Projet Methode de Mesure Des Caracterist

Université Cadi Ayyad
Faculté des Sciences Semlalia

Marrakech
Département de physique
Projet de fin d’études-Semestre VI
Parcours : E2I
Intitulé du mémoire :
Méthode de mesure des

caractéristiques des composantes
Noms des candidats :

ABOUZID MOHAMED
AHYAOUI ABDELKABIR
Membres de jury :
Pr. Mme Boustani (encadrante)
Pr.
Pr.
DATE DE SOUTENANE :
REMERCIEMMENTS
Avant d’entamer notre présent rapport, nous remercions en
premier lieu, Dieu, de nous avoir donné à la fois, le courage et la
confiance en nous-mêmes pour pouvoir continuer nos études.
Nous tenons à exprimer nos remerciements les plus sincères

envers madame Boustani, notre enseignante, pour son
encadrement, sa disponibilité, sa compréhension et son aide
précieuse.
Nous remercions également tous ce qui ont contribué de près ou

de loin à l’élaboration de notre projet.
Nous remercions le responsable du parcours E2I et membres du

jury pour bien vouloir évaluer notre travail
Sommaire
Introduction Générale ............................................................................................................................. 1
CHI : LA MESURE DES CARACTERISTIQUES DES IMPEDANCES ............................................................... 4
I). La mesure de la caractéristique des résistances ....................................................................... 4
1) Introduction ......................................................................................................................... 4
2) La mesure par la méthode ohm-mètre.................................................................................. 5
3) La mesure par la méthode U=f(I)........................................................................................... 5
4) La mesure par la méthode des ponts .................................................................................... 6
a)- La mesure par le pont de Wheatstone ................................................................................. 7
b)- La mesure par le pont de Thomson...................................................................................... 7
c)- La méthode de quatre points ............................................................................................... 9
II). La mesure des caractéristiques des inductances et capacités .............................................. 10
1) La mesure par la méthode des ponts .................................................................................. 10
a)- La mesure d’une capacité d’un condensateur par le pont de Sauty .................................... 11
b)- La mesure de caractéristique d’un dipôle inductif par le pont de maxwell ......................... 12
i)- Principe de mesure ......................................................................................................... 13
2) La mesure d’une impédance par l’utilisation de l’oscilloscope ............................................. 13
3) La mesure par la méthode de résonance ............................................................................ 14
CH II : LA MESURE DES CARACTEEISTIQUES DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET
OPTOELECTRONIQUES ....................................................................................................................... 15
I). introduction ........................................................................................................................... 15
II). Les types des semi conducteurs .......................................................................................... 15
III). La mesure de caractéristique d’une diode de silicium ......................................................... 16
1) Introduction ....................................................................................................................... 16
2) la mesure de la tension de seuil et la résistance dynamique................................................ 16
c)- la mesure par la méthode graphique I=f(V) ........................................................................ 16
3) la mesure de nombre de porteurs de charge ...................................................................... 17
a)- la mesure par la méthode graphique C=f(V)....................................................................... 17
b)- la mesure par effet de hall ................................................................................................. 20
i)- principe .......................................................................................................................... 20
ii)- Objectif.......................................................................................................................... 21
iii)- Principe de mesure ....................................................................................................... 22
iv)- Résultats et interprétation ............................................................................................ 23
Type P :............................................................................................................................... 23
IV). caractéristiques statiques d’un transistor bipolaire NPN .................................................... 24
1) introduction ....................................................................................................................... 24
2) relevé des caractéristiques de transistor (2N2222) ............................................................. 25
a)- détermination du point de repos ....................................................................................... 26
i)- polarisation par courant de base .................................................................................... 26
V). La mesure des caractéristiques d’une cellule photovoltaïque .............................................. 27
1) introduction ....................................................................................................................... 27
2) modélisation d’une cellule photovoltaïque ......................................................................... 27
3) analyse ............................................................................................................................... 28
a)- détermination de 𝐈𝐜𝐜, 𝐕𝐜𝐨, 𝐕𝐦 𝐞𝐭 𝐈𝐦 ................................................................................ 29
b)- détermination de 𝐑𝐬 ......................................................................................................... 29
c)- détermination de rendement de conversion ...................................................................... 30
Conclusion : ........................................................................................................................................... 31
Annexe .................................................................................................................................................. 32
Liste des figures

Figure 1:circuit de mesure ....................................................................................................................... 5
Figure 2: caractéristique U=f(I) ................................................................................................................. 6
Figure 3:caractéristique U en fonction de I ............................................................................................... 6
Figure 4:le pont de Wheatstone ............................................................................................................... 7
Figure 5:le pont de Thomson. .................................................................................................................. 8
Figure 6:la méthode des quatre points [I-3] ............................................................................................... 9
Figure 7:la résistivité de l’échantillon. [I-3] ............................................................................................ 10
Figure 8:le pont de sauty ....................................................................................................................... 11
Figure 9:le pont de maxwell ................................................................................................................... 12
Figure 10: méthode double trace ........................................................................................................... 13
Figure 11:méthode de résonance........................................................................................................... 14
Figure 12:caractéristique de résonance.................................................................................................. 14
Figure 13:caractéristique I=f(V) .............................................................................................................. 16
Figure 14:caractéristique de la diode ..................................................................................................... 17
Figure 15:la jonction PN. ........................................................................................................................ 18
Figure 16: caractéristique 1C2 = f(Va) ................................................................................................. 20
Figure 17:effet de hall .................................................................................. Error! Bookmark not defined.
Figure 18:principe de mesure................................................................................................................. 22
Figure 19:caractéristique de sortie ......................................................................................................... 25
Figure 20: la caractéristique de transistor .............................................................................................. 26
Figure 22:schéma équivalent de la cellule ............................................................................................. 27
Figure 23:la cellule chargée par la résistance ......................................................................................... 27
Figure 24:Montage de mesure ............................................................................................................... 28
Figure 25:les caractéristiques de la cellule ............................................................................................. 31
Liste des tableaux

