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Conception d’un amplificateur RF simple

Département Télécomunications 2ème année option TST Travaux Pratiques

Jean-Daniel ARNOULD

École Nationale Supérieure d’Électronique et de Radioélectricité de Grenoble CIME - Plateforme d’Hyperfréquence et d’Optique Guidée (HOG) Tel : 04.56.52.94.24

Institut de Microélectronique d’Électromagnétisme et de Photonique Tel : 04.56.52.95.59

Minatec-INPG, 3 parvis Louis Néel, BP 257 F-38016 GRENOBLE

http ://communication.minatec.inpg.fr/arnould/

Table des matières

I Présentation de ADS

 

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I.1

Présentation générale d’ADS

 

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I.1.1

Introduction

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Projets

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I.2.1

I.2.2

. Créer un projet

Projets

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I.3

I.2.3

Design

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Ouvrir un projet .

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I.3.1

Design

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I.3.2

Créer un Design

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I.3.3

Ouvrir un Design

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I.4

Simulation dans ADS

I.4.1

. Simulation d’un design

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14

I.4.2

Visualisation des résultats

 

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I.4.3

Optimisation d’un design

14

II Partie théorique

 

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II.1

Ligne de transmission microruban

 

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II.1.1

Ligne de transmission microruban

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II.2

Transistor

II.2.1

. Gain d’un amplificateur

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20

II.2.2

Adaptation d’un amplificateur

 

20

II.2.3

Critères de stabilité et d’adaptation

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II.2.4

Étude comparative de différents réseaux d’adap-

 

tation .

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III Partie Pratique

 

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III.1

Simulation d’une ligne microruban

 

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III.1.1

Création du projet

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4

Table des matières

III.1.2

III.1.3

. Adaptation de la ligne – variation d’un paramètre 26

Réponse fréquentielle

26

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III.2

Simulation d’un amplificateur microonde

 

28

III.2.1

Simulation d’un amplificateur microonde

28

III.2.2

Étude du transistor sans réseau d’adaptation

28

III.2.3

Etude du transistor avec réseau d’adaptation à

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III.2.4

lignes et stubs idéaux Étude du transistor avec réseaux d’adaptation

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III.2.5

. Étude du transistor avec réseaux d’adaptation

à lignes et stubs réels

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III.2.6

à cellules L-C idéales Étude du transistor avec réseaux d’adaptation

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à cellules L-C réelles

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Ce T.P. propose une prise en main rapide (4 heures) du logiciel Agilent-ADS et met en œuvre l’adaptation simultanée conjuguée d’un amplificateur microonde simple. L’étudiant pourra ainsi confronter ses solutions “idéales” calculées à l’aide de l’abaque de Smith avec les réponses “réelles” calculées à partir d’Agilent ADS après une optimisation numérique à partir de ces cas idéaux.

Ce texte de T.P. au format PDF naviguable a été écrit en L A T E X avec la classe PolyT E X développée à l’Université Technologique de Compiègne. Il est direcement consultable en ligne, ainsi que tout autre document lié à l’enseignement ou à la recherche dans le domaine des Télécommunications RF à l’adresse :

http ://communication.minatec.inpg.fr/arnould/ .

Ce document comporte 3 chapitres ; le premier présente le logiciel ADS de ma- nière générale, le second traite de la partie théorique qui doit être impérative- ment préparée avant la séance de T.P. , le troisième décrit la partie pratique à effectuer pendant la séance. Les notions de ce T.P. font référence au cours 1A de Mme Vilcot “Ondes Electro- magnétiques” et au cours 2A de Mme Cabon “Architectures de systèmes sans fils”. Les résultats sont directement à mettre en relation avec ceux du T.P. “Analyse vectorielle de dispositifs passifs et d’un ampli RF simple” et donneront lieu à un compte rendu à remettre à l’enseignant en fin de séance. Une attention particu- lière sera portée sur la comparaison des résultats de simulation numérique avec ceux mesurés en pratique en ce qui concerne l’amplificateur RF dans ces 3 confi- gurations (non adapté, adapté avec une topologie discrète et avec une topologie répartie).

