Cours Electronique Analogique 1A 2011 2012

6(0,&21'8&7(856 6(0,&21'8&7(856
',2'(6 ',2'(6 75$16,675256026 75$16,675256026

$23 $23
Christian Dupaty Jean Max Dutertre
pour l EMSE
Daprs un diaporama original de Thomas Heiser
Institut d'Electronique du Solide et des Systmes
N N
A

A
I
C
L
ANALCGIUL
L
NUMLkIUL
A
C
A
N
C
N
A
U
DS
M
IGA
l
8
C
M
S
C
Histoire des semi-conducteurs

1904 invention de la Diode par John FLEMING Premier tube vide.
1904 Triode (Lampe) par L. DE FOREST
Muse
. Cest un amplificateur
d'intensit lectrique.
1919 Basculeur (flip-flop) de W. H. ECCLES et F. W. JORDAN .Il faudra
encore une quinzaine d'annes avant que l'on s'aperoive que ce circuit
pouvait servir de base l'utilisation lectronique de l'algbre de BOOLE.
1937 Additionneur binaire relais par G. STIBITZ
1942 Diodes au germanium Le germanium est un semi-conducteur, c'est
dire que "dop" par des impurets, il conduit dans un sens ou dans l'autre
suivant la nature de cette impuret. Par l'association d'un morceau de
germanium dop positivement (P) et un morceau dop ngativement (N), on
obtient une diode qui ne conduit le courant que dans un seul sens.
Et les transistors
Le transistor effet de champ a t invent en 1925-1928 par J.E. Lilienfeld (bien

avant le transistor bipolaire). Un brevet a t dpos, mais aucune ralisation n'a t
possible avant les annes 60.
1959 : MM. Attala, D. Kahng
et E. Labate fabrique le
premier transistor effet de
champ (FET)
W

L
L Cl 1l
William Shockley (assis), John

Bardeen, and Walter Brattain,
1948.
William Shockley 1910-
1989
prix Nobel de physique
1956
Le premier rcepteur radio

transistors bipolaires
L
4004 dINTEL : 15/11/1971
(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits)
ln1LL l1AnluM 1
l8M CWL8 ln1LL xLCn l1AnluM
1 MCS
n
L
h
L
>
C
l n
L u
A
L 1
A
* 1 L l u
*D ! M A C L l
* LLLC18CnlCuL l uunCu
*LLLC18CnlCuL AnALCClCuL vALkCv L
*Comprendre llectronique par la simulation", Serge Dusausay, Ed. Vuibert
*Principes dlectronique", A.P. Malvino, Dunod
*Microelectronics circuits", A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford University Press
*CMOS Analog Circuit Design", P.E. Allen, D.R. Holberg
*Design of Analog CMOS Integrated Circuits", B. Razavi, McGraw Hill
Bibliographie
LLS SLMlCCnuuC1Lu8S
Infroducfion oux semi-conducfeurs, Io joncfion PM
I - Moferioux semi-conducfeurs.
I - Infroducfion.
Qu'esf ce qu'un semi-conducfeur 7
Mi un conducfeur, ni un isoIonf.
CoIonne IVA : Si, 0e.
Associofion IIIA-VA : As0o, efc.
17
I - Moferioux semi-conducfeurs
Z - ModIe des bondes d'energie.
Afome de siIicium : Ie noyou comporfe I4 profons - nuoge comporfonf I4 e
-
Peporfifion eIecfronique : Is
Z
Zs
Z
Zp
o
3s
Z
3p
Z
couche de
voIence : 4 e
-
I4
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
Les eIecfrons evoIuenf sur des orbifes sfobIes correspondonf
des niveoux d'energie discrefs (sepores Ies uns des oufres).
Energie
(eV)
Miveoux d'energie
eIecfronique d'un
ofome isoIe :
18
3ULQFLSHGH[FOXVLRQGH3DXOL : deux eIecfrons ne peuvenf occuper Ie mme efof
quonfique.
En consequence, si deux ofomes idenfiques sonf opproches une disfonce de I'ordre
de Ieur royon ofomique Ies niveoux d'energie se dedoubIenf.
Dons Ie cos d'un crisfoI, Io muIfipIicofion des niveoux cree des EDQGHVGpQHUJLH
SHUPLVH (quosi-confinuum), seporees por des EDQGHVGpQHUJLHLQWHUGLWHV (c.--d. ne
confenonf pos d'efof sfobIe possibIe pour Ies e
-
).
Energie
(eV)
Miveoux d'energie
eIecfronique de Z
ofomes proches :
Energie
(eV)
Miveoux d'energie
eIecfronique d'un
crisfoI :
bonde permise
bonde inferdife
0op
%DQGHGHYDOHQFH : confienf Ies efofs eIecfroniques des couches peripheriques des
ofomes du crisfoI (c.--d. Ies e
-
de voIence, 4 pour Ie Si)
%DQGHGHFRQGXFWLRQ : bonde permise immediofemenf superieure en energie Io
bonde de voIence. Les e
-
y sonf quosi-Iibres, iIs onf rompus Ieur Iien ovec Ieur ofome
d'origine, iIs permeffenf Io conducfion d'un couronf.
19
3 - Comporoison isoIonfs, conducfeurs, ef semi-conducfeurs.
CIossificofion en foncfion de Ieur resisfivife [.m]
IsoIonf : I0
o
.m
Conducfeurs : I0
-o
.m
Semi-conducfeur : infermedioire
Semi-conducfeur
E
g
~ I eV
IsoIonf
E
g
~ qqs eV
Conducfeur
E
g
~ 0 eV
=
s
l
R .
Energie
(eV)
E
g
conducfion conducfion
voIence
Energie
(eV)
E
g
conducfion
voIence
Energie
(eV)
conducfion
voIence
300"I
Si 0e As0o
Eg (eV) I,IZ 0,oo I,43
20
4 - Le siIicium.
o. Semi-conducfeur infrinsque (crisfoI pur).
CrisfoI de siIicium : 4 e
-
de voIence
Si
ossociofion ovec 4 ofomes voisins pour obfenir 8 e
-
sur Io couche de voIence (rgIe
de I'ocfef, Io couche de voIence esf sofuree) :
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Iioison covoIenfe
Sfrucfure de Io moiIIe crisfoIIine : cubique foce cenfree
21
Creofion de poires eIecfrons - frous
sous I'ocfion d'un opporf d'energie fhermique (por exempIe)
Energie
(eV)
E
g
b. conducfion
b. voIence
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Le bondgop E
g
represenfe I'energie minimoIe necessoire pour rompre Io Iioison.
DepIocemenf des e
-
Iibres couronf
22
DepIocemenf des frous : de proche en proche couronf (de chorges +)
Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si
Dons un semi-conducfeur iI exisfe Z fypes de porfeurs de chorges :
des porfeurs negofifs : Ies eIecfrons de Io bonde de conducfion,
ef des porfeurs posififs :Ies frous de Io bonde de voIence.
Le phenomne de creofion de poires e
-
- frous s'occompogne d'un phenomne de
recombinoison (Ies e
-
Iibres sonf copfures por Ies frous, iIs redeviennenf e
-
de voIence)
Duree de vie d'un porfeur ~ femps seporonf Io recombinoison de Io generofion.
23
Le crisfoI esf eIecfriquemenf neufre :
i
n p n = =
[ ]
3
2
3
2
exp . .

= cm
kT
E
T A n
g
i
Concenfrofion infrinsque de porfeurs I'equiIibre fhermodynomique :
A csfe specifique ou moferiou [cm
-3
/I
3/Z
]
E
g
bondgop [eV]
k ~ I,38.I0
-Z3
J/I
E
g
bondgop [eV]
T femperofure [I]
Loi d'ocfion de mosse : ) , ( .
2
g i
E T n p n =
eIIe esf WRXMRXUV verifiee pour un crisfoI I'equiIibre fhermique (qu'iI soif infrinsque ou non).
3 10
10 . 4 , 1

cm n
i
300K, Si :
24
Phenomne de fronsporf de chorges :
couronf de conducfion cree sous I'ocfion d'un chomp eIecfrique,
couronf de diffusion cree por un grodienf de concenfrofion de porfeurs.
densife de couronf [A/cm
Z
] :
V
T
= kT/q = Zo mV 300"I, pofenfieI fhermodynomique [V]
n grad V q E n q J
T n n n

