Une source de bruit à large bande et

puissance é levé e (ON1EV)

Introduction
La possibilité de remplacer un générateur de poursuite inexistant ou couteux sur un analyseur de spectre par
une source de bruit à large bande est tentante ,une telle source avait déjà été développée par DF9IC dans les
années 90 et cette source de bruit offrait une puissance de bruit comparable C.-à-d. 84 dB pour l’ENR mais une
bande de bruit limitée à 1.8 GHz, j’ai donc revisité ce projet pour tirer un maximum de profit des nouveaux
MMIC plus performants et des nouveaux transistors disposant d’un FT élevé , ce projet décrit un prototype de
source de bruit dont la largeur de bande s’étend jusqu’à 2.6 GHz au minimum, la puissance bruit obtenue
correspond à une ENR (puissance bruit en excès) de 80 dB(+-3dB). La densité de bruit vaut -94 dBm(Hz) @1500
MHz

Utilisation d’une telle source de bruit

Une telle source de bruit sera utile pour ajuster un filtre se trouvant dans la bande passante décrite, ajuster un
préampli pour obtenir le facteur de bruit le plus bas. Mesurer le gain d’une antenne.

Description
La source de bruit est composée d’une diode NS301 de Noise Source qualifiée jusqu’à 3 GHz, ayant une ENR de
32 à 35 dB dB. Alternativement un transistor à très grande fréquence de transition (FT de 25 GHz BFP420
infineon) utilisé en diode ZENER dans la jonction base émetteur peut remplacer la diode NS301 avec des
performances inférieures. La source de bruit est ensuite amplifiée par trois étages pour obtenir un gain de 45
dB minimum utilisant des MMIC Sirenza(RFMD). Cette Diode est disponible chez RF elettronica de ROTA
FRANCO (WWW.RF-MICROWAVE.IT) au prix de 29 € pièce. La diode est alimentée par une source à courant
constant utilisant un LM317L montée générateur de courant ajustable 5 à 20mA. Cette source de courant pourra
optimiser la puissance de bruit générée par la diode. Le choix des MMIC est dicté par la réponse en fréquence
étendue de ces circuits intégrés.

Le choix s’est porté sur le modèle SBB4089Z de chez RFMD. Le gain est particulièrement linéaire sur toute la
gamme de fréquence et il vaut 16 dB, la gamme de fréquence s’étend jusqu’à 6 GHz. La puissance de sortie max
à 1dB de compression de l’amplificateur vaut 19dBm à 2GHz.

Des essais sur le prototype avec l’aide d’un bolomètre HP 437B équipé d’une sonde HP 8481A ont montré que
la puissance totale développée donnait une puissance thermique de l’ordre de 4 dBm. Cette puissance est bien
inférieure à la puissance max disponible du SBB4089Z de RFMD. Dans le prototype décrit ici la source de Bruit
doit pouvoir fournir une puissance thermique totale de : -94dBm + 10*LOG(18E9)= -94dBm+102,55dB=8,55dBm
en réalité cette puissance thermique sera plus faible étant donné que même si l’on utilise une tête capable de
mesurer jusqu’à 18GHz,la source elle-même ne couvrira pas cette bande de fréquence , la puissance thermique
calculée sur une bande de fréquence de 7 GHz vaudra de l’ordre 4 dBm.
Voici un aperçu des caractéristiques du modèle de MMIC choisi :
Construction
Le générateur expérimental a été construit sur un circuit imprimé bon marché FR4 d’une épaisseur de 1mm.

Le modèle donne des résultats corrects, j’ai donc voulu utiliser toutes les ressources disponibles pour optimiser
et agrandir la bande passante obtenue.

Ci-dessus la courbe de la réponse en fréquence obtenue avec le circuit monté sur FR4.

L’amplificateur qui suit la source de bruit possède un gain élevé il faut donc éviter à tout prix les oscillations
parasites, pour cela, deux mesures obligatoires :
 1. Utilisation intensives de rivets pour diminuer les inductances parasites principalement autour des
amplificateurs SBB4089Z. Des rivets de diamètre 1,5mm sont massivement utilisés pour obtenir ce
résultat.

Une simulation a été menée ainsi qu’un test préliminaire pour évaluer la valeur d’un rivet de mise à la masse
utilisé sur le FR4

Ceci représente le circuit d’évaluation des rivets de mise à la masse sur FR4 (1 mm épaisseur.)

