These PETIBON Final

THSE
En vue de l'obtention du
DOCTORAT DE LUNIVERSIT DE TOULOUSE

Dlivr par l'Universit Toulouse III - Paul Sabatier
Discipline ou spcialit : Gnie Electrique
Prsente et soutenue par M. PETIBON Stphane

Le 20 Janvier 2009
Titre : Nouvelles architectures distribues de gestion et de conversion de lnergie pour
les applications photovoltaques
JURY
MAYER Didier
SCHAEFFER Christian
MATTERA Florence
BIDAN Pierre
VERMEERSCH Marc
Rappoteur
Rapporteur
Examinatrice
Examinateur
Examinateur
Ecole doctorale : GEET

Unit de recherche : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systmes
Directeur(s) de Thse : ALONSO Corinne
Directrice de Thse
ESTIBALS Bruno
Co-directeur de Thse
Rapporteurs : MAYER D., SCHAEFFER C.
A MES PARENTS, JEAN-CLAUDE ET JOCELYNE
A MA SUR, NATHALIE
II
AVANT PROPOS
Le travail prsent dans ce manuscrit de thse a t effectu au sein du groupe
Intgration de Systmes de Gestion de lnergie dans le Laboratoire dAnalyse et
dArchitecture des Systmes du CNRS de Toulouse.
Je remercie Monsieur Chatila, directeur du LAAS, ainsi que Monsieur Sanchez, codirecteur, pour mavoir permis deffectuer cette thse dans ce laboratoire dexcellence. Je
remercie tout autant Madame Bafleur qui dirige actuellement le groupe ISGE pour permettre
ses chercheurs et doctorants dvoluer dans des conditions matrielles de travail optimales.
Je voudrais aussi remercier laide et la collaboration de Lionel Sguier (Joe Bar
Team), Cdric Cabal (LAveyron-Girondin), Adan Simon (The Globetrotteur) et JeanFranois Reynaud (El Franco-Espagnol). Sans cette quipe de choc, mes travaux de thse
nauraient pas t aussi complets. Ils ont aussi su crer et entretenir une ambiance convivial
au sein du groupe (autour dun caf ou dune pinte de Guinness).
Je noublie pas bien sr mes collgues de bureau qui mont support et soutenues
pendant ces trois annes. Je pense bien sure Julie Le Gal pour ses conseils et son humour,
Florence Capy pour ses fou-rires, Gabriel Civrac pour ses rbus surprenant et le petit
dernier, Elias Al Alam, pour ses questions perspicaces sur la langue franaise.
Je remercie lappui et la gentillesse de Sylvain Godet, Aloa Berasategi, Pierre Alosi,
Olivier Gantet, Cyril Lahore, Frdric Blanc, Vincent Boitier. Et toutes les personnes
appartenant ou non la famille du LAAS, qui ont contribu de prs ou de loin, directement ou
indirectement laboutissement de ce travail, trouvez ici le tmoignage de ma profonde
reconnaissance.
Je tiens particulirement remercier Monsieur Jean-Marc Roussel professeur
dlectronique de puissance lIUT de Chteauroux. Enseignant passionn et trs pdagogue,
il a su me captiver et me guider vers des tudes suprieures sur Toulouse.
Je tiens galement exprimer ma reconnaissance envers Monsieur Bruno Estibals, codirecteur de thse, pour ces qualits humaines et ses nombreux conseils tout au long de ce
travail de recherche.
Le lien qui unit un doctorant son directeur de thse est trs particulier. Il ne sagit pas
dun rapport professeur-lve et encore moins chef-employ. Il consiste transmettre, aider et
motiver sans non plus touffer. Cest dlicat et complexe. Corinne Alonso a superbement jou
ce rle. Jai tendance croire que les vrais loges sont silencieux.
Les remerciements (souvent la seule partie lue la fois en intgralit et par tous les lecteurs..)
sont clos. Place la thse.
II
TABLE DES MATIRES

1.
INTRODUCTION GNRALE.................................................................................................. 1
2.
DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D. ........................................... 7

2.1.
Introduction. ........................................................................................................................... 9
2.2.
La conversion photovoltaque. ............................................................................................. 10
2.2.1.
2.2.2.
2.3.
Les diffrentes filires photovoltaques. .............................................................................. 15
2.3.1.
2.3.2.
2.3.3.
2.3.4.
3.
La filire base de Silicium Cristallin. ......................................................................... 15

Les cellules multi-jonctions haut rendement. ............................................................. 18
Nouvelles technologies photovoltaques. ...................................................................... 20
Technologie couche-mince. ........................................................................................... 22
2.4.
Projet de recherche ATOS. .................................................................................................. 29
2.5.
Conclusion. .......................................................................................................................... 31
LES DIFFRENTES CHANES DE CONVERSION PHOTOVOLTAQUE ET LEURS VOLUTIONS.... 39

3.1.
Introduction. ......................................................................................................................... 41
3.2.
Architecture classique dun gnrateur photovoltaque. ...................................................... 42
3.3.
Dfinitions des rendements associs la chane de conversion........................................... 45
3.4.
La connexion directe GPV-charge comme mode de transfert de puissance. ....................... 47
3.5.
La connexion GPV-charge via un tage dadaptation continu-continu. .............................. 49
3.5.1.
3.5.2.
3.5.3.
3.5.4.
3.6.
Introduction. .................................................................................................................. 49
Principe de fonctionnement dun tage dadaptation DC-DC. ...................................... 49
Les avances. ................................................................................................................. 51
Intrts de la discrtisation. ........................................................................................... 53
La connexion GPV-charge via un tage dadaptation continu-alternatif. ............................ 55
3.6.1.
3.6.2.
3.6.3.
3.6.4.
3.6.5.
4.
Principe de la conversion Photolectrique..................................................................... 10

Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque................................................... 13
Introduction. .................................................................................................................. 55
Londuleur central. ........................................................................................................ 56
Les onduleurs strings. .................................................................................................... 57
Les onduleurs intgrs aux panneaux PV. ..................................................................... 58
La conversion multi-string ............................................................................................ 59
3.7.
tude de nouvelles architectures dassociation pour cellule tandem dans le cadre ATOS. . 61
3.8.
Conclusion. .......................................................................................................................... 66
DVELOPPEMENT DARCHITECTURES DISTRIBUES DDIES AU PHOTOVOLTAQUE. ......... 69

4.1.
Introduction. ......................................................................................................................... 71
4.2.
Les micro-convertisseurs comme tages dadaptation. ........................................................ 72
4.3.
tude dun micro-convertisseur BUCK utilis comme tage dadaptation. ........................ 74
4.3.1.
4.3.2.
tude dun micro-convertisseur BOOST utilis comme tage dadaptation................. 77

Synthse et bilan de puissance. ..................................................................................... 79
III
4.4.
Amlioration de la commande MPPT. ................................................................................. 80
4.4.1.
4.4.2.
4.4.3.
4.4.4.
4.4.5.
4.5.
Validations exprimentales. ................................................................................................. 93
4.5.1.
4.5.2.
4.5.3.
4.6.
5.
Principe de recherche du Point de Puissance Maximum du LAAS............................... 80

Numrisation de la commande MPPT. .......................................................................... 84
Dveloppement dune MPPT Numrique avec MLI interne......................................... 88
Autre optimisation de la commande MPPT Semi-Numrique. ..................................... 91
Synthse de lvolution de la commande MPPT. .......................................................... 92
Ralisation et validations exprimentales dun micro-convertisseur Buck. .................. 93
Ralisation et validations exprimentales dun micro-convertisseur Boost. ................. 97
Synthse des validations exprimentales. ...................................................................... 99
Conclusion. ........................................................................................................................ 100
TUDES COMPARATIVES DES DIFFRENTES MICROSTRUCTURES DADAPTATION. ............ 103

5.1.
Introduction. ....................................................................................................................... 105
5.2.
Prsentation du banc dacquisition solaire. ........................................................................ 105
5.3.
Premiers tests. .................................................................................................................... 108
5.3.1.
5.3.2.
5.3.3.
Introduction. ................................................................................................................ 108

tage dadaptation de type Boost. ............................................................................... 108
tage dadaptation de type Buck. ................................................................................ 111
5.4.
tudes comparatives entre une connexion directe et une connexion via un tage
dadaptation..................................................................................................................................... 113
5.4.1. Introduction. ................................................................................................................ 113
5.4.2. Prparation des mesures comparatives. ....................................................................... 114
5.4.3. Premires journe de mesures. .................................................................................... 116
5.4.4. Seconde srie de mesures. ........................................................................................... 118
5.4.5. Synthse des essais comparatifs entre une connexion directe et une connexion via un
tage dadaptation. ...................................................................................................................... 119
5.5.
tudes comparatives entre une gestion globale et une gestion distribue.......................... 120
5.6.
tudes comparatives des diffrentes architectures de gestion des cellules Tandem. ......... 122
5.6.1.
5.6.2.
5.6.3.
5.7.
6.
Introduction. ................................................................................................................ 122

Association Srie. ........................................................................................................ 123
Association Parallle. .................................................................................................. 125
Conclusion. ........................................................................................................................ 129
CONCLUSION GNRALE ET PERSPECTIVES..................................................................... 131
ANNEXES................................................................................................................................. 137
IV
LISTE DES TABLEAUX

Tableau 2-1. Performance de la filire Silicium simple jonction. ............................................ 25
Tableau 3-1- Caractristiques techniques des diffrents systmes de configurations. ............ 59
Tableau 3-2-Caractristiques lectriques des modules Solems................................................ 61
Tableau 4-1- Convertisseurs DC-DC du commerce. ............................................................... 74
Tableau 4-2. volution de la carte de commande MPPT du LAAS-CNRS ............................ 93
Tableau 4-3. Caractristiques des Interrupteurs de Puissance. ................................................ 95
Tableau 5-1- Mesures nergtiques et rendements associs pour les deux structures
dadaptation photovoltaque (connexion directe & connexion par tage dadaptation). ....... 119
Tableau 5-2-Mesure de lnergie Maximale, lnergie Produite et lnergie Transmise
associes aux diffrents rendements moyens des deux architectures de gestion. .................. 122
Tableau 5-3- Bilans dnergie et de rendements compars dune chane de conversion
photovoltaque distribue avec tages dadaptation et dune chane de conversion type tandem
sous connexion directe. .......................................................................................................... 125
Tableau 5-4. Bilans dnergie et rendements associs dune chane de conversion
photovoltaque distribue et dune association parallle tandem sous connexion directe. .... 128
LISTE DES FIGURES

Figure 2-1. Normes de mesures du spectre dnergie lumineuse mis par le soleil, notion de la
convention AM. ..................................................................................................................................... 10
Figure 2-2. Spectres Solaires relevs dans plusieurs conditions selon la convention AM. ................... 11
Figure 2-3. Schma de principe de la conversion photolectrique. ....................................................... 12
Figure 2-4. Caractristiques I(V) dune cellule photovoltaque soumise diffrents clairements. ..... 13
Figure 2-5. Schma lectrique quivalent dune cellule en silicium cristallin. ..................................... 14
Figure 2-6. Caractristique courant-tension dune cellule en silicium multi-cristallin. ........................ 14
Figure 2-7. Notion de facteur de forme FF pour une cellule photolectrique. ...................................... 15
Figure 2-8. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous PSIM. ...................... 15
Figure 2-9. Schma de principe dune cellule base de silicium cristallin. .......................................... 16
Figure 2-10. Exemple de chane de production de cellules photovoltaques en silicium. ..................... 16
Figure 2-11-volution de la taille des cellules silicium photovoltaques ces dernires annes. ........... 17
Figure 2-12. Principe de la cellule htrojonction. ............................................................................. 19
Figure 2-13. Schma de principe dun concentrateur photovoltaque. .................................................. 20
Figure 2-14. Schma de principe dune cellule organique .................................................................... 21
Figure 2-15. Cellule solaire tout organique sur substrat souple. ........................................................... 22
Figure 2-16. Procd technologique de dpt chimique nomm PECVD. ........................................... 23
Figure 2-17-Schma de principe dune cellule base de silicium amorphe et comparaison une cellule
en silicium cristallin. ............................................................................................................................. 24
Figure 2-18. Schma simplifi dun module a-Si en couche mince ...................................................... 24
Figure 2-19. Caractristique courant-tension dune cellule en silicium amorphe. ................................ 25
Figure 2-20. Schma de principe dune cellule base de CIGS. .......................................................... 26
Figure 2-21. Caractristique courant-tension dune cellule CIGS. ....................................................... 27
Figure 2-22. Cellule Tandem a-Si/c-Si & spectre solaire et spectres dabsorption. ............................ 28
Figure 2-23-Caractristique courant-tension dune cellule Tandem a-Si/c-Si. (a) Courbe relle, (b)
Courbe simule. ..................................................................................................................................... 28
Figure 2-24. Module photolectrique en pm-Si:H dvelopp par le LPICM. Association de 8 cellules
en srie................................................................................................................................................... 30
Figure 2-25-Projet ATOS - Cellule Tandem avec lectrode intermdiaire pour une gestion
indpendante de chaque cellule. ............................................................................................................ 30
Figure 2-26- Rendements record de cellules photovoltaques obtenus en laboratoire. Source NREL. . 32
Figure 2-27. Caractristiques lectriques simules de cellules simple jonction issues de diffrentes
filires photovoltaques. ........................................................................................................................ 33
Figure 3-1. Caractristiques rsultantes dun groupement de ns cellules en srie. ................................ 42
Figure 3-2. Caractristiques rsultant dun groupement de np cellules en parallle. ............................. 43
Figure 3-3. (a) Architecture Classique dun panneau solaire photovoltaque avec diodes de protections.
(b) Dfaillance dune des cellules du module PV et activation de la diode by-pass et mise en vidence
du courant de circulation IPV.................................................................................................................. 44
Figure 3-4. Caractristique IPV(VPV) dun panneau photovoltaque BP 585 et effet doccultation dune
des 36 cellules qui composent le module PV. ....................................................................................... 44
Figure 3-5. Chane de conversion photovoltaque. ................................................................................ 46
Figure 3-6. Connexion directe GPV-Charge via une diode anti-retour. ................................................ 47
Figure 3-7-Caractristiques lectriques dun gnrateur photovoltaque en connexion directe GPVCharge. .................................................................................................................................................. 48
Figure 3-8. Caractristiques I(V) dun panneau solaire Photowatt PWX850 en fonction de la
temprature et de lirradiance reue. ..................................................................................................... 48
Figure 3-9.Chaine de conversion photovoltaque avec convertisseur DC/DC contrl par une
commande MPPT sur charge DC. ......................................................................................................... 50
Figure 3-10. Schmas de principe dune connexion via a) un tage dadaptation avec MPPT et b)
dune connexion directe. ....................................................................................................................... 51
Figure 3-11- Comparaison de MPPT pour une connexion directe (Diode) et laide dun tage
dadaptation de type Boost avec MPPT (MPVE).................................................................................. 52
VI
Figure 3-12. Caractristiques PPV(VPV) dun panneau photovoltaque et effets doccultation dune des
cellules qui composent le module PV. .................................................................................................. 53
Figure 3-13. Systmes photovoltaques installs (a) sur un vhicule hybride (b) sur un voilier. .......... 54
Figure 3-14. (a) Satellite Giove du programme de positionnement par satellite europen Galileo (b)
Dtail dun panneau solaire du tlescope Hubble heurt par un dbris spatial ..................................... 55
Figure 3-15. Structure Photovoltaque intgre en brise soleil sur le site Tenesol Toulouse. ............... 55
Figure 3-16. Schmas de principe de diffrentes topologies dinstallations PV connects un rseau
lectrique. .............................................................................................................................................. 57
Figure 3-17. Exemples dinstallations photovoltaques ayant besoin de plusieurs onduleurs............... 57
Figure 3-18. Nouvelle structure de conversion multi-string mixte. ...................................................... 59
Figure 3-19. Structure de conversion multi-string avec distribution MPPT et mise en srie des DC-DC.
............................................................................................................................................................... 60
Figure 3-20. Prix des onduleurs PV en fonction de la puissance nominale installe. ........................... 61
Figure 3-21. Caractristiques I(V) des gnrateurs PV Solems (Toulouse, sous 1000W/m, 26C,
inclinaison de 35). ................................................................................................................................ 62
Figure 3-22. Circuit de mise en srie des modules PV avec diode anti-retour simulant un module PV
base dune association de cellules tandem en couche minces sans lectrodes intermdiaires. ............. 62
Figure 3-23. Caractristiques lectriques simules des deux GPV mise en srie. Puissance PV fonction
de sa tension. ......................................................................................................................................... 63
Figure 3-24. Proposition dassociation en parallle des cellules PV avec diodes anti-retour en
supposant les problmes disolation par lectrodes intermdiaires rsolus........................................... 63
Figure 3-25. Caractristiques lectriques P(V) simules des deux GPV associs en parallle. Puissance
PV fonction de sa tension. ..................................................................................................................... 64
Figure 3-26. Circuit de connexion des cellules couche mince tandem conues dans lANR ATOS
laide dtages dadaptation. Proposition de mise en parallle sur une charge donne. ........................ 64
Figure 3-27. volution des puissances des deux GPV disposant chacun dun tage dadaptation, en
fonction du temps. ................................................................................................................................. 65
Figure 3-28. Cellules Tandem avec un tage dadaptation par niveau de cellule. ................................ 66
Figure 4-1. Nouvelle architecture distribue ddie aux applications photovoltaques propose par le
LAAS. ................................................................................................................................................... 73
Figure 4-2. tage dadaptation abaisseur de tension dun GPV avec fonction MPPT reli une batterie
(Vbat < Vopt PV). ................................................................................................................................. 75
Figure 4-3. Convertisseur Synchrone Buck........................................................................................... 76
Figure 4-4. volution du rendement thorique de ltage de puissance (conv) de type Buck fonction de
la puissance dentre pour diffrentes valeurs de tension de batterie.................................................... 76
Figure 4-5. Rendement thorique dun Buck en fonction de la puissance dentre pour diffrentes
valeurs de tension batterie. .................................................................................................................... 77
Figure 4-6. tage dadaptation lvateur de tension dun gnrateur photovoltaque avec fonction
MPPT reli une batterie (Vbat > VoptPV). .............................................................................................. 78
Figure 4-7-Convertisseur lvateur de tension de type Boost. .............................................................. 78
Figure 4-8. Rendement thorique conv du convertisseur de type Boost en fonction de la puissance
dentre pour des tensions batterie de 8 et 12V. .................................................................................... 79
Figure 4-9. Bilan des puissances thoriques dun tage dadaptation de type Boost avec commande
MPPT alimentant une batterie de 12V, pour une puissance dentre de 1W. ....................................... 80
Figure 4-10. Diffrents points de fonctionnement PPV(Vpv) dun GPV soumis une consigne MPPT
extrmale ............................................................................................................................................... 81
Figure 4-11. volution du point de fonctionnement dun GPV associ un tage dadaptation avec
MPPT. ................................................................................................................................................... 83
Figure 4-12. Diagramme de fonctionnement de la commande MPPT analogique du LAAS-CNRS. .. 83
Figure 4-13. Consquences dun changement dclairement sur la courbe de puissance dun GPV et
sur la recherche du PPM. ....................................................................................................................... 84
Figure 4-14. Loi de commande MPPT Semi-Numrique du LAAS-CNRS. ........................................ 84
Figure 4-15. Diagramme de fonctionnement de la MPPT Numrique.................................................. 85
Figure 4-16. Schma bloc de lalgorithme MPPT numrique. .............................................................. 86
VII
Figure 4-17. Circuit lectrique dun tage dadaptation boost contrl par commande MPPT seminumrique ayant un GPV comme source dentre et une batterie 12V comme charge. ....................... 86
Figure 4-18. Rsultats de simulation dun tage dadaptation Boost avec MPPT semi-numrique
insr entre un GPV et une batterie 12V. Variables lectriques de sortie du GPV et tension de
commande Vc. ....................................................................................................................................... 87
Figure 4-19. Premire commande MPPT Semi-Numrique (V0). ........................................................ 87
Figure 4-20. Relev exprimental des variables de sortie dun GPV fonctionnant laide dun CS
boost comme tage dadaptation et la MPPT extrmale V0 sur batterie de 12V. ................................ 88
Figure 4-21. Commande MPPT entirement Numrique version 1. ..................................................... 89
Figure 4-22. Schma bloc de lalgorithme MPPT numrique avec fonction MLI. ............................... 89
Figure 4-23. Variables de sortie dun GPV fonctionnant avec un Boost contrl par MPPT de type
extrmale entirement Numrique (version 1) sur batterie de 12V....................................................... 90
Figure 4-24. Rpartition des pertes de la carte de commande MPPT semi-numrique V0 (90mW). . 91
Figure 4-25. tage dadaptation de type Buck pouvant transfrer 2 Wc dun GPV et pilot par la
commande MPPT Semi-Numrique version 2. ..................................................................................... 92
Figure 4-26. tage dadaptation de type Boost de 2 Watts crte avec commande MPPT SemiNumrique V.3. ..................................................................................................................................... 92
Figure 4-27. tage dadaptation de type Buck synchrone avec fonction MPPT pour un GPV reli une
batterie (Vbat < Vopt PV). .......................................................................................................................... 94
Figure 4-28. Rendement conv en fonction de la puissance dentre du convertisseur buck synchrone
Vin=6V et Vout=2V. ................................................................................................................................ 94
Figure 4-29. Rpartition des pertes dans le micro-convertisseur buck synchrone ralis au LAAS pour
une Puissance dentre transfrer de 1W et des MOSFET rfrencs MGSF1N02. ......................... 95
Figure 4-30. Rendement conv du buck synchrone pour diffrents interrupteurs de puissance.Vin=6V et
Vout=2V.................................................................................................................................................. 96
Figure 4-31. Rponse dun GPV a-Si avec tage buck avec commande MPPT V3. ........................ 97
Figure 4-32. tage dadaptation de type boost avec fonction MPPT pour un GPV reli une batterie
(Vbat < Vopt PV). ................................................................................................................................. 97
Figure 4-33. Rendement conv du convertisseur boost en fonction de la puissance dentre. Pour
Vin=6V et Vout=12V. .............................................................................................................................. 98
Figure 4-34. Rpartition des pertes dans le boost Pour une puissance dentre de 1W. ....................... 98
Figure 4-35. Relev exprimental en rgime tabli dun Boost avec fonction MPPT semi-numrique
V3 connect une batterie 12V............................................................................................................. 99
Figure 4-36. Rponse dun systme GPV muni dun tage dadaptation Boost avec commande MPPT
V3. ......................................................................................................................................................... 99
Figure 4-37. Diagrammes de bilan des puissances des tages dadaptation dvelopps par le LAASCNRS. ................................................................................................................................................. 100
Figure 5-1. Schma de principe dune carte dacquisition du banc de mesure dveloppe au LAAS. 106
Figure 5-2. Schma de principe du banc de mesure automatis avec traitement informatique. .......... 107
Figure 5-3. Courbes dtalonnage a) en courant et b) en tension des capteurs dune carte dacquisition
du banc de mesure solaire. .................................................................................................................. 107
Figure 5-4. Schma de principe dune chane de conversion photovoltaque avec tage dadaptation et
sa commande MPPT............................................................................................................................ 108
Figure 5-5. Relevs exprimentaux de la puissance PV et du rendement de ltage dadaptation sur une
journe. Tests exprimentaux raliss le 26 Avril 2008. ..................................................................... 108
Figure 5-6. Dtail des relevs de puissance PV et de rendement de ltage dadaptation laube. Tests
exprimentaux raliss le 26 Avril 2008. ............................................................................................ 109
Figure 5-7. Tensions et courants dentre et de sortie de ltage dadaptation Boost avec MPPT
Version 2. ............................................................................................................................................ 110
Figure 5-8. Schma bloc du programme scurits implment dans le microcontrleur de la carte
de commande dun micro-convertisseur. ............................................................................................ 111
Figure 5-9. Caractristiques I(V) des deux diffrents GPV constituant chaque partie dune nouvelle
cellule Tandem de type ATOS. ........................................................................................................... 111
Figure 5-10. Schmas de principe des mesures des chaines de conversion photovoltaque lmentaires
avec tages dadaptation buck et MPPT soumises valuation. ......................................................... 112
VIII
Figure 5-11. Caractristiques de puissance PV et rendement de ltage dadaptation Buck pour les
deux PV Solems sur une mme journe de fonctionnement. .............................................................. 112
Figure 5-12. Schmas de principe des mesures comparatives (a) dune connexion directe (b) dune
connexion via un systme dadaptation avec MPPT. .......................................................................... 113
Figure 5-13. Caractristiques P(V) du 14/150/300TD diffrentes heures dune journe. ................ 113
Figure 5-14. volution des PMAX pour deux panneaux de mmes lots de fabrication et rfrences sur
une journe de fonctionnement. .......................................................................................................... 114
Figure 5-15. Trac des PMAX du PV10 en fonction des PMAX du PV11 et extraction des paramtres A et
B de la droite de rgression linaire obtenue....................................................................................... 115
Figure 5-16. Puissance PPV et rendements MPPT et conv dun GPV rfrenc 14/150/300TD connect
directement avec diode anti-retour une batterie de 6V. .................................................................... 116
Figure 5-17. Puissance PPV et rendements MPPT et conv dun GPV rfrenc 14/150/300TD connect
avec un tage dadaptation Boost et MPPT une batterie de 6V........................................................ 116
Figure 5-18. Lien entre les MPPT et lvolution de la tension batterie pour les deux systmes de
gestion. ................................................................................................................................................ 117
Figure 5-19. volution des puissances PPV pour une connexion directe (Diode) et une connexion via
ltage dadaptation (MPPT) une mme charge, releves sur 4 jours conscutifs. .......................... 118
Figure 5-20. Schmas de principe des mesures comparatives menes entre une gestion globale de 3
GPV en parallle et une gestion distribue.......................................................................................... 120
Figure 5-21. Caractristiques P(V) de 3 panneaux photovoltaques 14/150/300TD mis en parallle
avec diodes anti-retour. ....................................................................................................................... 121
Figure 5-22. Caractristiques de puissances fournies par les GPV pour une gestion globale de 3 GPVs
en parallle et une gestion distribue (3*Boost), relevs sur 2 jours conscutifs. ............................ 121
Figure 5-23. Schmas de principe de comparaisons menes entre (a) une architecture Tandem
classique en connexion directe avec une charge et (b) une architecture entirement distribue. ........ 123
Figure 5-24. Caractristiques (a) I(V) et (b) P(V) dune association srie de deux GPV de
caractristiques distinctes. ................................................................................................................... 123
Figure 5-25. Courbes de puissances disponibles en sortie de chaque type dassociation de GPV pour
une association srie et pour une architecture distribue, sur une journe de fonctionnement. .......... 124
Figure 5-26. Schmas de principe des mesures comparatives (a) architecture Tandem lectrodes
intermdiaires permettant une association lectrique parallle sous connexion directe avec une charge
et (b) architecture entirement distribue. ........................................................................................... 126
Figure 5-27. Caractristiques (a) I(V) et (b) P(V) dune association parallle de deux GPV de
caractristiques distinctes. ................................................................................................................... 126
Figure 5-28. Courbes de puissance en sortie de GPV pour une association tandem parallle et une
architecture distribue sur une journe de fonctionnement. ................................................................ 127
Figure 5-29. Comparaison des rendements MPPT dune connexion directe et dune architecture
distribue pour des panneaux tandem parallles. ................................................................................ 128
IX
LISTE DES ABRVIATIONS
DC
Direct Current
AC
Alternating Current
AM
Air Mass
PV
Photovoltaque
GPV
Gnrateur Photovoltaque
Icc
Courant de Court-Circuit
Vco
Tension de Circuit Ouvert
PPM
Point de Puissance Maximum
Iopt et Vopt
Courant et Tension Optimaux au PPM
MPPT
Maximum Power Point Tracking
PV
Rendement dun GPV
MPPT
Rendement MPPT
conv
Rendement de conversion
MLI
Modulation de Largeur dImpulsion (PWM en anglais)
Rapport Cyclique
Rdson
Rsistance ltat passant dun interrupteur Mosfet
Qg
Gate Charge
TCO
Transparent Conductive Oxide
CHAPITRE 1
1. INTRODUCTION GNRALE.
CHAPITRE 1 : INTRODUCTION GNRALE
INTRODUCTION
Depuis le dbut du sicle, la consommation nergtique mondiale est en trs forte
croissance dans toutes les rgions du monde. Il semble que tendanciellement, les
consommations d'nergie vont continuer augmenter, sous l'effet de la croissance
conomique d'une part, et de l'augmentation de la consommation dlectricit par habitant
d'autre part, quels que soient les cas de figures envisags. On parle priodiquement de
diverses solutions techniques permettant de "continuer vivre comme maintenant" sans que
cela n'aggrave nos missions de gaz effet de serre, en attendant tranquillement que
l'efficacit nergtique permette de diminuer les missions. Mais il est important de savoir
que l'on ne peut pas filtrer l'atmosphre pour en retirer le gaz dj mis. La technique ne peut
donc rien sur ce plan, et ne nous vitera pas un rchauffement programm et invitable d'au
moins 1C en un sicle. Souvent, la rvolution des nergies renouvelables est avance comme
un dnouement tous nos problmes de production dnergie lectrique. Mais il serait plus
raisonnable de voir ces nouvelles solutions techniques comme un simple frein au
rchauffement climatique condition que notre consommation nergtique ne continue pas
daugmenter exponentiellement. Cela viterait ainsi de reproduire les mmes erreurs du pass
en pensant des solutions "miracles" qui seraient inpuisables et sans impact sur notre mode
vie ou sur lenvironnement.
Presque toutes les nergies renouvelables sont des drives de lnergie solaire : le
vent, le rayonnement solaire, la force de leau sont des produits directs ou indirects de
lactivit solaire. Seule la gothermie chappe cet inventaire. Le Soleil envoie chaque anne
la surface de la Terre peu prs 10 000 fois plus dnergie que la plante en consomme. Il
est donc lgitime dessayer den tirer profit. Lnergie photovoltaque, base sur la conversion
du rayonnement lectromagntique solaire en lectricit, reprsente lune des ressources
nergtiques renouvelables part entire. Mme si cette ressource est maintenant de mieux en
mieux reconnue en tant que source potentielle dnergie, cela na pas t facile face aux
nombreux prjugs existants sur ce sujet. On a reproch par exemple lnergie solaire dtre
intermittente (jour, nuit, saison), de ne pas tre fiable et de dpenser plus dnergie pour la
conception dun panneau solaire quil ne peut en fournir durant toute sa dure de vie. Ces
affirmations sont en passe dtre aujourdhui dnigres par les progrs techniques accomplis
sur les cellules photolectriques mais galement sur le traitement de lnergie. Actuellement,
la plupart des panneaux photovoltaques produisent largement plus dnergie au cours de leur
vie que lnergie ncessaire leur production. On a vu apparatre ces dernires annes la
notion de remboursement nergtique not EPT (Energy Payback Time). Selon les
technologies et les lieux de production, lEPT stend de 2 4 ans pour des panneaux ayant
une dure de vie de 15 25 ans. Les progrs de fabrication ont t considrables ces dernires
annes permettant davoir des fonctionnements de gnrateurs photovoltaques garantis audel de 25 ans avec en plus des cots de fabrication qui tendent baisser quand on ramne le
prix de linstallation au prix du Watt Crte.
Prenons lexemple de modules solaires photovoltaques ayant des rendements de
conversion de 10% et recevant un ensoleillement journalier moyen de 4000 Wh/m2,
(1000W/m2 pendant 4 heures), leur production annuelle peut tre estime 130 kWh/m2 en
France. Si on compare ces chiffres la totalit de la production lectrique franaise denviron
545 milliard de kWh par an, il faudrait couvrir environ 5 000 km de surface pour dobtenir la
mme production. Soit 460 000 terrains de football ou bien 80% de la rgion Haute-Garonne.
Cela peut paratre beaucoup, mais en sachant quen France la surface btie reprsente 11 630
3
km (chiffre INSEE 2004), il suffirait donc dinstaller des modules photovoltaques sur la
moiti des toits de chaque construction pour produire lnergie suffisante notre besoin. Bien
sr, il nest pas si simple de remplacer globalement la production dlectricit actuelle par une
production dorigine renouvelable. Le premier blocage pour le changement, au-del des
solutions techniques proposes, est que ce sont souvent des sources intermittentes et alatoires
dlectricit. A lavenir, une complmentarit des diffrentes sources dnergie autant fossiles
que renouvelables devrait se mettre en place progressivement pour obtenir globalement une
production plus matrisable en adquation avec nos besoins.
Ainsi, en ce qui concerne lnergie photovoltaque traite dans ce mmoire de thse,
nous pouvons considrer cette source dnergie comme une des nergies renouvelables
capable de produire de llectricit en grande quantit sur du long terme sans trop mettre de
gaz effet de serre. Il reste encore quelques problmes techniques rsoudre pour rendre
cette nergie comptitive par rapport aux autres solutions et en premier lieu, le fait dtre une
source intermittente dlectricit difficile anticiper et contrler la rend difficile exploiter
au moment o on en a besoin. La question du prix lev de llectricit photovoltaque est
galement souvent avance comme un frein important au dveloppement de cette ressource
nergtique, juste titre. Cependant, ce prix, aujourdhui environ 5 par Wcrte [1], baisse
rgulirement avec les avances technologiques diverses. Lobjectif des professionnels est de
passer dans quelques annes, sous la barre symbolique de 1 par Wcrte[2]. Quelle que soit la
baisse des cots atteinte, cela rend cette nergie de plus en plus intressante pour le grand
public.
Si on se penche sur les diverses avances technologiques effectues ces dernires
annes, on voit apparatre dans la littrature quantits de matriaux diffrents ainsi que
plusieurs assemblages possibles pour crer un gnrateur photovoltaque fiable. Pour
lutilisateur final, la nature technologique de la cellule utilise pour produire de lnergie
importera donc peu en premier lieu. Les paramtres plus pertinents sont donc tout dabord le
prix du watt crte du module (/Wc), son rendement, sa dure de vie, sa taille, son poids, son
apparence esthtique et limpact de la fabrication et du retraitement sur lenvironnement.
Ainsi, en fonction des applications vises, chaque critre sera plus ou moins pondr pour
mieux slectionner les meilleures combinaisons (systme autonome hautement scuris,
systme de forte production pour la connexion rseau, production domestique, systmes
embarqus et portables, etc ).
Du point de vue des chercheurs, une bonne comprhension des diffrentes
technologies de cellule et de module est cruciale pour continuer rduire les cots, augmenter
les performances et amliorer limpact sur lenvironnement en trouvant par exemple des
solutions de recyclage ds la conception de nouveaux modules PV. De nombreuses
technologies sont aujourdhui oprationnelles mais beaucoup exigent encore des travaux de
recherche et de dveloppement spcifiques pour atteindre le degr de maturit ncessaire
une forte production.
Dans le dbut de ce manuscrit, nous avons donc voulu faire un bilan des diffrentes
filires technologiques photovoltaques afin de mieux comprendre les avances et les
perspectives venir. Ainsi, le chapitre 2 est consacr la synthse de ltat de lart actuel sur
1
SOLARBUZZ, Solar Module Price Highlights: September 2008 , disponible sur : www.solarbuzz.com.
Working group Science, Technology and Applications of the EU PV Technologiy Platform ; A Strategic Research Agenda (SRA) for
Photovoltaic Solar Energy Technology , June 2007.
les diffrents matriaux en prcisant les rendements actuels et thoriques. Nous prcisons
galement dans ce chapitre les diffrentes solutions envisageables pour crer une cellule et/ou
un module PV. Nous terminons ce chapitre sur le contexte de nos travaux de recherche qui se
sont drouls sur ces trois annes dans le cadre de lANR ATOS labellise en 2005. Ceci
permet de prciser notre problmatique daugmentation de rendement par lintroduction de
systmes de conversion au plus prs des cellules. Nous avons ainsi eu lopportunit dutiliser
des modules PV innovants en couches minces et de voir la cration de cellules tandem
optimises comme indiqu en fin de ce chapitre.
Dans le chapitre 3, nous avons consign les diffrentes architectures de gestion
photovoltaque actuelles possibles afin de trouver la plus mme de valoriser la production
nergtique de cette ressource. Nous abordons les architectures de conversion DC-DC
utilises pour apporter une solution technologique pour lapprovisionnement en lectricit de
zones difficilement accessibles, loignes de tout rseau ou pour lalimentation de secours de
rseaux peu fiables mais galement les structures DC-AC essentiellement utilises pour le
couplage avec les rseaux lectriques publiques. Nous dvelopperons, en fin de chapitre, les
premires simulations lectriques des diffrentes associations possibles de modules dans le
cadre du projet ATOS. Ces premires recherches nous ont permis de visualiser dans sa
globalit les problmes lis la gestion de lnergie photovoltaque et den tirer des
conclusions en termes dvolution et de valorisation.
Dans cette dmarche, nous tudierons, en chapitre 4, la faisabilit dvelopper des
organes de gestion faible puissance pour des applications photovoltaques, nous
dvelopperons des prototypes dtages dadaptation performants grce des recherches
approfondies sur les diffrentes commandes MPPT et sur les rendements de conversion de ces
systmes de gestion.
Le chapitre 5, quant lui, est consacr ltude comparative exprimentale entre les
diffrentes architectures de gestion photovoltaque. Pour ce faire, dans un premier temps, nous
avons ralis des mesures journalires comparatives entre une connexion via un tage
dadaptation avec commande MPPT et une connexion directe entre un gnrateur
photovoltaque et une batterie. Par la suite, nous avons confront les diffrentes architectures
de gestion possibles, sous les mmes conditions mtorologiques, afin de trouver le systme
le plus mme de valoriser la production lectrique solaire.
CHAPITRE 2
2. Dveloppement photovoltaque,
perspectives et R&D.
CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D
2.1. Introduction.
Dans le contexte global damliorations des performances dun systme
photovoltaque (PV), il nous a sembl intressant de commencer cette thse par un bilan, par
filire technologique, des principaux axes de dveloppement photovoltaques afin de mieux
apprhender les potentialits de chacune. Ainsi, en comprenant mieux les fondamentaux, cela
nous a permis de comprendre les proprits de conversion de chaque solution technologique
mais aussi ses limites. Nous proposons de partager cette vision globale des avances
technologiques avec le lecteur afin de pouvoir anticiper les besoins futurs et ainsi que chacun
puisse se forger son propre avis sur le dveloppement photovoltaque du futur.
Nous rappelons brivement le principe de la conversion de lnergie solaire en nergie
lectrique reposant sur leffet photolectrique, cest dire sur la capacit des photons crer
des porteurs de charge (lectrons et trous) dans un matriau. Le domaine Gnie lectrique
tant notre spcialit, nous nous sommes attachs utiliser des modles lectriques simplifis
pour dcrire le comportement des diffrentes cellules rencontres tout au long de ce chapitre.
La technologie photovoltaque la plus utilise depuis la cration des premires
cellules correspond la filire silicium de type cristallin qui reprsente actuellement 90% de
la production mondiale pour les applications terrestres. Ceci peut sexpliquer par le fait que
lindustrie photovoltaque profite rgulirement du dveloppement de lindustrie des semiconducteurs qui est capable de fournir une matire premire dexcellente qualit pour les
panneaux solaires ainsi que des processus de fabrication totalement maitriss. Selon la qualit
du silicium, nous rappelons les performances. Nous prsentons ensuite le principe de
fabrication des cellules multi-jonctions haut rendement dont le dveloppement a t motiv
en priorit par les applications spatiales o les performances de la cellule priment sur les cots
de fabrication. Nous parlons ensuite dune des nouvelles gnrations de cellules solaires, qui
utilise de nouveaux matriaux de type organique. Ces nouveaux composs, en particulier les
polymres, pourraient rvolutionner le march du PV grce leur faible cot de fabrication et
leur facilit dutilisation (flexibilit, lgret). La recherche dans ce domaine est extrmement
active depuis plusieurs annes et les avances sont rapides. Nous abordons enfin le large
domaine des cellules PV dites couche mince ( Thin-Film ) qui constitue ce que certains
appellent les cellules de seconde gnration car elles font historiquement suite aux cellules en
silicium cristallin. Leur principal atout vient de la faible quantit de matriaux ncessaire la
fabrication dune cellule comparativement aux cellules classiques (premire gnration). Les
cellules couche mince les plus dveloppes utilisent comme matriau de base le silicium
amorphe, le diSlniure de Cuivre Indium Galium (CIGS), le Tellurure de Cadmium CdTe) et
on trouve de plus en plus de cellules multi-jonction amliorant dautant les performances de
cette filire.
Pour conclure cet tat de lart, nous introduirons le contexte des travaux de recherches
engags par le LAAS-CNRS, et faisant partie intgrante de cette thse, dans le cadre de
lANR ATOS (Association Tandem Optimis pour le Solaire). Ce projet a pour objectif de
dvelopper une nouvelle filire de cellules photovoltaques tandem en couches minces de
silicium, partir de solutions de type tandem innovantes lectrodes intermdiaires et ayant
leur propre systme de conversion et doptimisation associ au plus prs de chaque type de
matriau.
2.2. La conversion photovoltaque.

