Mémoire vive

mémoire informatique

La mémoire vive, parfois abrégée avec

l'acronyme anglais RAM (random-access
memory), est la mémoire informatique
dans laquelle peuvent être enregistrées
les informations traitées par un appareil
informatique. On écrit mémoire vive par
opposition à la mémoire morte[a].

Cet article ne cite pas

suffisamment ses sources
(décembre 2013).
Si vous disposez d'ouvrages ou
d'articles de référence ou si vous
connaissez des sites web de qualité
traitant du thème abordé ici, merci de
compléter l'article en donnant les
références utiles à sa vérifiabilité et
en les liant à la section « Notes et
références »

En pratique : Quelles sources sont

attendues ? Comment ajouter mes
sources ?

Mémoire vive
 Deux barrettes de
mémoire DDR de 512 Mio
chacune
Caractéristiques
Se Support
connecte DIMM
via Support
SIMM
Classement Ordinateu
des fixe
utilisations Ordinateu
portable
Fabricants Corsair
courants Memory
Kingston
OCZ
Technolog
G.Skill
Samsung
Micron
Technolog
Gigabyte
L'acronyme RAM date de 1965.

Caractéristiques générales

Les caractéristiques actuelles de cette

mémoire sont :

Sa fabrication à base de circuits

intégrés ;
L'accès direct à l'information[b] par
opposition à un accès séquentiel ;
Sa rapidité d'accès, essentielle pour
fournir rapidement les données au
processeur ;
Sa volatilité, qui entraîne une perte de
toutes les données en mémoire dès
 qu'elle cesse d'être alimentée en
électricité.

Désignations

Il y a deux types principaux de mémoire

vive :

La mémoire vive dynamique (DRAM)

qui, même sous alimentation électrique
normale, doit être réactualisée
périodiquement pour éviter la perte
d'information ;
La mémoire vive statique (SRAM) qui
n'a pas besoin d'un tel processus sous
alimentation électrique normale ;
 Cellule SRAM (6 transistors)
Cellule DRAM (1 transistor et un
condensateur).

Technique

Une carte mémoire RAM de 4 Mio

pour ordinateur VAX 8600 (circa
1986).
 Différentes présentation de mémoire
vive, de haut en bas :
* circuit intégré DIP
* barrette SIP
* barrette SIMM 30 broches
* barrette SIMM 72 broches
* barrette DIMM
* barrette RIMM

La mémoire informatique est un

composant d'abord réalisé par des tores
magnétiques, puis par l'électronique dans
les années 1970[1], qui permet de stocker
et relire rapidement des informations
binaires. Son rôle est notamment de
stocker les données qui vont être traitées
par l'unité centrale de traitement (UCT),
soit un microprocesseur dans la plupart
des appareils modernes.

On peut accéder à la mémoire vive

alternativement en lecture ou en écriture.

Il existe également des mémoires

associatives, largement utilisées dans
les techniques de mémoire virtuelle pour
éviter des recherches séquentielles de
pages et accélérer ainsi les accès.

Organisation

Les informations peuvent être organisées

en mots de 8, 16, 32 ou 64 bits.
Certaines machines anciennes avaient
des mots de taille plus exotique. Par
exemple,

60 bits pour le Control Data 6600 ;

36 bits pour l'IBM 7030 « Stretch » ou le
DEC PDP-10 ;
12 bits pour la plupart des premiers
mini-ordinateurs de DEC, les appareils
d'instrumentation travaillant au mieux
sur 12 bits à l'époque.

Détection et correction d'erreurs

Afin d'assurer la fiabilité de l'information

enregistrée en mémoire, on ajoute des
bits supplémentaires à chaque mot de
mémoire. Par exemple,
Dans les mémoires à parité, il y a un bit
supplémentaire (dit de contrôle de
parité), transparent à l'utilisateur
(traitement matériel) ;
Dans les mémoires à correction
automatique d'erreur sur 1 bit et
détection sur plus d'un bit (ECC), ces
bits invisibles sont parfois au nombre
de six ou plus ;
Chaque mot des mémoires des
serveurs modernes dits non-stop ou
24×365 dispose, en plus des bits de
correction, de bits de remplacement qui
prennent la relève des bits défaillants à
mesure du vieillissement de la
mémoire (une défaillance de 10-11
 chaque année se traduit par 10,0 bits
défaillants par an sur une mémoire de
128 Gio).

Les fabricants recommandent d'utiliser

de barrettes de mémoire avec l'ECC pour
celles ayant une capacité d'1 Gio ou plus,
en particulier celles utilisées dans les
serveurs, permettant de détecter les
erreurs et de les corriger à la volée. Dans
la pratique, les ordinateurs personnels
les utilisent très rarement.

Temps d'accès

Le temps d'accès à un mot de la

mémoire vive est de quelques dizaines
ou centaines de nanosecondes tandis
que celui d'un dispositif à disque dur est
de quelques millisecondes (c'est-à-dire
dix mille à cent mille fois plus lent) et
celui d'un dispositif à semi-conducteur
est intermédiaire. En revanche, il n'est
possible avec ces derniers, de lire et
écrire que par blocs de mots.

