Chap1 Introduction - ElnPce 2122

ELECTRONIQUE
DE
PUISSANCE
NOTES DE COURS
Chapitre 1 :
Introduction générale et Étude des composants
Dr Koutoua Simon KASSI, PhD, Ing. : Maitre Assistant du CAMES

Prof. Tanoh Aka, PhD, Ing.: Maitre de Conférence du CAMES
Enseignants-Chercheurs/DFR-GEE-INPHB-Yamoussoukro
Koutouan.kassi@inphb.ci/kassi.simon@yahoo.fr/+225 51116080
Aka.tanoh@inphb.ci/+225 49538589
Bureau: 219/DFR-GEE
Dr Koutoua Simon KASSI, PhD /INPHB-DFRGEE/kassi.simon@yahoo.fr/+22551116080
1
Table des matières
1. Définition de l’électronique de puissance ...................................................... 4
2. Les convertisseurs statiques d’énergie électrique ......................................... 4
3. Les principaux composants électroniques ..................................................... 6
3.1 La diode de puissance .............................................................................. 6
3.2 Le thyristor .............................................................................................. 9
3.3 Le transistor bipolaire ............................................................................ 11
3.4 Le transistor à effet de champ à grille isolée : MOSFET ......................... 13
3.6 Le thyristor GTO (Gate Turn Off)............................................................ 16
3.7 Le TRIAC ................................................................................................ 17
3.8 Performances relatives des composants en fonction des tensions
d’alimentation et des fréquences ................................................................... 20
2
Liste des figures
Figure 1: Conversion statique réalisée par un convertisseur statique .................. 4
Figure 2: Relations entre les familles de convertisseurs statiques. ...................... 5
Figure 3 : Les convertisseurs AC-DC (Redresseurs). .............................................. 5
Figure 4 : Les convertisseurs AC-AC (Gradateurs). ............................................... 5
Figure 5 : Les convertisseurs DC-DC (Hacheurs). .................................................. 6
Figure 6 : Les convertisseurs DC-AC (Onduleurs).................................................. 6
Figure 7 : Etats de l’Interrupteur. ......................................................................... 6
Figure 8: Symbole et photos réelles de la diode................................................... 6
Figure 9: Caractéristiques de la diode. ................................................................. 7
Figure 10: Modèle de la diode en conduction ...................................................... 7
Figure 11: Protection de la diode contre les court-circuits. .................................. 8
Figure 12: Protection de la diode contre les surtensions. .................................... 8
Figure 13: Protection thermique de la diode. ...................................................... 8
Figure 14: Modèle thermique de la jonction à l’air ambiant. ............................... 9
Figure 15: Symbole et photos réelles du thyristor................................................ 9
Figure 16: Caractéristiques du thyristor. ............................................................ 10
Figure 17: Symbole et photos réelles du thyristor.............................................. 11
Figure 16: Caractéristiques du transistor bipolaire. ........................................... 11
Figure 19: Aire de sécurité du transistor bipolaire. ............................................ 12
Figure 20: Protection du transistor bipolaire contre les surintensités ................ 12
Figure 21: Symbole et photo réelle du transistor MOSFET. ................................ 13
Figure 22:Caractéristique du Transistor MOSFET ............................................... 14
Figure 23: Symbole et photos réelles du transistor IGBT.................................... 15
Figure 22: Conditions de fonctionnement du Transistor IGBT. ........................... 16
Figure 25: Symbole, Caractéristiques réelle et idéale d'un Thyristor GTO. ......... 16
Figure 26: Symbole et photo réelle du triac. ...................................................... 17
Figure 26: Quadrants de fonctionnement d’un TRIAC ........................................ 18
Figure 27: Variateur de lumière à TRIAC-1000W. ............................................... 19
Figure 28: Performances relatives des composants en fonction des tensions
d’alimentation et des fréquences ...................................................................... 20
3
1. Définition de l’électronique de puissance
L’électronique de puissance est l’électronique appliquée à l’étude de la conversion
statique de l’énergie électrique au moyen des semi-conducteurs fonctionnant en commutation.
Elle comprend l’étude et la maintenance :
✓ Des composants électroniques utilisés en moyenne et forte puissances,
✓ Des structures des convertisseurs,
✓ De la commande de ces convertisseurs,
✓ Des applications industrielles de ces convertisseurs.
Les applications de l’électronique de puissance sont diverses :
✓ Traction ferroviaire ( quelques MW)
✓ Propulsion de navires ( jusqu' à 20 MW ou plus)
✓ Entraînement de compresseurs, extrudeuses ( jusqu' à 50 MW)
✓ Métallurgie ( laminoirs , lignes ...)
✓ Electrochimie (électrolyse jusqu' à 100 000 A)
✓ Entraînements à vitesse variable de ventilateurs ou pompes ( jusqu' à 10 MW)
✓ Les compensateurs statiques de réseaux électriques
✓ Chargeurs de batteries pour appareils portables (caméscopes, ordinateurs,
téléphones, etc.)
2. Les convertisseurs statiques d’énergie électrique

