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Spintronique: le spin des électrons s’invite dans nos ordinateurs et nos téléphones

Influence du spin sur mobilité des électrons Nanostructures magnétiques spin Électron spin up charge
Influence du spin
sur mobilité des
électrons
Nanostructures
magnétiques
spin
Électron spin up
charge
Spintronique
Électron spin down
électron
GMR, TMR, etc…
Memoire (M-RAM)
commutation magnétique
et oscillations
hyperfréquence par
transfert de spin,
spintronique avec
semiconducteurs,
spintronique molèculaire,
etc
Têtes de lecture pour
disque dur, capteurs, etc

Un exemple concret d’application de la

spintronique:

la lecture du disque dur de notre ordinateur

Tête de lecture de disque dur

5 nm Elément GMR (multicouche magnétique)
5
nm
Elément GMR
(multicouche
magnétique)

piste

Tête de lecture de disque dur 5 nm Elément GMR (multicouche magnétique) piste

Tête de lecture de disque dur

5 nm Elément GMR (multicouche magnétique)
5
nm
Elément GMR
(multicouche
magnétique)
piste
piste

Electrons, spins, physique de base de la spintronique et découverte de la magnétorésistance géante

(GMR pour Giant MagnetoResistance)

Spin

Charge

électrique

Electron

Spin Charge électrique Electron
Spin Charge électrique Electron
Spin Charge électrique Electron
Pôle nord Electron Electron aimantation Spin up electron (spin majoritaire) Spin Spin Pôle sud Charge
Pôle nord
Electron
Electron
aimantation
Spin up electron
(spin majoritaire)
Spin
Spin
Pôle sud
Charge
Charge
Spin down electron
(spin minoritaire)
électrique
électrique
Matériaux ferromagnétiques
= matériaux où les électrons
ont, en majorité, leur spin dans
une certaine direction
(propriété dite d’aimantation
spontanée)

Spin

Electronique:

mouvement des électrons (courant) contrôlé par action sur la charge

Electron

Spin Electronique: mouvement des électrons (courant) contrôlé par action sur la charge Electron
Spin Electronique: mouvement des électrons (courant) contrôlé par action sur la charge Electron
Spin Electronique: mouvement des électrons (courant) contrôlé par action sur la charge Electron

Spintronique:

mouvement contrôlé par action sur le spin

Charge

électrique

Electron

Spintronique: mouvement contrôlé par action sur le spin Charge électrique Electron
Spintronique: mouvement contrôlé par action sur le spin Charge électrique Electron
Spintronique: mouvement contrôlé par action sur le spin Charge électrique Electron

Principe de la spintronique:

exploiter l’influence du spin sur la mobilité des électrons dans des conducteurs ferromagnétiques

Conduction électrique dans un métal ferromagnétique (fil de fer ou de nickel, par exemple)

Pôle Nord

(fil de fer ou de nickel, par exemple) Pôle Nord aimantation électrons spin up ( ↑
(fil de fer ou de nickel, par exemple) Pôle Nord aimantation électrons spin up ( ↑

aimantation

électrons spin up ()

fer ou de nickel, par exemple) Pôle Nord aimantation électrons spin up ( ↑ ) électrons
fer ou de nickel, par exemple) Pôle Nord aimantation électrons spin up ( ↑ ) électrons

électrons spin down ()

fer ou de nickel, par exemple) Pôle Nord aimantation électrons spin up ( ↑ ) électrons

Pôle Sud

Principe de la spintronique:

exploiter l’influence du spin sur la mobilité des électrons dans des conducteurs ferromagnétiques

(en plaçant des couches ferromagnétiques sur leur trajet)

(en plaçant des couches ferromagnétiques sur leur trajet) Pôle Nord électrons spin up ( ↑ )
(en plaçant des couches ferromagnétiques sur leur trajet) Pôle Nord électrons spin up ( ↑ )
(en plaçant des couches ferromagnétiques sur leur trajet) Pôle Nord électrons spin up ( ↑ )

Pôle Nord

électrons spin up ( ↑ ) électrons spin down ( ↓ )

électrons spin up ()

électrons spin up ( ↑ ) électrons spin down ( ↓ )

électrons spin down ()