+ =
& &
p grad V q E p q J
T p p p

=
& &

n,p
mobiIife [cm
Z
/V.s]
Pour Ie Si
n
= 1400 cm
2
/V.s,
p
= 500 cm
2
/V.s
25
Inferf des semi-conducfeurs : possibiIife de confrIer Io quonfife de porfeurs de
chorges Iibres (e
-
ef frous) ef por consequenf Io resisfivife.
Commenf 7 dopoge, rodiofions, femperofure, injecfion de couronf, efc.
b. Semi-conducfeur exfrinsque de fype M (negofif ~ signe des porfeurs de chorge mojorifoires).
Obfenus por dopoge ~ infroducfion d'ofomes du groupe V (cf. cIossificofion
periodique, b e
-
sur Io couche de voIence) en Iieu ef pIoce d'ofomes de Si,
generoIemenf du phosphore P ou de I'orsenic As.
Iiberofion d'un e
-
Iibre, Ies 4 oufres se Iionf oux ofomes de Si voisins (ofome
donneur) :
Si Si Si Si
Si Si As
+
Si
Si Si Si Si
-
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
E
D
As
+
: cofion fixe
26
Le crisfoI gorde so neufroIife eIecfrique gIoboIe ( choque eIecfron Iibre donne por
Ies ofomes d'impurefe correspond un cofion fixe).
Porfeurs de chorges :
mojorifoires : e
-
fq n N
D
, concenfrofion du dopoge,
minorifoires : frous issus de Io generofions fhermique de poires e
-
- frous fq
D i
N n p /
2
27
c. Semi-conducfeur exfrinsque de fype P (posifif ~ signe des porfeurs mojorifoires).
Obfenus por dopoge ~ infroducfion d'ofomes du groupe III (cf. cIossificofion
periodique, 3 e
-
sur Io couche de voIence) en Iieu ef pIoce d'ofomes de Si,
generoIemenf du bore B ou du goIIium Ga.
seuIes frois Iioisons covoIenfes peuvenf fre creees, Io 4
me
resfe incompIfe, un
frou esf cree pour choque ofome de dopoge. II vo pouvoir fre combIe por un e
-
d'une
Iioison covoIenfe proche (ofome occepfeur).
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
E
A
8
-
: onion fixe
+
Si Si Si Si
Si Si 8 Si
8
-
Si Si Si
28
Le crisfoI gorde so neufroIife eIecfrique gIoboIe (pour choque eIecfron Iibre occepfe
por Ies ofomes d'impurefe creonf un onion fixe, un frou esf cree).
Porfeurs de chorges :
mojorifoires : frous fq p N
A
, concenfrofion de dopoge,
minorifoires : e
-
issus de Io generofions fhermique de poires e
-
- frous fq
A i
N n n /
2
d. Phenomnes de generofion ef de recombinoison.

generofion sous I'effef d'opporf d'energie fhermique, phofonique, d'un chomp
eIecfrique, de rodiofions ionisonfes, efc.
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
h h
b - Lo joncfion PM.
Un semi-conducfeur seuI (M ou P) presenfe peu d'inferf, c'esf I'ossociofion de
pIusieurs SC dopes qui permef de creer Ies composonfs semi-conducfeurs. Le pIus
simpIe d'enfre eux esf Io joncfion PM (ou diode), iI permef en oufre d'opprehender Ie
foncfionnemenf des fronsisfors.
o. Joncfion PM non poIorisee, I'equiIibre.
ion fixe
frou
mobiIe
poire e
-
- frou
minorifoire
ion fixe
e
-
mobiIe
poire e
-
- frou
minorifoire
Semi-conducfeur P Semi-conducfeur M
mojorifoire
mojorifoire
Que se posse-f-iI si I'on mef en confocf un s.-c. de fype P ovec un s.-c. de fype M pour
reoIiser une joncfion PM 7 (l Affenfion l c'esf simpIemenf une vue de I'esprif, ce n'esf pos oinsi que I'on
procde)
30
Consideronf Io joncfion dons son ensembIe, iI exisfe un grodienf de porfeurs de
chorges :
creofion d'un couronf de diffusion :
des frous mobiIes du s.-c. P vers Ie s.-c. M, ou momenf de Ieur enfree dons Io
;one M confenonf des e
-
mojorifoires Ies frous se recombinenf ovec Ies e
-
,
des e
-
mobiIes du s.-c. M vers Ie s.-c. P, ou momenf de Ieur enfree dons Io ;one P
confenonf des frous mojorifoires Ies e
-
se recombinenf ovec Ies frous.
Choque frou (resp. e
-
) mojorifoire quiffonf Ie s.-c. P (M) Ioisse derrire Iui un onion
(cofion) fixe ef enfrone I'opporifion d'un cofion (onion) fixe dons Ie s.-c. M (P) du foif
de so recombinoison ovec un e
-
(frou). Ces ions sonf IocoIises proximife de Io ;one de
confocf enfre Ies deux s.-c. (Io ;one de chorge d'espoce, ZCE), iIs sonf I'origine de Io
creofion d'un chomp eIecfrique qui s'oppose ou couronf de diffusion. Ce chomp
eIecfrique esf equivoIenf une difference de pofenfieI oppeIee EDUULqUHGHSRWHQWLHO
(V
0
~ 0,7 V pour Ie siIicium, 0,3 V pour Ie germonium).
Un efof d'equiIibre esf offeinf ou :
seuIs qqs porfeurs mojorifoires onf une energie suffisonfe pour fronchir Io ZCE ef
confribuer ou couronf de conducfion I
D
, iIs esf compense por,
un FRXUDQWGHVDWXUDWLRQLQYHUVH, I
s
, cree por Ies porfeurs minorifoires IorsquiIs
sonf copfures por Ie chomp eIecfrique de Io ZCE.
31
;one neufre
Joncfion PM non
poIorisee,
I'equiIibre :
s.-c P
;one neufre
s.-c M
;one de chorge
d'espoce
E
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
0
qV
s.-c M
V
0
: borrire
de pofenfieI
fq
ZCE ~ ;one de depIefion ~ ;one deserfee

D
I

s
I
=
2 0
ln .
i
D A
n
N N
q
kT
V

=
kT
eV
I I
s
0
0
exp .
32
b. Joncfion PM poIorisee en direcf.
P M
V
PN
> 0
P
I
PN
E
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
( )
PN
V V q
0
V
oIim
oboissemenf de Io borrire de pofenfieI
reducfion de Io ZCE ef du chomp eIecfrique
33
On efobIif :
= 1 .
T
PN
V
V
s PN
e I I
On refiendro que Ie couronf froverse fociIemenf une diode poIorisee en direcf
(V
PM
V
0
)
Pesisfonce dynomique d'une joncfion poIorisee en direcf :
V
alim
= V
alim
+ dV I
PN
= I
PN
+ dI
On obfienf :
PN
T
I
V
dI
dV
r = =
34
Chorge sfockee dons une joncfion poIorisee en direcf :
Mon poIorise :
PoIorisofion
direcfe :
Avonf de bIoquer une joncfion PM poIorisee en direcfe iI fouf evocuer ces chorges
en excs por ropporf Io sifuofion d'equiIibre couronf inverse fronsifoire (cf.
femps de recouvremenf dons Io suife du cours).
35
E
Energie
(eV)
b. conducfion
b. voIence
( )
lim 0 a
V V q +
c. Joncfion PM poIorisee en inverse.
P M
V
PN
= - V
alim
< 0
P
I
PN
0
V
oIim
ougmenfofion de Io borrire de pofenfieI
eIorgissemenf de Io ZCE ef infensificofion du chomp
eIecfrique
36
CIoquoge :
Tension de cIoquoge ~ fension inverse Iimife supporfobIe ou-deI de IoqueIIe opporoif Ie
phenomne d'ovoIonche.
Sous I'effef d'une fension inverse eIevee Ies porfeurs minorifoires sonf occeIeres ef
ocquirenf suffisommenf d'energie pour orrocher Ieur four d'oufre e
-
de voIence Iors
des chocs. Une reocfion en choine opporoif.
Ie couronf inverse devienf frs imporfonf (cIoquoge).
Ie couronf de diffusion (porfeurs mojorifoires) esf quosi-nuI.
seuI subsisfe un couronf inverse frs foibIe, I
PN
= -I
s
, de porfeurs minorifoires.
37
d. InfIuence de Io femperofure.
Sur I
s
:
couronf d oux porfeurs minorifoires crees por generofion fhermique, iI ougmenfe
ropidemenf ovec T" pour Ie Si iI doubIe fouf Ies 7"C.
Sur V
0
Io borrire de pofenfieI :
pour Ie Si oufour de 300"I eIIe decroif de Z mV pour une ougmenfofion de I"C.
= / 2
0
mV
dT
dV
38
o - Lo diode joncfion PM.
P M
A K
onode "k"ofhode
V
AK
I
AK
D S
D
D 2
D S
D V
D LLD
A A C k
L

