978 3 8416 3335 4

! "

# $ % & ' ( &
)
*+% & $ $ +*,-.%

/ 0

/ 1-1* # $ % & '
( & )
A mes très chers parents,
A ma sœur et mes frères bien aimés,
A mes chers amis,
Je dédie chaleureusement cette thèse

Remerciements
Je réserve cette page, avec un grand plaisir, en signe de gratitude et de profonde recon-
naissance à tous ceux qui ont contribués de prés ou de loin à l’élaboration de ce modeste
travail. Ce travail a été réalisé au sein de l’équipe micro-ondes du laboratoire Système
de Communications (Sys’Com) de l’Ecole Nationale d’Ingénieurs de Tunis (ENIT), sous
la direction du professeur Taoufik Aguili.
Je tiens à exprimer toute ma gratitude à Monsieur Taoufik, qui a dirigé cette thèse et
qui m’a permis de profiter de ses compétences scientifiques. Je le remercie pour sa bien-
veillance, sa grande patience, sa compréhension et ses encouragements. Son exigence de
rigueur et ses conseils éclairés m’ont été très précieux. Je suis aussi très touché par ses
qualités humaine.
Mes remerciements les plus chaleureux s’adressent à Monsieur Adnen Cherif, professeur
à la Faculté des Sciences de Tunis (FST) de m’avoir fait l’honneur de présider ce jury.
J’exprime mes sincères remerciements à Monsieur Ridha Bouallegue, professeur à l’Ecole

Supérieure des Communications de Tunis (Sup’Com), ainsi que Monsieur Rabeh Attia,
professeur à l’École Polytechnique de Tunisie (EPT), qui ont accepté de juger ce travail
et d’en être les rapporteurs. Leurs réflexions critiques ont été profitables à la rédaction
de ce manuscrit.
Je remercie également Monsieur Ali Charsallah, professeur à la Faculté des Sciences de

Tunis (FST), d’avoir eu le soin d’examiner ce travail.
Je remercie toutes les personnes du Laboratoire SysCom. L’ambiance a été vraiment

agréable pendant ces ans de thèse. Il y a vraiment tant de moments drôles que j’ai
passé avec eux, j’ai une pensée toute particulière pour Mohamed, Bilel, Houssemeddine
et Mourad avec eux j’ai pu discuter nos travaux de recherche respectifs, Abd Essalem,
Hamdi, Heithem, Meriem, Hafewa, Raja, Soulima et Meriem. Je remercie de même M.
Fethi Mejri, maitre assistant à la FSB et chercheur en micro-onde à l’ENIT, pour ses
critiques et conseils. Je leurs exprime ma profonde sympathie et leurs souhaite beaucoup
de bien.
Table des matières v
Je remercie vivement l’équipe technique et administrative du laboratoire Sys’Com, à

savoir Mohamed, Zied et Mariem, et qui n’ont pas ménagé d’efforts pour veiller au bon
déroulement de nos travaux de recherche.
Merci également à mes chers amis pour leurs encouragements qui m’ont été très précieux
dans les moments de doute, et particulièrement pour ceux qui ont participé à la révision
de ce manuscrit. Enfin, j’aimerais exprimer toute ma reconnaissance envers ma famille.
Ceci s’applique surtout à ma mère pour plein de raisons. Sa présence et son appui sont
pour moi les piliers fondateurs de ce que je suis et de ce que je fais.
Table des matières
Contents vi
Table des figures x
Liste des tableaux xv
Inroduction Générale 1
1 La Compatibilité électromagnétique (CEM) des equipements 3

1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Compatibilité électromagnétique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Les risques CEM presentes par un equipement . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.1 Les équipements électroniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.2 Blindage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.2.1 Blindage parfait . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.2.2 Pénétration d’un champ EM à travers un blindage . . . . 6
1.3.2.3 Exemple de dégradation de l’efficacité d’une bandage : . . 7
1.3.2.4 matériaux de blindage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.3.2.5 Continuité du blindage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.3 Cartes des circuits électroniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3.4 Les ouvertures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.4 Les guides d’ondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.1 Les guide d’ondes rectangulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.2 Guides d’ondes et discontinuités : . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4.2.1 Les obstacles localisés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.2.2 Les obstacles semi infinies . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.5 Modélisation numérique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5.1 La méthode des éléments finis (FEM) . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5.2 Méthode des différences finies dans le domaine temporel (FDTD) . 16
1.5.3 La méthode des Moments (MoM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.5.4 Étude comparative entre les différentes méthodes . . . . . . . . . . 17
1.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Bibliographie du Chapitre I 20
2 Méthode des Circuits Équivalents Généralisés(MGEC) 22

2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Table des matières vii
2.2 Théorie des Circuits Équivalents Généralisés . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

2.2.1 Formalisme Mathématique adopté . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.1.1 Extension des lois de Kirchhoff . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.1.2 Fonction d’essai généralisées . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.1.3 Opérateur impédance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2 Relation entre l’opérateur admittance et les fonction de Green . . 29
2.2.3 Les sources électromagnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2.3.1 Les sources localisées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2.3.2 Les Sources étendues . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3 Exemple d’une formulation d’un probléme aux limites . . . . . . . . . . . 34
2.3.1 Exemples de Circuits équivalents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3.2 Principe de la méthode de Galerkin . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.3.3 Application de la méthode de Galerkin pour la résolution d’un
problème aux limites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3.3.1 Détermination de la distribution du courant et la distri-
bution du champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Bibliographie du Chapitre II 42
3 Validation et optimisation des performances de la methode MGEC 44

3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.2 Formulation du problème . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.2.1 Présentation de structure étudiée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.2.2 Modélisation de la structure étudiée par la MCEG . . . . . . . . . 47
3.2.2.1 Présentation de la structure a étudié . . . . . . . . . . . . 47
3.2.2.2 Choix des fonctions test . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.2.3 Résolution de problème . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.2.3.1 Première configuration GEC : Courant (source) / Champ
(fonction de test) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.2.3.2 Deuxième configuration GEC : Champ (source) / Cou-
rant (fonction test) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.2.3.3 Troisième configuration GEC : Champ (source) / Champ
(fonction de test) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.2.3.4 Quatrième configuration GEC : Courant (source) / Cou-
rant (fonction de test . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.2.3.5 Problèmes numériques : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.2.4 Introduction du concept d’onde pour remédier aux configurations
GEC inadéquates . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.2.4.1 Notion de concept d’onde . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.2.4.2 Résolution du problème avec la notion d’onde : . . . . . . 57
3.3 Résultats numériques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.3.1 Étude de la convergence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.3.2 Étude de comportement d’impédance d’entrée sur une bande de
fréquence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.3.3 Validation et vérification des conditions aux limites . . . . . . . . . 62
3.3.3.1 Généralités Hfss et Approche de Marcuvitz . . . . . . . . 63
3.3.3.2 Validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
Table des matières viii
3.3.3.3 Étude d’erreur relative de l’impédance d’entrée . . . . . . 64

3.3.3.4 Vérification des conditions aux limites : . . . . . . . . . . 64
3.4 La comparaison entre toutes les configurations GEC en termes de conver-
gence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4.1 Evaluation du gain en temps . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4.2 Conditionnement des matrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Bibliographie du Chapitre III 68
4 Application de la nouvelle formulation MoM-GEC basée sur le concept

d’onde pour étudier la diffraction électromagnétique : Applications
blindage 70
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
4.2 Application de la méthode GEC basée sur le concept d’onde à la modélisation
des obstacles minces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.2.1 Structure étudiée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.2.2 Étude de blindage sans perte surfacique . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.2.2.1 Analyse du problème : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.2.3 Étude de blindage avec perte surfacique . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.2.3.1 Analyse du problème : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.3 Résultats Numériques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.3.1 Étude de blindage sans pertes surfaciques . . . . . . . . . . . . . . 77
4.3.1.1 Étude de la convergence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.3.1.2 Calcul de l’impédance d’entrée en fonction de la fréquence 78
4.3.1.3 Validation : Comparaison avec d’autres méthodes . . . . 78
4.3.1.4 Blindage en fonction de l’ouverture . . . . . . . . . . . . 80
4.3.2 Étude de blindage avec pertes surfacique . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.3.2.1 Blindage pour différents matériaux . . . . . . . . . . . . . 81
4.3.2.2 Optimisation des pertes en fonction de la distribution
d’ouverture (distribution périodique) . . . . . . . . . . . 83
4.3.2.3 Vérification des conditions aux limites . . . . . . . . . . 85
4.4 Étude du blindage des circuits bidimensionnels . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.5 Résultats Numériques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.5.1 Étude de la convergence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.5.2 Calcul de la norme de coefficient de transmission et validation avec
d’autres résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.5.3 Calcul de la norme de coefficient de transmission en fonction du
dimension l’ouverture . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
nombre d’ouvertures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.5.5 Calcul du coefficient de transmission en fonction de la fréquence . 89
4.5.6 Vérification des conditions aux limites . . . . . . . . . . . . . . . . 89
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
Bibliographie du Chapitre IV 91
Conclusion Générale 93
Table des matières ix
Annexe 95
Table des figures
1.1 Rôles du blindage, (en émission, en réception) . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2 Blindage parfait . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 Blindage réel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Modes de couplage à travers un blindage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5 Exemple de dégradation du blindage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6 Courbe de dispersion de l’épaisseur de peaupour différents matériaux . . . 8
1.7 Continuité du blindage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.8 Lignes de champ électromagnétique pénétrant à travers une ouverture à

l’intérieur d’un milieu blindé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.9 Guide d’onde rectangulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.10 Sections sur des guides avec obstacles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.11 Discontinuité semi-infinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1 Représentation symbolique de la surface de discontinuité (S) formée par

deux sous-domaines (S01 : domaine métallique) et (S02 : domaine diélectrique)

où (S = S01 S02 ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2 Représentation des conditions aux limites par un schéma équivalent, . . . 24
2.3 (a) Relation de continuité du champ électrique tangentiel, (b) Représentation

symbolique au niveau du circuit électrique. . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.4 (a) Relation de discontinuité du champ magnétique tangentiel, (b) Représentation

symbolique par une loi des noeuds pour le courant . . . . . . . . . . . . . 26
Table des figures xi
2.5 Représentation symbolique des sources virtuelles : (a) source virtuelle de

champ, (b) source virtuelle de courant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.6 Représentation symbolique des sources virtuelles dans leurs domaines de

définition et dans leurs domaines complémentaires. . . . . . . . . . . . . . 27
2.7 Equivalence entre (a) le demi-espace (S + C) et (b) un circuit dipôle . . . 28
2.8 Représentation symbolique d’une source de courant localisée . . . . . . . . 30
2.9 Représentation symbolique d’une source de tension localisée . . . . . . . . 31
2.10 Définition d’une source planaire localisée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.11 Représentations symboliques des sources planaires localisées : (a) source

de courant électrique, (b) source de tension ou de champ électrique . . . . 32
2.12 Représentation symbolique de la source modale de champ dans un guide (i) 33
2.13 Représentation symbolique d’une source modale de courant dans un guide

(i) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.14 Représentation des conditions aux limites par un schéma équivalent, cas
d’une source virtuelle de champ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.15 Schémas équivalents simplifiés : cas d’une source virtuelle de champ. . . . 35
3.1 a)Iris de cantor inductif placé dans un guide d’onde de type EEEE : a =
11.45 mm, b = 11.3 mm et w = 1.8 mm, b)Vue longitudinale. . . . . . . . 45
3.2 Différentes configurations GEC modélisant le problème de diffraction (a)

source de courant réel + source de champ virtuel. (b) source de champ
réel + source de courant virtuel. (c) Source de champ réel + source de
champ virtuel. (d) source de courant réel + source de courant virtuel. . . 48
3.3 Cantor inductif. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.4 Les fonctions d’essai de type courant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.5 Les fonctions d’essai de type champ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.6 Schéma équivalent de la structure dans le cas d’une symétrie impaire. . . 51
3.7 Définition des ondes en chaque point d’une surface. . . . . . . . . . . . . . 56
3.8 Circuits équivalents des sources d’ondes : (e) Source du type E (f) Source
du type J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Table des figures xii
3.9 Etude de convergence de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée à la

fréquence de fonctionnement F = 13,5 GHz. (a) Premier circuit équivalent
(b) Deuxième circuit équivalent (e) Circuit équivalent (source d’onde E)
(f) Circuit équivalent (source d’onde J). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.10 Variation de l’impédance d’entrée par rapport à la fréquence pour différentes

configurations GEC. (a) Premier circuit équivalent (b) Deuxième circuit
équivalent (e) Circuit équivalent (source d’onde E) (f) Circuit équivalent
(source d’onde J). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.11 Variation de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée obtenue par les

différentes configurations GEC en fonction la fréquence. . . . . . . . . . . 62
3.12 Conditionnement de la matrice B pour les différentes configurations GEC 62
3.13 Comparaison de l’impédance d’entrée obtenue par MoM-GEC avec le logi-

ciel HFSS et la méthode du Marcuvitz sur une bande de fréquence [13,5-39
GHz]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.14 Erreur relative de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée avec différentes

configurations GEC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.15 Distributions du courant et du champ normalisées pour différentes confi-

gurations GEC. (a) Premier circuit équivalent (b) Deuxième circuit équivalent
(c) Circuit équivalent (source d’onde E) (d) Circuit équivalent (source
d’onde J) pour une fréquence de fonctionnement F = 13,5 GHz. . . . . . . 65
3.16 Comparaison des distributions du courant et du champ avec HFSS pour

une fréquence de fonctionnement F = 13,5 GHz. . . . . . . . . . . . . . . 65
4.1 Structure étudiée : une plaque multi-ouverture avec pertes dans la section
transversale d’un guide d’onde rectangulaire métallique, où a = 75 mm,
b = 65 mm, w est la dimension de la fente et d est le size du métal. . . . . 71
4.2 Circuit equivalent généralisé pour la structure proposée sans perte surfa-
cique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.3 Circuit equivalent généralisé pour la structure proposée avec perte surfa-
cique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.4 La partie imaginaire de l’impédance d’entrée en fonction du nombre de

fonctions test et pour différents nombres de modes à une fréquence de
fonctionnement F = 4 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Table des figures xiii
4.5 L’impédance d’entrée obtenue par la méthode MoM-GEC basée sur le

concept d’onde sur la gamme de fréquences [2,2 - 6 GHz]. . . . . . . . . . 78
4.6 Variation des parties imaginaires et réelles de l’impédance d’entrée en

fonction de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.7 La partie imaginaire de l’impédance d’entrée calculée par notre approche

sur la bande de fréquence [2,2 - 6 GHz] et comparée à d’autres méthodes . 79
4.8 Distributions du courant et du champ à la surface de discontinuité pour

une fréquence de fonctionnement F = 3 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.9 Module du coefficient de transmission |S21 | en fonction de la longueur de

l’ouverture (w) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.10 Variation de coefficient de transmission |S21 | en fonction de la largeur de

l’ouverture (w). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.11 Variation du coefficient de transmission |S21 | en fonction de la fréquence

a
pour (w = 10 ) comparé à celles obtenues par d’autres méthodes. . . . . . 81
4.12 Variation du module du coefficient de transmission |S21 | pour différents

matériaux sur la gamme de fréquences de 2,2 à 6 GHz. . . . . . . . . . . . 82
4.13 Module du coefficient de transmission |S21 | par rapport à la largeur d’ou-

verture (w) pour divers matériaux à une fréquence de fonctionnement F
= 3 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.14 Distribution de champ en fonction du sens de propagation (Z) pour les

matériaux argent et superpermalloy à une fréquence de fonctionnement
de F = 3 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.15 Coefficient de transmission en fonction du nombre d’ouvertures pour w

a a
= 10 et d = 8.7 à deux fréquences de fonctionnement F = 2.2 GHz et F
= 6 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.16 Variation de |S21 | pour les matériaux avec pertes (superpermalloy) dans
la gamme de fréquences de 2,2 à 6 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.17 A Coefficient de transmission en fonction du nombre d’ouvertures pour

a a
w = 28 et d = 18 à une fréquence de fonctionnement F = 6 GHz. B
Variation de |S21 | pour les matériaux de superpermalloy dans la gamme
de fréquences de 2,2–6 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
Liste des tableaux xiv
4.18 Distributions du courant et du champ électrique sur la surface de discon-

tinuité (N = 6, 10) pour le matériau superpermalloy à une fréquence de
fonctionnement F = 3 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.19 Structure étudiée : une plaque multi-ouverture sans pertes dans la section
transversale d’un guide d’onde rectangulaire métallique, où a = 22.82 mm,
b = 10.16 mm, w et L les dimensions de la fente et dx,y les distance entre
les ouvertures. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.20 Étude de convergence de la norme du coefficient de transmission pour (w

= 6mm) et (L = 4mm) à la fréquence de fonctionnement F = 10 GHz. . . 87
4.21 Variation de la norme du coefficient de transmission |S21 | de la structure

étudiée trouvée par MoM-GEC basé sur le concept d’onde et comparée
aux logiciels HFSS et CST, sur une bande de fréquence [8 - 12 GHz]. . . . 87
4.22 Variation du coefficient |S21 | en fonction des dimensions de la fente (w,

L) à la fréquence de fonctionnement F = 10 GHz. . . . . . . . . . . . . . . 88
4.23 Variation du coefficient |S21 | en fonction du nombre des fentes (N). Les
longueurs de guide d’onde sont (a = 22,82 mm), (b = 10,16 mm), les
largeurs des fentes sont (w, L = 2 mm) et la distance entre les ouvertures
est dx,y = 1, 5mm à une fréquence de fonctionnement F = 10 GHz. . . . . 89
4.24 Variation du coefficient |S21 | en fonction de la fréquence pour (N = 1) et

(N = 8). Les longueurs de guide d’onde sont (a = 22,82 mm), (b = 10,16
mm), la largeur de l’élément est (w, L = 2 mm) et la distance entre les
ouvertures est (dx,y = 1,5 mm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
4.25 Distributions du courant et du champ pour (N = 1) à une fréquence de

fonctionnement F = 10 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4.26 Distributions du courant et du champ pour (N = 8) à une fréquence de

fonctionnement (F = 10 GHz). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
Liste des tableaux
3.1 Les schémas équivalents de l’iris en fonction du type de source d’excitation 61
3.2 Nombre des fonctions tests et de la base modale (Ne, M) nécessaires

et temps de calcul consommé par différentes configurations de circuits
équivalents pour atteindre la convergence de l’impédance d’entrée. . . . . 66
3.3 Nombre de fonctions tests et de base nécessaires (Ne, M) et temps de

calcul utilisés par différentes configurations de circuit équivalentes pour
calculer les distributions de courant et de champ. . . . . . . . . . . . . . 66
4.1 Relative permeability and relative conductivity of typical materials. . . . 103

Introduction Générale
Les systèmes embarqués sont de plus en plus présents dans notre environnement pour
des applications industrielles mais aussi grand public, (énergie, automobiles, téléphone
portable, transport ferroviaire, aéronautique. . . ). Avec le développement continu de
l’électronique embarquée nous assistons à une complexité croissante des équipements.
Pour tenir les performances fonctionnelles nécessaires au niveau système, un équipement
doit intégrer de plus en plus de fonctions, donc de composants et de cartes électroniques
qui doivent cohabiter tous ensemble. Les fréquences d’horloge des systèmes embarqués
deviennent de plus en plus élevées.
Interconnectés et communicants, ces systèmes créent une pollution électromagnétique

dans leur environnement engendrant une multiplication d’interactions entre toutes les
électroniques. Le besoin de prédiction de l’environnement électromagnétique dans le-
quel les équipements fonctionnent se fait alors de plus en plus ressentir. Pour cela il
est nécessaire d’engager une étude CEM permettant le fonctionnement correcte de cha-
cun de ces systèmes sans qu’il soit source ou victime d’agressions électromagnétiques
environnantes.
Dans l’objectif d’aboutir à une meilleure immunité des équipements électroniques et

numériques et de bénéficier pleinement de la cohabitation et de la coopération des
systèmes de télécommunications et des capteurs embarqués, l’étude CEM doit être menée
suivant trois directions :
l’immunité , c’est-à-dire l’aptitude d’un système embarqué à résister aux perturbations

électromagnétiques extérieures. Dans cette optique certaines dispositions doivent être
considérées :
le filtrage à l’entrée des boı̂tiers électroniques
le design des circuits imprimés
le blindage
la disposition des câbles de connexion
Inroduction Générale 2
Tout doit être contrôlé et validé par une étude CEM. Ce domaine concerne aussi l’in-
ter compatibilité des équipements embarqués, tous devant pourvoir fonctionner simul-
tanément sans interférence.
le mutisme, caractérise la capacité d’un systèmeà fonctionner sans perturber l’électronique

environnante. Pour cela il faut contrôler les émissions électromagnétiques volontaires
(émissions radio, satellite..) ou pas (perturbations électromagnétiques) que peut générer
l’ensemble dusystème embarqué.
Avec la complexité croissante des problèmes CEM des systèmes embarqués, les outils
et les méthodes de traitement se trouvent rapidement limités et insuffisants. La démarche
scientifique s’appuie sur la complémentarité offerte par les approches théoriques, numériques
et expérimentales. Les recherches s’articulent autour de trois activités complémentaires :
Le développement de nouveaux moyens d’essais et de méthodes de mesures
l’analyse des interférences et la caractérisation de l’environnement électromagnétique
la caractérisation du comportement des composants électroniques et la sécurité de
fonctionnement
Nous nous intéressons dans cette thèse à modéliser dans une première partie ces fuites
électromagnétiques en se basant sur une méthode intégrale globale dite full wave . Dans
une deuxième partie, nous proposons et étudions des solutions et remèdes à ce problème
en considérant des structures de blindage efficaces à coût relativement bas
Le premier chapitre est consacré à une étude bibliographique générale. Tout d’abord
nous situons le problème d’un point de vue CEM. Dans ce cadre nous présentons les
risques CEM que présente un équipement embarqué et les solutions CEM qui y sont
adaptée.
Le deuxième chapitre présente une introduction de la méthode des circuits équivalents

généralisés (MGEC). Les concepts et le formalisme de la méthode adoptée permettent
de convertir un problème électromagnétique en un problème de circuit équivalent plus
simple à manipuler. Notre étude s’intéressera à l’intégration de la procédure de Galerkin
avec la méthode MGEC.
Le troisième chapitre consiste à optimiser les paramètres de base de la méthode MGEC

afin d’éviter les problèmes antérieurs considérés. En fait, selon les cas possibles de source
d’excitation et de fonction de test, nous pouvons obtenir quatre configurations possibles
de (GEC) qui peuvent modéliser un problème électromagnétique. Notre objectif est de
comparer ces configurations en termes de précision et de temps nécessaire pour atteindre
la convergence, puis déterminer le bon GEC
Chapitre 1
La Compatibilité électromagnétique (CEM) des

equipements
1.1 Introduction
Le but de ce chapitre est de présenter le contexte général de l’étude de la susceptibi-

lité électromagnétique d’un équipement embarqué. Dans un premier temps nous allons
souligner la nécessité de l’étude des perturbations électromagnétiques entre systèmes
électroniques voisinant en général, ensuite nous allons situer notre sujet dans le cadre
d’une étude CEM des systèmes électroniques complexes. Ensuite nous exposerons les
risques CEM que présente un système électronique embarqué, ainsi que quelques so-
lutions CEM adaptées à ces risques. Comme nous l’avons indiqué dans l’introduction,
notre sujet traite le blindage électromagnétique. Les différentes études que nous avons
menées dans ce cadre sont basées sur des méthodes de modélisation électrique originales.
D’où le besoin d’utilisation des méthodes numériques classiques pour la validation des
résultats. Nous consacrerons donc une partie dans ce chapitre à la présentation suc-
cincte du principe de base de quelques méthodes numériques telles que la méthode des
différences finies dans le domaine temporel FDTD, la méthode des éléments finis FEM
et la méthode des moments MoM.
1.2 Compatibilité électromagnétique
La plupart des équipements électriques et électroniques génèrent des champs électromagnétiques

perceptibles dans leur environnement [I.1]. L’ensemble de ces champs crée une véritable
pollution électromagnétique susceptible de perturber le fonctionnement d’autres équipements
environnants.Pour résoudre un problème de perturbations électromagnétiques, à tous les
Chapitre 1. La Compatibilité électromagnétique (CEM) des equipements 4
coups et en maı̂trisant les marges de sécurité, il importe de comprendre les phénomènes

et d’en connaı̂tre les ordres de grandeur. Dans cette optique, la CEM [I.2] est devenue de
nos jours une étude nécessaire à prendre en compte dans la fabrication de tout appareil
électrique ou électronique.
1.3 Les risques CEM presentes par un equipement
Les systèmes électroniques sont généralement intégrés dans des enceintes métalliques.
Les mécanismes de couplage possibles sur ces équipements sont multiples. La structure
peut être victime de couplage par conduction par le biais descâbles de connexion qui
relient l’équipement au milieu extérieur. Le couplage par diffusion est possible si le blin-
dage est vulnérable aux ondes électromagnétiques en termes de conductivité électrique
et d’épaisseur. Les ouvertures situées sur les différentes faces del’équipement et étant
destinées à l’aération ou au passage des câbles permettent un couplage parrayonnement.
Dans la suite nous allons exposer plus en détails les risques CEM présentés par un
équipement à différents niveaux, et quelques solutions CEM adaptées.
1.3.1 Les équipements électroniques
Les équipements électroniques, optiques et autres matériels sophistiqués embarqués

sur des structures électroniques militaires, sont le plus souvent intégrés dans des en-
sembles mécaniques usinés, chaudronnés ou mécano soudés. Ces ensembles servent de
support et protection contre les agressions extérieures (chocs, corrosion, étanchéité), mais
agissent également comme protection contre les rayonnements électromagnétiques (blin-
dage CEM). Tous les matériels et équipements sont le plus souvent fabriqués avec des
matériaux métalliques qui subissent différents traitements desurface, pour la résistance
à la corrosion, la continuité électrique, l’adhérence peinture, la résistance à l’usure, l’as-
pect, etc. L’électrolyse au tampon est utilisée dans ces applications en tant que trai-
tement de surface sélectif intégré dés la conception de l’équipement, pour la retouche
destraitements de surface existants, pour la réparation du composant lors des phases
de conditionnement. Autres que les exigences CEM sur un équipement. Ce dernier doit
entre autre être :
- léger
- de faible encombrement
- de faible consommation
- robuste
- simple...
1.3.2 Blindage
Le blindage est un écran électromagnétique ou une enveloppe conductrice qui a pour

but d’isoler électro-magnétiquement le milieu blindé des agressions extérieures, mais
également d’empêcher les rayonnements générés au milieu blindé d’aller se propager
vers le milieu extérieur. Un blindage présente donc une protectionen émission et en
réception comme le montre figure.1.1
Figure 1.1: Rôles du blindage, (en émission, en réception)
1.3.2.1 Blindage parfait
Théoriquement un blindage parfait est possible en choisissant un matériau de conduc-

tivité infinie et ne présentant aucun moyen d’échange avecle milieu extérieur. Le milieu
blindé serait donc complètement dépourvue de champ comme le montre bien la figure.1.2
ci-dessous :
Figure 1.2: Blindage parfait
Cependant il n’existe pas de matériaux à conductivité infinie qui permettent de créer

un blindage parfait. Il y aura toujours une pénétration de champ électromagnétique à
travers les parois par diffusion limitée par l’épaisseur de peau. De toute manière, aucun
blindage ne peut être une enceinte complètement fermée, car il serait absurde d’imaginer
l’existence d’un équipement complètement isolé, sans communication avec l’extérieur.
Cette communication est nécessaire pour :
• L’alimentation
• Le transfert des informations entre cet équipement et d’autres systèmes
• La ventilation
Le blindage réel est illustré par la figure.1.3 ci-dessous :
Figure 1.3: Blindage réel
1.3.2.2 Pénétration d’un champ EM à travers un blindage
Un champ électromagnétique peut pénétrer à l’intérieur d’un blindage de trois manières :

