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Cours Electros
Cours Electros
Département de Technologie
Electronique Fondamentale 2
Présenté par :
Introduction générale 2
Dans ce manuel, j'ai essayé de présenter de manière simple les principaux concepts de
l'électronique fondamentale 2. Les expériences des pédagogues dans ce domaine ont
montré que l'une des difficultés principales rencontrées par les étudiants était la
méconnaissance des lois de l'électrocinétique et des méthodes de transformation des
circuits. C'est pourquoi dans chaque chapitre de ce cours, j’ai expliqué ces lois et ces
méthodes.
2
Chapitre I
Transistor à effet de champ
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Nous avons vu précédemment que le transistor bipolaire (cours électronique fondamentale 1) est construit
en mettant bout à bout deux jonctions PN au travers desquelles le courant émetteur-collecteur va passer.
La construction du JFET est très différente. Celui-ci est principalement constitué d’un canal, c’est à dire
d’un matériau semi-conducteur de type P ou de type N qui permet aux porteurs majoritaire de circuler
entre le drain et la source .
Il y a deux type de transistors JFET: les JFET à canal N et les JFET à canal P. Le JFET à canal N est dopé
avec des donneurs et la conduction est dominée par le flux de porteurs majoritaires, soit des électrons. De
la même manière, le canal P est dopé avec des accepteurs et la conduction se fait par les trous.
Il y a également un troisième contact, qui est appelé la grille. Celui-ci est constitué d’un matériau de type
P (respectivement de type N dans le cas d’un JFET à canal P) formant ainsi une jonction PN avec le
canal. Les symboles ainsi qu’une représentation schématique des transistors JFET à canal N et P sont
donnés ci-dessous.
Fig. I.2. Représentation schématique d’un JFET à canal N et à canal P ainsi que leurs symboles respectifs.
4
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Fig. I.4. Transistor JFET dans la zone ohmique. Le courant ID est proportionnel à la tension VDS et la
pente est réglable à l’aide de la tension VGS.
Considérons maintenant le cas où la tension VDS devient importante. Un gradient de tension se forme
ainsi le long du canal. La tension devient de moins en moins positive en allant du drain à la source. La
jonction PN est ainsi fortement polarisée en inverse près du drain et faiblement près de la source. La
largeur du canal augmente ainsi; près du drain la zone de déplétion est plus large et le canal est plus étroit
(Fig.I.5). Ce rétrécissement de la section du canal va réduire la résistance de celui-ci.
5
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Si maintenant la grille est connectée à la source et que l‘on augmente la tension drain-source VDS, le
courant va augmenter jusqu‘à ce que le canal soit complètement fermé (Fig.I.6). Cette tension (VP) est
appelée la tension de pincement.
6
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
a-Réseau d'entrée:
Les transistors JFET doivent uniquement être utilisés avec des tensions VGS négatives et inférieures à la
tension de claquage inverse. La caractéristique d’entrée est celle d’une diode polarisée en inverse. On a
donc toujours : IG =0
b-Réseau de sortie:
C’est le réseau des courbes ID = f(VDS) avec VGS = Constante. Ce réseau est caractérisé par trois régions
utiles : la région ohmique, la zone de coude, la zone de saturation. Dans cette zone, on note une légère
croissance de ID avec VDS car la longueur effective du canal diminue.
7
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Les JFET sont caractérisés par une grande dispersion des valeurs des paramètres. Pour un même type, le
courant drain maximum IDSS et la tension VGS de pincement VP peuvent varier d’un facteur 4 à 5. Ainsi
pour un 2N 5459, on note les valeurs suivantes :
4 mA < IDSS < 16 mA et – 2 V > VP > – 8 V.
Les équations décrivant le JFET dans ses différentes régions sont données dans la Fig.I.8
Par définition la droite de charge statique d'un transistor JFET c'est la droite d'équation: ID=f(VDS) et le
point de repos c'est le point de fonctionnement de coordonnées Q0=(VDS0,ID0).
b-Polarisation automatique:
Le courant circulant dans le JFET et dans RS génère une tension : VS = RS ID .
Le courant de grille étant nul, VG = 0 donc VGS = RS ID . Le montage crée donc sa propre polarisation en
utilisant la tension aux bornes de RS pour polariser la grille en inverse.
