Cours d’architecture des ordinateurs

CHAPITRE III : LES MEMOIRES

Introduction

Nous appelons mémoire tout dispositif capable de stocker des informations

(instructions, et données) de telle sorte que l’origine qui les utilise puisse à n’importe quel
moment accéder à l’information qu’il demande.
Les informations peuvent être écrites ou lues. Il y a écriture lorsqu’on enregistre des données
en mémoire ; lecture lorsqu’on sort des informations précédemment enregistrées. La lecture
peut être destructive (l’information lue n’est plus en mémoire) ou non.
Dans le micro ordinateur, on distingue plusieurs types de mémoire :
- une mémoire de grande capacité qui n’est pas en relation directe avec le processeur,
elle est appelée mémoire externe ou encore mémoire de masse (disque dur,
disquette, …..etc).
- une mémoire de petite capacité qui est en relation directe avec le processeur, appelée
mémoire interne ou mémoire centrale .Parmi cette mémoire, on dénombre les
mémoires mortes (BIOS, ROM, EPROM, EEPROM) et les mémoires vives
(RAM, mémoire cache …).

Les ordinateurs sont dotés de plusieurs types de mémoires de tailles et de vitesses différentes.
Le schéma ci après propose une hiérarchisation des mémoires.

Figure 12 : hiérarchisation des mémoires

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I. Les caractéristiques d’une mémoire

Les mémoires comportent plusieurs caractéristiques

I.1. Les différents types physiques de mémoire

Les supports utilisés pour concevoir les mémoires sont principalement : les semi conducteurs
(registre), les supports magnétiques (disquette) , optique (CD-ROM).

I.2. La durée de mémorisation

Elle peut être en fonction :

- du temps (disque, mémoire dynamique)
- de la présence d’alimentation électrique.

I.3. l’emplacement

L’emplacement d’une mémoire correspond à la localisation de la mémoire dans la machine :

- dans le processeur (registre)
- interne (mémoire principale, mémoire cache)
- externe (mémoire secondaire).

I.4. La capacité

La capacité représente le nombre d’informations stockables par la mémoire

peut être en bits , en caractères, en octets (bytes) ou en mots (word) ;le plus souvent en
kilogramme d’unité d’information .

Symbole Préfixe Capacité

10
1k Kilo 2 octets = 1024 octets
20
1M Méga 2 octets = 1024 Ko = 1024* 1024 octets
1G Giga 230 octets =1024 Mo = 1024*1024 Ko
1T Téra 240 octets =1024 Go
1P Péta 250 octets = 1024 To = 1024*1024 Go

Tableau 10 : Termes utilisé pour exprimer la capacité des mémoires

Le nombre de bits d’adresse K définit le nombre total de mots de la mémoire, si n est le

nombre de bits par mots :
Capacité = 2K mots = 2K * n bits.

I.5. Les performances

Pour la performance d’une mémoire, on considère principalement les informations suivantes :

- le temps d’accès : c’est le temps nécessaire à une opération de lecture /écriture
- le débit : c’est la quantité d’information lues/écrites par unités de temps (Mo/s).

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I.6. Le mode d’accès

Le mode d’accès d’une mémoire est la manière de retrouver une information, d’accéder à un
mot mémoire :
- accès aléatoire (mémoire principale, mémoire cache) ; le temps d’accès est constant
- accès par contenu, le temps d’accès est constant
- accès direct, le temps d’accès est variable
- accès séquentiel, le temps d’accès est variable.

II. Les mémoires mortes

La mémoire morte ou mémoire à lecture simple ou ROM ‘Read Only Memory) a été
programmée par le fabricant .Les ROM sont tuilisés pour stocker des informations
permanentes (programmes systèmes, microprogramme). On en trouve de plusieurs types selon
comment elles sont faites :

II.1. Les différentes ROM

- ROM : circuit intégré dont le contenu est déterminé une fois pour toute au moment de
la fabrication.

- PROM (Programmable ROM): Alors que la mémoire ROM est enregistrée de

manière irréversible lors de sa fabrication, la mémoire PROM est configurée par l'utilisateur
en utilisant un programmateur de PROM, utilisé pour enregistrer son contenu. Le circuit
PROM ne peut plus être modifié par la suite.

