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METAUX ; SEMI-CONDUCTEURS




I INTRODUCTION

1.1 Mtaux
L'tat mtallique est dfini par ses proprits lectroniques dues
la liaison mtallique qui, contrairement la liaison covalente ou la liaison ionique, est
assure par des lectrons dlocaliss. Cest ltat prfr des lments chimiques : plus des
deux tiers le sont. Dans le tableau priodique des lments, la diagonale partant du Bore et
allant jusqu'au Polonium spare les lments mtalliques ( gauche) des lments
mtallodes (dont font partie les semi conducteurs) et des isolants.

1.1.1 Proprits physico chimiques communes
Signalons au pralable
quil ny a aucune proprit totalement partage par lensemble des mtaux. Il existe des
points communs mais il y a souvent des exceptions. Les mtaux sont en gnral des solides
cristallins (le mercure est toutefois une exception notable puisqu'il est le seul mtal l'tat
liquide dans les conditions normales) mallables et ductiles. Ils refltent la lumire (clat
mtallique) sauf lorsqu'ils se recouvrent d'oxyde et ils conduisent bien la chaleur et
l'lectricit (mais pas tous). La principale raison la bonne conduction de llectricit par
ces matriaux vient de la liaison mtallique : les atomes forment des structures 3D, les
mailles, qui se rptent. A l'intrieur, des lectrons peu prs libres circulent dans un rseau
de cations. A une conductivit lectrique leve est associe une bonne conductivit de la
chaleur. Les proprits magntiques des mtaux sont diverses : diamagntisme,
paramagntisme, ferromagntisme, antiferromagntisme. Aucune de ces proprits nest
donc une caractristique intrinsque ltat mtallique.

1.1.2 Approche Quantique
Elle permet de prciser la diffrence entre
mtaux, isolants et semi-conducteurs. Linfluence priodique du rseau dions positifs sur le
mouvement des lectrons (lectrons quasi libres soumis un potentiel priodique en
opposition au modle des lectrons dits libres , soumis un potentiel constant) conduit
la notion de structure de bandes dnergies permises ou interdites pour les lectrons. Les
lectrons tant des fermions (particules de fonction donde antisymtrique, nombre
quantique de spin demi entier et obissant par consquent au principe dexclusion de Pauli),
la probabilit doccupation p(E) dun niveau dnergie E dans cette structure de bande est
donne par la statistique de Fermi Dirac :
( )


+
=
kT
E
exp 1
1
E p

Ou est le potentiel chimique, appel aussi niveau de Fermi (cf. remarque ci aprs)

Cette fonction est en forme dchelon T = 0 K. Pour des tempratures de lordre de
lambiante, elle continue de varier brusquement autour de dans un intervalle dnergie
denviron 2.k.T assez faible (kT
amb
25 meV) seule une faible fraction dlectrons peut
250
tre excite thermiquement depuis des tats situs juste en dessous du niveau de fermi vers
les tats situs juste au dessus.

Distinction mtal, isolant, semi-conducteur :
Elle est lie la position du niveau de Fermi
par rapport aux bandes d'nergie autorises aux lectrons comme on peut le voir sur le
schma suivant (on a align les niveaux de Fermi pour simplifier et on a dilat lintervalle
2kT pour plus de visibilit) :
















Le niveau de Fermi se situe entre la bande de valence (dernire bande permise totalement
remplie 0 K) et la bande de conduction (premire bande permise inoccupe ou
partiellement remplie 0 K) pour les isolants et les semi conducteurs alors quil est dans la
bande de conduction pour un mtal. Il faut donc peu d'nergie pour exciter un mtal : les
lectrons dans le haut de la bande de conduction disposent de places vides proches en
nergie quils peuvent venir occuper sous laction dun champ lectrique pour participer
un courant. Les isolants et les semi-conducteurs ayant leur niveau de Fermi dans une bande
interdite, les bandes permises 0 K sont soit entirement pleines, soit entirement vides
elles ne permettent pas la conduction lectrique a cette temprature car les lectrons ne
disposent pas de places vacantes proches en nergie. Pour T > 0K, lagitation thermique peut
envoyer des lectrons de la bande de valence vers la bande de conduction, crant ainsi des
lectrons de conduction et des places vides en mme quantit dans la bande de valence
(processus de cration de paires lecrons-trou). Cela nest possible que si le gap
franchir entre les deux bandes nest pas trop important par rapport kT. La distinction entre
isolant et semi-conducteur est donc lie la hauteur de cette barrire . Le gap trs lev
des isolants (3 eV ou plus) empche la cration de paires lectrons trou et donc la
conduction lectrique alors que le gap moins important des semi-conducteurs ( 1 eV voire
moins) le permet. Les lectrons dans les deux bandes disposent alors de places vides
facilement accessibles et lapplication dun champ lectrique permet la conduction dans les
deux bandes (conduction par lectrons dans la bande de conduction et par trou dans la bande
de valence). La conduction dans les semi conducteurs est moins forte que dans les mtaux
car le nombre de porteurs est nettement plus faible (il y a peu de places vides dans la bande
de valence et peu dlectrons dans la bande de conduction).

Remarque :
Il ne faut pas confondre niveau de Fermi et nergie de fermi E
F
. Ltude de la
statistique de Fermi Dirac T = 0 K applique un mtal permet de dfinir lnergie de
0
E
Mtal SC Isolant
T 0 K
E
0
E
Mtal SC Isolant
T = 0 K
p(E)
0
0,5
1
2kT

251
Fermi : cest lnergie maximale des lectrons 0 K E
F
= T = 0 K pour un mtal.
Cette dfinition pose un problme dans le cas des isolants et des semi-conducteurs car
lnergie de fermi devrait alors correspondre lnergie E
V
du haut de la bande de valence.
On prfre dans ce cas revenir la notion plus gnrale de potentiel chimique, ou niveau de
Fermi, . La position de ce niveau sobtient alors en intgrant la densit dtat D(E) (cf. rf.
(11), ch. 2 ou rf. (5), ch. 6 pour plus de prcision sur cette notion) multiplie par le facteur
doccupation p(E) de chacun de ces tats (la statistique de Fermi Dirac) et en crivant que le
rsultat doit correspondre au nombre total dlectrons dans le systme. On peut alors
montrer (cf. rf. (11), ch. 28 et rf. (3), ch. 8) quil se situe pratiquement au milieu de la
bande interdite pour les isolants et les semi-conducteurs purs.