Pôle Sud

Influence du spin sur la mobilité des électrons dans les conducteurs magnétiques (proposition de Mott en 1936 et mise en évidence en1968)

n (E) E F n (E)
n (E)
E
F
n (E)

E

Décalage des bandes d’énergie des électrons de spin (majoritaires) et (minoritaires) dans un métal ferromagnétique comme le nickel

Influence du spin sur la mobilité des électrons dans les conducteurs magnétiques (proposition de Mott en 1936 et mise en évidence en1968)

n (E) E F n (E)
n (E)
E
F
n (E)

E

Décalage des bandes d’énergie des électrons de spin (maloritaires) et (minoritaires) dans un métal ferromagnétique comme le nickel

ρ

dans un métal ferromagnétique comme le nickel ρ I I ρ α ≈ 0.3 20 α=

I

dans un métal ferromagnétique comme le nickel ρ I I ρ α ≈ 0.3 20 α=
dans un métal ferromagnétique comme le nickel ρ I I ρ α ≈ 0.3 20 α=
I
I
dans un métal ferromagnétique comme le nickel ρ I I ρ α ≈ 0.3 20 α=

ρ

dans un métal ferromagnétique comme le nickel ρ I I ρ α ≈ 0.3 20 α=
α ≈ 0.3 20 α= ρ ↓ / ρ ↑ α ≈ 20 10 ρ
α ≈ 0.3
20
α= ρ ↓ / ρ ↑
α ≈ 20
10
ρ ↓
ρ ↑
Ti V Cr Mn Fe Co Ni
ρ ↑ , ρ ↓ (μΩ cm)

Influence du spin sur la mobilité des électrons dans les conducteurs magnétiques (proposition de Mott en 1936 et mise en évidence en1968)

ρ Nickel avec imuretés de I Cobalt I
ρ
Nickel avec
imuretés de
I
Cobalt
I

ρ

en1968) ρ Nickel avec imuretés de I Cobalt I ρ α ≈ 0.3 20 α= ρ
α ≈ 0.3 20 α= ρ ↓ / ρ ↑ α ≈ 20 10 ρ
α ≈ 0.3
20
α= ρ ↓ / ρ ↑
α ≈ 20
10
ρ ↓
ρ ↑
Ti V Cr Mn Fe Co Ni
ρ ↑ , ρ ↓ (μΩ cm)
n (E) E F n (E)
n (E)
E
F
n (E)

E

Décalage des bandes d’énergie des électrons de spin (maloritaires) et (minoritaires) dans un métal ferromagnétique comme le nickel

Influence du spin sur la mobilité des électrons dans les conducteurs magnétiques (proposition de Mott en 1936 et mise en évidence en1968)

I

Nickel avec imuretés de

Chrome

ρ

en évidence en1968) I Nickel avec imuretés de Chrome ρ n (E) E F n (E)
en évidence en1968) I Nickel avec imuretés de Chrome ρ n (E) E F n (E)
en évidence en1968) I Nickel avec imuretés de Chrome ρ n (E) E F n (E)
n (E) E F n (E)
n (E)
E
F
n (E)
I Nickel avec imuretés de Chrome ρ n (E) E F n (E) I E ρ
I
I
I Nickel avec imuretés de Chrome ρ n (E) E F n (E) I E ρ

E

ρ

Nickel avec imuretés de Chrome ρ n (E) E F n (E) I E ρ α
α ≈ 0.3 20 α= ρ ↓ / ρ ↑ α ≈ 20 10 ρ
α ≈ 0.3
20
α= ρ ↓ / ρ ↑
α ≈ 20
10
ρ ↓
ρ ↑
Ti V Cr Mn Fe Co Ni
ρ ↑ , ρ ↓ (μΩ cm)

Décalage des bandes d’énergie des électrons de spin (majoritaires) et (minoritaires) dans un métal ferromagnétique comme le nickel

Alliages avec impuretés A and B d’asymétrie en spin opposée ou

semblable : le pré-concept de la GMR

Exemple: Ni + impuretées A and B (Fert-Campbell, 1968, 1971)

 

1er cas α A > 1, α B < 1

  1er cas α A > 1, α B < 1 spin     spin  
  1er cas α A > 1, α B < 1 spin     spin  

spin

spin
 
spin  
spin  
spin  
  1er cas α A > 1, α B < 1 spin     spin  
 
 
 
