Chapitre 1 : Semi-conducteurs et Diodes

I. Notions élémentaires sur la physique des semi-conducteurs

I.1 Rappels de la structure atomique
Un atome est la plus petite particule d’un élément qui possède les caractéristiques de cet
élément. Chaque type d’atome contient un certain nombre d’électrons et de protons qui le
distinguent des atomes de tous les autres éléments.

I.1.1 Couches d’électrons et orbites

Les électrons gravitent autour du noyau d’un atome à certaines distances de celui-ci. Les
électrons près du noyau possèdent moins d’énergie que ceux situés sur des orbites plus
éloignées. Il n’existe que des quantités d’énergie électronique discrètes (séparées et distinctes)
à l’intérieur des structures atomiques. Les électrons doivent donc demeurer en orbite
seulement à ces distances du noyau.

I.1.2 Niveaux d’énergie

À chaque éloignement distinct (orbite) du noyau correspond un certain niveau énergétique.
Dans un atome, les orbites sont regroupées en bandes énergétiques appelées couches. Un
atome donné possède un nombre fixe de couches. Chaque couche possède un nombre
maximal fixe d’électrons pour des niveaux d’énergie admissibles (orbites).

I.1.3 Électrons de valence

Les électrons sur les orbites plus éloignées du noyau ont une énergie plus grande et sont
moins fortement liés à l’atome que ceux situés plus près du noyau. Ceci s’explique du fait que
la force d’attraction entre les charges positives du noyau et les charges négatives des électrons
diminue à mesure qu’on s’éloigne du noyau. Les électrons avec les niveaux d’énergie les plus
élevées existent dans la couche la plus éloignée d’un atome et sont relativement moins liés à
cet atome. La couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de valence et les
électrons dans cette couche sont appelés électrons de valence. Ces électrons de valence
contribuent aux réactions chimiques et aux liaisons à l’intérieur de la structure d’un matériau,
déterminant ses propriétés électriques.

1
1.1.4 Conduction électrique intrinsèque
Dans un matériau à structure cristalline, les atomes sont liés entre eux par des liaisons dites
covalentes. Si cette liaison entre électron est faible, un apport d’énergie extérieur (un champ
électrique) peut être suffisant pour mobiliser ces électrons : ces électrons sont dits « libres »,
libres de se déplacer dans la structure cristalline : c’est le phénomène de la conduction
électrique intrinsèque.

En quittant sa position initiale, un électron devenu libre laisse derrière lui un « trou ».
L’atome étant initialement neutre, un trou est donc chargé positivement. Un trou peut bien sur
être comblé par un autre électron libre venu d’atome voisin. Dans ce cas, le trou se déplace en
sens contraire du déplacement de l’électron. La conduction électrique peut aussi être
interprétée comme un déplacement de trous que comme un déplacement d’électrons.

Les électrons libres sont appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les porteurs de
charge positifs.
On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de
conduction par des bandes d’énergies :

I.1.5 Bande d’énergie

Rappelons-nous que la couche de valence d’un atome représente une bande d’un certain
niveau énergétique et que les électrons de valence sont confinés à cette bande. Lorsqu’un
électron acquiert assez d’énergie additionnelle d’une source externe (champ électrique), il
peut quitter la couche de valence, devenir un électron libre et exister dans ce que l’on désigne
comme étant la bande de conduction.
En termes d’énergie, la différence entre la bande de valence et la bande de conduction est
appelée un écart énergétique. Il s’agit en fait de la quantité d’énergie que doit avoir un
électron pour sauter de la bande de valence vers la bande de conduction.

2
 Bande de valence : l’électron qui se trouve dans cette bande, participe à une liaison
covalente au sein du cristal.
 Bande de conduction : un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se trouver
dans cette bande; il est alors mobile et peut participer à un phénomène de conduction.
 Bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas
prendre des niveaux d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés; entre la bande
de valence et la bande de conduction peut donc exister une bande interdite. Pour rendre un
électron mobile, il faut donc apporter de l’énergie en quantité suffisante pour franchir cet
écart.
En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande interdite, les
matériaux peuvent être isolants, conducteurs ou semi-conducteurs :

3
  Un conducteur : la bande de conduction est partiellement remplie. Le solide contient
donc des électrons mobiles susceptibles de participer aux phénomènes de conduction
sans fournir d’énergie.
 Un isolant : la bande de conduction est vide et l’écart énergétique est grand (ex : de
l'ordre de 10 eV). Le solide ne contient alors aucun électron capable de participer à la
conduction.
 Un semi-conducteur : la bande de conduction est vide mais l’écart énergétique est
plus faible (de l'ordre de 1 à 2eV). Le solide est donc isolant à température nulle
(T=0°K), mais une élévation de température permet de faire passer des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction. La conductivité augmente avec la
température.