1.2 Semi-conducteurs
Les semi-conducteurs sont donc des matriaux dont la
conductivit est intermdiaire entre celles des isolants et des conducteurs. Elle peut varier
sur plusieurs ordres de grandeur sous l'effet de la temprature et/ou de l'clairement. Un
autre facteur modifiant fortement la conductivit est la prsence d'impurets (dopage). Le
dopage consiste ajouter en faible proportion des atomes dune valence suprieure
(donneurs dlectrons) ou infrieure (accepteurs dlectrons) celle du substrat. On favorise
ainsi une conduction par lectrons (SC de type N) ou par trous (SC de type P). Le dopage se
manifeste sur la structure de bandes du matriau par lapparition dun nouveau niveau
dnergie proche de la bande de conduction (type N) ou de la bande de valence (type P) et
un relvement (type N) ou un abaissement (type P) du niveau de Fermi du cristal :












Energie d'ionisation des impurets (donneurs et accepteurs) : 10 meV

A T = 0 K, la bande de conduction est vide d'lectrons, la bande de valence est pleine, et les
atomes dopants sont neutres : le matriau est isolant. Quand la temprature augmente, les
impurets sionisent en premier en librant des lectrons dans la bande de conduction
(donneurs) ou en capturant des lectrons de la bande de valence (accepteurs), y crant ainsi
des trous. Lorsque toutes les impurets sont ionises, la concentration en porteurs libres
devient constante et la conduction est principalement assure par des lectrons dans la bande
de conduction (SC de type N) ou par des trous dans la bande de valence (SC de type P) : on
est en rgime extrinsque de conduction (proprits gouvernes par les impurets). Cest
le domaine dutilisation du semi-conducteur. A plus haute temprature, des atomes du
substrat sionisent leur tour par agitation thermique crant des paires lectron-trou. Trs
vite, ces nouvelles charges dpassent en nombre celles apportes au pralable par les
impurets (on rappelle que le nombre datomes dopants est trs faible par rapport aux
atomes du substrat) et on passe en rgime intrinsque de conduction. Le rle des
impurets devenant ngligeable, on peut exprimer (cf. rf. (3), p. 175) la concentration en
E
c
E
v
E
d
E
g
E
i


E
c
E
v
E
a
E
g
E
i


252
porteurs partir des concentrations intrinsques n
i
en lectrons dans la bande de conduction
et p
i
en trous dans la bande de valence (
i
reprsente le niveau de fermi intrinsque du
substrat non dop) :
( )
C C
C i
C i
E / kT
i
1
n N N e
E
1 exp
kT

=

+



Avec
3/ 2
C
2
*
n
2 m kT
N 2
h

=



( )
V V
i V
V i
E / kT
i
1
p N N e
E
1 exp
kT
+
=

+


Avec
3/ 2
V 2
*
p
2 m kT
N 2
h

=




Remarques :
Compte tenu du gap des semi-conducteurs usuels et de la position du niveau de
Fermi (cf. remarque du 1.1.2), il est facile de vrifier quon a E
C

i
et
i
- E
V
>> kT aux
tempratures usuelles on peut remplacer la statistique de Fermi Dirac par celle de
Boltzman.
Les masses m
*
sont des masses effectives ; elles rendent compte du fait que les
porteurs de charges ne sont pas dans le vide mais dans un cristal. Elles tiennent compte de
laction de la structure cristalline sur la particule (cf. rf. (3), p. 46, rf. (2), p.27).

Du fait de la neutralit lectrique du semi-conducteur, les densits intrinsques n
i
et p
i
sont
gales et on a :
( ) ( ) ( )
kT 2
Eg
2
1
V C
kT 2
E E
2
1
V C
2
1
i i i i
e N . N e N . N p . n p n
V C

= = = =

Si on reprsente lvolution du logarithme des densits en porteurs de charge en fonction de
1/T, on obtient en pratique les courbes suivantes :













La partie intrinsque est une droite alors que les concentrations dpendent de la temprature
travers de (N
C
N
V
)
1/2
et du terme exponentiel cest donc lexponentielle qui fixe la loi
de variation dans cette partie. La conductivit du matriau se dduit de la concentration en
porteurs de charges par la relation suivante (cf. 3.1.4) :
= n(T) .q. (T)
(.m)
-1
= m
-3
.C.ms
-1
/Vm
-1

Ou reprsente cette fois ci la mobilit des porteurs de charge sous leffet du champ
lectrique appliqu (cf. rf. (3), p. 202). Dans la partie intrinsque de la conductivit, le
1/T
Log n
intrinsque
ionisation
puisement du
niveau donneur
Ec
Ev
Ed P
0
Ec
Ev
Ed P
+
Ec
Ev
Ed P
+
n = N
D
n n
i
1/T
Log p
intrinsque
ionisation
saturation du
niveau accepteur
Ec
Ev
Ea B
0
Ec
Ev
Ea B
-
Ec
Ev
Ea
B
-
p = N
A
p p
i
253
terme dominant est encore le terme exponentiel, les autres facteurs ayant une variation plus
lente en temprature. Dans le plateau extrinsque (zone dpuisement des donneurs ou de
saturation des accepteurs), cest lvolution de la mobilit des porteurs en fonction de T qui
gouverne la conductivit . Celle ci ayant tendance diminuer lorsque la temprature
augmente, la rsistivit = 1 / prsente donc lvolution suivante :









1.3 Effet Hall
Lorsquun chantillon conducteur est plac dans un champ
magntique B // Oz et quil est parcouru par un courant I longitudinal // Ox, il apparat un
champ lectrique transversal // Oy, dit champ de Hall : chaque porteur du courant lectrique
est soumis la force magntique de Lorentz B v q F
r
r
r
= qui tend les dvier sur la face
latrale du barreau crant ainsi le champ lectrique
Hall
E
r
et une force lectrique
H
E . q
r

parallle y
r
. En rgime permanent, les deux forces se compensent exactement et les
trajectoires des porteurs redeviennent parallles x
r
:










Le raisonnement peut se faire avec nimporte quel type de charges (lectrons ou trous).
On voit tout de suite sur les schmas quils vont tre dvis dans le mme sens (car q et v
r

sinversent donc les effets se compensent). En revanche le champ de Hall change de sens
et la tension de Hall change de signe.

Expressions E
Hall
, U
Hall
:
On considre un chantillon de longueur L, de largeur l et
dpaisseur e. On a 0 E q B v q
H
r r r
r
= + en rgime permanent B v E
H
r
r
r
= . Soient n la
densit de porteurs, q leur charge algbrique et v
r
leur vitesse limite moyenne (ou vitesse de
drive) acquise sous leffet du champ de conduction
cond
E
r
. La densit de courant j
r
dans la
section S = l.e du cristal vaut alors :
v . q . n x
e . l
I
S
I
j
r r
r
= = =

x
e l q n
I
q n
j
v
r
r
r
= = y
e l q n
IB
E
Hall
r
r
= D'o :
Hall
Hall D C
E I.B
U = V - V = =
l n qe

pente
2
E
G

Ln()
Plateau
extrinsque
1/T
x
r

y
r

I
+ + + + + + + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - - - - - - - -
q.V B
r r

C
D
_
B
r
v
r
H
E
r
H
E . q
r

v . q
r

I
+ + + + + + + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - - - - - - - -
q.V B
r r

C
D
+
B
r
v
r
H
E
r
H
E . q
r

v . q
r

254
alternostat

secteur
A

V

lampe
Les formules obtenues pour
Hall
E
r
et U
Hall
confirment le changement de signe car q est une
grandeur algbrique La mesure de U
Hall
donne ainsi directement accs la fois au
type de porteurs (par son signe) et leur concentration n (par sa valeur).