- EPROM (Erasable PROM) : Les mémoires EPROM sont des PROM reconfigurables
: il est possible de les effacer pour les reprogrammer. La modification se produit en
exposant le boîtier à un fort rayonnement ultraviolet (UV). Pour cela, le boîtier est percé
d'une fenêtre transparente permettant l'exposition du circuit intégré. L'opération
d'effacement nécessite de retirer l'EPROM de son support et entraîne sont immobilisation
pendant environ 30 minutes.

- EEPROM (Electricaly Erasable PROM) : Même principe qu'une EPROM, mais

l'effacement se fait à l'aide de signaux électriques, ce qui est plus rapide et
pratique.

- FLASH EPROM Les mémoires FLASH sont similaires aux mémoires EEPROM, mais
l'effacement p eut se faire sélectivement par blocs et ne nécessite pas le démontage du circuit.

II.2. Le BIOS

Le BIOS (Basic Input Output System) se compose essentiellement de deux éléments :

- un circuit DIP ou mémoire flash contenant la partie logicielle
- un circuit CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) dans lequel sont
sauvés les paramètres.

La partie logicielle nous permet de configurer les différents éléments matériels composant le
PC (réglage de l’heure, de la date, le type de disque dur , …etc.)

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Lors de l’initialisation du PC, le BIOS va procéder à un certain nombre de tests afin de

déterminer si la configuration et le fonctionnement du PC sont corrects. Cette procédure
s’appelle le POST ( Power On Self Test).
En cas d’erreur , un message est affiché ou si cela n’est pas possible , un certain nombre de
bips vont permettre de déterminé le problème suivant le fabricant.
Les différents fabricants de BIOS sont : AMI, Award, Phoenix, IBM, Compaq….etc.
Pendant l’initialisation du PC, on peut accéder au BIOS. Certains BIOS peuvent être
appelés par les touches :
- Ctrl + Echap
- Ctrl + Alt +Echap
- Del ou Suppr
- Touche F1
- Touche F10
- Ctrl + Alt + s
En général, la touche qui permet d’enter dans le SET UP est affiché à l’écran.

Bips ou messages Interprétation actions

BIOS AMI

Echec mémoire dans les Carte mère défectueuse

4 bips courts premiers 64Ko ou échec
Timer

6 bips courts Echec clavier Changer le clavier ou le chip

contrôleur clavier

11 bips courts Erreur du cache mémoire Réinsérer correctement la

externe cache mémoire

1 bip long et 2 bips courts Réinsérer la carte graphique

Erreur vidéo ou sa mémoire d’extension

Repositionner ou changer les

Parity error Erreur de parité mémoire à barrettes mémoires
une adresse inconnue
BIOS AWARD

Address line short Erreur dans le circuit de Essayer de redémarrer

décodage adresse

Tableau 11 : Bips et messages des BIOS AMI et AWARD

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III. Les mémoires vives

La mémoire vive de l’ordinateur ou mémoire RAM (Random Acess Memory) qui signifie
mémoire à accès libre pouvant être lue ou écrite.
On dispose de plusieurs types de mémoires vives mais on les regroupe essentiellement en
deux grandes parties :

- la Ram dynamique (DRAM) : Les boîtiers de mémoire dynamique enferment une pastille
de silicium sur laquelle sont intégrées un très grand nombre de cellules binaires. Chaque
cellule binaire est réalisée à partir d'un transistor relié à un petit condensateur. L'état chargé ou
déchargée du condensateur permet de distinguer deux états (bit 0 ou bit 1).
L'inconvénient de cette technique simple est que le condensateur se décharge
seul au cours du temps (courants de fuite). Il est donc nécessaire de rafraîchir tous les
condensateurs du boîtier périodiquement, environ 1000 fois par seconde. Cette opération est
effectuée par un circuit de rafraîchissement intégré dans le boîtier.

- la RAM statique (SRAM) : la cellule de base (mémoire élémentaire) est la bascule ; il

suffit de maintenir la tension d’alimentation du circuit (précaution pour conserver
l’information).

Les RAM dynamiques ont un temps d’accès situé entre 60et 80ns alors que les SRAM ont un
temps d’accès situé entre 10 et 20ns.
La mémoire centrale sera constituée de DRAM alors que la mémoire cache de SRAM.