Tableau 1 : les résultats de mesure ........................................................................................................ 16
Tableau 2 :les résultats de mesures [II-1] ............................................................................................... 19
Tableau 3 : le résultats de mesure avec un courant d’intensité égale à 29,9 mA :[II-2]........................... 23
Tableau 4 : les résultats de mesure avec un courant d’intensité égale à 30,1 mA:[II-2] .......................... 24
Tableau 5 :le résultats de mesure.[II-3] .................................................................................................. 25
Tableau 6 : les résultats de mesure. [II-5] ............................................................................................... 28
Tableau 7 :les résultats de l’analyse numérique [II-5] ............................................................................. 30
Tableau 8 :les résultats à partit de tableau 7 [II-5] .................................................................................. 30
Méthodes de mesure des caractéristiques des composantes Parcours:E2I
Introduction Générale
La mesure joue un rôle de plus en plus important dans les domaines électriques et
électroniques. La mesure reste bien souvent, le seul moyen de vérifier le fonctionnement ou
les performances d’un composant, grâce à des appareils de mesure très performants.
Actuellement les centres de recherche disposent d’appareils extrêmement sophistiqués,

pilotés par ordinateurs. Par exemple on peut mesurer simultanément plusieurs paramètres d’un
véhicule en marche à l’aide d’une unité d’acquisition reliée à un ordinateur.
La mesure des caractéristiques des composantes sert à :
La vérification expérimentale d’un circuit.
La modélisation, la mise au point ou le dépannage d’un montage.
La maintenance ou la réparation d’un dispositif électrique ou électronique.
Pour réaliser ces objectifs, il est indispensables d’utiliser plusieurs types d’appareils de
mesure, tels que:
Le voltmètre (analogique et numérique) pour mesurer des tensions ;
L’ampèremètre, pour mesurer des intensités.
Le wattmètre pour mesurer des puissances.
le galvanomètre pour mesurer des intensités très faible
L’ohmmètre pour mesurer des résistances etc.…
D’autres appareils de mesure sont utilisés par l’électricien ou électronicien, notamment

l’oscilloscope, qui permet de visualiser la forme d’un signal et d’obtenir de nombreux
renseignements (amplitude, période, etc…).
AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 1

Dans le cadre de ce travail on s’intéresse aux méthodes de mesure de certains

composants que nous avons étudiés au cours de notre cursus universitaire dans la filière
Sciences de la Matière Physique.
les composants utilisés sont :
les résistances
les condensateurs et les bobines
le transistor
la diode
Cellule solaire

Les appareils de mesure utilisés
Ohmmètre
Un ohmmètre est un instrument de mesure qui permet de mesurer la résistance électrique
d'un composant ou d'un circuit électrique. L'unité de mesure est l'ohm, noté Ω.
Pour calculer la résistance d’un dipôle, on utilise généralement un multimètre qui peut
mesurer plusieurs grandeurs différentes. L’Ohmmètre fonctionne selon la loi d’ohm : R=U/I,
c'est-à-dire que pour calculer la résistance d’un dipôle dans un circuit électrique, il fait le
rapport de sa Tension SUR son Intensité.
L'ampèremètre
Le symbole utilisé pour représenter un ampèremètre dans le schéma d'un circuit
électrique est le suivant :
L'ampèremètre mesurant le courant qui passe dans une branche du circuit, il faut
brancher l'ampèremètre en série avec la branche de sorte que le même courant qui passe par la
branche traverse aussi l'ampèremètre. Il faut donc d'abord déconnecter la branche pour faire
une mesure de courant, afin d'insérer l'ampèremètre dans la branche.
Le voltmètre
Le symbole utilisé pour présenter un voltmètre dans le schéma d'un circuit électrique est
le suivant :
Le voltmètre mesure la différence de potentiel entre deux points quelconques, d'un

circuit, et le voltmètre se retrouve placé en parallèle avec la branche du circuit .
Galvanomètre
Les appareils de mesures électriques à aiguille sont construits à partir d'un galvanomètre,
représenté dans un schéma de circuit par :
Le galvanomètre est basé sur des effets magnétiques. l'aiguille du galvanomètre est
déviée de manière proportionnelle au courant qui le traverse. La valeur maximum de courant
mesurable par le galvanomètre, Imax, est celle qui fait dévier l'aiguille à fond d'échelle un

galvanomètre permet seulement de mesurer des courants de faible intensité, typiquement

inférieurs à 50 µA.
L'oscilloscope
Bien qu'il permette de mesurer une différence de potentiel continue, l'oscilloscope est
particulièrement adapté pour étudier les tensions alternatives dont il permet de mesurer non
seulement l'amplitude mais aussi d'observer la forme de la variation dans le temps.
CHI : LA MESURE DES CARACTERISTIQUES DES

IMPEDANCES
I). La mesure de la caractéristique des

résistances
1) Introduction
En pratique, dans un circuit électrique la résistance est un composant électronique ou

électrique dont la principale caractéristique est d'opposer une plus ou moins grande résistance
à la circulation du courant électrique. Elle traduit, d'une façon simple, la résistance
qu’opposent les conducteurs eux-mêmes au courant électrique. Un petit câble laissera moins
passer le courant qu'un gros câble.
La résistance électronique est l'un des composants primordiaux dans le domaine de

l'électricité. Elle est souvent désignée par la lettre R et son unité de mesure est l'ohm (symbole
Ω).
On trouve de nombreux types de résistances, différents par leur structure, leur forme,
leurs caractéristiques électriques selon la technique de fabrication adoptée et l'emploi auquel
elles sont destinées.
Il existe différentes méthodes de mesure pour déterminer la valeur d'une résistance R :
au moyen d'un ohmmètre
méthode Volt-Ampère,
au moyen d'un pont de Wheatstone ou de Thomson,
Le choix de la méthode se fait en fonction de la précision désiré et de la valeur de

résistance.
2) La mesure par la méthode ohm-mètre
Le symbole utilisé pour représenter un ohmmètre dans un circuit est le suivant :
Contrairement au voltmètre et à l'ampèremètre, l'ohmmètre est un appareil actif : il possède

une pile interne, de valeur connue et envoie du courant dans le circuit, qu'il mesure.
Pour mesurer la valeur d'une résistance ou d'une combinaison de résistances, il faut

connecter les deux sondes de l'ohmmètre aux extrémités de la résistance ou de la combinaison
de résistances, alors qu'elle ne reçoit pas de courant du reste du circuit. En effet, dans le cas
contraire, ce courant viendrait s'ajouter au courant fourni
par l'ohmmètre, ce qui fausserait la mesure. [I-1]
La figure 1 montre une manière correcte d'effectuer

la mesure de la résistance R du circuit. Pour mesurer la
valeur d’une telle résistance il suffit de lire la valeur
directement sur l’afficheur de l’ohmmètre .
Figure 1:circuit de mesure
3) La mesure par la méthode U=f(I)
Le circuit de la figure 1 est constitué d’un générateur de tension ajustable E, d’une

résistance inconnue monté en série avec un ampèremètre, un voltmètre branché aux bornes de
la résistance.