2.2.1. Principe de la conversion Photolectrique.
Le rayonnement solaire est constitu de photons dont la longueur donde stend de
lultraviolet (0.2 m) linfrarouge lointain (2.5 m). On utilise la notion AM pour Air Mass
afin de caractriser le spectre solaire en terme dnergie mise [1, 2]. Lnergie totale
transporte par le rayonnement solaire sur une distance soleil-terre est de lordre de
1350W/m (AM0) dans lespace hors atmosphre terrestre (Figure 2-1). Lorsque le
rayonnement solaire traverse latmosphre, il subit une attnuation et une modification de son
spectre, la suite de phnomnes dabsorption et de diffusion dans les gaz, leau et les
poussires. Ainsi, la couche dozone absorbe une partie du spectre lumineux provenant du
soleil, et en particulier une partie des ultraviolets dangereux pour la sant. Le rayonnement
solaire direct reu au niveau du sol ( 90 dinclinaison) atteint 1000 W/m du fait de
labsorption dans latmosphre (AM1). Cette valeur change en fonction de linclinaison des
rayons lumineux par rapport au sol. Plus langle de pntration est faible, plus lpaisseur
atmosphrique que les rayons auront traverser sera grande, do une perte dnergie
consquente. Par exemple, lnergie directe transporte par le rayonnement solaire atteignant
le sol avec un angle de 48 avoisine les 833 W/m (AM1.5).
Pour connatre le rayonnement global reu au sol, il faut ajouter ce dernier le
rayonnement diffus. Le rayonnement diffus concerne tout le rayonnement dont la trajectoire
entre le soleil et le point d'observation n'est pas gomtriquement rectiligne et qui est dispers
ou rflchi par l'atmosphre ou bien le sol. En considrant ceci, on obtient une rfrence du
spectre global note AM1.5 avec une puissance de 1000W/m, la Figure 2-2 correspondant
nos latitudes.
AM 1.5
=1/sin
45
AM 0
1350 W/m
AM 1
Figure 2-1. Normes de mesures du spectre dnergie lumineuse mis par le soleil, notion de la
convention AM.
Le scientifique franais, Edmond Becquerel, fut le premier dcouvrir en 1839 leffet
photolectrique [3]. Il a trouv que certains matriaux pouvaient produire une petite quantit
de courant sous leffet de la lumire. Par la suite, Albert Einstein a dcouvert, en travaillant
sur leffet photolectrique, que la lumire navait pas quun caractre ondulatoire, mais que
son nergie tait porte par des particules, les photons. Lnergie dun photon est donne par
la relation :
= hc/
(2-1)
10
o h est la constante de Planck, c la vitesse de la lumire et sa longueur donde.

Ainsi, plus la longueur donde est courte, plus lnergie du photon est grande. Cette
dcouverte value Albert Einstein le prix Nobel en 1905.
Figure 2-2. Spectres Solaires relevs dans plusieurs conditions selon la convention AM.
Source NREL solar spectrum.
La conversion photovoltaque aujourdhui largement utilise peut tre simplement
dfinie comme la transformation de lnergie des photons en nergie lectrique grce au
processus dabsorption de la lumire par la matire. Lorsquun photon est absorb par le
matriau, il passe une partie de son nergie par collision un lectron larrachant littralement
de la matire. Ce dernier tant prcdemment un niveau dnergie infrieur o il tait dans
un tat stable passe alors vers un niveau dnergie suprieur, crant un dsquilibre lectrique
au sein de la matire se traduisant par une paire lectron-trou, de mme nergie lectrique.
Gnralement, la paire lectron-trou revient rapidement lquilibre en transformant son
nergie lectrique en nergie thermique. De mme, toute lnergie des photons narrivant pas
se transformer en lectricit est absorbe par le matriau sous forme thermique. Le matriau
constituant les capteurs PV a alors sa temprature interne qui augmente proportionnellement
lnergie solaire reue. Le taux de conversion photon-lectron est faible car un certain nombre
de conditions doivent tre runi pour que ce phnomne se produise. Leffet thermique est
donc majoritaire sur la plupart des capteurs dtriorant dautant plus les performances de ces
derniers [4].
Mme si le phnomne lectrique est secondaire devant le phnomne thermique,
rcuprer tout ou partie de lnergie lectrique est le premier objectif des capteurs
photovoltaques sous forme de cellules ou de gnrateurs. Cela est possible grce par exemple
des cellules solaires ralises en associant un matriau semi-conducteur dop N3 un autre
semi-conducteur dop P4, Figure 2-3. Lnergie produite par labsorption dun photon dans un
matriau se traduit du point de vue lectrique par la cration dune paire lectron-trou. Cette
raction entraine une diffrence de rpartition des charges crant ainsi une diffrence de
potentiel lectrique, cest leffet photovoltaque. Le fait davoir associer deux types de
3
4
Le dopage de type N consiste avoir un excs dlectrons dans le matriau.

Le dopage de type P consiste avoir un excs de trous dans le matriau.
11
matriaux pour crer une jonction permet de pouvoir rcuprer les charges avant que ces
dernires ne se soient recombines dans le matriau qui redevient alors neutre. La prsence de
la jonction PN permet ainsi de maintenir une circulation de courant jusqu ses bornes. Le
nombre de photons par unit de longueur donde est une donne connatre pour les
applications photovoltaques pour estimer lnergie totale disponible. La longueur donde
correspondant au maximum de photons est de lordre de 650-670nm.
Photon
Zone dope N
Vcell
Zone dope P
Icell
Figure 2-3. Schma de principe de la conversion photolectrique.

La plupart des cellules photovoltaques utilisent des semi-conducteurs pour rcolter les
paires lectron-trou cres par la collision des photons dans le matriau. Cependant, selon le
matriau utilis, le nombre de photons utiles (qui peuvent tre absorbs) diffre. En effet,
chaque matriau possde son propre gap nergtique (bande dnergie interdite). Tout photon
possdant une nergie infrieure ce gap et arrivant la surface du matriau naura pas assez
dnergie pour arracher un lectron au matriau mme sil entre en collision avec un. Le
courant produit par un capteur PV est donc beaucoup plus faible que la quantit de photons
arrivant sur le matriau car plusieurs conditions doivent tre runies pour que rellement
lnergie dun photon se traduise en courant (compatibilit du matriau avec les longueurs
dondes du spectre solaire, nergie des photons leur arrive sur le matriau, probabilit de
rencontre dun photon avec un lectron, incidence du rayonnement, paisseur du matriau,
). De plus, un autre compromis doit tre fait par le concepteur de capteurs PV. Si le gap du
matriau est grand, peu de photons auront assez dnergie pour crer du courant mais aux
bornes de la cellule, la tension en circuit ouvert sera grande et facilitera dautant plus
lexploitation de lnergie lectrique. A linverse, un matriau avec un faible gap absorbe plus
de photons mais prsente une tension plus faible ses bornes. Ce compromis a t quantifi
par Shockley et Quessier [5]. Ainsi par exemple, avec un seul matriau, le rendement de
conversion maximal thorique est de 31% pour un gap nergtique denviron 1.4eV. Par
comparaison, le gap du silicium qui est aujourdhui le matriau le plus utilis pour constituer
des cellules dans les capteurs PV terrestres, nest pas trs loin de cet optimum avec 1.12eV.
Ainsi, le maximum thorique pour une simple jonction Si est denviron 29%.
La diffrence de potentiel prsente aux bornes dune jonction PN soumise un
clairement est galement mesurable entre les bornes de la cellule PV. Typiquement, la
tension maximale dune cellule (PN) est denviron 0.5 0.8V. Elle peut tre directement
mesure ses bornes sans charge (circuit ouvert). Cette tension est nomme tension de circuit
ouvert (Voc). Lorsque les bornes dune cellule sont court-circuites, on peut mesurer le
courant maximal produit par la cellule PV et on le nomme communment courant de courtcircuit (Icc). Ces valeurs peuvent changer fortement en fonction du matriau utilis, de la
temprature et de lensoleillement. La Figure 2-4 reprsente les caractristiques typiques
mesurables Icell=f(Vcell) dune jonction PN soumise un flux lumineux constant et dans
lobscurit [6].
12
Icell (A)
E1 cellule ensoleille
E2 cellule dans lobscurit
Icc1
E1
E2
Voc1
Vcell (V)
Figure 2-4. Caractristiques I(V) dune cellule photovoltaque soumise diffrents

clairements.
On parle souvent de rendement de conversion pour des cellules photovoltaques, ce
terme correspond la capacit de la cellule transformer lnergie des photons qui la
percutent. Ces mesures sont aujourdhui normalises. Les cellules solaires sont donc testes
par les constructeurs sous un spectre lumineux artificiel correspondant un spectre solaire
typique AM1.5 (soit lirradiance totale reue sur le sol terrestre une altitude de 0 avec un
angle de 48) sous une temprature fixe de 25C. Pour simplifier, cette convention a permis
de normaliser les rendements donns dans les notices des capteurs afin de pouvoir les
comparer. La puissance moyenne totale reue lors des tests par les cellules assembles en
module PV est de 1000W/m sous 25C.
De nombreux scientifiques travaillent sur laugmentation des rendements de
conversion des cellules photovoltaques. Actuellement, les panneaux commerciaux ont pour la
plupart dentre eux, un rendement denviron 14%. Ceci peut se traduire par la production de
140 Watts crtes pour un module PV qui reoit 1000 W/m2. Les recherches sur les matriaux
qui constituent les cellules sont en plein essor de mme que celles sur loptimisation de
fabrication de cellules et de panneaux PV. Pour mieux situer nos travaux sur les systmes de
conversion juste la sortie des cellules et des panneaux, il nous a sembl important de faire
une synthse des avances actuelles accomplies sur la production de lnergie PV. Les
sections suivantes de ce chapitre exposent ainsi les avancs et les innovations majeures
apportes aux matriaux photovoltaques dans la course au rendement nergtique.
Auparavant, nous rappelons brivement les modlisations lectriques que nous utilisons et les
principales dfinitions en vigueur.
2.2.2. Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque.
Lorsquune jonction PN ralise partir de matriaux sensibles la lumire est
claire, elle prsente la particularit de pouvoir fonctionner en gnrateur dnergie. Ce
comportement en statique peut tre dcrit par lquation lectrique dfinissant le
comportement dune diode classique. Ainsi, le rgime lectrique statique dune cellule
13
photovoltaque constitue dune jonction PN en silicium peut tre dcrit via lquation
suivante :
V
+ (I CELL Rserie ) VCELL + (I CELL Rserie )
1
I CELL = I cc I Sat exp CELL
nV
Rshunt
T
(2-2)
K T
reprsente le potentiel thermodynamique, Isat, le courant de saturation de la
e
jonction, K, la constante de Boltzman (1.381 10-23 Joules/Kelvin), T, la temprature de la
cellule en Kelvin, e, la charge dun lectron, n, le facteur de non idalit de la jonction, ICELL,
le courant fourni par la cellule, VCELL, la tension aux bornes de la cellule, ICC, le courant
produit par la cellule lorsquelle est mise en court-circuit, Rshunt, la rsistance modlisant les
courants de fuites de la jonction, et finalement, Rserie, la rsistance srie caractrisant les
diverses rsistances de contacts et de connexions. La Figure 2-5 reprsente avec des
composants lectriques, le comportement lectrique quivalent dduit de lquation (2-2).
o VT =
Rserie
D
ICC
Rshunt
IPV
VPV
Figure 2-5. Schma lectrique quivalent dune cellule en silicium cristallin.

La courbe prsente en Figure 2-6 (a) reprsente la caractristique courant-tension
normalise note I(V) dune cellule solaire en silicium multi-cristallin ayant un rendement de
19.8%. La densit de courant dlivre par la cellule, ici note J, est exprime en ampre par
unit de surface (cm). La tension prsente aux bornes de la cellule est exprime en volt et ne
dpend pas de la surface de la cellule. Le courant de court-circuit de la cellule est de
38.1mA/cm (not dans les notices constructeurs Icc ou alors Isc pour la terminologie anglaise
signifiant Short-Circuit current) et la tension de circuit ouvert slve 654mV (Voc, pour
Open Circuit Voltage).
(a)
(b)
Figure 2-6. Caractristique courant-tension dune cellule en silicium multi-cristallin.
(a) Courbe relle mesure par le constructeur, (b) Courbe simule.
14
Un paramtre important est souvent utilis partir de la caractristique I(V) pour

qualifier la qualit dune cellule ou dun gnrateur PV : cest le facteur de remplissage ou fill
factor (FF). Il est illustr sur la Figure 2-7. Ce coefficient reprsente le rapport entre la
puissance maximale que peut dlivrer la cellule note Pmax et la puissance forme par le
rectangle Icc*Voc. Plus la valeur de ce facteur sera grande, plus la puissance exploitable le sera
galement. Les meilleures cellules auront donc fait lobjet de compromis technologiques pour
atteindre le plus possible les caractristiques idales.
Icc
FF =
PMax=Iopt*Vopt
Pmax
I cc * Vco
Vco
Figure 2-7. Notion de facteur de forme FF pour une cellule photolectrique.
Le modle lectrique de la Figure 2-5 est facilement adaptable tout logiciel de type
circuit. Nous lavons utilis pour modliser par exemple la caractristique dune cellule en
silicium multi-cristallin laide du logiciel de simulation lectrique PSIM. Nous retrouvons
en Figure 2-8, les lments du schma lectrique quivalent prsent prcdemment. La
rsistance non-linaire nous a servi reproduire la caractristique relle dune diode
jonction PN.
Figure 2-8. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous PSIM.
Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques
dune cellule photovoltaque soumise un ensoleillement et une temprature constante
donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du
modle pour avoir les bonnes caractristiques.
2.3. Les diffrentes filires photovoltaques.

2.3.1. La filire base de Silicium Cristallin.
Les modules photovoltaques bass sur silicium cristallin dominent depuis toujours le
march avec plus de 90% des ventes. Les cellules partir de plaquettes de silicium cristallis
(c-Si) se divisent en deux catgories distinctes, celles partir de silicium monocristallin (mcSi) et celles partir de silicium poly-cristallin (pc-Si). Le silicium monocristallin est plus cher
15
que le silicium multi-cristallin mais permet dobtenir un rendement plus lev, avec prs de
24.7% contre 19.8% de rendement record sur petite cellule en laboratoire [7, 8].
150-250 m
Contact Avant
N-
P-
Contact Arrire
Figure 2-9. Schma de principe dune cellule base de silicium cristallin.

Les modules en silicium cristallin sont fabriqus industriellement. Toutes les tapes du
processus de fabrication ne cessent de progresser rgulirement afin de viser le plus possible
les rendements thoriques calculs tout en vitant daugmenter le prix des modules. Il reste
encore aujourdhui un large potentiel doptimisation. La premire tape consiste fabriquer
des lingots base de silicium pur pour les diffrents processus de fusion et de cristallisation
du silicium. Le matriau suprieur est le silicium monocristallin, typiquement produit par la
mthode de Czochralski, consistant introduire un germe prform monocristallin dans le
lingot de silicium en fusion [9]. Le silicium se solidifie sur ce germe et garde la mme
organisation cristalline que celui-ci. Le matriau infrieur est le silicium poly-cristallin,
produit en lingots par le biais de diffrents procds de fusion et de solidification du silicium.
Sa cristallisation est assure par un contrle drastique de la temprature de solidification.
Lingot Cristallis 250Kg
Dcoupe des briques
Dcoupe des Wafers (Scie fil) 300m
Fabrication des cellules
Assemblage du module
Figure 2-10. Exemple de chane de production de cellules photovoltaques en silicium.
16
Au fur et mesure, les dimensions des lingots ont volu avec la technologie passant
de 30kg 100kg pour le mono-critallin et de 150 kg 250 kg pour le multi-cristallin. Des
amliorations ont galement t faites lautomatisation des processus et la gestion de la
consommation dnergie [10]. Un problme reste cependant constant concernant la dcoupe
des lingots en lamelles (wafers en anglais) qui entrane une perte importante de matire. En
effet, aprs la solidification, les lingots sont dcoups en fine couche denviron 300 m
dpaisseur grce un fils de diamant abrasif de 150 m de diamtre [11]. Actuellement, les
wafers ont une taille de 125 x 125 mm pour une paisseur de 330 m. Aujourdhui, en plus
dobtenir des wafers plus fins, lobjectif est de rduire les pertes lies au sciage afin
dconomiser le silicium. Les industriels du photovoltaque dveloppent des wafers de
nouvelle gnration de 210 x 210 mm et plus large encore, tout en rduisant leur paisseur
pour arriver un objectif de 100 m, (Figure 2-11) [12]. Laugmentation de la taille de ces
cellules implique donc une augmentation de la puissance produite et donc du courant. Les
cellules les plus performantes peuvent dj fournir des courants de plus de 10 A sous une
tension de 0.6V.
Une troisime technologie utilise directement le tirage de rubans partir de bains
fondus [13]. Un ruban servant de substrat passe travers un bain de silicium en fusion, une
fine couche de silicium se dpose alors sur le substrat. Cette technique permet de raliser des
wafers plus minces (150m) et vite les pertes lies au sciage. Malgr la lenteur de dposition
(quelques cm/min), la technologie ruban est un candidat prometteur la rduction du prix du
watt crte photovoltaque.
Les wafers sont ensuite traits pour tre dops par diffusion dans le matriau mme
afin de constituer des jonctions PN. Lajout dune couche antireflet et la ralisation des
contacts lectriques en face arrire et en face avant (rainurage pour faciliter la collecte des
porteurs) termine le processus de fabrication des cellules. Les cellules photovoltaques ainsi
finies sont assembles entres elles (en srie et/ou en parallle) et encapsules pour devenir un
module solaire photovoltaque pouvant fonctionner pendant plus de 20 ans. En fonction de
lagencement des cellules dans le module, on obtient la puissance dsire pour une tension de
sortie optimale correspondant au point de puissance maximum de lensemble (12, 24, 48
V). La grande majorit des panneaux actuels peuvent dlivrer une puissance de 50 200
Wc.
100 x 100 mm
1996
150 x 150 mm
2003
210 x 210 mm
2008
Figure 2-11-volution de la taille des cellules silicium photovoltaques ces dernires annes.
Les analyses les plus rcentes estiment quune installation solaire photovoltaque
rembourse en quelques annes lnergie ncessaire sa fabrication et son installation. Selon
une tude de lagence internationale de lnergie, le temps de retour nergtique dun systme
photovoltaque est de 1,6 4,7 ans en France suivant lirradiation solaire ainsi que le site et
lorientation. Pour le moment, aucune loi noblige les fabricants rcuprer ou traiter les
panneaux solaires en fin de vie. Cependant, avec la croissance fulgurante du march, certains
17
fabricants ainsi que des organismes de recherche se sont associs pour donner naissance une
association PV Cycle ayant pour objectif de recycler des dchets lis aux photovoltaques.
Ainsi, le processus de dmantlement des modules prconis fait dabord intervenir un
traitement thermique, qui permet de sparer le verre des cellules. Une fois ces lments
dtachs, les cellules sont dcapes chimiquement pour ter les contacts, la couche antireflet
et la couche dopante. Une fois ces oprations termines, laluminium, le verre et les mtaux
pourront facilement tre recycls alors que les wafers intacts pourront tre rutiliss
lintrieur dun module comme nouveaux wafers. En effet, mme aprs 20 30 ans de
service, la qualit dun wafer en silicium reste identique. Par contre, les wafers casss peuvent
tre refondus pour produire nouveau des lingots de silicium, qui serviront fabriquer de
nouveaux modules. Le financement actuel dune telle opration de recyclage est estim
environ 20 40 centimes deuros par Wc (daprs PV Cycle Deutsche Solar) [14].
La filire silicium a connu initialement un grand essor grce lexprience des
industries du semi-conducteur qui utilisent depuis longtemps dj les proprits lectriques du
silicium. Il est galement intressant de noter que lindustrie photovoltaque, qui utilisait
comme source de silicium les rejets de lindustrie lectronique, doit maintenant faire face
une pnurie croissante de matire premire de silicium de qualit solaire du fait de
laccroissement de la demande. Cette situation entrane donc une mutation industrielle avec la
mise en place progressive de nouvelles filires spcifiques de production de silicium
photovoltaque marquant une nouvelle phase de dveloppement. Les modules photovoltaques
du commerce revendiquent aujourdhui un rendement de 15 19.6% pour les cellules les plus
performantes (SunPower). Le prix de revient dun module en silicium cristallin devrait passer
sous la barre de 1/Wc ds 2013. On prvoit mme 0.75/Wc en 2020 [15]. A long terme, la
technologie silicium a encore un grand rle jouer dans le dveloppement photovoltaque.
Cependant, elle ne sera pas la seule technologie employe. En effet, pour baisser les prix et
rendre abordable cette nergie, plusieurs tentatives de nouveaux dveloppements
technologiques existent actuellement. Nous prsentons dans la suite de ce mmoire ceux qui
nous semblent les plus prometteurs.
2.3.2. Les cellules multi-jonctions haut rendement.
Aujourd'hui, la plupart des cellules photovoltaques inorganiques sont constitues
dune simple jonction PN. Dans cette jonction, seuls les photons dont l'nergie est gale ou
suprieure la bande interdite du matriau (note Eg en eV) sont capables de crer des paires
lectron-trou. En d'autres termes, la rponse photovoltaque dune cellule simple jonction est
limite. Seule la proportion du spectre solaire dont lnergie des photons est suprieure au gap
dabsorption du matriau est utile, lnergie des photons plus faible nest donc pas utilisable.
Dautre part, mme si lnergie des photons est suffisante, la probabilit de rencontrer un
lectron est faible. Ainsi, la plupart des photons traversent le matriau sans avoir transfrer
leur nergie. Une premire rponse pour limiter les pertes est connue de longue date du point
de vue technologique, il suffit dutiliser des systmes plusieurs niveaux, en empilant des
jonctions possdant des gaps dcroissants, (Figure 2-12). Ainsi il est possible dexploiter le
spectre solaire dans sa quasi-totalit avec des rendements de conversion trs importants.
18
Eg1
Cellule 1 (Eg1)
Cellule 2 (Eg2)
Irradiance
Eg1 > Eg2 > Eg3
Eg2 Eg3
Spectre Solaire AM1.5
Cellule 3 (Eg3)
Longueur donde
Figure 2-12. Principe de la cellule htrojonction.

Des cellules PV multi-jonctions base dassociations de matriaux semi-conducteurs
II-V (GaAs, AlGaAs, InGaAs, etc) ont ainsi t mises au point depuis les annes 60 prsentant
des rendements trs levs suprieurs parfois 40%. Elles ne sont pas connues du grand
public cause de leur cot de fabrication, de loin, les plus levs actuellement (fabrication
sous ultra vide, croissance trs lente, problme de casses et de dfauts aux interfaces). Le
dveloppement des cellules haut rendement a t motiv en priorit par les applications
spatiales. En effet, dans ce domaine, le critre principal nest pas le prix par watt crte (/Wc)
mais plutt le nombre de watts par kilogramme (Wc/kg). Il faut savoir quenvoyer un satellite
dans lespace cote entre 3 000 et 30 000 par kilogramme (le prix dpend de laltitude de
mise en orbite). Ds lors, il est comprhensible quon utilise les technologies photovoltaques
les plus performantes afin doptimiser le poids de lensemble et faire en sorte quil soit le plus
longtemps possible autonome.
Un dernier avantage signaler pour ces cellules est leur robustesse vis--vis des
radiations et des impacts. Au cours du temps, ces cellules ont dmontr quil tait possible
davoir des gnrateurs dnergie qui vieillissent trs bien et qui peuvent produire de lnergie
mme en ayant subi quelques dtriorations. Le rendement des modules commercialiss
contenant des cellules multi-jonction actuellement avoisine les 30% pour un spectre AM0.
Certaines recherches se concentrent sur lamlioration des technologies de fabrication pour en
baisser le cot et les adapter aux besoins terrestres. Ils se frottent principalement aux
problmes dinterfaces et de passage de petits volumes de fabrication des grandes quantits.
Aujourdhui, les vhicules de courses terrestres ou bateaux en utilisent pour assurer leur
autonomie. Mais cela reste des cellules beaucoup trop chres pour des applications
domestiques.
En utilisant des concentrateurs solaires, certains pensent pouvoir baisser les prix
(moins de surface de cellule utilise) et prendre une place dans le march conventionnel
terrestre. Ainsi, si on compare le meilleur rendement sans concentrateur dune triple jonction
GaInP/GaAs/Ge atteignant les 32%, cette mme cellule arriverait 40.7% avec concentrateur
[16, 17]. On peut mme envisager des rendements encore plus importants avec des cellules
complexes de 4 6 jonctions voir plus [18]. Lide basique du concentrateur photovoltaque
(CPV) est de rduire le prix de revient dun systme PV en focalisant les rayons lumineux sur
une cellule solaire de surface Fc par le biais dune lentille optique de surface Fo. Le ratio de
concentration C est approximativement C=Fo/Fc comme indiqu en Figure 2-13.
19
Irradiation Solaire
Lentille Fo
Cellule Solaire Fc
Dissipation thermique
Figure 2-13. Schma de principe dun concentrateur photovoltaque.

La rduction de la surface des cellules permet dutiliser des cellules plus performantes
qui taient encore trop chres pour tre utilises sur de grandes surfaces de modules PV. En
pratique, la plus grande diffrence noter entre un GPV compos de modules PV classiques
et un CPV est la ncessit dajuster pour ce dernier lorientation du systme pour suivre la
course du soleil. En effet, un mauvais angle de pntration de la lumire pourrait priver
compltement les cellules de lumire, dautant plus que ces capteurs ne peuvent utiliser que le
rayonnement direct du spectre solaire. Cette fonction, ralise par un systme suiveur ou
tracker, doit tre prise en compte dans le prix global du CPV et reprsente une part non
ngligeable de linvestissement rendant en fin de compte ce systme encore trop coteux pour
le grand public. Le nombre dexemples de centrales solaires concentration montrent
cependant bien lintrt de ces systmes et leur viabilit [19,20]. Ils sont aujourdhui destins
aux trs grandes centrales nergtiques dpassant la centaine de kW. Des problmes
thermiques lis la concentration des rayons sur les cellules ncessitent un dispositif de
dissipation thermique performant. Une technique intressante permet dallier la production
solaire photovoltaque la production solaire thermique, en rcuprant la chaleur mise, par le
biais dun liquide caloporteur, et ainsi crer galement un chauffe-eau solaire.
2.3.3. Nouvelles technologies photovoltaques.
On utilise de plus en plus de matriaux organiques dans le domaine de
loptolectronique, avec des perspectives dlectronique organique voire molculaire, pour
lclairage laide de diodes lectroluminescentes organiques (OLED : Organic LightEmitting Diode). Bien que les optimisations des matriaux mettre en uvre ne soient pas les
mmes, le domaine du photovoltaque bnficie depuis quelques annes des avances
technologiques de loptolectronique. Ainsi, bien que cette filire soit vraiment rcente, les
progrs annuels sont spectaculaires. Les matriaux organiques, molculaires ou polymriques,
base de carbone, dhydrogne et dazote, sont particulirement intressants en termes
dabondance, de cot, de poids et de mise en uvre.
20
Comme les semi-conducteurs, ils possdent des niveaux dnergies susceptibles

dabsorber les photons en crant des paires lectron-trou utilisables grce des transitions
entre les niveaux dits HOMO (Hightest occupied molecular orbital) et des niveaux dits
LUMO (Lowest unoccupied molecular orbital). En labsence de sparation, les paires
lectron-trou peuvent se recombiner en mettant des photons de la longueur donde
correspondante (fluorescence, luminescence) plutt que se convertir en chaleur comme vu
prcdemment pour les filires inorganiques. La sparation des charges reste encore
aujourdhui un des points bloquants pour tre effectue efficacement. Si elles peuvent tre
spares et transportes vers un circuit extrieur grce deux phases adjacentes, on obtient
alors des cellules photovoltaques dun nouveau type tel que celle prsente en Figure 2-14.
Figure 2-14. Schma de principe dune cellule organique

Pour en faire des cellules organiques PV part entire dans le futur, il faut amliorer
les proprits de cration de paires lectron-trou dans des molcules organiques ou des
polymres mais galement dvelopper des mthodes de sparation des paires en associant un
matriau accepteur et un matriau donneur, grce des positions diffrentes des bandes
nergtiques. On parle dans ce contexte de matriaux LUMO et HOMO. Un des points les
plus difficiles est la sparation de ces deux phases qui ont tendance se mlanger car les
matriaux sont solubles lun avec lautre. Cependant une avance importante a permis de
sparer spontanment les donneurs et les accepteurs en rendant les matriaux non solubles
[21, 22]. Dans le cas des polymres, tout se passe comme si on avait deux catgories de fibres
intimement mlanges, lune conduisant les lectrons et lautre les trous [23].
Dautres recherches se sont orientes vers un modle de cellule photovoltaque la
fois organique et inorganique (cellules hybrides) qui offre de nombreux avantages par rapport
aux cellules traditionnelles. Ainsi, il a t labor une cellule nanocristalline qui imite la
photosynthse des plantes. Utilises depuis longtemps dans les lasers colorants ou les
matriaux pour loptique, lutilisation efficace des molcules de colorants organiques dans le
domaine du photovoltaque, fut dcouvert en 1991 par Michael Graetzel. Des molcules
organiques pigmentes (colorant), absorbent la lumire et librent ainsi des lectrons. Les
lectrons sont vhiculs vers lanode par une couche poreuse de dioxyde de titane (TiO2), un
matriau semi-conducteur inorganique. A lanode, les lectrons sont dirigs vers un circuit
externe o leur passage produit de lnergie lectrique [24, 25].
21
Figure 2-15. Cellule solaire tout organique sur substrat souple.

Le rendement de ces cellules solaires organiques est encore infrieur 3% cause
justement de la nature du mlange et des problmes de recombinaisons lectroniques [26].
Loxydation de la cellule est encore un autre problme auquel il faut se pencher en recherche
pour trouver des solutions viables long terme. Malgr tous ces inconvnients, le
dveloppement de ces cellules risque de persister lavenir car elles prsentent une grande
facilit de fabrication. En effet, les matriaux actifs peuvent staler sur de grandes surfaces.
Comme ces cellules peuvent facilement se dvelopper sur matriaux souples, leur flexibilit
quasi naturelle comme le montre la Figure 2-15 est galement un atout. Le cot de ces cellules
organiques est infrieur celui des cellules colorants et elles peuvent mme tre
biodgradables. Les cellules solaires organiques avec leurs faibles cots de matire premire,
leurs faibles besoins nergtiques de production et leurs capacits tre fabriques grande
chelle sont des candidates srieuses fort potentiel de dveloppement photovoltaque long
terme.
2.3.4. Technologie couche-mince.
2.3.4.4.Introduction.
Les cellules PV dites couche mince (Thin-film) constituent ce que certains appellent
les cellules de seconde gnration car elles font historiquement suite aux cellules en silicium
cristallin relativement paisses. Lintrt de la technologie couche mince vient de la faible
quantit de matriaux ncessaire la fabrication dune cellule comparativement aux cellules
classiques. Contrairement aux cellules silicium cristallin de premire gnration, on ne dpose
que la quantit de matriau photosensible efficace pour absorber lessentiel du rayonnement
solaire (quelques microns dpaisseurs suffisent). Par ailleurs, on utilise des mthodes de
fabrication moins coteuses des cellules qui permettent une intgration totale.
Les trois technologies mergeantes sont aujourdhui :
- le Silicium amorphe et microcristallin not TFSi ( Thin-Film Silicon en anglais).
- Le Semi-conducteur Poly-cristallin CdTe (Tellurure de Cadmium).
- Lalliage Cu(In,Ga)Se2 ( Cuivre-Indium/Gallium-Slnium) not dans la littrature
CIGS.
22
2.3.4.5.Silicium couche-mince.
Dans la technologie TFSi base sur le silicium non cristallis, le silicium amorphe
(not a-Si) peut tre directement dpos sur un substrat de verre basse temprature par un
procd de dpt chimique en phase vapeur assist par plasma (PECVD pour PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition) (Figure 2-16) [27]. On dpose dabord, sur le verre,
une couche doxyde transparente conductrice dune paisseur de 0,5m (TCO pour
Transparent Conductive Oxide). Cette tape est suivie par les tapes de dpt suivantes : une
couche de a-Si de type N, puis une couche a-Si semi-isolante (1m au total) et enfin une
couche de a-Si dope P. Une dernire couche mtallique arrire base dargent assure la
connectique (Figure 2-17). Le processus de fabrication de ces cellules permet dabaisser
significativement les cots de productions. En effet, le cycle de production ne ncessite que
trs peu dnergie et le processus peut gnrer de grandes surfaces unitaires, de lordre du
mtre carr, en un seul tenant. Pour fabriquer un module, il suffit dajouter au processus une
dposition de matriau conducteur entre les cellules servant dinterconnexion entres elles
(Figure 2-18). Ainsi, grce cette souplesse de fabrication, il est possible de fabriquer
simplement des panneaux de nimporte quelle puissance et tension en fonction de la demande
et de lapplication.
Figure 2-16. Procd technologique de dpt chimique nomm PECVD.