La conversion statique est réalisée par un convertisseur statique, c’est à dire un dispositif
qui transforme de l’énergie électrique disponible en une forme appropriée à l’alimentation
d’une charge.
Figure 1: Conversion statique réalisée par un convertisseur statique

Suivant le type de charge à alimenter et suivant la nature de la source de puissance
4
disponible, on distingue plusieurs familles de convertisseurs statiques.
Figure 2: Relations entre les familles de convertisseurs statiques.
Montage redresseur : Conversion alternatif-continu (valeur moyenne fixe ou réglable)
Figure 3 : Les convertisseurs AC-DC (Redresseurs).
Gradateur : Conversion alternatif-alternatif (fréquence fixe et valeur efficace réglable)
Figure 4 : Les convertisseurs AC-AC (Gradateurs).
Hacheur : Conversion continu-continu (valeur moyenne réglable)
5
Figure 5 : Les convertisseurs DC-DC (Hacheurs).
Onduleur : Conversion continu-alternatif (valeur efficace et fréquence fixes ou réglables)
Figure 6 : Les convertisseurs DC-AC (Onduleurs).
3. Les principaux composants électroniques

Ce sont des composants réalisés par la juxtaposition de couches de semi-
conducteurs au silicium de type P et de type N. Ces composants jouent le rôle
d’interrupteur statique pour le passage et le blocage du courant.
Figure 7 : Etats de l’Interrupteur.

On distingue principalement les diodes, les thyristors et les transistors.
3.1 La diode de puissance

La diode est un composant semi-conducteur qui possède deux électrodes qui sont
l’anode et la cathode. La circulation du courant est unidirectionnelle : de l’anode vers la
cathode. Sa représentation est donnée ci-dessous.
Définition et Symbole
Figure 8: Symbole et photos réelles de la diode.
6
Caractéristiques courant–tension
Figure 9: Caractéristiques de la diode.
Fonctionnement idéal
Le fonctionnement idéal de la diode s’opère suivant deux modes :
• Diode passante, tension anode cathode U = 0 pour I > 0
• Diode bloquée, courant anode cathode I = 0 pour U < 0
C'est un interrupteur automatique qui se ferme dès que VAK > 0 et qui s'ouvre dès que I =
0. On dit que la commutation est naturelle ou spontanée.
Choix d’une diode

Les deux paramètres importants à prendre en compte pour le dimensionnement de la
diode sont :
• I0 ou IF(AV) = courant direct moyen à l’état passant,
• VRRM = tension inverse maximale répétitive.
Par sécurité de dimensionnement, on applique une marge de sécurité (de 1,2 à 2) pour
ces grandeurs. On a éventuellement :
• le courant maximal répétitif (sans durée prolongée),
• le temps de recouvrement inverse (temps de blocage).
Pertes en conduction
En conduction, la diode est équivalente à une force électromotrice V S (la tension
de seuil) en série avec une résistance RD (la résistance dynamique).
Figure 10: Modèle de la diode en conduction

7
Les pertes moyennes en conduction (ou puissance dissipée) sont :
2
Protection de la diode
Protection contre les surintensités :
Cette protection est assurée par un fusible ultra rapide (UR) dont la contrainte
thermique (I2.t) est plus faible que celle de la diode, si bien qu’il « fond » avant la diode.
Figure 11: Protection de la diode contre les court-circuits.
Protection contre les surtensions :