Test du circuit ci-dessus sur l’analyseur de réseau HP 8753B

@-41 dB @2.4GHz simulation sur ADS

Cette évaluation a permis d’éviter les soucis d’oscillation et d’instabilité de chaque étage utilisé.

2. L’utilisation de blindage entre deux étages disposés aux endroits stratégiques.

3. Les deux emplacements des blindages sont situés aux endroits des découpes verticales dans le circuit
imprimé, et le trou percé dans chaque blindage permet l’insertion d’un condensateur de passage pour
alimenter l’étage précédent.

Le circuit prototype mis en œuvre le résultat obtenu dans la bande de 2.5GHz

Je vais à présent montrer la puissance de bruit disponible au-delà de 2.5GHz

L’on remarque une chute importante de la puissance de bruit au-delà de 2.7 GHz. Dans le montage expérimental
aucune self d’arrêt n’a été utilisée. Des petites inductances SMD 220nH ont été utilisées, ces selfs possèdent de
nombreuses résonnances, visibles, dans la bande de 2 à 6 GHz. L’étape suivante voulait que la puissance de bruit
puisse « grimper » jusqu’à plus de 3 GHz.

1. Utiliser un support plus performant (choix pratique :Neltec trouvé sur Ebay).

2. Utilisation des rivets 1.5mm de diamètre.
3. Distance entre les rivets au plus 10 mm (ʎg sur support Neltec : 0,145ʎ@ 3 GHz), beaucoup moins
autour des MMIC SBB4089z, distance < 5mm.
4. La règle veut que la distance entre via ne doit pas dépasser une longueur de 1/8 de la longueur d’onde
dans le support.(voir copie écran APPCAD) ( http://www.edn.com/electronics-blogs/the-practicing-
instrumentation-engineer/4406491/Via-spacing-on-high-performance-PCBs)
5. Utilisation des selfs RF appropriées (ADCH-80)
6. Courant dans la DIODE NS 301 réglable.

Le montage suivant reste à peu de chose identique, comme je souhaite obtenir une puissance de bruit qui se
prolonge au-delà de 3 GHz, pour cela je modifie le support de circuit imprimé et dimensionne le circuit imprimé
pour qu’il se trouve dans une boîte plus grande (Shubert 111x36x30)

Je dispose d’une petite CNC et le programme de dessin CAMBAM ©ce qui m’a permis de dessiner la disposition
des éléments ainsi que le dessin du circuit imprimé.
Schéma électrique de la source de bruit(1 ère exemplaire)

Liste des composants :

C1,C2,C3, C7= 100nF 0603 SMD L8 ,L6 = 4,7µH SMD

L1,2,3= ADCH-80 mini-circuit L4,L5, L7 = 100nH SMD

U2,3,4= SBB4089Z RFMD MMIC C12,13,21,20,19,C11,C17,C18= 100pF SMD 0603

78L05 = 3 each, LM317L= 1x D1= 1N4001 D2: NS301 NOISE SOURCE

C8,9,10,14,15,16= 1µF SMD PCB = ON1EV ALB

C5,6= Feedthrough capacitor 1nF Shubert BOX = 108x36x30

output connector =SMA 1 each 1 feedthrough capacitor with screw for the power supply =1 nF

D2= NS301 Noise SOURCE(WWW.RF-MICROWAVE.IT) R1 = 100 Ω R2 = 10Ω, R3= 33Ω SMD

Ci-dessus la copie écran du dessin réalisé avec le programme Cambam© où la disposition des éléments est
indiquée. Seul un blindage est représenté à droite du circuit imprimé.
Pour obtenir un comportement correct au-delà de 3 GHz, j’utilise la self d’arrêt HF ADCH-80 de Mini-circuit, elle
est qualifiée jusqu’à 8 GHz. Les amplificateurs sont linéaires en fréquence jusqu’à 6 GHz. Les pistes sont
calculées avec le programme AppCad, il utilise les paramètres du support Neltec N9250(Er 2.5).Le montage est
simple et le fait que chaque amplificateur est alimenté avec son propre régulateur augmente encore la réjection
inter-étage aux basses fréquences.

