Spintronique: le spin des lectrons sinvite

dans nos ordinateurs et nos tlphones

Influence du spin sur mobilit des lectrons spin charge
lectron spin up

Nanostructures magntiques

Spintronique
lectron spin down

lectron

GMR, TMR, etc

Memoire (M-RAM)

commutation magntique et oscillations hyperfrquence par transfert de spin, spintronique avec semiconducteurs, spintronique molculaire, etc

Ttes de lecture pour disque dur, capteurs, etc

Un exemple concret dapplication de la

spintronique:
la lecture du disque dur de notre ordinateur

Tte de lecture de disque dur

piste 5 nm Elment GMR

(multicouche magntique)

Tte de lecture de disque dur

piste 5 nm Elment GMR

(multicouche magntique)

Electrons, spins, physique de base de la spintronique et dcouverte de la magntorsistance gante

(GMR pour Giant MagnetoResistance)

Electron

Spin Charge lectrique

Ple nord aimantation

Electron
Spin up electron
(spin majoritaire)

Spin
Ple sud

Charge lectrique
Matriaux ferromagntiques = matriaux o les lectrons ont, en majorit, leur spin dans une certaine direction (proprit dite daimantation spontane)

Spin down electron

(spin minoritaire)

Electron

Spin Electronique: mouvement des lectrons (courant) contrl par action sur la charge

Electron
Spintronique: mouvement contrl par action sur le spin Charge lectrique

Principe de la spintronique: exploiter linfluence du spin sur la mobilit des lectrons dans des conducteurs ferromagntiques
Ple Nord
aimantation Conduction lectrique dans un mtal ferromagntique (fil de fer ou de nickel, par exemple) lectrons spin up ()

lectrons spin down ()

Ple Sud

Principe de la spintronique: exploiter linfluence du spin sur la mobilit des lectrons dans des conducteurs ferromagntiques
(en plaant des couches ferromagntiques sur leur trajet) Ple Nord
lectrons spin up ()

lectrons spin down ()

Ple Sud

Influence du spin sur la mobilit des lectrons dans les conducteurs magntiques (proposition de Mott en 1936 et mise en vidence en1968)

n (E)

EF E

n (E)
Dcalage des bandes dnergie des lectrons de spin (majoritaires) et (minoritaires) dans un mtal ferromagntique comme le nickel

Influence du spin sur la mobilit des lectrons dans les conducteurs magntiques (proposition de Mott en 1936 et mise en vidence en1968)

n (E)

I
EF

I
E

0.3

, ( cm)

n (E)
Dcalage des bandes dnergie des lectrons de spin (maloritaires) et (minoritaires) dans un mtal ferromagntique comme le nickel

20

= /
10

20

Ti V Cr Mn Fe Co Ni

Influence du spin sur la mobilit des lectrons dans les conducteurs magntiques (proposition de Mott en 1936 et mise en vidence en1968)
Nickel avec imurets de Cobalt E

n (E)

I I

EF

0.3

, ( cm)

n (E)
Dcalage des bandes dnergie des lectrons de spin (maloritaires) et (minoritaires) dans un mtal ferromagntique comme le nickel

20

= /
10

20

Ti V Cr Mn Fe Co Ni

Influence du spin sur la mobilit des lectrons dans les conducteurs magntiques (proposition de Mott en 1936 et mise en vidence en1968)
Nickel avec imurets de Chrome E

n (E)

I I

EF

0.3

, ( cm)

n (E)
Dcalage des bandes dnergie des lectrons de spin (majoritaires) et (minoritaires) dans un mtal ferromagntique comme le nickel

20

= /
10

20

Ti V Cr Mn Fe Co Ni

Alliages avec impurets A and B dasymtrie en spin oppose ou semblable : le pr-concept de la GMR

Exemple: Ni + impuretes A and B (Fert-Campbell, 1968, 1971) 1er cas 2me cas = / A > 1, B < 1 A and B > 1
spin

Canal de haute mobilit petit

spin

spin

spin

AB >> A+ B

AB A+ B

J. de Physique 32, 1971

Concept de la MagnetoRsistance Gante (GMR) 1) Aimantations des couches de fer opposes: aucun lectron ne passe dans le conducteur (courant nul, en ralit trs peu)
Courant dlectrons des deux directions de spin couches de fer Aucun lectron ne passe