Ce montage nous permet de tracer la caractéristique

tension en fonction du courant en faisant varier la tension
E.
Figure 2: mesure d’intensité /tension
Figure 3:caractéristique U en fonction de I
A partir de l’équation U=RI avec U la tension aux borne de la résistance et I le courant

𝑈
qui la traverse. On peut déterminer la résistance 𝑅= qui représente la pente de la
𝐼
caractéristique U en fonction de I.
4)La mesure par la méthode des ponts
C’est une méthode de réglage à zéro (équilibrage). Cette méthode permet de comparer
la résistance inconnue à un étalonnage au lieu de la mesure directe, les ponts utilisés sont :
Le pont de Wheatstone.
Le pont de Thomson.

a)-La mesure par le pont de Wheatstone
Le pont de Wheatstone permet une mesure rapide

et précise des résistances, il est utilisé généralement pour
des valeurs de résistance comprises entre 0.1Ω et
100KΩ.
Figure 4:le pont de Wheatstone
Le circuit de la figure 3 est constitué de quatre résistances disposées en quadrilatère,

deux résistances connues 𝑅1 et 𝑅2 , d'une résistance variable de précision 𝑅3 ,d’une résistance
inconnue 𝑅𝑋 d'un galvanomètre 𝑉𝐺 qui détecte le courant lorsque A et C sont reliés à une
source de tension continue 𝑉𝐸 .
En appliquant le théorème de Mill man en B et en D, on a :
𝑉𝐶 𝑉𝐴 𝑉𝐶 𝑉𝐴
+ 𝑉𝐶 𝑅3 +𝑉𝐴 𝑅𝑋 + 𝑉𝐶 𝑅1 +𝑉𝐴 𝑅2
𝑅𝑋 𝑅3 𝑅2 𝑅1
𝑉𝐵 = 1 1 = et 𝑉𝐷 = 1 1 =
+ 𝑅3 +𝑅𝑋 + 𝑅1 +𝑅2
𝑅𝑥 𝑅3 𝑅2 𝑅1
Et on a 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝐵 et 𝑉𝐸 = 𝑉𝐴 − 𝑉𝐶
VE (R 2 R 3 − R1 R X )
Donc : VG =
(R 3 + R X )(R1 + R 2 )
Le pont est en équilibre lorsque le courant dans le galvanomètre est nul.
Dans ces conditions on a l’équation suivante : 𝑅2 𝑅3 − 𝑅1 𝑅𝑋 = 0

R2R3
Cela se traduit donc par : RX =
R1
b)-La mesure par le pont de Thomson

C'est une méthode de mesure de la valeur

ohmique d'un élément résistif. Comme tous les
ponts de mesure des résistances, il est basé sur le
principe du pont de Wheatstone, c’est une
modification du pont de Wheatstone utile pour
les mesures des petites résistances (1mΩ‹R‹1KΩ)
et plus précis que Wheatstone, l'élément résistif
variable connu est remplacé par une tige de
maillechort de 4 mm, de diamètre contre laquelle
frotte un curseur qui se déplace devant une règle Figure 5:le pont de Thomson.
graduée. La longueur étant proportionnelle à la
valeur de la résistance mesurée. [I-2]
La résistance inconnue 𝑅𝑋 est montée en série avec une résistance étalon R. Le circuit
est parcouru par le courant I fourni par une batterie, réglable à l'aide du rhéostat Rh. Les points
A, B, C, D auxquels sont connectées les résistances 𝑅𝑋 et R sont également reliés par des
résistances variables 𝑅1 ,𝑅2 ,𝑅′1 ,𝑅′2 comme sur le schéma, réalisant un pont. La branche
médiane porte un galvanomètre à point milieu. L'interrupteur général S étant fermé et le
courant parcourant le montage, on bascule la clé K. On règle les valeurs des résistances 𝑅1 ,
𝑅2 , 𝑅′1 et 𝑅′2 de façon que l'aiguille du galvanomètre reste à zéro. A ce moment-là, le pont a
atteint sa position d'équilibre et les points E et F sont au même potentiel. Le courant 𝑖1 est le
même dans les éléments résistifs 𝑅1 et 𝑅2 , de même que le courant i’ dans 𝑅′1 et 𝑅′2 . Ce
montage dit en "pont double" est du à Thomson (Lord Kelvin).
Désignons les potentiels respectifs aux points A, B, C, D et E par 𝑈𝐴 , 𝑈𝐵 , 𝑈𝐶 , 𝑈𝐷 , 𝑈𝐸 .

A l'équilibre les résistances RX et RE sont traversées par le même courant i.
A l'équilibre: 𝑖𝑔 = 0 𝑈𝐸 = 𝑈𝐹
𝑈𝐴𝐸 = 𝑈𝐴𝐵 + 𝑈𝐵𝐹 et 𝑈𝐸𝐷 = 𝑈𝐹𝐶 + 𝑈𝐶𝐷
Donc d’après la loi d’ohm on a 𝑅1 𝑖1 = 𝑅𝑋 𝑖 + 𝑅′1 𝑖′1 et 𝑅2 𝑖1 = 𝑅′2 𝑖′1 + 𝑅𝐸 𝑖

𝑅 (𝑅′ 2𝑅1 −𝑅2 𝑅′ 1 ) 𝑖′1

D’où 𝑅𝑋 = 𝑅𝐸 𝑅1 +
2 𝑅2 𝑖
La loi de maille permet d’écrire :
𝑖′1 𝑟 𝑅 (𝑅′ 2 𝑅1 −𝑅2𝑅′ 1) 𝑟

𝑖 ′ 1 (𝑅′ 1 + 𝑅′ 2 ) = 𝑟(𝑖 − 𝑖 ′ 1 )  = 𝑅′  𝑅𝑋 = 𝑅𝐸 𝑅1 +
𝑖 1 +𝑅′2 +𝑟 2 𝑅2 𝑅′1 +𝑅′2 +𝑟
Le pont étudié est similaire au pont de Wheatstone donc à l’équilibre on a :

𝑅1
𝑅′2 𝑅1 − 𝑅2 𝑅′1 = 0, on obtient finalement : 𝑅𝑋 = 𝑅𝐸
𝑅2
c)-La méthode de quatre points
La méthode des quatre pointes est une méthode expérimentale utilisée couramment pour
mesurer la résistance carrée et/ou la résistivité d’un semi-conducteur massif. Elle consiste en
quatre pointes alignées (Figure 6), équidistantes d’une distance S petite par rapport aux
dimensions de l’échantillon, et qui s’appuient sur la surface de la couche. On envoie un
courant I entre la pointe 1 et la pointe 4 et on mesure la ddp V entre les pointes 2 et 3. Le
𝑉
rapport est lié à la résistivité en fonction des dimensions et la profondeur de l’échantillon.
𝐼
[I-3]
Figure 6:la méthode de quatre points [I-3]
Dans le cas d’un échantillon massif (figure 7), les équipotentielles sont des demi-sphères
et la résistance mesurée entre la pointe 2 et la pointe 3 est calculée en intégrant des résistances
infinitésimales comprises dans le quart de la couronne de sphère comprise entre les pointes en
question et centrées à la pointe 1. Les parties de l’échantillon à l’extérieur de cette portion ne

sont pas tenue en compte dans le calcul de la chute de potentiel entre 2 et 3. L’aire de cette
couronne en partant de la pointe 1 et pour un rayon r est 𝜋𝑟 2 , ce qui donne :
𝑑𝑟 𝜌 2𝑠 𝑑𝑟 𝜌 1 𝑉
𝑑𝑅 = 𝜌 𝜋𝑟 2 et 𝑅 = 𝜋 ∫𝑠 = 𝜋 2𝑠 or 𝑅 =
𝑟2 𝐼
Donc 𝑉
𝜌 = 2𝜋𝑠
𝐼
Où 𝜌 : est la résistivité de l’échantillon.
Figure 7:la résistivité de l’échantillon. [I-3]
La mesure de la résistance R, permet de déterminer la résistivité électrique de

