2001 69

Universit des sciences et technologies de Lille
THE SE
pour obtenir le grade de
Docteur de l'Universit
en Sciences Pour l'Ingnieur
Spcialit lectronique
,
Jean-Franois LARCHANCHE
,
Etudes pour la ralisation d'un modulateur
lectro-optique ondes progressives
sur polymres
prsente et soutenue publiquement le 24 janvier 200 1
Pt: Eugne CONSTANT Prsident (U.S.T.L.)

Pt: Didier DECOSTER Directeur de thse (U.S.T.L.)
Dr.. Jean-Pierre VILCOT Co-directeur de thse (I.EM.N.)
Pt: Jean-Pierre MOUTON Rapporteur (Universit de Limoges- U.M.O.P.)
Dr.. Henri POR Rapporteur (Universit de Besanon- L.O.P.M.D.)
Dr.. Jean Franois LEGIER Examinateur (U.S.T.L.)
Pt: Alain ROUSSEAU Examinateur (E.N.S.C.M.)
Dr.. Eric TOUSSAERE Examinateur (E.N.S. Cachan- L.P.Q.M.)
A ch'tiot Galibot, mon grand-pre
Et ma grand-mre.
~ Remerciements
!:t:~
!(:;:
,,::i
JI,
:li,~'
Avant d'aborder le vifdu ~et, permettez-moi de vous dpeindre la scne de mes trois annes de recherche.
Contrairement au thatre, avant le dbut des trois actes, voici la parade de tous les acteurs de cette aventure.
Moi-mme acteur; sur cette pkge '1:
je me ferais narrateur et spectateur pour pouvoir faire la hol d'loges et
de remerciements tous ceu_x;,::qui ont particip cette pope polymrique.
Didier DECOSTER est ra.bteur principal. II m'a fuit l'honneur (et a pris le risque!) de m'accepter dans
l'quipe opto-lectronique qQ:'f il dirige. Les nombreuses discussions scientifiques (ou autres... ) que nous
avons eues rsonnent encore i,ans mon esprit. Souvent accompagnant la parole de gestes amples, il aborde
les concepts des plus compl~es avec des images aussi simples qu'explicites telles que le serre-joint, la
douche, la baignoire, la polet~fal...I.:analogie est l'outil des grands esprits.
Jean-Pierre VILCOT est Ie!~econd
1:
acteur principal (difficile de les dpartager!). Jonglant entre problmes
technologiques et thoriques, !:contrats et problmes administratifs, il a toujours un instant vous consacrer.
Ses comptences scientifique~"~ ses qualits humaines sont rares. J'attends toujours qu'il me rvle ce coup
qui nous a rendu clbres? 1,
~~:!"1
Voici le gros de la troupe, ~mpagnons partageant travail, discussions, repas et pots, il y rgne toujours
une ambiance chaleureuse. ~n grand merci : Sophie la premire dame de l'quipe, Cathy la callipyge,
Joe le philosophe, Vmcent, ~ li'';t
Aurore, Sophie surnomme Calimro, Karine ou Mayousse, Achour dit
Bel-Amour, Arnaud, Bob sunibmm Hugguy, Christophe, El Bekkay, Filipe, Germain, Guan, Gwen, Hamid,
lan, Jrme, Magdy, Manu, s~:n mel encore appel Sensuel, YVes dit YVou, Saad, Stephan, Tchana.
<iijl
Oeuvrant dans les couliss~ pour que la rprsentation ait lieu, je salue bien bas tous les membres de
la centrale de technologie: ~e Fattorini, Christiane Legrand et Patrica Lefebvre, Andr Leroy, Bertrand
Grimbert, Marc Franois, Mic&.el Mulle~; Pascal Ttlmant, Didier Vcmdermoere dit Vd, Christophe Boyaval,
Bernard \rbeke, Patrice Big~, Jean-Louis Codron, Chritophe Coinon, Jean Oaude Pesant.
Pour rajouter encore la djstnoution, voici les stars invites reconnues pour leurs talents dans leur do-
maine de prdilections. Je re:bercie Eric TOUSSAERE de l'cole Normale Suprieure de Cachan, Jean-
Franois LEGIER de 1'Univei$it de Lille et Alain ROUSSEAU de l'cole Nationale Suprieme de Chimie
',ij,'
de Montpellier pour leur aide t;out au long de ces trois annes et leur participation au jury de thse.
Une reprsentation n'est ribn sans spectateurs. J'adresse ici tous mes remerciements monsieur Jean-
Pierre MOUTON, professeur.::;~ l'universit de Limoges, et monsieur Henri POR, charg de recherche
1::+
l'Universit de Besanon d~:avoir accepter d'tre les rapporteurs de mon travail. Le Professeur Eugn
CONSTANT me fait l'honnem: de prsider ce jwy; je tiens le remercier de m'accorder cette favew:
Encore quelques lignes avant que le spectacle ne commence. Mes rpliques n'auraient pas trouv d'chos
sans Bob Bellini, auquel Didi.;r et Jean-Pierre m'ont associ. C'est avec toi, mon ami, que je partage tous
les bnfices de ce travail. 1:'!:
:'li
:!:i!:,
:::i!!:
/:.i1
PRSENTATION
Il faut faire un composant bon march

avec un bout de plastique
conversation prive avec Didier DECOSTER
I.: mergence d'une nouvelle technologie est soumise aux contraintes du march. Le dispositif doit offiir des
performances comparables ou suprieures celles des concurrents pour un cot de production plus faible.
Dans le domaine des tlcommunications, l'optique a dmontr qu'elle pouvait allier perfonnance et bas
cot.
Ct performances, la fibre optique prsente de nombreux avantages:
grande capacit de transport (la frquence de la porteuse varie de 200 THz 500 TIIz);
insensibilit aux perturbations lectro-magntiques;
diaphonie ngligeable entre fibres voisines;
possibilit de multiplier les canaux sur une seule fibre par le multiplexage en longueurs d'ondes;
affaiblissement trs infrieur aux autres guides: au dbut des annes 1970, l'attnuation tait de 20 dB/km
puis 2,4 dB/km au milieu des annes 1970 et 0,2 dB/km au milieu des annes 1980. Avec l'utilisation de
verres fluors, 1' attnuation peut encore tre rduite par 10 ou 100;
facilit d'exploitation. Sous un mme diamtre de cablage, on fait passer un plus grand nombre de fibres
que de cbles coaxiaux.
Ct cot, les prix de la fibre et des ttes optiques ont fortement baiss. Le prix de la fibre est pass de 10 F
le mtre en 1980 environ 1 Fen 1989 et l'on prvoit une diminution d'encore 50 %pour les annes venir.
Le prix des ttes optiques (nous regouperons sous ce terme photodtecteurs et lasers) est, quant lui, pass
de 50 000 Fen 1984 moins de 10 000 Fen 1989.
Ces avances technologiques ont t accompagnes d'une demande de capacit qui n'a jamais cess de
crotre, stimule par l'ouverture des marchs des tlcommunications, la mondialisation et l'internet. Par
analogie l'lectronique, 1'augmentation exponentielle des capacits de transmission qui double tous les 4
12 mois suit ce que r on appelle aujourd'hui la loi de Moore de r optique avec un taux de croissante deux
fois suprieur celui de l'lectronique. J.:optique n'est plus alors confine aux seules tlcommunications
intercontinentales mais prend une part croissante dans les rseaux locaux et la distribution chez 1' abonn.
Forte de tout cela, l'optique est aujourd'hui la technologie cl des tlcommnications.
4
Impact cQn1currentiel des technologies
fort
faible
finble moyen fort

Degr de matrise des technologies
Les polymres s'inscrivent parfaitement dans ce contexte et satisfont autant les critres de performance que
de faible cot.lls s'imposent comme une solution conomique au niveau de la production du matriau comme
au niveau de leur mise en uvre. Le polymre se dpose fcilement avec la technique de centrifugation de
la photolithographie, mais bnficie aussi de 1'exprience de la plastmgie pour la mise en place de technique
de moulage a priori simple et rapide. Les polymres peuvent s'intgrer sur une grande varit de subst-
rats et s'hybrider avec la technologie semi-conducteur pour la ralisation d'une interconnexion entre laser
et dtecteur ou d'une transition fibre/laser. En contrepartie, si nous ~outons cela la proximit chimique
des polymres avec les rsines de la photolithographie, la technologie polymre ne possde pas encore de
standard, qui serait un tremplin vers un dveloppement industriel. De plus, les polymres prennent main-
tenant place autant dans les composants passifs qu'actifs. On retrouve ainsi quasiment toutes les proprits
des matriaux semi-conducteurs: conductew; isolant, lectro-activit...Mais contrairement aux matriaux
semi-conducteurs, l'efficacit intrinsque des molcules actives ne cesse d'augmenter avec les progrs de
1'ingnierie chimie. On se met alors rver de performances exceptionnelles...
La frquence de la porteuse optique ofife des bandes passantes de plusieurs dizaines de gigahertz. Pourtant
nous n'utilisons qu'une faible partie de ce potentiel. La quantit d'information que nous imprimons sur la
porteuse est limite par la technique de modulation. On distingue la modulation directe et la modulation
externe:
dans la modulation directe, le signal modulant est appliqu sur le lasei: La frquence de modulation est
alors limite par la dynamique de recombinaison des lectrons et trous. De plus, la modification des
conditionsd'injectionchangelalongueurd'ondemise,cequipeuttreprjudiciablepourlatransmission
du signal sur de grandes distances ou dans des systmes multiplexage dense (voir ultra-dense);
en modulation externe, le modulateur est dissoci de la source. Dans ce cas, la polarisation du laser est
constante, ce qui permet une plus grande puret spectrale.
Parmi les modulateurs externes, les deux voies principales sont l'lectro-absorption et les effets d'optique
non-linaire. Les modulateurs lectro-absorption sont, de par leur principe de fonctionnement, conus pour
5
travailler une longueur d'onde donne et sont donc trs sensibles toute variation de celle-ci. Les modu-
lateurs utilisant les phnomnes d'optique non-linaire et notamment l'effet Pockels peuvent s'utiliser sur
une plus grande gamme de longueurs d'ondes. Enfin, d'un point de vue structurel, l'application du signal
hyperfrquence peut se faire en constante localise ou distribue. Le modulateur en constante distribue ou
encore ondes progressives semble la structure d'avenir pour la modulation trs hautes frquences et faible
consommation. Electriquement, il apparat comme une ligne de transmission, il n'y a donc pas de frquence
de coupure. Optiquement, si la porteuse optique et le signal millimtrique se propagent la mme vitesse,
le dispositif se comporte comme une infinit d'lments localiss dont les effets s'additionnent; la tension
demi-onde est alors inversement proportionnelle la longueur d'interaction.
D'un ct, des polymres offrant des perspectives de performance et de bas cot, d'un autre le modulateur
lectro-opti.que ondes progressives s'imposant comme la structure de choix pour la monte en frquence
et une rduction de la consommation: il ne fllait qu'un pas pour assembler les deux au sein d'un projet. La
direction scientifique de FRANCE TELECOM l'a franchi en crant une communaut de diverses comp-
tences dans les domaines des polymres, de leur foncti.oonalisation, de 1'optique et des hyperfrquences,
dans le cadre d'une Collaboration Temporaire Infonnelle FRANCE TELECOM. La C.T.I. regroupe l'Uni-
versit d'Angers pour l'laboration des molcules proprit non-linaire, l'cole Nationale Suprieme
de Montpellier et le Laboratoire des Matriaux iganiques Proprits Spcifiques de 4'on pour la partie
laboration des matriaux et greffage des molcules lectro-acti.ves, 1' quipe polymres du Centre Natio-
nal d'Etude des Tlcommunications de Bagneux, devenue entre temps le Laboratoire de Physique Quan-
tique Molculaire de 1'cole Normale Suprieure de Cachan pour la caractrisation des proprits d'optique
non-linaire des matriaux fonctionnaliss et la ralisation de dispositifs, et l'Institut d'lectronique et de
Micro-lectronique du Nord au niveau de la conception micro-onde et de la ralisation des dispositifs.
Situ en bout de chane de la C.T.I., notre travail a consist en la caractrisation des polymres, lem insertion
dans une technologie ddie aux semi-conducteurs, la conception et la ralisation d'un modulateur lectro-
optique. Ce manuscrit s'articule de la faon suivante:
Chapitre 1: Prsentation des principes de la modulation lectro-optique, tat de 1'art des modulateurs
lectro-optiques sur niobate de lithium, sur arsniure de gallium et sur polymre;
Chapitre 2: Caractrisations hyperfrquence et optique des po]ymres mis notre disposition;
Chapitre 3: Prsentation des outils de modlisations optique et hyperfrquence, dfinition des
structures envisageables;
Chapitre 4: Insertion des polymres dans une technologie semi-conducteur, dfinition des tapes
lementaires d'un procd de fbricati et caractrisations optique et lectrique des objets raliss.
TABLE DES MATIRES
PRSENTATION 3
1 PRINCIPES DE LA MODULATION LECTRO-OPTIQUE 11

1.1 Nature de la lumire . . . . .11
1.2 Interactions lumire-matire . 12
1.3 Comportement optique . . 14
1.4 Optique non-linaire. . . . 16

1.4.1 \cteur polarisation . . 17
1.42 Susceptibilit d'ordre deux . 17
1.4.3 Effet lectro-optique linaire . . 18
1.4.4 Matriaux prsentant un effet 1ectro-opti.que linaire . 19
Effet POCKELS dans l'arsniure de gallium AsGa . . 19
Effet POCKELS dans l'A.D.P. <Mf4)H2P04 . . . . 19
Effet POCKELS dans le niobate de lithium LiNb03 . 20
1.5 Modulation lectro-optique . . 20

1.5 .1 Modulation de phase . . . . . 21
1.5.2 Modulation d'intensit . . . . . 22
Modulateur par antiguidage . . 22
Modulateur par couplage . . . 22
Interfromtre de MACH-ZEHNDER . 24
1.6 Modulation trs haute frquence . . . . . . . 24

1.6.1 Limites des structures dites "localises" . . 24
1.6.2 Modulateur ondes progressives . 26
1.7 Lignes hyperfrquences . . . . . . . . . . . 28

1.7.1 Efficacit de modulation [8] . . . . . . . 29
1.7.2 Ligne hyperfrquence sm 1'arsnuire de gallium [9] . . 30
1.7.3 Ligne hyperfrquence sm le niobate de lithium . . 32
1.8 Polymres . . . . . . . . . . . . . . . 34
1.8.1 Pourquoi les matriaux ganiques? . 34
1.8.2 Pour les profanes! . . . . . . . . . 36
8
1.8.3 Modulateurs polymres . 39
1.9 Conclusion . . . . . . . . . 40
2 CARACTRISATION 45
2.1 Caractrisation lectrique . 45
2.1.1 En constante localise . . 46
Prliminaires . . . . . 46
Mthode avec deux accs . . 47
Mesure en rflexion . . . . 50
Premires caractrisations . 51
Mesures en rflexion . . 51
Mesure en rflexion/transmission . . 55
2.1.2 En constante distribue . . . . . . . . 55
Approche dans le Domaine Spectral . 55
Mthode des multiples rflexions . 56
Mthode de Bainco et Parodi . 56
La cellule de mesure . . 59
Rsultats . . . . 60
2.2 Caractrisation optique . 64

2.2.1 Lignes noires . 64
2.2.2 llipsomtrie spectroscopique . 68
2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . 68
3 CONCEPTION 71
3.1 Proprits des ondes guides . . . . . 71
3 .1.1 Equations de propagation . . . . 71
Equations des tlgraphistes . . 71
Equations de propagation des champs lectromagntiques . . 73
3.1.2 Modes . . . . 74
3 .1.3 Rcapitulation . . . 76
3.2 Modlisation lectrique . 76

3 .2.1 Approximation quasi-TEM . 77
3.2.2 Analyse quasi-statique . 78
9
3.2.3 Approche dans le Domaine Spectral (AD.S.) . 79
3.3 Modlisation optique . . . . . . . . . . 81

Mthode des indices effectifs [8] . .84
Mthode de MARCATILI [12] .84
3.3.1 Mthode des faisceaux propags . . .86
Principe et hypothses . . . . . . 86
Analyse modale partir de la mthode des faisceaux propags [24] . 88
3.4 Conception des guides . . . . . . . . .90

3.4.1 Ligne micro-ruban . . . . . . . .90
Impdance caractristique 50 Q .9Q
Pertes de propagation . 91
Permittivit effective . . 93
3.4.2 Guide optique . . . . . . 95
Couplage avec la fibre . 95
Pertes de propagation . 91
Guides optiques envisageables .99
3.5 Conclusion . . . 100
4 TECHNOLOGIE ET CARACTRISATION 103

4.1 Polymres . . . . . . . . . . 104
4.2 Dfinition d'un motif mtallique 106
4.2.1 Lift off . . . . . . 106
4.2.2 GraV1lre des m~ . . . . 110
Avec l'eau rgale 111
Avec la solution d'iodure de potassium et d'iode bisublim 111
4.2.3 lectrolyse . . 113
4.2.4 Mthode retenue 113
4.3 Gravure . . . . . . 116

4.3 .1 Masque en silice [17] 117
4.3.2 Masque mtallique . 117
Calibrage de la vitesse de gravure des mtaux . 117
Gravure des polymres . 119
4.3.3 Mthodertenue . . . 121
4.4 Connexion hyperfrquence . 121

4.4.1 Gravure oriente du silicium [19] , [20] 123
10
4.4.2 Gravure oriente de rarsnime de gallium [21] . 123

4.4.3 Remplissage . . . . . . 123
4.5 Orientation des chromophores 125
4.6 Procd complet .. 126
4.7 Caractrisation . . . 129

4. 7.1 Guides optiques 129
Mthodes de mesure 129
Mesures . . . . . 132
4. 7.2 Lignes hyperfrquences . 134
Transition coplanaire-coplanaire . 134
Ligne micro-ruban sur polymre avec accs coplanaire . 136
Pertes de propagation . . . . . . . . . . . . 136
Pertes dans les coudes . . . . . . . . . . . . 137
Ligne micro-ruban avec guide optique tri-couche 137
4. 7.3 Orientation des chromophores 140
4.8 Conclusion . . . . . . . . . . . 140
CONCLUSION ET PERSPECTWES 145

CHAPITRE 1
PRINCIPES DE LA MODULATION LECTRO-OPTIQUE
Avant-propos
Partant des quations de MAXWELL dans le vide avec une notation vectorielle encore simple, la propaga-
tion de la lumire dans la matire et les proprites d'anisotropie imposent 1.me notation tensorielle d'ordre
deux (neuf termes). La notation vectorielle introduit la notion de polarisation de la lumire et l'anisotropie
implique 1'existence de plusieurs ondes pouvant se propager avec des vitesses de phase diffrentes dpendant
de la direction de propagation. C'est la birfringence. Les quations se compliquent encore avec l'optique
non-linaire. Des tensems d'ordre trois (vingt-sept termes) prennent compte de l'effet lectro-optique. Les
quations de propagation se compltent de termes supplmentaires. Sensibilit la polarisation, modifi-
cation de la constante de propagation, modification du profil du mode optique, recouvrement des champs
lectriques, tout se retrouve sur quelques lignes, idal mathmatique assez loign de nos capacits de cal-
culs. A force d'hypothses et d'approximations, les formules se simplifient, se contractent, se rduisent au
coefficient lectro-optique, la tension d'extinction, l'intgrale de recouvrement et la bande passante du
modulateur lectro-optique. De la molcule au matriau, du matriau au dispositf: la revue des diffrentes
possibilits de modulation soit par le choix du matriau, soit par la gomtrie de la structure fait ressortir
les avantages et les inconvnients des solutions tudies. Un modle idal rassemblant les points positifs de
chaque dispositif annonce les polymres comme les candidats les plus prometteurs pour la ralisation d'1m
modulateur lectro-optique ondes progressives.
1 Nature de la lumire
Sir Isaac NEWTON (Woolsthorp Mano~ Granthan, 1642- Kensington, 1727) suppose que les corps lumineux
envoient dans toutes les directions des particules d'une substance tnue, impondrable, capable de traverser
des corps transparents. Mais cette premire thorie ne suffit pas expliquer les phnomnes de diffusion, de
diffiaction ou de polarisation de la lumire.
Augustin Jean FRESNEL (Chambrai, 1788- Vled'Avray, 1827) est le premier tenter de reprsenter l'en-
semble de ces phnomnes lumineux dans une thorie mcanique. Les ondes lumineuses sont les vibrations
lastiques d'Wl milieu emplissant l'espace: l'thei: A cette poque, les quations dcrivant le comportement
des phnomnes lumineux sont dj clairement tablies. Ces quations se limitent la description et n' appor-
tent rien quant la nature physique de la lumire et la thorie de FRESNEL, bien qu'essayant d'apprhender
cette nature, ne fait que reporter sur 1'ther l'ensemble des interrogations.
12 PRINCIPES DE LA MODULATION LECTRO-OPTIQUE
La thorie universellement reconnue aujourd'hui est la thorie lectromagntique qui a t fonde en 1865
par James Clerk MAXWELL (Edimburg, 1831 -Cambridge, 1879). MAXWELL travaille sur les quations
de propagation des ondes lectromagntiques et remarque que la thorie s'exprime par les mmes formules
que la thorie mcanique. Sans avoir la preuve de sa thorie, il pose les bases de la thorie lectromagntique
de la lumire mais concde; "J'ai labor les quations avant d'avoir la moindre ide de la proximit entre
la valeur de la vitesse de la propagation des effets magntiques et celle de la vitesse de la lumire. Ainsi,
je pense que j'avais raison de croire que les milieux magntiques et lumineux sont identiques." La thorie
lectromagntique prend alors 1'avantage sur la thorie mcanique : les ondes optiques peuvent dsormais
se ramener au dveloppement des lois bien connues de 1'lectromagntisme.
La preuve des quations de MAXWELL revient Heinrich HERTZ (Hamburg, 1857- Bonn, 1894) qui cre
l'aide de procds purement lectriques des ondes hertziennes analogues aux ondes lumineuses et Heinrich
RUBENS (Wiesbaden, 1865- Berlin, 1922) qui dmontre la continuit des proprits des ondes lorsque l'on
passe des ondes hertziennes aux ondes infrarouges.
La nature lectromagntique de la lumire tait tablie, posant les relations fondamentales toujours utilises
de nos jours.
-+ p
divE = - (1.1)

(Thorme de GAUSS)
--=t
rotE = - 8t
al1 (l.2)
(Loi de FARADAY)
-+
-+
div B =0 (1.3)
( B est flux conseiVatif)
;:;;uf = Jl ( J +e
8
!) (1.4)
(Thorme d' AMPERE gnmlis)
-+ -+ -+
avec D le vecteur induction lectrique, E le vecteur champ lectrique, B le vecteur champ magntique,
-+
p la densit volumique de charges, la permittivit du milieu, J.t la permabilt du milieu et J la densit
volumique de courant.
2 Interactions lumire-matire
Lors des interactions entre la matire et la lumire, les forces exerces sur les charges par le champ lectrique
sont beaucoup plus importantes que celles provenant du champ magntique. Pour cette raison, nous rduirons
par la suite la lumire la seule expression de son champ lectrique.
Lorsque 1'on introduit un atome dans un champ lectrique, les lectrons se dplacent dans le sens oppos
celui du champ, tandis que le dplacement du noyau, qui est beaucoup plus lourd, est extrmement faible.
n se produit ainsi une sparation partielle des charges positives et ngatives: l'atome devient polaris et
acquiert un moment dipolaire lectrique induit dans la direction et le sens du champ.
D'un autre ct, beaucoup de molcules possdent un moment dipolaire lectrique permanent: ce sont des
molcules polaires. Quand une molcule polaire est place dans un champ lectrique extrie~ elle tend
Comportement optique 13
s'orienter de telle faon que son moment dipolaire soit parallle au champ appliqu en raison du couple
auquel elle est soumise.
Passons de l'tude des molcules isoles celle des corps macroscopiques comportant une multitude d'atomes
et de molcules. Par suite des deux effets dcrits ci-dessus, un morceau de matire plac dans un champ lect-
rique devient lectriquement polaris, c'est--dire que ses molcules (ou atomes) sont comparables des
diples lectriques orients dans la direction et le sens du champ lectrique local, soit cause de la distorsion
du nuage lectronique, soit cause de l'orientation de leurs diples permanents.
---7
On dfinit alors le vecteur polarisation Pen C.m- 2 comme le moment dipolaire de l'unit de volume de la
matire considre. n s'exprime comme:
--T ---7
P =coxE
x se nomme la susceptibilit lectrique~ il s'agit d' une grandeur sans dimension.
Le vecteur polarisation permet de rendre compte de la redistribution des charges dans la matire soumise au
champ lectrique par l'intermdiaire de l'induction lectrique:
--t ---7 --t
D - coE +P
---7
o(l +x) E
On peut dfinir la permittivit relative cr et l'indice de rfraction n par:
---7 --T 2 --T
D = crco E = n co E
Dans le cas d'un milieu quelconque, les proprits lectriques sont a priori anisotropes. Si nous nous plaons
--t --T ---7
dans un repre cartsien, chaque composante du champ lectrique (Ex, Ey, Ez) contribue avec un poids
diffrent chaque composante du vecteur polarisation (:?;, .?;, P.:). Ainsi la susceptibilit lectrique et,
par la mme, la permittivit reliant deux grandeurs vectorielles, sont des tres mathmatiques complexes
comportant neuf termes et appels tenseurs. La susceptibilit lectrique et la permittivit sont des tenseurs
d'ordre 2 not X et~-
Pour des matriaux transparents, il est ais de dmontrer que le tenseur permittivit est symtrique. De plus,
en utilisant le repre propre du milieu, not ( Oxyz ), on obtient un tenseur diagonal. En optique, les tenseurs
se retrouvent groups suivant les trois cas:
[! ~.]
0
Milieux ISOTROPES :x (1.5)
0
[! !]
0
Milieux ANISOTROPES UNIAXES x (1.6)
0
[! !]
0
Milieux ANISOTROPES BIAXES cy (1.7)
0
Les dnominations de milieux uniaxes ou biaxes apparatront clairement par la suite lorsque nous aurons
tudi la propagation de 1' onde plane et monochromatique dans ces milieux.
14 PRINCIPES DE LA MODULATION LEC1RO-OPTIQUE
3 Comportement optique
---+ ---+
Dans un milieu isotrope et dilectrique, le champ lectri_s.u.e E est tr~erse, l'induction lectrique D est
colinaire au champ lectrique et le champ magntique H et le vectew" D sont orthogonaux. Le vecteur de
---+ ---+ ~
POYNTING S = E H a la mme direction de propagation que la constante de phase.

""""'+ ~
Par contre dans un milieu anisotrope, les vecteurs D et E ne sont plus colinaires (voir dmonstration
---+ ---+ ---+
ci-dessous). Seuls les champs D et H sont transverses et le champ E ne 1'est en gnral pas. Le vecteur de
POYNTING, qui traduit la trajectoire de l'enetgie ou rayon lmnineux associ l'onde, n'est plus parallle
la direction de propagation de la phase. De plus, le changement des proprits optiques en fonction de
la direction de propagation modifie la propagation de l'onde. On dmontre (voir page 15) que deux tats
de polarisation rectilignes et orthogonaux peuvent se propager avec des vitesses de phase diffrentes. Pour
caractriser les milieux, on peut reprsenter les surfaces des indices des milieux anisotropes. On retrouve
alors les dnominations des tenseurs de permittivit prcdents. Les milieux biaxes sont forms de deux
ellipsodes. La section des surfaces avec le plan (Ox, Oz) (Fig.l.l) donne deux ellipses avec quatre points
communs dfinissant deux axes de propagation. Si 1Dle onde plane se propage le long de l'un de ces axes, le
milieu apparat isotrope. Dans le cas des milieux uniaxes, deux indices principaux sont gaux (par exemple
nx = ny = n 0 ). LesdeuxeUipsodessonttangentessurl'axe Oz; iln'existequ'unseulaxeoptique. Suivant
la direction de propagation, deux indices sont possibles. I.:un, indpendant de 1a direction de propagation,
est appel indice ordinaire car il rappelle les milieux isotropes; l'autre, dpendant de la direction, est appel
indice extraordinaire.
nappe
ordinaire
x
Figure L 1 Section mridienne de la surfilee des indices d'un milieu uniaxe et d'un milieu biaxe
---+
Demonstration: Le vecteur E en milieu anisotrope.
Considrons une onde lectromagntique plane et monochromatique de frquence angulaire w = 21rv et de vecteur
d'onde k, qui se propage dans un milieu non magntique, sans sources et non absorbant prsentant une anisotropie
Comportement optique 15
caractrise par le tenseur~- Le cllamp lectrique associ cet ondes'exprime alors, en utilisant la notation complexe:
E = E:e[-3(wt- "kr+)]
--4 --4 -
Dans ce cas de propagation, l'induction magntique B est telle que B = P.o H et les quations de MAXWELL 1.1,
1.2, 1.3, 1.4 dans un milieu non-magntique (P.r = 1) et sans soun:es = se traduisent par: (7 o)
-+
--+
--+-+
--4
k 1\ E =wp.0 H
ki\E=-wD
-
-
-+
--
--4-+
k.H=O
k.D=O
Si l'on explicite 1'induction D en liminant le champ H dans les equations prcdentes et en introduisant le vecteur
(1.8)
unitaire ti de la direction de propagation de la phase de l'onde, soit k = k 7, il vient
-D=~ E- (-+
fiJ [- -+) -+]
u.E u (1.9)
~ -+ -+
On peut remarquer que dans le cas le plus gnral le vecteur D n'est pas parallle au vecteur E d'apres la relation
--4
(1.7). Les relations (1.8) impliquent alors aue le vecteur E n'est pas transverse comme cela est le cas dans un milieu
-+ _., -+ --+
isotrope. Seuls les inductiODS D , H (ou B) sont transverses, c'est--dire perpendic:ulaires au vecteur d'onde k .
Dmonstration: le milieu est birfi:ingeant.

Dans le repre (Ozyz) , repre propre du milieu, les composantes du vecteur unitaire "ii sont (a:, (3, 'Y). La relation
(1.9) associe la relation tensorielle (1.7) conduit au systme linaire et homogne suivant:
e.,~- (1- o:
cx.(3~
[ cx.-yk2
2
) k
2
cx.f3k2
e11 ~ -
(3-yfiZ
( 1- p2) k?
a-y~
f3'Yk 2
ez~- (1- 'Y 2
) k 2
l[ l [ l
E"'
Ev
Ez
=
o
0
0
(1.10)
Dans ce systme ko est le nombre d'onde dans le vide telle que ko = w / c. Nous poserons aussi: ni = e.,, ni = e11 et
n~ = ez. On introduira aussi la notion d'indice normal par la relation k = nko. ll apparat alors que l'indice normal
est UDe fonction de la direction de propagation, l'origine du concept de l'anisotropie optique. Pour que le systme
1.10 admette une solution non nulle, il faut et il suffit que son dterminant soit nul. Le dveloppement du dterminant
fomnit une quation du quatrime degr en n qui porte le nom d'quation de FRESNEL.
n20.2 n2/32 n2.:J
"' + 11 + z7 =0 (1.11)
n 2 - n~ n 2 - n; n2 - n~
La rsolution de cette quation fournit, pour une direction de propagation donne, deux indices de rfraction ordinaire
et extraordinaire. C'est l'existence de ces deux valems qui est l'origine du c:onc:ept de la birfringence.
Dmonstration: les deux tats de polarisation sont linaires et orthogonaux.