8
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Fig. I.9. Polarisation par la grille Fig. I.10. Polarisation par diviseur de tension
9
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
I = Y .V +Y .V
Représentation des paramètres admittances (Fig.I.13 et Fig.I.14)
I = Y .V + Y .V
IG=0
ID=Y21.VGS+Y22.VDS
10
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
le paramètre Y21
Si la tension VDS est constante , lorsque la tension d'entrée varie d'une quantité ∆V , le courant de drain
varie d'une quantité ∆I = Y . ∆V . On nomme Y la pente ou la transconductance du transistor.
∆I ∆I
Y = =
∆V ∆ ∆V ∆
Y21=gm: Transconductance
le paramètre Y22
Si la tension VGS est constante , lorsque la tension de sortie varie d'une quantité ∆V , le courant de drain
varie d'une quantité ∆I = Y . ∆V .On nomme Y l'inverse de la resistance dynamique de sortie.
∆I ∆I
Y = =
∆V ∆
∆V ∆
Donc le schéma équivalent du transistor JFET est donné par la figure (Fig.I.16)
11
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
b)Etude statique:
On calcule le point de fonctionnement et la droite de charge statique à partir du schéma équivalent
statique (Fig.I.18). La droite de charge statique et le point de fonctionnement sont représentés dans la
figure (Fig.I.19)
c) Etude dynamique:
Le schéma équivalent dynamique est représenté dans la figure (Fig.I.20)
12
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
e) Impédance d'entrée:
V e R g .I e
Ze Rg
Ie Ie
Ze Rg
f) Impédance de sortie:
V
Z s s avec Rch débranchée et Ve court-circuitée (Ve=0) donc VGS=0
Is
V s R ds R d .I s
V s R ds R d .I s
Zs R ds R d
Is Is
Z s R ds R d
g) Gain en courant:
I
GA s
Ie
R ds R d .g m .V GS
Is
R ds R d Rch
V GS R g .I e
R ds R d .g m .R g
GA
R ds R d Rch
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Fig. I.22. Schéma équivalent en statique Fig. I.23. Schéma équivalent en dynamique
a) Gain en tension:
Vs
GV
Ve
V s R ds R s R ch .g m .V GS
V e V GS V s V GS R ds R s R ch .g m V
. GS
R ds R s R ch .g m
GV
V GS R ds R s Rch .g m
b) Impédance d'entrée:
Ve
Ze Rg
Ie
c) Impédance de sortie:
Vs
Zs avec Rch débranchée et Ve court-circuitée (Ve=0) dans ce cas VGS≠0
Is
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
V s V GS
V s R ds R s I s g mV s
V s (1 R ds R s .g m ) R ds R s .I s
Vs R ds R s
Zs
I s 1 R ds R s .g m
d) Gain en courant:
Is
GA
Ie
R ds R s .g m .V GS
Is
R ds R s R ch
V e V GS V s V GS R ds R s R ch .g m .V GS
Ie
Rg Rg Rg
R ds R s .g m .V GS
Is R ds R s R ch R ds R s .g m Rg
.
I e V GS R ds R s R ch .g m .V GS R ds R s R ch 1 R ds R s R ch .g m
Rg
R ds R s .g m .R g
GA
(R ds R s Rch ).(1 R ds R s R ch .g m )
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Fig. I.25. Schéma équivalent en statique Fig. I.26. Schéma équivalent en dynamique
a) Gain en tension:
Par définition, le gain en tension GV d'un amplificateur est le rapport : =
Vs
GV
Ve
V e V GS
V e V s
V s R d Rch ( g m V
. e )
R ds
R d R ch 1
V s (1 ) R d R ch ( g m ).V e
R ds R ds
V s R d R ch ( g m R ds 1)
GV
Ve R ds R d R ch
b) Impédance d'entrée:
Par définition, l'impédance d'entrée Ze d'un amplificateur est le rapport : =
Ve
Ze
Ie
V e V s V GV V e
V e R s (I e g mV GS ) R s (I e g mV e e )
R ds R ds
R s (1 GV )
V e (1 R s .g m ) R s .I e
R ds
Ve Rs
Ze
I e 1 R s g m R s g ds (GV 1)
c) Impédance de sortie:
Par définition, l'impédance de sortie Zs d'un amplificateur est le rapport : =
Vs
Zs avec Rch débranchée et Ve court-circuitée (Ve=0) donc VGS=0
Is
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Vs
Zs
Is
V s R d R ds .I s
Vs
Zs R d R ds
Is
d) Gain en courant:
Par définition, le gain en courant GA d'un amplificateur est le rapport : =
Is
GA
Ie
Vs
V s Rch .I s I s
R ch
Ve
Ie
Ze
Vs
Is R ch V Z Z
s . e GV . e
Ie Ve Rch V e Rch
Ze
Is Z
GA GV . e
Ie R ch
I.2. MOSFET:
I.2.1. La structure du MOSFET
De la même manière que le transistor JFET, il existe un autre type de transistor à effet de champ dont
la grille est électriquement isolée du flux principal de courant dans le canal. Il s’appelle le transistor à
effet de champ à grille isolée ou IGFET (en Anglais: Insulated Gate Field Effect Transistor). Le type
le plus courant d’IGFET et le MOSFET (en Anglais: Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor).