Malgr des rendements de conversion faibles de 6% 7% (limits par le taux de
recombinaisons trs lev), cette filire tend se dvelopper car le prix est drisoire par
rapport au cot actuel des cellules Si de premire gnration. Le silicium amorphe, possdant
un fort coefficient dabsorption, na besoin que dune trs faible paisseur de silicium, de
lordre du micron, rduisant par consquent considrablement les cots de matire premire et
le risque de pnurie lie au manque de silicium.
Plusieurs possibilits existent pour amliorer le rendement de ces cellules dites simple
jonction. De nos jours, des matriaux constituant des jonctions microcristallines (c-Si)
peuvent tre ajouts ou bien des alliages base de SiGe peuvent tre crs. Lintroduction de
ces matriaux innovants est prometteuse long terme pour la technologie TFSi. Cependant,
ces technologies restent encore du domaine de la recherche en passe de sortir des laboratoires
et subir plusieurs modifications pour sadapter correctement la production grande chelle
industrielle. Reste galement savoir comment ces cellules vont se comporter en vieillissant.
Les plus avances du point de vue technologiques ont une dure de vie infrieure 10 ans et
ne peuvent donc pas tre utilises en toiture ou dans des accs difficiles du point de vue
maintenance.
23
Cellule en Silicium
Amorphe
Verre
TCO
1-2 m
N-aSi
approx.
1/200
i-aSi
Silicium Cristallin
200m
P-aSi
Ag
Figure 2-17-Schma de principe dune cellule base de silicium amorphe et comparaison

une cellule en silicium cristallin.
Une tude [28] affirme quun module en a-Si produit plus dnergie sur une anne
quun module en silicium cristallin (pour une mme puissance crte installe) sur une mme
priode et sur un mme site. Ceci sexplique par un phnomne physique li la temprature.
En effet, le silicium cristallin perd de ses capacits de production au fur et mesure que la
temprature augmente lintrieur du module. Cette dpendance rduit fortement le
rendement des modules en t par exemple au plus fort de lapport nergtique solaire. Un
module en silicium cristallin perd environ 0,45 % de sa puissance lorsque sa temprature
augmente dun degr Celsius ( partir des conditions standard 25C, AM1.5) alors que,
loppos, le a-Si affiche un gain de 0,175 % par C [29,30]. De plus, le silicium amorphe reste
relativement stable et peut produire de lnergie mme sous ensoleillement diffus et sous
faible clairement (et artificiel). A ct de ces points avantageux, les modules en silicium
amorphe ont une dure de vie plus courte par rapport aux modules en silicium cristallin (>10
ans contre >20 ans). En effet, leur taux de dgradation est presque trois fois suprieur celui
des panneaux en silicium cristallin et en particulier les premiers six mois de fonctionnement
[31]. Cependant, les recherches dans ce domaine sont extrmement actives depuis plusieurs
annes et les avances sont rapides. Parmi les recherches poursuivies, on notera ltude sur la
mtastabilit du silicium amorphe [32]. Il sagit en fait de comprendre leffet StraeblerWronski relatif la dgradation des performances des cellules sous leffet de la lumire. Une
cellule neuve voit ses performances baisser denviron 10% avant de se stabiliser. Les
mcanismes entrant en jeu sont encore mal connus.
Interconnexion des cellules
Dpt de silicium Amorphe (PIN)
Verre de qualit Solaire
Figure 2-18. Schma simplifi dun module a-Si en couche mince

On peut trouver en Figure 2-19, les caractristiques lectriques relles et simules
dune cellule en silicium amorphe dveloppe en laboratoire [19]. Cette cellule montre un
rendement record de 8.5% pour une simple jonction amorphe avec un facteur de forme de
0,719. On peut remarquer lexistante dune diffrence importante des performances entre les
24
diffrentes technologies silicium, la cellule amorphe produit 22.5mA/cm contre 38.1mA/cm

pour une multi-cristalline avec des tensions de circuit-ouvert de 0.524V contre 0.654V. Ces
diffrences lectriques qui aboutissent sur une diffrence significative de rendement ont t la
base de la mise lcart de la technologie amorphe la fin des annes 90 par les plus grands
constructeurs mondiaux. Mais les recherches qui ont continu aussi bien dans les matriaux
que dans les processus de fabrication en font aujourdhui un matriau prometteur prt
concurrencer le silicium cristallin dans un avenir proche si leur bas prix compense la baisse
importante des performances des caractristiques I(V) au cours du temps. Des analyses
suggrent que dici deux trois ans le prix de production devrait atteindre 1.3 1.6/Wc pour
les modules a-Si (avec des rendements de 6.5% 7.5%), et c-Si (avec des rendements de 8
9%) grce lutilisation dquipements rcemment disponibles pour lindustrialisation.
(a)
(b)
Figure 2-19. Caractristique courant-tension dune cellule en silicium amorphe.
(a) Courbe relle, (b) Courbe simule
On peut voir dans le Tableau 2-1 un rcapitulatif des diffrentes filires silicium
prsentent actuellement sur le march. Ce bilan rappelle les avantages et les inconvnients de
chacune des technologies qui doivent tre pris en compte dans la ralisation dun projet
photovoltaque. Lentreprise Sanyo propose mme actuellement une nouvelle technologie de
cellules htrojonction en alliant le silicium amorphe et le monocristallin. Cette association
permet dobtenir des rendements de plus 16% mme haute temprature avec une dure de
vie suprieur 20 ans (80% de la puissance au bout de 20 ans). La filire silicium, cristallin
comme amorphe, a donc encore un rle prpondrant dans le dveloppement photovoltaque
du futur.
Tableau 2-1. Performance de la filire Silicium simple jonction.
Technologie
Rendement
Typique
Influence
Temprature
Taux de
dgradation
Prix dun module

(2008)
Monocristallin
12 16%
-0.442% par C
-0.38% par an
3.13 /Wc
Poly-cristallin
11 14%
-0.416% par C
-0.35% par an
2.95 /Wc
Amorphe
6 7%
+0.175 % par C
-1.15% par an
2.35 /Wc
25
2.3.4.6.Les filires non silicium.

Les recherches actuelles sur les matriaux PV portent galement sur dautres
matriaux que le silicium, mieux adapts une utilisation en couches minces et dlivrant de
hauts rendements des cots relativement bas. Deux filires semblent simposer
progressivement, lune base sur le tellurure de cadmium (note CdTe) et lautre sur les
alliages Cuivre-indium/gallium-Slnium (not CIGS).
Les cellules CGIS sont constitues par empilement. Tout dabord, une couche
mtallique de molybdne de 0.5 m dpaisseur est dpose sur du verre de vitre pour raliser
le contact arrire. Puis on vient dposer une couche CIGS de type P, denviron 1.5 m. Suit
une couche de CdS ou de ZnS (pour Sulfure de Cadmium et Zinc Sulfur) denviron 50 nm, et
enfin une couche de ZnO (Oxyde de Zinc) de type N, de 1 m, servant de contact avant
conducteur et transparent. Finalement, la cellule est encapsule par couverture par une vitre
[33, 34]. Dans le cas du CdTe, une couche de CdS de type N est dpose sur du verre, puis une
couche de CdTe de type P, denviron 2 m, et une couche conductrice de carbone servant de
deuxime contact.
La technologie CIGS exhibe actuellement le meilleur rendement de production pour
une cellule et pour des modules par rapport toutes les technologies couches minces
inorganiques avec des cellules pouvant atteindre 19.9% en laboratoire [35,36] et des modules
commerciaux de 12%. Cependant, il reste un grand nombre de points amliorer afin de
rduire le prix de ces cellules. Le principal challenge de la technologie CIGS couche mince
est la rduction du prix des matriaux. Diverses pistes existent pour essayer de remplacer les
matriaux chers comme lInGa par de lAl. De plus, il est ncessaire galement de trouver des
solutions pour moins gaspiller la matire premire active pendant la fabrication. Une dernire
piste consiste rduire tout simplement lpaisseur de la couche active.
N-ZnO
1-3 m
ZnS
P-CIGS
Mo
Verre
Figure 2-20. Schma de principe dune cellule base de CIGS.
La simplicit chimique du matriau base de tellurure de cadmium - (CdTe) et sa
stabilit en font un matriau attractif. Ses proprits thermo-physiques et ses caractristiques
chimiques permettent de fabriquer des cellules simplement et faible cot. Le rendement des
cellules en CdTe dpend fortement de la manire dont les couches actives sont dposes
(temprature de dpt, vitesse et nature du substrat). Compar aux autres technologies couche
mince, le CdTe est plus facile dposer et donc plus appropri la production de module PV
de surface importante. Linconvnient majeur actuel repose sur la toxicit reconnue du
Cadmium bien quil a t dmontr que les risques environnementaux lis aux cellules PV en
26
CdTe sont minimes [37]. En effet, les modules en CdTe ne prsenteraient pas de risques
sanitaires et environnementaux, et un simple recyclage des modules en fin de vie rsoudrait
dfinitivement le problme de pollution. Lutilisation de CdTe dans les modules
photovoltaques est en fait beaucoup moins inquitante que dautres utilisations du cadmium,
comme par exemple dans les batteries Ni-Cd. Le fabricant amricain de panneaux CdTe First
Solar est lun des premiers industriels proposer un recyclage de ses propres produits. En
effet, lentreprise est soucieuse de rcuprer le cadmium pour des raisons environnementales
et de cots. Contrairement aux wafers de siliciums, les cellules ne peuvent pas tre extraites et
rutilises presque telles quelles. Elles doivent imprativement repasser par une tape
mtallurgique. First Solar estime que ce traitement pourrait galement convenir aux cellules
de type CIS (Cuivre-Indium-Slnium). Dautres fabricants, comme Wrth Solar, travaillent
plus spcifiquement sur cette question.
Dun point de vue rendement nergtique, la filire CdTe, prsente des rendements de
cellules record de 16.5% en laboratoire [38] et des modules commerciaux prs de 10.7%
[39]. LEurope et les USA produisent dj des panneaux en couches minces CdTe. Leurs
rendements avoisinent les 9% et les cots de fabrication semblent tre comptitifs avec la
filire c-Si. Les recherches montrent que le CdTe pourrait atteindre un rendement de 15% pour
un prix de 0.5/Wc moyen terme.
(a)
(b)
Figure 2-21. Caractristique courant-tension dune cellule CIGS.
(a) Courbe relle, (b) Courbe simule
On peut trouver en Figure 2-21 les caractristiques I(V) relle et simule dune cellule
CIGS ralise en laboratoire avec un rendement de 17.5% pour un ensoleillement AM1.5. Ces
rsultats, tout fait remarquables, positionnent le CIGS comme le CdTe au dessus des cellules
silicium en termes de compromis cot-rendement. Bien que moins dveloppes jusqu
prsent que les filires silicium, celles-ci montent nanmoins en puissance avec un fort
potentiel de dveloppement en termes de cot de production. La squence de fabrication des
modules en couches minces a-Si, CdTe et CIGS diffre compltement de celle des modules
classiques au silicium. Elle est base sur le principe dinterconnexion monolithique o les
cellules sont des bandes isoles par gravure et connectes en srie entre elles par dpt de
contacts.
Bien que la majeure partie de la production de cellules solaires soit faite sur des
substrats de verre, on voit apparatre progressivement de nouveaux substrats souples
compatibles avec la filire couche mince. Ces nouveaux substrats (mtal ou plastique)
prsentent les avantages dtre plus lgers que le verre, plus faciles mettre en uvre et
surtout moins coteux. Ces caractristiques font deux des supports de choix pour le futur.
27
2.3.4.7.Les multi-jonctions en couche mince.
a-Si
c-Si
Densit Spectrale
Pour amliorer les performances des cellules couche-mince, des architectures double
et triple jonctions ont t dveloppes. Elles sont inspires des cellules multi-jonction
dveloppes initialement pour le spatial pour bnficier au maximum du spectre solaire. Elles
prsentent nanmoins une mise en uvre plus simple et mieux maitrise aujourdhui pour le
march terrestre. Nous pouvons citer par exemple les cellules tandem base de silicium la
fois amorphe et polycristallin (a-Si/c-Si) [40,41]. Les meilleurs rendements stabiliss en
laboratoire sont de lordre de 12% pour ces cellules. Il sagit comme pour les multi-jonctions
dempiler deux cellules photovoltaques qui absorbent des photons de longueurs donde
diffrentes. Par ce mcanisme, lensemble tandem compos de lassociation de deux cellules,
permet dabsorber un plus large spectre lumineux et ainsi produire plus dnergie quune
cellule simple jonction. La premire couche en silicium amorphe absorbe une partie du
spectre alors que lautre partie, qui la traverse, est absorbe par la seconde couche en silicium
microcristallin. Le procd de fabrication est le mme que pour les couches minces, les
diffrentes couches qui composent la cellule sont dposes par plasma (PECVD) sur un
substrat de verre.
Longueur donde
Figure 2-22. Cellule Tandem a-Si/c-Si & spectre solaire et spectres dabsorption.
On peut observer en Figure 2-23 les caractristiques lectriques relles et simules
dune cellule tandem a-Si/c-Si. Contrairement aux autres cellules simple jonction, la tension
de circuit ouvert de cette cellule slve 1.39V. Cette hausse de tension sexplique par
larchitecture tandem quivalente la mise en srie de deux cellules. Par consquent, les
tensions Voc de la cellule a-Si et de la cellule c-Si sadditionnent. Cette configuration lie
cependant lectriquement les deux cellules. Ainsi, le courant produit par cette association
dpend de la cellule produisant le plus faible courant. Gnralement, on optimise
conjointement les deux cellules afin doptimiser la puissance fournie par lensemble tandem.
(a)
(b)
Figure 2-23-Caractristique courant-tension dune cellule Tandem a-Si/c-Si. (a) Courbe
relle, (b) Courbe simule.
28
Une triple jonction, particulirement prometteuse, base de silicium amorphe a t

dveloppe au NREL (National Renewable Energy Laboratory) au Colorado, en association
avec United Solar Systems Corp. Cette nouvelle structure se compose de trois couches qui
capturent diffrentes longueurs d'onde, doublant les rendements par rapport la limite
thorique des jonctions simples [42,43]. La premire cellule, qui capture les photons bleus,
fait appel un matriau a-Si disposant dun gap de 1.8eV. La cellule centrale en silicium
amorphe et germanium (10 15% de concentration en Ge) dispose dun gap de 1.6eV qui
permet dabsorber les photons verts. La cellule arrire, en aSi-Ge (40 50% de Ge), capture
les photons rouges et infrarouges (Gap de 1.4eV). Des modules commerciaux triple-jonction
en support souple sont dj disponibles avec des rendements avoisinant les 7% pour des films
solaires de 1 m. Le meilleur rendement de cellule triple-jonction a-Si/a-SiGe/a-SiGe slve
13% en laboratoire. Maintenant, le passage lchelle industrielle et la production de
modules multi-jonction performants sont les principaux dfis auxquels doit faire face cette
technologie afin davoir un dveloppement complet.
2.4. Projet de recherche ATOS.

Le projet Association Tandem Optimis pour le Solaire est un projet qui a t labellis
en 2005 et financ sur trois ans par lAgence Nationale de la Recherche (ANR), organisme
franais qui favorise linteraction entre les tablissements publics et les laboratoires
dentreprises. Ce projet regroupe diffrents laboratoires tels que le LPICM qui est le
coordinateur, le LGEP et le LAAS ainsi que plusieurs partenaires industriels comme TOTAL,
SOLEMS et St GOBAIN afin dassocier leurs comptences. Ce projet a pour but de
dvelopper une nouvelle filire de cellules photovoltaques en couches minces de silicium,
partir de solutions de type tandem innovantes lectrodes intermdiaires. Les constituants du
tandem sont des cellules avant de type PIN en silicium polymorphe hydrogn (pm-Si:H) et
des cellules arrire en silicium microcristallin hydrogn (c-Si:H). Les recherches sur les
couches minces de silicium menes en France ont permis de mettre en vidence une forme
nouvelle de silicium baptise silicium polymorphe (pm-Si:H). Il possde des proprits
lectroniques amliores par rapport au a-Si:H et est moins sensible au phnomne de
dgradation sous lumire. Ce matriau contient galement plus d'hydrogne que le a-Si:H et
possde un gap plus grand (1.8 1.9eV au lieu de 1.7eV). Ces lments font du pm-Si:H un
meilleur candidat pour la cellule avant d'une structure tandem que le traditionnel a-Si:H. Le
silicium microcristallin hydrogn (c-Si:H) possde un gap nettement plus petit que celui du
pm-Si:H, entre 1.1 et 1.5 eV selon la fraction cristalline du matriau. Il s'agit donc d'un
matriau adapt pour la ralisation de la cellule arrire dans une association de type tandem
avec une cellule en pm-Si:H.
Pour amliorer ces deux matriaux rputs pour leur meilleure stabilit par rapport au
silicium amorphe, les travaux ont port sur l'efficacit du dopage et surtout sur l'augmentation
de la vitesse de dpt, qui est un des freins actuels au dveloppement industriel. Un effort
particulier a t ddi la cellule arrire en silicium microcristallin, plus paisse que la cellule
avant, et qui constitue donc l'lment limitant du point de vue de la ralisation industrielle. A
ce titre, une nouvelle voie de dpt de couches minces a t explore, partir de plasma
assist par rsonance lectronique cyclotronique, avec l'objectif d'atteindre des vitesses de
dpt de 150 nanomtres par minute [44,45].
29
Figure 2-24. Module photolectrique en pm-Si:H dvelopp par le LPICM. Association de 8

cellules en srie.
La Figure 2-24 montre la caractristique I (V) dun module en pm-Si:H dvelopp par
le LPICM avec une vitesse de dpt de 48nm/min. Les modules fabriqus partir de ces deux
types de cellules sont ensuite associs partir de couches intermdiaires isoles
lectriquement (dcouplage lectrique mais pas oprique) suivant deux approches (hybride ou
monolithique). L'avantage de cette association est de pouvoir accder chaque type de
cellules indpendamment. Ainsi, elle permet de s'affranchir de la contrainte habituelle des
cellules tandem, savoir l'ajustement des courants dans chacune des cellules dpendant des
cellules produisant le moins de courant et la ralisation d'une jonction intermdiaire de type
tunnel. Lobjectif de cette dissociation est de procurer davantage de souplesse pour une
gestion optimale des puissances disponibles en sortie qui comme les courants ne sont pas
maximales dans les mmes conditions. Ceci est conditionn par la conception dtages
dadaptations performants entirement adapts aux caractristiques de chaque couche de
matriau [46].
pm-Si:H
Electrode intermdiaire
c-Si:H
Figure 2-25-Projet ATOS - Cellule Tandem avec lectrode intermdiaire pour une gestion
indpendante de chaque cellule.
Deux types de structures peuvent alors tre tudis. Dune part une structure, dite 4
lectrodes, pour laquelle les cellules polymorphe et microcristalline sont spares
lectriquement et physiquement, soit par prparation indpendante suivie dassemblage au
moyen dune couche dlastomre de silicone, soit par dpts successifs avec mise en place
dune couche de rsine silicone disolation lectrique mais totalement transparente. Dans le
projet ATOS, nous avons dvelopp lapproche de modules indpendants. Les structures 4
30
lectrodes peuvent tre fabriques par post assemblage des cellules ou modules polymorphe et
microcristallin fabriqus sparment.
Outre la structure quatre lectrodes partir de deux modules assembls, on peut
envisager dautres solutions pour des modules tandem monolithiques trois ou quatre fils. Par
exemple, une structure, dite 3 lectrodes, peut tre forme en dposant successivement les
deux cellules et en les couplant lectriquement par une couche intermdiaire de TCO, agissant
la fois comme contact lectrique et comme rflecteur pour la cellule polymorphe. Il est aussi
possible de raliser une structure monolithique quatre lectrodes en intercalant une couche
dilectrique base de rsine entre deux couches de TCO.
Dans tous les cas de figure, comme les caractristiques intrinsques des deux types de
matriaux rpondent diffremment aux longueurs donde du spectre solaire, chaque type
dassociation de cellules ne prsentera pas la mme caractristique I(V) et donc pas le mme
point de puissance optimal. Une partie significative du projet a donc t consacre aux aspects
"systme" sur llaboration des commandes et de la gestion optimises. Le LAAS a t en
charge de cette tche compte tenu de lexprience acquise sur les tages dadaptation et les
MPPT. Nous avons travaill sur ce principe de gestion permettant de rendre indpendant
chaque cellule de lensemble tandem, le but tant dexplorer de nouvelles architectures, den
montrer les verrous et de dvelopper un dmonstrateur permettant de prouver les bnfices
individualiser cette gestion, Figure 2-25. L'objectif final est d'atteindre un rendement
photovoltaque global suprieur 12 % partir de cette filire silicium entirement "couches
minces" et "basse temprature". Cest dans ce contexte que se situe les travaux dvelopps
dans cette thse. Dans les diffrents chapitres, nous montrons la construction progressive
darchitectures innovantes fortement distribues en valuant chaque tape les gains obtenus.
2.5. Conclusion.
Le monde de la conversion photovoltaque, aussi bien au niveau de la recherche quau
niveau industriel, connat depuis quelques annes une mutation profonde associ lintrt
croissant pour lnergie photovoltaque. Ce chapitre nous a permis dexplorer le principe de la
conversion photovoltaque ainsi que les diffrentes technologies utilises pour y parvenir. Des
aspects aussi bien technologiques qulectriques on t abords afin de mieux comprendre
lensemble du mcanisme de conversion photovoltaque. Les possibilits dinnovation sont
trs grandes et sont portes par le bouillonnement des recherches en vue damliorer les
filires existantes mais surtout den trouver des nouvelles et de prparer les prochaines
ruptures, autant technologiques notamment dans les matriaux et les rendements que
conceptuelles par des approches conjointes matriaux-systme. Pour ces dernires, elles
doivent associer des chercheurs de tous horizons sur des bases pluridisciplinaires, comme
dans le projet ATOS, ce qui constitue un contexte dynamique de recherche innovant et sans
prcdent notre connaissance.
Un lment cl dans ces recherches est la capacit de conversion photovoltaque, il
nous faut donc parler du graal des recherches dans le domaine du photovoltaque qui est
lobtention de rendements trs levs. Ces recherches sappuient sur lanalyse thorique de la
conversion photon-lectron adapte lensemble du spectre solaire. Celles-ci montrent que le
rendement maximum thorique serait alors denviron 85% [47]. On est loin de ces
rendements. Le chemin parcourir par rapport aux valeurs actuelles laisse un potentiel dau
moins 30% damlioration par rapport des cellules classiques. La Figure 2-26 montre
lvolution des rendements record des principales filires photovoltaques actuelles. On y
31
retrouve les diffrentes cellules au silicium monocristallin et poly-cristallin, les cellules au

silicium amorphe, les cellules en alliage de diSlniure de Cuivre Indium Galium (not
CIGS), au tellurure de cadmium (CdTe), mais aussi les cellules base de composs III-V qui
appartiennent la catgorie des cellules multi-jonctions. A ct des filires bien tablies, sont
apparues de nouvelles filires, bases sur lutilisation de colorants ou de matriaux
organiques, qui nen sont qu leurs balbutiements.
Figure 2-26- Rendements record de cellules photovoltaques obtenus en laboratoire. Source

NREL.
Dans chacun de ces domaines, nous avons montr les problmes de chaque
filire et les voies de dveloppement actuellement suivies. Par exemple, pour la filire
silicium cristallin, qui reprsente 90% du march du photovoltaque, la diminution des pertes
lie la dcoupe des cellules est un grand challenge en soi qui est en plus assortie dun
souhait en mme temps de rduire lpaisseur de chaque cellule pour conomiser la matire
premire. Cependant, le rendement de cette filire simple jonction est thoriquement limit
29%. Pour trouver des cellules haut rendement, on doit maintenant se tourner vers les
cellules multi-jonctions dont le dveloppement a t motiv en priorit par les applications
spatiales. Toutefois, ces cellules sont encore trop chres pour concurrencer le march
photovoltaque terrestre mais certains pensent pouvoir rduire ce prix en utilisant des
concentrateurs solaires. A ct, on trouve actuellement une filire en pleine essor base sur les
technologies couche mince . Le principe est de convertir le plus de photons possibles en
lectricit en utilisant le moins de matriau ractif possible. Lintrt de cette filire est la
rduction du cot de fabrication grce une rduction de matire premire et une mthode
dintgration des cellules totale. Contrairement aux filires de silicium cristallins, cette
technologie ne ncessite ni de dcoupes ni de post-assemblage des cellules pour aboutir un
module. Ici, les matriaux photovoltaques sont directement dposs sur substrat par le biais
de plasma sous diffrents processus, ce qui permet de produire directement un module.
Dans notre parcours travers les diffrentes filires photovoltaques, nous nous
sommes attachs dvelopper des modles lectriques simplifis de chaque type de cellule
photovoltaque. Cette dmarche
permet de visualiser rapidement lvolution des
caractristiques lectriques des cellules photovoltaques en fonction de leur composition,
Figure 2-27. Ces donnes vont nous servir alimenter les simulateurs de type circuit en ayant
32
un comportement des GPV le plus prs possible de la ralit afin de pouvoir optimiser au
mieux les tages dadaptation et la gestion ncessaires pour encore augmenter le rendement.
On peut conclure que, quel que soit le matriau photosensible utilis, une cellule
photovoltaque soumise un ensoleillement est un gnrateur non linaire de puissance. La
cellule lmentaire reste donc un gnrateur de faible puissance qui ncessite diffrentes
architectures dassociations et de gestion afin de rpondre nos besoins nergtiques. Cest
donc dans ce contexte que nous abordons dans les chapitres suivants les diffrentes chanes de
conversion photovoltaque susceptibles de valoriser la production lectrique solaire.
Multi-cristallin
Icell (A)
CIGS
Amorphe
Organique
Vcell (A)
Figure 2-27. Caractristiques lectriques simules de cellules simple jonction issues de

diffrentes filires photovoltaques.
33
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[44] Y.M. Soro, A. Abramov, M.E. Gueunier-Farret, E.V. Johnson, C. Longeaud, P. Roca i
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high rates ; Journal of Non-Crystalline Solids, Volume 354, Issues 19-25, 1 May 2008,
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[45] Y.M. Soro, A. Abramov, M.E. Gueunier-Farret, E.V. Johnson, C. Longeaud, P. Roca i
Cabarrocas, J.P. Kleider, Polymorphous silicon thin films deposited at high rate:
Transport properties and density of states , Thin Solid Films, Volume 516, Issue 20, 30
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[46] Ma, W.; Horiuchi, T.; Lim, C.C.; Goda, K.; Okamoto, I.I.; Hamakawa, Y.; An
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1993., Conference Record of the Twenty Third IEEE, 10-14 May 1993 Page(s):833 838,
Digital Object Identifier 10.1109/PVSC.1993.347113
[47] Article PHOTOVOLTAICS: Research targets more-efficient photovoltaics .
Laser Focus World June, 2006 par Yvonne Carts-Powell.
38
CHAPITRE 3
3. LES DIFFRENTES CHANES DE

CONVERSION PHOTOVOLTAQUE ET
LEURS VOLUTIONS.
39
40
CHAPITRE 3 : LES DIFFRENTES CHANES DE CONVERSION PHOTOVOLTAQUE ET LEURS VOLUTIONS
3.1. Introduction.
Llectricit photovoltaque a dans un premier temps t dveloppe pour des
applications autonomes sans connexion un rseau lectrique pour par exemple des satellites
de tlcommunication ou pour des habitations isoles. On la trouve maintenant dans des
applications de diverses puissances comme des calculatrices, des montres et dautres objets
dutilisation courante. En effet, cette lectricit produite par des cellules photovoltaques
individuelles peut alimenter diverses charges continues sans difficult. Plus rcemment, avec
lmergence dinstallations photovoltaques connectes au rseau de distribution, le
photovoltaque a connu un dveloppement important en tant que moyen de production
dlectricit. Ainsi, la puissance des installations photovoltaques relies au rseau en France
est passe de 6,2 MWc en 2005 12,3 MWc en 2006.
Cette volution constante a t rendue possible grce aux recherches fondamentales
menes dans le domaine des matriaux photovoltaques comme nous avons pu le voir dans le
chapitre prcdent, mais aussi par lamlioration progressive des dispositifs de gestion de
cette nergie men en parallle. En effet, llectricit photovoltaque est une source dnergie
intermittente, caractre non-linaire et dpendante de nombreux paramtres comme
lirradiance et la temprature. Il a donc fallu adapter cette source dnergie notre mode de
consommation, soit en stockant la production solaire dans des batteries ou dans tout autre
moyen de stockage en cours de dveloppement, soit en la renvoyant sur le rseau lectrique
public.
Les premires avances technologiques ont t ralises dans lassociation des cellules
photovoltaques afin de crer des panneaux solaires disposant de caractristiques lectriques
susceptibles de rpondre nos besoins et prsentant une grande fiabilit permettant une
garantie des caractristiques au-del de 25 ans. Plus rcemment, avec le dveloppement dune
lectronique de puissance spcifique ddie aux applications photovoltaques, beaucoup de
systmes de conversion innovants ont t conus, notamment des onduleurs ayant des
premiers tages dadaptation en entre assurant la recherche de PPM. En effet, ces dispositifs
permettent aujourdhui dadapter et doptimiser la production photovoltaque par le biais de
convertisseurs de puissance DC-DC insrs entre les modules photovoltaques et lentre de
londuleur. Gnralement, ces tages disposent de commandes de gestion lectrique plus ou
moins complexes permettant dadapter la tension PV la tension dentre de londuleur.
Dans ce contexte, lobjectif de ce chapitre est de prsenter un tat des lieux actuel des
diffrentes architectures de gestion de lnergie photovoltaque afin de mieux comprendre les
enjeux et les perspectives venir de llectronique de puissance dans ces applications. Nous
dveloppons ainsi les structures DC-DC utilises classiquement pour apporter une solution
technologique dans lapprovisionnement en lectricit de zones difficilement accessibles,
loignes de tout rseau ou pour lalimentation de secours de rseaux peu fiables, mais aussi
les structures DC-AC essentiellement utilises pour le couplage avec les rseaux lectriques
publics.
41
3.2. Architecture classique dun gnrateur photovoltaque.

Dans des conditions densoleillement standard (1000W/m ; 25C ; AM1.5), la
puissance maximale dlivre par une cellule silicium de 150 cm est d'environ 2.3 Wc sous
une tension de 0.5V. Une cellule photovoltaque lmentaire constitue donc un gnrateur
lectrique de faible puissance insuffisante en tant que telle pour la plupart des applications
domestiques ou industrielles. Les gnrateurs photovoltaques sont, de ce fait raliss par
association, en srie et/ou en parallle, d'un grand nombre de cellules lmentaires [1].
Une association de nS cellules en srie permet daugmenter la tension du gnrateur
photovoltaque (GPV). Les cellules sont alors traverses par le mme courant et la
caractristique rsultant du groupement srie est obtenue par addition des tensions
lmentaires de chaque cellule, Figure 3-1. Lquation (3-1) rsume les caractristiques
lectriques dune association srie de ns cellules.
Vcons = n s *Vco
avec
(3-1)
Icc = Iccns
Ce systme dassociation est gnralement le plus communment utilis pour les

modules photovoltaques du commerce. Comme la surface des cellules devient de plus en plus
importante, le courant produit par une seule cellule augmente rgulirement au fur et mesure
de lvolution technologique alors que sa tension reste toujours trs faible. Lassociation srie
permet ainsi daugmenter la tension de lensemble et donc daccrotre la puissance de
lensemble. Les panneaux commerciaux constitus de cellules de premire gnration sont
habituellement raliss en associant 36 cellules en srie (Vcons=0.6V*36=21.6V) afin
dobtenir une tension optimale du panneau Vopt proche de celle dune tension de batterie de
12V.
ICC
Cell.1
ns Cellules en
srie
1 Cellule
ICC
Cell.2
Vco ns
x Ns
ns
Cell.Ns
Vco
Vco ns
Figure 3-1. Caractristiques rsultantes dun groupement de ns cellules en srie.

Dautre part, une association parallle de nP cellules est possible et permet daccrotre
le courant de sortie du gnrateur ainsi cr. Dans un groupement de cellules identiques
connectes en parallle, les cellules sont soumises la mme tension et la caractristique
rsultant du groupement est obtenue par addition des courants, Figure 3-2. Lquation (3-2)
rsume son tour les caractristiques lectriques dune association parallle de np cellules.
42
Isc np = n p * Isc
avec
Voc n p = Voc
(3-2)
np Cellules
en parallle
ICC np
x Np
np
Cell. Np
Cell.2
ICC np
Cell.1
Vco
1 Cellule
ICC
Vco
Figure 3-2. Caractristiques rsultant dun groupement de np cellules en parallle.

La caractristique I(V) dun gnrateur solaire peut tre considre comme le fruit
dune association dun rseau de ns*np cellules en srie/parallle. La caractristique globale
peut, en outre, varier en fonction de lclairement, la temprature, du vieillissement des
cellules et les effets dombrage ou dinhomognit de lclairement. De plus, il suffit dune
occultation ou dune dgradation dune des cellules mises en srie pour provoquer une forte
diminution du courant solaire produit par le module photovoltaque. Lorsque le courant dbit
est suprieur au courant produit par la cellule faiblement claire, la tension de celle-ci
devient ngative et devient un lment rcepteur. Celle-ci se retrouve dissiper une quantit
trop importante de puissance lectrique qui pourrait aboutir sa destruction si le dfaut
persiste trop longtemps. C'est le phnomne dit de hot spot ou point chaud [2, 3, 4].
Pour remdier ce phnomne, on quipe donc les panneaux photovoltaques de
diodes by-pass qui ont pour rle de protger les cellules qui deviennent passives -Figure 3-3a. Des mesures ralises sur un module photovoltaque commercial de 85 Wc sur lequel on
occulte volontairement ( diffrents niveaux dombrage) une des 36 cellules qui composent ce
gnrateur sont consignes en Figure 3-4. On observe bien la dformation de la courbe I(V)
lie un effet dombrage partiel du module PV. La diode by-pass lorsquelle se met
fonctionner, court-circuite alors une partie du panneau comme indiqu en Figure 3-3-b,
vitant ainsi la circulation de courants inverses au sein des cellules dfectueuses. Par contre,
cette solution efficace rduit dautant la puissance dlivre ainsi que la tension aux bornes du
panneau. La dgradation dune seule cellule condamne donc le groupe de cellules associ la
cellule dfectueuse et protge par la diode by-pass ne pas produire de puissance. Ce
phnomne de perte partielle de puissance est comparer la perte totale dun panneau entier
en cas de problme sur une cellule avec un panneau fonctionnant sans protections [5,6].
43
Diode Anti-retour
Np cellules
en
parallle
Diodes
Bypass
Ns cellules
en srie
Cellule
dfectueuse
(a)
(b)
Figure 3-3. (a) Architecture Classique dun panneau solaire photovoltaque avec diodes de
protections. (b) Dfaillance dune des cellules du module PV et activation de la diode by-pass
et mise en vidence du courant de circulation IPV..
Une autre protection consiste protger le module photovoltaque contre les courants
ngatifs qui pourraient tre gnrs lors de diffrentes connexions en parallle de plusieurs
panneaux (lorsque le panneau devient rcepteur plutt que gnrateur). Ainsi, une diode antiretour est mise en srie avec chaque branche dun GPV. Le risque est que des chanes de
cellules fortement claires dbitent dans des chanes soumises moins dclairement. Il est
souligner que la prsence de cette diode anti-retour permet dviter tous les courants ngatifs
y compris provenant de la charge (comme une batterie par exemple fonctionnant tout le temps
et pouvant dbiter sur le GPV la nuit).
3
Courant PV (A)
2.5
Full PV
1 Cell Ombrage
1 Cell 20%
1.5
1 Cell 35%
1
0.5
0
0
10
15
20
25
Vpv (V)
Figure 3-4. Caractristique IPV(VPV) dun panneau photovoltaque BP 585 et effet

doccultation dune des 36 cellules qui composent le module PV.
On saperoit donc que la matrise de cette nergie photolectrique nest pas aussi
simple quil ny parat. La production de courant dans un module photovoltaque du
commerce est donc limite par la cellule la plus faible de lensemble. Gnralement, lors de
lassemblage des cellules, il est ncessaire de les trier en fonction de leurs caractristiques
44
lectriques afin dobtenir une association homogne et ainsi viter de limiter la puissance
fournie par un panneau cause dune dispersion des cellules. De plus, le vieillissement des
cellules peut produire une dispersion des caractristiques. Les conditions mtorologiques
auxquelles les modules sont soumis (ensoleillement inhomogne, temprature, salissures,
neige, pluie, dpt de feuilles mortes, ) fait de lnergie photovoltaque une ressource
difficilement matrisable. Actuellement, pour en faire une source dnergie proprement dite,
un grand nombre de chercheurs du monde entier travaillent pour la rendre plus abordable en
termes de flexibilit, de rendement et de cots.
3.3. Dfinitions des rendements associs la chane de conversion.

Une normalisation des origines des pertes dans une chane de conversion
photovoltaque est indispensable pour pouvoir en connatre ses performances et envisager de
les amliorer. Ceci se traduit par la dfinition de plusieurs rendements distincts. Nous
rappelons les dfinitions des diffrents rendements utiliss tout au long de ce document et des
conditions de mesures de ces derniers. Ainsi, le rendement global de la chane de conversion
qui en rsulte reflte bien lensemble des sources de pertes rparties sur lensemble de la
chane PV.
Lirradiance G (W/m) est dfinie comme la quantit d'nergie lectromagntique
solaire incidente sur une surface par unit de temps et de surface. La puissance reue par un
panneau de surface A (m) est donc gale G*Aeff. La surface Aeff reprsente la surface du
panneau correspondant la partie active et susceptible de pouvoir effectuer la conversion
photovoltaque et non la surface totale occupe par le panneau solaire. Plusieurs systmes de
mesures existent. Lutilisation dun pyranomtre est la plus frquente mais ncessite un grand
nombre de prcautions en termes de mesures sur la propret de ce dernier et les temps de
mesures de lordre de quelques dizaines de secondes. Dautre part, il existe dautres types de
mesures associes des capteurs base de diode silicium commercialiss sous le nom de
sonde radiation globale . Ils ont lavantage de prsenter des temps de rponse infrieurs
la seconde compatibles aux temps de rponse de GPV base de silicium mais sont limits la
largeur spectrale de sensibilit du silicium (0,4 1,1m). Quelle que soit la mthode utilise,
aujourdhui, la prcision de ces donnes sur G est malheureusement faible lorsque lon essaie
de caractriser un ensoleillement instantan rel arrivant au niveau du sol terrestre (de lordre
de 10%) [7]. Le dbat reste donc ouvert pour amliorer ce domaine de mtrologie.
Dans ce contexte et faute de plus de prcision, nous prendrons comme dfinition du
rendement traduisant la capacit maximale dun GPV ainsi que sa qualit de la conversion
photons-lectrons dun panneau solaire not pv, le rendement dfini selon lquation (3-3)
pv =
PMAX
G. Aeff
(3-3)
o PMAX est le maximum de puissance potentiellement disponible la sortie du GPV

dpendant du matriau photovoltaque, de linstant et de lendroit des mesures, des conditions
mtorologiques et de la temprature.
45
Etage
dAdaptation
GPV
Charge
G
PMAX
Ppv
Pout
Figure 3-5. Chane de conversion photovoltaque.