En utilisant les indices principaux et tindice normal n, la projection de la relation ( 1.9) sur l'axe (Ox) conduit :
E:z: = n2~n~ 0: (ft. E)
Des expressions analogues sont obtenues par permutation cin:ulai.re, pour E11 et Ez. On obtient alors par exemple:
n2-n2
E" " " ' - -
" Q.:.:.___::jl_
Ev -fj~
Ainsi en un point M, le vecteur -E. de mme que le vecteur -+ D, vibre suivant un segment de droite. On en dduit que
1tat de polarisation des ondes planes qui peuvent se propager sans dformation dans un milieu anisotrope linaire est
ncessairement rec:tiligne.
Imroduisons le tenseur impc:Dnabilit !l. dfini par:
..'11 = . -
i;
~~ le tenseur identit.
Cutilisation de ce nouveau tenseur dans les quations de MAXWELL (1.8) permet de dterminer le vecteur induction
lectrique:
u"
- [-+
u "~P
-] -+ =O
+~D
16 PRINCIPES DE LA MODULATION LEC1RO-OPTIQUE
k
avec le vecteur d'onde de ronde plane tel que k u.
= nko En choisissant judicieusement un repre ( Ozyz), les
composantes du vecteur 1.t sont (0, 0, 1). Comme le tenseur. d'un milieu transparent est symtrique rel, il en est de
mme pour le tenseur'!]: Dans le repre (Oxy), la relation pr&deo se traduit, en introduisant la partie transverse 'lit
du tenseur !l par: - -
- 1---+
11tD = ~D
- -+
Cette quation est une quation aux valeurs propres pour le vecteur propre D et la valeur propre ;!-z. On en conclut
que les tats propres dans les miliewunisotropes
.,,
linaires sont orthogonaux.
Bien qu'il ne s'agisse pas d'une rgle gnrale, les matriaux lectro-optiques sont souvent anisotropes.
D'une part, dans les matriaux cristallins ou dans les polymres, l'mganisation ncessaire pour casser la
centro-symtrie implique des proprits lectriques variables suivant les directions de 1'espace. D'autre part,
pour les polymres, matriaux que l'on pourrait croire isotropes, la technique de dpt par cen-trifugation,
la plus rpandue, oriente dj les molcules et se trouve l'origine de la birfringence des fibns. Nous
verrons plus tard aussi que le polymre doit tre orient sous champ pour que le coefficient lectro-optique
du matriau soit non nul. Cette tape accentue le caractre birfringent du polymre. Nous verrons dans
le chapitre suivant la dtermination des indices optiques des films polymres. Enfin, nous avons vu qu'en
gnral le vecteur champ lectrique n est pas tmnsverse pour des milieux anisotropes. La simulation des
milieux anisotropes est complexe et coteuse en temps de calcul; par la suite nous utiliserons le modle
isotrope pour 1'optique guide.
En passant d'un milieu isotrope un milieu anisotrope, les quations de MAXWELL se sont alourdies de
reprsentations matricielles complexes. Pourtantla simplicit encore apparente des quations ne convient pas
une description complte des phnomnes physiques. Jusqu'ici nous avons suppos que la relation entre
le vecteur induction lectrique et le vecteur champ lectrique est linaire. Mais la distribution des charges
reprsente par le vecteur induction lectrique est soumise une force de rappel drivant d'un potentiel
anharmonique. !:idal mathmatique de la fonction linaire n'est plus applicable.
4 Optique non-linaire
Lorsque l'amplitude du champ lectrique des ondes se propageant dans le milieu est comparable au champ
intra-atomique, la distribution des lectrons se trouve profondment modifie, et par consquent l'indice
de rfraction. Ainsi, par exemple, on peut commander la propagation d'une onde lumineuse l'aide d'une
autre onde, la premire onde servant modifier localement l'indice de rfraction pour crer les conditions
de guidage pour la seconde onde. Cette modification de l'indice de rfraction dnonce la non-linarit des
phnomnes optiques, le tenseur susceptibilit lectrique n'est plus suffisant pour dcrire la redistribution de
charges.
C'est au l~me sicle, avant mme la ralisation des premires sources laset; que sont mis en vidence les
effets optiques non-linaires, avec l'effet POCKELS et 1' effet KERR n faudra attendre ensuite la mise au
point des laser pour observer des phnomnes d'optique non-linaire tout optique comme le doublement de
:frquence (1961 par FRANKEN), la somme de frquences ou 1'amplification paramtrique.
Optique non-linaire 17
4.1 Vecteur polarisation

Pour des champs lectriques intenses (de l'ordre de 106 V:. cm- 1), l'indice de rfraction n'est plus constant,
ce qui indique que le vecteur polarisation n'est plus une fonction affine du champ lectrique mais admet le
dveloppement suivant:
P = eo (~< 1 ): + x<2>: + x<3): EE + .. .) (1.12)
x<1), x<2) et x<3) reprsentent respectivement les tenseurs de susceptibilit des premiet; second et troisime
ordres. Le champ total appliqu peut tre une combinaison de champs de frquences diffrentes.
Le tenseur x<2 ) intervient dans la gnration d'harmonique deux et de somme de frquences, l, amplification
et l'oscillation paramtrique. Par ailleurs, le tenseur X(3) gouverne la gnration d'harmonique trois, les
diffusions de RAMAN et BRILLOUIN, l'autofocalisation de la lumire, l'automodulation de phase et la

bistabilit optique [1] . Les lments de x< 2) s'expriment en m. v- 1 et ceux de x< 3 ) en m 2 v- 2
4.2 Susceptibilit d'ordre deux