 

spin

spin
spin
 

ρ AB >> ρ A + ρ B

spin   ρ A B >> ρ A + ρ B J. de Physique 32, 1971

J. de Physique 32, 1971

α = ρ /ρ

2ème cas α A and α B > 1

Canal de haute mobilité

ρ petit

and α B > 1 Canal de haute mobilité ρ petit   spin      
and α B > 1 Canal de haute mobilité ρ petit   spin      
 

spin

 
 
 
 
 
  spin       spin
  spin       spin
  spin       spin
  spin       spin
 
 

spin

> 1 Canal de haute mobilité ρ petit   spin       spin ρ A

ρ AB ≈ ρ A + ρ B

> 1 Canal de haute mobilité ρ petit   spin       spin ρ A

Concept de la MagnetoRésistance Géante (GMR)

1) Aimantations des couches de fer opposées: aucun électron ne passe dans le conducteur (courant nul, en réalité très peu)

Courant d’électrons des deux directions de spin
Courant
d’électrons des
deux directions
de spin
peu) Courant d’électrons des deux directions de spin couches de fer 2) Un champ magnétique aligne
peu) Courant d’électrons des deux directions de spin couches de fer 2) Un champ magnétique aligne
peu) Courant d’électrons des deux directions de spin couches de fer 2) Un champ magnétique aligne

couches de fer

2) Un champ magnétique aligne les aimantations: les spins

Aucun

électron

ne passe passent
ne passe
passent
Courant d’électrons des deux Courant directions d’électrons de spin des deux directions de spin
Courant
d’électrons des
deux Courant directions
d’électrons de spin des
deux directions
de spin
directions d’électrons de spin des deux directions de spin les electrons « spin up » passent
les electrons « spin up » passent sont passés
les electrons « spin up »
passent
sont passés

Visuel non disponible pour le site internet

Bâti d’Epitaxie par Jets Moléculaires permettant la croissance de multicouches métalliques magnétiques (cliché CNRS/Thales)

Multicouches magnétiques

• Multicouches magnétiques Fe Cr Fe Cr Fe

Fe

Cr

Fe

Cr

Fe

Multicouches magnétiques

• Multicouches magnétiques Aimantations des couches ferromagnétiques à champ magnétique nul: état de forte

Aimantations des couches ferromagnétiques à champ magnétique nul:

état de forte résistance électrique

Fe

Cr

Fe

Cr

Fe

nul: état de forte résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 → couplage
nul: état de forte résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 → couplage
nul: état de forte résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 → couplage

P. Grünberg, 1986 couplage antiferromagnetique entre couches

Multicouches magnétiques

• Multicouches magnétiques Aimantations des couches ferromagnétiques en présence d’un champ magnétique :

Aimantations des couches ferromagnétiques en présence d’un champ magnétique : état de faible résistance électrique

magnétique : état de faible résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 →

Fe

: état de faible résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 → couplage

Cr

Fe

Cr

Fe

: état de faible résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 → couplage
: état de faible résistance électrique Fe Cr Fe Cr Fe P. Grünberg, 1986 → couplage

P. Grünberg, 1986 couplage antiferromagnetique entre couches

Magnetoresistance Géante (GMR)

(Orsay, 1988, multicouches Fe/Cr, Jülich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe)

Jülich

Fe/Cr, Jülich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe) Jülich V=RI Orsay Magnetic field (kGauss) Courant ~ + 80% AP

V=RI

Orsay Magnetic field (kGauss)
Orsay
Magnetic field (kGauss)
1989,tricouches Fe/Cr/Fe) Jülich V=RI Orsay Magnetic field (kGauss) Courant ~ + 80% AP (AntiParallèle) P (Parallèle)

Courant

~ + 80%

1989,tricouches Fe/Cr/Fe) Jülich V=RI Orsay Magnetic field (kGauss) Courant ~ + 80% AP (AntiParallèle) P (Parallèle)

AP (AntiParallèle)

P (Parallèle)

Magnetoresistance Géante (GMR)

(Orsay, 1988, multicouches Fe/Cr, Jülich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe)

Magnetic field (kGauss)
Magnetic field (kGauss)
Jülich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe) Magnetic field (kGauss) Courant ~ + 80% AP (AntiParallèle) P (Parallèle)