La puissance dlivre par le GPV note PPV est plus ou moins loigne du potentiel
productible not PMAX en fonction de ltage dadaptation utilis pour raliser la conversion et
le transfert nergtique (Onduleur, convertisseur DC-DC, connexion directe). La dfinition
dun nouveau rendement traduisant les pertes nergtiques est alors ncessaire. Nous
lassocions au point de fonctionnement du GPV et nous le notons MPPT. Il correspond la
capacit de ltage dadaptation exploiter sa puissance maximale (PMAX) disponible aux
bornes du panneau photovoltaque. Ce rendement MPPT est obtenu en divisant la puissance
disponible aux bornes du GPV par la puissance maximale potentiellement dlivrable par ce
mme GPV. Pour tre prcis, ce rendement est le fruit de mesures des puissances effectues
sur un intervalle de temps trs court (<1s). Il sera donc reprsentatif dun instant donn, de
conditions mtorologiques prcises et de modes de fonctionnement donns. En rsum, ce
rendement reprsente un rendement instantan des performances du GPV.
MPPT =
PPV
PMAX
(3-4)
Pour transfrer la puissance lectrique produite, le mode de transfert utilis peut

prsenter plus ou moins un taux de pertes li sa constitution. Nous dfinissons pour qualifier
ces tages de conversion lectrique-lectrique et de transfert, le rendement de conversion dun
tage dadaptation not conv, dfini en (3-5), et permettant dvaluer les pertes lies la
conversion de puissance associe ltage dadaptation. L aussi, ce type de rendement
dpend du temps et des conditions de fonctionnement. Il est ncessaire, pour obtenir une
grande prcision sur cette grandeur, deffectuer les mesures de courant et de tension en entre
et en sortie de ltage au mme instant garantissant ainsi la connaissance prcise du transfert
de puissance effectu un instant donn.
conv =
Pout
PPV
(3-5)
Le rendement global de la chane de conversion photovoltaque, not TOTAL, peut donc

tre dfini comme le produit des trois rendements prcdemment dfinis sur le mme
intervalle de temps.
TOTAL =
P [W ] POUT [W ]
PMAX [W ]
. PV
.
G[W / m]. A[m] PMAX [W ] PPV [W ]
46
(3-6)
Ce rendement traduit la capacit de la totalit dune chane PV produire plus ou

moins de lnergie lectrique. Cela permet galement de comprendre la diffrence entre un
rendement effectu en laboratoire sur des matriaux et des cellules PV sous temprature et
irradiation contrles et le rendement rel des GPV installs fonctionnant en conditions
relles.
Pour les tudes doptimisation que nous avons dveloppes dans cette thse, seuls le
rendement MPPT et le rendement de ltage dadaptation conv ont t considrs. Ces
rendements sont en effet troitement associs aux systmes de gestion et de conversion de
lnergie PV. Ils dfinissent respectivement sa capacit exploiter plus ou moins bien la
puissance produite par un GPV et la capacit de transfert vers une charge dans les meilleures
conditions.
3.4. La connexion directe GPV-charge comme mode de transfert de

puissance.
Charge DC
Diode
Anti-retour
GPV
Figure 3-6. Connexion directe GPV-Charge via une diode anti-retour.

La connexion directe du panneau solaire photovoltaque une charge reste
actuellement le principe de fonctionnement le moins cher et le plus rpandu, Figure 3-6. Bien
sr, il faut sassurer auparavant que la charge accepte bien la connexion directe au gnrateur
de puissance continue quest le panneau solaire. En effet, le GPV est une source dnergie
continue qui ne peut tre connecte une charge alternative que via un tage dadaptation de
type onduleur.
Linconvnient majeur de cette connexion est sa dpendance directe entre la puissance
fournie par le gnrateur et la charge. En fait, la puissance fournie par le module
photovoltaque rsulte de lintersection entre la caractristique I(V) du GPV et celle de la
charge. Comme la caractristique de la Figure 3-7 le montre, la puissance transmise
directement une batterie ou une charge rsistive de type lampe ou bien mme un moteur
(MCC), nest pas toujours effectue la puissance maximale PMAX (PPM = point de puissance
maximale) que peut fournir le panneau solaire. La solution la plus utilise actuellement est de
crer gnralement un GPV par association de cellules pour obtenir une puissance nominale
donne proche de celle ncessaire pour lutilisation. Cette solution est valable pour les
charges DC de type batterie recueillant le courant PV sous des tensions proches de Vopt. Une
autre application directe est le pompage deau au fil du soleil . Dans ce cas, on garantit
statistiquement la concidence du point de puissance maximale PPM du gnrateur avec les
besoins optimaux de la charge. Toutefois, les pertes de ce genre dassociation peuvent aller de
5% 30% selon les gisements solaires et ltat des charges.
47
Rsistance
Batterie
Source de
Courant
PPM
Figure 3-7-Caractristiques lectriques dun gnrateur photovoltaque en connexion directe

GPV-Charge.
Comme nous lavons prcis prcdemment, les caractristiques lectriques dun GPV
peuvent changer rapidement en fonction de lirradiation solaire, de la temprature et plus
long terme du vieillissement des cellules. La Figure 3-8 donne un extrait de caractristiques
lectriques fournies par un constructeur et illustrant bien ces phnomnes en fonction de
lclairement et de la temprature en environnement contrl. En ralit, la connexion directe
est surtout utilise en raison de sa simplicit de mise en uvre, son cot minimal et sa
fiabilit. En termes de rendement, mme si la puissance du GPV est choisie judicieusement
par rapport la charge, ce type de connexion souffre souvent dune mauvaise adaptation
lectrique et prsente des pertes importantes de production dnergie.
Figure 3-8. Caractristiques I(V) dun panneau solaire Photowatt PWX850 en fonction de la
temprature et de lirradiance reue.
48
Pour augmenter la production dun GPV, on trouve de plus en plus dtages

dadaptation entre le panneau et la charge, dans le but doptimiser le transfert de puissance.
Bien sr, ces tages prsentent un surcot par rapport la connexion directe qui ne ncessite
quune simple diode. De nombreuses tudes montrent quune rduction du prix du kWh
produit par un GPV, outre son augmentation du rendement PV, pourrait seffectuer par une
augmentation de lnergie transmise du GPV la charge par lintermdiaire de gestionnaires
appropris. Aujourdhui, on peut trouver deux types dtages dadaptation lectroniques
distincts commercialiss. Le premier type permet de connecter le GPV une charge continue
telle quune batterie. Il fait appel des convertisseurs DC-DC plus communment connus
sous lappellation dhacheurs ou de rgulateurs. Ce type darchitecture est la plupart du temps
utilis pour un fonctionnement en site isol (hors rseau, off-grid en anglais). Cela permet de
couvrir les besoins nergtiques dune rsidence ne disposant pas dune connexion au rseau
lectrique public ou de satisfaire les critres daugmentation dautonomie dans les
applications portables, les transports et le spatial.
Dans certains cas, il ny a pas le choix car les caractristiques de la charge ne sont pas
compatibles avec la forme dlectricit produite par un GPV. Cest le cas de toutes les charges
ayant besoin de tensions alternatives. Dans ce cas, on fait appel un second type
darchitecture permettant deffectuer une conversion continu-alternatif (DC-AC). Ainsi, cette
dernire permet dinjecter tout ou partie de lnergie photovoltaque produite dans un rseau
de distribution. En France, EDF achte systmatiquement lnergie ainsi produite des tarifs
prfrentiels, dfinis dans le cadre rglementaire fix par les pouvoirs publics, dans un but
dun dveloppement massif du solaire photovoltaque.
3.5. La connexion GPV-charge via un tage dadaptation continucontinu.

3.5.1. Introduction.
Les panneaux solaires de premire gnration sont gnralement dimensionns pour
que leurs PPM correspondent la tension nominale de batterie de 12 ou 24 Volts. Grce
cette configuration, une simple connexion directe via une diode anti-retour suffit effectuer le
transfert dnergie du GPV la charge. Cependant, les caractristiques non-linaires du
module photovoltaque et sa sensibilit aux conditions extrieures, comme lclairement et la
temprature, induisent des pertes nergtiques. Lutilisation dun tage dadaptation afin
doptimiser la production dnergie tout moment est ainsi de plus en plus prconise.
Lessentiel des travaux effectus dans le cadre de cette thse a t consacr ltude de
diffrents systmes dadaptation afin de choisir le plus appropri en fonction de lapplication.
Diverses architectures ont ainsi t mises au point pour amliorer la production dun GPV.
Pour une meilleure comprhension des travaux prsents dans la suite de ce manuscrit, nous
rappelons ainsi divers principes de fonctionnement des tages dadaptation ainsi que des
lments lectroniques qui les composent.
3.5.2. Principe de fonctionnement dun tage dadaptation DC-DC.
La Figure 3-9 prsente le schma de principe dun module photovoltaque dot dun
tage dadaptation DC-DC entre le GPV et la charge de sortie. Cette structure correspond un
systme plus communment appel systme autonome. Il permet le plus souvent dalimenter
une batterie servant de stock dnergie ou une charge qui ne supporte pas les fluctuations de
49
tension (ballast,). Cet tage dadaptation dispose dune commande MPPT (Maximum
Power Point Tracking) qui lui permet de rechercher le PPM que peut fournir un panneau
solaire photovoltaque. Lalgorithme de recherche MPPT peut tre plus ou moins complexe en
fonction du type dimplantation choisi et des performances recherches. Cependant au final,
tous les algorithmes performants doivent jouer sur la variation du rapport cyclique du
convertisseur de puissance associ.
De nombreuses recherches sur les commandes MPPT ont t effectues afin de trouver
un systme optimal permettant une recherche de PPM selon lvolution de la puissance
fournie par le gnrateur photovoltaque. Les commandes MPPT dveloppes au LAAS, par
exemple, sont toutes bases sur une commande extrmale (de type Perturb & Observe, P&O).
Dans la littrature, nous pouvons trouver diffrents types dalgorithmes de commandes
extrmales prsentant plus ou moins de prcisions [8,9,10]. A partir de lvaluation ou de la
mesure de la puissance fournie par le gnrateur, ces commandes utilisent le rapport cyclique
du convertisseur de puissance (CS) pour appliquer une action de contrle adquate sur ltage
et pour suivre lvolution au cours du temps du PPM. Un grand nombre de ces commandes
ont lavantage dtre prcises et davoir une grande rapidit de raction mais souffrent encore
dun manque doptimisation de leur algorithme parfois trop complexe et consommant alors
trop dnergie.
DC
GPV
DC
Charge
DC
Vpv
Ipv
Commande
MPPT
Figure 3-9.Chaine de conversion photovoltaque avec convertisseur DC/DC contrl par une
commande MPPT sur charge DC.
Dautres commandes MPPT sont bases sur la rgulation du courant dlivr par le
GPV en supposant que ce dernier est une image proportionnelle au PMAX. Ceci permet de
sapprocher le plus possible du courant optimal IOPT. Pour cela, lalgorithme MPPT de ce type
de commande calcule un courant de rfrence driv directement du ICC du gnrateur PV.
Cela ncessite donc que le systme effectue priodiquement un court-circuit du module PV
afin deffectuer la mesure du courant. Ensuite, partir dune relation de proportionnalit plus
ou moins complexe, on peut obtenir la rfrence du courant du gnrateur PV qui est suppos
proche du courant optimal souhait [11]. Ce type de commande ayant besoin uniquement dun
seul capteur, savre plus facile mettre en uvre et un peu moins coteux que les
commandes extrmales. Par contre, la prcision de ces commandes est faible notamment
cause du procd destimation de ICC qui ne peut pas se faire trop souvent. Lchelle
temporelle de raction est alors au mieux de lordre de la minute. Dans le mme concept de
commande, certains auteurs [12,13] dduisent la tension optimale Vopt partir de la tension
VCO du gnrateur en effectuant des estimations plus ou moins prcises. Pour ce faire, une
fraction constante de la tension VCO est utilise comme rfrence pour la tension du panneau.
Ce type de commande nest pas non plus trs prcis et prsente linconvnient douvrir le
systme trs souvent.
50
Beaucoup dautres solutions de recherche de PPM existent. Nous utiliserons dans nos
travaux de validation une des dernires versions de commandes MPPT labores au LAASCNRS durant ces dernires annes base sur le principe de commande extrmale et proche
des commandes de type P&O. Il faut savoir que ce type de commande impose une oscillation
permanente autour du PPM. En effet, cette oscillation est ncessaire pour connatre les
variations de la puissance de sortie du GPV et ainsi pouvoir rajuster le rapport cyclique du
convertisseur lectrique en un temps minimal. Cet avantage de ractivit entrane toutefois
des pertes en rgime tabli. Nous les avons valu infrieures 0,5 % restant ainsi
relativement faibles par rapport dautres types de pertes existantes sur la totalit de la
chane. Ces pertes sont par ailleurs largement compenses par un fonctionnement dynamique
(lors de transitoires) optimal entranant une rapidit de recouvrement de nouveaux PPM
rarement existante dans les autres types de MPPT (de lordre de la ms).
3.5.3. Les avances.
Les travaux raliss par Angel Cid-Pastor, dans le cadre de sa thse sur la conception
et la ralisation de modules photovoltaques lectroniques lchelle de 100Wc [14], ont
montr le bnfice utiliser un tage dadaptation lectronique par rapport une utilisation
dune simple connexion directe par diode anti-retour, Figure 3-10.
Diode anti-retour
BP585
Etage
dadaptation
+
MPPT
Charge
DC
Charge
DC
BP585
a)
b)
Figure 3-10. Schmas de principe dune connexion via a) un tage dadaptation avec MPPT et
b) dune connexion directe.
Un exemple de rsultats de ses travaux est consign en Figure 3-11 et reprsente la
superposition des rendements MPPT des deux types de connexion. Cela permet de constater
que le MPPT de ltage dadaptation avec fonction MPPT est toujours suprieur celui de la
diode. De plus, le MPPT de ltage est indpendant du niveau tension de la batterie
contrairement au cas dune connexion directe.
Bien que ces tages dadaptation dimensionns lchelle dun panneau constitus de
18 40 cellules en srie reprsentent aujourdhui un progrs important en termes de gain
nergtique (de 5% 10%), des problmes doptimisation persistent lchelle de la cellule.
Ainsi, un des problmes prsents par ce systme, est quen cas dombrage total ou partiel
dune partie du GPV, une grande partie des cellules connectes ltage dadaptation ne peut
plus produire de puissance. Ainsi, si lombrage concerne une seule cellule, la diode by-pass en
antiparallle condamne la production de lensemble des cellules autour du dfaut, soit de 12
18 cellules. De plus, lorsque le GPV possde plusieurs diodes-bypass et en cas de
fonctionnement dau moins lune dentre elles, la commande MPPT de ltage dadaptation
est incapable didentifier le point de puissance maximal optimal de ce systme (problme de
prsence de plusieurs PPM partiels).
51
Figure 3-11- Comparaison de MPPT pour une connexion directe (Diode) et laide dun
tage dadaptation de type Boost avec MPPT (MPVE).
La caractristique consigne en Figure 3-12 montre limpact de lombrage sur une
seule cellule photovoltaque, parmi les 36 qui composent le module PV, sur la production de
puissance du GPV. Ces tests ont t raliss sur un module PV rfrenc BP585 constitu de
deux fois 18 cellules en sries. Leur environnement de fonctionnement traditionnel comprend
la connexion de deux diodes by-pass et dune diode anti-retour. Prenons le cas dun
fonctionnement normal, on retrouve bien la caractristique P(V) classique dun gnrateur
photovoltaque (Full PV), avec un PPM au point 1. Mais lorsquune cellule du module est
totalement ombrage, la diode by-pass isole la partie dfectueuse du panneau et on ne peut
rcuprer au mieux que la moiti de la puissance de fonctionnement normal (PPM en point
4). Un nouveau problme survient lorsquune ou plusieurs cellules sont moins bien claires
que les autres. On trouve alors deux PPM distincts sur la caractristique P(V) du GPV (point
4 et point 2 ou 3 pour des clairements respectifs de 20 et 35% infrieurs dans une partie du
systme par exemple). Cette distorsion de la courbe de puissance perturbe alors lensemble
des systmes de recherche du PPM ne pouvant pas garantir que le GPV fonctionne son
optimum. Au mieux, le systme va saccrocher un des PPM sans savoir si cest le plus
productif. Par ailleurs, pour les mthodes de contrle MPPT bases sur lestimation du PPM
par mesure du VOC ou du ICC, ces algorithmes bass sur les relations de proportion respectives
entre ICC et Iopt, ou bien VOC et Vopt lorsque lclairement du GPV est homogne, deviennent
errons ds lors que les caractristiques lectriques du GPV rentrent dans un mode dgrad.
Pour le cas de la MPPT extrmale du LAAS, qui fonctionne sur le calcul de la drive
de la courbe de puissance, une drive gale zro devrait normalement prouver que nous
sommes bien sur le PPM de fonctionnement. Dans le mode dgrad dclairement
inhomogne, ltage dadaptation trouvera bien un PPM mais rien ne prouve que ce soit celui
qui produit le maximum de puissance. Ainsi, le systme peut croire que le point 4 est le PPM,
alors que les cas optimaux sont les 2 ou 3. Ltage dadaptation ne remplit donc pas tout fait
son rle de maximisation de transfert de puissance lorsque le GPV se retrouve en mode
dgrad dombrage partiel.
52
40
Puissance PV (W)
35
2
30
25
Full PV
20
1 Cell Ombrage
1 Cell 20%
15
1 Cell 35%
10
5
0
0
10
15
20
25
Vpv (V)
Figure 3-12. Caractristiques PPV(VPV) dun panneau photovoltaque et effets doccultation

dune des cellules qui composent le module PV.
En rsum, les perturbations extrieures lies un clairement inhomogne et les
dfauts dans le matriau des cellules lies au vieillissement peuvent modifier les
caractristiques lectriques des modules photovoltaques [15,16]. Ces modifications
intempestives et invitables perturbent donc les recherches des PPM sur des chanes de
cellules comprenant plusieurs diodes by-pass. Le contrle MPPT peut mme engendrer des
erreurs sur le PPM le plus productif et donc reprsenter une perte de puissance de prs de 50%
voir plus en cas de dfaut dclairement inhomogne (point de fonctionnement 4 par rapport
au point 2). Conscient des problmes de fonctionnement non optimaux en mode dgrad des
tages dadaptation lchelle dun module commercial ou dune chane de modules, le
LAAS a dcid deffectuer des recherches sur de nouveaux tages dadaptation mieux adapts
la problmatique dombrage et dclairement inhomognes. Pour cela, nous avons cherch
savoir si les architectures devaient tre encore plus discrtises et quelle chelle de
puissance.
3.5.4. Intrts de la discrtisation.
La gestion globale dun panneau solaire est importante considrer afin doptimiser sa
production nergtique tout au long de sa vie. Une solution envisageable consiste diviser le
panneau en plusieurs parties et en distribuant ensuite la gestion de son nergie sur plusieurs
systmes relativement indpendants les uns des autres. Bien sr, on peut toujours considrer
que le risque de voir survenir des problmes de gestion est minimis ds lors que les
panneaux solaires sont installs en fixe sur un toit bien expos sans obstacles dombrage aux
alentours. En ralit, cela limite considrablement les sites de gisement potentiels surtout en
zone urbaine o les toitures sont rapproches et la prsence dobstacles comme des
chemines, des poteaux lectriques ou autres est trs probable. Dautre part, aujourdhui, la
discrtisation de la gestion nergtique des panneaux photovoltaques simpose comme une
vidence si on fait appel des cellules de caractristiques diffrentes ou places sur des
supports diverses inclinaisons (pentes des toitures + faades). Prenons lexemple du concept
de voiture hybride lectrique de lentreprise Solar Electrical Vehicules de la Figure 3-13-a.
53
(a)
(b)
Figure 3-13. Systmes photovoltaques installs (a) sur un vhicule hybride (b) sur un voilier.
Lensemble photovoltaque divis en zones en fonction de linclinaison et fix sur le
toit du vhicule permet dj daugmenter son autonomie de 32 km par jour (en Californie).
Cette innovation nen est qu ces dbuts et on peut imaginer les problmes lis la gestion
globale de cette nergie lorsque la voiture est en mouvement si on fait appel des
architectures non adaptes ou si elle se gare un endroit partiellement ombrag. Une division
fine de la gestion de lensemble photovoltaque semble donc une solution viable permettant
daccrotre encore la production et donc lautonomie du vhicule. Si on en revient lhabitat,
le toit est soumis des ombrages divers comme les chemines, les antennes et les toitures
voisines (en ville par exemple), aux intempries et aux salissures pour ce qui est des
conditions mtorologiques et souvent faute de choix, dune orientation du GPV non optimale
que lorsque le soleil est au znith pour des GPV ayant t installs aprs la construction du
btiment. En Figure 3-13-b, on peut voir un autre exemple dapplication photovoltaque pour
le nautisme o la gestion distribue devient galement indispensable compte tenu des
conditions dexploitation (diffrentes inclinaisons, intempries, ombrages des voiles et des
structures, changement dorientation permanent, etc).
Un autre exemple plus critique qui peut tre avanc est la gestion de lnergie produite
par les panneaux solaires dun satellite mis en orbite, Figure 3-14-a. Ici, lautonomie et le bon
fonctionnement du satellite dpendent essentiellement de la production photovoltaque. De
plus, hors atmosphre, les panneaux sont soumis un stress intense li aux irradiations, aux
chocs thermiques mais aussi aux chocs lis aux dbris spatiaux qui peuvent venir les percuter
comme le montre le rsultat dun impact sur une partie dune cellule ( Figure 3-14-b). Ces
dbris spatiaux peuvent aller une vitesse relativement grande (15 20 km/s) et un impact,
mme petit, sur un satellite, peut entraner de gros dgts. Une gestion finement distribue
pourrait aboutir, dans une application spatiale, une meilleure gestion de lnergie et ainsi
viter un surdimensionnement de lensemble photovoltaque gnralement appliqu afin de
pallier ces problmes ventuels.
54
(a)
(b)
Figure 3-14. (a) Satellite Giove du programme de positionnement par satellite europen
Galileo (b) Dtail dun panneau solaire du tlescope Hubble heurt par un dbris spatial
Quoi quil en soit, lnergie photovoltaque reste difficile apprhender compte tenu
de son comportement alatoire et non linaire. Lutilisation dun tage dadaptation
lectronique augmente videmment le cot lachat de lensemble mais permet de transfrer
la charge le maximum dnergie disponible. Les progrs raliss en lectronique de
puissance, surtout dans les rendements de conversion, permettent de rendre transparent ltage
dadaptation vis--vis de la chaine de conversion photovoltaque. Lvolution des
architectures de conversion et de gestion nergtique devrait permettre bientt daller vers
des structures de gestion plus fines optimisant au mieux la production dun panneau solaire
tout au long de sa vie.
3.6. La connexion GPV-charge via un tage dadaptation continualternatif.

Les applications photovoltaques les plus valorisantes actuellement sont les
installations PV destines alimenter le rseau lectrique public. La France a modifi en 2006
une nouvelle fois son systme de subvention afin de rendre plus attractive lnergie
photovoltaque. Le gouvernement a ainsi port le crdit dimpt pour les particuliers 50%.
Ce systme permet aux particuliers de percevoir une somme reprsentant la moiti du cot
total de lquipement de leur habitation principale, main duvre non comprise. Le tarif de
rachat, align sur laugmentation du cot de la vie, a galement t rvalu en juillet 2006. Il
stablit dsormais pour la mtropole 30c/kWh plus une prime de 25c/kWh en cas
dintgration dans le bti. La puissance photovoltaque totale installe en France en 2006 est
tablie 32.7MWc dont 12.3MWc relis au rseau, soit une multiplication par deux par
rapport 2005.
Figure 3-15. Structure Photovoltaque intgre en brise soleil sur le site Tenesol Toulouse.
55
Il existe diffrentes topologies de gestion de ces installations. Nanmoins, toutes ces

approches reposent sur un GPV raccord au rseau par le biais donduleurs qui transfrent et
mettent en forme lnergie solaire lectrique. Les progrs effectus ces dernires annes dans
le dveloppement des onduleurs ddis aux photovoltaques ont permis de faire voluer
grandement ces systmes de gestion. Les onduleurs ne se limitent plus seulement
transformer la puissance continue (DC) gnre par les panneaux solaires en puissance
alternative sous forme dune tension sinusodale de frquence souhaite (par ex. 230V/400V 50Hz) mais ils exploitent galement la puissance dlivre par le GPV en le forant
fonctionner son point de puissance maximum. De plus, ils assurent une surveillance fiable
du rseau pour protger ce dernier contre les pannes et interrompre lalimentation en cas de
problmes survenant soit du rseau soit de linstallation. Actuellement, il existe
principalement trois architectures donduleurs donnant de bonnes solutions techniques :
londuleur central, les onduleurs strings et les onduleurs intgrs aux panneaux. Nous
dcrivons brivement leur proprit ci-dessous.
3.6.2. Londuleur central.
Dans le cas donduleur central, les divers panneaux solaires pour une grande
installation (>10kW) sont monts en ranges pour former une chane (String en anglais), ellemme couple en parallle avec des diodes anti-retours plusieurs autres, Figure 3-16-a. Le
gnrateur PV de forte puissance ainsi structur est reli du ct DC un seul onduleur. Cet
onduleur central prsente une grande efficacit nergtique des cots rduits. La fonction
principale de cet appareil est de crer une tension alternative partir dune tension continue la
plus compatible avec le rseau et dexaminer en permanence la prsence ou non du rseau
pour autoriser linjection du courant. La structure classique de londuleur est souvent un
circuit en pont permettant de relier chacun des deux ples dentre chacun des deux ples de
sortie par le biais dinterrupteurs de puissance.
Le couplage direct des installations PV avec des onduleurs sans transformateur gagne
en importance. En effet, ils sont peu onreux et offrent un rendement nergtique imbattable
(entre 95% et 97% pour les fortes puissances). Pour pouvoir alimenter le rseau, la tension
dentre doit toujours dpasser la tension crte de la tension rseau redresse. Soit, pour une
valeur de tension efficace rseau de 250V, une source de tension minimale de 354V est
ncessaire pour pouvoir injecter un courant sinusodal dans le rseau. Par consquent, un
panneau mal adapt ou encore un ombrage partiel porte prjudice une exploitation optimale
de chaque chane PV et entrane une rduction du rendement nergtique. Londuleur central
possde de plus en plus souvent au moins un systme de contrle MPPT lui permettant de
fonctionner son PPM. Cela marche parfaitement tant que les panneaux sont identiques et
quils fonctionnent sous un ensoleillement homogne. Mais lorsque les caractristiques
lectriques entre les panneaux diffrent, dues des ombrages, des salissures, au vieillissement
ou au stress, la commande MPPT devient incertaine et le champ photovoltaque ne produit pas
autant quil le pourrait. En outre, la fiabilit de linstallation est limite parce quelle dpend
dun seul onduleur. Ainsi, lorsquune panne de londuleur central se produit, elle entrane
larrt complet de linstallation et donc de la production.
56
DC
AC
DC
AC
DC
AC
DC
AC
DC
DC
AC
DC
AC
DC
AC
AC
DC
AC
a) Onduleur central
b) Onduleur string
c) Onduleur intgr au PV
Figure 3-16. Schmas de principe de diffrentes topologies dinstallations PV connects un
rseau lectrique.
3.6.3. Les onduleurs strings.
De mme que pour l'onduleur central, le champ PV est, ici aussi constitu de strings
(chanes). Chaque string est toutefois reli un onduleur (Figure 3-16-b). Chaque string peut
ainsi fonctionner son PPM. Cette technologie rduit considrablement le risque de
problmes d'adaptation ainsi que les pertes dues aux effets dombrage, tout en liminant celles
occasionnes par les diodes anti-retour et un cblage prolong vers le gnrateur DC. Ces
proprits techniques avantageuses accroissent la fiabilit de l'installation ainsi que sa
production nergtique. Mais il faut prendre en compte laugmentation du nombre
donduleurs de moyenne puissance disposant de rendement compris entre 92% et 96%
ncessaires pour calculer le surcot dune telle architecture par rapport la prcdente.
Figure 3-17. Exemples dinstallations photovoltaques ayant besoin de plusieurs onduleurs.
57
Une tude thorique dveloppe [17] explore les avantages et les bnfices utiliser
une architecture string compare une architecture centralise. Ces travaux sont focaliss sur
lvaluation des performances des deux types de systmes en prenant en compte les pertes
dans les dispositifs dlectronique de puissance, les dissipations dans les cbles et les
sensibilits des GPV vis--vis de lirradiance et des effets dombrages. Il en rsulte que
larchitecture string apporte un gain en rendement de 1.5% par rapport une conception
centralise. Cependant, laspect conomique nest pas pris en compte ici. Une autre tude en
[18] montre que, pour une installation infrieure 5kWc sur 25 ans, larchitecture string nest
financirement pas intressante du fait de son surcot linstallation et du cot de la
maintenance. Les auteurs intgrent une variable MTTF trs intressante (Mean Time To
Failure of inverter). Elle permet dvaluer le taux de pannes dun onduleur sur une dure
dtermine et donc permet destimer plus prcisment laspect conomique dune architecture
par rapport une autre. Dans certains cas, il est mme conomiquement plus avantageux de
ne pas remplacer un onduleur string dfectueux dans un ensemble de grande puissance.
Cependant, un paramtre reste toujours incertain dans le contrle MPPT lorsque la
caractristique de puissance du string possde plusieurs pics de puissance. Dans ce cas,
londuleur peut fonctionner un faux point de puissance maximum comme pour les
architectures DC prsentes prcdemment et par consquent, la puissance dlivre ne sera
pas la puissance maximale disponible. Cette configuration peut arriver lors de diffrentes
configurations comme le montre la Figure 3-17. Une partie des panneaux peut tre sale ou
cache par des ombres ou de la neige ou bien lorientation des panneaux dun mme string
nest pas identique pour tous les panneaux. Une disposition non optimale des panneaux
implique donc quun string peut recevoir une irradiance inhomogne pouvant perturber la
recherche du PPM. La solution en termes de gain nergtique est daller vers une gestion plus
individuelle des panneaux en intgrant par exemple un tage dadaptation par GPV.
3.6.4. Les onduleurs intgrs aux panneaux PV.
Chaque panneau dispose ici de son propre onduleur (cf. Figure 3-16-c), ce qui permet
thoriquement dviter toutes pertes lies la diffrence de puissance entre chaque module
quelle que soit lorigine du dfaut. Le rendement des onduleurs intgrs aux panneaux reste
cependant en-de de celui de l'onduleur string cause de la grande diffrence des tensions
entre les GPV et la charge. De plus, les onduleurs intgrs aux panneaux induisent des cots
de cblage supplmentaires du ct AC, tant donn que chaque panneau de l'installation doit
tre reli au rseau 230 V. Le nombre nettement suprieur d'onduleurs intgrs aux panneaux
ncessaires dans cette architecture entrane un travail de couplage nettement plus consquent.
Ce concept ne s'applique donc gnralement qu'aux installations PV d'une puissance modeste
allant de 50 W 400 W.
Rcemment, on a vu apparatre un nouveau concept hybride se basant sur les
avantages et les inconvnients de chacune des mthodes cites prcdemment.
Habituellement, les onduleurs strings et intgrs sont reconnus pour leur meilleure rponse
aux variations densoleillement et aux inhomognits lumineuses mais aussi pour leur
facilit dinstallation. Dautre part, londuleur central est souvent moins cher en terme
dquipement lectronique qui est, somme toute, trs modeste, il dispose dun meilleur
rendement et est, en plus, plus fiable (Tableau 3-1). Les dernires donnes correspondant aux
onduleurs intgrs aux panneaux saffranchissent en grande partie des problmes dombrage
58
et optimisent la production dun GPV de faon remarquable. Il reste encore pas mal de
dveloppement technologique pour les rendre aussi fiables que les onduleurs centraliss.
Tableau 3-1- Caractristiques techniques des diffrents systmes de configurations.
Onduleur Central
Onduleur String
Onduleur Intgr
Tension PV
340-800V
150-800V
17-90V
Pertes DC
(Ohmique)
~1-5% en fonction de
la tension et de la
distance
~1% en fonction de la
tension et de la
distance
Ngligeable
CONV
95-97%
92-96%
87-93%
Maintenance et
rparation
Simple
Difficile
(recherche
dysfonctionnement)
Difficile
(recherche
dysfonctionnement)
3.6.5. La conversion multi-string

En fait, la gestion multi-string est ne de la combinaison entre la gestion par onduleur
central et la gestion par strings. Comme illustr en Figure 3-18, le principe de la conversion
multi-string est bas sur de nombreux convertisseurs DC-DC modulables connects un
onduleur central via un bus continu [19,20]. Chaque convertisseur DC-DC dispose de sa
propre commande MPPT permettant chaque string de fonctionner son PPM. Par
consquent, le dysfonctionnement dun GPV peut tre rapidement dtect et localis. Le
fonctionnement de lensemble du champ ne sera donc pas affect par le disfonctionnement
dun seul GPV. Grce aux convertisseurs DC-DC, il est possible de travailler sur une plus
large gamme de tension PV (tension plus faible en entre des DC/DC) optimisant ainsi la
production photovoltaque.
String1
DC
DC
DC
AC
String2
DC
DC
DC
String3
DC
Figure 3-18. Nouvelle structure de conversion multi-string mixte.