L Pl
l

D N
I A
I V
S

8 CMS
L
M
D N
I A
I V
L

8
L
M
u LLu
C

L v

L

8

l
D
u

u
ll A
Autres diodes
SCHOTTKY pour la commutation rapide en
puissance et la faible chute Vf
TRANSIL pour absorber les courants dues
aux surtensions (protection aux dcharges)
PHOTODIODE polarise en inverse cest un
convertisseur lumire/courant
45
L D
l
D
n C

l

* C

*L
*Cn nL SAl1 AS lA88lCuL8 unL ulCuL luLALL
Llectronique serait bien ennuyeux et sans grand intrt si lon ne
pouvait utiliser que des composants linaires (rsistances, condensateurs,
sources,). La plupart des fonctions lectroniques (amplification, redressement,
gnration de signaux, ) ne sont possibles que grce aux composants non-
linaires dont la DIODE est le premier exemple tudi dans ce cours.
Comme dans le cas des composants linaires, il faut diffrencier le
concept de diode idale du composant rel.La diode idale est un composant
dont la caractristique courant-tension (cest--dire le lien entre le courant I
d
qui
la traverse et la tension V
d
ses bornes) est celle reprsente ci-dessus.
(Attention la convention de signes du courant I
d
et de la tension V
d
.)
Les particularits dune diode ainsi dfinie sont les suivantes: Le
courant ne peut traverser la diode que dans un sens, savoir de la borne au
potentiel le plus lev (ou anode) vers le potentiel le plus faible (ou la cathode). En
dautres termes, si lon applique une tension V
d
ngative, le courant I
d
est nulle. La
diode se comporte comme un circuit-ouvert. Par contre, ds-que lon tente
dappliquer une tension V
d
positive, la diode se comporte comme un court-circuit
idal, cest--dire quil ny a pas de rsistance la circulation du courant et la
tension ses bornes reste nulle.
Notation: on qualifie le cas V
d
>0 de polarisation directe , et le cas V
d
<0 de
polarisation inverse .
Les premiers composants dont le comportement tait proche de celui dune diode
idale taient les tubes vides. Aujourdhui, les diodes relles sont faites quasi-
exclusivement de matriaux semiconducteurs.
46
C S

A A

l

v

l

v
La figure ci-dessus reprsente la caractristique courant-tension dune

diode base de silicium. Plusieurs diffrences notables par rapport la
diode idale sont prendre en compte:
-Le comportement sous polarisation directe ne sapproche de celui dune
diode idale que lorsque V
d
dpasse une tension seuil note V
o
. Pour les
diodes en silicium, V
o
est comprise entre 0,6 et 0,7V.
-Au del de V
o
, laugmentation du courant est proportionnelle (V
d
-V
o
) ,
avec une pente dI/dV trs leve. Notez que cette pente sexprime en Ohm
-
1
. Elle serrait infinie pour la diode idale.
-En polarisation inverse, le courant est faible mais non nul. On le nomme
courant de saturation inverse , I
s
. Sa valeur est trs sensible la
temprature.
47
1
T
d
V m
V
s d
e I I
2 v

v
1
1 1k c v
1
v

c 1 k

!k 8
l

k vv
v
l 1
v
vC

l
l
5
C

5
Dans la rgion du coude (inexistante pour la diode idale), le courant
varie exponentiellement avec la tension. A noter que laugmentation
dpend de la temprature travers V
T
= kT/e. (eV
T
= correspond
lnergie thermique du rservoir dlectrons, cf. Physique statistique)
Remarque: V
T
intervient frquemment dans les paramtres des composants
semiconducteurs (diode, transistor). Il est donc utile de se rappeler de sa
valeur temprature ambiante (0.026V).
48
2
O
v
v

v
l v l v
8v 8 v
l

2 A
v
L
l v
L
v
Comme tout composant relle, les tensions et courants que peuvent

supporter les diodes sont limites. Si on dpasse certaines valeurs
critiques, lesquelles dpendent des caractristiques physiques du
composant (taille, matriau utilis, ) et sont gnralement donnes dans
la fiche technique du composant, la diode est endommage
irrversiblement.
Parmi les limitations, on distingue:
-la tension maximale en inverse. Dpasser cette valeur fera augmenter le
champ lectrique au sein du composant au del de la valeur ncessaire
pour engendrer un claquage lectronique (augmentation exponentielle
du nombre de charges lectriques libres et, par consquent, du courant
lectrique).
-Limitation en puissance: la puissance dissipe par le composant vaut V
d
I
d
.
Au del de la valeur P
max
, laugmentation de la temprature du composant
risque de labmer. A noter, quil peut y avoir un phnomne damplification
ou de drive thermique: laugmentation de la temprature fera augmenter le
courant ( V
d
constant, sous polarisation directe) et par consquent la
puissance dissipe, do une augmentation encore plus prononce de la
temprature
49
D

v
8
L
v
8
l

C

v
L k

l
IV
A l

On appelle point de fonctionnement dune diode les valeurs de I
d
et V
d
lorsque celle-ci est insre dans un circuit. On parle de point de
fonctionnement statique lorsque les grandeurs lectriques sont
constants par rapport au temps.
Pour dterminer le point de fonctionnement dune diode, il faut prendre en
compte sa caractristique courant-tension ainsi que les lois de Kirchhoff (loi
des nuds et loi des mailles) qui dcoulent essentiellement des lois de
conservation de la charge et de lnergie.
50
k
l
v
u
l
c lv
D
L k
L
d al
d
R
V V
I

= u
C l

lv
C

P l
O
v
O
C
Les lois de Kirchoff appliques un circuit qui nest compos, outre la
diode, que de composants linaires, sexprime sous forme dune relation
linaire entre I
d
et V
d
.
Ainsi, dans lexemple de la page prcdente, il est facile de montrer que I
d
=
(V
al
-V
d
)/R
L
. Cette relation linaire est appele droite de charge de la
diode.
Il est important de noter quelle ne dpend pas de la caractristique
courant-tension de la diode.
On peut reprsenter graphiquement la droite de charge et la caractristque
de la diode sur un mme graphe I
d
(V
d
). Comme les deux relations I
d
en
fonction de V
d
(cest--dire la droite de charge et la caractristique courant-
tension de la diode) doivent tre respectes simultanment, les valeurs
actuelles de I
d
et V
d
(cest--dire le point de fonctionnement de la diode)
sont ncessairement donnes par le point dintersection entre les deux
courbes.
Remarque: si lon connat la caractristique de la diode sous forme dune
courbe (mesure par un traceur de courbe, par exemple), le point de
fonctionnement peut tre estim graphiquement.
Si lon souhaite par contre calculer le point de fonctionnement, il faut
dcrire la diode par un modle plus ou moins labor. Le modle dune
diode idale constitue souvent une premire approximation possible.
51
M S
D
C
C
v

l

v

l

v
l

v

0 <
d
V
al d d
V V I = = , 0
v
S
v
0 , = =
d
i
al
d
V
R
V
I

0
d
I
l

Il est frquent de modliser le comportement statique dune diode relle par
un modle dite segments linaires . La diode idale correspond au
modle segment linaire le plus lmentaire.
Lorsque lon approxime la diode relle par la diode idale, on peut
calculer le point de fonctionnement analytiquement.
La reprsentation graphique nous montre que, selon la valeur de V
al
, la
diode se comporte soit comme un court-circuit (V
al
>0) soit comme un
interrupteur ouvert (V
al
<0). Do les valeurs calcules de I
d
et V
d
dans
chacun des deux cas de figure.
52
S
l

v

0
d
I
l

v
o d
i
o al
d
V V
R
V V
I =
= ,

o d
V V <
al d d
V V I = = , 0
v
S
v

v
l

v
* l 5 v
V
Le modle amlior (dite de seconde approximation) tient compte de la
tension seuil dune diode relle.
Le graphique nous montre cette fois que la diode se comporte comme une
source de tension parfaite ds que V
al
> V
o
. Par contre, lorsque V
al
< V
o
,
elle se comporte comme un circuit ouvert.
Do les expressions analytiques de I
d
et V
d
.
53

A
l
M
k

c

S
l

v
l

v

o d
V V <
v

o d d
V V I et 0
d f o d
I R V V + =
v
v k
,
k
M,
Le modle de 3ime approximation tient compte de la pente fini de la
caractristique lorsque le diode est passante et de la pente non nulle
lorsquelle est bloque.
Selon ce modle, la diode se comporte comme une source de tension
idale en srie avec une rsistance R
f
( forward ), lorsque V
al
>V
o
, et
comme une simple rsistance R
r
( reverse ), lorsque V
al
<V
o
.
Notez que R
f
est gnralement trs faible (de lordre de qqs Ohms) alors
que R
r
est trs leve (suprieure au MOhm)
54
d
d
f
I
V
R
L
L

