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PUISSANCE
Cours Magistral + Travaux Dirigés + Lectures commentées
+ Simulations/Laboratoires + Projets-Cours
Objectifs
Nombre de séances : 8
Dr Koutoua Simon Kassi, PhD Ing/DFR-GEE/kassi.simon@yahoo.fr 4
Programme
Séances Contenu
S1 Introduction Générale; Etude des composants ; Redresseurs
S2 Redresseurs (suite)/Gradateurs
S3 TD1 : Redresseurs et Gradateurs
Evaluation 1/Examen Partiel
S4 Hacheurs
S5 Onduleurs
S6 TD2 : Hacheurs et Onduleurs
Evaluation 2/Examen Final
S7 Lectures commentées (LC): Note 5
01 séance=3 heures
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Prérequis:
➢Circuits électriques
➢Systèmes polyphasés
➢Nombres complexes
➢Équations différentielles
➢Électronique de Commande
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Chapitre 1 :
Introduction Générale et Étude des
composants électroniques
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Quelques applications
❑ Traction ferroviaire ( quelques MW)
❑ Propulsion de navires ( jusqu' à 20 MW ou plus)
❑ Entraînements à vitesse variable de ventilateurs
ou pompes ( jusqu' à 10 MW)
❑ Les compensateurs statiques de réseaux
électriques
❑ Chargeurs de batteries pour appareils portables
(caméscopes, ordinateurs, téléphones, etc.)
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La diode de puissance
Symbole
Caractéristiques courant–tension
Fonctionnement idéal
➢ Diode passante, tension anode cathode U = 0 pour I > 0
➢ Diode bloquée, courant anode cathode I = 0 pour U < 0
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Choix de la diode
Paramètres importants :
Protection de la diode
Contre les court-circuits.:
Le Thyristor
Symbole
Caractéristiques courant–tension
Fonctionnement
❑ Conditions d’amorçage ou de mise en conduction : VAK > 0 et IG ≥ IGT
❑ Conditions de blocage ou d’ouverture : VAK ≤ 0 ou IT < IH
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Choix du thyristor
Paramètres importants :
VRRM = tension inverse maximale répétitive
I0 ou IF(AV) : courant direct moyen à l’état passant
IAKeff : courant efficace à l’état passant
Le transistor bipolaire
Symbole
Caractéristiques courant–tension
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Protection du transistor
Contre les court-circuits.:
Sources de chaleur
• Pertes en conduction, <VCE.iC> à l’état saturé car ces grandeurs ne sont pas nulles
• Pertes en commutation, < VCE.iC > car pendant les commutations courants et
tensions coexistent.
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Le transistor MOSTFET
Symbole
Caractéristiques courant–tension/Fonctionnement
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Protection du transistor
Choix du transistor
Paramètres importants :
Le transistor IGBT
Symbole
Fonctionnement
Protection du transistor
Dispositions identiques au cas du transistor bipolaire
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Le thyristor GTO
Symbole/Caractéristiques courant–tension
Fonctionnement
❑ Conditions d’amorçage ou de mise en conduction : VAK > 0 et IG ≥ IGT
❑ Conditions de blocage ou d’ouverture : IG ˂ 0 ou IT = IAK=0
Protection/Choix:
Le TRIAC
Symbole
Fonctionnement
Protection/Choix:
Dispositions identiques au cas du thyristor classique
Applications du TRIAC
❖ Le triac est avant tout destiné à piloter des charges raccordées au
secteur 230 V, par exemple une ampoule (charge résistive) ou un
moteur électrique (charge inductive)
•Logiciels de simulations
• PSIM
• LTSpice
• Matlab
• Isis Proteus
• Altium Designer
• TCI
• PCB Wizard
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PSIM
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LTSpice
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Références bibliographiques
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Supports de Cours
• Koutoua Simon KASSI, Supports de Cours d’Électronique de
Puissance, INPHB (Institut National Polytechnique), 2020.
• Coulibaly SOMO, Supports de Cours d’Électronique de Puissance,
INPHB (Institut National Polytechnique), 2019.
• Antoine Diby KONDO, Supports de Cours d’Électronique de
Puissance, INPHB (Institut National Polytechnique), 2019.
• Fernand Kouakou, Supports de Cours d’Électronique de Puissance,
INPHB (Institut National Polytechnique), 2018
• Zié Yéo, Supports de Cours d’Électronique de Puissance, INPHB
(Institut National Polytechnique), 2016.
• Aka Tanoh, Supports de Cours d’Électronique de Puissance, INPHB
(Institut National Polytechnique).
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Livres
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Guy Chateigner, Michel Boës, Daniel Bouix, Jacques Vaillant, Daniel Verkindère, Manuel de
Génie électrique : Rappels de Cours, méthodes, exemples et exercices corrigés, Licence-IUT,
DUNOD, 2007.
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