Chapitre I Présentation de ADS

I.1

Présentation générale d’ADS

 

8

I.1.1

Introduction

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I.2

Projets

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I.2.1

I.2.2

. Créer un projet

Projets

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I.2.3

Ouvrir un projet

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Design

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I.3

Design

I.3.1

I.3.2

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Créer un Design

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12

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I.3.3

Ouvrir un Design

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I.4

Simulation dans ADS

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I.4.1

Simulation d’un design

 

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I.4.2

Visualisation des résultats

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I.4.3

Optimisation d’un design

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8

Présentation de ADS

I.1 Présentation générale d’ADS

I.1.1 Introduction

Cours :

Projets

Design

Simulation d’un design

Cours : Projets Design Simulation d’un design F IG . I.1.1 – Advanced Design System Advanced

F IG . I.1.1 – Advanced Design System

Advanced Design System , développé par Agilent EEsof EDA, est un logiciel de conception et modélisation de systèmes électroniques pour les microondes et les radiofréquences. Les applications visées sont très vastes et comprennent en autre le domaine de la téléphonie mobile, les pagers, les réseaux sans fil, les systèmes de communications radar et satellite. Le logiciel offre des possibilités de conception et de simulation pour les do- maines des radiofréquences et des microondes et se divise en 2 modules Analog RF Designer et Digital Signal Processing Designer pouvant interagir entre eux :

La conception de circuits intégrés monolithiques (MMICs) ou hybrides (avec des Composants Montés en Surface).

La conception de nouvelles architectures pour les futures normes de télé- communications sans fils.

I.2 Projets

9

I.2 Projets

I.2.1 Projets

ADS utilise des projets (extension _prj) pour organiser automatiquement les données issues de la création, de la simulation ou de l’analyse d’un nouveau de- sign. Un projet inclue le circuit, le layout, la simulation et les résultats d’un design créé à partir de la fenêtre principale (main ) qui apparaît lors de l’ouverture de ADS (figure I.2.2 ).

qui apparaît lors de l’ouverture de ADS (figure I.2.2 ). F IG . I.2.2 – Fenêtre

F IG . I.2.2 – Fenêtre principale

Un projet se compose des répertoires suivants :

Data : contient les données de simulation ou dataset (nom.ds)

Mom_dsn : contient les design et données de simulation issus de momentum

Networks : contient les fichiers de design ou pages schematic (nom.dsn) et les fichiers de layout des circuits (nom_layout.dsn)

Synthesis : contient les données de synthèse DSP

Verification : contient les données issues du DRC

.) se visualisent dans une fenêtre

"data display" et sont sauvegardés dans un fichier nom.dds au niveau de la racine du projet (invisible à partir de la fenêtre principale).

Les résultats (graphe, abaque de Smith, etc

10

Présentation de ADS

I.2.2 Créer un projet

L’opération de création d’un nouveau projet est représentée par la figure I.2.3. Elle s’effectue à partir de la fenêtre principale.

Elle s’effectue à partir de la fenêtre principale. F IG . I.2.3 – Création d’un nouveau

F IG . I.2.3 – Création d’un nouveau projet

I.2.3 Ouvrir un projet

Pour ouvrir un projet, on peut utiliser les deux procédures suivantes :

Choisir le menu File/Open Project puis utiliser la boîte de dialogue pour localiser le projet à ouvrir

Utiliser l’explorateur de la fenêtre principale pour localiser le projet et double cliquer pour l’ouvrir (figure I.2.4 )

Attention : seulement un projet peut être ouvert à la fois. Il est donc recom- mandé de sauvegarder les données du projet courant avant d’en ouvrir un autre.

I.2 Projets

11

I.2 Projets 11 F IG . I.2.4 – Ouvrir un projet existant

F IG . I.2.4 – Ouvrir un projet existant

12

Présentation de ADS

I.3 Design

I.3.1 Design

Cours :

Introduction

Projets

Simulation d’un design

ADS utilise des fichiers design (nom.dsn) pour enregistrer les circuits de si- mulation et les layout. Un fichier de design est une page schematic à partir de laquelle il est possible de :

Créer et modifier des circuits et layout

Ajouter des équations et des variables

Placer et modifier des composants et leurs contrôles

Ajouter des commentaires sous forme de texte

Générer un layout à partir du schematic (et réciproquement)

I.3.2 Créer un Design

du schematic (et réciproquement) I.3.2 Créer un Design F IG . I.3.5 – Fenêtre design -

F IG . I.3.5 – Fenêtre design - schematic

L’ouverture d’un nouveau projet implique automatiquement l’ouverture d’une nouvelle page schematic qui sera sauvegardée dans le répertoire networks . Pour créer un nouveau design (cf. figure I.3.5), il est possible d’utiliser les deux procédures suivantes :

Menu Window/New Schematic dans la fenêtre principale

I.3 Design

13

Menu File/New Design dans la fenêtre principale et donner le nom de fi- chier à créer

