans l’autre
sens.
0 0 
[S ] =  
1 0 
Un isolateur est un circulateur sur lequel une charge 50 ohms est connectée sur
l'un des ports .
Applications: Protection d’une source HF (générateur, oscillateur) dont la charge

est éventuellement désadaptée.
62
Composants à trois accès
Définition:
La matrice S comporte neufs termes.
 S11 S12 S13 
 
S =  S 21 S 22 S 23 
S S 32 S 33 
 31
Propriétés particulières:
• un triporte réciproque sans pertes ne peut pas être simultanément adapté à ses
trois accès.
• Un triporte non réciproque sans pertes peut être adapté à ses trois accès. (exemple
circulateur)
•Un triporte réciproque sans pertes adapté à deux accès : une solution découplée
63
Le circulateur
Un circulateur idéal est un hexapôle non dissipatif parfaitement adapté.
Il s'agit d'un dispositif passif, constitué d'un matériau ferrite polarisé
magnétiquement permettant de définir la direction de propagation du signal.
0 0 1
 
[S ] =  1 0 0 
0 1 0 
 
Caractéristiques: Bande de fréquences, Pertes d’insertion (atténuation dans le
sens direct), VSWR (adaptation), isolation (atténuation dans le sens inverse)
Applications: Duplexage (2 circulateurs pour utiliser la même antenne à l’émission

et à la réception et assurant l’isolation entre l’émetteur et le récepteur)
64
Le Diviseur de puissance
Un diviseur de puissance idéal est un hexapôle réciproque adapté ayant une entrée
et 2 sorties isolées. Si les sorties ne sont pas isolées alors S23 et S32 sont non nuls.
 0 S 21 S 31 
 
[S ] =  S 21 0 0 
S 0 0 
 31
Utilisé en inverse, la propriété de ce diviseur permet d’en faire un combineur de

puissance.
Applications: Boucle à verrouillage de phase PLL (prélèvement de puissance),

architectures TX/RX en quadrature.
65
Le Diviseur de Wilkinson
0 1 1
− j 
S= 1 0 0
2 
 1 0 0 
- On connecte une résistance entre les ports 2 et 3 pour les isoler. La résistance
ne dissipera pas de puissance si les ports 2 et 3 ont la même charge en sortie.
66
Composants à quatre accès
Coupleur directionnel : Octopôle réciproque (Sij=Sji), adapté (Sii=0) et sans pertes.
La condition de conservation d’énergie donne :
S14
* *
S13 + S 24 S 23 = 0
 *
S14 S 24 + S13
*
S 23 = 0
*
S14 [ 2
S13 − S 24
2
]= 0 S14 = 0 de même S 23 = 0
 S12 = S 34 = α
 avec α 2 + β 2 = 1 1
α
2
 S13 = S 24 = β β
4 3
Pour simplifier on prend S12=S34=α. La matrice S devient :
 0 α β exp( jθ ) 0 
 
 α 0 0 β exp( jφ )
S =  avec exp( jθ ) + exp( − jφ ) = 0
β exp( jθ ) 0 0 α
 
 β exp( jφ ) α 
 0 0 
67
Le coupleur
Un coupleur directionnel peut être représenté par un octopole
P1 est la puissance d’entrée à l’accès 1

P2 est la puissance transmise au port direct
P3 est la puissance disponible au port couplé
P4 est la puissance qui arrive au port isolé
P 
Couplage: C = −10 log  3  ( dB )
 P1 
P 
Transmission: T = −10 log  2  ( dB )
 P1 
P 
Isolation: I = −10 log  4  ( dB )
 P1 
Directivité : D = I − C (dB)
68
Exemples de coupleurs
Coupleur symétrique : θ=φ=π/2
Exemple coupleur hybride 90°
0 j 1 0  • Couplage de 3dB
 
− j  j 0 0 1 • La différence de phase entre les
S=
2  1 0 0 j  sorties transmise et couplée est de
90°.
0 1 j 0 
 
Coupleur anti-symétrique: θ=0, φ=π

Exemple coupleur hybride 180°
• Couplage de 3dB
0 1 1 0
  • Lorsqu’un signal est appliqué au port 1, il sera
− j 1 0 0 −1 divisé en deux composants en phase aux ports 2 et
S= 
0 0 1
3, et le port 4 est isolé. Si l’entrée est appliquée au
2 1
  port 4, les sorties aux ports 2 et 3 sont déphasées
0 −1 1 0  de 180°et le port 1 est isolé. Si on applique 2

signaux aux ports 2 et 3, la somme des signaux
sort aux port 1, et la différence sort au port 4.
69
Exemples de coupleurs
Coupleur à lignes couplées
Lorsqu’un signal est injecté à l’entrée d’une ligne qui se trouve à proximité d’une seconde ligne, une
partie de ce signal passe sur cette seconde ligne par couplage EM.
Le maximum de couplage apparaît lorsque la longueur de couplage est de λ/4
Analyse en mode pair (even)

+
Analyse en mode impair (odd)
Halim Boutayeb, Cours « Circuits et Systèmes de Communication Micro-ondes, Chap.3: Application

des Lignes TEM à la Réalisation des Fonctions Passives », 2007, pp 12-30.
70
Notions Liées à la conception des
amplificateurs linéaires
71
Circuits actifs et paramètres S
72
Définition des coefficients de réflexion
ΓS : Coefficient de réflexion vu du côté de la source

ΓL : Coefficient du réflexion vu du côté de la charge
ΓIN :Coefficient de réflexion à l’entrée du quadripôle lorsque sa sortie est terminée par ΓL
ΓOUT:Coefficient de réflexion à la sortie du quadripôle lorsque son entrée est terminée par ΓS
b1 S .S .Γ b2 S .S .Γ
Γ1 = Γ IN = = S11 + 12 21 L Γ 2 = Γ out = = S 22 + 12 21 S
a1 1 − S 22 .Γ L a2 1 − S11 .Γ S
73
Stabilité
Mise en évidence de la stabilité
Une des expériences les plus délicates pour les concepteurs RF est lorsqu’un amplificateur
commence à osciller au lieu d’amplifier convenablement le signal à l’entrée. Un circuit est dit
instable lorsqu’il réfléchit plus d’énergie qu’il n’en reçoit. Ceci peut endommager le(s) circuit(s)
actif(s) et générer des signaux nuisibles.
On définit deux types de stabilité :

•Stabilité inconditionnelle : Le circuit est stable pour toutes les combinaisons de charge et source
passives (quelque soit | ΓL |<1 et | ΓS |<1 ) |Γin| < 1 et |Γout| < 1
•Stabilité conditionnelle : Le circuit est stable seulement pour certaines valeurs de charge ou de
source. On appelle aussi cet état potentiellement instable.
On peut également traduire les conditions de stabilité en introduisant le facteur de stabilité de

Rollett K : 1− S
2
−S
2
+∆
2
11 22
K=
2 S12 S 21
Les conditions nécessaires et suffisantes s’écrivent alors sous l’une ou l’autre des deux formes
suivantes :
 K >1 K > 1
B = 1 + S 2 − S 2 − ∆ 2
ou 
 1 11 22 >0 ∆ < 1
L’analyse de la stabilité doit être faite sur une large plage de fréquences, alors les courbes de
paramètres de stabilité sont tracées en fonction de la fréquence pour chercher les intervalles pour
lesquels le quadripôle est inconditionnellement stable.
74
Cercles de stabilité
On peut déterminer la frontière d’instabilité en résolvant les équations :|ΓIN|=1 et |ΓOUT|=1.
Cercles de stabilité en sortie
Les valeurs de ΓL qui donnent |ΓIN| =1 se retrouvent sur un cercle de centre CL et de rayon
rL appelé cercle de stabilité en sortie.
CL =
( * *
S 22 − ∆.S11 ) rL =
S12 S 21
2 2 2 2
S 22 − ∆ S 22 − ∆
Pour déterminer si l’intérieur ou l’extérieur du cercle représente la région stable, il faut

