SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

Emmanuel Rosencher
A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
1/43
 Remplissage des bandes: principe de Pauli

v
Ec (k )

r Wolfgang Pauli
k

Bande pleine Bande incomplète

Question 1: Propriété des électrons suivant leur position dans la bande ?

Question 2: Combien d’électrons dans les bandes à T non nulle ?
2/43
 Qu’est ce qu’une relation de dispersion ?
En théorie ondulatoire, relation qui lit la fréquence ω et le vecteur d’onde k

ω =k c
n(ω )
Ex: la lumière dans un matériau

vϕ = ω = c
k n(ω )
vitesse de phase

vitesse de groupe v g = dω
dk

En physique quantique, relation qui lit l’énergie E et le vecteur d’onde k

Près d’un extremum, concept de masse effective:

r r
E (k )= h ω (k )= Eext + (k − kext )t M −1 (k − kext )
h2
2

3/43
 Vitesse de groupe électronique

Chaque états propres ψ n,k (r ) de l’Hamitonien d’énergie En (k ) à une dépendance temporelle:

En (k )
− i t
ψ n , k (r , t ) = u n , k (r ) e e
i k r h

Un paquet d’ondes électroniques d’une bande n se déplaçant dans le cristal s’écrit

ψ (r , t ) = ∫ a(k )un,k (r ) ei (k r − ω (k )t ) dk
a (k )
Près de k0: ω (k ) = ω0 + dω (k − k0 )
dk hω0

ψ (r , t ) = ∫ a (k ) u n , k (r ) e
(
i k r − ω0 t − dω (k − k0 )t
dk
) dk
k0

(i dω k0 − ω0 t
ψ (r , t ) = e dk
) (
i k r − dω t ) dk
∫ a (k ) u n , k (r ) e dk
4/43
 Vitesse de groupe électronique

Seule la norme nous intéresse: ψ (r , t ) = ∫ a (k ) u n , k (r ) e

(
i k r − dω t
dk
) dk
Référentiel en mouvement: r ' = r − dω t
dk

( dk
)
ψ (r , t ) = ∫ a(k )un,k r ' + dω t ei k r ' dk r
v g = 1 ∇ kr E
hω0 h

En ne prenant des photos que tous les t tels que

dω t = a
dk

ψ (r , t ) = ∫ a(k )un,k (r ' ) ei k r ' dk

k0

Le paquet d’onde électronique se déplace sans se déformer avec une vitesse de groupe: v g = dω
dk

r 1 r
Généralisation: vg = ∇ k E
h
5/43
 Dynamique des électrons dans les bandes: oscillations de Bloch
r
Énergie prise au champ électrique:
rr
ε
Dans le cristal: dE = − F v g dt
r r r
Dans la bande dE = − ∇ r E dk = − h v g dk
k
r r
F =h k
d
dt
− π / a vr = 1 ∇ r E π / a
g h k

k (t ) = k0 − h ε t
q
En absence de collisions:

q aε
Oscillations de Bloch f Bloch =
2π h f Bloch ≈ 1011 Hz << f chocs ≈ 1013 Hz
a ≈ 10 −9 m ; ε ≈ 106 V / m
6/43
 Dynamique des électrons dans les bandes: masse effective

Dynamique du paquet d’ondes électronique dans le cristal:

r
dv g
= (
d 1 ∇ rE
dt h k
) [
= h1 ]
∇ kr ∇ kr E dt
d k
r
r
r
[ ]
dt dv g 1
= r r
∇k ∇k E F
r r dt h 2
F =h k
d
dt

Le paquet d’électron possède une dynamique Newtonienne avec un tenseur de masse effective

M −1 = 12 [∇ kr ∇ kr E ]
h

7/43
 Conductivité et structure de bande

Une bande pleine ne conduit pas

r r r q⎛ ⎞
J = − 2 q ∑r v g (k )= 2 ⎜⎜ r∑ ∇ k E + r∑ ∇ − k E ⎟⎟ = 0
r r
h
k ⎝ k >0 k >0 ⎠
Dégénérescence de Krammers

r r
−k +k
Une bande incomplète conduit

r r r q ⎛⎜ ⎞
J = − 2 q ∑r v g (k )= 2 ∑ ∇ r E ⎟ ≠0
−k ⎟
h ⎜r
k ⎝ k > kmax ⎠

r r
−k +k 8/43
kmax
 Notion de trou

r
∑ k =0 ∑ Ek = E r
bande bande
kt
r r
∑ k = − ke ∑ Ekr = E − Ek e
bande bande r
avec avec ke
électron électron
manquant manquant