Il est ensuite possible d’insérer les éléments (composants, données, sources,

.) disponibles dans les bibliothèques du logi-

ciel. La figure I.3.6 représente l’insertion dans la fenêtre schematic d’un module complet de simulation des paramètres S en deux ports (menu Insert\T emplate\S _ params ). Le logiciel insère directement toutes les boîtes nécessaires pour mener à bien la simulation à savoir deux ports Term par défaut d’impédance 50 , une boite de commande des paramètres S et d’un module d’af- fichage des quatre paramètres ( Template).

boîte de simulation et de contrôle,

( Template ). boîte de simulation et de contrôle, F IG . I.3.6 – Insertion d’un

F IG . I.3.6 – Insertion d’un bloc de simulation des paramètres S

Il est également possible d’insérer séparément chacun des éléments de la figure I.3.6 en allant les chercher dans la bibliothèque Simulation-S_param .

I.3.3 Ouvrir un Design

Un design existant peut s’ouvrir :

– A partir de la fenêtre principale dans le menu File/Open Design

– En utilisant l’explorateur pour localiser, sélectionner et double cliquer sur le design pour l’ouvrir

– A partir de la fenêtre schematic dans le menu File/Open Design

14

Présentation de ADS

I.4 Simulation dans ADS

I.4.1 Simulation d’un design

Cours :

Introduction

Projets

Design

ADS fournit tous les éléments de contrôle pouvant être ajoutés et configurés dans la fenêtre schematic pour simuler les caractéristiques du design. La figure I.3.6 montre un élément S-PARAMETERS qui permet de simuler les paramètres S d’un circuit. Cet élément est soit automatiquement inséré dans

le schematic si un module prédéfinit est utilisé soit disponible dans la bibliothèque

" Simulation-S_Param ". La simulation se lance en cliquant sur l’icône appropriée ou en allant dans le menu Simulate .

appropriée ou en allant dans le menu Simulate . F IG . I.4.7 – Simulation sous

F IG . I.4.7 – Simulation sous ADS

I.4.2 Visualisation des résultats

A la fin de la simulation, le logiciel ouvre une page de présentation (data dis-

.)

peuvent être tracées (cf. figure I.4.8). Il est également possible de positionner un

marker sur les courbes (Insert Marker) afin de visualiser les coordonnées d’un point précis.

play) dans laquelle les courbes (graphique linéaire/log, abaque de Smith, etc

I.4.3 Optimisation d’un design

L’optimisation d’un design est une procédure permettant de modifier la valeur de variables pour qu’elles satisfassent un objectif défini auparavant. L’optimisation dans ADS permet de comparer les résultats simulés à l’objectif et modifie les valeurs des variables pour qu’elles se rapprochent le plus possible de l’objectif à atteindre.

I.4 Simulation dans ADS

15

I.4 Simulation dans ADS 15 F IG . I.4.8 – Aperçu d’une page de présentation Pour

F IG . I.4.8 – Aperçu d’une page de présentation

Pour effectuer une optimisation, il est nécessaire d’insérer les éléments sui- vants dans la page schematic (cf. figure I.4.9 ) :

au moins un paramètre identifié dans le circuit comme étant une variable nommée " Var eqn " (bibliothèque " Data Items ") à optimiser (option “opt”) dans un intervalle de valeurs.

une boîte d’objectif nommée " Goal" (bibliothèque " Optim-Stat-Yield-DOE ").

une boîte d’optimisation nommée "Optim" (bibliothèque " Optim-Stat-Yield- DOE ").

Il existe différentes méthodes mathématiques d’optimisation d’un design : Ran- dom, Gradient, Quasi-Newton, une combinaison de méthode Gauss-Newton et Quasi-Newton, algorithme direct et génétique D’une manière générale, la méthode Random est utilisée dans un premier temps puis complétée par la méthode Gradient pour affiner l’optimisation.

Nota Bene :

La réussite de l’optimisation dépend essentiellement de l’aptitude de l’utilisa- teur à exprimer correctement un objectif à atteindre (goal ) suivant une méthode numérique appropriée (optim ) et dans un intervalle réaliste de paramètres à ajus- ter ( opt val min to val max ). Autrement dit même le plus puissant des algorithmes ne pourra pas donner une réponse adéquate à un paramètre à optimiser entre −∞ et +. Il ne faut ja- mais oublier que toute simulation numérique à un objectif de conception pratique

16

Présentation de ADS

16 Présentation de ADS F IG . I.4.9 – Outils pour optimiser un design dans une

F IG . I.4.9 – Outils pour optimiser un design

dans une technologie donnée. Le concepteur doit donc avoir réfléchi préalable- ment au problème pour aider l’algorithme choisi à converger vers une solution réalisable (éviter typiquement des lignes microruban de 1km de long répondant au problème mathématique !) [3 , 4 ].

