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Compression d'impulsion et fonction NGD appliqués aux impulsions


ultracourtes pour la correction d'effets d'IEM

Conference Paper · April 2012

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Blaise Ravelo
Nanjing University of Information Science & Technology
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16ème édition du Colloque International sur la Compatibilité ElectroMagnétique (CEM 2012)

Compression d’impulsion et fonction NGD appliqués aux


impulsions ultracourtes pour la correction d’effets d’IEM
Blaise Ravelo

IRSEEM (Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués), EA 4353, ESIGELEC,


Avenue Galilée, 76801 Saint Etienne du Rouvray, France.
e-mail: blaise.ravelo@esigelec.fr
Résumé : Cet article résume la génération d’une technique de Compression d’Impulsion (CI)
ultracourte en utilisant un circuit NGD (Negative Group Delay). Un rappel théorique sur la le
fonctionnement de la topologie de cellule NGD formée d’un transistor et d’un dipôle passif
résonant est proposé. Il est établi qu’en plus de la fonction NGD, ce circuit est capable aussi de
compresser les signaux impulsionnels grâce à la forme du gain autour de la fréquence de
résonance de la cellule. Des résultats de mésures et de simulations en fréquence et en temps
illustrent la faisabilité de cette fonction CI. Du NGD inférieur à -2 ns est observé sur une bande de
fréquence d’environ 100 MHz et centré autour de 625 MHz. De plus, grâce à la forme de gain,
une compression d’impulsion Gaussienne de largeur d’environ 20 ns a été également mise en
évidence. La fonction NGD associée à la compression est très utile pour la correction des
déformations des impulsions comme pour les applications radar face aux éventuels phénomènes
d’Interférence ElectroMagnétiques (IEM).

Mots-clés : Effet NGD, Compression d’Impulsion (CI), applications aux IEM, validation
expérimentale.

Ce type de circuit innovant se distingue sur sa


1. INTRODUCTION possibilité de générer simultanément du gain et du
NGD dans la bande de fréquence micro-onde.
Des recherches récentes en théorie de circuit [1-3]
ont révélées que des circuits simples comme cellule De ce fait, plusieurs applications de la fonction
résonante active à base du Transistor à Effect de NGD ont été développées. En plus de la fonction
Champs (TEC) de la figure 1 est susceptible de NGD, sous certaines conditions relatives à la bande
générer un effet NGD (Negative Group Delay) ou de fréquence du signal de test, il a été souligné que
Temps de Propagation de Groupe (TPG) négatif ce type de circuit NGD est parfois capable de
autour de sa résonance : réaliser une fonction Compression d’Impulsion (CI)
dans le domaine temporelle [6-8]. Par rapport, aux
ω0 = 1 / L ⋅ C . (1) techniques de CI classiques proposées dans [7-10],
la présente CI est largement moins coûteuse, plus
TEC simple à mettre en œuvre et facilement intégrable
dans des systèmes télécommunications.
R
P o rt 2
P o rt 1

L C’est la raison qui me motive de mettre en œuvre


C cette étude NGD-CI. Pour une meilleure
compréhension, nous allons voir les résultats des
études théoriques et pratiques qui illustrent ce
Figure 1: Cellule NGD utilisée pour réaliser la concept intriguant.
fonction compression.
2. ANALYSE THEORIQUE
∆Tin2 > 4 L2 Rds Z 0
[Rds Z 0 + 2 R( Z 0 + Rds )] . (7)
Il a été démontré qu’à la résonance ω = ω0 , le gain R 2 [Rds R + Z 0 ( R + Rds )]
2

et le TPG de la cellule présentée par la figure 1 sont


respectivement exprimés par [3][5-6] : Avec cette expression, nous pouvons tracer le
graphe du taux de compression en fonction de la
2 g m Rds Z 0 R largeur ou de l’écart-type du signal d’entrée. La
S 21 (ω0 ) = , (2)
Rds R + Z 0 ( R + Rds ) figure 2 montre un exemple d’allure de ce taux de
compression λ = ∆Tout / ∆Tin en fonction de la
et résistance R = L/∆Tin liée au paramètre inductif et la
largeur de l’entrée ∆Tin .
− 2 L ⋅ Z 0 Rds
τ (ω0 ) = , (3)
R ⋅ [ R ⋅ Rds + Z 0 ( R + Rds )]
100

∆ T out/∆ T in (% )
avec gm et Rds sont la transconductance et la
résistance entre Drain-Source du TEC et Z0 = 50 Ω 50
est l’impédance de référence. En considérant les
développements limités de MacLaurin d’ordre 2 0
appliqué aux expressions du gain et du TPG du
circuit conduit à la réponse d’une impulsion 0 10 20 30 40
Gaussienne. Resistance L/∆ T in (Ω
Ω)

 ( t − t0 ) 2  Figure 2: Taux de compression en fonction de la


vin (t ) = exp  − 2 
⋅ sin(ω0t ) , (4) résistance R = L/∆Tin du circuit NGD pour Z0 = 50
 2∆Tin  Ω et Rds = 357 Ω.