considérer |S11|. Si |S11| <1, alors le centre de l’abaque se trouve dans la région stable,
sinon il se trouve dans la région instable. Nous cherchons les points ΓL sur l’abaque de
Smith qui donnent la stabilité.
75
Cercles de stabilité
Cercles de stabilité en entrée
Les valeurs de ΓS qui donnent |Γout |=1 se retrouvent sur un cercle de centre CS et de
rayon rS appelé cercle de stabilité en entrée
Cs =
(S11 − ∆.S*22 )
*
rS =
S12 S 21
2 2
2
S11 − ∆
2 S11 − ∆
Si |S22| <1, alors le centre de l’abaque se trouve dans la région stable, sinon il se trouve
dans la région instable. Nous cherchons les points ΓS sur l’abaque de Smith qui donnent
la stabilité.
La stabilité inconditionnelle d’un quadripôle est vérifiée lorsque aucune charge passive
(en sortie ou en entrée) ne conduit à un coefficient de réflexion (en entrée ou en sortie)
de module supérieur à un. Dans les cas les plus courants, les quadripôles utilisés aux
hyperfréquences ont des coefficients de réflexion propres de module inférieur à l’unité.
76
Techniques de stabilisation
Pour stabiliser un circuit on peut considérer une solution basée sur l’ajout d’une
résistance en série ou en parallèle à l’entrée ou à la sortie. On peut aussi stabiliser le
composant en lui ajoutant une contre-réaction comme par exemple une inductance sur
la source (ou l'émetteur).
On change ainsi les paramètres S du quadripôle
et par la même occasion le gain maximum que
l'on peut obtenir.
77
Stabilisation large bande
- La stabilisation d’un circuit doit se faire sur une large bande de fréquence même en
dehors de la bande d’intérêt.
- L’ajout d’une résistance dégrade les performances de gain du circuit pour toutes les
fréquences.
- D’autres solutions basées sur des combinaisons avec des éléments localisés (R-L,
R-C, R-L-C) ou avec des éléments distribués (R-ligne λ/4 court-circuitée) permettent
d’améliorer la stabilité pour des fréquences particulières sans affecter le gain et la
stabilité du circuit pour d’autres fréquences.
- La stabilisation large bande d’un circuit nécessite l’utilisation de logiciels de CAO
(ADS) qui tiennent en compte du comportement physique des circuits de stabilisation.
Cs
Rsmin Rpmin
Cp Ligne
Lp
λ/4
78
Définition des gains en puissance
PE PC
PDG PDS
Zg
Réseau Quadripôle
Réseau
Vg d’adaptation d’adaptation
ZL
d’entrée de sortie
ΓS ΓIN ΓOUT ΓL
PDG :Puissance disponible du générateur

PDS :Puissance disponible à la sortie du réseau
PC :Puissance délivrée à la charge
PE :Puissance d’entrée dans le réseau
2
PDS 1 − ΓS
2
1 P 1 2 1 − ΓL
GA = = 2
S 21
2
2
= f ( ΓS ) GP = C = 2
S 21 2
= f ( ΓL )
PDG 1 − S11 .Γ S 1 − Γ out PE 1 − Γ IN 1 − S 22 .Γ L
2 2 2 2
P 1 − ΓS 2 1 − ΓL 1 − ΓS 2 1 − ΓL
GT = C = 2
S 21 2
= 2
S 21 2
= f ( Γ S ,Γ L )
PDG 1 − Γ IN .Γ S 1 − S 22 .Γ L 1 − S11 .Γ S 1 − Γout .Γ L
79
Cercles de gain GA
Cercle de gain disponible
2
Le gain disponible est : G A = S 21 .g A
2
1 − ΓS
gA =
2 2 2 2
C1 = S11 − ∆.S*22
1 − S 22 + Γ S .( S11 − ∆ ) − 2ℜe ( Γ S .C1 )
Le centre et le rayon de ces cercles de gain disponible sont:

1 − 2 K . S .S .g + S .S 2 .g 2 
g A .C1*  12 21 A 12 21 A 
Centre = Rayon =
1 + g A . S11 − ∆ 
2 2 2 2
1 + g A .( S 11 −∆
 
Le gain disponible maximal correspond à un point particulier ΓS (Rayon =0).
S 21 
G AMax = . K − K 2 − 1 
S12  
80
Cercles de gain GP
Cercle de gain opérant
Le gain opérant est : G p = S21 2 g p
2
1 − ΓL *
C2 = S 22 − ∆.S11
gP =
2 2 2 2
1 − S11 + Γ L .( S 22 − ∆ ) − 2ℜe ( Γ L .C2 )
Le centre et le rayon de ces cercles de gain opérant sont:

g P .C *2 1 − 2 K . S .S .g + S .S 2 .g 2 
Centre =  12 21 P 12 21 P

Rayon =
1 + g P . S 22 − ∆ 
2 2
1 + g P . S 22 − ∆ 
2 2
 
 
Le gain opérant maximal correspond à un point particulier ΓL (Rayon =0).
S 21 
G PMax = . K − K 2 − 1 
S12  
81
Définition des gains en puissance
Puissance délivrée à la charge P
Gain Transduciq ue = = GT = C
Puissance disponible au générateur PDG
2 2 2 2
1 − ΓS 2 1 − ΓL 1 − ΓS 2 1 − ΓL
GT = S 21 = S 21
2 2 2 2
1 − Γ IN .Γ S 1 − S 22 .Γ L 1 − S11 .Γ S 1 − Γout .Γ L
On définit le gain maximal disponible MAG qui correspond à GTmax . Ceci est
obtenu lorsque ΓS = Γ*IN et ΓL = Γ*OUT .
S 21
MAG = GTMAX = ( K − K2 −1 )
S12
Un quadripôle unilatéral correspond à un paramètre |S12| = 0. Dans ce cas, on

peut définir le gain transducique unilatéral :
2 2
1 − ΓS 2 1 − ΓL
GTU = GT S12 =0 = S 21
2 2
1 − S11 .Γ S 1 − S 22 .Γ L

GS G0 GL
82
Unilatéralité
Un quadripôle unilatéral correspond à un paramètre |S12| = 0. Dans ce cas, on peut
2 2
définir le gain transducique unilatéral : 1 − ΓS 2 1 − ΓL
GTU = GT S12 =0 = S 21
2 2
1 − S11 .Γ S 1 − S 22 .Γ L
Un gain transducique unilatéral maximal
correspond à ΓS=S11* et ΓL=S22*
GS G0 GL
Le gain maximum en sortie :
1
GS .Max = GS Γ = S * =
S 11 2
1 − S11
Le Gain maximum dans la charge :
1
GL .Max = GL Γ = S * =
L 22 2
1 − S 22
Lorsque |S12| ≠ 0, on définit une figure d’unilatéralité : U = S11 .S 22 .S12 .S 21
 1 − S 2  1 − S 2 
11 22
  
Sous l’hypothèse d’unilatéralité, l’erreur sur GT est limitée : GTU < GT < GTU
2 2
(1 + U ) (1 − U )
Les bornes inférieure et supérieure désignent respectivement les erreurs maximales
négative et positive. Lorsque U<0.1, on peut considérer le cas d’un quadripôle
unilatéral qui simplifie l’interaction entre ses ports d’entrée et de sortie. Dans le cas
contraire une conception bilatérale doit être considérée.
83
Les amplificateurs linéaires
Amplificateurs à maximum de gain

Bruits dans les circuits RF
Amplificateurs à faible bruit
Amplificateurs à maximum de puissance de sortie
84
Amplificateur RF
L’amplificateur peut être décomposé en trois parties:

• Composant actif
• Circuit d’alimentation
• Cellules d’adaptation
La partie active peut être composée par un ou plusieurs transistors selon les caractéristiques désirées
(gain, facteur de bruit, puissance à la sortie, etc). Le transistor est l’élément clé de l’amplificateur. Une
bonne conception nécessite d’abord un bon choix du transistor.
Critères de choix :
• La gamme de fréquence d’utilisation
• Le gain
• Le facteur de bruit
• La puissance maximale de sortie
• L’efficacité énergétique (consommation de puissance)
• Le type de boitier
• Le coût, etc
85
Alimentation
Circuit d’alimentation :
Le transistor nécessite une alimentation pour son fonctionnement, elle est assurée par le circuit
d’alimentation. C’est un circuit qui permet de fixer le point de fonctionnement de transistor.
Rq: Les paramètres S varient en fonction du point de fonctionnement du transistor.
Pour les techniques de polarisation, il faut garder les mêmes concepts qu’en BF mais la technologie
diffère.
- Circuits de polarisation passifs à base de résistances. L’utilisation des feedbacks permet de réduire
la tension DC et de limiter la variation du courant (Ic, Id). Ces circuits sont dissipatifs.
- Circuits de polarisation actifs: très pratiques surtout avec le besoin de la réduction de la
consommation de puissance
Il faut séparer l’alimentation et le régime dynamique, pour éviter les interactions entre le signal DC et le
signal RF.
- Isoler le signal RF du circuit de polarisation par l’utilisation d’une grande inductance ou une ligne
quart d’onde court-circuitée (grande impédance ou circuit ouvert pour les fréquences RF).
- bloquer le signal DC à l’entrée et à la sortie du transistor par l’utilisation de capacités en série (circuit
ouvert pour le DC). Vgs Vds
Bloqueur RF
Bloqueur RF Transistor
Bloqueur
de CC
Bloqueur
de CC
86
Réseaux d’adaptation
Le concepteur d’un amplificateur micro-ondes doit résoudre le problème suivant : optimiser le transfert
d’énergie de la source vers la zone active de l’amplificateur et de la zone active vers la charge.
Ceci nécessite en général d’insérer des réseaux d’adaptation (non dissipatifs) en entrée et en sortie du
transistor. Ces réseaux sont souvent constitués de tronçons de lignes en série ou en parallèle (stubs) ou
de cellules L-C selon la fréquence de fonctionnement et la bande passante du circuit.
Les réseaux d’adaptation sont généralement conçus pour fonctionner sur une bande de fréquence
limitée. Il est possible qu’un réseau, calculé pour une fréquence f1, améliore le gain GT à cette
fréquence, mais le dégrade à une autre fréquence f2.
Il existe principalement trois types d’amplificateurs :