Remarque :
On notera que plus la concentration en porteurs est leve, plus l'effet Hall est
petit. Or n est de lordre de 10
28
e
-
/m
3
pour les mtaux contre 10
15
10
24
e
-
/m
3
pour les semi-
conducteurs (en tenant compte du dopage) leffet est donc au minimum 10 000 fois
infrieur dans les mtaux ! Il existe donc aussi dans les mtaux mais la tension de Hall
est trs faible et difficile mesurer. Une autre faon dapprhender cette diffrence est de
raisonner sur la vitesse de drive des porteurs : pour un mme courant I traversant une mme
section ( mme j
r
), cette vitesse sera dautant plus faible que la densit de porteurs n est
grande ( v . q . n j
r
r
= ) le champ de Hall B v E
H
r
r
r
= sera alors dautant plus faible. Les
porteurs dans un mtal tant trs nombreux, leur vitesse de drive est donc nettement plus
faible que dans les semi-conducteurs densit de courant gale et leffet Hall dans les
mtaux est donc plus faible.


II EXPERIENCE DINTRODUCTION : VARIATION DE AVEC T
La dpendance
de la rsistivit vis--vis de la temprature est une diffrence fondamentale entre un mtal et
un semi-conducteur et peut facilement tre mise en vidence.

Manipulation :
On utilise deux lampes, l'une filament de tungstne (mtal) et l'autre
filament de carbone (SC). Commencez par mesurer avec un ohmmtre la rsistance des deux
lampes T
ambiante
:
R
tungstne
(T
amb
) =

R
carbone
(T
amb
) =

Ralisez ensuite le montage suivant :



A : commencez par le placer
sur le calibre 10 A !



Pour chaque lampe, ajustez la puissance dlivre par l'alternostat pour avoir un clairement
consquent mais non excessif. Mesurez U et I ; en dduire la rsistance pour les deux
lampes. Comparez l'volution. Expliquez.

Si on ne dispose pas d'une lampe filament de carbone, on peut utiliser des rsistances sous
forme de composants discrets. Les rsistances bleues sont couche mtallique et les
rsistances marron sont au carbone. On peut alors les chauffer au sche-cheveux ou avec un
fer souder.

255
III EXPERIENCES SUR LES METAUX

3.1 Caractristiques lectriques

3.1.1 Mesure de la conductivit du cuivre
Se reporter au montage
Phnomnes de transport , 2.1. On dispose aussi dune barre daluminium permettant
de faire une mesure similaire. On peut comparer les rsultas obtenus la littrature (cf.
Handbook Electrical Rsistivity).

3.1.2 Variation de la rsistivit avec la temprature
Par nature, un
mtal voit sa rsistance augmenter avec la temprature. Cest l une diffrence fondamentale
avec les semi-conducteurs. Se reporter lexprience du II.

Application :
On peut mettre profit cette dpendance pour raliser un capteur de
temprature. Se reporter au montage Thermomtrie pour plus de prcision ce sujet.

3.1.3 Concentration en porteurs
On a vu au 1.3 que la mesure de la
tension de Hall permet de dterminer la nature des porteurs du courant lectrique et leur
concentration.

Dispositif dtude :
On utilise une plaquette de chez Leybold sur laquelle se trouve un ruban
dargent de dimension L = 65 mm, l = 20 mm et e = 0,05 mm. Deux fiches permettent de
faire circuler un courant longitudinal I. Deux autres fiches permettent la mesure de la tension
transversale U
Hall
. Cette tension tant extrmement faible, un potentiomtre P permet
dannuler, lorsque le courant circule en labsence de champ magntique, la chute de tension
longitudinale lie lalignement imparfait des contacts sur une mme quipotentielle :


















La tension de hall tant proportionnelle I, on a intrt avoir un courant longitudinal le
plus fort possible. Le constructeur du dispositif indique quil peut supporter jusqu 20 A
V
I
P
Ag
Vue de face Vue de profil
lectroaimant
L
l
256
prendre une alimentation pouvant dbiter au moins 15 A. A Rennes, prendre
lalimentation Pierron servant habituellement pour llectroaimant. Etant donn la valeur du
courant, on le mesurera laide dune pince ampre mtrique.

Production du champ B :
Prendre un lectroaimant avec des pices polaires suffisamment
larges pour produire un champ homogne sur lensemble du ruban dargent. Ajustez
lentrefer au minimum pour avoir un champ le plus fort possible. A Rennes, prendre le gros
lectroaimant avec les pices plates (vrifiez la fixation des pices). On lalimentera avec
un courant denviron 10 A (alimentation ELC AL 924A par exemple).

Mesure de U
Hall
:
La tension est de lordre de 10 V cette exprience est impossible
exploiter si on ne dispose pas dun appareil suffisamment sensible. Lidal consiste donc
utiliser un microvoltmtre. A dfaut, on peut utiliser un multimtre possdant au moins 6
Digits et permettant de moyenner les mesures. A Rennes, prendre le Keithley 2000 allum
depuis au moins 30 minutes. Utilisez des fils courts pour le connecter au ruban et
loigner le des diffrentes alimentations pour minimiser les parasites lectromagntiques.

Manipulation :
Placez le dispositif Leybold dans lentrefer de llectroaimant. Vrifiez avec
un teslamtre quil ny a pas de champ magntique. Mesurez la tension aux bornes latrales
de lchantillon avec le Keithley 2000 sur son calibre le plus faible (choisir la vitesse de
mesure la plus lente : RATE SLOW). Alimentez progressivement le ruban dargent
(calibre 80 V ; 20 A sur lalimentation Pierron ; ne pas faire saturer lalimentation,
opration dlicate !). Oprez avec un courant continu compris entre 15 et 20 A. Jouez sur le
potentiomtre P de la plaquette pour annuler au mieux la tension parasite sur le voltmtre
due lalignement imparfait des contacts. Ne pas y passer trop de temps car le Keithley
permet une mesure relative faire le zro avec la fonction REL de lappareil. Alimentez
alors llectroaimant avec un courant continu denviron 10 A puis lancez une mesure de
U
Hall
moyenne sur 50 acquisitions (fonction STORE). Lorsque lacquisition est termine,
mesurez le champ B avec un teslamtre. Arrtez progressivement le champ B, mesurez le
courant I circulant dans le ruban avec la pince ampre mtrique (faire le zro au pralable)
puis arrtez le progressivement (ne pas laisser circuler ce courant plus que ncessaire !).

Rsultats :
Vrifiez que le signe de la tension que vous mesurez, compte tenu de
lorientation de i et B, est en accord avec des charges ngatives le transport du courant
dans un mtal est assur par des lectrons. Calculez la concentration en porteurs par la
relation du 1.3. Voici titre indicatif le rsultat dune srie de mesure :

I (A) 17 18,2 16,8
B (mT) 523 524 525
U
Hall
(V) - 21,24 - 19,01 -16,86
n (e
-
/m
3
) 5,23 10
28
6,27 10
28
6,54 10
28


Comparaison avec la valeur attendue :
Largent cristallise dans le systme CFC. Il y a donc
4 atomes par maille en moyenne. Chaque atome dargent cde un lectron dans le mtal. Le
paramtre de maille de largent vaut a
Ag
= 4,0862 . On a donc :

257
( )
3
10
3
Ag
maille / atomes
maille
maille /
porteurs
10 0862 , 4
4
a
n
V
n
n

= = =
3 28
porteurs
m / e 10 86 , 5 n

=

Les rsultats obtenus concordent avec cette valeur, lordre de grandeur est respect. On
constate une certaine dispersion dans les rsultats mais ce nest gure tonnant. Le
multimtre est notamment utilis dans le bas de sa gamme la prcision sur la mesure de
U
Hall
nest donc pas trs bonne. Faites le calcul dincertitude.