Chapitre II Partie théorique

II.1

Ligne de transmission microruban

 

18

II.1.1

 

18

II.2

Ligne de transmission microruban .

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Transistor .

II.2.1

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20

II.2.2

Gain d’un amplificateur Adaptation d’un amplificateur

 

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II.2.3

Critères de stabilité et d’adaptation

21

II.2.4

Étude comparative de différents réseaux d’adap-

 

tation .

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Cette partie est à préparer impérativement avant la séance de TP et à rendre avec la partie pratique à la fin des 4 heures !

18

Partie théorique

II.1 Ligne de transmission microruban

II.1.1 Ligne de transmission microruban

Cours :

Transistor

Z

0

Z in ,Γ in

microruban Cours : Transistor Z 0 Z in , Γ in Z out ,Γ out L
Z out ,Γ out
Z out ,Γ out

L

Z à déterminer c

Z à déterminer

c

0 Z in , Γ in Z out ,Γ out L Z à déterminer c Z
0 Z in , Γ in Z out ,Γ out L Z à déterminer c Z

Z

0

F IG . II.1.1 – Schéma (vue de dessus) d’une ligne de transmission en technologie microruban

On considère le montage de la figure II.1.1 qui représente une ligne de trans- mission en technologie microruban d’impédance caractéristique Z c et placée entre 2 ports de mesure à Z 0 = 50Ω . L’impédance et le coefficient de réflexion ramenés en entrée s’écrivent respectivement :

Z in = Z c

Z out +  Z c tan β

Z c +  Z out tan β

|Γ in | 2 = P r =

P

i

Z in Z 0

Z in + Z 0

2

(II.1.1)

fréquence f

Impédance en entrée Z in

Coefficient de réflexion Γ in

Cas général

Z out =Z 0

Cas général

Z out =Z 0

f

= 0

       

f

telle que :

       

L

= (2n + 1)λ g /4

f

telle que :

       

L

= g /2

T AB . II.1 – Impédance et coefficient de réflexion ramenés en entrée en fonction de fréquences particulières

II.1 Ligne de transmission microruban

19

Pour les fréquences particulières suivantes, donner l’expression de Z in et de Γ in (λ est la longueur d’onde guidée). On donnera Z in et Γ in dans le cas général, puis pour Z out = Z 0 (tableau II.1 à compléter).

On se place dans le cas où Z out = Z 0 .

Donner l’allure du coefficient de réflexion en fonction de la fréquence.

A quelle fréquence peut-on mesurer facilement l’impédance caractéristique Z c de la ligne ? Donner alors la formule permettant de la déterminer.

A quelle(s) fréquence(s) peut-on mesurer facilement la longueur d’onde gui- dée λ g dans la ligne ?

Donner alors l’expression donnant la permittivité relative effective ref f de la ligne en fonction de la fréquence f mesurée, de la longueur de la ligne L , etc

20

Partie théorique

II.2 Transistor

II.2.1 Gain d’un amplificateur

Cours :

ligne microruban

Les amplificateurs microondes sont généralement définis par leur gain en puis- sance, très souvent exprimé en dB. Le gain en puissance d’un étage amplificateur à un transistor dépend de plusieurs facteurs :

le gain intrinsèque du transistor

l’adaptation en entrée

l’adaptation en sortie

En effet, il ne suffit pas que le transistor ait un grand gain intrinsèque, il faut également que la puissance puisse y "entrer" et en "sortir". On définit le gain transductique d’un étage G T , par le rapport entre la puis- sance fournie à la charge et la puissance susceptible d’être fournie par le généra- teur (voir cours "Dispositifs Actifs hyperfréquences") [ 1 , 2 ].

|S 21 | 2 1 − |Γ g | 2 1 − |Γ | 2

Γ Γ g | 2

(II.2.1)

|(1 S 11 Γ g ) (1 S 22 Γ ) S 12 S 21

Dans cette expression interviennent les quatre paramètres S du transistor ainsi que les coefficients de réflexion sur la charge Γ et le générateur Γ g .

G T =

Z

0

charge Γ et le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ
charge Γ et le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ
charge Γ et le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ
charge Γ et le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ
charge Γ et le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ

Z g g

le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l
le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l
le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l
le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l
le générateur Γ g . G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l

Z l l

Amplificateur

G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l ,Γ l Amplificateur Z 0
G T = Z 0 Z g ,Γ g Z l ,Γ l Amplificateur Z 0

Z

0

F IG . II.2.2 – Amplificateur non adapté

REMARQUE : Tous les coefficients de réflexion ( S ij , Γ i ) sont référencés par rapport à l’impédance caractéristique Z 0 des accès.