Le nom des électrodes du MOSFET sont similaires au JFET : Grille, Drain, Source. Il existe
également une quatrième électrode qui contact le substrat (en Anglais: bulk or body). Cette électrode
est généralement court-circuitée avec l’électrode de source et sa représentation est souvent omise.
Le MOSFET est un dispositif dont l’effet de champ est contrôlé par une tension. De la même manière
que le JFET, le MOSFET correspond à une résistance dont la valeur est contrôlée par la tension de
grille.
Le transistor MOSFET diffère du JFET car son électrode de grille est électriquement isolée du canal
semi-conducteur par un oxyde mince. Cette isolation par rapport au canal lui donne une résistance
d’entrée extrêmement élevée, soit dans les Méga-ohms. On considérera souvent qu’il n’y a pas de
courant qui circule à travers la grille.
Comme le courant de grille est extrêmement petit, on pourra considérer que le courant de drain est
égal au courant de source : IG=0 alors ID=IS
Il existe deux types de transistors suivant le dopage du canal. Les MOS à canal P ou PMOS et les
MOS à canal N ou NMOS. Ces deux types se sous-divisent en deux :
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
• Les transistors à déplétion ou appauvrissement (en Anglais: depletion) : Ces transistors nécessitent
une tension grille-source VGS afin de bloquer le transistor. Ils sont équivalents à un interrupteur
normalement fermé (en Anglais: Normally closed)
• Les transistors à enrichissement (en Anglais: enhancement): Ces transistors nécessitent une tension
grille-source VGS afin d’enclencher le transistor. Ils sont équivalents à un interrupteur normalement
ouvert (en Anglais: Normally open)
Les symboles et la structure de base des deux configurations de MOSFET sont donnés ci-dessous:
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
porteurs de charges (électrons pour un canal N ou les trous pour le canal P) dans le canal. L’électrode de
grille est placée au dessus d’un oxyde mince alors que les électrodes de drain et de source sont placées sur
une zone de type N.
Dans le cas du JFET, nous avions vu qu’il était nécessaire de polariser la jonction PN en inverse. Dans le
cas du MOSFET, cette limitation n’est pas présente. La grille peut être polarisée positivement ou
négativement. Cette propriété le rend particulièrement adapté pour être utilisé comme interrupteur ou
comme porte logique car il est non-conducteur sans avoir besoin d’appliquer une tension. De plus, le fait
qu’ils aient une très grande résistance de grille signifie que sa consommation est très faible.
Nous allons maintenant voir plus en détails les deux types de transistors MOSFET, les transistors à
enrichissement et les transistors à déplétion.
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Pour de faibles valeurs de VDS, la caractéristique du MOSFET est linéaire et ce dernier peut être modélisé
comme une résistance dont la valeur RDS vaut :
1
= =
2 ( − )
=2 ( − − )
2
Où K est le paramètre de transconductance en [A/V2] qui va dépendre de la technologie et de la géométrie
utilisée. On remarquera RDS peut être contrôlée par la tension VGS.
Si on augmente encore la tension VDS, le courant ID devient ensuite quadratique suivant l’équation:
Il s’agit de la tension de saturation. Pour des tensions plus hautes que VDS Sat le canal est pincé et le
courant est alors saturé à la valeur ID Sat
En remplaçant VDS Sat dans ID on trouve alors le courant de saturation ID Sat :
= ( − )
21
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Dans cette zone, le courant est indépendant de la tension VDS. La caractéristique complète du MOSFET
est résumée dans la figure suivante:
22
Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Exercices:
Exercice 1:
Dans les circuits représentés suivants, déterminer si le transistor est bloqué ou non.
Exercice 4:
L'amplificateur à source commune
représenté par la Fig. I.42. Il s'agit
d'un découplage dit partiel de la résistance
de source. (Rds→ ∞)
a) Calculer l'expression du gain en tension.
b) Montrer que si Rm ˃˃ 1/gm, ce gain
ne dépend pas du paramètre gm .