3.1.4 Mobilit des porteurs
La dtermination de la
concentration en porteurs dun matriau associe la mesure de sa conductivit permet den
dduire la mobilit des porteurs. On a vu (cf. 1.3) que :

d
v . q . n j
r
r
=
Or E . j
r r
= loi dohm locale

Il aurait donc t intressant de mesurer et n pour le mme mtal afin den dduire .
Largent et le cuivre ont cependant des valeurs de et n qui sont proches, qui sont typiques
de la plupart des mtaux et cest surtout lordre de grandeur qui compte. On a (cf. rf. (11),
chapitre I) :

Cu
= 1,56 .cm n
Cu
= 8,47 10
28
m
-3

Cu
= 4,7 10
-3
m
2
/V.s

Ag
= 1,51 .cm n
Ag
= 5,86 10
28
m
-3

Ag
= 7,06 10
-3
m
2
/V.s

Si on compare ces mobilits lectroniques celles des porteurs de charge dans un semi
conducteur (cf. 4.1.3 ou rf (5), P. 201), on saperoit alors, contrairement ce quon
pourrait imaginer, quelles sont nettement plus faibles ! La meilleure conductivit des
mtaux est donc surtout due la concentration en porteurs plus leve ( un milliard de fois
plus importante que dans le Germanium, 10
12
fois plus que dans le silicium) qui compense
trs largement leur faible mobilit. Cette lenteur dans les mtaux est principalement due
au fait que les lectrons de conduction se dplacent dans un rseau dions positifs, donc
attractifs (lectrons quasi libres), alors que les porteurs dans un semi-conducteur se
dplacent dans un rseau plutt neutre (substrat faiblement ionis).

3.2 Caractristique thermique
La plupart des mtaux (mais pas tous) sont de
bons conducteurs de la chaleur. Lorsquon leur applique un gradient de temprature, ils
ragissent de faon linaire par un flux de chaleur qui sy oppose. Ce comportement
sexprime dans un milieu linaire et isotrope par la relation de Fourier :
T grad . j =
r
.

Cette loi nest videmment pas exclusive aux mtaux mais leur conductivit thermique est
en gnral leve. On propose donc de la mesurer. Plusieurs mthodes sont possibles suivant
le matriel dont on dispose (cf. rf. (10), p. 61 66). On propose deffectuer une mesure par
comparaison en rgime permanent en utilisant lhypothse de la barre infinie.

Manipulation :
Se reporter au montage sur les phnomnes de transports.

3.3 Caractristiques thermolectriques
= = . q . n
E
v . q . n
d
On a donc

= =
. q . n
1
q . n E
v
d


258
3.3.1 Vrification de la loi de Wiedemann - Franz
Les proprits de
conduction thermique et lectrique des mtaux rsultent de la prsence de charges quasiment
libres dans ces matriaux. La loi de Wiedemann-Franz montre quil existe une relation entre
la conductivit thermique d'un mtal et sa conductivit lectrique . Elle n'est valable que
si le transport thermique dans un mtal est assur par les lectrons de conduction. On a alors
la relation :
T
e
k
3
2
B
2

= =



Connaissant dornavant (cf. 3.1.1) et (cf. 3.2.2), vrifiez cette relation pour le cuivre.

3.3.2 Effets Thermolectriques
Se reporter au 4.1.2 du montage
thermomtrie pour une prsentation des diffrents effets thermolectriques. On propose ici
dtudier une des applications les plus connues qui est la ralisation de thermocouples
comme capteurs de temprature.

Mise en vidence du phnomne :
Branchez un thermocouple aux bornes dun voltmtre
sensible sur son calibre le plus faible et attendre que lquilibre thermique sinstalle. Une
fois cet quilibre atteint, vous devez constater que la tension aux bornes du thermocouple est
pratiquement nulle. Posez alors votre doigt sur la jonction du thermocouple : une diffrence
de potentiel apparat et augmente au fur et mesure que la jonction schauffe.

Mesures :
On peut mesurer le coefficient thermolectrique dun thermocouple. Se reporter
au 4.3 du montage thermomtrie pour la manipulation.

Analyse :
Le fonctionnement dun thermocouple repose sur leffet Seebeck. Il consiste en
lapparition dune diffrence de potentiel aux bornes dun chantillon conducteur soumis
un gradient de temprature. Cest la consquence directe dune diffrence de potentiel
chimique entre deux points considrs. On peut en donner une explication qualitative en
considrant un problme une dimension ou les lectrons ne peuvent se dplacer que
suivant une seule direction :






Lorsque la temprature est uniforme, les lectrons ont tous la mme nergie thermique, donc
la mme vitesse moyenne il y a par consquent autant dlectrons passants dans un sens
que dans lautre en un point x donn et leffet est globalement nul. Si on impose alors un
gradient de temprature, les lectrons dans la zone chaude ont maintenant une nergie
thermique plus forte et une vitesse moyenne plus grande que les lectrons situs dans la zone
froide. Les deux courants lectroniques ne se compensent plus exactement et on assiste en
circuit ouvert une accumulation de charge sur les faces de lchantillon, donc lapparition
dune d.d.p. ses bornes, qui finit par annuler le courant lectronique global d au gradient
x
T
C
> T
F
T
F
x
T T

259
de temprature (phnomne analogue celui de leffet Hall ; cf. 1.3) :








La thorie dOnsager modlisant linairement le couplage des phnomnes lectriques et
thermiques, le champ thermolectrique de Seebeck est alors donn par la relation :

T grad . E =
r
Avec (V.K
-1
), le pouvoir thermolectrique absolu du conducteur

Comme V grad E =
r
, la tension qui apparat est donne, pour de faibles carts de
temprature, par la relation :
dT . dV =

Il faut noter que la mesure de cette diffrence de potentiel ne peut pas tre directe car la
connexion linstrument de mesure ajoute un effet thermolectrique supplmentaire comme
on peut le voir sur ces deux exemples possibles de branchement :









V
A
V
D
= V
A
V
B
+ V
B
V
C
+ V
C
V
D
V
A
V
B
= V
A
V
C
+ V
C
V
B


( )



= =
+ + =
+ + =
2
1
2
1
2 1
2 1
C
D
B
C
A
B
T
T
12
T
T
2 1
T
T
1
T
T
2
T
T
1
T
T
1
T
T
2
T
T
1
dT dT
dT dT dT
dT dT dT

( )