Une approche classique de 1' oscillateur permet de comprendre facilement les effets non linaires du second
ordre. Dans ce modle, un oscillatem; rduit soit au schma d'un lectron li au noyau soit une vibration
molculaire, est soumis 1'action de deux champs lectriques de pulsation diffrente. La non-linarit est
reprsente par une force de rappel drivant d'un potentiel anharmonique. La force de rappel se dveloppe
comme un polynme du second ordre. La rsolution des quations du mouvement de l'oscillateur fait alors
apparatre tous les phnomnes non-linaires d'ordre deux: le doublement de frquence, la somme et la
diffrence de frquences.
Ces oscillateurs sont forcs par deux champs lectriques de frquences w1 et w2 d'amplitudes E1 et E 1 . Le bilan des
forces conduit 1'quation du mouvement:
m~ = q [E1 cosw1t + E.zcosw2t]- K~ - kx- a~
ou encore
~+'Y~~ + w~x + x2 =;! [E1 cosw1t + .&.lcosw2t]
La variable x reprsente le dplacement de l'lectron par rapport sa position d'quilibre. E1 et Eh sont les amplitudes
des ondes incidentes, m la masse de l'oscillateur et w~ = kjm la pulsation propre de l'oscillatew: En rgime non-
linaire, la force de rappel se dveloppe en puissances croissantes du dplacement x : Fraypel = - kx + a~. Le co-
efficient o: = afm rend compte du caractre anharmonique de 1'oscillatew: Si 1' anharmonicit est faible (o:x w~),
ce terme peut tre considr comme une perturbation permettant le calcul de x par approximations successives:
x = x(l) + x< 2> + ...
qui conduit rsoudre les quations suivantes:
~~~ > + 1'~~ > + w~x< 1 > =;! [E1 cosw1t + E.zcosw2t]
1 1
t?J~~2) +'Y a"";;~2) + w~x(2) + o: [x<l>f = 0

A l'ordre l, la solution du rgime permanent est une combinaison linaire des rponses chaque frquence:
= i[
x< 1) (wi) + x< 1>(w2)]
avec . . x(l)
x< 1> (w;) = -!F; (w,) ;(-;,:) i = 1, 2 et D (w;) = w~- w~ + iw;")'

(1.13)
A 1'ordre 2, de nouvelles frquences et une composante continue appar.rissent dans l'expression de la polarisation:
(1.14)
avec
(2) <l< 2 _,j(wt:!:w2)t
X (wl W2) = -~E(wl) E(W2) D(wt)D(w2)D(w 1 w2)
(2) ( ) aq2 2 ( ) ej2w;t
x 2w; = -2m'IE w; v2(w;)D(2w;) ~
= 1,2
2
X(2) (0) _ ~ { IE(w, )1 IE(w?)l2}
--tn2Wo ~+~
Comme le vecteur polarisation est directement li au dplacement de charges par la relation P = N qx (avec N le
nombre d'oscillmeurs et q la clwge de l'oscillateur),la soluti de l'equati du mouvement l'ordre 2 (l.l4) montre
l'apparition de phnomnes de doublement de frquence, de somme ou de diffrence de frquences.
En recombinant les quations du mouvement des lectrons (1.13) et (1.14) avec la relation (1.12), on obtient la sus-
ceptibilit d'ordre deux dans le cas du modle unidirectionel:
(1.15)
Dans ce modle, la susceptibilit d'ordre deux et la solution de l'quation du mouvement des lectrons sont
identiques un coefficient prs. Nous pouvons alors en dduire quelques informations. Les deux pulsations
des champs lectriques et la somme de ces deux pulsations interviennent au dnominateur de l'quation. La
pulsation propre de l'oscillateur intervient au mme niveau. La susceptibilit non-linaire est alors purement
comp1ex~ signe d'une absorption intense. Par contre, si ces mmes frquences sont trs loignes, alors le
mouvement de l'lectron peut se dcomposer en plusieurs frquences, o l'on retrouve les pulsations des
champs d'excitation mais aussi la somme, la diffrence et des doublements de frquences. Dans ce cas, la
susceptibilit est relle. On peut remarquer qu'il n'est pas ncessaire d'avoir deux champs d'excitation; une
seule :frquence donne alors des frquences harmoniques d'ordre supriew: Enfin, le transfert d'nergie des
pulsations d'excitation vers les autres composantes du mouvement montre qu'il existe un couplage entre les
diffrents champs lectriques.
V effet POCKELS traduit la variation linaire de l'indice de rfraction en fonction d'un champ lec-trique
appliqu. 01; jusqu'ici nous n'avons vu qu'une variation d'ordre deux du vecteur polarisation. Connnent un
effet non-linaire peut-il se transformer en effet linaire?
4.3 Effet lectro-optique linaire

Lorsque les champs qui interagissent possdent des frquences trs diffrentes, nous pouvons faire l'approxi-
mation que le champ, dont la frquence est la plus basse, est statique devant rautre. Le cas le plus courant
met enjeu une onde optique et un champ lectrique statique. Les longueurs d'onde sont alors de l'ordre du
micron pour le signal optique et dedu centimtre au millimtre pour le signal hyperfrquence. De la relation
1.15, il vient:
(2) _ _ _ aN</ 1
X (wl - w 1 + O) - 2m2eo D (w1) D (wi) D (0)
La susceptibilit du second ordre ne dpend plus que de la :frquence du signal optique. Le vecteur polarisa-
tion non-linaire devient alors une fonction linaire de l'amplitude du signal statique et l'indice de rfraction
peut tre command par 1'application d'un champ lectrique statique. Suivant la frquence du signal optique
proche ou non de la frquence de rsonance du matriau, on observe deux effets. A la rsonance, l'absorp-
tion est importante et l'application d'un champ lectrique statique modifie la frquence de l'absorption:
c'est 1'effet FRANZ-KELDISH. Loin de la rsonance, 1'indice de rfraction est rel, la variation d'indice est
Optique non-linaire 19
relle: c'est l'effet POCKELS. En tenant compte des proprits d'anisotropie du milieu, on comprend que
le coefficient lectro-optique dpende des axes optiques, et qu'il s'agit d'un tenseur comprenant 27 termes.
Habituellement, on priere exprimer la variation Ll (1/n 2 ) car elle permet de dduire simplement la nou-
velle quation de 1'ellipsode des indices du milieu en prsence d'un champ statique en fonction de celle du
milieu non perturb.
11j + 1: : E
rl = =E=O
= =
o ri;k sontles coefficients lectro-optiques et s'expriment en m.V- 1.
4.4 Matriaux prsentant un effet lectro-optique linaire

Les coefficients Tijk les plus couramment rencontrs sont de l'ordre de 10-lO 10-12m.V-l et peuvent
tre positifs ou ngatifs. Pour les longueurs d'ondes du visible, les matriaux prsentant un effet lectro-
optique linaire sont essentiellement: le tantalate de lithium, le niobate de lithium et 1'A.D.P. (Phosphate
Dihydrogn d'Ammonium). Dans l'infrarouge, on trouve le tellure de cadmium (Cdfe), le niobate de li-
thium (LiNbOa), l'arsniure de gallium (AsGa) et le phosphore d'indium (InP). Pour rprsenter les ten-
seurs lectro-optiques, nous utiliserons par la suite la notation contracte de VOIGT. Les coefficients Tijk
sont exprims en 1012m.v- 1 .
4.4.1 Effet POCKELS daDs l'anniure de gallium AsGa
V arsniure de gallium est initialement isotrope en l'absence de toute contrainte. Seuls les coefficients r 41.
r 5 2 et r63 sont non nuls.lls ont tous la mme valeur, il n'y a donc pas d'axe de polarisation statique privilgi.
En revanche, les coefficients lectro-optiques ajoutent des termes croiss dans 1'quation de 1'ellipsode des
indices, le milieu n'est plus isotrope mais biaxe.
0 0 0
0 0 0
0 0 0
(r) = 1,1 0 0
0 1,1 0
0 0 1,1
4.4.2 Effet POCKELS daDs l'A.D.P. ~)H2P04
1.: ADP est naturellement anisotrope linaire uniaxe. Ses coefficients lectro-optiques sont plus grands que
ceux de 1'arsniure de gallium et prsentent des directions privilgies (Ox) et ( Oy). Suivant la direction
du champ lectrique statique, l'anistropie du milieu peut voluer vers un milieu uniaxe dont l'axe principal
a tourn par rapport au champ nul ou voluer vers une anisotropie linaire biaxe.
0 0 0
0 0 0
0 0 0
(r) = 23,76 0 0
0 23,76 0
0 0 8,56
4.4.3 Effet POCKELS dans le niobate de lithium LiNbOs
Le niobate de lithium est aujourd'hui le matriau le plus utilis dans la ralisation de composants lectro-
optiques, notamment les modulateurs lectro-optiques. Le coefficient lectro-opti.que le plus grand est le r 33 ;
le champ lectrique statique doit tre orient suivant la direction z. Sous l'effet du champ lectrique statique,
1'ellipsode des indices est modifie mais le milieu reste anisotrope linaire comme en 1'absence de champ.
Par contre, la birfiingance augmente et la diffrence de phase entre les deux ondes se propageant augmente.
0 -6,8 9,6
0 6,8 9,6
0 0 30,9
(r) = 0 21,1 0
21,1 0 0
-6,8 0 0
5 Modulation lectro-optique
Revenons quelques instants sur le terme lectro-optique. Jusqu' prsent, nous l'avons employ pour d-
signer un phnomne d'optique non-linaire. Mais ce terme regroupe plusieurs effets physiques, des effets
de porteurs ou des effets de champ. Ainsi sous cette dnomination, on peut retrouver des effets d'injection
de porteurs, des effets de remplissage des bandes de valence ou de conduction (effet BURSTEIN-MOSS)
au mme titre que les effets d'optique non-linaire dj cits. Il est noter que ces effets ont des origines
physiques diffrentes de r optique non-linaire. Par contre, on peut remarquer que r effet lectro-optique
est laigement employ pour dsigner la modification de la partie relle de l'indice de rfraction et l'ef-
fet d" lectro-absorption pour la modification de sa partie imaginaire. Sous ce terme, on regroupe les effets
FRANZ-KELDISH pour les matriaux massifs, les effets STARK pour les structmes puits quantiques et la
modification de la structure de bande par l'effet KERR. Contrairement aux effets lectro-optiques lis aux
porteurs, les effets d'lectro-absorption peuvent tre rassembls sous la bannire de l'optique non-linaire.
Par la suite, quel que soit le terme usit, celui-ci concernera 1'optique non-linaire.
1:effet lectro-optique est le candidat idal pour la modulation d'un signal optique. Plusieurs autres ph-
nomnes permettent de modifier les caractristiques optiques du milieu de propagation: qu'ils soient ther-
miques, lastiques ou magntiques. Ils ncessitent tous des transducteurs, les ondes lectriques tant 1'unique
support de l'information. Simplicit donc, mais aussi rapidit: les phnomnes lectro-optiques prsentent
Modulation lectr<H>ptique 21
des constantes de temps comtes en regard des autres phnomnes (lis la nature du phnomne ou au
transducteur), nous pouvons alors envisager une modulation trs haute frquence.
5.1 Modulation de phase
Figure 1.2 I.:archtype du modulateur de phase
Etudions le cas d'cole d'un cristal de niobate de lithium soumis un champ lectrique statique E;suivant
son axe optique z (Fig.1.2). La lumire se propage en ondes planes suivant l'axe x. I.: tat de polarisation de
la lumire est donc transverse Dx = 0, Dy et Dz =/= O. I.: ellipsode des indices peut alors se rduire au plan
xy et sous l'influence du champ lectrique, elle est modifie de la faon suivante:
(~, + r13E;) y 2 + ( :~ + r33E;) z 2 = 1

I.: paisseur du cristal de niobate de lithium est de quelques micromtres, les coefficients lectro-optiques
sont de 1' ordre de lo-n m. v- 1 et la tension applique aux bornes du modulateur de phase est typiquement
de quelques volts. Les termes r ijE; sont donc faibles devant les termes ~ , on peut alors mettre la nouvelle
quation de 1'ellipsode sous la forme:
y2 z2
no2 (1 - 1 2
2nor13 Ee)2
z
+ ne2 (1 - 1 2
2ner33 Ee)2
z
=l
On en dduit le changement d'indice en fonction du champ lectrique appliqu:
1 3
~n-~ = --rn-E-
2 ~JJ ~
(1.16)
De la nature anisotrope du milieu, l'effet lectro-optique est sensible la polarisation. Pour compenser
cela, on peut disposer un jeu d'lectrodes capable de compenser les diffrences des coefficients lectro-
optiques par le jeu des tensions sur les lectrodes [2] .
Plaons 1'origine des phases sur la face d'entre du cristal, aprs une propagation dans le cristal de longueur L,
le champ lectrique peut s'crire: Ef(t,x) = Ef cos (wt +'Pi) Si la distancee entre les deux lectrodes
est faible en regard des dimensions de l'lectrode l et L, nous pouvons faire l'approximation du champ
statique par E; = ~. Les variations de phase pour les champs E~ et E: sont:
'Pz = koL (ne - ~n~r33 ~)
et
epy -kL( 1 a
- 0 no - 2nor13 li)
e
On dfinit alors la tension ~ pour laquelle le dphasage induit est de 1r :
v; _ e.o
(1.17)
1T- n 3 rL
"V;. est un premier indicateur des performances du modulatew: Pour tre compatible avec les circuits intgrs
actuels, il est ncessaire que cette tension soit de r ordre du volt, ce qui donne des longueurs d'lectrode de
l'ordre du centimtre. Le modulateur de phase est l'lment primaire de nombreux modulateur d'intensit:
en effet la variation de phase interprte comme une variation du chemin optique peut tre mise contribution
pour modifier le couplage entre deux guides ou pour modifier les interfrences entre deux ondes. Nous allons
voir dans la suite les structures permettant de mettre en oeuvre ces diffrents phnomnes.
5.2 Modulation d'intensit

Plusieurs dispositifs de nature diffrente exploitent la variation d'indice sous champ statique afin de moduler
de faon linaire l'amplitude du signal optique: le modulateur par antiguidage, le modulateur par couplage
et l'interfromtre de MACH-ZEHNDER
5.2.1 Modulateur par antiguidage
Dans le modulateur par anti.guidage (Fig.l.3), un choix judicieux des matriaux de confinement et de cur
permet, sous l'effet du champ lectrique statique, de passer d'une situation de guidage ( ncur > neon!) une
situation d'antiguidage (ncur < neon!). En situation d' antiguidage, r neigie du signal optique dans le guide
optique diminue progressivement au cours de la propagation. I:intensit du signal reproduit alors l'ampli-
tude du signal modulant. Un concept simple implique une structure simple mais le choix des matriaux, de
la structure du guide et des paramtres opto-gomtriques laissent peu de !attitude pour que ce type de mo-
dulateur soit facilement ralisable dans une hn~e gamme de dclinaisons possibles. Des dmonstrateurs sur
arsniure de gallium (3] prsentent une tension d'extinction de 9V pour un rapport d'intensit de 1: 20 entre
l'tat guidant et l'tat antiguidant. Pour amliorer le rapport d'intensit, une structure antiguidante avec une
forme courbe a t propose sur niobate de lithium [4) . Les simulations prvoient un rapport d'extinction
suprieur 30 dB avec une tension de 1OV.
5.2.2 Modulateur par couplage
Une autre variante consiste l'aide de l'effet lectro-optique modifier la valeur du couplage entre deux
guides. La structure de la figure 1.4 comporte deux guides assez proches pour que le couplage entre les
deux guides ne soit plus ngligeable. Le couplage va dpendre principalement des variables d et Le [5) .
Grce l'effet lectro-optique,la longueur de couplage Le varie, l'intensit de sortie volue en fonction du
champ appliqu sur 1'lectrode. Cette mthode prsente, entre autre~ 1'avantage de fournir le signal modul
en sortie d'un guide et s complmentaire sur 1'autre, utilisable pour des applications de traitement du signal
(intercorrlation, asservissement de la modulation, ... ).
Modulation lectro-optique 23
plan masse
Figure 1.3 Modulateur par antiguidage
Signal modul
complmentaire
Signal modul
Figure 1.4 Modulateur par couplage
:eo~3<ffi : Madulat=dt:pl>us.e !Coq>Jeur3cffi

1 '
1 '
Figure 1.5 I:interfromtre de MACH-ZEHNDER

5.2.3 Interfromtre de MACH-ZEBNDER
n s'agit du dispositif le plus couramment utilis pour la modulation d'amplitude en dpit de sa structure
relativement complexe par rapport celles prcdemment dfinies. Suivons le parcours de la lumire entrant
dans le dispositif(:fig.1.5) : dans un premier temps, le faisceau est divis en deux dans un coupleur 3dB. Dans
l"hypothse o l'interfromtre de MACH-ZEHNDER est symtrique, les amplitudes arrivant dans chaque
bras sont identiques et le d phasage entre les deux ondes est nui. Les deux faisceaux se propagent dans des
guides identiques mais sur l'un des bras de rmterfromtre le modulateur de phase introduit une diffrence
de marche IJ..r.p entre les deux ondes. En sortie du dispositif: les deux faisceanx interferent, la puissance de
sortie est fonction de la diffrence de marche ll.r.p.
Ps = !Es.E;
=! (Eoei 9 +Eoei(O+~o)) (Ee-j 9 +Ee-i(&+~o))
= EoE (1 +cos (!J..cp))
= 2P sin2 (~)
0
Couche dope
Figure 1.6 Configuration en push-pull d'un modulateur GaAs
V interfromtre de MACH-ZEHNDER est le plus couramment utilis pour deux raisons:

-il spare l'effet lectto-optique de la modulation d'amplitude. Ainsi le modulateur de phase peut tre
optimis pour une efficacit maximum.
- il permet aussi d'utiliser une configuration en push-pull (fig. L6). Comme les directions des champs
sont en sens contraires, les dphasages ont des signes opposs et la tension d'extinction est diminue de
moiti. Par contre, la capacit est double et la bande passante diminue de moiti.
6 Modulation trs haute frquence
6.1 Limites des structures dites "localises"

Dans les dispositifs prcdents, l'lectrode de polarisation est plae au bout de 1a ligne d'alimentation. La
surlce de l'lectrode est suppose suffisamment petite pour que le potentiel soit constant sur l'ensemble de
celle-ci. Typiquement, on considre cette hypothse valable si les dimensions de l'lectrode sont infrieures
Modulation trs haute frquence 25
z 1
1
1
1
1
1
1
1
1
v. :v.
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Gnteur Ligne Modulateur

d'alimentation
Figure 1. 7 Schma quivalent lectrique du modulateur lectro-optique
au quart de la longueur d'onde lectrique. Ceci constitue une premire limite la monte en frquence du
modulatem: Electriquement, le modulateur peut tre schmatis par un condensateur C tenant compte de la
charge de l'lectrode et d'une conductance pour introduire les pertes dilectriques. Le circuit est aliment
par un gnrateur l'aide d'une ligne d'impdance caractristique Z. Le schma quivalent de l'ensemble
est reprsent sur la figure 1.7.
Le calcul de la tension aux bornes du modulateur donne:
Vs 1
Ve 1+Z(Gp+jwC)
Gnralement les pertes dilectriques sont faibles, et nous pouvons poser Gp : wC. Le modulateur se
comporte comme un filtre passe-bas avec une frquence de coupure fe
1
fe= 21rCZ (1.18)
I.:expression de la capacit du condensateur peut se calculer facilement si les dimensions des lec-trodes
(Fig.1.2) l et L sont grandes devant la distance e les sparant; on utilise alors la formule du condensateur
plan:
C = orLl (1.19)
e
En combinant les relations (1.17), ( 1.18) et (1.19), on obtient le rapport:
3
feo n r
--=---
v11" 27rorl
(1.20)
On dmontre ainsi que tout gain en frquence de coupure sera contrebalanc par une augmentation de ~ et
donc de la consommation d'nergie. Le rapport dfini prcdemment (Eq.1.20) dfinit un facteur de mrite
des modulateurs.
Le modle du circuit passe-bas reflte assez bien la ralit pour les basses frquences. Mais au-del de la
frquence de coupure, le comportement du modulateur ne suit plus les prdictions du modle. L'hypothse
principale n'est plus vraie: le potentiel n'est plus constant sur toute l'lectrode, des effets de propagation
apparaissent. J.:tude du modulateur se fait alors partir de la thorie des lignes.
6.2 Modulateur ondes progressives
Ligne hyperfrquence --+

Conf'mement suprieur --+
Cur
Conf'mement infrieur
Plan de masse --+
Figure 1.8 Le modulateur ondes progressives
Avant d'entamer ce paragraphe, deparier de photons et d'lectrons et d'crire des formules mathmatiques
souvent agressives, retrouvons quelques instants les bancs de la petite cole pour rsoudre un problme de
train. J.:analogie est facile, le modulateur s'y prte bien. Imaginons que deux trains partent dans la mme
direction, l'un cot de l'autre sur des voies parallles. Nous sommes un passager et nous regardons dans
l'autre train. Si les deux trains vont des vitesses diffrentes, nous voyons les visages des autres voyageurs
dfiler. Mais si les deux trains roulent la mme vitesse, alors nous pourrons, tout le long du voyage, profiter
de la vue de cette agrable voisine qui malheureusement choisi le mauvais train. J; enchantement de sa vue
pourra s'accumuler tout le temps du trajet. Puisqu'il faut revenir aux sciences, transposons au modulatem:
Nos deux trains sont les guides hyperfrquence et optique. Nos voyageurs sont le photon et l'lectron. Si
ceux-ci se propagent la mme vitesse, les dphasages lmentaires s'accumuleront tout le long du guide et
la bande passante n'est plus limite par les constantes de temps du dispositifcomme dans le cas du modulateur
constante localise. En ralit, cette galit des vitesses est difficilement obtenue et il nous faut tudier en
dtaille fonctionnement du dispositif.
Le modulateur lectro-optique ondes progressives est compos de deux guides (Fig.l.8): l'un optique et
1'autre hyperfrquence. Les deux guides sont disposs de manire ce que que le champ lectrique du signal
modulant recouvre le champ lectrique optique. Les deux ondes se propagent dans la mme direction avec
des vitesses de phases v~ et v~ respectivement pour 1' onde hyperfrquence et pour 1' onde optique. On peut
n:
aussi dfinir les indices effectifs hyperfrquence 11 et optique n~11 par les relations:
e C
v
t.p
= -e -
neff
et
0 c
v
t.p
= -0 -
neff
Modulation trs haute frquence 27
Les deux ondes se propagent sans rflexion le long des guides, rimpdance caractristique de la ligne est
adapte au gnrateur et la charge. La tension le long de la ligne et en fonction du temps s'exprime alors
par:
V (z, t) = Vosin ( 27rne
~tf z- 21rjt
)
avec f la frquence du gnratew:

Pour simplifier l'analyse, on considre que la ligne hyperfrquence est sans pertes, l'amplitude de la tension
ne dcrot pas avec la propagation. Imaginons qu'un photon entre dans le guide optique l'instant t 0 . Ce
photon se propage avec une vitesse v~ et voit le potentiel en fonction de sa diffrence de vitesse avec l'onde
hyperfrquence:
V (z,t) = Vosin ( 2 (neef!e- n )

eff z- 27rfto
)
(1.21)
La variation de phase est la somme des dphasages sur toute la longueur L d'interaction:
~{3 = 1L ~{3 (z) dz

o la diffrence de nombre d'ondes ~{3 (z) s'exprime en fonction de la relation (1.16); soit ~{3 (z) =
~n(z)f30 etf30 = i:
On obtient alors:
avec fl./3 = /30 r~VoL

La diffrence de phase est une fonction en s~x de la diffrence des vitesses. Si les deux signaux se propagent
avec la mme vitesse de phase ( n:ff = n~ff ), le rapport si:x
est gal l'unit et la variation de phase ne
dpend plus que du produit VoL. Pour le modulateur ondes progressives, la tension d'extinction Vn- n'est
plus une grandeur significative des performances du modulateur, mais il faut considrer le produit ~L. Le
si:
rapport x est approximativement de l/2lorsque x = 2 rad. On trouve alors la largeur dela bande passante
du modulateur~~ [7] , le dphasage est diminu de moiti lorsque la :frquence passe de f =
0 ~~ telle
que:
uAf.L -- 2c (1.22)
7r (n:ff - n~ff)
Pour une longueur d'lectrode donne, la largeur de bande maxim.ale dpend de la diffrence des vitesses
de phase des ondes optiques et hyperfrquences. C'est ici un point critique du modulatew: Pour avanta-
ger les performances du disposit: indpendamment de sa structure, il est prfrable que la permittivit soit
constante du domaine de 1'hyperfrquence jusqu'aux longueurs d'ondes optiques afin d'avoir des vitesse de
phase trs voisines. Dans la recherche de nouveaux matriaux, en vue de raliser des modulateurs ondes
progressives, la caractrisation hyperfrquence sur toute la largeur de bande et aux longueurs d'ondes op-
tiques est ncessaire la dtermination d'un candidat.
Revenons sur le cas idal o les deux vitesses de phase sont identiques. Tout se passe alors comme si le photon
entrant dans le guide voit toujours la mme tension. On rejoint alors le principe du modulateur constante
localise mais, dans ce cas, il n'y a plus de charge de l'lectrode. Comme l'lectrode est le prolongement de
la ligne d'alimentation, la bande passante est infinie.
Pour finii; le choix d'une structure en constante localise ou en ondes progressives dpend des performances
que l'on attend de celle-ci. JOHNSON L. M. [ 6] , en comparant les puissances ncessaires la modulation sur
niobate de lithium pour les deux variantes, a dmontr que le modulateur en constante localise est prfrable
au modulateur ondes progressives si le produit de la bande passante par la longueur de 1'lectrode ne dpasse
pas 20 GHz.mm. La modulation jusque 40 GHz ncessite donc un dispositif ondes progressives.
7 Lignes hyperfrquences
Figure 1.9 La ligne micro-ruban, la ligne fente et la ligne coplanaire
En microondes, les lignes qui se prtent le mieux aux circuits intgrs sont les lignes planaires. Les principaux
types de lignes sont:
- la ligne micro-ruban qui comporte un substrat en dilectrique compltement mtallis sur une de ses
faces et recouvert d'une bande mtallique sur 1'autre face;
-la ligne fente o les deux conducteurs fonnant la ligne sont dposs sur la mme face du substrat
dilectrique;
-la ligne coplanaire qui prsente trois bandes mtalliques spares par deux fentes d'un mme ct du
sustrat.
La ligne hyperfrquence est la cl de voute des performances en hautes frquences. Elle doit rpondre
plusieurs critres:
son impdance caractristique doit tre adapte celle du gnrateur et la chatge (Fig.1.8) sur toute la
gamme de frquence pour viter toute rflexion du signal hyperfrquence;
la vitesse de pbase du signal doit tre proche de la vitesse de phase de la porteuse optique;
les pertes de propagation doivent tre faibles;
elle doit permettre un bon recouvrement entre les champs lectriques optique et hyperfrquence. Jusqu'ici
nous avons considr que la variation d'indice sous l'lectrode tait proportionnelle l'amplitude du
Lignes hyperfrquences 29
champ lectrique statique. n s'agit du cas idal o tout le champ lectrique contribue l'effet lecto-
optique. Mais les topologies des lignes possibles (Fig.l.9) possdent des cartes de champ diffrentes et
la gomtrie de la ligne va intervenir sur l'efficacit de modulation.
Enfin matriaux, guides optiques et lignes hyperfrquences sont intimement lis. Le choix d'un matriau im-
plique des contraintes sur le guide optique et par voie de consquence sur la ligne hyperfrquence. Si le choix
du matriau se porte fcilement sur le niobate de lithium pour son coefficient lectre-optique beaucoup plus
important (trente fois plus grand que celui de l'arsniure de gallium), les performances pour la modulation
en hautes frquences sont plutt dcevantes face aux prdictions, et son concurrent, l'arsniure de gallium,
prsente des avantages non ngligeables dans la course la monte en frquence.
7.1 Efficacit de modulation [8]

Le modle physique dvelopp au paragraphe 4.2 fournit Wle rponse intuitive au problme de l'efficacit
de modulation: il faut que l'effet lectre-optique ait lieu l'endroit o la lumire passe. On comprend alors
que le champ lectrique et le champ optique doivent se croiser, ou se recouvrir pour obtenir un maximun
d'efficacit.
La variation d'indice sous l'influence d'un champ lectrique statique est donne par:
. __ n 3 """ __ JJ E'kTiTi*dxdy
{1.23)
D..n,- 2 L:rJJk ffT;Tjdxdy
En optique non-linaire les quations de MAXWELL s'crivent comme suit:
~
-- divD =p
--+
rotE= -
~
8
:i
-+
divB =0
~ --+ ......
rotE =p,0 ( J + 8af)
- -
avec D =g_: E +PNL --
I:quation de propagation devient alors:
-+ l? ;Pp
~ E -P-oe;w- = 11-o ~
avec
E (x,y,z,t) = E (x,y,z)ei(wt-.Bz)
-
Le champ lectrique est la somme d'un champ lectrique aux frquences optiques Ef1 et d'un champ statique E", la
---4
polarisation non-linaire que l'on limite l'ordre deux peut donc s'exprimer sous la forme PN L = eo~ 2
-
{1.24)
----+
: eo E"
0
a2 E - 0
2i(3L a2 0
+ {f;;2 a2 E0 -
E + """iifj'F" eo
- +" w ( e . -,..,() + e x2 . ---+__,.)
2 E" -- 0 eo
~ &z PtJ2 rO ::: .t:-- 0 =:
Si on projette les vecteurs sur les trois axes d'une repre orthonorm, on obtient:
PFfj
z2
- Ff} + PFfj
- 2~{3 z
PFfj
:x2 + y2
2....0
- {3 .l!Jj
( ~ 2 )
.l!Jj e + eo f,;- 'XijkEk = 0
+ J.LoW2....0 (125)
.
Nous faisons l'hypothse que le milieu est isotrope et que l'eftt lectro-optique ne met pas enjeu de couplage entre
les composantes des champs lectriques d'o Pj., L = eo :E xiikEZEJ.
k
Le champ Efj (x, y, z) se dduit par calcul de perturbation du champ T; (x, y) du guide en l'absence de champ statique
appliqu.
Soit:
EJ
(x, y, z) = Tj (x, y) (z).EJ (1.26)
Cette hypothse est justifie, les effets lectro-optique sont trs faibles, la variation d'indice ne modifie pas le profil
du mode de la lumire, elle ne perturbe que la constante de propagation.
En recombinant (Eq.l.26) dans (Eq.1.25)
0
. 8E dl (8 2 T 82 T
T;:...a-- 2~{3~T; + D;j ~ + 7Jfff + f.J.oW eT;- {3 T; + J.l.oW E;eo E X;;kT;Ek = 0
f?Ef? 2 2 ) 2 0 2 "
k
8
Comme AT;- p,0 e :t'j = 0 et en supposant que l'amplitude du champ varie lentement l'chelle de la longueur
.,~,
d' onde, smt ~ : 12{3~,
&z , il reste:
- 2t.{38EJT.
/Jz j +fLoW
2EO; eo "' 2 T. EB
LJ 'X.jjk j k =
0
k
En multipliant par le complexe conjugu du champ en 1'absence de champ statique Tj et en intgrant sur tout le plan,
il se dgage:
~ _ l-'o"'2._.0 " ' 2 EJ?ff E:T;Tjdzdy
fJz - ~ 2{3 7: 'X.jjk i ff T;Tjdzdy
fJE~ correspond a' une vanatlon
7h . . de }a constante de propagatJ.on,
. soit 8E~
. & . Af3.I:JJ "{3 = {3 ....
r.o avec..... A
=tL.>. 0 n:
- _..1..."
l::..n-
2 If E~T;TJdzdy
2n 7: 'X.jjk Jf T;Tjdzdy
Or x;jk =n 4
rjjk la formule finale donne:
A
....n; = - 2 L.Jk r;;k ff]]Ej.T;Tjdzdy
,..s " '
T-T~dzd
' 'Y
3
Pour simplifier 1'criture, on utilise souvent [7] l'intgrale de recouvrement dfinie par:
r =VG- ffff7j1j*dxdy
E'/:TjTi*dxdy
(1.27)
o V est la tension applique entre les deux lectrodes et G la distance sparant les deux lectrodes (on
utilise G pour une forme gnrale, dans le cas d'une ligne micro-ruban G=e (Fig.1.2)). La variation d'indice
pour une polarisation donne est alors de la forme:
n 3 rV
~n=---r
2 G
On retrouve ici toutes les composantes de 1' quation 1.16 au poids prs de l'intgrale de recouvrement A ce
stade, le choix de la gomtrie de la ligne hyperfrquence prend toute sa valeur. Rduire la consommation
d'un modulateur ncessite une rduction de la valeur de la tension d'extinction (q.1.17) mais la vue des
calculs prcdents, 1'intgrale de recouvrement intervient au dnominateur et la tesion d'extinction augmente.
nfaut donc que l'intgrale de recouvrement soit la plus proche possible de l'unit, et seule la ligne microruban
(Fig.l.9) semble pouvoir satisfi.re cette condition.
7.2 Ligne hyperfrquence sur l'arsnuire de gallium [9]

Malgr un coefficient lectro-optique faible, l'arsniure de gallium bnficie d'atouts permettant des perfor-
mances comparables aux modulateurs sur niobate de lithium En premier lieu, sa constante dilectrique varie
peu avec la frquence, le carr de son indice de rfraction (no ~ 3, 6 1, 3 J.tm et 1, 55 pm) est proche
de sa permittivit relative (er ~ 12,9 ). Sur arsniure de gallium, l'accord de vitesse de phase est naturel
et laisse prsager une bande passante trs large (q.l.22). Secundo, l'arsnime de gallium profite de toute
l'exprience technologique acquise sur semi-conducteur ( pitaxie, implantation, gravure, amincissement ... )
qui lui confre une souplesse d'utilisation en centrale de technologie o:ffi:ant la possibilit de gomtries va-
ries. Sur arsniure de gallium, la ligne hyperfrquence peut tre soit coplanaire, soit micro-ruban ou encore
hybride, compromis entre les deux configurations prcdentes. On peut, malgr tout cela, retrouver les lignes
directrices de la conception d'un modulatew: Le champ lectrique doit tre appliqu par 1'intermdiaire d'un
contact Schottky ou d'une jonction PN. Le guide optique est gnralement toujours le mme, malgr les di-
verses possibilits: guide en arte, guide charg, guide enterr, ... , le guide le plus utilis est le guide en arte.
La lumire est confine verticalement dans un guide plan l'aide de deux htrojonctions AlGaAs/GaAs.
La maille Al GaAs est en accord de maille avec la maille GaAs sur toutes les compositions allant quasiment
jusque AlAs; 1'indice de r:fraction diminue quasi-linairement avec la fraction d'Al Un excs de matire
sous forme d'un ruban au-dessus du guide plan modifie localement l'indice effectif et confine latralement
la lumire. La structure finale, titre d'exemple avec une ligne micro-ruban, est reprsente sur la figure
(1.10).
-V Contact Schottky
AI GaAs
----------]
Al GaAs
Substrat GaAs semi-isolant
Figure 1.10 Structure typique d'un modulateur lectro-optique sur arsniure de gallium
Comme nous avons pu le voir dans le paragraphe prcdent, l'intgrale de recouvrement entre le champ
optique et le champ statique est un lment important pour les performances du modulatew: Avec une ligne
microruban, le guide optique est emprisonn dans le guide hyperfrquence et l'intgrale de recouvrement
tend vers 100%. Les premiers dmonstrateurs [10] , [11] et [12] se sont donc orients vers ce type de
ligne, mais les facteurs numriques n'ont jamais dpass 5 GHz/cm. Contrairement aux attentes, c'est une
diffrence de vitesse entre l'onde optique et l'onde millimtrique qui est l'origine de la limitation de la
bande passante. Sur semi-conducteur, c'est une couche fortement dope, pitaxie ou implante, qui fait
office de plan de masse (Fig.l.lO). Cette couche cre une zone de chmge d'espace, la carte de champ est
modifie et la capacit entre le pl~ de masse et le rubau mtallique est plus grande que la capacit calcule
pour un matriau dilectrique parfait. Par contre, l'inductance des rubans mtalliques n'est pas perturbe.
I:indice effectif ne = cVLC est donc plus grand que prvu et l'onde millimtrique est deux trois fois
plus lente que le signal optique. Enfin, pour obtenir une impdance de 50 n, avec une permittivit relative
proche de 13, il faut un rapport W / h voisin de l'unit. Typiquement la distance entre le ruban et le plan de
masse est de quelques micromtres, ce qui impose la largeur W et donc des pertes de propagation pour la
32 PRINCIPES DE LA MODULATION LECTR.O-OPTIQUE
ligne hyperfrquence d'une dizaine de dB/cm 10 GHz. Ainsi mme avec l'accord des vitesses, la bande
passante de ce type de modulateur ne dpasse pas une dizaine de gigahertz.
Abandonnant 1' avantage d'un bon recouvrement, des modulateurs avec des lignes coplanaires ont t tests
[13). L'indice effectif du signal millimtrique est dans ce cas plus faible que celui de l'onde optique. L'onde
hyperfrquence est plus rapide que 1' onde optique. Des bandes passantes de 20 GHz ont t obtenues, mais
la tension demi-onde est de plusieurs dizaines de volts. Pour une adquation des vitesses de phase, un mo-
dulateur avec un superstrat identique au substrat a t propos [ 14] . La ligne coplanaire est noye dans un
milieu dilectrique, l'indice effectifhyperfrquence est donc trs proche de l'indice optique. Ainsi une bande
passante de 100 GHz a t obtenue mais la tension d'extinction est de 288 V. Cherchant un compromis entre
bande passante et tension d'extinction, une ligne hybride [ 15] , avec une structure entre la ligne micro-ruban
et la ligne coplanaire, a t conue pour une bande passante de 40 GHz et une tension d'extinction de 6 V.
capacits
Figure 1.11 Modulateur avec une ligne chmge par capacits
Constatant que l'onde de la ligne micro-ruban est trop lente et que l'onde de la ligne coplanaire est trop
rapide, des lignes coplanaires chmges par des capacits polarisant le guide optique ont t dveloppes. Ces
capacits se trouvent alors en parallle avec la capacit C (Fig.1.12) du schma quivalent (Fig.1.9). Ce type
de ligne permet par le biais de la distribution des capacits le long de la ligne d'adapter la vitesse de phase
1/ + +
v= .jL (C C') et l'impdance caractristique de laligneZc = .jL/ (C C') [16], [17] et [18].
Suivant ce procd, R.G. WALKER [ 19] , [20] a ralis un modulateur lectro-optique ondes progressives
sur arsniure de gallium avec une bande passante de 40 GHz et une tension d'extinction de 5 Volts.
7.3 Ligne hyperfrquence sur le niobate de lithium

Le modulateur surniobate de lithium [21] est le dual de 1'arsniure de gallium. un faible coefficient lectro-
optique (sur arsnuire de gallium T33 = 1, 5.10- 12 m. v- 1) s'oppose un coefficient lectro-optique fort (sur
niobate de lithium r33 = 30, 8.10- 12m.V- 1). Contrairement l'arsniure de gallium, sa constante di-
lectrique varie avec la frquence, sa permittivit relative hyperfrquence est proche de 35 et l'indice optique
voisin de 4,2. La diffrence des vitesses de phase est la principale cause de la limitation de la bande passante
L R
1
1
1
1
1
__ 1
.,!1 __ _
G C --r-- C'
1
1
1
1
1
1
1
1
Figure L 12 Schma quivalent d'une ligne hyperfrquence
du modulatem: Enfin, le niobate de lithium n'offre pas la souplesse d'utilisation de l'arsniure de gallium. Le
niobate de lithium est trs rsistant aux attaques chimiques. Les guides optiques sont trs souvent des guides
enterrs par difision de mtal [22] ou plus rarement en guide ruban par gravure ionique ractive [23] . De
plus le niobate de lithium est fragile, 1'paisseur ncessaire pour une ligne micro-ruban est trop faible, seules
les guides hyperfrquences coplanaires sont ralisables. Cela prsente l'avantage de rduire l'indice effectif
et de diminuer la diffrence des vitesses de phase. Les facteurs numriques des modulateurs ondes pro-
gressives sur niobate de lithium ne dpassent pas 10 GHz.cmN [21] . Parmi les techniques prouves pour
accrotre la bande passante des modulateurs, l'une consiste augmenter la part de champ lectrique hyper-
:frquence se propageant dans l'air. Ceci est obtenu en augmentant l'paisseur des rubans mtalliques [24] ou
encore en ajoutant un blindage mtallique suprieur proximit des lignes [25] . Dans les deux cas, la bande
passante et la tension de demi-onde croissent. Le rapport bande passante sur tension d'extinction est sensi-
blement le mme que pour une structure classique de modulatew: :V autre mthode consiste compenser la
diffrence de vitesse par une gomtrie adapte de la ligne hyperfrquence [26] . :Vquation du potentiel vu
par un photon (q.l.21), nous donne la longueur d'interaction pour laquelle le signal optique s'est propag
sur une demi-onde du signal mmimtrique. La condition sur la longueur de l'lectrode est alors donne par:
2
1rNm fL(l- No/Nm) = 1r (1.28)
c
avec fla frquence de l'onde millimtrique, Nm l'indice effectif de l'onde mi11imtri.que et No l'indice de
l'onde optique. Plusieurs options se prsentent alors pour compenser l'ingalit des vitesses. Sur la figure
1.13, lorsque 1' onde optique s'est propage sur plus d'une demi-priode du signal hyperfrquence, la confi-
gmation de l'lectrode change pour inverser la direction du champ et les contributions des changements de
phase locaux continuent s'accumule~: Une autre solution (fig.Ll4) consiste ne plus soumettre le guide
optique au champ hyperfrquence lorsque l'onde optique a voyag sur plus d'une demi-onde du signal mil-
limtrique. La dernire mthode (fig.l.15) utilise les principes des deux prcdentes de 1on ce que la
tension vue par le photon soit pratiquement constante. La longueur d'interaction est trs faible, lorsque le
potentiel initial est invers, le champ est invers et la plupart du temps il n'y a pas d'interaction. Par analogie,
ce systme permet un redressement (monoalternance ou double alternance) et un filtrage du signal millimt-
rique vu par un photon de l'onde optique. A priori, ces mthodes sont intressantes pour la modulation
trs hautes frquences mais prsentent des inconvnients. Cimpdance caractristique de ces lignes est dif-
ficile prdire et surtout la condition d'accord de vitesse de phase (q.1.28), dpendante de la frquence
du signal millimtrique, limite la largeur de la bande passante. Des variantes ont t proposes [27] mais
les conditions dpendent toujours de la frquence du signal millimtrique. Nazarathy [28] a dmontr que
l'utilisation d'une squence pseudo-alatoire des longueurs d'interaction augmentait la largeur de la bande
passante. Chen [29] prvoit une largeur de bande de 100 GHz en utilisant un algorithme gntique d'opti-
misation pour les diffrentes longueur d'interaction.
I.:analyse des rsultats fuit ressortir l'esquisse d'un modle idal pour la modulation lectro-optique. Pour
que la consommation soit faible, il faut que le coefficient lectro-optique soit fort et que l'intgrale de recou-
vrement tende vers 1000/o. !:intgrale de recouvrement impose la ligne micro-ruban comme guide hyperfr-