Courant

~ + 80%

AP (AntiParallèle)

P (Parallèle)

Aimantations anti-parallèles (champ nul, forte résistance) Fe Cr Fe
Aimantations anti-parallèles
(champ nul, forte résistance)
Fe
Cr
Fe
Aimantations parallèles (champ appl., petite resist.) Fe courant Cr Fe
Aimantations parallèles
(champ appl., petite resist.)
Fe
courant
Cr
Fe

Condition pour GMR:

épaisseurs nm

GMR oscillations in Co/Cu (Orsay 1991, Mosca, AF et al)

GMR oscillations in Co/Cu (O rsay 1991, Mosca, AF et al)

Magnetoresistance Géante (GMR)

(Orsay, 1988, multicouches Fe/Cr, Jülich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe)

Magnetic field (kGauss)
Magnetic field (kGauss)
Jülich, 1989,tricouches Fe/Cr/Fe) Magnetic field (kGauss) Courant ~ + 80% AP (AntiParallèle) P (Parallèle)

Courant

~ + 80%

AP (AntiParallèle)

P (Parallèle)

Aimantations anti-parallèles (champ nul, forte résistance) Fe Cr Fe
Aimantations anti-parallèles
(champ nul, forte résistance)
Fe
Cr
Fe
Aimantations parallèles (champ appl., petite resist.) Fe courant Cr Fe
Aimantations parallèles
(champ appl., petite resist.)
Fe
courant
Cr
Fe

Condition pour GMR:

épaisseurs nm

Tête de lecture de disque dur

I Champs magnétiques générés par les bits piste 0 5 nm GMR sensor (multicouche magnetique)
I
Champs magnétiques
générés par les bits
piste
0
5
nm
GMR sensor
(multicouche
magnetique)

GMR = Giant MagnetoResistance

Enregistrement magnétique:

évolution des densités surfaciques (de l’AMR à la GMR)

2008 600 Gb/in 2
2008
600 Gb/in 2

1 disque dur de 400 Giga-octet peut contenir une information équivalente à environ 800.000 livres (format livre de poche) ou à 1 million de photographies (de définition moyenne) ou à 8000 CD audio (compression MP3) ou à 300 heures video, ou 36 heures video haute def.

Extension de la technologie disque dur à l’électronique nomade

de la technologie disque dur à l’électronique nomade Micro-disque 4 GB Disque dur de 100 Go

Micro-disque 4 GB

disque dur à l’électronique nomade Micro-disque 4 GB Disque dur de 100 Go (Toshiba) bientôt dans

Disque dur de 100 Go (Toshiba) bientôt dans les Ipods

Analyse biologique « biochips »

Analyse biologique « biochips » quelques microns ( prototypes avec réseaux de capteurs pour détecter un
Analyse biologique « biochips » quelques microns ( prototypes avec réseaux de capteurs pour détecter un

quelques microns

( prototypes avec réseaux de capteurs pour détecter un millier de cibles différentes)

The motion of „Spirit and Opportunity“ on Mars are monitored by SENSiTEC GMR sensors.

The motion of „Spirit and Opportunity“ on Mars are monitored by SENS i TEC GMR sensors.

Spintronique classique: après la GMR,

la TMR (Magnetorésistance de jonctions tunnel),

MRAM (Magnetic Random Access Memory), ….

Jonctions Tunnel Magnetiques, Magnetoresistance tunnel (TMR)

≈ 0.1 μm barrière ~ 100 nm électrodes tunnel ferromagnetiques AP P (isolant)
≈ 0.1 μm
barrière
~ 100 nm
électrodes
tunnel
ferromagnetiques
AP
P (isolant)

Etat de faible résistance

Etat de forte resistance

Jullière, 1975, basse temp., difficilement reproductible

Moodera et al, 1995, Miyasaki et al,1995, CoFe/Al 2 O 3 /Co, MR 30-40%

temp., difficilement reproductible Moodera et al, 1995, Miyasaki et al,1995, CoFe/Al 2 O 3 /Co, MR

Jonctions Tunnel Magnetiques, Magnetoresistance tunnel (TMR)

≈ 0.1 μm barrière ~ 100 nm électrodes tunnel ferromagnetiques AP P (isolant)
≈ 0.1 μm
barrière
~ 100 nm
électrodes
tunnel
ferromagnetiques
AP
P (isolant)