9/43
Énergie des électrons Notion de trou Énergie des trous

Électron manquant en ke Trou en kt = -k e

dke dkt
h = − eε h = + eε
dt dt
Charge -e Charge + e

Ee (k ) − Et (k )

v eg = 1 ∇ ke Ee (ke ) vtg = 1 ∇ kt Et (kt ) = v eg

h h

M e d v eg = − e ε M t d vtg = + e ε
dt dt

Me < 0 Mt = − Me > 0

J =− ∑ − e vg J =− ∑ + e vg
ke occupé kt occupé
10/43
Énergie des électrons Notion de trou

- Électron manquant en ke Trou en kt = -k e

dke dkt
h = − eε h = + eε
dt dt
- Charge -e Charge + e

Ee (k ) − Et (k )

- v eg = 1 ∇ ke Ee (ke ) vtg = 1 ∇ kt Et (kt ) = v eg

h h

M e d v eg = − e ε M t d vtg = + e ε
dt dt

Me < 0 Mt = − Me > 0
Énergie des trous
J =− ∑ − e vg J =− ∑ + e vg
ke occupé kt occupé
11/43
 r
Électrons et trous ε
électrons
vg

−e
Je

vg

+e
Jt
trous
J total = J e + J t
12/43
 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
13/43
 Comment compter les électrons dans des systèmes discernables?

N2 − ∆E
= e kT
N1

N1 = Ntot 1 N 2 = Ntot 1
2 − ∆E + ∆E
∆E 1+ e k T 1+ e k T
1

Ntot : nombre de centres introduits dans le volume

Que dire dans un système condensée

L. Boltzmann de particules indiscernables ?
1890
14/43
 Comment compter les électrons dans des systèmes indiscernables?

f F (E ) = 1
E − EF
1 + e kT

EF EF T =0

1 f F (E )
T ≠0 2

E. Fermi P.Dirac

Question: Combien d’états accessibles aux électrons entre E et E + dE

15/43
 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
16/43
 Techniques de pseudo-quantification

Boite de potentiel infini Condition aux limites périodique

(Born-von Karman)
Potentiel infini
La fonction d’onde s’annule

Lx
Lx
⎛ Lx ⎞
r r ⎜ ⎟
Ψ ( x , y , z ) ∝ sin (k x x ) sin (k y y )sin (k z z ) Ψ (r + L )=Ψ (r )
r avec L = ⎜ L y ⎟
⎜L ⎟
d’où ⎝ z⎠
avec
ki = mi Lπ = mi m a π avec mi = 0,..., mmax ki = 2 mi π avec mi = − mmax ,...,−1,0 ,...,mmax
i max i Li

mmax = Li / ai où ai est la distance inter-atomique

17/43
Structure de bande (rappels)
v v
Ec (k ) Ec (k )

Pseudo-
quantification
de l’énergie

2π
r m r
L
k k

v v
Ev (k ) Ev (k )
Born-von Karman 18/43
 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
19/43
 r r r
Question 1: combien d’états peut-on mettre entre k et k + dk

L
dk x dN x = x dk x
2π
kx Ly
dN y = dk y
2π
2π L
dN z = z dk z
Lx 2π
3 r3
d N = dN x dN y dN z = V
3
dk
8π

r
ρ (k )== v 3 = V 3
d 3N
dk 8π
2π
r
ρ (k )== 2 × v = V 3
d 3N Ly
dk 4π 2π r
Lx Pour chaque k, 2 spins
Dégénérescence de spin
20/43
Question 2: combien d’états peut-on mettre entre k et k + dk

r
ky dN = = 3 () 2
∫∫∫ d N = ρ k 4 π k dk
entre k et k + dk

dN = V 3 4π k 2 dk = V2 k 2 dk
kx 4π π
dk
Or, par définition ρ (k ) == dN
dk

ρ (k ) = V2 k 2
π

21/43
 Question 3: combien d’états peut-on mettre entre E et E + dE

mi est la masse effective

h2 k 2
On suppose la relation de dispersion Ei (k ) − Ei = i = c pour la bande de conduction
2 mi
i = v pour la bande de valence