• Par diffusion ;
• Par des ouvertures ;
• Par conduction.
Figure 1.4: Modes de couplage à travers un blindage
La figure .1.4 permet d’illustrer les mécanismes de couplage du champ électromagnétique

à travers un blindage. Trois structures blindées ont été emboitées les unes dans les
autres. Ainsi l’espace noté V 1 représente l’espace externe non blindé et étant siège
d’un champ électromagnétique perturbateur. Les espaces V 2,V 3 et V 4 représentent des
espaces blindés à des degrés différents. La pénétration du champ électromagnétique
externe peut se faire par diffusion à travers les parois, ou à travers les ouvertures, ou
bien par le biais d’un conducteur tel qu’un câble de connexion.
1.3.2.3 Exemple de dégradation de l’efficacité d’une bandage :
La figure .1.5 illustre le couplage par conduction. Lecâble reliant l’équipement au mi-
lieu extérieur est victime de perturbations. Un courant induit sur le câble sera conduit
jusqu’à l’intérieur de l’enceinte et viendra se coupler surles électroniques intégrés dans
l’équipement. Pour remédier à ce type de problème il est possible de filtrer le signal
entrant par le câble à l’entrée de l’enceinte ou utiliser un câble blindé relié à l’enceinte
avec une bonne reprise de blindage.
Figure 1.5: Exemple de dégradation du blindage.
1.3.2.4 matériaux de blindage
Les matériaux typiques utilisés pour le blindage sont le cuivre, l’aluminium et l’acier.
Chaque matériau a une courbe d’efficacité spécifique en fonction de la fréquence et de
l’épaisseur de la tôle, en champ électrique, magnétique ou électromagnétique, voir La
figure .1.6
Figure 1.6: Courbe de dispersion de l’épaisseur de peaupour différents matériaux .
On observe qu’en basse fréquence et en champ magnétique aucun des matériaux usuels
utilisés pour le blindage n’assure une bonne efficacité. En effet le courant surfacique
crée par une onde excitatrice sur la surface d’un conducteursera confiné jusqu’à une
profondeur égale à l’épaisseur de peau δ . Cette dernière dépend de la fréquence de
l’onde excitatrice et des caractéristiques électromagnétiques du milieu. Dans le cas d’un
métal parfait (σ = ∞, δ = 0 ). En général vers les hautes fréquences l’épaisseur de peau
diminue, le blindage est plus important en hautes fréquences. Théoriquement un boı̂tier
conçuen conducteur parfait ne peut pas être victime de perturbations par irradiation
directe
1.3.2.5 Continuité du blindage
Pour assurer un blindage correct il est très important de respecter la continuité du

blindage entre une ou plusieurs enceintes blindées et les transmissions entre ces en-
ceintes. L’intérieur du volume délimité par les parois des cages et les gaines des trans-
missions doit représenter topologiquement une zone uniforme où laréduction du champ
électromagnétique par rapport à l’extérieur est la même partout. Par contre, si la
connexion entre la gaine du câble blindé et les cages n’est assurée que par un fil, la
condition de continuité n’est plus respectée. Voir la figure .1.7 Les câbles d’alimentation
et d’interconnexion ont le potentiel de capter et d’émettre l’énergie électromagnétique,
même si à la base les câbles ne sont pas destinés à transporter de l’énergie RF. Ainsi
une onde se couplant sur un câble ou un fils conducteur bien loin de l’équipement, sera
transmise par conduction à l’intérieur de l’équipement, ce qui risquerait d’endommager le
fonctionnement de l’électronique intégrée. Les signaux perturbateurs peuvent également
passer directement entre différentes parties du système par conduction directe. Le lay-
out du câble a une influence majeure sur la nature et la grandeur du couplage. Pour
réduire les perturbations par rayonnement les systèmes et les câbles d’interconnexion
sont couverts d’un habillage isolant ou un blindage qui doit être appliqué sur
toute la longueur du câble pour qu’il soit efficace. Cependant le blindage des câbles
coaxiaux n’est jamais parfait. Les câbles souples couvert d’habillage tissé avec de petits
trous détériorent l’efficacité de blindage, le blindage du câble lui même peut se comporter
comme une antenne, en rayonnant ou en recevant une quantité considérable d’énergie,
qui sera ensuite couplée au système via des connecteurs inappropriés. Des émissions
électromagnétiques peuvent être également engendrées par une composante électronique
dans une enceinte non métallique. Caractérisée par Zt = impédance de transfert.
Figure 1.7: Continuité du blindage.
1.3.3 Cartes des circuits électroniques
Généralement à l’intérieur d’un équipement des cartes électroniques de circuits imprimés

sont intégrées. Les problèmes CEM des cartes sont dus aux tensions et aux courants
parasites se propageant dans les conducteurs en mode conduit, etqui peuvent générer à
leur tour des émissions perturbatrices en mode rayonné (champ électrique, magnétique,
électromagnétique). Sur ces cartes un couplage entre de différents fils, câbles et aussi
lignes imprimées est appelé cross talk . D’un autre côté une énergie électromagnétique
externe provoquée par des sources naturelles ou artificielles peut induire un courant
parasite dans les conducteurs des circuits, ce qui peut provoquer uneperturbation dans
le fonctionnement des composants (susceptibilité ou immunité). C’est pourquoi l’étude
de la CEM des cartes électroniques peut être classée en trois catégoriesglobales
• Emissions conduites et rayonnées

• La susceptibilité des cartes face à des interférences électromagnétiques
• Couplage entre les pistes, connectiques et discontinuités, ce qui constitue l’intégrité du
signal en courant et en tension entre les interconnexions Dans ces trois catégories listées
ci-dessus, nous pouvons distinguer les observables physiques les plus traités dans l’étude
de la CEM des cartes ;
La fréquence
l’amplitude
Le temps
Il existe des recommandations pour la conception du layout des cartes électroniques. Pour
cela on sépare les problèmes d’émission de ceux de la susceptibilité et on mène les études
en satisfaisant les prescriptions minimales des deux. Les émissions sont subdivisées en
deux domaines : les émissions conduites et rayonnées. Cette technique présente quelques
avantages :
Adapter une ligne de transmission externe

Eviter la réflexion due à l masse
Réduire les interférences électromagnétiques
Réduire le bruit
1.3.4 Les ouvertures
Avec un blindage adéquat, l’atténuation des champs externes peut être rendue aussi forte
que nécessaire à l’intérieur d’une enceinte. Cependant,un équipement doit communiquer
avec le milieu extérieur d’une façon ou d’une autre, des ouvertures ou des orifices sont
donc inévitables pour l’aération, l’alimentation, pour le passage de fibres optiques qui
peuvent remplacer les liaisons galvaniques pour la transmission d’informations entre
l’extérieur et l’intérieur, ou pour d’autres types de connexions. Par conséquent l’étude
du couplage par ouvertures est d’une importance capitale en CEM
Les ouvertures permettent le passage d’un flux de champs électromagnétiques dans les
deux sens. Elles représentent par conséquent une source de perturbations en réception
et en émission. Le champ électromagnétique externe coupléà l’intérieur d’une enceinte
blindée, obéit aux lois physiques qui font que :
• Les lignes du champ électrique doivent être perpendiculaires sur un matériau à conduc-
tivité infinie (conductivité très élevée dans le cas de laparoi métallique de l’enceinte
blindée) ; le champ électrique tangent est quant à lui est nul sur la surface d’un conduc-
teur
−
→ →
−
n ×E =0 (1.1)
• Les lignes du champ magnétique doivent être parallèles (ou tangentes) à la surface d’un
matériau à conductivité infinie (conductivité très élevée dans le cas de la paroi métallique
de l’enceinte blindée). Par contre la composante normale du champ magnétique est nulle
à la surface du conducteur.
−
→ → −
− →
n ∧ H = Js (1.2)
En obéissant à ces lois, les lignes du champ électrique qui pénètrent par une ouverture
dans la paroi d’un blindage, vont s’incurver pour finir d’une façon orthogonale sur la
face interne de la paroi ou sur les surfaces métalliques des conducteurs (blindés ou non)
qui passent éventuellement à proximité de l’ouverture.
La figure .1.8 montre les champs électrique et magnétique couplés à travers une ouverture
située sur un mur fin. D’après la figure .1.8 a le rayonnement du champ électrique à tra-
vers l’ouverture est équivalent à celui d’un dipôle électrique. La figure .1.8 b montre que
le rayonnement du champ magnétique à travers l’ouverture est équivalent à celui d’un
dipôle magnétique. Une des modélisations possibles que l’on peut attribuer à une ou-
verture est d’être représentée par deux dipôles perpendiculaires, l’unélectrique et l’autre
magnétique. La théorie de Bethe [I.3] traite ce type de modélisationpour des petites ou-
vertures.Plus l’ouverture est grande, plus le couplage du champ électromagnétique dans
le milieu blindé est important.
Figure 1.8: Lignes de champ électromagnétique pénétrant à travers une ouverture à

l’intérieur d’un milieu blindé
1.4 Les guides d’ondes
Les ondes électromagnétiques peuvent être émises dans l’espace libre au moyen par
exemple d’une antenne, on parle alors de propagation libre des ondes, procédé qui est
largement utilisé pour les systèmes de télécommunication [I.4]. Lorsque la fréquence
et/ou la puissance augmente l’emploi de lignes de transmission devient très limité par
l’apparition des modes d’ordre supérieur qui se manifestent dés que les dimensions trans-
versales des structures utilisées ne sont plus négligeables devant la longueur d’onde, et
aussi par l’accroissement des pertes diélectriques dans les isolants qui provoque également
des atténuations souvent importantes [I.5] ; Dans ce cas, il devient nécessaire d’utiliser
des structures appelées de façon générale guide d’onde pour la transmission de cette
énergie électromagnétique il s’agit de structures conductrices creuses dans lesquelles se
propagent des ondes électromagnétiques par réflexions successives sur les parois internes.
Les guides d’ondes métalliques sont aussi à la base de la conception de nombreux dis-
positifs micro-ondes tels que les filtres, transformateurs, adaptateurs, polariseurs. . . . Vu
l’intérêt que présente l’emploi des guides d’ondes, nous estimons qu’il est nécessaire de
caractériser précisément le comportement d’ondes électromagnétiques qui s’y propagent
notamment en présence d’obstacle [I.6]. Dans cette section nous donnons un aperçu sur
les utilisations des guides d’ondes en circuits passifs (filtres et transformateurs), sur les
différentes méthodes d’analyse de ces structures.
1.4.1 Les guide d’ondes rectangulaire
On appelle guide d’onde rectangulaire un système de guidage réalisé sous forme de

tube métallique de section droite rectangulaire figure .1.9. Pour construire un modèle
mathématique du guide d’onde, supposant d’abord que son enveloppe soit parfaitement
conductrice, et que la constante diélectrique ε , la perméabilité μ , et la conductivité σ
ne dépendent ni de la position considérée dans le guide, ni de l’amplitude des signaux. Le
fait de choisir le plus long coté selon l’axe des x est une convention standard. Les ondes
se propagent suivant l’axe Oz. On suppose dans ce cas que le guide est constitué d’un
métal parfait, les mûrs sont pafaitement conductrices. Ce guide est noté EEEE [I.7].
Figure 1.9: Guide d’onde rectangulaire
On rappelle que les champs E et H , décrivant le champs électromagnétique, satisfont les

équations de Maxwell et les conditions aux limites sur la surface du conducteur (supposé
parfait, E est normal aux parois et H est tangent aux parois).
On rappelle que dans un guide d’onde (rectangulaire) seuls certains types d’ondes mono-
chromatiques peuvent se propager : on les appelle des modes. Tous les guides rectangu-
laires peuvent propager les modes [I.7, I.8] TM et TE, mais non les ondes TEM, puisque
un seul type de conducteur est présent. Un mode désigne une onde qui se propage dans
un guide. A l’inverse de l’onde plane en espace libre, il peut exister de nombreux modes
qui se propagent dans un guide d’onde à la même fréquence. Chaque mode présente une
configuration propre des champs électrique et magnétique et dans un guide parfait, les
différents modes ne peuvent pas interagir entre eux.
Dans un guide d’onde réctangulaire ; on trouve deux types de modes :
-Modes TM (Transverse magnétique) : pour ces modes Hz = 0 . Le champ magnétique

ne possède que des composantes transverses à la direction de propagation (Hx et Hy).
-Modes TE (Transverse Electrique) : Pour ces modes Ez = 0. Il n’existe que des com-
posantes Ex et Ey. Les composantes des champs dépendant à la fois de x et de y, les
modes sont désignés par TMnm ou TEnm, où n et m sont des entiers qui se rapportent
aux variations des champs dans les direction x et y respectivement.
Les étapes du calcul des modes d’un guide d’onde rectangulaire est rappelé en annexe
A.
1.4.2 Guides d’ondes et discontinuités :
On désigne par discontinuité toute modification intervenant dans une structure guidante,
telle que le changement de géométrie, de direction de propagation ou des paramètres phy-
siques (permittivité, perméabilité) qui affectent la symétrie de translation de la structure
de guidage et entraı̂nent des réflexions de l’énergie, donc l’apparition d’une impédance.
Notre étude est basée sur les obstacles uni-axiales, qui sont des discontinuités dont la
structure a une seule direction de propagation [I.9].
Nous pouvons les distinguer en discontinuités accidentelles et discontinuités volontaires.

Ces dernières se produisent en général aux jonctions par au moins deux structures gui-
dantes et incluent des courts-circuits, des circuits ouverts, des interruptions de ligne,
des jonctions entre lignes de caractéristiques différents. . . . . . etc. Les discontinuités ac-
cidentelles sont dues aux dimensions limitées du substrat (coude par exemple) ou à des
transitions entre les structures de guidage. Dans ce qui suit on va citer quelques types
de discontinuités.
1.4.2.1 Les obstacles localisés
Un obstacle est dit localisé quand sa longueur dans le sens de propagation est très petit
par rapport à la longueur d’onde : par exemple les pièces métalliques ou diélectriques
minces placées dans le guide perpendiculairement à la direction de propagation (figure
.1.10). Ces obstacles sont assimilables à des impédances localisées (selfs et capacités)
placées en série ou en parallèle ou se trouve la discontinuité, si l’obstacle fait apparaı̂tre
surtout des modes TM, il y a une accumulation de l’énergie électrique au niveau de
la discontinuité due à l’apparition de modes d’ordres supérieur évanescents ; dans ce
cas la nature de la discontinuité est capacitive, elle est de nature inductive dans le cas
d’apparition de modes TE. Certains obstacles font apparaı̂tre les deux types de modes.
A une fréquence particulière, l’énergie magnétique totale est égale à l’énergie électrique,
il s’agit d’obstacles résonnants [I.10].
Figure 1.10: Sections sur des guides avec obstacles
1.4.2.2 Les obstacles semi infinies
Un obstacle est semi infini ou long quand sa longueur dans le sens de la propagation
est très grande par rapport à la longueur d’onde, par exemple : les jonctions entre deux
guides d’ondes différents (figure .1.11)[I.11, I.12].
Figure 1.11: Discontinuité semi-infinie

1.5 Modélisation numérique
La résolution des équations de Maxwell avec un ensemble de conditions aux limites

de façon analytique n’est seulement possible dans certains cas simples. Avec les perfor-
mances des nouveaux ordinateurs, de nouvelles méthodes ont étédéveloppées pour traiter
des problèmes plus complexes. Chacune de ces méthodes numériques a ses points forts
mais également ses faiblesses ; l’application d’une méthode sans avoirune vision critique
de l’interprétation des résultats peut conduire à l’échec et à des résultats erronés. Pour
un problème donné il est très important de choisir la méthode la plus appropriée. Dans
la suite une présentation de quelques méthodes les plus connues et nous présenterons
succinctement le principe de base de chaque méthode.
1.5.1 La méthode des éléments finis (FEM)
En électromagnétisme, la méthode des éléments finis [I.13, I.14] a été utilisée en pre-
mier lieu pour étudier des structures guidantes (guides d’ondes de section arbitraire,
des guides partiellement remplis de diélectrique et de lignes imprimées blindées). Par
la suite, des problèmes tridimensionnels ont aussi été abordés, notamment l’étude de
cavités partiellement chargées de diélectrique et les réflexions produites par des objets
disposés dans des guides d’ondes. Nous désignons par méthode des éléments finis (FEM)
l’ensemble des techniques de résolution d’équations aux dérivées partielles où la fonction
à déterminer est remplacée par une approximation obtenue par combinaison linéaire de
fonctions de base dans un espace de dimension finie [I.15, I.16]. Elle consiste à discrétiser
les équations de Maxwell en amont, au niveau de la formulation aux dérivées partielles
des équations de propagation. Une première étape consiste à mailler le domaine de cal-
cul grâce à des éléments géométriques adaptés. L’étape suivante consiste à choisir une
distribution de fonctions test, respectant des conditions de dérivabilité et de continuité
au bord du domaine de calcul. L’intérêt d’une telle formulation réside dans le fait qu’elle
réunit en une seule expression l’équation d’onde et les conditions aux limites. Ce qui
est aussi intéressant dans cette méthode c’est sa capacité inhérente à rendre compte
de l’inhomogénéité des milieu x. En contre partie, cette méthode n’a été que très peu
utilisée, principalement en raison de la difficulté dans la génération du maillage d’une
géométrie complexe comme le corps humain (maillage non-uniforme).
1.5.2 Méthode des différences finies dans le domaine temporel (FDTD)
Cette méthode permet de résoudre numériquement les équations de Maxwell appliquées

à l’étude de structures volumiques [I.17, I.18, I.19]. La résolution numérique nécessite
alors une discrétisation spatiotemporelle de l’espace d’étude et celui-ci est donc discrétisé
en cellules élémentaires, généralement parallélépipédiques. Les champs électriques et
magnétiques y sont évalués à des instants différents. Cette méthode permet d’obte-
nir directement en fonction du temps l’évolution du champ électromagnétique. Puis
une transformée de Fourier est ensuite appliquée à la réponse temporelle pour obtenir
la réponse fréquentielle du système. En fonction du nombre de cellules utilisées pour
discrétiser la structure, les ressources informatiques nécessaires (espace mémoire, temps
decalcul) peuvent être importants. L’inconvénient de cette méthode est le temps de
calcul très long par rapport à la méthode des éléments finis.
1.5.3 La méthode des Moments (MoM)
La méthode des moments (MOM) a été introduite par Harrington en 1967 pour la
résolution de problèmes liés aux antennes [I.20]. C’est une procédure numérique qui
transforme une fonctionnelle (équation différentielle ou intégrale) en un système d’équations
linéaires. En électromagnétisme, la méthode des moments, utilisée principalement dans
le domaine fréquentiel, consiste à résoudre la formulation intégrale des équations de
Maxwell. Lorsqu’elle est appliquée, la densité de courant sur l’antenne est la variable
considérée et à partir de laquelle tous les paramètres de l’antenne sont déduits. La densité
de courant est discrétisée en un ensemble d’éléments appropriés appelés aussi fonction
de base, où les amplitudes sont inconnues à déterminer. Les conditions aux limites pour
les champs électriques et magnétiques sont renforcées sur la surface de l’antenne en
utilisant la fonction de test. En effet, de procédure dite procédure de test résulte un
système linéaire d’équations intégrales. Ce dernier peut être exprimé sous forme de ma-
trice et l’interaction entre les fonctions de base et les fonctions de test sont prises en
considération [I.21, I.22] . Si les fonctions de base et les fonctions de test sont choisis
identiques, la méthode est appelée méthode de Galerkin.
1.5.4 Étude comparative entre les différentes méthodes
Il est souvent possible de trouver une méthode qui soit bien adaptée à un type de
problème avec des contraintes précises mais il est impossible de trouver une méthode
globale capable de résoudre tous ces problèmes avec des performances optimales. Nous
proposons néanmoins un tableau récapitulatif des méthodes décrites précédemment.
Méthodes MoM FDTD FEM

Un maillage Un maillage sous Un maillage sous
Maillage simple (rec- forme des cubes forme de petits
tangulaire ou éléments finis
triangulaire ou
mixte)
Domaine Fréquentiel Temporel Fréquentiel
Utilise des fonc- Résout direc- Résout les
tions d’essai et tement les équations aux
Techniques de
d’expansion pour équations de dérivés par-
résolution
simplifier les Maxwell en tielles en utili-
intégrales et les utilisant les sant différentes
transformer en différences finies. méthodes s’ap-
matrices puyant sur la
résolution par
élément puis
l’assemblage des
résultats.
Un traitement ef- Ne nécessite Permet de
ficace des surfaces pas d’inver- prendre
Avantages
conductrices. sion de matrice. en compte
Seules les surfaces Implémentation précisément
sont maillées. simple. Le trai- les limites anato-
Prend en compte tement des miques du corps
automatiquement géométries et humain. Permet
les conditions des matériaux de s’adapter à un
aux limites pour inhomogènes est grand nombre de
les problèmes très simple. situations, vu que
de rayonnement non seulement la
ouverts. La taille des éléments
plupart des pa- mais aussi leur
ramètres peuvent forme et le degré
être déduits de d’approximation
la densité de de chacun d’eux
courant. peuvent être
modifiés.
Ne traite pas les Désire une bonne Les bases

matériaux volu- précision, la mathématiques
Inconvénients
miques : - Pour discrétisation du de cette méthode
les matériaux domaine doit sont relativement
homogènes une être suffisamment complexes. Ineffi-
formulation petite, ce qui a cace pour traiter
équivalente par pour conséquence des conducteurs
courant de sur- d’augmenter le rayonnants. Le
face doit être temps de calcul. maillage peut
utilisée. - Pour Cette méthode devenir très com-
les matériaux n’est plus efficace plexe pour des
inhomogène quand il s’agit structures 3D ce
une formulation de modéliser qui nécessite un
équivalent par des structures temps de maillage
courant volu- constituées de plus grand par
mique qui est conducteur par- rapport a celui de
très coûteuse fait simulation. Elle
numériquement. est plus complexe
La complexité à implémenter.
de la méthode
varie de façon
particulière.
1.6 Conclusion
Ce chapitre a constitué une présentation générale de Compatibilité électromagnétique.