quence. Pour que la bande passante soit grande, il faut que la diffrence des vitesses de phase et que les pertes
hyperfrquences soient fuibles. I.: adquation des vitesses de phase impose que la permittivit du matriau
soit constante avec la frquence; l'indice effectifhyperfrquence et l'indice optique doivent tre, par cons-
quent, trs proches. Pour viter un ralentissement de l'onde hyperfrquence d au dplacement des charges
dans les semi-conducteurs, un matriau dilectrique est prfrable pour servir de support la ligne. Pour une
w
impdance 50 n, les pertes hyperfrquences dpendent du rapport /h lui-mme sensible la permittivit
du matriau. Plus celle-ci est grande, plus le rapport W / h est faible et les pertes de propagation augmentent.
n est donc ncessaire que la permittivit soit faible.
On voit donc l'mergence d'un candidat possible pour la modulation lectro-optique: un matriau dilect-
rique avec une pennittivit faible, constante des basses frquences jusqu'aux longueurs d'ondes optiques. Ce
matriau dilectrique doit pouvoir se dposer en couches minces et prsenter un coefficient lectro-optique
fort. Les polymres rpondent ces nombreux critres. Grce aux avances de 1'ingnierie chimique, nous
pouvons aujourd'hui rver la conception d'un polymre remplissant un cahier des charges couvrant 1' en-
semble des critres dfinis prcdemment.
8 Polymres
8.1 Pourquoi les matriaux organiques?

Lany R Dalton [30] , [31] avance comme principal mgument 1'hyperpolarisabilit importante des chromo-
phares organiques. Si ceux-ci peuvent tre intgrs dans un rseau stable non-centrosymtrique, alors on peut
esprer un effet lectro-optique fort. Ainsi de tels coefficients lectro-optiques permettent des changements
de phase de 1r avec une tension de commande faible. Aujourd'hui l'lectronique numrique rapide opre
des niveaux de tension trs faible (moins de 1 V) et l'intgration des fonctions de l'optolectronique comme
la modulation, la dtection, la conversion analogique/digitale et toute autre transduction lectrique/optique
impose des tensions de commande identiques, liminant tout tage d'amplification supplmentaire. Le nio-
bate de lithium, le matriau lectro-optique le plus couramment utilis, a un coefficient lectro-optique de
35 pn:l!\{' ce qui permet une tension demi-onde de l'ordre de 5 V. I.:intgration avec le circuit de commande
pose alors le problme de 1'adaptation de tension. Pour entrer en comptition avec le niobate de lithium, les
matraiux oxganiques doivent prsenter un coefficient suprieur ou gal celui-ci.
La constante dilectrique faible (proche de 3) des matriaux organiques autorise une large bande passante
(de l'ordre de 120 GHz. cm). De plus, comme la constante dilectrique et l'indice de rftaction sont fonction
Polymres 35
1:
E .: .
f ...~. :
"'
.c
0
/ Distance sur l'lectrode
Electrode UDifonne
Figure 1.13 Modulateur inversion de phase
l/\
-8
iE
'
' ..,'
'
';
\
''
'
.
'' \
...~
\
'. :
.c
0
/ -~
Distance sur l'lectrode
Figure 1.14 Modulateur saut de phase
/~
Figure 1.15 Modulateur inversion de phase avec un rapport d'aspect non-nul

des lectrons 7r dans les matriaux otganiques s'il n'y a pas de polarisation d'orientation, l'onde optique et
1' onde hyperfrquence peuvent se propager la mme vitesse de phase [31] . Nous pouvons donc augmenter
la longueur d'interaction sans altrer la bande passante et diminuer la tension de demi-onde. Par comparaison,
une ligne de 1 cm sur du niobate de lithium prsente une bande passante de 10 GHz.
Le dernier avantage des polymres rside dans leur facilit de mise en oeuvre et la possibilit d'intgration
sur les circuits de commande. L'intgration d'un modulateur surniobate de lithium avec la microlectronique
de commande ncessite des techniques de report de puce et d'interconnexion difficiles raliset: Par contre,
avec les polymres, une fois le circuit lectronique termin, on peut envisager la ralisation du modulateur
sur le mme substrat (32] , [33] et (34] . La fabrication et l'intgration de modulateurs lectro-optiques
base de polymres ncessite qu'un nombre important de problmes en sciences des matriaux et en sciences
de l'ingnieur soient rsolus. Pourtant, malgr le besoin de performances leves et les contraintes lies
la technologie, les matriaux polymres ont abouti la commercialisation de modulateurs aprs une courte
dure de dveloppement (Voir page 39: Fetterman).
8.2 Pour les profanes!

Sans approfondir le sujet et pour ne pas risquer de heurter les spcialistes, voici une petite explication sim-
plifie des polymres et de 1' effet lectro-optique pour allger la comprhension future des non-initis au
vocabulaire de la chimie.
Contrairement aux matriaux inatganiques, r effet lectro-optique dans les polymres n'est pas d un d-
placement de ch~es mais 1' orientation de molcules spcifiques forte hyperpolarisabilit: les chromo-
phores. Ces molcules ont gnralement une structure bien particulire, labore pour amplifier son com-
portement non-linaire (35] . Le chromophore (:fig.l.l6) est constitu d'un groupement accepteur A, d'un
groupement donneur D et d'un espaceur E. L'espaceur permet le transfert de ch~e du donneur vers l'ac-
cepteur. Pour cela, on utilise des molcules avec des liaisons insatures. Ces liaisons insatures peuvent se
dplacer le long de la molcule et ainsi transporter une chmge, un peu comme la dplacement d'un trou dans
un semi-conducteur induit le dplacement d'une charge positive. Ce type de molcule, aussi appele diode
molculaire [36] , soumise un champ lectrique intense fait apparatre des harmoniques d'ordre supriem
La diminution de la tension d'extinction des modulateurs passe par l'amlioration des coefficients lectro-
optiques des polymres. TI faut donc que 1'hyperpolarisabilit du second ordre {3 soit la plus grande possible.
Mais cette seule condition ne suffit pas pour avoir un coefficient lectro-optique important. TI faut casser
1' quidistribution orientationnelle des chromophores par orientation sous champ lectrique. n faut que les
molcules puissent s'orienter et donc possder un moment dipolaire p, important. C'est le produit de ces deux
paramtres qui va intervenir dans le coefficient lectro-optique. Plus le produit p,{3 sera important, plus le
coefficient lectro-optique sera grand A titre d'exemple, nous donnons ci dessous des valeurs de p,{3 avec
le coefficient lectro-optique obtenu pour quelques substances:
Polymres 37
DR
J.L/3 = 580
r33 = 13 pmjV avec un dopage
30%enpoids
~
N NC
_/ CN
J..tf3 = 9800
NC
NC
0
s
& & ~
p,/3 = 18000
r33 = 55 pmjV avec un dopage
200.1(, en poids
Le produit p,f3 est exprim en 1 o-48 Depuis les premires molcules, refficacit des chromophores a gagn
plusieurs dcades. Aujourd'hui, on observe des produits p,/3 dpassant 35000. Pourtant le coefficient lectro-
optique n'a pas suivi cette volution. Pour que le coefficient lectro-optique soit le plus grand possible,
l'indice de performance p,/3 n'est pas l'unique critre. Il faut que la densit de chromophore soit la plus leve
possible, que le chromophore ait une structure assez rigide pour ne pas se dformer sous 1'action du champ
et qu'il possde une stabilit thermique su:ffissante pour le procd de fabrication. De plus, ses dimensions
doivent pouvoir lui permettre de bouger dans la matrice polymrique avec suffisamment de libert. pour
s'orienter facilement, et l'interaction entre les diffrents chromophores ne doit pas tre trop intense pour
que les champs locaux ne perturbent pas la rponse au champ lectrique appliqu. Pour finit; le chromophore
doit avoir une absorption faible dans le domaine d'utilisation. L'ensemble de ces impratifs limite le choix du
couple polymre-chromophore des complexes ayant des coefficients lectro-optiques encore faibles face
aux performances des nouveaux chromophores fortement non-linaires.
La couche lectro-optique initialement isotrope juste aprs 1'enduction par centrifugation devient uniaxe
aprs l'tape d'orientation des chromophores, avec l'axe optique parallle la direction du champ d'orien-
tation. Le tenseur lectro-optique a la forme suivante:
38 PRINCIPES DE LA MODULATION LEC'IRO-OPTIQUE
Figure l.l6Ebauche d'un cbromophore
Colorants
Figure 1.17 Polymres dops, greffs et greffs rticulables
Figure 1.18 Esquisse du modulateur sur polymre

Conclusion 39
0 0 r13
0 0 T13
0 0 T33
(1.29)
0 r13 0
T13 0 0
0 0 0
Les chromophores sont insrs dans une matrice polymre suivant trois faons:
Par dopage: les chromophores sont dissout dans la matrice hte sans raction chimique entre les deux
composants.
Par greffage: le polymre est li chimiquement au chromophore. Cette mthode prsente l'avantage de
pouvoir augmenter le pourcentage de chromophores.
Par greffage dans un polymre rticulable: le chromophore peut tre simplement greff ou servir
comme agent de rticulation. Ce type de polymre a 1'avantage d'tre plus stable thermiquement que les
deux polymres prcdents.
8.3 Modulateurs polymres

Les premiers dmonstrateurs remontent un peu plus d'une dizaine d'annes. La flexibilit des polymres
permet de retrouver toutes les structures de modulation d'amplitude dj rencontres avec les autres mat-
riaux: des modulateurs par couplage [37] , des interfromtres [38) , [39] , des lectrodes coplanaires ou
micro-ruban [40] ... Mais pour la modulation lectro-optique haute frquence, toutes les structures conver-
gent vers le mme modle se rapprochant de 1'esquisse definie ultrieurement (Fig.1.18). Le guide optique
est constitu de deux polymres: le confinement et le coeur. Grce l'ingnierie molculaire, 1'indice des
ces deux matriaux peut-tre adapt de faon obtenir le confinement et la taille de mode voulue [41] . Le
cur du guide optique est constitu du polymre lectro-optique. Le guide optique est polaris au travers
d'une ligne micro-ruban permettant un maximum de recouvrement entre le mode optique et le champ lect-
rique hyperfrquence. H.R Fetterman [42], [43], [44] ralise un modulateur avec une bande passante de
110 GHz. La distance entre le ruban et le plan de masse est d'une dizaine de mircromtres et la l~eur du ru-
ban est d'une trentaine de micromtres. Pour rduire les pertes hyperfrquences, l'paisseur du ruban est de
plusieurs micromtres (5 pm dans le cas du modulateur ralis par H.R Fetterman). Ces dimensions se ret-
rouvent avec d'autres auteurs [45] , [46] et [47] confirment la voie choisie par H.R Fetterman. Par contre,
l'paisseur du matriau dilectrique situ entre le ruban et le plan de masse impose la tension de demi-onde.
Dans le cas du modulateur de H.R. Fetterman, la tension d'extinction est de 11 Volts push-pul/; soit plus
de 20 volts pour un modulateur avec une seule lectrode. Pour diminuer cette tension, on peut par exemple
augmenter l'intensit du champ lectrique en diminuant l'paisseur de dilectrique. Mais ainsi on accrot
la densit de courant dans le ruban et les pertes hyperfrquences augmentent. n existe alors un compromis
entre bande passante et tension d'extinction [42] . On s'aperoit que l'amlioration du rapport bande pas-
sante sur tension demi-onde ncessite l'laboration de polymres lectro-optiques avec des coefficients de
plus en plus importants [48] .
9 Conclusion
C'est un peu un film en acclr, puisque rinteraction de la lumire avec la matire est un sujet long et
complexe que nous ne pouvons pas dvelopper entirement dans ce mmoire. Les quations sont nombreuses,
lourdes et assez rebutantes. Mais elles nous permettent d'introduire des concepts physiques simples comme
la polarisation, la birfringeance, l'effet lectro-optique, les ondes progressives... permettant d'aborder, de
comprendre et de comparer les diffrents dmonstrateurs de modulation. Le modulateur ondes progressives,
dans lequel les deux signaux optique et hyperfrquence se propagent dans la mme direction avec la mme
vitesse de phase, est la structure la mieux adapte la monte en frquence avec la plus faible consommation.
Principalement on retiendra de 1'tude des modulateurs sur niobate de lithium que la diffrence de vitesse
est la cause premire de la limitation de la bande passante. Ceci montre 1' intrt de caractriser la constante
dilectrique du matriau sm la gamme d'utilisation en hyperfrquence et aux longueurs d'ondes optiques. Les
modulateurs sur arsnime de gallium, grce leur flexibilit en technologie, mettent en valeur les avantages
de la ligne micro-ruban pom diminuer la tension d'extinction. Par contre, les bandes passantes f.ibles, cause
des zones de charges d'espace inhrentes 1'application d'un champ lectrique sur semi-conducteur, orientent
le choix d'un nouveau matriau dilectrique. Les polymres se rvlent alors comme une solution fort
potentiel Ils permettent une configuration en ligne micro-ruban; leur constante dilectrique varie peu avec
la frquence et ils permettent une intgration avec les circuits de commandes. D'autre part, 1'ingnierie chimie
progresse rapidement, stimule par les demandes des chercheurs en termes d'efficacit electro-optique et de
rsistance aux procds de fabrication.
Un des premiers critres que doit vrifier le matriau du modulateur est une constante dilectrique identique
du domaine des hyperfrquences jusqu'aux longuems d'ondes optiques. La premire tape laquelle nous
nous sommes consacrs a donc t la mesure de la permittivit dans une large bande de frquence ainsi que
la dtermination de l'indice optique du matriau, objets du prochain chapitre.
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CHAPITRE 2
CARACTRISATION
Avant-propos
Pom caractriser les dimensions d'un objet microscopique ou d'un objet macroscopique, les principes
de mesme et les outils seront diffrents. Un laser pour mesmer la distance de la terre la lune, un dcamtre
pour le jardin d'une maison, un pied coulisse pour des pices de mcanique millimtrique ou un microscope
pour la grille d'un transistm; autant de dispositifs que d'objets mesurer. C'est le paradoxe de la caractrisa-
tion: mesmer la valeur d'une grandeur avec prcision ncessite un encadrement l'avance de cette valem;
une mesure l'aveugle (sans a priori absolu) risque toujours de se heurter au problme d'un outil de me-
sure inadapt. Pour caractriser les polymres, le problme est identique. La conception d'un dispositif de
caractrisation dilectrique implique une connaissance a priori de 1'ordre de grandeur de la permittivit. La
mesure de l'indice de rfraction est soumise au mme paradoxe, elle est souvent conditionne par l'indice
du substrat et sous-entend aussi une connaissance a priori d'un encadrement de sa valew:
1 Caractrisation lectrique
Plusiems mthodes permettent d'atteindre la valeur de la permittivit. La technique la plus utilise et la plus
prcise est celle de la cavit rsonante [ 1] . Cette mthode consiste mesurer le dplacement de la frquence
de rsonance et la modification du coefficient de surtension d'une cavit vide puis remplie du dilectrique
caractriser: Cette technique a 1' avantage d'tre rapide et permet donc l'observation en temps rel de l' -
volution d'une raction chimique [2] , [3] et [4] . En revanche, la caractrisation en trs hautes frquences
est limite par les dimensions de la cavit et l'lmgissement de la bande de mesme suppose l'utilisation de
frquences harmoniques. Pour caractriser le dilectrique sur une plage de frquences encore plus large, la
mthode consiste analyser les perturbations apportes par le dilectrique la propagation d'une onde lect-
romagntique. William B. Weir [ 5] posa les bases des nouvelles mthodes de mesures de permittivit 1' aide
de guide d'ondes. Le dilectrique est caractris partir du coefficient de rflexion sur le dilectrique (6],
[ 11] ou partir des coefficients de transmission/rflexion [9] dans des guides d'ondes rectangulaires, co-
axiaux [8] ou en lignes suspendues {7] . Ces structures ncessitent un usinage du dilectrique pour adapter
1, chantillon la gomtrie du guide; le matriau doit donc possder les proprits mcaniques adquates et
doit tre disponible dans des quantits suffisantes pour le volume de la cellule de mesure. Mais les quantits
fournies par un laboratoire de chimie sont gnralement de 1'ordre de quelques grammes pour la caractrisa-
tion, l'talonnage et la ralisation d'un dmonstratem Le cot en matire est une de nos proccupations. La
caractrisation en films minces est une solution peu consommatrice de matire et permet une premire ap-
46 CARACTRISATION
proche de la technologie du modulatem C'est dans le mme axe de recherche que les cellules de mesure ont
t conues, c'est dire une structure en condensateur pour imiter les modulateurs en constante localise et
une mesure en constante distribue pour les modulateurs ondes progressives.
Un systme est dit en constante localise lorsque ses dimensions sont trs infrieures aux longueurs d'onde
des signaux utiliss dans celui-ci. Nous devons mesurer la permittivitjusque 40 GHz. La plus petite longueur
d'onde dans le vide est donc de 7,5mm. Les mesures dj ralises montrent qu'en gnral la permittivit du
polymre se trouve entre 2 et 10. 40 GHz, la plus petite longueur d'onde dans le cas le plus dfvorable
(r = 10) est de 750p;m. Pour rester trs infrieur la longueur d'onde, nous nous imposons le dixime de
la longueur d'onde; les dimensions ne devront donc pas excder 75 J.Lm pour que l'on puisse considrer le
dispositif en constantes localises.
1.1 En constante localise

Sans propagation, le schma quivalent du systme se simplifie. La terminaison de la ligne sur un circuit
ouvert se schmatise par un condensatem Pour que l'expression dpendant de la permittivit soit simple, il
faut limiter les effets de bord et donc que l'paisseur de dilectrique soit faible devant les autres dimensions
du condensatem Toutefois des expressions analytiques prennent en compte les effets de bord [14] pour des
surfaces trs faibles.
Enfin, nous devons tablir un systme de mesure jusque 40 GHz. La ralisation d'un condensateur simple
avec un plan mtallique, un dilectrique et l'lectrode suprieure, le tout aliment par une pointe, ne permet
pas de monter de telles frquences. Nous avons besoin d'une ligne hyperfrquence pour connecter les
lectrodes. La solution la plus simple pour la caractrisation est une ligne coplanaire sur un substrat semi-
isolant.
Ce dispositifse trouve alors la frontire de deux thories. D'une part le condensateur en constante localise
avec un schma quivalent faisant intervenir courant et tension; d'autre part une ligne hyperfrquence avec
la thorie de propagation des champs lectromagntiques. La ligne coplanaire est ici prfre la ligne
micro-ruban car les diffrents instruments de mesure hyperfrquence utilisent la technologie coplanaire.
1.1.1 Prliminaires
Pour que l'tude par la capacit quivalente soit valable, nous devons savoir dans quel domaine l'utilisation
des notions de courant et de tension est compatible avec la thorie lectromagntique. La mesure s'effectue
sur un analyseur de rseau qui va mesurer la puissance de 1'onde lectromagntique rflchie.
Le coefficient de rflexion est dfini comme le rapport: p = ~ (Fig.2.1 ). Pour ronde magntique, le
1
champ rflchi est de signe oppos au champ incident; le coefficient de rflexion est dfini par: p = -
On dfinit l'impdance rduite par le rapport z = i:~- ll ne faut pas essayer d'assimiler cette impdance
*.
1
la notion du rapport courant sur tension. Cette notion n'a de signification physique que si l'on peut dfinir un
courant et une tension. Ceci n'est possible que pour une onde transverse lectro-magntique (T.E.M. ). Dans ce
cas, l'impdance de la charge s'obtient facilement par Z = Zc ~:p o Zc est l'impdance caractristique de
la ligne. Une onde T.E.M. ne peut se propager que dans une structure compose de deux conducteurs spars
par un milieu dilectrique homogne (un cable coaxial par exemple). Nanmoins les lignes coplanaires et
Caractrisation lectrique 47
E/
----. ._.
.____ ---.
- -
Figure 2.1 Convention sur les champs
les lignes micro-rubans supportent des modes quasi-T.E.M. dans lesquels les composantes longitudinales du
champ lectrique sont trs faibles devant les composantes transversales. Le mode quasi-T.E.M. se propage
depuis le continu mais l'apparition des modes d'ordres suprieurs perturbe l'extraction de la permittivit.
Nous devons nous assurer que la frquence de coupure du premier mode suprieur intervient au-del de 40
GHz. Les simulation :tite partir der Approche dans le Domaine Spectral, que nous prsentrons par la suite,
donne une frquence de coupure du premeier mode suprieur la frquence de 65 GHz. Nous pouvons donc
utiliser les concepts de courant et de tension pour notre tude.
1.1.2 Mthode avee deux accs
La cellule de mesure (Fig.2.2) se compose d'une ligne coplanaire 50 !1 dont le ruban central est interrompu
pour former une capacit avec le dilectrique. Le ruban central de la ligne formant un premier accs est
coup et recouvert de dilectrique. Un second ruban align avec le premier dfinit le second accs. Les deux
surfaces mtalliques en vis--vis forment un condensateur plan. Si la longueur d est trs faible devant la
longueur d'onde sur toute la gamme de ftquen, la capacit apparente est localise et la cellule de mesure
se schmatise par la figure 2.3.
Nous pouvons alors relier la valeur de la capacit la mesure des coefficients de transmission et de rflexion
de l'onde lectrique sur la cellule de mesure. En scindant la cellule en trois lments simples, le calcul des
matrices chanes de chaque lment fournira la valeur des coefficients de rflexion et de transmission de la
cellule complte.
Par la suite, nous adopterons les conventions donnes par la figure 2.4:
Le calcul de la permittivit relative est donne par:
1
2
* h (812821 )
r = jZceodw 811822
12 1
avec e 0 = 8, 854.10- F.m- et Zc l'impdance caractristique de la ligne.
48 CARACTRISATION
Figure 2.2 Cellule de mesure en transmission et en rflexion
Dmonstration:
La matrice admittance est donne par: [ I1 h ] = [ .x:. :_ _x ~2 ] [ v V1 ]
2
f
Cette matrice est relie la m.aarice chaine par Ja dfinition du courant et de la tension:
E ] = [ -~
[ Et ~ ~~ ] [ Et
E2 ] avec Y = yzc ou z.represente
l';...,,.bA....,,.,. delaligne.
...._.....- caractnstlque
~ ~~L ~-i~L 1
1
Pourlaligned'as 1: [ ] = [ ] [ ~ ]
~ ~~L ~-i~Lz
2
Pour la ligne d'accs 2: [ ] = [ ] [ ~ ]
o (3 est la c:oDStante de propagation et L1 et Lz sont les longueurs des lignes d'accs.
On obtient la matrice chane complte:
Tu T12 ] = [ e}~Lt 0 . ] [ -~ ~
[ T21 T22 0 e-J~Lt 1l::! ly
y
Par transformation, on retrouve la matrice scattering:
8 11-- w. (5) .Et=() _
- l+y
1
1 e-i2~L 1
8 12 = (5) = ..JI...._e-i~(Lt-L2)
El =() ....+
~i
l+y
Szt = (~) = {ye-i~(Lt-L2)

1 Et=O
822 (!5...)
= Et +
= _l_eJ2~L2
Hy
El =0
On retrouve ainsi la valeur de l'admittance en fonction des paramtres "scattering"':
Y- ..J....JSJ2S2J
- Zc SuSzl
En utilisant l'hypothse du condensateur plan, on obteint la valeur de la permittivit:
E:r

= 1
iZcCow
(~)!
SuS22 avec Co = .!l:
h
Pour obtenir un maximun de prcision sur la mesure de la permittivit, nous pouvons tudier l'erreur relative
commise sur celle-ci Dans ce cas, seules les incertitudes commises sur les mesures de la matrice scattering
seront prises en compte. Nous ngligerons l'incertirude sur 1'impdance caractristique et les incertirudes sur
les dimensions de la cellule.
E Ligne d'accs 1 Capacit l..igle d'accs 2 E
~j t--RR-F==i~
~..... ----~---~---='"
~ ~
Figure 2.3 Schma quivalent de la cellule de mesure
A
uarg
(
r
~'PSu
*) = - 2 - + ~'PS22 A
2 +u<t?s12
avec .6.811 et ~812 les incertitudes sur les modules des pammtres <<SCattering et ...cp les incertitudes
sur les phases. Nous pouvons faire 1'hypothse que les erreurs commises sur les modules des paramtres
scattering sont tous gaux; l'erreur relative minimale apparat pour 1S11l = jS12l- r: erreur est minimale
lorsque la puissance du signal incident se divise quitablement entre la puissance du signal rflchi et la
puissance du signal transmis. On obtient alors une relation liant la frquence et la capacit:
2trCoZo j;l f = 1 (2.1)

On peut alors retrouver les dimensions de la cellule de mesure pour obtenir un maximum de prcision une
frquence voulue.
De la mme faon que 1'on dtermine la bande passante d'un systme lectrique, nous pouvons chercher dans
quelle gamme de frquences 1'erreur relative ne dpasse pas le double de 1' erreur minimale. Nous pouvons
dmontrer qu'une cellule optimise pour une mesure 10 GHz peut couvrir toute la gamme de 2 40 GHz
avec une erreur relative infrieure au double de l'erreur minimale. En utilisant l'quation 2.1 et pour des
permittivits comprises entre 2 et 10 suivant les polymres, on trouve 4~tm::s;; d :::;;20~-LID.
Dmonstration:
On ch he. . A e;(Jd _ A e;(fo)
erc a avorr: e;(ld - 2 e;(fo)
Soit:ll.s(-
1Sul 11 +
1
- - = ~
JSt2lft
1
-)
JSuf 10
Or !Sul= 11!y1 ; IS12I = 11 !~ 1 ; wo = coz:ie:l; IYI = ;'

1
0 et 1Sul 10 = ( 1+ :;r)
1
-t
On obtient l'quation: (1 + ~ +2~~) (1+ ~ +2~) = 8~

w0
1s;J wo w0 wo w0
Soit en posant X = ;'0
X +X (2~ +2) +X ( -30+4~ -16 :;~2 ) +X (3+2~) + 1 =0

1
4 3 2
Si nous tudions la distance sparant les deux solutions en fonction de l'angle de pertes, on peut remarquer que celle-ci
diminue lorsque le rapport augmente. En se plaant dans le cas le plus dfavorable, soit ;;; proche de 0,88, on trouve
1";1
deux solutions X 1 = 0, 219 et X2 = 4, 564. Ds lors si nous choississons une frquence de 10 GHz, nous pouvons
couvrir toute la gamme de frquence de 2 GHz 40 GHz.
50 CARACTRISATION
---. J1
.._
~ 1 1 A~
Figure 2.4 Convention en courant/tension
1.1.3 Mesure en rftexion
Il s'agit de la configuration la plus proche du modu.latem lectro-optique en constante localise. Le conden-

sateur plan est aliment par une ligne coplanaire reposant sur un substrat semi-isolant et propageant une onde
quasi-TEM sur l'ensemble de la gamme de frquence de mesure (Fig.2.5). Dans ce cas, le coefficient S 11
de la matrice scattering est gal au coefficient de rflexion et permet d'obtenir directement la valeur de la
pennittivit; il est donn par:
_ r* _
1- jZcCoe;w
S 11- - (2.2)
1 + jZcCoe;w
avec Co = e0 ~, I'* = rei4! et Zc l'impdance caractristique de la ligne coplanaire.
Nous pouvons alors en extraire la partie relle et la partie imaginaire de la permittivit complexe:
e' _ 2irjsin~
r- wCoZc(lrl 2 +2lrJcos<>+l)
e'! _ 1- r
2
2
r - wCoZc jrJ +2Jrjcos<>+l
S. Sttuckly [12] propose l'tude relative de l'erreur commise sur la partie relle et la partie imaginaire en
fonction de C0 afin de dterminer les conditions idales de mesure. Les graphiques des figures 2.6 et 2.7
montrent 1'existence d'un minimum lorsque le module de l'impdance de la capacit est gal l'impdance
caractristique de la ligne d'alimentation, soit:
1
~= 0~
wCo V ('.r2 + e';2)
A cette condition, le coefficient de rflexion (Eq.2.2) aux bornes du condensateur s'exprime uniquement en
fonction de la permittivit du dilectrique entre les lectrodes; les quations 2.2 et 2.3 donnent:
r* = 1r*1 .*
- Jr
le:l +je;
Conime pom la cellule en transmission/rflexion, la condition est dpendante de la frquence et de la per-
mittivit. Pour couvrir 1'ensemble de la gamme de frquence et envisager tous les polymres possibles. nous
avons dcid de raliser une srie de capacits toutes identiques mais avec des surfaces diffrentes. Cette m-
thode permettra aussi de nous affranchir des capacits parasites pouvant intervenir la prise de contact entre
la ligne d'alimentation et l'lectrode suprieure par un lissage l'aide d'une fonction affine de la capacit
en fonction de la surface.
Figure 2.5 Cellule de mesure en rflexion
1.1.4 Premires caractrisations
Les premires caractrisations s effecturent en parallle avec la mise au point du procd technologique
sur polymre. Les problmes rencontrs pour la dfinition d'un motif mtallique sur polymre ont limit
le nombre d'essais. Deux dispositifs tests ont t mis en oeuvre, l'un avec du niture de silicium et l'autre
avec du poly-mthyl-glutar-imide (P.M.G.I.), polymre capable de supporter l'tape de dpt de l'lectrode
suprieure par la technique du lift-off. Une mesure pralable de la rsistance apparente entre le plan de masse
et l'lectrode a dmontr l'existence d'un court-circuit pour les cellules ralises avec le P.M.G.I. Nous
prsenterons la caractrisation du nitrure de silicium en constante localise por les deux types de structure.
1.1.4.1 Mesures en rftexion
La cellule de mesure est constitue d'une srie de condensateurs de forme carre avec une dimension de ct
allant de 100 pm 200 pm (W sur la figure 2.5). I:admittance du condensateur se dduit fucilement de la
mesure du coefficient de rflexion, l'paisseur de nitrure est faible (h<0,5 pm sur la figure 2.5) et les effets
de bord sont ngligeables. Sur le graphique suivant (Fig.2.8), nous avons reprsent la partie imaginaire de
l'admittance en fonction de la frquence pour les diffrentes dimensions de l'lectrode suprieure ralises.
En toute riguem; la partie imaginaire de l'admittance devrait tre une fonction affine positive de la frquence.
Mais les mesures ne suivent pas une volution linaire et au-del d'une certaine frquence, la partie imagi-
naire est ngative, synonyme de la prsence d'une inductance. I:analyse des frquences du changement de
signe montre que les inductances ont toutes la mme valew:
52 CARACTRISATION
-116 =~urv~n =o.or1SoJ

-- ABAirVtrl 0.035 (~
o.J A Zg/Z 0 O.OOS, AG,IC:, 0.01
0.2
-.. ~
-q.......
~
o.
0.2 os 2 5 10
Figure 2.6 Erreur relative sur la partie relle de la permittivit en fonction de Zc (selon S.Sttuckly)
-AB =t.Jnllrl =0.0175 111

-- AB=t.lrlllnO.OI (0.6)
AZgiZ 0 0.005,t.G,IG,= 0.01
0.05
0.02
O.Ob'-.I----IOL..I2---o.5~---'---~2~----=s---'IO
Figure 2. 7 Erreur relative sur la partie imaginaire de la permittivit en fonction de Zc (selon S.Sttu.cldy)
25 30 35 40
_ 1 +-------~rTr+-++-7-------------F~-~An--~~<~en_G_H~
Figure 2.8 Partie imaginaire de l'admittance en fonction de la frquence (en ohms)
Surface Frquence fs/fn

200 x 200J.tlD.:t f1 =8,5 GHz 2
175x 175JLII1:t f2 =9,5 GHz 1,7
150x 150JLII1:t fs = 10,5 GHz 1,6
125 x 125JLII1:t f4 = 13 GHz 1,2
lOO x 100JLII1:t f5 = 16 GHz 1
Le rapport des frquences est gal au rapport des cts des carrs, la frquence du changement de signe est
donc une fonction en racine carre de la smface du condensatem: Nous pouvons conclure que le schma
quivalent de la cellule se constitue d'une capacit et d'une i.nductance en srie. La frquence de rsonance
est donne par: fr = ~ Jrc
avec C la capacit et L l'inductance. La partie relle de la permittivit du nit-
rure de silicium mesure est proche de 6,5 (contre 7 avanc dans la littrature la frquence de 10 GHz) dans
une bande de frquence de 250 MHz 2 GHz. La gamme de frquence de mesure est limite par le conden-
sateur de plus grande surface. Cette mesure nous donne un premier renseignement sur le comportement d'un
modulateur lectro-optique en constante localise. Un tel modulateur constitue avec la ligne d'alimentation
un rsonateur limitant la frquence maximale d'utilisation.
En utilisant les mesmes sur les cellules en court-circuit, nous avons pu extraire 1'inductance et les pertes dans
la ligne d'alimentation. Les volutions de l'inductance et de pertes sont reprsentes sur les graphiques de
la figure 2.9. I.:inductance moyenne est de 35.10- 12 H et les pertes sont de l'ordre de l'ohm En intgrant
les nouveaux lments dans le schma quivalent de la cellule de mesure, nous pouvons extraire la valeur de
la permittivit jusqu' la frquence de rsonance. Les volutions de la partie relle de la permittivit et des
pertes sont reprsentes sur les graphiques de la figure 2.10. Nous retrouvons la valeur annonce de 6,5 pour
la partie relle de la permittivit du nitrure de silicium; la gamme de validit s'tend ici jusque 20 GHz. Par
contre, 1'estimation de la permittivit change avec la surface de la capacit, signe possible d'une variation de
l'inductance ramene par la ligne. La partie imaginaire de la permittivit est sm-value, on note en effet que
dans la littrature l'angle de perte du nitrure de silicium est plus faible: les vaJ.,~ms obtenues ici comprennent
les pertes dilectriques mais aussi les pertes mtalliques et les pertes de connexion entre la ligne et l'lectrode
suprieure, 1'origine de la surestimation.
54 CARACTRISATION
4.E-11 1,2r-----------------
3.QIE-11
3,8QE..11
3.7-11
3.GOE-11
3.5-tt
3.4QE..11
:S,:JOE.'1
~(enGHz) 0 -t---.---.---.----.-----..-~F.:::rqUence=:::;(:=en:.:G::.:HZ:!..,)
3.20E-11
10 15 20 30 35
0 10 15 20 25 30 35
Figme 2.9 gauche l'inductance (en H) et droite les pertes (en 0) de la ligne coplanaire
16 15
13
12 11
9
2 -1
5 10 15
o+-----.---~~---~---~--~ -;!
10 15 20 25
-2 Fr6quence (en GHZ) -5 F~(enGiiz)
Figure 2.10 gauche la permittivit relative et droite les pertes du nitrme de silicium en fonction de la
frquence (mesures en rflexion)
7,5 -
7
~"'~
a=~m
6,5
5,5
- ~
~
a=101Jm
5
4,5 ~
a=20!Jm
4
0 5 10 15 20 25
Figure 2.11 Evolution du module de la permittivit en fonction de la frquence (mesure en trans-

mission/rflexion)
1.1.4.2 Mesure en rflexion/transmission
Procdant de la mme faon que prcdemment, une srie de cellules de mesure (Fig22) est utilise pour
dterminer la permittivit. La valeur de la capacit est modifie en variant la distance d. Quatre condensateurs
r:
permettent de couvrir la gamme de 250 MHz 40 GHz avec d=4, 5, 10 et 20 p,m. exploitation des rsultats
rvle que la permittivit dduite par .notre modle est fonction de la surfce du condensateur plan. Plus la
surface de celui-ci diminue, plus la valeur de la permittivit apparente augmente. Plusieurs hypothses sont
fausses dans notre modle. Nous avons nglig les capacits parasites provenant de la monte du ruban sur
le nitrure de silicium (Fig.2.2), or pour des surfaces de condensateur de plus en plus petites, ces capacits
ont un poids croissant. D'autre part, avec une ligne coplanaire, une partie importante du champ lectrique se
propage dans 1'air, tout le champ lectrique ne passe pas dans le dilectrique; un calcul de la distribution du
champ lectrique est ncessaire pour dterminer la permittivit effective.
Les mesures de permittivit en constante localise partant d'un concept simple sont difficiles mettre en
oeuvre. La gamme de frquence de mesure dsire jusque 40 Ghz impose une connexion hyperfrquence
amenant des lments parasites perturbant la mesure et limitant ainsi cette gamme de frquence. D'autre
part, pour calculer prcisment la permittivit effective, une simulation en trois dimensions de la structure
s'avre lourde et bien plus complexe que la simulation d'une ligne de propagation. Partant de ce constat,
nous nous sommes orients vers une mesure de la permittivit en constante distribue.
1.2 En constante distribue

La mesure en constante distribue se rapproche de la configuration d'un modulateur ondes progressives. A
partir de la propagation d'une onde lectromagntique, nous pouvons retrouver les caractristiques du milieu
r:
dpos en film mince. algorithme d'extraction de la permittivit met en uvre un logiciel de simulation de
ligne coplanaire fond sur l'Approche dans le Domaine Spectral et un principe physique reliant les grandeurs
mesurables la constante de propagation calcule. Deux principes sont utilisables: la mthode des multiples
rflexions et la mthode de l'attnuation.
1.2.1 Appi'OChe dans le Domaine Spectral
Nous exposerons le principe de calcul d'une ligne hyperfrquence par l'Approche dans le Domaine Spectral,
A.D.S.[l6] , [17] et [18] dans le chapitre suivant. Pour l'instant nous prsenterons le jeu de variables
disponibles et les valeurs calcules par l' A.D.S.
Le code de calcul que nous utilisons a t dvelopp 1'I.E.M.N. par 1'quipe lectromagntisme des Circuits
dirige par le professeur P. Kennis. Parmi le jeu de donnes (fig.2.12) , on retrouve la largeur du ruban W,
+
la distance entre les plans de masse W 28, la largeur des plans de masse A, l'paisseur de mta11isation t
et la conductivit du mtal p. L'avantage de ce modle est d'intgrer un milieu multi-couche en adquation
avec notre volont de caractriser le polymre en couches minces.
Disposant de la constante de propagation complexe (nombre d'onde et attnuation) et de l'impdance ca-
ractristique de la ligne, il faut tablir un lien entre les mesures effectues sur 1'analyseur de rseau et les
rsultats fournis par l' A.D.S. Deux principes physiques sont exploitables: les multiples rflexions et l'att-
nuation.
56 CARACTRISATION
~ Sr4 et tan s4
A W+2S
w
'
'
''
M tet p
:
~
h2. &r2 et tan s2
h1. Ert et tan St
ho. s,o et tan So
Figure 2.12 Le jeu de donnes en ligne coplanaire
1.2.2 Mthode des multiples rflexions
Imaginons une onde lectromagntique se propageant dans un guide d'onde prsentant une impdance ca-
ractristique Z0 . I.: onde se propage avec une constante de propagation /3. Sparons maintenant ce guide
d'onde en deux tronons que nous relions par un second guide ayant une impdance caractristique Z 1 et
dans lequel l'onde lectromagntique se propage avec une constante de propagation 'Y Deux interfces ap-
paraissent ainsi, sur lesquelles l'onde sera en partie transmise et en partie rflchie. Entre les deux interfaces
s'tablit alors une infinit de rflexions (Fig.2.13) que r on peut dcomposer en suite gomtrique.
Ce modle permet de calculer facilement les paramtres "scattering" d'une ligne teste par un analyseur
de rseau. Dans l'hypothse d'un guide d'onde propageant une onde T.E.M. ou quasi-T.E.M., le calcul des
paramtres donne:
* r* (1- e- 21d) S* 1- r*2 _,..d r* Z1- Zo
8 11 -- 1 - r*2e- 2"fd 21 -- 1 - r* 2 e-2-rd e r et - --:----:-
- Z1 + Zo
1.2.3 Mthode de Bainco et Parodi
Le principe de la mthode de l'attnuation [19] , [20], (21] est fonde sur l'extraction de la constante de
propagation entre deux lignes de gomtries identiques ne diffrant que par leur longuew: Dans 1' absolu, la
ligne la plus grande absorbe toujours un peu plus d'nergie que la petite, ce qui est l'origine du nom de la
mthode.
Pour remonter jusqu' la constante de propagation, les deux lignes sont reprsentes par plusieurs matrices
de transfert: deux pour la ligne la plus courte, trois pour la ligne la plus longue. La troisime matrice de la
ligne la plus longue correspond la longueur de propagation supplmentaire, de sorte que les deux autres
matrices de transfert sont identiques aux deux matrices homologues de la ligne la plus courte.
La matrice de transfert du quadriple 1 (Fig.2.14) s'crit:
[T]Q 1 =[TA]. [Ts]
La matrice de transfert du quadriple 2 (Fig.2.15) s'crit:
(T]Q2 = [TA]. (TL]. [TB]
Zo Zo
l-;;;;~~
r
- r(l- f2)e2ttf
-1'3(1-1 '.2)c-4.(d .----t....-------a-.... r2( l-f2)c..;y:I
---..t-- r4 (1-P)c~1'<1
Figure 2.13 La mthode des multiples rflexions
:Pl :Pc :P2
~
p::pc :p
1 2
QA 1
1 1
QB
2~~
1 1
[TA] [TB]
Figure 2.14 Matrice de transfert de la ligne la plus courte
[TJ [T&]
Figure 2.15 Matrice de transfert de la ligne le plus longue

58 CARACTRISATION
On dmontre alors que [T]Q 2 [T]Q~ = [TA]. [TL\L]. [TAr 1, ce qui implique que les somme des termes
de la diagonale principale des matrices [T]q2 [T]q~ et [TaL] sont gales.
[T AL] = [ ch-yzb.L
Esl.sh-y
Zc Z
1;sh"fztl.L
D.L ch-yz D.L
l
Les paramtres de la matrice de transfert d'une ligne uniforme ont pour expressions (Sij,l ou 2):
avec:
Zc: impdance caractristique de la ligne
Z 0 : impdance caractristique de la ligne d'accs de l'analyseur de rseau
'Yz: constante de propagation
D.L: diffrence de longueur entre les deux lignes
La relation entre la matrice de transfert et la matrice "scattering" donne la fonction reliant la constante de
propagation et les paramtres "scattering" des deux lignes:
2ch-y D.L = ~12'1 + ~12'2 + Su1S22

' '2 +Sn'2822'1 - Sn1822 1 -
' ' Sn 2822 2
' '
z s121S~2
' '
La mthode de r attnuation prsente r avantage de pouvoir modifier la gomtrie de la ligne (:fig.2.14). En
r duisant les dimensions transversales de la ligne coplanaire, on peut augmenter la proportion de champ se
propageant dans le polymre (fig.2.16) et obtenir plus de prcision sur la mesure de la permittivit de celui-ci.
Mais une rduction drastique de ces dimensions augmente fortement les pertes de propagation. Pour confiner
le champ dans le polymre, il faut que l'espace entre le rohan et le plan de masse soit de l'ordre de l'paisseur