Etat de faible résistance

Etat de forte resistance

Jullière, 1975, basse temp., difficilement reproductible

Moodera et al, 1995, Miyasaki et al,1995, CoFe/Al 2 O 3 /Co, MR 30-40%

Applications: - têtes de lecture de disques durs

≈ 30-40% Applications: - têtes de lecture de disques durs - M-RAM (Magnetic Random Access Memory)

- M-RAM (Magnetic Random Access Memory) and STT-RAM

MRAM (2006, Freescale)

STT-RAM en développement

avec barrières de MgO

et écriture par transfert de spin

but: densité/vitesse des DRAM/ SRAM, no-volatilité + faible consommation

Jonctions tunnel magnétiques mono-cristallines (exemple: jonctions avec barrière mono-cristalline d’oxyde de magnésium MgO)

avec barrière mono-cristalline d’oxyde de magnésium MgO) Yuasa et al, Fe/MgO/Fe Nature Mat. 2005 Δ R/R

Yuasa et al, Fe/MgO/Fe Nature Mat. 2005 ΔR/R = (R AP -R P )/ R P 200% à RT

Fer (001)

MgO (001)

Fer (001)

CoFeB/MgO/CoFeB,

ΔR/R 500% at RT in 2006-2007

2006-2007

Physique de la TMR: la barrière de MgO laisse passer les fonctions d’onde de symétrie Δ 1 présentes seulement dans la bande de spin majoritaire; seul l’état parallèle permet le passage de Δ 1 majoritaire à Δ 1 majoritaire

Co Aimantations parallèles Co Δ 1 ↑ ↑ Δ 1 ↑ Δ 5 Δ 2
Co
Aimantations parallèles
Co
Δ 1 ↑
Δ 1 ↑
Δ 5
Δ 2 ’
Aimantations opposées
Co
MgO
Co
symétrie Δ 1
barrière
Δ
X
tunnel
1 ↑
absente dans sous-
bande de spin
minoritaire
Δ 5
Δ 2 ’
Co
MgO
Co

barrière

tunnel

TMR: perspectives

Electrodes d’un ferromagnétique à polarisation en spin 100% (composés demi-metalliques), barrières ferromagnétiques « filtres à spin », multiferroïques

Exemple: La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO) jonctions tunnel LSMO/SrTiO 3 /LSMO (CNRS/Thales): TMR de 2000% correspondant à 95% de polarisation de spin

TMR de 2000% correspondant à 95% de polarisation de spin Image de microscopie électronique L a

Image de microscopie électronique

La 2/3 Sr 1/3 MnO

SrTiO 3

3

La 2/3 Sr 1/3 MnO 3

© CNRS Photothèque/THALES / MAURICE Jean-Luc

Nouvelles directions en spintronique

1) Le transfert de spin:

ou comment orienter ou faire osciller le moment magnétique d’un aimant sans utiliser de champ magnétique mais seulement par transfusion de spins amenés par un courant

(GMR ou TMR: un courant détecte une configuration magnétique, spin transfert: un courant crée une configuration magnétique)

Commutation d'aimantation

Commutation d'aimantation Génération d'oscillations hyperfréquences

Génération d'oscillations hyperfréquences

Commutation d'aimantation Génération d'oscillations hyperfréquences

Concept du transfert de spin (Slonczewski 1996)

S F 1 F 2
S
F 1
F 2

0.1 μm

Composante transverse
Composante
transverse

Concept du transfert de spin (Slonczewski 1996)

S F 1 F 2
S
F 1
F 2

0.1 μm

Composante transverse
Composante
transverse

La composante transverse du spin est perdue par les

électrons du courant, mais est en fait transférée au

est perdue par les électrons du courant, mais est en fait transférée au SPIN global S
est perdue par les électrons du courant, mais est en fait transférée au SPIN global S

SPIN global

S de la couche

est perdue par les électrons du courant, mais est en fait transférée au SPIN global S

rotation de S

S
S

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Au 4 nm
Au
4 nm

10 nm

Couche magn.libre Cu Polariseur

tunnel Au 4 nm 10 nm Couche magn.libre Cu Polariseur pilier métallique ≈ 50x150 nm² Au

pilier métallique 50x150 nm²

Au CoFeB MgO 70 nm jonction tunnel ≈ 50x170 nm²
Au
CoFeB
MgO
70 nm
jonction tunnel
≈ 50x170 nm²