Par définition de la densité d’états en énergie dN = ρ ( E ) dE = ρ (k ) dk ρ ( E ) = ρ (k ) dk

dE

ρ (k ) = V2 2i (E − Ei )
2m
π 3/ 2
ρ (E ) = V 2 ⎛⎜ 2i ⎞⎟
h 2m
E − Ei
2π ⎝ h ⎠
dk = 1 2 mi 1
dE 2 h 2 E − Ei

Reliquat de la pseudo-quantification
22/43
 Densité d’états 3D par unité de volume dans GaAs

3/ 2
⎛ 2 mc ⎞
ρ c (E ) = 2 ⎜ 2 ⎟
1 E − Ec mc = 0.067 m0
2π ⎝ h ⎠
en eV −1 cm−3
3/ 2
ρv (E ) = 12 ⎛⎜ 2v ⎞⎟ mv = 0.64 m0
2m
Ev − E
2π ⎝ h ⎠

E E
1.14 10 20 EeV eV −1cm −3

k
ρ
3.36 10 21 EeV eV −1cm −3

23/43
E
 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
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 Question 4: Quelle relation entre le niveau de Fermi
et la densité de porteurs dans chaque bande?

Particules à l’équilibre en interaction entre elles existence d’un niveau de Fermi

n = ∫ f F ( E ) ρ ( E ) dE
E
Nombre d’états accessibles
Probabilité d’occupation

Ec E − EF
ρ −
f F (E ) = 1
E − EF
≈e kT si Ec − E F >> kT
EF
1 + e kT semiconducteur non dégénéré
f F (E )
∞ 3/ 2 E−E
⎛ 2 mc ⎞ − F
n= ∫ 1
⎜ 2 ⎟ (E − Ec ) e kT dE
1 / 2
Ec 2π ⎝ h ⎠
2

25/43
 3/ 2∞ ( E − Ec )+( Ec − EF )
⎛ 2 mc ⎞ −
∫ ( E − Ec )
n= 2⎜ 2 ⎟
1 1 / 2 e kT dE
2π ⎝ h ⎠ 0

3/ 2 Ec − EF ∞
⎛ 2 mc ⎞ −
n= 2⎜ 2 ⎟
1 (kT ) 3 / 2 e kT u 1 / 2 e − u du
∫
2π ⎝ h ⎠ 0

π /2

E −E Tout se passe comme si:

− c F
n = Nc e kT
Nc
3/ 2 Ec
⎛ 2 mc ⎞
Nc = 1 ⎜
4 ⎝π h2 ⎠
⎟ (kT ) 3 / 2
EF

Nc : densité effective d’états dans la bande de conduction

26/43
 Dans la bande de valence…
Ev
p = ∫ (1 − f F ( E )) ρ v ( E ) dE
E 1 − f F (E ) −∞ Nombre d’états accessibles
probabilité de non occupation
par un électron-> occupation
par un trou
EF
E − EF
Ev 1− f F (E ) = 1 − 1
E − EF
= 1
E − EF
≈ e kT
−
1 + e kT 1 + e kT
semiconducteur non dégénéré

Ev 3/ 2 E − EF

Ev − EF
⎛ 2m ⎞
p = ∫ 1 2 ⎜ 2c ⎟ (Ev − E )1 / 2 e kT dE
− ∞ 2π ⎝ h ⎠
p = Nv e kT

3/ 2 Nv : densité effective d’états

⎛ 2 mv ⎞
Nv = ⎜
1
4 ⎝π h2 ⎠
⎟ (kT ) 3 / 2 dans la bande de valence

27/43
E E E

1 − f F (E )

Ec Nc

EF EF
v
f F (E )
f F (E )
k
Ev Nv

28/43
 Interprétation chimique
E −E Ev − EF
− c F
n = Nc e kT
p = Nv e kT

− E g / kT
n p = Nc Nv e avec E g = Ec − Ev le gap du matériau

Cette équation est toujours vraie dès qu’il y a existence d’un niveau de Fermi c’est à
dire tant qu’il y a équilibre thermique !!!