Adressage de la mémoire

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suffisamment ses sources (juillet
2018).
Pour l'améliorer, ajoutez des
références de qualité et vérifiables
(comment faire ?) ou le modèle
 {{Référence nécessaire}} sur les
passages nécessitant une source.

Un circuit intégré de mémoire ne

comporte que le nombre de bits
d'adresse mémoire nécessaire pour
accéder aux mots de mémoire qu'il
contient. L'unité centrale de traitement
comporte beaucoup plus de bits
d'adresse mémoire qu'un simple circuit
intégré de mémoire afin d'adresser
davantage de mémoire. Ces bits
supplémentaires sont décodés par un
circuit spécialisé, nommé décodeur
d'adresse ou sélecteur, pour sélectionner
le circuit intégré de mémoire approprié
grâce à une broche de celui-ci nommé
chip select.

Il est très facile de munir un

microprocesseur d'une mémoire non
contiguë (par exemple de 0 à 4 095, puis
un trou, puis de la mémoire entre
16 384 et 32 767), ce qui facilite
beaucoup la détection d'erreurs
d'adressage éventuelles [réf. nécessaire].

Divers types de mémoire

vive

Mémoire vive statique

Une mémoire vive statique est une

mémoire vive qui n'a pas besoin de
rafraîchissement.

Static Random Access Memory (SRAM)

Article détaillé : Static Random Access

Memory.

Cette mémoire utilise le principe des

bascules électroniques pour enregistrer
l'information. Elle est très rapide, mais
est cependant chère et volumineuse. Elle
consomme moins d'électricité que la
mémoire dynamique. Elle est utilisée
pour les caches mémoire, par exemple
les caches mémoire L1, L2 et L3 des
microprocesseurs.
Dual Ported Random Access Memory
(DPRAM)

Article détaillé : DPRAM.

Cette mémoire est une variante de la

Static Random Access Memory (SRAM)
où on utilise un port double qui permet
des accès multiples quasi simultanés, en
entrée et en sortie.

Magnetic Random Access Memory

(MRAM)

Article détaillé : Magnetic Random

Access Memory.

Cette mémoire utilise la charge

magnétique de l'électron pour enregistrer
l'information. Elle possède un débit de
l'ordre du gigabit par seconde, un temps
d'accès comparable à de la mémoire
DRAM (~10 ns) et elle est non-volatile.
Étudiée par tous les grands acteurs de
l'électronique, elle a commencé à être
commercialisée en 2006, mais reste en
2020 confinée à un marché de niche.

Phase-Change Random Access Memory

(PRAM)

Article détaillé : Mémoire à changement

de phase.

Cette mémoire utilise le changement de

phase du verre pour enregistrer
l'information. Elle est non-volatile. Elle a
commencé à être commercialisée en
2012.

Mémoire vive dynamique

Articles détaillés : Mémoire vive

dynamique et DDR SDRAM.

Une mémoire vive dynamique est une

mémoire vive qui a besoin de
rafraîchissement.

La simplicité structurelle d'une mémoire

vive dynamique (DRAM) (un pico-
condensateur et un transistor pour un bit)
permet d'obtenir une mémoire dense à
faible coût. Son inconvénient réside dans
les courants de fuite des condensateurs :
l'information disparaît à moins que la
charge des condensateurs ne soit
rafraîchie avec une période de quelques
millisecondes, d'où le terme de
dynamique. A contrario, les mémoires
vives statiques (SRAM) n'ont pas besoin
de rafraîchissement, mais utilisent plus
d'espace et sont plus coûteuses.

Fabricants de mémoire

A-DATA
Corsair Components
Crucial
Dane-Elec
G. Skill
Infineon
 Kingston
OCZ Technologies
PNY Technologies
RAMBUS
Thermaltake
Transcend

Puces mémoire

Cypress
Elpida
Hynix
Integrated Device Technology
Qimonda[c]
Micron
Nanya
 Powerchip Semiconductor Corporation
(PSC)
Samsung
Winbond
Take MS

Barrettes de mémoire

A-Data
Avexir
Buffalo
Corsair
Crucial
DaneElec
G.Skill
Geil
Kingston
OCZ
Patriot
PNY Technologies
Proflash Technologies
ProMos
Samsung
Shikatronics
TEAM group
Transcend
Twinmos
HyperX
Notes et références

Notes

a. La mémoire morte doit son nom au

fait qu'elle est en lecture seule : ROM
de l'anglais Read Only Memory.
b. L'expression « accès direct »
s'oppose ici à « accès séquentiel »
d'une bande magnétique, par
exemple. Le mot anglais RAM ne
peut être traduit par « aléatoire »
comme c'est très souvent le cas,
mais implique que l'on peut accéder
à n'importe quelle donnée
 directement sans avoir besoin de lire
toutes les données qui précèdent.
c. Ancienne division mémoire d'Infineon
Technologies.

Références

1. (en) « 1970: Semiconductors compete

with magnetic cores (https://www.co
mputerhistory.org/storageengine/se
miconductors-compete-with-magneti
c-cores/) [archive] », sur Computer
History Museum, 24 août 2015
(consulté le 22 septembre 2023)
Voir aussi

Articles connexes

Mémoire morte
Mémoire non volatile
SSD
Mémoire à tores magnétiques
Mémoire vive à registres
Testeur de mémoire
Mémoire tampon

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