III.1. Structure type d’une mémoire RAM

Figure 13 : Boîtier mémoire

Ecriture d’une donnée :

Pour inscrire une donnée dans la mémoire Ram il faut :
- appliquer l’adresse de l’emplacement choisie sur le bus d’adresse
- appliquer la donnée de n bits sur le bus de données
- activer la commande de sélection du circuit (CS : Chip Select =1 ou )
- activer la commande d’écriture ou lecture (write : W=1 ou )

Ainsi le boîtier mémorisera le mot appliqué sur le bus de données à l’adresse indiqué.

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Lecture d’une donnée :

Pour lire un mot dans la mémoire vive ou morte il faut :

- appliquer l’adresse de l’emplacement où se trouve le mot (bus d’adresse)
- activer la commande de lecture (R=1 ou )
- relever l’information (mots de n bits) sur le bus de données.

III.2. La mémoire cache

On appelle cache tout dispositif matériel ou logiciel qui stocke dans une zone d’accès
rapide une copie de donnée en petite quantité choisies par des données qui sont stockées dans
une zone d’accès plus lent.
La mémoire cache est un niveau de mémorisation intermédiaire très rapide (plusieurs
dizaines de fois que la mémoire principale) et de petite capacité destiné à mémoriser les
données ou instructions les plus récemment utilisées.
En général, on utilise pour les caches des mémoires statiques très rapides. La mémoire cache
permet de combler en partie la différence entre les vitesses de l’unité centrale et de la
mémoire.
Un cache est typiquement situé entre le processeur et la mémoire principale, mais peut être
situé entre le processeur et un autre cache.
On trouve très souvent deux niveaux de mémoire cache :

- le premier niveau est intégré au processeur et dispose d’un temps d’accès équivalent
au cycle de fonctionnement de celui-ci

- le second niveau est de plus grande taille mais plus lent.

III.3. Les type de RAM

L’architecture matérielle des boîtiers de RAM évolue continuellement d’une

génération à l’autre. L’objectif principale est la vitesse’ à un prix raisonnable.
Les types de boîtier que l’on retrouve couramment dans les PC sont : DRAM, EDO, SDRAM.
- La Dynamic RAM (DRAM) est le plus utilisé à cause de son rapport haute
densité/faible coût.

- Extended Data Out (EDO) RAM est une forme de DRAM qui raccourcit le cycle de
lecture entre l’unité centrale et la mémoire. Sur les cartes mères qui ont été conçu pour la
supporter la RAM EDO apporte une augmentation de 10 à 15 % de la vitesse par rapport
aux boîtiers conventionnels.

- Synchronous DRAM (SDRAM) est la forme de DRAM qui utilise une horloge pour
synchroniser l’entrée et la sortie des données depuis le boîtier mémoire. L’horloge de la
SDRAM est synchronisée sur celle de la CPU. Il en résulte que la vitesse brute des SDRAM
est environ 50 % plus rapide que celle des RAM EDO avec des gains de performances de 25
%.

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- Rambus DRAM (RDRAM) nouvelle technologie developpé par Rambus

corporation ; le transfert des données se fait sur le front montant et descendant du signal
d’horloge pour doubler le taux de transfert. Le taux de transfert max est de 1,6Go/s.

- Double Data Rate (DDR) SDRAM c’est la nouvelle génération de SDRAM , le

transfert des données se fait sur les deux flancs d’horloge, le taux de transfert est doublé par
rapport au SDRAM standard ; Son taux de transfert max est de 2,128 Go /s .

IV. Les supports mémoires

La forme sous laquelle se présente la mémoire est un élément aussi important que la
technologie utilisée. En effet chaque carte mère propose un certain nombre de support à un
format donné. C’est donc cet élément qui définit les possibilités d’extension de la mémoire.

IV.1. Les barrettes SIP

Les barrettes SIP (Single In line Package) se présentaient sous forme d’une
barrette avec des broches à insérer dans un compartiment récepteur.
Ces barrettes avaient soit une valeur de 256 Ko soit 1 Mo. Leur seule utilisation actuelle est
celle de mémoire pour certaine carte graphique. Leur fragilité est l’une des raisons de son
faible succès, en effet une patte pouvait être trop facilement pliée ou cassée.

