MODULE PUISSANCE EN

DE
TECHNOLOGIE SIC 15 KV POUR
APPLICATIONS MOYENNE TENSION

Doctorant
Luciano ALVES

Encadrants
Pierre LEFRANC
Pierre-Olivier JEANNIN
Benoit SARRAZIN

Equipe
Electronique de Puissance (EP)
MODULE DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE SIC
15 KV POUR APPLICATIONS MOYENNE TENSION

Fig.1. Comparaison entre Si et 4H-SiC. 2

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15 KV POUR APPLICATIONS MOYENNE TENSION

 Mise en Série des SiC-MOSFETs;

 Le problèmes associés:
 Le déséquilibre de tension;
 « Gate Deiver (GD) » ;

 Architecture (GD/Composants);

, etc.

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Fig.2. Le déséquilibre de tension entre deux SiC-MOSFETs mis en série.
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 Gate Driver;

 Fonctions
 Prendre en compte les caractéristiques;
 Commutation rapide;
 Haute isolation galvanique;
 Protection contre les court-circuits;
 EMI réduction;
 etc..

Fig.3. SiC-MOSFETs mis en série

et les drivers associé.

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Pertes

Haute
CEM
Tension

Thèse
Déséquilibre
Performance
de Tension

Protection Isolation

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 Merci!

Luciano-Francisco.Sousa-Alves@g2elab.grenoble-inp.fr
Pierre-Olivier.Jeannin@g2elab.grenoble-inp.fr
Benoit.Sarrazin@g2elab.grenoble-inp.fr
Pierre.Lefranc@g2elab.grenoble-inp.fr