Une revue sur les différentes méthodes numériques utilisées en électromagnétisme et
plus particulièrement dans notre contexte a été présentée dans ce chapitre. Cette dernière
fournit une vue globale sur les différentes méthodes numériques proposées dans la littérature
et par suite justifier le choix de la méthode qui sera adoptée dans nos travaux de thèse. En
fait, nous appliquons la méthode intégrale résolue par la méthode de circuits équivalents
généralisés combinée avec la méthode de moment.
Bibliographie du Chapitre I
[I.1] A. Charoy, “CEM-Parasites et perturbation des électroniques”, tome, Blindage,

filtres, câbles blindés, édition DUNOD .
[I.2] C. Tavernier, “Guide pratique de la CEM”, édition DUNOD.
[I.3] Bethe, ”Bethe’s aperture theory for arrays” American Physical Society, College
Park, MD, ETATS-UNIS (1990) (Revue) of different types and structures,”Progress
In Electromagnetics Research B, Vol. 3, 219-226, 2008.
[I.4] Tan-phu Voung “Contribution à l’Etude des Discontinuités dans les Guides d’Ondes
Métalliques Creux. Applications aux Antenne et aux Filtres” Thèse de Doctorat,
Institut National Polytechnique de Toulouse. 1999 media,” Progress In Electroma-
gnetics Research B, Vol. 10, 145- 161, 2008.
[I.5] N. Marcuvitz “Waveguide Handbook” Peter Peregrinus Ltd On behalf of The Ins-
titution of Electrical Engineers, Polytechnic Institute of New Work, 1986
[I.6] V. Nikolski “Electrodynamique et Propagation des Ondes Radion-Electriques” Edi-

tions Mir, Moscou, 1982
[I.7] R. E. Collin, “Field Theory of Guided Waves”, IEEE Press, 1991.
[I.8] C. Yeh F. I. Shimabukuro “The Essence of Dielectric Waveguides” Springer Science

and Business Media, 2008
[I.9] Désiré Lilonga-Boyenga “Contribution à la nouvelle formulation variationnelle : Ap-

plication aux études des discontinuités et des filtres en guides d’ondes métalliques”
Thèse de Doctorat, Institut National Polytechnique de Toulouse, Novembre 2005.
[I.10] Belmegunai Mohamed “Etude des Discontinuités Uniaxiales en Guides d’Ondes

Rectangulaires Métalliques. Application à la Modélisation des Filtres Multicellu-
laires Micro-ondes ” Thèse de Magister, Département d’Electronique, Constantine
1999
[I.11] Hartmut Patzelt and Fritz Arndt “Double-plane Steps in Rectangular Waveguides
and their Application for Transformers, Irises, and Filters”, IEEE Transactions on
Microwave Theory and Techniques, vol.MTT-30, NO. 5, May 1982 pages 771-776
[I.12] David M. Pozar, ”Microwave Engineering,” Second Edition, John Wiley & Sons,
Inc., 1988.
[I.13] J. M Jin. “The Finite Element Method in Electromagnetics”. New York : Wiley,
1993.
[I.14] B. LENOIR, D. BAILLARGEAT, S. VERDEYME, P. GUILLON “ Finite ele-

ment method for rigorous design of microwave bandpass filter device using periodic
metallic lattice ”. 29th European Microwave Conference, Munich 1999.
[I.15] D. Arena, M. Ludovico, G. Manara and A. Monorchio, “Analysis of waveguide

dis-continuities using edge elements in a hybrid mode matching/finite elements
approach”. IEEE Microwave and Wireless Components Lett, 11, No.9, 379-381,
2001.
[I.16] M. D. Deshpande, “Analysis of waveguide junction discontnuities using finite ele-

ment method”. NASA, 1997.
[I.17] R. E. Collin, Fundations for microwave engineering, New-York : McGraw-Hill,

1966
[I.18] K. Ise , K. Inoue and M. Koshiba, “Three dimensional finite element method with
edge element of electromagnetic waveguide discontinuities”. IEEE Transactions on
MTT, 39, 1289 - 1295, 1991.
[I.19] A. Taflove, “Computational Electromagnetics : The Finite-Difference Time-

Domain Method”. Norwood, MA : Artech House, 1995.
[I.20] H. Auda and R. F. Harrington, “A moment solution for waveguide junction pro-
blems”. IEEE Transactions on MTT, 31, 515 - 519, 1983.
[I.21] S. C. Wu and Y. L. Chow, “An application of moment method to waveguide

scattering problems”. IEEE Transactions on MTT, vol. 20, pp 749 - 759, Nov.1972.
[I.22] T. Aguili, “Modélisation des composants S. H. F planaires par la méthode des

circuits équivalents généralisés. Thesis, National Engineering School of Tunis ENIT,
May 2000.
Chapitre 2
Méthode des Circuits Équivalents Généralisés(MGEC)
2.1 Introduction
De nombreuses méthodes ont été utilisées pour modéliser les discontinuités dans les
guides d’ondes. Les méthodes intégrales sont les mieux adaptées pour effectuer cette
étude. En effet, ces méthodes permettent de réduire la dimension du problème puis
qu’elles écrivent les conditions aux limites initiales sous la forme d’une équation intégrale
définie sur la surface de l’obstacle. Lorsque la complexité des structures étudiées aug-
mente, la résolution devient compliquée.Les circuits équivalents ont été introduits dans
le développement de la formulation des méthodes intégrales dans un essai de transpo-
sition des problèmes de champ en problèmes de circuits équivalents généralement plus
simples à traiter.
2.2 Théorie des Circuits Équivalents Généralisés
Les phénomènes électromagnétiques sont décrits par les équations de Maxwell qui définissent
les lois physiques régissant la variation du champ électrique et magnétique en fonction
du temps et de l’espace. C’est pour cette raison que toutes les méthodes numériques en
électromagnétisme sont fondées sur la résolution des équations de Maxwell. En régime
harmonique, ces équations s’écrivent par (2.1).
⎧
⎪
⎪ H = jωεE
+ J
⎪rot
⎪
⎪
⎪
⎪
⎨rot
E = −jωμH −M
(2.1)
⎪
⎪
⎪ =ρ
div E
⎪
⎪ ε
⎪
⎪
⎩div B
= 0
Chapitre 2. Méthode des Circuits Équivalents Généralisés(MGEC) 23
et le champ magnétique B
Le champ électrique E sont des vecteurs dont l’amplitude
et la direction varient en fonction des coordonnées spatiales et temporelles. Lorsqu’on a
se lie au champ magnétique B
un milieu homogène, l’intensité magnétique H par une
= μH).
relation linéaire (B ω est la pulsation en régime harmonique. μ et ε correspondent
respectivement à la perméabilité et la permittivité du milieu.
Pour alléger la résolution des équations de Maxwell, la méthode des circuits équivalents
fût proposée par Baudrand [II.1, II.2, II.3, II.4] dans le but de représenter les équations
intégrales par des circuits équivalents. Cette représentation sert à exprimer les conditions
aux limites du champ électromagnétique inconnu à l’aide d’un seul circuit électrique.
Ce dernier peut être considéré comme une vraie image électrique de la structure à étudier
puisqu’il décrit fidèlement la discontinuité ainsi que son environnement :
— Au niveau de la discontinuité, l’état électromagnétique est décrit par des fonctions
d’essai généralisées qui sont modélisées par des sources virtuelles ne stockant pas
d’énergie. L’introduction de ces sources virtuelles permet de représenter toutes les
relations de passage imposées au champ électromagnétique à la traversée d’une
surface donnée.
— L’environnement de la discontinuité est exprimé par un opérateur impédance (ou
opérateur admittance) qui représente les conditions aux limites de part et d’autre
de la surface de discontinuité.
— L’onde qui excite la surface de discontinuité est représentée symboliquement par
une source (localisée ou modale ) de champ ou de courant dite réelle puisqu’elle
dĺivre de la puissance.
La modélisation électromagnétique par les circuits équivalents généralisés (GEC) étend
les lois de Kirchhoff généralement employé avec le concept (V, I) au formalisme de Max-
well (E, H). Pour qu’on puisse appliquer les lois de Kirchhoff de façon analogue au cas
des basses fréquences, on doit substituer le champ magnétique par la densité de cou-
rant J définie par J = H
∧ n où n est la normale à la surface de discontinuité. Il faut
mentionner que ces circuits équivalents sont généralement associés à des interfaces par-
faites où le champ électrique et la densité du courant sont définis sur deux domaines
complémentaires.
Pour décrire convenablement les différents composants du circuit équivalent, il convient

de donner une représentation symbolique figure.2.1 de la discontinuité et de son envi-
ronnement [II.5, II.6, II.7, II.8] .
Figure 2.1: Représentation symbolique de la surface de discontinuité (S) formée par

deux sous-domaines (S01 : domaine métallique)
et (S02 : domaine diélectrique) où (S =
S01 S02 ).
Figure 2.2: Représentation des conditions aux limites par un schéma équivalent,
2.2.1 Formalisme Mathématique adopté
Les grandeurs électromagnétiques manipulées sont définies sur des domaines plans Ω de
2 . Ces grandeurs appartiennent à l’ensemble des fonctions de carrées sommables L2 (Ω)
ce qui se traduit par la manipulation de grandeurs à énergies finies. On introduit aussi
le formalisme mathématique des bra-ket : soit u un vecteur de L2 (Ω), le bra u| est la
fonctionnelle liée au produit scalaire défini par l’équation (2.2) et le ket |u désigne le
vecteur u.
Au produit scalaire (2.2), on associe la norme correspondante (2.3).

∀u, v ∈ L2 (Ω), (u, v) = (u|, |v ) = u, v = u∗ (r).v(r).dr 2 (2.2)
Ω

∀u ∈ L2 (Ω), ||u||2 = u, u (2.3)
2.2.1.1 Extension des lois de Kirchhoff
Les équations intégrales dérivent des équations qui expriment les conditions aux limites
sur la surface de discontinuité. Par conséquent, seules les composantes tangentielles du
champ électromganétique sont à considérer. Soient S1 et S2 , deux surfaces infiniment
proches de la surface de discontinuité (S), situées de part et d’autre de cette dernière.
Les conditions de continuité des composantes tangentielles du champ électromagnétique
sur la surface (S) se traduisent par :
— Une égalité entre le champ tangentiel sur la surface (S) et les champs tangentiels
de part et d’autre de (S)
E1 = E
= E2 (2.4)
Cet état électromagnétique est similaire à celui dans un circuit électrique où la tension
est la même de part et d’autre des connections joignant les fermetures gauche et droite
du circuit.
1 − H
— Une relation de passage de type H 2 = J ∧ n1
1 et H
Notons que H 2 son les champs magnétiques tangentiels aux surfaces S1 et S2 situées
de chaque coté de la surface (S), J est le courant électrique sur (S) dont l’existence est
fortement liée à la présence de région métallique dans (S), et n1 est la normale à la
surface (S) dirigée vers la région 1 comme illustré figure.2.1. En tenant compte du fait
que n2 = −n1 , la relation de passage sera donnée par l’équation (2.5)
1 + n2 ∧ H
n1 ∧ H 2 = J (2.5)
i ∧ ni )i=1,2 , l’équation (2.5) s’écrit :

En introduisant les courants équavalents (Ji = H
J = −(J1 + J2 ) (2.6)
A partir de l’équation (2.4), on déduit q’une surface (S) quelconque se représente au

niveau du circuit électrique par deux connexions comme illustré figure.2.3 (b).
L’équation (2.6) établit une relation analogue à la deuxième loi de Kirchhoff qui la loi
des noeuds pouvant être illustrée par la figure.2.4 (b)
Figure 2.3: (a) Relation de continuité du champ électrique tangentiel, (b)

Représentation symbolique au niveau du circuit électrique.
Figure 2.4: (a) Relation de discontinuité du champ magnétique tangentiel, (b)

Représentation symbolique par une loi des noeuds pour le courant
2.2.1.2 Fonction d’essai généralisées
Les fonctions d’essai généralisées décrivent l’état électromagnétique au niveau de la sur-

face de discontinuité (S) qui se compose de deux domaines complémentaires tel que

S = S01 S02 . Généralement, le champ s’annule sur un sous -domaine S01 de (S) et ad-
met une valeur non nulle sur le domaine complémentaire S02 . Cet état électromagnétique
s’exprime par une fonction d’essai généralisée définie sur S02 et qu’on représente par une
source virtuelle.
Par définition, une source virtuelle désigne une grandeur vectorielle non nulle sur un
sous-domaine Se inclus dans le domaine total (S) de la structure et dont la grandeur
duale s’annule sur ce domaine. Se est dit domaine de la source virtuelle.
Il existe deux sortes de sources virtuelles Je . On va expliquer dans ce qui suit comment
choisir l’une ou l’autre des deux sources. Pour ce faire, on va supposer que la surface de
discontinuité (S) se compose de deux sous-domaines complèmentaires : un sous-domaine
S01 isolant et un sous-domaine complémentaire S02 . Sur le domaine S01 , on vérifie que
E1 = E2 = 0 et J = 0. Cette condition est représentée figure.2.5.a par une source
virtuelle de champ Ee définie sur S01 .
Sur le domaine S02 , on a E1 = E2 = 0 et J = −(J1 + J2 ) = 0. Cette condition se traduit
par une source virtuelle de courant Je ( figure.2.5.b) définie sur le domaine S02 .
Figure 2.5: Représentation symbolique des sources virtuelles : (a) source virtuelle de
champ, (b) source virtuelle de courant.
Une source virtuelle de champ Ee est représentée symboliquement par un circuit ouvert
sur son domaine de définition Se et par un court-circuit sur le domaine complémentaire
de Se dans S (noté S e . De même, une source virtuelle de courant Je est représentée
symboliquement par un court-circuit sur son domaine de définition Se et par un circuit
ouvert sur le domaine complémentaire S e .
Figure 2.6: Représentation symbolique des sources virtuelles dans leurs domaines de
définition et dans leurs domaines complémentaires.
2.2.1.3 Opérateur impédance
L’opérateur impédance (ou admittance) permet de décrire l’environnement de la struc-

ture. En effet, les conditions aux limites imposées au champ électromagnétique dans les
deux régions (surfaces infiniment proche de (S) notées S1 et S2 ) de part et d’autre de
(S) sont représentées par un dipôle. La relation entre le champ Ei et le courant Ji sur
chacune des surfaces S1 et S2 s’écrit sous la forme suivante.
Ei = Zi Ji (2.7)
ou encore
Ji = Yi Ei (2.8)
Vu la continuité du champ, on pourra déduire une relation analogue à celle de (2.7)(2.8)

relaint le champ et le courant sur la surface (S) comme suit :
E = ZJ (2.9)
ou encore
J =YE (2.10)
Il apparaı̂t ainsi une loi d’ohm généralisée dans le concept des champs où l’opérateur Y
est associé au demi-espace formé par le contour (C) et la surface orientée par la normale
n pointée vers (C).
L’opérateur admittance permet de calculer J sur la surface orientée (S) à partir de

la donnée du champ électrique E sur la surface (S) en connaissant la répartition du
courant J sur cette surface. L’unicité de la définition de l’opérateur impédance (encore
H)
admittance) découle de l’unicité de la solution (E, ou (E, J) sur la surface (S). En

plus, l’existence de Y et Z dépend de l’existence de E et J.
Figure 2.7: Equivalence entre (a) le demi-espace (S + C) et (b) un circuit dipôle

Dans la définition de Y (ou Z) sur une surface (S), il faut que cette surface soit fermée ou
limitée sur un contour (C). Si non, J sur la surface (S) dépend des valeurs que prendrait
le champ électrique en d’autres points du domaine globale. On sera amené dans ce cas
à introduire la fonction de Green liant le champ électrique à la densité superficielle du
courant Js définie sur (S).
2.2.2 Relation entre l’opérateur admittance et les fonction de Green
En appliquant la loi des noeuds généralisée et la loi d’ohm déjà définies, on obtient la
relation (2.11) où les indices 1 et 2 désignent les deux demi-espaces de part et d’autre
de la surface (S).
Js = −(Y1 + Y2 )ET (2.11)
Puisque la fonction de Green est définie sur l’espace totale, l’opérateur G associé à cette
fonction est appelé opérateur de Green G = −(Y1 + Y2 ).
Dans le cas d’une cavité à parois magnétiques, l’expression de l’opérateur impédance se
déduit facilement de celle de l’opérateur de Green. En effet, dans ce cas, l’opérateur G
s’écrit sous la forme :
1
G(r, r ) = fn (r) ⊗ fn (r ) (2.12)
n
λn
Avec λn = ωn2 εμ−ω 2 εμ tel que ωn est la pulsation de résonnace correspondante au nieme
mode propre de la cavité représenté par fn , ⊗ est le produit dyadique.
D’autre part, la définition mathématique de l’opérateur de Green s’écrit par :
= −jωμG.J
E (2.13)
En remplaçant dans (2.13) l’opérateur G par son expression donnée (2.12), on pourra
écrire l’expression de l’opérateur impédance comme suit :
jωμ
Z= fn (r) ⊗ fn (r ) (2.14)
n
λn
En utilisant le formalisme mathématique des bra-ket, le produit dyadique fn (r) ⊗ fn(r )
s’écrit sous la forme |fn fn |. L’ensemble des {|fn } constitue une base complète. L’opérateur
impédance Z s’écrit alors :
jωμ
Z= |fn fn | (2.15)
n
λn
2.2.3 Les sources électromagnétiques
On distingue deux types de sources électromagnétiques : les sources localisées et les

sources étendues.
2.2.3.1 Les sources localisées
Les équations du champ électromagnétique dans un milieu linéaire sont données par :
⎧
⎨rot
H = jωεE
+ J
(2.16)
⎩rot
E = −jωμH −M
→ −
− →
Les termes J et M représentent les sources dans le milieu d’étude. Leur interprétation
→ −
− →
varie d’un problème à un autre. Dans certains cas, J etM peuvent représenter des sources
→
−
réelles qu’on appelle Impressed currents. Dans d’autres problèmes, J peut représenter
−
→
un courant de conduction, ou un courant de polarisation électrique.M peut représenter
un courant magnétique ou encore un courant de polarisation magnétique. D’une manière
→ −
− →
générale, J et M pourraient représenter des sources dans le formalisme des équations de
Maxwell avec des interprétations physiques qui varient selon le cas étudié.
En terme de concept de “champ”, Harrington représente dans [II.10] une source de cou-
rant par un court-circuit où circule un “Impressed current” en série avec un conducteur
parfait figure 2.8. Il représente également une source de tension par une petite boucle
de courant magnétique entourant un conducteur parfait figure 2.9.
On remarque que les sources représentées figure 2.8 et figure 2.9 correspondent à des
générateurs de courant et de tension idéaux où les impédances internes sont respective-
ment infinies et nulles.
Figure 2.8: Représentation symbolique d’une source de courant localisée

Figure 2.9: Représentation symbolique d’une source de tension localisée
En comparant les expressions de la puissance fournie par ces sources, Aguili [II.2] a pu
démontrer que les deux types d’excitation sont équivalents et aboutissent aux mêmes
résultats. Cette équivalence reste vraie à condition que les dimensions des sources et
des accès soient petites devant la longueur d’onde. Bien que ces sources permettent la
caractérisation des structures en dynamique, on leurs préfère les sources mathématiques.
La source mathématique la plus utilisée est connue sous le nom ”DELTA GAP VOL-
TAGE”. Dans ce type d’excitation, les accès du circuit sont supposés alimentés par une
source de tension d’amplitude Vm appliquée dans un gap de dimensions très faible dans
le plan du circuit. Une source localisée doit avoir nécessairement une dimension non
nulle pour pouvoir appliquer une tension électrique. En plus, cette dimension doit être
négligeable devant la longueur d’onde pour assurer l’unicité de la définition de la source
et la non dépendance de la charge. Une source localisée planaire peut être schématisée
par une surface (SSrc ) de petite dimension par rapport à la longueur d’onde et aux
dimensions de la surface de discontinuité. Cette source SSrc doit être isolée des courants
extérieurs, en dehors des bornes. Pour cette raison, on peut la représenter par une surface
limitée par des murs électriques et magnétiques figure 2.10.
Figure 2.10: Définition d’une source planaire localisée
Il existe deux types de sources (mathématiques) planaires localisées :
- Une source de courant électrique J0 représentée dans le schéma équivalent par un

générateur de courant de puissance non nulle, mis en parallèle figure 2.11 a.
- Une source de tension ou de champ électrique E0 représentée dans le circuit équivalent

par un générateur de tension mis en série figure 2.11 b.
Figure 2.11: Représentations symboliques des sources planaires localisées : (a) source
de courant électrique, (b) source de tension ou de champ électrique
2.2.3.2 Les Sources étendues
Les sources étendues sont des sources modales de type champ électrique ou magnétique
relatif au guide d’amené. Ces sources sont utilisées pour étudier des structures dans des
guides d’ondes homogènes ou inhomogènes. Selon la nature du guide, une base modale est
définie. Cette dernière peut être subdivisée en deux groupes, les modes d’ordres inférieurs
(dits actifs) et les modes d’ordres supérieurs (dits passifs) La surface de discontinuité
peut être excitée par un ou plusieurs modes actifs. Les modes d’ordres supérieurs sont
localisés et par conséquent servent à décrire les variations abruptes au voisinage des
discontinuités. Ces modes passifs sont supposés fermés par leurs impédances de modes.
On distingue deux types de sources modales d’excitation :
- Sources modales de champ
- Sources modales de courant Ces sources délivrent une puissance dans le guide, c’est
pourquoi elles sont dites réelles (par opposition aux sources virtuelles)
a) Source Modale de Champ
(i)
Cosidérons le cas d’une excitation mono-mode. Soit (E0 )i=1,2 le champ électrique trans-
verse correspondant au mode fondamental (f0i )i=1,2 du guide situé du coté i de la surface
(i) (i) (i)
de discontinuité. L’excitation s’écrit (E0 = V0 f0 )i=1,2 .
L’impédance interne Z (i) de la source représente la contribution des modes évanescents
du guide du coté i dans la distribution du champ électromagnétique à l’interface de dis-
continuité. Cet opérateur s’exprime par les relations (2.17) ou (2.18) suivant la nature
du guide.
Pour les modes TE ou TM (guide homogène)
Z1,2 = |fn ZMn fn | (2.17)

n
|fn :fonction de base de type champ électrique

ZMn : impédance de mode.
Pour les modes hybrides (guide inhomogène)
zMn
Z1,2 = |jn jn | (2.18)
n
Nn∗
|jn : fonction de base de type densité de courant.

zMn : impédance de mode réduite.
Nn∗ : fonction de normation.
La source modale de champ est représentée figure.2.12.
Figure 2.12: Représentation symbolique de la source modale de champ dans un guide

(i)
(i)
A partir de cette représentation, on déduit que : E (i) = E0 − Z (i) J (i) . L’opérateur Z (i)
ainsi défini est inversible vue qu’il manque le projecteur sur le mode fondamental.
b) Source Modale de courant
(i) (i) (i) (i)

Soit J0 la densité de courant du mode fondamental du guide i tel que J0 = I0 f0 . La
source modale de courant est représenté figure.2.13. En appliquant les lois de Kirchhoff
(i)
et d’Ohm, on déduit la relation J (i) = J0 − Y (i) E (i) .
Figure 2.13: Représentation symbolique d’une source modale de courant dans un

guide (i)
L’admittance interne Y (i) de la source représente la contribution des modes évanescents

du guide du coté i dans la distribution du champ électromagnétique à l’interface de
discontinuité. Cet opérateur s’exprime par les relations (2.19)ou (2.20) suivant la nature
du guide considéré.
Pour les modes TE ou TM (guide homogène)
Y1,2 = |fn YMn fn | (2.19)

n
|fn :fonction de base de type champ électrique

YMn :admittance de mode.
Pour les modes hybrides (guide inhomogène)
y Mn
Y1,2 = |jn jn | (2.20)
n
Nn∗
|jn : fonction de base de type densité de courant.

yMn : admittance de mode réduite.
Nn∗ : fonction de normation.
2.3 Exemple d’une formulation d’un probléme aux limites
D’après le principe de la méthode (MGEC), lorsque les équations intégrales, qui décrivent
le probléme posé, sont traduit à un simple circuit équivalent, nous pourrons appliquer
dans la suite les lois kirchhoff généralisées (en termes de courant et de tension) et la
loi équivalente à la loi d’Ohm tout en introduissant la notion d’opérateur ( impédance
- admittance) aux circuits obtenus. En effet, nous pouvons extraire une représentation
formelle entre les sources (virtuelles et réelles) et leurs grandeurs duales sous la forme
suivante :
⎡ ⎤ ⎡ ⎤
Grandeursduals Sources
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ des sources reelles ⎥ = H × ⎢ reelles et ⎥ (2.21)
⎣ ⎦ ⎣ ⎦
et virtuelles virtuelles
2.3.1 Exemples de Circuits équivalents
On considère une surface (S) infiniment mince formée de deux domaines disjoints : un
domaine diélectrique (SI ) et un domaine métallique parfait (SM ). Le circuit équivalent de
la figure.2.14 représente les conditions aux limites lorsqu’on adopte une source virtuelle
de champ.
Figure 2.14: Représentation des conditions aux limites par un schéma équivalent, cas
d’une source virtuelle de champ.
Lorsque la structure admet un plan de symétrie paire par rapport à la surface de dis-
continuité, on n’a besoin que de la moitié du schéma équivalent. La figure.2.15 donne le
schéma équivalent simplifié.
Figure 2.15: Schémas équivalents simplifiés : cas d’une source virtuelle de champ.
Le schéma équivalent modélise convenablement l’équation générale aux limites. Un choix

judicieux des fonctions d’essai est important pour que la solution du problème respecte
les conditions physiques réelles. Une meilleure convergence des résultats numériques est
obtenue lorsque les fonctions d’essai utilisées vérifient les conditions aux limites. Dans ce
qui suit, on va déterminer la relation formelle entre les sources et leurs grandeurs duale
dans le cas du circuit présenté dans la figure.2.15.
En appliquant les lois de Kirchhoff et la loi d’Ohm au circuit de la figure.2.15, on obtient

le système d’équations suivant :
⎧
⎪
⎨J = −Je
(2.22)
⎪
⎩E = E + Ẑ.J
e 0 e
Ce système s’écrit alors sous la forme matricielle suivante :