On souligne qu’en utilisant n cellules identiques en


Avec centrée à t0 et d’écart-type ∆Tin modulant une cascade dans une bonne condition d’adaptation
sinusoïde de pulsation ω = ω0 donnée par la inter-étage, on peut réaliser la valeur du taux de
formule suivante : compression λ égal à λn = n ⋅ λ . C’est pour cette
raison que dans la suite de cette section, nous nous
∆Tin intéressons au cas des circuits formées par deux
vout (t ) = S 21 (ω0 ) cellules NGD en cascade.
∆Tout
. (5)
 [t − t0 − τ (ω0 )]2 
exp − 2  sin(ω0t ) 3. TABLEAUX ET FIGURES
 2∆Tout 
La figure 3 montre le schéma détaillé du circuit
Cette dernière explique que la sortie se comporte pour valider le concept théorique décrit
encore comme un signal Gaussien modulant ω0 précédemment. Comme illustré par le masque de la
avec un écart-type : figure 4(a), il s’agit d’un circuit planaire hybride
imprimé sur un substrat FR4 de permittivité εr = 4.4
et d’épaisseur h = 800 µm. La photo du prototype
 Rds Z 0  testé est montrée par la figure 4(b).
4 L2 Rds Z 0  
∆Tout = ∆Tin2 − 2  + 2 R( Z 0 + Rds ) . (6)
R [Rds R + Z 0 ( R + Rds )]
2 Pour ce circuit, on utilise le TEC ATF-34143 en
polarisation inductive. Après avoir appliqué la
méthode de synthèse introduite dans [3], nous avons
Nous avons donc une conservation de forme de optimisé les éléments passifs du circuit NGD en
signal entrée Gaussienne – sortie Gaussienne sous la tenant compte du modèle non linéaire de ce TEC.
condition suivante :
Cb C
L
Vd Lb Cb
Z0 Cb R
FET
R R Ro
vin Ri L L Z0
C C

port 1 port 2

Figure 3: Schéma du circuit actif NGD avec TEC = ATF-34143 en polarisation inductive (Vd = 2V, Id = 100
mA), Ri = 82 Ω, Ro = 22 Ω, R = 18 Ω, L = 51 nH, C = 0,5 pF, Cb = 1 nF, Lb = 220 nH.

Figure 4(b): Photo du circuit actif NGD testé.

Nous avons utilisé trois cellules résonantes La mesure fréquentielle du dispositif nous a permis
identiques en parallèle à la place d’une seule pour d’avoir le gain et le TPG des figures 5, qui sont
réduire les contraintes sur les valeurs des relativement bien corrélés avec la simulation. Dû à
composants utilisés (ainsi que leurs tolérances). l’incertitude des composants et particulièrement de
la capacité et à la modélisation du TEC, on a un
2 1 ,7 0 m m léger décalage de ces résultats fréquentiels.
Néanmoins, en mesure, on a un gain largement
C supérieur à 0 dB (cf. figure 5(a)) et du TPG négatif
Cb sur une bande de fréquence légèrement supérieure à
L 100 MHz autour de 625 MHz (cf. figure 5(b)).
Vd
Ri
2 4 ,0 2 m m

Lb R
Port 1 Cb gate 12
FET
drain Cb Ro Port 2
Simulation
- permittivité : εr = 4.3

mesure
S21 (dB)
- epaisseur : 508 µm

R R
6
Substrat FR4

L L

0
C C 0.5 0 0.5 5 0.60 0.6 5 0 .70 0 .75
Fréquence (GHz)
(a )
Figure 4(a): Masque du circuit actif NGD testé. 1
0
TPG (ns)

-1
-2
-3
Simulation
mesure
-4
0 .50 0.5 5 0.60 0.6 5 0 .70 0.7 5
Fréquence (GHz)
(b )

Figure 5: (a) Gain S21 et (b) TPG du circuit NGD


testé.

(b)
Par ailleurs, dans cette bande de fréquence de TPG par Agilent® pour un signal d’entrée gaussien
négatif, on a des niveaux d’adaptation aux accès d’écart-type 4 ns ce qui permet de mieux mettre en
meilleurs que -10 dB comme illustré par la figure 6. évidence l’avance obtenue (environ 1,5 ns soit 37,5
% de l’écart-type). Une légère avance du maximum
de l’enveloppe du signal de sortie est obtenue par
-7
Simu lation rapport au maximum du signal d’entrée (figure
C o e ffic ie n ts d e
r e fle x io n (d B )

Mesure 8(b)).