Courbe de réponse de l’amplificateur 45 dB

Résultats
Le premier résultat a montré une puissance de bruit inférieure à la puissance attendue, en cause le gain attendu
est un peu plus faible que prévu mais la diode NS301 nécessite une tension de 10 V environ, la tension totale
nécessaire doit atteindre 15 volts avant le LM317, afin de vérifier le gain nécessaire j’ai décidé de réaliser le
montage en trois parties : Une source de bruit sur un CI séparé et deux amplificateurs de 30 dB séparé par un
atténuateur de 6 dB.

Générateur de Bruit

Amplificateur 60 dB avec atténuateur inter-étage de 6 dB sur support Neltec

Afin de vérifier la faisabilité de l’amplificateur, une simulation est faite sous « Ansoft Designer(student edition) »

Voici les graphes obtenus :

 DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mm
D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm

Q=20

Q=20

Q=20

Q=20
1uH

1uH

1uH
1uH
Port1 1 2 1 2 1 2 1 2 Port2

1nF W=2mm ref W=2mm 1nF W=2mm ref W=2mm 1nF W=2mm ref W=2mm 1nF W=2mm ref W=2mm 1nF
G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02 G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02 6 G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02 G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02
DF=0.02
P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm

D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm

DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mmDG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mmDG=0.8mm

Avant de réaliser le montage sur support Noble(Neltec) j’ai testé la réalisation sur FR4 voici le résultat.

Chaque étage est séparé du suivant par un blindage relié au plan de masse, les rivets sont nombreux et espacés
de 5 mm environ. Les graphes obtenus sur le VNA sont corrects car le support est nettement plus atténuant.
Une simulation préalable de la transmission dans le FR4 a été testée sous Ansoft Designer, le résultat montre
une perte estimée à près de 2,5 dB à 6 GHz(voir graphe obtenu pour une ligne de transmission de 108 mm de
long sur FR4)

Port1 Port2

W=1.55014mm
G=0.625mm
P=108mm
 Simulation guide d’onde coplanaire sur
substrat FR4 avec ANSOFT DESIGNER:
perte 2.4dB for 108 mm @6 GHz

Voici la réponse en fréquence de l’amplificateur 60 dB réalisé.

A Poor’s man tracking generator (a Power noise source)
From ON1EV (Belgium)

Introduction
Today a lot of Ham has a Spectrum Analyzer, I have had the idea to build the poor’s man tracking generator, and
such idea have been developed during the nineties by DF9IC. Such Noise source did offer an ENR of around 84
dB till around 1.8 GHz. I have revisited the design to gain all the benefits of the new MMIC more powerful. This
project described such noise source. The bandwidth exceed 5 GHz and the ENR is around 80 dB, the noise power
obtained by this source or noise density is more than -90 dBm(Hz) @1.5 GHz

Use of the wideband noise source

Such noise source is useful when you want to tune a Filter, to adjust a preamplifier with lowest noise figure, or
to measure the gain of an antenna.

Description
The noise source use a special diode NS301 qualified till 3 GHz. This noise source is available in Europe to the
well-known RF elettronica ROTA FRANCO (WWW.RF-MICROWAVE.IT) at a rather high price for a diode but
unavoidable in such case (29 €) alternatively the user can use the Infineon BFP 420 a SHF transistor with a very
high FT of 25 GHz using the Zener diode between emitter and the base. The noise source diode or transistor is
fed by an adjustable current source with the cheap LM317L regulator; the current is set between 5 to 20mA
with a potentiometer. The estimated ENR available from the diode is around 35dB so the gain of the following
amplifier is flat from 50 MHz to 5 GHz @45dB. It is easy to calculate the Total ENR created by this Power source.
The MMIC used in this amplifier is the RFMD SBB4089z, this MMIC have outstanding characteristics, and flat
gains till 6GHz, a noise figure around 4.5 dB so it is the perfect choice for the application.