2) Un champ magntique aligne les aimantations: les spins

Courant dlectrons des Courant deux directions dlectrons des de spin deux directions de spin

passent

les electrons spin up passent sont passs

Visuel non disponible pour le site internet

Bti dEpitaxie par Jets Molculaires permettant la croissance de multicouches mtalliques magntiques (clich CNRS/Thales)

 Multicouches magntiques

Fe Cr Fe Cr Fe

 Multicouches magntiques
Aimantations des couches ferromagntiques champ magntique nul: tat de forte rsistance lectrique

Fe Cr Fe Cr Fe
P. Grnberg, 1986 couplage antiferromagnetique entre couches

 Multicouches magntiques
Aimantations des couches ferromagntiques en prsence dun champ magntique : tat de faible rsistance lectrique

Fe Cr Fe Cr Fe
P. Grnberg, 1986 couplage antiferromagnetique entre couches

 Magnetoresistance Gante (GMR)

(Orsay, 1988, multicouches Fe/Cr, Jlich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe)

Orsay

Jlich

~ + 80%

V=RI

Magnetic field (kGauss)

Courant

AP (AntiParallle) P (Parallle)

 Magnetoresistance Gante (GMR)

(Orsay, 1988, multicouches Fe/Cr, Jlich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe)
Aimantations anti-parallles (champ nul, forte rsistance)

~ + 80%

Fe Cr Fe

Aimantations parallles (champ appl., petite resist.)

Magnetic field (kGauss)

Fe Cr Fe

courant

Courant

AP (AntiParallle) P (Parallle)

Condition pour GMR: paisseurs nm

GMR oscillations in Co/Cu (Orsay 1991, Mosca, AF et al)

 Magnetoresistance Gante (GMR)

(Orsay, 1988, multicouches Fe/Cr, Jlich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe)
Aimantations anti-parallles (champ nul, forte rsistance)

~ + 80%

Fe Cr Fe

Aimantations parallles (champ appl., petite resist.)

Magnetic field (kGauss)

Fe Cr Fe

courant

Courant

AP (AntiParallle) P (Parallle)

Condition pour GMR: paisseurs nm

Tte de lecture de disque dur

I
Champs magntiques gnrs par les bits

piste
0 5 nm

GMR sensor

(multicouche magnetique)
GMR = Giant MagnetoResistance

 Enregistrement magntique:
volution des densits surfaciques (de lAMR la GMR)

2008 600 Gb/in2

1 disque dur de 400 Giga-octet peut contenir une information quivalente environ 800.000 livres (format livre de poche) ou 1 million de photographies (de dfinition moyenne) ou 8000 CD audio (compression MP3) ou 300 heures video, ou 36 heures video haute def.

Extension de la technologie disque dur llectronique nomade

Disque dur de 100 Go (Toshiba) bientt dans les Ipods .. Micro-disque 4 GB

Analyse biologique biochips

quelques microns ( prototypes avec rseaux de capteurs pour dtecter un millier de cibles diffrentes)

The motion of Spirit and Opportunity on Mars are monitored by SENSiTEC GMR sensors.

Spintronique classique: aprs la GMR, la TMR (Magnetorsistance de jonctions tunnel), MRAM (Magnetic Random Access Memory), .

Jonctions Tunnel Magnetiques, Magnetoresistance tunnel (TMR)

0.1 m

lectrodes ferromagnetiques
Jullire, 1975, basse temp., difficilement reproductible

P Etat de faible rsistance

barrire tunnel (isolant)

~ 100 nm

AP Etat de forte resistance

Moodera et al, 1995, Miyasaki et al,1995, CoFe/Al2O3/Co, MR 30-40%

Jonctions Tunnel Magnetiques, Magnetoresistance tunnel (TMR)

0.1 m

lectrodes ferromagnetiques
Jullire, 1975, basse temp., difficilement reproductible

P Etat de faible rsistance

barrire tunnel (isolant)

~ 100 nm

AP Etat de forte resistance

Moodera et al, 1995, Miyasaki et al,1995, CoFe/Al2O3/Co, MR 30-40%

Applications: - ttes de lecture de disques durs - M-RAM (Magnetic Random Access Memory) and STT-RAM MRAM (2006, Freescale) but: densit/vitesse
des DRAM/ SRAM, no-volatilit + faible consommation