J 0 −1 E0
= (2.23)
Ee 1 Ẑ Je
De manière générale, cette équation n’admet pas de solutions analytiques connues. Les
expressions des inconnues J et Ee du problème ne peuvent pas être déterminées direc-
tement. Pour résoudre ce système d’équations, il faut faire appel à l’une des méthodes
numériques existantes. On optera ici pour la méthode de Galerkin connue par la simpli-
cité de sa formulation et la généralisation de son application.
2.3.2 Principe de la méthode de Galerkin
La méthode des moments est une méthode de résolution numérique de problèmes linéaires
avec des conditions aux limites. La méthode consiste à ra-mener le problème à un
problème matriciel de la forme Ax = B. où A est une matrice, x un vecteur inconnu
dont on recherche les solutions et B un vecteur connu. Lorsque c’est possible, l’inversion
de la matrice A permet de déterminer les solutions recherchées.
Cette méthode permet de résoudre aisement les équations inhomogènes du type :
L(f ) = g (2.24)
où L est un opérateur linéaire, f et g deux fonctions. Généralement, on nomme la fonction

g le terme excitation ou source, et f le terme de courant ou la réponse, l’inconnu que l’on
cherche à déterminer. La fonction f peut être décomposée sur une base de fonctions fi :
f= αi fi (2.25)
i=1,n
Nous définissons également un produit scalaire dans l’espace des fonctions (géné-ralement
un espace de Hilbert) ainsi que des fonctions tests wj dans le domaine de l’opérateur L.
En prenant le produit scalaire de l’équation précédente avec chaque wj , nous obtenons :
f= αi wj , L(fi ) = wi , f (2.26)

i=1,n
Cette série d’équations peut se récrire sous forme matricielle :
[L] [α] = [g] (2.27)
Si la matrice [l] est inversible, alors les coefficients αi peuvent être calculés par :
[α] = [L]−1 [g] (2.28)
Cas particulier : méthode de Galerkin :
Lorsque les fonctions tests wi sont choisies telles que wi = fi , cette méthode est connue
sous le nom de méthode de Galerkin, du nom du mathématicien Russe Boris Grigoryevich
Galerkin.
2.3.3 Application de la méthode de Galerkin pour la résolution d’un

problème aux limites
Considérons le cas du circuit équivalent de la figure.2.15. On suppose que la structure

est symétrique par rapport à la surface de discontinuité qui se trouve dans la section
droite (Z = 0) d’un guide d’ondes rectangulaire. Notons (fmn )m,n=(0,1,....M,N ) la base
modale relative à ce guide. On considère le cas d’une excitation monomodale par le
mode fondamental E = V0 f0 du guide d’ondes considéré. Les modes d’ordres supérieurs

sont utilisés pour définir l’opérateur impédance Z = |fm zm fm
m1
Je est une source virtuelle définie sur les domaines métalliques de la surface de disconti-
nuité. Puisque le courant Je est l’inconnue du probléme, il est exprimé par une somme de
Ne fonctions test connues (gp )p=(1,2,...,N e) multipliées par des coefficients de pondérations
inconnus (xp )p=(1,2,...,N e) comme suit :
Ne
Je = xp gp (2.29)
p=1
L’objectif est de calculer les coefficients de pondération (xp ) afin de déterminer la dis-
tribution du courant J et du champ Ee sur la surface de discontinuité.
Soit l’équation (2.30) définie par l’application des lois de Kirchhoff et d’Ohm au circuit
équivalent de la figure.2.15.
⎧
⎪
⎨J = −Je (a)
(2.30)
⎪
⎩E = E + Ẑ.J (b)
e 0 e
Le courant J s’exprime sous la forme d’une somme de fonctions de base modale (fm )m=(0,1,2....,M )
pondérées par des coefficients inconnus (Im )m=(0,1,2....M ) .
M
J= Im f m (2.31)
m=0
L’application de la méthode de Galerkin pour résoudre le problème électromagnétique

décrit par l’équation (2.30) consiste à projeter l’équation (2.30) a sur le mode d’excitation
f0 et à projeter l’équation (2.30) b sur les fonctions test (gp )
M
Ne

J = −Je ⇒ f0 , J = f0 , −Je ⇒ f0 , Im f m = − f0 , xp gp (2.32)
m=0 p=1
Or les (fm )m=(0,1,...,M ) forment une base orthonormée c.à.d. fn , fm = δmn , ainsi l’équation
(2.32) s’écrit de la façon suivante :
Ne
I0 = − (xp f0 , gp ) (2.33)
p=1
Projetons maintenant l’équation (2.30) b sur les fonctions test (gp )p=(1,2,...,N e).
∀s ∈ {1, 2, ...N e}
N N
Ee = E0 + Ẑ.Je ⇒ gs , Ee = gs , E0 + gs , ZJe (2.34)
i=1 i=1
Puisque les fonctions d’essai et le champ dual sont définis sur des domaines complémentaitres
alors gs , Ee = 0. Par conséquent, l’équation (2.34) devient :
Ne

0 = gs , V0 f0 + gs , Z xp gp (2.35)
p=1
Cela nous permet de déduire la relation suivante :
Ne
0 = V0 gs , f0 + xp gs , Zgp (2.36)
p=1
En utilisant les équations (2.33) et(2.36), on déduit l’écriture matricielle suivante :

I0 0 −[A] V0
= (2.37)
[0] [A]T [B] [X]
Avec
[A] = [[f0 |gp1 ] [f0 |gp2 ] · · · [f0 |gpN ]] (2.38)
et ⎡ ⎤
gs1 , Ẑ|gp1 ··· gs1 , Ẑ|gpN
⎢ ⎥
⎢ .. .. .. ⎥
[B] = ⎢ . . . ⎥ (2.39)
⎣ ⎦
gsN , Ẑ|gp1 ··· gsN , Ẑ|gpN
[X] = [[xp1 ][xp2 ] · · · [xpN ]]T (2.40)
A partir de la relation (2.37), on déduit le système d’équations ci-dessous :

⎧
⎪
⎨I0 = −[A][X]
⎪
(2.41)
⎪
⎪
⎩
[0] = [A]T .V0 + [B][X]
La résolution de ce système (2.41) nous permettra de calculer l’impédance d’entrée

V0
Zin = vue par la source d’excitation, les coefficients de pondérations (xp )p=(1,2,...,N e)
I0
et les distributions du courant surfacique J et du champ diffracté (Ee ) au niveau de la
surface de discontinuité.
2.3.3.1 Détermination de la distribution du courant et la distribution du

champ
Distribution du courant
Le courant J0 s’écrit comme étant une somme des modes de la base locale pondérés par
des coefficient inconnus (Im ) qu’on se propose de calculer.
M
J0 = Im f m (2.42)
m=0

Ainsi, ∀n ∈ {0, 1, 2...., M }, fn , J = fn , M
m=0 Im fm = In puisque les (fm ) forment
une base orthonormée.
Par conséquent, on a :
M
J0 = fm , J fm (2.43)
m=0
D’autre part, d’après l’équation (4.1) a , on dispose de la relation J0 = −Je . En rem-

plaçant dans (4.6), on trouve :
Ne

Im = fm , J0 = fm , −Je = − fm , xp gp (2.44)
p=1
Donc on a :
Ne
Im = − xp fm , gp (2.45)
p=1
Distribution du champ
Le champ diffracté Ee exprimé par l’équation (4.1) b s’écrit en fonction des sources
d’excitation, de l’opérateur impédance Z dû aux modes localisés, et du courant Je de la
source virtuelle.
M M
Ee = E0 + ZJe = V0 f0 + |fm zm fm , Je ⇒ V0 f0 − Im zm |fm (2.46)
m=1 m=1
2.4 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons présenté les concepts de la modélisation par des cir-
cuits équivalents généralisés dont le but est de simplifier la résolution des problèmes
électromagnétiques en transposant le problème de champ en un problème de circuit

plus simple à manipuler. Le problème ainsi formulé, sa résolution numérique se fait
en appliquant la méthode de Galerkin connue par la simplicité de sa formulation et la
généralisation de son application.
Bibliographie du Chapitre II
[II.1] Baudrand, H., “Representation by equivalent circuit of the integral methods in

microwave passive elements”, European Microwave Conference, Vol. 2, 1359–1364,
Budapest, Hungary, Sep. 10–13, 1990.
[II.2] T. Aguili, “Modélisation des composants S. H. F planaires par la méthode des

circuits équivalents généralisés. Thesis, National Engineering School of Tunis ENIT,
May 2000.
[II.3] H. Baudrand, and D. Bajon, ”Equivalent circuit representation for integral formu-
lations of electromagnetic problems,”International Journal of Numerical Modelling-
Electronic. Networks Devices and Fields, Vol.15, pp. 23-57, January 2002.
[II.4] Voyer,Thèse, “Modélisation électromagnétique par changement d’échelle appliquée

aux structures fractales planaires,” l’institut national po-lytechnique de toulouse
,2005
[II.5] S. Mili, “Thèse, Approche des Circuits Equivalents Generalises Multi-Echelles

Combinees a la Theorie de Groupe de Renormalisation pour la Modelisation
Electromagnetique des Structures Fractales Passives et Actives,” École Natio-nale
d’Ingénieurs de Tunis, Tunisie, 2011.
[II.6] Z. Mekkioui,Thèse, “ Contribution à l’analyse d’antennes diélectriques micro-

ruban à ondes de fuite unidimentionelle et bidimentionelle à motif métallique quel-
conque,” Faculté des sciences Université Abou Bekr Belkaidde Tlemcen , Algerie,
2004.
[II.7] N. Raveu and O. Pigaglio , “Résolution de problèmes hautes fréquences par les
schémas équivalents,” Éditions Cépaduès, Mai 2012.
[II.8] Mohammed El Amine El Gouzi and M. Boussouis,“hybrid method for analyse

discontinuities in shielded microstrip ,” International Journal of Engineering Science
and Technology , Vol. 2(7), 2010.
[II.9] Baudrand. H, Aubert. H, Bajon. D and Bouzidi. F ,“Equivalent network

representation of boundary conditions involving generalized trial quantities,”
ann.tèlècommun.,52, n 5-6, 1997.
[II.10] Harrington, R.F., “Field computation by moment methods,” IEEE Press,1993.

Chapitre 3
Validation et optimisation des performances de la

methode MGEC
3.1 Introduction
Dans le chapitre précédent, nous avons décrit la méthode des Circuits Équivalents
Généralisés (MCEG), fortement liée à la méthode des moments, où nous avons présenter
leur principe d’application en électromagnétisme. La méthode du Circuit Équivalent
Généralisé (MGEC) est bien adaptée pour étudier les circuits planaires en raison de leur
avantage multiple. Cependant, Lorsque la complexité des structures étudiées augmente,
elle atteint rapidement sa limitation en termes d’exigences (temps de calcul et stockage
de mémoire). Cela peut également être affecté par de mauvais problème de matrice à
grande échelle qui constitue un gros problème pour toutes les méthodes numériques.
Le présent chapitre est consacré à optimiser les paramètres de base de la méthode MGEC
(Deux types de sources d’excitation sont possibles, deux types de fonctions de test sont
possibles) Afin d’éviter les problèmes précédemment considérés. En fait, selon Les cas
possible de source d’excitation et de fonction test, nous pouvons obtenir quatre confi-
gurations possibles de circuits équivalents généralisés (GEC) qui peuvent modéliser un
problème électromagnétique. Notre objectif est de comparer ces configurations en termes
de précision et besoin de temps pour atteindre la convergence, puis déterminer le bon
GEC.
Chapitre 3. Validation et optimisation des performances de la methode MGEC 45
3.2 Formulation du problème
Certaines discontinuités dans la structure d’un guide d’onde, tel que celle d’un post
ou d’un iris, jouent un rôle très important dans la conception des composants micro-
ondes, tels que les fitres, les coupleurs et les éléments déphaseur [III.1, III.2]. Pour cela,
nous avons pensé dans ce travail à étudier de telles structures. Ces structures sont des
structures en guide d’onde.
On se propose dans ce travail de mener une étude électromagnétique des structures

considérées en utilisant MGEC . On va s’intéresser principalement à déterminer l’impédance
d’entrée et à prouver les conditions aux limites des configurations de circuits équivalents
appropriés. Ensuite, une comparaison a été réalisé entre ces configurations GEC. L’ob-
jectif de cette comparaison est de déterminer le GEC optimal avec peu de temps CPU,
et une convergence rapide et d’interpréter les résultats obtenus.
3.2.1 Présentation de structure étudiée
On se propose d’étudier la structure d’un iris de cantor inductif dans un guide d’onde
métallique rectangulaire représenté sur la figure.3.1 Cette structure a la caractéristique
d’être une structure 2D invariante sur la deuxième dimension et donc reportée souvent
comme une structure 1D. Le principe de construction de cette structure est de partir d’un
rectangle métallique plein sur lequel on réalise une opération d’extraction. On distingue
trois zones de la structure ; la zone vide (blanc) désigne le vide ou le diélectrique, les
deux rectangles pleins désignent le métal.
Figure 3.1: a)Iris de cantor inductif placé dans un guide d’onde de type EEEE : a =
11.45 mm, b = 11.3 mm et w = 1.8 mm, b)Vue longitudinale.
L’iris est placé en transverse d’un guide d’onde rectangulaire infini et excité par son
mode fondamental. Nous supposons aussi que l’axe des x correspond à l’axe horizontal
partant du début de la structure. L’axe y est quand à lui vertical, son origine coı̈ncide
avec l’arête du dessous de la structure. Le guide est défini par des arêtes de dimension
(a, b) respectivement horizontalement et verticalement. La structure est excitée par le
premier mode qui est le mode fondamental d’un guide d’onde rectangulaire à parois
électriques. Par hypothèse, nous nous plaçons dans la bande passante mono-mode, ainsi
seul le mode fondamental, qui est le mode qui a la plus basse fréquence de coupure : le
mode T E10 , se propage dans le guide.
Comme le mode T E10 ne dépend pas de la variable y, comme l’indique le ”0” placé en
deuxième indice de la notation T E10 , d’autre part la discontinuité est uniforme suivant
l’axe Oy. Par conséquent le problème aux limites à formuler est indépendant de la va-
riable y, tout comme le sont les modes fm excités par la diffraction du mode fondamental
sur l’obstacle.
On sait que l’expression analytique de ces modes est donnée par (3.1) :
⎧
⎨0
fm = (3.1)
⎩f (x)
my
Les modes ne représentent pas une composante selon x. En effet, les conditions aux
limites en y = 0 et y = b, imposés par les parois du guide impliquent dans le cas
général une variation de cette composante en fn (x)sin( mπy
b ). Ici, du fait de la symétrie
du problème, la base modale est indépendante de y, du sorte que l’indice m soit égal à
zéro, d’où l’annulation de la composante selon x.
Soit f0 le mode fondamental du guide. Les conditions aux limites en x = 0 et x = a

impliquent :
mπy
fm (x)sin( ) (3.2)
a
a
On définit le produit scalaire f, g = 0 f (x) dx, f, g ∈ L2
La base des fm est une base orthonormée alors on a f, g = 1. Ainsi les fonctions de
mode sont données par (3.3) :
⎧
⎨0
fm = (3.3)
⎩ 2 sin( mπy )
a a
Les éléments de cette base sont des modes TE. En effet, comme les modes doivent
être indépendants de la variable y, la fonction génératrice des modes TM s’annule. En
conclusion, la diffraction du mode fondamental sur l’iris excite uniquement des modes
TE dont l’expression est donnée par (3.4) :
⎧
⎨f = T E = 2 sin( πy )
a a
0 10
(3.4)
⎩f = T E = 2 sin( mπy )
m m0 a a
Pour l’intervalle de fréquence de travail, rappelons que la fréquence de coupure de ce

guide dans ce cas est donnée par :
mc
fc = (3.5)
2a
Le mode qui a la plus basse fréquence de coupure est donc le mode T E10 ; c’est le mode
dominant ; uniquement les modes qui ont f > fc peuvent se propager ; les autres sont
appelés modes évanescents. Comme on veut que uniquement le premier mode se propage,
il faut choisir fT E < f < fT E . Dans ce cas notre guide est appelé mono-mode. C’est
10 30
l’utilisation habituelle d’un guide d’onde, ce qui évite le phénomène de couplage entre
les modes.
3.2.2 Modélisation de la structure étudiée par la MCEG
3.2.2.1 Présentation de la structure a étudié
Plusieurs versions de circuits équivalents peuvent exprimer le problème de diffraction

par combinaison des modelés des sources d’excitations (champ ou courant) et virtuelles
(champ ou courant) [III.3, III.4, III.5]. Dans ce travail, quatre configurations GEC sont
possibles pour la modélisation de l’iris considéré [III.6, III.7]. Elles sont présentés dans
la figure 3.2.
Figure 3.2: Différentes configurations GEC modélisant le problème de diffraction (a)

source de courant réel + source de champ virtuel. (b) source de champ réel + source
de courant virtuel. (c) Source de champ réel + source de champ virtuel. (d) source de
courant réel + source de courant virtuel.
3.2.2.2 Choix des fonctions test
Les sources d’excitations sont polarisées verticalement. Par conséquent, les fonctions test
auront la même polarisation verticale. Il existe deux types de fonctions d’essai, fonctions
d’essai courant elles sont définies sur le domaine métallique et sont nulles ailleurs et
les fonctions d’essai champ elles sont définies sur le domaine diélectrique et sont nulles
ailleurs [III.8, III.9].
Plusieurs choix sont possibles : échelon, piecewise (linéaire ou sinusoı̈dale), sinusoı̈dale

étendue, numérique,...etc. Dans notre cas, on va s’intéresser aux fonctions d’essai de type
sinusoı̈dales étendues. Les fonctions sinusoı̈dales étendues sont définies sur des domaines
rectangulaires. Il est préférable de les choisir de même type que les fonctions de modes
du guide associé au domaine de leur définition. Un tel choix garantit l’obtention d’une
base complète orthonormée qui respecte parfaitement la nature physique de la grandeur
étudiée (champ ou courant)
Les conditions qu’on doit respecter dans le choix des fonctions d’essai sinusoı̈dales
étendues (champ ou courant) sont les suivantes :
Dans le cas des fonctions d’essai courant, les conditions aux limites sur une arête
métallique sont les mêmes que celles sur un mur magnétique.
Dans le cas des fonctions d’essai champ, les conditions aux limites sur une arête
métallique sont les mêmes que celles sur un mur électrique.
Sur un mur électrique :
- Le courant dirigé selon sa normale est maximal alors que le courant tangentiel est nul.
- Le champ tangentiel est nul alors que le champ dirigé selon la normale est maximal.
Sur un mur magnétique :
- Le courant dirigé selon la normale est nul alors que le courant tangentiel est maximal.
- Le champ tangentiel est maximal alors que le champ dirigé selon la normale est nul.
Les fonctions d’essai sur les domaines métalliques (1) et (2) sont de type courant fi-
gure 3.4. Par conséquent, les conditions aux limites sur les extrémités xmini = 0, a2 et
xmaxi = a1 , a de chaque domaine métallique (i) sont les mêmes que celles sur un mur
electrique. Par abus de langage, on dit qu’on a un mur electrique en xmini et xmaxi
comme schématisé la figure 3.3.
Figure 3.3: Cantor inductif.

-H $
í
í

[ P
Figure 3.4: Les fonctions d’essai de type courant.
Les fonctions d’essai sur le domaine diélectrique sont de type champ. Par conséquent,
les conditions aux limites sur les arrête xmini = a1 et xmaxi = a2 comme schématisé la
figure 3.5.

( 9P

H
í
í

[ P
Figure 3.5: Les fonctions d’essai de type champ.
3.2.3 Résolution de problème
En électromagnétisme, toute solution des equations de Maxwell est décomposable en

solutions paires et impaires. Autrement dit toute structure admet, d’un point de vue
électromagnétique deux plans de symétrie : l’un électrique et l’autre magnétique. Ces
plans sent contenus dans la section droite du guide dans le cas de l’iris étudié.
Le schéma équivalent des conditions aux limites peut être représenté dans les deux cas
de symétrie :
- Symétrie paire : on place un mur magnétique dans le plan de symétrie.
- Symétrie impaire : on place un mur électrique dans le plan de symétrie.
L’écriture générale de l’impédance d’entrée à la surface de discontinuité est donnée par :
Zin = 21 (Zpaire + Zimpaire ).
3.2.3.1 Première configuration GEC : Courant (source) / Champ (fonction

de test)
a) Cas de la symétrie impaire
Pour calculer l’impédance équivalente à la demi-discontinuité dans le cas de la symétrie

impaire, on place un mur électrique dans le plan de symétrie.
L’insertion d’un mur électrique dans le plan de discontinuité entraine l’annulation de Ee
sur tout le plan de discontinuité. Dans ce cas, le plan de discontinuité est représenté par
un court-circuit sur le schéma équivalent l’application des lois de Kirchhoff et de la loi
d’Ohm est rapide :
E=0 (3.6)
On a donc une impédance équivalente à la discontinuité pour le cas de symétrie impaire

qui est nulle Zimpaire = 0
Figure 3.6: Schéma équivalent de la structure dans le cas d’une symétrie impaire.
b) Cas de la symetrie paire
On considère en premier lieu D comme étant un plan de symétrie paire càd un mur
magnétique est inséré au niveau de ce plan. La source de courant virtuelle est définie
dans la surface métallique et nulle sur le diélectrique, par construction sa grandeur duale
E est uniquement définie sur le domaine complémentaire de Je . Cette source se comporte

comme un court circuit sur la surface métallique (H m = 0 ) et équivalente à un circuit

ouvert sur le diélectrique (H m Je = 0). Cette source virtuelle représente donc toutes les
conditions aux limites sur le plan de symétrie D de la structure.

H
m et Hi sont les opérateurs de Heaviside qui sont définis respectivement sur le métal
et l’isolant tel que :
⎧
⎨1 sur metal

H m = (3.7)
⎩0 ailleurs
⎧
⎨1 sur dielectrique
i =
H (3.8)
⎩0 ailleurs
Le schéma équivalent pour le cas de symétrie paire est donné par la figure 3.2 (a). Cette
version du circuit équivalent est formée par une source d’excitation réelle en courant
représente le mode fondamental J0 = I0 f0 . Les modes d’ordres supérieurs sont utilisés

pour définir l’opérateur admittance Y = |fm zm fm
m1
Ee est une source virtuelle définie sur les domaines diélectrique de la surface de disconti-
nuité. Puisque le courant ge est l’inconnue du probléme, il est exprimé par une somme de
Ne fonctions test connues (gp )p=(1,2,...,N e) multipliées par des coefficients de pondérations
inconnus (vp )p=(1,2,...,N e) comme suit :
Ne
ge = vp gp (3.9)
p=1
Ainsi, par application des lois de tension et de courant sur le circuit de la figure 3.2 (a),
on obtient une relation entre les sources réelles et virtuelles et leurs grandeurs duales.
Le système d’équation obtenu est déterminé par :

E0 = Ee (a)
(3.10)
Je = −J0 + Y Ee (b)
Ce système (3.10) s’écrit alors sous la forme matricielle suivante :

E0 0 1 J0
= (3.11)
Je −1 Y Ee
L’application de la méthode de Galerkin pour résoudre le problème électromagnètique

décrit par l’équation (3.10), nous permet de déduire l’écriture matricielle suivante :

V0 0 f0 |gp I0 V0 0 A I0
= ⇔ = (3.12)
0 −gp |f0 gq |Y |gp vp 0 −AT B vp

∝
∝
avec A(1, p) = f0 |gp , B(p, q) = gp |fm ym fm |gq , Y = fm ym fm | l’opérateur
m0 m0
γm
admittance décrit l’environnement de la discontinuité et ym = jωμ est l’admittance
mπ 0
modal,γm = ( a )2 − (k0 )2 désigne la constante de propagation.
A partir de la relation (3.12), on déduit le système d’équations ci-dessous :

V0 = Avp
(3.13)
0 = −AT I0 + Bvp
La résolution de ce système (3.13) nous permettra de calculer l’admittance d’entrée

V0
Zin,paire = vue par la source d’excitation.
I0
Zpaire = (AT B −1 A) (3.14)

L’écriture générale de la matrice impédance de la discontinuité est :

⎡ Z Zpaire − Zimapire ⎤
paire + Zimpaire
⎢ 2 2 ⎥
[Ztotale ] = ⎢
⎣
⎥
⎦ (3.15)
Zpaire − Zimpaire Zpaire + Zimpaires
2 2

⎡ Z Zpaire ⎤
paire
⎢ 2 2 ⎥
[Ztotale ] = ⎢
⎣
⎥
⎦ (3.16)
Zpaire Zpaire
2 2
On s’intéresse dans ce qui suit uniquement aux calcul de Zin = Zpaire
3.2.3.2 Deuxième configuration GEC : Champ (source) / Courant (fonction

test)
Les problèmes de limite dans la structure étudiée décrite précédemment sont modélisés
par un deuxième circuit équivalent représenté sur la figure 3.2 (b). Ainsi, cette ver-
sion du circuit équivalent est formée par une source d’excitation de champ (E0 =
V0 f0 ), un opérateur d’impédance et une source virtuelle actuelle définie dans les régions
métalliques. Je est le problème inconnu approximativement comme une série de fonc-
tions de test connues gp pondéré par des coefficients inconnus xp (p = 1, 2, ... Nf ),

Je = xp gp . Sa résolution est comme suit :
p
Par application des lois de tension et de courant au schéma électrique équivalent de la

figure 3.2 (b) conduit au système (3.17).

