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TD GEGM – S3 : Le transistor
Exercise 1
Exercice 2
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Exercice 3
On considère le montage
suivant:
Exercice 4
On considère le
montage suivant dans
lequel l’amplificateur Q
est caractérisé par son
impédance d'entrée
RE, son impédance de
sortie ZS et son gain en
tension à vide A0.
Le GBF est un
générateur de tension
sinusoïdale idéal
On suppose que le GBF fournit une tension d'amplitude 40 mV.
• Si k1 est fermé et K2 ouvert, on obtient une amplitude pour V de 1,8 Volts
• Si k1 et K2 sont ouverts, l'amplitude de V est 1,2 Volts.
• Si k1 et K2 sont fermés, l'amplitude de V est 0,8 Volts.
A partir de ces observations déterminer RE, A0 et ZS.
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Exercice 5
On donne :
RE1 = 180 Ω, RE2 = 820 Ω, RC = 3,6
kΩ, Rg = 600 Ω, R1 = 10 kΩ,
R2 = 2,2 kΩ; RL = 10 kΩ.
Les paramètres statiques du
transistor sont : VBE = 0,7 V ; β =
200.
Les paramètres dynamiques du
transistor sont :
h11 = r = 5 kΩ, h21 = β = 200, h22 =
h11=0
Exercice 6
On considère le montage amplificateur suivant
Etude statique :
Calculer les coordonnées du point de fonctionnement
Tracer la droite de charge statique
Etude dynamique
(h12 = 0 et h22 =0)
De quel mode de montage amplificateur s'agit-il?
Donner le schéma équivalent en dynamique
Calculer l'impédance d'entrée, le gain en tension, le gain en courant et l'impédance de sortie.
Comparer avec le montage amplificateur à base d'un transistor monté en émetteur commun.
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Exercice 7
On donne
Vcc=15V
R1=47k
R2=27k
Rc=2.4k
RE=2.2k
β=100
h11 = 1k
h12 = h22 =0
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