= =
+ =
+ =
T
T
12
T
T
2 1
T
T
2
T
T
1
T
T
2
T
T
1
C C
C
C
C
B
A
C
dT dT
dT dT
dT dT


Une mesure absolue est donc impossible (sauf si on utilise des cordons supraconducteurs !
cf. rf. (11), p. 304) car on rcupre la diffrence de tension thermolectrique qui apparat
entre lchantillon et le ou les cordons de liaison. Lexpression de la tension amne aussi
deux commentaires :
Elle est nulle si les mtaux utiliss sont identiques (
1
=
2
) leffet
Seebeck nest exploitable que si lon utilise deux mtaux de nature diffrente (de
coefficients thermolectriques diffrents plus prcisment) relis en eux par une jonction.
Lensemble, appel thermocouple, est alors caractris par un coefficient thermolectrique

12
caractristique du couple de mtaux associs.
V
A
C B
D
T
T
1
T
2
mtal 1

mtal 1

mtal 2

V
A
C
B
T
T
C
mtal 1

mtal 2

T
C
T
F
e
-
E
r

+
+
+
+
_
_
_
_
U

T grad
260
Elle a une valeur proportionnelle T (si on peut supposer
12
= cte)
leffet Seebeck peut servir la ralisation dun thermomtre condition davoir une
temprature de rfrence. Cela peut tre celle de lappareil (montage de droite). Cest la
mthode employe par les multimtres qui permettent la mesure dune temprature avec un
seul thermocouple. Ces appareils disposent alors dun capteur interne (une thermistance)
pour raliser la compensation de soudure froide . Lautre solution (montage de gauche)
ncessite un milieu dont la temprature est connue avec prcision. On le ralise en gnral
avec un mlange eau glace (T
rf
= 0 C). On utilise alors deux thermocouples monts
judicieusement en srie (cf. montage Thermomtrie, 4.3.1). Il faut noter que le rajout de
cordon de liaison pour le branchement des thermocouples lappareil ne change pas la
mesure sils sont la mme temprature (cf. 4.1.2 du montage Thermomtrie).

Remarque :
Lexplication simple de leffet Seebeck que lon a donn laisse penser que
tous les mtaux ont, avec nos conventions, un pouvoir thermolectrique positif. Ce nest pas
toujours le cas. Pour plus de prcision sur ce point, on peut trouver des informations
ladresse Internet : http://perso.orange.fr/michel.hubin/physique/couche/chap_cm6.htm

3.4 Proprit optique : rflexion mtallique
La prsence de porteurs libres en
trs grande quantit confre aussi des proprits de rflexion spculaire (rflexion sur une
surface lisse par opposition la rflexion diffuse sur surface rugueuse) particulires au
mtal. Les phnomnes de rflexion et rfraction ont la mme origine que pour un milieu
dilectrique : la vibration lectronique induite par le champ lectromagntique incident.
Dans un mtal, il existe un grand nombre dlectrons quasi-libres ils sont susceptibles de
vibrer plus facilement et se comportent comme des sources secondaires en phase avec les
ondes lectromagntiques incidentes (ce qui nest pas le cas pour toutes les longueurs d'onde
de la lumire dans les isolants car les lectrons sont lis aux noyaux atomiques). Ceci se
traduit physiquement par un grand indice de rflexion. Ce faisant, ils font cran aux champs
lectromagntiques extrieurs une onde lectromagntique pntre peu lintrieur dun
mtal (effet de peau) lindice de rfraction est complexe et la partie imaginaire de lindice
est nettement plus grande que la partie relle :

e
inkz
= e
i(n' + i.n'' ) kz
= e
in' kz
+ e
-.n" kz


terme de propagation terme d'absorption

De plus cette rflexion ne conduit pas la mme polarisation que dans le cas d'un
dilectrique. En gnral, il y a un changement de phase de l'onde lors de la rflexion
mtallique. Ceci conduit alors une polarisation elliptique de la lumire rflchie.

Manipulation :
Se reporter au montage Production et Analyse dune Lumire Polarise .

3.5 Proprits mcaniques
Dun point de vue mcanique, les mtaux sont
des matriaux plutt compacts. Ils sont donc difficilement compressibles (surtout si on les
compare aux gaz). Une autre proprit souvent commune aux mtaux est leur mallabilit :
lor pur est trs mou par exemple. Cela sexplique par la dlocalisation de la liaison
mtallique qui ne gne pas le glissement des plans cristallographiques les uns par rapport
aux autres. Cest pourquoi on est souvent amen raliser des alliages pour renforcer leur
261
rigidit (on insre des impurets dans le rseau qui bloque le glissement des couches
atomiques). Il serait donc intressant de montrer leur grande plasticit (domaine de
dformation plastique important par rapport au domaine lastique dlongation) ou de
mesurer un coefficient de cisaillement.

Manipulation :
On ne propose rien de quantitatif. On dispose Rennes dune plaque dtain
pur. Testez sa mallabilit et comparez l aux alliages mtalliques classiques !

Remarque :
Tous les mtaux nont cependant pas cette proprit (le fer nest pas vraiment
mou par exemple). Certains mtaux, comme le carbone graphite (alors que le carbone
diamant est isolant) adoptent des structures cristallines dfavorables ces dformations.
Cest aussi le cas pour certains mtaux de transition qui possdent des orbitales 3D qui
jouent un rle de structure figeante.


IV EXPERIENCES SUR LES SEMI CONDUCTEUR
On utilisera principalement les
deux plaquettes de dmonstration Phywe comportant respectivement un chantillon de
Germanium dop P et dop N. Le faible gap du germanium et le dopage des chantillons
permettent l'observation des tempratures pas trop leves de la conduction intrinsque.
Les cristaux de germanium sont trs fragiles et peuvent trs facilement se casser. Il est
donc impratif de manier les plaques avec prcautions, notamment lorsque lon
branche et dbranche les fils de connexion ou quon place lchantillon dans lentrefer
dun lectroaimant.

4.1 Proprits de transport la temprature ambiante

4.1.1 Mesure de la rsistivit
Les chantillons de Germanium dont on
dispose ont pour dimension L = 20 mm, l = 10 mm, e = 1 mm

Manipulation :
L'chantillon est aliment entre A et B par une tension continue comprise
entre 12 et 30 V. Une rgulation de courant situe entre B et B' (intgre dans la plaque)
fournit un courant constant travers l'chantillon (on peut lajuster laide dun
potentiomtre situ au-dessous de la plaque). Les bornes A et B' permettent de mesurer la
d.d.p. longitudinale U
L
:












I = cte
A
B B
U
C
D
A
262
Mesurez I et U
AB
= U
L
. En dduire la rsistivit de lchantillon dop N et de lchantillon
dop P. Voici titre indicatif des rsultats obtenus la temprature de 17,6 C.

Germanium dop P :
U
L
= 1,1469 V ; I = 20,02 mA R = 57,29


( )
cm . 86 , 2 m . 0286 , 0
10 . 20
10 1 10 57,29
L
S . R
3
6
= =

= =



La valeur mesure corrobore celle annonce par le constructeur (cf. doc. Phywe n 5.3.2) :
= 2,25 .cm (la temprature de mesure nest pas indique).