SlCL
.model D1N757 D(Is=2.453f Rs=2.9 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=78p
M=.4399
+ Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.762n Nr=2 Bv=9.1 Ibv=.48516 Nbv=.7022
+ Ibvl=1m Nbvl=.13785 Tbv1=604.396u)
* Motorola pid=1N757 case=DO-35
* 89-9-18 gjg
* Vz = 9.1 @ 20mA, Zz = 21 @ 1mA, Zz = 7.25 @ 5mA, Zz = 2.7 @ 20mA
Exemple de modle SPICE : diode 1N757
DIODE PARFAITE
RI
VF
M
Notez que, contrairement une simple rsistance, la rsistance R
f
qui
apparat dans ce modle, nest pas gale au rapport V
d
/I
d
.
Il existe videmment des modles beaucoup plus volus, qui tiennent
compte de linfluence de la temprature, de la rgion du coude, des valeurs
limites , etc. Leur utilisation ncessite nanmoins une rsolution numrique
des quations, ce qui fait lobjet des simulateurs de circuit , tel que
SPICE.
Pour information: des simulateurs sont disponibles gratuitement sur le web
(exemple: www.intusoft.com). Je vous conseille de les utiliser. Simuler le
fonctionnement de circuits mme lmentaires est trs instructif!
C C
v

v
8
L
mA
R R
V V
I
L f
o al
d
33 , 4 =
+
=
V I R V V
d f o d
66 , 0 et = + =
l
v
v 5
k
M
v
v

l
Ok
k
V V mA I
d d
6 , 0 et 4 , 4 = =
L
yZ/^
M
C l
v
v
v l
k
k

c
Val=-5v diode bloque Id=0, Vd =-5v

Val=+5v diode passante Vd=0,6v
Id=(Val-V0)/(50+30)=55mA
u 5 k
v l
k
k
v
u
v
8
/
/Z
Z
yZ/^
If=(2-2*V0)/(R+2Rf)=5mA
IR=(1-Vf)/R=0.4/50=8mA
v v
P
v
MAx
v

-0,6v
Vcc+ 0,6v
v
MAx
ulCuL
L 8

vl
R1
1k
D1
1N914
R1(1) R1(1) R1(2)
Lors de lalternance ngative, lorsque la tension est infrieure VF, la diode
est bloque, toute la tension se retrouve ses bornes.
Lors de lalternance positive, lorsque la tension est suprieure VF, la
diode est passante, la forme lgrement bombe est essentiellement due
la rsistance interne de la diode en directe (vf=rf.if)
59
ulCuL L 8

vl
R1
1k
D1
1N914
R1(1) R1(1) R1(2)
V1
2V
Le principe est le m^me que sur la diapositive prcdente. La diode conduit
lorsque la tension atteint 2v+VF.
60
61
L LCClCuL
8 8 u
1

u

v uC
L
u
u A

62
C
P A
l A

AC
L

l A

DC
L
* A
N

On distingue souvent l analyse statique dun circuit lectronique et de
l analyse dynamique .
En statique, on ne considre que les valeurs moyennes temporelles des
grandeurs lectriques. Les signaux sinusoidaux y sont carts doffice
Cest videmment la cas lorsque toutes les sources sont statiques (puisquil
ny a pas de variation possible pour les grandeurs lectriques), mais cest
souvent utile galement lorsque le circuit comprend la fois des sources
statiques et dynamiques. Dans ce dernier cas, ltude statique permet de
dterminer les points de fonctionnement statique des composants du
circuit.
Lanalyse dynamique (si des sources variables sont prsentes) vient
complter ltude. On ne sintresse alors quaux relations quil y a entre les
parties variables des grandeurs lectriques.
63
l L
k
vv
v

P
* C
v

c
( ) ( ) [ ] ( ) t v
R R
R
V
R R
R
t v V
R R
R
t V
e E e E
2 1
2
2 1
2
2 1
2
+
+
+
= +
+
=
v

Dans cet exemple simple, lanalyse complte du montage par la loi des
mailles permet de trouver facilement lexpression de V(t), qui se compose
de laddition dun terme constant et dun terme variable. Ceci est une
consquence directe du principe de superposition, qui dans ce cas est
valable puisque le circuit nest compos que de composants linaires.
64
v
4

E
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
4 v

( ) ( ) t v
R R
R
t v
e
2 1
2
+
=
u
0 =
e
v
L
Comme le principe de superposition sapplique, ltude aurait pu tre

coupe en deux parties:
Une analyse statique, o seules les grandeurs statiques sont prises en
compte, et une analyse dynamique.
La source de tension sinusoidale tant valeur moyenne nulle, elle
napparat pas dans le schma statique du circuit. Elle est remplace
par un court-circuit.
La source de tension statique, V
e
, maintient par dfinition une tension
constante ses bornes. En dautres termes, la composante variable, v
e
,
de la tension ses bornes est nulle. Elle est donc remplace par un fils.
Pour cette raison il est de coutume de qualifier toute source de tension
statique de court-circuit dynamique .
65
vv
u

5

( )
( )
3 2 1
3
R R R
t v R
t v
e
+ +
=
5
l
v
o
I
R R R
R R
V
3 2 1
3 1
+ +
=
Comme une source de courant statique dlivre par dfinition un courant
constant I
o
, la composante variable, I
o
, de ce courant est nulle. En dautres
termes, dans le schma dynamique ce composant se comporte comme un
ciruit ouvert (i = 0 )!.
Cest la raison pour laquelle on considre toute source de courant
statique comme un circuit ouvert dynamique .
66
c
5
al
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
c
* c

v
v
Cet exemple illustre le cas particulier o des condensateurs ou des

inductances, dont les impdances varient avec la frquence, sont prsents
dans le circuit.
Comme la valeur moyenne (ou composante continue) du courant
traversant le condensateur est nul (par dfinition dun condensateur parfait),
il apparat comme un circuit ouvert dans le schma statique du montage.
De la mme faon, une inductance, dont la valeur moyenne de la tension
ses bornes est nulle (impdance nulle frquence nulle), est remplace par
un court-circuit dans le schma statique.
67

g
g
v
Z R R
R R
v
+
=
1 2
1 2
//
//
jC
R Z
g g
1
avec + =
g
g
v
R R R
R R
v
+
=
1 2
1 2
//
//
iC
Z
c
1
=
2
c
g g
R Z

A

Il est frquent que limpdance du condensateur est ngligeable par rapport
aux autres impdances du circuit au del dune certaine frquence du
signal. Si lanalyse dynamique se limite des frquences suprieure cette
frquence limite, le condensateur peut tre remplace par un court-circuit
(impdance nulle).
VCC
R1
10k
R2
10k
R3
100
C1
100u
VE
AMP=1V
FREQ=1000Hz
B1
10V
R1(2)
Ve
POLARISATION et
signal
69
L

n

n

La somme des composantes statiques et dynamiques des grandeurs
lectriques ne dcrit correctement la ralit que si le principe de
superposition est valable (ce qui est le cas si le circuit nest constitu que de
composants linaires).
Il est cependant possible dextrapoler ce principe des situations o soit
-le point de fonctionnement reste constamment dans le domaine de linarit
du composant.
soit
-lamplitude des variations est suffisamment faible pour que la relation
entre les composantes dynamiques des courants et tensions reste
linaire.
Ceci nous amne dcrire la diode en rgime de signaux de faibles
amplitudes par un modle linaire dit de petits signaux .
70
v C
/
d
Q
d
d
d
v
dV
dI
i

1
Q
d
d
dV
dI

C
Q
d
d
dV
dI

Q
d
I
Q
d
V
2|
M
* C UL

Le modle prsent nest valable qu des frquences du signal
suffisamment basses, pour que les valeurs instantanes de I
d
et de V
d
suivent la caractristique statique de la diode.
Pour de faibles amplitudes de variation, on constate que i
d
est
proportionelle v
d
. Le point de fonctionnement suit en premire
approximation la droite tangente la caractristique au point de
fonctionnement statique de la diode.
Linverse de la pente de la tangente est appel rsistance dynamique de
la diode.
71
O

1
0
>
d
V
d
d
dV
dI
1
0
<
d
V
d
d
dV
dI
*
( )
( ) 1
25
= m
mA I
r
d
f
v

d
T mV
V
s
T
s
mV
V
s
d
V
d
d
f
I
V
m e I
mV
I e I
dV
d
dV
dI
r
T
d
T
d
d
=
1 1
1
.
1
.
* v
lv

l
On utilise des notations diffrentes pour la rsistance dynamique, selon que
la diode est polarise en directe (r
f
) ou en inverse (r
r
).
Quelle que soit sa valeur, on a en premire approximation: v
d
= r
f ou r
x i
d
. En
dautres termes, dans le schma dynamique, la diode peut tre remplace
par sa rsistance dynamique.
En dehors de la rgion du coude la rsistance dynamique est quasi-
indpendante de la tension applique et sont gales aux valeurs utilises
dans le modle segments linaires de 3ime approximation.
Dans la zone du coude, et en raison de la variation exponentielle du
courant, la rsistance est inversment proportionnelle au courant I
d
!
Remarques:
-ayant en tte la valeur de V
T
temprature ambiante , vous pourrez
facilement estimer lordre de grandeur de r
f
pour un courant I
d
donn.
-Laugmentation exponentielle tant plus rapide que la variation linaire
(observe aux courants plus levs), la valeur de r
f
dduite de lexpression
exponnentielle du courant est infrieure R
f
lorsque le point de
fonctionnement est situ dans la partie linaire de la caractristique.
72
c
l
u
k
v
4
V V mA I
D D
62 , 0 , 2 , 2
2000
6 , 0 5
=
5 k
v
1 k
( ) t v
e
= 2 10 sin 1 , 0
3
4 , 12
2 , 2
26
=
f
r
a c
R Z << =16
5
( ) t v
d

