III- Transistor bipolaire:

a)- symbole :

Le transistor NPN est le plus utilisé en électronique de puissance

Il est commandé à la fermeture et à l’ouverture.

 III-1 Modes de fonctionnement:

a) Si iB=ic= 0A le transistor est bloqué et équivalent à un

interrupteur ouvert.

b) Si ic=icsat (iB>iBsat) le transistor est saturé et équivalent à un

interrupteur fermé
III-2 fonctionnement parfait:

-Si le transistor est passant iC=iCsat et VCE =0.

-Si le transistor est bloqué iC=0 et VCE> 0.
Changement d’états :

1 : OFF-ON: iB>iBsat .

2 : ON-OFF: iB=OA .
 IV- Transistor à effet de champ à semi-
conducteur métal-oxyde: `MOSFET’ :
IV-1 E-MOSFET ‘MOSFET à enrichissement’ à canal N:

iD+iG=iS
IG  0A

Rq1: le E-MOSFET est le mosfet le plus courant en

électronique de puissance.
Rq2: Le E-MOSFET est commandé en fermeture et en
ouverture.
Rq3: Le courant est dû au déplacement des électrons.
Rq4: courant et tension positifs (iD>0 et VDS>0 et VGS>0)
Rappel :
E-MOSFET ‘MOSFET à enrichissement’ à canal P:

Rq1: Le courant est dû au déplacement des trous.

Rq2 : courant et tension négatifs (iD< 0 et VDS<0 et VGS<0)
CJMCU-4599 Module de carte d'extension pour canal N et P
 Variation lumineuse Alimentation d’une led Alimentation de 5 leds

Destinés à la commutation de charge et la

gestion des convetisseurs DC-DC dans les
applications automobiles , les MOSFET canal-N
en petits boîtiers SSM3K341R 60 V et le
SSM3K361R 100 V présentent une faible
résistance à l'état passant RDS(ON)dans leur
catégorie et sont qualifiés selon la norme
AEC-Q101.
IV- 2 fonctionnement parfait :

a) États :
-Transistor MOSFET ouvert (OFF) :
On a : iD=0 et VDS>0
-Transistor MOSFET fermé (ON) :
iD=iDmax et VDS =0
b) Changement d’états :

1 : OFF-ON: VGS>0 , si cas réel VGS>Vth (tension seuil) .

La résistance drain source RDS devient très faible
donc le courant ID croit.
Remarque : RDS à l’etat passant RDS (ON) n’est pas nulle
(inconvéniant du Mosfet)

2 : ON-OFF: VGS =0V, si cas réel VGS<Vth (tension seuil) .

La résistance drain source RDS devient très grande
Ce qui annule le courant drain ID .
IV- 3 fonctionnement réel :

VGS(th) : tension seuil (threshold).

ID = K . (VGS - VGS(th))²
 V- Tranistor bipolaire à grille isolée:
‘Insulated Gate Bipolar Transistors’ : IGBT

V-1 Symbole :

- C’est un composant de puissance commandé à la fermeture et à l’ouverture.

- Il associe les performances en courant entre collecteur et émetteur (la faible chute de
tension collecteur émetteur VCE= 0,1 V) (transistor bipolaire) et la commande en tension
par sa grille qui nécessite un courant permanent quasiment nul (MOSFET) .
a- Schéma équivalent de l’IGBT :

Schéma simplifié
Semikron SKM100GB12T4 , SEMITRANS2 TIDA-00917 Gate Driver (pilote de
, N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, grille) de 4 IGBT en // 1200V/450A
160 A max, 1200 V TEXAS Instrument

Module IGBT Infineon 1200V/50A 3300V/1200A ABB HiPak IGBT

V-2 fonctionnement parfait :

IC

V CE
a) Changement d’états :

1 : OFF-ON: VGE>Vth (tension seuil) .

2 : ON-OFF: VGE < Vth (tension seuil), en pratique on prend

VGE ≤ 0 pour accéler la commutation.
 VI- Thyristor GTO:
‘Gate Turn Off’ thyristor

VI-1 Symbole :

C’est un composant de fortes puissances (>1OO KW) commandé à la fermeture et l’ouverture .

Les applications usuelles du GTO sont les onduleurs, redresseurs et hacheurs pour
la vitesse variable et la conversion d'énergie, mais également les FACTS:
‘ Flexible Alternating Current Transmission System’.
.
Gate Control Drivers
VI-1 Commande de gachette

a) Amorçage OFF-ON :

La commande de l'amorçage doit être énergique : l'impulsion de courant iG

doit avoir un front raide et une amplitude atteignant 2 à 5 fois la valeur de iGmin.

VAK > 0 et Ig> iGmin ( quelques % de IAK) pendant t > tGmin ( quelques μs)

Ensuite pendant la conduction, la gâchette doit être alimentée de façon

permanente par un courant IG noté IG(ON), Ce courant permet de réduire
la chute de tension directe à l'état passant VD(ON) aux bornes du thyristor.
b)Blocage ON-OFF :

L'extinction du GTO se fait par extraction de charges par la gâchette.

L'application d'une tension négative VGK fait apparaître un courant de gâchette

négatif < IGR(reverse), le GTO se bloque.

Le courant inverse doit pouvoir atteindre des valeurs importantes

de -IAK/10 à -IAK/5 pendant un temps tinv (~ 100μs).

Exemple : thyristor GTO de 1000V, 100A

Pour I AK = 100 A
Amorçage: Ig  1 A > 0
Blocage : Ig  -20A < 0
c) Pertes:
Les pertes en conductions sont un peu plus importantes que pour un thyristor
Au blocage a cause du traînage en courant.
A La mise en conduction, il y a risque de destruction si le di/dt est trop important.
Pour ces raisons, les GTO sont toujours associés a des circuits d’aides à la commutation
CALC.
Exemple :
Un GTO «classique» est limité :
- en vitesse de croissance du courant à la mise en conduction (dI/dt typique : 300A/µs),
- en vitesse de croissance de la tension au blocage (dV/dt typique : 400V/µs),
et comme tout composant, en tension crête instantanée (valeur selon le calibre).
Pour respecter ces contraintes, on aura le plus souvent besoin :
d'un circuit inductif en série,
d'un circuit capacitif en parallèle,
d'un circuit d'écrêtage de la tension en parallèle.

Le HDGTO (Hard Driven GTO : GTO à commande dure), plus connu sous le nom de GCT
(Gate-Commutated Thyristor) ou IGCT (Integrated GCT), est une évolution «moderne»
du GTO, donnant la possibilité à un fonctionnement sans circuit d'aide à la commutation.
VII- Comparaison composants :
VII – 1 Aire de sécurité :