CoFeB

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Au 4 nm
Au
4 nm

10 nm

Pilier tricouche ou jonction tunnel Au 4 nm 10 nm Couche magn.libre Cu Polariseur pilier métallique

Couche magn.libre Cu Polariseur

pilier métallique 50x150 nm²

Au CoFeB MgO 70 nm jonction tunnel ≈ 50x170 nm²
Au
CoFeB
MgO
70 nm
jonction tunnel
≈ 50x170 nm²

CoFeB

Deux régimes en transfert de spin

1) Renversement d’aimantation par transfert de spin

x
x

Champ mag. nul ou petit

Application: écriture de mémoire,etc

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Au 4 nm
Au
4 nm

10 nm

Pilier tricouche ou jonction tunnel Au 4 nm 10 nm Couche magn.libre Cu Polariseur pilier métallique

Couche magn.libre Cu Polariseur

pilier métallique 50x150 nm²

Au CoFeB MgO 70 nm jonction tunnel ≈ 50x170 nm²
Au
CoFeB
MgO
70 nm
jonction tunnel
≈ 50x170 nm²

CoFeB

Deux régimes en transfert de spin

1) Renversement d’aimantation par transfert de spin

x
x

Champ mag. nul ou petit

Application: écriture de mémoire,etc

2) Précession entretenue de l’aimantation de la couche libre et génération d’oscillations haute-fréquence

Aimantation du polariseur

haute-fréquence Aimantation du polariseur Champ appl. H Aimantation du polariseur Applications:

Champ appl.

haute-fréquence Aimantation du polariseur Champ appl. H Aimantation du polariseur Applications: nano-oscillateurs

H

Aimantation du polariseur

Applications: nano-oscillateurs à transfert de spin (NSTOs) pour communications (téléphone, radio, radar)

Applications du renversement d’aimatation par transfert de spin

Ecriture de mémoire et de tout composant reprogrammable

2006 : M-RAM (écriture par champ magnéticque externe : non-local, risque de « cross-talk »
2006
: M-RAM (écriture par
champ magnéticque externe :
non-local, risque de « cross-talk »
limitant l’integration, courants trop
elevés, )
bientôt
l’integration, courants trop elevés, ) bientôt STT-RAM : écriture par transfert de spin «à distance»

STT-RAM : écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique

: écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique Courant size < 100nm full

Courant

: écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique Courant size < 100nm full
: écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique Courant size < 100nm full
: écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique Courant size < 100nm full
: écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique Courant size < 100nm full
: écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique Courant size < 100nm full

size < 100nm full integration

Applications du renversement d’aimatation par transfert de spin

Ecriture de mémoire et de tout composant reprogrammable

2006 : M-RAM (écriture par champ magnéticque externe : non-local, risque de « cross-talk »
2006
: M-RAM (écriture par
champ magnéticque externe :
non-local, risque de « cross-talk »
limitant l’integration, courants trop
elevés, )
bientôt
l’integration, courants trop elevés, ) bientôt STT-RAM : écriture par transfert de spin «à distance»

STT-RAM : écriture par transfert de spin «à distance» par courant électrique

transfert de spin «à distance» par courant électrique CMOS logic Embedded STT-RAM Courant Circuits logiques FPGA

CMOS logic

Embedded

STT-RAM

par courant électrique CMOS logic Embedded STT-RAM Courant Circuits logiques FPGA non volatiles STT-RAM
par courant électrique CMOS logic Embedded STT-RAM Courant Circuits logiques FPGA non volatiles STT-RAM

Courant

courant électrique CMOS logic Embedded STT-RAM Courant Circuits logiques FPGA non volatiles STT-RAM remplace Flash
courant électrique CMOS logic Embedded STT-RAM Courant Circuits logiques FPGA non volatiles STT-RAM remplace Flash
courant électrique CMOS logic Embedded STT-RAM Courant Circuits logiques FPGA non volatiles STT-RAM remplace Flash

Circuits logiques FPGA non volatiles

STT-RAM remplace Flash et SRAM (réduction taille, moins de transistors, consomation réduite)