dn d p Ec
= =G − R n × p
dt dt Eg
Recombinaison 2 à 2 −
Génération thermique
R G∝ e kT
thermiquement activé
Ev

n p = G ∝ e − Eact / kT
R 29/43
 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
30/43
 E
Régime intrinsèque

Si pas d’impuretés: n = p ≡ ni

− E g / 2 kT
n = p = ni = N c N v e k

E −E Ev − EF
− c F
Niveau de Fermi donné par : Nc e kT = Nv e kT

E +E N Ec
E Fi = c v + kT ln v
2 2 Nc
E Fi

Le niveau de Fermi intrinsèque est quasiment au mi-gap !

Ev

31/43
 PARAMETRES DE QUELQUES SEMICONDUCTEURS

masses Concentration Concentration

Gap masses effectives de Densité effective d’états
effectives de intrinsèque (cm-3) intrinsèque (cm-3)
(eV) conduction (cm-3)
densité d'états 300 K 600 K

electron me trous mt Electr. trou Electr. trou

Eg m long m trans mlh mhh mde mdt ρc ρv ni ni

Ge 0.67 1.64 0.082 0.044 0.28 0.22 0.18 2.5 1018 1.8 1018 6.1 1012 3.4 1016

Si 1.12 0.98 0.19 0.16 0.49 1.18 0.81 3.1 1019 1.7 1019 1.1 1010 3. 1015

GaAs 1.42 0.067 0.074 0.49 0.067 0.53 4.0 1017 9.3 1018 2.1 106 2.4 1013

GaN 3.2 0.13 0.19 1.3 0.13 1.4 1.1 1018 4. 1019 ≈ 10-8 3 106

Ge pur conduit à 300 K GaN pur isolant à 600 K

32/43
 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
33/43
 HAMILTONIEN DE MASSE EFFECTIVE (1)

Hamiltonien décrivant l’interaction entre le cristal et l’éléctron:

rˆ 2
H0 =
ˆ p
2 m0
rˆ
+ Vat r ()
Énergies des états propres de l’équation de Schrödinger du semiconducteur:

⎛ rˆ 2
rˆ ⎞ r
H 0 Ψn,k (r ) = ⎜ 2 m + Vat (r )⎟ Ψn,k (r ) = En (k ) Ψn,kr (r )
ˆ r r p r r r
⎝ 0 ⎠
2k 2
E (k ) = E c + h
pour la bande de conduction
2 mc

2k 2
E (k ) = Ev + 2 m
h
pour la bande de valence (mv <0)
v
34/43
 HAMILTONIEN DE MASSE EFFECTIVE (2)

L’Hamiltonien de masse effective consiste à approximer dans chaque bande

l’Hamitonien du cristal par l’Hamiltonien de l’électron libre avec la masse
effective correspondante:

rˆ 2 m = mc pour la bande de conduction

~ p
Hˆ 0 =
2 mn
m = mv pour la bande de valence

⎛ rˆ 2 rˆ ⎞ r
H 0 Ψn,k (r ) = ⎜ 2 m + Vat (r )⎟ Ψn,k (r ) = En (k ) Ψn,k (r )
r r ~ r
ˆ r r p r r r r Ψn,kr (r ) = un,kr (r ) Ψn,kr (r )
⎝ 0 ⎠
r
r
~ˆ ~ r r ⎛ prˆ 2 ⎞ ~ r r ⎛ 2k 2 ⎞ ~ r r
Ψn,k (r )∝ e
~ r
H 0 Ψn,k (r ) = ⎜ 2 m ⎟ Ψn,k (r ) = ⎜ En + 2 m ⎟ Ψn,k (r )
h ik r
⎝ n⎠ ⎝ n⎠
Fonction enveloppe

Toute l’interaction entre l’électron et le cristal est résumé dans mn 35/43

 SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES

A: Masse effective
- Relation de dispersion et vitesse de groupe
- Dynamique des porteurs en structures de bandes
- Le trou
B: Comment compter les électrons dans la matière condensée?
- Statistique de Boltzmann
- Statistique de Fermi-Dirac
- Métal-Isolant-Semiconducteur
C: Techniques de pseudo-quantification
D: Densité d’état dans la matière condensée
E: Densité de porteurs et niveau de Fermi dans un semiconducteur 3D
F: Régime intrinsèque
G: Hamiltonien de masse effective
H: Puits quantiques et approximation de la fonction enveloppe
I: Courbure de bande, accumulation, désertion
36/43
 4.0
ENERGY GAP AT 4.2 K IN eV ZnS