II.2.2 Adaptation d’un amplificateur

Le concepteur d’un amplificateur microondes doit résoudre le problème sui- vant :

II.2 Transistor

21

Z

0

Z

in

Z

out

in

out

II.2 Transistor 21 Z 0 Z ,Γ in Z ,Γ out in out Z Réseau de
II.2 Transistor 21 Z 0 Z ,Γ in Z ,Γ out in out Z Réseau de

Z

Réseau de

sortie

l

Réseau d’

entrée

Amplificateur

Z’
Z’
de sortie l Réseau d’ entrée ’ Amplificateur Z’ g ,Γ g ,Γ ’ Z g

g

g

l Réseau d’ entrée ’ Amplificateur Z’ g ,Γ g ,Γ ’ Z g ,Γ g

d’ entrée ’ Amplificateur Z’ g ,Γ g ,Γ ’ Z g ,Γ g l ,Γ

Z

g

g

entrée ’ Amplificateur Z’ g ,Γ g ,Γ ’ Z g ,Γ g l ,Γ l

l

l

’ Amplificateur Z’ g ,Γ g ,Γ ’ Z g ,Γ g l ,Γ l Z’

Z’

l

Z

0

F IG . II.2.3 – Amplificateur avec ses réseaux d’adaptation en entrée/sortie

Compte tenu des caractéristiques de l’amplificateur il faut optimiser le trans- fert d’énergie de la source vers la zone active de l’amplificateur et de la zone active vers la charge. Ceci nécessite en général d’insérer des réseaux d’adaptation (non dissipatifs) en entrée et en sortie de l’amplificateur. Ces réseaux sont souvent constitués de tronçons de lignes en série ou en parallèle (stubs) ou de cellules L-C montées en L. Ils fonctionnent donc généralement sur une bande de fréquence li-

mitée. Il est possible qu’un réseau, calculé pour une fréquence f 1 , améliore le gain

G T à cette fréquence, mais le dégrade à une autre fréquence f 2 .

L’adaptation conjuguée simultanée consiste à transformer les coefficients de réflexion Γ g et Γ respectivement en Γ g = Γ in et Γ = Γ out ramenés dans les plans de l’amplificateur.

l

Nota Bene :

Raisonner sur les impédances d’entrées/sorties (Z g = Z in ,Z = Z out ) revient exactement au même que raisonner sur les coefficients de réflexion ( Γ g = Γ in , Γ = Γ out ) car la transformation les liant est conforme (représentation unique sur l’abaque de Smith).

II.2.3 Critères de stabilité et d’adaptation

Comme tout système physique présentant du gain, un amplificateur peut être

à l’origine d’une instabilité. La stabilité d’un système peut être définie d’une ma- nière générale comme sa tendance à s’opposer aux perturbations extérieures [ 1 ,

2 ].

Pour un dispositif microonde, ceci peut s’étudier en observant le rapport des ondes réfléchies et incidentes en entrée ou en sortie (on définit alors une instabilité en entrée ou en sortie). Si le module de b i /a i est supérieur à un, le dispositif est susceptible d’être in- stable (ceci correspond à une impédance d’entrée à partie réelle négative), parce que générateur potentiel d’oscillations. Compte tenu de la désadaptation de l’amplificateur en sortie (Γ = 0) le rapport

22

Partie théorique

b 1 /a 1 s’écrit :

(II.2.2)

S 22 Γ L’instabilité en sortie s’étudie de la même façon à partir du rapport b 2 /a 2 qui s’écrit :

(II.2.3)

b

1

S 21 S 12 Γ

S 21 S 12 Γ g

1 S 11 Γ g

a

1

= Γ in = S 11 +

b

a

2

2 = Γ out = S 22 +

1

Les critères d’adaptation et de stabilité n’étant pas forcément compatibles, plu- sieurs cas sont à distinguer :

L’amplificateur est conditionnellement stable et inadaptable. Ce cas est le plus

défavorable car il est impossible d’adapter l’amplificateur et de plus sa sta- bilité n’est pas assurée pour toutes les conditions de charge ou d’excitation. Cette situation est à rejeter pour la conception d’un amplificateur.

L’amplificateur est conditionnellement stable et adaptable. On est dans le cas

précédent mais il est toutefois possible d’adapter l’amplificateur. Cette si- tuation est acceptable mais dangereuse.

L’amplificateur est inconditionnellement stable et adaptable. Cette situation

est idéale.