Pilier tricouche ou jonction tunnel

Au 4 nm
Au
4 nm

10 nm

Pilier tricouche ou jonction tunnel Au 4 nm 10 nm Couche magn.libre Cu Polariseur pilier métallique

Couche magn.libre Cu Polariseur

pilier métallique 50x150 nm²

Au CoFeB MgO 70 nm jonction tunnel ≈ 50x170 nm²
Au
CoFeB
MgO
70 nm
jonction tunnel
≈ 50x170 nm²

CoFeB

Deux régimes en transfert de spin

1) Renversement d’aimantation par transfert de spin

x
x

Champ mag. nul ou petit

Application: écriture de mémoire,etc

2) Précession entretenue de l’aimantation de la couche libre et génération d’oscillations haute-fréquence

Aimantation du polariseur

haute-fréquence Aimantation du polariseur Champ appl. H Aimantation du polariseur Applications:

Champ appl.

haute-fréquence Aimantation du polariseur Champ appl. H Aimantation du polariseur Applications: nano-oscillateurs

H

Aimantation du polariseur

Applications: nano-oscillateurs à transfert de spin (NSTOs) pour communications (téléphone, radio, radar)

z

z

M

M

Régime de précession entretenue (fréquence micro-onde)

précession

précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5
précession entretenue (fréquence micro-onde ) précession Polarizer magnetization M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5

Polarizer

magnetization

M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5 0.5 0.0 -1.0 -0.5 0.0 -0.5 0.5
M x
0.5
H
0.0
m
1.0
-0.5
0.5
0.0
-1.0 -0.5
0.0 -0.5
0.5
1.0 -1.0
M
y
M x 0.5 H 0.0 m 1.0 -0.5 0.5 -1.0 0.0 -0.5 0.0 -0.5 0.5
M x
0.5
H
0.0
m
1.0
-0.5
0.5
-1.0
0.0
-0.5
0.0
-0.5
0.5
1.0 -1.0
M y

Increasing current

0.0 -0.5 0.0 -0.5 0.5 1.0 -1.0 M y Increasing current Puissance émise en fonction de

Puissance émise en fonction de la fréquence pour un pilier permalloy/Cu/permalloy

CNRS/Thales, Py/Cu/PY (Grollier et al)

(Py = permalloy)

3 2 1 0 3,5 4,0 Power (pW/GHz)
3
2
1
0
3,5
4,0
Power (pW/GHz)

Frequency (GHz)

Un autre phénomène de transfert de spin:

le déplacement de paroi entre domaines magnétiques

Paroi de domaine

de paroi entre domaines magnétiques Paroi de domaine Film magnétique Aimantation vers la droite → ←
de paroi entre domaines magnétiques Paroi de domaine Film magnétique Aimantation vers la droite → ←

Film

magnétique

Aimantation vers la droite

Aimantation vers la gauche

Un autre phénomène de transfert de spin:

le déplacement de paroi entre domaines magnétiques

Paroi de domaine

de paroi entre domaines magnétiques Paroi de domaine Film magnétique Aimantation vers la droite → ←
de paroi entre domaines magnétiques Paroi de domaine Film magnétique Aimantation vers la droite → ←

Film

magnétique

Aimantation vers la droite

Aimantation vers la gauche

Positions successives de parois après impulsions de courant de 5 ns
Positions successives de parois
après impulsions de courant de 5 ns

Experiences de microscopie en photo- émission d’électrons avec X polarisés circulairement (XMCD-PEEM) à l’ESRF:

Déplacement de paroi de domaine dans un nano-ruban magnetique: vitesse élevée (150m/s) obtenue avec faible densité de courant (10 6 Amp/cm 2 )

Image: des impulsions de courant de 5 ns déplacent une paroi de A à B, puis de B à C, etc

Train de parois dans un nano-ruban magnétique pour les mémoires de masse du futur ?

