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Elctronique Analogique
Elctronique Analogique
ELCTRONIQUE
ANALOGIQUE
L3-PLURI
J. LAURENT
PLAN DU COURS
Introduction : notations
Chap 1. Les diodes
I. Principe de la diode
1. Semi-conducteurs
2. Dopage
a. type N
b. type P
3. Jonction PN - diode
a. Diode non polarisée
b. Polarisation directe
c. Polarisation inverse
4. Caractéristique d ’une diode
5. Droite de charge
6. Approximations d ’une diode
a. diode idéale
b. diode réelle
J. LAURENT
PLAN DU COURS
J. LAURENT
PLAN DU COURS
b. caractéristique
c. régulation de tension
d. modélisation
3. Régulateur Zener
a. synoptique
b. conduction de la Zener
c. analyse des performances
4. Filtrage et diagramme de Bode
Chap 2. Le transistor bipolaire
I. Présentation
1. Description et symboles
a. transistor npn
b. transistor pnp
2. Fonctionnement
a. transistor non polarisé
b. transistor polarisé
c. rapport statique a
J. LAURENT
PLAN DU COURS
d. tension de claquage
e. gain statique b
f. conclusion
3. Caractéristiques
a. collecteur
b. base
c. gain en courant
4. Droite de charge statique
5. Régimes linéaire et NL
a. Transistor interrupteur
b. Régime linéaire
6. Circuits de polarisation
a. de base
b. par réaction d ’émetteur
c. par réaction de collecteur
d. par division de tension
7. Polarisation universelle
8. Circuits à transistors pnp
J. LAURENT
PLAN DU COURS
d. tension de claquage
e. gain statique b
f. conclusion
3. Caractéristiques
a. collecteur
b. base
c. gain en courant
4. Droite de charge statique
5. Régimes linéaire et NL
a. Transistor interrupteur
b. Régime linéaire
6. Circuits de polarisation
a. de base
b. par réaction d ’émetteur
c. par réaction de collecteur
d. par division de tension
7. Polarisation universelle
8. Circuits à transistors pnp
J. LAURENT
PLAN DU COURS
c. gain en tension à vide
d. impédance d ’entrée
e. impédance de sortie
3. Montage collecteur commun
a. montage initial
b. schéma équivalent dynamique
c. gain en tension à vide
d. impédance d ’entrée
e. impédance de sortie
4. Montage à base commune
a. montage initial
b. schéma équivalent dynamique
c. gain en tension à vide
d. impédance d ’entrée
e. impédance de sortie
J. LAURENT
PLAN DU COURS
Chap 3. Les transistors à effet de
champ
I. Les JFET
1. Présentation
a. JFET à canal N
b. JFET à canal P
2. JFET polarisé
3. Caractéristiques
a. caractéristiques de drain
b. transconductance
4. Circuits de polarisation
a. de grille
b. automatique
c. par diviseur de tension
d. de source
e. par source de courant
5. Régimes linéaire et non linéaire
a. régime non linéaire
b. comportement dynamique
J. LAURENT
PLAN DU COURS
6. Applications à l ’amplification
a. amplificateur à source commune
b. amplificateur à drain commun
c. amplificateur à grille commune
II. MOSFET
1. MOSFET à appauvrissement
a. présentation
b. régimes
c. caractéristiques
d. polarisation
e. applications
2. MOSFET à enrichissement
a. présentation
b. tension de seuil
c. caractéristiques
d. polarisation
e. polarisations des FET
f. applications
J. LAURENT
Introduction : notations
J. LAURENT
Introduction : notations
J. LAURENT
Introduction : notations
Notations en grandeur
complexe
V = (V ; j)
V : grandeur complexe
V ou |V| : module (valeur efficace)
j : argument
V = V e jj = V (cos j + j sin j)
V=a+jb
a : partie réelle
b : partie imaginaire
a = V cos j ; b = V sin j
V = Ö(a² + b²) ; j = atan b/a
J. LAURENT
Chap 1. Les diodes
J. LAURENT
I.1. Semi-conducteurs
J. LAURENT
I.2. Dopage
Semi-conducteur intrinsèque :
cristal de silicium pur
Dopage : ajout d ’atomes d