1
l’échantillon ainsi que sa conductivité électrique selon la relation suivant : 𝜌 = 𝜎
II). La mesure des caractéristiques des

inductances et capacités
L'impédance d'un dipôle est égale au quotient de la valeur efficace de la tension à ses
U
bornes par la valeur efficace de l'intensité du courant qui le traverse soit : Z =
I
Z: impédance en ohms(Ω)
U: valeur efficace de la tension aux bornes du dipôle en volts(V)
I: valeur efficace du courant traversant le dipôle en ampères(A) [I-4]
1) La mesure par la méthode des ponts

Le principe du pont de Wheatstone est aussi employé pour mesurer avec précision la
valeur d'une capacité (pont de Sauty) ou d'une inductance (pont de Maxwell). Les ponts de
Sauty et Maxwell on les appelle dérivés du pont de Wheatstone. [I-5] A la place du générateur
continu, on utilise un générateur basse fréquence et on remplace les résistances par des
impédances. Les calculs restent valides, à condition de remplacer les résistances par des
impédances complexes.
« L’équilibre du pont est réalisé quand les produits en croix des impédances sont égaux
(égalité entre parties réelles et parties imaginaires)». En général, deux dipôles seront des
résistances pures de précision. Le troisième sera l’impédance inconnue et le quatrième sera
constitué de condensateurs de précision associés à des résistances de précision.
a)-La mesure d’une capacité d’un condensateur par

le pont de Sauty
Le pont de Sauty est constitué de deux résistances,

de deux condensateurs, d'un générateur de tension
sinusoïdale et d'un détecteur ayant une grande impédance
d'entrée, [I-6] il permet de mesurer la capacité d'un
condensateur avec une très bonne précision.
Le circuit de la figure 8 nous permet d’écrire : Figure 8:le pont de sauty
𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 = 𝑅𝑖1 Et 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 𝑅′𝑖1
𝑞 𝑞
𝑉𝐴 − 𝑉𝐷 = 𝐶𝑥 Et 𝑉𝐷 − 𝑉𝐶 = 𝐶
𝑥
Dans l'une des diagonales du pont, AC par exemple, se trouve une source de courant
sinusoïdal de fréquence f. Dans l'autre diagonale se place un détecteur de zéro, dans le cas
présent un ampèremètre sensible aux courants de fréquence f et susceptible de déceler
l'extinction du courant dans la diagonale correspondante. Lorsqu'il y a extinction du courant,
on dit que le pont est équilibré.

A l'équilibre, il ne passe donc aucun courant dans la branche BD, on a :
q q
VB − VD = Cx − Ri1 = 0 et VB − VD = R′ i1 − C = 0
x
q q
Donc : Ri1 = Cx et R′i1 = C
x
Dérivons ces relations par rapport au temps :
di1 R′ dqx di1 1 dq

R = (1) et R′ = C dt (2)
dt R dt dt
dq dqx
Or: i2 = =
dt dt
En faisant le rapport des relations (1) et (2) on obtient La relation d'équilibre du pont :
𝑅′
𝐶𝑋 = 𝐶
𝑅
Remarquons que cette relation est indépendante de la fréquence. En général, la
fréquence du générateur sera choisie différente du 50 Hz du réseau, afin de ne pas être
perturbé par les tensions parasites apparaissant aux bornes des résistances du circuit.
L'équilibre du pont sera obtenu en cherchant à annuler la tension sinusoïdale à la

fréquence du générateur.
Le pont ne peut fonctionner qu'en alternatif (les condensateurs se comportent en circuit

ouvert pour les courants continus).
b)-La mesure de caractéristique d’un dipôle inductif

par le pont de maxwell
Un pont Maxwell est un type de circuit électronique

dérivé du pont de Wheatstone permettant de mesurer la valeur
d'une inductance inconnue grâce à un voltmètre ou
galvanomètre, une résistance et un condensateur étalonné. [I-7]
Figure 9:le pont de maxwell

i)-Principe de mesure
On cherche à équilibrer le pont ce qui se produit lorsque le courant circulant dans le

galvanomètre est nul.
Or 𝑈 = 𝑍𝐼 (loi d'Ohm en notation complexe).
Le théorème de Millman donne lorsque l’équilibre est atteint
𝑅1 𝑅4 1
𝑅3 + 𝑗𝐿3 𝜔 =  𝑅3 + 𝑗𝐿3 = 𝑅1 𝑅4 (𝑅 + 𝑗𝐶2 𝜔)
𝑍 2
avec Z est l'impédance complexe équivalente à R2 parallèle à C2
Soit en égalant parties réelles et imaginaires:
𝑅1 𝑅4
𝑅3 = et 𝐿3 = (𝑅1 𝑅4 )𝐶2
𝑅2
Donc le résultat est indépendant de la fréquence du générateur.
2) La mesure d’une impédance par l’utilisation de

l’oscilloscope
la figure 9 montre le circuit utilisé pour

determiner une impedance inconnue Z le principe de
la double trace consiste à imposer une tension aux
bornes de l’association en série d’une résistance R0
et une impédance Z et à mesurer à l’oscilloscope les
amplitudes des tensions à leurs bornes.
D’après la règle de diviseur de tension :

Figure 10: méthode double trace
𝑍 𝑅0
𝑋𝑚 = 𝑅 𝑉 et 𝑌𝑚 = 𝑅 𝑉𝑔
0 +𝑍 𝑔 0 +𝑍
Avec 𝑋𝑚 est l’amplitude de la tension aux bornes de l’impédance Z.
𝑌𝑚 est l’amplitude de la tension aux bornes de la résistance𝑅0 .