Germanium dop N :
U
L
= 674,8 mV ; I = 20,01 mA R = 33, 73


( )
cm . 69 , 1 m . 0169 , 0
10 . 20
10 1 10 73 , 33
L
S . R
3
6
= =

= =



La valeur obtenue recoupe celle annonce par le constructeur (cf. doc. Phywe LEP 5.3.02) :
= 2,28 .cm. On note un cart un peu plus important qui peut sexpliquer par une
diffrence des tempratures de mesure (le constructeur ne lindique pas) ou par une
diffrence de dopage. Ces rsistivits sont comparer celles des mtaux ou des isolants
(cf. Handbook Rsistivity of metal , Rsistivity of elements ). Une manipulation
alternative mais plus limite est propose dans la rf. (8), p. 432.

4.1.2 Concentration en porteurs
Le principe de la mesure est le mme
que pour les mtaux (cf. 3.1.3) : ltude de leffet Hall. La mesure est en revanche plus
simple mettre en uvre car la tension mesurer est nettement plus forte (cf. 1.3).

Manipulation :
Reprendre le montage du & prcdent et mesurez cette fois V
D
- V
C
.
Comme les deux contacts C et D ne sont pas exactement sur une mme quipotentielle
(mme problme quavec lchantillon dagent), la d.d.p. comporte une partie de chute
ohmique lorsque le courant circule dans l'chantillon. Annulez-la en l'absence de champ
magntique en agissant sur le potentiomtre de compensation. Placez ensuite avec
prcaution le barreau de germanium dans l'entrefer du gros lectroaimant aliment en
continu (pices plates ; VERIFIEZ LA FIXATION DES POLES !). Reprez le sens du
champ magntique laide dune boussole (il sort par le ple rouge). Mesurez le champ
magntique B laide dun teslamtre, le courant I (notez sons sens) et la diffrence de
potentiel V
D
- V
C
= U
Hall
sur lchantillon de type N et sur lchantillon de type P. Dduire
le signe des porteurs majoritaires partir de ceux de I, B et U
H
. Calculez la concentration en
porteurs libres par la relation :
H
qeU
IB
n =

A titre dexemple, on a trouv T = 17,6 C : p = 8,02.10
20
porteurs/m
3
pour lchantillon
de type P et n = 10,14.10
20
porteurs/m
3
pour lchantillon de type N. Cest est en accord
avec les valeurs annonces par le constructeur : 9,7.10
20
porteurs/m
3
pour le type P et 7.10
20

porteurs/m
3
pour le type N. On retrouve l encore une diffrence plus marque avec
263
lchantillon de type N qui confirme lhypothse dun dopage plus important car si on est
dans la zone extrinsque de conduction (ltude en temprature du 4.4.1 le confirmera),
ces concentrations sont celles en impurets dopantes.

4.1.3 Mobilit des porteurs
On y accde, comme pour les mtaux, en
combinant les mesures d'effet Hall et de rsistivit. On a :
q . n .
1

=

On trouve ici avec les valeurs mesures : s . V / m 272 , 0
2
P
= et s . V / m 365 , 0
2
N
=

L encore, on retrouve les valeurs annonces par le constructeur dans ses fiches techniques
(
P
= 0,283 m
2
/V.s et
N
= 0,389 m
2
/V.s). Il est intressant de noter que la mobilit des
lectrons est suprieure celle des trous. Cest toujours le cas car les lectrons responsables
du dplacement des trous sont des lectrons de valence, donc lis au noyau ils se
dplacent plus difficilement que les lectrons de la bande de conduction qui ont dj quitt
leur site atomique (lectrons quasi-libres). De plus, la conduction par trou est un mouvement
densemble (le mouvement dun trou ncessite en quelque sorte le dplacement successif de
diffrents lectrons) on conoit quil soit plus difficile. On verra une consquence de
cette proprit au 4.2.2.

4.2 Comportement en temprature

4.2.1 Evolution de la rsistivit : calcul du Gap
Le germanium, de part
son faible gap, permet dobserver le passage de la conduction extrinsque la conduction
intrinsque des tempratures pas trop leves.

Montage :















Les plaquettes permettant de travailler courant I constant, la mesure de U
L
donne
directement accs lvolution de la rsistivit. Un thermocouple cuivre constantan plac au
niveau du cristal dlivre une tension U
th
entre les bornes G et H qui permet daccder la
temprature de lchantillon par la relation :

I = cte
A
B B
15 V
U
L
C
D
A
E F
U
th
G
5 V
U
H
H
) K ( T
10 . 40
) mV ( U
) K ( T
ambiante
3
th
+ =

264
Le chauffage du cristal de germanium seffectue en branchant une alimentation continue de
puissance entre les bornes E et F de la plaquette (tension de chauffage 5V). La
temprature de la plaque ne doit pas dpasser 175 C on veillera ne jamais
dpasser une tension U
th
= 6 mV (la tension U
th
tant faible, utilisez un multimtre
performant pour cette mesure). La manipulation tant longue, on conseille aussi de mesurer
la tension U
Hall
en mme temps que U
th
et U
L
(les valeurs de U
Hall
serviront dans le
paragraphe suivant). Pensez alors annuler la chute ohmique sur la mesure de U
Hall
.

Mode opratoire :
La principale difficult consiste effectuer les mesures de U
H,
V
L
et V
th

la vole. On peut essayer de le faire en ralisant une monte en temprature progressive en
jouant sur la tension de chauffage mais cest dlicat. Une autre alternative assez pratique
consiste utiliser une camra ou une Webcam pour filmer les diffrents multimtres lors de
la redescente en temprature. On na plus ensuite qu repasser le film pour prendre
tranquillement les mesures.

Exploitation :
Calculez les tempratures de vos prises de mesure partir des valeurs de U
th

puis tracez la courbe ln(U
L
) = f(1/T). Voici titre indicatif le rsultat dune srie de
mesure effectue sur lchantillon dop P :













On note que la caractristique tend vers une droite lorsque la temprature augmente ce qui
est en accord avec les rsultats du 1.2 lorsque la temprature est leve, le germanium
dop se comporte comme un semi-conducteur intrinsque. La conductivit peut alors
scrire avec une bonne approximation sous la forme :

kT 2 / E
0
G
e .

=
Comme U
L
= RI =
LI LI
S S



La pente de la droite LnU
L
= f(1/T) haute temprature vaut donc E
G
/2k. Une rgression
linaire sur la fin de la courbe donne pour la srie de mesure une pente = 3932 K soit :

( ) = .
e
k . 2
eV E
G

G
E = 0.68 eV

Cette valeur est en accord avec ce quon trouve dans la littrature pour le Germanium (0,67
eV) mais il faut noter que le rsultat est assez sensible au choix de la partie de la courbe sur
laquelle on fait la linarisation bien que la diffrence ne saute pas au yeux sur le graphique :

kT 2 / E
0
L
G
e
S
LI
U

=
ln U = f(1/T) SC dop P
- 1,4
- 1,2
- 1,0
- 0,8
- 0,6
- 0,4
- 0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
0,0022 0,0024 0,0026 0,0028 0,0030 0,0032 0,0034
1/T (K-1)
l
n
(
U
)
lnU = f(1/T) SC dop P
y = 3 9 3 1, 6 x - 10 , 3 3
R
2
= 0 , 9 9 9 6
-1,4
-1,2
-1,0
-0,8
-0,6
-0,4
-0,2
0,0
0,2
0,00230 0,00235 0,00240 0,00245 0,00250 0,00255 0,00260 0,00265 0,00270
1/T (K-1)
L
n
U
265
on trouve 0,68 V sur notre srie de mesure en ne conservant que les points au del de 102 C
alors quon obtient 0,63 V si on prend les points partir de 85 C il faut se placer
suffisamment haut en temprature pour tre vraiment dans la zone intrinsque.