’impuretés pour augmenter le
nombre de charges à semi-
conducteur extrinsèque
a. Type N
ajout d ’atomes à 5 électrons sur la
couche périphérique à électrons
porteurs majoritaires
Arsenic (As), Antimoine (Sb),
Phosphore (P)
b. Type P
ajout d ’atomes à 3 électrons sur la
couche périphérique à trous porteurs
majoritaires
Aluminium (Al), Bore (B), Gallium (Ga)
J. LAURENT
I.3. Jonction PN - Diode
J. LAURENT
I.3. Jonction PN - Diode
J. LAURENT
I.3. Jonction PN - Diode
J. LAURENT
I.4. Caractéristiques
J. LAURENT
I.4. Caractéristique
J. LAURENT
I.4. Caractéristique
Polarisation directe :
la diode ne conduit pas tant qu ’on
n ’a pas surmonté la barrière de
potentiel
Au-delà de Vd = 0,7 V, une petite
augmentation de tension implique
une forte augmentation de courant
Polarisation inverse : on obtient
un courant extrêmement petit
diode : conducteur à sens
unique
Ne pas dépasser la tension de
claquageet la puissance limite
J. LAURENT
I.5. Droite de charge
J. LAURENT
I.5. Droite de charge
J. LAURENT
I.6. Approximations
J. LAURENT
I.6. Approximations
J. LAURENT
II. Redressement et filtrage
J. LAURENT
II.2. Transformateur
J. LAURENT
II.3. Redresseur demi-onde
J. LAURENT
II.3. Redresseur demi-onde
J. LAURENT
II.4. Redresseur en pont
J. LAURENT
II.4. Redresseur en pont
J. LAURENT
II.5. Filtrage
J. LAURENT
II.5. Filtrage
J. LAURENT
III. Régulation de tension
J. LAURENT
III.1. Généralités
J. LAURENT
III.2. Diode Zener
J. LAURENT
III.2. Diode Zener
J. LAURENT
III.2. Diode Zener
J. LAURENT
III.3. Régulateur Zener
J. LAURENT
III.3. Régulateur Zener
J. LAURENT
III.3. Régulateur Zener
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
Lois de base:
Loi d’ohm générale:
U=ZI
I
Z
i2
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
Z4
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
V1 V2
Z2
Association d’impédances
Série: Zt = Z1+Z2
Z1 Z2 Zt
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
Parallèle: Zt = (Z1Z2/Z1+Z2)
Z1
Zt
Z2
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
V
Caractéristiques d’une résistance:
Valeur en
Précision en %
Puissance en W
Stabilité (en T°, en temps..)
Potentiomètre: R variable
Thermistance: R varie en fonction de la
température
Photo résistance: R varie en fonction de la
lumière
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
V
L: inductance en Henri
Zl est imaginaire pure et dépend de w,
on modélise par approximation le
comportement en fréquence.
BF: f->0 w->0 Zl->0 L=>CC
HF: f->inf Zl->inf L=>CO
La self laisse passer le continu mais
bloque les HF; elle s’oppose aux
variations rapides.
En fait la self a une résistance interne r
Zl=r+jLw = |Zl|=sqrt(r²+(Lw)²)
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
C: capacité en Farad
On a une influence de la
fréquence qui est l’inverse de la
self
f->0 Zc-> inf => C=CO
f->inf Zc->0 => C=CC
Le temps de charge d’un
condensateur dépend de
=1/(RC)
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
Fonctions de transfert
H = Vsortie/Ventrée
Impédances d’entrée et de sortie
Ze: impédance équivalente vue de l’entrée.
Ze=Ve/Ie
Zs: impédance équivalente vue de la sortie.
Ze=Vs/Is
Zg
Ze Zs
Zl
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
Types de filtre
Actif, passif (T ou RLC)
Passe bas, passe haut, passe
bande ou coupe bande
Ordre du filtre n (relié au nbre
d’éléments C ou L)
Fonction du filtre (Butterworth,
Chebychev, Bessel…)
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
De manière générale:
Atténuation de -20dB/dec ou
-6dB/octave
La fréquence de coupure est
déterminée à -3dB.