- Amplificateur à maximum de gain
- Amplificateur à faible bruit PE PC
PDG PDS
- Amplificateur de puissance
Zg
Réseau Quadripôle
Réseau
Vg d’adaptation
d’adaptation
ZL
d’entrée
de sortie
ΓS ΓIN ΓOUT ΓL
87
Amplificateur à maximum de gain
L’adaptation simultanée en entrée et en sortie n’est possible que si K>1, elle consiste
à transformer les coefficients de réflexion ΓIN et Γout respectivement en ΓS et ΓL afin
d’avoir un maximum de transfert de puissance.
ΓS = Γ*IN et ΓL = Γ*OUT
La résolution de ces deux équations donne les coefficients de réflexion ΓMS et ΓML.
2 2
B1 ± B12 − 4 C1 B2 ± B22 − 4 C 2
ΓMS = ΓML =
2.C1 2.C 2
2 2 2
B1 = 1 + S11 − S22 − ∆ C1 = S11 − ∆.S*22
2 2 2 *
B2 = 1 + S22 − S11 − ∆ C2 = S22 − ∆.S11
Si |∆| <1 alors on prend le signe -, sinon on prend le signe +.

Pour un transistor unilatéral, l’adaptation conjuguée implique que ΓS = S*11 et ΓL = S*22
88
Facteur de bruit
On définit le facteur de bruit du quadripôle comme le rapport de deux rapports de signal sur bruit,
celui à l’entrée et celui à la sortie :  SE 
 
N
F = E 
 SS 
 
 NS 
Il mesure la dégradation du rapport signal à bruit après le passage par le quadripôle. Il s’écrit alors
1 NS
F=
GA N E
On a : N S = G A N E + N Q
Avec NQ est la puissance du bruit produite par le quadripôle.
F devient: NQ
F = 1+
GA N E
On note NR=NQ/GA la puissance de bruit interne du quadripôle ramenée en entrée.
F devient : N R
F = 1+
NE
NE est une source de bruit de référence, NE = k.T0.B (k constante de Boltzman =1.3810-13J.K-1, T0
température de référence, B bande passante du signal). Soit TR la température de bruit du
quadripôle ramenée en entrée, alors : NR = kTRB
TR
F devient : F = 1+
89
T0
Facteur de bruit
Quadripôle passif
Les sources de bruit sont seulement le bruit thermique des résistances. Le facteur de
bruit est : 1
F=
GA
Si le quadripôle est sans pertes (purement réactif), nous avons GA=1 et par conséquent
F=1.
Quadripôle actif
Rothe et Dahlke ont démontré que le facteur de bruit d’un quadripôle actif change en
fonction de l’impédance du générateur. Cette dépendance est donnée par:
2
ΓS − Γopt Rn
F = Fmin + 4.rn . rn =
(1 − Γ ).1 + Γ
S
2
opt
2 Z0
ΓS est le coefficient de réflexion de la source et Fmin est la valeur minimale du facteur de

bruit. Γopt est le coefficient de réflexion de la source qui correspond à F=Fmin et Rn est le
paramètre (appelé résistance de bruit) qui quantifie la sensibilité du facteur de bruit à la
variation de ΓS autour de Γopt.
Les quatre paramètres de bruit sont fonctions de la fréquence, de la température et du
point de polarisation du transistor. Une fois déterminés, ces paramètres permettent
d’évaluer le facteur de bruit du transistor dans chaque condition d’adaptation du
quadripôle à son entrée. Il est important de souligner que seule l’adaptation d’entrée
affecte le facteur de bruit du quadripôle.
90
Facteur de bruit
Facteur de bruit d’une cascade de quadripôles
Dans les systèmes de communications, le gain demandé d’un préamplificateur faible
bruit doit être souvent obtenu en cascadant plusieurs étages d’amplification.
Le gain total de la chaîne est : G ATOT = G A1 .G A2 .G A3 .G A4 ........G AN

F2 − 1 F3 − 1 FN − 1
Le facteur de bruit est : FTOT = F1 + + + ....... +
G A1 G A1 .G A2 G A1 .G A2 .G A3 ......G AN −1
Nous pouvons constater à partir de ces équations que le premier étage peut déterminer
le facteur de bruit global d’une cascade, à condition que son gain soit suffisamment
élevé. Cette propriété implique le problème suivant : comment constituer la cascade de
façon à obtenir le meilleur facteur de bruit possible. Le meilleur amplificateur à placer en
tête n’est pas nécessairement celui ayant le plus faible facteur de bruit, mais plutôt celui
ayant la plus faible mesure de bruit.
F −1
M =
1
1−
GA
91
Amplificateur à faible bruit
Le rôle primordial d’un amplificateur faible bruit est d’améliorer le bilan du système au
niveau rapport signal à bruit. Dans un quadripôle actif (transistor à effet de champ ou
bipolaire), les sources de bruit internes produiront la puissance de bruit à la sortie. Cette
puissance s’ajoutera au bruit provenant de sources extérieures (bruit d’antenne, bruit
d’impédance du générateur) et amplifié par le quadripôle amplificateur.
Afin de trouver le meilleur compromis entre le facteur de bruit et le gain d’un
amplificateur à faible bruit, nous utilisons la technique des cercles à bruit constant.
Cercles de facteur de bruit constant
En définissant pour F=Fi≥Fmin:
2 2
1 + Γ opt Γ S − Γ opt
N i = (Fi − Fmin ). =
4.rn 2
1 − ΓS
Cette équation définit un cercle (CF, RF)

Γopt 1  2
CF = RF = Ni2 + N i . 1 − Γ opt 
1 + Ni 1 + Ni  
Remarquons que pour Ni=0 (Fi=Fmin), nous avons

CF=Γopt et RF=0. Les centres des cercles qui
correspondent à Fi≥Fmin sont localisés sur le
segment qui relie le centre de l’abaque de Smith
et Γopt.
92
Amplificateur à faible bruit
- Le facteur de bruit d'un transistor atteint une valeur minimum Fmin pour une valeur
particulière de coefficient de réflexion au générateur Γsopt.
- L'adaptation d'un transistor au minimum de facteur de bruit ne correspond pas
nécessairement aux conditions d'adaptation pour le gain maximum.
- Les cercles à bruit constant et les cercles de gain disponible permettent de sélectionner
un compromis entre le gain disponible et le bruit (Γs).
- Connaissant Γs on peut déterminer un circuit d’adaptation à l’entrée.
- On calcule Γout à partir de Γs et on détermine un circuit d’adaptation à la sortie vérifiant
ΓL= Γ*out
93
Amplificateur à Pout maximale
- Les cercles de gain constant et les contours de puissance de sortie constante
permettent de trouver un compromis entre le gain et la puissance de sortie (ΓL).
- Les contours de puissance Pout constante peuvent être approchés à partir des
paramètres de polarisation DC. Pour obtenir des contours précis, ceci nécessite une
simulation non-linéaire du circuit en se basant sur un modèle non-linéaire performant du
circuit.
- Connaissant ΓL on peut déterminer un circuit d’adaptation à la sortie.
- On calcule ΓIN à partir de ΓL et on détermine un circuit d’adaptation à la sortie vérifiant
ΓS= Γ*IN
94
Amplificateurs multiétages
Lorsqu’un amplificateur à un seul étage ne fournit pas assez de gain, on peut utiliser
une cascade d’amplificateurs. On doit assurer l’adaptation entre la sortie d’un étage et
l’entrée de l’étage qui suit.
Les amplificateurs multiplicatifs sont réalisés par la mise des transistors en cascade à
l'aide des circuits d'adaptation intermédiaires (interétage) ou encore sous forme de
modules d'amplificateur adaptés à 50Ω.
RQ: Problème de saturation du signal
95
Amplificateurs balancés
La configuration balancée utilise deux amplificateurs identiques combinés avec deux
coupleurs hybride 90o de 3dB. Le premier coupleur divise le signal d’entrée en deux avec
un déphasage de 90o. Les sorties des amplificateurs sont sommées en utilisant un autre
coupleur hybride.
Cette configuration permet d’obtenir de bons taux d'onde stationnaire à l'entrée et à la