-11 6 1
|S22|dB

S o rtie (V )
4 0

Entrée (V)
|S11|dB 2 -1
-15
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0 -2
Fréquence (GHz)
-2 -3
Figure 6: Comparaison des coefficients de 0 8 16 24
réflexion dans la bande utile. T e m p s (n s )
(a )
E n ve lo p p e
Les figures 7 représentent les paramètres S mesurés 2 1 .1 0
sur une bande très large allant de DC à 10 GHz. En
S o rtie (V )

Entrée (V)
dehors de la bande de fréquence NGD, ce circuit
présente un maximum de gain de 18,5 dB, une 1 0 .5 5
isolation inférieure à -20 dB et une adaptation
inférieure à -5 dB. 1.5ns
0 0 .0 0
0 8 16 24
20 T e m p s (n s )
P a r a m è tre s S ( d B )

|S21|dB (b )
0
Figure 8: Résultats de la simulation temporelle
-20
issue des paramètres S mesurés. (a) Tension
-40 simulée et (b) enveloppes des signaux simulés.
-60 |S12|dB
Le signal de sortie présente peu de distorsion et est
-80
0 2 4 6 8 10 donc toujours quasi-gaussien avec une stabilité
Fréquence (GHz) accrue.
(a )
0
4. CONCLUSION
C o e ffic ie n ts d e
re fle x io n (d B )

-5 |S11|dB
-10 Une technique de CI basée sur l’utilisation d’un
circuit NGD a été introduite. Le concept théorique
-15
illustrant la réalisation de cette technique a été
-20 |S11|dB expliqué. Pour valider la méthode de CI proposée,
-25 un prototype de dispositif planaire hybride a été
0 2 4 6 8 10 conçu, fabriqué, simulé et mesuré. Comme convenu
Fréquence (GHz) du NGD inférieur à -2 ns avec du gain a été observé
(b ) autour de 625 MHz. Grâce à la forme du gain, une
Figure 7: Paramètres S, (a) S12 et S21, et (b) S11 et CI gaussienne modulée de largeur d’environ 20 ns
S22 entre DC et 10 GHz. a été mise en évidence.

Avec cette fonction NGD-CI, on peut réaliser une


A partir des paramètres S mesurés, comme montré compensation de dégradation subie par les signaux
par la figure 8(a), nous avons également réalisé une RF/microélectronique dans les systèmes de
simulation temporelle sous le logiciel ADS fourni
communication due aux effets d’IEM comme le [5] B. Ravelo, “Investigation on the microwave
montre la figure 9. pulse signal compression with NGD active circuit”,
PIER C Journal, Vol. 20, pp. 155-171, 2011.

Canal de [6] B. Ravelo, “Time-domain analysis of


p r o p a g a tio n microwave pulse compression with NGD circuit”,
NGD To be published in International Journal of
Communication Engineering Applications (IJCEA).
P e r t u rb a tio n
IE M [7] J. A. Giordmaine, M. A. Duguay and J. W.
Hansen, “Compression of optical pulses (mode
Figure 9: Illustration d’applications de CI.
locked HeNe laser generated light pulse
compression in time without energy loss, using
Il est important de noter que comme indiqué dans method similar to chirp radar method)”, IEEE J.
[11], cette fonction NGD permet de réduire ou Quantum Electron. QE-4 252, 1968.
annuler le retard ou les déformations dans les
systèmes RF/microélectroniques comme l’effet des [8] D. Strickland and G. Mourou,
canaux de propagation. “Compression of amplified chirped optical pulses”,
Opt. Commun., Vol. 55, pp. 447-449, Oct. 15 1985.
5. REFERENCES
[9] M. A. Arbore, O. Marco and M. M. Fejer,
“Pulse compression during second-harmonic
[1] B. Ravelo, “Baseband NGD circuit with RF generation in aperiodic quasi-phase-matching
amplifier”, Electronic Letters, Vol. 47, No. 13, pp. gratings”, Opt. Lett., Vol. 22, No. 12, pp. 865-867,
752-754, June 2011. 1997.

[2] B. Ravelo, “Demonstration of negative [10] P. Li, X. Chen, Y. Chen and Y. Xia, “Pulse
signal delay with short-duration transient pulse”, compression during second-harmonic generation in
Eur. Phys. J. Appl. Phys. (EPJAP), Vol. 55, 2011, engineered aperiodic quasi-phase-matching
10103-pp. 1-8. gratings”, Optics Express, Vol. 13, No. 18, pp.
6807-6814, Sep. 2005.
[3] B. Ravelo, “Investigation on microwave
NGD circuit”, Electromagnetics, Vol. 31, No. 8, pp. [11] B. Ravelo, “Correction de l’intégrité des
537-549, Nov. 2011. signaux dans les systèmes RF/digitaux en utilisant
des cellules actives à TPG négatif”, Workshop 2emc
[4] H. Cao, A. Dogariu and L. J. Wang, 2010 - EMBEDDED EMC, Rouen, France, 18-19
“Negative group delay and pulse compression in Nov. 2010.
superluminal pulse propagation”, IEEE J. Sel. Top.
Quantum Electron., Vol. 9, No. 1, pp. 52-58, 2003.

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