D’où: 𝑋𝑚
𝑍 = 𝑅0
𝑌𝑚
3) La mesure par la méthode de résonance
La méthode de résonance est utilisée pour

mesurer des capacités et des inductances. Elle consiste
à placer la grandeur à mesurée dans un circuit résonant
série ou parallèle et d’en déduire la grandeur inconnue
à la résonance. En effet, si on considère un circuit
résonant série par exemple, à la résonance on peut
écrire 𝐿𝐶𝜔2 = 1 et on déduit la grandeur inconnue
Figure 11:méthode de résonance

(L ou C).
On utilise, pour cette méthode de détermination de l’inductance L d’une bobine, un
montage (RLC) série alimenté par un générateur d’un signal sinusoïdal. On mesure la tension
aux bornes de la résistance (donc l’intensité du courant dans le circuit) lorsqu’on augmente
progressivement la fréquence. On trace la courbe I = f (fréquences) et à partir de la courbe on
en déduit de la fréquence de résonance et le courant maximal (figure 12).
L’impédance complexe du circuit s’écrit alors :
1 2 1
𝑍̅ = 𝑟′ + 𝑗(𝑙𝜔 − 𝐶𝜔 ) et 𝑍 = |𝑍̅| = √𝑟′ + (𝑙𝜔 − 𝐶𝜔 )2
𝐸
D’où 𝐼 = 1 2
2
√𝑟′ +(𝐿𝜔− )
𝐶𝜔
𝟏
à la résonance I=I0 (figure12) lorsque : L𝛚 − 𝐂𝛚 = 𝟎
C’est-a-dire lorsque 1
L=
Cω2
Figure 12:caractéristique de résonance

CH II : LA MESURE DES CARACTEEISTIQUES

DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET
OPTOELECTRONIQUES
I). introduction
Dans cette partie, nous allons nous intéresser aux méthodes utilisées pour déterminer les
caractéristiques d’une diode de silicium, des points de fonctionnement statique d’un transistor
bipolaire NPN (2N2222), et les caractéristiques d’une cellule photovoltaïque. On divise les
semi-conducteurs en deux types : le type N (négatif) et le type P (positif).
II). Les types des semi conducteurs
Type N :
Il se compose d'une base de germanium ou couche « sous-jacente » qui a été dopée avec
une faible quantité d'arsenic (As) ou d'antimoine (Sb) de manière à lui fournir beaucoup
d'électrons libres, qui peuvent facilement se déplacer dans le silicium ou le germanium afin de
transporter le courant électrique. Le déplacement de charge se fera d’une région où il existe un
électron en excès vers un point d’arrivée quelconque. [II-2]
Type P :
Il se compose d'une couche sous-jacente de silicium ou de germanium qui a été dopée

avec du gallium (Ga) ou de l'indium (In) afin de donner des « trous » ou « lacunes» que l'on peut
considérer comme des électrons « manquants » et donc comme des charges positives allant dans
la direction opposée à celle des électrons libres. Dans le premier cas l’action d’un champ
d’induction normal au courant modifie la répartition des électrons, l’effet Hall étant alors dans le
même sens que pour le métal. Dans le second, elle modifie la répartition des « lacunes » qui
donne alors un effet de sens inverse. [II-2]
III). La mesure de caractéristique d’une diode de

silicium
1) Introduction
La diode est un composant électronique à base de semi conducteur. Son fonctionnement

est assimilable à celui d’un interrupteur qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
C’est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur et autoriser la
fabrication d’alimentations stabilisées. En transmission de données, elle nous permet de
démoduler simplement un signal modulé en amplitude. Dans la catégorie des diodes, on trouve
aussi des diodes de régulation (diodes Zener) qui ont un comportement de source de tension.
2) la mesure de la tension de seuil et la résistance

dynamique
c)-la mesure par la méthode graphique I=f(V)
Pour tracer la caractéristique directe d’une

diode au silicium il faut une série de points de
fonctionnement.
Pour déterminer ces points de fonctionnement,

il faut mesurer la tension 𝑉𝐷 aux bornes de la diode
Figure 13:caractéristique I=f(V)
et l’intensité du courant qui la traverse 𝐼𝐷 pour cette
valeur de la tension 𝑉𝐷 . On dispose pour cela d’une alimentation stabilisée E, d’une résistance
réglable, d’une diode au silicium, et de deux multimètres.
Tableau 1 : les résultats de mesure
𝑉𝐷 (𝑉) 0 0.2 0.4 0.6 0.65 0.66 0.67 0.7

𝐼𝐷 (𝐴) 0 0 0 0.001 0 .005 0.006 0.01 0.035

D’après la courbe de la figure 14 on détermine la tension de seuil à partit de laquelle la

tension aux bornes de la diode reste presque constante : V0 = 0,7V.
La résistance dynamique de la diode est donnée par l’inverse de la pente donc :
1 0,7 − 0
RD = = = 14Ω
P 0.05 − 0
Avec P est la pente de la courbe 𝑰𝑫 en fonction de 𝑽𝑫 .
Figure 14:caractéristique de la diode
3) la mesure de nombre de porteurs de charge
On peut aussi déterminer le nombre de porteurs de charge dans une diode donnée.
a)-la mesure par la méthode graphique C=f(V)
Cette méthode de mesure permet de déterminer le nombre de porteurs de charges libres.
La figure 14 montre une jonction PN polarisé en direct avec une tension continue 𝑉𝑎 .

On a d’après l’équation de poisson :
𝑑 2 𝑉(𝑥) 𝜌 (𝑥 )
= −
𝑑𝑥 2 𝜀
Cas de la zone 𝑝+ ou 𝜌(𝑥 ) = −𝑒𝑁𝑎
Figure 15:la jonction PN. [II-1]
Où 𝑁𝑎 est la densité des atomes accepteurs
𝑑 2 𝑉𝑝 (𝑥) 𝑒𝑁𝑎 𝑑𝑉𝑝 𝑒𝑁𝑎

2
= ==> = 𝑥 + 𝐾1
𝑑𝑥 𝜀 𝑑𝑥 𝜀
𝑑𝑉𝑝 (−𝑊𝑝 )
=0
𝑑𝑥
On obtient :
𝑒𝑁𝑎
𝐾1 = 𝑊
𝜀 𝑝
𝑑𝑉𝑝 𝑒𝑁𝑎
= (𝑥 + 𝑊𝑝 )
𝑑𝑥 𝜀
On intègre à nouveau :
𝑒𝑁𝑎 𝑥 2
𝑉𝑝 (𝑥 ) = ( + 𝑊𝑝 𝑥) + 𝐾2
𝜀 2
Ce potentiel est nul pour x=-𝑊𝑝
𝑒𝑁𝑎
𝑉𝑝 (𝑥 ) = (𝑥 + 𝑊𝑝 )2
2𝜀
Cas de la zone 𝑁 où 𝜌(𝑥 ) = 𝑒𝑁𝑑
𝑑 2 𝑉𝑁 (𝑥) 𝑒𝑁𝑑 𝑑𝑉𝑁 𝑒𝑁𝑑