Fig. I.41
Fig. I.42
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Chapitre I: Transistor à effet de champ Electronique Fondamentale 2
Réponses:
Exercice 1:
Fig. I.35.:Le JFET n'est pas bloqué.
Fig. I.36.:Le JFET n'est pas bloqué
Fig. I.37.:Le JFET n'est pas bloqué
Fig. I.38.:Le JFET est bloqué
Exercice 2:
a) Le JFET est polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire ;ID=12 mA.
b) Le JFET est polarisé dans sa zone de fonctionnement ohmique ;ID= 4.6 mA.
c) Le JFET est polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire ;ID=7 mA.
Exercice 3:
a) RS= 429 Ω ; RD= 1 KΩ.
b) RS= 429 Ω ; RD= 1.46 KΩ.
Exercice 4:
a) = =−
b) = =−
25
Chapitre II
Amplificateurs de puissance
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
(a) ( b)
Fig. II.1. (a) Transistor NPN ( b) transistor PNP
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
28
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
=ℎ +ℎ
pour le transistor bipolaire
=ℎ +ℎ
Fig. II.5.Schéma
II. équivalent dynamique
29
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
II.2. Définitions:
II.2.1. Amplificateur:
Un amplificateur est un dispositif dont le but est de fournir à sa sortie un signal de
même forme que le signal d'entrée mais de puissance plus importante.
II.2.4.Rendement:
On désire parfois comparer le rendement d'un amplificateur à celui d'un autre. Pour
cela, on utilise la formule du rendement:
( )
= . 100%
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
b. Etude statique:
c. Etude dynamique:
Avec R0=R1//R2
C.1. Gain en tension:
Par définition, le gain en tension GV d'un amplificateur est le rapport : =
On pose: 1/h22=ρ
31
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
Vs
Gv
Ve
V s RC R L . .I B
V e h11.I B
RC R L .
GV
h11
C.2.Gain en courant:
Par définition, le gain en courant GA d'un amplificateur est le rapport : =
Is
GA
Ie
RC . .I B
Is
RC R L
R 0 .I e
IB
R 0 h11
RC .R 0 .
GA
( RC R L )(R 0 h11 )
C.3.L'impédance d'entrée:
Par définition, l'impédance d'entrée Ze d'un amplificateur est le rapport : =
V e R 0 h11.I e
Ze R 0 h11
Ie Ie
Z e R 0 h11
C.4.L'impédance de sortie:
Par définition, l'impédance de sortie Zs d'un amplificateur est le rapport : =
Vs
Zs avec RL débranchée et Ve court-circuitée (Ve=0) .
Is
Z s RC
C.5.Rendement:
On considère le cas d’un montage émetteur commun et une charge purement
ohmique. Lorsque le fonctionnement est idéal, le point de repos se situe au milieu de
la droite de charge, on aura :
Le courant de repos est IC = E/2.RC et la tension de repos est VCE = E/2.
32
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
33
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
.
2 .
= ≈ = =
+ . 2. .
1
≈ = = 25 %
4
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
(a) (b)
Fig. II.14. (a) Amplificateur base commune (b) Amplificateur collecteur commun
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
= − . − ; = . ; = +
- Si T1 est bloqué: = = = 0 et <0 ⇒ = = 0.
⇒ T1 est bloqué pour négative et nulle.
- Si T1 est saturé: on suppose une tension de saturation nulle: = 0. La condition de
saturation s'écrit: ≥ . avec = . = . d'ou
= . si le transisor est saturé , on a: ≥( ).
, = 0, = ,
d'ou la condition de saturation de T1:
≥ = . [( ).
+ 1]
T1 est saturé pour tout positif supérieur ou égal à et égale à E.
- T1 amplificateur: Lorsque 0 < < . T1 est en fonctionnement normal. Si on
néglige la résistance du transistor , on obtient la relation : = . . On déduit
( ).
donc l'expression de la tension de sortie: = ( ).
. avec 0 < <
Etude de T2: L'étude de T2 est analogue à celui de T1. on aboutit à une caractéristique
de transfert = f( ) symétrique par rapport à l'origine avec celle de T1.
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
38
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
Dans la plus part des cas on a des inductances donc le facteur de qualité est très
élevé.Q0Lω/r Lω>>r Dans ce cas r tant vers 0, la droite de charge statique est
VCC=VCE.