Remarque :
Le faible gap du germanium ne le prdispose pas une utilisation dans les
dispositifs de puissance puisquil passe rapidement en conduction intrinsque lorsque la
temprature augmente. Le silicium est mieux adapt cette application (gap plus lev
dbut de conduction intrinsque environ 500 C).

4.2.2 Evolution de U
H
en fonction de T
Cette tude est intressante car
elle est permet de contrler sans ambigut le signe des porteurs de charge majoritaire si on
monte suffisamment haut en temprature pour atteindre le rgime intrinsque (ce qui est le
cas ici avec le germanium). Il est en effet frquent de faire des erreurs avec la mthode
employe au 4.1.2 car il ne faut pas se tromper sur le sens de U, I et B. Une autre solution
est encore possible (cf. suivant).

Manipulation :
Elle consiste mesurer la tension de Hall en fonction de la temprature
(do lintrt davoir fait les mesures au paragraphe prcdent). Lidal consiste tudier les
deux chantillons (lutilisation dune Webcam fait gagner du temps). Si on ne peut quen
faire quun, lchantillon dop P est le plus intressant. Voici titre indicatif le rsultat
dune srie de mesure :











Analyse :
A basses tempratures, les tensions des deux chantillons sont de signe oppos ce
qui est conforme lexpression de U
Hall
. Elles sont maximum en valeur absolue puis elles
commencent diminuer lorsque la temprature augmente. Ce comportement sexplique par
le fait quon passe progressivement dun rgime de conduction extrinsque ou un porteur de
charge est majoritaire (N ou P), un rgime de conduction intrinsque ou les porteurs de
charges apports par les impurets deviennent ngligeables par rapport aux paires lectron
trou du substrat cres par agitation thermique la tension de Hall diminue en valeur
absolue car on tend vers une galit du nombre de trous et dlectrons de conduction. Le
plus tonnant alors est linversion de signe prsente par lchantillon de type P partir
dune certaine temprature. La nature des porteurs majoritaires ne peut en effet sinverser.
On aura toujours plus de trou dans un SC dop P et plus dlectrons dans un SC dop N.
Lexplication rside en fait dans la diffrence de mobilit entre les trous et les lectrons de
conduction (cf. 4.1.3). Les lectrons allant plus vite que les trous pour un champ lectrique
donn, leur contribution au champ de Hall est plus forte ( B v E
H
r
r
r
= ) ils peuvent
Uhall = f(T) SC dop P
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
300 320 340 360 380 400 420 440
T (K)
U

H
a
l
l
Uhall = f(T) SC Dop N
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
300 320 340 360 380 400 420 440
T (K)
U

H
a
l
l
266
inverser la tension de Hall mme sils sont moins nombreux, chose que ne peuvent pas faire
les trous Linversion de U
H
haute temprature est typique dun semi conducteur de
type P.

Remarque :
On a tabli lexpression de U
Hall
en supposant lexistence dun seul type de
charge. Son expression doit tre modifie si des trous et des lectrons contribuent
simultanment la conductivit (cf. rf. (3), p. 214).

4.3 Effets Thermolectriques
Le couplage des effets thermique et lectrique
existe aussi dans les semi-conducteurs. On peut le montrer facilement sur les plaquettes de
dmonstration Phywe et mettre ainsi en vidence la diffrence de comportement entre des
semi-conducteurs de type N et P :











Mesurez la tension U
AB
aux bornes de lchantillon de germanium avec un voltmtre. Si le
cristal est lquilibre thermique, vous devez constater que la d.d.p. est quasiment nulle.
Chauffez alors lextrmit B de lchantillon laide dun fer souder (ne pas toucher la
soudure pour ne pas la faire fondre !). Vous devez constatez lapparition dune tension
dont le signe dpend du dopage du semi-conducteur. Elle est, compte tenu du schma,
positive avec lchantillon de type N et ngative avec lchantillon de type P le potentiel
est plus lev du ct chaud pour un semi-conducteur de type N. Il est plus bas du ct
chaud pour un semi-conducteur de type P.

Explication :
Cette diffrence sexplique par le signe du coefficient thermolectrique des
chantillons. Dans le semi-conducteur de type N, les porteurs majoritaires sont des lectrons
il ragit de faon similaire un mtal (cf. 3.3.2) il a, avec nos conventions, un
pouvoir thermolectrique positif. Le signe des porteurs de charges est invers dans un
semi-conducteur de type P il ragit dans un sens oppos et prsente par consquent un
pouvoir thermolectrique ngatif (cf. rf. (10), p. 179 et rf. (5), p. 235 pour plus de
prcisions sur ce point) Ltude de la fm Seebeck permet aussi de dterminer le type de
porteurs majoritaires dans un semi-conducteur.

Remarque :
On ne mesure pas en toute rigueur la fm absolue du semi-conducteur
puisquon utilise des cordons mtalliques pour relier lchantillon au voltmtre On
mesure en fait dV =
M.SC
.dT (cf 3.3.2). Ce nest pas gnant cependant car les semi
conducteurs ont des pouvoirs thermolectriques plus leves que les mtaux, de lordre dun
facteur 100 (la raison nest pas simple, elle est en partie due une plus grande sensibilit du
B B
U
AB
C
D
A
E
F
G H
Chauffer au fer souder
267
niveau de fermi la temprature dans les semi-conducteurs). On mesure donc dV =
M.SC
.dT

SC
.dT. Il est difficile de faire du quantitatif avec la manipulation propose mais vous
pouvez estimer la valeur des tensions observes et les comparer celles mesures sur un
thermocouple mtallique pour vrifier la diffrence dordre de grandeur.

Application :
Les semi-conducteurs sont employs dans la ralisation de modules effet
Peltier destins la rfrigration ou la production de chaleur car leur plus faible conductivit
thermique, leur plus grand pouvoir thermolectrique et le fait quils peuvent avoir des signes
opposs grce au dopage permet datteindre des valeurs de rendements de conversion
nergtiques plus levs (cf. rf. (10), p. 179, 190 200 pour plus de prcision). Par contre,
on ne les utilise pas en thermomtrie car ils nont pas la stabilit et laptitude tre produits
de faons reproductible quon les thermocouples mtalliques.

