Cours : Architecture des Ordinateurs Chapitre II : La Mémoire Centrale

Cours

Architecture des Ordinateurs

Chapitre II :

La Mémoire Centrale

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Mlle Y. Ben Tekaya
ISET de Bizerte 2015/2016
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Chapitre II : La Mémoire Centrale

Introduction
Un ordinateur a deux caractéristiques essentielles : la vitesse à laquelle il traite un grand
nombre d’informations et la capacité de mémoriser ces informations.
Il existe différentes zones de stockage de l’information au sein de l’ordinateur : registres,
mémoire principale, mémoire secondaire, etc. Chacun de ces espaces se différencie par des
caractéristiques propres (capacité, adressage, méthode d’accès, performance…) qui
déterminent leur utilisation.

I. Définitions et terminologie

Mémoire
Une mémoire est un dispositif capable d’enregistrer, de conserver et restituer des
informations codées en binaire dans un ordinateur.

Mémoire centrale
Appelée aussi mémoire principale, elle contient les instructions et les données des
programmes à exécuter.

Mot mémoire
Pour accéder à la mémoire centrale, on doit lire ou écrire un ensemble de bits de taille fixée
à l’avance. Ce lot de bits à accéder soit en lecture ou en écriture, s’appelle mot mémoire.

Accès en lecture et écriture

L’accès en entrée vers la mémoire centrale s’appelle écriture. De même l’accès en sortie
s’appelle lecture.

II. Organisation d’une mémoire

La mémoire centrale est constituée d’un ensemble de cellules.
Chaque cellule correspond à un mot mémoire identifié par un numéro unique appelé
adresse et possède un contenu pouvant être une instruction ou une donnée.
Remarque :
 Une adresse sur n bits (bus d’adresse formé de n fils) peut sélectionner au maximum
2n cases mémoires.
 Le nombre de fils dans le bus de données définit la largeur d’un mot mémoire.

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Mots mémoire
Adresse
0 = 000
1 = 001
2 = 010
3 = 011
4 = 100
5 = 101
6 = 110
7 = 111

Figure 1: Organisation de la mémoire

III. Caractéristiques des mémoires

Capacité
La capacité ou la taille de la mémoire correspond au nombre d’informations qu’elle peut
contenir. Elle est généralement exprimée en octets ou en nombre de mots mémoire.
Les unités les plus utilisés sont :
1 Octet = 1  = 23 bits
1 Kilo octet = 1Ko= 210 octets = 1024 octets
1 Méga octet = 1Mo = 220 octets = 1048576 octets
1 Giga octet = 1Go = 230 octets = 1073741824 octets
1 Tera octet = 1 To = 240 octets = 1099511627776 octets

Temps d’accès
C’est le temps qui s’écoule entre le début de l’opération d’accès et son achèvement. Dans la
pratique et pour plusieurs types de mémoire centrale, le temps que demande une opération
de lecture peut être différent de celui d’une opération d’écriture. Dans ce cas on compte le
temps le plus long.

Cycle mémoire
C’est le temps minimal s’écoulant entre deux accès successifs à la mémoire (supérieur au
temps d’accès à cause des opérations de synchronisation, de rafraîchissement, etc.)

Volatilité
Elle caractérise la permanence des informations dans la mémoire centrale. Une mémoire
volatile perd son contenu lorsqu’on coupe le courant. Celle-ci a donc besoin d’un apport
constant d’énergie électrique pour conserver ses informations. La mémoire à base de
transistors est volatile. On peut réaliser des mémoires non volatiles avec les transistors
moyennant un générateur de courant électrique (batterie).

Modes d’accès

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C’est le mode avec lequel les mots mémoires sont accessibles. On distingue deux principaux
types d’accès :
Accès séquentiel : c’est l’accès le plus lent, pour accéder à une information, il faut lire toutes
celles qui précèdent (exemple : bandes magnétiques).
Accès direct ou aléatoire : les informations ont une adresse propre ce qui permet de les
accéder directement.