La bande passante va de 0 à fc
|H|dB
fc f
BP=[0;fc] -20dB/dec
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
De manière générale:
Phase de H = arctan(w/w0)
fc f
-
Forme canonique:
H=K/(1+j(w/w0))
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
C
Ve R Vs
Fonction de transfert
H=1/(1-j(1/RCw)); H=1/(1-j(w0/w))
Forme canonique
H=K/(1-j(w0/w))
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
Diagramme de Bode
|H|dB
fc f
BP=[f0;inf[
-20dB/dec
f
fc
J. LAURENT
III.4. Filtrage et diagramme de
Bode
J. LAURENT
Chap 2. : Transistor bipolaire
J. LAURENT
I.1. Description et symboles
J. LAURENT
I.1. Description et symboles
J. LAURENT
I.2. Fonctionnement
J. LAURENT
I.2. Fonctionnement
d. tension de claquage
Breakdown Voltage : dépend du
dopage
BVBE = 5 à 30 V
BVCE = 20 à 300 V
J. LAURENT
I.2. Fonctionnement
e. gain statique
= hfe = IC /IB
50 < < 300 (jusqu ’à 1000)
f. conclusion
transistor bipolaire en régime linéaire si :
1. La diode émetteur soit polarisée en direct
2. La diode collecteur soit polarisée en
inverse
3. La tension entre les bornes de la diode
collecteur soit inférieure à BVCE
Tbip = dispositif actif amplificateur
Source de courant IC commandée par IB
IE = IC + IB
IC # IE
J. LAURENT
I.3. Caractéristiques
J. LAURENT
I.3. Caractéristiques
J. LAURENT
I.4. Droite de charge statique
J. LAURENT
I.5. Régimes linéaire et NL
J. LAURENT
I.5. Régimes linéaire et NL
J. LAURENT
I.6. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.6. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.6. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.7. Polarisation universelle
J. LAURENT
I.8. Circuits à transistors pnp
J. LAURENT
II. Généralités sur l’amplification
J. LAURENT
II.2. Environnement réel
J. LAURENT
II.3. Régime petit signal
J. LAURENT
II.4. Couplage et découplage
J. LAURENT
II.5. Théorème de superposition
Démarche de l ’étude
1. Etude statique grandeurs continues V0, I0
annuler les sources alternatives (Ve)
ouvrir les condensateurs de couplage
remplacer les transistors par leur modèle statique
J. LAURENT
III. Régime dynamique
J. LAURENT
III.1. Modèle dynamique
J. LAURENT
III.2. Montage émetteur
commun
J. LAURENT
III.2. Montage émetteur
commun
J. LAURENT
III.2. Montage émetteur
commun
amplification + déphasage
Ze élevée
Zs moyenne EC =AMPLI de tension
J. LAURENT
III.3. Montage collecteur
commun
J. LAURENT
III.3. Montage collecteur
commun
J. LAURENT
III.3. Montage collecteur
commun
J. LAURENT
III.3. Montage base commune
J. LAURENT
III.3. Montage base commune
J. LAURENT
III.3. Montage base commune
J. LAURENT
Chap.3 : Les TEC
J. LAURENT
I. JFET
J. LAURENT
I.2. JFET polarisé
J. LAURENT
I.3. Caractéristiques
J. LAURENT
I.3. Caractéristiques
J. LAURENT
I.4. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.4. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.4. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.4. Circuits de polarisation
J. LAURENT
I.5. Régimes linéaire et NL
J. LAURENT
I.5. Régimes linéaire et NL
J. LAURENT
I.5. Régimes linéaire et NL
J. LAURENT
I.6. Applications à l’amplification
J. LAURENT
I.6. Applications à l ’amplification
J. LAURENT
I.6. Applications à l ’amplification
J. LAURENT
I.6. Applications à l ’amplification
J. LAURENT
I.6. Applications à l ’amplification
J. LAURENT
I.6. Applications à l ’amplification
J. LAURENT
II. MOSFET
J. LAURENT
II.1. MOSFET à appauvrissement
J. LAURENT
II.1. MOSFET à appauvrissement
J. LAURENT
II.1. MOSFET à appauvrissement
J. LAURENT
II.1. MOSFET à appauvrissement
J. LAURENT
II.1. MOSFET à appauvrissement
J. LAURENT
II.1. MOSFET à appauvrissement
J. LAURENT
II.2. MOSFET à enrichissement
J. LAURENT
II.2. MOSFET à enrichissement
J. LAURENT
II.2. MOSFET à enrichissement
J. LAURENT
II.2. MOSFET à enrichissement
J. LAURENT
II.2. MOSFET à enrichissement
J. LAURENT
II.2. MOSFET à enrichissement
J. LAURENT
III. AOP
J. LAURENT
III. AOP
tension différentielle = V+ - V-
Vs = A avec A: amplification en BO
Modèle et caractéristiques
is
V+ i+=0
A Vs
V-
i-=0
En pratique
Is limité à environ 10mA
i- et i+ environ 10-10A
Ze de 106 à 1012
A grand mais dépend de BP
Zs de 10à 100
J. LAURENT
III. AOP
En régime linéaire = 0
Vsat+
Vsat-
Régime linéaire et NL
La relation i+= i- =0 tjrs vrai.