Ce concept permet une grande modularit des GPV. On peut imaginer des systmes
dont chaque string possde des GPV de technologies ou de tailles diffrentes ou orients
diffremment par rapport au reste du systme. Soit, une premire chane lEst, une seconde
lOuest et la troisime au Sud ou encore avec des inclinaisons diffrentes. Cependant, la
59
prsence de plus dun pic sur la caractristique P(V) dun string rend beaucoup plus
complique la dtection du PPM. Un fonctionnement sur un autre point que le PPM, d
lerreur de recherche MPPT, conduit une baisse significative du rendement de cette partie du
systme global. Pour pallier ces dfauts, une nouvelle architecture a t dveloppe sur la
base du convertisseur multi-string. Ce nouveau concept intgre un convertisseur DC-DC par
panneau avec sa propre commande MPPT, Figure 3-19 [21]. Gnralement, les panneaux
solaires sont associs en srie afin dalimenter londuleur avec une tension convenable (180V500V) et les strings sont ensuite connects en parallle afin dobtenir la puissance dsire.
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
String2
String1
DC
AC
DC
DC
DC
DC
Figure 3-19. Structure de conversion multi-string avec distribution MPPT et mise en srie des
DC-DC.
Ce dernier concept nen est encore qu ses dbuts. Une tude thorique a dj
dmontr la faisabilit et la stabilit dun tel systme. La gestion distribue montre un gain en
rendement MPPT de lordre de 3 30% (suivant linhomognit dirradiance du string)
compar une gestion MPPT classique. Cependant, une tude relle ainsi quune tude du
rendement de lensemble de linstallation restent encore dvelopper afin de dmontrer la
viabilit de cette nouvelle gestion multi-string.
Tous les concepts d'onduleurs prsents ici, except ce dernier, sont actuellement
disponibles sur le march. Le choix de l'onduleur appropri doit tre motiv par les conditions
d'utilisation imposes. Comme le montre la Figure 3-20, chaque puissance de champ
photovoltaque correspond un onduleur adapt. La rentabilit des installations photovoltaques
est dsormais possible grce une conception intelligente de lensemble solaire. Les avances
technologiques dans ce domaine permettent de fabriquer des onduleurs peu onreux offrant un
rendement nergtique imbattable. Les organes de gestion de ces onduleurs deviennent de
plus en plus complexes avec des commandes MPPT mieux adaptes, des scurits
supplmentaires autant du ct DC que AC (vis--vis du rseau). Mais le problme du
rendement MPPT et de la recherche du PPM reste constant ds lors que les conditions
normales de fonctionnement ne sont pas prsentes. Les recherches effectues en ce sens
sorientent l-aussi vers une architecture plus fine de la gestion des panneaux solaires en
associant un tage dadaptation avec sa propre commande MPPT par GPV. Malheureusement,
les rendements de conversion de ces architectures complexes restent encore faibles. En
attendant des avances dans loptimisation des rendements des convertisseurs de puissances,
un compromis doit tre envisag entre le rendement MPPT et le rendement conversion afin de
trouver le rendement optimum de lensemble de la chane de conversion photovoltaque.
60
Prix du convertisseur par

Watt install
2/W
1.5/W
Sunny Boy
string
Sunny Boy 5000

Multi-string
Sunny
Mini Central
1/W
Sunny Central
0.5/W
0/W
100kW
10kW
1kW
Puissance Nominal AC de londuleur
Figure 3-20. Prix des onduleurs PV en fonction de la puissance nominale installe.
3.7. tude de nouvelles architectures dassociation pour cellule tandem

dans le cadre ATOS.
Comme nous lavons dit dans le chapitre prcdent, les travaux de recherche effectus
dans le projet ATOS portent sur deux grandes innovations. La premire sur le dveloppement
de nouveaux matriaux photovoltaques performants pour les applications tandem et la
seconde sur la mise en place dun isolant intermdiaire entre les cellules permettant de les
rendre indpendantes. Cest dans ce dernier axe de recherche que le laboratoire LAAS a plus
particulirement travaill. Les travaux du laboratoire se sont orients sur ltude des
diffrentes associations possibles de cellules afin de trouver larchitecture valorisant au mieux
la production lectrique de lensemble tandem. Dans ce cadre de recherche, lentreprise
SOLEMS, partenaire du projet ATOS, nous a fourni deux types de panneaux en silicium
amorphe dont les caractristiques lectriques sont dfinies dans le Tableau 3-2.
Tableau 3-2-Caractristiques lectriques des modules Solems
Sous un clairement de
Rfrence Solems
Sous un clairement de
200W/m
1000W/m
14/150/300TD
39mA 6.6V
195mA 7.5V
28/300/100TD
12mA 13.8V
62mA 15V
Ces deux panneaux nous permettent de simuler les futurs modules susceptibles dtre
produits dans le projet ATOS quels que soient le choix de connexion inter-lectrode ralis au
final. On peut ainsi observer en Figure 3-21 les caractristiques lectriques exprimentales des
deux modules raliss sur le site du LAAS-CNRS de Toulouse. Le module rfrenc
14/150/300TD, qui produit au mieux une puissance crte de 1.6Wc sous ensoleillement rel,
nous permet de simuler le module en face avant et le second module face arrire peut tre
reprsent par le module 28/300/100TD disposant dune puissance crte maximale de 1.1Wc.
61
14/150/300TD
28/300/100TD
Figure 3-21. Caractristiques I(V) des gnrateurs PV Solems (Toulouse, sous 1000W/m,
26C, inclinaison de 35).
Des modles lectriques simples des deux diffrents panneaux fournis par Solems ont
donc t dvelopps grce au logiciel de simulation lectrique PSIM. Nous avons ainsi tudi,
par simulation, lassociabilit de ces deux panneaux photovoltaques dans diffrentes
configurations possibles bien avant que le module optimal de cellules tandem existe en ralit.
Ce travail est souligner car il est un des premiers montrant lintrt de travaux conjoints
entre des recherches de matriaux performants, des agencements de cellules et des
associations lectriques.
14/150/300TD
28/300/100TD
Figure 3-22. Circuit de mise en srie des modules PV avec diode anti-retour simulant un
module PV base dune association de cellules tandem en couche minces sans lectrodes
intermdiaires.
La Figure 3-22 reprsente une premire association possible des GPVs, savoir une
architecture srie correspondant une association classique de cellules en couche mince de
type tandem sans lectrode intermdiaire. La couche suprieure tant dpendante de la couche
infrieure. La courbe de puissance rsultant de cette association est illustre en Figure 3-23.
La tension de circuit ouvert de lensemble correspond laddition des Vco des 2 GPVs et le
courant fourni est fix par la cellule la plus faible. Ainsi le PPM se trouve 1.86 Watts pour
une configuration optimale de cette association.
62
1.86 Wc
14/150/300TD
Asso. Srie
28/300/100TD
Figure 3-23. Caractristiques lectriques simules des deux GPV mise en srie. Puissance PV
fonction de sa tension.
La deuxime architecture que nous avons tudie, est reprsente en Figure 3-24. Elle
rsulte dune simple discrtisation des deux types de cellules couches minces devant tre
isoles lectriquement par 2 lectrodes intermdiaires et une couche isolante. Une des
associations possibles est alors une association lectrique parallle alors que les panneaux
seraient superposs et donc coupls lumineusement pour capter au mieux le spectre solaire.
Des diodes anti-retour sont ncessaires afin dviter que le GPV le plus fort ne dbite son
courant dans le GPV le plus faible.
14/150/300TD
28/300/100TD
Figure 3-24. Proposition dassociation en parallle des cellules PV avec diodes anti-retour en
supposant les problmes disolation par lectrodes intermdiaires rsolus.
La Figure 3-25 reprsente les courbes de puissance en fonction de la tension aux
bornes des panneaux photovoltaques. Les Figure 3-25-a et Figure 3-25-b reprsentent
rciproquement les courbes de puissance des panneaux 14/150/300TD et 28/300/100TD de
chez Solems. La Figure 3-25-c correspond la courbe de puissance du gnrateur
photovoltaque constitu par la mise en parallle des 2 panneaux solaires. On remarque un pic
de puissance de 2.1 Wc aux alentours de 7 V. A laide dun tage dadaptation adquat insr
entre le gnrateur et la charge, nous allons crer une chane de conversion photovoltaque
pouvant extraire au maximum 2.1Wc. Toutefois, tant donne la forme de la courbe P(V), cela
ne va pas tre ais deffectuer une recherche de PPM efficace dans ces conditions.
63
1.6 Wc
a)
1.1 Wc
b)
2.1 Wc
c)
1.1Wc
2
Figure 3-25. Caractristiques lectriques P(V) simules des deux GPV associs en parallle.
Puissance PV fonction de sa tension.
La dernire architecture envisage, afin doptimiser la puissance transfrer, est
dutiliser un tage dadaptation DC/DC avec commande MPPT par type de cellules couche
minces. Cette architecture de gestion correspond une architecture discrtise telle que le
LAAS a lhabitude de concevoir des puissances plus leves. En fait, chaque champ de
cellules couche mince donn possdera son propre tage dadaptation permettant dexploiter
la puissance disponible aux bornes du PV. Ainsi, en se rapprochant au plus prs de la source
de production, on peut esprer produire le maximum de puissance. Le schma de la Figure
3-26 prsente donc le principe de gestion de puissance propos par le LAAS dans lANR
ATOS pour grer la production de lnergie PV provenant des nouvelles cellules couche
mince de type tandem avec lectrodes intermdiaires.
MPPT
DC
DC
MPPT
14/150/300TD
DC
DC
28/300/100TD
Figure 3-26. Circuit de connexion des cellules couche mince tandem conues dans lANR
ATOS laide dtages dadaptation. Proposition de mise en parallle sur une charge donne.
64
Les simulations lectriques prsentent en Figure 3-27 nous montrent le bnfice

discrtiser la gestion de la puissance partir de chaque panneau photovoltaque tel que
propos en Figure 3-26. Les courbes des Figure 3-27-a et b reprsentent rciproquement les
courbes de puissance en sortie des panneaux 14/150/300TD et 28/300/100TD chacun muni
dun tage dadaptation. Chaque convertisseur DC-DC avec sa propre commande MPPT
permet au systme dosciller autour du PPM de chaque GPV constitu dun seul type de
matriau. La puissance produite par lensemble correspond donc laddition des puissances
des deux gnrateurs (Figure 3-27-c). Au final, on voit quon rcupre en moyenne 2.68
Watts contre les 2.1 Watts du systme prcdent avec gestion globale.
a)
b)
c)
Figure 3-27. volution des puissances des deux GPV disposant chacun dun tage
dadaptation, en fonction du temps.
Si nous effectuons un bilan des diffrentes architectures tudies ici, on saperoit que
la gestion distribue de la puissance prsente le meilleur gain de puissance potentiel. En effet,
pour une association classique de cellule tandem en srie, la puissance maximale disponible
slve 1.86Wc. Pour une architecture discrtise sans tage dadaptation, on peut esprer
produire 2.1Wc. Et finalement, avec une gestion entirement distribue de la puissance, on
arrive une puissance crte disponible de 2.7Wc ce qui correspond une puissance moyenne
rcupre denviron 2.68W en prenant en compte le rendement MPPT des tages
dadaptation.
65
Figure 3-28. Cellules Tandem avec un tage dadaptation par niveau de cellule.
Les simulations dveloppes lors de ces travaux prliminaires ont montr que la
discrtisation de la gestion de puissance dans le cas des cellules tandem permet dexploiter au
maximum la puissance produite par les deux modules, Figure 3-28. Cependant, un point reste
encore claircir sur les pertes engendres par ces tages dadaptation eux-mmes, tant
donnes les puissances mises en jeux. En effet, le gain de puissance apport par cette
nouvelle architecture de gestion ne doit pas tre perdu dans les structures de conversion. Une
tude de ces paramtres cruciaux reste donc ncessaire avant de prouver rellement le
bnfice dune architecture de gestion distribue par rapport aux autres.
3.8. Conclusion.
Dans ce chapitre, nous avons prsent les principales architectures de gestion
existantes ddies lnergie photovoltaque dans un contexte doptimisation de puissance et
de rduction du prix du kWh photovoltaque produit. Lnergie solaire prsente aujourdhui
des cots levs, mais les progrs sont rapides et la recherche active. Si les cots actuels
reprsentent encore plus de trois fois le cot du kWh fourni au client rsidentiel en France, il a
dj diminu dun facteur suprieur 2 en 10 ans.
Dans ce contexte, nous avons dcrit les diffrentes associations possibles de cellules
photovoltaques permettant de crer des modules de puissance exploitables pour des
applications domestiques. Nous avons galement montr lutilit dinsrer un tage
dadaptation avec une fonction MPPT entre le GPV et la charge afin doptimiser en
permanence la puissance produite. Nous avons aussi vu que leffet dombrage sur quelques
cellules qui composent un panneau solaire implique des pertes disproportionnes de
puissance, suprieures 50% pouvant mme parfois rendre le panneau inactif. Limpact de
lombre sur un panneau solaire a donc une influence trs importante sur lnergie produite par
rapport la superficie de lombre. Ces problmes caractristiques, lis lnergie
photovoltaque, nous font envisager de nouvelles architectures de gestion autant pour les
tages dadaptations DC-DC que pour les DC-AC. Il savre que la discrtisation de la gestion
de cette nergie semble une solution prometteuse dans la course loptimisation. Cependant,
le rendement de cette chane de conversion photovoltaque est pour le moment un verrou
technologique de mme que le prix de lensemble de la chane. La multiplication des tages
dadaptation permettra bien entendu de raliser une maximisation de la puissance disponible
mais il ne faudra pas que cela se fasse au dtriment du rendement de conversion de
lensemble. Des recherches plus approfondies ainsi que des dveloppements technologiques
semblent ncessaires afin doptimiser et de montrer les bnfices dvelopper une
architecture distribue complexe de convertisseurs disposant de commande MPPT. Nous
prsentons quelques solutions dans ce sens dans le reste du document.
66
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68
CHAPITRE 4
4. DVELOPPEMENT
DARCHITECTURES DISTRIBUES
DDIES AU PHOTOVOLTAQUE.
69
70
CHAPITRE 4 : DVELOPPEMENT DARCHITECTURES DISTRIBUES DDIES AU PHOTOVOLTAQUE
4.1. Introduction.
Larchitecture distribue est une vision utilise depuis de nombreuses annes dans le
domaine informatique et on assiste depuis longtemps dj une opposition entre deux types
d'architectures: celle dite centralise et celle dite distribue [1].
Les deux types darchitecture ont chacune des proprits propres intressantes qui les
destinent des applications diffrentes :
- L'architecture centralise possde un noyau central fort autour duquel tous les
priphriques sont regroups (ou centraliss). Ce noyau central excute la plupart des
actions. Le principal avantage de cette architecture est sa facilit d'administration.
- L'architecture distribue, elle, possde un noyau central faible associ une plus
grande autonomie des priphriques. Cette architecture a l'avantage de permettre une
plus grande souplesse dutilisation et des modes de fonctionnement parallles qui
peuvent tre complexes.
En simplifiant, nous pouvons opposer l'architecture centralise avec un maximum de
fonctions assures par un noyau central l'architecture distribue ayant plusieurs noyaux
ddis des fonctions spcifiques se rpartissant le plus possible dans lespace et le temps. Le
cot de l'une ou l'autre architecture varie suivant le domaine. En rgle gnrale, si les
priphriques ne sont pas utiliss plein temps (par exemple, une imprimante), l'architecture
centralise est plus conomique (on suppose alors que tous les priphriques ne sont jamais
utiliss tous en mme temps). Dans dautres cas (carte vido, rseau de PC), c'est
l'architecture distribue qui est la plus conomique (un gros ordinateur cote plus cher que 10
petits ordinateurs 10 fois moins puissants).
Une analogie peut tre envisage entre la gestion de larchitecture distribue en
informatique et celle applique la gestion de lnergie photovoltaque. Pour cela, il suffit de
constater comme nous lavons montr dans le chapitre prcdent que, la dfaillance dune
seule cellule dun module photovoltaque entrane, dans le cas dune gestion centralise
effectue laide dun seul convertisseur statique (onduleur), une forte diminution de
production dnergie correspondant une grande partie du GPV, voire la totalit dans des cas
dombrages partiels. Ce point de faiblesse bien que bien connu dans le pass, nest toujours
pas vraiment rsolu principalement pour des questions de cots prohibitifs des solutions
mettre en uvre par rapport au gain nergtique potentiel attendu. Pourtant, lide de rendre
indpendants des groupes de cellules les uns par rapport aux autres se prcise danne en
anne au fur et mesure des prises de consciences faits sur des sources PV existantes et les
limites de productions relles que cela impacte sur toute la dure de vie de ces gnrateurs. En
parallle, lindustrie de la micro-lectronique et les volutions permanentes des organes de
gestion (microprocesseurs, microcontrleurs, FPGAs, ) permet de plus en plus la ralisation
dtages dadaptation fiables, haut rendement, avec des dures de vie prolonges et des
cots relativement bas.
Les constructeurs envisagent ainsi de multiplier le nombre de diodes-bypass afin
disoler un groupe de cellules de plus en plus petit. Ainsi, en cas de dfaillance, cela permet
de limiter les pertes de production PV en isolant le minimum de cellules et uniquement celles
qui sont autour du dfaut. Cela localise le plus possible le problme tout en limitant les pertes
nergtiques.
En poussant la rflexion lextrme pour un GPV donn et dans lidal pour une
production PV optimale, lutilisation dune architecture distribue associe un gestionnaire
71
dnergie adquat, grerait non seulement la prsence de dfaillances rparties mais

galement la production optimale de lnergie PV et son transfert avec un minimum de
pertes. Ainsi, des tages dadaptation de faible puissance devraient tre rpartis au plus prs
sur chaque groupe de cellules et permettre doptimiser la production dnergie avec un
transfert de puissance le plus transparent possible. Pour cela, il faut diviser le gnrateur PV
en petits groupes indpendants. Chaque groupe devra possder un tage dadaptation avec
son propre gestionnaire dnergie afin doptimiser sa puissance dlivre en fonction de ses
caractristiques (diffrences de caractristiques, vieillissement des cellules, effets dombrage
et des salissures). Mme si certaines cellules comportent des dfauts qui peuvent changer
leurs caractristiques lectriques au cours du temps, ltage dadaptation pourra ainsi exploiter
au maximum lnergie disponible du groupe de cellules trait. Du point de vue du GPV, cest
le cas idal. La mise en uvre dune telle stratgie ncessite une architecture complexe ayant
un grand nombre de composants lectroniques aptes transfrer plusieurs niveaux de
puissance sans trop de pertes. Le cot dune telle architecture a jusque-l arrt tous les
projets de dveloppement en ce sens.
Les travaux engags dans ce chapitre de thse ont pour objectif dvaluer les bnfices
potentiels, en terme de gain nergtique, distribuer les tages de gestion. Nous prsentons
pour cela notre approche concernant le dveloppement des tages dadaptation faible
puissance pour la mise en uvre dune gestion de lnergie gnrale distribue. Ces premires
recherches ont dabord t valides par simulation lectrique permettant ainsi de lever les
premiers verrous de ralisation. Une grande partie de ces tudes a t conduite
systmatiquement loptimisation des diffrents organes de ltage dadaptation afin de
finalement dvelopper des prototypes performants nous permettant de raliser des validations
exprimentales.
4.2. Les micro-convertisseurs comme tages dadaptation.

La discrtisation de la gestion de puissance pour les applications photovoltaques
semble une solution avantageuse dans un but doptimisation et daugmentation de la
production lectrique solaire [2]. Le LAAS-CNRS travaille dans cet axe depuis plusieurs
annes et a dj prouv le gain que peut apporter une architecture distribue en opposition
une architecture centralise [3,4]. Dans ces tudes, un tage dadaptation optimis comprenant
sa propre commande MPPT est associ chaque module commercial. Ces divers
convertisseurs assurent galement les fonctions lmentaires de scurit (diodes by-pass et
diodes anti-retour). Ils constituent un tage fortement distribu de conversion de puissance
entre le gnrateur PV (GPV) et la charge (batterie, autre DC/DC, moteur DC ou onduleur).
Ce type darchitecture a t valid en montrant des gains nergtiques de 5 30% selon les
applications et a fait lobjet de travaux de valorisation avec EDF dans le cadre la thse
dAngel Cid-Pastor qui ont t confirm dans lANR Microscope. Ces DC/DC sont
aujourdhui raliss en tant que prototypes prindustriels et sont en cours de test grande
chelle sur plusieurs sites europens.
72
DC
DC
MPPT
DC
DC
MPPT
Output
DC
DC
MPPT
DC
DC
MPPT
DC
DC
MPPT
Figure 4-1. Nouvelle architecture distribue ddie aux applications photovoltaques propose
par le LAAS.
La question qui se pose aujourdhui cest jusqu quel point doit-on discrtiser ce
systme de gestion ? Quy gagne-t-on en terme nergtique ? Combien cela cote-t-il ? Nous
avons souhait repousser les limites au plus petit nombre de cellules possible pour savoir si le
gain apport en terme nergtique restait valable ces chelles de faibles puissances. Ainsi,
nous souhaitons optimiser lnergie photovoltaque au maximum de ses capacits. Mais de
nombreux verrous technologiques sont rsoudre avant darriver une discrtisation aussi
fine de la chaine de conversion lectrique. Maintenant, la question se poser devient jusqu
quel point peut on discrtiser le systme de gestion associer tous ces tages dadaptation ?
Nous avons cherch les rponses dans les limites technologiques de dveloppement des
micro-convertisseurs devant avoir des rendements relativement levs.
De nos jours, si on considre le critre rendement conv des convertisseurs de
puissance, des rendements de conversion suprieurs 95% sont aisment obtenus sans trop de
difficult lorsque la puissance transfrer est suprieure 50W. Ceci permet de considrer cet
tage comme transparent et de ngliger son influence vis vis du reste de la chaine de
conversion. Mais, ds lors que lon descend sous des puissances de 10 W, on se heurte deux
difficults : la premire est darriver conserver des rendements aussi levs et la deuxime,
lie la taille et lencombrement importants de tous ces tages compte tenu de la
multiplication de ces derniers, sans compter le prix.
Nous avons toutefois pens faire appel des tages de conversion de puissance
lectrique intgrs au plus prs de la source photovoltaque, afin de minimiser au maximum
les diverses connexions gnratrices de pertes et lencombrement de ltage. Ceci fait appel
aux techniques les plus avances en termes dintgration de puissance non existantes ce jour
dans le domaine du PV. Le domaine applicatif qui savre le plus proche est celui des
systmes embarqus faisant appel des CS traitant des puissances infrieures 2 W qui sest
fortement dvelopp ces dernires annes avec lessor des tlphones portables et plus
gnralement, toutes les nouvelles fonctionnalits lies au nouveau mode de vie nomade.
Dans ces applications, les convertisseurs lectriques intgrs et semi-intgrs existent dj
des tailles intressantes (quelques mm2) ainsi que des cots relativement bas lis de grandes
73
quantits de production. Cela nous conforte sur la possibilit dune intgration de ltage
dadaptation avec un faible encombrement et un fort rendement compatible avec notre projet
de rapprochement des tages de conversion aux cellules PV.
Si lon considre llectronique portable, son volution est dintgrer de plus en plus
de fonctions autant en scurit quen intelligence. Ceci implique des puissances volumiques et
massiques de plus en plus importantes. En parallle, les progrs effectus ces dernires annes
dans le domaine de la conversion de puissance introduisent des fonctions de plus en plus
compactes, voire intgres permettant aujourdhui denvisager des alimentations de faibles
puissances en version totalement intgre. Ces avances et cette exprience acquise depuis de
nombreuses annes dans le domaine de llectronique embarqu, nous permettent denvisager
une discrtisation de la gestion de puissance trs fine (de lordre de 0.5 2Watts). Cest donc
sur ces bases que nous avons dvelopp notre systme de gestion photovoltaque. A titre
indicatif, le Tableau 4-1 prsente un rcapitulatif des convertisseurs continu-continu
actuellement commercialiss pour des applications embarques. Les rendements actuels des
convertisseurs sont de lordre de 90% pour des puissances allant de 0.5 1W pour un
encombrement rduit. Ces donnes nous permettent danticiper sur le dveloppement de
convertisseurs allous aux applications photovoltaques.
Type
Abaisseur de
tension
lvateur de
tension
Tableau 4-1- Convertisseurs DC-DC du commerce.

Composant
Puissance
Rendement
NCP1508
600mW
91%
TPS62400
700mW
90%
LT3021 (LDO)
600mW
50%
LTC3459
600mW
89%
FAN4875
1W
92%
Encombrement
9mm
9mm
14.7mm
7mm
18mm
Pour notre tude, nous nous baserons donc sur ces convertisseurs faibles puissances
intgrs utiliss dans les systmes embarqus. Nous avons tout dabord dbut sur une tude
thorique sur le dimensionnement des convertisseurs de puissance afin de trouver les
dispositifs les plus mme de rpondre nos besoins. En effet, les convertisseurs lectriques
de faible puissance (<2W), utiliss dans les appareils lectroniques portatifs, rpondent des
critres drastiques en terme de gestion et dencombrement. Le NCP1508 de Onsemiconductor
est un exemple de convertisseur DC-DC utilis pour alimenter les processeurs des tlphones.
Cest un convertisseur abaisseur de tension synchrone en mode MLI (Modulation de Largeur
dImpulsion) peut fonctionner des frquences allant de 500kHz 1MHz. Il alimente un
microprocesseur fonctionnant sous 1V partir dune batterie lithium de 3.6V. Ce
convertisseur peut atteindre des rendements remarquables de 91%. Les travaux pralablement
raliss lors dun stage de fin dtudes sur la caractrisation et la modlisation dun
convertisseur Buck pour applications trs faibles puissances portables, nous permettent ici de
dvelopper un modle lectrique quivalent notre tage dadaptation en vue dune future
intgration industrielle.
4.3. tude dun micro-convertisseur BUCK utilis comme tage

dadaptation.
La Figure 4-2 montre un panneau photovoltaque avec son tage dadaptation
constitu dun convertisseur abaisseur de tension (Buck). Ce montage permet dadapter le
74
point de fonctionnement du panneau la charge (ici une batterie), si la tension de sortie du

convertisseur est infrieure au point nominal de fonctionnement du gnrateur PV.
Dans le cas dun convertisseur statique de type abaisseur de tension (Buck), on peut
exprimer sa tension dentre comme suit :
V PV =
Vbat
D
(4-1)
O Vpv est la tension dentre, Vbat la tension de sortie et D le rapport cyclique du

convertisseur.
Si la tension de sortie peut tre considre constante (batterie = source de tension),
lincrmentation du rapport cyclique D implique une diminution de la tension du panneau. Et
inversement, pour une dcrmentation de D, la tension VPV augmentera. La commande
MPPT, en agissant sur le rapport cyclique du convertisseur Buck, permet de contrler la
tension aux bornes du panneau et par consquent la puissance dlivre par celui-ci.
VBat
Figure 4-2. tage dadaptation abaisseur de tension dun GPV avec fonction MPPT reli une
batterie (Vbat < Vopt PV).
Dans les structures classiques de convertisseurs de tension, la fonction diode de roue
libre est ncessaire. Cependant, lorsquelle est assure par une diode relle, une chute de
tension en conduction et une perte dnergie au blocage doivent tre considre. En gnral,
ces phnomnes nont que peu de consquences sur le reste de lalimentation ds lors que la
tension de sortie est nettement plus grande que la tension de seuil de la diode.
Cependant, dans notre application, comme la tension de sortie peut tre de lordre de 1 2
Volts, il nest alors plus question de ngliger le seuil de conduction de la diode. Le redresseur
synchrone est alors la solution la plus prconise [5,6]. Il sagit de remplacer la diode de roue
libre par un transistor MOS et de le rendre passant les instants o la diode aurait due tre
passante.
Du point de vue technologique, nous utilisons deux interrupteurs MOSFET de type N
qui ont la particularit dtre logique positive. Par constitution, entre la source et le drain,
existe une diode interne. Ces diodes intrinsques, appeles Diodes Body , doivent tre
prises en compte dans lutilisation des transistors les rendant bi-directionnelles en courant. La
diode anti-retour du gnrateur est alors plus que jamais utile pour viter un courant ngatif
sur ce dernier. Pour cette tude, nous nous sommes bass sur le composant intgr NCP1508
75
afin de dimensionner les interrupteurs de puissance. Cela permet ici de considrer une
architecture existante compacte de faible puissance et de rendement lev industrialise et
ainsi de prouver la faisabilit dune future intgration de la partie puissance de notre
convertisseur lectrique.
Figure 4-3. Convertisseur Synchrone Buck.

Pour raliser cette tude thorique, nous avons dvelopp spcifiquement un
convertisseur buck, Figure 4-3. Ce circuit nous a permis dvaluer les pertes de la partie
puissance en fonction de la puissance transfre la charge. La valeur de la tension dentre a
t choisie daprs les caractristiques des panneaux en silicium amorphe fournis par
lentreprise Solems ayant une tension Vopt de 6V. En ce qui concerne la tension de sortie, elle
dpend essentiellement de la charge utilise. Comme le CS choisi est abaisseur, la tension de
sortie doit tre infrieure ou gale la tension dentre. Si nous utilisons des batteries comme
charges de sortie, alors plusieurs technologies soffrent nous comme des lments de
batteries unitaires au plomb ayant une tension nominale de 2V ou bien des batteries au
lithium avec une tension nominale de 3,6V. Les courbes prsentes en Figure 4-4 montrent
lvolution du rendement de ltage de puissance du convertisseur buck en fonction de la
puissance dentre pour diffrentes valeurs de tension de sortie (la consommation de la
commande nest ici pas prise en compte). On peut remarquer que les pertes augmentent dans
les composants de puissance ds lors que la puissance dentre augmente. De plus, les pertes
sont dautant plus grandes que la tension de sortie est petite car le convertisseur buck lve
le courant en sortie. Plus la tension de sortie sera petite, plus le courant de charge sera lev
entrainant une augmentation des pertes dans les composants de puissance.
Figure 4-4. volution du rendement thorique de ltage de puissance (conv) de type Buck
fonction de la puissance dentre pour diffrentes valeurs de tension de batterie.
76
Le logiciel utilis pour ces simulations ne prend pas en compte les pertes lies la
consommation de la partie commande. Nous avons donc ajout des pertes quivalentes cette
consommation en se basant sur la consommation relle de la commande MPPT seminumrique dveloppe par le LAAS (environ 93mW). Cette puissance consomme par la
partie commande prend donc en compte les pertes lies au circuit de contrle mais aussi les
pertes dans les drivers. La Figure 4-5 reprsente donc maintenant le rendement de ltage
dadaptation complet du Buck en fonction de sa puissance dentre pour diffrentes valeurs de
tension de sortie. On peut remarquer que la consommation lectrique de la partie commande
est en grande partie responsable de cette chute de rendement ces chelles de transfert de
puissance. On peut donc en dduire quil faut faire un effort recherche sur la rduction de la
consommation lectrique de la partie commande afin dobtenir un meilleur rendement global
de la chaine de conversion.
Figure 4-5. Rendement thorique dun Buck en fonction de la puissance dentre pour
diffrentes valeurs de tension batterie.
4.3.1. tude dun micro-convertisseur BOOST utilis comme tage
dadaptation.
Une tude similaire la section prcdente a t ralise pour une chaine de
conversion solaire disposant dun convertisseur lvateur de tension comme tage
dadaptation, Figure 4-6. Dans le cas dun convertisseur statique de type step-up (Boost), on
peut exprimer sa tension dentre comme suit :
V PV = Vbat (1 D)
(4-2)
O Vpv est la tension dentre, Vbat la tension de sortie et D le rapport cyclique du

convertisseur. Pour une tension de sortie fixe de type batterie, lincrmentation du rapport
cyclique D impliquera une diminution de la tension du panneau. Et inversement, pour une
dcrmentation de D, la tension VPV augmentera. La commande MPPT, en agissant sur le
rapport cyclique du convertisseur Boost, permet de contrler la tension aux bornes du
panneau et par consquent, la puissance dlivre par celui-ci.
77
Figure 4-6. tage dadaptation lvateur de tension dun gnrateur photovoltaque avec
fonction MPPT reli une batterie (Vbat > VoptPV).
Dans ce cas, un seul interrupteur de puissance est contrl par la commande MPPT.
Aucune diode anti-retour nest ncessaire du fait de la non-rversibilit en courant du
convertisseur classique de type Boost. Le choix des lments actifs (Mosfet et diode) a t
optimis pour rpondre au mieux aux contraintes de notre application. Comme
prcdemment, nous avons dvelopp, laide du logiciel PSIM, un circuit lectrique
simplifi dun convertisseur lvateur de tension de type Boost afin dvaluer les pertes lies
la partie puissance du convertisseur, Figure 4-7.
Figure 4-7-Convertisseur lvateur de tension de type Boost.

La tension dentre a t impose 6V pour rpondre aux contraintes des panneaux
comme prcdemment et celle de sortie peut varier de 8 12V. Dans le cas du Boost, la
tension de sortie doit toujours tre suprieure ou gale la tension dentre. Nous avons donc
comme charges des tensions de batterie de 8 et 12Volts correspondant des batteries au
plomb classique (4x2Vou 6x2V). La Figure 4-8 reprsente les rsultats des simulations du
circuit Boost. Le rendement de ltage dadaptation est reprsent en fonction de sa puissance
dentre. L aussi, la valeur du rendement chute faible puissance cause de la
consommation de la commande du convertisseur.
78
Figure 4-8. Rendement thorique conv du convertisseur de type Boost en fonction de la

puissance dentre pour des tensions batterie de 8 et 12V.
Comme dans le cas prcdent, les rendements de ltage dadaptation sont faibles
faible puissance compte tenu de la consommation importante de la commande du CS. Les
pertes lectriques induites par la partie commande restent donc un verrou lintgration.
4.3.2. Synthse et bilan de puissance.
Nous avons prsent dans la partie prcdente une tude de faisabilit de microconvertisseurs ddis aux applications photovoltaques. Les performances actuelles des
convertisseurs de faibles puissances allous aux applications portables nous ont servi pour
dimensionner les CS destins raliser les micro-convertisseurs des applications
photovoltaques. Une pr-tude a montr la possibilit de raliser des convertisseurs
lectriques (Buck ou Boost) avec des rendements de conversion trs convenables. Mais une
attention particulire doit tre apporte sur la consommation de la partie commande qui est
encore trop importante. Par exemple, on peut voir en Figure 4-9 un bilan de puissance
thorique dun tage dadaptation de type Boost. Pour une puissance dentre de 1W,
seulement 87% de la puissance sera transmise la charge. La partie commande va en
consommer 9% et la partie puissance, 4%.
79
Figure 4-9. Bilan des puissances thoriques dun tage dadaptation de type Boost avec
commande MPPT alimentant une batterie de 12V, pour une puissance dentre de 1W.
Bien sr, on peut se dire que ce rendement est tout fait convenable mais, il ne faut
pas oublier que le gnrateur est un module photovoltaque. La puissance dlivre par le
panneau est donc dpendante de lensoleillement et ne peut pas tre maitrise et maintenue
constante la valeur optimale. Par consquent, le rendement de ltage dadaptation conv
dun micro-convertisseur destin au photovoltaque doit tre imprativement lev sur toute la
plage de puissance dentre. Sinon, cet tage va dgrader les performances dun GPV plutt
quaugmenter le rendement global de la chane de conversion. Par exemple, pour une
puissance de 500mW, la partie commande en consommera prs de 20 %. Nous nous sommes
alors concentrs tout particulirement sur la rduction de consommation de la partie
commande afin de permettre au systme dtre plus performant sur une large gamme de
puissance tel que dcrit dans les paragraphes suivants.
4.4. Amlioration de la commande MPPT.

4.4.1. Principe de recherche du Point de Puissance Maximum du LAAS.
Dans un premier temps, nous rappelons le principe des commandes MPPT
dveloppes par le LAAS-CNRS bases sur le principe de commande extrmale. Cette
commande recherche en permanence le point extrmal dune variable du systme par la
variation dun paramtre dentre de ce dernier sans avoir besoin de connatre a priori la
rfrence suivre.
Dans notre cas, le systme nest autre que ltage dadaptation (quel que soit la
structure du CS), la commande extrmale tant incluse dans lalgorithme MPPT labor.
Cette commande MPPT permet de rechercher en permanence le PPM que peut fournir le
panneau photovoltaque et ainsi osciller indfiniment autour de celui-ci. Le CS pilot par la
MPPT a ainsi sa tension dentre VPV qui varie en fonction du rapport cyclique impos par la
commande. Une tude pralable du comportement statique et dynamique du systme a t
ralise par Ramon Leyva dans ses travaux sur les extremum-seeking control for
photovoltaic systems et a prouv la stabilit dun tel systme [7].
80
La charge continue tant une batterie au plomb de tension fixe note VBAT, la
commande MPPT impose des variations du rapport cyclique du CS et donc des variations de
la tension dentre de ce dernier. Comme le montre la Figure 4-10, la variation de la tension
PV implique un changement du point de fonctionnement du GPV. Les puissances dlivres P1
et P2 correspondent respectivement aux tensions V1 et V2.
Oscillation MPPT
P1
V1
Popt
Vopt
P2
V2
Figure 4-10. Diffrents points de fonctionnement PPV(Vpv) dun GPV soumis une consigne
MPPT extrmale
Si nous prenons le cas du Boost, sa tension dentre varie en fonction de D et de Vbat
comme dcrit en (4-3). Le point de fonctionnement P1(V1) correspond alors lexpression
suivante :
Vin 1 = Vbat (1 D1 )
(4-3)
O Vin est la tension dentre, Vbat la tension de sortie et D le rapport cyclique du

convertisseur.
La transition dun point de fonctionnement P1 un point de fonctionnement gnrique
P est effectue par un incrment temporel du rapport cyclique D, not .t, de la manire
suivante :
D p (t ) = D1 + .t
(4-4)
O est une constante positive.

Lvolution de Vin dans le temps rpond alors lexpression suivante :
Vin (t ) = V pv (t ) = Vbat (1 D1 .t ) = Vin 1 Vbat . .t
(4-5)
Nous constatons quune variation positive du rapport cyclique D implique une

diminution temporelle linaire de la tension Vpv. Et vice versa, une variation positive de D
augmentera la tension du panneau.
On peut en dduire lexpression gnraliste de la variation du rapport cyclique tel que :
81
Dn +1 (t ) = Dn + .t
(4-6)
Avec constante positive ou ngative.

Lexpression temporelle de Vin devient :
Vn +1 (t ) = Vbat (1 Dn +1 (t )) = Vbat (1 Dn .t ) = Vn Vbat . .t
(4-7)
Dautre part, la drive de la puissance fournie par le gnrateur photovoltaque par

rapport D peut scrire :
dP
dP dVin
=
.
dD dVin dD
(4-8)
A partir de lexpression (4-3), nous pouvons crire lquation prcdente sous la forme,
dP
dP
= Vbat
dD
dVin
(4-9)
Ainsi, la drive seconde peut sexprimer :

2
d 2 P dVin
d 2P
2 d P
.
.
V
V
=
=
bat
bat
2
2
dD 2
dVin
dVin dD
(4-10)
Comme au point de puissance optimum Popt, nous savons que dP / dVin = 0 , lexpression (4-9)
devient :
dP
=0
dD
(4-11)
De plus, au Popt, d 2 P / dVin < 0 , cela implique :

d 2P
<0
dD 2
(4-12)
A partir des expressions (4-11) et (4-12), on peut dduire que la puissance fournie par
le gnrateur photovoltaque est une fonction concave par rapport D. Ainsi, lalgorithme de
recherche extrmal peut tre appliqu directement au rapport cyclique du convertisseur qui va
alors contrler la puissance fournie par le PV. Le sens de la drive de puissance va nous
permettre destimer notre position sur la courbe. Si la drive est nulle, alors nous savons que
nous sommes sur le point de puissance maximum que peut dlivrer le panneau. Par contre, si
le rsultat est positif ou ngatif alors cela signifie que nous sommes droite ou gauche du
PPM. Ainsi, il suffit dimposer une variation temporelle adquate du rapport cyclique du
convertisseur, pour osciller autour du PPM.
82
P1
dP/dt>0
P1
dP/dt>0
P1
Popt P2
P2
P1
dP/dt<0
P2
P2
Vopt
Figure 4-11. volution du point de fonctionnement dun GPV associ un tage dadaptation
avec MPPT.
Le diagramme de la Figure 4-12 reprsente le principe gnral de la premire
commande analogique MPPT extrmale dveloppe au LAAS-CNRS par Angel Cid-Pastor,
dcompos en diffrentes fonctions. Pour ce type de commande, deux capteurs sont
ncessaires pour connatre en permanence la tension (Vpv) et le courant (Ipv) fournis par le
GPV. Ces mesures permettent didentifier chaque instant PPV ainsi que tout changement de
condition de fonctionnement. A partir des informations dlivres, une image de la puissance
fournie par le GPV est calcule via le multiplieur analogique.
IPV
VPV
Multiplieur
Analogique
Diffrentiateur
Bascule avec
retard dinhibition
Comparateur
Hystrsis
Intgrateur
MLI
Rapport
cyclique
Signal Triangle
Figure 4-12. Diagramme de fonctionnement de la commande MPPT analogique du LAASCNRS.