2
= ==> =− 𝑥 + 𝐾3
𝑑𝑥 𝜀 𝑑𝑥 𝜀
Où 𝑁𝑑 est la densité des atomes donneurs

𝑑𝑉𝑁 (𝑥)
=0
𝑑𝑥
De même façon on trouve
𝑒𝑁𝑎
𝑉𝑁 (𝑥 ) = − (𝑥 − 𝑊𝑛 )2 +𝑉𝜙 + |𝑉𝑎 |
2𝜀
Avec 𝑉𝜙 est la tension de diffusion.
Avec la continuité du potentiel à la jonction en x=0, on obtient : 𝑉𝑁 (0) = 𝑉𝑝 (0)
𝑉𝜙 + |𝑉𝑎 | = 2𝜀 (𝑁𝑎 𝑊𝑝 2 + 𝑁𝑑 𝑊𝑛 2 )
𝑒
La même quantité de charge fixe se traduit de part et d’autre de la zone de charge

d'espace (ZCE) ce qui traduit par la relation
𝑁𝑎 𝑊𝑛 = 𝑁𝑑 𝑊𝑝
𝜀𝑆
On a : 𝑊𝑝 ≪ 𝑊𝑛 et 𝐶𝑇 = 𝑊
𝑛
𝑉𝜙 +|𝑉𝑎 |
Sachant que𝑊𝑛 2 = 𝑒
𝑁
2𝜀 𝑑
1 2
D’où on tire 2 = (V + |Va |)
CT eNd εS 2 ϕ
La mesure de la capacité d’une diode PN en matériau semi conducteur homogène GaAs

en fonction de la tension inverse appliquée a donné les résultats suivants : [II-1]
Tableau 2 : les résultats de mesures [II-1]
𝑉𝑎 (𝑉) -4 -3 -2 -1 0
C (pf) 59 67 76 92 127
On trace la droite d’équation :
1
= 𝑎 |𝑉𝑎 | + 𝑏
𝐶𝑇2
1
Par identification avec la relation (1) on a : a = eN 2 et 𝑏 = 𝑎𝑉𝜙 .
d εS
On en déduit :𝑁𝑑 = 1.94 1021 𝑚−3 𝑉𝜙 = 1.10𝑉
1
Figure 16: caractéristique = f(|Va |)
C2
b)-la mesure par effet de hall
i)-principe
Ce qu’on appelle effet Hall l’apparition d’une différence de potentiel et d’un champ
électrique transversal dans un conducteur, lorsque celui-ci est parcouru par un courant
⃗ perpendiculaire à la direction de ce
électrique et plongé dans une induction magnétique 𝐵
courant. On peut le schématiser simplement par le dessin suivant:
Figure 17:effet de hall

Méthodes de mesure des caractéristiques des composantes Parcours : E2I
Les électrons parcourant, à la vitesse v, le conducteur dans le sens opposé à celui du

vecteur du courant électrique subissent la force de Lorentz:
⃗𝑭 = 𝒒𝒗 ⃗⃗
⃗ 𝞚𝑩
q étant la charge en coulomb portée par la particule électrique en mouvement.
Selon le produit vectoriel, ces électrons vont se diriger de C vers A en s’y

accumulant, créant ainsi une différence de potentiel et par conséquent un champ
électrique 𝐸⃗ .Ce champ va alors lui aussi agir sur le flux électronique qui lui a donné
naissance et s’opposer à la force de Lorentz ; c’est la loi de Lenz. Cette migration de
charges s’arrête lorsque ces deux forces opposées ont la même intensité, c’est-à-dire
lorsque 𝐸⃗ = −𝑣 𝛬𝐵
⃗ , et donc quand E=vB. La tension qui règne entre les deux faces A et C
et appelée tension de Hall. On peut par la relation suivante:
𝑉𝐻 = 𝑑𝐸 = 𝑑𝑣𝐵
Avec d la distance entre A et C.
Cependant, nous savons que i=Nqav, avec N le nombre de porteurs de charge par
𝑚3 , a=dZ la section du conducteur (Z étant l’épaisseur du conducteur). On en tire alors que
𝑖𝐵
𝑉𝐻 =
𝑁𝑞𝑍
1
et on nomme le terme 𝑅𝐻 = 𝑁𝑞 le coefficient de Hall.
Ceci nous permet de déterminer le nombre de porteurs de charges par unité de

volume à partir de la mesure du courant parcourant le conducteur, de l’induction
magnétique B et de la tension de Hall 𝑉𝐻 grâce à la relation suivante :[II-2]
iB
N=
qZVH
ii)-Objectif
Cette méthode permet de déterminer le nombre de porteurs de charges que le semi

conducteur contient.

Les semi-conducteurs présentent aussi un effet Hall mais ont un coefficient de Hall
particulièrement élevé ce qui permet de mesurer une tension de Hall pour un courant et un
champ magnétique relativement faible.
iii)-Principe de mesure
La figure17 montre un schéma de montage utilisé pour la mesure d’effet de hall.
Un champ magnétique est généré par un électro-aimant constitué de deux bobines

reliées en série et placées sur un noyau en U. On a ajusté, aux deux extrémités de ce dernier,
deux pièces polaires qui permettent de canaliser le flux magnétique sur le semi-conducteur
étudié. Les deux bobines sont alimentées par un courant réglable et continu fourni grâce un
redresseur de courant. Le champ magnétique est constamment mesuré grâce à une sonde d’un
gaussmètre placée au même niveau que le semi-conducteur. Nous avons dû calibrer ce
gaussmètre en plaçant la sonde dans une chambre de champ magnétique connu. Ceci est
nécessaire pour que la calibration ne se fasse avec l’influence du champ magnétique terrestre
ainsi que d’autres sources qui pourraient venir du laboratoire. [II-2]La plaque du semi-
conducteur est donc placée entre les deux pièces polaires. Le circuit l’alimente par un
générateur (1) dont la tension varie entre 12 et 30V que l’on vérifie en permanence par un
voltmètre (2). On connecte un autre (3) sur la plaque pour directement mesurer la tension aux
bornes de celle-ci, ainsi qu’un ampèremètre (4) pour le courant qui la traverse. Et enfin un
dernier voltmètre (5) pour la tension de Hall.
Figure 18:principe de mesure [II-2]

Les mesures ont été prises sur les deux types de semi-conducteur. [II-2]
iv)-Résultats et interprétation
Type P :
Tableau 3 :les résultats de mesure avec un courant d’intensité égale à 29,9 mA : [II-2]
Nombre moyen de porteurs de charge pour le germanium dopé :
p = 7,42651023 m−3

Type N :
Tableau 4 : les résultats de mesure avec un courant d’intensité égale à 30,1 mA:[II-2]
𝑛 = 9,38451023 m−3
IV). caractéristiques statiques d’un transistor

bipolaire NPN
1) introduction

Le transistor bipolaire est constituer par une succession de trois couche de semi
conducteur de type NPN ou PNP appelées respectivement émetteur, base et collecteur, en
fonctionnement normal la jonction base-émetteur est polarisé en direct et la jonction base-
collecteur est polarisé en inverse. L’effet transistor consiste donc à faire passe un courant
important (𝐼𝑐 ) a travers la jonction B-C polarisé en inverse.
2) relevé des caractéristiques de transistor