du film. Avec ces dimensions, les tests sur arsniure de galliwn donnent des pertes de 8 dB/cm 10 GHz et
de 20 dB/cm 40 GHz. V attnuation est trop importante pour que les mesures soient utilisables. Ce bilan est
important puisqu'il confirme l'orientation de notre premier chapitre. En effet, pour que le modulateur soit
efficace, il faut que les champs optique et lectrique se recouvrent et donc que les dimensions d'une ligne
coplanaire soient du mme ordre de grandeur que dans cet essai. Les pertes hyperfrquences sont alors trop
importantes pour la bande de frquence fixe (0-40 GHz). Les caractrisations suivantes utilisent toutes la
mthode des multiples rflexions.
ooL_. . _
[I'ransitions JX)intes4ignes
!champ peu confin
confines dans le
51m
L - - - - - - - - ' d a n s le fllm
Figure 2.16 Confinement du champ lectrique dans le polytnre par modification des dimensions de la ligne
coplanaire
1.2.4 La cellule de mesure
La ligne susceptible de fournir la plus grande prcision sur la mesure de la permittivit serait sans doute la
ligne micro-ruban. Tout le champ lectrique est alors rparti dans le polymre, si le rapport d" aspect entre
la largeur du ruban et l'paisseur de polymre est suffisamment grand; l'indice effectif est trs proche de
la permittivit du polymre. La mesure de la permittivit est alors aise. Mais la vue de la permittivit
moyenne des polymres et, dans notre cas, de 1'paisseur pouvant tre dpose, le rapport de la largeur du
ruban sur la hauteur de polymre se situe entre 1 et 2 pour une impdance caractristique entre 40 0 et 60
O. Une grande partie du champ se propage alors dans l'air et l'extraction de la permittivit ncessite une
simulation tenant compte de la distribution du champ pour calculer exactement la pemrittivit effective. De
plus la mesure s'opre l'aide de pointes coplanaires, il en rsulte qu'une transition entre la ligne micro-
ruban et la ligne coplanaire est ncessaire. La technique la plus usite est celle des via-holes, mettant en
contact les plans de masse. Technologiquement lourde, cette technique pose un autre problme: la pose des
pointes. Le contact lectrique, et par la mme la mesure de la permittivit dpendent de la pression applique
sur les pointes, ce qui nuit la reproductibilit des mesures.
La ligne coplanaire permet de s'affi'anchir de ces problmes. Ralise sur un substrat semi-isolant de per-
mittivit bien connue, l'impdance caractristique est calcule prcisement Le dpt d'un film de polymre
d'une paisseur de quelques micromtres modifiera les proprits de propagation pour tre dtectable sans
toutefois dsadapter compltement la ligne. On peut donc mesurer la permittivit du polymre sans a priori
sur sa valem: Le contact lectrique s'effectue sur le susbtrat, la pression n'est plus un paramtre important
de la caractrisation et les mesures sont reproductibles.
Ligne coplanaire de rfrence

(directement sur le substrat)
Substrat semi-
/
isoiant
Figure 2.17 Dispositif de mesure en constante distribue
La cellule de mesure (Fig; 2.17) se constitue donc de lignes coplanaires. Les premires reposent directement
sur un substrat semi-isolant d'arsniure de gallium. Elles permettront le calibrage de la mesure en dduisant
la permittivit complexe du substrat et la conductivit des rubans mtalliques. Ces mesures seront ensuite
reprises dans les calculs de permittivit partir des lignes sur polymre ou recouvertes de polymre.
60 CARACTRISATION
1.2.5 Rsultats
Caractrisation du substrat et de la conductivit mtallique

Nous devons nous assurer dans un premier temps que la solution est unique. Pour cela, nous avons trac sur le
2,= ~ 1SZ;oo~, - SiJ-1 2

graphique de la figure 2.18les combes isoniveaux de la distance ( d = ) entre
les paramtres scattering>> mesurs et calculs en fonction de la permittivit du substrat et de la conductivit

des rubans mtalliques. A 10 GHz, la surface prsente un seul minimum, ce qui indique que nous pouvons
utiliser une mthode du double gradient pour trouver la solution de la fonction. A 40 GHz, la surface pr-
sente plusieurs minima, mais une seul minimum minimorum proche de la valeur trouve 10 GHz. Dans
1'hypothse o la permittivit est une fonction continue de la frquence, la mthode du double gradient est ap-
plicable sur toute la gamme de frquence en initialisant chaque boucle de convergence par la valeur trouve
au pas frquentiel prcdent. Ainsi la solution unique 10 GHz assure la dtection du minimum minimorum
pour chaque frquence. Sur la figure 2.19 est reprsente la distance sparant les paramtres scattering>>
calculs et mesurs, dans le plan complexe de la permittivit du substrat en fonction de la conductivit des
rubans la :frquence de 10 GHz. Le lieu des projections dans le plan complexe de la permittivit donne
le dplacement du minimum en fonction de la conductivit. La solution se rapprochant le plus des mesures
correspond la distance minimum, soit a = 3, 5.105 S/cm. La partie relle de la permittivit relative est
de 13,3 et l'angle de perte est infrieur 10-4 . Ces rsultats correspondent bien aux caractrisations dj
ralises. Les mesures de la rfrence [22] donnent r = 12, 8 la temprature de 300 K en statique. Les
rubans mtalliques sont constitus d'une couche d'accrochage en titane et d'une couche d'or de 4000 A. La
conductivit moyennne de l'or dpos par vaporation est de 4, 2.105 S/cm, en tenant compte des condi-
tions de dpt et des dimensions de la ligne, les valeurs de conductivit sont cohrentes. Il est remarquer
que la conductivit du film d'or mesure est proche de la moiti de la conductivit de l'or massf: valeur
intgrer dans le chapitre suivant pour le dimensionnement de la ligne hyperfrquence du modulateur lectre-
optique. Sur la figure 2.20, sont reprsentes les volutions de la partie relle de la permittivit relative de
l' AsGa et de la conductivit des rubans mtallique en fonction de la frquence. Ces valeurs ont t calcules
en suivant le minimum d'erreur dduit du graphique de la figure 2.19, soit en posant un angle de pertes nul
pour l'arsniure de gallium. La permittivit relative moyenne est de 13,1 et la conductivit moyenne est de
30,5.104 S/cm. Les valeurs dcroissent avec l'augmentation de la frquence, signe que les pertes augmentent
avec la :frquence.
Une fois le substrat caractris, ces mesures seront utilises pom extraire la permittivit complexe du po-
lymre pour une ligne de propagation intgrant du polymre dpos en couche mince. Pour chaque polymre
caractris, une opration de calibrage a t effectue mais les valems trouves sont sensiblement identiques
avec une erreur relative infrieure 1%. Nous ne prsentons donc ici qu'une seule opration de calibrage.
Caractrisation du polymre
La cellule de mesure originale (Fig.2.17) prvoyait une ligne sur polymre et une autre enrobe de polymre.
Mais la ralisation de telles structures est coteuse en temps et en matriel. Partant de la constatation qu'une
ligne coplanaire simplement recouverte d'un film de polymre (de l'ordre de 5 pm.) est suffisante pour qu'une
diffrence des proprits de propagation soit observable, nous avons utilis la cellule de mesure de la figure
2.21. Deux lignes d'impdance caractristique de 40 Q (d=35 pm et 88=59 pm) et de 60 Q (d=35 pm
et 88=125 p,m) sur arsniure de gallium sont utilises pour la caractrisation. Cette cellule a l'avantage
--~
Figure 2.18 Courbes isoniveaux de la distance entre mesure et simulation 10GHz et 400Hz
Figure 2.19 Recherche d'un modle adapt
.ooc:o~-------------------
13,5 ,..
..
1J',.& -+~- dd~_..,,.._,_.,..,,,,,_..,,,,,,,.,,,...,.,,.,,,,..,,,n<,.o,.~o~M..,M.-.-<.<..,'<'<<-.-.,.-.-n,,..,,,,o.w,,-., ~3GE.c5 +- ---------- ------------- ----------
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13.1 +-------..--..--~ - --...--- _............._ ---------
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12.'5 ~----------------F_:_rqt.:.:__:,--=ic:.oo_OH<::_~.::,) ~ .......................,.-------------~---------------.......................:-----------:--..................,
10 1:5 20 :s 30 '35 40
"' 15
Figure 2.20 Permittivit relative de l'arsniure de gallium et conductivit des rubans en or

62 CARACTRISATION
900JUD
olt
ss Il>
Figure 2.21 Cellule simplifie de carnctrisarion des polymres
d'tre rutilisable si les polymres peuvent tre compltement retirs, soit par plasma oxygne ,soit dans
un solvant du polymre. Nous avons caractris diffrents polymres: le polyimide Ultradel 9120, la colle
optique NOA, une rsine optique (UV profond) et lectronique: le polymthylglutarimide SF 11, le polymre
synthtis pour la C.T.I.: 1'OIP12gTMS, le poiy-mthyl-mt-accylate greff DR1 (PMMA-DRl) et la rsine
poxy SU8. Les valeurs moyennes de la partie relle de la permittivit relative et de l'angle de perte sont
donnes dans le tableau suivant
1
Polymre r tanb
Ultrade19120 3,1 1 3,5.10 Z
NOA61 3,22 1,3J0 Z ~

PMGI SFll 3,19 1 i
OIP12gTMS 3,7 10 1
1
PMMA-DR1 1
SU-8 3,56 7,8.10 -~ 1
Sur la figure 2.22 est reprsente l'volution de la partie relle de la permittivit relative du PMGI SFH en
fonction de la frquence. Sur la figure 2.23 est reprsente l'volution de la partie relle de la permittivit du
polymre synthtis par le laboratoire de chimie de MontpellieL V volution de la permittivit est perturbe.
Le contact lectrique entre les pointes hyperfrquences et les lignes coplanaires est dgrad par un rsidu
de polymre la snrface du substrat ( droite de la figure 2.23) suite une gravure inadapte que nous
dvelopperons dans le chapitre consacr. Les angles de pertes ne sont pas reprsents, ils sont infrieurs
10-2 et leur mesure se trouve dans le domaine d'erreur de l'estimation de la conductivit des rubans
mtalliques. La polarisation d" orientation intervient gnralement pour des frquences infrieures 100KHz;
dans la gamme de 10 GHz 40 GHz, seule la polarisation lectronique prend une part importante dans le
polarisation macroscopique [23] . La permittivit est donc constante sur l'ensemble de la gamme de mesure.
La rsine SU8 est une rsine poxy photosensible. Elle prsente une bonne adhrence sur de nombreux types
de substrats et peut tre dpose sur une grande gamme d'paisseur de 10 pm 500 pm en un seul dpt La
photolithographie avec la rsine SUS produit des flancs droits malgr de fortes paisseurs de rsine, ce qui la
place avantageusement pour la ralisation de microsystm.es. Elle peut :notamment entrer dans la ralisation
de structures d' autoalignement entre la fibre et le guide optique. La base poxy de la rsine SU8lui conf'ere
3-f---
2.s+-"- - - - - - - - - - - - - - - - -
~::+:------------------
2.1> j Fl'Q'.renee {en GHz)
2.5 .;-------"-----.----,-------------------,
15 30
Figure 2.22 Partie relle de la permittivit de la rsine SFH
5 r..----.........................._......................... ............. ...................................- ......................................
2~---------------
~.5 +-:- - - - - - - - - - - - - - - -
0.5 ' - - - - - - - - - - - - - - - - -..--------..--.. ---..- ....-.-----

o L--~-----------------.:_requ~}~-~~!..
m ~ ~ m ro a
Figure 2.23 Partie relle de la permittivit de polymre OIP12gTMS

64 CARACTRISATION
Figure 2.24 Cellule de caractrisation de la rsine SU8
me rsistance aux solvants et aux attaques chimiques qui permet l'utilisation de toutes les techniques de la
microlectronique classique. Ainsi me opration de lift-off(dcrite dans le chapitre suivant) est parfaitement
ralisable alors qu'elle est impossible sur les autres types de polymres. Sa simplicit de mise en oeuvre et les
paisseurs pouvant tre dposes ont motiv notre intrt pour la caractrisez: Elle permettrait de raliser des
lignes coplanaires sur des substrats silicum mme dops. Nous pourrions alors nous affi'anclrir de 1'utilisation
de substrat semi-isolant en arsniure de gallium plus coteux que le silicium. La cellule de caractrisation
(Fig.2.24) est constitue d'un substrat de silicium dop recouvert d'un film de polymre d'une paisseur
de 280 pm sur lequel repose des lignes coplanaires avec d = 35 p,m et SS = 59 J.1m. Les simulations
faite avec r A.D.S. montrent qu'avec une telle paisseur, le substrat n'a que peu d'influence: les mesures de
coefficients de reflexion et de transmission aux accs de lignes ne dpendent pas de la nature du substrat.
L'volution de la permittivit complexe en fonction de la frquence est reprsente sur la figure 2.25, la partie
relle moyenne est de 3,6 et l'angle de perte moyen est de 8.10- 2rad.
2 Caractrisation optique
2.1 Lignes noires

La mthode des lignes a t mise en place par M Bouazaoui l'cole Nouvelle des Ingnieurs en Com-
munication. Un guide plan polymre est form d'une couche de silice d'indice n = 1, 45, d'une couche
du polymre dont on va mesurer l'indice et d'air pour la couche de confinement suprieur L'paisseur de
polymre sera de prfrence de plusieurs micromtres pour s'assurer de l'existence de plusieurs modes. La
couche de silice est la plus paisse possible (dans les limites de la technologie) pour s'affranchir de l'in-
fluence du substrat La lumire est injecte dans le guide l'aide d'un prisme. En faisant varier l'angle
d'incidence du pinceau de lumire sur le prisme (:fig.2.26), on pet le faire concider avec les conditions
d'injection permettant de stimuler l'un des diffrents modes possible de propagation dans le guide. Lorsque
l'angle convient, la lumire est injecte dans le guide suivant le mode de propagation correspondant et une
ligne noire apparat sur l'cran (:fig.2.26). La lecture de l'angle d'incidence donne directement l'indice ef-
Caractrisation optique 65
1,~, ,----- .. .....~....~............____........- -...........- -..........- ..............

4 ~--~--------------~--------~-
S.SOS..OZ --------
3.5 +..............................................................................................................................................................
7,00-02 ,C,..,,..,.,......,.......... , ..., _.. _ _ _ _ _....~....., ....., ....,.,.,,,....,..... .,,_,~,.,., . ..,,. ..,,._,..,..
G.SOE-02 .; ..................................................................................................................................................... .
;>,s-r-'---------------- 6.00-0:l ., ..................................................................................................................................................
3,2 ~-- ----------"------------------------------..
5.5GE-02 .i..........................................................__............________ .,________...............................
3.1 -i---------------------------------~-
t=~{enGHz)
3 ..........._, ____________ ---,. _______.,_______ ,..................................... ..------. ~-
S.OO-02 _: Frqve"""(~GHl)
Hl ~5 2-:l 25 30 35 40 25
Figure 2.25 Partie relle et angle de perte de la rsine SU8
fectif du mode. Par l'intermdiaire mathmatique rgissant la propagation modale l'intrieur du guide,
on remonte la valeur de l'indice du :film. I..;extraction de l'indice du filin ncessite de connatre la valeur
de l'indice du substrat Cette valeur est dduite directement du continuum de raies observ lorsque l'angle
d'injection correspond la propagation dans le substrat.
Pour qu'un modem soit coupl dans le guide, ilfaut raliser: /3prisme = /3film
Or/3prisme = 27!'
o np sm
ep
Ainsi, pour chaque angle repr, on pourra calculer la constante de propagation du mode excit dans le film
polymre. Ce mode devra rsoudre r quation de dispersion du guide:
(2.4)
pour les modes transverses lectriques, et
2 2
n )
2v 2)
neff - ng
( Jneff -
J ( (n
2kod n2 - n2 = tan- 1
_.:: + tan- n ~==== 1) 1 2
(2.5)
c eff ./ 2 2 g _/ 2 2
9 y ne - neff y ne -nef!
pour les modes transverses magntiques.
Le reprage de deux angles permet de calculer l'paisseur et l'indice du film. En revanche cette mthode
prsente deux inconvnients majeurs. En premiet; la ralisation du guide plan sous-entend que l'indice du
polymre est suprieur celui du confinement infrieur. D'autre part, pour injecter, il faut que l'indice du
prisme soit suprieur celui du polymre. Paralllement la mesure de la permitti"Vit, la mesure prcise de
l'indice de rfraction impose l'avance une connaissance de l'ordre de grandeur de celui-ci.
Dmonstration de 1' quation caractristique du guide plan:

En imposant E:r: = 0, on montre que seuls Ey, Hz et Hz sont non-nuls. On dfinit ainsi une onde appele TE dont le
champ lectrique est transverse. Par dualit entre le champ lectrique et le champ magntique, on dftnit le mode TM
o H, = 0 et Hy, Ex et Ez sont non-nuls.
L'amplitude complexe du champ lectrique associ l'onde plane guide est donne par:
E(x,z) = Ec(x)e-/3z
Nous ne ferons que 1'tude du cas du mode TE, le mode TM se dduisant facilement du mode TE. Le champ lectrique
n'a donc qu'une seule composante:
66 CARACTRISATION
faisceau
Substrat
Figure 2.26 La mthode des lignes noires
E(x,z) = Ey (x)= Bof (x) e-iBz (2.6)

Les quations de MAXWELL appliques la s!nlcture donnent les quations de HELMHOU'Z pour chaque couche:
..O.E(x,y) +k5E(x,y} = 0 dans l'air

!:lE(x,y) +n;k5E(x,y) = 0 dans le polymre (2.7)
{ AE(x,y) +n;k5E(x,y) = 0 dans la silice
En appliquant la relation (2.6) au systme (2.7), on obtient le systme de la fonction f (x):
dlz~"'} + (k5- {32 ) f (x)= 0 pour x;::: d
d/:.~"') + (n;~- {32 ) f (x}= 0
{ d Lz,\;2 + (n;k5- [3 ) f (x)= 0
2
pour lxi $ d
pour x$ -d
Posons U = dy'n~k5- {32 Y= d.j/32 - k5, W = d.j.f3 2 - n;k5 et X= xjd. Pour qu'il y ait guidage, faut
que le champ s'annule pour X ---+ oc. La fonction f (x) est dfmie par:
f(x) = acos(UX+b) pour lXI $1
f (x) = ce-Yx pour X;::: 1
f (x) = dewx pour X$ -1
Les composantes Hx et H., se dduisent de ia composante Ey partir des relations suivantes dduites des quations
de MAXWELL:
H - __l_&Ey
{ ; -== i~~<o4;_
z '"'~'o &x
En appliquant les relations de continuit des champs Ey et H"' au.x interfaces, on obtient le systme suivant:
aoos(U+b)=ce-w
aoos(b- U) =de-Y
{ aUsin(U + b) =cwe-w
aU sin(b- U) =-dYe-Y
En combinant ces quations, on obtient:
Caractrisation optique 67
x
Air n=l -d
z
y
-d
Figure 2.27 Guide plan dissymtrique
2U=tan-
1
(~) +tan- 1 (~)
En utilisant les dfinitions poses prcdemment, on trouve:
(v (v 1)
2 2
neff- ng nef!-
2kodJn~-n~u=tan- 1
2) +tan- 1
(2.8)
2 2 2 2
Jnc -neff Jnc -neff
enposantn~u = ~:
0
l'indiceeffectifdumode.
Par dualit avec le mode TE, on trouve l'quation caractristique du mode lM:
(2.9)
V indice de rfraction est dtermin 0,6JLm en mode transverse lectrique et transverse magntique 1'aide
d'un polariseur. Les valeurs que nous avons dtermines sont rassembles dans le tableau suivant:
Matriaux Indice de rftaction

1,519(tE.)
Ultradel9020
1,502 (IM.)
1,529(IE.)
Ultradel9120
1,514 (tM.)
Si(h (P.E.C.V.O.) 1,45
SiaN4 (P.E.C.V.O.) 2
PMMA-DR1 1,6
SFll 1,55
La diffrence entre l'indice en mode TE et en mode TM montre que le film est aoisotropse. Le dpt par
centrifugation oriente les molcules et cre a priori un ordre l'origine de l'anisotropie. Mais la mthode
des lignes noires ne permet pas de conclure sur le type d'anisotropie, uniaxe ou biaxe.
68 CARACTRISATION
2.2 llipsomtrie spectroscopique

Les mesures ont t effectues par E. Toussaere au Laboratoire de Physique Quantique Molculaire l'-
cole Normale Suprieure de Cachan. Dans cette technique, on mesure le rapport des rflectivits des ondes
polarises dans le plan d'incidence et des ondes polarises perpendiculairement au plan d'incidence. Les
chantillons sont composs d'un film de polymre d'paisseur proche du micromtre dpos sur un substrat
de silicium [24] . Des mesures automatises permettent d'avoir le spectre d'indice entre 0,25 J.Lm et 1, 7 J.Lm
1.n 0,0)
1,7 0,04
1,68
1 0,035
1,86
1\
o,
1,84 \\ 100mglml
0,025
1,62
\\ \
\\ 0,02
1,6 \\
'""-........-
0,015
1,58 ~
0,01
\. 15lmglml
1,58
"
1ngimm
1,54
1,52
21X1mg/m!_.....,.._ien_lllll:
0,005
- ......_ ....... (.. 11"'
0,2 0,4 0,.6 0,8 1.2 1.4 1,6 1,8
Figure 2.28 Indice ordinaire et birfringence du polyimide
Comme pour la mthode des lignes noires, le polymre dpos en couche mince par centrifugation est anisot-
rope linaire uniaxe. V indice de rfraction ordinaire dpend de la concentration en poudre de polymre dans
le solvant et de la nature du solvant. Plus la concentration est grande, plus 1'indice de rfraction ordinaire est
fatl>le. D'autre part, plus la solution est concentre, plus la birfringence diminue. Dans une solution plus
visqueuse, les chanes des polymres ont moins de degrs de libert pour s'orienter lors de la centrifugation
et la birfringence diminue.
3 Conclusion
La caractrisation lectrique des polymres constitue une premire approche des modulateurs. D'une part,
la caractrisation en constante localise a montr que la bande passante de ces structures ne dpasserait
pas 10 GHz. D'autre part, la mesure en constante distribue a donn une premire approche des pertes de
propagation en ligne coplanaire. Notamment la mthode de l'attnuation dmontre que la ligne coplanaire
n'est pas un candidat valable pour la modulation lectro-optique: pour un recouvrement efficace entre le
champ optique et le champ lectrique statique, les dimensions tranversales de la ligne sont du mme ordre
de grandeur que 1'paisseur de polymre, mais dans ce cas les pertes de propagation sont trs importantes et
limitent la bande passante. Les mesures montrent une permittivit relative constante dans la bande de mesure
de 10 GHz 40 GHz comprise entre 3 et 3,5. Les pertes dilectriques sont trs faibles et ngligeables par
rapport aux pertes ohmiques. Enfin, les mesures d'indice de rfraction montrent que les films dposs par
centrifugation sont anisotropes linaires uniaxes.
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70 CARACTRISATION
[14] HOFFMAN R.K.; Handbook ofmicrowave integrated circuit; Artech House; 1987
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[ 16] HURET Fabrice; Etude comparative de 1'Approche dans le Domaine Spectral et de la mthode des quations
intgrales singulires pour la simulaion des lignes planaires en technologies monolithique microonde; Thse
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[19] BIANCO B. et PARODI P; Determination of the propagation constant ofuniform microstrip Iines; Alta
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[22] DARGYS A. et KUNDROTAS J.; Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs andlnP, Tlilnius Science
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[23] DUBOIS J.-C.; Dilectriques Plastiques; Techniques de l'ingnieur, 1999; E-1850; p.6-14
[24] DONVAL Ariela; Conception et ralisation de composants lectroopt:iques polymres insensibles la pola-
risation; thse prsente l'universit Paris XI Orsay; 1999
CHAPITRE 3
CONCEPTION
Dans ce chapitre, nous aborderons d'abord les proprits des ondes guides, les quations de propagation
et les hyptohses associes, la notion de modes et les diffrentes approches dans 1'tude des ondes optiques
ou hyperfrquences. Par la suite, nous tudierons les outils de simulation des lignes hyperfrquences et des
guides optiques. Dans une dernire partie, nous prsenterons les objets dfinis par les simulations.
1 Proprits des ondes guides

Fusion de deux guides d'onde~ le modulateur lectro-optique ondes progressives se situe l'affinent de
deux disciplines. Les proprits des ondes, le comportement des matriaux et l'histoire ont conduit l'tude
de la propagation des ondes lectromagntiques se scinder en deux domaines: les micro-ondes et l'optique.
Prolongement de la monte en frquence de 1'lectronique classique, les hyperfrquences ont hrit des
concepts de courant, de tension et d'impdance caractristique, dfinis uniquement dans le cadre de la
propagation d'une onde Transverse Electro-Magntique (T.E.M). lls permettent d'tablir un modle de
ligne simple, physique, aboutissant aux caractristiques de la propagation. D'une manire plus gnrale, les
champs ne sont pas forcment transverses et le calcul des proprits de propagation ncessite la rsolution
des equations de Maxwell. Seule une ligne constitue de deux conducteurs spars par un milieu dilectrique
homogne peut supporter une onde T.E.M., les mtaux tant supposs infinement conducteurs; les relations
de continuit montrent que le champ lectrique est perpendiculaire l'interfce mta1/dilectrique. Mais le
comportement des matriaux est fonction de la frquence, et dans la gmmne des ondes optiques, le champ
lectrique pntre dans le mtal et ses composantes tangentielles ne sont plus nulles. Ainsi pour les ondes
optiqu~ le champ n'est jamais transverse. A 1'instar de la ligne T.E.M. en hyperfrquence, le guide optique
plan est au fondement de nombreux dveloppements, notamment la sparation du champ en modes trans-
verse lectrique (IE.) et transverse magntique (T.M.) gnralise l'tude des guides d'ondes 3D. Ces deux
approches sont des cas particuliers du contexte plus global de la propagation des ondes lectro-magntiques
o l'on retrouve en commun les quations de propagation et les modes de propagation.
1.1 Equations de propagation
1.1.1 Equations des tlgraphistes
Samuel Morse (Charlestown, 1791 - 1872), contemporain de Maxwell et inventeur du tlgraphe (les avis
sont partags et on attribue l'invention aussi Sir Charles Wheastone (Gloucester, 1802 - 1875) ), observa
qu' partir de trente kilomtres de ligne le signal n'tait plus dtectable. Avec les outils propres aux tlgra-
phistes, 1'tude des phnomnes de propagation, motive par cette limitation aboutit la thorie des lignes
72 CONCEPTION
et aux concepts d'impdance caractristique, d'adaptation d'impdance et d'ondes progressives. Les qua-
tions dveloppes l'poque portent encore le nom de leurs gniteurs, elles constituent les "quations des
tlgraphistes" (voir ci-dessous).
x. .
X+dX
..
. '
''
I . Ldx Rdx '
1I+dl
....'' '
:
...
1
'
'
,[v~v
1
...
v[ .. 1
'
'
. Cdx
'
Figure 3.1 Schma quivalent d'une ligne de propagation TEM
I.: quation des tlgraphistes:

D'aprs la figure 3.1, les quations des tlgraphistes dcoulent des loi des noeuds et des mailles:
~v ~v ~
x2- LC iJt2 - (RG + LC) t - RGv = 0 (3.1)
~- ~- i
- '2 - LC-'2 - (RC + LC)- - RGi = 0 (3.2)
x t t
Dans le cas o le rgime est simusodal (v= Vfiiwt; i = Ifiiwt), les quations (3.1) et (3.2) donnent:
~v
(R+jLw)(G+jCw)V (3.3)
x2
~~
x 2 = (R+jLw)(G+jCw)I (3.4)
Le second terme de 1'quation est assimilable une constante de propagation eton pose: 'Y = v' (R + j lN.J) (G + jCw ).
'Y est une valeur complexe dont la partie relle est une constante d'affaiblissement (en Np/m) et dont la partie imagi-
naire est une constante de pbase (en radlm). Dans le cas particulier des lignes sans pertes, la constan de propagation
est gale la cstante de pbase 'Y = {3 = w.../LC. On trouve alors la vitesse de phase Vp = 1/ ,fW.
La distribution de la tension et du c:ounmt le long de la ligne est la somme de deux ondes se propageant dans des
directions opposes (i: l'onde incidente et r: l'onde rflchie). V impdance caractristique est dfinie par le rapport
tension/courant des ondes :
Zc =V.= V,. = fR+ ~Lw (3.5)

I Ir VG+;Cw
Zc est l'impdance caractristique de la ligne, elles'exprime en n. Dans le cas d'une ligne faibles pertes, l'expression
de l'impdance caractristique se simplifie en:
Zc =v'JC (3.6)
Si la ligne est ferme sur une charge d'impdance caractristique Zc alors le courant et la tension rflchis sont nuls.
Le rgime qui s'tablit sur cette ligne est appel rgime d'ondes progressives.
Proprits des ondes guides 73
Ces quations ont le mrite d'introduire des notions telles que l'impdance caractristique, la vitesse de
phase et d'adaptation d'impdance que nous retouverons en hyperfrquence. Mais l'aspect gnral de la
propagation des champs lectromagntiques repose sur les quations de Maxwell, dont nous rappelons les
relations dans le paragraphe suivant.
1.1.2 Equatioas de propagation des champs lectromagntiques

-+
Dans un milieu avec tme densit de charges pet parcouru par une densit de courant J , les champs lectrique
-+ -+ -+ --+
E, magntique H et les champs inductions lectrique D, magntique B sont lis par les quations de
Maxwell:
(3.7)
-+
-+ an --+
-+
VAH=-+J (3.8)
at
-+--+
V.D =p (3.9)
-+-+
V. B = 0 (3. 10)
--+
avec V - ! ? + ~y + %z 7. A ces quatre quations, on ajoute l'quation de conservation de la
charge:
-+-+ p
v.J =-- (3.11)
t
Nous devons faire une dist.inction entre les courants et les chalges qui sont les sources des champs et les couran1S et
-
les charges indui1s par les champs dans un milieu avec une conductivit fmie. Ce dernier courant est proportionnel au
champlectriqueetreprsentparletermeu E (uestlaconductivitdumilieu).Lecourantdeconducti.onpeuttrepris
en compte en remplaant la pennittivit Epar la pennitti.vil complexe ~ ( 1 - j tan 6) avec 6 = arctan ( .,;; + -z!;r)
(west la pulsation de 1'onde). La densit de charge libre, excepte celle associe aux courants imposs, peut-tre estim
nulle. Ainsi la densit de clwges et la densit de courant apparaissant dans les quations de propagation sont les cbmges
et les com:ants d'excitation.
En combinant les quations (3.7), (3.8), (3.9) et (3.10), pour un rgime sinusodal, on obtient les quations
de propagation ou quations de He1mholtz :
-+-+-+
r72-+E
v + k2-+E .
= 'tWf..t
-+J
-
V V. J
- - .- - (3.12)
'lW
--+ --+ --+ -+
V 2 H +k2 H =-V 1\ J (3.13)
avec k 2 = Ef..tu}.
--+ --+
Par la suite, nous poserons J = 0 . En hyperfrquence, cette hypothse traduit que 1'tude de la propaga-
tion se fait loin des sources. En optique, cette condition est gnralement admise. Elle traduit que le concept
de courant disparat ces longuems d'ondes. Les quation de propagation sont rduites la forme suivante:
74 CONCEPTION
(3.14)
(3.15)
1.2 Modes
V nergie lectromagntique d'une onde confine se rpartit en une ou plusieurs configurations suivant la
gomtrie et les dimensions de l'espace qu'on lui concde (on peut y voir la tendance de tout chacun
d'occuper tout 1'espace sa disposition). Chaque configuration est appele mode. Les modes constituent une
base orthonorme (voir page suivante) de sorte qu'il n'y ait pas d'change d' neigie entre deux configurations
et que la distribution d'nergie puisse se dcomposer tout instant et chaque section du guide comme la
somme pondre de tous les modes. Les champs lectriques et magntiques s'expriment alors sous la forme:
00
E = LLavp,B:; + jj a(v,J.t)Ev,p, (x,y)dxdy (3.16)

v p, 0
Ji
00
H = LLbvp,Bv:+ a(v,J.t)Ev,p,(x,y)dxdy (3.17)

v Il 0
Le profil du champ se dcompose en une somme finie de modes guids et une somme continue de modes
rayonns. I.:approche du guide plan en optique gomtrique fournit une explication simple de la nature
discrte des modes de propagation (mettre ref). Chaque mode est caractris par sa constante de propa-
gation ou par son indice effectif V indice effectif est l'indicateur du confinement du mode, plus il est proche
de l'indice du coeur, plus le mode est confin. Sa valeur (nef!) est toujours comprise entre l'indice du coeur
ne et la valeur maximale des indices de confinement ngmax, soit ne > neff > ngmax En hyperfrquence,
on prfra parler de permittivit effective Eeff lie l'indice effectif nef/ par la relation: eff = n~ff Pour
les lignes hyperfrquences reposant sur un substrat de permittivit 8'Ub, on peut donner l'encadrement sui-
vant: 8 w > Eef1 > 1. Le premier mode apparatre est le plus confin; plus l'ordre du mode augmente,
moins il est confin et son indice effectif dcrot Ainsi, suivant l'ordre i = 1, 2, 3, 4 ... on observe que les
constantes de propagation dcroissent avec l'ordre du mode, soit (31 > (32 > {33 ... ((3i = neffi* {30 avec
{30 le nombre d'onde dans le vide). Ces proprits des modes seront mises profit par la suite pour analyser
les structures de propagation.
Dmonstration: les modes sont orthogonaux:
Soient { E;, :H:} et { .E;, 1h} les champs de deux modes, le calcul du flux de la densit de puissance donne partir
de quations de Maxwell (3.7), (3.8), (3.9)et(3.10) donne:
--> 1\ Hi
\1 ( E1 -) = iw ( 1.E2-
-...... --)
p,H1Hi
En inversant les indices et en prenant le complexe ~ug de 1'quation prcdente, l'addition de ces deux dernires
donne:
(3.18)
Proprits des ondes guides 75
--+ ~ ~ --+
Si on exprime les champs en fonction des modes: E1 = E., (x, y) exp ( -if3.,z) et E.z = Ep. (x,y)exp ( -if3P.z ),
l'quation (3.18) donne:
\lt. ( E: 1\ Hf.+ 'if. 1\ i) t - i (f3v- f3P.) ( &: 1\ Hf:.+ Er. H:) z = 0

1\ (3.19)
Nous avons spar les composantes transversales (t) et longitudinales ( z). En appliquant le thorme de la divergence
~--+ --+
~
au premier terme de l'quation (3.19), on calcule la circulation du vecteur E., 1\ H; + E;. 1\ H.., sur contour ferm.
Comme les modes sont confins, l'amplitude dcrot exponentiellement Pour un contour infiniment loin du guide,
l'intgrale tend vers zro. Pour les modes rayonns, 1'argument est plus compliqu et implique Ja nature oscillatoire de
ces modes.
Les termes restant aprs cette premire simpliflcation sont:
(3.20)
-oo
Implicitement nous avons pos /1.., # f3 P.' chaque mode est caractris par sa constante de propagation. Pour une onde
se propageant en sens inverse (note -v), par symtrie nous avons Et,-v = Et,v et Ht,-v = -Ht,v et l'quation
(3.20) devient:
-too
!! (&:
-oo
1\ Hf:- Er. 1\ ::) dxdy = 0 (3.21)
En additionnant les quations (3 .20) et (3.21 ), on obtient l'quation d'orthogonalit des modes:
+oo
j j "E:: 1\ Jif.dxdy = 0
-oo
avecv=j;JL
76 CONCEPTION
1.3 Rcapitulation
Les hyperfrquences I.:optique
Historique
r: lectricit I: optique gomtrique
Les tlgraphes I: optique ondulatoire
Hertz et Rubens unifient les deux disciplines.
Les quations de
V---+---+
1\ E = _8B
&t
V 1\ jj = 8D
---+---+&t
+j
Maxwell v.D=p v.B =O
v 2 E ---+ = iw~t 7- 2:zJ
+ k 2 E ---+
Les quations ---+ ...J#If:
\12 H + k2 H = -V 1\ J
de Loin des sources
1J = ---+
0
Pas de courants
--+ ---+ ---+

propagation 2 2
V H +k H = 0
--+ ---+ ---+
V 2 E+~E=0
les dimensions Centimtriques Micromtriques
Polarisation lectronique et
Le comportement des polarisation d'orientation Polarisation lectronique
matriaux molculaire ou atomique
Infiniment conducteur
Les mtaux Le champ lectrique est per- Plasma lectronique [2]
pendiculaire la surface
Les modes forment une base orthonorme
Le modle de la ligne bifilaire Le modle du guide plan
Les modes
ModeT.E.M. 1 Dcomposition en modes T.E. et T.M.
Mme si les travaux de Hertz et de Rubens ont unifi dans le domaine de 1'lectromagntisme les disciplines
del' optique et des hyperfrquences, leur origine, les modles tudis dans chaque science et 1'interaction des
ondes avec la matire ont conduit deux approches de la propagation des ondes lectromagntique. Nous
conformant cette philosophie, l'tude du modulateur ondes progressives se scindera en deux parties: la
modlisation lectrique de la ligne hyperfrquence et la modlisation du guide optique.
2 Modlisation lectrique
Du premier chapitre, il ressort qu'un des principaux avantages des polymres est de pouvoir servir de substrat
la ralisation d'une ligne micro-ruban. La ligne micro-ruban (fig.3.2) est compose de deux conducteurs:
run est de largeur W, d'paisseur tet de conductivit p dpos sur une face du dilectrique, l'autre est un
plan mtallique sur la face oppose servant de masse. Le dilectrique a une paisseur h, une permittivit
relative r ( = ro) et un angle de perte tan8.
Modlisation lectrique 77
Substrat
s, tan
Figure 3.2 Ligne micro-ruban
2.1 Approximation quasi-TEM

Un mode TEM pur ne peut se propager dans un milieu dilectrique inhomogne pour des frquences non-
nulles. Ceci peut se dmontrer aisment par Ja prsence de l'interfce air/substrat dans la section transversale
de la ligne micro-ruban. Une onde T.E.M doit avoir une vitesse c 0 dans l'air et une vitesse c0 f .ji; dans le
substrat, ainsi les deux parties de l'onde se propageant avec des vitesses diffrentes ne peuvent produire
un mode unique. Des ondes avec une vitesse autre que C0 ne peuvent se propager dans 1'air que si des
composantes longitudinales sont possibles (comme dans les guides d'ondes).
Les modes se propageant dans une ligne micro-ruban sont des modes hybrides. Les modes hybrides ont des
---+ --+ ---+ --+
composantes longitudinales EL et HL et des composantes transverses Er et HT. Des courants longitudi-
naux et transversaux se propagent dans les lectrodes. A cause des courants transverses, le courant total sur
les rubans mtalliques ne peut plus tre dfini de faon globale. A cause de la prsence du champ lect-
rique longitudinal, Ja tension, dfinie par la circulation du champ lectrique sur une trajectoire reliant les
deux conducteurs, va dpendre du chemin d'intgration. Ceci veut dire que la tension mesure entre les deux
conducteurs va dpendre de l'endroit o on la mesure. Comme la tension et le courant ont des valeurs mul-
tiples, alors l'impdance caractristique a des valeurs multiples pour les modes hybrides. Seule la vitesse de
phase Vp d'un mode hybride a une valeur unique, qui est fonction de la frquence.
Le mode quasi-TEM est une variante des modes hybrides trs proche des modes TEM purs. La structure
particulire des lignes micro-rubans se rapproche des lignes TEM, puisque seule une faible partie du champ
se propage dans 1'air. Le mode quasi-TEM est un mode hybride dans lequel les proprits spcifiques du
mode TEM prdominent, soit EL << ET et HL << HT. Plus la frquence est basse, plus les ondes
approchent un mode TEM pw: Ainsi, les variations spatiales du courant et de la tension sont faibles et on
peut dfinir une impdance caractristique pour la ligne. On dfinit la frquence maximale f 9 ,stat, au del
de laquelle l'approximation quasi-statique n'est plus valable. Elle est gale au dixime de la frquence de
78 CONCEPTION
coupure du premier mode suprieur H E 10, dtermin partir du modle de guide d'onde planaire [3] . /g,stat
est donne par:
. Jg,stat ~0, 04.ZL/h (3.22)

O ZL est l'impdance caractristique de la ligne en n, h est la hauteur du dilectrique en mm et /g,stat est
exprim en GHz.
J: approximation quasi-T.E.M. suppose alors que 1'impdance caractristique et la permittivit effective sont
constants sur l'ensemble des frquences de travail. Ces grandeurs sont donc calcules frquence nulle, dans
le cadre de 1'analyse quasi-statique.
2.2 Analyse quasi-statique

Uhypothse quasi-statique simplifie les quations en annulant tous les termes dpendant du temps et rduit
la rsolution des quations de propagation 1'quation de Poisson. En 1'absence de charge, elle est donne
par:
(3.23)
o V est le potentiel.
!:inductance d'un conducteur quelconque est lie au champ magntique. Dans un milieu non-magntique
(J.lr = 1), la prsence de dilectrique ne va pas modifier la distribution du champ magntique et donc
la valeur des inductances. Fond sur ce principe, le calcul de l'impdance caractristique de la ligne fit
intervenir le calcul de la capacit C entre le ruban et le plan de masse pour la ligne micro-ruban (fig.3 .3
gauche) et le calcul de la capacit Co (en F/m) entre le ruban et le plan de masse sans le dilectrique (fig.3.3
droite). On remarquera que la structure, dont le dilectrique est remplac par 1' air, propage un mode T.E.M.
pur. La vitesse de phase, dans la cas d'une ligne faible perte, est Vp = c0 = 1/ ~-V inductance L (en
Hlm)est donc donne par:
L=-1- (3.24)
Co~
V impdance caractristique de la ligne (fig.3.3 gauche) est donne par:
Zc= # (3.25)
En combinant les quations 3.24 et 3.25, on trouve la valeur de l'impdance caractristique (voir le para-
graphe: Equation des tlgraphistes):
Z _ 1 1 _ 'f/0 0
(3.26)
c- CoJCC0 - ~
avec 'f/ 0 = ~ = 1201r0 (impdance caractristique du vide).
De la mme faon, on dtermine la vitesse de phase du signal:
vp=coy
re:0
Modlisation lectrique 79
Si l'on fait l'hypothse que l'paisseur du ruban est nulle, le calcul exact de Co est possible partir de la
transforme conforme de la section droite de la ligne micro-ruban [3] . Dans chaque autre cas. la rsolution
de l'quation de Poisson sera numrique. Nous avons dvelopp une mthode de calcul de la distribution du
potentiel partir de la mthode des lments finis. r: espace est dcoup en lments rguliers de dimensions
hx et h11 (fig.3.4).