I.2 Notion sur les semi-conducteurs

Les semi-conducteurs se situent entre les conducteurs et les isolants. Un semiconducteur est
constitué par un réseau cristallin de matériau très pur. Les atomes sont liés entre eux par des
liaisons covalentes. Pour arracher des électrons à des atomes, il faut fournir une énergie de
l’ordre de 1eV (0,1eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants).
Les semi conducteurs ont une résistivité électrique comprise entre 102 et 109
En électronique, les trois principaux semi-conducteurs les plus utilisés sont :
 Le Silicium (Si) : c'est le plus utilisé pour la fabrication des composants électroniques.
 Le Germanium (Ge) : il est d’utilisation plus limitée (trop sensible en température,
courants de fuite importants).
 L’Arséniure de Gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de composants
optoélectroniques, il permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux en
silicium. Ces applications sont cependant relativement rares.

I.2.1 Semi-conducteur intrinsèque

Ils sont dits intrinsèques lorsqu’ils sont parfaitement purs (ne contenant aucun élément
étranger).
Pour les semi-conducteurs intrinsèques usuels tels que le Silicium ou le Germanium, les
structures cristallines sont identiques et chaque atome est entouré tétraédriquement par quatre
autres atomes avec lesquelles il assure des liaisons covalents.
Pour des températures assez élevées, certains électrons sont arrachés du fait de l’agitation
thermique devenant ainsi libres de se déplacer sous l’action d’un champ électrique.

4
Lorsqu’une une liaison covalente entre deux atomes se rompt sous l’effet de l’agitation
thermique, l’électron libéré laisse à sa place un vide appelé trou (Fig.1.3a). Un électron d’une
liaison voisine peut venir combler ce trou (Fig.1.3b) ; il laisse à son tour un trou derrière lui
qui peut aussi être comblé (Fig.1.3c). On peut parler donc du déplacement d’électrons de
charges –e et de trous (en sens inverse) de charges +e (Fig.3d).
Les électrons sont des porteurs de charges négatives et les trous sont des porteurs de charges
positives.

Figure.1.3 : Déplacement des électrons et trous dans un semi-conducteur (Si)

sous l’effet de l’agitation thermique

On définit la concentration en porteurs par le nombre de porteurs par unité de volume.

Pour un semi conducteur intrinsèque la concentration pi en porteurs positifs est égale à la
concentration ni en porteurs négatifs (il y a autant de trous que d’électrons).
Lorsqu’on applique un champ électrique E à l’intérieur du semi-conducteur, les porteurs
libres prennent un mouvement d’ensemble :
 Les trous dans le sens du champ
 Les électrons en sens opposé du champ

5
Ce double déplacement constitue un courant électrique.
La conductivité des semi conducteurs peut être augmentée par l’addition d’impuretés. Ce
procédé est appelé dopage. Dans ce cas le semi conducteur est dit extrinsèque.
Donc :

avec : A : constante dépendant du matériau,

T : température absolue en kelvins,
ΔEi : largeur de la bande interdite en eV,
k= 1.38 × 10-23 JK-1 : constante de Boltzmann
Ces concentrations n et p sont appelées concentrations en porteurs intrinsèques. Pour le
silicium qui est le semi-conducteur le plus utilisé on a : ΔEi = 1,2 eV, ni = 1,5 . 1010 cm-3 a
T = 300 K

 A température ambiante, kT est de l'ordre de 0,025 eV. La densité d'électrons est alors
très faible, et la conductivité intrinsèque est faible pour la plupart des semi-conducteurs.
 Les principales familles de semi-conducteurs sont les suivantes :

I.2.2 Semi-conducteur dopés ou extrinsèques

I.2.2.1 Dopage des semi-conducteurs
Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque de très faible quantité d’un
corps étranger (impureté) appelé dopeur.
Pour les semi-conducteurs usuels (Si, Ge), les dopeurs utilisés sont :
 Soit des éléments pentavalents : ayant 5 électrons périphériques.
Exemples : l’Arsenic (As), l’Antimoine (Sb), le Phosphore (P),…

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 Soit des éléments trivalents : ayant 3 électrons périphériques.
Exemples : le Bore (B), le Gallium (Ga), l’Indium (In),…
Ces dopeurs sont introduits à très faible dose (de l’ordre de 1 atome du dopeur pour 10 6
atomes du semiconducteur).
 Après le dopage, le semi-conducteur n’est plus intrinsèque mais extrinsèque.

I.2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque type N

Le dopeur utilisé appartient à la famille des pentavalents (As, Sb, P,…).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les
liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires : le cinquième est donc en excès et
sera libre. L’agitation thermique permet donc la libération d’un électron par atome dopeur. On
dit que le dopeur est un donneur d’électrons (porteurs de charge Négative). Il faut noter que
cet électron lorsqu’il quitte son atome, il laisse à sa place un ion positif fixe (Fig.1.3).