Les surtensions peuvent être atténuées en insérant un circuit RC-série en parallèle
avec la diode ou un élément non linéaire supplémentaire, une Diode Transil placée en
parallèle avec l’élément ou en tête de l’installation, elle dissipe l’énergie de la surtension.
Figure 12: Protection de la diode contre les surtensions.
Protection thermique :
En fonctionnement normal, la jonction PN encoure le risque d’atteindre une
température trop élevée (Tjmax donnée par le constructeur). Pour pallier cet inconvénient,
le composant est monté sur un dissipateur thermique ou « radiateur » pour assurer
l’évacuation de l’énergie thermique entre le composant et l’air ambiant.
Figure 13: Protection thermique de la diode.
Sur le chemin de la chaleur entre la jonction de température Tj et l'air ambiant de

température Ta, on aura les résistances thermiques suivantes :
8
Figure 14: Modèle thermique de la jonction à l’air ambiant.
Rth(J-C) : résistance thermique jonction-boîtier (donnée par le constructeur du

composant), Rth(C-R) : résistance thermique boîtier-radiateur (dépend des conditions de
montage), Rth(R-A) : résistance thermique radiateur-air (fournie par le constructeur du
radiateur).
La résistance thermique de l’ensemble est la somme des résistances thermiques :

Rth = Rth(J-C) + Rth(C-R) + Rth(R-A)
La différence de température est définie par la relation ci-dessous appelée loi

d’Ohm thermique :
Où PD est la puissance dissipée par la diode en fonctionnement.
Dans l’équation ci-dessus, la seule inconnue est Rth(R-A). La résistance thermique du radiateur
à ne pas dépasser est :
Tjmax = 150 à 200°C pour les composants au silicium ;

Ta=30 à 50°C.
3.2 Le thyristor
Le thyristor est une diode commandée à partir d’une troisième électrode appelée gâchette.
Figure 15: Symbole et photos réelles du thyristor.

9
Figure 16: Caractéristiques du thyristor.
Fonctionnement
Conditions d'amorçage (mise en conduction)
Pour qu'un thyristor conduise, il faut que :
• La tension VAK > 0 (polarisation directe) et
• Une impulsion positive de courant de gâchette IG ≥ IGT (courant minimal d’amorçage).
Conditions de blocage
Pour bloquer un thyristor il faut :
• Rendre VAK ≤ 0 pendant un temps t ≥ tr (temps de recouvrement inverse) ou
• Diminuer le courant anode (IA ou IT) en dessous du courant de maintient IH (IA < IH)
En résumé:
• Conditions de mise en conduction ou de fermeture : VAK > 0 et IG ≥ IGT
• Conditions de blocage ou d’ouverture : VAK ≤ 0 ou IT < IH
Choix d’un thyristor
Le choix du thyristor est réalisé à partir des grandeurs suivantes :
• la tension inverse VRRM (à l’état bloqué);
• le courant moyen I0 (à l’état passant);
• le courant efficace iAKeff (à l’état passant).
De la même manière que la diode, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à 2) à
ces grandeurs.
Protection du thyristor
Les protections contre les surintensités et les surtensions, la protection thermique
sont identiques à celles d’une diode.
Les pertes en conduction se calculent de la même manière que dans le cas des diodes.
10
3.3 Le transistor bipolaire
Il possède 3 électrodes : Base, Collecteur, Émetteur.
Figure 17: Symbole et photos réelles du thyristor.
Cet interrupteur est commandable à l'ouverture et à la fermeture, la commutation se fait par

une action électrique (injection d'un courant de base iB).
Pour effectuer les études des montages à transistors de puissance, on utilise la caractéristique
statique idéalisée ci-dessous. Ceci correspond au modèle simplifié à l’état bloqué (interrupteur
ouvert) et à l’état passant (interrupteur fermé).
Figure 18: Caractéristiques du transistor bipolaire.

Lorsque le transistor est saturé (interrupteur fermé) le courant iC et la tension vCE ne doivent
pas être négatifs. Le transistor est donc un interrupteur commandé unidirectionnel en
tension et en courant.
11
Limites de fonctionnement d'un transistor : Aire de sécurité ou zone de
fonctionnement sûr (Safe Operating Area : SOA)
Le point de fonctionnement doit toujours se situer à l'intérieur d'une zone, appelée
aire de sécurité, délimitée dans la caractéristique IC = f(VCE) par le courant direct maximal
admissible ICmax, la tension collecteur/émetteur maximale VCEmax, et la puissance maximale
PDmax que peut dissiper le transistor :
Figure 19: Aire de sécurité du transistor bipolaire.
Choix d’un transistor