J0 = −Je (a)
(3.17)
Ee = E0 + ZJe (b)
Ce système s’écrit alors sous la forme matricielle suivante (3.18) :

J0 0 −1 E0
= (3.18)
Ee 1 Z Je
Par application de la méthode de Galerkin, on obtient le système suivant (3.19) :

I0 0 −f0 |gp V0 I0 0 −A V0
= ⇔ = (3.19)
0 gp |f0 gq |Z|gp xp 0 AT B xp

∝
∝
Avec A(1, p) = f0 |gp , B(p, q) = gp |fm Zm fm |gq , Z = fm ym fm | opérateur impédance
m0 m0
jωμ0
décrit l’environnement de la discontinuité et zm = l’impédance modal du nombre de mode
γm
2 2
m, γm = ( mπ a ) − (k0 ) désigne la propagation constante.
À partir de la relation (3.19), on déduit le système de l’équation ci-dessous :

I0 = −Axp
(3.20)
0 = AT V0 + Bxp
En résolvant ce système (3.20) , l’impédance d’entrée peut être déduite comme suit :
1 1
Zin = (3.21)
2 (AT B −1 A)
3.2.3.3 Troisième configuration GEC : Champ (source) / Champ (fonction

de test)
La structure proposée peut également être modélisée par le troisième circuit équivalent généralisé
donné par la figure 3.2 c. Ainsi, cette version du circuit équivalent est formée par une source
d’excitation de champ (E0 = V0 f0 ), un opérateur d’impédance et une source virtuelle de champ
Ee définie dans le domaine d’ouverture de la surface de discontinuité. Ee est le problème in-
connu approximatif comme une série de fonctions de test connues gp pondéré par des coefficients

inconnus vp (p = 1, 2, ... Nf ), Ee = vp gp . Sa résolution suit les étapes suivantes :
p
Par application des lois de Kirchhoff et de la loi d’Ohm, on établit les relations suivantes entre
les sources (virtuelles et réelles) et leurs grandeurs duales :

J0 = Z −1 E0 − Z −1 Ee (a)
(3.22)
Je = −Z −1 E0 + Z −1 Ee (b)

J0 Z −1 −Z −1 E0
= (3.23)
Je −Z −1 Z −1 Ee
Application de la méthode de Galerkin pour la résolution de problème aux limites :
Dans ce cas, la méthode Galerkin n’est pas applicable en raison de l’irrégularité de l’opérateur
d’impédance. En effet, l’opérateur Z ne contient pas la contribution du mode fondamental T E10 .
De cette façon, la base modale qui constitue cet opérateur n’est pas complète et elle n’est pas
inversible. Par conséquent, l’opérateur Z −1 n’est pas défini et des problèmes de matrices à grande
échelle se produisent.
3.2.3.4 Quatrième configuration GEC : Courant (source) / Courant (fonc-

tion de test
Le problème aux limites dans la structure étudiée est modélisé par un quatrième circuit électrique
opérationnel représenté sur la figure 3.2 d. Cette version du circuit équivalent est formée par une
source d’excitation actuelle (J0 = I0 f0 ), un opérateur admittance et une source virtuelle actuelle
Je définie dans les régions métalliques. Je est le problème inconnu approximativement comme
une série de fonctions de test connues gp pondéré par des coefficients inconnus xp (p = 1, 2, ...

Nf ), Je = gp xp . Sa résolution est comme suit :
p
En appliquant les lois de Kirchhoff et la loi d’Ohm au circuit de la figure 3.2 d, on obtient le
système d’équation suivant :

E0 = Y −1 J0 + Y −1 Je (a)
(3.24)
Ee = Y −1 J0 + Y −1 Je (b)

E0 Y −1 Y −1 J0
= (3.25)
Ee Y −1 Y −1 Je
Dans ce cas, la méthode de Galerkin n’est pas applicable en raison de l’irrégularité de l’opérateur
admittance. En effet, l’opérateur Y ne contient pas la contribution du mode fondamental T E10 .
De cette façon, la base modale qui constitue cet opérateur n’est pas complète et n’est pas in-
versible. Par conséquent, l’opérateur Y −1 n’est pas défini et il se produit des problèmes de
conditionnement. Comme nous l’avons déjà montré, l’opérateur admittance n’est pas inversible,
Ce qui implique que l’impédance d’entrée Zin n’est pas définie.
3.2.3.5 Problèmes numériques :
L’application de la MGEC sur la structure à étudiée permet d’obtenir différentes configurations

GEC, deux circuits équivalents appropriés (le premier et le deuxième GEC) et deux circuits
inadaptés (le troisième et le quatrième GEC). Ces deux derniers sont inadaptés en raison des
opérateurs irréguliers [III.7, III.10, III.11]. En fait, ces opérateurs ne sont pas complets et non
définis en raison du mode d’excitation T E10 ne contribue pas à la construction des opérateurs
considérés. Cela conduit à l’obtention de singularités, vu les opérateurs non inversibles (Z −1 et
Y −1 ). Nous ne pouvons donc pas calculer l’impédance d’entrée et vérifier les conditions aux li-
mites lors de l’utilisation de ces deux configurations. Pour surmonter ce problème correspondant
aux deux dernières configurations GEC, nous proposons de récupérer le mode d’excitation sur
les opérateurs d’impédance et d’admittance. Ainsi, ce mode ne sera pas utilisé comme excita-
tion. Ceci n’est disponible que lorsque nous introduisons le concept d’onde. De cette façon, les
opérateurs Z et Y seront inversibles et l’impédance d’entrée sera définie. Ceci est expliqué dans
la partie suivante.
3.2.4 Introduction du concept d’onde pour remédier aux configura-

tions GEC inadéquates
3.2.4.1 Notion de concept d’onde
Nous présentons dans cette partie le concept d’onde pour éviter les problèmes de singularité
obtenus dans les troisième et quatrième circuits équivalents. En fait, ce concept est basé sur
l’utilisation d’une onde comme source d’excitation. Cette onde est également exprimée en fonction
du mode fondamental T E10 et le principe est décrit comme suit. Soit S une surface représentée
à la figure 3.7, où −
→
n est la normale définie à n’importe quel point de S. Nous désignons la
composante tangentielle du champ électrique et du champ magnétique respectivement par E
et H. La notion d’onde [III.11, III.12, III.13, III.14] est introduit en exprimant les grandeurs
électromagnétiques en fonction des ondes incidentes et réfléchies sur la surface S comme suit :
Figure 3.7: Définition des ondes en chaque point d’une surface.
⎧ −→
⎨ −
→
Ai = √1 (E i
−
→ →
+ Z 0 ∗ Hi ∧ −
ni )
2 Z0 T
−
→ −→ −
→ − (3.26)
⎩ Bi = √1 (E i
2 Z0 T −Z ∗H ∧→
0 i n) i
avec A et B sont deux vecteurs tangentiels sur S, Z0 est un paramètre arbitraire, en utilisant
→ −
− →!→
l’expression J = H − n la densité de courant nous obtenons le système d’équations 3.27 :
⎧ −→
⎨ −
→
Ai = √1 (E i
→
−
+ Z 0 ∗ Ji )
2 Z0 T
−
→ −→ →
− (3.27)
⎩ B i = √1 (E i − Z 0 ∗ Ji )
2 Z0 T
Dans cette formulation, le mode fondamental est inclus dans les opérateurs Z et Y . Par conséquent,
ces opérateurs sont complets et ne présentent pas de problèmes de singularité. Pour les ondes
TE, comme E et J, les ondes A et B sont des fonctions bidimensionnelles et ont la forme générale
A = A0 f0 , où A0 étant l’amplitude de l’onde telle que :
A0 f0 = √1 (ET + Z0 J) (3.28)
2 Z0
où
√
ET = 2 Z0 A0 f0 − Z0 J (3.29)
Par conséquent, deux nouvelles configurations GEC basées sur le concept d’onde sont présentées
et ces résolutions sont décrites par la figure 3.8.
Figure 3.8: Circuits équivalents des sources d’ondes : (e) Source du type E (f) Source
du type J.
3.2.4.2 Résolution du problème avec la notion d’onde :
Nous avons montré dans les sections précédentes qu’il existe deux configurations GEC inappro-
priées. Dans cette section, nous allons montrer qu’il est possible de les remédier en introduisant
la notion d’onde comme excitation. En fait, la solution devient possible lorsque on utilise les
sources d’ondes (comme source d’onde E et source d’onde J).
Cas onde incidente : E source
Ce GEC remplace la troisième configuration (GEC de la figure 3.2 c) ; dans ce circuit le mode
fondamental utilisé précédemment comme mode d’excitation est introduit dans l’opérateur Z
pour décrire la discontinuité. Alors que l’excitation se forme en fonction de la source d’onde
√ √
E0 = 2 Z0 A0 f0 . Dans le diagramme donné par la figure 3.8 e, nous avons : E0 = 2 Z0 A0 f0 la
source du champ d’excitation (où f0 représente le mode fond du guide d’onde, A0 l’amplitude de
l’onde et Z0 l’impédance du mode fondamental), Z est l’opérateur d’impédance qui représente la
contribution des modes évanescent et la source virtuelle Ee définie sur le domaine d’ouverture de
la surface de discontinuité. Ee est l’inconnu de problème qui s’écrit comme une série de fonctions

de test gp pondéré par des coefficients inconnus vp (p = 1, 2, ... Nf ), Ee = vp gp . Sa résolution
p
suit les étapes suivantes :
Ce circuit permet de déduire l’équation (3.30) :

J0 = Z −1 E0 − Z −1 Ee (a)
(3.30)
Je = −Z −1 E0 + Z −1 Ee (b)
s’écrit sous forme matricielle comme suit :

J0 Z −1 −Z −1 E0
= (3.31)
Je −Z −1 Z −1 Ee
En suivant un raisonnement identique aux cas précédentes, par l’application de la méthode de

Galerkin, nous élaborons la relation (3.32)

I0 f0 |Z −1 |f0 −f0 |Z −1 |gp V0
= (3.32)
0 −gq |Z −1 |f0 gq |Z −1 |gp vp
est qui s’écrit sous la forme matricielle abrégé :

I0 D −A V0
= (3.33)
0 −AT B vp

∝
avec D = f0 |Z −1 |f0 , A(1, p) = f0 |Z −1 |gp et B(p, q) = −1
gp |fm Zm fm |gq
m=0
La relation (3.33), permet d’écrire le système d’équations (3.34) :

I0 = DV0 − Avp
(3.34)
0 = −AT I0 + Bvp
La résolution de ce système (3.34) permet de calculer l’impédance d’entrée :
1 1
Zin = (3.35)
2 (D − AT B −1 A)
Cas onde incidente : J source
Ce GEC remplace la quatrième configuration GEC figure 3.2 d ; dans ce circuit le mode fon-
damental utilisé précédemment comme mode d’excitation est introduit dans l’opérateur Y pour
décrire la discontinuité. Alors que l’excitation est formée en fonction de la source d’onde comme
√ √
J0 = 2 Y0 A0 f0 . Dans le diagramme, donné par la figure 3.8 f, nous avons : J0 = 2 Y0 A0 f0
est la source d’onde d’excitation (où f0 Le mode fondamental, A0 est l’amplitude de l’onde et
Y0 l’admittance du mode fondamental), Y l’opérateur admittance du guide d’onde, représente
la contribution des modes évanescent et Je est la source virtuelle définie sur le diélectrique. Je
est l’inconnu de problème qui s’écrit comme une série de fonctions de test gp pondéré par des

coefficients inconnus xp (p = 1, 2, ... Nf ), Je = xp gp . La résolution de la GEC considérée suit
p
les étapes suivantes :
L’application des lois d’Ohm et Kirchhof généralisées au CEG de la figure 3.8 f permet d’obtenir
le système d’équation :

E0 = Y −1 J0 + Y −1 Je (a)
(3.36)
Ee = Y −1 J0 + Y −1 Je (b)

E0 Y −1 Y −1 J0
= (3.37)
Ee Y −1 Y −1 Je
En appliquant la méthode de Galerkin, on obtient la représentation matricielle comme suit

(3.38) :

V0 f0 |Y −1 |f0 f0 |Y −1 |gp I0
= (3.38)
0 gq |Y −1 |f0 gq |Y −1 |gp xp
est qui s’écrit sous la forme matricielle abrégé :

V0 G A I0
= (3.39)
0 AT B xp

∝
avec G = f0 |Y −1 |f0 , A(1, p) = f0 |Y −1 |gp et B(p, q) = gp |fm Ym−1 fm |gq
m=0
De (3.39), on obtient le système des équations :

V0 = GI0 + Axp
(3.40)
0 = AT I0 + Bxp
La résolution de ce système (3.40) permet de calculer l’impédance d’entrée :
1
Zin = (G − AT B −1 A) (3.41)
2
3.3 Résultats numériques
Dans les résultats numériques, nous nous intéressons principalement à déterminer l’impédance
d’entrée et à prouver les conditions aux limites des configurations de circuits équivalentes ap-
propriées : deux circuits où la source excitation est le mode fondamental du guide d’onde, et
deux autres versions avec source excitation basée sur le concept d’onde utilisé pour remédier
au problème de singularité fondé précédemment. Ensuite, une comparaison a été faite entre
les différentes configurations GEC. L’objectif de cette comparaison est de déterminer le GEC
optimal avec une convergence rapide et d’interpréter les résultats obtenus.
3.3.1 Étude de la convergence
Tout d’abord, nous commençons par une étude de convergence des résultats numériques. La
figure 3.9 montre la convergence de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée (Zin ) de la
structure étudiée lors de l’utilisation des quatre versions GEC disponibles. La convergence est
donnée en fonction du nombre de fonctions de test (Ne ) représentées par l’axe x. Il est également
donné pour différents nombres de modes de guide d’ondes (M), de sorte que nous observons
plusieurs courbes pour chaque configuration. Il est montré que pour la première et la troisième
GEC la convergence est donnée pour environ Ne = 30 et M = 3000 (Figure 3.9 a ; Figure 3.9 e).
Cependant, pour le deuxième et le quatrième GEC, la convergence est obtenue pour Ne = 50 et
M = 5000(Figure 3.9 b ; Figure 3.9 f).

LQ
/DSDUWLHLPDJLQDLUHGH=LQ

D E
/DSDUWLHLPDJLQDLUHGH=
1RPEUHVGHVIRQFWLRQVGHEDVH 0


1RPEUHGHIRQFWLRQVGHWHVW 1H 1RPEUHGHIRQFWLRQVGHWHVW 1H

I
/DSDUWLHLPDJLQDLUHGH=LQ
LQ

/DSDUWLHLPDJLQDLUHGH=
1RPEUHVGHVIRQFWLRQVGHEDVH 0 H


1RPEUHGHIRQFWLRQVGHWHVW 1H 1RPEUHGHIRQFWLRQVGHWHVW 1H
Figure 3.9: Etude de convergence de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée à la

fréquence de fonctionnement F = 13,5 GHz. (a) Premier circuit équivalent (b) Deuxième
circuit équivalent (e) Circuit équivalent (source d’onde E) (f) Circuit équivalent (source
d’onde J).
3.3.2 Étude de comportement d’impédance d’entrée sur une bande de

fréquence
Après avoir obtenu la convergence, nous avons tracé la variation de l’impédance d’entrée en
fonction de la fréquence pour chaque configuration. La figure 3.10 montre l’impédance d’entrée
calculée dans chaque cas pour la plage de fréquence [13,5 - 39,3 GHz].
Il est noté que pour les cas d’excitation en mode fondamental du guide d’ondes (cas 1 : Figure
3.10 a et cas 2 : Figure 3.10 b), l’impédance d’entrée est purement imaginaire (avec une partie
réelle nulle). Dans cette condition, l’iris est considéré inductif et modélisé par une inductance
comme indiqué dans le tableau 1. Cependant, dans le cas de l’excitation de la source d’onde (cas
3 : figure 3.10 e et ; cas 4, figure 3.10 f), l’impédance d’entrée de la structure est complexe. Cela
s’explique par l’effet de la nature source, de sorte que le mode fondamentale de propagation est
inclus dans l’opérateur (Z ou Y ) avec les modes évanescents. Cela conduit à obtenir une partie
réelle dans l’impédance d’entrée dessinée dans le Tableau 3.1. En fait, cette partie réelle est due à
l’onde absorbée par le mode fondamental du guide d’onde. Par conséquent, dans cette condition,
l’iris est considéré comme inductance L parallèlement à la résistance R, dans le cas de la source
de type E (cas3). Il est considéré comme une inductance L série avec une résistance R dans le
cas de la source de type J (case 4), ce qui inclut l’effet d’absorption du mode fondamental. Ce
résultat est conforme à la littérature [III.11].

/DSDUWLHLPDJLQDLUH /DSDUWLHLPDJLQDLUH
D E
/¶LPSpGDQFHG¶HQWUpH
/DSDUWLHUpHOOH /DSDUWLHUpHOOH

)UHTXHQF\>+]@ )UHTXHQF\>+]@
[ [

/DSDUWLHLPDJLQDLUH
I
/DSDUWLHLPDJLQDLUH
H
/DSDUWLHUpHOOH
/DSDUWLHUpHOOH

)UHTXHQF\>+]@ )UHTXHQF\>+]@
[ [
Figure 3.10: Variation de l’impédance d’entrée par rapport à la fréquence pour

différentes configurations GEC. (a) Premier circuit équivalent (b) Deuxième circuit
équivalent (e) Circuit équivalent (source d’onde E) (f) Circuit équivalent (source d’onde
J).
Table 3.1: Les schémas équivalents de l’iris en fonction du type de source d’excitation
Structure GEC de la GEC de la GEC de la

étudiée structure vue structure vue structure vue
par le mode par la source par la source
fondamental d’onde E d’onde J figure
T E10 : figure figure 3.8 e 3.8 f
3.2 a, b
1
Zin = 1 1
+R
Zin = jωL jωL
Zin = jωL + R
La figure 3.11 montre la variation de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée calculée par
les différentes configurations GEC en fonctions de la fréquence. Nous notons que les deux confi-
gurations classiques et la configuration basée sur l’excitation type champ onde sont en accord
pour toute la gamme de fréquences [13,5 - 39 GHz]. Cependant, le GEC basé sur l’excitation du
type J onde n’est pas conforme aux autres surtout lorsque la fréquence augmente.

3UHPLHUFLUFXLWpTXLYDOHQW
'HX[LqPHFLUFXLWpTXLYDOHQW
/DSDUWLHLPDJLQDLUHGHO¶LPSpGDQFHG¶HQWUpH
&LUFXLWpTXLYDOHQW VRXUFHG¶RQGH(
&LUFXLWpTXLYDOHQW VRXUFHG¶RQGH-

)UpTXHQFH>+]@
[
Figure 3.11: Variation de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée obtenue par

les différentes configurations GEC en fonction la fréquence.
Pour interpréter ce résultat, nous traçons le conditionnement de la matrice d’impédance pour

les différents cas considérés de configurations GEC. La figure 3.12 montre le conditionnement
de la matrice sur la bande de fréquences [13,5 - 39 GHz]. Il est à noter que pour le dernier
GEC, le conditionnement est très élevé surtout lorsque la fréquence augmente (environ 15000).
Cependant, pour les trois autres cas, il est raisonnable et ne dépasse pas 700 pour la deuxième
configuration GEC, 90 pour la première configuration GEC et 77 pour la configuration GEC : E
onde source. En conséquence, nous déduisons que les matrices d’impédance de la dernière confi-
guration GEC sont affectées par un problème à grande échelle. Pour cela, l’impédance d’entrée
obtenue diverge en particulier pour la fréquence élevée dans la gamme de fréquences considérée.
3UHPLHUFLUFXLWpTXLYDOHQW 'HX[LqPHFLUFXLWpTXLYDOHQW
&RQGLWLRQQHPHQWGHODPDWULFH%


)UpTXHQFH>+]@
)UpTXHQFH>+]@
[
[
&LUFXLWpTXLYDOHQW VRXUFHG¶RQGH( &LUFXLWpTXLYDOHQW VRXUFHG¶RQGH-

)UpTXHQFH>+]@ )UpTXHQFH>+]@
[ [
Figure 3.12: Conditionnement de la matrice B pour les différentes configurations GEC
3.3.3 Validation et vérification des conditions aux limites
Dans ce paragraphe, on se propose de valider nous résultats, en comparant l’impédance d’entrée

obtenue par un logiciel commercial et celle calculée analytiquement par Markuwitz [III.15]. Et
on va vérifier les conditions aux limites surtout dans le but d’en comparer les performances.
3.3.3.1 Généralités Hfss et Approche de Marcuvitz
Le logiciel Ansoft HFSS est un logiciel de modélisation électromagnétique 3 Dimensions, basé

sur la méthode des éléments finis (FEM) en régime harmonique. Ce logiciel offre une interface
graphique conviviale qui permet par exemple, de générer très simplement des cartographies de
champ dans le volume de calcul. De plus, il utilise une méthode fréquentielle qui permet d’obtenir
rapidement des résultats en un point de fréquence. Néanmoins, dans le cas particulier de l’étude
du comportement d’une cellule en fonction de la fréquence, la méthode fréquentielle utilisée
nous oblige à réaliser une simulation par point de fréquence (sans toutefois recalculer le maillage
qui est constant sur la bande de fréquence), ce qui conduit à des temps de calcul importants. A
propos de l’expression analytiquement Markuwitz, ce dernier a déterminé l’expression analytique
de l’impédance d’entrée normalisé en fonction des données du problème. Pour le cas de l’iris de
cantor inductif, dans un guide d’onde à parois latérales électriques EEEE, l’impédance d’entrée
se calcule par la formule analytique asymptotique suivante :
a 2" # d
Zi n ∼
= tg πd
2a [1 + 16 ( πd 2
λ ) ]Z0
, 1 (3.42)
λG a
avec Z0 l’impédance vue par le mode fondamental donnée, et d défini la largeur de l’ouverture
3.3.3.2 Validation
La figure 3.13 représente l’impédance d’entrée évaluée par toutes les versions GEC comparée
à celle évaluée analytiquement par Markuvitz et le logiciel HFSS. Cette figure montrent que
l’impédance d’entrée calculée par toutes GEC s’approche considérablement de celle calculée
théoriquement par Markuvitz et le logiciel HFSS

3UHPLHUFLUFXLWpTXLYDOHQW
'HX[LqPHFLUFXLWpTXLYDOHQW
/DSDUWLHLPDJLQDLUHGHO¶LPSpGDQFHG¶HQWUpH
&LUFXLWpTXLYDOHQW VRXUFHG¶RQGH(

+)66
0DUFXYLW]

)UpTXHQFH>+]@
[
Figure 3.13: Comparaison de l’impédance d’entrée obtenue par MoM-GEC avec le

logiciel HFSS et la méthode du Marcuvitz sur une bande de fréquence [13,5-39 GHz].
3.3.3.3 Étude d’erreur relative de l’impédance d’entrée
Dans cette section, nous avons évalué le comportement de l’erreur relative de la partie imaginaire
de l’impédance pour les différentes méthodes. La figure 3.14 montre l’erreur relative η entre le
premier GEC et le second en fonction de la fréquence. Nous notons que η est dans l’ordre de
1 % lorsque F 15 Ghz et augmente avec la fréquence et reste inférieur à 1,5 %. Ces deux
configurations GEC classiques sont conformes. La figure 3.14 b montre l’erreur relative η entre
le GEC : la source d’onde E et le premier GEC en fonction de la fréquence. Nous notons que η
est dans l’ordre de 1 % lorsque F 15 Ghz et augmente avec la fréquence et reste inférieur à 1,5
%. Ces deux configurations GEC sont conformes. Enfin, la figure 3.14 c montre l’erreur relative
η donnée par GEC E onde source et GEC J onde source. L’erreur augmente avec la fréquence. Il
est inférieur à 5 % lorsque F 25 GHz, il est supérieur à 5 % pour F 25 GHz et il est de l’ordre
de 14 % pour la fin de la gamme de fréquences.

3UHPLHU*(&*(&(RQGHVRXUFH
3UHPLHU*(&6HFRQGH*(&

η

D E
η

)UpTXHQFH>+]@ )UpTXHQFH>+]@
[
[

*(&(RQGHVRXUFH*(&-RQGHVRXUFH

G
η

)UpTXHQFH>+]@
[
Figure 3.14: Erreur relative de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée avec

différentes configurations GEC.
3.3.3.4 Vérification des conditions aux limites :
Le comportement d’impédance d’entrée obtenu dépend de la nature de l’excitation de la source.