STT-RAM en dveloppement
avec barrires de MgO et criture par transfert de spin

Jonctions tunnel magntiques mono-cristallines (exemple: jonctions avec barrire mono-cristalline doxyde de magnsium MgO)
Yuasa et al, Fe/MgO/Fe Nature Mat. 2005 R/R = (RAP-RP)/ RP 200% RT

Fer (001) MgO (001)

Fer (001)

2006-2007

CoFeB/MgO/CoFeB, R/R 500% at RT in 2006-2007

symtrie 1 prsentes seulement dans la bande de spin majoritaire; seul ltat parallle permet le passage de 1 majoritaire 1 majoritaire Co Aimantations parallles Co

Physique de la TMR: la barrire de MgO laisse passer les fonctions donde de

1 5 2
Co

MgO
barrire tunnel

Co

Aimantations opposes

1 5 2
Co

sousXabsente dansspin bande de minoritaire

symtrie 1

MgO
barrire tunnel

Co

Electrodes dun ferromagntique polarisation en spin 100% (composs demi-metalliques), barrires ferromagntiques filtres spin , multiferroques

TMR: perspectives

Exemple: La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO) jonctions tunnel LSMO/SrTiO3/LSMO (CNRS/Thales): TMR de 2000% correspondant 95% de polarisation de spin
La2/3Sr1/3MnO3

SrTiO3

La2/3Sr1/3MnO3

Image de microscopie lectronique

CNRS Photothque/THALES / MAURICE Jean-Luc

Nouvelles directions en spintronique

1) Le transfert de spin: ou comment orienter ou faire osciller le moment magntique dun aimant sans utiliser de champ magntique mais seulement par transfusion de spins amens par un courant
(GMR ou TMR: un courant dtecte une configuration magntique, spin transfert: un courant cre une configuration magntique)

Commutation d'aimantation

Gnration d'oscillations hyperfrquences

Concept du transfert de spin (Slonczewski 1996)

0.1 m F1 F2
Composante transverse

Concept du transfert de spin (Slonczewski 1996)

0.1 m F1 F2
Composante transverse

La composante transverse du spin est perdue par les lectrons du courant, mais est en fait transfre au SPIN global S de la couche rotation de S

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Au
Couche magn.libre Cu Polariseur

4 nm 10 nm

pilier mtallique 50x150 nm

Au
CoFeB MgO CoFeB

70 nm

jonction tunnel
50x170 nm

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Deux rgimes en transfert de spin 1) Renversement daimantation par transfert de spin

Au
Couche magn.libre Cu Polariseur

4 nm 10 nm x

Champ mag. nul ou petit

pilier mtallique 50x150 nm

Application: criture de mmoire,etc

Au
CoFeB MgO CoFeB

70 nm

jonction tunnel
50x170 nm

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Deux rgimes en transfert de spin 1) Renversement daimantation par transfert de spin

Au
Couche magn.libre Cu Polariseur

4 nm 10 nm x

Champ mag. nul ou petit

pilier mtallique 50x150 nm

Application: criture de mmoire,etc 2) Prcession entretenue de laimantation de la couche libre et gnration doscillations haute-frquence

Au
CoFeB MgO CoFeB

70 nm

Aimantation du polariseur Aimantation du polariseur

Champ appl.

jonction tunnel
50x170 nm

Applications: nano-oscillateurs transfert de spin (NSTOs) pour communications (tlphone, radio, radar)

Applications du renversement daimatation par transfert de spin

Ecriture de mmoire et de tout composant reprogrammable

2006 : M-RAM (criture par champ magnticque externe : non-local, risque de cross-talk limitant lintegration, courants trop elevs,..)
bientt

STT-RAM : criture par transfert de spin distance par courant lectrique

Courant

size < 100nm full integration

Applications du renversement daimatation par transfert de spin

Ecriture de mmoire et de tout composant reprogrammable

2006 : M-RAM (criture par champ magnticque externe : non-local, risque de cross-talk limitant lintegration, courants trop elevs,..)
bientt