(2N2222)
Dans la figure 19 on relie le générateur à l’oscilloscope en mode (DC) pour procéder

au réglage de la tension 𝑣(𝑡) = 7,5 + 7,5𝑠𝑖𝑛(2𝜋300𝑡) (𝑣𝑜𝑙𝑡) puis on visualise la
caractéristique de sortie une par une (par la variation de courant de base) et on détermine
les coordonnées du coude et de l’extrémité de chaque caractéristique. [II-3]-𝑉𝐵𝐸 et 𝐼𝐵 seront
mesuré au multimètre numérique, après on rempli le tableau de la figure 5 :
Figure 19:caractéristique de sortie

Tableau 5 : les résultats de mesure. [II-3]
Coude Extrémité
𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 𝑉𝐶 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑚𝑉) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐶 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑚𝑉) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉)
20 0.4 6 0.6 0.3 4.2 12 1.2 4.2 12
40 0.4 58 5.8 0.4 4.7 75 7.5 4.7
55 0.5 78 7.8 0.5 8 82 8.2 8
73 0.5 108 10.8 0.5 6.4 112 11.2 6.4
80 95 116 11.6 0.5 5.9 120 12 5.9
90 0.45 130 13 0.45 4.9 132 13.2 4.5 13.6
À partir du tableau on trace les caractéristiques (le réseau)IB = f(VBE ), IC = f(VCE ),
IC = f(IB ).

Figure 20: la caractéristique de transistor [II-4]
a)-détermination du point de repos
i)-polarisation par courant de base
-dans la maille d’entrée de ce

montage, on a :𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐵𝐸 𝑉
𝐼𝐵 = + 𝑅𝐶𝐶 : Droite
𝑅𝐵1 𝐵1
d’attaque (droite de commande) statique
dans la maille de sortie de ce

Figure 21:polarisation par courant de base. [II-3]
montage, on a :𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = − + : Droite de charge statique
𝑅𝐶 𝑅𝐶
On place la droite d’attaque statique et la droite de charge statique sur le réseau (voir
la figure ci dessus)puis on détermine le point de fonctionnement graphique qui est
l’intersection de la droite de commande avec la caractéristiqueIB = f(VBE ) ce point
détermine le couple (𝐼𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸0 )et on choisit la caractéristique qui correspond à
𝐼𝐵0 ,l’intersection de cette caractéristique avec la droite de charge détermine le
couple(𝐼𝐶0 , 𝑉𝐶𝐸0 ) et on sait que 𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 donc 𝛽 représente la pente de la droite
IC = f(IB ). [II-3]
D’après la caractéristique on trouve que :

∆𝐼 13−0
𝛽 = ∆𝐼𝐶 = 90−0 =0.15
𝐵
V). La mesure des caractéristiques d’une cellule

photovoltaïque
1) introduction
Les cellules photovoltaïques composées de semi-conducteurs génèrent un courant (et

une différence de potentiel) lorsqu’elles sont éclairée.une cellule photovoltaïque peut être
représentée par un circuit électrique simple comportant une diode et des résistances. Ce
modèle nous permettra de déterminer certaines caractéristiques de la cellule comme sa
puissance électrique maximale, le courant et la tension maximale qu’elle peut fournir et le
rendement de conversion à un éclairage donné. On va aussi déterminer la résistance de
shunt de la cellule.
2) modélisation d’une cellule photovoltaïque
La Figure 21 montre le schéma électrique équivalent d’une cellule photovoltaïque.

Ce circuit comprend une source de courant constant
G, une diode (avec un paramètre de forme n=1) et
une résistance 𝑅𝑝 qui jonction p-n de la cellule.
Figure 22:schéma équivalent de la cellule. [II-5]

On Retrouve également une autre résistance𝑅𝑠 , qui est la résistance du semi-
conducteur et des électrodes de la cellule. [II-5]
Le courant qui passe dans la diode 𝐼𝑑 est

régit par l’équation de Ebers-Moll:
𝑒𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 (exp ( 𝐾𝑇𝐷 ) − 1)
Où 𝐼𝑆 est le courant de saturation de la

diode, e est la charge de l’électron, k la Figure 23:la cellule chargée par la résistance [II-5]
constante de Boltzmann et T la
température absolue de la diode. [II-5]

Si on branche une résistance 𝑅𝐿 aux bornes de la cellule photovoltaïque comme à la

Figure, donc d’après la loi des mailles on obtient:
𝑉𝐷
𝑅𝑠 = −𝑅𝐿
𝐼
Montage de mesure
La cellule est éclairée avec une lampe au

tungstène placée à 11cm de la cellule.
Le circuit de la Figure 23 contient un

multimètre V utilisé comme voltmètre. A est
un autre multimètre mais utilisé comme un
Ampèremètre. [II-5] Figure 24:Montage de mesure [II-5]
Il faut d’abord ajuster le zéro sur les deux multimètres, ensuite on fait varier 𝑅𝐿
(une boîte de résistance variable) et on note le courant I et la tension aux bornes de la
cellule photovoltaïque (qui est au potentiel𝑉𝐷 ). [II-5]
Tableau 6 : les résultats de mesure. [II-5]
3) analyse
a)-détermination de 𝐈𝐜𝐜 , 𝐕𝐜𝐨 , 𝐕𝐦 𝐞𝐭 𝐈𝐦
D’après la figure on constate que 𝐼 = 𝐼𝑟 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑝 et on sait de la loi de Ebers-Moll,

𝑒𝑉
on sait que𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 (exp ( 𝐾𝑇𝐷 ) − 1). [II-5]
Donc :
𝐼 = 𝐼𝑆 (exp(𝐾1 𝑉𝐷 ) − 1) + 𝐾2
Où 𝐾1 =𝑒⁄𝑘𝑇 et 𝐾2 =𝐼𝑟 -𝐼𝑝 .
En effectuant des calculs itératifs et en utilisant la technique des moindres carrés on

détermine les paramètres𝐼𝑆 , 𝐾1 et𝐾2 .
Une fois ces paramètres déterminés, nous obtenons une courbe de I en fonction de V
(rappelons que le potentiel V mesuré aux bornes de la cellule photovoltaïque est le même
que celui du pseudo diode (𝑉𝐷 )). Avec cette courbe, on peut facilement déterminer le
courant court-circuit 𝐼𝑐𝑐 qui est le courant qui passe dans le circuit lorsque V=0. Si V=0, le
premier terme de I donne 0 donc il reste seulement 𝐾2 donc:
𝐼𝑐𝑐 = 𝐾2
On peut également déterminer le voltage du circuit ouvert 𝑉𝑐𝑜 qui est atteint lorsque
I=0. Dans ce cas, on a:
𝐾
- 𝐼 2 + 1 = exp(𝐾1 𝑉𝑐𝑜 )
𝑆
−𝐾2
ln( ⁄𝐼 +1)
𝑠
Qui entraine : 𝑉𝑐𝑜 = 𝐾1
La puissance de la cellule est P = IV. Pour trouver 𝐼𝑝𝑚 (le courant maximal) et
𝑉𝑝𝑚 (la tension maximale) il suffit de trouver 𝑃𝑚 la puissance maximale de la cellule. Cela
consiste à maximiser l’aire du rectangle borné par les axes de I et de V et par la courbe I-V.
b)-détermination de 𝐑𝐬
𝑉𝐷
D’après l’équation 1 on a : 𝑅𝑠 = −𝑅𝐿
𝐼