Les grandeurs qui conditionnent le choix d’un transistor sont :
• la tension VCEmax (à l’état bloqué) ;
• le courant ICmax (à l’état saturé).
Par sécurité de dimensionnement, on applique toujours un coefficient de sécurité (1,2 à 2)
à ces valeurs. Elles doivent être supportées par le composant choisi. On doit ensuite
déterminer le courant IB (> IC/β) que doit délivrer le circuit de commande.
Protection du composant
Protection contre les court circuits :
Les fusibles ne sont pas suffisamment rapides pour protéger les transistors. En effet
ceux-ci « claquent » très rapidement lorsque le courant dépasse I0. La protection est donc
assurée par l’intermédiaire d’un circuit électronique qui mesure iC ou iE et interrompt la
commande en cas de danger.
Figure 20: Protection du transistor bipolaire contre les surintensités
12
Protection thermique :
La puissance dissipée PD, évacuée par un radiateur, a deux origines :
• Pertes en conduction, <VCE.iC> à l’état saturé car ces grandeurs ne sont pas nulles ;
• Pertes en commutation, < VCE.iC > car pendant les commutations courants et
tensions coexistent.
Remarque :
Les transistors bipolaires de puissance sont utilisés dans des applications nécessitant jusqu'à
des centaines de kilowatts et des fréquences de commutation inférieures à 10kHz.
3.4 Le transistor à effet de champ à grille isolée : MOSFET

Les transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET : en anglais Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) sont dotés de quatre électrodes appelées : Grille (G),
Drain (D), Source (S) et Substrat (B). Le substrat est relié à la source du transistor. La grille est
électriquement isolée du substrat par un diélectrique de type SiO2.
Figure 21: Symbole et photo réelle du transistor MOSFET.
Fonctionnement et modèles du composant parfait

Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la fermeture et à
l’ouverture.
• Transistor ouvert (OFF) : État obtenu en annulant la tension VGS de commande, procurant
une impédance drain-source très élevée, ce qui annule le courant de drain iD. La tension VDS
est fixée par le circuit extérieur. L’équivalent est un interrupteur ouvert.
• Transistor fermé (ON) : Une tension VGS positive rend RDS très faible et permet au
courant iD de croître. L’équivalent est un interrupteur fermé.
13
Figure 22:Caractéristique du Transistor MOSFET
Remarque
Les MOS les plus courants supportent des tensions allant jusqu'à 500 V. On trouve des
MOS pouvant supporter jusqu'à 1400 V. Le MOS n'est intéressant pour les tensions élevées
que dans le cas des convertisseurs de faible puissance (< 2 kW) ou lorsque la rapidité est
indispensable (de quelques dizaines de kHz à des centaines de kHz). Leur domaine
d’utilisation est limité à quelques centaines de volts, excepté le domaine des fréquences
élevées pour lequel le MOSFET surclasse tous les autres composants.
Protection du MOSFET
✓ Protection contre les dv/dt importants ou les surtensions dues aux
inductances de ligne : VDR (Varistor or Voltage dependent Resistor/ Varistance), Diode TRANSIL
(diode de suppression de tensions transitoires ou en anglais transient-voltage-suppression
(TVS)), Circuit écrêteur RCD (Résistance Condensateur Diode).
✓ Protection contre les échauffements trop importants : respect de l’aire de
sécurité, utilisation de radiateur ou dissipateur thermique, diminution des pertes : Circuits
d’Aide à La Commutation
✓ Protection contre les surintensités : Système d’asservissement (VGS, ID) comme
dans le cas du transistor bipolaire
Grandeurs nominales de sélection (choix) d’un MOSFET

❖ VDSmax : C'est la tension drain source maximale avant destruction du composant.
❖ IDSS : courant circulant entre le drain et la source : c'est le courant continu maximal
qui peut circuler sans destruction du composant.
❖ RDSon : c'est la résistance série entre le drain et la source, pour une tension VGS (grille
source) donnée. On veillera à ce que la puissance générée dans cette résistance soit
dissipée par le boitier.
14
3.5 Le transistor bipolaire à grille isolé : IGBT
L'IGBT (en anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à porte
isolée. Il associe les avantages des transistors bipolaires (tensions et courants élevés) et
ceux des transistors MOSFET (rapidité des commutations, énergie de commande faible).
Figure 23: Symbole et photos réelles du transistor IGBT.
Fonctionnement
Polarisation inverse : VCE < 0
• Le transistor T' ne peut conduire donc l'IGBT est bloqué; la structure fait que la tension
inverse maximale est limité à quelques dizaines de volts.
Polarisation directe : VCE > 0