Ceci est prouvé théoriquement dans la littérature [III.11]. Cependant, pour vérifier la cohérence
de notre méthode pour les quatre configurations GEC, il est nécessaire de vérifier les conditions
aux limites dans chaque cas. La figure 3.15 montre les distributions du courant et du champ obte-
nues dans la surface de discontinuité à la convergence pour chaque version du circuit équivalent.
Nous notons que toutes ces distributions vérifient les conditions aux limites et la condition de
continuité du champ. Ainsi, le champ électrique est nul sur les domaines métalliques et il est
défini dans l’ouverture diélectrique. Cependant, le courant est nul dans l’ouverture, et maximum
sur les bords en raison de l’accumulation de densité de charge. Par conséquent, toutes les confi-
gurations de circuits équivalents vérifient les conditions aux limites. Cela valorise la méthode
MoM-GEC et constitue la validation de GEC dans la formulation MoM. Il montre également la

performance du concept d’onde pour éviter les problèmes de singularité.
'LVWULEXWLRQGXFRXUDQW 'LVWULEXWLRQGXFKDPS 'LVWULEXWLRQGXFRXUDQW 'LVWULEXWLRQGXFKDPS

E

D

__(\__ 9P
__(\__ 9P

__-\__ $

__-\__ $

[P [P [P [P
'LVWULEXWLRQGXFRXUDQW 'LVWULEXWLRQGXFKDPS 'LVWULEXWLRQGXFRXUDQW G 'LVWULEXWLRQGXFKDPS
F

__(\__ 9P
__(\__ 9P

__-\__ $

__-\__ $

[P [P [P [P
Figure 3.15: Distributions du courant et du champ normalisées pour différentes confi-

gurations GEC. (a) Premier circuit équivalent (b) Deuxième circuit équivalent (c) Cir-
cuit équivalent (source d’onde E) (d) Circuit équivalent (source d’onde J) pour une
fréquence de fonctionnement F = 13,5 GHz.
Nous comparons les distributions du courant et du champ à la surface de discontinuité avec celles
obtenues par le logiciel HFSS. La figure 3.16 représente ces distributions. Généralement, les deux
méthodes se comportent de la même manière, mais pour la distribution courant, nous avons noté
que le résultat obtenu par HFSS est différent de celui obtenu avec les différents circuits. Cette
différence s’explique par le fait que HFSS nécessite un maillage très dense pour donner un résultat
cohérent.
'LVWULEXWLRQVGXFKDPS 'LVWULEXWLRQVGXFRXUDQW

+)66 +)66
0R0í*(& 0R0í*(&

__(\__ 9P
__-\__ $

[ P
[ P
Figure 3.16: Comparaison des distributions du courant et du champ avec HFSS pour
une fréquence de fonctionnement F = 13,5 GHz.
3.4 La comparaison entre toutes les configurations GEC

en termes de convergence
3.4.1 Evaluation du gain en temps
Pour montrer les avantages de notre étude, nous présentons une comparaison entre les quatre
configurations GEC en termes de convergence et de temps de calcul. Ainsi, le tableau 3.2 montre
le nombre de fonctions de base et de fonctions test nécessaires pour atteindre la convergence
pour chaque configuration GEC. Le temps CPU requis est donné par la même table. Par
conséquent, nous notons que la convergence dépend du choix de la source d’excitation. En outre,
le circuit équivalent (source d’onde E) converge plus rapidement que d’autres modèles de cir-
cuits équivalents. Il nécessite également un peu de temps de traitement pour effectuer le calcul
l’impédance d’entrée.
Table 3.2: Nombre des fonctions tests et de la base modale (Ne, M) nécessaires et
temps de calcul consommé par différentes configurations de circuits équivalents pour
atteindre la convergence de l’impédance d’entrée.
Circuit équivalent fonctions de base M Fonctions d’essai Ne CPU time

Premier circuit équivalent 3000 30 76.18 seconds
Deuxième circuit équivalent 5000 50 317.18 seconds
Circuit équivalentt (E-onde source) 3000 30 38.43 seconds
Circuit équivalent (J-onde source) 5000 50 126.35 seconds
HFSS 54.58 seconds
Le tableau 3.3 donne le temps de calcul et le nombre de fonctions de tests et de base nécessaires
pour obtenir la convergence lors du calcul du courant et du champ électrique sur la discontinuité.
Nous notons que tous les circuits satisfont bien les conditions aux limites. Par conséquent, l’in-
troduction de l’onde incidente offre une réduction considérable et une amélioration du temps de
traitement. En outre, le nombre de modes pour atteindre la convergence est considérablement
réduit. Ces deux avantages sont garantis par l’utilisation d’une onde incidente dans la troisième
version GEC. En effet, lorsque le nombre de fonctions de test diminue, la taille des matrices
manipulées diminue également. Ainsi, leur remplissage et leur renversement nécessitent moins
de temps. Par conséquent, le temps de calcul est réduit exponentiellement.
Table 3.3: Nombre de fonctions tests et de base nécessaires (Ne, M) et temps de

calcul utilisés par différentes configurations de circuit équivalentes pour calculer les
distributions de courant et de champ.
Modèle de circuits équivalents généralisés Fonctions de base M Fonctions tests Ne Le temps CPU
Premier circuit équivalent 7000 50 5.58 secondes
Deuxième circuit équivalent 10000 70 12.14 secondes
Circuit équivalent (source d’onde E) 7000 50 2.19 secondes
Circuit équivalent (source d’onde J) 10000 70 6.72 secondes
HFSS 15.33 seconds
Le premier circuit équivalent et le circuit équivalent (source d’onde E) présentent un peu de temps
de CPU et des fonctions de base pour assurer la convergence. Cela s’explique par le fait qu’ils
sont basés sur une fonction de test en champ définie uniquement sur le domaine de l’ouverture.
Cependant, lorsque nous utilisons une fonction de test en courant, nous devons la définir sur les
deux domaines métalliques.
3.4.2 Conditionnement des matrices
Après l’évaluation du temps CPU et de la convergence dans différents cas, nous calculons le
conditionnement de la matrice B dans chaque cas. La figure 3.12 trace le conditionnement pour
les quatre cas dans la gamme de fréquence [13,5 GHz -39,3 GHz]. Nous notons que de manière
similaire aux résultats des tableaux 2 et 3, le troisième circuit équivalent (figure 3.12 ) adéquat
au source d’excitation type E onde présente le meilleur conditionnement des matrices pour toutes
les fréquences. Ensuite, le premier cas (Courant (source) / Champ (test function)), (figure 3.12 ) :
présente un conditionnement du matrice plus élevé. Il est également montré qu’il augmente avec
la fréquence. Cependant, la seconde (Champ (source) / Courant (fonction de test)) (figure 3.12)
et le circuit où l’excitation du type J onde (figure 3.12) montrent un mauvais conditionnement du
matrice spécialement pour le début et la fin de la gamme de fréquences. Donc, selon les équations
(3.21) et (3.41), le matrice B dans ces deux cas contient des impédances de mode élevé dans Z.
Donc, cela explique l’augmentation les valeurs de conditionnement.
3.5 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons étudié l’évaluation des performances de MGEC dans la formula-
tion MoM. En effet, un problème de diffraction est considéré comme une validation en testant
toutes les configurations possibles de GEC. Par conséquent, deux configurations présentent des
singularités et elles ne conviennent pas pour résoudre le problème électromagnétique considéré.
De cette façon, nous avons introduit le concept d’onde pour remédier ce problème. Ensuite,
une comparaison entre tous les résultats obtenus est achevée. La nouvelle approche montre une
bonne précision avec les configurations GEC classiques et la méthode FEM. De plus lorsque
√
nous utilisez le concept d’onde en tant que source d’excitation de champ (E0 = 2 Z0 A0 f0 ), le
temps CPU est réduit comparé autres GEC classiques. Par conséquent, nous concluons l’intérêt
d’utiliser l’onde comme source d’excitation.
Bibliographie du Chapitre III
[III.1] L. Q. Bui ; D. Ball ; T. Itoh,“Broad-band Millimeter-Wave E-Plane Bandpass Filters”,

IEEE Trans. Microwave Theory Tech.,Vol. M.lT-32,1655-1659, December 1984 .
[III.2] P. R G. Alves,“Analyse Electromagnetique d‘un Filtre a Phase Lineaire a Iris Inductif

Epais”, PhD thesis presented to Universitd de Limoges, France, December 1989
[III.3] Larbi, C., A. Bouallegue, and H. Baudrand, ”Utilisation d’un processus de renormalisa-
tion pour l’etude electromagnetique des structures fractales bidimensionnelles,” Annales des
Telecommunications, Vol. 60, No. 7-8, 1023-1050, 2005.
[III.4] Larbi, C., T. Ben Salah, T. Aguili, A. Bouallegue, and H. Baudrand, ”Study of the
Sierpinski’s Carpet fractal planar antenna by the renormalisation method,” International
Journal of Microwave and Optical Technology, 58-65, 2005.
[III.5] Bouzidi, F., H. Aubert, D. Bajon, and H. Baudrand, ”Equivalent network representa-
tion of boundary conditions involving generalized trial quantities — Application to lossy
transmission lines with finite metallization thickness,” IEEE Trans. Microwave Theory and
Tech., Vol. 45, 869-876, 1997.
[III.6] Nouainia A, Hajji M and Taoufik Aguili T, “Modeling Of Discontinuities In Waveguides

Using The Mom Method Combined To The Generalized Equivalent Circuit (Gec) : Vali-
dation Of Different Gec Configurations”, World Symposium on Mechatronics Engineering ,
Applied Physics Conference,16-18 July, Sousse, Tunisia
[III.7] Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, Taoufi Aguili, “Validation of generalized equivalent
circuit’s modeling : Shielding Application”., FERMAT, Volume 22, Communication 2, 2017
[III.8] T. Aguili, “Modélisation des composants S. H. F planaires par la méthode des circuits
équivalents généralisés. Thesis, National Engineering School of Tunis ENIT, May 2000.
[III.9] N. Raveu and O. Pigaglio , “Résolution de problèmes hautes fréquences par les schémas
équivalents,” Éditions Cépaduès, Mai 2012.
[III.10] H. Baudrand, “Circuits Passifs en Hyperfréquences,” Editions Cépaduès, Janvier 2001
[III.11] H. Baudrand, and D. Bajon, “Equivalent circuit representation for integral formulations
of electromagnetic problems,” International Journal of Numerical Modelling- Electronic
Networks Devices and Fields, Vol.15, pp. 23-57, January 2002.
[III.12] R.E. Collin, “Field Theory of Guided Waves”, 2nd Edition, IEEE Press, New York, Mc
Graw-Hill, 1991.
[III.13] Baudrand, “The Wave Concept in Electromagnetic Problems : Application in Integral

Methods,” Asia Pacific Microwave Conference APMC’96, pp. 17 - 20, New Delhi, 1996.
[III.14] Nouainia A, Hajji H and Aguili T, “Wave concept in MoM -GEC formalism”,ACES
Conference 2017
[III.15] N.Markuwitz, “Waveguide handbook”, the institution of electrical engineering, 1986.

Chapitre 4
Application de la nouvelle formulation MoM-GEC

basée sur le concept d’onde pour étudier la diffrac-
tion électromagnétique : Applications blindage
4.1 Introduction
Les blindages électromagnétiques ont pour but de protéger des installations électroniques (ou
électriques) contre les effets redoutables de certains couplages électromagnétiques. Un blin-
dage permet d’accroı̂tre l’immunité électromagnétique d’un équipement ; cette fonction est aussi
réversible puisqu’elle peut réduire l’amplitude de rayonnements indésirables. Face aux phénomènes
de perturbations électromagnétiques, le blindage réagit comme une frontière physique, isolant
les composants sensibles aux perturbations ou confinant les sources rayonnantes dans un volume
restreint. Pour diverses raisons, surtout liées à la nature physique des matériaux qui composent
le blindage ainsi qu’aux contraintes technologiques imposées par leur fabrication ou leur instal-
lation, cette frontière n’est pas totalement imperméable. Un parasite résiduel peut donc pénétrer
dans la zone protégée par le blindage.
En pratique, pour protéger les appareils électriques et électroniques sensibles contre les in-
terférences électromagnétiques, les guides d’ondes métalliques sont couramment utilisés. Les
ouvertures ou les fentes sur les guides d’ondes nécessaires à la visibilité, à la ventilation et à
l’accès au câble d’entrée / sortie peuvent compromettre l’efficacité du blindage. Dans ce cha-
pitre nous allons nous intéresser à étudier le blindage électromagnétique dans le guide d’onde,
par l’application de la nouvelle formulation MoM-GEC basée sur le concept d’onde. À partir
d’un formalisme mathématique rigoureux basé sur le développement modal des champs, cette
méthode permet l’élaboration de modèles électriques équivalents.
Chapitre 4. Application de la nouvelle formulation MoM-GEC basée sur le concept d’onde
pour étudier la diffraction électromagnétique : Applications blindage 71
4.2 Application de la méthode GEC basée sur le concept

d’onde à la modélisation des obstacles minces
Toute modélisation électrique d’une chaı̂ne de transmission composée d’éléments passifs, tels
que les guides d’ondes, les cavités, et les éventuelles jonctions entre ces structures, demande
la connaissance de la bande fréquentielle d’étude, et de la géométrie de la structure étudiée.
En effet, dans une structure quelconque ; la distribution spatiale de l’énergie est fonction des
conditions aux limites imposées par la géométrie de la structure et de la bande fréquentielle
d’étude. La modification de ces deux dernières, engendre une variation des fréquences de coupure
ou de résonance considérées. Certains modes deviennent propagatifs alors que d’autres deviennent
évanescents. Cela modifie la distribution spatiale de l’énergie au sein de la structure. Et par
conséquent un nouveau modèle doit être élaboré. Pour pouvoir élaborer des modèles équivalents
adaptables aussi bien de point de vue fréquentiel que géométrique. Il se fait nécessaire de baser nos
modèles électriques sur le développement modal du champ dans la structure, car il constitue
une donnée primordiale qui nous renseigne sur la fréquence de travail et sur la géométrie de la
structure.
4.2.1 Structure étudiée
La structure qu’on va étudier dans ce cadre est illustrée sur la figure 4.1. Il s’agit de déterminer
la capacité d’isolation d’une plaque multi-fentes à pertes cette dernière est placée dans un guide
d’onde métallique rectangulaire, infinie suivant son axe longitudinal et excite par une onde as-
sociée a son mode fondamental. Le calcul de cette capacité d’isolation appelée aussi efficacité de
blindage et donne par le paramètre de répartition |S21 |, expriment le couplage électromagnétique
entre les deux ports d’excitations placées de part et d’autres de la plaque analysée.
Figure 4.1: Structure étudiée : une plaque multi-ouverture avec pertes dans la section
transversale d’un guide d’onde rectangulaire métallique, où a = 75 mm, b = 65 mm, w
est la dimension de la fente et d est le size du métal.
4.2.2 Étude de blindage sans perte surfacique
La modélisation de la structure représentée dans 4.1 est effectuée par le GEC donné par la
figure 4.2. Nous considérons (fm )m∈(1,2,....M) la base modale correspondant au guide d’onde.
√
E0 est la source d’excitation qui correspond à la source d’onde (E0 = 2A0 Z0 f0 ). L’opérateur

∝
d’impédance Z = fm zm fm | (zm = γm est l’impédance modale) décrit l’environnement de
Jωμ0
m=0
la discontinuité. Il est utilisé pour représenter les conditions aux limites de chaque côté et il est
défini en fonction des modes d’ordre supérieur. (Ee)ii∈(1,2,....N ) sont les sources virtuelles définies
sur le domaine d’ouverture de la surface de discontinuité. Ce sont les inconnues du problème
exprimées en séries de fonctions connues (gp )ip in(1,2,....P ) pondérées par des coefficients inconnus
(vp )ip∈(1,2,....P )
Figure 4.2: Circuit equivalent généralisé pour la structure proposée sans perte surfa-
cique.
4.2.2.1 Analyse du problème :
En appliquant les lois généralisées de Kirchhoff dans le circuit équivalent représenté dans la figure
4.2, on peut déduire le système d’équations (4.1) associées au problème.
⎧ N
⎪ −1 −1
⎨ J0 = Z E0 − Z
⎪ i
i=1 Ee (a)
(4.1)
⎪
⎩ N J i = −Z −1 E + Z −1 N E i (b)
⎪
i=1 e 0 i=1 e
En appliquant la méthode de Galerkin, on aboutit à l’équation matricielle (4.2)

⎛ ⎞ ⎛ ⎞⎛ ⎞
I0 D [−A1 ] [−A2 ] . [−Ap ] . [−AN ] V0
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ [0] ⎟ ⎜ [−AT1 ] [B11 ] [B12 ] . . . [B1N ] ⎟ ⎜ [v1 ] ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ [0] ⎟ ⎜ [−AT2 ] [B21 ] . . . . [B2N ] ⎟ ⎜ [v2 ] ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ . ⎟=⎜ . . . . . .. . ⎟⎜ . ⎟ (4.2)
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ . ⎟ ⎜ [−ATi ] . . [Bij ] . .. . ⎟ ⎜ [vi ] ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ . ⎟
⎝ . ⎠ ⎝ . . . . . .. . ⎠⎝ ⎠
[0] [−ATN ] [BN 1 ] . . . . [BN N ] [vN ]
1
(Z0 ) gp |f0 , p ∈ (1...P ) (avec P les
i
avec [Ai ] le vecteur d’excitation exprimée par [Ai ] =
fonctions test utilisé ). Cependant, [Bij ] correspond à la matrice impédance qui représente
le couplage entre les éléments ith et j th dieléctric. Où (i in(1...N ), j ∈ (1...N )) et [Bij ] =
−1 1
mn gp |Fmn zmn fmn |Gq et D(1, 1) = (Z0 ) .
i j
La MoM-GEC consiste à décrire chaque domaine diélectrique par P fonctions d’essai, avec P est
fixé à la convergence.
⎛ ⎞
g1i |f0
⎜ ⎟
⎜ g2i |f0 ⎟
⎜ ⎟
1 ⎜ ⎜ . ⎟
⎟
Ai = ⎜ ⎟ (4.3)
(Z0 ) ⎜ . ⎟
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ . ⎠
gPi |f0
⎛ ⎞
−1 j −1
mn g1 |fmn zmn fmn |g1
i
. . . . mn g1 |fmn
i
zmn fmn |gPj
⎜ −1
−1 ⎟
⎜ mn g2 |fmn zmn fmn |g1
i j
. . . . mn g2 |fmn
i
zmn fmn |gPj ⎟
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎜ . . . . .. . ⎟
Bij =⎜ ⎟ (4.4)
⎜ . . . . .. . ⎟
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ . . . . .. . ⎠
−1 j −1
mn gP |fmn zmn fmn |g1
i
. . . . mn gP |fmn
i
zmn fmn |gPj
La relation (4.2) permet d’écrire le système d’équations (4.5) :

I0 = DV0 − [Ai ]vp
(4.5)
0 = −[Ai ]T V0 + [Bij ]vp
La résolution de ce système d’équations (4.5) permet de déduire la matrice impédance d’entrée :
* + * V0 + * +−1
= D − [Ai ] [Bij ]−1 [Ai ] .
T
Z = (4.6)
I0
Après la détermination de la matrice impédance d’entrée par l’équation (4.7), nous déduisons la
* +
matrice des paramètres S :
* + * [Z] +* [Z] +−1

S = − Id + Id (4.7)
Z10 Z10
où Id est la matrice d’identité
Le système d’équations (4.2) peut également conduire à calculer les coefficients de pondération
(vp ), la densité du courant J0 et le champ électrique diffracté Ee .
4.2.3 Étude de blindage avec perte surfacique
Dans cette section , nous étudions les performances du blindage en tenant compte les pertes de
surface. La structure présentée dans 4.1 avec une perte de surface a été modélisé en utilisant le
GEC illustré dans 4.3. E0 est la source d’excitation qui correspond à la source d’onde (E0 =
√
2A0 Z0 f0 ). L’opérateur impédance Z décrit l’environnement de la discontinuité. Il est utilisé
pour représenter les conditions limites de chaque côté et est défini en fonction des modes d’ordre
supérieur. (Ee )i (i ∈ 1, 2, . . . , N ) sont les sources virtuelles définies sur le domaine de l’ouverture
dans la surface de la discontinuité. Ce sont les inconnues du problème et sont exprimées en
séries de fonctions connues (gp )i (p ∈ 1, 2, . . . , P ) pondérées par des coefficients inconnus (vp )i
(p ∈ (1, 2, . . . , P ) :
(Ee )i = (vp )i (gp )i (4.8)

p
Le courant J0 est défini comme étant une série de fonctions de modes pondérées par les coefficients
(Im ) :
J0 = Im fm (4.9)
m
L’impédance de surface d’une plaque métallique [IV.1, IV.2, IV.3] est défini comme suit :
,
ωμ
Zs = (1 + j) (4.10)
2σ
Figure 4.3: Circuit equivalent généralisé pour la structure proposée avec perte surfa-
cique.
4.2.3.1 Analyse du problème :
En appliquant les lois d’ohm et de Kirchhoff sur le circuit de la figure 4.3, nous trouvons le
système d’équations (4.12) :
⎧ 2Zs Id 2Zs Id N
⎪ −1 −1 i
⎨ J0 = (Z + ( (N) )) E0 − (Z + ( (N) ))
⎪ i=1 (Ee ) , (a)
(4.11)
⎪
⎩ N (J )i = −(Z
⎪ + ( 2Zs Id ))−1 N (Ee )i . (b)
+ ( 2Zs Id ))−1 E0 ) + (Z
i=1 e (N) (N) i=1
avec Id la matrice d’identité.
Appliquant la méthode de Galerkin, nous aurons la représentation matricielle suivante :
⎛ ⎞ ⎛ ⎞⎛ ⎞
I0 D [−A1 ] [−A2 ] . [−Ap ] . [−AN ] V0
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ [0] ⎟ ⎜ [−A1 T ] [B11 ] [B12 ] . . . [B1N ] ⎟ ⎜ [v1 ] ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ [0] ⎟ ⎜ [−A2 T ] [B21 ] . . . . [B2N ] ⎟ ⎜ [v2 ] ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ . ⎟=⎜ . . . . . .. . ⎟⎜ . ⎟ (4.12)
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ . ⎟ ⎜ [−Ai T ] . . [Bij ] . .. . ⎟ ⎜ [vi ] ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ . ⎟ ⎜ . . . . . .. . ⎟⎜ . ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠
[0] [−AN T ] [BN 1 ] . . . . [BNN ] [vN ]
1
Où [Ai ] le vecteur d’excitation exprimée par [Ai ] = 2Zs Id (gp )i |f0 , p ∈ (1 . . . P ) (où
(Z0 +( (N )
))
P est le nombre total de fonctions de test utilisées). Alors que, [Bij ] correspond à la sous-
matrice d’impédance qui représente le couplage entre le ith et le j th éléments diélectriques. Avec,
1 1
m (gp ) |fm (z +( 2Zs )) fm |(gq ) , et D(1, 1) = (Z +( 2Zs )) .
i ∈ (1 . . . N ), j ∈ (1 . . . N )), [Bij ] = i j
m (N ) 0 (N )
La méthode MoM-GEC basée sur le concept d’onde consiste à décrire chaque domaine diélectrique
par P fonctions test, où P est défini par la convergence :
⎛ ⎞
(g1 )i |f0
⎜ ⎟
⎜ (g2 )i |f0 ⎟
⎜ ⎟
⎜ ⎟
1 ⎜ . ⎟
Ai = 2Zs ⎜ ⎟ (4.13)
(Z0 + ( (N ) )) ⎜
⎜ . ⎟
⎟
⎜ ⎟
⎝ . ⎠
(gP )i |f0
⎛ ⎞
i 1 1
m (g1 ) |fm 2Z fm |(g1 )j . . i
m (g1 ) |fm (z 2Zs fm |(gP )j
⎜ (zm + (Ns) ) m + (N ) ) ⎟
⎜ ⎟
⎜ i 1 j i 1
fm |(gP )j ⎟
⎜ m (g2 ) |fm (z + 2Zs ) fm |(g1 ) . . m (g2 ) |fm 2Z ⎟
⎜ m (N ) (zm + (Ns) ) ⎟
⎜ ⎟
⎜ . . .. . ⎟
Bij =⎜ ⎟ (4.14)
⎜ ⎟
⎜ . . .. . ⎟
⎜ ⎟
⎜ . . .. . ⎟
⎜ ⎟
⎝ i 1 j i 1 ⎠
m (gP ) |fm 2Zs fm |(g1 ) . . m gP |fm 2Z fm |(gP )j
(zm + (N ) ) (zm + (Ns) )
Ce problème est résolu par le système d’équations (4.15) suivant :

I0 = DV0 − [Ai ]vp
T (4.15)
0 = −[Ai ] V0 + [Bij ]vp
On peut conséquemment déduire l’impédance d’entrée de la structure comme suit :
* + * V0 + * +−1
Z = = D − [Ai ]T [Bij ]−1 [Ai ] . (4.16)
I0
Après la détermination de la matrice impédance d’entrée par l’équation (4.16), nous déduisons
* +
la matrice des paramètres S :
* + * [Z] +* [Z] +−1