IV.2. Les barrettes SIMM 8 bits ou 30 pins

La mémoire SIMM ((Single In line Memory Module) de 8 bits se présente sous la

forme d’une barrette d’environ 8,5 cm de long , sur laquelle sont fixés des composants
électroniques . Elle est aussi appelée barrette SIMM 30 pins.
Ces barrettes peuvent avoir une valeur de 256Ko, 1 Mo, 4Mo. Chaque barrette a une
encoche dans l’angle inférieur gauche qui sert de détrompeur évitant ainsi de la monter à
l’envers.

IV.3. Les barrettes SIMM 32 bits ou 72 pins

La mémoire SIMM ((Single In line Memory Module) de 32 bits (appelé aussi

SIMM72 pins) se présente sous la forme d’une barrette , mais plus longue que les 8 bits
(environ 10,5 cm). Au niveau des valeurs les SIMM 32 bits sont de 1Mo, 2 Mo, 4 Mo,
8Mo, 16 Mo, 32 Mo et 64 Mo. Ces barrettes sont surtout utlisées sur les Pentiums ainsi
que sur les 486.
Les barrettes SIMM 32 bits ont deux détrompeurs une nencoche dans le coin inférieur
gauche (comme la SIMM 8 bits) et une encoche arrondie au centre de la barrette.
Il n(est pas rare de trouver des barrette avec des composants sur les deux faces. Les barrettes
SIMM 32bits ont 72 connecteurs sur chaque face, mais ils sont reliés entre eux. Ainsi le
connecteur 1 de la première face est équivalent au premier de l’autre face.

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IV.4. Les barrettes DIMM

Les barrettes DIMM (Dual In line line Memory Module) sont des supportées par la
plupart des PC récents. Actuellement utilisées uniquement pour la mémoire SDRAM, elles
se présentent sous la forme d’une barrette longue de 13,3 cm. Adaptée aux Pentiums, elles
sont composées de 64 bits (72 avec contrôleur de parité), on les appelle communément
DIMM 168 pins.
Une barrette DIMM a 84 connecteurs sur chaque face mais chacun est indépendant. Ces
barrettes sont disponibles en 5 V et 3,3V.

IV.5. Les barrettes RIMM

Les barrettes RIMM ( Rambus In line Memory Module ) sont nées de la spécification
Rambus , crée par la société du même nom. Ces barrettes présentent la particularité d’être
lue en ligne. En effet, les données entrant sur un coté de la barrette, traversent les
composants mémoires et ressortent de l’autre côté.
Ces barrettes sans mémoire ont pour unique fonction d’assurer la continuité du bus de
données.

SIMM standard SIMM PS/2 DIMM

Longueur (cm) 8,5 10,5 12,5

8 32 64
Taille mot (bits)

Nombre de broches 30 72 168

Bit de parité Présence sur chaque Absent Absent

octet

Tableau 12 : spécifications de quelques support de mémoires

IV.6. Les éléments de mémoire

Nous avons vu qu’il y avait plusieurs types de support mémoire. Il faut noter aussi
que l’on retrouve les mémoires sous forme de DIP (Dual In line Package). Ces puces sont
organisées en mots de 1 ou 4 bits. On les appelle respectivement puce simple et puce
quadruple. Les capacités mémoires de ces puces sont :
DIP simple DIP quadruple
64 K (Kbits) 64 K = 64K* 4 bits = 256Kbits

256 K 256K= 256K* 4 bits

1024 K 1024K = 1024K*4bits

4096 K 4096 K = 4096K* 4 bits

Tableau 13 : capacité des puces DIP

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SIMM standard SIMM PS/2

DIP simple 8 + 1 bit de parité 32

DIP quadruple 2 + 1 bit de parité 8

Tableau 14 : Nombre bits dans chaque type de SIMM suivant les DIP

Remarque : Pour calculer la capacité, on ne considère pas le bit de parité

Dans la nomenclature des mémoires, on retrouve les notations ci-après :

DIP simple DIP quadruple
4 1 64 4 4 64
4 1 256 4 4 256
4 1 1024 4 4 1024
4 1 1000 4 4 1000
4 1 4096 4 4 4096
4 1 4000 4 4 4000

Peur être remplacé par 5 ou 6

Pour les DRAM le on utilisera (4 ou 5) mais pour les SDRAM (6).

Exemple :

51 64 : une DRAM de 64 Kbits = 64 mots de 1 bit

61 64 : une SDRAM de 64 Kbits = 64 mots de 1bit
64 64 : une SDRAM de 64 Kbits = 64 mots de 4bits

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Figure 14 : Les supports de mémoire

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