La sortie du multiplieur est connecte un circuit diffrenciateur et un comparateur
constituant la fonction drive de puissance et donnant le signe de cette variation une
bascule. La sortie du comparateur dhystrsis est introduite lentre dune bascule avec un
retard dinhibition qui tablit, aprs un temps fix pralablement, si la direction de la
recherche du maximum doit changer ou tre maintenue. Le temps dattente assure au
convertisseur une certaine stabilit et lui vite des changements de sens de variations de D
intempestifs pouvant entraner la perte du PPM. Ainsi, il permet aussi dassurer le bon
fonctionnement de la recherche (augmenter ou diminuer D) seffectue dans de meilleures
conditions. Ce dlai permet dassurer le bon fonctionnement de la recherche du PPM lors
dune variation subite dclairement comme le montre la Figure 4-13. Sans ce dlai, le
changement de sens de poursuite devrait seffectuer ds quune drive ngative est dtecte
entre les points de puissance P2 et P3. Dans cet exemple, on peut bien illustrer que le dlai
permet de conserver le sens de poursuite jusqu passer de lautre ct du Popt2, assurant ainsi
une recherche MPPT fiable.
83
Sens de
poursuite
Popt1 P2
Courbe de puissance1
P1
Courbe de puissance2
P4 Popt2
P3
Dlai
Figure 4-13. Consquences dun changement dclairement sur la courbe de puissance dun
GPV et sur la recherche du PPM.
Ainsi, la bascule change son tat de sortie en fonction de la drive de puissance. Si la
drive de puissance est positive, la bascule ne change pas dtat. Par contre, si la drive de
puissance est ngative et si le changement est autoris, la bascule change dtat. Le
changement nest autoris que si le retard fix pralablement depuis le dernier changement de
ltat de sortie de la bascule sest coul. Ltat de sortie de la bascule permet de charger ou
de dcharger le circuit intgrateur, dont la sortie dlivre la rfrence de tension utilise dans
une commande de type MLI (Modulation de Largeur dImpulsion). Cette rfrence est donc
compare un signal triangulaire dans le but dobtenir en sortie du comparateur (MLI) le
rapport cyclique commandant les interrupteurs de puissance du convertisseur lectrique.
4.4.2. Numrisation de la commande MPPT.
Les premiers travaux doptimisation de cette commande, pilots par Cdric Cabal dans
le cadre de sa thse, se sont orients sur la numrisation dune partie de la commande pour,
dans un premier temps obtenir une commande flexible et dautre part arriver un systme de
contrle moins couteux [8]. Le diagramme de la Figure 4-14 reprsente la loi de commande
MPPT avec une partie de la commande numrise. Les travaux de recherches mens ont
abouti la numrisation de lacquisition des mesures de tension et de courant du GPV et de
lalgorithme de contrle MPPT.
Timer
IPV
VPV
dP/dt
Algorithme
MPPT
Vtrack
Intgrateur
PWM
Rapport
cyclique
Signal Triangle
Partie Numrique
Figure 4-14. Loi de commande MPPT Semi-Numrique du LAAS-CNRS.

Le principe de fonctionnement reste le mme que pour la version analogique. Les
acquisitions du courant et de la tension du GPV seffectuent de faon squentielle via un
84
convertisseur Analogique-Numrique (CAN). La puissance est alors calcule en multipliant le

courant et la tension de manire hardware. Pour obtenir une mesure plus prcise de la
puissance, on effectue cette opration huit reprises pour en retirer une puissance moyenne.
Ce principe nous permet ainsi de filtrer les bruits et les parasites susceptibles de venir
perturber les mesures. A partir de cette mesure de puissance on peut dterminer le signe de sa
drive par rapport au temps. Ensuite, lalgorithme vient dterminer dans quel cas de
configuration nous nous trouvons avant de prendre une dcision de changement de sens de
poursuite du PPM, Figure 4-15.
Acquisition Vpv
Acquisition Ipv
Calcul Ppv
Calcul Ppv Moyenne
Calcul Drive dPpv/dt
Algorithme MPPT
Figure 4-15. Diagramme de fonctionnement de la MPPT Numrique.
Le diagramme de la Figure 4-16 reprsente le principe de lalgorithme numrique de
recherche de PPT. En rcuprant la drive de puissance par rapport au temps, on peut
dterminer o se trouve le systme. Si la drive est positive et si la variable (qui dtermine
le sens de poursuite du PPM) est au niveau haut (=1), alors cette dernire reste inchange, le
signe positif de la drive indiquant que le systme sapproche du PPM.
A linverse, si la drive est ngative, on peut en conclure que nous avons dpass le
PPM. Dans ce cas, nous testons la variable H correspondant une autorisation de changement
de sens de recherche. La variable H passe 1 ds lors quun dlai (pr-charg dans un Timer)
est coul depuis le dernier changement de sens de recherche. Ainsi, le sens de recherche
sinverse en changeant la valeur de et seulement si la variable H vaut 1. De cette manire,
le point de fonctionnement du GPV peut osciller en permanence autour du PPM.
En rsum, la commande MPPT effectue un suivi permanent du PPM, ncessaire pour
connatre les variations de la puissance de sortie du GPV. Elle permet de rajuster le rapport
cyclique du convertisseur statique et ainsi dassurer ladaptation entre le GPV et la charge, en
faisant en sorte que le GPV fonctionne au mieux de ses capacits.
85
dPpv/dt
dPpv/dt > 0
=1
=1
dPpv/dt < 0
=1
H=0
=1
dPpv/dt > 0
=0
dPpv/dt < 0
=0
=0
H=1
H=0
=0
H=0
=0
Timer
H=1
=1
H=0
Timer
Figure 4-16. Schma bloc de lalgorithme MPPT numrique.
Figure 4-17. Circuit lectrique dun tage dadaptation boost contrl par commande MPPT
semi-numrique ayant un GPV comme source dentre et une batterie 12V comme charge.
On peut voir en Figure 4-17 le schma lectrique, dvelopp sous PSIM, dun tage
dadaptation de type Boost contrl par une commande MPPT semi-numrique et insr entre
un GPV et une charge de type batterie. Le bloque DLL reprsente la partie numrique de la
commande MPPT. Pour cela, un programme en langage C a donc t conu et converti en
routine DLL pour tre intgr dans le logiciel de simulation. Les rsultats de simulation de ce
circuit sont prsents en Figure 4-18. On y trouve lvolution des variables lectriques
86
dentre du convertisseur en rgime tabli tel que la puissance PPV dlivre par le GPV
(rfrenc 14/150/300TD) ainsi que le courant IPV et la tension VPV. Le retard dinhibition a
t fix 4ms. Nous avons galement affich la variable de contrle VC laquelle est
compar un signal triangulaire de 500 kHz pour obtenir le signal de contrle du MOSFET
(MLI). Nous pouvons constater que lalgorithme de commande MPPT extrmale impose une
variation de type triangulaire sur la variable de contrle VC de telle sorte que lintervalle o la
pente est positive correspond une trajectoire du point de fonctionnement du GPV de droite
gauche de la caractristique I(V) en direction du PPM. Lintervalle o la pente est ngative
correspond son tour une trajectoire de gauche droite. Ainsi, il y a deux passages par le
PPM pour chaque priode du signal VC. La tension VPV est proportionnelle la tension de
contrle VC avec un dphasage de 180, tel que nous pouvions le prvoir partir de
lexpression (4-7).
Figure 4-18. Rsultats de simulation dun tage dadaptation Boost avec MPPT seminumrique insr entre un GPV et une batterie 12V. Variables lectriques de sortie du GPV
et tension de commande Vc.
Les premiers tests exprimentaux ont t raliss partir dune commande MPPT
semi-numrique dont la premire version est prsente en Figure 4-19. Nous la nommons
V0 pour la rfrencer par la suite lors de sa comparaison avec des versions amliores. La
consommation de ce premier systme de commande a t value 93 mW lors de tests
exprimentaux. Le passage au numrique a permis de rduire par 4 la consommation par
rapport la commande analogique qui consommait environ 400mW.
Ipv
Vpv
Control
MPPT
Numrique
Cde
Ctrl
Intgrateur
+
-
Figure 4-19. Premire commande MPPT Semi-Numrique (V0).
87
Un relev exprimental est consign en Figure 4-20. Cet essai montre le

comportement en rgime tabli de ltage dadaptation survolteur avec la premire gnration
de commande MPPT Semi-numrique V0. Nous pouvons remarquer que lalgorithme de
commande MPPT extrmal fonctionne correctement. La commande impose une variation de
type triangulaire sur la variable VPV. Cette variation linaire implique donc un changement du
point de fonctionnement du GPV de gauche droite sur la caractristique P(V) quand la pente
dvolution de VPV est positive. Et, lorsque la pente est ngative, on passe une trajectoire de
droite gauche. Ainsi, il y a bien les deux passages par le PPM attendus pour chaque priode
du signal VPV.
Ppv
Ipv
Vpv
Figure 4-20. Relev exprimental des variables de sortie dun GPV fonctionnant laide dun
CS boost comme tage dadaptation et la MPPT extrmale V0 sur batterie de 12V.
Malgr les bonnes performances de la MPPT V0, sa consommation reste un frein au
dveloppement de notre architecture distribue. Nous avons donc dcid de faire voluer le
systme de contrle MPPT dans deux directions. La premire solution est de dvelopper une
commande MPPT totalement numrique, lautre solution est de rduire au maximum la
consommation de la commande en optimisant le circuit et les composants lectroniques qui la
composent dans le but de mieux connatre comment rduire la consommation sans trop
dgrader les performances de la commande.
4.4.3. Dveloppement dune MPPT Numrique avec MLI interne.
Pour rduire le nombre de composants sur la carte de commande du CS et donc
potentiellement sa consommation, nous avons mens des recherches pour intgrer dans un
mme microcontrleur les fonctions MPPT et MLI (Modulation de Largeur dImpulsions),
cette dernire tant ralise actuellement en mode analogique. Cette solution semble
intressante galement pour la rduction de lencombrement de la carte de commande MPPT,
induite par lintgration de nouvelles fonctions numriques. Par ailleurs, nous nous sommes
dirigs vers une implantation sur de nouveaux microcontrleurs bass sur de nouvelles
technologies NanoWatt pouvant apporter une rduction globale et importante de la
consommation de la commande.
88
Ipv
Vpv
Contrle
MPPT
Numrique
Ctrl
D.T
Figure 4-21. Commande MPPT entirement Numrique version 1.

Nous avons gard le microcontrleur de ltude prcdente car il sest avr tre le
plus mme rpondre nos besoins. Il dispose dune technologie NanoWatt permettant une
consommation thorique de seulement 13 mWatts et dune sortie MLI indispensable notre
systme. La fonction MLI (ou PWM en anglais) permet de gnrer directement un signal
logique, frquence fixe dont le rapport cyclique peut tre contrl numriquement.
Lalgorithme de contrle MPPT nest donc pas si diffrent que le prcdant, Figure 4-22.
Nous avons juste intgr la fonction MLI dans le programme. On vient dabord initialiser la
frquence du signal de sortie MLI, ici 500kHz. Et, la variable D dtermine le rapport
cyclique exact du signal de contrle. En agissant donc directement sur la valeur de cette
variable, on va faire voluer notre systme pour quil oscille autour du PPM.
dPpv/dt
dPpv/dt > 0
=1
=1
D=D+d
dPpv/dt < 0
=1
dPpv/dt > 0
=0
=0
D=D-d
H=0
H=1
=1
D=D+d
=0
H=0
D=D-d
Timer
dPpv/dt < 0
=0
H=0
H=1
=0
D=D-d
=1
H=0
D=D+d
Timer
Figure 4-22. Schma bloc de lalgorithme MPPT numrique avec fonction MLI.
La Figure 4-23 reprsente les valeurs lectriques exprimentales du GPV releves lors
du test dun convertisseur Boost command par une MPPT entirement numrique (V.1),
Figure 4-21. Nous retrouvons bien les oscillations sur les relevs de puissance du GPV
induites par lalgorithme de commande extrmale MPPT. On peut galement constater la
prsence de crneaux sur les signaux lectriques. Les intervalles de temps de ces derniers
correspondent au temps dacquisition et de traitement des donnes relatifs la commande
89
MPPT. Il est possible de rduire ce temps de calcul en augmentant la frquence de

fonctionnement du microcontrleur mais il faut alors savoir que cela va en augmenter la
consommation.
Lamplitude des crneaux, quant elle, dpend de la rsolution du PWM (MLI). En
fait, cette rsolution dpend de la frquence de fonctionnement du microcontrleur et
dtermine la rsolution de la variable D. Si la frquence de loscillateur est de 20MHz et la
frquence du signal de sortie MLI de 500kHz alors la variable D travaille sur 5 bits de
rsolution, soit 32 valeurs diffrentes possibles de 0 1 expliquant ainsi un manque de
prcision sur D. Ceci est dcrit par lquation (4-13) fournie dans la notice du
microprocesseur.
Fosc
)
FPWM
.bits
log(2)
log(
PWM .Rsolution( Max) =
(4-13)
Pour augmenter la rsolution, et ainsi avoir une meilleure prcision sur les variations
du rapport cyclique, nous avons augment la frquence du microcontrleur 32MHz. Nous
avons alors doubl la rsolution de la variable D en passant de 5 6 bits.
Ppv
Ipv
Vpv
Figure 4-23. Variables de sortie dun GPV fonctionnant avec un Boost contrl par MPPT
de type extrmale entirement Numrique (version 1) sur batterie de 12V.
La frquence de fonctionnement du microcontrleur 32 MHz a certes permis
damliorer la qualit du signal de contrle, mais la consommation de la carte de commande
MPPT a augment. De plus, le nouvel algorithme MPPT interne devant galement gnrer D
demande plus de ressources au microcontrleur en termes de calculs, dgradant dautant la
consommation. Malgr tout, les mesures effectues montrent une consommation de la carte de
commande MPPT entirement numrique de lordre de 52mW seulement. Nous avons donc
pu diminuer de presque la moiti la consommation par rapport au systme semi-numrique
V0. Cette architecture de commande entirement numrique bien que meilleure en termes de
consommation que la premire montre cependant pas mal de limites en termes de prcisions.
Nous avons donc choisi de revenir une commande semi-numrique et de voir comment on
pouvait amliorer cette version V0 autrement.
90
4.4.4. Autre optimisation de la commande MPPT Semi-Numrique.

Pour poursuivre loptimisation de la commande MPPT, nous sommes repartis sur la
base du circuit de commande MPPT Semi-Numrique V0. Nous avons essay de localiser les
pertes lies la consommation des composants discrets. Une premire tude thorique a donc
t ralise en se basant sur les donnes constructeurs des diffrents lments qui composent
la commande. Ces caractristiques lectriques proposes par les fabricants lectroniques se
sont rapidement rvles difficiles exploiter. Une valuation approximative de la
consommation de chaque lment est prsente en Figure 4-24 rvlant bien les origines des
pertes. Ainsi, les composants lectroniques les plus gourmands en nergie se sont trouvs tre
le comparateur (LM311) et le gnrateur de dents de scie (NE555) avec plus de 70% des
pertes pour ces deux composants.
Figure 4-24. Rpartition des pertes de la carte de commande MPPT semi-numrique V0

(90mW).
Le gnrateur de dents de scie a donc t remplac par un nouvel oscillateur dot
dune technologie CMOS et les rsistances servant dfinir la frquence du signal ont t
augmentes afin de rduire les pertes par effet joule. En ce qui concerne le LM311, nous nous
sommes heurts un problme li au compromis entre rapidit et consommation. Nous avons
test dautres comparateurs de technologies CMOS et autres, mais il sest avr que le LM311
tait le meilleur compromis entre rapidit de fonctionnement (Slew Rate) et consommation.
Nous avons donc gard le LM311 et augmenter la valeur de la rsistance pull-up obligatoire
en sortie du LM311.
Le circuit a t optimis dans sa globalit et implant sur un mme circuit imprim
que la partie puissance. La Figure 4-25 montre un convertisseur DC-DC de type Buck avec sa
commande MPPT semi-numrique version1 (V.2).
Grce loptimisation de la partie commande et son intgration dans ltage
dadaptation, nous avons diminu les pertes denviron 40%. Nous sommes passs des 93mW
de la commande V0 39mW pour la commande semi-numrique V.2.
91
Figure 4-25. tage dadaptation de type Buck pouvant transfrer 2 Wc dun GPV et pilot par
la commande MPPT Semi-Numrique version 2.
Poursuivant toujours lide initiale de rduire considrablement la consommation de la
carte de commande, nous avons dvelopp un nouveau prototype avec rduction de la tension
dalimentation de chacun des composants [9,10].
Une premire optimisation de la commande a t ralise en choisissant des
composants pouvant fonctionner sous tension rduite. Puis, une attention particulire a t
apporte la taille mme des composants pour pouvoir rduire les pertes lies la
connectique. Nous sommes ainsi passs dune tension dalimentation de 5 V une de 3.3 V.
Un nouveau microprocesseur low-voltage a t slectionn de type PIC ainsi quun nouveau
capteur de courant. Le gnrateur de dents de scie a du galement tre remplac. Le prototype
final est prsent en Figure 4-26. Il a t ralis pour un tage dadaptation de type boost. L
aussi, les composants de puissance cohabitent avec ceux ncessaires la nouvelle commande
MPPT semi-numrique version 3 (V.3) fonctionnant sous faible tension dalimentation. La
rduction de la taille et de la tension dalimentation nous a permis de rduire de prs de 70%
la consommation par rapport la V0. La nouvelle commande MPPT semi-numrique ne
consomme plus que 25mW.
Figure 4-26. tage dadaptation de type Boost de 2 Watts crte avec commande MPPT SemiNumrique V.3.
4.4.5. Synthse de lvolution de la commande MPPT.
Nous avons tudi dans cette partie les volutions possibles de la commande MPPT du
LAAS dans une double optique de rduction de sa consommation et de diminution de son
encombrement. Le Tableau 4-1 nous rsume lvolution de cette commande travers les
diffrents prototypes dvelopps durant nos travaux de recherche. Nous avons en plus valu
le prix de revient de chaque carte de commande afin davoir une ide du prix de chaque
solution.
92
Tableau 4-2. volution de la carte de commande MPPT du LAAS-CNRS

Commande
Commande
Commande
Commande
Semi-Numrique Semi-Numrique
Numrique
Semi-Numrique
V.3
V.2
V.1
V.0
Prix ()
10.57
7.23
11.3
11.4
Consommation
(mW)
93
52
39
25
Surface (cm)
22.8
9.3
18.5
11.5
La version V3 de la carte de commande Semi-Numrique sest avre tre le circuit le

moins consommateur avec seulement 25mW. La consommation de la commande a
maintenant un impact beaucoup moins important sur le rendement de la chaine de conversion
quau dbut de nos travaux, ayant t divise par 4 par rapport la premire version. Cela
nous permet denvisager le dveloppement dtages dadaptation pouvant fonctionner et
transmettre de lnergie PV ds quils recoivent 25mW de puissance en entre.
Lencombrement de cette commande reste toutefois lev. Ces prototypes entirement
conus au laboratoire servent essentiellement prouver la pertinence dassocier des GPV de
trs faible puissance des micro-convertisseurs pour le photovoltaque et valider diffrents
concepts. Dans une optique de pr-industrialisation, voir dintgration des microconvertisseurs aux GPV, des amliorations en termes de taille, prix et consommation
pourraient encore tre faites.
4.5. Validations exprimentales.

Afin dvaluer les bnfices dutiliser des micro-convertisseurs dans des applications
faibles puissances photovoltaques, nous nous sommes servis de diffrents prototypes
dtages dadaptations raliss avec des composants discrets du commerce. Cette tude bien
que partielle nous a permis de localiser les diffrentes sources de pertes et destimer la
faisabilit du systme de gestion en fonction de diffrentes architectures.
4.5.1. Ralisation et validations exprimentales dun micro-convertisseur
Buck.
La structure slectionne pour raliser le convertisseur abaisseur de tension est un
buck synchrone afin de rduire les pertes de ltage dadaptation de puissance par rapport
une architecture classique avec diode de roue libre. Une diode Schottky, D2 sur le schma de
la Figure 4-27, est souvent prconise en parallle avec le MOSFET NMos2 pour conduire le
courant inducteur pendant la priode de temps mort impose aux deux interrupteurs NMos1
et NMos2 pour quils ne conduisent pas en mme temps et viter des court circuits. Avec cette
diode D2, la diode body de NMos2 ne conduira jamais, augmentant encore le rendement du
convertisseur. Sur le schma de ltage dadaptation, on peut remarquer que la diode D1 a
chang de place, elle se retrouve maintenant en sortie du convertisseur. Ce changement est d
aux problmes engendrs par lutilisation dune structure de conversion synchrone avec une
batterie comme charge de sortie. En effet, lorsque le convertisseur est inactif, linterrupteur
NMos 2 est ltat ferm par dfaut crant ainsi un court-circuit avec la batterie impliquant
93
donc une destruction du convertisseur. La diode D1 dispose en sortie du convertisseur

permet donc dviter ce dysfonctionnement tout en assurant la fonction anti-retour du courant
de la charge vers le GPV. Cependant, les pertes engendres par ce changement seront plus
importantes, car le courant en sortie du convertisseur Buck est plus important quen entre.
Nanmoins, nous avons quand mme choisi de continuer dans cette optique darchitecture
synchrone car elle se trouve tre la structure la plus performante actuellement. Pour les futurs
essais, nous avons donc choisi une architecture de convertisseur abaisseur de tension
synchrone telle quelle est dfinie en Figure 4-27.
Figure 4-27. tage dadaptation de type Buck synchrone avec fonction MPPT pour un GPV
reli une batterie (Vbat < Vopt PV).
Les rsultats exprimentaux des rendements de conversion du convertisseur Buck
synchrone sont consigns en Figure 4-28 (sans diode D1). Cette tude a t ralise pour des
interrupteurs de puissance de type MGSF1N02 dont les caractristiques sont rappeles dans le
Tableau 4-3. Dans un premier temps, on pourrait se dire que les pertes dans les interrupteurs
sont essentiellement dues aux rsistances ltat passant (Rsistance entre le drain et la
source=Rdson) de ceux-ci. Mais ce nest pas le cas, comme le montre le diagramme de
rpartition des pertes dans le convertisseur Buck consign en Figure 4-29. Grce ce
diagramme, on peut rapidement visualiser la rpartition des pertes dans la partie puissance du
convertisseur et remarquer que 66% de ces pertes sont localises dans les interrupteurs de
puissance. Do lintrt de bien dimensionner ces derniers.
Figure 4-28. Rendement conv en fonction de la puissance dentre du convertisseur buck

synchrone Vin=6V et Vout=2V.
94
Ce diagramme circulaire reprsente la rpartition des pertes estimes dans les diffrents
lments de puissance qui composent le convertisseur abaisseur de tension [Annexe1].
Figure 4-29. Rpartition des pertes dans le micro-convertisseur buck synchrone ralis au
LAAS pour une Puissance dentre transfrer de 1W et des MOSFET rfrencs
MGSF1N02.
Les pertes lies aux commutations des interrupteurs de puissance ont donc un rle
important jouer dans le calcul du rendement final du convertisseur statique. La charge de
grille Qg est la quantit dlectricit que le circuit de commande doit fournir la grille de
linterrupteur Mosfet afin dlever sa tension de zro une tension spcifie (elle est
exprime en Coulomb- 1C=1s.A). La charge de grille totale est caractrise par la somme des
charge des capacits grille-drain et grille-source. Donc plus Qg est important, plus les pertes
par commutations des interrupteurs de puissances seront grandes. Il faut donc trouver un
compromis entre la rsistance Rdson et la charge de grille Qg [11,12].
Tableau 4-3. Caractristiques des Interrupteurs de Puissance.
MGSF1N02LT1
FDV303N
TNO200K
Rdson ()
0.09
0.4
0.18
Qg (C)
6.00E-09
1.80E-09
1.35E-09
Coss (F)
1.20E-10
2.80E-11
3.70E-11
Rise Time (s)
1.00E-09
1.20E-08
2.00E-08
Fall Time (s)

Delay Time
ON (s)
Delay Time
Off (s)
8.00E-09
2.00E-08
3.00E-08
2.50E-09
5.00E-09
1.70E-08
1.60E-08
2.30E-08
5.50E-08
Nous avons donc test diffrents interrupteurs de puissance disposant de

caractristiques lectriques distinctes afin de trouver le plus mme optimiser le rendement
de conversion. Les rsultats exprimentaux des essais sont consigns en Figure 4-30.
Lutilisation dinterrupteurs TNO200K nous a permis de gagner prs de 10% sur conv, la
puissance nominale mais aussi cela a permis de maintenir un fort rendement sur une large
95
plage de fonctionnement. Dautres tests ont t mens pour dautres dispositifs de puissance
en associant diffrents types dinterrupteurs pour le MOSFET du haut (High side MOS) et
celui du bas (Low side MOS). Comme on peut le voir dans le diagramme de la Figure 4-29,
une grande partie des pertes dans le High MOS sont dues aux pertes par commutations et par
opposition, celles dans le Low MOS sont dues aux pertes par conduction. En thorie, il faut
donc choisir un MOSFET disposant dun faible Qg pour linterrupteur du haut et un
MOSFET avec un faible Rdson pour linterrupteur du bas, pour optimiser notre systme.
Figure 4-30. Rendement conv du buck synchrone pour diffrents interrupteurs de

puissance.Vin=6V et Vout=2V.
La Figure 4-31 illustre la rponse de ltage dadaptation Buck, disposant de la
commande MPPT semi-numrique V3, lors dune variation brusque densoleillement. Ce
rgime transitoire doit tre tudi pour les applications PV car il se produit de nombreuses
fois dans la journe. Ces perturbations peuvent intervenir tout moment lors de passages
nuageux, deffets dombrage ou mme lors dclipses pour les applications spatiales. Dans le
relev exprimental de la Figure 4-31-a, le courant dentre du convertisseur augmente
brutalement alors que la tension reste inchange correspondant un ombrage qui disparat. Le
nouveau point de puissance est alors atteint trs rapidement par le systme de recherche
MPPT conformment aux tudes thoriques. On peut remarquer que les signaux changent
lgrement dallure tant donnes les diffrences de puissances mises en jeu lors des
variations. Ainsi, on peut remarquer qu faible puissance, la caractristique P(VPV) a
tendance saplatir impliquant une dformation dautant du courant PV et donc de la
puissance extraite pour une mme variation de rapport cyclique. Un fonctionnement similaire
de ltage dadaptation est observable lors dun ombrage tel que montr en Figure 4-31-b.
Ayant test lensemble avec un module base de silicium amorphe, on peut constater la faible
variation de VPV pour une forte variation de IPV caractristique de ce type de panneau.
96
Ppv
Ppv
Ipv
Ipv
Vpv
Vpv
a) Dtail des effets dune claircie

b) Dtail des effets dun ombrage
Figure 4-31. Rponse dun GPV a-Si avec tage buck avec commande MPPT V3.
4.5.2. Ralisation et validations exprimentales dun micro-convertisseur
Boost.
En ce qui concerne la structure boost, elle reste beaucoup plus simple raliser que
larchitecture buck synchrone. Elle ne requiert quun interrupteur de puissance command.
Les composants actifs ont t choisis en fonction de leurs faibles pertes en conduction et
commutation comme prcdemment pour une puissance nominale de 1W, une tension de
sortie de 12V et une tension dentre de 6V. Le transistor MOSFET TNO200K est utilis
pour linterrupteur command et la diode MBR0520 pour sa faible tension de seuil (0,38V)
en tant que diode de roue libre.
Figure 4-32. tage dadaptation de type boost avec fonction MPPT pour un GPV reli une
batterie (Vbat < Vopt PV).
La Figure 4-33 montre les rsultats exprimentaux des rendements du convertisseur boost. Le
convertisseur affiche des valeurs de rendement de conversion remarquables avec prs de 90%
pour seulement 400mW de puissance et plus de 96% pour 1W.
97
Figure 4-33. Rendement conv du convertisseur boost en fonction de la puissance dentre.

Pour Vin=6V et Vout=12V.
Le diagramme circulaire de la Figure 4-34 nous permet de visualiser la rpartition des
pertes dans le boost lors dun essai en statique avec une puissance dentre de 1W. On
remarque vite que les pertes sont localises principalement dans les lments actifs. En ce qui
concerne la diode, elle gnre elle seule prs de la moiti des pertes [Annexe 2]. Cependant,
les valeurs de rendement nous semblent relativement acceptables pour ngliger les pertes lies
ltage de conversion et pouvoir tester ce type de micro-convertisseur insr au sein dune
architecture distribue.
Figure 4-34. Rpartition des pertes dans le boost Pour une puissance dentre de 1W.
Un relev exprimental est consign en Figure 4-35. Dans cet essai, le comportement
en rgime tabli des grandeurs lectriques dentre du convertisseur Boost avec la version V3
de la MPPT est analys en fonction du temps. Nous pouvons constater que lalgorithme de la
commande MPPT extrmale impose une variation de rapport cyclique entre deux valeurs
proches engendrant des formes donde triangulaires et oscillatoires pour les grandeurs
lectriques dentre du convertisseur DC/DC.
98
Vpv
Ipv
Ppv
Figure 4-35. Relev exprimental en rgime tabli dun Boost avec fonction MPPT seminumrique V3 connect une batterie 12V.
La Figure 4-36 montre le comportement des grandeurs lectriques du systme vis-vis de changements brutaux densoleillement. La fFigure 4-36-a illustre la rponse du systme
aprs augmentation brutale du courant de la source PV alors que la tension reste inchange.
Le nouveau PPM est alors atteint instantanment. De mme, le systme va rpondre aussi
rapidement vis--vis dune diminution brutale du courant du GPV.
Ppv
Ppv
Vpv
Vpv
Ipv
Ipv
a) Dtail des effets dune claircie

b) Dtail des effets dun ombrage
Figure 4-36. Rponse dun systme GPV muni dun tage dadaptation Boost avec commande
MPPT V3.
4.5.3. Synthse des validations exprimentales.
Dans cette partie, nous avons dvelopp des prototypes de micro-convertisseurs de
faibles puissances ddis aux applications photovoltaques. Bien sr notre but nest pas de
concurrencer les convertisseurs intgrs du march mais de concevoir des premiers prototypes
assez performants afin de dmontrer les bnfices discrtiser la gestion de puissance des
systmes photovoltaques.
Deux structures de conversion ont donc t dveloppes. La premire est une
architecture abaisseuse de tension de type Buck synchrone choisie afin damliorer le
99
rendement de conversion de lensemble. En Figure 4-37-a on peut voir un bilan des

puissances de ltage dadaptation Buck pour une puissance PV de 1W. On saperoit que
seulement 81% de la puissance dentre est transmise la charge, les pertes dans la partie
puissance slevant 16%. Pour cette architecture complexe de convertisseur buck, nous
arrivons un verrou technologique sur le dveloppement de prototype discret performant pour
ces niveaux de puissances.
(a) Buck Synchrone

(b) Boost
Figure 4-37. Diagrammes de bilan des puissances des tages dadaptation dvelopps par le
LAAS-CNRS.
Au contraire, pour larchitecture lvatrice de tension boost, on obtient des rendements
de conversion tout fait honorables avec prs de 91% pour une puissance dentre de 1W,
Figure 4-37-b. On peut finalement remarquer que pour les deux architectures, la puissance
consomme par la partie commande a t considrablement rduite et ne reprsente plus que
3% des pertes. Les deux architectures ont t testes en fonctionnement rel, autant en rgime
tabli que transitoire, prouvant ainsi leur parfaite adaptation aux applications de faibles
puissances photovoltaques.
4.6. Conclusion.
Dans ce chapitre, nous avons dmontr la faisabilit dtages dadaptation faibles
puissances ddis larchitecture distribue pour les applications photovoltaques en tudiant
des architectures de conversion classiques au fonctionnement bien connues. Ces
convertisseurs de puissance ont montr quils pouvaient remplir le rle dtages dadaptation
performants susceptibles dtre transparents vis--vis de la chane de conversion
photovoltaque. Les simulations lectriques nous ont permis de visualiser les premiers
verrous, surtout en termes de rendement de conversion de ltage dadaptation.
Nous avons recherch rduire la consommation de la commande MPPT du
convertisseur de puissance. Pour cela, une tude systmatique doptimisation de la
consommation de chaque composant constituant la commande MPPT a t ncessaire. La
dernire version V3 de commande numrique a permis la rduction de la consommation de la
commande 25mW.
100
Des prototypes dtages dadaptation ont t dvelopps de manire discrte et l

aussi, une attention particulire a t apporte au niveau des rendements de conversion afin
dobtenir des premires versions de structures de conversion exploitables. Ces architectures,
buck et boost, ont t testes exprimentalement sous conditions relles et ont prouv leur
stabilit, autant en rgime tabli que transitoire, prouvant ainsi leurs parfaites adaptations aux
applications de faibles puissances photovoltaques. Ces prototypes performants, dvelopps
au sein du LAAS-CNRS, nous permettent dtudier exprimentalement aujourdhui les
bnfices dvelopper une architecture de gestion discrtise pour les applications
photovoltaques. Les tests mens sur plusieurs jours ont fait lobjet du dernier chapitre de
cette thse.
101
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102
CHAPITRE 5
5. TUDES COMPARATIVES DES

DIFFRENTES MICROSTRUCTURES
DADAPTATION.
103
104
CHAPITRE 5 : TUDES COMPARATIVES DES DIFFRENTES MICROSTRUCTURES DADAPTATION
5.1. Introduction.
Aprs avoir tudi sparment les diffrents lments constituant la chane de
conversion photovoltaque allant de la cellule photovoltaque lmentaire aux diffrentes
associations possibles et aux organes de gestion de cette nergie, les premires conclusions de
ces travaux nous ont confort dans lide quune architecture de gestion distribue apporterait
un gain significatif en termes dnergie produite et doptimisation de fonctionnement de la
chane complte (robustesse aux dfaillances). Nous avons donc poursuivi le dveloppement
des tages dadaptation DC-DC faibles puissances (micro-convertisseurs) disposant de leurs
propres commandes MPPT pouvant travailler en autonome sur une charge. Il reste toutefois
montrer exprimentalement les performances des micro-convertisseurs dvelopps au LAAS
lorsquils sont coupls pour constituer une chane distribue en termes de gain suivant les
conditions dutilisation. .
Ce chapitre est consacr aux tudes comparatives que nous avons menes sur les
performances des tages dadaptation photovoltaques faibles puissances fonctionnant sur
charge continue. Le protocole dessais que nous avons mis au point nous a permis de
quantifier prcisment les performances de chaque tage dans le but de pouvoir les comparer.
Pour cela, les mesures ont t effectues sur le site exprimental du LAAS-CNRS en
conditions relles avec un banc de mesure spcifiquement dvelopp pour nos applications
solaires de trs faibles puissances architecture distribue. Pour que les comparaisons soient
valables, nous avons ralis ces essais comparatifs dans des conditions de fonctionnement
relles. De plus, pour estimer les gains en performance de chaque structure, nous avons pris
comme rfrence de comparaison la connexion directe source-charge qui est actuellement la
solution la plus rpandue compte tenu de son faible cot. Pour cela, une tude sur les deux
systmes de gestion, lune globale et lautre distribue a t ralise sur plusieurs jours. Nous
avons alors mis en place des protocoles de tests et de mesures sous conditions
mtorologiques et fonctionnements identiques en sintressant principalement aux
performances nergtiques des diffrentes chanes de conversion.
Concernant le projet ATOS plus particulirement, nous avons travaill sur laspect
systme de gestion des cellules photovoltaques en technologie tandem lectrodes
intermdiaires. Les donnes exprimentales des cellules ont t extrapoles par rapport aux
panneaux fournis par lentreprise Solems, faute davoir lensemble tandem en cours de
finition au LPCIM. Cela nous a permis de simuler le fonctionnement de chaque type de
matriau constituant un ensemble de cellules indissociable (proprits des panneaux PV
constitus de cellules en couche minces). Cette approche dissocie nous a permis de
dvelopper les premires architectures de gestion distribues entirement ddies une
association tandem et de dterminer quel systme de conversion est le plus mme de
produire le plus dnergie. Notre objectif ici tait daugmenter le rendement de lensemble
tandem par un assemblage judicieux associ une gestion ddie. Nous prsentons dans ce
dernier chapitre les tous premiers rsultats de ces tudes.
5.2. Prsentation du banc dacquisition solaire.

Nous avons dvelopp au sein du LAAS-CNRS, avec laide du service interne 2I
(Informatique & Instrumentation) et en particulier, Frdric Blanc, un banc de mesures
spcifique au photovoltaque distribu et de trs faible puissance. Ce banc ddi aux
applications de cellules en couches minces permet de mesurer les variables lectriques
105
dentre et de sortie de chaque micro-convertisseur de puissance. Lobjectif de ce systme de

mesure est dvaluer le rendement nergtique de une plusieurs chanes de conversion
photovoltaque sur au moins une journe complte de fonctionnement [1]. Lacquisition des
donnes se fait de faon synchrone une frquence de 3kHz (toutes les 330s soit 3000
mesures par seconde). Les mesures concernent les tensions et les courants dentre et de sortie
de ltage dadaptation, cest dire le courant et la tension fournis par chaque panneau solaire
ainsi que la tension et le courant transmis la charge. Le schma de principe dune carte
dacquisition du banc de mesure est prsent en Figure 5-1. Les mesures de courant sont
ralises grce des rsistances shunts de faibles valeurs. Les tensions dentre et de sortie
sont rcupres grce des ponts diviseurs de prcision. Les tensions sont ensuite adaptes
puis converties en numrique via un convertisseur analogique numrique (not CAN) [2,3].
Toutes ces mesures sont effectues de manire diffrentielle vitant ainsi tout problme de
masse.
Banc de Mesure
Fch=3kHz
Vpv
Pin
Pout
PMax
MPPT
Conv
MPPT
Ipv
IBat
VBat
DC
DC
Figure 5-1. Schma de principe dune carte dacquisition du banc de mesure dveloppe au
LAAS.
Le banc de mesure ralise un prtraitement des donnes afin dallger la taille des
fichiers de donnes transfrer lordinateur. Le prtraitement consiste faire une moyenne
des courants et des tensions sur 1024 points de mesure. Il permet aussi deffectuer le calcul
des puissances dentre et de sortie, ainsi que le calcul du rendement de ltage dadaptation
et celui de la MPPT (recherche de la puissance Max. sur 1024 points). Les donnes sont
ensuite transmises lordinateur toutes les 340 ms par le biais dune connexion USB
(330s*1024) [4]. Le banc peut grer plusieurs cartes dacquisition similaires permettant ainsi
de tester plusieurs convertisseurs de puissance sous les mmes conditions (jusqu 20 catres).
Les acquisitions des donnes se font de manire synchrone sur toutes les cartes dacquisition
[5].
Dans les cas des convertisseurs faible puissance, nous avons la possibilit de venir
connecter directement les convertisseurs lectriques sur les cartes dacquisition via un
connecteur appropri. Cela permet de rduire les pertes lies la connectique lectrique ainsi
que les possibles erreurs de cblage. Les cartes dtage dadaptation sont munies de
dtrompeurs afin dviter toutes mauvaises manipulations, Figure 5-2.
106
Figure 5-2. Schma de principe du banc de mesure automatis avec traitement informatique.
Ces cartes dacquisition doivent faire lobjet dtalonnage prcis avec une procdure
dfinie pour garantir la prcision des donnes mesures avant chaque campagne de mesure.
Nous avons pour cela dvelopp un processus de calibration automatis des cartes
dacquisition. Un logiciel autonome, dvelopp par Frdric Blanc du service 2I, permet de
raliser une auto-calibration des cartes grce une communication GPIB entre des
instruments de mesures de prcision, une alimentation lectronique pilotable et les cartes
dacquisition. La premire tape consiste talonner les capteurs de courant. La charge
lectronique est alors pilote afin de fonctionner en source de courant sous tension nulle. On
fait ensuite crotre le courant progressivement en rcuprant les donnes mises par la carte
dacquisition et le multimtre de prcision, Figure 5-3-a. On vient ensuite comparer ces
mesures afin de dterminer les gains et les offsets de chaque capteur de courant. Une
dmarche similaire est effectue pour talonner les capteurs de tension la charge lectronique
fonctionnant dans ce cas en source de tension sous courant nul. On augmente linairement sa
tension et on calcule les coefficients de gain et doffset de chaque capteur de tension comme
prcdemment, Figure 5-3-b. Ces donnes sont ensuite transfres la carte dacquisition via
une connexion USB et cest la carte dacquisition elle-mme qui va calibrer ces capteurs en
fonction des coefficients obtenus. Grce cette dmarche rigoureuse, nous pouvons garantir
une prcision remarquable sur les puissances mesures avec un taux derreur de 0.5%.
a)
b)
Figure 5-3. Courbes dtalonnage a) en courant et b) en tension des capteurs dune carte
dacquisition du banc de mesure solaire.
107
5.3. Premiers tests.