STT-RAM : criture par transfert de spin distance par courant lectrique

Embedded STT-RAM

Courant

Circuits logiques FPGA non volatiles CMOS logic

STT-RAM remplace Flash et SRAM (rduction taille, moins de transistors, consomation rduite)

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Deux rgimes en transfert de spin 1) Renversement daimantation par transfert de spin

Au
Couche magn.libre Cu Polariseur

4 nm 10 nm x

Champ mag. nul ou petit

pilier mtallique 50x150 nm

Application: criture de mmoire,etc 2) Prcession entretenue de laimantation de la couche libre et gnration doscillations haute-frquence

Au
CoFeB MgO CoFeB

70 nm

Aimantation du polariseur Aimantation du polariseur

Champ appl.

jonction tunnel
50x170 nm

Applications: nano-oscillateurs transfert de spin (NSTOs) pour communications (tlphone, radio, radar)

Rgime de prcession entretenue (frquence micro-onde)

prcession
0.5 0.0

H m
1.0 0.5 -0.5 0.0 0.0 -0.5 0.5 1.0 -1.0

0.5 0.0

H m
1.0 0.5 -0.5 0.0 0.0 -0.5 0.5 1.0 -1.0

Mz

Mz
-0.5 -1.0

-0.5 -1.0

Polarizer magnetization

M y

M x

M x

Increasing current

Power (pW/GHz)

Puissance mise en fonction de la frquence pour un pilier permalloy/Cu/permalloy CNRS/Thales, Py/Cu/PY (Grollier et al) (Py = permalloy)

3 2 1 0

3,5 4,0 Frequency (GHz)

M y

Un autre phnomne de transfert de spin: le dplacement de paroi entre domaines magntiques

Paroi de domaine Film magntique

Aimantation vers la droite

Aimantation vers la gauche

Un autre phnomne de transfert de spin: le dplacement de paroi entre domaines magntiques

Paroi de domaine Film magntique

Aimantation vers la droite

Positions successives de parois aprs impulsions de courant de 5 ns

Aimantation vers la gauche

Experiences de microscopie en photomission dlectrons avec X polariss circulairement (XMCD-PEEM) lESRF: Dplacement de paroi de domaine dans un nano-ruban magnetique: vitesse leve (150m/s) obtenue avec faible densit de courant (106 Amp/cm2) Image: des impulsions de courant de 5 ns dplacent une paroi de A B, puis de B C, etc

Train de parois dans un nano-ruban magntique pour les mmoires de masse du futur ?
(projet IBM, remplacement des disques durs ?)
info site 1 1 2 0 3 1 4 1 5 1 6 0 7 0 8 1

Information stocke dans un train de parois situes des encoches priodiques: Pas de paroi = 0, paroi = 1

Train de parois dans un nano-ruban magntique pour les mmoires de masse du futur ?
(projet IBM, remplacement des disques durs ?)
info site 1 1 2 0 3 1 4 1 5 1 6 0 7 0 8 1

Information stocke sur des parois situes encoches priodiques: Pas de paroi = 0, paroi = 1

Spintronique avec semi-conducteurs et molcules

Spintronique avec semi-conducteurs

Structures hybrides metal/semi-conducteur
Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p)

Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (Tc170K) et R.T. FS Contrle lectrique du ferromagnetism TMR, TAMR,transfert de spin (GaMnAs) Transition metal/isolant induite par champ lectrique

Spintronique avec semi-conducteurs

Structures hybrides metal/semi-conducteur
Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p)

Transistor spin ? Portes logiques spin ?

Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (Tc170K) et R.T. FS Contrle lectrique du ferromagnetism TMR, TAMR,transfert de spin (GaMnAs) Transition metal/isolant induite par champ lectrique

Nouveaux matriaux pour la spintroniquee (nanotubes de carbone, graphene, molecules, etc)

Examples of new materials

Graphene

Nanotubes de carbone

Molecules

Transport de spin dans nanotubes de carbone (Cambridge/CNRS-Thales)

La2/3Sr1/3Mn O3 (LSMO) La2/3Sr1/3MnO 3 (LSMO)

MR 72%

Temps de vie du spin 50 ns, propagation dans nanotube sur 30 m

1.5m

AP

MR 60%

nanotube LSMO LSMO

P P

ELECTRONICS
SPINTRONICS

MERCI LEQUIPE !