On exprime les potentiels Vi en fonction du potentiel V:,:
~ =Vo+hx (~~) 0 + ~; (:;) 0

+ .. .
V3 = Vo- hx ( ~~) 0
+ ~ ( ~;) + .. .
0
v.= V.+hy (Z)o + ~ (Z)o + .. .

V2 = v.- "" ( Z) 0 +~ ( Z) +
0
En exprimant les drivs secondes du potentiel au point considr en fonction des potentiels "i adjacents et
en ngligeant les drivs d'ordre supriew; on obtient:
v: __h;~cv,_l_+_M-:-a..;_)_+_h__;;;-:c-~_+_v;_4)
2 (h~ + h;)
0
-
Le potentiel est calcul de proche en proche 1'intrieur de la fentre de simulation. Le calcul est arrt
lorsque la diffrence ( de aux approximations) entre deux itrations est infrieure la prcision dsire. Les
conditions aux limites sont les suivantes:
sur les bords de la fentre de calcul, on applique les conditions de Nemnann. Le champ ne sort pas de la
fentre de simulation;
sur les rubans mtalliques, les conditions de Dirichlet. Le potentiel est fixe la surface des mtaux;
aux interfaces dilectriques, les conditions de discontinuit de champ lectrique. Sur le figure 3.5 est
reprsente une surface sparant deux milieux d'indice diffrent n; et T; sont les vecteurs normaliss
perpendiculaires la surfce. La relation de discontinuit des champs electriques est donne par:
--+ --? --T --? --+
E1n1.E1- E2n2.~ = 0
en 1'absence de densit de chalges la surface.
2.3 Approche dans le Domaine Spectral (A.D.S.)

Comme nous l'avons dj crit, la ligne micro-ruban ne supporte pas de mode T.E.M. pm: Les modes hybrides
qui se propagent dans la ligne sont appels mode E Hm ou modes HEm, les modes hybrides possdent des
composantes longitudinales des champs lectrique et magntique. Le mode EHm (resp. HEm) dsigne
le mode hybride dont la composante longitudinale du champ lectrique (resp. magntique) est suprieur
la composante longitudinale du champ magntique (resp. lectrique). Les modes hybrides ne peuvent tre
pleinement dcrit en tenne de capacit et d'inductance statique. Les quations de propagation doivent tre
80 CONCEPTION
Air
1
4w. . 1 1
4w.
1
1 1 1 1
l 1
1
Air 1 1
Figure 3.3 Principe de calcul de l'impdance caractristique en analyse statique
Figure 3.4 Espace de simulation
Figure 3.5 Surfce de discontinuit

Modlisation optique 81
rsolues sous leur forme complte (3.12) et (3.13) pour dterminer les constantes de propagation plutt que
les capacits values en analyse quasi-statique.
I.: Approche dans le Domaine Spectral [4] , [5] est un calcul exact de la constante de propagation complexe
d'une ligne hyperfrquence. Le principe de la mthode repose sur la transforme de Fourier selon l'axe x de
1' espace rel (Figure 3.6). L'espace transpos est un guide plan multicouche, dont la rsolution des quations
de propagation peut se dcomposer en modes T.E. ou T.M. L'application des conditions de continuit peut se
faire dans l'espace rel (mthode des quations intgrales) ou dans l'espace image (mthode de Galerkin).
Nous utilisons le code de calcul [6] dvelopp dans l'quipe dirige par le professeur P. Kennis. Sur un
ordinateur personnel (P.C. 400 MHz), le temps de calcul de la constante de propagation et de l'impdance
caractristique est infrieur la seconde.
Espace rel Espace image

y=D y=D
y={) ~-------..__-1 +00 y=O
y=-h ------!+a
!-,
y=-h
l-a
Figure 3.6L'Approche dans le Domaine Spectral
3 Modlisation optique
Partons du principe physique suivant: la lumire suit le chemin le plus rapide. La vitesse de groupe de 1'onde
optique doit tre la plus grande. Comme le produit vitesse de groupe par vitesse de phase est constant (voir
dmonstration ci-dessous), la vitesse de phase doit tre minimale. !:onde optique se confine donc le milieu
dont l'indice est le plus fort. Pour confiner la lumire dans les deux directions du plan, il faut crer une
zone d'indice de rfraction fort dans un milieu d'indice plus faible (quiavlent un puit de potentieb> [7] ).
Partant de ces considrations, on peut distinguer les diffrents guides d'ondes optiques suivants:
les guides enterre (fig.3.7): le matriau d'indice plus fort est noy dans un matriau d'indice plus faible.
C'est le guide le plus courant avec les matriaux amorphe comme la silice, le niture de silicium et les
polymres. il est galement utilis en III-V dans les laser.
les guides en artes (fig.3. 7): un guide plan est grav pour former un ruban sa surface. Par rapport au
guide plan, le ruban va crer un espace o la vitesse de groupe de la lumire est plus grande. La lumire
est alors confine par le ruban.
les guides chargsparunruban dilectrique (fig.3.8): il s'agitdu mme principe que le guide en arte mais
le ruban est d'un matriau diffrent du guide plan. Le matriau modifie localement l'indice de rfraction
vu par 1' onde. Comme celui-ci est suprieur 1'indice de l'air, 1' onde est confine sous le ruban.
82 CONCEPTION
les guides chargs par un ruban mtallique (fig.3.8): si la partie relle de l'indice du ruban est infrieure
celle de 1' air comme dans le cas des mtaux comme 1'or, 1' argent, le platine ou le cuivre, 1' indice effectif
de ronde sous le ruban est infrieur celui associ ronde du guide plan. Dans ce cas de figure, pour
crer une situation de guidage, deux rubans mtalliques sont ncessaires pour former le guide optique.
Dmonstration: le produit vitesse de phase par vitesse de groupe est constant.
En combinant les quations de Maxwell (Eq.3.7), (Eq.3. 7), (Eq.3.7) et (Eq.3.7), on obtient l'quation de propagation
dans un milieu htrogne:
2......
'V E +'V
->
(......
'V er (x, y, z) -+
(
E:r x,y,z
)
) .E +p.(x,y,z)e(x,y,z) t2 = 0
fYE...... -+
(3.27)
Pour simplifier, on crite (x, y, z) = e et p,(x, y, z) = J.t. De plus, pour faliciter la lecture, nous faisons l'hypothse
d'1n1 seul mode; mais la dmonstration peut se developper pour une struture multimode. On pose qu'un profil de
champ se propage avec une constante de propagation (3, soit:
E= :E;~(wt-j3z)
......
o Eo est un profJ.l. de champ quelconque dpendant des varaibles x et y. Ceci suppose qu'un mode se propage sans
rflexion et donc que le milieu est invariant dans la direction z. On a donc ;r
8
uz
-
= 0, le terme vere((z,y,)).
x,y,z
E de
......
l'quation 3.27 ne dpend plus de z.
r; quation 3.27 devient:
v~:E; +v; (v;E:r(x,y,z)

E:r(x,y,z)
.e:) + (w 2 p,e- {32) E; = 0 (3.28)
->
On drive alors cette quation par rapport (3. Comme les deux premiers termes et Eo sont indpendants de (3,la driv
de l'quation 3.28 donne:
w
2w-p,e- 2(3 = 0
(3
ou encore
2(3 (~ :;J.L- 1) = 0
Comme la vitesse de phase est dfinie par v"' = ~'la vitesse de groupe dfmie par v 9
fJ
= ~'.;;
1-'
et -::'?-- =
neff
..!., on
IJ.e
obtient:
Ces structures ont des gomtries quasi-planaires avec des angles droits. Il en rsulte que les conditions
aux limites ne font apparatre des couplages entre les composantes des champs qu'aux points anguleux.
Si on les nglige, le champ lectrique peut se dcomposer suivant les deux directions de la section droite
du guide. On retrouve dans ce cas la dcomposition en modes Transverse Electrique (T.E.) et Transverse
Magntique (T.M) du guide plan. La rsolution des quations de propagation du guide plan est dj aborde
dans le second chapitre au paragraphe 2.2.1, pour de plus amples informations nous renvoyons le lecteur aux
rfrences suivantes: [8] , [9], [10] et [11] . Fond sur le principe de la dcomposition en mode T.E. ou
T.M., la mthode des indices effectifs et la mthode de MARCATILI permettent une approche des guides en
trois dimensions. L'analyse de la propagation dans des structures plus complexes sera numrique.
/
, /
,,
/
" " , , , ",

,, /
f,:~i'(,,,'"
substrat
Figure 3. 7 Guide enterr ( gauche) et guide en arte ( droite)
Air
Figure 3.8 Guides chargs par un ruban dilectrique ( gauche) et par un ruban mtallique ( droite)
Figure 3.9 Principe de la mthode des indices effectifs

84 CONCEPTION
3.0.1 Mthode des indices effectifs [8]
La mthode des indices effectifs s'opre en deux tapes. Dans un premier temps, le guide optique est d-
compos en trois zones qui seront traites comme des guides plans (fig. 3.9 gauche). I.:analyse de ces
guides plans fournit les diagrammes de dispersion, les modes de propagation autoriss dans le guide et les
indices effectifs associs aux diffrents modes en fonction des indices ~ et des paramtres gomtriques B
etC. I.:information complte du confinement de la lumire est contenue dans l'indice effectif: Ainsi pour
le mode considr, chaque zone peut tre remplace par une zone homogne d'indice gale l'indice effec-
tif du mode. La structure de confmement en trois dimensions se rsume maintenant un second guide plan
(fig. 3.9 droite) dont on fait une seconde analyse en changeant la polarisation du mode (si la premire ana-
lyse est faite en mode TE, la seconde est faite en mode TM et vice-versa). Cette seconde analyse fournira
les indices effectifs des modes dans le guide en ruban en fonction des indices effectifs neffi et de la largeur
du ruban A. Cette mthode est par son mode opratoire particulirement bien adapte l'tude des guides
en ruban. Toutefois, le principe de dcomposition en deux guides plans ne peut tenir compte du confinement
dans les deux directions en mme temps; la mthode est limite 1'tude des guides fible confinement
Pour des guides fort confinement, un modle propos par Marcatili permet une analyse simple.
3.0.2 Mthode de MARCATILI [12]
Figure 3.10 Zonage de la section du guide optique
Le modle de Marcatili s'inspire de l'analyse du guide plan. Pour que la lumire soit guide, il faut que le
champ soit confin dans le coeur du guide et donc que l'amplitude du champ suive les mmes lois que celles
tablies pour le guide plan: exponentielle dcroissante dans les rgions de confmement et sinusodale dans
le coew: Pour aborder le problme avec simplicit, les variables sont spares de faon exprimer le champ
comme le produit de fonctions ne dpendant que d'une seule variable. Cette mthode impose de ngliger
les zones o les variables sont corrles (rgions angulaires du guide, zones hachures de la figure 3.10).
I.:accord avec les hypothses est possible pour des modes fortement confins ou loin de la coupure du mode
suprieur. Les modes du guide d'onde rectangulaire peuvent tre regroups en deux bases E;q et~' o les
nombres p et q correspondent au nombre de maxima dans la distribution du champ suivant les directions x
et y. Pour les modes Eh, seule la composante Ey a une valeur significative, les composantes Ex et Ez sont
ngligeables. Par symtrie, les modes E~ sont caractriss par leur composante Ex, les composantes Ey et
Ez sont ngligeables.
I.:analyse de Marcatili:
Par analogie avec le guide plan, nous pouvons poser:
Mt cos(k.,tx +a) cos(kytY + .8) pour v= 1
M2 cos(k.,2x + a) exp( -jky2y) pour v = 2
H,.,, =exp( -jkzz + jwt) M3 cos(ky3y + .8) exp( -jk.,3x) pour v= 3
{ M4cos(k.,4x+a)exp(jky4y) pour v=4
Ms cos(kysy+ .B}exp(jk.,sx) pour v= 5
o M, est l'amplitude, west la frquence et eo la permittivit du vide. Les phases a et f3localisent les maximums
dans la rgion 1 et k,.,~< et kyv sont les constantes de propagation transverses dans les divers milieux respectifs. Les
conditions aux limites imposent k..1 = kz2 = k,.,4 = k., et kyt = ky3 = kys = ky. Ainsi on peut dmontrer que:
112
kz =(kr-k;- k;) (3.29)
avec kt = ~:nt o o est la longueur d'onde dans le vide.
Pour le mode e:q.
seuls les composantes Ey et H., sont non-nulles. En appliquant les conditions de continuit des
champs aux limites de la rgion 1, nous obtenons:
k., a = prr - arctan k,.,( 3 - arctan k.,5 (3.30)

et
(3.31)
avec
(3 = -1- =
' lk;l [(:~r
1
------:-:::-
-..r (3.32)
etA,= (k 2 -k..,
1
""2 ) 1 72 = ( >-a
2 n 21 -nlf
2 ) 1; 2
1
"l~ ~~~ ~ [(:J -..

ov=2,3,4,5
1
r (3.33)
Les quations (3.29), (3.30) et (3.31) peuvent tre rsolues numriquement ou analytiquement au prix d'approxima-
tions.
A titre de comparaison, nous avons confront la mthode de Marcatili avec un logiciel de calcul de mode
commercial. Pour un guide enterr carr avec un cur en P.M.M.A.-D.Rl et un confinement en polyimide
S.Ell, l'paisseur de coupure du premier mode est de 2,9 Jlffi 0 = 1, 55 Jlm et de 2,4 pm 0 =
1, 3 pm A l'aide du logiciel Optical Wclveguide Mode Solvers Suite dvelopp par Apollo Photonics Inc., les
paisseurs de coupure du premier mode suprieur sont 2,6 Jlm 0 =
1, 55 Jlmet2,2 p,m 0 1, 3 Jlm. =
La diffrence entre les paisseurs s'expliquent essentiellement par la dcorrlation des variables du modle
de Marcatili.
La rsolution analytique des quations de propagation s'arrte aux cas que nous venons de prsenter. La
modlisation de guide optique gomtrie complexe ne peut tre aborde que sous un angle numrique. Les
86 CONCEPTION
outils dvelopps dans l'quipe par Luc Joanns [13], Gnangbai Jin [14] et Vmcent Magnin [15] utilisent
le principe des faisceaux propags.
3.1 Mthode des faisceaux propags

Les tennes de mthode des fuisceaux propags (ou Bearn Propagation Method suivant la dnomination
anglo-saxonne) recouvrent plusieurs approches de la propagation guide. La plus complte est probable-
ment l'approche dans le domaine temporel [16], [17]. Elle permet notamment d'tudier la rflexion de la
lumire selon des axes quelconques ou la diffraction grand angle. Pour des structures droites ou avec un
angle faible par rapport au faisceau de lumire, il est possible d'utiliser l'approche dans le domaine spa-
tial, la variable temporelle est limine (rgime permanent). Quelle que soit 1'approche considre, on peut
distinguer diffrentes faons de resoudre les quations: la transforme de Fourier (BPM-FFT) [18] ou les
diffrences finies (BPM-FD) [ 19] .
3.1.1 Principe et hypothses
Le principe de la mthode des faisceaux propags dans le domaine spatial est de diviser la structure en
tranches espaces d'un pas de propagation lmentaire et de rsoudre les quations de propagation de la
tranche suivante partir du champ connu de la tranche prcdente.
1 1 1
1 1 1
:z
1
: Z+dZ
1 i Z+lo
Figure 3.11 Principe de la B.P.M.
Jusqu'ici nous avons toujours considr que 1'onde se propageait dans un milieu isotrope et homogne par
partie, les relations de dispersion taient obtenues par l'application des relations de continuit des champs
lectrique et magntique aux interfaces. Si nous introduisons dans les quations de Maxwell une pennittivit
fonction de l'espace (x, y, z), les quations de propagation incluent un nouveau terme reprsentant le
couplage entre les diffrentes composantes des vecteurs:
~ ) fP ~
2~
(
~ Vr (x,y,z) ~ E ~
\7 E +V' ( ) .E +J.L(x,y,z)(x,y,z) &t2 = 0 (3.34)
r X, y, Z
-+
V H
2 -+ V r (x, y, z)
+ ( (-+ ---+)
) A V A H + k02r (x, y, z) -+ H = 0 (3.35)
r x,y,z
Le faisceau est propag dans la direction des z croissants, ainsi nous devons faire l'hypothse que la permit-
tivit varie faiblement dans cette direction (soit 8r/z = 0) afin de ne pas avoir prendre en compte des
ventuelles rflexions des champs. Cette hypothse simplifie les quations (3.34) et (3.35):
2 Vir(x,y,z) [ ] 2 ( )
(3.37)
V Hi- ( ) Vi'Hi- ViHi' +kor x,y,z Hi= 0
r x,y,z
o i et i' indique les directions tranversales la direction de propagation. A ce stade, les quations de propaga-
tion sont encore complexes; mais grce deux approximations, nous pouvons obtenir une forme facilement
programmable.
La premire hypothse consiste considrer qu'il n'y a pas de couplage entre le composantes du champ, cela
revient retirer les termes croiss des quations (3.36) et (3.37). Elle implique que l'on peut dcompos le
champ suivant les deux axes du repre de la section de guide. Pour un algorithme en deux dimensions (y, z ),
cette hypothse s'apparente une dcomposition en mode Transverse Electrique ou Transverse Magntique.
Cette approximation est justifie de la mme faon que la mthode des indices effectifs, sachant que la forme
particulire des guides optiques ne favorise pas le couplage des composantes. La mthode des faisceaux pro-
pags fonde sur cette hypothse est apple B.P.M. semi-vectorielles [20] [21] par opposition la mthode
vectorielle [22] . Cette premire hypothse est appele l'approximation scalaire (ne pas confondre avec la
B.P.M. scalaire dans laquelle les discontinuits aux interfaces ne sont pas prises en compte).
La seconde approximation doit permettre d'obtenir facilement la distribution du champ aprs un pas de
propagation. Dans les quations (3.36) et (3.37), nous pouvons remplacer Ei par:
Ei = W (x, y, z) exp ( -if3z)
2
La drive seconde en fonction de z contenue dans le terme V Ei donne alors:
ff2Ei_ff2w(x,y,z) (--f3)- 2 .f38w(x,y,z) (--f3)-f32 ,T.( ) (--/3)
8z2 - 8z2 exp 'l z 'l z exp 'l z '.l' x, y, z exp 'l z
Le nouveau profil du champ aprs un pas de propagation est calcul partir des drivs premire et se-
conde de la fonction W (x, y, z) mais la derive seconde fait intervenir le profil sur trois pas de propagation.
Si l'on considre de faibles variations d'amplitude du champ pendant la propagation, nous pouvons faire
l'approximation suivante:
w~:;y, z) 1~ 12i/Jaw (~~y, z) 1

2
18
Cette hypothse s'appelle l'approximation paraxiale. Il a t montr avec une technique non para:xiale que
les rsultats diffrent peu et donc que 1'approximation paraxiale peut tre applique diverses structures [23]
[19] . Sous forme discrte, les quations (3.36) et (3.37) deviennent
88 CONCEPTION
21-.13 -w (xz, Ym, Zn+l) - "iii (xz, Ym, Zn) ",y, (

=~':l' Xz,Ym,Zn ) + (k2on2 ( Xz,Ym,Zn ) - /32) ,y, ( Xz,ym,Zn )
':l'
Zn+l- Zn
(3.38)
o 6 est 1'oprateur fonction de la polarisation choisie, l, m et n sont les indices de la discrtisation du guide.
Les oprateurs sont discrtiss partir d'un dveloppement de Taylor des drivs; l'quation se dveloppe
en un systme d'quations linaires que 1' on rsout par des algorithmes classiques.
3.1.2 Analyse modale partir de la mthode des faisceaux propags [24]
Le profil du mode peut se dcomposer en fonction des modes guids de la manire suivante:
(3.39)
n
avec an le poids du mode En (x, y) et f3n la constante de propagation de chaque mode. Pour une structure
en trois dimensions et pour plus de prcision, une notation avec deux indices est utilise pour indiquer le
nombre de maxima dans les deux directions de l'espace. Dans cet exemple, nous n'utiliserons qu'un indice
de faon normaliser l'organisation des modes par ordre d'apparition.
La mthode est fonde sur la propagation de l'onde selon l'axe imaginaire iz. En remplacant z par iz,
l'quation (3.39) devient:
(3.40)
n
I.;nergie dans le guide crot avec la propagation, mais la relation /30 > /31 > /32 > ... > !3n > !3n+l
montre que plus l'ordre du mode est faible, plus le mode est amplifi. Au bout d'une propagation suffi-
samment longue, le mode fondamental est prpondrant dans la distribution d'nergie et nous pouvons faire
l'approximation de l'galit des deux. Les modes d'ordre suprieur sont calculs en vertu>> du principe
d'orthogonalit des modes, aprs calcul du mode n- 1 on retranche chaque pas de propagation le poids
des n - 1 modes pour n'obtenir que le mode d'ordre n. L'indice effectif du mode dcoule directement de
l'quation de propagation (3.34):
JJ [~n2 (x, y, z) jEj 2 -lEjxj 2 -jEfyl 2 ] dxdy

nef!= JJ jEJ2 dxdy (3.41)
Nous avons adapt cette mthode au programme de B.P.M.-3D. en diffrences finies. Pour viter tout pro-
blme de conditions aux limites en bord de fentre de calcul, 1'nergie du mode est normalise chaque pas
de propagation. Cette mthode prsente 1'avantage de pouvoir calculer le mode de structures trs complexes,
mais reste sensible au degr de symtrie de la gomtrie de guide.
La dcroissance de la constante de propagation avec l'ordre (/30 > /31 > /32 > ... > !3n > !3n+l) montre
que la distance de propagation ncessaire et donc le temps de calcul augmentent avec 1'ordre du mode.
D'autre part, si le calcul du mode fondamental ne pose gnralement pas de problme, l'injection d'une
gaussienne, fonction paire (dans les deux directions du plan de section), ne favorise pas le calcul du premier
mode suprieur, fonction impaire dans l'une des directions. Au dtriment du temps de calcul du mode fon-
damental, pour fvoriser l'apparition du mode suprieur, on pourra dcentrer l'injection de la gaussienne ou
tronquer son profil pour obtenir une distribution ni paire, ni impaire.
A titre d'exemple, nous prsentons l'analyse modale d'un guide enterr de forme carr avec une diffrence
d'indice de 0,1. Les dimensions sont choisies pour que le guide soit multimode. Sur la figure 3.12, nous
avons reprsent l'volution de l'indice effectif des modes en fonction de la distance de propagation sur
r axe imaginaire.
Indices effectifs
1.58 -c=:;::===========================---
profil inject
a Premiers modes
suprieurs
15
1.48 ----.....------r------,--------.
0 20 40 so eo 100
Distance de propagation (en
a+b a-b
Figure 3.12 Conve~ence de l'indice en fonction du profil inject
Lorsque le profil inject au centre du guide est une gaussienne, le calcul du mode fondamental converge
sur quelques micromtres. Par contre, pour le calcul du premier mode suprieur, on observe un pallier cor-
respondant au temps ncessaire pour que les fonctions impaires du bruit numrique soient amplifies. En
revanche, le spectre de la gaussienne tronque contient des fonctions paires et impaires, le calcul de l'in-
dice effectif converge sur une dizaine de micromtres contre 80 micromtres pour la gaussienne. Le profil
du mode calcul n'est pas trs acadmique, la dnommination en mode T Enm et T Mnm n'est possible
qu'aprs remaniement des profils obtenus. D'autre part.!' algorithme calcule d'abord les modes du plus fort
indice effectif; l'indice le plus lev de la fentre de simulation doit donc tre celui du cur du guide. Il est
alors difficile de trouver un critre systmatique de convergence d'arrt de la simulation.
Enfin, nous avons compar les indices effectifs calculs par la mthode de Marcatili avec ceux calculs par la
mthode de propagation sur l'axe imaginaire. La structure (figure 3.13) constitue d'un guide carr de 1,8 J.LfD.
de ct, d'indice n= 1,6 et entour d'un confinement homogne d'indice n= 1,5, est proche du modle idal de
Marcatili. r: paisseur de coupure du premier mode suprieur pour le guide plan avec les mmes indices est
de 1,35 J.Llil. r: analyse de Marcatili et la mthode de propagation sur l'axe imaginaire donnent une paisseur
de coupure du premier mode supriem de 1,8 J.Llil. Sur le tableau de la figure 3.13 sont rassembls les indices
effectifs de chaque mode pour chaque mthode de calcul. On peut remarquer que la diffrence entre les deux
valems augmente avec l'ordre du mode. Ceci s'explique par le fait que les modes d'ordre suprieur sont
moins confins que les modes d'ordre infriew:
~ CONC~ON
1Mode 1 Marcatili 1 Axe imaginaire 1

TEOO 1,5582 1,5598
TElO 1,5033 1,5074
TEOl 1,5024 1,5093
Figure 3.13 Analyses modales compares
Possdant les outils de modlisation hyperfrquence et optique, nous pouvons passer la conception du
modulatew:
4 Conception des guides

Dans le modulateur lectro-optique ondes progressives, rutilisation d'une ligne micro-ruban offre natu-
rellement une adquation des vitesses de phase des ondes optique et hyperfrquence. I..: effort de conception
de la ligne micro-mban se porte alors sur la ralisation d'un ligne adapte en impdance la source hyper-
frquence et d'une ligne fat.oles pertes pour augmenter la bande passante. Le guide optique sera ensuite
dimensionn en fonction de la ligne micro-ruban.
4.1 Ligne micro-ruban
4.1.1 Impdance caractristique 50 n

La ligne hyperfrquence du modulateur est le prolongement des circuits micro-ondes du modulateur lectro-
optique. I.:impdance caractristique de la ligne du modulateur doit donc tre identique celle du circuit
extrieur pom viter l'tablissement d'une onde stationnaire.
I.:impdance caractiistique de la ligne micro-ruban se dduit rapidement des quations analytiques dj ta-
blies en quasi-statique si la frquence du signal micro-onde est infrieure la :frquence /g,stat donne dans le
paragraphe 2.1. r.: paisseur typique de polymre releve dans la littrature est d'une dizaine de micromtres.
La frquence /g,stat est alors de 200 GHz. I..: approximation quasi-TEM est donc valable sm l'ensemble de la
Conception des guides 91
bande passante de 0 40 GHz et nous pouvons utiliser l'analyse statique pour calculer les dimensions d'une
ligne micro-ruban 50 n sur polymre.
Les tudes dj menes par Wheeler [25] , Schneider ou encore Hammerstad [26] donnent des valeurs
prcises de l'impdance caractristique. Les courbes de la figure 3.14 reprsentent valeurs de l'impdance
caractristique en fonction du rapport W /h obtenues de faon analytique. Nous avons pris une permitti-
vit moyenne issue des caractrisations dilectriques du second chapitre, soit une permittivit relative de
3, 25. Pour utiliser les formules analytiques, nous devons faire 1'hypothse que 1' paisseur du ruban est nulle
(t = 0) sur la ligne micro-ruban reprsente sur la figure 3.2. Sur la figure 3 .14, les diffrentes courbes des
relations analytiques donnent des rsultats identiques, l'impdance caractristique de 50 n est donne par le
point W/h = 2,4.
Dans ce cas, on peut imaginer une ligne micro-ruban dont le substrat serait aussi fin que possible. En repectant
le rapport d'aspect, on pourrait alors avoir une ligne 50 Q sur toute la bande de frquence de 0 40 GHz
et lDle tension demi-onde la plus faible possible. Ce raisonnement n'est vrai que si l'on nglige les pertes
hyperfrquences.
4.1.2 Pertes de propagation
Les pertes hyperfrquences regroupent les pertes associes la rsistance des mtaux, les pertes dilectriques
et les pertes de rayonnement. Les pertes par rayonnement sont gnres par les transitions, par les change-
ments de direction et la rugosit de la ligne. Si nous considrons une ligne droite sans transition, les pertes
de rayonnement sont firibles. D'autre part, l'angle de perte des polymres est gnralement infrieur w-3 ;
an final, dans le bilan seules les pertes ohmiques sont prpondrantes.
Le calcul des pertes de propagation ncessitent une dtermination prise des courants se propageant dans
le ruban de la ligne hyperfrquence. Une analyse dynamique s'impose pour calculer les composantes lon-
gihJdinaJes des champs. Par la suite, nous utiliserons donc l'Approche dans le Domaine Spectral prsente
prcdemment.
La structure tudie est reprsente sur la figure 3.17. Les simulations ont t effectues la frquence de 10
GHz avec un ruban sans perte et avec un ruban de 0,4 pm d'paisseur avec lDle conductivit de 3,5.1 0 5 S/cm.
I.:paisseur du ruban a t choisie ainsi pour que le rapport W ft se rapproche du cas de figure t = 0 pm
et pour confirmer les rsul13ts de l'analyse quasi-'I:E.M. Sur la figure 3.15 est reprsente l'volution de
l'impdance caractristique en fonction du rapport W/ h et pour diffrentes paisseurs de substrat.
Les combes reprsentant les impdances caractristiques sont confundues dans le cas d'un ruban sans perte.
I.:impdance 50 0 est obtenue pour W / h = 2. Lorsque l'on introduit des pertes, 1'impdance caractristique
augmente. Ceci peut tre expliquer par la mthode des inductances incrmentales [3] qui implique que
dans ce cas, les pertes se~ une augmentation de !"inductance linique. Pour une ligne faibles
pertes, l'impdance gale v' L / C augmente. Dans le cas d'un ruban en or, pour une impdance de 50 n,
le rapport Wjh doit tre proche de 2, 3 conrrmant les calculs dans l'hypothse d'un mode quasi-T.E.M.
A gauche sur la figure 3.16 est reprsente l'volution des pertes en fonction du rapport W / h et en fonction
de 1'paisseur du subsmlt. On remarque que quelles que soient les dimensions choisies, les pertes diminuent
avec 1'paisseur de mtal. Sur la partie droite de la figure 3 .16, nous avons reprsent les pertes en fonction
de l'paisseur d'or pour un ruban W = 10 p,m avec un rapport W / h = 2 diffrentes frquences. On
remarque que toutes les courbes saturent pour lDle valeur limite de l'paisseur. Au del de celle-ci, les pertes
92 CONCEPTION
f140.------------------------------------
"'
~12ot-,.---------------------------------
~1oot--~~--------------------------------
1: "----
1 ~--~40 ...............~:::::=
20+------------------------------------
0+-----~----~----~----~----~--~
0 2 3 4 5 6
"'pportW/h
Figure 3 .141mpdance caractristique en fonction du rapport W / h en approximation quasi-statique
e140
8
i,~+--------------------------------------
1~
i'oo~ tr-20 .,n ss perles
-h=100IJ!ISS-
~so ~ - ... 1001J!1
-11=201.1!1
:t==-==~~=
-11=10~
~~-------------------------------------
o+-------~----~------~------~------~
0.5 1.5 2 2.5
,.__ 3
Figure 3.15 Impdance caractristique de la ligne micro-ruban en fonction du rapport W/h pour diffrentes
paisseurs de polymres calcul par AD.S.

~ 0
0.5 1.5 2.5
i~r-------------------------------
-'!!.
~c -1 1:::::============= 120 \
~ : +-1~------:::=----"========= 15+-+--\- - - -
-IP1001Jm
~~
-h==201Jm
-h=101Jm
10 \
~/ 5 ........
~~------------------------- f=10GHz
o+---~----------~------------~
~L-------------------------- 0.5 1.5 2.5 35 4
-Wih Epa~sseur de mtal (en~)
Figure 3.16 Pertes en fonction de 1' paisseur du substrat et de 1' paisseur de mtallisation
p
Substrat
s, tan
Figure 3.17 Ligne micro-ruban
ne diminuent plus; 1'effet de peau impose la distribution du courant. De ces deux graphiques, on peut retenir
qu'une paisseur d'or suprieure 2 Jlm n'apportera pas d'amlioration notable des pertes de propagation.
Si 1' on fixe 1'paisseur de mtallisation 2 J.Lm, la largeur de la bande passante de la ligne est reprsente
sur la figure 3.18. Ce graphique illustre l'indice de qualit 1.20 dfini dans le premier chapitre: le rapport
bande passante sur tension demi-onde est constant. La tension demi-onde est proportionnelle l'paisseur
de substrat. Pour une ligne 50 f2, plus largeur du ruban est grande (et donc l'paisseur du substrat), plus la
bande passante est grande, et plus la tension de demi-onde augmente.
On remarque qu'une bande passante de 40 GHz impose une lmgeur de ruban de 20 Jlm et donc une paisseur
de polymre de 10 f.1JJ1. I.: tude des pertes hyperfrquence a dmontr qu'un ruban de 2 p,m d'paisseur d'or
est suffissant pour diminuer les pertes au maximum.
4.1.3 Permittivit effective
Les dimensions de la ligne micro-ruban du modulateur ondes progressives sont assez atypiques. Dans notre
cas, le rapport W / h est proche de 2 et le rapport W ft se situe entre 5 et 1O. Dans ce cas de figure, la gomtrie
de la ligne est trs eloigne du modle de condensateur plan et la diffrence entre la permittivit relative et
la permittivit effective augmente. Le calcul de la permittivit effective doit faire intervenir l'paisseur t du
ruban mais l'Approche dans la Domaine Spectral ne tient pas compte de ce paramtre.
Plusieurs relations permettent de prendre en compte l'paisseur de la mtallisation du ruban suprieur. La
mthode la plus commune consiste calculer la capacit entre le ruban et le plan de masse sans la dilectrique
(fig.3.3 droite) pour en dduire la largeur d'un ruban d'paisseur nulle donnant la mme valeur de capacit.
Cette nouvelle valeur est appele largeur effective; elle est reporte dans les formules donnant les valeurs
de l'impdance caractristique et de la permittivit effective [3] . Sur la figure 3.19, nous avons reprsent
la permittivit effective d'une ligne micro-ruban 50 n sur un substrat dilectrique de permittivit relative
94 CONCEPTION
i" 10 Frquence (en GHz) 100

~o-.---------.-----.----,---.---.....---.---.r--.--,
,
.. -1 "=====~----~---------------
-t-
..
~
D.
W=40~m
~+--=~~-~-=~---------------
~~---------------------
Figure 3.18 Bande passante des lignes hyperfrquences 50 Q en fonction de la largeur du ruban
2.6 - . - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
2.58 +------------------
2.56 + " ' ' k - - - - - - - - - - - - - - - -
2.54 -+--...:liil1~,......::::-------------
2.52 +----.3ls::---'""""'=-"""""'=c---------
2.5 +-------""is;;o;:-------=.......~....:=~=---
~48+--------~~---~~~-~
2.46 +--------------'~=---------':
2.44 +-------------~"'c~--
2.42 -!------------------"'~
2.4 -+-----,----....,----.--------,------,
0 02 0.4 0.6 0.8
paisseur du ruban en pm
Figure 3.19 Permittivit effective en fonction de l'paisseur du ruban pour une ligne micro-ruban 50 Q sur
une substrat de permittivit 3,25
3, 25. Diffrents modles analytiques sont prsents. On retiendra que la permittivit chute en moyenne de
0, 1 pour une paisseur de ruban passant de 0 1 Jtm d' paissew:
En rsum, pour une valeur moyenne de permittivit relative issue des caractrisations dilectriques du se-
cond chapitre, la ligne micro-ruban d'impdance caractristique 50 na un rapport d'aspect w1h proche de
2. En tenant compte des pertes ohmiques. la bande passante de la ligne est de 40 GHz pour une lmgeur de
ruban suprieure 20p,m et une paisseur de mtallisation de 2pm. La permittivit effective est alors proche
de2,7.
Les dimensions de la ligne poses, nous intgrons le guide optique sous le ruban mtallique.
4.2 Guide optique

La ligne micro-ruban dfinit l'espace dans lequel le guide optique est insr. Nos proccupations principales
pour la conception du guide ont t: le couplage avec la fibre et les pertes de propagation.
4.2.1 Couplage avec la fibre
V insertion d'un composant dans la chane de transmission du signal optique est la principale cause de perte.
A titre d'exemple, l'insertion d'un commutateur lectro-optique InP [27] introduit 15 dB de perte fibre
fibre (on rcupre 1132me de la puissance optique). Les pertes sont essentiellement la consquence des
diffrences de tailles des guides optiques et donc des modes.
Dans le tableau ci-dessous sont rassembles les caractristiques des fibres les plus courantes. La fibre la
plus utilise pour ses qualits de dispersion et d~attnuation est la fibre monomode au standard SMF-28.
Comparons le mode de la fibre SMF-28 au mode d'un guide optique sur semi-conducteur InP, reprsent
sur la figure 3.20 (la couche guidante fait 0,2 p,m d'paisseur et la diffrnce d'indice est de 0,14). Si la
largeur du mode correspond au mode du guide en ruban, la hauteur de celui-ci n'est que de l/3. En premire
approximation, on peut avancer que la puissance injecte da.s le guide n'excdera pas l/3 de la puissance
en sortie de fibre. Des simulations par B.P.M.-30 montrent qu'au mieux, les pertes de couplage seront de 6
dB par facette ( 1/4 de la puissance injecte).
Fibre monom.ode
Fibre multimode Fibre monom.ode
saut d'indice
gradient d'indice lentille
SMF-28
Diamtre du cur 50 JLID. 5 p,m R* =8pm
Diamtre de la gaine 125 JLID. 125 pm 125 p,m
Diamtre du mode 50 100 J.LII1 9,3 J1m 1,5 O,Olpm
Forme du mode 0 profil gaussien
Diffrence d'indice 1% de l'indice du coeur
R* est le rayon de courbure de la lentille
En ngligeant les effets des tats de surfaces, les rflexions sur les facettes et l'angle d'ouverture de la fibre,
l'efficacit de couplage est estime par l'intgrale de recouvrement I entre le mode de la fibre (.E;, .H;) et
96 CONCEPTION
4
'
e 8 11) "'2
.
'14 '' -:s ;c
111D!IIl~tiip.DII!
Figure 3.20 Dimensions du mode optique d'un guide InP/GainAs!InP
a=5.81Jfl'l
2+.--~--~--~--~------~
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Olllrance d'indice coeur/confinement
Figure 3.21 Structure du guide et taille du mode ..\0 = 1, 55 pm
"' 0
0.2 0.4 o.s o.a 1.2
~! ..sor----k----~======~~~~======~
~
~" -10 !
-15 !
-~+~------~--~~--------------------
~+-----~----~------------------~
~----~----~----------------------
1
_35 +:----------ff-'t,_=__:O:.:::S-"1':.::."'------------------
.w+i_________Jl_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ ___
~+; __________________________________
t = paisseur du coeur
Figure 3.22 Structure simule et rsultats de la B.P.M. o = 1, 55 pm

le mode du guide (BJ;, .If;) :

JJ 1\ (&; H;,;) .
7 dxdy
I = --;::.========----{=.=======
JJ ~~~ 1\ ~~~
2
JJ jjB;,; 1\ ~~~
2
dxdy dxdy
avec t et Ji les composantes tranversales des champs (~, JZ) et (.B;, JZ). Les pertes de couplage
sont donnes par 20 log I. Pour amliorer le couplage, la technique consiste transformer progressivement et
sans perte d'energie la taille et la forme du mode l'aide d'une structure d'adaptation (taper en anglo-saxon).
De nombreuses solutions ont t testes sur semi-conducteur III-V [28] , sur verre [29] ou sur polymre [30]
. Mais 1'adaptation de mode est par essence un problme trois dimensions qui s'insre difficilement dans
une technologie planaire.
Les polymres ouvrent une nouvelle voie dans la rsolution des problmes de couplage. J.:indice de rfraction
d'un polymre est adaptable. Ds lors, nous pouvons dfinir les dimensions du guide ou la taille du mode
idale pour le couplage et laisser le soin aux chimistes de concevoir le couple de polymre cur/confinement
avec la diffrence d'indice souhaite. C'est dans ce mme esprit que les chercheurs d' Allied Signal Inc. [31]
, matrisant des diffrences d'indices de l'ordre de w- 4 , annoncent des pertes de couplage fibre fibre
infrieures 0,1 dB. Sur la figure 3.21, nous avons reprsent la taille maximale du mode d'un guide carr
monomode enterr en fonction de la diffrence d'indice. Les valeurs a indiquent les dimensions de coupure
du guide. La zone sous la courbe est le domaine monomode, la zone au-dessus de la courbe est le domaine
multimode. Pour un guide carr, la forme du mode est trs proche de la gaussienne du mode de la fibre
optique. Plus la largeur du mode tend vers celle de la fibre, plus les pertes de couplage sont faibles. Avec un
mode de 3 J-Lm de diamtre et une fibre au standard SMF-28, le couplage est de -5,4 dB. Pour un mode de
7,5 J-Lm, le couplage est de -0,13 dB.
Malgr les fructueuses tudes sur les polymres au sein de la C.T.I., nous n'avons pu disposer de polymre
en quantit suffisante pour la ralisation d'un dispositif A l'I.E.M.N., nous ne disposons pas de polymres
compatibles pour la ralisation d'un guide plan ayant des indices de rfraction trs proches; la diffrence
d'indice la plus faible est de 0,05. Les pertes d'insertion fibre fibre seront donc au minimum de Il dB, ce qui
est proche des pertes avec les guides optiques sur semi-conductem: La volont d'amliorer les performances
de couplage incite 1' tude des structures multimodales. Lorsque les dimensions du guide augmentent, la taille
du mode fondamental augmente aussi. A titre d'exemple, un guide carr de 10 J-Lm de ct avec une diffrence
d'indice .!!in = 0, 05 sera multimode, la taille du mode fondamental est de 5,5 J-Lm mais le profil du mode
n'est plus gaussien et les pertes prvue sont de 3 dB (contre 0,5 dB pour un profil gaussien de 5,5 J-Lm de
diamtre).
4.2.2 Pertes de propagation
I..:effet lectro-optique est faible. I..:interaction entre l'onde hyperfrquence et l'onde optique doit donc tre
la plus longue possible (gnralement de un deux centimtres). Le point important est celui de 1' absorption
de la puissance optique par les lectrodes. Nous avons simul 1' aide d'une B.P.M. en deux dimensions
1'absorption de la puissance optique d'un guide d'onde entre les rubans mtalliques d'une ligne micro-ruban.
La structure est reprsente gauche sur la figure 3 .22. Elle est constitue d'un guide plan en P.M.M.A. -D.R.l
d'indice n=l,6 compris entre deux couche de polyimide SF11 d'indice n=1,5. La structure est symtrique:
98 CONCEPTION
Figure 3.23 Guide monomode enterr
Wlh=2
Figure 3.24 Guide multimode avec confinement mtallique
Figure 3.25 Guide multimode avec confinement dilectrique

Conclusion 99
les paisseurs des confinements sont gales. Ce guide plan est pris en sandwich entre les lectrodes en or
d'indice n =0, 18-j 10,21 de la ligne micro-ruban. Le tout repose sur un substrat de silice n= 1,45. Les rsultats
de la B.P.M.2D. 1,55 pm ont t rassembls sm la figure 3.22 de droite. Les simulations mettent enjeu
1'paisseur du cur et 1' paisseur du confinement. On distingue deux volutions:
les pertes diminuent avec 1'paisseur du confinement Les queues des modes sont de plus en plus loignes
du mtal; l'absorption par ondes vanescentes diminue;
les pertes diminuent avec l'paisseur du coeur. Plus le guide a un gros cur, plus le mode est confin au
centre du guide et moins le champ lectrique pntre dans le mtal.
De cette simulation merge l'ide d'une structure particulire de modulateur: le confinement du guide op-