The noise source prototype the total noise power delivered by the prototype

A prototype has been checked with the HP437B power meter with the HP 8481A head. The total thermal power lies around
4 dBm (see the picture). As the output power of the SBB4089z is 19dBm Pout 1dB @2.4 GHz it is easy to say that the power
amplifier is not saturated. If I do want to calculate the total power delivered by the amplifier, the noise figure must be
taken into account: If the Gain is 50 dB, Noise Figure is 4.5 dB so the Excess NOISE Ratio @the output of the amplifier is the
following: 35 dB+50 dB+4.5 dB= 89.5dB ENR. The Noise power density is: -174dBm(Hz)+89.5dB= -84.5dBm(Hz). Measuring
this thermal power in a bandwidth of 18 GHz gives the following result:-84.5dBm + 10*LOG (18 E9) = -
84.5+102.55dB=18.05dBm. Actually the power bandwidth is not 18 GHz but less, around 7 GHz so the power must stay
around:-84.5dBm+10*LOG (7 E9) =-84.5+98.5= 13.95dBm total thermal power in bandwidth of 7 GHz. This is a
theoretical value as I do not know the actual ENR of the Diode.
Here it is the specification of the chosen MMIC:
Construction
The first experimental noise source was built on the cheap FR4 substrate.

The model is quite convincing so I have decided to have a better result, greater bandwidth and better flatness.

This is the curve obtained with the experimental PCB.

Building the PCB
The use of small hollow rivets (1.5 mm diam.) are also mandatory, the RF path must absolutely have low
impedance. A lot of checks have been made with my VNA to measure such hollow rivets used as grounding
means. The results of these measurements indicated that the impedance of 4 hollows rivets on a FR4 thickness
1 mm give a very low inductance(14 pH @3 GHz)

Test with the VNA (-41 dB @3 GHz) simulation with ADS

The prototype built on the cheap substrate the result in the Bandwidth of 2.5GHz.

This is the frequency response of the noise power source to 6 GHz.

The following steps are made to have better frequency response, that’s why the following actions have been
taken:

1. Use of a better substrate: the choice was the: Neltec N9250 found on Ebay.
2. Use of 1.5mm hollow rivets.
3. Distance between rivets less than 10 mm (ʎg Neltec substrate: 0,145ʎ@ 3 GHz), lesser around the
MMIC SBB4089z, distance < 5mm.
4. The rule wants that the distance between the rivet must be less than 1/8 ʎg .(see APPCAD screenshot)
5. ( http://www.edn.com/electronics-blogs/the-practicing-instrumentation-engineer/4406491/Via-
spacing-on-high-performance-PCBs)
6. Use of high quality RF choke (ADCH-80)
7. Current into the DIODE NS 301 adjustable.

During the design process I have experienced several issues, the gain needed for the noise source was too low ,
three stages gave me 45 dB of gain and the Zener diode(NS 301) need more than 12 volt to function with the
constant current source , so I decided to build two
amplifiers with 30 dB of gain separated by a 10dB
attenuator

I also decided to build the noise generator on a

distinct small PCB, the complete unit is built around
three modules, one for the noise generator, the
second is the first amplifier and the last one is the
second amplifier.

As I do have a small CNC and CAMBAM © CAD, I have created the foot print of the PCB’s.

Noise generator with diode NS 301

30dB flat gain 6 GHz amplifier

Schematic diagram.

30 dB Amplifier flat gain

DIODE NOISE SOURCE with constant current ajustable

Components List for 1 amplifier and one noise source:

C1,C2,C3, C4, C7= 100nF 0603 SMD L8 = 4,7µH SMD

L2,L3= ADCH-80 mini-circuit L5 = 100nH SMD

U3,U4= SBB4089Z RFMD MMIC C20,C19, C18,C17 = 100nF SMD 0603

78L05 = 2each, LM317L= 1x D1= 1N4001 D2: NS301 NOISE SOURCE

C9,10,15,16 = 1µF SMD or drop tantalum PCB = ON1EV ALB

C5,6, 7= Feedthrough capacitor 1nF Shubert BOX = 108x36x30

output connector =SMA male 1 each

input connector = SMA Female 1 each 1 feedthrough capacitor with screw for the power supply =1nF

Q1= BFP 420 (Infineon)or NS301 Noise SOURCE R1 = 1000 Ω ajustable multi R2 = 120Ω, R3,4,5= 12Ω SMD

To obtain a good flatness beyond 3 GHz, I use the ADCH-80 from Mini-Circuit; it is qualified till 8 GHz. The
amplifier is linear to nearly 6 GHz. The coplanar waveguide is calculated with the free program AppCad, it use
the value of the Neltec N9250(Er 2.5).The layout is simple.
Results
Here are the results of the amplifier:

Measure of the gain and NOISE Figure to 6 GHz with the HP 8970B noise Figure measurement unit

FR4 substrate amplifier

Frequency response to 7 GHz(with an amplifier build on FR4) The same amplifier build on Neltec substrate

Now both amplifiers are connected with an attenuator of 10 dB and the noise source connected to the input of
the modules let’s see the result:
The Noise Source

Flatness of POWER Noise to 2.5 GHz with 10dB and 6dB attenuator

Flatness of the Power noise to 4.5 and 5 GHz with 10 dB and 6 dB attenuator
Conclusion
The goal was to increase the bandwidth, so the amplifiers are the good choice for the purpose, the gain of 60 dB
was too high and the attenuator between the stages is necessary. The total thermal power delivered is not far
from the value calculated in the introduction.