FIg.1.3 : Un atome d’Arsenic incorporé dans

le cristal de semi-conducteur (Si)

Fig.1.4 : Constituant d’un semi-conducteur (Si) type N

 La concentration des électrons libres provenant des atomes donneurs est très
importante devant celles des porteurs intrinsèques (dans ce cas les trous).
On dit que les électrons sont des porteurs majoritaires et des trous minoritaires.

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I.2.2.3 Semi-conducteur extrinsèque type P
Le dopeur utilisé appartient à la famille des trivalents (B, Ga, In,…).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les
liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires alors que le dopeur ne porte que 3
électrons, il y a donc un trou disponible susceptible de recevoir un électron. Un électron d’un
atome voisin peut occuper ce trou. L’atome du dopeur devient un ion négatif fixe. L’atome
quitté aura un trou et une charge positive excédentaire. On dit que le dopeur est un accepteur
d’électrons (Fig.1.5).

Fig.1.5 : Un atome d’Indium incorporé dans le

cristal de semi-conducteur (Si)

Fig.1.6 : Constituant d’un semi-conducteur (Si) type P

 On dit que les trous sont des porteurs majoritaires et des électrons minoritaires.
 Bilan :
 Si le semi-conducteur est dopé N, il y a beaucoup plus d’électrons libres que de trous.
On dit que les électrons sont les porteurs de charge majoritaires.
 Dans le cas d’un dopage P, ce sont les trous qui sont les porteurs majoritaires.
Dans les deux cas on a : p n
En revanche, on a toujours :

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  Pour un semi-conducteur dopé N, soit ND la concentration en impureté donneuses
d’électrons. à T=300K ;
 Pour un semi-conducteur dopé P, soit NA la concentration en impureté accepteuses
d’électrons. On a alors : à T=300K.

 La conduction dans ces matériaux est dite extrinsèque.

II. Jonction PN : Diode

La jonction PN est l’élément fondamental des composants électroniques (diodes, transistors,
thyristors…). La jonction PN est la zone qui sépare deux semi conducteurs extrinsèques de
types différents : type P et type N.
On peut réaliser ceci sur un barreau intrinsèque en introduisant d’un coté les impuretés de
type P et de l’autre coté les impuretés de type N.

Fig.1.7 : Jonction PN avant diffusion

Bien qu’au départ chacune des deux zones soit électriquement neutre, la mise en contact des
deux parties induit un phénomène de migration de porteurs majoritaires de part et d’autre de
la jonction : certains trous de la zone P se déplacent vers la zone N, tandis que certains
électrons de la zone N migrent vers la zone P.

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Un équilibre s’installe autour de la jonction, créant ainsi un champ électrique interne. La zone
située autour de la jonction correspondant à ce champ électrique est appelée zone de
déplétion.
La présence de ce champ électrique se traduit également par la présence d’une différence de
potentiel. Cette d.d.p. Vd est appelée barrière de potentiel (de l’ordre de 0,7 V pour le
Silicium et 0,3 V pour le Germanium). La zone de déplétion se comporte comme un isolant et
il devient très difficile pour un électron libre, de franchir cette zone.

Fig.1.8 : Jonction PN non polarisée après diffusion

Remarque :
 la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone
désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la
zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone
désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de
charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées
électriquement (contrairement au reste du semiconducteur N et du semi-conducteur P
qui sont globalement neutres).
 Le courant de diffusion Id total correspond au bilan de la migration des porteurs
majoritaires, il est orienté de P vers N.
 Le champ interne favorise par contre le passage des porteurs minoritaires (les trous
dans P et les électrons dans N). Il se crée donc un courant de porteurs minoritaires
dirigé de N vers P. I l est appelé courant de saturation, noté Is et ne dépend que de
l’activité intrinsèque du semiconducteur, donc de la température.
 Lorsque la jonction n’est soumise à aucune action externe, aucun courant ne peut
traverser la diode.

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II.1. Symbole d’une diode
Une diode à jonction PN est un composant électronique constitué de deux électrodes :
l’Anode (A) et la Cathode (K).

II.2 Jonction PN polarisée : Diode polarisée

II.2.1 Polarisation directe
Si on applique une tension V orienté de N vers P ( N P ) (polarisation directe), un
champélectrique externe se crée et s’oppose au champ interne. La barrière de potentiel Vd,
est ainsi diminuée (rétrécie) : des électrons peuvent franchir la zone de déplétion (de N vers P)
qui devient donc conductrice ; la diode est dite passante


II.2.2 Polarisation inverse

L’application d’une tension V dirigée comme indiquée sur la figure suivante ( P
(polarisation inverse), crée un champ électrique qui s’ajoute au champ électrique interne
poussant ainsi les électrons de la zone N et les trous de la zone P a s’éloigner de la jonction :
la zone de déplétion s’élargit ; la jonction devient pratiquement isolante. On dit que la diode
est bloquée.