Les premiers rsultats exposs dans cette partie nous ont permis de tester la prcision
du banc de mesure dvelopp au LAAS sur une journe entire de fonctionnement. Les deux
architectures dtages dadaptation, buck et boost dtailles dans le chapitre prcdent, ont
ainsi t mises en condition de fonctionnement relle afin dtudier le comportement des
cartes dacquisition aussi bien en rgime tabli des CS que lors des transitoires dus des
ombrages par exemple.
5.3.2. tage dadaptation de type Boost.
MPPT
Ipv
Vpv
14/150/300TD
Ibat
DC
DC
12V
Vbat
Boost
Figure 5-4. Schma de principe dune chane de conversion photovoltaque avec tage
dadaptation et sa commande MPPT.
Pour les premiers tests du banc de mesure, nous avons expriment la version V2 de la
commande MPPT numrique. Le convertisseur de puissance tant un montage boost, nous
avons connect une batterie de 12V en sortie de la chane de conversion, Figure 5-4.
Figure 5-5. Relevs exprimentaux de la puissance PV et du rendement de ltage

dadaptation sur une journe. Tests exprimentaux raliss le 26 Avril 2008.
Ces mesures ont t effectues au cours dune journe trs ensoleille (26 Avril 2008)
sans trop de nuages ni de changements rapides du niveau dirradiation. La Figure 5-5 montre
lvolution des grandeurs lectriques du convertisseur boost. On peut ainsi voir lvolution de
la puissance produite PPV par le panneau photovoltaque rfrenc 14/150/300TD ainsi que le
108
rendement conv de ltage dadaptation dot de la commande MPPT V2. A partir de 7h30, on
peut observer que la puissance dlivre par le GPV augmente graduellement en fonction du
niveau densoleillement jusqu atteindre un maximum 13h avant de diminuer jusquau soir.
On remarque que le rendement conv, comprenant la partie puissance et la partie
commande, augmente rapidement avec la puissance, pour atteindre un rendement maximum
de 82%. On peut aussi observer, quen dbut de matine comme en fin de soire, le panneau
photovoltaque fournit une puissance alors que le rendement du convertisseur est trs faible,
voir nul signifiant que ces puissances ne seront pas transmises bien que produites. En fait,
dans ces zones, toute la puissance transmise par le panneau sert essentiellement alimenter la
commande de ltage dadaptation. On peut trouver en Figure 5-6, un zoom de cette courbe en
tout dbut de matine, quand le soleil se lve. On peut observer ainsi lvolution de la
puissance transmise par le panneau solaire et remarquer que ltage dadaptation ne dmarre
que lorsque la tension aux bornes du panneau est assez suffisante pour alimenter
convenablement la partie commande qui est dans cette version sous 5V.
Figure 5-6. Dtail des relevs de puissance PV et de rendement de ltage dadaptation

laube. Tests exprimentaux raliss le 26 Avril 2008.
Les grandeurs lectriques de la chane de conversion photovoltaque ayant servi
calculer la puissance et le rendement sont prsentes en Figure 5-7. On peut y observer que la
tension du panneau VPV augmente progressivement le matin en circuit ouvert avant que
ltage dadaptation ne dmarre et impose alors Vopt. Le programme de dmarrage de la carte
de commande du CS pilotant ce phnomne est dcrit en Figure 5-8. Nous avons
effectivement souhait que les micro-CS aient en interne une scurit de dmarrage de leur
carte de commande soumise lattente que le GPV ait atteint une valeur de tension de circuit
ouvert (Vref) prdfinie et suffisamment grande par rapport la tension ncessaire pour
assurer lalimentation en puissance de tous les organes de gestion et contrle. Cette prcaution
devrait permettre dviter des fonctionnements consommateurs dnergie lorsque les GPV ne
produisent pas assez dnergie lectrique.
Ainsi, ce nest que lorsque la partie commande est correctement alimente que
lensemble de ltage dadaptation devient totalement oprationnel en lanant le programme
MPPT principal. Cette scurit de fonctionnement vite galement que le systme ne se
bloque faute dnergie dans un tat incohrent. Nous avons donc conu lensemble des
diffrents tages dadaptation pour quils soient autonomes vis--vis dautres sources
dnergie autres que le GPV. La fonction de scurit de lalimentation de la partie commande
109
permet galement de rinitialiser le systme chaque fois que la tension dalimentation de la

commande descend en dessous dun certain seuil (Vscurit). Outre le matin et le soir, cette
fonction sactive chaque fois que surviennent des changements brutaux dirradiation et
dombrage, et permet donc au systme de redmarrer dans de bonnes conditions aprs de
fortes chutes de puissance.
Figure 5-7. Tensions et courants dentre et de sortie de ltage dadaptation Boost avec
MPPT Version 2.
On peut observer en Figure 5-7 que la tension du panneau varie trs peu tout au long
de la journe. En fin de journe, le systme sarrte lorsque la puissance est insuffisante pour
alimenter la commande. Louverture du circuit se traduit alors par lapparition de la tension de
circuit ouvert du GPV. IPV et IBat sont lis par le rapport cyclique du boost au rendement de
ltage dadaptation prs. Ces variations de ces courants suivent les variations de la puissance
mise par le GPV. Ils augmentent ainsi progressivement jusqu atteindre un maximum aux
alentours de 13H avant de diminuer jusquau soir. La tension de sortie tant une batterie, elle
augmente lentement en fonction de son tat de charge.
110
Initialisation
Pic
Scurit
Dmarrage
PV Circuit
Ouvert
Attente Vco Vref

Si Valim < Vscurit
Prog. MPPT
Principal
Scurit Alimentation
Figure 5-8. Schma bloc du programme scurits implment dans le microcontrleur de

la carte de commande dun micro-convertisseur.
Le prototype boost de faible puissance avec commande MPPT V2 test dans ces essais
a prouv quil pouvait tre un tage dadaptation performant avec un rendement maximum de
82%. La commande MPPT montre une bonne stabilit ainsi quune trs bonne rponse aux
perturbations extrieures. Nous pouvons galement en dduire que des amliorations doivent
tre effectues afin dobtenir des rendements de conversion plus levs permettant ainsi de
rendre cet tage dadaptation plus intressant vis--vis de la chane de conversion
photovoltaque.
5.3.3. tage dadaptation de type Buck.
Lors dune nouvelle srie de tests, nous nous sommes focaliss sur les tages
dadaptation de type buck qui pourraient servir dtages dadaptation pour les deux diffrents
types de matriaux des cellules couches minces base de a-Si et de Si microcristallin des
nouvelles cellules tandem dveloppes dans le cadre dATOS. Les gnrateurs PV se
rapprochant le plus des prochains agencements des cellules couches minces disposent de
caractristiques lectriques diffrentes en tension et en courant (Figure 5-9) ncessitent le
dveloppement de deux convertisseurs buck distincts.
14/150/300TD
28/300/100TD
Figure 5-9. Caractristiques I(V) des deux diffrents GPV constituant chaque partie dune
nouvelle cellule Tandem de type ATOS.
111
En effet, les tensions Vopt et Vco plus importantes du panneau 28/300/100TD nous
nous obligent prendre des interrupteurs de puissance supportant des tensions plus leves
que pour lautre GPV. Les MOSFET choisis sont alors rfrencs FDV303N en sachant
pertinemment que les pertes lies ce changement seront plus importantes.
MPPT
MPPT
Ibat
Ipv
DC
DC
Vbat
Vpv
Vpv
DC
14/150/300TD
Ibat
Ipv
4V
Buck
28/300/100TD
6V
Vbat
DC
Buck
Figure 5-10. Schmas de principe des mesures des chaines de conversion photovoltaque
lmentaires avec tages dadaptation buck et MPPT soumises valuation.
Les deux schmas de principe des deux configurations utilises pour ces mesures sont
prsents en Figure 5-10. Pour le premier GPV rfrenc 14/150/300TD, nous avons choisi
comme charge une batterie de 4V (Vopt tant de 6V). Pour le second GPV rfrenc
28/300/100TD, la charge choisie est une batterie de 6V (Vopt=13V).
On peut trouver en Figure 5-11, les rsultats des mesures de puissance PPV et de
rendement conv effectues sur les deux chanes de conversion photovoltaque ( Figure 5-11-a,
mesures lies au GPV 14/150/300TD, Figure 5-11-b, celles du GPV 28/300/100TD). On
saperoit que le rendement du buck augmente rapidement avec la puissance dentre puis se
stabilise autour de 80% avec un maximum de 81% pour le premier gnrateur mais natteint
que 70% son maximum pour le second engendrant beaucoup de pertes sur la puissance
finalement transmise la batterie.
14/150/300TD
28/300/100TD
(a) 14/150/300TD
(b) 28/300/100TD
Figure 5-11. Caractristiques de puissance PV et rendement de ltage dadaptation Buck pour
les deux PV Solems sur une mme journe de fonctionnement.
112
Malgr des rendements de conversion faibles, on peut voir que les systmes de gestion
permettent de suivre correctement les variations dclairement. Les buck dvelopps dans ces
travaux de recherches montrent un premier verrou concernant les rendements de conversion
de ces architectures. Une optimisation sera donc ncessaire si ce type darchitecture est choisi
pour raliser des micro-convertisseurs.
5.4. tudes comparatives entre une connexion directe et une connexion

via un tage dadaptation.
A partir du banc de mesures dvelopp au LAAS, nous pouvons utiliser deux cartes
dacquisition distinctes pour effectuer la comparaison de deux types de chanes diffrentes.
Nous souhaitons comparer ainsi une connexion directe dun panneau solaire une batterie
avec une chane de conversion plus complexe via un tage dadaptation dot dune MPPT, et
ce, sur une mme charge, Figure 5-12. La Figure 5-13 nous rappelle les courbes de puissance
du panneau 14/150/300TD de 1.5 Wc pour diffrents clairements diffrentes heures de la
journe.
MPPT
Ipv
Vpv
Ibat
6V
Ipv
Vpv
Vbat
Ibat
DC
6V
Vbat
DC
14/150/300TD
14/150/300TD
Boost
(a)
(b)
Figure 5-12. Schmas de principe des mesures comparatives (a) dune connexion directe (b)
dune connexion via un systme dadaptation avec MPPT.
Notre objectif est de raliser une comparaison directe dans les mmes conditions de
fonctionnement entre les deux types de connexion pour quantifier avec le plus de prcision
possible les gains apports par chacune des solutions tudies.
Figure 5-13. Caractristiques P(V) du 14/150/300TD diffrentes heures dune journe.

113
5.4.2. Prparation des mesures comparatives.

Nous avons ralis une campagne de mesures avec une mme batterie de 6V pour une
connexion directe et pour une connexion via notre tage dadaptation. Mais avant cela, il a t
ncessaire deffectuer une tude pralable afin destimer prcisment la puissance maximale
disponible de chaque panneau 14/150/300TD. En effet, pour les caractristiques de chaque
panneau mme provenant de la mme srie de fabrication, il existe une dispersion des
caractristiques lectriques entre les GPVs. Pour garantir que nous sommes dans des
conditions identiques de fonctionnement, on ne peut malheureusement pas faire lessai avec la
mme source soit en parallle car les tages ne fonctionneraient pas jusqu leur rgime
nominaux et il ny aurait pas moyen de matriser que les rpartitions se fassent quitablement,
soit tour de rle, et l, ce serait les conditions densoleillement qui diffreraient.
La procdure de pr-valuation de modules PV de mme type nous permet de
connatre tout instant la dispersion existante entre plusieurs modules sur lensemble des
points en clairement et temprature. Une fois les dispersions connues dun panneau lautre,
nous nous servons de ces valeurs pour estimer les valeurs des PMAX un instant t lorsque les
modules sont cette fois-ci en fonctionnement et que cette donne nest pas disponible ou
quelle doit tre corrige pour assurer une cohrence de la mme quantit dnergie fournie
pour chaque chane. Lestimation du PMAX un instant t seffectue durant les essais par
rapport un panneau de mme rfrence sur lequel le PMAX est mesur en permanence. Cette
valuation indirecte doit se faire avec le plus de prcisions possibles. Ce processus est utilis,
par exemple, pour mesurer le rendement MPPT dun tage dadaptation lorsque cet tage est
une simple diode anti-retour et que le PMAX nest mesurable ni disponible durant lessai. En
effet, comme dans ce cas, la puissance dlivre par le panneau est dpendante de la tension de
la batterie, il nous faut donc estimer le PMAX disponible du GPV en test pour estimer le
rendement MPPT de lensemble ou autrement dit, la capacit produire lnergie PV plus ou
moins de faon optimale.
Figure 5-14. volution des PMAX pour deux panneaux de mmes lots de fabrication et
rfrences sur une journe de fonctionnement.
Pour effectuer les tests prliminaires de chaque GPV par rapport un autre, deux
convertisseurs identiques munis dune commande forant le GPV de passer de VCO ICC
rapidement sur une frquence de fonctionnement rgulire sont ncessaires. Si plusieurs
chanes sont tester comparativement, il faudra prvoir autant de GPV valuer en mme
114
temps plus un pour connatre les liens existants entre tous avant de pouvoir effectuer les essais
proprement dits sur les chanes de conversion. Les cartes dacquisition doivent fonctionner de
manire synchrone pour garantir de rcuprer les PMAX dlivrs par chaque panneau au mme
instant. La Figure 5-14 montre lvolution des PMAX de deux GPV, rfrencs PV10 et PV11
dans nos essais, pendant toute une journe. On peut remarquer que les mesures ont t
effectues pendant une journe trs ensoleille sans trop de passages nuageux. Les panneaux
sont orients avec un mme angle dinclinaison sur le mme support mais on peut quand
mme observer une diffrence entre les Pmax des deux panneaux. Cette diffrence est
probablement due plusieurs facteurs comme une diffrence technologique de fabrication,
une temprature de fonctionnement diffrente ou bien encore la rsistance des fils de
connexion non parfaitement identique. Cela entrane une diffrence de 1 2 % dont on tiendra
compte dans nos essais futurs. Il est remarquer que ces essais prliminaires doivent tre
refaits quelques jours avant chaque srie de tests comparatifs pour tenir compte du
vieillissement des GPV et de la poussire accumule en plus.
Du trac des PMAX du panneau 10 en fonction du PMAX du panneau 11 sur une
priode de fonctionnement dune journe, on obtient une corrlation telle que celle prsente
en Figure 5-15. A partir de ces donnes, on peut raliser une rgression linaire nous
permettant de lier cet ensemble de points par lquation suivante :
PMAX 10 = A + B.PMAX 11
(5-1)
O PMAX-10 est la puissance estime du panneau 10 partir du PMAX-11 qui correspond la

puissance maximale de rfrence mesure sur le panneau 11. Les coefficients A et B sont les
paramtres obtenus lors de la ralisation dune rgression linaire effectue partir des
donnes extraites des essais prliminaires. Dans le cas de cet exemple de mesures, on a obtenu
les valeurs suivantes A=0.00302 et B=0.98535. On remarque que ces deux panneaux ont des
caractristiques lectriques trs proches. En effet, ils sont issus du mme lot de fabrication et
ont t installs en mme temps sur le site exprimental sous la mme inclinaison. Ils ont
donc subi le mme vieillissement et prsentent de faibles dispersions de comportement.
Figure 5-15. Trac des PMAX du PV10 en fonction des PMAX du PV11 et extraction des
paramtres A et B de la droite de rgression linaire obtenue.
115
5.4.3. Premires journe de mesures.

Cette procdure destimation tant ralise, nous avons pu effectuer campagne de
mesures sur la comparaison entre une connexion directe et une connexion avec tage
dadaptation. Cette srie de mesures a t ralise au cours dune journe trs ensoleille le 06
Aot 2008 avec seulement quelques perturbations en fin daprs-midi. Pour ces nouvelles
mesures, nous avons utilis un convertisseur Boost avec une commande MPPT seminumrique faible consommation V3. Pour la connexion directe, nous avons choisi la diode
anti-retour MBR0520 prsentant une chute de tension de seulement 0.3Volt pour un courant
de 200mA. Notre but ici est doptimiser au mieux les deux systmes afin davoir des rsultats
sur des chanes prsentant leurs meilleures performances et ainsi viter de donner des gains
dune chane lautre errons.
Figure 5-16. Puissance PPV et rendements MPPT et conv dun GPV rfrenc 14/150/300TD
connect directement avec diode anti-retour une batterie de 6V.
Figure 5-17. Puissance PPV et rendements MPPT et conv dun GPV rfrenc 14/150/300TD
connect avec un tage dadaptation Boost et MPPT une batterie de 6V
116
Les courbes Figure 5-16 et Figure 5-17 montrent respectivement lvolution des
grandeurs lectriques des deux tages dadaptation. On peut remarquer que les puissances
produites par les deux panneaux photovoltaques voluent similairement en fonction de
lclairement. Toutefois, la connexion directe prsente un dficit de quelques % lis une non
adaptation un PMAX. Lallure des diffrents rendements diffre galement. On peut ainsi
observer que le MPPT de la diode est trs lev durant la journe (entre 94 et 100%). La
Figure 5-18 montre bien lvolution et la dpendance du rendement MPPT vis--vis de la
tension batterie pour une connexion directe. En dbut de matine, le MPPT atteint prs de
100% car la tension de la batterie correspond la tension optimale du panneau. Par contre, en
milieu de journe, la tension de charge de la batterie augmente et le point de fonctionnement
du GPV sloigne de son optimum. Par comparaison, on peut remarquer que le MPPT du
Boost reste constant tout au long de la journe (99%) affichant son indpendance lgard de
la charge.
Le rendement conv de la diode, quant lui, reste quasi constant tout au long de la
journe (93%) et ne semble pas dpendant de la tension batterie. En fait, la chute de tension
aux bornes de la diode dpend du courant qui la traverse. Plus le courant est faible, plus la
chute de tension sera petite. Cependant, faibles courants, le seuil de mise en conduction de
la diode intervient fortement rendant en apparence dans cet essai la diode indpendante du
courant quel que soit ce dernier Donc faible puissance, les pertes engendres par la diode
seront fixes. Pour de plus fortes puissances, il faudra ajouter en plus les pertes dpendantes du
courant qui la traverse. Lanalyse du comportement du convertisseur Boost montre quil
possde un faible rendement conv faible puissance engendr par la consommation de la
commande qui est fixe quelle que soit la puissance transfre (voir les premiers essais). A
puissance nominale, la consommation de la commande devient ngligeable et les pertes se
concentrent principalement dans la partie des composants de puissance du convertisseur.
Grce au nouveau circuit Boost avec sa commande MPPT semi-numrique V3, ltage
dadaptation affiche prs de 92% de rendement aux puissances maximales transfrer.
Figure 5-18. Lien entre les MPPT et lvolution de la tension batterie pour les deux systmes
de gestion.
117
5.4.4. Seconde srie de mesures.

Ces nouvelles mesures ont t effectues sur quatre jours dans la priode du 1er Mai au
4 Mai 2008. Lacquisition des donnes sest faite de faon autonome, de 7h30 20h pendant
toute la dure des essais. En effet, le logiciel dvelopp par le service 2I nous permet de
piloter le banc de mesure et de grer les temps de dclenchement des acquisitions des donnes
en diffr. Cela permet dviter un fonctionnement non appropri du banc la nuit ou lorsque
lacquisition de donnes est considre superflue par lutilisateur.
tage dadaptation
Diode
Figure 5-19. volution des puissances PPV pour une connexion directe (Diode) et une
connexion via ltage dadaptation (MPPT) une mme charge, releves sur 4 jours
conscutifs.
Ces relevs nous ont permis de vrifier le bon fonctionnement de ltage dadaptation
en termes de qualit dadaptation durant les 4 jours. Ces courbes permettent de visualiser
rapidement le bnfice insrer un tage dadaptation entre un GPV et la charge par rapport
une connexion directe lorsque le systme fonctionne sur plusieurs jours. En effet, un systme
de recherche MPPT permanent transfre le maximum de puissance que peut fournir le
panneau solaire tout moment (Figure 5-19MPPT- Courbe Bleu). A contrario, la connexion
directe ne permet de transfrer que la puissance dfinie par la tension de la batterie (Figure
5-19Diode- Courbe Rouge). Comme cette tension tend augmenter en mme temps que sa
charge au cours de la journe, on voit bien que le transfert de puissance se dgrade toujours en
fin de journe car le GPV sloigne de son fonctionnement optimal. Pour le dbut de la
journe, la connexion directe nest pas non plus optimale dans ces essais car nous navions
pas choisi la valeur de la tension de charge assez proche de la tension Vopt du panneau comme
cela avait t fait lors des essais comparatifs prsents prcdemment. On peut donc dduire
que pour plusieurs raisons, la puissance dlivre par un panneau solaire lors dune connexion
directe est fortement dpendante de la tension de la charge. Lintrt de notre systme est
justement de ne pas dpendre de la tension de sortie. Notre tage dadaptation avec sa
commande MPPT permet de sadapter en permanence sans intervention humaine afin de
transfrer le maximum de puissance photovoltaque tout au long de diffrentes journes. Dans
le cadre de ces essais, ltage dadaptation a permis dexploiter environ 50% de puissance en
plus par rapport une simple connexion directe sur quatre jours de fonctionnement car cette
118
dernire tait mal adapte par rapport Vbat de la charge et dpendait en plus de lvolution de
cette tension au cours du temps.
5.4.5. Synthse des essais comparatifs entre une connexion directe et une
connexion via un tage dadaptation.
Le Tableau 5-1 prsente un rcapitulatif des mesures comparatives entre une
connexion directe et une connexion via un tage dadaptation de type Boost sur deux journes
compltes de fonctionnement. On retrouve dans ce tableau les donnes relatives aux nergies
comme lnergie maximale potentiellement disponible sur un GPV, correspondant lnergie
produite par chaque PV lorsquil fonctionne en permanence son PPM (une diffrence
subsiste et est lie la dispersion entre deux mmes GPV soumis au mme ensoleillement).
Ces donnes sont connues lors des valuations prliminaires ou estimes lors des essais
noffrant pas la possibilit deffectuer la mesure de Pmax permanente. Nous signalons ensuite
lnergie rellement produite et lnergie transmise la charge sur une journe de
fonctionnement pour bien montrer les pertes engendres au fur et mesure des transferts de
puissance. A ces mesures, nous avons associ les rendements nergtiques tels que le
rendement MPPT moyen, le rendement de conversion conv ainsi que le rendement total de la
chane de conversion photovoltaque sur une journe de fonctionnement. Le but de toutes ces
grandeurs est davoir des critres dvaluation fixes et bien dfinis permettant destimer les
gains dun type de systme par rapport un autre toujours dans les mmes conditions.
01-09-08
06-08-08
Tableau 5-1- Mesures nergtiques et rendements associs pour les deux structures
dadaptation photovoltaque (connexion directe & connexion par tage dadaptation).
nergie
Maximale
Wh
nergie
Produite
Wh
MPPT
(%)
nergie
Transmise
Wh
Conv.
(%)
Total
(%)
8.727
8.667
99.23
7.834
90.38
89.7
(Vbat=6V)
8.6638
(estime)
8.412
97
8.055
96
93
tage
Boost V3
6.771
6.6276
97.88
5.8855
88.35
86.47
6.595
(estime)
4.341
65.82
4.2278
97.39
64.1
tage
Boost V3
(Vbat=6V)
Diode
(Vbat=8V)
Diode
(Vbat=8V)
Dans tous les cas, nous constatons que le MPPT dune connexion directe est toujours
infrieur celui dune connexion via notre tage dadaptation. Cependant on peut remarquer
que, lors dune connexion directe avec une batterie de 6V, le rendement MPPT est trs
important avec prs de 97% sur une journe de fonctionnement. Cela sexplique par le fait
que le PPM du gnrateur photovoltaque correspond une tension optimale denviron
6Volts. De plus, comme les panneaux solaires utiliss sont en silicium amorphe, la tension
optimale est plus stable et est moins influence par le changement de temprature. Mais la
puissance maximale transmise lors dune simple connexion par diode reste toujours
dpendante de la tension de charge de la batterie. Pour le second test avec une batterie de 8V,
on peut tout de suite voir linfluence de la tension batterie sur la puissance transfre. Le
rendement MPPT chute 65.82% lorsque la tension batterie nest pas exactement quivalente
119
la tension optimale du panneau solaire. Concernant le rendement de conversion conv des

deux structures, la plus performante est, comme prvisible, la connexion directe par diode. En
effet, larchitecture de conversion de ltage dadaptation est plus complexe et ncessite
dalimenter la commande du convertisseur ajoutant des pertes. Cependant, le rendement de
ltage dadaptation boost affiche une valeur moyenne trs convenable de 90.38% pour un
prototype discret.
En rsum, si nous analysons le rendement total moyen de chaque systme sur ces
deux jours, nous constatons que les rsultats varient fortement suivant la charge utilise. Pour
le premier jour, la connexion directe prsente un rendement total suprieur de 3% au
rendement total de ltage dadaptation grce la superposition idale de la tension optimale
du panneau avec la tension de la batterie. Mais au contraire, lorsque cette superposition nest
pas parfaite comme durant la deuxime journe, la chane de conversion photovoltaque
disposant dun tage Boost obtient un rendement total de loin suprieur la connexion directe
avec plus de 20% dnergie transmise en plus. Ces premiers rsultats comparatifs nous ont
encourags poursuivre les travaux de dveloppement dtages dadaptation plus performants
ainsi qu multiplier les tests comparatifs sur la dure.
5.5. tudes comparatives entre une gestion globale et une gestion

distribue.
Dans cette section, nous prsentons une tude comparative entre une gestion globale
de trois panneaux solaires identiques monts en parallle et une gestion distribue des trois
panneaux. Les premires conclusions du chapitre 3, sur les diffrentes architectures de gestion
photovoltaque, ont tabli quune gestion distribue semblerait plus avantageuse quune
gestion centralise. Ces tests exprimentaux devraient nous permettre de quantifier le gain
nergtique dune architecture par rapport lautre dans des conditions relles de
fonctionnement.
Nous avons donc dvelopp un convertisseur lvateur de tension de plus forte
puissance capable de grer la puissance dlivre par les trois GPV en parallle. La commande
MPPT est la mme que celle des micro-convertisseurs prcdemment cits dans nos tudes.
Nous avons cependant du reprendre la version V2 alimente en 5V, au lieu des 3.3V, cause
dune incompatibilit avec la tension dalimentation minimale du driver de linterrupteur de
puissance ncessaire ce nouveau tage de puissance.
DC
DC
MPPT
Output
DC
Output
DC
DC
DC
DC
MPPT
MPPT
DC
DC
DC
MPPT
Figure 5-20. Schmas de principe des mesures comparatives menes entre une gestion globale
de 3 GPV en parallle et une gestion distribue.
120
Figure 5-21. Caractristiques P(V) de 3 panneaux photovoltaques 14/150/300TD mis en

parallle avec diodes anti-retour.
Les mesures ont t faites sur deux jours conscutifs. La premire journe du 9 Aot
2008 fut trs nuageuse en dbut de journe et plus claire en fin daprs-midi. Au contraire, la
deuxime journe du 10 Aot prsente un bon ensoleillement tout au long de la journe avec
de petites variations dirradiations lumineuses entre 12h et 14h. La Figure 5-22 montre
lvolution de la puissance dentre des convertisseurs pour les deux types darchitectures. La
courbe de puissance la plus forte correspond aux trois panneaux mis en parallle et les autres
courbes superposes plus petites correspondent aux puissances en entre des trois
convertisseurs de plus faible puissance. On peut voir que les chutes de puissances lies aux
passages nuageux se rpercutent bien sur tous les GPV quels que soient leurs agencements.
Figure 5-22. Caractristiques de puissances fournies par les GPV pour une gestion globale de
3 GPVs en parallle et une gestion distribue (3*Boost), relevs sur 2 jours conscutifs.
Les bilans nergtiques ainsi que les rendements associs sont consigns dans le
Tableau 5-2. Ces comparatifs nous permettent de rapidement visualiser les avantages et les
inconvnients de chacun des deux systmes. Premirement, la gestion distribue nous permet
dobtenir un meilleur rendement MPPT grce une gestion plus fine et indpendante de
chaque panneau. Pour la gestion globale, la recherche du point de puissance est plus complexe
et ncessite une recherche plus large afin dviter un fonctionnement autour dun faux point
de puissance maximum. Cette situation pourrait apparatre lors densoleillement inhomogne
121
ou lors de dysfonctionnement de lun des panneaux. La caractristique lectrique de sortie

serait alors change et pourrait perturber la recherche du PPM. Deuximement, les
rendements de conversion des micros-convertisseurs sont plus performants que celui de
ltage dadaptation pour la gestion globale. Cette diffrence est principalement due aux
pertes lies aux trois diodes anti-retours disposes sur chaque panneau qui sont
malheureusement indispensables afin dviter toute dtrioration des panneaux.
10-08-2008
09-08-2008
Tableau 5-2-Mesure de lnergie Maximale, lnergie Produite et lnergie Transmise

associes aux diffrents rendements moyens des deux architectures de gestion.
nergie
Maximale
Wh
nergie
Produite
Wh
MPPT
%
nergie
Transmise
Wh
Conv.
%
Total
%
tage Boost
3GPV (Vbat=12V)
23.27
22.3
95.82
18.81
84.35
80.83
Boost
24.4
23.86
97.78
21.025
88.12
86.16
25.4
24.41
96.1
20.625
84.5
81.2
26.07
25.27
96.93
23.01
91.05
88.26
(Vbat=12V)
tage Boost
3GPV
(Vbat=12V)
Boost
(Vbat=12V)
Finalement, sur les deux journes de fonctionnement, le rendement total de la chane

de conversion photovoltaque distribue sest avr tre le plus performant avec 5 7% de
gain par rapport une simple gestion globale. La discrtisation de la gestion de puissance a
prouv ici quelle pouvait amliorer significativement les performances de la chane de
conversion. Bien sr, cette architecture ncessite un investissement plus lev au dpart en
termes de nombre de micro-convertisseurs mais le gain de puissance transfr est aussi plus
important. De plus long terme, les caractristiques lectriques des cellules peuvent se
dgrader et une gestion plus fine permettra de sadapter aux nouvelles spcificits de chaque
panneau sans intervention humaine optimisant ainsi constamment la puissance disponible.
5.6. tudes comparatives des diffrentes architectures de gestion des

cellules Tandem.
Dans le cadre du projet de recherche ATOS, le laboratoire LAAS a travaill sur
laspect systme de gestion des cellules tandems dans une optique doptimisation dnergie.
Nous avons donc travaill avec deux diffrents panneaux solaires en silicium amorphe
susceptibles de reproduire le fonctionnement lectrique dun panneau photovoltaque tandem.
Cette approche divise des lments constituants lensemble tandem nous a permis deffectuer
plusieurs essais dassociations entre ces diffrents panneaux afin de trouver la chane de
conversion la plus mme de produire le maximum dnergie. Nous avons donc test les trois
architectures voques en chapitre 3 section 3.7 lors des simulations lectriques des
architectures pouvant concorder avec le design des GPV tandem lectrode intermdiaire
labor dans le projet ATOS.
122
5.6.2. Association Srie.