The value of the ENR from de diode does not exactly match the value estimated from the beginning, the gain is
not exactly 30 dB for each stage (see the graph extract from the VNA and SNA), nevertheless the adjustments
are easier with the possibility to compensate the lower ENR of the diode with an increase in gain, changing just
the attenuator with a 6 dB instead of a 10dB. This was done and of course the Noise power is at the “rendez-
vous".

The complete set: Noise source and two amplifiers connected to the power meter.

The total power of the noise power source.

To obtain a better flatness I have measured the S11 of the diode generator with my VNA , choosing the best
current to obtain the best match of the diode generator, with the current set to 3.7 mA the best match is
obtained, the flatness must normally be better, let’s see if this is the case. The theory does well applied here and
the flatness is really better (to be compare with previous flatness page 10)
Smith diagram of the impedance of the diode Return Loss with 3.7mA into the diode

Flatness obtained to 4.5 GHz Flatness obtained to 2.5 GHz

Contact: on1ev@yahoo.fr
New 54 dB wideband amplifier(4 stages with attenuator interstage) to be tested

Preliminary checks for waveguide properties of the SHUBERT BOX

 Transmission into a shubert BOX from 10 MHz to
20 GHz without Microwave absorbent

Transmission into a Shubert BOX from 10 MHz to 20

GHz with Microwave absorbent on both LID
Transmission with absorbent and 3
separation screens: result nearly 20 dB
more attenuation
Transmission with one lid open : loss increase due to radiation

Simulation of a coplanar waveguide on the

FR4 substrate with ANSOFT DESIGNER: loss
2.4dB for 108 mm @6 GHz

Port1 Port2

W=1.55014mm
G=0.625mm
P=108mm
 Port1 Port2

W=2mm
G=0.625mm
P=108mm

Simulation of a coplanar waveguide on the NELTEC

substrate with ANSOFT DESIGNER: Loss= -0.29dB @6GHz

ANSOFT DESIGNER STUDENT EDITION schematic

DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mm

D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm
Q=20

Q=20

Q=20

Q=20
1uH

1uH

1uH
1uH

Port1 1 2 1 2 1 2 1 2 Port2

1nF W=2mm ref W=2mm 1nF W=2mm ref W=2mm 1nF W=2mm ref W=2mm 1nF W=2mm ref W=2mm 1nF
G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02 G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02 6 G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02 G=0.625mm G=0.625mm DF=0.02
DF=0.02
P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm P=25.2mm

D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm D=1.5mm

DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mmDG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mm DG=0.8mmDG=0.8mm
ANSOFT DESIGNER Simulation of the amplifier

Preliminary check of attenuation of the transmission into the box with 4 screens panels and absorbent and PCB
installed.

This graph does not represent the actual PCB board installed because the screen panels must be soldered to the
box and soldered on the ground plane.
The attenuation for the box alone is around of -50 dB @ 14GHz; the power from the sweeper sent into the box is
0dBm. The expected attenuation must be greater than the gain level. @3.8 GHz the attenuation is greater than
58 dB so the risk that the Box will be a waveguide @ the frequency of 6 GHz is not real. This box is the right
choice for this amplifier.

The results
The gain is at the rendez-vous,but the FR4 substrate give a greater loss ,specially at the end of the bandwidth.
This was expected in the simulation and of course the better substrate the less loss in the amplifier.The thermal
power is also less as expected around 11 dBm,3 dB less than the best substrate(Neltec).

The next amplifier will be checked with the best substrate(neltec) and probably the frequency response will be
better . (To be continued)
Noise Figure and Gain

The value for the gain is not the real value because a 20 dB was added after the amplifier to avoid saturation of
the HP 8970B Noise figure measurement unit.
On1EV 9/6/2015