sortie même si les amplificateurs ont des T.O.S élevés. Si les deux voies sont identiques
les signaux réfléchis à l’entrée et à la sortie des amplificateurs sont dissipés dans la
résistance 50Ω qui termine les ports d’isolation des coupleurs.
Reflected
signal
Reflected
signal
96
Amplificateurs large bande
Un amplificateur est considéré à bande étroite lorsque sa largeur de bande est
inférieure à 20% de sa fréquence centrale.
La conception d'un amplificateur large bande doit faire appel aussi à la connaissance de
la physique des composants. Par exemple, le gain d'un transistor diminue typiquement à
un taux de 6dB par octave, et son bruit croît avec la fréquence.
Afin d'obtenir un étage d'amplificateur à gain plat et à faible bruit et également assurer de
faibles coefficients de réflexion, les circuits d’adaptation doivent assurer une adaptation
large bande et une compensation de la chute du gain du transistor en fonction de la
fréquence.
Techniques d’adaptation
• La contre-réaction,
• L'adaptation résistive,
• L'amplification distribuée.
En général, la conception d’un amplificateur RF doit passer par les choix suivants :
• La sélection du transistor,
• Le choix du principe d'adaptation et de la topologie du circuit,
• Le choix de la technologies de fabrication.
Il n'existe pas de solution unique pour un problème donné. Le concepteur doit faire appel
à la CAO de façon interactive et itérative, afin de trouver le meilleur compromis.
97
Exercice
On considère un transistor bipolaire polarisé au point de fonctionnement Vce =2.5
V, Ic=3mA dont les paramètres S et les paramètres de bruit sont donnés
respectivement par:
1-Tracer les cercles de stabilité à l’entrée et à la sortie à 900 MHz. Identifier les
régions stables et instables.
2-Déterminer une solution pour stabiliser le transistor avec une résistance à la

sortie.
3- Déterminer la nouvelle matrice S en considérant une résistance série de 20 Ω

(K=1.04)
98
Exercice
4- En utilisant la solution de la question 2, tracer des cercles de gain disponible
constant (maxgain, 12, 11) et des cercles de bruit constant (NFmin, 1.5, 2) dans le
plan ΓS.
5- Trouver des réseaux d’adaptation à l’entrée et à la sortie (ΓS, ΓL) pour avoir un
gain total supérieur à 11dB et un facteur de bruit inférieur à 2dB.
99
Amplificateurs de puissance et
techniques de linéarisation
100
Non-linéarités du PA
Vin Système Vout
non-linéaire
Vin = Acos( ω t)
Le comportement d’un système non-linéaire peut être modélisé par :
Vout =α1Vin +α 2Vin2 +α 3Vin3 +...

En se limitant au 3ème ordre, nous obtenons en sortie une composante continue, un
terme de même fréquence qu’en entrée ou fondamental et des termes de fréquence
multiple du fondamental ou harmoniques:
Gain du système
2
(4 2
)
Vout = α 2 A2 + α 1 + 3 α 3 A 2 Vin + α 2 A 2 cos( 2 ω t )+ α 3 A3 cos( 3 ω t )
4
CC Fondamental Harmoniques
En régime petit signal, le gain est égal à α1, c’est le gain linéaire du système. En
régime grand signal, le gain diminue en fonction de l’amplitude du signal d’entrée, ce
qu’on appelle compression du gain (α3<0 ). Pour une amplitude suffisamment
importante en entrée, le signal en sortie devient saturé.
101
Les sources de courants sont principalement responsables de la variation
d’amplitude du signal de sortie en fonction du niveau du signal d’entrée et les
capacités non linéaires induisent un déphasage du signal de sortie également
fonction du niveau du signal d’entrée.
Distorsion d‘amplitude (AM/AM): variation de l‘amplitude du gain complexe en
fonction de la puissance d’entrée du signal.
Distorsion de phase (AM/PM): Variation de la phase du gain complexe en
fonction de la puissance d’entrée du signal.
54 -50
53 -55
52 -60
Phase (degré)
51 -65
Gain (dB)
50 -70
49 -75
AM/AM
48 -80
AM/PM
47 -85
46 -90
-20 -15 -10 -5 0
P (dBm)
in
102
Si à l’entrée d’un système non-linéaire nous présentons un signal Vin(t) composé de
deux fréquences, nous retrouvons en sortie une composante continue, les deux
fondamentaux, leurs harmoniques et des termes d’intermodulation qui sont des
combinaison des fondamentaux et des harmoniques.
Vin = A1 cos( ω1 t)+ A2 cos( ω2t)

α
Vout = 2 ( A 2 + A 2 )
1 2 CC
2
 3 3   3 3 
Fond. +  α1 A1 + α3A1 A22 + α3A32  cos(ω1 t) +  α1 A2 + α3A2A12 + α3A13  cos(ω2 t)
 2 4   2 4 
α α
+ 2 A 12 cos( 2 ω1 t ) + 2 A 22 cos( 2 ω 2 t )
Harm. 2 2
α3 3 α3 3
+ A 1 cos( 3 ω1 t ) + A 2 cos( 3ω 2 t )
4 4
+ α 2 A 1 A 2 cos( ω1 + ω 2 ) t + α 2 A 1 A 2 cos( ω1 − ω 2 ) t
Intermo 3α 3 A 12 A 2 3 α 3 A 12 A 2
dulations + cos( 2 ω1 + ω 2 ) t + cos( 2 ω1 − ω 2 ) t
42 4 2
3α 3 A 2 A 1 3α 3 A 2 A 1
+ cos( 2 ω 2 + ω1 ) t + cos( 2 ω 2 − ω1 ) t
4 4
103
2ω 1 + ω 2 2ω 2 + ω 1
2ω 1 − ω 2 2ω 2 − ω 1
2ω 1 2ω 2 3ω 1 3ω 2
ω1 ω 2 ω 2 − ω1 ω1 ω 2 ω1 + ω 2
Distorsion Harmonique : la distorsion

harmonique d’ordre n HDn, est le rapport de
l’amplitude de l’harmonique d’ordre n sur
l’amplitude du fondamental.
1 α2 1 α3
HD2 = A HD3 = A2
2 α + 9 α A2 4 α + 9 α A2
1 4 3 1 4 3
Distorsion d’intermodulation : La distorsion