tique serait uniquement mtallique. Pour une paisseur de 10 ~ la B.P.M. montre que les pertes optiques
deviennent infrieures 0,5 dB/cm. On peut donc imaginer faire un modulateur sans confinement en po-
lymre, ce qui simplife la technologie du modulateur. Cutilisation d'un seul polymre nous affranchit de la
recherche de la recherche du couple de polymre cur/confinement compatible avec leurs solvants respectifs
(pour r endu.ction en couches minces), en temprature (pour le recuit) et en rsistance (pour l'orientation des
chromophores). Nous ne disposons pas d'analyse modale pour des structures multicouches avec des indices
complexes. En d'autres termes si il est relativement ais de calculer les dimensions d'un guide tricouche sans
lectrodes mtalliques, cette valuation nous devient dlicate ds que 1'on introduit les lectrodes en or. Cette
dtermination est d'autant plus difficile que les lectrodes se rapprochent du cur du guide, c'est dire du
mode optique. On retiendra que l'absorption dans le mtal est d'autant plus faible que les paisseurs du cur
et du confinement sont importantes.
4.2.3 Guides optiques envisageables
Nous ne disposons pas de polymres lectro-actifs avec des diffrences d'indices suffisantes pour concevoir
un guide monomode buge cur. La premire structure propose sera donc un guide avec un cur le plus
grand possible. Avec une diffrence d'indice minimaJe de 0,05, l'paisseur de coupure du premier mode
est de 2,6 pm donnant des pertes d'insertion de -Il dB fibre fibre. La prise en compte de pertes optiques
dans les rubans mtalliques et 1'assurance d'un guide monomode conduisent concevoir des guides avec des
confinements de 1'ordre de 2J-Lm pour loigner suffisamment le mode des lectrodes mtalliques. Le reste
de l'espace sous la ligne micro-ruban est empli d'un polymre dont il reste dterminer les caractristiques
(Fig323).
Pour un couplage efficace, nous devons envisager une structure multimode. Avec des dimensions de cur
plus larges, le couplage avec la fibre augmente et les pertes mtalliques des rubans de la ligne diminuent.
Pom un guide avec un coeur de 3 pm de PMMA-DRI et un confinement en polyimide SFll de 1 pm, les
simulations montrent que les pertes dans les mtaux sont ngligeables. Pour des paisseurs encore plus im-
portantes, de l'ordre de 10 J.tiD., les pertes sont de 0,5 dB/cm avec lm confinement mtallique. La structure
la plus simple que nous puissions imaginer (fig.3.25) est constitue d'un guide optique dont la confinement
latral se fait par l'air et la confinement vertical par le mtal avec un rapport d'aspect respectant une imp-
dance caractristique de 500. Si l'paisseur du polymre lectro-actif dposable est infrieure 10 JLm,
on ajoutera un confinement dilectrique de part et d'autre du cur (fig.3.24), ce qui loignera le mode op-
tique des lectrodes mtalliques sans pour cela chercher tre monomode. Ceux sont ces structures que nous
tudierons par la suite.
100 CONCEPTION
5 Conclusion
La structure tudie correspond la section de guide droit o l'effet lectro-optique est mis en jeu. Avec une
permittivit moyenne de 3,25 il ressort que le rapport W /h d'une ligne hyperfrquence d'impdance ca-
ractristique 50 Q est proche de 2. Avec des dimensions typiques de 10 20 J.Lm de largeur pour le ruban
mtallique, l'paisseur d~ or nnimale pour des pertes ohmiques les plus faibles possibles est de 2 J.Lm. Les
pertes hyperfrquences sont alors de l'ordre de -3 -6 dB 40 GHz suivant la largeur du ruban. La concep-
tion du guide optique est motive par 1' efficacit de couplage avec la fibre et les pertes optiques dans les
rubans mtalliques. Plusieurs structures sont proposes pour le guide optique: un guide monomode avec un
confinement dilectrique, un guide multimode avec un confinement dilectrique et un guide multimode avec
un confinement mtallique. Si notre tude se limite essentiellement la section droite des guides hyperfr-
quences et optiques, la technologie et les performances dfiniront la structure ralisable.
Rfrences
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CHAPITRE 4
TECHNOLOGIE ET CARACTRISATION
Avant-propos
Jusqu' prsent les polymres de la micro-lectronique se divisaient en deux grandes classes: les rsines
photosensibles et les polymres de passivation. Les rsines photosensibles ne constituent qu'une tape d'un
procd technologique, elles servent transfrer un motif sur le substrat et sont compltement enleves
la fin de l'tape. Elles sont facilement solubles dans des solvants. Les polymres de passivation, par contre,
sont trs resistants et donc difficilement travaills. Peu sensibles aux solvants, ils peuvent aisment servir de
support pour une tape technologique ultrieure. Les polymres fonctionnaliss se trouvent la frontire de
ces deux classes, partie intgrante du futur composant, ils doivent tre rsistants mais on doit aussi pouvoir
les travailler. I.:exprience montre qu'ils sont encore fragiles; les tempratures maximales, qu'ils peuvent
supporter avant que leurs proprits ne se dgradent, sont faibles. De plus, ils restent sensibles aux solvants
couramment utiliss en micro-lectronique.
Un second point important concerne plus particulirement l'optique intgre. Les dimensions transverses
des guides optiques sont de l'ordre du micromtre la dizaine de micromtres; par contre les longueurs
typiques vont du millimtre pour un commutateur jusqu'au centimtre pour un modulateur ondes progres-
sives. Le rapport longueur sur largeur est suprieur 1000, la ralisation d'un ruban de faible largeur sur
un long dveloppement reste une tape critique de la photolithographie. De plus, la vue des dimensions,
sur un substrat de deux pouces, on ne peut concevoir qu'une dizaine de modulateurs. Pour indication, sur
une plaquette de deux pouces, on ralise plus de dix mille transistors. Avec le mme taux de russite, pour
tre sr d'avoir un modulateur avec des performances honorables, nous devons multiplier le nombre d'es-
sais (cent substrats ou plus... ). I.:optique intgre est une displine exigente, ncessitant une bonne matrise
des procds technologiques afin d'avoir un taux de russite maximum pour finaliser un composant sur un
nombre limit d'essais.
Les procds de fabrication restent sensibles la nature du polymre utilis. De ce fait, les standards de
la technologie polymre ne sont pas encore tablis, ce qui explique en partie le retard de la mise en uvre
des polymres fonctionnaliss dans un processus industriel Profitant de l'exprience de la plasturgie, des
procds de moulage aux dimensions micromtriques ont t dvelopps [1] , [2] et [3] . Malheureusement
leur insertion dans un processus micro-lectronique classique est difficile. La :fi:tbrication du dispositif doit
faire appel aux outils de la technologie des semi-conducteurs et elle doit tre invariable suivant le type de
polymre. Une approche possible est de soumettre le polymre au minimum de contraintes; la structure
du dispostif est alors conue de faon que le dpt et le recuit du polymre soient les dernires tapes du
104 1ECHNOLOGIE ET CARAC1RISATION
processus [4] . En contre-partie, la diversit des structures est limite, et par l mme, les performances des
dispositifs. Notre travail a consist valider un procd de fabrication pour une large gamme de polymres,
et ceci, avec une technologie classique de la micro-lectronique sur semi-conducteur.
1 Polymres
On recense plusieurs mthodes de dpt de polymre, matrisant r paisseur et la qualit des surfces: la
centrifugation, le trempage, l'vaporation sous vide [5] et la technique de Langmuir-Blodgett.
La technique de Langmuir-Blodgett [6] permet de former des films dj orients mais elle ncessite des
molcules spcialement conues, avec une extrmit hydrophile et l'autre hydrophobe. L'paisseur du film
est limite quelques couches molculaires cause du dsordre engendr par le report de couches suppl-
mentaires. Les f:ms, ainsi forms, sont trs dispersifs.
Quelques monomres et oligomres peuvent tre dposs par des techniques d'vaporation sous vide. Le
choix d'un substrat cristallin ou amorphe offre la possibilit d'un film cristallin ou isotrope. Cette technique
est essentiellement limite par la taille des molcules: l'nergie de sublimation doit tre infrieure aux ner-
gies des liaisons covalentes.
La mthode la plus largement utilise est 1'enduction par centrifugation. Dveloppe en microlectronique
pour les rsines photosensibles, cette technique produit des films uniformes sur de grandes surfaces avec
des paisseurs allant de 0, l pm une dizaine de micromtres. L'paisseur est contrle par la viscosit de la
solution, la vitesse de rotation et le temps de centrifugation. L'exigence principale de cette mthode est la mise
en solution du polymre. Le choix du solvant est important. D'unepart, la vitesse d'vaporation temprature
ambiante doit tre faible pour que la solution mouille tout l'chantillon. D'autre part, si le solvant s'vapore
trop vite, on observe un effet <<peau d'orange. Couramment utilise en micro-lectronique, l'enduction par
centrifugation est la technique simple et prcise de ralisation de films en polymre au sein d'un procd en
micro-lectronique.
Dans le tableau suivant, nous avons rassembl l'ensemble des polymres notre disposition et ayant une
transparence suffisante aux longueurs d'ondes tlcom>> pour la ralisation de composants d'optique int-
gre. La premire remarque que l'on peut faire concerne les tempratures de recuit. Le P.MM.A-D.R1 est
le seul polymre lectro-optique. ll constitue le cur du guide; le confinement suprieur doit donc avoir
une temprature de recuit infrieure la temprature de transition vitreuse du P.MMA.-D.R 1. Nous limite-
rons la temprature du procd de fabrication aprs dpt du P.M.M.A.-D.R 1 150C. Dans ce cas, seul le
polymre SUS est compatible avec le P.M.M.A-D.R l, mais il s'agit d'une rsine poxy qui se travaille dif-
ficilement aprs rticulation. Pour le confinement suprieur, nous devons recuire le polymre 150C. Pour
les polymres dont la temprature de recuit est suprieure 150C, nous avons augment le temps de recuit.
Polymres 105
Temprature Epaisseur
Polymre Provenance
de recuit (en oq typique
tntradel polyimide
300 17pm Commerciale
9020 et9120
P.MM.A 170 0,2 1 pm Commerciale
Copolymre 170 0,2 1,5 pm Commerciale
BCB 350 110pm Commerciale
sus 80 5 300 J.tin Commerciale
P.M.G.I.
250 0,8 1,5 pm Commerciale
SF6etSFll
P.M.MA.-D.R 1 150 0,2 3 pm E.N.S.C. de Montpellier
O.I.P.l6g-T.M.S. 200 0,5 1,5 pm E.N.S.C. de Montpellier
O.I.P.l4g-T.M.S. 200 0,5 1,5 p,m E.N.S.C. de Montpellier
Le second point important pour la compatibilit des polymres concerne les solvants. n faut que le dpt
d'une couche suprieure ne dgrade pas le polymre du dessous. D'ores et dj, le P.M.M.A est limin de la
liste des confinements possibles; sessolvantssontidentiquesceuxduP.M.M.A.-D.R.l. LeP.M.M.A.-D.R.l
ne peut pas se dposer en plusieurs couches: le recuit ne sert qu' vaporer les solvants et non rticul~ le
film est dissout par le dpt suivant. Pour les autres polymres, les prdictions sont difficiles et l'exprience,
bien que plus coteuse, fournit une rponse immdiate. Parmi tous les polymres du tableau prcdent, seuls
les P.M.G.I. SF6 et SFll et les polyimides Ultradel peuvent tre dposs au-dessus du P.M.M.A.-D.R.L
Concentration Paramtres d'enduction Epaisseur Qualit des

Acclration Vitesse Temps
(en glml) (en p,m) surfaces
(en tpm/s) (en tpm) (ens)
0,1 1000 1000 10 1,2 lisse
0,1 1000 500 10 2 lisse
0,2 2000 2000 15 1,45 lisse
0,2 2000 1000 15 2 lisse
0,3 2000 1500 15 4 lgrement granuleuse
0,4 1500 1500 30 6,5 granuleuse
0,4 1000 1500 10 7,3 lisse
0,1 statique 10 craquele
Le P.M.M.A-D.R.l est soluble dans le 1,1,2-trichlorothylne. L'paisseur dpose est reprsente sur le
tableau prcdent en fonction des paramtres de la tournette et de la concentration en poudre dans le sol-
vant. La qualit des surfaces dpend essentiellement de la concentration. Plus la concentration est faible,
meilleures sont les qualits des surfaces. Sur le graphique de gauche de la figme 4.1 est reprsente 1'volu-
tion de l'paisseur du film en fonction de la concentration en poudre dans le solvant pour une acclration
de 1000 tpm/s, une vitesse de 1000 tpm et un temps d'enduction 15 s. Au-del de 4 pm d'paisseur, le
P.MM.A.-D.R.1 est con1I3int et ne peut servir de support une tape technologique ultrieure. Sur le gra-
phique de droite de la figure 4.1, nous avons reprsent le recuit que nous utilisons pour le P.M.M.A.-D.R 1
106 TECHNOLOGIE ET CARACTRISATION
et les polymres de confinement suprieur. Le recuit est effectu dans une tuve sous azote pour viter toute
raction possible avec l'oxygne. Nous avons choisi des gradients de temprature faibles (ecj min) afin
d'vaporer tout le solvant de faon homogne dans le polymre. Franke [7] a observ qu'un recuit trop ra-
pide, pour des tempratures suprieures 100C, augmentait les pertes optiques de 2 dB/cm. Des paliers
intermdiaires de 20 minutes contribuent de faon supplmentaire rduire le gradient de temprature. Le
retour temprature ambiante se fait progressivement selon l'inertie thermique du fout: Au total, la dure
de recuit, partant de 25C pour de nouveau atteindre 25C, est d'une journe. Si ce recuit parat long, il est
noter qu'il permet d'obtenir des couches de P.M.M.A.-D.R.1 de 4 JLlil non-contraintes. A titre d'exemple,
une couche identique, recuite avec un gradient de 5C/ min, est fissure la sortie du four.
9 .n ...,..,~ 8.0447x
~8 1 u . ..,......

// 1 1 1 1
.!,.7
56 R'' =0.9887 / '
1

1
' 1
1
: 5
/ 1
1
1
1
1
1
1
./ 1 1 1 /:1
~4
,i-3 ./
1
1
1
1 v 1
2 ~
1
1
1
1 /: 1
1
1
1
~ 1
1 _V 1
1
1
1
0 /1
1
1
1

1 1 1
0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
30 / 1
Concentration en poudre (en glml) 10

1
:
1
i
1
1
1
1
:
1
0 1'1 211 3 4 5
temps (en heures)
Figure 4.1 Calibrage de l'paisseur du fi1m en fonction de la concentration dans le solvant (a= 1OOOtpm/s,
v=l000tpmett=15s) et diagramme de recuit du polymre
2 Dfinition d'un motif mtallique

Voici le premier verrou de la technologie des polymres: pour pouvoir faire une ligne micro-ruban, il est
ncessaire de savoir dfinir un motif mtallique sur le polymre. Si en micro-lectronique, cette opration
est banale, la prsence de polymre dans le dispositif complique le process. La techniuqe la plus utilise
en semi-conducteur pour la dfinition d'un motif mtallique est celle du lift-off, terme anglo-saxon pour le
retrait du mtal inutile l'aide d'un bain de l'chantillon dans un solvant. Cette opration dure un quart
d~heure une heure.
2.1 Liftoff
Le lift-off dsigne donc un procd de ralisation de motifs mtalliques. On distingue plusieurs faons de le
raliser:
Dfinition d'un motif mtallique 107
1retape:
Rsinage, insolation et rvlation
2me tape:
Dpt du mtal
3me tape:
Lift-off
Figure 4.2 Procd de la rsine paisse
tape:
1re
Ralisation d'un profli en casquette
2me tape:
Dpt du mtal
3me tape:
Lift-off
Figure 4.3 Procd du profil en casquette
Figure 4.4 Motif mtallique et dtail de la surface du polymre aprs lift-off

- avec une rsine paisse;

- avec un profil en casquette.
Dans chaque cas, la rsine est dpose sur l'ensemble du substrat. Aprs insolation et rvlation, des fentres
sont ouvertes aux endroits des futurs motifs. Ensuite le mtal est dpos sur 1' ensemble du substrat, il n'est
en contact avec celui-ci qu'aux endroits o la rsine a t ouverte. On effectue alors l'opration du lift-off:
le solvant dissout la rsine et emporte le mtal qui est sa surface. D ne reste alors que le mtal en contact
avec le substrat. Comme les flancs sont inclins ou dans le meilleur verticaux, ils sont recouvert d'un couche
de mtal, ce qui occassionne plusieurs inconvnients pour la technique de la rsine paisse (fig.4.2):
- le solvant est en contact avec la rsine sur de trs faibles surfaces. Sa dissolution est donc longue et
doit parfois tre active par ultrasons;
- le premier point impose d'avoir une rsine plus paisse que le mtal, ce qui nuit la rsolution des
motifs;
- les contours des motifs peuvent prsenter des filaments mtalliques (<<lichettes).
La technique de profil en casquette (fig.4.3) permet de s'affianchir de ces problmes. Grce une litho-
graphie bicouche ou un dmcissement de la surface, la rsine est surrvle en profondeur (fig.4.3). L'ombre
forme par le profil de la rsine va permettre aux solvants d'tre rapidement et sur une plus grande surface
en contact avec la rsine lors du lift-off De plus, le profil empche le dpt d'or sur les flancs droits de la
rsine, le motif est parfaitement dfini.
La technique du lift-off bnficie d'un avantage certain: les solvants sont inertes avec les semi-conducteurs.
Sur polymre, la technique du lift-off prsente plusieurs inconvnients:
- elle met en contact direct la solution de rvlation et les solvants de la rsine avec le polymre;
- elle soumet le polymre aux solvants durant un temps assez long.
I.:ensemble de ces ractions peut parfois modifier le poJymre sans que nous puissions en mesurer l'impor-
tance, 1' aspect du polymre pouvant rester inchang.
Lors des premiers essais que nous avons faits sur des polymres commerciaux Ultradel 9020 et 9120, l'or
reposant sur le polymre s'est enlev avant que la rsine photosensible soit dissoute (fig. 4.4). Pour dimi-
nuer les interactions entre les diffrents solvants et le polymre, nous avons dcid d'intercaler une couche
protectrice entre le polymre et la rsine. Nous avons choisi de dposer une couche de 2000 A de silice par
dpt chimique en phase vapeur assist par plasma (P.E.C.V.O.). La temprature de cette opration (300C
rduit 200C)rduit le nombre de polymres adapts cette technique.
Dans un premier temps, la silice a t grave par un procd auto-align avec le profil de la rsine par
une gravure ionique ractive. Dans ce cas de figure, 1'opration du lift-off se droule normalement mais on
observe des contraintes la surface du polymre (fig.4.5) dont les dimensions sont gnantes pour les tapes
de lithographie ultrieures.
Dans un second essai, la silice n'a pas t grave. Aprs le lift-off, des contraintes sont aussi apparues. Sur la
figure 4.6, nous observons les contraintes la surface de la silice. Sur la figure 4. 7, on remarque un renflement
sur les bords des motifs en mtal.
Poreuse et contrainte, la couche de silice ne joue pas son rle protecteur: les solvants se sont infiltrs entre
les deux couches.
Figme 4.5 Procd de lift-off avec un couche de silice protectrice grave par auto-aliguement (aprs lift-off)
6000
20J,ml
Figure 4.6 Contraintes la surface de la silice et profil des dfauts
lmm
t 200.A ti or
.dpos
Figure 4.7Smface d'un plot d'or (en fausses couleurs) et profil des dfauts
no 1ECHNOLOGIE ET CARACTRISATION
La technique du lift-off n'est pas adapte pour un procd sur polymre. L'alternative consiste graver le
mtal. Cette technique est plus utilise en techooologie semi-conducteur silicium
2.2 Gravure des mtaux

La mthode de gravure du mtal procde l'inverse du lift-off. Le mtal est d'abord dpos sur toute la
surface de l'chantillon. La photolithographie est faite au-dessus de la couche de mtal, la rsine va protger
les mtaux qui ne doivent pas tre gravs, le motif sera report sur le mtal lors d'une opration de gravure
sche ou humide.
1re tape:
Enduction, insolation et rvlation sur
un .film d'or
2me tape:
Gravure de l'or
3me tape:
Retrait de la rsine
Figure 4.8 Procd avec gravure du mtal
Cette technique prsente plusieurs inconvnients:

-une mtallisation constitue de couches de diffrents mtaux sera grave strate par strate, les solutions
d'attaque sont slectives. De plus, certains mtaux, comme le platine ou le titane, sont trs rsistants aux
attaques chimiques et les solutions trs acides ou trs basiques peuvent endommager le polymre;
- le filin mtallique est opaque. Il faut protger les marques d'alignement pendant le dpt du mtal;
- pour la ligne hyperfrquence, 1'paisseur de mtal est suprieure au micromtre. La sous-gravure sera
du mme ordre de grandeur.
V or a une faible rsistance, un fort potentiel d'oxydo-rduction et il est compatible avec les semi-conducteurs
(l'or diifuse peu dans les semi-conducteurs). Sur semi-conducteurs, la couche d'accrochage est constitue
par 200 A de titane . Mais sur polymre, 1' or possde une adhrence suffisante [8] pour la ralisation et ca-
ractrisation d'un dmonstrateur. Ceci rduit au final le film mtallique un dpt unique d'ot Si, par la
suite, 1'adhrence s'avrait mdiocre pour quelque raison que ce soit, 1'ajout d'une couche de titane pour ac-
crochage ne pose pas de problme particulier: nous verrons par la suite que le titane peut s'enlever facilement
par une gravure ionique ractive.
r; or se grave essentiellement suivant deux fuons: 1'eau rgale et une solution aqueuse d'iodure de potassium
et d'iode bisublim.
2.2.1 Avec l'eau rgale
L'eau rgale est une solution aqueuse d'acide nitrique HNOs et d'acide chlorhydrique HCL La raction va
crer un phosgne, lequel va attaquer l'or et le transformer en AuCl3 .
HN03 + HCl t:::; NOCl + Cl2 + 2H20

3NOC1 + Au t:::; Au3 -'- + 3Cl- + 3NO- + 3e-
La premire solution, que nous avons teste, a la composition suivante: HCl!HNOs/HzO (3/1/6). Cette
solution est transparente, elle permet un contrle visuel de la gravure. La vitesse de gravure est de 900 A/min.
Des mesures au profllomtre ont permis de dmontrer que ni la rsine, ni le polymre ne sont attaqus. Mais la
gravure de 1' or est inhomogne, les bords des motifs sont difficilement dgags ( fig.4.9). Deux compositions
HCl/HNOs/H20 avec (3/116) et (3/1/3) ont t testes pour la dfinition des motifs (fig.4.10), la solution la
plus dilue donne des motifs mal-dfinis et la plus concentre donne une sous-gravure importante. Si la
solution n'a pas grav le polymre, si l'aspect du polymre n'a pas chang, sa structure a profondment t
modifie. Les essais faits sur les polyimides Ultradel9020 et 9120, habituellement rsistants l'actone et
l'alcool aprs polymrisation, montrent qu'un jet d'actone pour retirer la rsine suffit enlever le polymre
(fig.4.11). Ceci dmontre qu'il est difficile de mesurer l'impact de toute action chimique sur le polymre.
r; attaque acide de l'or ncessite des pH bas, agressifs pour le polymre. Nous avons alors test une gravure
1'aide d'une solution d'iodure de potassium et d'iode bisublim.
2.2.2 Avec la solution d'iodure de potassium et d'iode bisublim
Une solution de hiKI/H20 avec la composition (lg/4g/40ml) a t calibre pour une vitesse de gravure de
3000 A/min. Avant toute chose, nous avons essay cette solution sur un polyimide que nous avons dpos
sur un substrat de silicium. Aprs quelques secondes dans la solution, le polymre, initialement transparent,
a vir la couleur rouge-ocre. Il a absorb une partie de l'iode, cette hypothse a t confirme par un retour
la couleur initiale aprs quelques mois conserv temprature ambiante. Nous avons alors diminu la
concentration de moiti: le substrat, plong plus d'une minute dans cette nouvelle solution, n'a pas chang
de coulem: Contrairement la gravure l'eau rgale, la gravure est plus rapide sur les bords des motifs. Les
motifs sont donc bien dfinis mais la faible concentration en iode rduit les "itesses de gravure et augmente
la sous-gravure (fig.4.12). Cette solution est moins agressive pour le polymre: une mesure du pH montre
que la solution est initialement neutre, mais s'acidifie avec la quantit d'or grave. Le film d'or est trs mince
et, en fin de gravure, le pH se situe entre 4 et 6.
Comme prcdement, nous avons retir la rsine servant de protection avec un jet d'actone et un rinage
1'alcool isopropylique. Bien que moins dgrade par rapport 1'eau rgale, le rsultat montre des dfauts
de surface, suffisamment importants pour gner la f'malisation du composant (fig.4.13). La solution d'iode
bisublim et d'iodure de potassium est la moins agressive pour le polymre, mais le retrait de la rsine pho-
tosensible 1' actone induit toujours beaucoup de dfauts. La solution, adopte pour contourner 1'utilisation
de 1'actone et de 1'alcool, est la suivante: le substrat est insol en totalit et la rsine est rvle. Les r-
~Or
Figure 4.9 Bords d'attaque pendant ia gravure et dtail de la surface d'or avec une solution HCl/HNOs/H20
(3/1/6)
Polymre
~
Or
Figure 4.10Rsu1tats des gravures avec une solution HCl/HNOsiH20 (3/1/3) ( gauche) et une solution
HCl!HN031H20 (3/l/6) ( droite)
Or
Figure 4.11 Etat du polymre aprs rinage l'actone et l'alcool et gravure de l'or avec HCl/HNOs/H20
((3/1/3) gauche et au milieu et (3/16) droite)
smes, que nous utilisons, sont du type Novolak et les rvlateurs sont des solutions lgrement basiques,
peu agressives pour les polymres. n est noter que cette technique est uniquement valable pour des rsines
positives.
Le rapport entre la largeur de la sous-gravure et 1'paisseur de mtal grav est proche de 1'unit. Pour respecter
les dimensions des motifs, il faut que le rapport d'aspect entre les dimensions du motif et l'paisseur de
=
mtallisation soit trs grand. Du chapitre prcdent, nous obtenons W jt 5, ce qui est trop peu pour cette
technique (on se limitera W jt > 50). V lectrolyse permet de rduire le rapport d'aspect tout en gardant
une bonne dfinition des motifs.
2.3 lectrolyse
La dfinition d'un motif mtallique recourant 1'lectrolyse (:fig.4.14) n'ajoute qu'une tape supplmentaire
en comparaison la technique de gravure. Aprs le dpt d'une :fine couche d'or (400 A), l'tape de photo-
lithographie ouvre des fentres dans la rsine aux endroits des motifs. e lectrolyse fait crotre 1~ or dans les
ouvertures. Une insolation totale et une rvlation retirent la rsine devenue inutile, un lger plasma oxygne
peut parfois tre ncessaire pour enlever les rsidus. Enfin, le mince film d'or est grav avec une solution
I2/KI/H2 0 avec la composition (1gl4g/80ml). La solution lectrolytique est une prparation commerciale de
sel de cyanure d'or. V lectrolyse est effectue en rgime puls pour une gnm.ulosit plus :fine des tats de
surface, ce qui permet de rduire les pertes ohmiques.
La technique de l'lectrolyse prsente plusieurs avantages:
- l'lectrolyse autorise des paisseurs de mtallisation importantes, ce qui rduit les pertes de
propagation hyperfrquences [9], [lO];
-le pH de la solution lectrolytique est de7 et la temprature de croissance de 45C.
-la couche d'or graver est trs :fine, l'attaque ne dure que quelques secondes. Le contact entre le
polymre et la solution I21K1/H20 est d'un dizaine de secondes, la diffusion de 1'iode dans le polymre
est trs limite;
- avec une sous-gravure de 1'ordre de r paisseur du film, celle-ci devient ngligeable; la rsolution
des motifs est plus prcise (fig.4.15).
- pour :furir, r lectrolyse nous permet d'envisager une architecture en trois dimensions de la ligne
hyperfrquence. Le dpt par pulvrisation est relativement isotrope, la croissance lectrolytique est la
mme sur les flancs verticaux que sur les plans horizontaux. Cette technique offre un relief au circuit
planaire, un flanc vertical d'une dizaine de micromtre n'est plus un obstacle pour un ruban mtallique
(:fig.4.16).
2.4 Mthode retenue

La mthode que nous retiendront pour la ralisation d'un rohan d'une paisseur de 2 pm sur polymre est la
suivante (:fig.4.14):
1) une couche de 400 A d'or est dpose la surface par pulvrisation avec les paramtres suivant une
8000
Figure 4.13 Etat de surface du polymre aprs gravure I2/KIJH20 et retrait de la rsine avec actone et ai cool
lere tape:
Enductio~ insolation et rvlation sur
~ fllm mince d,or
2eme tape:
Croissance lectrolytique de l'or
3mc tape :
Retra:il: de 1a rsine
4mc'tape:
Gravure du filin mince d'or
Figure 4.14 Procd de dfinition d'un motif mtallique l'aide de l'lectrolyse

Figure 4.15 Exemple de ralisation de coupleur 3~dB sur P.M.M.A.-D.R.l ( gauche) et de coupleur 3 dB
multimode sur polyimide ( droite)
Figure 4.16 Croissance lectrolytique d'or sur les surfaces horizontales et verticales d'un ruban de polyimide.
Figure 4.17 Exemples de containtes sur silice aprs rsinage ( gauche), aprs rvlation (au milieu) et aprs
gravure profonde ( droite)
pression de 9.10- 3 Pa, une puissance de 150 W et un temps de 3 min. Les marques d'alignement sont re-
portes sur r extrieur du masque. Elle sont protges pendant la pulvrisation avec un masque physique,
un morceau de silicium par exemple;
2) l'opration de photolithographie dfmie les motifs sur la rsine. Pour faire monter un ruban d'or sur un
flanc droit de polymres, on utilise une rsine paisse: l' AZ4562. Les paramtres d' enduction sont les
suivant 3000 tpm/s pour 1'acclration, 3000 tpm pour la vitesse et 40 s pour le temps de centrifuga-
tion. La rsine est rcuite 100C pendant 3 min sur plaque. La rsine est insol avec une nergie de
100 mJ/cm2 la longueur d'onde de 400 nm. Les motifs sont rvls dans une solution d' AZ351BIH20
(114) pendant 30s;
3) pour retirer les rsidus de rsine au fond des motif et amliorer le contact entre la couche d'or et l'or
lectrolys, on effectue un plasma oxygne avec une tension de polarisation de 80 eV, une puissance de
50W et un dbit de 50 cm3 /min;
4) l'or est lectrolys en rgime puls avec une priode de 100 JlS et un rapport cyclique de 111oe. La temp-
rature du bain est de 45C avec une concentration de 7 10 g/1 d'or en masse. La densit de courant est
de lmA/cm2. La vitesse de croissance est de 800 lmin;
5) aprs rincage l'eau et schage l'azote, l'echantillon est insol avec une nergie de 100 mJ/cm2 la
longueur d'onde de 400 mn. La rsine est retire dans un bain d' AZ351B pur le temps de dissoudre
toute la rsine. I: chantillon est rinc 1' eau dsionise et sch l'azote;
6) pour enlever les rsidus, on effectue de nouveau un plasma oxygne comme dans l'tape n3;
7) la fme couche d'or est retire avec une attaque humide KI/12/H20 ( lg/4gl80ml). Un contrle visuel permet
de savoir la fm de la gravure, celle-ci est stoppe par un rinage l'eau dsionise.
3 Gravure
Second verrou de la technologie des polymres, la gravure des polymres suit la mme philosophie (l'axio-
matique de la technologie) que le procd de dfinition d'un motif mtallique, soit:
1 . pas d'actone;
2 . pas d'alcool;
3 . des contacts limits avec les solvants des rsines;
4 . limiter les raction chimiques;
5 . compatibilit en temprature;
6 . pH des solutions proche de 7.
Ces six propositions permettent de dfinir un procd de fabrication utilisable pour un large vantail de
polymres, il a t valid pour l'ensemble des polymres rassembls dans le premier tableau (page 104). Dans
cette optique, nous n'utiliserons pas les proprits de photosensibilit, ni la gravure humide des polymres,
trop dpendante de la nature du polymre I 11] . La gravure sche du polymre est la voie la plus prometteuse
pour la mise en place d'une procdure standard de gravure des polymres. Plusieurs masques sont possibles
Gravure 117
pour protger le polymre: la rsine, la silice ou les mtaux. Le masque de rsine reste le plus courant et le
plus simple [12] , [16] . Pourtant, nous avons dcid de ne pas l'utiliser pour plusieurs raisons:
- elle ne respecte pas le troisime axiome;
- 1' paisseur de gravure est limite par les vitesses de gravure relatives polymre/rsine.
I.:insertion d'une couche de protection permet de pallier ces deux problmes.
3.1 Masque en silice [17]

C'est une technique rpandue pour la gravure des polymres. La silice est habituellement dpose la temp-
rature de 300C, trop lve pour les polymres lectro-actifs (contraire la cinquime proposition). Nous
avons effectu les dpts la temprature de 200C, mais la couche de silice n'est pas homogne, elle est
poreuse et contrainte. Les oprations suivantes de photolithographie feront apparatre des lignes de cont-
raintes (opration de rsinage ou de gravure profonde figure 4.1 7). La gravure avec un masque de silice a
t abandonne au profit d'une gravme avec un masque de mtal plus mallable que la silice.
3.2 Masque mtallique
3.2.1 Calibrage de la vitesse de gravure des mtaux
Pour s'assurer de la rsistance du masque la gravure par plasma, nous avons, dans un premier temps,
calibr la vitesse de gravure de diffrents mtaux. Pour cela, la mthode in situ utilisant 1'interfromtre est
inutilisable, les mtaux rflchissent trop la lumire ou l'absorbent trop. Nous avons utilis une mthode
visuelle permettant de mesurer prcisment la vitesse de gravure en jouant avec le contraste de couleur des
mtaux: une faible paisseur de mtal est dpose sur une forte paisseur d'un autre mtal (fig.4.18), on
peut ainsi apprcier au changement de couleur la vitesse de gravure du mtaL
Un pla...:;ma oxygne pur n'attaque pas ies mtaux. Les essais ont t raliss avec les paramtres suivants:
Gaz 2 20 cm".min l
1 Puissance wow
1 Pression 0,35 Torr
Aprs 30 minutes de gravure, la surface et l'paisseur de mtal n'ont pas chang. Pour graver les polymres
rsistant au plasma oxygne, 1'ajout d'un gaz fluor comme CF4, CHF3 ou SF6 est ncessaire. Dans le para-
graphe suivant, nous verrons que l 'hexafluorure de soufre permet de graver un large spectre de polymres.
Nousavonsdon.ctes.tleplasma suivant: 0 2 : 20 cm3 .min- 1 ; SF 6 : 5 cm3 . 1 et une pression de travail
de 0,35 Ton:: Les rsultats des mesures sont rassembls dans le tableau:
118 TECHNOLOGIE ET CARACJRISA.TION
mta12
(ex: or)
substrat
Figure 4.18 Principe de la mesure de la vitesse de gravure des mtaux
Figure 4.19 Surfce du polyimide aprs retrait du masque d'aluminium

Gravure 119
Or
150W 100 mm
125W 80 mm
IOOW 70
Les rapports des vitesses de gravure entre le polymre et le mtal sont grands (voir paragraphe <<Gtavure des
polymres), la gravure est donc slective. Le choix d'un mtal particulier comme masque de gravure est
dict par la facilit 1'enlever sans dtriorer le polymre. Dans le tableau suivant sont regroups les mtaux
disponibles et les solutions d'attaque.
Mtal Solution d' ataque

HCI/HO (1/4)
Aluminium
Solution de NaOH
HCl
Chrome
HNOg
HNOg/CHgCOOWH2S04 (5/5/2)
Nickel
HNJIHC1/H20 (l/l/3)
Platine HN031HC11H20 (ln/8)
HNOaiH20 (5/9 ou 1/5)
Argent
Fe(N03h/H20 (Il g/9ml)
HCIIHN()g (3/1)
Or
. KI/hiH20 (4 g/1 g/80 ml)
Les axiomes de notre systme de pense dterminent les mtaux utilisables. La sixime proposition limine
les mtaux dont la solution d'attaque est trop acide ou basique. TI ne reste alors que l'or avec la solution
de KIII2/H2 0 (4 g 1 1 g 180 ml) et l'aluminium avec une solution trs dilue de soude. I.:aluminium est un
lment trs r~ qui s oxyde trs vite. Aprs retrait du masque d'aluminium, la surface du polymre est
dgrade (fig.4.19), ce qui laisse penser que des liaisons covalentes ont li le polymre et raluminium.
Il ne reste alors qu'un seul mtal suceptible de rpondre toutes nos exigences: l'o:r Le retrait d'une fine
couche d'or laisse la surface du polymre propre en fin de processus (fig.4.21).
3.2.2 Gravure des polymres
Aprs la ralisation du masque d' ot; le polymre est attaqu par gravure ionique ractive. Dans un premier
temps, nous avons test un plasma oxygne avec les polyimides Ultradel 9020 et 9120. Les vitesses de
gravure en fonction des paramtres du plasma sont rassembles dans le tableau suivant:
Gaz et dbit Puissance Pression Tension Vitesse de gravure

2 20 cm;s .min l lOOW 0,35 Torr 300V 2000/min
3 1
02 20 cm .min- 140W 0,35 Torr 450V 3000/min
02 20 cm;s.min l 180W 0,35 Torr 580V 3800Aimin
La gravure par plasma oxygne donne des vitesses de gravure suffisantes pour entamer des paisseurs de
polymre importantes (quelques micromtres), les tensions de polarisation dpassent lmgement les 100 volts
et indiquent que la gravure est autant physique que chimique. La gravure oxygne est aussi trs slective,
elle n'attaque que les composs organiques, il n'y a donc pas de compromis entre l'paisseur du masque,
1'paisseur du polymre graver et le temps de gravure. Toutefois le procd est limit par:
- la tension de polarisation. Au dessus de 100 ~ la rugosit des surfaces, trop importante, augmente les
pertes optiques (fig.4.20) [13] .
- la nature du polymre. Pour que la gravure soit possible, il faut que les composs issus de la raction
soient volatils afin de renouveler les ractifs la surface du polymre. I; parfois, des composs
inorganiques rsistants au plasma oxygne se forment la surface, comme c'est le cas pour les polymres
dont la composition renferme du silicimn. Une couche superficielle compose en partie de silice stoppe
la progression de la gravure oxygne au bout d'un deux micromtres. I.:adjonction dans la composition
du plasma d'un gaz fluor, ractif avec la silice, est ncessaire [ 14] [ 15] .
Polymre Gaz et dbit Puissance Pression Tension Vitesse de gravure

2 40 cm.s.mn -l
Ultradel 9020 et 9120 lOOW 0,2T 200V 2500 !min
SF6 5 cm3.mn- 1
02 20 cm.s.mn -1
illtradel9020 et 9120 lOOW 0,2T 200V 3000/min
SF6 5 cm3 .mn- 1
02 20 cm;s .mn l
Ultradel9020et9120 150W 0,2 T 300V 6000 lmin
SF6 5 cm3 .mn- 1
2 35 emiS .mn 1
PMMA greff DRl IOOW 0,35 T IOOV 7000 lmin
SF6 5 cm3 .mn- 1
02 35 cm;s .mn l
OIP IOOW 0,35 T IOOV 1000 /min
SF6 5 cm3 .mn- 1
2 40cmi!.mn 1
Rsine photosenst.ole 1518 lOOW 0,2T 200V 2700imin
SF6 5 cm3 .mn- 1
2 20 cm.1.mn l
SFll IOOW 0,2T 200V 2200 lmin
SF6 5 cm3 .mn- 1
02 40 cm.s.mn l
OIP14gTMS 150W 0,2T 280V 6500 /min
SF6 5 cm3 .mn- 1
I.:hexafluorure de soufre, mme avec une pression partielle faible, active la gravure des polymres et rduit
la tension de polarisation sans diminuer les vitesses de gravure. Avec une tension de polarisation infrieure
100 V, l'paisseur de gravure est limite une dizaine de micromtres pour une sous-gravure infrieure au
dixime de micromtre. De plus, le quotient surface de polymre sur surface d'or doit tre grand pour viter
une charge des plans mtalliques, dont l'effet s'oppose au plasma et rduit la vitesse de gravure. Sur la figure
4.21 sont rassembles les photographies d'un ruban de 5 p.m de polyimide grav avec un masque d'or et
une nexgie de 100 eV. Sur la premire photographie, le masque d'or est encore la surface du polymre, on
Connexion hyperfrquence 121
observe que la sous-gravure est faible. Sur l'image du milieu, l'or a t enlev, la surface du polymre est
lisse. Sur la dernire image, un dtail des flancs du ruban montre que la rugosit est faible.
3.3 Mthode rtenue

La mthode rtenue pour la gravure de polymre sera la suivante:
1) ralisation d'un masque en or dont r paisseur dpend de 1,paisseur et de la nature du polymre graver
Si le polymre peut tre graver par un plasma oxygne, une paisseur de 0,1 pm d'or est suffissante pour
graver plus d'une dizaine de micromtre de polymre. Pour les polymres contenant l'lment silicium,
1'paisseur d'or sera fonction de l'paisseur graver
2) une fois la gravure termine, le masque d'or est retir avec une solution de KIII2/H20 (lg/4g/80ml). Un
contrle visuel permet de savoir la fm de la gravure, celle-ci est stoppe par un rinage 1'eau dsionise;
3) l'chantillon est sch l'azote.
En validant les deux tapes lmentaires de la technologie que sont la dfinition d'un motif mtallique sur
polymre et la gravure du polymre, nous pouvons envisager la ralisation d'un dispositif Si la ralisation
de la ligne hyperfrquence et du guide optique ne devraient plus poser de problme, il reste encore tudier
la connexion hyperfrquence.
4 Connexion hyperfrquence
Nous n'abordons le problme de la connexion hyperfrquence qu'ici pour deux raisons:
- il n'existe que peu de modles analytiques des modifications des dimensions de la ligne et, plus
forte raison, des modifications de la topologie de la ligne;
- la technologie dterminera 1, objet ralisable.
Les dimensions des lignes hyperfrquences des modulateurs ondes progressives sont plutt atypiques. Sur
un substrat d'arsniure de gallium, le rapport W /h d'une ligne micro-ruban d'impdance caractristique
50 Q est proche de 1'unit. La largeur du ruban est donc proche de 1,paisseur du substrat Pour une connexion
hyperfrquence efficace (pour une transformation adiabatique du mode), il faut rduire progressivement
la lm:geur du ruban et par l mme 1, paisseur du substrat. Cette solution est technologiquement difficile:
d'une part, il faut rduire l'paisseur du substrat de 400 p,m une dizaine de micromtres et, d'autre part,