Lorsque nous avons une structure série. Et que nous connaissons son facteur de
qualité, nous pouvons la transformer en structure parallèle. Et vis vers ça suivant les
relations suivantes: Rp=RsQ20 et Xs=Xp
40
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
−
ℎ
=
1 1 1 1
+ + + +
−
= [ ]
ℎ 1+ −
Avec: RT=RC//RL//rP
2
=
1+2 +( )
2
⎧ =
⎪
⎪ 1 1 1
( ) =− → = → = → =
⎨ √
⎪
⎪ −
=
⎩ ℎ
: la pulsation de résonance
1
: la fréquence de résonance avec ∶ =
2 √
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Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
2
: le coef icient d amortissement = → = → =
2 2 √
: est l ampli icationmaximale
La largeur de la bande passante est :∆ = 2
Le facteur de qualité du montage est: =
La bande passante est: =2
Le rendement d'un tel montage est bon mais sans bande passante est réduite du fait du
circuit sélectif RC. En pratique il est beaucoup plus utilisé dans les émetteurs de radio
haute fréquence pour amplifier le signal destiné à l'antenne.
42
Chapitre II: Amplificateurs de puissance Electronique Fondamentale 2
Exercices:
Exercice 1:
Le circuit de la figure suivante Fig. II.23. représente
un montage dit Darlington constitué de deux
transistors possédant respectivement les
caractéristiques et ℎ d'une part et et ℎ
d'autre part .
à partir du schéma équivalent de ce montage en
régime dynamique , montrer que l'ensemble se Fig. II.23.
comporte comme un unique transistor qui posséderait des caractéristiques B et H11
que l'on calculera en fonction de ,ℎ , et ℎ .
Exercice 2:
Le montage de la figure suivante (Fig. II.24) représente l'amplificateur à émetteur
commun. On suppose que le transistor est polarisé dans sa zone
de fonctionnement linéaire. Dessiner le schéma équivalent de ce
montage en régime dynamique ( h22=0).
En déduire successivement les expressions du gain en tension
gain en courant ,l'impédance d'entrée et l'impédance de sortie.
On supposera que les résistances R1 et R2 sont choisies
de sorte que h11soit très inferieur à la résistance
équivalente à leur association en parallèle et on formulera
également l'hypothèse que la résistance RC est du même
ordre de grandeur que h11.
Fig. II.24.
Réponses:
Exercice 1:
a) = ( + 1)( + 1)
b) =ℎ + ℎ ( + 1)
Exercice 2:
a)
b) = =− ≈−
c) = ∕∕ ∕∕ ℎ ≈ ℎ
d) = =− ≈
e) =
43
Chapitre III
Contre réaction (CR)
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
45
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
46
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
courant. Ainsi quatre cas possibles peuvent se présenter : ce sont les quatre
configurations de circuits à réaction négative.
47
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
48
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
iso= ie + iβ
49
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
50
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
conclusion:
En pratique, il n'existe pas d'amplificateur répondant parfaitement à la définition d'un
amplificateur idéal. Toutefois, lorsqu'on applique une réaction négative appropriée à
un amplificateur réel, il devient possible de lui faire approcher de très près les
caractéristiques d'un amplificateur idéal.
III.4.5. Amplificateur de tension:
Le signal utile de sortie est une tension. C'est donc la tension de sortie us qui sera
échantillonnée à l'aide d'une connexion parallèle pour être introduite dans le réseau de
réaction. Le signal utile d'entrée est une tension. C'est donc sur celle-ci que portera la
réaction. La tension d'entrée est combinée à la tension issue du réseau de réaction
grâce au choix d'une connexion série du côté source
Dans le cas de l'amplificateur de tension, la configuration de réaction retenue est
donc du type série parallèle.
51
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
52
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
53
Chapitre III: Contre réaction Electronique Fondamentale 2
Exercices:
Exercice 1:
* Soit le montage de la Fig. III.11. (montage sans CR)
- Donner le schémas équivalent en dynamique.
- Trouver :Gv ;GA ;Ze ; Zs.
* On modifie le montage de la Fig. III.11. par le montage
de la Fig. III.12. ( montage avec CR)
- Donner le schémas équivalent en dynamique.
- Donner le type de configuration.
- Trouver :Gv ;GA ;Ze ; Zs.