Le débit
C’est le nombre d’informations (exprimé en bits) lues ou écrites par seconde. Il est exprimé
en fonction du cycle mémoire (CM) et de la taille du mot mémoire (TMM) comme suit :
TMM
D
CM

IV. Lecture/Ecriture d’une mémoire

Figure 2: Fonctionnement général d'une mémoire

 Les entrées d’adresses

 Les entrées de données
 Les sorties de données
 Les entrées de commandes :
 Une entrée de sélection de lecture ou d’écriture. ( R/W)
 Une entrée de sélection du circuit. ( CS )

Une opération de lecture ou d’écriture de la mémoire suit toujours le même cycle :

1 - Choisir l'adresse en mémoire qui donne l'accès à un emplacement mémoire pour une
opération de lecture ou d'écriture
2 - Choisir une opération de lecture ou d'écriture ( R / W )
3 – Sélectionner le boîtier mémoire (Chip Select) ( CS )
4 - Valider ou invalider la mémoire. Le signal de sélection du boîtier ( CS ) valide les fonctions
d'écriture et de lecture. Le boîtier est bloqué pour CS = 1. Lorsque CS = 0, une fonction
d'écriture correspond à R / W = 0 et une fonction de lecture à R / W = 1.

Remarque :
Les entrées/sorties de données sont regroupées sur des bornes bidirectionnelles.

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V. Différents types de mémoire

1. Classification des mémoires
MEMOIRES

Mémoires à semi-conducteur Mémoires magnétiques Mémoires optiques

Figure 3 : Classification des mémoires selon le support de l'information

 Mémoires à semi-conducteur : mémoire centrale, registres,…

 Mémoires optiques : CD-ROM, CD-WROM
 Mémoires magnétiques : disques durs, disques souples, bandes, rubans,…

V. Les différents types de mémoires à semi-conducteurs

Depuis le début des années 70, les mémoires à semi-conducteurs constituent les éléments
de base de toute mémoire centrale. Le principe de base de ces mémoires est d’utiliser des
bistables comme point mémoire. Un bistable est un circuit à mémoire qui possède deux
états stables constitué de 4 transistors.

Mémoires à semi-conducteurs

Mémoires vives Mémoires mortes

Statiques (SRAM) Dynamiques (DRAM)

Figure 4: Classification des mémoires à semi-conducteurs

1. RAM (Random Access Memory)

La mémoire vive est utilisable pour écrire ou lire des informations à tout moment par
l’utilisateur. Elle constitue la plus grande partie de la mémoire centrale d’un ordinateur.
Elle sert au stockage temporaire de données. Elle doit avoir un temps de cycle (temps qui
s’écoule entre l’instant où a été lancée une opération de lecture/écriture en mémoire et
l’instant où la première information est disponible sur le bus de données) très court pour ne
pas ralentir le microprocesseur. Les mémoires vives sont en général volatiles.
Il existe deux technologies de fabrication des mémoires RAM: les RAM dynamiques (DRAM),
et les RAM statiques (SRAM).

SRAM (Static RAM)

C’est la mémoire vive statique. Les mémoires statiques n’utilisent pas de condensateurs :
chaque cellule binaire est réalisée a l’aide de 4 transistors formant un bistable, circuit restant
d’un l’état 0 ou 1 tant qu’il est alimenté électriquement.

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Les SRAM permettent des temps d’accès plus court que les DRAM, mais sont plus coûteuses
car leur construction demande 4 fois plus de transistors que les DRAM.
Elles garantissent la mémorisation de l'information aussi longtemps que l'alimentation
électrique est maintenue sur la mémoire.
Les SRAM sont utilisées lorsque l’on désire maximiser les performances, par exemple pour
construire des mémoires caches ou les registres.