2 10 sin 10 2 , 1
3 3
A v
lvkn v
.
1
C
Z
c
=
Remarque: lestimation de r
f
correspond une valeur limite infrieure de la
valeur exacte. (cf remarque page prcdente).
73
ulCuL
R1
1k
D1
1N914
R1(1) R1(1)
D1(A)
V1
5V
C1
10uF
R2
2k
La diode est polarise avec un courant ID (ou IF) de 2,2mA la rsistance rf
est de 12 Ohms , trs petit devant R1=1K. Londulation rsiduelle est de
1,2mV autour de la tension VF due la polarisation, 700mV
74
k
L
/

Le modle petits signaux prcdents prvoit que i
d
et v
d
soient toujours en
phase. Ceci ne correspond plus la ralit lorsque la frquence du signal
devient trop leve. Diffrents mcanismes physiques limitent le temps de
rponses des charges mobiles et induisent un retard de la variation du
courant sur la variation de la tension.
On peut tenir compte approximativement de ces phnomnes transitoires
en compltant le modle par des composants capacitifs (la charge et la
dcharge dun condensateur induit galement un retard entre le courant et
la tension).
Les mcanismes de rtention de charges ntant pas les mmes selon que
la diode est polarise en inverse ou en directe, les modles dynamiques se
trouvent galement diffrencis.
75
n V V

* V

* A
v
* C /

O c
l A k
M v

T
I
C
Q
d
d

*
On peut remarquer que la somme des rsistances dynamiques (r
c
+r
sc
) est
ncessairement gale r
f
.
Le modle petit signaux est complt par une capacit dynamique
place en srie avec la rsistance dynamique r
sc.
Le dcoupage de la rsistance r
f
en deux se justifie par une tude plus
approfondie du transport de charge dans les diodes semiconductrices. (cf
physique des dispositifs semiconducteurs). De mme, cette tude rvle
que la capacit dynamique est approximativement proportionnelle au
courant moyen circulant dans la diode.
Le terme capacit de diffusion , rserv pour ce composant, fait
rfrence au mcanisme de diffusion des charges libres dans ce rgime de
fonctionnement.
Il est important de se rappeler de lordre de grandeur de la capacit de
diffusion. Noter que la valeur de C
d
est proportionnelle la taille (surface)
du composant.
Une diode de puissance , dont la surface est plus grande pour diminuer
la densit de courant, a donc gnralement une capacit de diffusion plus
leve quune diode standard .
76
c
l
u
k
v
l
A c
l
A

th
v
v
log

8
kHz
C r
f
diff th
130
2
1
=
5 c

77
n D 1

L

v
k
V
v
k
v
O

v
k
s
v
O
v
k
v
k
k
Les mcanismes physiques qui oprent lorsque la diode bascule de ltat
passant ltat bloque, ou vice versa, (diode en commutation ) sont
relativement complexe et ne peuvent pas tre simplement pris en compte
par laddition dun composant linaire, tel quune capacit dynamique, dans
le modle quivalent de la diode.
Il est cependant utile de se rendre compte que lorsque la diode passe de
ltat passant ltat bloque, elle se comporte pendant un petit interval de
temps comme un court circuit (tension presque nulle ses bornes), puis
tend exponentiellement vers son tat stationnaire en condition de
polarisation inverse. Le temps de rponse totale dpend de la technologie
utilise pour fabriquer la diode et peut varier de quelques picosecondes
quelques nanosecondes.
78
L SlCL

n n
ulCuL
R1
1k
R1(1) R1(2) R1(1)
D1
1N4004
R1
1k
R1(1) R1(2) R1(1)
D1
1N914
Le temps de recouvrement dpend fortement de la technologie de
fabrication des diodes et galement de lintensit du courant direct les
traversant.
La diode 1N4004 commute beaucoup moins vite que la diode 1N914 mais
peut redresser des courant plus importants (>1A) .
Le choix des diodes dpend de leur utilisation.
79

O v
2
v l
A l

* u
2 v
Z
D 2
l
v
2
l
v
2
Z v
Z

l

Z
l
n C
La diode Zener est conue pour prsenter, dans sa caractristique inverse,
une zone de claquage contrle , dans laquelle le courant inverse
augmente rapidement sans augmentation significative de la tension et sans
endommager la diode. En outre, au dela dun courant minimale (I
min
) la
caractristique est quasiment linaire.
Toute diode Zener est aussi caractrise par un courant inverse maximal
ne pas franchir au risque de dtruire le composant.
80

Y Z
Y
M
M

z
Q
d
d
z
R
dV
dI
r
=
1
l
Le concept de schma quivalent reste valable pour les diodes Zener, et

donne lieu en statique, un schma supplmentaire correspondant au cas
o le point de fonctionnement est dans partie Zener de la
caractristique.
En rgime statique, le schma est celui dune source de tension idale
gale la tension de Zener (V
z
) en srie avec une rsistance R
z
.
En dynamique, le modle petit signaux, pour un point de fonctionnement
statique dans la partie Zener, correspond une faible rsistance r
z
.
81
D LLD
L
l V V
L /
n S
v

v
v

Les diodes lectroluminescente se comporte comme une diode
standard au silicium, ceci prs que la tension seuil est gnralement
plus leve. Ceci vient du fait que le matriau semiconducteur utilis nest
pas le silicium mais un semiconducteur bande interdite directe (cf
physique de la matire, ou cours metteur capteur).
La diode met de la lumire lorsquun courant intense la traverse. Il faut
donc toujours la polariser en directe avec V
d
>V
o
.
82
Couleur
Longueur donde
(nm)
Tension de seuil (V)
IR >760 Vs<1.63
Rouge 610<<760 1.63<Vs<2.03
Orange 590<<610 2.03<Vs<2.10
Jaune 570<<590 2.10<Vs<2.18
Vert 500<<570 2.18<Vs<2.48
Bleu 450<<500 2.48<Vs<2.76
Violet 400<<450 2.76<Vs<3.1
Ultraviolet <400 Vs>3.1
Blanc xxx Vs=3,5
La tension de seuil des LED est fortement dpendante de leur couleur.
83
nC1CDICDL

C CCu
84
A D
L
I

/
C
v

e g
g
Z R
V
//
L
c
v

c
v
Ce sous-chapitre illustre lintrt des diodes travers quelques exemples

dapplications courantes. La liste nest pas exhaustive et sera complt par
des tudes en TD et en TP.
Comme leur nom lindique, les circuits limiteur de crte sont utiliss pour
imposer une limite suprieure (en valeur absolue) la tension aux bornes
de leur sortie. Tout signal damplitude infrieure cette limite maximale est
transmise sans modification, alors que tout dpassement se solde par un
crtage du signal. La charge de lcrteur est donc protg contre
dventuels surtensions.
Les circuits diodes, standards ou Zener, remplissent aisment ce rle.
Le premier exemple est nomm clipping parallle parce que la diode est
branche en parallle la charge. Son fonctionnement est illustr par le
dplacement du point de fonctionnement de la diode lorsque la vlaleur de V
g
varie. La tension V
d
est applique lentre du circuit protger.
Qualitativement: La diode attnue la surtension en faisant circuler un
courant, tel que la chute de tension aux bornes de R
g
maintienne la tension
V
e
proche de V
o
. Avant dutiliser un tel circuit il faut sassurer ce que le
courant ne dpasse pas la valeur maximale tolre par la diode!
Le montage clipping srie assure le sens du courant pouvant traverser
Z
e
. Par consquent, la tension V
e
(t) ne peut prendre des valeurs ngatives.
85
v
v
A
v

v
v
l
v
l
l
v

v
A

l

=
dt
dI
L V
P
A
Lapparition dune surtension nuisible aux bornes dune inductance suite
louverture rapide du circuit est un problme rcurrent. Pour protger le
circuit dans lequel est insre linductance, il suffit de brancher en // une
diode dans le sens indiqu ci-dessus. La tension V est alors limit ~ -
0.7V.
En effet, dsque la tension induite aux bornes de L (suite une variation de
I ) dpasse cette valeur, le courant peut circuler dans la diode, et attnue le
taux de variation du courant (et par consquent la surtension).
Lors de la rupture de courant