11
Remarque :

II.2.3 Caractéristique courant-tension

La loi de variation du courant Id qui traverse la diode en fonction de la tension Vd à ses
bornes est donnée par la relation suivante :

 e : Charge élémentaire ( e= 1,6 . 10-19C ).

 T : Température absolue en K
 Is : Intensité de saturation, de l’ordre de 10-12 A
 K : Constante de Booltzmann (1,38 . 10-23 J/K° )

II.2.4. Polarisation directe (courant direct)

Le courant croit exponentiellement. On dit que la diode est passante ou polarisée en direct.
Pour des valeurs importantes de I, la tension V varie peu et est de l’ordre de 0.6 à 0.7 V pour
des diodes au silicium et de 0,2 V pour une diode au germanium. Cette tension est appelée
tension seuil et se note VS.
12
II.2.5. Polarisation inverse (courant inverse)

On dit que dans ce cas la diode est polarisée en inverse.

Pour des tensions inverses importantes (quelques dizaines de volts), on observe un effet de
conduction forcé au travers de la jonction (effet avalanche) qui est en général destructeur.

Zone de
claquage

Vs
Polarisation Polarisation
inverse directe
Effet
Avalanche

Remarque : En général, on admet le fonctionnement suivant de la diode :

o Diode polarisée en sens direct : V = 0,7 V ,  I ; la diode est dite passante.
o Diode polarisée en sens inverse : I = 0 ,  V ; la diode est dite bloquée.

II.2.6. Schémas équivalents de la diode)

a- Diode idéale (1ère approximation) :
Si on considère que la tension de 0,7 V est négligeable devant les autres tensions du circuit,
on obtient alors le modèle de la diode dite idéale, dont la caractéristique est schématisée sur la
figure suivante :

Modèle d’une diode idéale.

13
 b- Diode parfaite (2ème approximation) :
La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de tension parfaite
de f.e.m. Vd.

Modèle d’une diode parfaite.

- En polarisation directe : pour VAK = 𝑉d et I > 0, la diode est équivalente à un récepteur

actif de f.é.m Vd.
- En polarisation inverse : pour VAK < 𝑉𝑑 et I = 0, la diode est équivalente à un interrupteur
ouvert.
c- Modèle dynamique
La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de tension de f.é.m Vd et de
résistance interne Rd :

Modèle dynamique d’une diode

- En polarisation directe : pour I > 0, la diode est équivalente à un récepteur actif de f.é.m
Vd et de résistance interne ou résistance dynamique de la diode passante (Rd = ΔUAK/ΔI)
[1/Rd =Pente de la droite]
- En polarisation inverse : pour VAK < 0 et I = 0, la diode est équivalente à un interrupteur
ouvert.

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II.2.7. La droite de charge statique
C’est une droite qui caractérise le comportement d’une diode, elle est définie par la relation
qui relie la tension à ces bornes VAK et le courant qui la traverse I en régime
continu.VAK=f(I)
Exemple :
D’après la loi de maille : 𝐸 - 𝑅𝐼 - 𝑉 = 0

Recherchons deux points pour tracer cette droite :

Le point de fonctionnement (ou point de repos) Q (V, I) s'établit à l'intersection de la droite

de charge I= f (V) et la caractéristique statique de la diode

15
1)

2)

16
II.3. Diode Zener : Claquage de la jonction
La diode Zener est une diode particulière, spécialement conçue pour exploiter le claquage
inverse. Elle permet de laisser passer le courant à partir d'une certaine tension inverse : cette
tension de seuil s'appelle la tension Zener. C'est un claquage contrôlé, où le courant se
stabilise et ne prend pas des valeurs destructrices, comme le cas d’une diode classique.

Symbole : la diode Zener a plusieurs symboles :

II.3.1. Caractéristique statique courant-tension

En inverse le courant peut changer beaucoup alors que la tension reste toujours près de VZT .

Caractéristique de la diode Zener

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Remarque : Si la résistance dynamique 𝑅𝑍 est négligée, la tension aux bornes de la diode
lorsqu’elle conduit en inverse est constante quelque soit le courant qui la traverse. La diode
Zener est idéale.
Note : Il faudra contrôler que le courant inverse dans la Zener n’augmente pas au dessus de
courant maximum.

Exemple 1 : Avec le montage de la figure ci-dessous, on va essayer de stabiliser la tension

aux bornes la charge RL à l’aide d’une diode Zener (VZ = 5V). Pour les faibles valeurs de E, la
Zener reste bloquée, la tension VL aux bornes de RL sera calculée comme si la Zener était
absente. Dès que VL dépasse VZ, la Zener conduit et VL reste égale à Vz.
.

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19