On définit un critère permettant d’accéder à la stabilité et à l’adaptabilité d’un quadripole sous test représenté par sa matrice [S] . Il s’agit du facteur de Rolett K :

K = 1 + || 2 − |S 11 | 2 − |S 22 | 2 2|S 21 ||S 12 | est le déterminant de la matrice S : ∆ = S 11 S 22 S 21 S 12 .

(II.2.4)

La possibilité d’une adaptation simultanée entrée-sortie va se faire selon les valeurs de K , qui est une caractéristique du quadripôle, qui est un invariant lors de la mise en cascade du transistor avec des quadripôles purement réactifs. Si K >1 :

On peut adapter simultanément l’entrée et la sortie

Si || < 1 : l’amplificateur est inconditionnellement stable, quelles que soient les valeurs des impédances de source Z g et de charge Z , car les coef- ficients de réflexion ramenés à l’entrée et à la sortie ont un module inférieur à 1. Le gain en puissance maximum G Tmax , s’exprime en fonction de K et du dé- faut de réciprocité par :

G Tmax = |S 21 |

|S 12 |

|K K 2 1|

(II.2.5)

Si || > 1 : la stabilité est conditionnelle, mais l’amplificateur est toujours adaptable simultanément. Si K <-1 :

Le transistor n’est pas adaptable simultanément en entrée/sortie, il est de plus naturellement instable donc inutilisable en tant qu’amplificateur. Si lKl <1 :

L’adaptation est impossible ; l’amplificateur est conditionnellement stable.

II.2 Transistor

23

II.2.4 Étude comparative de différents réseaux d’adaptation

On souhaite adapter simultanément en entrée et en sortie un amplificateur microonde.

Pour cela nous allons comparer l’adaptation à l’aide de lignes et de stubs idéaux, de lignes et de stubs réels (avec pertes), de cellules L-C idéales montées en L et de cellules L-C réelles (composants discrets CMS)

a) Adaptation à l’aide de lignes et de stubs idéaux :

Z

0

Z ,Γ Z ,Γ in in out out Lin Lout Amplificateur CO CO Z’ ,Γ
Z
Z
in
in
out
out
Lin
Lout
Amplificateur
CO
CO
Z’
Z
Z
Z’
g
g
g
g
l
l
l
l
din
dout

Z

0

F IG . II.2.4 – Adaptation à lignes et stubs du transistor

Calculer les rapports L in / λ g , d in / λ g , L out /λ g et d out /λ g (avec λ g la longueur d’onde guidée dans le milieu) de façon à obtenir Z in =Z g *=(10, 203 5, 019) et Z out =Z *= (9, 439 55, 473) à la fréquence de 1,5 GHz en utilisant le premier abaque de Smith fourni en annexe (et à rendre avec la préparation théo- rique !). On choisira la solution qui donne la longueur du stub en circuit ouvert la plus petite .

b) Adaptation à l’aide de cellules L-C montées en L :

Z

0

Z ,Γ Z ,Γ in in out out Amplificateur Z’ ,Γ ’ Z ,Γ Z
Z
Z
in
in
out
out
Amplificateur
Z’
Z
Z
Z’
,Γ ’
g
g
g
g
l
l
l
l

Z

0

F IG . II.2.5 – Adaptation à cellules LC du transistor

24

Partie théorique

Calculer les valeurs des selfs parallèles et des capacités séries à la fré- quence de 1,5 GHz de façon à obtenir l’adaptation simultanée conjuguée en entrée/sortie de l’amplificateur en utilisant le deuxième abaque de Smith fourni en annexe (et à rendre avec la préparation théorique !).

Chapitre III Partie Pratique

III.1

Simulation d’une ligne microruban

26

III.1.1

III.1.2

. Réponse fréquentielle

Création du projet

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26

26

III.1.3

Adaptation de la ligne – variation d’un paramètre 26

III.2

Simulation d’un amplificateur microonde

28

III.2.1

Simulation d’un amplificateur microonde

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28

III.2.2

Étude du transistor sans réseau d’adaptation

28

III.2.3

Etude du transistor avec réseau d’adaptation à

III.2.4

lignes et stubs idéaux

Étude du transistor avec réseaux d’adaptation

29

III.2.5

à lignes et stubs réels

Étude du transistor avec réseaux d’adaptation

30

III.2.6

à cellules L-C idéales Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à cellules L-C réelles

30

30

Vous prendrez soin dans cette partie d’imprimer les résultats qui vous semblent pertinents ! Une courbe bien commentée vaut mieux qu’un long discours théorique !

26

Partie Pratique

III.1 Simulation d’une ligne microruban

Afin de prendre en main les différentes fonctions de base du logiciel, nous al- lons nous intéresser aux caractéristiques fréquentielles d’une ligne microruban.