Lassociation srie de ces deux panneaux correspond une architecture plus classique
de cellule tandem. En effet, on peut considrer que dans lagencement de cellules en mode
tandem, les cellules sont associes en srie du point de vue lectrique et une optimisation du
courant produit par lensemble doit tre ralise afin de trouver loptimum de puissance. Dans
notre cas, le courant produit par lassociation est limit par la cellule produisant le plus faible
courant. Dans cette partie, nous allons donc comparer cette architecture srie classique une
architecture distribue propose en Figure 5-23.
Boost
DC
14/150/300TD
14/150/300TD
DC
MPPT
Buck
Output
DC
DC
28/300/100TD
28/300/100TD
DC
MPPT
(a)
(b)
Figure 5-23. Schmas de principe de comparaisons menes entre (a) une architecture Tandem
classique en connexion directe avec une charge et (b) une architecture entirement distribue.
Les relevs des Figure 5-24 a et b reprsentent rciproquement les caractristiques
lectriques I(V) et P(V) de lassociation srie des deux panneaux rfrencs 14/150/300TD et
28/300/100TD. Une diode anti-retour a t ajoute afin dviter les courants ngatifs dans le
GPV. On peut voir que les caractristiques lectriques ne prsentent quun seul pic de
puissance aux alentours de 24V. Le Icc de lensemble correspond celui du panneau
28/300/100TD ce qui corrobore bien au principe voqu prcdemment de limitation du
courant dun GPV vis--vis des cellules les moins productrices. La tension VCO, quant elle,
correspond laddition des tensions Vco des deux panneaux comme attendu daprs la thorie
(Vco=Vco1+Vco2=32V).
(a)
(b)
Figure 5-24. Caractristiques (a) I(V) et (b) P(V) dune association srie de deux GPV de
caractristiques distinctes.
123
Nous avons effectu la comparaison sur une journe complte des deux types de
gestion dcrites en Figure 5-23. La premire tant une architecture srie, nous avons dcid de
connecter directement lensemble srie une batterie de 24V. La diode anti-retour choisie
dans cet essai doit tenir plus de tension que dans lensemble des micro-convertisseurs
prcdents. Nous avons donc utilis une diode 1N4448 pouvant supporter des tensions leves
et disposant dune tension de seuil de 780mV. Pour la gestion distribue, deux types dtages
dadaptation ont t ncessaires pour pouvoir transfrer les puissances des deux GPV sur une
mme charge. Ainsi, un convertisseur boost est utilis pour grer le panneau 14/150/300TD et
un convertisseur buck pour le 28/300/100TD. Les deux convertisseurs sont connects une
mme batterie de tension nominale 6V.
Figure 5-25. Courbes de puissances disponibles en sortie de chaque type dassociation de

GPV pour une association srie et pour une architecture distribue, sur une journe de
fonctionnement.
En Figure 5-25, on peut voir la puissance totale rcupre aux bornes des GPV laide
dune architecture entirement discrtise. A ct, lassociation srie prsente un manque de
production important. On peut donc rapidement dduire du potentiel en termes de gain de
dissocier les cellules tandem par lectrodes intermdiaires. En effet, le systme de gestion
distribue permet ici dexploiter la totalit de la puissance maximale disponible aux bornes de
chaque panneau.
On peut trouver dans le Tableau 5-3, un rcapitulatif des bilans nergtiques des
mesures effectues le 17/09/08 pour les deux types de gestion. On saperoit que lnergie
produite par le systme de gestion distribue quivaut presque au double de lnergie produite
par la connexion directe. Le rendement de conversion de la chane distribue reste encore
faible avec seulement 77% contre les 91% pour la diode, mais au final, on peut conclure que
larchitecture distribue permet de transfrer beaucoup plus dnergie la charge (+35%)
quune association srie avec connexion directe.
124
Tableau 5-3- Bilans dnergie et de rendements compars dune chane de conversion

photovoltaque distribue avec tages dadaptation et dune chane de conversion type tandem
sous connexion directe.
17-09-08
nergie
Maximale
(Wh)
nergie
Produite
(Wh)
MPPT
(%)
nergie
Transmise
(Wh)
Conv.
(%)
Total
(%)
Asso. Srie
(Vbat=24V)
6.45
(estime)
6.08
94.26
5.874
96.6
91
Boost
6.55
6.4857
99
5.82
89.7
88.8
Buck
3.769
3.642
96.6
2.137
58.7
56.7
Discrtisation
(Vbat=6V)
10.32
10.127
98.12
7.955
78.55
77
Ces premiers essais sont loin dtre optimums et pourraient certes tre critiquables car
dun ct, nous avons simul un GPV tandem avec deux types de GPV distincts sans tre srs
que des GPV rels de type tandem ne prsentent pas une meilleure optimisation en courant.
Dun autre ct, les micro-convertisseurs pourraient largement tre amliors dans une
version industrielle sans trop de problmes. Ces essais doivent plutt tre considrs comme
une dmonstration des pertes possibles lies larchitecture tandem ou plus gnralement,
pour une association srie classique, lorsque lun des panneaux se retrouve avec des
caractristiques lectriques diffrentes par rapport aux autres. Cette configuration peut arriver
lors dombrage ou lors dune dtrioration des caractristiques dun des panneaux ou bien
mme lorsque les technologies ne sont pas appareilles. Si ce problme persiste dans le temps,
les pertes lies ce dysfonctionnement se rpercutent donc sur lensemble du systme
provoquant des pertes comme nous avons pu le constater disproportionnes. Dans ce cas de
figure, la gestion distribue trouve une place de choix en optimisant le transfert de puissances,
quelles que soient les conditions de fonctionnement des gnrateurs photovoltaques ainsi que
leur tat de vieillissement.
5.6.3. Association Parallle.
Le type dassociation que nous avons ensuite tudi et dcrit dans cette partie
correspond une architecture parallle illustre en Figure 5-26. Pour ce concept, deux diodes
anti-retour sont ncessaires afin dviter que le GPV le plus fort dbite un courant dans le
GPV le plus faible et cre un point chaud. En complment de cette architecture et afin de
poursuivre ltude de lutilit dune gestion distribue, nous avons men des tests comparatifs
dans les mmes conditions de fonctionnement avec pour la gestion dissocie des deux
panneaux, les tages dadaptation dvelopps dans le paragraphe prcdent.
125
Boost
DC
DC
14/150/300TD
14/150/300TD
MPPT
Buck
28/300/100TD
Output
DC
DC
28/300/100TD
DC
MPPT
(a)
(b)
Figure 5-26. Schmas de principe des mesures comparatives (a) architecture Tandem
lectrodes intermdiaires permettant une association lectrique parallle sous connexion
directe avec une charge et (b) architecture entirement distribue.
Les caractristiques lectriques relles I(V) et P(V) de lassociation parallle de ces
deux diffrents panneaux solaires sont consignes en Figure 5-27-a et b. Ces rsultats nous
permettent de visualiser le comportement lectrique de cette association. La premire chose
qui nous apparat, comme nous lavions simul en chapitre3, est la prsence de deux pics de
puissance distincts, un 1.6W pour une tension panneau de 7V et lautre 0.8W pour une
tension de 15V. Cette anomalie lie la divergence des caractristiques lectriques des
panneaux pourrait rendre beaucoup plus complexe la recherche du point de puissance
maximum si la gestion devait se faire par un tage dadaptation. Pour nos tests
exprimentaux, nous avons donc choisi dviter ces problmes de gestion et de comparer
simplement cette architecture parallle connecte directement une charge dont la tension est
proche du premier pic de puissance par rapport une architecture distribue. Nous utilisons
donc une charge de type batterie de 6V nominal pour larchitecture parallle.
(a)
(b)
Figure 5-27. Caractristiques (a) I(V) et (b) P(V) dune association parallle de deux GPV de
caractristiques distinctes.
Pour la gestion distribue, nous utiliserons la mme configuration avec une batterie de
6Volt comme charge de sortie. Le Tableau 5-4 nous prsente un rcapitulatif du bilan
nergtique ainsi que les rendements associs la chane de conversion photovoltaque pour
les diffrentes architectures de gestion dcrites dans ce paragraphe. Ces mesures ont t
ralises sur deux jours distincts pour deux tensions de batterie diffrentes. Le premier jour
correspond une connexion sur une batterie de 6V. On peut remarquer que le rendement total
de la chane de conversion directe par diode prsente une valeur bien suprieure la gestion
distribue avec plus de 6% de bnfices. Cependant, le rendement MPPT de cette dernire
revendique un taux moyen de 98.66% sur une journe de fonctionnement contre 90.24% pour
126
la diode. On peut en conclure que la gestion distribue exploite beaucoup mieux la production
de lnergie PV totale par les deux panneaux solaires mais en revanche, le rendement de
conversion de larchitecture rpartie est ici un problme. Les bnfices engendrs par le
meilleur MPPT de ce design sont perdus cause de la faiblesse du conv. En observant plus en
dtails les rendements de conversion, on peut sapercevoir que le conv du convertisseur buck
est beaucoup trop faible avec seulement 66%. Afin de pouvoir concurrencer la connexion
directe dans cet essai, il aurait fallu que le convertisseur buck prsente un rendement de plus
de 84%. Malheureusement, le rendement de notre prototype abaisseur de tension nest pas
assez performant. Ces essais comparatifs nous ont permis de montrer quil ne suffit pas
davoir des tages avec de bonnes commandes MPPT mais que la qualit des tages de
conversion tait galement importante pour que les bnfices dune architecture distribue
soient effectifs.
Lautre essai comparatif a t ralis la deuxime journe dans les mmes
configurations lectriques que le relev prcdent mais en ayant chang la tension nominale
de la batterie. Pour rappel, prcdemment, la valeur de la tension de la batterie avait t
choisie de telle manire quelle concide avec la tension optimale au PPM de lensemble
photovoltaque form par lassociation parallle de deux modules.
Figure 5-28. Courbes de puissance en sortie de GPV pour une association tandem parallle et
une architecture distribue sur une journe de fonctionnement.
Pour ce nouvel essai, nous avons dlibrment choisi une tension lgrement plus
importante afin de montrer linfluence de la charge sur les chanes de conversion
photovoltaque. Les rendements globaux des chanes de conversion montrent que, dans cette
configuration, larchitecture distribue savre tre la plus performante avec un rendement de
76.5% contre 68.5 pour la connexion directe. Malgr un rendement de conversion faible, la
discrtisation de la gestion de puissance est la plus approprie dans ce cas grce au gain de
production gnr par le rendement MPPT. En Figure 5-28 on peut observer les puissances
transmises par les GPV de chaque architecture. La gestion distribue a donc prouv quelle
pouvait tre une architecture intressante et enrichissante ds lors que les caractristiques
lectriques de la charge diffrent des caractristiques optimales des panneaux solaires.
127
01-09-08
27-08-08
Tableau 5-4. Bilans dnergie et rendements associs dune chane de conversion

photovoltaque distribue et dune association parallle tandem sous connexion directe.
nergie
Maximale
(Wh)
nergie
Produite
(Wh)
MPPT
(%)
nergie
Transmise
(Wh)
Conv.
(%)
Total
(%)
Asso. Parallle
(Vbat=6V)
12.145
(Estime)
10.96
90.24
10.5
95.8
86.45
Boost
7.621
7.57
99.32
6.783
89.6
89
Buck
4.375
4.269
97.58
2.8437
66.6
65
Discrtisation
(Vbat=6V)
12
11.839
98.66
9.626
81.3
80.21
Ass. Parallle
(Vbat=8V)
10.81
(Estime)
7.619
70.48
7.4058
97.2
68.5
Boost
6.771
6.627
97.88
5.855
88.35
86.4
Buck
4.176
4.031
96.52
2.499
62
59.8
Discrtisation
(Vbat=8V)
10.94
10.66
97.44
8.354
78.36
76.36
En Figure 5-29, nous avons superpos le rendement MPPT moyen de larchitecture de

gestion distribue avec celui de la connexion directe pendant les deux journes de
fonctionnement afin dobtenir une meilleure visualisation des rsultats exprimentaux en
terme de qualit dadaptation. De ces courbes, nous pouvons conclure que le MPPT du systme
de gestion distribue est toujours suprieur au MPPT du systme dexploitation direct via des
diodes anti-retours.
Discrtisation
Discrtisation
Asso. Parallle
Asso. Parallle
Figure 5-29. Comparaison des rendements MPPT dune connexion directe et dune
architecture distribue pour des panneaux tandem parallles.
128
5.7. Conclusion.
Dans ce chapitre, nous avons dvelopp des convertisseurs faibles puissances ddis
des applications photovoltaques. Les diffrents prototypes nous ont permis de dvoiler les
premiers verrous lis ces applications faibles puissances. Des solutions ont donc t
apportes en termes de consommation des commandes des convertisseurs DC-DC et en terme
de scurits vis--vis des phases de dmarrage et de chutes de puissances lies aux variations
brutales densoleillement. Une architecture de conversion de type abaisseuse de tension Buck
et une architecture lvatrice de tension boost ont t testes sur une plus grande gamme de
fonctionnement pour connatre leur aptitude assurer le rle dtage dadaptation.
Les diffrentes mesures journalires effectues ont montr que lutilisation du
prototype de micro-convertisseur de type boost ne permet pas un gain significatif de puissance
par rapport une connexion directe lorsque le fonctionnement est idal . On entend par
idal un fonctionnement avec une tension du module PV son PPM concordant avec la
tension de charge de la batterie correctement choisie. Dans cette configuration, le gain apport
par le meilleur rendement MPPT de ltage dadaptation (de plus de 99%) ne couvre pas les
pertes lies au boost. Cependant, lorsque les conditions idales ne sont pas rassembles, ou
lorsque lapplication ne permet pas une connexion directe, le rendement global de la chane de
conversion photovoltaque disposant dun tage dadaptation savre tre le plus performant.
Ces mesures ont donc prouv dans quels cas, le bnfice serait le plus grand insrer un
convertisseur ddi entre la source et la charge afin de permettre une maximisation de la
puissance transmise. Ces premiers rsultats nous encouragent poursuivre les travaux vers le
dveloppement dtages plus performants et bien discrtiss.
Nous avons confort nos conclusions en prouvant, grce des mesures journalires,
quune architecture de gestion distribue tait plus avantageuse en terme nergtique quune
architecture de gestion globale dans diffrents cas. La gestion distribue, bien que moins
conomique quune gestion classique, a dmontr quelle pouvait tre bnfique grce sa
distribution et sa meilleure robustesse vis--vis de perturbations extrieures venant de la
charge ou par rapport lvolution des caractristiques lectriques des gnrateurs dans le
temps.
Pour conclure la problmatique spcifique du projet ATOS, nous avons ralis et
compar diffrentes structures de conversion et de gestion afin de trouver la plus mme
valoriser lnergie produite par des ensembles tandem avec ou sans lectrodes intermdiaires.
Dans tous les cas de figures (association srie association parallle), grce des mesures
journalires, la gestion indpendante de chaque type de cellules couche mince sest avre
tre la plus performante en terme de MPPT montrant un gain en production considrable.
Cependant, les rendements de conversion de ces tages dadaptation faibles puissances restent
encore un verrou technologique (surtout pour des micro-convertisseurs de type buck) la
valorisation complte de cette chane de conversion. Nanmoins, nous poursuivons les
travaux de recherche dans ce sens en raison des nombreuses proprits bnfiques que pourra
apporter une architecture de gestion discrtise performante pour les applications
photovoltaques.
129
BIBLIOGRAPHIE CHAPITRE 5
[1] F Cid-Pastor, A.; Alonso, C.; Estibals, B.; Lagrange, D.; Martinez-Salamero, L.;
Automatic measurement system for testing photovoltaic conversion chains ; Industrial
Electronics Society, 2004. IECON 2004. 30th Annual Conference of IEEE Volume 3, 2-6
Nov. 2004 Page(s):3076 - 3081 Vol. 3
[2] Bonnie Baker, A Glossary of Analog-to-Digital Specifications and Performance
Characteristics (Rev. A) , sbaa147a, 12 Jan 2008, Texas Instruments Incorporated.
[3] Burr-Brown, Analog-to-Digital Converter Grounding Practices Affect System
Performance , sbaa052, Application Bulletin, 02 Oct 2000.
[4] F Cid-Pastor, A.; Alonso, C.; Estibals, B.; Lagrange, D.; Martinez-Salamero, L.;
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Electronics Society, 2004. IECON 2004. 30th Annual Conference of IEEE Volume 3, 2-6
Nov. 2004 Page(s):3076 - 3081 Vol. 3
[5] F.BLANC, D.LAGRANGE, D.MEDALE, P.MARCOUL, C.GANIBAL, P.MENINI,
Dtecteur de gaz. Conception et ralisation d'un module portatif , (07069), Rapport
LAAS N07069, Fvrier 2007, 38p.
130
CHAPITRE 6
6. CONCLUSION GNRALE ET
PERSPECTIVES.
131
132
CHAPITRE 6 : CONCLUSION GNRALE ET PERSPECTIVES
CONCLUSION ET PERSPECTIVES
Les travaux prsents dans cette thse concernent gnralement la problmatique de
valorisation de lnergie photovoltaque par de nouveaux systmes de couplages entre les
gnrateurs photovoltaques et leurs charges. Nous avons ainsi propos plusieurs pistes pour
amliorer la conversion dnergie photovoltaque qui souffre encore aujourdhui de problmes
de transfert de puissance importants des GPV vers les charges souvent trs loin des
possibilits maximale des gnrateurs. Notre dmarche a t dexplorer les diffrents types
darchitectures de gestion dnergie afin de trouver la plus mme de maximiser la
production lectriques des systmes photovoltaques en sappuyant sur des travaux de chanes
de conversion discrtises.
Avant daborder la problmatique proprement dite de gestion, nous avons effectu un
tat des lieux par filire technologique, des principaux axes de dveloppement photovoltaque
et du potentiel de chacun. Il tait en effet important pour nos travaux de recherche de
connatre sur quel type de cellules, les apports systmes pouvaient tre les plus pertinents.
Cela nous a permis davoir une vision globale des avances technologiques actuelles et
futures afin de pouvoir anticiper les besoins et ainsi donner notre propre avis sur le
dveloppement photovoltaque potentiel futur avec des systmes de conversion plus
optimiss. Ainsi, sur la filire silicium reprsentant actuellement 90% de la production
mondiale pour les applications terrestres, divise en deux familles qui sont le silicium
monocristallin et le silicium poly-cristallin avec 24.7% et 19.8% de rendements records
respectivement, les industries continuent investir normment dans des travaux
doptimisation pour en rduire les cots et en visant toujours des rendements de conversion
plus levs. Malheureusement, le rendement de cette filire tant limit du point de vue
thorique 29%, cela laisse peu de marges de progressions potentielles.
Sur les cellules multi-jonctions haut rendement dont le dveloppement a t motiv
en priorit par les applications spatiales o les performances de la cellule priment sur les cots
de fabrication, la superposition de cellules disposant de diffrents gaps, maximisant
labsorption du spectre solaire est potentiellement intressante pour le terrestre si on arrive
rduire considrablement les cots. Lmergence de nouveaux matriaux photovoltaques
organiques ou polymres colorants qui ne sont pour le moment qu leur dbut avec 5% de
rendement record jouent, quant eux, leur atout sur le faible cot de fabrication mais
ncessitent encore beaucoup de recherches notamment sur leur dure de vie pour pouvoir tre
considres du point de vue systme court terme.
Actuellement, les filires en plein essor, bases sur des technologies dites de couche
mince permettent de convertir le plus de photons possibles en lectricit en utilisant le moins
de matriaux ractifs possibles. La rduction du cot de fabrication grce une rduction de
matires premires et une mthode dintgration totale sont deux points aujourdhui fort
potentiel de dveloppement. Contrairement aux filires de silicium cristallin, ces technologies
ne ncessitent ni dcoupe ni post-assemblage de cellules pour aboutir un module
commercial rduisant dautant les cots de fabrication. Trois grandes familles de matriaux
sont actuellement en plein essor (voire en concurrence) : lalliage Cu(In,Ga)Se2 not CIGS qui
revendique un rendement record en laboratoire de 19,9%, le tellurure de cadmium not CdTe
avec 16,5% et les matriaux base de silicium amorphe et microcristallin avec 7 9 % de
rendement. Les matriaux base de silicium ont fait lobjet dtudes dans le cadre de cette
thse car ils font partie des lments utiliss pour dvelopper de nouvelles cellules tandem
dans le cadre du projet ATOS.
133
Dans ce contexte, nous avons tudi diffrentes associations possibles de cellules

photovoltaques permettant de crer des modules de puissance exploitables pour des
applications domestiques. Nous avons galement montr lutilit dinsrer un tage
dadaptation avec une fonction MPPT entre le GPV et la charge afin doptimiser en
permanence la puissance produite. Les effets dombrage sur quelques cellules qui composent
un panneau solaire ont t particulirement tudis et nous avons montr des pertes
disproportionnes de puissance, de plus de 50%, et pourra mme parfois rendre le panneau
inactif. Limpact dombrage sur un panneau solaire a donc une influence trs importante sur
lnergie produite par rapport la superficie de lombre. Ces problmes caractristiques, lis
lnergie photovoltaque, nous ont fait envisager de nouvelles architectures de gestion autant
pour les tages dadaptations DC-DC que pour les DC-AC. Il savre que la discrtisation de
la gestion de cette nergie semble une solution prometteuse dans la course loptimisation, en
particulier pour saffranchir des problmes dombrage. Cependant, le rendement de ces
chanes de conversion photovoltaque reste encore aujourdhui un verrou.
La multiplication des tages dadaptation permettra bien entendu de raliser une
maximisation de la puissance disponible mais au dtriment du rendement de conversion de
lensemble et de laugmentation des cots. Des recherches plus approfondies ont donc t
ncessaires pour voir si une architecture de gestion distribue pour les applications
photovoltaques apporterait un gain significatif cette nergie compensant les surcots. En
thorie, ce type de gestion napporte que des avantages grce sa proximit et sa meilleure
gestion de lnergie produite au plus prs des cellules solaires. Mais, lorsquen pratique, il
faut prendre en compte les pertes lies ces tages dadaptation et la multiplication de ceuxci, le gain de ce type darchitecture nest pas si vident.
Nous nous sommes alors attachs dvelopper des tages dadaptation de trs faible
puissance (micro-convertisseurs) pouvant fonctionner au plus prs des cellules
photolectriques. Les convertisseurs DC-DC intgrs actuellement disponibles sur le march
pour dautres applications nous ont servi de rfrence tout au long de nos tudes. Ces
convertisseurs faibles puissances (0.5 2W) affichent en effet ds aujourdhui des rendements
trs convenables de plus de 90% en moyenne pouvant potentiellement tre intressants pour
les chanes PV. Ces donnes ont permis de dvelopper des simulations lectriques
concordantes avec la technologie la plus performante du moment. Deux structures de
conversions ont t choisies afin doffrir une plage de fonctionnement la plus large possible
en sortie des micro-convertisseurs. La premire est une structure abaisseuse de tension de type
buck et la seconde une structure lvatrice de tension de type boost. Dans les deux cas, les
simulations ont rvl les premiers verrous en termes de rendement. Les commandes MPPT
existantes au laboratoire en dbut de mes travaux de thse notamment prsentaient trop de
consommation (400mW en version analogique). Jai dvelopp successivement plusieurs
versions numrique de la V0 93mW de consommation la version V3 nous permettant
davoir une consommation continue de seulement 25mW. Notre but na pas t de rivaliser
avec les convertisseurs intgrs de faible puissance du commerce mais de dvelopper des
convertisseurs disposant dassez bons rendements de conversion et robustes pour pouvoir tre
tests en conditions relles sur du long terme. Les rendements obtenus pour effectuer les
diffrents tests des deux architectures de conversion boost et buck sont respectivement de
91% et 81% pour une puissance dentre de 1W. Larchitecture buck montre un rendement
beaucoup plus faible que le Boost cause de sa structure plus complexe et plus difficile
mettre en uvre. Nanmoins, ces premiers prototypes qui ont montr une trs bonne
adaptation en rgime tabli comme en rgime transitoire nous ont servi de bases
exprimentales pour explorer larchitecture distribue dans les applications photovoltaques.
134
Les essais exprimentaux comparatifs nous ont rapidement amens dvelopper un

banc de mesures performant ddi aux applications faible puissance photovoltaque nous
permettant de raliser des mesures prcises des variables lectriques prsentes dans la chaine
de conversion photovoltaque sur de longues priodes de fonctionnement (plusieurs jours).
Nous avons ralis plusieurs campagnes de mesures afin de valider et comparer
exprimentalement les diffrentes architectures de gestion tudies. La premire campagne
concerne la comparaison entre un tage dadaptation de type Boost, tant la structure la plus
performante en termes de rendement, avec une connexion directe par diode anti-retour. Les
diffrentes mesures journalires effectues nous montrent que lutilisation de cet tage permet
un gain de plus de 20% lorsque la tension de la batterie nest pas exactement adapte la
tension optimale du panneau. Cependant, lorsque la tension batterie est choisie de telle sorte
quelle corresponde au PPM, alors ltage dadaptation ne permet pas dobtenir un gain
nergtique. Ltage dadaptation permet cependant de toujours exploiter le maximum de
puissance disponible aux bornes dun panneau mais les pertes dans le convertisseur de
puissance sont encore trop leves pour rendre cette solution directement industrielle. Si on
compare les rendements globaux des deux chanes de conversion photovoltaque, 93% pour la
diode et 89.7% pour ltage, on remarque que seulement 3.3% les sparent. On voit ici les
limites des performances de nos prototypes faibles puissances qui ne peuvent rivaliser avec
des systmes de puissances intgrs.
Une seconde campagne de tests a consist comparer une gestion globale de trois
GPV en parallle avec une gestion de puissance distribue sur trois GPV identiques sous les
mmes conditions mtorologiques. La gestion distribue sest avre tre la plus performante
avec un gain compris entre 5 et 7% par rapport une gestion globale. La gestion discrtise
nous a permis dans un premier temps de gagner en rendement MPPT et dans un second temps
dobtenir de meilleurs rendements de conversion. Les tages dadaptation ddis par modules
permettent dextraire le maximum de puissance disponible aux bornes de chaque GPV, ce qui
nest pas le cas de la gestion globale qui doit, elle, grer lensemble.
Pour conclure, dans le cadre du projet ATOS, nous avons ralis et compar
diffrentes structures de conversion et de gestion afin de trouver la plus mme valoriser
lnergie produite par des ensembles tandem. Les premires mesures journalires ralises
nous ont permis de comparer une architecture classique de cellules tandem, mise en srie des
deux diffrents modules Solems, avec une architecture de gestion distribue de ces deux
modules. Les rsultats ont montr un gain nergtique de plus de 35% pour larchitecture
discrtise. Lorsque les modules sont associs en srie, cest le module le plus faible qui va
limiter la puissance de sortie de lensemble. Ici le module simulant les cellules disposes en
face arrire et produisant le moins de courant va faire chuter la puissance globale de
lensemble de la chane en srie. Au contraire, dans une architecture de gestion distribue, la
rpartition des tages dadaptation devrait permettre dexploiter le maximum de puissance
disponible aux bornes de chaque module en sadaptant parfaitement aux caractristiques
lectriques dentre et de sortie. Les secondes mesures nous ont servi comparer une simple
association parallle des deux modules une architecture de gestion distribue de chacun des
modules. Larchitecture distribue a encore montr dans ce cas la meilleure adaptation aux
caractristiques lectriques de chaque module en exploitant 97 99% de la puissance
disponible contre les 70 90% de la structure parallle. Cependant les prototypes dvelopps
au sein du LAAS-CNRS ont montr leur limite en termes de rendement de conversion avec
90% pour le boost et 65% pour le buck qui ont fait, bien entendu, chuter considrablement le
rendement de conversion global de la chane de conversion photovoltaque.
135
Ces premiers rsultats trs encourageants nous motivent donc encore plus poursuivre
des travaux sur de nouveaux tages dadaptation encore plus performants ddis la faible
puissance en terme de rendement mais aussi de cot et de compacit. Cette nouvelle
gnration dtage devra passer probablement par une phase dintgration industrielle pour
permettre dobtenir des rendements de conversion corrects pour ces applications de faibles
puissances ainsi quune rduction drastique du cot. En plus de sa fonction dadaptation,
ltage dadaptation devra probablement grer des fonctions annexes inhrentes la charge
telles que le profil de charge de batteries.
Les secondes perspectives sorientent plus sur une optimisation de la puissance
produite par les modules photovoltaques en utilisant des architectures de gestion distribue.
Comme nous avons pu le dmontrer tout au long de cette thse, larchitecture classique dun
module solaire ncessite une association de nombreuses cellules lmentaires en srie. Cette
association rend fragile lensemble du systme de production vis--vis de diverses
perturbations arrivant mme au niveau dune seule cellule. Les cas densoleillements
inhomognes, un dysfonctionnement ou des salissures au niveau dune seule cellule peuvent
faire baisser considrablement la production dlectricit du module. Lide poursuivre est
de diviser le panneau en plusieurs sous groupes de cellules gres indpendamment par des
tages dadaptation permettant chaque groupe de fournir son maximum de puissance
indpendamment des autres dans la droite ligne des architectures distribues prsentes dans
ce mmoire. Il reste encore des tudes mener moyen terme sur le gain nergtique apport
par ces nouvelles architectures.
136
ANNEXES.
137
138
Annexe 1 : Les Pertes dans le Convertisseur Buck
ANNEXE 1
PERTES DANS LE CONVERTISSEUR BUCK
Capteur de courant :
Ces pertes sont lies lutilisation dune rsistance shunt en srie dans le circuit afin de capter
une image en tension du courant produit par le module photovoltaque.
Psense = Rshunt .I in
O Rshunt est la rsistance shunt du capteur de courant,
Et Iin le courant continu fourni par le module.
Inductor losses :
Linductance prsente dans le circuit Buck est aussi gnratrice de pertes. Pour notre tude,
nous avons seulement pris en compte les pertes continues et ngligeant les pertes en frquence
dans linductance.
PDCR = DCR.I L
O DCR est la rsistance srie de linductance,
Et IL le courant moyen traversant linductance.
High-Side Losses :
Les pertes lectriques dans nimporte quel interrupteur MOSFET sont une combinaison de
pertes par commutation (SW) et de pertes par conduction (COND).
PMOSFET = Psw + PCOND

High-side conduction losses :
139

Le calcul des pertes par conduction est trs simple et correspond aux pertes RI dans le
MOSFET lorsque celui-ci conduit :
Pcond .hsm = RDS ( on ) .D.I out

O RDS(on) est la rsistance ltat passant de linterrupteur MOSFET,
Iout le courant en sortie du convertisseur Buck,
Et D le rapport cyclique.
High-side switching losses :
Le MOSFET peut aussi prsenter des pertes en commutation lorsqu'il est utilis comme
interrupteur dans les alimentations dcoupages. Le fait de ne pas avoir de charge stocke
permet au transistor MOSFET davoir des commutations extrmement rapides. Ce sont les
capacits parasites qui, par le temps ncessaire pour les charger ou les dcharger limitent la
rapidit des commutations. On peut rsumer ces pertes par commutation par lquation
suivante :
PSW .hsm =
Vin * I out
.(tr + tf ).Fsw
2
O, Vin est la tension dentre et Iout le courant de sortie du convertisseur ; tr et tf

rciproquement le temps de mont et de descente et finalement Fsw, la frquence de
commutation.
Il existe de nombreuses pertes additionnelles qui sont typiquement plus petites que les pertes
prcdentes. Nous les avons listes par ordre dimportance :
1- La puissance ncessaire pour charger la grille :
PGATE .hsm = Qg .FSW .Vdd

O Qg est la charge de grille du MOSFET (gate charge), FSW la frquence de commutation et
Vdd la tension dalimentation du driver.
2- La puissance ncessaire pour charger la capacit de sortie du MOSFET.
En effet, chaque commutation, les capacits parasites prsentes ses bornes doivent tre
charges ou dcharges entranant des pertes en CV.
2
PCoss.hsm =
Coss .Vin .FSW

2
O Coss est la capacit en sortie du MOSFET, (CDS + CDG).

Low-Side Losses :
Les pertes dans le low side MOSFET sont elles aussi composes de pertes en conduction et en
commutation.
140
Low-side conduction losses :

On retrouve bien entendu les pertes en conduction en RI lorsque linterrupteur MOSFET
conduit :
2
PCOND.lsm = I out .RDSon (1 D)

Iout le courant en sortie du convertisseur Buck,
Le temps mort (dead time) dsigne le temps pendant lequel les deux interrupteurs MOSFET
sont ltat off. Pendant ce temps, la diode (diode body ou diode schottky parallle) se met
conduire, assurant ainsi une continuit en courant. Cette perte de puissance peut sexprimer
ainsi :
PDiode.lsm = Tdeadtime .FSW .VF .I out

Ou Tdeadtime est le temps mort, Fsw la frquence de commutation du circuit, VF le forward
voltage de la diode et Iout le courant en sortie du convertisseur.
Low-side switching losses :
Les pertes par commutation sont elles calcules comme prcdemment pour linterrupteur
High side :
PSW .lsm = (t f .VF + t r .
VF + I out .1,1.RDSon
).I out .FSW
2
Mais ici Vin est remplace par VF, la tension de la diode Schottky. On pourra se rfrer aux
lapplication note * et ** pour avoir plus dexplication sur le calcul de ces pertes.
Si une diode Schottky externe est utilise en parallle avec le LSM, la capacit de la Schottky
doit tre charge pendant la fermeture du high-side Mosfet engendrant les pertes suivantes en
CV :
2
PCschottky =
Cschottky.Vin .FSWt
2
*AN-6005, FAIRCHILD Semiconductor, Synchronous buck MOSFET loss calculations with

Excel model. Jon Kleim Power Management Applications.
**Optimizing MOSFET Gate Drive Voltage by Steve Mappus, Power supply control products
Texas Instruments Incorporated.
141
Annexe 2: Les Pertes dans le Convertisseur Boost
ANNEXE 2
PERTES DANS LE CONVERTISSEUR BOOST
Capteur de courant :
Ces pertes sont lies lutilisation dune rsistance shunt en srie dans le circuit afin de capter
une image en tension du courant produit par le module photovoltaque.
Psense = Rshunt .I in
O Rshunt est la rsistance shunt du capteur de courant,
Et Iin le courant continu fourni par le module.
Inductor losses :
Linductance prsente dans le circuit Boost est aussi gnratrice de pertes. Pour notre tude,
nous avons seulement pris en compte les pertes continues et ngligeant les pertes en frquence
dans linductance (lies londulation de courant).
PDCR = DCR.I L
O DCR est la rsistance srie de linductance,
Et IL le courant moyen traversant linductance.
Switch losses :
Les pertes lectriques dans nimporte quel interrupteur MOSFET sont une combinaison de
pertes par commutation (SW) et de pertes par conduction (COND).
PMOSFET = Psw + PCOND

Conduction losses :
On retrouve bien entendu les pertes en conduction en RI lorsque linterrupteur MOSFET
conduit :
142
Annexe 2: Les Pertes dans le Convertisseur Boost

2
PCOND.MOSFET = I in .RDSon .D
Iin le courant en entre du convertisseur Buck,
Switching losses :
Le MOSFET peut aussi prsenter des pertes en commutation lorsqu'il est utilis comme
interrupteur dans les alimentations dcoupages. Le fait de ne pas avoir de charge stocke
permet au transistor MOSFET davoir des commutations extrmement rapides. Ce sont les
capacits parasites qui, par le temps ncessaire pour les charger ou les dcharger limitent la
rapidit des commutations (cf.*). On peut rsumer ces pertes par commutation par lquation
suivante :
PSW .hsm =
Vin I out
.
.(t r + t f ).Fsw
2 1 D
O, Vin est la tension dentre et Iout le courant de sortie du convertisseur ; tr et tf

rciproquement le temps de mont et de descente et finalement Fsw, la frquence de
commutation.
On peut aussi considrer dans ce calcul, les pertes lies aux capacits parasites. En effet,
chaque commutation, les capacits parasites prsentes aux bornes de linterrupteur doivent
tre charges ou dcharges entranant des pertes en CV.
2
PCoss.hsm
C .V .F
= oss in SW
2
O Coss est la capacit en sortie du MOSFET, (CDS + CDG).

Diode losses :
PD = VF .I out ( moy ) + RD .I out ( rms )
Avec VF la tension de seuil de la diode, Iout le courant traversant la diode et RD la rsistance

dynamique de la diode. Pour avoir plus de dtails sur les pertes en commutation pour la diode,
on pourra consulter **.
* Boost converter efficiency through accurate calculations, by Travis Eichhorn, National
Semiconductor.
** Les convertisseurs de llectronique de puissance, 3-la conversion continu-continu, G.
Seguier, F. Labrique, R. Baussiere.
143
RSUM
Les recherches actives sur les matriaux photovoltaques et sur les systmes de gestion
de cette nergie sont la base de ces progrs constants. Le LAAS travaille depuis plusieurs
annes dans cette optique damlioration et doptimisation de lnergie lectrique produite par
les systmes solaires photovoltaques. Linsertion dun tage dadaptation entre un gnrateur
photovoltaque (PV) et une charge optimise le transfert dnergie. Ainsi, cet tage, command
par une MPPT (Maximum Power Point Tracking), permet de rechercher en permanence le
point maximum de puissance dlivre par le module PV. Afin daccrotre encore les
performances nergtiques des systmes solaires, cette thse sest dlibrment oriente vers
une architecture fortement distribue. Cette approche, consistant rpartir la gestion du
gnrateur PV, permet de se rapprocher au plus prs de la production photovoltaque et ainsi
en optimiser la puissance lectrique globalement produite. Pour cela, nous avons dvelopp
des prototypes de micro-convertisseurs ddis aux applications faibles puissances
photovoltaques. Un banc de mesure solaire a t mis en place afin deffectuer des bilans
nergtiques des diffrents systmes employs sur des priodes dune ou plusieurs journes
de fonctionnement. Ces mesures nous ont permis d'tudier avec prcision l'intrt de
larchitecture distribue et d'obtenir des rsultats de validation montrant les perspectives
venir. Plusieurs solutions darchitectures se dgagent avec diffrents bilans des gains
nergtiques quelles apportent.
Mots Cls : lectronique de puissance, Convertisseur DC-DC, Micro-convertisseurs,
Architecture distribue, Photovoltaque, nergies renouvelables, Cellules solaires, Cellules
tandems.
144
ABSTRACT
Title: "New distributed architecture of power management for photovoltaic applications"
The active research on materials and photovoltaic systems management of this energy
are the basis of this progress. LAAS laboratory has been working for several years in this
context of improvement and optimization of electrical energy produced by photovoltaic array.
Much work has shown the benefit to insert an adaptation stage between the photovoltaic
arrays (PV) and load in order to optimize the energy transferred. This stage, controlled by an
MPPT (Maximum Power Point Tracking), allows to always searching the maximum power
delivered by the PV module. To increase yet the energy performance of solar systems, new
works were directed towards a highly distributed architecture. This approach, consisting in
dividing the PV generator in several parts, helps to bring closer photovoltaic cells and thus
maximize the electrical power they can produce. In this work, we have developed prototypes
of micro-converters dedicated to low power photovoltaic applications. A new test bench has
been built to make energy balances of different systems used over periods of one or more
days of operation. These measures have enabled us to study with precision the benefit of the
distributed architecture and obtain validation results showing future prospects.
Keywords: Power electronic, DC-DC converter, micro-converters, distributed architecture,
photovoltaic, renewable energy, solar cells, tandem cells.
Discipline Gnie lectrique
Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes

Groupe Intgration des Systmes de Gestion de lnergie
LAAS-CNRS
Groupe ISGE
7 Avenue du Colonel Roche
31077 TOULOUSE Cedex 4
FRANCE
145

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THSE

DOCTORAT DE LUNIVERSIT DE TOULOUSE

Prsente et soutenue par M. PETIBON Stphane

Ecole doctorale : GEET

A MES PARENTS, JEAN-CLAUDE ET JOCELYNE

TABLE DES MATIRES

DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D. ........................................... 7

La conversion photovoltaque. ............................................................................................. 10

Les diffrentes filires photovoltaques. .............................................................................. 15

La filire base de Silicium Cristallin. ......................................................................... 15

Projet de recherche ATOS. .................................................................................................. 29

LES DIFFRENTES CHANES DE CONVERSION PHOTOVOLTAQUE ET LEURS VOLUTIONS.... 39

Architecture classique dun gnrateur photovoltaque. ...................................................... 42

Dfinitions des rendements associs la chane de conversion........................................... 45

La connexion directe GPV-charge comme mode de transfert de puissance. ....................... 47

La connexion GPV-charge via un tage dadaptation continu-continu. .............................. 49

La connexion GPV-charge via un tage dadaptation continu-alternatif. ............................ 55

Principe de la conversion Photolectrique..................................................................... 10

DVELOPPEMENT DARCHITECTURES DISTRIBUES DDIES AU PHOTOVOLTAQUE. ......... 69

Les micro-convertisseurs comme tages dadaptation. ........................................................ 72

tude dun micro-convertisseur BUCK utilis comme tage dadaptation. ........................ 74

tude dun micro-convertisseur BOOST utilis comme tage dadaptation................. 77

Amlioration de la commande MPPT. ................................................................................. 80

Validations exprimentales. ................................................................................................. 93

Principe de recherche du Point de Puissance Maximum du LAAS............................... 80

Conclusion. ........................................................................................................................ 100

TUDES COMPARATIVES DES DIFFRENTES MICROSTRUCTURES DADAPTATION. ............ 103

Introduction. ....................................................................................................................... 105

Prsentation du banc dacquisition solaire. ........................................................................ 105

Premiers tests. .................................................................................................................... 108

Introduction. ................................................................................................................ 108

Introduction. ................................................................................................................ 122

Conclusion. ........................................................................................................................ 129

CONCLUSION GNRALE ET PERSPECTIVES..................................................................... 131

LISTE DES TABLEAUX

LISTE DES FIGURES

LISTE DES ABRVIATIONS

Tension de Circuit Ouvert

Point de Puissance Maximum

Courant et Tension Optimaux au PPM

Maximum Power Point Tracking

Rendement dun GPV

Modulation de Largeur dImpulsion (PWM en anglais)

Rsistance ltat passant dun interrupteur Mosfet

Transparent Conductive Oxide

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION GNRALE

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION GNRALE

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION GNRALE

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

2.2. La conversion photovoltaque.

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

o h est la constante de Planck, c la vitesse de la lumire et sa longueur donde.

Le dopage de type N consiste avoir un excs dlectrons dans le matriau.

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

Figure 2-3. Schma de principe de la conversion photolectrique.

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

Figure 2-4. Caractristiques I(V) dune cellule photovoltaque soumise diffrents

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

Figure 2-5. Schma lectrique quivalent dune cellule en silicium cristallin.

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D

Un paramtre important est souvent utilis partir de la caractristique I(V) pour

2.3. Les diffrentes filires photovoltaques.

CHAPITRE 2 : DVELOPPEMENT PHOTOVOLTAQUE, PERSPECTIVES ET R&D