S = − Id + Id (4.17)
Z10 Z10
où Id est la matrice d’identité.
Le système d’équations (4.15) peut également conduire à calculer les coefficients de pondération
(vp ), la densité du courant J0 et le champ électrique diffracté Ee .
4.3 Résultats Numériques
On présente dans cette partie les résultats numériques obtenus lors de l’application de la MoM-
GEC basée sur le concept d’onde. Nous discuterons les performances du blindage par le calcul
de l’amplitude du coefficient de transmission |S21 | pour les deux cas considérés : blindage avec
des surfaces métalliques parfaites et blindage avec pertes surfacique. Nous commençons par
une étude de convergence de l’impédance d’entrée et calculons son comportement en fonction
de la fréquence. Ensuite, nous comparons ces résultats avec ceux obtenus en utilisant d’autres
méthodes pour la même gamme de fréquences. En outre, les conditions aux limites sont vérifiées
tout en déterminant les distributions du courant et du champ électrique à la surface de discon-
tinuité.
4.3.1 Étude de blindage sans pertes surfaciques
4.3.1.1 Étude de la convergence
Pour définir divers paramètres dans le problème, nous avons commencé par étudier la convergence
de la méthode appliqué à la structure décrite dans la Sect. 4.2.1 avec une seule fente. Pour ce
faire, nous avons fait varier le nombre de modes du guide d’onde (M) et le nombre des fonctions
test (Ne ) et étudier ses effets sur la partie imaginaire de l’impédance d’entrée. Cette étude de
convergence a été réalisée pour vérifier la validité de la méthode présentée. Pour cela, nous
a
considérons (w = 6) comme dimension de l’ouverture. La figure 4.4 montre la variation de
l’impédance d’entrée en fonction du nombre de fonctions de test (Ne ) le long de l’axe des x, ainsi
que les fonctions de base (les du guide). Ces résultats montrent que la convergence a été réalisée
avec environ (Ne = 30) fonctions test et (M = 3000) fonctions de modes. On prendra ces valeurs
dans la suite de nos simulations.
Figure 4.4: La partie imaginaire de l’impédance d’entrée en fonction du nombre de

fonctions test et pour différents nombres de modes à une fréquence de fonctionnement
F = 4 GHz.
4.3.1.2 Calcul de l’impédance d’entrée en fonction de la fréquence
Après avoir obtenu la convergence, la figure 4.5 montre la variation de l’impédance d’entrée
sur la bande de fréquence [2.2 - 6 GHz]. Notez que l’impédance d’entrée de la structure est
complexe. Il comporte deux parties, imaginaire et réelle, comme illustré dans la figure 4.6. Ceci
s’explique par l’effet de la nature de la source, de sorte que le mode fondamental de propagation
est inclus dans l’opérateur Z afin d’être associé aux modes évanescents. Cela conduit à la partie
réelle de l’impédance d’entrée. En fait, cette partie réelle est due à l’onde absorbée par le mode
fondamental du guide d’onde.
Figure 4.5: L’impédance d’entrée obtenue par la méthode MoM-GEC basée sur le
concept d’onde sur la gamme de fréquences [2,2 - 6 GHz].
Figure 4.6: Variation des parties imaginaires et réelles de l’impédance d’entrée en

fonction de la fréquence.
4.3.1.3 Validation : Comparaison avec d’autres méthodes
Validation de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée
Après avoir fait l’étude de la convergence qui permet d’assurer la stabilité de notre formulation,
on se propose dans cette partie de valider les résultats obtenus par la méthode MoM-GEC
basée sur le concept d’onde avec ceux obtenus pour la même structure en utilisant d’autres
méthodes, pour la même gamme de fréquences. La figure 4.7 illustre ces résultats. Une bonne
concordance entre nos résultats et ceux obtenus avec les logiciels HFSS ou CST est observée.
dans [IV.7, IV.8, IV.9], nous avons encore montré que la méthode MoM-GEC basée sur le concept
d’onde offre une grande précision et une amélioration du temps de calcul. En plus, la méthode
MoM-GEC basée sur le concept d’onde améliore le conditionnement de la matrice des moments
Figure 4.7: La partie imaginaire de l’impédance d’entrée calculée par notre approche
sur la bande de fréquence [2,2 - 6 GHz] et comparée à d’autres méthodes .
Validation : Distribution du courant et du champ
Pour confirmer davantage nos résultats, il est nécessaire de vérifier les conditions aux limites.
En fait, la figure 4.8 montre les distributions de courant et de champ obtenues à la surface de la
discontinuité à la convergence. Notez que toutes ces distributions satisfont aux conditions aux
limites et à la condition de continuité pour le champ. Par conséquent, le champ électrique est
nul sur les domaines métalliques mais il est défini dans l’ouverture diélectrique. Cependant, le
courant est nul dans l’ouverture, maximum sur ses bords en raison de l’accumulation de densité
de charge, et défini sur les domaines métalliques.
)LHOGGLVWULEXWLRQ &XUUHQWGLVWULEXWLRQ

__(\__ 9P

__-\__ $

[P [P
Figure 4.8: Distributions du courant et du champ à la surface de discontinuité pour

une fréquence de fonctionnement F = 3 GHz .
4.3.1.4 Blindage en fonction de l’ouverture
Le MoM-GEC basé sur le concept d’onde maintenant utilisé pour étudier le comportement
de blindage de la structure considérée ci-dessus . Nous supposons que la structure étudiée est
construite avec des conducteurs parfaits sans perte, ainsi l’impédance de surface est (Zs = 0).
La capacité d’une structure à réduire les émissions afin d’améliorer l’immunité des équipements
électriques aux perturbations haute fréquence peut être caractérisée à l’aide de module du coef-
ficient de transmission |S21 |. Nous commençons par tracer le comportement de |S21 | en fonction
de la longueur d’ouverture (w) à trois fréquences de fonctionnement, comme illustré sur la figure
4.9. Notez que pour chaque fréquence, la longueur d’ouverture w augmente également avec |S21 |.
De plus, notez que, lorsque la fréquence augmente, l’amplitude du coefficient de transmission
|S21 | augmente également. Cela confirme qu’un choix approprié de la largeur d’ouverture peut
permettre d’obtenir un blindage ajustable. Cependant, pour la gamme de fréquences de [2,2 - 6
GHz], on peut constater que l’efficacité du blindage est en excellent accord pour une longueur
d’ouverture inférieure à (0,01 m).

) *+]

) *+]
_6 _

) *+]

Z P
Figure 4.9: Module du coefficient de transmission |S21 | en fonction de la longueur de

l’ouverture (w) .
Le but de cet paragraphe est de déterminer une largeur d’ouverture qui assurera un blindage
efficace. Pour cela, nous variant la largeur de l’ouverture (w) en fonction de la fréquence et
observer son effet sur l’amplitude du coefficient de transmission |S21 |. La figure 4.10 présente la
variation résultante de |S21 | en fonction de la fréquence pour différentes valeurs de la largeur
d’ouverture (w). Ces résultats montrent que, lorsque la largeur de l’obstacle diminue, le blindage
a
diminue également. On en déduit qu’un bon blindage est obtenu pour (w = 10 ).

Z D
Z D
Z D
Z D
_6_
Z D
Z D
Z D
Z D
Z D

)UHTXHQF\ +]
[
Figure 4.10: Variation de coefficient de transmission |S21 | en fonction de la largeur

de l’ouverture (w).
La figure 4.11 présente une comparaison de ces résultats et ceux obtenus par la méthode des
éléments finis (FEM) en utilisant le simulateur HFSS et la méthode de la matrice de ligne
de transmission (TLM) à l’aide de l’outil de simulation CST. Nous constatons que toutes les
méthodes présentent un bon accord.

0R0í*(&íZDYHFRQFHSW
0R0í*(&
+)66VRIWZDUH
&67VRIWZDUH
_6_

)UHTXHQF\ +]
[
Figure 4.11: Variation du coefficient de transmission |S21 | en fonction de la fréquence

a
pour (w = 10 ) comparé à celles obtenues par d’autres méthodes.
4.3.2 Étude de blindage avec pertes surfacique
4.3.2.1 Blindage pour différents matériaux
Dans cette partie, on exploite les résultats effectués avec la présence des pertes surfacique. En
effet, les pertes sont introduites dans la formulation décrit dans la Sect. 4.2.3 par la présence de
la terme impédance de surface Zs , qui dépend de la conductivité relative et de la perméabilité

relative du matériau appliqué. Le tableau 4.1 (voir Annexe) présente ses valeurs pour différents
métaux utilisés pour la protection EM. Nous avons étudié le blindage de ces matériaux dans
a
le cas où (w = 10 ). La figure 4.12 montre les valeurs du module du coefficient de transmission
|S21 | en fonction de la fréquence. A partir des valeurs de |S21| nous constatons que certains
matériaux sont mauvais pour le blindage alors que d’autres sont bons. Les mauvais (tels que
superpermalloy, mumetal, steel, stainless steel, etc.) correspondent à des valeurs élevées de |S21|,
avec transmission élevée du champ électromagnétique dans la structure. Cependant, les bons (tels
que l’argent, le cuivre, l’or, l’aluminium, etc.) correspondent aux faibles valeurs de |S21 | (< 0, 05)
sur toute la plage de fréquences. Dans ce cas, la structure peut arrêter la transmission de champ
électromagnétiques.
6LOYHU
&RSSHU
*ROG
$OXPLQLXP
%UDVV
%URQ]H
_6 _
7LQ

/HDG

1LFNHO
6WDLQOHVV6WHHO
6WHHO
0XPHWDO
6XSHUSHUPDOOR\
=V

)UHTXHQF\ +]
[
Figure 4.12: Variation du module du coefficient de transmission |S21 | pour différents

matériaux sur la gamme de fréquences de 2,2 à 6 GHz.
Pour illustrer l’effet du type de métal appliqué sur l’efficacité du blindage, nous avons calculé
le module |S21 | du coefficient de transmission par rapport à la longueur de l’ouverture (w).
La figure 4.13 présente le module du coefficient de transmission |S21 | en fonction de la largeur
d’ouverture pour les deux cas, parfait et avec perte (argent, superpermalloy). Comparé au métal
parfait, on peut voir que l’argent est un bon matériau de blindage pour les faibles et grandes
ouvertures. Cela s’explique par la faible perte d’argent. Cependant, le superpermalloy est un
mauvais matériau, même pour de petites ouvertures, présentant un coefficient de transmission
élevé.
De plus, pour montrer l’effet du type de métal appliqué sur l’efficacité du blindage, nous avons
également étudié la pénétration du champ à travers la structure considérée dans deux cas : métal
parfait et celui avec pertes (argent, superpermalloy). La figure 4.14 montre le champ électrique
en fonction du sens de propagation (Z). Il est évident que, lorsqu’on utilise un matériau parfait
tel que l’argent, la densité de champ est plus atténuée dans la direction Z que dans le cas d’un
mauvais matériau tel que le superpermalloy. Ces résultats confirment l’importance du type de
métal appliqué pour protéger les structures du rayonnement électromagnétique externe (EM).
2SHUDWLQJIUHTXHQF\ ) *+]

3HUIHFWPHWDO
_6 _
6LOYHU

6XSHUSHUPDOOR\

Z P
Figure 4.13: Module du coefficient de transmission |S21 | par rapport à la largeur

d’ouverture (w) pour divers matériaux à une fréquence de fonctionnement F = 3 GHz .
6LOYHU
6XSHUPDOORO\

__(\__ 9P

]P
Figure 4.14: Distribution de champ en fonction du sens de propagation (Z) pour les
matériaux argent et superpermalloy à une fréquence de fonctionnement de F = 3 GHz.
4.3.2.2 Optimisation des pertes en fonction de la distribution d’ouverture

(distribution périodique)
Dans cette section, nous optimisons l’efficacité du blindage lorsqu’on utilise un matériau de
mauvaise qualité, tel que le superpermalloy, en introduisant la périodicité. Avec la même méthode
GEC associée au concept d’onde, la variation de |S21 | par rapport au nombre d’ouvertures est
tracée pour (w = a
10 ) dans la figure 4.15. On notera d’après les valeurs de |S21 | que la structure
étudiée présente un bon comportement de blindage pour 2,2 GHz, en particulier lorsque le nombre
d’ouvertures est augmenté. Cependant, il présente un mauvais comportement de blindage aux
hautes fréquences telles que 6 GHz.
2SHUDWLQJIUHTXHQF\ ) *+] 2SHUDWLQJIUHTXHQF\ ) *+]

_6_
_6 _

$SHUWXUHQXPEHU $SHUWXUHQXPEHU
Figure 4.15: Coefficient de transmission en fonction du nombre d’ouvertures pour w

a a
= 10 et d = 8.7 à deux fréquences de fonctionnement F = 2.2 GHz et F = 6 GHz.
La figure 4.16 montre la variation du coefficient |S21 | en fonction de la fréquence pour N = 1 et

N = 6, confirmant l’analyse ci-dessus. On peut voir que, dans la gamme de fréquences inférieure à
F = 3 GHz, la valeur de |S21 | ne dépasse pas (0,1). Notez que l’utilisation de plusieurs ouvertures
optimise la valeur de |S21 | pour les basses fréquences (|S21 | < 0.1) pour F = 3 GHz. Cependant,
lorsque la fréquence augmente, plus la valeur de la |S21 | inférieure ou égale à (0,1). Nous concluons
que le diaphragme présente un bon comportement du blindage, en étant capable d’empêcher la
pénétration du champ électromagnétique à l’intérieur du guide d’onde à des fréquences basses.

1
1

_6 _

)UHTXHQF\ +]
[
Figure 4.16: Variation de |S21 | pour les matériaux avec pertes (superpermalloy) dans
la gamme de fréquences de 2,2 à 6 GHz.
Pour optimiser l’efficacité du blindage à haute fréquence, il faut adopter une autre longueur
d’ouverture. La figure 4.17 A, B présente la variation du coefficient de transmission en fonction du
nombre d’ouvertures et de la fréquence, respectivement. Les résultats présentés dans cette figure
confirment ceux ci-dessus. En effet, même pour une petite fente, la structure présente un mauvais
comportement de blindage. Pour corriger ce problème, nous avons introduit la périodicité. La
figure 4.17 A présente |S21 | en fonction du nombre d’ouvertures pour (w = a
28 ) à une fréquence
de fonctionnement de F= 6 GHz. On peut voir que |S21 | diminue à mesure que le nombre
d’ouvertures augmente. De plus, 4.17 B montre l’amplitude du coefficient de transmission |S21 |
en fonction de la fréquence, ce qui indique qu’il ne dépasse pas (0,1) sur toute la plage de
fréquences pour N = 10. On obtient donc la même interprétation physique, à savoir que les
paramètres d’iris suggérés se traduisent par une bonne efficacité de blindage en termes de valeurs
de |S21 |, empêchant la pénétration du champ électromagnétique à l’intérieur du guide d’onde. De
plus, les résultats de la simulation montrent que la périodicité a un effet important sur l’efficacité
du blindage.
2SHUDWLQJIUHTXHQF\ ) *+]

$ 1 %
1

_6_
_6_

$SHUWXUHQXPEHU )UHTXHQF\>+]@
[
Figure 4.17: A Coefficient de transmission en fonction du nombre d’ouvertures pour

a
w = 28 a
et d = 18 à une fréquence de fonctionnement F = 6 GHz. B Variation de |S21 |
pour les matériaux de superpermalloy dans la gamme de fréquences de 2,2–6 GHz.
4.3.2.3 Vérification des conditions aux limites
Cette section traite la satisfaction des conditions aux limites, représentant le champ électrique
et la distribution du courant pour les deux cas présentés, en utilisant les nombres d’éléments
N = 6 et N = 10. La figure 4.18 montre la variation du courant et du champ électrique pour
le superpermalloy (un des mauvais matériaux ), obtenue à la convergence au niveau du plan
de discontinuité, ce qui permet de vérifier les conditions aux limites et la relation de continuité
des champs. Ainsi, le champ électrique est nul sur les domaines métalliques et il est défini dans
l’ouverture diélectrique. En revanche, le courant est nul à l’ouverture, mais maximum à ses bords
en raison de l’accumulation de densité de charge, et défini sur les domaines métalliques.
)LHOGGLVWULEXWLRQ &XUUHQWGLVWULEXWLRQ

__(\__ 9P
__-\__ $

[P [P

__(\__ 9P
__-\__ $

[P [P
Figure 4.18: Distributions du courant et du champ électrique sur la surface de discon-

tinuité (N = 6, 10) pour le matériau superpermalloy à une fréquence de fonctionnement
F = 3 GHz.
4.4 Étude du blindage des circuits bidimensionnels
Dans ce paragraphe, nous proposons d’étudier le problème de blindage bidimensionnels illustrée

sur la figure 4.19. Il s’agit de déterminer la capacité d’isolation d’une plaque multi-fentes sans
perte, placés périodiquement dans un guide d’onde délimité par des parois électriques dans les
directions x et y (notés par EEEE). L’axe des z est considéré comme un circuit ouvert. Son
circuit équivalent associé est décrite précédemment dans la Sect. 4.2.2 est représenté dans la
figure 4.2, où nous avons suivi la même démarche numérique décrit précédemment dans la Sect.
4.2.2.1 pour résolu ce problème, en respectant tous les étapes
Figure 4.19: Structure étudiée : une plaque multi-ouverture sans pertes dans la
section transversale d’un guide d’onde rectangulaire métallique, où a = 22.82 mm,
b = 10.16 mm, w et L les dimensions de la fente et dx,y les distance entre les ouvertures.
4.5 Résultats Numériques
Dans cette section, on s’intéresse à étudier les performances du blindage de la structure proposée
à la figure 4.19, pour vérifier la stabilité de la méthode présentée. Nous commençons par une étude
de convergence du coefficient de transmission |S21 |, pour une seul fente. Nous étudions ensuite la
validité de la méthode en traçant le coefficient de transmission |S21 | en fonction de la fréquence,
pour différentes longueurs d’ouverture (L, w) et comparer ses résultats avec d’autres méthodes
pour la même gamme de fréquences. En outre, les conditions aux limites sont vérifiées tout en
déterminant les distributions du courant et du champ électrique à la surface de discontinuité.
4.5.1 Étude de la convergence
Comme nous l’avons déjà vu dans la section précédente 4.3.1.1, une autre étude de convergence
en utilisant MoM-GEC basé sur le concept d’onde mais cette fois avec le paramètre |S21 | est
représentée dans la figure 4.20, traiter une structure 2D avec une seule fente . Il montre la
variation de |S21 | en fonction du nombre de fonctions de test (Ne ) défini le long de l’axe des x et
du nombre de la fonction de base ( nombre de mode). Il est montré que le niveau de convergence
est atteint pour environ (Ne = 15) fonctions de test et (M = 40000) modes [IV.10, IV.11].

_6 _

0RGHVQXPEHU 0

7HVWIXQFWLRQVQXPEHU 1
H
Figure 4.20: Étude de convergence de la norme du coefficient de transmission pour

(w = 6mm) et (L = 4mm) à la fréquence de fonctionnement F = 10 GHz.
4.5.2 Calcul de la norme de coefficient de transmission et validation

avec d’autres résultats
La figure 4.21 présente, la variation de la module du coefficient de transmission en fonction de

couple (w, L) sur une bande de fréquence [8 - 12 GHz]. Comme aussi présente une comparaison
du coefficient |S21 | avec les logiciels HFSS et CST. On constate que les courbes obtenues se
comportent de la même manière.

0R0í*(&íZDYHFRQFHSW Z PP/ PP
+)66VRIWZDUH

&67VRIWZDUH

Z PP/ PP

_6_

Z PP/ PP

)UHTXHQF\ +]
[
Figure 4.21: Variation de la norme du coefficient de transmission |S21 | de la structure

étudiée trouvée par MoM-GEC basé sur le concept d’onde et comparée aux logiciels
HFSS et CST, sur une bande de fréquence [8 - 12 GHz].

dimension l’ouverture
Dans ce présent paragraphe, nous appliquons notre formulation pour étudier la variation de |S21 |
par rapport aux dimensions de la fente (w, L), comme le montre la figure 4.22. Ainsi, on remarque
que si les paramètres des structures étudiées sont d’environ (w = 6 mm, L = 2,5 mm), on obtient
un meilleur matériau de blindage. Au-delà de ces valeurs, on observe une grande pénétration du
champ électromagnétique.

_6 _
_6_

Z P / P
Figure 4.22: Variation du coefficient |S21 | en fonction des dimensions de la fente (w,
L) à la fréquence de fonctionnement F = 10 GHz.

nombre d’ouvertures
Dans cette section on s’intéresse à l’étude du comportement du blindage en fonction du nombres

des ouverture. Ainsi, la variation du |S21 | par rapport au nombre d’ouvertures est tracée pour
(w, L) = 2mm, comme illustré dans la figure 4.23. Nous remarquons que, toujours, à l’air d’un
bon comportement de protection, en particulier lorsque le multiple des ouvertures est pris en
compte.

_6_

$SHUWXUHQXPEHU
Figure 4.23: Variation du coefficient |S21 | en fonction du nombre des fentes (N). Les
longueurs de guide d’onde sont (a = 22,82 mm), (b = 10,16 mm), les largeurs des
fentes sont (w, L = 2 mm) et la distance entre les ouvertures est dx,y = 1, 5mm à une
fréquence de fonctionnement F = 10 GHz.
4.5.5 Calcul du coefficient de transmission en fonction de la fréquence
Nous présentons, dans cette section la variation du coefficient |S21 | en fonction de la fréquence
calculer avec la même méthode proposée. La figure 4.24 illustre cette variation . Une même
interprétation physique est observée, en particulier, les valeurs |S21 | des paramètres d’iris suggérés
présentent un bon phénomène de blindage dans lequel la pénétration du champ électromagnétique
est parfaitement stoppée.

1
1

_6 _

)UHTXHQF\ +]
[
Figure 4.24: Variation du coefficient |S21 | en fonction de la fréquence pour (N = 1)

et (N = 8). Les longueurs de guide d’onde sont (a = 22,82 mm), (b = 10,16 mm), la
largeur de l’élément est (w, L = 2 mm) et la distance entre les ouvertures est (dx,y =
1,5 mm).
4.5.6 Vérification des conditions aux limites
Ce paragraphe est dédié à la vérification des conditions aux limites. Les figures 4.25 et 4.26 montre
les variations du courant et du champ électrique, obtenues à la convergence dans le plan de discon-
tinuité, où le champ électrique et la distribution du courant sont définis comme complémentaires
dans leurs domaines. Ainsi, le champ électrique est nul sur les domaines métalliques et il est
défini dans l’ouverture diélectrique. En revanche, le courant varie de manière inverse au champ.
Figure 4.25: Distributions du courant et du champ pour (N = 1) à une fréquence de

fonctionnement F = 10 GHz.
Figure 4.26: Distributions du courant et du champ pour (N = 8) à une fréquence de

fonctionnement (F = 10 GHz).
4.6 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons mis l’accent sur le blindage, ou nous avons utilisé la nouvelle
formulation de la méthode GEC basée sur le concept d’onde. La méthode représente un outil
puissant dans la modélisation électrique des structures et des obstacles. Les modèles équivalents
sont établis à partir d’un formalisme mathématique rigoureux en prenant en compte tous les
couplages possibles entre structures et entre les propres modes d’une même structure. Les modèles
présentent une très grande adaptabilité à toute variation de la bande fréquentielle d’étude, ou
des dimensions géométriques des structures. Une étude de convergence est menée en premier lieu
suivie du calcul de l’impédance d’entrée, les paramètres S et la distribution du courant et du
champ pour vérifier les conditions aux limites.
Bibliographie du Chapitre IV
[IV.1] Sievenpiper, D., Zhang, L., Broas, R. F. J., Alexopolous, N.G. , Yabonovitch, E. : High
impedance electromagnetic surfaces with a forbidden frequency band. IEEE Trans. Microw.
Theory Tech. 47(11), 2059 (1999).
[IV.2] D. D. L. Chung.Materials for Electromagnetic Interference Shielding. J. Mater. Eng. Per-

form. 9(3), 350354 (2000).
[IV.3] Clayton R. Paul, Kai Chang. Introduction to Electromagnetic Compatibility.2nd Edi-