le substrat devient trs fragile pour de telles paisseurs. H.R Fetterman [16] et D.G. Girton [9] connectent
la ligne hyperfrquence directement avec un connecteur micro-ruban/coaxial (connecteur K ou V Wtron).
Mais le diamtre de l'me centrale de ces connecteurs est de 100 p,m et les rflexions hyperfrquences sont
importantes. Pour rduire les rflexions, la lm:geur du ruban central a t rduite progressivement, mais dans
ce cas, l'impdance caractristique de la ligne n'est plus adapte.
La mthode la plus aise pour la rduction de la taille du mode hyperfrquence, tout en gardant une imp-
dance caractristique de 50 n, est d'utiliser une ligne coplanaire dont la largeur du ruban central est rduite
progressivement [ 10] , [18] . Lorsque le ruban central a la mme largeur que celui de la ligne mircro-ruban, il
Figure 4.20 Etat des surfaces pour deux polarisations: gauche 200 eV et droite 100 eV
Figure 4.21 Ruban de polymre avec un masque d'o:t; puis retrait du masque et dtail des flancs de gravure
(de gauche droite)
Figure 4.22 Deux topologies de transitions envisages faisant appel la gravure oriente et l'lectrolyse
Connexion hyperfrquence 123
faut raliser une transition coplanaire/micro-ruban. Pour cela, on peut envisager de faire descendre les plans
de masse (fig. 4.22 gauche) ou de faire monter le ruban central (fig.4.22 droite). La transition la plus int-
ressante est la premire; avec un pian inclin, le mode de la ligne coplanaire se modifie progressivement
pour s'adapter la ligne micro-ruban.
Dans ce but, nous avons tudi la gravure oriente des substrats. Le silicium et 1' arsniure de gallium sont
des structures de type zinc-blende ou diamant, les plans (Ul) sont plus serrs que les plans (100) et ainsi la
gravure est moins rapide dans cette direction (111). Pour le silicium, on insrera alors une couche isolante
entre le substrat et la ligne coplanaire.
4.1 Gravure oriente du silicium [19], [20]

La solution la plus communment utilise pour une gravure oriente du silicium est une solution de KOH
80C. Le rapport des vitesses de gravure pour les plans (lOO) et (Hl) est de 100. La gravure d'un substrat de
silicium orient (100) travers un masque de silice cre une gravure en forme de V, les flancs tant forms
par les plans (Hl), avec un angle de 54,7 par rapport au plan (100) de la surface (fig.4.23).
4.2 Gravure oriente de l'arsniure de gallium [21]

Presque toutes les gravures de l'arsniure de gallium oprent en premier lieu par une oxydation de la surface
et ensuite dissolvent r oxyde, enlevant par l mme quelques atomes de gallium et d'arsenic. Gnrnlement,
la solution contient un composant qui agit comme l'oxydant et 1'autre comme agent de dissolution. La so-
lution, que nous utiliserons, est H2S04 /H202/H20. Le peroxyde d'hydrogne est l'agent oxydant et l'acide
sulfurique dissout 1'oxyde. Comme pour le silicium, les plans { 111} jouent un rle important dans la gravure
oriente. Dans 1'arsniure de gallium, on distingue !es plans { lll} A constitus d'atomes de gallium et les
plans {Hl }B constitu d'atomes d'arsenic. La gravure oriente de l'arsniure de gallium est donc plus sen-
sible que celle du silicium et les rsultats font apparntre de nombreux plans cristallins (fig.4.24). Par contre,
elle prsente l'avantage de pouvoir faire des flancs avec une angle approximativement de 45 dans une direc-
tion et de 90 dans l'autre direction. Cette configuration permet d'approcher la fibre quelques micromtres
du guide optique (fig.4.25).
4.3 Remplissage
Le plan inclin termin, il faut:
- raliser le guide optique dans la fond de la gravure;
- aplanir la surface pour poser le ruban de la ligne micro-ruban.
Pour aplanir la surface de la gravure, il faut que 1'paisseur de polymre dposs soit au moins dix fois
suprieure la profondeur de gravure. La seule paisseur que nous pouvons modifier est celle du confinement
suprieur, mais l'paisseur maximale du polyimide SFll est de 1,5 p,m. Nous devons donc ajouter une ou
plusieurs couches suprieures de polymres pour rduire les dnivels. Cette mthode est difficile mettre
en uvre:
-il faut que les polymres aient des proprits d'aplanissement Les polymres SFU, PlvMA et
Figure 4.23 Gravure oriente d'un substrat de silicium (lOO)
Figure 4.24 Gravure oriente de l'arsniure de gallium avec une solution de H2SO.JH2<h/H20 (l/1/8) dans
la direction [0-1-l]( gauche) et dans la direction [0 1-1] ( droite)
Figure 4.25 Gravure oriente de l'arsniure de gallium avec une solution de H2S04/H2<h/H20 (l/l/16) dans
la direction [0-1-11 (. gauche) et dans la direction [0 l-ll (. droite)
Orientation des chromophores 125
PMMA-DRl suivent parfaitement les contours des gravures. Aprs dpt, le dnvl est identique
celui de la gravure;
- il faut que les vitesses de gravure des polymres soient sensiblement les mmes pour garder la planit
de la surface;
- pour des dpts en multicouche, il faut adapter les tempratures de recuit. Avec un recuit identique
pour toutes les couches, les premires dposes sont les pius recuites, les plus dures, et la gravure fait
ressortir les profils des rsines.
De nombreux essais nous ont dmontr que l'aplanissement des gravures est fonction des polymres et de
la tailles des motifs. De pius, le dpt de couches paisses de polymre au-dessus des structures est cont-
raint. La gravure rvle des fissures dans les polymres du guide optique. Difficile, non-reproductible et
consommatrice de matriau, nous avons abandonn cette solution pour la deuxime proposition (fig.4 .22 de
droite).
5 Orientation des chromophores
Substrat
Figure 4.26 Orientation corona
Pour induire une non-linarit du second-ordre dans un matriau, il faut briser l' quidistri.burion des chromo-
phares dans la matrice polymrique. La technique la plus utilise est l'orientation sous champ lectrique. Le
film de polymre est chauff jusqu' sa temprature de transition vitreuse, temprature laquelle les mol-
cules deviennent relativement mobiles. On applique alors un champ lectrique orientant les chromophores.
Toujours en prsence du champ lectrique, le film est alors refroidi en-dessous de la temprature de transition
vitreuse, figeant les molcules dans l'alignement du champ.
Le champ lectrique est appliqu de deux faons possibles:
-l'orientation corona (fig.4.26). L'chantillon est plac entre un plan conducteur et une aiguille.
L'aiguille est environ 1 3 cm au dessus de l'chantillon. De cette distance dpend l'aire de polymre
orient. La tension applique varie de 5 10 kV .!wec cette mthode, il n'y pas de risque de claquage.
-l'orientation entre deux lectrodes. Le champ lectrique est directement appliqu partir des
lectrodes qui constitueront le dispositif La tension applique est d'une centaine de volts. Mais avec
cette mthode, il faut que le film de polymre soit parfait, de faon viter tout courant de fuite entre
les deux lectrodes. L'utilisation d'une rsine par dessus l'lectrode suprieure pourra tre utile pour
augmenter la tension de claquage.
L'orientation des chromophores ou poling reste un tape critique du process, non pas en elle-mme mais
concernant son insertion dans le processus technologique. Si 1' opration s'effectue une temprature proche
de la transition vitreuse, la perte de 1'orientation des chromophores apparat pour des tempratures plus
basses. Dans le cas du P.M.M.A-D.R 1, aprs orientation, les tempratures du processus technologique ne
doivent pas dpasser 100C. Malheureusement, la majorit des rsines photosensibles doivent tre recuites
plus de 100C.
6 Procd complet
Nous prsentons ici titre d'exemple le procd suivi pour la ralisation d'un modulateur lectro-optique
multimode avec une transition coplanaire/micro-ruban, pour la connexion hyperfrquence.
tape 1: Dpt par lift-off des lignes copla-

Plmo. de masse de la
naires et du plan de masse de la ligne micro-
ruban.
Poly:mre de confinement tape 2: Dpt et recuit des polymres de

Polymre de cortfinemenl SIJlrie~
irt!!i..eur
confinement infrieur, de cur et de confi-
nement suprieur. L'orientation des chromo-
phares peut avoir lieu cette tape par effet
corona.
Procd complet 127
tape 3: Les contacts avec les lignes copla-

naires sont dgags par une gravure ionique
ractive, avec une couche d'arrt en or.
Interfromtre de
tape 4: Aprs une pulvrisation d'or et une
jl\.:!ACH-ZEHNDER
/1 tape de photolithographie, le masque de l'in-
terfromtre de MACH-ZEHNDER est dfini
par lectrolyse. La rsine est retire par inso-
lation totale et rvlation.
Ligne micro-ruban
tape 5: On ralise les lignes hyper-
frquence par lectrolyse. La transition
coplanaire/micro-ruban est complte.
tape 6: Le film d'o:t; dpos par pulvrisa-

tion, est enlev avec une solution d'iodure de
potasssium et d'iode bisublim.
128 TECHNOLOGiE ET CARACTRISATION
tape 7: Les guides optiques sont dfinis par

gravure ionique ractive. l:interfromtre de
MACH-ZEHNDER est termin.
tape 8: Le masque d'or de l'interfromtre

est enlev avec une solution d'attaque m: Le
poling peut aussi intervenir cette tape.
r: orientation des chromophores utilise alors
les lectrodes.
Caractrisation 129
1 Caractrisation
La technologie des lignes hyperfrquences et des guides optiques est identique. A chaque guide optique
caractris correspond une ligne hyperfrquence, qui a t ralise en mme temps que le guide optique. De
ce fait, chaque caractrisation d'une ligne hyperfrquence correspond la caractrisation d'un guide optique
adapt la ligne.
7.1 Guides optiques
7.1.1 Mthodes de mesure
Nous disposons de trois configurations de bancs de caractrisation de guides optiques:

la mesure fibre fibre. Le guide optique est insr dans une chane de transmission de 1'onde optique
( fig.4.27). lwec cette mthode, nous mesurons les pertes de propagation et les pertes d'injection en entre
et en sortie. La technique des clivages successifs permet de sparer les pertes de propagation des pertes
de couplage. Si l'on fait l'hypothse que les pertes de couplage ne changent pas avec le clivage, alors
la mesure des pertes de propagation se dduit de la mesure des pertes totales P1 et P2 de deux guides
identiques de longueurs diffrentes L 1 et L2. Les pertes de propagation se dduisent alors par: a = f;: f:
en posant L2 > L 1 . Les pertes de couplage par face se dduisent des pertes de couplage totale si r on fait
l'hypothse que celles-ci ne sont lies qu'au recouvrement des modes. Dans ce cas, les pertes de couplage
pour une face d'injection Pi sont: Pi = P2- aL2 = P1 - aL1.
la mesure en champ proche en sortie de guide. Le profil du faisceau optique est observ l'aide d'une
camra sensible aux longueurs d'ondes utilises (fig.4.28). Cette mesure permet d'observer facilement
les diviseurs de puissance et la commutation contrairement la mthode fibre fibre, o l'alignement de
plusieurs :fibres devient difficile. Elle permet, de plus, de vrifier le caractre monomode ou multimode
d'un guide. Sur la figure 4.30 sont reprsents les trois premiers modes d'un guide multimode avec un
confinement mtallique. Les modes sont spars en modifiant l'injection.
la mesure delalumiredifise (fig.4.29). La camra au-dessus du guide donne une image dela puissance
rayonn par la surface suprieure du guide. Nous faisons alors 1'hypothse que celle-ci est proportionnelle
la puissance guide. Dans ce cas, les pertes de propagation sont estimes par la pente moyenne de
la diminution de l'intensit en fonction de la distance de propagation. Cette mthode suppose que le
confinement suprieur soit transparent et que les pertes de rayonnement soient suffissantes pour obtenir
une image du guide sur la camra B. Bellini (23] a caractris de cette faon des guides enterrs dont
la structure est reprsente sur la figure 4.31. Les rsultats des caractrisations o = 633 nm sont
rassembls dans le tableau doite de la figure 4 .31.
photodtecteur laser
chantillon
dplacements x,y;z ete
Figure 4.27Mesure fibre fibre
lentille

\JI
t
dplacemems x,y;z ete
Figure 4.28 Caractrisation du profil de mode en champ proche
camra
laser
dplacements x,y,z et e cfumtillon
Fgure 4.29 Mesure de la lumire diffuse

Caractri sari on 131
Figure 4.30 Observation en champ proche des trois premiers modes du guide en haut gauche
substrat Si
!Jllmdcl 9020
n;1,S19 1 Taille des guide Pertes deJ?l'01Xlgation
1 2 Jl1Tl Il dB/cm !dB
j 3 ;un 7 dB/cm ldB
1 4 ;un 1,5 dl.l!cm ldJJ
silice n=l ,45 j l!UJl.
Figure 4.31 Structure des guides enterrs et caractrisation optique
Figure 4.32 Caractrisation en champ proche de guides plans

7.1.2 Mesures
Parmi les guides optiques proposs dans le paragraphe guides optiques envisageables page 99, la solution,
la plus sduisante pour sa simplicit technologique, est le guide optique confm par le mtal (fig.4.24 page
98). Les simulations prvoient qu'un guide optique de 10 p,m d'paisseur avec un confmement en or donnent
des pertes de propagation de 0,5 dB/cm. En respectant le rapport W jh proche de 2, on obtient une ligne 50 Q
avec des pertes hyperfrquences de 3 dB/cm 40 GHz. La structure de ce modulateur simplifie la technologie:
dpt monocouche, pas de recherche de polymres dont les solvants sont compatibles et pas de problme de
resistance lectrique des matriaux pour le poling. La seule contrainte rside dans 1' paisseur de la couche
dposer: 10 ;.tm. Or 1'paisseur maximale de PMMA-DRl est de 3 ;.tm (voir paragraphe Polymres page
104). Au pralable naous avons caractris des guides plans, ceci permet:
d'estimer des pertes dans les rubans mtalliques de part et d'autre du guide optique. Par la suite, on peut
alors quantifier les pertes par rayonnement lies la rugosit des flancs de gravure en retranchant les
pertes dans les rubans mtalliques des pertes globales de propagation.
de comparer 1' fficacit des confmements optiques;
Nous avons test deux types de guide plan. Le premier est compos de deux plans mtalliques spars par
3 p,m de PMMA-DRL Le second est compos de deux plans mtalliques spars par trois couches de po-
lymre arranges de la faon suivante; po1yimide SFU (1 p,m)/ PMMA-DRl (3 ;.tm)/polyimide SFH (1 ;.tm).
Sur la figure 4.32 sont reprsentes les mesures en champ proche la longueur d'onde de 1,3 p,m du premier
guide plan gauche et du second guide plan droite et ce pour une mme longueur de propagation. La figure
4.32 est suffisamment explicite pour dmontrer l'intrt de la couche de confinement dilectrique, l'inten-
sit lumineuse du guide plan avec cofinement est beaucoup plus grande. Des mesures fibre fibre donnent
une diffrence d'environ 15 dB/cm de pertes de propagation entre ces deux guides. Enfin, la caractrisation
des guides plans reste dvelopper notamment pour 1' tude de la difision des mtaux dans les polymres,
leur influence sur les pertes de propagation et les diffrentes barrires de difision possibles.
Figure 4.33 Structure et mesure en champ proche d'un Structure et mesure en champ proche d'un guide droit
et d~un coupleur 3---dB
En deuxime lieu, nous avons caractris des guides confmement latral. Compte tenu des mesures prc-
dentes, nous avons choisi la seconde structure pour le confinement optique. L'paisseur totale de dilectrique
est alors de 5 p,m; pour une ligne micro-ruban d'impdance caractristique de 50 n la largeur du ruban m-
tallique est de 10 p,m. Le guide optique est reprsent sur la figure 4.33 de gauche. Le guide est multimode;
Caractrisation 133
les calculs sur le logiciel commercial OWMS donnent 25 modes. Les caractrisations en champ proche d'un
guide droit et d'un coupleur 3 dB sont reprsents respectivement au milieu et droite. Pour le coupleur
3 dB, la distance entre les deux guides est de 100 p,m avec un rayon de courbure de 7 mm et un angle de "f',
ce qui est possible a cause de fort confinement latral (habituellement, pour un guide monomode, 1'angle d-
passe rarement 2). La longueur de propagation est d'un centimtre. A titre de comparaison, la longueur de
propagation des guides de la ftgure 4.30 est de 3mm (les mmes rglages du banc sont identiques ceux de
la figure 4.33).
L'estimation de pertes de propagation est difficile avec cette structure. Le prsence du mtal au dessus du
guide empche l'utilisation de la mthode en champ proche au-dessus du guide. La mthode des clivage
successifs s'impose mais elle est difficile metre en uvre avec les guides polymres. D'une part, il :fuut
des guides de trs grandes longueurs. Ph. Robert [22] prsente la caractrisation de guides optiques sur
semi-condcuteur par diffrents laboratoire. L'cart type moyen entre les mesures de pertes fibre fibre est
de 2 dB, H aux conditions d'injection. Les pertes optiques dans les guides polymres sont infrieures
0,5 dB/cm [2], [4] et {24}. Pour s'affranchir des conditions d'injection, il :fuut donc des guides d'au moins 4
centimtres, chose dlicate en technologie. D'autre part, la mthodes de clivages successifs ncessite que les
faces d'injection soient toujours similaires. Or avec les polymres, les clivages ne sont pas reproductibles, le
polymre est gnralement souple, il ne suit pas un plan de clivage ou/et se dchire. Sur la figure 4.34, nous
avons rassembl diffrents cas possibles:
sur la figure de gauche, le clivage d'un guide PMMA-DRI entre deux couches mtalliques. On remarque
que la face d'injection n'est pas droite et qu'elle est en retrait par rapport au plan de clivage du substrat.
sur la figure du centre, on peut voir le clivage d'un guide en ruban avec une couche d'arrt mtallique en
surface. Le mtal s'est soulv et gne l'alignement avec la fibre.
sur la figure de droite, un guide en poiyimide lJ1tradel avec une couche d'arrt en silice a une adhrence
faible sur la silice. Le clivage du substrat ne s'accompagne pas du clivage du guide, celui-ci reste suspendu
dans le vide. A la surface du guide, on observe les reliquats de la couche d'arrt en silice.
Dans ces conditions, la dispersion des mesures fibre fibre est trop importante pour extraire une valeur
de perte de propagation. Ceci met en valeur un problme cl des la technologie <ies polymres: les faces
d'injection. L'amlioration de la qualits de faces d'injection s'opre sur deux niveaux:
au niveau des proprits des polymres. ll faut une bonne adhrence du polymre sur le substrat pour que
la contrainte du clivage Se transmet au polymre. Il faut que le polymre soit cassant pour que la contrainte
se propage dans le polymre. C'est la cas par exemple des polymres thermo-durcissables, mais ceux-ci
sont gnralement difficilement travaiUables.
e au niveau de la technique. Les faces d'injection sont prpares avant clivage par une gravure R.lE. pro-
fonde ou une dcoupe au laser. Le clivage se fait alors le plus proche possible de la face d'injection. La
dernire technique consiste dcouper la scie le polymre en mme temps que le substrat, mais elle
ncessite l'optimisation de nombreux paramtres comme le choix du matriaux de la scie, la vitesse, la
pression...
Figure 4.34 diffrents cas de figure de clivage de guides polymres
7.2 Lignes hyperfrquences

La ligne hyperfrquence de notre modulateur est reprsente sur la figure 4.35. Elle est constitue d'un
accs coplanaire pour la connexion avec la source hyperfrquence et la mesure sous pointes. Les dimensions
transversales de la ligne coplanaire sont rduites progressivement jusqu' la largeur de la ligne micro-ruban
pour une transformation adiabatique du mode. Le ruban central de la ligne coplanaire passe alors au-dessus
du polymre et le plan de masse en-dessous, de manire former une ligne micro-ruban (fig.4.35). Pour une
connexion optique et hyperfrquence aise, les accs hyperfrquences sont renvoys sur le ct. En utilisant
la mthode B. Bianco et P. Parodi prsente dans le second chapitre, nous avons caractris chaque lment
de la ligne: la ligne coplanaire, la transition coplanaire/coplanaire, la transition coplanaire/micro-ruban, le
coude de la ligne micro-ruban et la ligne micro-ruban.
7.2.1 Transition coplanaire-cophmai
La configuration de la ligne coplanaire permet la transformation de la taille du mode hyperfrquence sans

perte de puissance tout en gardant une impdance 50 n. La transition tudie est de forme triangulaire
(fig.4.36) tout en respectant le rapport WJh pour garder l'impdance constante. Les pertes dans la tran-
sition sont tudies en fonction de la longueur Let de la diffrence de largeur D (fig.4.36). Nous avons
dtermin les pertes de propagation dans les lignes coplanaires sur GaAs semi-isolant pour des rubans de
largeur de 35 pm lO pm. Les pertes en dB/cm sont rassembles sur le graphique gauche de la figure 4.37.
Le coefficient de rflexion de la ligne tant faible, nous pouvons en premire approximati.on dduire les
pertes dans la transition en retmchant les pertes de propagation du coefficient de transmission. Dans ce cas,
pour le cas le plus dfavorable (lmgem de la ligne de 10 pm), les pertes dans une transition d'une longueur
Caractrisation 135
Figure 4.35 Modulateur lectro-optique
Figure 4.36 Transition coplanaire/coplanaire
-("'Gl<Zl lengueUr1le la !nlnslllon '"";JO\)
,. .., i 0
lx> .00
2l
=
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-0.8 ;
i '"' ""'--..
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10 .0.9
Figure 4.37 A gauche: pertes de propagation des lignes coplanaires en fonction de la frquence et de la largeur
W du ruban et droite: pertes rapportes par la transition en fonction de la longueur L pour W=20-J1ID
136 TECHNOLOG: ET CARACTRISATION
de lOO pm sont infrieures 0,1 dB sur toute la gamme de 250 :MHz 40 GHz. Nous avons aussi mesurer
les pertes en fonction de la longueur L de la transition pour W =20 pm. Elles sont reprsentes pour diff-
rentes frquences droite sur la figure 4.37. Plus la transition est longue, plus les pertes dans la transition
sont importantes. Nous avons alors mesur les pertes dans une transition abrupte. Dans ce cas, le coefficient
de rflexion est suprieur celui d'une transition progressive. La transition de la ligne hyperfrquence du
modulateur sera donc de forme triangulaire avec une largeur passant de 35 p,m l 0 pm sur une longueur de
100 p,m
Figure 4.38Lignes micro-ruban droite et coude
7.2.2 Ligne micro-ruban sur polymre avec accs coplanaire
Pour caractriser compltement la ligne micro-ruban sur polymre, nous avons ralis une ligne droite
(fig.4.38 de gauche) et une ligne coude (fig.4.38 de droite). La ligne droite permettra de calculer les pertes
dans les transition micro-ruban/ coplanaire et la ligne coude les pertes dans les angles. Paralllement la
caractrisation optique, nous avons test des lignes micro-ruban d'une largeur de 10 p,m sur une paisseur
de 3 p,m de P.M.M.A.-D.R.l avec une mtallisation en or de 2,5 p,m
7.2.2.3 Pertes de pmpaption
Nons avons test diffrentes gomtries (fig.4.39) au niveau de la transition coplanairelmicro-m.ban essen-
tiellement pour rechercher la configuration donnant le meilleur accs la ligne hyperfrquence et pour
la sensibilit la technologie. Les lignes, dont la jonction des plans de masse est proche de la transition
coplanaire/micro-ruban (fig.4.35), prsentent des coefficients de rflexion importants. signe de la prsence
d'un contact lectrique entre les deux conductem: En revanche, la gomtrie de lajonction des plans de masse
influence peu ies qualits de la transition les deux lignes, mais la plus gauche de la figure 4.39 donne les
meilleures performances (on gagne 0,3 dB sur toute la gamme de :frquence).
Les coefficients de rflexion et de transmission de la ligne sont reprsents sur la figure 4.40. On peut re-
marquer que Sl2 et S21, Sll et S22 sont confondus, signe que les transitions sont symtriques et donc
la technologie est reproductible. Les coefficients de trans:l:n:ission sont constants sur la bande de 5 GHz
40 GHz et les coefficients de rflexion infrieurs 10 dB. Des mesures des coefficients de transmission et
de reflexion, Eric Paleczny de l'quipe Electrom.agntisme des Circuite de l'LE.M.N. a extrait les valeurs
de la constante de propagation complexe de la ligne micro-ruban seule (fig.4.41). L'attnuation augmente
faiblement avec la frquence. Les valeurs de la constante de phase recoupent parfaitement celles de la si-
Caractrisation 137
Figure 4.39 Diffrents types de transition coplanaire teste
mulation faite sur le logiciel RES.S. par Jean-Franois Lgier de l'quipe Electromagntisme des Circuite
de l'I.E.M.N.; les valeurs simules sont reprsentes par des toiles sur la figure 4.41. Par contre, les va-
leurs de l'absorption sont sous-estimes. Les droites de rgression des deux courbes suivent pratiquement
la mme volution, la diffrence entre elles provient probablement de la valeur de la rsistance de 1'or que
nous avons choisie. Celle que nous avons utilise pour les modlisation est issue des caractrisations dilect-
riques: l'or avait t dpos par pulvrisation. Mais l'or des lignes micro-ruban est dpos par lectrolyse
et on peut raisonnablement penser que la conductivit de celui-ci est pins faible que celle de l'or dpos par
pulvrisation. La partie relle de l'impdance est proche de 40 . La ligne est lgrement dsadapte, ce
qui est prvisible puisque le rapport l-Vj h est proche de 3 et de plus l'paisseur de mtallisation contribue
rduire l'impdance caractristique.
7.2.2.4 Pertes dans les coudes
La ligne hyperfrquence doit tre coude pour dissocier les accs hyperfrquences et les accs optiques.
Nous avons test deux types de coudes: r angle droit et le chanfrein (fig.4.43). Les dimensions du chanfrein
sont does par les relations analytiques des dimensions optimales pour la transmission de la puissance
lectrique [25] . Sur la figure 4. 42 sont rassembls les coefficients de reflexion (S 11 et S22) et de transmission
(S12 et S21) de la ligne micro-ruban coude (fig.4.38 de droite). La longueur de la ligne est de 1 cm. Les
coefficients de rflexion et de transmission sont plns sensibles la frquence dans le cas de l'angle droit
que dans le cas du chamfrein, le coefficient de rflexion est plus grand. En faisant la mme approximation
que dans le paragraphe prcdent, les pertes dans les coudes peuvent tre estimes 0,4 dB sur la bande de
mesures.
7.2.2.5 Lipe micro-ruban avec guide optique tri-couche
Paralllement la caractrisation des guides optiques tri-uches, nons avons test des lignes micro-ruban
avec les trois couches de polymre formant une paisseur de 5 Jlm (1 pm de SFll/3 Jlm de P.M.M.A.-
D.Rl/1 Jlm de SFH) sparant le ruban mtallique du plan de masse. En comparant les valeurs des mesures
de la figure 4.40 avec celles de la figure 4.44, on peut voir qu~elles sont quasiment identiques. On peut faire
alors 1'hypothse que les caractristiques des lignes sont similaires. Le comportemet en basse frquence fait
~(enHZ)
o..oo 5.0E-109 1.0::+1o 1.se+10 2.oe+1o 2.5E+10 3.0E+10 3.5E+10 4.0E+1o
-5
10
-15 ;
~o+I~*---------~+--7~--_,4L----~~------
-~+,~----------~~~--~~---------------
~O+i~--------~~+------0~----------------
~5+1~--------------------------------------
,
~ 40T:~--------------------------------------
i 45~----------------------------------------
Figure 4.40 Coefficients de rflexion (S ll,S22) et coefficients de transmission (S 12,S21) en fonction de la

frquence
Ero~-----------------------------
~ 9
!s+------------------------------
.!1
l . 7
/V'~ ..---~.IV
.
-~ :r-- ii.Jz
CC.vv\ tv' ___ .... --------~-"-5?-~A ------
_____________ 'k
.. 1 v ---------.r
3~:------~~~-~-=---~-------------------
-----------""" __ ....--
2~~---------------------------
1~-----------------------------
o+:--------------~------------~
0 .c 1~ 2C 25 10 20
Figure 4.41 Dtermination exprimentale de la constante de phase ( guche) et de l'attnuation ( droite).

Les toiles reprsentent les simulations sur HFSS.
10
.:.e;'
1
~~------------------------------ ~~~----------------------------~
~~------------------------------
Figure 4.42 Coefficients en rflexion et en transmission de la ligne coude en angle droit ( gauche) et avec
un chamfrein ( droite)
Caractrisation 139
Figure 4.43 Angle droit et angle chamftein de la ligne micro-ruban
frquence (en GHz)

10 15 30 35 4()
~ or--~-~--~-~-~--~-~-~
"'
c -5
~~-----~----------------
~~-----7-----------------
~~'-----T---------------
~~------------------------
Figure 4.44 Mesure des coefficients de transmission (Sll et S22) et de rflexion d'une ligne avec 5-ttm
d'paisseur de polymres en tri-couche prfigurant un guide optique
Figure 4.45 Mesures de l'intensit des franges de Maker

actuellement l'objet de simulations a:fin de dterminer l'origine des perturbations et de dterminer le cas
chant une structure adapte sur une plus grande plage de :frquences.
7.3 Orientation des chromophores

Des essais d'orientation des chrompohores sous champ lectrique, dnomme habituellement sous la termi-
nologie anglo-saxonne poling, ont t faits l'cole Normale Suprieure de Cachan par ric Toussaere.
Nous avons essay diffrents chantillons composs de:
d'une couche de P.M.M.A.-D.R.l de 3 f.tm d'paisseur dpose sur des lames de microscope en BK7 et
en Pyrex dont la conductivit est faible devant celle du polymre,
d'un guide plan tricouche compos d'un micromtre de SFH, de 3 f.tiD de P.M.M.A.-D.R 1 et d'un mi-
cromtre de SF 11 dposs sur des lames de microscope identique au premier chantillon,
du mme guide plan entre deux lectrodes d'or sur un subtrat d'arsniure de gallium. Ce substrat ser
ensuite traite pour la fabriction d'un modulateur.
Les deux types d'orientation, corona et sous lectrodes, ont t tests. Pour les essais d'orientation avec
les lectrodes (troisime chantillon), des courants trop importants ont t mesurs temprature ambiante,
ce qui laisse prsager des risques de claquage pour des tempratures proches de la transition vitreuse. Les
chantillons ont t polariss par effet corona 120C pendant 20 mn avec une tension de polarisation de
5 kV 10 kV. Les chantillons sur des lames de microscope ont permis une caractrsiation par la mthode
des franges de Maket Les mesures (fig.4.45) montrent l'intensit du second harmonique [26] en fonction
de l'angle d'incidence du faisceau lumineux. Les valeurs des chantillons sont similaires avec ou sans confi-
nement dilectrique, on peut en conclure que la resistivit des couches de confmement est proche de celle
de la couche de P.M.M.A-D.Rl. Nous avons dduit de ces mesures une valeur de d.as = 35 pmN et un
coefficient r33 proche de 12 pm/Y.
8 Conclusion
Pour intgrer les polymres dans une technologie semi-conducteur et pour valider un procd utilisable pour
un large spectre de polymres, nous avons pos les prmices d'une axiomatique de la technologie polymre.
En imposant ces conditions du processus technologique, nous esprons limiter les ractions du polymre
avec les diffrents actifs chimiques. Nous avons dvelopp les tapes lementaires du procd de fabrication
que sont la dfinition d'un motif mtallique sur polymre et la gravure du polymre. Ces deux tapes ont t
valides pour l'ensemble des polymres dont nous disposons. A elles seules, eUe suffisent la fabrication
complte d'un dispositif avec des polymres fonctionnaliss. Le point important de cette tecbn.ologie rside
dans le fait qu'elle n'utilise pas d'actone ou d'alcool, lments incontournables de la technologie semi-
conducteur.
Nous avons caractris sparment les deux guides du modulateur lectro-optique ondes progressives: le
guide optique et la ligne hyperfrquence. Nous retiendrons des mesures des pertes de propagation optique
l'importance d'un confinement de faon loigner le modes des lectrodes mtalliques et la ncessit de
s'investir dans la mise au point de faces d'injection lisses. Pour la ligne hyperfrquence, on estime les pertes
141
de propagation quasiment constante sur 1'ensemble de la bande de frquence de 5 GHz 40 GHz et de l'ordre
deS dB/cm.
Rfrences
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CONCLUSION ET PERSPECTIVES
Pour la ralisation d'un modulateur lectro-optique, on peut rsumer les proprits des diffrents matriaux
utiliss de la faon suivante:
sur niobate de lithium, la constante dilectrique est deux fois plus grande aux longueurs d'ondes millimt-
riques qu'aux longueurs d'ondes optiques. La bande passante est limite par la diffrence de vitesse des
deux ondes. On cherchera donc un matriau dont les permittivits en hyperfrquence et en optique sont
proches. De plus, la fragilit du cristal impose une configuration de ligne hyperfrquence coplanaire, ce
qui a pour effet d'augmenter la tension demi-onde;
sur arsniure de gallium, l'utilisation d'une couche dope comme plan de masse d'une ligne micro-ruban
introduit une charge d'espace qui rduit la vitesse de propagation de 1' onde. On cherchera alors un mat-
riau dilectrique.
Les polymres rpondent ces deux critres. D'une part, dans le second chapitre, nos caractrisations d-
montrent que les permittivits ont des valeurs semblables en optique et en hyperfrquence. D'autre part, le
polymre s 'intgre facilement dans une configuration micro-ruban. Les dmonstrateurs dj raliss conver-
gent tous vers cette structure associant faible tension demi-onde et adquation des clrits des ondes hyper-
frquence et optique.
Notre dmarche pour la conception d'un modulateur lectro-optique ondes progressives a t tout d'abord
de dfinir une ligne hyperfrquence large bande adapte 50 n, puis de rechercher une struture de guide
d'onde optique compatible avec cette ligne hyperfrquence et avec les polymres disponibles l'I.E.M.N.
Dans le troisime chapitre, nos modlisations montrent l'importance du rapport d'aspect entre l'paisseur
de polymre et la largeur du ruban pour l'adaptation d'impdance, mais surtout la ncessit d'une forte
paisseur de polymre et de mtallisation pour obtenir une large bande passante. Mais le gain en bande
passante s'accompagne d'une augmentation de la tension demi-onde, le facteur de qualit de la ligne micro-
ruban (bande passante/tension demi-onde) convergent vers une valeur limite. ll est clair que l'amlioration
du facteur de qualit passe par une augmentation du coefficient lectro-optique du polymre actif.
Les modlisations termines, nous sommes descendus en salle blanche pour la ralisation des guides passifs
ou actifs, de lignes hyperfrquences et d'accs hyperfrquences. Nous avons voulu intgrer les polymres
dans une technologie classique de micro-lectronique sur semi-conducteur. Pour cela, il a fallu valider les
tapes technologiques lmentaires, notamment la dfinition d'un motifmtallique sur polymre et la dfini-
tion d'un motifen polymre. Ces tapes ont t prouves pour les diffrents types de polymres disponibles
1'I.E.M.N. Nos tudes ont abouti l'tablissement d'une axiomatique de la technologie des polymres qui,
nous l'esprons, permettra de dfinir un procd de fabrication applicable un large spectre de polymres.
Nos essais technologiques ont permis de dvelopper une transition coplanaire/micro-ruban pour la connexion
de la ligne micro-ruban mais aussi pour permettre des mesures sous pointes. Nos caractrisations montrent
des coefficients de rflexion faibles et des coefficients de transmission constants sur toute la bande de 5 GHz
40 GHz. La caractrisation des guides optiques montrent 1'importance des faces d'injection et la ncessit
d'un confinement dilectrique pour loigner le mode optique des lectrodes de la ligne micro-ruban.
146 1ECHNOLOGIE ET CARACTRISATION
Nos travaux ont abouti la ralisation d'un objet qui combine ligne hyperfrquence bnge bande adapt 50 0,
guides optiques faibles pertes de transmission et bon couplage avec la fibre: il s'agit d'un interfromtre
de Mach-Zehnder. ll reste nanmoins, pour aboutir un dispositif lectro-optique fonctionnel, intgrer le
procd d'orientation des matriaux actifs.
L'ensemble de ce travail constitue une premire approche de l'utilisation des polymres proprits non-
linaires pour la modulati.on large bande. n met en reliefles points clefs des futurs travaux:
mettre profit les tudes dans le domaine de la chimie de la C.T.I. qui ont rcemment abouti la synthse
d'un polymre lectro-optique coefficient fort;
insrer dans le procd de fabrication du modulateur l'tape d'orientation des chromophores. La temp-
rature de transition vitreuse du P.MM.A-D.R.l est de l'ordre de 120C et la temprature de recuit des
rsines photosensibles poches de 100C; ce qui empche toute tape de photolithographie aprs orienta-
tion des chromophores;
rduire les pertes hyperfrquences en doublant la largeur du ruban tout en restant adapt 50 n;
diminuer le cot de production en utilisant un substrat en silicium dop. On pourra tudier la possibi-
lit de rduire les pertes hyperfrquences avec une couche de polymre d'une centaine de micromtres
d'paisseur. La rsine SU-8 pourrait tre une solution pour cette application;
realiser une ligne coplanaire charge par capacit permettrait d'augmenter le facteur de qualit et de
rduire la tension de polarisation sans rduction de la bande passante. Cette structures'inspire des travaux
de Bob 'Wdker sur les modulateurs lectro-optique sur arsniure de gallium;
amliorer les faces d'injection des guides optiques avec des techniques de gravure profonde ou de dcoupe
la scie;
amliorer le couplage optique en ajustant les indices de r:fi:action des polymres comme r ont dj fait
les chercheurs d' Allied Signal. Confions aux chimistes le soin de synthtiser le couple de polymre
cur/confinement.

2001 69

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Universit des sciences et technologies de Lille

prsente et soutenue publiquement le 24 janvier 200 1

Pt: Eugne CONSTANT Prsident (U.S.T.L.)

Il faut faire un composant bon march

Impact cQn1currentiel des technologies

finble moyen fort

1 PRINCIPES DE LA MODULATION LECTRO-OPTIQUE 11

1.2 Interactions lumire-matire . 12

1.3 Comportement optique . . 14

1.4 Optique non-linaire. . . . 16

1.5 Modulation lectro-optique . . 20

1.6 Modulation trs haute frquence . . . . . . . 24

1.7 Lignes hyperfrquences . . . . . . . . . . . 28

1.8.3 Modulateurs polymres . 39

2.2 Caractrisation optique . 64

3.2 Modlisation lectrique . 76

3.2.3 Approche dans le Domaine Spectral (AD.S.) . 79

3.3 Modlisation optique . . . . . . . . . . 81

3.4 Conception des guides . . . . . . . . .90

3.5 Conclusion . . . 100

4 TECHNOLOGIE ET CARACTRISATION 103

4.3 Gravure . . . . . . 116

4.4 Connexion hyperfrquence . 121

4.4.2 Gravure oriente de rarsnime de gallium [21] . 123

4.6 Procd complet .. 126

4.7 Caractrisation . . . 129

4.8 Conclusion . . . . . . . . . . . 140

CONCLUSION ET PERSPECTWES 145

PRINCIPES DE LA MODULATION LECTRO-OPTIQUE

unitaire ti de la direction de propagation de la phase de l'onde, soit k = k 7, il vient

Dmonstration: le milieu est birfi:ingeant.

Dmonstration: les deux tats de polarisation sont linaires et orthogonaux.

4.1 Vecteur polarisation

P = eo (~< 1 ): + x<2>: + x<3): EE + .. .) (1.12)

diffusions de RAMAN et BRILLOUIN, l'autofocalisation de la lumire, l'automodulation de phase et la

4.2 Susceptibilit d'ordre deux

t?J~~2) +'Y a"";;~2) + w~x(2) + o: [x<l>f = 0

x< 1> (w;) = -!F; (w,) ;(-;,:) i = 1, 2 et D (w;) = w~- w~ + iw;")'

4.3 Effet lectro-optique linaire

4.4 Matriaux prsentant un effet lectro-optique linaire

4.4.1 Effet POCKELS daDs l'anniure de gallium AsGa

4.4.2 Effet POCKELS daDs l'A.D.P. ~)H2P04

4.4.3 Effet POCKELS dans le niobate de lithium LiNbOs

5.1 Modulation de phase

Figure 1.2 I.:archtype du modulateur de phase

(~, + r13E;) y 2 + ( :~ + r33E;) z 2 = 1

5.2 Modulation d'intensit

5.2.1 Modulateur par antiguidage

5.2.2 Modulateur par couplage

Figure 1.3 Modulateur par antiguidage

Figure 1.4 Modulateur par couplage

:eo~3<ffi : Madulat=dt:pl>us.e !Coq>Jeur3cffi

Figure 1.5 I:interfromtre de MACH-ZEHNDER

5.2.3 Interfromtre de MACH-ZEBNDER

Figure 1.6 Configuration en push-pull d'un modulateur GaAs

V interfromtre de MACH-ZEHNDER est le plus couramment utilis pour deux raisons:

6 Modulation trs haute frquence

6.1 Limites des structures dites "localises"

Gnteur Ligne Modulateur

Figure 1. 7 Schma quivalent lectrique du modulateur lectro-optique

6.2 Modulateur ondes progressives

Ligne hyperfrquence --+

Figure 1.8 Le modulateur ondes progressives