Réponses:
Exercice 1:
1) Fig. III.11. (montage sans CR)
( )
a) = = ( )
b) = = ∕∕ ∕∕ (ℎ + (ℎ + 1) )
c) = =
d) = ∕∕ ℎ
b) = =ℎ ∕∕ + ∕∕ ∕∕ (1 + )
c) = =
d) = ∕∕ ℎ ∕∕ ∕∕ ∕∕
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Chapitre IV
Amplificateurs différentiels
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
IV.1. Définition:
En ce chapitre, nous présentons une autre configuration de circuit à base de transistor
appelée "amplificateur différentiel". Cet amplificateur, également appelé un Ampli-Diff,
est l'étape d'entrée à pratiquement tous les A.O.P.(Amplificateur opérationnel) et est
probablement le bloc constitutif de l'amplificateur le plus employé couramment dans des
circuits intégrés analogues. Le schéma IV.1 est un schéma fonctionnel du Ampli-Diff. Il y
a deux bornes d'entrée et une borne de sortie. Dans le cas idéale, le signal de sortie est
proportionnel seulement à la différence entre les deux signaux d'entrée.
La tension idéale de sortie peut être écrite comme
= ( − ) (IV. 1)
où Avol s'appelle le gain de tension en boucle ouverte. Dans le cas idéal, si v1 = v2, la
tension de sortie est nulle. Nous obtenons seulement une tension de sortie non-nulle si v1
et v2 ne sont pas égaux. Nous définissons la tension d'entrée en mode différentiel
comme:
= − ( . 2)
Et la tension d'entrée en mode commun comme:
+
= ( . 3)
2
Ces équations montrent que si v1 = v2, le signal d'entrée de différentiel-mode est zéro et
le signal d'entrée de commun-mode est vcm = v1 = v2. Si, par exemple, v1 = +10 μV et
v2 = −10 μV, alors la tension d'entrée en mode différentiel est vd = 20μV et la tension
d'entrée en mode commun est vcm = 0. Cependant, si v1 = 110 μV et v2 = 90 μV, alors le
signal d'entrée en mode-différentiel est toujours vd = 20 μV, mais le signal d'entrée en
mode- commun est vcm = 100 μV. Si chaque paire de tensions d'entrée ont été appliquées à
l'amplificateur différentiel idéal , la tension de sortie pour chaque cas serait exactement
identique. Cependant, les amplificateurs ne sont pas idéaux, et le signal d'entrée de mode
commun affecte le rendement. Un but de la conception des amplificateurs différentiels est
de réduire au minimum l'effet du signal d'entrée de mode commun.
56
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
= = ( . 4)
2
Si les courants de base sont négligeables, alors IC1 ~ = IE1 et IC2 ~ = IE2, et
= − = ( . 5)
2
57
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
Fig. IV.3. (a) Ampli-Diff avec tension en mode commun (b) Ampli-Diff avec tension en
mode différentiel
Nous voyons dans l'équation précédente IV.5 que, pour une tension de mode commun
appliqué, le courant IQ se divise uniformément entre T1 et T2 et la différence entre Vc1 et
Vc2 est nulle. Maintenant, si VB1 augmente de quelques millivolts et VB2 diminue de la
même quantité, ou VB1 = vd/2 et VB2 = vd/2, les tensions aux bases de T1 et T2 ne sont plus
égales. Comme les émetteurs sont communs, cela signifie que les tensions B-E sur T1 et
T2 ne sont plus égales. Puisque VB1 augmente et VB2 diminue, vBE1> vBE2, ce qui signifie
que Ic1 augmente de ΔI par rapport à sa valeur de repos et IC2 diminue de ΔI par rapport à
sa valeur de repos. Ceci est représenté sur la figure IV.3. Maintenant il existe une
différence de potentiel entre les deux bornes de collecteur. Nous pouvons écrire :
− = −( −∆ ) − −( +∆ ) = 2∆ (IV. 6)
2 2
Une différence de potentiel est créée entre VC2 et VC1 lorsqu'une tension d'entrée en mode
différentiel est appliquée.
Exemple 1: Déterminer le courant de collecteur statique et la tension de collecteur-
émetteur pour un amplificateur différentiel. Considérons l'Ampli-Diff sur le schéma IV.2,
avec des paramètres de circuit : V + = 10 V, V − = −10 V, IQ = 1 mA, et RC = 10 kΩ.
Les paramètres de transistor sont : β = ∞ (courants de base négligence), VA = ∞, et VB E
(dessus) = 0.7 V. déterminent Ic1 et vCE1 pour des tensions de commun-mode
vB1 = vB2 = vCM = 0, −5 V, et +5 V.