d’intermodulation d’ordre n IMDn est le rapport de
l’amplitude de l’intermodulation d’ordre n sur le
fondamental.
α2 A 3 α 3 A2
IMD2 = IMD3 =
9
α1 + α 3 A 2 4 α + 9 α A2
4 1 4 3
104
Efficacité énergétique
L’alimentation DC fournit une puissance PDC qui se répartit entre la puissance dissipée
dans la charge Pout et la puissance Pd dissipée en pure perte dans l’amplificateur. La
puissance Pin fournit par le générateur est négligeable devant PDC.
Efficacité du drain (FET) et Efficacité du collecteur (BJT): c’est le rapport de la
puissance RF à la sortie sur la puissance DC consommée par le drain. η Drain = Pout
PDC
La puissance DC consommée par la grille est très faible devant la puissance DC
consommée par le drain. Alors la puissance DC totale est souvent confondue avec la
puissance DC consommée par le drain.
Efficacité de la puissance ajoutée : c’est le rapport de le rapport de la valeur de la
puissance RF ajoutée par l’amplificateur de puissance sur la puissance DC consommée
par ce dernier. η PA = Pout − Pin
PDC
c’est une grandeur qui permet de déterminer la capacité du transistor à transformer
l’énergie du courant continue en une énergie RF.
105
Problématique du PA
Pout et efficacité énergétique
Compromis
Non-linéarités de l’amplificateur de puissance
18 40
Maximum de puissance 80
16
35
14 Maximum de gain 60
(dBm)
η
Pout (dBm)
petit signal
EPA
12 30
(%)
out
P (dBm) 40
out
P
10
25 η (%)
EPA
8 20
20
6 -15 -10 -5 0 5 10 15
-14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 P (dBm)
Pin (dBm) in
106
Choix de l’impédance de charge
Technique Load Pull
Cette technique permet de faire varier l’impédance de charge et mesurer la puissance de
sortie qui en résulte.
Le circuit d’adaptation à l’entrée (Input tuning stubs) permet maintenir une adaptation
conjuguée à l’entrée pour pouvoir fournir à l’amplificateur une puissance d’entrée
constante.
Le circuit d’adaptation à la sortie (Output tuning stubs) permet de changer l’impédance
de sortie ZL afin de maintenir une puissance de sortie constante.
A : puissance à l’entrée
B : puissance réfléchie
à l’entrée
C : puissance à la sortie
107
Amplificateur à Pout maximale
- Les cercles de gain constant et les contours de puissance de sortie constante (load
pull) permettent de trouver un compromis entre le gain et la puissance de sortie (ΓL).
- Les contours de puissance Pout constante peuvent être approchés à partir des
paramètres de polarisation DC. Pour obtenir des contours précis, ceci nécessite une
simulation non-linéaire du circuit en se basant sur un modèle non-linéaire performant du
circuit.
- Connaissant ΓL on peut déterminer un circuit d’adaptation à la sortie.
- On calcule ΓIN à partir de ΓL et on détermine un circuit d’adaptation à la sortie vérifiant
ΓS= Γ*IN
108
Classes d’opération
La classe d’opération du transistor est définie par rapport à la droite de charge du
transistor.
Classe A : Lors du fonctionnement, il n’y a ni saturation ni blocage. Le point de
fonctionnement idéal (A) est situé au milieu de la droite de charge (α = 360°).
Classe B: Le transistor est conducteur pendant une demi-période. Le point de
fonctionnement idéal (B) correspond à Ids=0. (α = 180°).
Classe AB : En pratique il est difficile d’obtenir un courant de repos nul en classe B. Il est
plus simple de polariser le transistor en maintenant un courant Ids faible. (180°< α
<360°).
Classe C: Le transistor est conducteur pendant moins d’une demi-période. (α < 180°).
On définie l’angle de conduction (α) comme étant la période angulaire du cycle RF où la
conduction a lieu Classe C Classe B Classe AB Classe A
100
90
80
η max (%)
70
60
50
Classe A Classe B 0 π/2 π 3π/2 2π
α (rad)
( )
109
Techniques de linéarisation
Prédistorsion RF/IF/BB
La technique de linéarisation par prédistorsion consiste à mettre en cascade avec le PA
une fonction non linéaire inverse à celle du PA. Connaissant l’allure (AM/PM) et (AM/AM)
du PA, le circuit de prédistorsion doit réaliser une compensation du gain et de la phase.
La prédistorsion peut se faire à trois niveaux :
•En RF : Par exemple en utilisant une diode RF Schottky en parallèle avec une capacité.
•EN IF : Ceci permet la conception d’un seul élément de prédistorsion pour différentes fréquences
porteuses.
•En BB : Avec l’avènement des DSP, la caractéristique de prédistorsion est stockée dans une table de
façon à corriger le signal.
La prédistorsion analogique est à faible complexité, mais présente une faible précision et
adaptée pour des PA à faible non-linéarité. La prédistorsion numérique offre une grande
précision et permet d’intégrer des techniques adaptatives
110
Techniques de linéarisation
Linéarisation par boucle de rétroaction (Feedback)
Cette technique utilise une charge résistive reliant la sortie à l’entrée du PA permettant de
compenser les erreurs introduites par le fonctionnement non-linéaire du PA.
Les délais dans la boucle de retour limitent cette technique à des systèmes à bande
étroite et rendent difficile l’application de cette méthode à des amplificateurs constitués
par plusieurs étages.
G
A=
1 + βG
Technique Feedforward
C’est une technique de post-compensation dans le domaine fréquentiel. Elle nécessite
deux boucles, une pour séparer les raies d’intermodulation du signal utile et l’autre pour
les supprimer.
111
Les Mélangeurs
112
Principe des mélangeurs
Un mélangeur est un dispositif permettant de transposer en fréquence un signal sans modifier
l'information dont il est porteur. Les mélangeurs sont utilisés dans la plupart des systèmes de
communications (télécoms, guidage, radars, etc...).Un mélangeur peut :
- Soit augmenter la fréquence du signal utile (up-converter)
- Soit diminuer la fréquence du signal utile (down-converter)
Mélangeur idéal
Non-linéarités des mélangeurs

Le développement de la réponse du dispositif non-linéaire en fonction des fréquences fE et fOL montre
que l'on obtient en sortie les harmoniques de ces fréquences ainsi que d'autres fréquences de
battement du type :± mFOL ± nFE (avec m et n entiers positifs)
113
113
Pertes de conversion
Un mélangeur assure une conversion de puissance d'une fréquence vers une autre.
L'importance du transfert de puissance entre la fréquence d'entrée du mélangeur et sa
fréquence de sortie est caractérisé par le gain de conversion noté Gc. Dans le cas le plus
fréquent où le processus de mélange entraîne des pertes, on définit les pertes de
conversion notées Lc comme étant le rapport de la puissance du signal d'entrée sur la
puissance du signal de sortie aux fréquences correspondantes :
ou encore :
Lc (dB) = PFI (dBm) - PRF (dBm)
Le gain de conversion est relié au pertes de conversion par la relation suivante :

Gc (dB) = - Lc (dB)
114
114
Isolation entre les accès
Les isolations mesurent sous forme de pertes d'insertion, les transferts de puissance non
désirés entre deux accès à une fréquence donnée. Des isolations conséquentes
garantissent qu'il ne pourra y avoir de perturbations liées aux signaux issus des autres
accès.
Isolation OL/RF (dB) = POL à l'accès OL (dBm) - POL à l'accès RF (dBm)
L'isolation OL/RF traduit la capacité du dispositif à éviter la fuite du signal OL sur l'accès
RF. C'est généralement l'isolation la plus critique dans la mesure où le signal de pompe a
une forte amplitude et qu'il se trouve à une fréquence proche de celle du signal RF. Enfin,
le signal OL présent au niveau de l'accès RF pourra être rayonné par l'antenne
d’émission, créant ainsi un rayonnement parasite. La même chose au niveau du
récepteur
115
115
Rejection des signaux
Les réjections vis à vis du signal utile en sortie sont particulièrement importantes car
elles déterminent le gabarit du spectre de sortie. Les réjections les plus critiques
concernent les signaux qui ont une amplitude significative et qui sont proches de la
bande utile, car ces derniers ne peuvent être filtrés facilement.
En émission, les principales raies à rejeter sont typiquement la fréquence OL et la
fréquence image IM.
Réjection x.OL/RF (dB) = [PRF (dBm) - PxOL (dBm)] à l'accès RF
Réjection IM-RF (dB) = [PRF (dBm) - PIM (dBm)] à l'accès RF
En réception, les signaux parasites à la fréquence image sont convertis à la fréquence FI

au même titre que le signal utile RF. Il est donc important de rejeter la contribution de la
fréquence image à la puissance FI.
Réjection IM (dB) = [PRF (dBm) - PIM (dBm)] à l'accès FI
116
116
Les paramètres de linéarité
P1dB
Pin_1dB - Lc_1dB = Pout_1dB
IP3
117
117
Facteur de bruit
On définir deux types de facteur de bruit pour les mélangeurs :
- FSSB en bande latérale unique (SSB Single Side Band)
- FDSB en double bande latérale (DSB Double Side Band).
La différence entre ces deux facteurs de bruit réside dans le principe de considérer ou
non la fréquence image comme source RF du mélangeur. Si les pertes de conversion
sont les même à la fréquence RF et à la fréquence image, on a :
FDSB (dB) = FSSB (dB) – 3
Dans le cas d'un mélangeur à FET froid, le bruit est essentiellement thermique. Le
facteur de bruit SSB est ainsi pratiquement égal aux pertes de conversion. Pour les
mélangeurs à diode, le facteur de bruit est un peu supérieur aux pertes de conversion en
raison du bruit de grenaille de la jonction Schottky.
FSSB > Lc
Pour les mélangeurs actifs, il n'existe pas de relation générale entre le gain du
mélangeur et son facteur de bruit. Les valeurs de facteur de bruit obtenues en pratique
sont très variables mais sont rarement inférieures à 5dB.
118
118
Exemple de mélangeur
Fréquences RF 815 à 995MHz