III.1.1 Création du projet

Cours :

simu ampli

Cliquer sur l’icône ADS pour ouvrir le logiciel.

Créer un nouveau projet "votrenom_PRJ" que vous placerez dans le réper- toire TST2A_votrenom que vous aurez créé préalablement avec le naviga- teur Windows dans C :\ TEMP\.

La création d’un nouveau projet doit ouvrir directement une page "Schematic", si ce n’est pas le cas, en ouvrir une à partir de la fenêtre principale du logiciel comme

défini en section

Cours :

Design

Prenez soin d’enregistrer de temps en temps vos design.

III.1.2 Réponse fréquentielle

En utilisant un utilitaire de ADS, LineCalc (disponible dans le menu "tools"), définir la largeur W de la ligne microruban sur substrat de verre téflon pour que la ligne ait une impédance de 100. Relever également la valeur de la permittivité effective ε ref f (calculée).

Insérer, de manière identique à la figure III.1.1 , les éléments nécessaires à la simulation des paramètres S d’une ligne microruban sur substrat de verre téflon. La sortie de ligne est fermée par une charge 50 .

Visualiser le coefficient de réflexion en module (dB) et sur l’abaque de Smith. Commenter dans chaque cas la courbe obtenue.

A partir des graphes, déterminer l’impédance caractéristique et la permit- tivité effective ε ref f (simulée) de la ligne. Expliquer rapidement la démarche vue dans la préparation théorique.

On pourra utiliser des curseurs (marker) pour relever la valeur d’un paramètre.

III.1.3 Adaptation de la ligne – variation d’un paramètre

Le logiciel permet de faire varier en temps réel n’importe quel paramètre des composants constituant le circuit. Il suffit pour cela d’utiliser la fonction Tuning du menu Simulate.

III.1 Simulation d’une ligne microruban

27

III.1 Simulation d’une ligne microruban 27 F IG . III.1.1 – Outils de simulation des paramètres

F IG . III.1.1 – Outils de simulation des paramètres S d’une ligne microruban

Configurer la simulation afin de déterminer la largeur W réalisant l’adap- tation de la ligne à 50. Expliquer votre démarche, donner la valeur de W et vérifier avec Tools/LineCalc/Send Selected Component to LineCalc.

28

Partie Pratique

III.2 Simulation d’un amplificateur microonde

III.2.1 Simulation d’un amplificateur microonde

Cours :

simu micro

Un amplificateur microonde, dans sa version la plus simple, comprend un tran- sistor et deux réseaux d’adaptation, l’un en entrée et l’autre en sortie. Nous allons étudier deux des étapes principales de la conception d’un amplifi- cateur microondes sans se soucier d’obtenir la stabilité à toutes les fréquences :

1. Étude du transistor sans réseau d’adaptation

Il s’agit de visualiser les paramètres S du transistor mesurés sur l’analyseur vectoriel de réseaux dans ses plans d’entrée et de déterminer ses perfor- mances à 1,5 GHz.

2. Étude du transistor avec réseaux d’adaptation en entrée et en sortie

Le réseau d’adaptation doit adapter l’impédance d’entrée et de sortie du transistor à l’impédance de référence de la mesure (50Ω). Chaque réseau sera optimisé à part à partir de l’étude théorique puis inséré en entrée et en sortie transistor.

III.2.2 Étude du transistor sans réseau d’adaptation

Créer un nouveau design (transistor.dsn) en reprenant les étapes de la sec-

tion

Cours :

.

Design

Création du design Les paramètres S du transistor ont été mesurés et les données sont sauvegar- dées dans un dataset nommé BFR93A_10mA_7_7V_3GHz_stab.ds qui se trouve dans le répertoire \\lhogpc2\lhog\tst2a\BF R93A .

Dans la page schematic, il est possible d’insérer des données provenant d’un dataset de mesure.

Pour cela utiliser un composant " 2 ports S Parameter File " (S2P) qui se trouve dans la bibliothèque " Data Items" et lui donner ensuite le nom du dataset auquel il se réfère. Performances du transistor à 1,5 GHz

Insérer les éléments de contrôle nécessaires à la simulation des paramètres S du transistor entre 300 kHz et 3 GHz. Les données de simulation sont sauvegardées dans le dataset "transistor".

III.2 Simulation d’un amplificateur microonde

29

Insérer une boîte permettant le calcul direct du facteur de Rollet ("StabFct" dans la bibliothèque Simulation-S_Param)

Dans la page présentation, visualiser les quatre paramètres S en utilisant le format de présentation graphique adéquat.

Commenter les résultats obtenus et relever les valeurs des paramètres à 1, 5 GHz .