(relche du bouton) la diode
commence conduite lorsque
Vs atteint VCC+0,7v.
Lnergie accumule dans L1
est dissipe dans la
rsistance interne de la diode
durant environ 250uS, il y a
ensuite un phnomne
oscillatoire due la capacit
de la diode (circuit LC //), ce
phnomne apparait lorsque
le point de fonctionnement de
la diode sapproche du coude
(fonctionnement non linaire).
A suivre .
Le transistor effet de champ
Pour prparer la prochaine squence :
Bien connaitre la loi dOhm, les thormes de superposition et de Millman
Intgrer les concepts de grandeurs alternatives et continues, le principe de
polarisation et de variation dune grandeur lectrique autour dun point de
repos.
Revoir les exercices, tre capable dexpliquer les formes et grandeurs des
signaux sur les graphes temporels.
1
subsfrof p
n
+
n
+
zone du canal
W
L
Source ( S )
0riIIe ( 0 )
Droin ( D )
Le MOSFET
I - Infroducfion.
I - Sfrucfure, vue 3D du MOS conoI M (MMOS) :
MOSFET : MefoI Oxide Semiconducfor FieId Effecf Tronsisfor
G
D
S
i
D
v
DS
v
GS
W Iorgeur du conoI [pm]
L Iongueur du conoI [pm]
Iengfh
widfh
subsfrof de fype p ( body / buIk )
n
+
n
+
p
+
MefoI ( PoIy Si )
Oxide ( SiO
Z
)
Semiconducfor
Source ( S ) 0riIIe ( 0 ) Droin ( D ) 8ody ( 8 )
MefoI
"canal"
L
G
D
S
i
D
v
DS
v
GS
G
D
S
B G
D
S
B
pour v
SB
= 0 pour v
SB
0
I - Infroducfion
2
I - Infroducfion
Composonfs discrefs : eIecfronique de puissonce
commufofion ,ompIificofion
TechnoIogie corocferisee por L
min
de griIIe
MOS :
peu frequenf
3 poffes
EIecfronique infegree : composonf "roi " de Io micro-eIecfronique
InfeI Infonium quodri-curs : 4b nm, Z miIIiords de fronsisfors
4 poffes, choix W ef L
oufiIs de concepfion informofises : CAO
G
D
S
i
D
v
DS
v
GS
I - Infroducfion
Z - Corocferisfiques couronf - fension du MMOS (pour v
S8
~ 0).
Lo fension oppIiquee enfre Io griIIe ef Io source, v
0S
,
permef de confrIer Ie couronf circuIonf enfre Ie
droin ef Io source, i
D
.
i.e. source de couronf commondee por une fension
Les ospecfs fheoriques de I'efobIissemenf de Io corocferisfique i
D
- v
DS
en
foncfion des differenfs regimes de poIorisofion du fronsisfor opporfiennenf
Io physique des S.-C., iIs sonf froifes frs succincfemenf dons ce cours.
V
contrle
contrle command
V G I =
0~ fronsconducfonce [A/V]
i
G
=0
Le couronf de griIIe sero considere nuI : i
0
0
3
I - Infroducfion
o. Corocferisfique i
D
- v
DS
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
SS
V
tn
0
0,5
1
1,5
1 2 3 4
Pour v
0S
0 : Tronsisfor bIoque
0 =
D
i
Pour v
0S
V
fn
: Inversion foibIe
0
D
i
Cufoff
V
fn
: fension de seuiI du MMOS (qqs I00oines mV)
I - Infroducfion
Foncfionnemenf v
0
~ 0
n
+
n
+
p
+
V
S
~ 0 V
0
~ 0 Droin ( D )
V
8
~ 0
p
Le subsfrof (body) esf foujours connecfe ou pofenfieI Ie pIus eIecfronegofif
(Io mosse).
On considre Ie cos ou Io source esf egoIemenf Io mosse.
QueIque soif Ie pofenfieI de v
D
oucun couronf ne peuf circuIer enfre Ie droin
ef Io source (joncfions PM ffe-bche).
v
D
pour v
0
~ 0 i
D
esf nuI
4
I - Infroducfion
Creofion du conoI
n
+
n
+
p
+
V
S
~ 0
V
0
0
V
8
~ 0
p
V
D
~ 0
ZCE
conoI fype M
v
0
0 repousse Ies frous Iibres de Io ;one de conoI vers Ie subsfrof.
v
0
0 offire finoIemenf Ies e
-
Iibres confenus dons Io droin ef Io source (n
+
) dons
Io ;one du conoI.
Quond iIs sonf en nombre suffisonf (ou-deI d'un cerfoin seuiI pour v
0
~ v
0S
V
fn
,
V
tn
est Iu tension de seuiI du NMOS) on considre qu'une region M o efe creee.
Desormois si une fension esf oppIiquee enfre Ie droin ef Io source un couronf d'e
-
vo circuIer dons Ie conoI (d'o Ie ferme conoI ef Ie nom du fronsisfor).
I - Infroducfion
Couronf froversonf Ie fronsisfor pour v
DS
pefif.
n
+
n
+
p
+
V
0
0
V
8
~ 0
p
V
D
~ V
DS
0
V
S
~ 0
i
D
Un couronf i
D
circuIe enfre Ie droin ef Io source.
Son ompIifude depend de Io quonfife d'e
-
dons Ie conoI ef donc de v
0S
i
D
esf proporfionneI :
v
0S
- V
fn
ef v
DS
( )
DS tn GS n D
v V v
L
W
k i =
'
cf. ci-oprs pour pIus de defoiIs
L
5
I - Infroducfion
Couronf froversonf Ie fronsisfor pour un occroissemenf de v
DS
.
n
+
n
+
p
+
V
0
0
V
8
~ 0
p
V
D
~ V
DS
0
V
S
~ 0
i
D
L'epoisseur du conoI depend de Io difference de pofenfieI enfre Io griIIe ef Ie
subsfrof :
ou niveou de Io source : v
0S
,
ou niveou du droin: v
0S
- v
DS
, du foif du pofenfieI oppIique enfre droin ef
source, Io chufe de fension v
DS
efonf reporfie sur foufe Io Iongueur du conoI.
v
SS
v
SS
- v
DS
Ie conoI o une forme penchee, so resisfonce ougmenfe ovec v
DS
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
DS
= v
SS
- V
tn
v
SS
V
tn
v
0S
~ V
fn
+ 0,b
v
0S
~ V
fn
+ Z
v
0S
~ V
fn
+ I,b
v
0S
~ V
fn
+ I
v
0S
~ V
fn
+ 0,7
triode
0
0,5
1
1,5
1 2 3 4
I - Infroducfion
D
- v
DS
Pour v
0S
? V
fn
ef v
DS
v
0S
- V
fn
: Pegime friode
( )

=
2
2
' DS
DS tn GS n D
v
v V v
L
W
k i
k'
n
~ p
n
C
ox
focfeur de goin MMOS [pA/V
Z
]
p
n
mobiIife des e
-
[cm
Z
/Vs]
C
ox
~
ox
/ f
ox
copocife surfocique de griIIe
f
ox
epoisseur d'oxyde de griIIe [nm]
[F/cm
Z
]
ox
permiffivife SiO
Z
[F/m]
6
i
D
(mA)
v
DS
(mV)
v
0S
~ V
fn
+ 0,b
v
0S
~ V
fn
+ Z
v
0S
~ V
fn
+ I,b
v
0S
~ V
fn
+ I
v
0S
~ V
fn
+ 0,7
0
200
0,3
I - Infroducfion
D
- v
DS
pour v
DS
Z(v
0S
- V
fn
)
( )
DS tn GS n D
v V v
L
W
k i =
'
Zone Iineoire du regime friode
<<
( )
tn GS n
D
DS
DS
V v
L
W
k
i
v
r = =
'
1
I - Infroducfion
Pincemenf du conoI.
n
+
n
+
p
+
V
0
0
V
8
~ 0
p
V
D
~ V
DS
0
V
S
~ 0
i
D
PIus precisemenf Io Iorgeur du conoI depend de Io fension oppIiquee sur Io griIIe en
excs por ropporf Io fension de seuiI V
fn
.
L'ougmenfofion de v
DS
o pour effef de diminuer ceffe fension en excs ou
voisinoge du droin, jusqu'ou poinf o pour v
DS
~ v
0S
- V
fn
eIIe s'onnuIe. Le conoI o
oIors une epoisseur nuIIe, on dif qu'iI esf pinc.
Le fronsisfor esf sutur, Ie couronf i
D
resfe consfonf moIgre foufe ougmenfofion
uIferieure de v
DS
.
7
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
DS
= v
SS
- V
tn
v
SS
V
tn
v
SS
= V
tn
+ 0
v
SS
= V
tn
+ Z
v
SS
= V
tn
+ 1
v
SS
= V
tn
+ 1
v
SS
= V
tn
+ 07
triode sutur
0
0,5
1
1,5
1 2 3 4
I - Infroducfion
D
- v
DS Pour v
0S
? V
fn
ef v
DS
? v
0S
- V
fn
: Pegime sofure
( )
2 '
2
1
tn GS n D
V v
L
W
k i =
r
o
= ~
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
v
DS
~ cfe
v
DS
? v
GS
- v
tn
I - Infroducfion
b. Corocferisfique i
D
- v
0S Pour v
0S
? V
fn
ef v
DS
? v
0S
- V
fn
: Pegime sofure
( )
2 '
2
1
tn GS n D
V v
L
W
k i =
V
fn
: fension de seuiI du MMOS (qqs I00oines mV)
Equofion quodrofique
v
OV
~ v
0S
- V
f
fension d' overdrive
effecfive
2 '
2
1
OV n D
v
L
W
k i =
8
8ody (p)
n
+
n
+
Source ( S ) 0riIIe ( 0 ) Droin ( D )
L
8ody (p)
n
+
n
+
Source ( S ) 0riIIe ( 0 ) Droin ( D )
L
8ody (p)
n
+
n
+
Source ( S ) 0riIIe ( 0 )
L
L - L L
Droin ( D )
I - Infroducfion
3 - ModuIofion de Io Iongueur du conoI.
Pegime friode : v
0S
? V
fn
ef v
DS
S v
0S
- V
fn
Pegime sofure : v
0S
? V
fn
ef v
DS
= v
0S
- V
fn
Pincemenf du conoI Io Iimife de sofurofion
Pegime sofure : v
0S
? V
fn
ef v
DS
> v
0S
- V
fn
ConoI pince, moduIofion de so Iongueur
L L - L
Avec L qd v
DS
d'o i
D
ovec v
DS
r
o
finie
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
DS
= v
SS
- V
tn
v
SS
V
tn
v
SS
= V
tn
+ 0
v
SS
= V
tn
+ Z
v
SS
= V
tn
+ 1
v
SS
= V
tn
+ 1
v
SS
= V
tn
+ 07
triode sutur
00
0,5
1
1,5
1 2 3 4
I - Infroducfion
r
o
finie = 1 / pente
r
o
= v
DS
/ i
D
9
i
D
(mA)
v
DS
(V)
vSS = Vtn + 0
vSS = Vtn + Z
vSS = Vtn + 1
vSS = Vtn + 1
vSS = Vtn + 07
0
-V
A
= -1/
( ) ( )
DS tn GS n D
v V v
L
W
k i + = 1 .
2
1
2 '
I - Infroducfion
modeIisofion de I'effef de moduIofion de L
~ I / V
A
coefficienf de moduIofion de Io Iongueur de conoI [V
-I
]
V
A
fension d'EorIy (onoIogie) [V]
proporfionneIIe L
Pesisfonce de sorfie : r
o
D
A
D
cte v
D
DS
o
I
V
I i
v
r
GS
= =
=
=