d'utilisation
LO 960 à 1180MHz
IF 50 à 250MHz
NF 9.3 dB
IP3 à l'entrée 23.6 dBm
Gain 10 dB
Courant d'alimentation 222 mA
Surface 5.0x5.0 mm²
Applications Systèmes large bande,
CDMA, GSM, WiMax, WLAN,
WLL
119
119
Les oscillateurs RF
120
Principe de conception des LO
Paramètres des oscillateurs
Idéalement, un oscillateur génère un courant de sortie de la forme :
i(t)=A cos(2πfot)
Dans la pratique, A et fo fluctuent autour de leurs valeurs moyennes. Le bruit d’amplitude
est en général moins important que le bruit de phase.
En général, on s’intéresse à quatre grandeurs fondamentales lorsqu’on étudie un
oscillateur :
• Condition d’entretien des oscillations et stabilité de l’oscillateur
• Fréquence d’oscillation et plage d’accord
• Bruit de phase
• Puissance délivrée
Les deux premières grandeurs seront obtenues par une approche petit signal, on
utilisera les paramètres S ou les impédances. Les deux dernières font intervenir les non-
linéarités et doivent être traitées par une approche grand signal.
Critères de performance des oscillateurs

• Une bonne pureté spectrale (harmoniques réduites)
• Un bruit de phase faible (stabilité de la raie dans le temps)
• Etre variable en fréquence pour être associé à un synthétiseur
121
Conditions d’oscillation
L'oscillateur étant constitué de composants actifs et passifs, il est toujours possible de le
mettre sous la forme générale d'un multiport actif et d'un multiport passif , chacun étant
caractérisé par sa matrice S.
[b] = [S ][a] et [b' ] = [S' ][a' ]
[b] = [a' ] et [a] = [b' ]
([S ][S ' ]− [1])[a' ]= 0 alors [S ][S ' ] = [1]
{ [ ] }
La condition générale d’oscillation est : det [S ] S ' − [1] = 0
[S ]p = 
0
[S ]a = 
Γ1 S11 S12 
0 Γ 2   S 21 S 22 
1 S S Γ new 1 S S Γ new
= S11 + 12 21 2 = S11 ou = S22 + 12 21 1 = S22
Γ1 1 − S22Γ2 Γ2 1 − S11Γ1
Représentation des charges d’un quadripôle actif

122
122
Cas général
new
Γ1<1 (composant passif) S11 >1
Ceci signifie que le multiporte actif est instable lorsque il est chargé par Γ2, Γ3,⋅⋅⋅Γn. C’est
à dire il faut que K<1. Si le multiporte est d’origine stable on peut placer une réaction
série ou parallèle pour le rendre instable.
La condition d’oscillation peut être interprétée en utilisant les impédances.

On a : Γ aΓ p = 1
Za - Zo Z p - Zo
Alors, . =1 ou encore Za + Z p = 0
Za + Zo Z p + Zo
( )
ℜ e (Z a ) = −ℜ e Z p

( )
 ℑ m (Z a ) = −ℑ m Z p
123
123
Fonctionnement d’un oscillateur
Démarrage des oscillations
Un oscillateur démarre sur du bruit ayant un spectre très large contenant toutes les fréquences
d'oscillations permises par le composant actif. A la sortie, on récupère une seule fréquence amplifiée
Fo.
Saturation
Les éléments du composant actif responsables de la saturation de l’amplitude du signal à la sortie
sont les éléments non linéaires. Dans un transistor il existe deux phénomènes principaux,
responsables de la saturation :
- Un effet de limitation de la valeur des éléments (exemple : la transconductance gm) qui entraîne une
réduction du gain.
- Un mécanisme de rectification qui va entraîner un déplacement du point de polarisation dans une
région où le gain est plus faible.
Stabilisation
La stabilité caractérise la capacité de l’oscillateur à délivrer un signal d’amplitude et de fréquence fixe
lorsque se produit une perturbation d’amplitude ou de phase interne ou externe.
- Si l’on représente l’oscillateur comme une résistance négative, on doit placer un circuit résonant
série
- Si l’on représente l’oscillateur comme une conductance négative, on doit placer un circuit résonant
parallèle.
124
124
Conception des LO
LO à réaction parallèle LO à réaction série

1/ On sélectionne un transistor de puissance de sortie suffisante à la fréquence
d'oscillation (fiche technique du constructeur ou simulation logiciel)
2/ On sélectionne une topologie qui permet d'obtenir un coefficient de stabilité K <1 à la
fréquence d'oscillation voulue. (on ajoute une contre-réaction série ou parallèle)
3/ On sélectionne un circuit d'adaptation de sortie qui donne |S11new|>1 à Fo
4/ On fait résonner le port d'entrée
avec le résonateur pour que
new
S11 Γ res > 1
125
125
Bruit de phase
Le signal généré par l’oscillateur local n’est pas une sinusoïde parfaite. Le bruit injecté
affecte aussi bien l’amplitude que la phase du signal généré. La variation de la fréquence
est traduite par une variation temporelle de la phase du signal appelée bruit de phase.
Le bruit de phase de l'oscillateur local est un paramètre de conception très important. Il
mesure la pureté spectrale de l’oscillateur. En pratique, le bruit de phase est obtenu par
intégration de la densité spectrale de puissance sur une bande de fréquence située à ∆f
de la fréquence porteuse fLO divisée par la puissance du signal à la fréquence fLO.
Signal utile Interférant

Sortie LO
Oscillateur idéal Oscillateur réel
ω o ω
ω C ω ω C ω
∆ω
Bruit de phase de l'oscillateur local ω

Spectre après conversion de
fréquence
Effet du bruit de phase dans les systèmes de transmission
126
126
Oscillateur à fréquence fixe
Les caractéristiques les plus importantes pour un LO fixe sont :
- une dérive en fréquence faible avec la température
- un bruit de phase le plus faible possible
Eléments Actifs
- à diode (Gunn ou Impatt)
- à transistor (BJT ou FET)
Les critères de choix sont fonctions de la fréquence, de la puissance de sortie, des
tensions d'alimentations, etc.
Résonateurs
Les éléments résonateurs doivent posséder un fort coefficient de qualité avec une
fréquence de résonance variant peu avec la température et le vieillissement :
- cavité coaxiale
- cavité métallique
- résonateur diélectrique
- résonateur à onde de surface
- lignes ou éléments distribués
- LC ou éléments localisés
127
127
Oscillateur à fréquence variable
Les caractéristiques les plus importantes pour un LO variable sont :
- L’accordabilité : différentes bandes de fréquences + couverture de chaque bande
- Faible bruit de phase
- Vitesse d’acquisition de la fréquence.
Eléments Actifs
- à diode (Gunn ou Impatt)
- à transistor (BJT ou FET)
Résonateurs
- à diode varactor associé à des éléments LC localisés ou une structure distribuée
- à bille de YiG.
Oscillateurs à varactor
Un varactor est une jonction PN polarisée en inverse dont la largeur de la zone de
déplétion forme une capacité variable en fonction de cette tension inverse. La bande de
fréquence accordable dépendra donc du rapport Cmax/Cmin de la diode
Co
C=
α
 V 
1 − 
 Vo 
V
128
128
Exemples de VCO
129
129
Boucle à verrouillage de phase
Architecture d’une PLL
• La multiplication de fréquence est contrôlée par le rapport de la boucle de rétroaction

• Les boucles à verrouillage de phase ont une très bonne stabilité et un très faible bruit
de phase
• leur réponse au changement de fréquence peut être assez longue
130
130
Composants RF actifs et technologies
de fabrication
131
Composants RF
Les composants RF peuvent être classés en trois familles:
- Les composants discrets dipôles
• Diodes Schottky, PIN et varactors: traiter les signaux hyperfréquences en
modifiant leur amplitude (atténuateurs, modulateurs), leur fréquence ou leur phase
(détecteurs, mélangeurs, multiplicateurs, déphaseurs).
• Diodes Gunn, IMPATT et à avalanche: générer une puissance RF.
- Les composants discrets tripôles (FET, BJT) : amplification faible bruit, amplification
de puissance, génération de puissance (oscillateurs).
- Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui réunissent, sur un même
substrat semiconducteur, différents composants actifs et passifs afin de réaliser une
fonction complète.
La conception d’un circuit RF actif fait appel aux connaissances suivantes:

- Modèles linéaire (petit signal) et non linéaire (grand signal) du composant actif
- Limitations physiques du fonctionnement du composant actif et leur prise en compte
- Variation du comportement du composant en fonction de la température
132
Diode Schottky
La diode Schottky est réalisée à partir d’une jonction métal semi-conducteur. Elle est
caractérisée par son faible seuil de tension et sa rapidité de commutation. Elle est
utilisée dans les détecteurs et mélangeurs de signaux radiofréquence.
Constitution d’une diode Schottky
Modèles non-linéaire et linéaire de la diode Schottky
 V  Co dI d 1
Id = Is  exp d − 1 Cb = 1/ 2
G= = (Id + Is )
 VT   Vd  dVd VT
1 − 
 Vo 
VT =nkT/q , n est le facteur d’idéalité>1

Is est le courant de saturation
Co et Vo sont des constantes
Comparaison des caractéristiques d’une
diode Schottky et d’une jonction PN Rs est une résistance d’accès
133
Transistors FET
Les différents types de transistors FET (Field Effect Transistor):
- Junction FET (JFET)
- Metal-Semiconductor FET (MESFET) en Arsenure de Gallium (AsGa)
- Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET)
JFET MESFET
NMOS
CMOS Complementatry MOS (NMOS+PMOS)
SIO (Silicon on Insolator) pour réduire l’effet des
capacités parasites et augmenter la rapidité.
MOSFET
134
Modèle du MESFET
Partie intrinsèque
Cgs et Cgd représentent les capacités non linéaires dues aux variations de charge
dans le canal.
Cds prend en compte les effets capacitifs du canal entre les électrodes de drain et
de source.
Les résistances Rs et Rd sont les résistances des contacts ohmiques, Rg est la
résistance de métallisation du contact Schottky.
La source de courant de drain Ids constitue la non linéarité dominante du transistor.
135
Transistors Bipolaires
Les différents types de transistors bipolaires :
- Les transistors bipolaires en Silicium (BJT)
-Les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT)
Le Si BJT est utilisé à des fréquences inférieure à 8GHz. En comparaison avec le

MESFET, il permet d’obtenir le gain et le facteur de bruit adéquats pour plusieurs
applications à un coût moins élevé. Par contre, le MESFET peut travailler à des
fréquences plus élevées pratiquement jusqu’à 60 GHz, possède un bruit plus faible qu’un
BJT, peut délivrer plus de puissance, possède des bonnes caractéristiques thermiques et
ses caractéristiques de distorsion sont meilleures que celles du BJT. Les HBT en AsGa
offrent de bonnes performances en puissance et peuvent atteindre des fréquences
élevées 80GHz.
SiO2 Émetteur
Cap n+
Base Base
Émetteur N H+
+
Base p
Collecteur Collecteur
Collecteur n
Sous Collecteur n+
Substrut semi-isolant GaAs
Substrat
BJT HBT
136
Transistors HBT
Partie intrinsèque
Rb, Rc et Re représentent les résistances ohmiques entre les contacts et la zone

active.
• les capacités Cbc et Cbe représentent les capacités de diffusion et de déplétion des
jonctions.
• Ice est la source de courant de collecteur non linéaire.
Les principales sources de non linéarités dépendantes de la polarisation sont les
sources de courant de base Ibe et de collecteur Ice, la capacité d’entrée Cbe et
la capacité base-collecteur Cbc.
137
Technologie MMIC
L a première réalisation de circuits intégrés monolithiques analogiques micro-ondes
( Monolithic Microwave Integrated Circuits MMIC ) date depuis 1975. L’idée de cette
technologie et de rassembler tous ces composants sur un même substrat. Cette
démarche a été déjà largement engagée avec les Circuits Intégrés Numériques ou
Analogiques Basse Fréquence. Les solutions hybrides à composants discrets s'effacent
progressivement au profit de solutions monolithiques.
Avantages : meilleure reproductibilité, fiabilité ,des performances élevées, pour un coût

et un encombrement plus faible.
138
Méthodologie de conception
139
Simulateurs
La conception de circuits RF étant primordiale pour estimer le comportement et la
réponse du circuit à réaliser. La modélisation électrique des composants est
importante car les performances du circuits reposent sur les modèles utilisés.
Simulation DC
Cette analyse permet de trouver le point de fonctionnement des composants actifs
du circuit, de tracer leurs caractéristiques statiques et de déterminer la puissance
consommée. Elle permet également de vérifier si tous les composants actifs du
circuit sont correctement polarisés. Les inductances sont court-circuitées et les
capacités sont remplacées par des circuits ouverts.
Simulation linéaire ou petit signal
Dans le domaine linéaire, la simulation est effectuée en analyse fréquentielle avec
des composants linéaires ou des composants non-linéaires (linéarisés à un point
de fonctionnement). Les courants et tensions sont calculés en fonction de la
fréquence pour les analyses AC et paramètres S. Ces simulations permettent
d’obtenir la réponse de circuits linéaires comme les circuits passifs de type filtres,
les amplificateurs petit signal (LNA, large bande).
140
Simulateurs
Simulation non linéaire ou grand signal
Ces analyses sont considérées dans le cas de circuits non-linéaires tels que les
amplificateurs de puissance, les oscillateurs, les mélangeurs, les
modulateurs/démodulateurs, les diviseurs et multiplieurs de fréquence.
Il existe principalement 3 types d’analyses non-linéaires : temporelle, fréquentielle et
tempofréquentielle.
On utilise une simulation transitoire pour laquelle les courants et tensions à travers
le circuit sont calculés sur un intervalle de temps, les non-linéarités sont alors prises
en compte.
On utilise une simulation en équilibrage harmonique (Harmonic Balance) ,dans ce
cas le circuit est scindé en deux parties : une partie linéaire (résistance, capacité,
etc...) calculée en analyse fréquentielle et une partie non linéaire (diode...) calculée
en analyse temporelle, une FFT étant appliquée pour obtenir le résultat final dans le
domaine fréquentiel, après convergence. La simulation est effectuée uniquement en
régime établi.
On utilise la simulation d’enveloppe, dans le cas où le circuit comporte des signaux
à des fréquences dont les ordres de grandeur sont très différents. Typiquement, c’est
le cas de circuits transmettant une fréquence porteuse au GHz, modulé par un signal
binaire à quelques centaines de kHz.
141
Exercices
142
Exercices
Exercice 1:
a) Retrouver la conversion de la matrice ABCD à S.
A+ B/ Z0 −CZ0 − D 2(AD− BC)
S11 = S12 =
A+ B/ Z0 +CZ0 + D A+ B/ Z0 +CZ0 + D
2 − A+ B/ Z0 −CZ0 + D
S21 = S22 =
A+ B/ Z0 +CZ0 + D A+ B/ Z0 +CZ0 + D
b) Déterminer la matrice ABCD d’une impédance série puis déduire sa matrice S.
V1 V
A= =1 B = 1 =Z
Z V2 I =0 −I2 V =0
2 2
I1 I
C= =0 D= 1 =1
V2 I =0 −I2 V =0
2 2
143
Exercices
Exercice 1 (suite):
c) Déterminer la matrice ABCD
d’une admittance parallèle puis
Y
déduire sa matrice S.
V1 V
A= =1 B = 1 =0
V2 I =0 −I2 V =0
2 2
I1 I
C= =Y D = 1 =1
V2 I =0 −I2 V =0
2 2
d) Déterminer la matrice ABCD