• Si VGE < Vgth, tension de seuil du MOS, T est bloqué, le courant de base de T' est nul
donc T' est bloqué. L'IGBT est bloqué et la tenue en tension est assurée par la jonction
du bipolaire PNP, jonction peu dopée et large donc la tenue en tension est élevée
(jusqu'à 1 500 V)
• Si VGE > Vgth, le MOS est conducteur créant un courant de base dans T' qui se sature.
L'IGBT est alors saturé; la structure permet de réduire la résistance RDSon du MOS donc de
diminuer sa chute de tension.
15
Figure 24: Conditions de fonctionnement du Transistor IGBT.
Caractéristiques importantes de sélection (choix)

Tension Collecteur-Emetteur : VCE.
La valeur VCE à TJmax est donnée pour une tension VGE nulle (court-circuit). Contrairement au
MOSFET, la tension de claquage est dépendante de la température de jonction T J.
Courant de Collecteur en DC : IC.

Le courant de Collecteur IC est également une indication qui est donnée pour TJmax.
Tension Collecteur-Emetteur en conduction VCE(sat)

Par la nature même de l'IGBT, cette tension VCE(sat) est fortement dépendante du courant
Collecteur. Sa dépendance à la température est faible.
3.6 Le thyristor GTO (Gate Turn Off)

Le thyristor GTO est un composant semblable au thyristor sauf qu’il peut être
bloqué par inversion du courant de gâchette. Par rapport au thyristor classique, le
thyristor GTO est en plus commandable à l'ouverture par un courant i G négatif. Sa
commande est cependant plus difficile à mettre en œuvre. Un autre inconvénient est la
présence de pertes importantes lors de l'ouverture (le courant met un certain temps à
s'annuler).
Figure 25: Symbole, Caractéristiques réelle et idéale d'un Thyristor GTO.
16
Fonctionnement (Blocage)
Le blocage du thyristor GTO peut se faire de deux façons :
✓ Par interruption naturelle du courant principal IAK, qui se produit par exemple à chaque
alternance si le thyristor est utilisé sous tension alternative ;
✓ Par extraction du courant au niveau du circuit de gâchette (obtenue par application
d'une tension négative sur la gâchette, par un circuit appelé « extracteur de charges »).
Cette phase d'extinction forcée doit impérativement être terminée avant de commander à
nouveau le passage vers l'état passant, sinon il y a risque de destruction du composant. Il y a
donc un temps minimal de blocage (typiquement 100 µs), ce qui est à l'origine de la limitation
en fréquence de commutation du GTO.
Protection
Les protections contre les surintensités et les surtensions, la protection thermique
sont identiques à celles d’un thyristor classique.
Choix
Critères de choix identiques à ceux du d’un thyristor classique.
Actuellement il n'existe plus sur le marché que trois gammes de tension 2 500 V, 4 500
V et 6 000 V, pour des courants commutables d'environ 600 A jusqu'à 6 000 A.
3.7 Le TRIAC
Le Triac (Triode Alternating Current) est un composant électronique équivalent à la mise en parallèle
de deux thyristors montés tête-bêche mais dont la gâchette est commune. Les deux électrodes
principales sont appelées A1 et A2 (pour Anode 1 et Anode 2) ou MT1 et MT2 (pour Main Terminal 1 et
Main Terminal 2.
Figure 26: Symbole et photo réelle du triac.
17
Fonctionnement
L’amorçage du triac peut se faire aussi bien pendant l’alternance positive que
pendant l’alternance négative et ce, par des tensions de gâchette positives ou
négatives. Une fois enclenché par une impulsion sur la gâchette, le triac laisse passer
le courant jusqu'au moment où ce courant redevient inférieur à un seuil critique
(courant de maintien). De par cette structure, le triac est utilisé pour contrôler le
passage des deux alternances d'un courant alternatif. Il existe 4 façons d'amorcer un
triac, on peut les représenter par 4 quadrants.
Figure 27: Quadrants de fonctionnement d’un TRIAC
Protection du TRIAC
Les protections contre les surintensités, les surtensions, les variations brusques et
thermiques sont identiques à celles d’un thyristor. Les pertes en conduction se calculent de
la même manière que dans le cas de tous les autres composants.
Fiche technique (datasheet) d'un triac