1
subsfrof de fype p ( body / buIk )
n
+
n
+
p
+
S 0 D 8 (gnd)
MMOS
p
+
p
+
D 0 S
PMOS
n
+
8 (Vdd)
n - weII (puifs)
I - Infroducfion
4 - Tronsisfor MOS conoI P.
G
S
D
i
D
v
SD
v
SG
G
D
S
B
10
I - Infroducfion
4 - Tronsisfor MOS conoI P.
G
S
D
i
D
v
SD
v
SG
Corocferisfiques i
D
- v
SD
ef i
D
- v
S0
Peprendre Ies condifions ef equofions du MMOS en
rempIoonf v
0S
por v
S0
, v
DS
por v
SD
, V
fn
por -V
fp
, ef
k'
n
por k'
p
Le couronf i
D
esf pris sorfonf por Ie droin du PMOS (enfronf pour Ie MMOS).
k'
p
focfeur de goin du PMOS [pA/V
Z
]
p
p
p
n
/ Z 3
!
V
fp
fension de seuiI du PMOS (V
fp
0) [V]
f
ox
(nm)
C
ox
(fF/pm
Z
)
p.C
ox
(pA/V
Z
)
V
f0
(V)
V
DD
(V)
MMOS
I7b
0,4o
3,3
PMOS
b8
-0,o
0,3b pm
7,b
,
MMOS
Zo7
0,43
Z,b
PMOS
93
-0,oZ
0,Zb pm
o
b,8
MMOS
387
0,48
I,8
PMOS
8o
-0,4b
0,I8 pm
4
8,o
MMOS
,
0,4Z
I,Z 0,8
PMOS
,
-0,3o
ob nm
I,Z
,
I - Infroducfion
ExempIes de fechnoIogies.
Cheveu ~ b0 - I00 pm
11
I - Infroducfion
b - Effef de subsfrof.
Le subsfrof p esf generoIemenf connecfe
ou pofenfieI Ie pIus eIecfronegofif (gnd).
body p
n
+
n
+
p
+
V
S
V
0
V
D
8
gnd
Pour v
S8
Io profondeur du conoI esf
reduife, pour compenser Io diminufion de i
D
correspondonfe : v
0S

ModeIisofion :
( )
f SB f t t
v V V 2 2 .
0
+ + =
V
f0
fension de seuiI pour v
S8
~ 0 [V]
Z
f
pofenfieI d'inversion de surfoce (0,o0,7 V) [V]
focfeur d'effef de subsfrof ( 0,4 V
I/Z
) [V
I/Z
]
Voriofion de v
S8
voriofion de i
D
body Z
me
griIIe
I - Infroducfion
o - Effefs de Io femperofure.
V
f
- ZmV/"C i
D
ougmenfe ovec T"
k' dk'/dT < 0 i
D
diminue ovec T"
effef preponderonf
i
D
diminue ovec T"
7 - QuoIife de Io modeIisofion.
Equofions precedenfes ~ modeIisofion ou I
er
ordre, c.--d. pIuff inexocfe
Adopfe un coIcuI monueI pour un resuIfof opproche I0-Z07 prs, ensuife
recours oux IogicieIs de simuIofion eIecfrique (spice).
Hors codre de ce cours :
- conducfion en inversion foibIe (subfhreshoId),
- effefs Iies oux Iongueurs de conoI submicroniques.
12
Le MOSFET
II - Le fronsisfor MOS en ompIificofion.
I - UfiIisofion en ompIificofion.
R
D
V
DD
v
GS
i
D
v
D
o. Consfrucfion grophique.
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
SS
= V
DD
v
SS
V
DD
Droife de
chorge
v
SS
V
tn
i
D
~ (V
DD
- v
D
) / P
D
I
re
quoIife ompIificofeur 7
v
D
~ V
DD
-P
D
i
D
II - Le fronsisfor MOS en ompIificofion
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
friode sofure off
13
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
friode sofure off
t
v
gs
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
friode sofure off
t
v
d
t
v
gs
14
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
friode sofure off
t
v
d
t
v
gs
En regime sofure v
D
- v
0S
droife
AmpIificution Iinuire
goin ~ penfe
b. Mise en equofions.
R
D
V
DD
v
GS
i
D
v
D
V
GS
v
gs
v
SS
= V
SS
+ v
gs
composonfe
confinue
composonfe
voriobIe
t (s)
v
SS
V
SS
v
gs
AmpIificofion : poIorisofion en regime sofure (Iineorife)
15
pour v
gs
Zv
OV < << << << <
( ) ( )
gs tn GS n tn GS n D
v V V
L
W
k V V
L
W
k i + =
' 2 '
2
1
I
D
couronf de
poIorisofion
i
d
composonfe
voriobIe
d D D D DD D
i R I R V v =
V
D
v
d
(~0)
pour v
gs
Zv
OV
en considrunt Ie rgime vuriubIe (pefifs signoux)
< << << << <
fronsconducfonce :
( ) [ ] V A V V
L
W
k
gs
v
d
i
g
tn GS n m
/
'
= =
D n OV D m
I L W k V I g . . 2 / 2
'
= =
depend des grondeurs
confinues (DC)
c.--d. de Io poIorisofion
goin en fension p.s. :
[ ] V V R g v v A
D m gs d v
/ / = =
16
Z - Seporofion des regimes confinu ef voriobIe (DC ef AC).
R
D
V
DD
i
D
v
D
V
GS
v
gs
v
GS
V
GS
v
gs
G
D
S
i
G
= 0
R
D
V
DD
i
D
i
d
v
D
=