Visualiser simultanément le facteur de Rolett et le déterminant de la ma- trice S (pour cela une équation sera créée).

Conclure sur l’adaptation et la stabilité du transistor.

Visualiser les cercles de gain en entrée “gacircle” et en sortie “ gpcircle” (de- mander à l’enseignant). A t’on Γ g = S 11 et Γ = S 22 ? Pourquoi ?

Vérifier les valeurs de Z in et Z out obtenues avec celles données dans la pré- paration théorique.

III.2.3 Etude du transistor avec réseau d’adaptation à lignes et stubs idéaux

Création du réseau d’adaptation d’entrée

Créer un nouveau design pour effectuer l’optimisation du réseau d’adapta- tion en entrée constitué des éléments idéaux suivants (à chercher dans la bibliothèque Tlines-Ideal) :

– une ligne de transmission microruban ("TLIN")

– un stub ouvert mis en parallèle ("TLOC", attention le port2=ref doit être connecté à la masse)

Expliquer le principe d’adaptation brièvement.

Optimisation du réseau d’adaptation d’entrée

Quel objectif doit-on formuler pour optimiser le réseau d’adaptation ?

Effectuer l’optimisation du réseau d’adaptation.

Vérifier le résultat de l’optimisation sur l’abaque de Smith et confronter les lon- gueurs de lignes trouvées par la simulation avec celles calculées à l’aide de l’abaque de Smith dans la préparation théorique.

Donner la géométrie du réseau d’adaptation trouvé.

Création du réseau d’adaptation de sortie

Reprendre les questions des paragraphes précédents pour le réseau d’adap- tation de sortie.

Étude du transistor adapté

Ajouter les réseaux d’adaptation en entrée et sortie du transistor et sau- vegarder le design, le dataset et le fichier de présentation sous un autre nom.

Visualiser les paramètres S entre 300 kHz et 3 GHz et commenter les résul- tats. Conclure.

30

Partie Pratique

III.2.4 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à lignes et stubs réels

Suivre une démarche identique à la précédente en remplaçant les éléments idéaux TLIN et TLOC par des lignes microruban d’impédance caractéris- tique 50 ohms sur le même substrat Verre-Téflon étudié en première partie.

Comparer le cas réel avec le cas idéal. Conclusion

III.2.5 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à cellules L-C idéales

Suivre une démarche identique à la précédente en remplaçant les éléments microrubans par les cellules L-C en entrée/sortie de l’amplificateur calcu- lées dans la partie théorique.

Comparer les résultats précédents. Conclusion

III.2.6 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à cellules L-C réelles

Suivre une démarche identique à la précédente en remplaçant les cellules L-C en entrée/sortie de l’amplificateur par des composants CMS d’une li- brairie constructeur.

Comparer les résultats précédents. Conclusion

Bibliographie

[1] R. Badoual. Les micro-ondes, volume I et II . 1983. [2] P.-F. Combes. Micro-ondes, volume I et II. 1996. [3] F. Gardiol. Hyperfréquences . 1987. [4] F. Gardiol. Microstrip Circuits . 1994.

Index des concepts

Le gras indique un grain où le concept est défini ; l’italique indique un renvoi à un exercice ou un exemple, le gras italique à un document, et le romain à un grain où le concept est mentionné.

A

Adaptation d’une

Adaptation simultanée conjuguée

C

20

26

Créer

un

Design

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12

Créer

un

projet

 

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10

D

Design

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8 , 12 , 14 , 26 , 28

F

Facteur de

21

I

Introduction

L

Ligne de transmission microruban

O

8, 12 , 14

18

14

Ouvrir

un

Design

.

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13

Ouvrir

un

projet

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10

P

Projets

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8 , 9, 12 , 14

R

Réseau d’adaptation à lignes et stubs idéaux

29

Réseau d’adaptation à lignes et stubs réelles

30

Réponse

26

Réseaux

d’adaptation

23

Réseaux d’adaptation avec cellules LC

30

Réseaux d’adaptation avec cellules LC

30

réelles

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S

Simulation

14

Simulation d’un amplificateur microonde

28

Simulation d’un design

8 , 12 , 14

Simulation d’une ligne microruban

26

T

18 ,

20

Transistor non adapté

28

0.13

0.12

0.14

0.11

0.37

0.38

0.15

0.1

0.36

0.39

100

0.35

80

0.4

0.16

0.09

45

50

40

110

70

0.34

0.41

1.01.0

0.9

55

1.2

0.17

0.08

0.8

35

1.4

0.33

0.42

0.7

120

60

60

)

1.6

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0.07

0.18
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30

CE

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