ETUDE ET PROGRAMMATION DES MICROPROCESSEURS

2.2.3 Type de mémoire

Il existe deux grands types de mémoires : les mémoires vives et les mémoires
mortes. La figure 2.7 ci-dessous nous donne la classification des différents types de
mémoires.

Figure 2.7: Classification des mémoires

2.2.3.1. Mémoires mortes ROM (Read Only Memory)

Il existe un type de mémoire permettant de stocker des données en l'absence de
courant électrique, il s'agit de la ROM (Read Only Memory, dont la traduction littérale
est mémoire en lecture seule) appelée mémoire morte, parfois mémoire non volatile car
elle ne s'efface pas lors de la mise hors tension du système. Les mémoires mortes sont
à lecture seule : la donnée n’est disponible qu’en lecture (sortie). L’inscription de
données en mémoire est possible, cela s’appelle la programmation. Le contenu est
permanent et ne dépend pas de l’alimentation, on dit que ce type de mémoire est non
volatile. La figure 2.8 nous donne la classification des mémoires mortes.

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Figure 2.8: Classification des mémoires mortes

Dans cette catégorie de mémoires on trouve :

 ROM Masquée (ROM) : elle est programmée une fois, par le constructeur, lors de
la fabrication.

 PROM (Programmable ROM) à fusibles ou FPROM (Fuse Prom) : une seule

programmation est possible, elle est faite en « brûlant » des fusibles. Elle se
programme à l’aide d’un équipement particulier appelé programmateur.

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 OTP (One Time Prom) : le contenu peut être modifié une fois par l’utilisateur à
l’aide d’un programmateur.

 UVPROM : elle est effaçable aux ultraviolets. Il faut 10 à 20 minutes pour

l’effacer (effacement de toute la capacité de la mémoire). Elle est ensuite
reprogrammable.

 EEPROM ou E2PROM : Elle est effaçable électriquement (effacement adresse par

adresse). Elle est ensuite reprogrammable.

NB : On qualifie de flashage l'action consistant à reprogrammer une EEPROM.

 EPROM FLASH : Elle est effaçable électriquement plus rapidement (effacement de
toute la capacité de la mémoire). Son temps de programmation est plus rapide, et
son coût de fabrication est plus faible que l’EEPROM.

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La mémoire morte étant immuable une fois qu'elle a été construite, il n'est pas question
d'aller y écrire par la suite.

La constitution d'une mémoire morte est un jeu d'enfant : il suffit, dans le circuit
de la mémoire vive, que chaque fil d'adresse soit connecté (par une diode) ou non à
chaque fil de donnée (selon la valeur que le constructeur a voulu inscrire dans ce
bit à cette adresse), ce dernier étant raccordé à la masse via une résistance. En
pratique nous aurons la figure 2.8.

Figure 2.8: Structure interne d’une mémoire ROM

2.2.3.2. Mémoires Vives RAM (Random Access Memory)

Les mémoires vives sont à lecture et à écriture : la donnée est disponible en lecture
(sortie) ou en écriture (entrée). Une valeur écrite peut être lue à n’importe quel moment
par la suite. Le contenu est perdu si on coupe l’alimentation, on dit que ce type de
mémoire est volatile. Dans cette catégorie de mémoires on trouve :

 La mémoire RAM statique (SRAM)dans laquelle les informations sont

mémorisées par une bascule et conservées tant que l'alimentation est présente,
elle est réalisée en technologie MOS (4 ou 6 transistors pour une bascule).

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 La mémoire RAM dynamique (DRAM) qui utilise un condensateur comme cellule

mémoire (un bit mémorisé) de l'information. Cette information tend à se dégrader
à cause des courants de fuites, ce qui nécessite un rafraîchissement périodique
(de l’ordre de la milli seconde).

Avantage : plus grande intégration et moindre coût.

Inconvénient : utilisation d’une logique supplémentaire de rafraîchissement de la

mémoire (intégrée pour certaines au boîtier, donc transparent pour l’utilisateur). Avec
la SDRAM (utilisée notamment dans les PC) les temps d’accès sont plus faibles
(pratiquement équivalent à ceux de la SRAM).

Le montage de la figure 2.9 constitue une mémoire à 256 octets. Chaque bit est désigné
par un carré (bascule).

Figure 2.9: Structure interne d’une mémoire RAM

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2.2.4 Structure d’une mémoire à accès direct

La mémoire (figure 2.10) peut être vue comme un large vecteur (tableau) de mots ou
octets.

 Un mot mémoire stocke une information sur D bits.

 Un mot mémoire contient plusieurs cellules mémoire.
 Une cellule mémoire mémorise un seul bit.
 Chaque mot possède sa propre adresse.
 Une adresse est un numéro unique qui permet d’accéder à un mot mémoire.
 Les adresses sont séquentielles (consécutives).
 La taille de l’adresse (le nombre de bits) dépend de la capacité de la mémoire.

Figure 2.10: Structure d’une mémoire à accès direct

2.2.5 Caractéristiques d’une mémoire

2.2.5.1. Capacité

La capacité d’une mémoire représente le nombre de bits que l’on peut adresser,
elle est exprimée en bits.

Capacité d'adressage en bits = 2A x D bits

Exemple : EPROM _ M 27C512 : mémoire de 512 Kbits soit : 512 x 1024 = 524288 bits

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2.2.5.2. Format

C’est l’arrangement des bits dans la mémoire, il correspond au format du bus de

données.

Par exemple pour l’EPROM M 27C512 le format est de 8 bits (1 Octet).

Rappels : 1ko = 1 Kilo Octet = 210 Octets = 1024 Octets,

1Mo = 1 Méga Octet = 210KO = 220Octets, 1Go = 1 Giga Octet = 210MO = 230Octets.

2.2.5.3. Vitesse

Deux paramètres principaux caractérisent la vitesse d’une mémoire :

 le temps d’accès : c’est le temps qui sépare le moment où les adresses sont
positionnées et stables et le moment où les données sont disponibles sur le
bus de sortie (100ns pour l ’EPROM M 27C512) ;
 le temps de cycle : c’est l’intervalle de temps minimum qui doit séparer
deux demandes d’écriture ou de lecture.

2.2.5.4. Consommation

Elle varie suivant l’état de la mémoire.

 Etat actif : au moment où une opération de lecture ou d’écriture est

demandée, la consommation est plus importante (30mA pour l’EPROM M
27C512).
 Etat passif : au moment où la mémoire n’est pas sollicitée, la consommation est
plus faible (100μA pour l’EPROM M 27C512).
 Etat de veille : pour diminuer la consommation sans perdre d’informations, on
alimente les mémoires (RAM) sous tension réduite (3V au lieu de 5V), mais
le système ne peut fonctionner.

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