Etude d’un probe à faible capacité parasite et à haute impédance

But :
Calculer, simuler et tester une sonde à faible capacité d’entrée et à gain unitaire.

La courbe de réponse sur charge 50 ohms sera supérieure à 2 GHz.

SCHEMA de PRINCIPE.

Description :
l’étage d’entrée est un transistor Mesfet (Siemens)double porte à faible capacité parasite (1pF Cgs) et à
haute isolation, le deuxième étage utilise un couplage direct et un transistor PNP(2S1978) avec un FT de
5,5 GHz, une contreréaction équilibre le gain et ajuste la bande passante avec la capacité C7. La contre-
réaction permet de réduire le gain total à 6 dB et de ramener via la résistance de sortie de 50 ohms ,le
gain à 0 dB.(la tension de sortie est divisée par deux ,la puissance par 4 et par là le gain en puissance est
diminué de 6dB à 0dB) La tension de G2 est réglée à 2 Volts ,cette valeur permet d’ajuster le gain au
maximum du premier étage. Le potentiomètre VR2 ajuste le taux de contre réaction et le point de
fonctionnement DC de l’ensemble, les valeurs indiquées sont à ajuster en cours de mise au point.
Première simulation AC sous PUFF 3.0

Cette première simulation correspond à un amplificateur inverseur ayant un gain de 3dB. Afin de vérifier
la capacité résiduelle voici la mesure de la capacité d’entrée à plusieurs fréquences.
Capacité d’entrée à 1GHz : 0,9pF
Deuxième simulation en modifiant la capacité d’entrée à 0,9pF

Dans ces conditions la capacité d’entrée vaut 0,7 pF à 3 GHz avec une pente légère qui peut être utilisée
pour compenser les pertes du câble 50 ohms qui relie la sonde à l’analyseur de spectre ou de réseau.

Le gain diminue légèrement et avoisine les -1,2dB@ 70MHz.