3.0 Zn0.5 Mn0.5 Se

Cd0.5 Mn0.5 Te
AlP ZnSe
CdS
ZnTe
AlAs
GaP
2.0 CdSe
AlSb
GaAs CdTe
Si InP
1.0
GaSb
Ge
InSb
InAs
0.0
HgS HgSe HgTe
5.4 5.6 5.8 6.0 6.2 6.4 6.6
˚
LATTICE CONSTANT IN A 37/43
38/43
 AlGaAs GaAs AlGaAs

Niveau du vide

Affinité chimique de GaAs Affinité chimique de AlGaAs

Vc ( z )

Vv ( z )
39/43
 HAMILTONIENS DE MASSE EFFECTIVE
~ˆ pˆ 2
Ec
Bande de conduction Hc =
2 mc
r rr
h2 k 2 r r i k .r
Ec (k ) − Ec = Ψ c ,k (r ) = c , k = uc ,k (r ) e
r r
2 mc
~ˆ pˆ 2 (mhh < 0 )
Bande de trous lourds H hh =
mc 2 mhh
r rr
k r r
Ev − Ehh (k ) =
h2 k 2 Ψ hh ,kr (r ) = hh , k = uhh ,kr (r ) ei k .r
mhh 2 mhh

~ˆ pˆ 2
Bande de trous légers H lh = (m < 0 )
lh
2 mlh
mlh
r rr
h2 k 2 r r
Ev − Elh (k ) = Ψlh ,kr (r ) = lh , k = ulh ,kr (r ) ei k .r
2 mlh

40/43
 HETEROSTRUCTURE
On superpose un potentiel chimique V(z) à la structure de bande:

p̂ 2 r
Ĥ ' = + V̂crist (r ) + V ( z ) ⎡ − h 2 d 2 +V ( z )⎤ Ψ h2 ∇ Ψ
2 m0
⎢⎣ 2mc dz 2 c ⎥⎦
~
(r ) − 2mc r//
~
(r )= E
~
Ψ (r )

2 Mouvement
+V (z )
p
ˆ Mouvement perpendiculaire
Hˆ 'eff = parallèle
2 meff
⎡ − h 2 d 2 +V ( z )⎤ Ψ
~
( r ) − h2 ∇ Ψ ~
( r )= E
~
Ψ (r )
⎢⎣ 2mhh dz 2 v ⎥⎦ 2mhh r//

r r
r r ⎡ − h 2 d 2 +V ( z )⎤ e ( z )=e e ( z )
Ψc,n,kr (r ) = uc,kr (r )en ( z ) e // //
i k .r
avec ⎣⎢ 2mc dz 2 ⎥⎦ n
c n n

Fonctions enveloppes
r r ⎡ − h 2 d 2 +V ( z )⎤ hh ( z )=hh hh ( z )
r r
Ψhh,n,kr (r ) = uhh,kr (r ) hhn ( z ) ei k// .r// avec ⎣⎢ 2mhh dz 2
v ⎥⎦ n n n

Fonctions enveloppes 41/43

 eik // r//
FONCTION ENVELOPPE ET SOUS-BANDES

r r
r r
Ψ c ,n ,k (r ) = uc ,k (r )
r r en ( z ) e i k // .r//

Potentiel Potentiel Mouvement libre en ( z )

cristallin confinant parallèle

v h 2 k // 2
En (k ) = Ec + en +
2 mc
r r
r r
Ψ hh ,n ,k (r ) = uhh ,k (r )
r r hhn ( z ) e i k // .r//
sousbandes
e2
Potentiel Potentiel Mouvement libre
cristallin confinant parallèle
e1
v h 2 k // 2
HH n (k ) = Ev − hhn +
k //
2 mhh
42/43
 E E
e3

e2
e1
ρ
mc / π h 2
k mhh / π h 2
ρ
hh1
hh2

E
43/43