tion,Wiley Hoboken (2006).
[IV.4] T. Ben Salah, ”Analyse d’une antenne planaire : utilisation des fonctions d’attache dans
la méthode de Galerkin, ” Rapport de Mastère, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Tunis,
Septembre 2003.
[IV.5] Mili S, Larbi Aguili C, Aguili T. Study of fractal-shaped structures with PIN Diodes using
the multi scale method combined to the generalized equivalent circuit modeling. Progress
In Electromagnetics Research B. Vol. 27, 2011 ; 213-233.
[IV.6] Mili S, Aguili T. Electromagnetic study of planar pre-fractal structures using the scale
changing technique. IEEE. Microwave Radar and Wireless Communications (MIKON), 2010
18th International Conference, Vilnius-Lithuania 2010.
[IV.7] Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, Application of the New Formu-
lation of the MoM-GEC Method Based on Wave Concept for Study of Electromagnetic
Diffraction : Shielding Applications ”, International Journal of Microwave and Optical Tech-
nology, 2017.
[IV.8] Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, ”Reduction of electromagnetic
interference in HF circuits by improving the effectiveness of shielding structures”, Journal
of Computational Electronics, 2018.
[IV.9] Ahmed Nouainia, Bilel Hamdi, Taoufik Aguili, ” Waveguide shielding analysis of 1D and
2D planar rectangular metallic structures using modified MoM-GEC method based on wave
concept ”, Radiation Physics and Chemistry Journal, 2018.
[IV.10] Aguili, T., 2000. Modelisation des composants S. H. F planaires par la methode des
cir-cuits equivalents generalises [Modeling of planar SHF components by the method of
generalized equivalent circuits] (Ph.D. thesis). National Engineering School of Tunis ENIT,
Tunis.
[IV.11] Mili, S., 2011. Approche des Circuits Equivalents Generalises Multi-Echelles Combinees
a la Theorie de Groupe de Renormalisation pour la Modelisation Electromagnetique des
Structures Fractales Passives et Actives [Approach of multi scale generalized equivalent cir-
cuits combined to the renormalization group theory for electromagnetic modeling of passive
and active fractal structures] (Ph.D. thesis). National Engineering School of Tunis ENIT,
Tunis.
Conclusion Générale
Les structures complexes sont de plus en plus utilisées pour la conception des dispositifs hy-
perfréquences. En effet, elles présentent des solutions utiles qui répondent aux besoins de minia-
turisation et d’amélioration des différentes performances. Par ailleurs, ces structures présentent
des rapports de dimensions très importants. Ceci pose des problèmes et des contraintes lors
de leur modélisation électromagnétique et surtout en termes de ressources informatiques et
temps de calcul. Ainsi, la majorité des méthodes numériques existantes présentent des limi-
tations en traitant ce genre de structures, notamment lorsque le rapport de dimension augmente
considérablement. Dans ce cas, un problème de matrices mal conditionnées se présente ce qui
peut réduire énormément la précision de ces méthodes.
Dans un premier temps, nous avons commencé par une présentation générale de Compatibilité
électromagnétique. Une revue sur les différentes méthodes numériques utilisées en électromagnétisme
et plus particulièrement dans notre contexte a été présentée. Cette dernière fournit une vue glo-
bale sur les différentes méthodes numériques proposées dans la littérature et par suite justifier
le choix de la méthode qui sera adoptée dans nos travaux de thèse.
Par la suite, nous avons mis l’accent sur la méthode MoM-GEC adoptée pour modéliser la
structure étudiée. Cette méthode est facile à mettre en oeuvre en transposant le problème
électromagnétique en un problème simple de circuit électrique où nous avons pu appliquer les
lois des noeuds et des mailles afin retrouver les relations régissant les différentes grandeurs ca-
ractérisant la structure étudiée. L’analyse se fait dans une méthode intégrale en utilisant la
procédure de Garlekin comme outil de résolution. Le formalisme utilisé conduit alors à résoudre
un système linéaire (matriciel).
Dans une autre partie , nous avons étudié l’évaluation des performances de GEC dans la for-
mulation MoM. En fait, un problème de diffraction est considéré comme une validation en
testant toutes les configurations possibles de GEC. nous avons remarque que quelque confi-
gurations présentent des singularités et elles ne conviennent pas pour résoudre le problème
électromagnétique considéré. nous avons introduit le concept d’onde pour remédier aux problèmes
de configuration. La nouvelle approche montre une bonne précision avec les configurations GEC
classiques et la méthode FEM. En plus lorsque nous utilisons le concept d’onde en tant que
source d’excitation de champ, le temps CPU peut être réduit comparé à d’autres GEC classiques
Configurations.
Le dernier chapitre est consacré a l’etude de blindage, ou nous avons utilisé la nouvelle formu-
lation de la méthode GEC basee sur le concept d’onde. nous avons développé une formulation
Conclusion Générale 94
détaillée. une étude de convergence est menée en premier lieu suivie du calcul de l’impedance
d’entreé, Les paramètres S et la distribution du courant et du champ pour vérifier les conditions
aux limites.
Annexe
Les bases modales dans un guide d’onde rectangulaire
Tous les guides rectangulaires peuvent propager les modes TM et TE, mais non les ondes TEM,
puisque un seul type de conducteur est présent. Un mode désigne une onde qui se propage dans
un guide. A l’inverse de l’onde plane en espace libre, il peut exister de nombreux modes qui se
propagent dans un guide d’onde à la même fréquence. Chaque mode présente une configuration
propre des champs électrique et magnétique et dans un guide parfait, les différents modes ne
peuvent pas interagir entre eux.
Cas des modes TE
- Les champs sont fonction de x et de y :
- Ez pour ces modes. Les étapes du calcul sont les suivantes :
1. Nous cherchons une solution de l’équation d’onde pour la composante Hz .
2. A partir des deux premières équations de Maxwell, nous exprimons les composantes transverses
Hx ; Hy ; Ex ; Ey en fonction de la composante axiale Hz .
3. On écrit que les composantes Ex et Ey satisfont aux conditions aux limites sur les parois
métalliques.
L’équation de propagation du champ magnétique est donnée par
1 ∂2B
B = (4.18)
c2 ∂ 2 t
d’où l’équation d’onde pour la composante Hz s’écrit :
∂2 ∂2 ∂2
( + + ) Hz = −ω 2 εμ Hz (4.19)
∂2x ∂2y ∂2z
En supposant que les champs varient selon e−jβz en fonction de z,
∂ 2 Hz ∂ 2 Hz
( + 2 ) + (ω 2 εμ0 − β 2 ) Hz = 0 (4.20)
∂2x ∂ y
Annexe 96
on pose k 2 = ω 2 ε0 εr μ0 − β 2
L’équation différentielle obtenue peut être résolue en utilisant la méthode de séparation des
variables les variations du champ Hz dans les deux directions transversales sont indépendantes
l’une de l’autre, ce qui permet de séparer les variables x et y en posant :
Hz (x, y) = fx (x) fy (y) (4.21)
fx (x) ne depend que de x et fy (y) ne depend que de y. De même il est possible de projeter la
composante transversale k sur les directions x et y, de sorte que
k 2 = kx2 + ky2
La relation 4.15 prend alors la forme suivante :
1 ∂ 2 fx 1 ∂ 2 fy
( + kx2 ) + ( + ky2 ) = 0 (4.22)
fx ∂ x2 fy ∂ y2
Les fonctions entre parenthèses étant indépendantes, elles doivent être vérifiées séparément, ce
qui donne la solution générale suivante :

fx = A1 cos(kx x) + A2 sin(kx x)
(4.23)
fy = B1 cos(ky x) + B2 sin(ky y)
Les constantes A1 , A2 , B1 et B2 seront déterminées par les conditions aux limites. On sait que
les composantes tangentielles du champs E sont nulles sur les parois métalliques du guides :
Ex (x, y) = 0 pour y = 0, b
Ey (x, y) = 0 pour x = 0, a
→
− →
− →
− →
−
∂t = −jωμ0 H et rot( H ) = jωε E
Or d’après les équations de Maxwell on a rot( E ) = − ∂B
En écrivant ces deux équations ; on obtient un système d’équations donnant les composantes du
champ électromagnétique. On sait que pour les modes TE, on a Ez = 0 ; d’où on obtient des
relations entre les champs transverses. Les composantes du champ électrique Ex et Ey , sont
données par
jωμ ∂ Hz
Ex = − (4.24)
k 2 ∂y
jωμ ∂ Hz
Ey = (4.25)
k 2 ∂x
On a Hz (x, y) = fx fy ⇒ ∂ Hz
∂x = fy ∂∂xfx
D’où on peut écrire :

Annexe 97

Ex = − jωμ
k2 fx [−ky B1 sin(ky y) + ky B2 cos(ky y)]
(4.26)
Ey = − jωμ
k2 fy [−kx A1 sin(kx x) + kx A2 cos(kx x)]
En appliquant les conditions aux limites à ces équations on obtient :
A2 = B2 = 0
et kx a = nπ ky b = mπ
En reportant les expressions de fx et fy dans l’équation Hz , on metHz sous la forme :
nπ mπ
Hz = A1 B1 cos( x)cos( y) (4.27)
a b
Ainsi, selon 4.21 et 4.23, on peut déduire les expressions des composantes transverses. L’expres-
sion de la composante Ez devient :
jωμ nπ nπ mπ
Ez = − A1 B1 sin( x)cos( y) (4.28)
k2 a a b
Ainsi le mode T E10 s’écrit : E = E0 sin( Πx

a ) ; avec E0 déterminé avec les données du problème
Relation de dispersion : Nous avons posé
nπ 2 mπ 2
k 2 = kx 2 + ky 2 = ( ) +( ) (4.29)
a b
L’équation de dispersion s’écrit alors :
ω nπ mπ 2
( )2 − β 2 = ( )2 + ( ) (4.30)
c a b
La pulsation de coupure ωc correspond à β = 0 ; d’où la fréquence de coupure correspondante

est
,
λ kc c c nπ nπ
fc = = = ( )2 + ( )2 (4.31)
c 2π 2π a b
Le mode T E00 n’existe pas, car pour n = m = 0 , la relation 4.23 montre que Hz est constant
et donc que les champs transverses sont nuls.
Comme on a par convention a > b. Le mode qui a la plus basse fréquence de coupure est le mode
T E00 (n = 1; m = 0). On rappelle que l’impédance de mode zmn est l’inverse de l’admittance,
avec ymn l’admittance de mode donné pour les modes :
Annexe 98

γmn
T E : ymn T E = jωμ0
(4.32)
T M : ymn TM
= jωε
γmn
0
γmn :est la constante de propagation exprimé dans le domaine spectrale en fonction des grandeurs
géométriques et des diffiérents éléments caractéristiques du milieu. Elle s’exprime par la relation
suivante :
2 nπ 2 mπ 2
γmn =( ) +( ) − k02 εr (4.33)
a b
ω
k0 = c : Nombre d’onde dans le vide.
c= √ 1 : célérité de la lumière (3.108 m/s)

ε0 μ0
a ; b : sont repectivement les dimensions suivant l’axe (ox) et l’axe (oy).
m ; n : désignant respectivement les indices relatif aux modes ∈ N
εr :permittivité relative du milieu.
ε0 :permittivité du vide (F/m)
μ0 :perméabilité magnétique du vide (h/m)
ω : pulsation angulaire égale à 2πf (rd/s)
Cas des modes TM
Le champ magnétique est purement transverse (Hz = 0). En suivant exactement la même
démarche, on trouve l’expression de (Ez = 0) :
nπ mπ
Ez = Bnm sin( x)sin( y)e−jβz (4.34)
a b
On peut en déduire les composantes du champs pour les modes T Mnm :
−jβnπ nπ mπ −jβz
Ex = kc2 a Bnm cos( a x)sin( b y)e
−jβnπ nπ mπ −jβz
(4.35)
Ey = kc2 b Bnm sin( a x)cos( b y)e
Aini, nous avons rappelé les expressions des champs transverse, selon les types de modes pour
un guide à parois électriques. Une base modale peut être construite à partir de ces expressions
Les bases modales
En utilisant les formules des champs transverses obtenus pour chaque type de mode et en tenant
compte des relations d’orthogonalité dans une base, les expressions des modes sont données
comme suit :
Annexe 99
Guide EEEE
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎨ 2 nπy
ab sin( b )
T E0n =
⎩ n=0
Les modes T M0n n’existent pas.
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎨ 0
T Em0 =
⎩ − 2 mπx
ab sin( a )
Les modes T Mm0 n’existent pas.
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎪
⎨ √
n
4 mπx nπy
ab cos( a )sin( b )
b
(m 2 n 2
a ) +( b )
T Emn = −m
⎪
⎩ √ 4 mπx nπy
ab sin( a )cos( b )
a
(m 2 n 2
a ) +( b )
⎧ −m

⎪
⎨ √ 4 mπx nπy
ab cos( a )sin( b )
a
(m 2 n 2
a ) +( b )
T Mmn = −m
⎪
⎩ √ 4 mπx nπy
ab sin( a )cos( b )
b
(m 2 n 2
a ) +( b )
Guide MMMM
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎨ 0
T M0n =
⎩ 2 nπy
ab sin( b )
Les modes T Em0 n’existent pas.
• m = 0 et n = 0 :
Annexe 100
⎧
⎨ 2 mπx
ab sin( a )
T Mm0 =
⎩ 0
• m = 0 et n = 0 :
⎧ −n

⎪
⎨ √ 4 mπx nπy
ab sin( a )cos( b )
b
(m 2 n 2
a ) +( b )
T Emn =
⎪
⎩ √
m
4 mπx nπy
ab cos( a )sin( b )
a
(m 2 n 2
a ) +( b )
⎧
⎪
⎨ √
m
4 mπx nπy
ab sin( a )cos( b )
a
(m 2 n 2
a ) +( b )
T Mmn =
⎪
⎩ √
sm
4 mπx nπy
ab cos( a )sin( b )
b
(m 2 n 2
a ) +( b )
Guide EMEM
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎨ 0
T M0n =
⎩ − 2 nπy
ab cos( b )
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎨ 0
T Em0 =
⎩ 2 mπx
ab cos( a )
Les modes T Mm0 n’existent pas.
• m = 0 et n = 0 :
⎧
⎪
⎨ √
n
4 mπx nπy
ab sin( a )sin( b )
b
(m 2 n 2
a ) +( b )
T Emn =
⎪
⎩ √
m
4 mπx nπy
ab cos( a )cos( b )
a
(m 2 n 2
a ) +( b )
Annexe 101
⎧
⎪
⎨ √
m
4 mπx nπy
ab sin( a )sin( b )
a
(m 2 n 2
a ) +( b )
T Mmn = −n
⎪
⎩ √ 4 mπx nπy
ab cos( a )cos( b )
b
(m 2 n 2
a ) +( b )
Guide PPPP
⎧
⎧ ⎫ ⎪
⎪ j √ 2 yn 2
k 1
⎪
⎪ kxm,α +kyn ab
⎪ ⎪ ⎪
⎨ |T Emn,αβ
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(k
xm,α x)) exp(+j(kyn,β y)
m ∈ Z∗ =
⎪
⎪ ⎪ ⎪
⎪ ⎪ −j √ 2kxm,α 2 1
⎩ n ∈ N∗ ⎭ ⎪
⎪ xm,α +kyn
ab
⎪
⎪
k
⎩ exp(+j(kxm,α x)) exp(+j(kyn,β y)
⎧
⎧ ⎫ ⎪
⎪ j √ 2 xm,α 2
k 1
⎪
⎪ kxm,α +kyn ab
⎪ ⎪ ⎪
⎨ |T Mmn,αβ
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(k
m ∈ Z∗ =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪ j √ kyn
⎪ 1
⎩ n ∈ N∗ ⎭ ⎪ ⎪ 2 2
+kyn ab
⎪
⎪
kxm,α
⎩ exp(+j(k
⎧
⎧ ⎫ ⎧ ⎫ ⎪
⎪ j √ 2β 2 ab 1
⎪
⎪ α +β
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎨ |T EMαβ
⎪ ⎪
⎬ ⎨ |T E00,αβ
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(αx)) exp(+j(βy)
m=0 = m=0 =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪ −j √ α 1
⎩ n=0 ⎭ ⎩ n=0 ⎭ ⎪ ⎪
⎪ 2 +β 2 ab
⎪
⎪
α
⎩ exp(+j(αx)) exp(+j(βy)
⎧
⎧ ⎫ ⎧ ⎫ ⎪
⎪ j √ 2β 2 ab 1
⎪
⎪ +β
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ α
⎨ |T EMαβ
⎪ ⎪
⎬ ⎨ |T M00,αβ
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(αx)) exp(+j(βy)
m=0 = m=0 =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪ j√ α 1
⎩ n=0 ⎭ ⎩ n=0 ⎭ ⎪ ⎪
⎪ α2 +β 2 ab
⎪
⎪
⎩ exp(+j(αx)) exp(+j(βy)
2mπ 2mπ
Avec kxm,α = dx + α et kyn,β = dy +β .
Seulement pour l’incidence normal (α = 0, β = 0), on peut trouver 2 modes TEM qui sont
possible dont
les expressions sont
:
1 −
→ 1 −
→
|T EM = ab x où |T EM = ab y
Annexe 102
Guide EPEP
⎧
⎧ ⎫ ⎪
⎪ √ 2 kyn 2 2
⎪
⎪ kxm,α +kyn b
⎪ ⎪ ⎪
⎨ |T Emn,α
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(k
xm,α x)) sin(kyn y)
m∈Z =
⎪
⎪ ⎪ ⎪
⎪ ⎪ j √ 2kxm,α 2 2
⎩ n ∈ N∗ ⎭ ⎪
⎪ kxm,α +kyn b
⎪
⎪
⎩ exp(+j(kxm,α x)) cos(kyn y)
⎧ ⎫
⎪ ⎪ ⎧
⎨ |T Em0,α
⎪ ⎪
⎬ ⎨ 0
m ∈ Z∗ =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎩ j 1 exp(+j(kxm,α x))
⎩ n=0 ⎭ b
⎧ ⎫ ⎧ ⎫
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎧
⎨ |T EMα
⎪ ⎪
⎬ ⎨ |T E00,α
⎪ ⎪
⎬ ⎨ 0
m=0 = m=0 =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎩ j 1 exp(+j(αx))
⎩ n=0 ⎭ ⎪ ⎩ n=0 ⎪
⎭ b
⎧
⎧ ⎫ ⎪
⎪ √ −k xm,α 2
⎪
⎪ 2 2
+kyn b
⎪ ⎪ ⎪ kxm,α
⎨ |T Mmn,α
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(k
m∈Z =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪ j √ kyn 2
⎩ n ∈ N∗ ⎭ ⎪ ⎪
⎪ 2 +kyn2 b
⎪
⎪
kxm,α
⎩ exp(+j(k
xm,α x)) cos(kyn y)
Les modes |T Mm0,α et |T M00,α ne sont pas définis.

2mπ nπ
Avec kxm,α = a + α et kyn = b .
Guide EPMP :
⎧
⎧ ⎫ ⎪
⎪ √ 2 kyn 2 2
⎪
⎪ +k ab
⎪ ⎪ ⎪ k
⎨ |T Emn,α
⎪ ⎪ ⎪
xm,α yn
⎬ ⎨ exp(+j(k
m∈Z =
⎪
⎪ ⎪
⎪ ⎪ ⎪ −j √ 2kxm,α 2 2
⎩ n∈N ⎭ ⎪
⎪ kxm,α +kyn ab
⎪
⎪
⎩ exp(+j(k
⎧
⎧ ⎫ ⎪
⎪ √ −k xm,α 2
⎪
⎪ 2 2
+kyn ab
⎪ ⎪ ⎪ kxm,α
⎨ |T Mmn,α
⎪ ⎪
⎬ ⎪
⎨ exp(+j(k
m∈Z =
⎪
⎪ ⎪ ⎪
⎪ ⎪ −j √ 2 kyn 2 2
⎩ n∈N ⎭ ⎪
⎪ kxm,α +kyn ab
⎪
⎪
⎩ exp(+j(kxm,α x)) sin(kyn y)
2mπ ( 2n+1
2 )π
Avec kxm,α = a + α et kyn = b .
Annexe 103
Table 4.1: Relative permeability and relative conductivity of typical materials.
Material Relative conductivity σr Relative permeability μr

Silver 1.05 1
Copper 1 1
Gold 0.7 1
Aluminium 0.61 1
Brass 0.26 1
Bronze 0.18 1
Tin 0.15 1
Lead 0.08 1
Nickel 0.2 100
Stainless steel 0.02 500
Steel 0.1 1000
Mumetal 0.03 20’000
Superpermalloy 0.03 100’000
Liste des publications
Revues internationales
— Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, ”Validation of generalized equi-
valent circuit’s modeling : Shielding Application ”, Forum for Electromagnetic Research
Methods and Application Technologies (FERMAT), 2017.
— Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, ”Application of MoM-GEC Me-
thod for Electromagnetic Study of Planar Microwave Structures : Shielding Application
”, International Journal of Electrical, Computer, Energetic, Electronic and Communica-
tion Engineering, 2017.
— Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, Application of the New Formu-
lation of the MoM-GEC Method Based on Wave Concept for Study of Electromagnetic
Diffraction : Shielding Applications ”, International Journal of Microwave and Optical
Technology, 2017.
— Ahmed Nouainia, Bilel Hamdi, Taoufik Aguili, ” Waveguide shielding analysis of 1D and
2D planar rectangular metallic structures using modified MoM-GEC method based on
wave concept ”, Radiation Physics and Chemistry Journal, 2018.
— Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, ”Reduction of electromagnetic in-
terference in HF circuits by improving the effectiveness of shielding structures”, Journal
of Computational Electronics, 2018.
Conférences
— Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, ”Modeling Of Discontinuities In

Waveguides Using The Mom Method Combined To The Generalized Equivalent Circuit
(Gec) : Validation Of Different Gec Configurations”, World Symposium on Mechatronics
Engineering and Applied Physics (WSMEAP’2016), 16-18-July, 2016 Sousse, TUNISIA.
— Ahmed Nouainia, Mohamed Hajji, and Taoufik Aguili, ” Wave concept in MoM-GEC
formalism ”, International Applied Computational Electromagnetics Society Symposium,
(ACES 2017) 26-30- March, 2017 Firenze, Italy .
— Ahmed Nouainia ; Taoufik Aguili, ”Analysis of shielding of metallic rectangular waveguide

using new implementation of the MoM-GEC method based on wave concept”, Internatio-
nal Wireless Communications and Mobile Computing Conference (IWCMC 2017) 26-30
June, 2017 Valencia, Spain.
— Ahmed Nouainia ; Taoufik Aguili, ”MoM-GEC Method for Electromagnetic Study : Re-
flector antenna Application”, Mediterranean Microwave Symposium (MMS 2017) 28-30
Novembre, 2017 Marseille, France.
Buy your books fast and straightforward online - at one of world’s
fastest growing online book stores! Environmentally sound due to
Print-on-Demand technologies.
Buy your books online at
www.morebooks.shop
Achetez vos livres en ligne, vite et bien, sur l'une des librairies en
ligne les plus performantes au monde!
En protégeant nos ressources et notre environnement grâce à
l'impression à la demande.
La librairie en ligne pour acheter plus vite
www.morebooks.shop
KS OmniScriptum Publishing
Brivibas gatve 197
LV-1039 Riga, Latvia info@omniscriptum.com
Telefax: +371 686 204 55 www.omniscriptum.com

978 3 8416 3335 4

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

978 3 8416 3335 4

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles



          

     

 / 0 

A ma sœur et mes frères bien aimés,

A mes chers amis,

Je dédie chaleureusement cette thèse

J’exprime mes sincères remerciements à Monsieur Ridha Bouallegue, professeur à l’Ecole

Je remercie également Monsieur Ali Charsallah, professeur à la Faculté des Sciences de

Je remercie toutes les personnes du Laboratoire SysCom. L’ambiance a été vraiment

Je remercie vivement l’équipe technique et administrative du laboratoire Sys’Com, à

Table des ﬁgures x

Liste des tableaux xv

1 La Compatibilité électromagnétique (CEM) des equipements 3

2 Méthode des Circuits Équivalents Généralisés(MGEC) 22

2.2 Théorie des Circuits Équivalents Généralisés . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

3 Validation et optimisation des performances de la methode MGEC 44

3.3.3.3 Étude d’erreur relative de l’impédance d’entrée . . . . . . 64

Bibliographie du Chapitre III 68

4 Application de la nouvelle formulation MoM-GEC basée sur le concept

1.1 Rôles du blindage, (en émission, en réception) . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.2 Blindage parfait . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.3 Blindage réel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.4 Modes de couplage à travers un blindage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.5 Exemple de dégradation du blindage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

1.6 Courbe de dispersion de l’épaisseur de peaupour diﬀérents matériaux . . . 8

1.7 Continuité du blindage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.8 Lignes de champ électromagnétique pénétrant à travers une ouverture à

1.9 Guide d’onde rectangulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

1.10 Sections sur des guides avec obstacles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

1.11 Discontinuité semi-inﬁnie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.1 Représentation symbolique de la surface de discontinuité (S) formée par

2.2 Représentation des conditions aux limites par un schéma équivalent, . . . 24

2.3 (a) Relation de continuité du champ électrique tangentiel, (b) Représentation

2.4 (a) Relation de discontinuité du champ magnétique tangentiel, (b) Représentation

2.5 Représentation symbolique des sources virtuelles : (a) source virtuelle de

2.6 Représentation symbolique des sources virtuelles dans leurs domaines de

2.7 Equivalence entre (a) le demi-espace (S + C) et (b) un circuit dipôle . . . 28

2.8 Représentation symbolique d’une source de courant localisée . . . . . . . . 30

2.9 Représentation symbolique d’une source de tension localisée . . . . . . . . 31

2.10 Déﬁnition d’une source planaire localisée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

2.11 Représentations symboliques des sources planaires localisées : (a) source

2.12 Représentation symbolique de la source modale de champ dans un guide (i) 33

2.13 Représentation symbolique d’une source modale de courant dans un guide

2.15 Schémas équivalents simpliﬁés : cas d’une source virtuelle de champ. . . . 35

3.2 Différentes configurations GEC modélisant le problème de diffraction (a)

3.3 Cantor inductif. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

3.4 Les fonctions d’essai de type courant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

3.5 Les fonctions d’essai de type champ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

3.6 Schéma équivalent de la structure dans le cas d’une symétrie impaire. . . 51

3.7 Déﬁnition des ondes en chaque point d’une surface. . . . . . . . . . . . . . 56

3.9 Etude de convergence de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée à la

3.10 Variation de l’impédance d’entrée par rapport à la fréquence pour diﬀérentes

3.11 Variation de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée obtenue par les

3.12 Conditionnement de la matrice B pour les diﬀérentes conﬁgurations GEC 62

3.13 Comparaison de l’impédance d’entrée obtenue par MoM-GEC avec le logi-

3.14 Erreur relative de la partie imaginaire de l’impédance d’entrée avec diﬀérentes

3.15 Distributions du courant et du champ normalisées pour diﬀérentes conﬁ-

3.16 Comparaison des distributions du courant et du champ avec HFSS pour

4.4 La partie imaginaire de l’impédance d’entrée en fonction du nombre de

4.5 L’impédance d’entrée obtenue par la méthode MoM-GEC basée sur le

4.6 Variation des parties imaginaires et réelles de l’impédance d’entrée en

4.7 La partie imaginaire de l’impédance d’entrée calculée par notre approche

/ 0

l’immunité , c’est-à-dire l’aptitude d’un système embarqué à résister aux perturbations

le mutisme, caractérise la capacité d’un systèmeà fonctionner sans perturber l’électronique

Adapter une ligne de transmission externe