Régime linéaire pour cela il faut une
contre réaction (sortie reliée à V-)
-
Ve +
J. LAURENT
III. AOP
V+
+
V- - Vs
J. LAURENT
III. AOP
Réaction (liaison entre la sortie et V+)
+
Ve -
Z1 -
+
Vs
Ve
G0=1+(z2/z1)
Ze ->inf
Zs = 0
Montage suiveur
V+
+
V- - Vs
J. LAURENT
III. AOP
Z1 -
Ve
+
Vs
G0=-(z2/z1)
Ze ->z1
Zs = 0
Montage sommateur
Z1 Z4
Z2 -
Z3 +
Vs
J. LAURENT
III. AOP
Z1 -
Z3 +
Vs
Z4
Vs = [(z1+z2)/z1]x[z4/(z3+z4)]xV2 – (z2/z1)V1
Dérivateur
R
Vs= -RC dVe/dt
-
+
Vs
On produit en sortie un signal rectangulaire si le signal d’entrée est une
rampe
J. LAURENT
III. AOP
R -
+
Vs
Vs = -1/(RC) intégral Ve dt
J. LAURENT
III. AOP
C2
C1
R1 -
+
Vs
G0 = K/[(1+j(w/w2))x(1-j(w1/w))]
J. LAURENT
III. AOP
-
Ve
+
Vs
Vref
Vsat+
Vref
Vsat-
J. LAURENT
III. AOP
R2
R1 +
Ve
-
Vs
Vref
V
Vsat+
Vc
Vsat-
1 seuil lorsque la grandeur croit Vref+
1 seuil lorsque la grandeur décroît Vref-
Vref- = [(R1+R2)/R2]Vref – (R1/R2)Vsat
V = Vref+ - Vref- = 2(R1/R2)Vsat
Vc = (Vref+ + Vref-)/2 = [(R1+R2)/R2] Vref
J. LAURENT
BIBLIOGRAPHIE
Electronique Dornier Ed Foucher Coll Plein Pot Théorie ISBN 2-216-
01628-4 Applications et problèmes ISBN 2-216-01629-2
Electronique analogique Merat R. Moreau L.Allay J.P. Dubos J.
Lafargue R. Le Goff Ed Nathan Coll Etapes n° 52 ISBN 2-09-176893-6
Electronique linéaire : Cours avec exercices et travaux
pratiques Blot Dunod Université ISBN 2-10-001133-2
Electronique linéaire : exercices résolus Blot Dunod Université
ISBN 2-10-001777-2
Les transistors : Eléments d’intégration des circuits
analogiques J. Blot Ed. Dunod
Circuits électriques et électroniques Milsant Ed. Ellipses
Micro-électronique Millman - A. Grabel Ed. Mac Graw Hill 4 tomes
T1 : Dispositifs à semi-conducteurs T2 : Circuits et systèmes
numériques T3 : Amplificateurs et systèmes amplificateurs T4 :
Traitement de signaux et saisie de données - Electronique de
puissance
Guide pratique de l’électronique Bourgeron Hachette Technique
Guide Pratiques Industriels ISBN 2-01-166590-6
Memotech Electronique Composants J.C. Chauveau G.Chevalier
B. Chevalier Coll A. Capliez Educalivre ISBN 2-7135-1353-7
Guide du technicien en électronique Cimelli R. Bourgeron
Hachette Technique ISBN 2- 01-16-6868-9
Technologie des composants électroniques 3 Tomes Besson
SECF Ed
Radios ISBN 2-7091-0821-6 ISBN 2-7091-0872-0 ISBN 2-7091-0983-
2
Le mémento des fondements de l’électronique Altmann Ed
Fréquences Difffusion Eyrolles ISBN 2-903055-26-2
Principes d'électronique A. P. Malvino McGrawHill ISBN : 2-7042-
1176-0
J. LAURENT