Thème Bilan et perspectives des composants à grand gap

Bilan et perspectives des composants de puissance à

grand gap
DOMINIQUE PLANSON, HERVE MOREL ET MICHEL AMIET,
Laboratoire Ampère, Univ. De Lyon, 21, avenue Jean Capelle 69621 Villeurbanne Cedex

Cet article est dédié à la mémoire du Professeur Jean-Pierre Chante

Résumé : Depuis le début des années 1990, des recherches ont été menées au laboratoire Ampère (ex-
CEGELY) sur les composants de puissance grand gap (SiC, puis diamant depuis les années 2010 et plus
récemment GaN) avec un soutien exemplaire de la DGA. Ces actions ont permis d’initier des relations
avec le secteur industriel (Schneider-Electric, Ferraz-Shawmut, IBS, Safran, ST-Microelectronics) ou
institutionnel applicatif (SuperGrid Institute, Institut Saint-Louis). Cet article retrace cette aventure,
l’évolution des recherches et surtout les progrès significatifs réalisés que ce soit en termes de faisabilité
de composants de puissance, d’augmentation des tensions de claquage et aussi des moyens de
caractérisation de composants.

2. Travaux et résultats obtenus

1. Introduction Très tôt, les potentialités du SiC puis rapidement du
diamant, ont attiré l’attention du laboratoire pour des
Les composants de puissance sont le cœur des
applications haute température et haute tension, nous
convertisseurs de puissance permettant d’alimenter les
amenant à souligner divers faits marquants.
installations de puissance et de « transformer » la
Dans le cadre d’un programme blanc ANR, une
tension ou le courant de l’énergie électrique. Les
évolution notable de la montée en tension est passée
contraintes de température, de compacité et de tension
par la réalisation de diodes Schottky diamant 10kV.
sont de plus en plus importantes dans un souci
permanent d’économie d’énergie.

Figure 1 : Ron.S théorique en fonction de la tenue en tension

pour Si, SiC, GaN et diamant [1]
Figure 3 : Densité de courant en inverse de deux diodes
Schottky diamant. [2].
Puis, le déclenchement optique de thyristors SiC avec
diode LED a permis de valider aussi la mise en série et
parallèle des thyristors, travaux réalisés en
collaboration avec l’Institut Saint-Louis (ISL).
Le développement d’un driver haute température a
permis d’atteindre une fonctionnalité d’un
convertisseur jusqu’à 200°C
Une grande évolution fut alors l’acquisition de
nouveaux équipements :
- une station sous-pointe semi-automatique
(Signatone S460), permettant la réalisation de
cartographies de plaquettes et composants
Figure 2 : Température d’emballement thermique en fonction
associés très probantes.
de la tenue en tension théorique
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Bilan et perspectives des composants de puissance à grand gap
- un banc de caractérisation OBIC (avec 2
longueurs d’onde) permettant d’obtenir les
coefficients d’ionisation et une cartographie
du champ électrique en périphérie des
composants.
Figure 4 : Montage expérimental pour le déclenchement du
thyristor
Figure 5 : Caractéristique en commutation I(t) et V(t) du
thyristor
Par ailleurs, l’emploi de techniques innovantes a
permis d’atteindre de significatifs résultats :
- le dopage localisé de type P par VLS (diodes
bipolaires et protection périphérique avec
couche cristalline de très grande qualité),
- la caractérisation de diodes diamant (IV-
OBIC) et diodes GaN,
- la simulation et conception de composants par
éléments finis (Synopsys) 3D.
Figure 6.a
Thème
Figure 6.b
Figure 6 : Résultats expérimentaux (figure 6a) et de
simulation en 3D (figure 6b), montrant l’impact du rayon de
courbure en périphérie des protections périphériques en
utilisant une combinaison de gravure et JTE
A noter enfin la création en 2014 d’une startup, Caly
Technologies, par deux maîtres de conférence de notre
équipe de recherche, entreprise en pleine réussite et
évolution (5 employés aujourd’hui).
En conclusion, les recherches menées en France (avec
les supports technologiques de partenaires européens)
sur les composants de puissance à large bande interdite
ont permis d’obtenir des résultats de premiers plans au
niveau international. L’industrialisation de masse des
composants SiC est en cours (SiC-MOSFET).
3. Perspectives
Commutation rapide des composants de puissance
(jusqu’à 20 kV), caractérisation haute tension et haute
température sous vide (programme GD3E), packaging
haute tension (jusqu’à 15 kV)
4. Remerciements
Les doctorants (Tony Abi-Tannous, Besar Asllani,
Pierre Brosselard, Florian Chevalier, Nicolas Daval,
Nicolas Dheilly, Hassan Hamad, Stanislas Hascoet,
Runhua Huang, Frédéric Lanois, Jean-François
Mogniotte, Franck Nallet, Minh-Duy Nguyen, Shiqin
Niu, Fabien Thion, Dominique Tournier, Heu Vang,
Teng Zhang)
Les permanents (Cyril Buttay, Mihai Lazar, Luong-
Viet Phung, Christophe Raynaud)
Les collaborations universitaires (LAAS, Laplace,
LSPM, GEMAC, LMI, Charles Coulomb, G2ELab).
5. Références bibliographiques
[1] W. Saito, I. Omura, T. Ogura, H. Ohashi
« Theroretical limit estimation of lateral wide band-gap
semiconductor power-switching device » Solid-State
Electronics 48 1555-1562 (2004)
[2] P.-N. Volpe, P. Muret, J. Pernot, F. Omnes, T.
Teraji, Y. Koide, F. Jomard, D. Planson, P. Brosselard,
N. Dheilly, B. Vergne, S. Scharnholz « Extreme
dielectric strength in boron doped homoepitaxial
diamond » Appl. Phys. Lett. 97, 1 (2010)
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