Comme nous pouvons calculer un 𝑅𝑠 pour chaque prise de mesures (𝑉𝐷 , I,𝑅𝐿 ) la
valeur la plus représentative, sera la valeur médiane des𝑅𝑠 .
Avec les données du Tableau 2et en utilisant les techniques décrites à la sous section
a, on obtient les paramètres de la courbe I-V Suivants:
Tableau 7 :les résultats de l’analyse numérique [II-5]
Toujours avec les techniques décrites à la sous section a, et avec les résultats du
Tableau, on trouve: [II-5]
Tableau 8 : les résultats à partit de tableau 7 [II-5]
c)-détermination de rendement de conversion
Le rendement de conversion est définie par :
𝐼𝑝𝑚 𝑉𝑝𝑚
𝜂=
𝑃𝑖
Où 𝑃𝑖 est la puissance incidente sur la cellule.
La courbe I=f(V)
Sur la Figure se trouve un graphique des résultats expérimentaux du Tableau 2, le

tracé de la courbe obtenue des paramètres du Tableau 7 et un rectangle représentant 𝑃𝑚 . [II-
5]

Figure 25:les caractéristiques de la cellule [II-5]
Conclusion :
Durant cette période de stage ,on peut dire que la connaissance des méthodes de
mesure des caractéristiques des composantes peut se considérer parmi les précaution avant
tout montage de circuit quelconque et surtout s’il fait appel à des matériel électrique très
sensible, sans oublier l’importance de chaque méthode par apport à l’autre surtout au
niveau de la précision et l’ordre de grandeur à mesuré .

Annexe
Bibliographie
[II-3] :polycopie de travaux pratique d’électronique semestre 4
Webographie
[I-1]:w3.iihe.ac.be/~cvdvelde/Info/Cours/ChapIX.pdf
[I-2]:danielgiroux.perso.sfr.fr/page580.htm
[I-3]: http://myspace.hexabyte.tn/bouazzi/Tech_CI/chapitre_9/texte9_3.htm
[I-4]: C:\Users\biktir\Desktop\P.F.E\Cours_GC_novembre_2007_impedance_3.pdf
[I-5]: crsictest.umbb.dz/mr.pdf
[I-6]: http://ressources.univ-lemans.fr/AccesLibre/UM/Pedago/physique/02/electri/sauty.html
[I-7]: http://fr.wikipedia.org/wiki/Pont_de_Maxwell
[II-1]: philippe.roux.7.perso.neuf.fr/Resources/C_V%20diode.pdf
[II-2]: www.ulg.ac.be/student/cspw/cspw-tuyaux/Hall_BF-PXM.pdf

[II-4] :http://michel.hubin.pagesperso-orange.fr/physique/elec/chap_tr1.htm
[II-5] :www2.astrosurf.com/alphaweb/alphastorage1/.../PHY2476photo_vol.pdf

Projet Methode de Mesure Des Caracterist

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Projet Methode de Mesure Des Caracterist

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Université Cadi Ayyad

Faculté des Sciences Semlalia

Méthode de mesure des

Noms des candidats :

Nous tenons à exprimer nos remerciements les plus sincères

Nous remercions également tous ce qui ont contribué de près ou

Nous remercions le responsable du parcours E2I et membres du

Liste des figures

Liste des tableaux

Actuellement les centres de recherche disposent d’appareils extrêmement sophistiqués,

La mesure des caractéristiques des composantes sert à :

La vérification expérimentale d’un circuit.

La modélisation, la mise au point ou le dépannage d’un montage.

La maintenance ou la réparation d’un dispositif électrique ou électronique.

Le voltmètre (analogique et numérique) pour mesurer des tensions ;

L’ampèremètre, pour mesurer des intensités.

Le wattmètre pour mesurer des puissances.

le galvanomètre pour mesurer des intensités très faible

L’ohmmètre pour mesurer des résistances etc.…

D’autres appareils de mesure sont utilisés par l’électricien ou électronicien, notamment

AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 1

Dans le cadre de ce travail on s’intéresse aux méthodes de mesure de certains

les composants utilisés sont :

les condensateurs et les bobines

AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 2

Les appareils de mesure utilisés

Le voltmètre mesure la différence de potentiel entre deux points quelconques, d'un

AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 3

galvanomètre permet seulement de mesurer des courants de faible intensité, typiquement

CHI : LA MESURE DES CARACTERISTIQUES DES

I). La mesure de la caractéristique des

En pratique, dans un circuit électrique la résistance est un composant électronique ou

La résistance électronique est l'un des composants primordiaux dans le domaine de

Il existe différentes méthodes de mesure pour déterminer la valeur d'une résistance R :

au moyen d'un ohmmètre

au moyen d'un pont de Wheatstone ou de Thomson,

Le choix de la méthode se fait en fonction de la précision désiré et de la valeur de

2) La mesure par la méthode ohm-mètre

Le symbole utilisé pour représenter un ohmmètre dans un circuit est le suivant :

Contrairement au voltmètre et à l'ampèremètre, l'ohmmètre est un appareil actif : il possède

Pour mesurer la valeur d'une résistance ou d'une combinaison de résistances, il faut

La figure 1 montre une manière correcte d'effectuer

Figure 1:circuit de mesure

3) La mesure par la méthode U=f(I)

Le circuit de la figure 1 est constitué d’un générateur de tension ajustable E, d’une

AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 5

Ce montage nous permet de tracer la caractéristique

Figure 2: mesure d’intensité /tension

Figure 3:caractéristique U en fonction de I

A partir de l’équation U=RI avec U la tension aux borne de la résistance et I le courant

4)La mesure par la méthode des ponts

AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 6

a)-La mesure par le pont de Wheatstone

Le pont de Wheatstone permet une mesure rapide

Figure 4:le pont de Wheatstone

Le circuit de la figure 3 est constitué de quatre résistances disposées en quadrilatère,

En appliquant le théorème de Mill man en B et en D, on a :

Le pont est en équilibre lorsque le courant dans le galvanomètre est nul.

Dans ces conditions on a l’équation suivante : 𝑅2 𝑅3 − 𝑅1 𝑅𝑋 = 0

b)-La mesure par le pont de Thomson

AHYAOUI ABDELKABIR & ABOUZID MOHAMED Page 7

C'est une méthode de mesure de la valeur

Désignons les potentiels respectifs aux points A, B, C, D et E par 𝑈𝐴 , 𝑈𝐵 , 𝑈𝐶 , 𝑈𝐷 , 𝑈𝐸 .