Solution:
On sait que: = = = 0.5 mA
Donc = = − = 10 − (0.5)(10) = 5
= 0, = −0.7
= − = 5 − (−0.7) = 5.7
= −5 , = −5.7
58
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
= − = 5 − (−5.7) = 10.7
= +5 , = 4.3
= − = 5 − (4.3) = 0.7
Fig. IV.4. (a) Variation du point Q pour le transistor T1 dans le Ampli-Diff car la tension
d'entrée du courant commun varie de +5 V à -9,3 V; (b) changement de courant de
collecteur et la tension collecteur-émetteur en fonction du temps pour le transistor T1 dans
Ampli-Diff lorsque une tension différentielle sinusoïdale de 18 mV est appliquée
59
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
où IC1 et IC2 sont les courants instantanés totaux, qui peuvent inclure le signal les
courants. Nous avons alors.
= + ( . 10)
1
= ( )/
( . 12)
1+
− ≡ ( . 13)
où Vd est la tension d'entrée en mode différentiel. Les équations (IV.11 et IV.12 ), peut
alors être écrite en termes de vd, comme suit:
= ( . 14)
1+
= ( . 15)
1+
60
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
61
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
La pente à vd = 0 doit-être :
−1
= = (−1) 1 + [ ]
Avec: = ( . 16)
Où gf est la transconductance direct. L'approximation linéaire pour iC1 en fonction de
vd peut être écrite
( ) = 0.5 + = 0.5 + ( . 17)
4
La tension d'entrée du mode différentiel vd (max) qui aboutit à une différence de 1 pour
cent entre la courbe linéaire idéale et la courbe réelle se trouve à partir de :
0.5 + 4 (max) − ( )
1+ = 0.01
[0.5 + 4 (max)]
62
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
1 2 1
g = = = g ( . 18)
4 2 2
La pente de IC1 en fonction de vd est de la même grandeur que celle de IC2 en fonction
de vd, mais de signe opposé. Ceci est la raison pour laquelle le signe négatif dans
l'expression de IC2 en fonction de vd. Nous pouvons définir la tension de signal de sortie
= − ( . 19)
Lorsque la tension de sortie est définie comme étant la différence entre les deux tensions
de collecteur, nous avons une sortie bilatérale. De la figure IV.7, nous pouvons écrire la
tension de sortie:
63
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
g g
= + −( − ) =g ( . 21)
2 2 2 2
Fig. IV.8. (a) Schéma équivalent alternatif du Ampli-Diff avec signal d'entrée
différentiel et tension de sortie bilatérale et (b) Schéma équivalent alternatif avec sortie
unilatérale
Si la tension de sortie est la différence entre les deux tensions de borne de collecteur,
alors aucun coté de la tension de sortie n'est au potentiel de la masse. Dans de nombreux
cas, la tension de sortie est prise à une borne de collecteur par rapport à la masse. La
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Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
tension de sortie résultante est appelée un signal de sortie à sens unique (unilatérale). Si
l'on définit la sortie comme VC2, d'après la figure IV.8 (b), la tension de sortie du signal
est:
g
= ( . 24)
2
Le gain différentiel de la sortie à sens unique (unilatérale) est alors donnée par:
= = = ( . 25)
2 4
Le gain différentiel pour la sortie unilatérale est la moitié de celle de la tension bilatérale
cependant, comme nous le verrons dans notre discussion sur les charges actives, seule
une sortie unilatérale est disponible. Nous avons supposé que les transistors T1 et T2, et
les deux résistances de collecteur RC, sont identiques.
65
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
tension . Toutes les tensions sont représentées par leurs composantes de phase. Puisque
les deux transistors sont polarisés au même courant de repos, nous avons
+g +g + = ( . 26)
ou
1+ 1+
+ = ( . 27)
−
= ( . 28)
+
et
−
= ( . 29)
+
1+
( + −2 ) = ( . 30)
+
+
= ( . 31)
+
2+
(1 + )
66
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
+
1+ −
(1 + )
=− ( . 33)
+ +
2+
(1 + )
( − )
=− ( . 34)
2( + )
L'entrée en mode différentiel est Vd = Vb1 − Vb2 et le gain en mode différentiel est:
= = ( . 35)
2( + )
= + ( . 36)
2
et
= − ( . 37)
2
= . − . ( . 38)
2( + ) + + 2(1 + )
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Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
= ( . 40)
2( + )
−
= ( . 41)
+ + 2(1 + )
On observe encore une fois que le gain en mode commun passe à zéro pour une source
de courant idéal dans laquelle Rs = ∞. Pour une source de courant non idéale, Rs est
finie et le gain de mode commun n'est pas nul pour ce cas d'une sortie unilatérale. Un
gain en mode commun non nul implique que la Ampli-Diff n'est pas idéal.