Voici un extrait de la fiche technique d'un modèle de triac très répandu :
Triac BTA/BTB08-800B (general purpose AC switching and phase control operation)
18
Symbol Parameter Value Unit
VDRM Repetitive peak off-state voltage 800 V
IGT Gate trigger current Tj = 25 °C 5 to 50 mA
IT(RMS) RMS on-state current (full sine wave) Tc = 100 °C 8 A
ITSM Non repetitive surge peak on-state current (full t = 20 ms 80 A
cycle)
IGM Peak gate current Tj = 125 °C 4 A
Application du TRIAC
Le triac est avant tout destiné à piloter des charges raccordées au secteur 230 V, par
exemple une ampoule (charge résistive) ou un moteur électrique (charge inductive). Il permet
de réaliser des gradateurs (variateurs de lumière, des variateurs de vitesse pour les moteurs
des appareils électroménagers); il permet aussi, associé à un capteur (photorésistance...) de
commander un dispositif de commutation ou de régulation (chauffage, électrovanne...) par
ouverture ou fermeture du circuit.
Figure 28: Variateur de lumière à TRIAC-1000W.
19
3.8 Performances relatives des composants en fonction des
tensions d’alimentation et des fréquences
Figure 29: Performances relatives des composants en fonction des tensions

d’alimentation et des fréquences
20

Chap1 Introduction - ElnPce 2122

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2. Les convertisseurs statiques d’énergie électrique ......................................... 4

3. Les principaux composants électroniques ..................................................... 6

3.1 La diode de puissance .............................................................................. 6

3.2 Le thyristor .............................................................................................. 9

3.3 Le transistor bipolaire ............................................................................ 11

3.4 Le transistor à effet de champ à grille isolée : MOSFET ......................... 13

3.6 Le thyristor GTO (Gate Turn Off)............................................................ 16

3.7 Le TRIAC ................................................................................................ 17

3.8 Performances relatives des composants en fonction des tensions

d’alimentation et des fréquences ................................................................... 20

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2. Les convertisseurs statiques d’énergie électrique

Figure 1: Conversion statique réalisée par un convertisseur statique

Figure 2: Relations entre les familles de convertisseurs statiques.

Montage redresseur : Conversion alternatif-continu (valeur moyenne fixe ou réglable)

Figure 3 : Les convertisseurs AC-DC (Redresseurs).

Gradateur : Conversion alternatif-alternatif (fréquence fixe et valeur efficace réglable)

Figure 4 : Les convertisseurs AC-AC (Gradateurs).

Hacheur : Conversion continu-continu (valeur moyenne réglable)

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Figure 6 : Les convertisseurs DC-AC (Onduleurs).

3. Les principaux composants électroniques

Figure 7 : Etats de l’Interrupteur.

3.1 La diode de puissance

Figure 8: Symbole et photos réelles de la diode.

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Figure 9: Caractéristiques de la diode.

Choix d’une diode

Figure 10: Modèle de la diode en conduction

Figure 11: Protection de la diode contre les court-circuits.

Protection contre les surtensions :

Figure 12: Protection de la diode contre les surtensions.

Figure 13: Protection thermique de la diode.

Sur le chemin de la chaleur entre la jonction de température Tj et l'air ambiant de

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Rth(J-C) : résistance thermique jonction-boîtier (donnée par le constructeur du

La résistance thermique de l’ensemble est la somme des résistances thermiques :

La différence de température est définie par la relation ci-dessous appelée loi

Où PD est la puissance dissipée par la diode en fonctionnement.

Tjmax = 150 à 200°C pour les composants au silicium ;

Figure 15: Symbole et photos réelles du thyristor.

Figure 16: Caractéristiques du thyristor.

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Il possède 3 électrodes : Base, Collecteur, Émetteur.

Figure 17: Symbole et photos réelles du thyristor.

Cet interrupteur est commandable à l'ouverture et à la fermeture, la commutation se fait par

Figure 18: Caractéristiques du transistor bipolaire.

Figure 19: Aire de sécurité du transistor bipolaire.

Choix d’un transistor

Figure 20: Protection du transistor bipolaire contre les surintensités

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3.4 Le transistor à effet de champ à grille isolée : MOSFET

Figure 21: Symbole et photo réelle du transistor MOSFET.

Fonctionnement et modèles du composant parfait

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Grandeurs nominales de sélection (choix) d’un MOSFET

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Figure 23: Symbole et photos réelles du transistor IGBT.