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Transistor Effet Champ
Transistor Effet Champ
1 1
Présentation générale
• Transistor à effet de champ se présente comme une résistance
variable commandée par une tension extérieure
Transistor à canal N
D
G
Transistor PNP
D
G
S
Le sens de la flèche indique le sens du courant de grille
2
Présentation générale
• Constitution du TEC à canal N
Sur un substrat de type P (Grille) fortement dopé (P+) sont déposées :
Une zone N faiblement dopée qui constitue le canal
Deux zones N fortement dopées (N+) qui constitue des bornes d’entrée (Source) et de
sortie du canal (Drain)
N+ P+ N+
N Canal
P+ Substrat
ID
Zone de saturation Si VDS > Vp ID constant
IDSS VGS = 0
VP VDSmax VDS
5
Fonctionnement du transistor à canal N
6
Caractéristiques statiques du TEC à canal N
VGS1
VGS2
-VP V VP
VGS2GS1 VDS > 0
VGS < 0 VP+VGS2 VP+VGS1
7
Paramètres statiques du TEC
Grille IG ID Drain
Source Source
8
Paramètres statiques du TEC
• Résistance Grille-Source
la jonction Grille-Source est polarisée en inverse donc IG ≈ 0
≈ 10 MΩ
Ω très grande
9
Paramètres statiques du TEC
1
!
avec
"
$
# #
10
Polarisation du TEC à canal N en zone de saturation
ID RD
11
Polarisation du TEC à canal N – Droite de polarisation
VDD > 0
ID RD
or IG ≈ 0 et &
56
Equation de la droite 1
57
ID0
12
Polarisation du TEC à canal N – Droite de charge statique
VDD > 0
ID RD
ID
Equation de la droite de charge statique
VGS = 0
&
IDSS
Car
8
9
VGS0
ID0
Equation de la droite de charge statique VGS2
VDS0 VDS
13
Le TEC en régime dynamique
vGS
S
14
Le TEC en régime dynamique
• Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de
saturation
?@ ?@ >
=>> A A =>> & 0 car jonction Grille Source polarisée en inverse
? ? B ? D
=
C
?@ ?@
=> A A => & 0 car jonction Grille Source polarisée en inverse
? ? B ?
=
C
?@ ?@
=> A A FG
? ? B ?
= pente de la caractéristique ID = f(VGS)
C
?@ ?@ >
= A A
? ? B ? D
=
C
15
Schéma équivalent du TEC en alternatif BF
iG iD
G D
$
<
H
vGS gm vGS RDS
$
< <
RGS vDS
I6 → ∞ et I →∞
iG iD
G D
gm vGS
vGS vDS
!
S
16
Amplificateur à TEC à polarisation automatique
• Montage source commune
VDD > 0
RD
C2 2
1 C1 D
S
RL
Rg RG
RS v2(t)
v1(t) CS
eg(t)
17
Etude statique du montage (théorème de superposition)
ID RD
18
Etude dynamique du montage (théorème de superposition)
S RL
Rg RG
RD v2(t)
v1(t)
eg(t)
Rg gm vGS
vDS RD RL
RG vGS v2(t)
v1(t)
eg(t)
S
19
Etude dynamique du montage (théorème de superposition)
8> DL 9 D
point de fonctionnement de coordonnées (ID0 , VDS0) et de
DL MM D DL D
pente
IP I
O QN 5 BR
IP I B
équation de la droite de charge
dynamique
20
Analyse du circuit : application du théorème de
superposition
U % V Q R ID
Droite de charge dynamique
VGS = 0
IDSS
iD(t)
VGS0
ID0 VGS2
t
vGS(t)
S % T Q R
S T Q R
t
%
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Caractéristiques électriques de l’amplificateur
en fonctionnement alternatif
i1(t) iG iD i2(t)
G D
Rg gm vGS
vDS RD RL
RG vGS v2(t)
v1(t)
eg(t)
S
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Autres types de montage
VDD > 0
• Montage drain commun
RD
1 C1 D
C2 2
S
Rg RG
v1(t) RS
RL v2(t)
eg(t)
VDD > 0
• Grille commune
RD
1 C1 C2 2
S D
Rg
G v2(t)
v1(t) RS RL
eg(t)
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Comportement du TEC à haute fréquence
Les deux premières sont du même ordre de grandeur (qq pF), la dernière
plus faible peut être négligée
iG CGD D iD
G
24
Fin
25 25