DRAM (Dynamic RAM)

C’est la mémoire vive dynamique dont l’information doit être rafraîchie périodiquement. Ces
mémoires sont réalisées uniquement en technologie MOS. Un point mémoire est constitué
d’un transistor couplé à un condensateur. L’état chargé ou déchargé du condensateur
permet de distinguer deux états (bit 0 ou bit 1). Exemple : +5V 1 et -5V  0
Le condensateur se décharge progressivement, entraînant la perte de l’information. Il faut
périodiquement lire le signal (la charge du condensateur), l’amplifier et le réécrire.
Les avantages de ce type de mémoire sont : fabrication plus simple, densité d’intégration
plus grande, coût par bits moins élevé. Alors que l’inconvénient majeur est d’avoir à
supporter la logique de rafraîchissement.
Les DRAM sont utilisées en mémoire centrale.

2. Les mémoires mortes

La mémoire morte sert au stockage permanent des informations même en cas de rupture
d’alimentation électrique ; elles sont non volatiles.
La mémoire morte ne peut être que lue, néanmoins, il est possible pour certaines ROM
d’écrire en mémoire : on parle de programmation.
On distingue plusieurs types de mémoires mortes :

ROM (Read Only Memory)

Circuit intégré dont le contenu est déterminé une fois pour toute au moment de la
fabrication. Son contenu est imposé par le constructeur.
Le coût relativement élevé de leur fabrication impose une fabrication en grandes séries, ce
qui complique la mise à jour de leur contenu. Au départ, ces mémoires étaient utilisées pour
stocker les parties bas-niveau du système d’exploitation de l’ordinateur (BIOS du PC par
exemple).

Adresse ROM Donnée

Figure 5: ROM

PROM (Programmable ROM)

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Alors que la mémoire ROM est enregistrée de manière définitive lors de sa fabrication, la
mémoire PROM est configurée par l’utilisateur en utilisant un programmateur de PROM,
utilisé pour enregistrer son contenu. Le circuit PROM ne peut plus être modifié par la suite.

EPROM (Erasable PROM)

Les mémoires EPROM sont des PROM reconfigurables : il est possible de les effacer pour les
reprogrammer. L’effacement se produit en exposant le boîtier à un fort rayonnement
ultraviolet (UV). Pour cela, le boîtier est percé d’une fenêtre transparente permettant
l’exposition du circuit intégré. L’opération d’effacement nécessite de retirer l’EPROM de son
support et entraîne sont immobilisation pendant environ 30 minutes.

EEPROM (Electricaly Erasable PROM)

Même principe qu’une EPROM, mais l’effacement se fait à l’aide de signaux électriques, ce
qui est plus rapide et pratique.

FLASH EPROM
Les mémoires FLASH sont similaires aux mémoires EEPROM, mais l’effacement peut se faire
sélectivement par blocs et ne nécessite pas le démontage du circuit. Le temps d’écriture
d’un bloc de mémoire FLASH est beaucoup plus grand que celui d’écriture d’une mémoire
RAM, mais du même ordre que celui d’un disque dur. L’accès en lecture à une EEPROM est à
peu près aussi rapide qu’a une DRAM. On utilise donc parfois des cartes de mémoire FLASH
comme mémoire secondaires, par exemple pour les ordinateurs portables.

VI.Principe de fonctionnement de la mémoire

La mémoire centrale peut être vu comme un large vecteur (tableau) de mots ou octets dont
un mot mémoire permet de stocker une information sur n bits. Chaque mot mémoire
contient plusieurs cellules mémoire qui permet de stoker un seul bit. D’autre part, chaque
mot possède sa propre adresse qui représente un numéro unique permettant d’accéder au
mot mémoire associé.
Les adresses des mots mémoires sont séquentielles (consécutives) et la taille de chacun (le
nombre de bits) dépend de la capacité de la mémoire.

La structure physique d’une mémoire centrale est comme suit :

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Figure 6: Architecture physique d’une mémoire

 RAM (Registre d’adresse Mémoire) : ce registre stock l’adresse du mot à lire ou a

écrire.
 RIM (Registre d’information mémoire) : stock l’information lu à partir de la mémoire
(après une opération de lecture) ou l’information à écrire dans la mémoire (avant
une opération d’écriture).
 Décodeur : permet de sélectionner un mot mémoire.
 R/W : commande de lecture/écriture, cette commande permet de lire ou d’écrire
dans la mémoire (si R/W=1 alors lecture sinon écriture).
 Bus d’adresses de taille k bits
 Bus de données de taille n bits

Lorsqu’une adresse est chargée dans le registre RAM, le décodeur va recevoir la même
information que celle du RAM. A la sortie du décodeur nous allons avoir une seule sortie qui
est active. Cette sortie va nous permettre de sélectionner un seul mot mémoire.