d’une ligne de transmission puis ZC, L, β
déduire sa matrice S.
Y2
e) Déterminer la matrice ABCD d’un
réseau en π puis déduire sa matrice
Y0 Y1 Y3 Y0
S. Trouver les valeurs de Y1, Y2 et Y3
pour un atténuateur 6 dB.
144
Matrice ABCD d’une ligne de longueur L
Losrque l’origine est prise à la charge et l’axe des x est orienté vers le
générateur, on peut établir les relations entre les tension et courant (VR,IR) pour
x=0 et (V(L), I(L)) pour x=L
V ( L) = V R ch(γ L) + Z C I R sh(γ L)
VR
I ( L) = I R ch(γ L) + sh(γ L)
ZC
En considérant le tronçon de ligne comme quadripôle :
 ch(γ L) Z C sh(γ L) 
 V ( L )    V R 
  =  1 sh(γ L) ch(γ L)   
 I ( L)  Z  IR 
 C 
AvecV1=V(L), I1=I(L), V2=VR et –I2=IR
145
Exercices
Exercice 2:
a) On considère un stub ouvert. Déterminer son impédance ainsi que son
admittance d’entrée.
λ/4) shuntée par 2 stubs ouverts
b) En déduire la matrice S et ABCD d’une ligne (λ
λ /8) de part et d’autre.
(λ
λ/ 4
Z0 λ/8 Z0 / 2 Z0
146
Solution de l’exercice 2
Stub shunt ouvert de longueur λ/8 :
λ/ 4
ZL + jZ0 tan β l
Zin = Z0 = − jZ0 cot β l Z2 =Z0 / 2
Z0 + jZL tan β l
Yin = j / Z0 (β l = π /4, ZL → ∞)
Z1 =Z0 λ/ 8 Z0
Structure formée de 3 quadripôles en cascade:
 Z0 
A B  1 0  0 j   1 0  1  −1 jZ 0 
C D  =  j / Z 2 =
   0 1    j / Z0 1 
2  j / Z0 −1 
 j 2 / Z 0 0 
147
Solution de l’exercice 2
A + B − C − D (−1+ j − j +1) / 2
S11 = S 22 = Γ Γ= = =0
A + B + C + D (−1+ j + j −1) / 2
S12 = S 21 = T 2 2 −1 − j
T= = =
A + B + C + D (−1 + j + j −1) / 2 2
1  0 − (1 + j )
[S ] = 
2 − (1 + j ) 0 
148
Exercice :
L Term
C L1 Term2
Term L=11.2 nH Num=2
C1
Term1 R= Z=50 Ohm
C=4.5 pF
Num=1
Z=50 Ohm
MSub
MSUB
Term MSub1
Term
Term3 MLIN MLIN
MLIN MLIN Term4 H=1.6 mm
TL2 TL4 Num=4
Num=3 TL3 TL1 Subst="MSub1" Subst="MSub1" Z=50 Ohm
Er=4.32
Z=50 Ohm
Subst="MSub1"Subst="MSub1"
W=3 mm W=20 mm
W=0.5 mm W=3 mm Mur=1
L=17.05 mm L=10 mm
L=10 mm L=9.8 mm Cond=1.0E+50
Hu=1.0e+033 mm
T=40 um
TanD=0.018
Rough=0 mm
149
Exercice
On considère le transistor bipolaire BFP640 d’Infineon polarisé au point de
fonctionnement (2V, 20mA). Sa matrice S mesurée à 900 MHz est donnée par :
0.4∠ − 102 o 0.029∠60 o 
S= 
 20.7 ∠106 0.54∠ − 43 o 
o
1-Sous l’hypothèse d’unilatéralité, déterminer les réseaux d’adaptation à l’entrée et à

la sortie (coefficients de réflexion) pour concevoir un amplificateur à maximum de gain
fonctionnant à 900MHz.
2-Déterminer le maximum de gain unilatéral.
3-Déterminer la plage de l’erreur sur le gain réel de l’amplificateur à maximum de gain
sous l’hypothèse d’unilatéralité.
4-Tracer les cercles de stabilité du transistor, analyser la stabilité.
5-Vérifier ce résultat par un autre moyen
150
Exercice
On considère un transistor bipolaire polarisé au point de fonctionnement Vce =2.5
V, Ic=3mA dont les paramètres S et les paramètres de bruit sont donnés
respectivement par:
1-Tracer les cercles de stabilité à l’entrée et à la sortie à 900 MHz. Identifier les
régions stables et instables.
deltaabs =0.1808; K =0.8213
CL =1.6568 + 3.2223i; RL =2.7568, CS =-1.8998 + 0.2507i; RS =1.0081
2-Déterminer une solution pour stabiliser le transistor avec une résistance à la
sortie.
Maxgain1= 13.9dB
Rsérie=0.32*50=16Ω, g=0.1, Rparallèle=50/0.1=500Ω
3- Déterminer la nouvelle matrice S en considérant une résistance série de 20 Ω
(K=1.04)
151
Exercice
On considère un amplificateur à deux étages donné par la figure 1. T1 est le
transistor de l’exercice 1 et T2 est le transistor du problème 1.
Déterminer les relations entre les coefficients de réflexion (ΓS, ΓIN,1, ΓOUT,1, ΓIN,M,
ΓOUT,M, ΓIN2, ΓOUT,2 et ΓL) afin d’avoir un amplificateur à maximum de gain à 900MHz.
ΓS=ΓIN,1 *, ΓOUT,1=ΓIN,M *, ΓOUT,M=ΓIN,2 * et ΓOUT,2==ΓL *
152

CDRF Indp2 Systel 2017

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

CDRF Indp2 Systel 2017

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

École Supérieure des Communications

Ingénieurs en Télécommunications, 2ère année

1 © SUP’COM, Mars-Mai 2017

Information Radio channel

Spectre à la sortie d'un système non linéaire

v(x, t) = [Aexp(-γ .x) + Bexp( γ .x)] exp(jωt)

• L’amplitude du premier terme (A e-αx) décroît quand x augmente (déplacement du

Ligne sans pertes Ligne à faibles pertes

Rapport d’onde stationnaire

Les paramètres S dépendent de la fréquence et sont usuellement déterminés par

V1 = Z 11 I1 + Z12 I 2  V1   Z11 Z12  I 1 

Schéma électrique équivalent du quadripôle

Conversions Z, Y, ABCD à S Conversions S à Z, Y et ABCD

Ds = 2 ZZ0 Coshγl + ( Z 2 + Z02 ) Sinh γl

☺ Grandeurs usuelles (gains & coefficients de réflexion)

☺ Terminaison 50Ω : Précises vs court-circuits ou co @ HF

☺ Pas besoin d’ajuster des stubs (cc ou co)

☺ Conception aisée avec l’abaque de Smith et les outils CAO, d’Amplificateurs,

☺Mesures aisées à l’aide de l’analyseur de réseaux vectoriel

• Dispositifs: émetteur, récepteur,…

• Supports de transmission : guides, lignes

• Composants passifs : L, C, Lignes

• Circuits passifs: coupleurs, filtres,…

• Composants actifs: diodes, transistors

• Circuits actifs: amplificateurs, oscillateurs,.

• Partout ! Importance capitale des lignes

• Attention aux discontinuités

• Modèles (Topology, extraction,…)

• Analyse (Méthodes, CAD,…)

Inductance………………………………………………. L = 200 ln (b / a ) nH/m

Retard…………………………………………………… τ d = 3.33 ε r ns/m

Impédance caractéristique : (Analyse)

• Effets de bord dans les stubs

on obtient une résistance qui augmente avec la fréquence du signal R(f)

Paramètres Conception du Conversion Implémentation

• Gabarit du filtre • Choix de l’approximation • Transformations • Choix de la technologie

Faire la conception d’un filtre passe-bande du type Butterworth d’ordre 3,

2- appliquer la transformation Passe-bas Passe-bande

3- calculer les éléments L et C

4- vérifier la réponse S21 du circuit par simulation

Couplage aux extrémités

On se propose de concevoir un filtre passe bas de deuxième ordre selon

l’approximation de Butterworth ayant une fréquence de coupure de 1GHz.

1- Déterminer les valeurs de L et C

2- Simuler les paramètres S du filtre

3- Trouver l’équivalent des éléments discrets en ligne microruban.

4- Synthétiser le layout du filtre sur un diélectrique du type FR4 et simuler sa réponse.

5- Modifier le circuit pour que la fréquence de coupure devienne de l’ordre de 2 GHz.

Les paramètres à considérer lors de la conception d’un atténuateur sont:

Masquage d’une désadaptation : protection de la source

Inconvénient : affaiblissement simultané du signal réfléchi et du signal incident.

Un déphaseur idéal est un quadripôle réciproque non dissipatif parfaitement adapté.

Les quadripôles en PI et en T, passe-bas et pass-haut peuvent être utilisés

Un isolateur idéal est un quadripôle non réciproque parfaitement adapté qui

Applications: Protection d’une source HF (générateur, oscillateur) dont la charge

Applications: Duplexage (2 circulateurs pour utiliser la même antenne à l’émission

Utilisé en inverse, la propriété de ce diviseur permet d’en faire un combineur de

Applications: Boucle à verrouillage de phase PLL (prélèvement de puissance),

La condition de conservation d’énergie donne :

Pour simplifier on prend S12=S34=α. La matrice S devient :

P1 est la puissance d’entrée à l’accès 1

Coupleur anti-symétrique: θ=0, φ=π

Le maximum de couplage apparaît lorsque la longueur de couplage est de λ/4

ΓS=ΓIN,1 , ΓOUT,1=ΓIN,M , ΓOUT,M=ΓIN,2 * et ΓOUT,2==ΓL *