(projet IBM, remplacement des disques durs ?)

site info 1→ ‘1’ 2→ ‘0’ 3→ ‘1’ 4→ ‘1’ 5→ ‘1’ 6→ ‘0’ 7→
site info
1→ ‘1’
2→ ‘0’
3→ ‘1’
4→ ‘1’
5→ ‘1’
6→ ‘0’
7→ ‘0’
8→ ‘1’

Information stockée dans un train de parois situées à des encoches périodiques:

Pas de paroi = “0”, paroi = “1”

stockée dans un train de parois situées à des encoches périodiques: Pas de paroi = “0”,
stockée dans un train de parois situées à des encoches périodiques: Pas de paroi = “0”,
stockée dans un train de parois situées à des encoches périodiques: Pas de paroi = “0”,

Train de parois dans un nano-ruban magnétique pour les mémoires de masse du futur ?

(projet IBM, remplacement des disques durs ?)

site info 1→ ‘1’ 2→ ‘0’ 3→ ‘1’ 4→ ‘1’ 5→ ‘1’ 6→ ‘0’ 7→
site info
1→ ‘1’
2→ ‘0’
3→ ‘1’
4→ ‘1’
5→ ‘1’
6→ ‘0’
7→ ‘0’
8→ ‘1’
5→ ‘1’ 6→ ‘0’ 7→ ‘0’ 8→ ‘1’ Information stockée sur des parois situées à encoches

Information stockée sur des parois situées à encoches périodiques:

Pas de paroi = “0”, paroi = “1”

‘1’ Information stockée sur des parois situées à encoches périodiques: Pas de paroi = “0”, paroi
‘1’ Information stockée sur des parois situées à encoches périodiques: Pas de paroi = “0”, paroi
‘1’ Information stockée sur des parois situées à encoches périodiques: Pas de paroi = “0”, paroi

Spintronique avec semi-conducteurs et molécules

Spintronique avec semi-conducteurs

Structures hybrides metal/semi-conducteur

semi-conducteurs Structures hybrides metal/semi-conducteur Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p)

Exemple: Spin LED

CoFe

MgO

AlGaAs(n)

GaAs

Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p) Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (T c
Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p) Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (T c
Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p) Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (T c

AlGaAs(p)

Semiconductors ferromagnetiques (FS)

GaMnAs (T c 170K) et R.T. FS

Contrôle électrique du ferromagnetism

TMR, TAMR,transfert de spin (GaMnAs)

Transition metal/isolant induite par champ électrique

Spintronique avec semi-conducteurs

Structures hybrides metal/semi-conducteur

semi-conducteurs Structures hybrides metal/semi-conducteur Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p)

Exemple: Spin LED

CoFe

MgO

AlGaAs(n)

GaAs

Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p) Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (T c
Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p) Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (T c
Exemple: Spin LED CoFe MgO AlGaAs(n) GaAs AlGaAs(p) Semiconductors ferromagnetiques (FS) GaMnAs (T c

AlGaAs(p)

Semiconductors ferromagnetiques (FS)

GaMnAs (T c 170K) et R.T. FS

Contrôle électrique du ferromagnetism

TMR, TAMR,transfert de spin (GaMnAs)

Transition metal/isolant induite par champ électrique

Transistor à spin ?

Portes logiques à spin ?

(GaMnAs) Transition metal/isolant induite par cham p électri q ue Transistor à spin ? Portes logiques
(GaMnAs) Transition metal/isolant induite par cham p électri q ue Transistor à spin ? Portes logiques

Nouveaux matériaux pour la spintroniquee (nanotubes de carbone, graphene, molecules, etc)

Nanotubes de carbone

Examples of new materials

Molecules
Molecules

Graphene

Transport de spin dans nanotubes de carbone (Cambridge/CNRS-Thales)

La 2/3 Sr 1/3 Mn O 3 (LSMO) La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO)
La 2/3 Sr 1/3 Mn
O 3 (LSMO)
La 2/3 Sr 1/3 MnO
3 (LSMO)
MR ≈ 72% MR ≈ 72%
MR ≈ 72%
MR ≈ 72%

Temps de vie du spin 50 ns, propagation dans nanotube sur 30 μm

M M

1.5μm

50 ns, propagation dans nanotube sur 30 μ m M M ≈ 1.5 μ m nanotube
nanotube
nanotube

LSMO

LSMO
LSMO

P

P

AP

AP

50 ns, propagation dans nanotube sur 30 μ m M M ≈ 1.5 μ m nanotube

MR

MR

60%

60%

P

P

ELECTRONICS

SPINTRONICS

MERCI à L’EQUIPE !

MERCI à L’EQUIPE !

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