Figure 7: Lecture d’un mot mémoire

K : la taille du bus d’adresses (taille du registre RAM)

N : la taille du bus de données (taille du registre RIM ou la taille d’un mot mémoire)
On peut exprimer la capacité de la mémoire centrale soit en nombre de mots mémoire ou
en bits (octets, kilo-octets,…)
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_ La capacité = 2k Mots mémoire

_ La capacité = 2k *n Bits
Pour obtenir la capacité en octets il suffit de diviser par 8 la capacité en bits :
C (octets) = C (bits)/8
Pour obtenir la capacité en kilooctets (ko), il suffit de diviser la capacité en octets par
1024= 210 (base de 2) :
C (ko) = C (octets)/1024
Pour obtenir des capacités en mégaoctets (Mo), il suffit de diviser la capacité en octets par
1048576=1024*1024= 220 (base de 2) :
C (Mo) = C(octets)/ 1048576

Exemple :
Dans une mémoire la taille du bus d’adresses K=14 et la taille du bus de données n=4.
Calculer la capacité de cette mémoire ?
C= 214 = 16384 Mots de 4 bits
C= 214 *4 = 65536 Bits = 8192 Octets = 8 Ko

Pour lire une information en mémoire centrale il faut effectuer les opérations suivantes:
 Charger dans le registre RAM l’adresse du mot à lire.
 Lancer la commande de lecture (R/W=1)
 L’information est disponible dans le registre RIM au bout d’un certain temps (temps
 d’accès)
Pour écrire une information en mémoire centrale il faut effectuer les opérations suivantes:
 Charger dans le RAM l’adresse du mot où se fera l’écriture.
 Placer dans le RIM l’information à écrire.
 Lancer la commande d’écriture pour transférer le contenu du RIM dans la mémoire.

VII. Critère de choix d’une mémoire

Les principaux critères à retenir sont :
_ Capacité
_ Vitesse
_ Consommation
_ Coût

VIII. Hiérarchie des mémoires

Les éléments de mémoire d’un ordinateur se répartissent en niveaux en fonction des critères
suivants : capacité, temps d’accès et coût par bit. La figure 11 illustre les différents types de
mémoires et montre la hiérarchie existante entre les niveaux.
Quand on s’éloigne de l’unité centrale de traitement UCT (processeur) vers les mémoires
auxiliaires, le temps d’accès et la capacité des mémoires augmentent, mais le coût par bit
diminue.

Registres

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Les éléments de mémoire situé dans le processeur sont les registres qui sont caractérisés par
une grande vitesse et servent principalement au stockage des opérandes et des résultats
intermédiaires.

Mémoire Cache
C’est une mémoire rapide de faible capacité (par rapport à la mémoire centrale) utilisée
comme espace de stockage intermédiaire entre le processeur et la mémoire centrale. Cette
mémoire permet au processeur de faire moins d’accès à la mémoire centrale et ainsi de
gagner du temps.

Mémoire centrale
C’est l’organe principal de rangement des informations manipulées par le processeur. Pour
exécuter un programme (données+ instructions), il faut le charger en mémoire centrale. Son
temps d’accès est beaucoup plus grand que celui des registres et de la mémoire cache.

La mémoire d’appui
Sert de mémoire intermédiaire entre la mémoire centrale et les mémoires de masse. Elle
joue le même rôle que la mémoire cache

Mémoire auxiliaire
Appelée aussi mémoire de masse, sont des mémoires périphériques de grande capacité et
de coût relativement faible. Elles servent d’éléments de stockage permanant et utilisent
pour cela des supports magnétiques (disques durs) et des supports optiques (disque
optique)

Figure 3: Hiérarchie d’une memoire

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