4.4 Proprits optiques

4.4.1 Absorption optique d'un semi-conducteur
Un semi conducteur est
transparent lorsque les photons ont une nergie insuffisante pour exciter des lectrons de la
bande de valence vers la bande de conduction et devient opaque lorsque les photons ont une
nergie qui dpasse ce seuil. Pour que la transition ait lieu dans ce cas, il faut qu'il y ait
conservation de l'nergie E et du vecteur d'onde k (quantit de mouvement). Le seuil
dabsorption optique dpend alors de la structure de bande du matriau considr. On peut
rencontrer deux cas de figure suivant que la transition est directe ou indirecte :











La transition est directe lorsque le maximum de la bande de valence et le minimum de la
bande de conduction sont au mme endroit dans lespace des k
r
. Dans ce cas, le seuil
dabsorption optique donne accs directement au gap du semi conducteur par la relation
= . E
G
h . Les semi-conducteurs prsentant ce type de transition sont les alliages de type
III/V avec les lments des colonnes III et V du tableau priodique. La transition est
indirecte lorsque le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de
conduction sont en des points diffrents dans lespace des k
r
. Le processus faisant intervenir
des lectrons et des trous spars par un vecteur donde k
r
non ngligeable, la loi de
conservation de limpulsion impose alors la participation des vibrations du rseau sous la
forme dune absorption ou dune mission dun phonon de quantit de mouvement adquate
(le vecteur donde des photons tant ngligeable ici, les phonons doivent vrifier la relation
k k
p
r r
= ). Le phonon possdant aussi une nergie E
p
, le seuil dabsorption optique met en
uvre cette fois ci un photon dnergie
p G
E E . = h . Les semi-conducteurs prsentant
BV
BC
EG
k
E
BV
BC
EG
k
E
Gap direct
(E varie, k constant)
Gap indirect
(E varie, k varie)
k
r

268
ce type de transition sont les lments de la colonne IV du tableau priodique comme le
silicium et le germanium. Lvolution du facteur de transmission de ces deux types de
matriaux a par consquent lallure suivante :









La dtermination du gap dun semi-conducteur partir de ltude de sa transmission
require un matriau Gap direct pour que lanalyse soit simple. On dispose ici de deux
chantillons de slniure de zinc dop au manganse d'aspect "orange" dposs sous forme
de mince pellicule sur plaque de verre. Dduire de cette couleur une estimation du gap de
ces semi-conducteurs par rapport aux limites du visible.

Estimation du gap :







Ajustez le tirage de la lampe de faon avoir la convergence du faisceau incident la plus
forte possible. Ajustez la position la lampe QI afin davoir le point de convergence sur la
fente dentre du monochromateur. L'chantillon de semi-conducteur est plac dans un
support contre la fente de sortie. Placez un cran blanc une vingtaine de cm plus loin.
Eliminez les lumires parasites avec des crans ou des tissus noirs (si vous recouvrez la
lampe, ne le faites que le temps de lobservation pour viter quelle surchauffe). Faites
dfiler la main les longueurs d'onde avec et sans le semi-conducteur. Observez que le
rouge est transmis sans absorption, le jaune et le vert sont transmis avec une certaine
attnuation, puis l'chantillon devient opaque aux longueurs d'onde plus courtes. Dduire du
seuil de l'absorption fondamentale ainsi mis en vidence une estimation de la valeur du gap
de lchantillon. On obtient ainsi quune estimation car on ne passe pas brusquement dune
absorption nulle une absorption totale et on ne tient en effet pas compte de la rponse
spectrale de l'il et du spectromtre. Une manipulation avec photo dtecteur est aussi
possible. Se reporter au montage Emission et Absorption pour plus de prcision sur cette
manipulation.

4.4.2 Influence de lclairement sur les proprits lectriques
Comme
on vient de le voir prcdemment, l'absorption des photons d'nergie suprieure au gap
gnre des paires lectron-trou lorsquon claire un chantillon de semi-conducteur.
L'apparition de ces porteurs excdentaires provoque l'augmentation de la conductivit du
matriau (photoconductivit). Lorsque l'clairement s'interrompt, les concentrations de
porteurs retournent vers leur valeur l'quilibre avec une constante de temps caractristique
qui est le temps de vie des porteurs photocrs. Dans le domaine visible, on utilise les photo
. h
E
G
. h
E
G
T

Gap direct
Gap indirect
direct
T
seuil dabsorption
C : 6 cm
F = 1 mm
MONOCHROMATEUR
H 10 VIS
QI
E
F F
SC
269
rsistances (ou cellules photoconductrices) au CdS. Le domaine de variation des rsistances
des cellules photoconductrices est important : de quelques M pour la rsistance d'obscurit
quelques k pour les niveaux d'clairement usuels.

Mise en vidence de la photoconductivit :
Elargir un faisceau laser (Melles-Griot +
objectif de microscope 10) pour clairer entirement la photo rsistance. Interposez des
filtres de densit variable. Mesurez au noir la rsistance pour diffrentes valeurs de
lattnuation (
ND
I T
10

= - utilisez un minimum de filtre pour une attnuation donne


afin de minimiser lincertitude sur lattnuation totale). On remarquera que les mesures
fluctuent car le capteur est sensible il dtecte la moindre lumire parasite. De plus, la
puissance mise par le laser nest pas parfaitement stable. On notera la non linarit de la
rsistance pour les faibles clairements.

Temps de rponse :
On utilise un montage imposant une ddp constante aux bornes de la
cellule et permettant de mesurer directement le courant la traversant :










Eclairez la photo rsistance laide dun stroboscope lectronique une frquence de l'ordre
de 10 Hz. Le placer une distance suffisamment grande de faon ne pas saturer la LDR ni
lampli op. La frquence tant basse, observez le signal de sortie V avec un oscilloscope
mmoire. On observe alors que la cration de porteurs seffectue trs rapidement. Par contre,
la recombinaison lectron-trou nest pas immdiate (dcroissance exponentielle). La
constante de temps du phnomne est appele temps de recombinaison. On obtient un
temps de rponse de l'ordre de 10 ms. Il n'est pas ici ncessaire de mesurer prcisment ce
temps de rponse, car il dpend du niveau d'clairement (cf. rf. (9), p. 70). Si la courbe
nest pas une belle exponentielle, cest que les flashes stroboscopiques sont trop puissants :
la photorsistance est blouie, il y a saturation et la recombinaison se fait plus mal.


Bibliographie :
Rf. (1) : Bernard Grhant : Physique des SC
Rf. (2) : Colinge: Physique des dispositifs SC
Rf. (3) : Tessier-Brunet : Physique des SC
Rf. (4) : Vapaille et Castagn : Dispositifs et circuits intgrs SC
Rf. (5) : Kittel : Physique de ltat solide (7
me
dition)
Rf. (6) : Mathieu Henry : Physique des SC
Rf. (7) : Quaranta III, p. 427-436
Rf. (8) : Georges Hasch : Capteurs en instrumentation
Rf. (9) : Sextant : Optique exprimentale
Rf. (10) : Quaranta II : Thermodynamique (nouvelle dition)
Rf. (11) : Ashcroft : Physique des solides
V
t
V0
V0/e
0

E = - 12 V
LDR
R = 1 k

+
_
I
V = R.I
LDR : Photo rsistance Phy 9