TRMC = ( . 42)
1 2(1 + )
= = 1+ ( . 44)
2 +
68
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
Le gain en mode commun diminue lorsque Rs augmente. Par conséquent, nous voyons
que le TRMC augmente lorsque Rs augmente.
= ( . 45)
+
=0 ( . 46)
69
Chapitre IV: Amplificateurs différentiels Electronique Fondamentale 2
Exercices :
Exercice 1:
Déterminer le gain en mode commun de Un ampli op qui a un gain de tension
différentielle de 150 × 103 et un TRMC de 90 dB.
Exercice 2:
Un amplificateur différentiel a un gain de tension en boucle ouverte de 120 et un signal
d'entrée commun de 3.0 V aux deux bornes. Un signal de sortie de 24 mV. Calculez le
gain en mode commun et le TRMC.
Réponses :
Exercice 1:
le gain en mode commun: ACM = 4.74
Exercice 2:
ACM = 4.74
TRMC= 83.52 dB
70
Chapitre V
Oscillateurs sinusoïdaux
Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
V.1. Introduction:
Un oscillateur est un amplificateur (A) qui utilise une boucle de retour (B) positive.
La portion du signal de sortie réinjectée en entrée est en phase avec le signal d’entrée.
Si A introduit un déphasage de 180° alors B doit aussi introduire un déphasage de
180°.
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Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
L’amplificateur peut être un simple classe A constitué d’un seul transistor ou alors
un amplificateur opérationnel (A.O.P).
Le filtre est réalisé avec des capacités, selfs et résistances et l’agencement de ces
éléments donne le nom de l’oscillateur :
= =
1 1+3 −
+ + +1
pour que soit réel il faut que la partie réel du dénominateur doit être nul
donc : 1 − =0
On trouve :
1
= =
et
73
Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
= =
3
Gain : =
74
Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
Gain : =
Gain B:
V V V V x X +X X + 3X + X
B= = = ( )
V V V V X+1 X + 3X + 1 X + 6X + 5X + 1
B= =−
Conditions d’oscillation:
Il faut que B soit réel donc: 62R2C2 1 0
1
B=
29
75
Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
−g R
G(ω) =
(−LC ω + 1) + jR ((C + C )ω − LC C ω )
76
Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
jRL L Cw
G(w) =
− CRw + R + jL w − L Cw R − jL Cw L w
−L
La condition d'oscillation :
= =1
( )
1 1 1 1 1
= = + +
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Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
78
Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
Exercices:
Exercice 1:
Soit le circuit suivant le transistor JFET possédant les caractéristiques suivantes IDSS =
8 mA, VP = − 4 V .
1-Etude statique:
a) Déterminez les variables de polarisation.
2-Etude dynamique:
a) Déduisez le paramètre gm de l’étude précédente ( rds → ∞ ).
b) En boucle ouverte, écrivez l’expression de la fonction de transfert en tension.
c) En boucle fermée et en régime sinusoïdal, écrivez les équations donnant les
conditions d’entretien des oscillations.
d) Calculez les valeurs manquantes des composants du filtre afin de générer un signal
sinusoïdal à la fréquence de 3 MHz.
Exercice 2:
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Chapitre V: Oscillateurs sinusoïdaux Electronique Fondamentale 2
Réponses :
Exercice 1:
1- a) VGS0 = -1.5 V; ID0 = 3.125 mA; VDS0 = 11.6 V
2- a) =− ≅ 2.5 /
b) En boucle ouverte:
=−
1− + + −
c) En boucle fermée:
=− =1
1− + + −
+ − =0
1
=
+
=1
d) = 374 = 49
Exercice 2:
1- a) =
b) =
80
Bibliographie
1. Thomas, L.floyd. Fondements d'électronique : Circuits, composants et
applications. édition Eyrolles. Paris 5eme. Reynald Goulet.2013.1080
2. Albert, Paul Malvino. Principes d'électronique. édition MacGraw-Hill.
Librairie Flammarion. 1988.742.
3. Francis, milsant. Problèmes d'électronique avec leurs solutions. édition
Eyrolles. Erreur Perimes.1993.177
4. Francis, milsant. Cours d'électronique ,édition Eyrolles. Hermes science.
Collection ingénieurs. 1992. 300.
5. Edwin, Carl Lowenberg. Circuits électroniques cours et problèmes. édition
MacGraw-Hill. série Schaum. 1973.274
6. Donald A. Neamen. Microelectronics circuit analysis and design. édition
MacGraw-Hill.2010.1392
81