V
D
+

v
d
I
D
Por oppIicofion du fheorme de superposifion (condifion d'oppIicofion 7)
V
GS
G
D
S
I
D
I
G
= 0
R
D
I
D
V
D
G
D
S
i
d
i
g
= 0
R
D
i
d
v
d
v
gs
V
DD
+
regime DC regime AC
gs
v g
d
i
m
=
( )
2 '
2
1
tn GS n D
V V
L
W
k I =
17
3 - ModIe equivoIenf pefifs signoux du MOS.
VoIidife : - poIorisofion en regime sofure,
- v
gs
pefif devonf ZV
ov
,
- bosses frequences.
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
i
d
i
g
= 0 i
g
= 0
prise en compfe de Io moduIofion
de Iongueur du conoI
( )
tn GS n m
V V
L
W
k g =
'
D n OV D m
I L W k V I g . . 2 / 2
'
= =
D A o
I V r / =
Le choix du poinf de poIorisofion fixe Ies
voIeurs des poromfres du modIe p.s.
Inferprefofion grophique de Io nofion de fronsconducfonce :
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
pf de
poIorisofion
cte v
GS
D
m
DS
v
i
pente g
=
= =
Iineorisofion de Io corocferisfique
oufour du poinf de poIorisofion
18
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
pf de
poIorisofion
cte v
GS
D
m
DS
v
i
pente g
=
= =
t
v
gs
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
pf de
poIorisofion
cte v
GS
D
m
DS
v
i
pente g
=
= =
t
v
gs
t
i
d
19
Infegrofion de I'effef de subsfrof dons Ie modIe :
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
i
g
= 0
g
mb
.v
bs
B
v
bs
body Z
me
griIIe
g
mb
~ .g
m
fq ~ 0,I 0,3
Exercice Z.3 (TDZ pb)
P
D
V
DD
P
S
P
L
v
S
C
I
C
I
v
E
P
D
V
DD
P
0
~ I0 M
P
D
~ I0 k
P
L
~ I0 k
V
DD
~ Ib V
C
L
frs grond
V
fn
~ I,b V
k'
n
(W/L) ~ 0,3b mA/V
Z
V
A
~ b0 V
Z
in
~ 7 A
v
~ 7 V
Emox
~ 7
20
Le MOSFET
III - PoIorisofion, efude DC.
I - Imporfonce du choix du poinf de poIorisofion.
choix du regime de foncfionnemenf du fronsisfor
regIoge des poromfres p.s. (ompIificofion / sofurofion)
de I'excursion en sorfie (ompIificofion / sofurofion)
i
D
(mA)
v
DS
(V) V
DD
PoI
1
PoI
Z
Z - PoIorisofion de composonfs discrefs.
III - PoIorisofion, efude DC
o. Fixer V
0S
.
Les voIeurs de V
f
, C
ox
, ef W/L vorienf forfemenf d'un composonf I'oufre
(y compris pour des composonfs de mme reference). !
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
MOS I
MOS Z
V
SS
I
D1
I
DZ
PoIorisofion de mouvoise quoIife
21
b. Fixer V
0
ef ojoufer une resisfonce de source.
R
S
I
D
V
G
V
GS
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1,5
1 2 3
MOS 1
MOS Z
V
S
I
D1
I
DZ
V
0
- V
0S
~ P
S
I
D
I
D
~ V
0
/P
S
- V
0S
/P
S
P
S
: opporf d'une confre-reocfion negofive
sfobiIisofion de I
D
I
D
Schemos de poIorisofion :
R
D
R
S
V
DD
R
G1
R
G2
V
DD
V
DD
R
D
- V
SS
R
S
R
G
I
D
I
D
V
G
V
G
AIimenfofion simpIe AIimenfofion doubIe
22
c. Pesisfonce de confre-reocfion griIIe-droin.
R
D
V
DD
R
G
I
D
V
GS
Exercice I.I (TDI pI)
V
DD
= 3,3 V
R
D
V
SS
= -3,3 V
R
S
I
D
D
V
DD
~ 3,3 V V
fn
~ 0,4o V k'
n
~ I7b pA/V
Z
MMOS :
Dimensionner Ie circuif ci-confre ofin dobfenir une
poIorisofion du fronsisfor feIIe que I
D
~ I00 pA ef
V
D
~ I V.
A queIIe regime de foncfionnemenf correspond
ceffe poIorisofion 7
On considre que Io moduIofion de Io Iongueur du
conoI esf negIigeobIe ( ~ 0) ef on prend W~40pm ef
L~Ipm.
23
Exercice I.Z (TDI pI)
V
DD
~ 3,3 V V
fn
~ 0,4o V k'
n
~ I7b pA/V
Z
MMOS :
Donner Ie pofenfieI de chocun des nuds ef Ie
couronf circuIonf dons chocune des bronches de
ce circuif.
On prend P
0I
~ P
0Z
~ b M, P
D
~ P
S
~ I0 k,
W ~ 30 pm, L ~ I pm ef ~ 0.
ExpIiquer Ie choix des voIeurs de P
0I
ef P
0Z
.
R
D
R
S
V
DD
= 3,3 V
R
G1
R
G2
Exercice I.b (TDI pZ)
V
DD
~ 3,3 V V
fn
~ 0,4o V k'
n
~ I7b pA/V
Z
MMOS :
R
D
V
DD
= 3,3 V
Dimensionner ce circuif de foon ovoir V
D
~ 0,I V.
On prend W ~ o pm ef L ~ I pm.
Que vouf r
DS
, Io resisfonce droin source ce poinf de
poIorisofion 7
24
3 - PoIorisofion por source de couronf.
o. principe.
V
DD
R
D
- V
SS
R
G
I
D
V
G
I
D
b. Source/Miroir de couronf.
I
0
I
REF
V
GS
Mn1 Mn2
V
0
R
V
DD
I
0
V
0
MnI ef MnZ en regime sofure :
R
V V
I I
GS DD
REF D
= =
1
( )
( )
1
2
. 2 0
/
/
L W
L W
I I I
REF D
= =
Miroir pour I
o
~ I
PEF
25
Source de couronf ideoIe :
Source de couronf MOS :
0 r
oZ
finie
Sofurofion MnZ
I
0
V
0
0
I
REF
I
0
V
0
0
I
REF
V
GS
V
OV V
DD
pente 1/r
oZ
I
0
V
0 r
oZ
ModIe p.s. :
Exercice 3.I (TD3 po)
V
DD
~ 3,3 V V
fn
~ 0,4o V k'
n
~ I7b pA/V
Z
MMOS :
I
0
I
REF
V
GS
Mn1 Mn2
V
0
R
V
DD
Proposer un design permeffonf de reoIiser un miroir
de couronf feI que I
0
~ I00 pA ef V
0min
~ 0,3 V (on
prendro orbifroiremenf L ~ Z pm).
26
I
0
I
REF
V
DD
Mn1 Mn2
V
0
Mn4 Mn3
Augmenfofion de Io resisfonce de sorfie : source coscode.
P
ouf
~ g
m
r
oZ
r
o3
V
o
? ZV
0S
- V
fn
V
GS
rduction
dynumique
Mp2 Mp1
I
p2
R
P
V
DD
I
REF
Mp3
Mn1 Mn2
-V
SS
V
DD
I
n2
Disfribufion des couronfs de poIorisofion dons un circuif infegre :
27
Le MOSFET
IV - Efoges ompIificofeurs eIemenfoires.
I - Infroducfion - efoge ompIificofeur.
8esoins : Acquisifion de grondeurs physiques:
- femperofure, pression, humidife,
Copfeur :
- eIemenf ocfif ou possif donf Ies corocferisfiques vorienf ovec Io
grondeur physique
- Voriofion foibIes ovec peu d'energie
V,mV, A,mA, ,m
Mecessife : AmpIificofion
IV - Efoges ompIificofeurs eIemenfoires
Crifres de quoIife-choix des ompIificofeurs :
Lineorife - disforsion :
- Le signoI ne doif pos fre deforme.
8onde possonfe :
- L'ompIificofion doif fre consfonfe sur fouf Ie specfre du signoI ompIifie.
Forme de I'oIimenfofion disponibIe :
- SimpIe ou doubIe.
Pendemenf :
- ~ puissonce ufiIe / puissonce consommee.
28
VE
CHARGE
VS
Av esf Iineoire :
vs(0)~ve(0)
vs(=)~Av.ve(=)
Lo reoIife esf bien differenfe lll
AmpIificofion (en fension) :
v
e
v
s
A
v=
Vs/ Ve
BAT1
U1
AMPV
Vdd
U1
AMPV
+V
-V
V1
VSINE
SimpIe DoubIe
AIimenfofions
opporfe I'energie ou sysfme.
permef Io poIorisofion.
29
v
e
v
s
A
v
= Vs/ Ve
VE
CHARGE
VS
VCC
VCC
e s
A1
AMPLI
saturation
saturation
Non-linarit
Non-linarit
Dcalage
(offset)
Les choses se compIiquenf, Vs peuf
fre :
- Deformee (non Iineorife)
- Ecrfee (sofurofion)
- Posseder une composonfe
confinue (offsef)
AmpIificofeur reeI : defoufs
v
E
v
s
A
v=
Vs/ Ve
saturation
saturation
Non-linarit
Non-linarit
Dcalage
(offset)
v
s
(f) se depIoce oufour du poinf de
repos, generoIemenf VCC/Z
v
E
~ V
E POL
+ v
e
v
S
~ V
CC
/Z + v
s
VE
CHARGE
VS
VCC
e s
A1
AMPLI
VEPOL
v
CC
V
CC
/2
V
E POL
v
e
Cos d'un ompIificofeur mono fension :
30
V
V
e
s
log 20
log 1 2
1 2 = Bp
-3dB
8onde possonfe :
frocee dons Ie diogromme de 8ode.
I, Z puIsofions de coupure -3d8
l Fonction: amplifier la puissance du signal
- tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: V
CC
et (ou) V
EE
)
l La sortie agit comme une source de tension v
s
caractrise par son impdance de sortie Z
s
l Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre
e
e
e
i
v
Z =
* Z
s
= rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par R
L
ModIe d'un ompIificofeur :
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
i
e
i
l Z
e
Z
s v
s
v
e
31
l Gain en tension :
Comme Z
s
0 le gain en tension dpend de la charge
e
s
R
e
L
v
v
v
v
v
A
L
= =
=
Gain en circuit ouvert :
Dfinitions
Gain sur charge :
v
s L
L
e
L
vL
A
Z R
R
v
v
A
+
= =
Comme Z
e
, A
vc
diffre de A
vL
vL
e g
e
g
L
vc
A
Z R
Z
v
v
A
+
= =
Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie de la
source)
l Gain en courant :
L
e vL
e
L
i
R
Z A
i
i
A = =
l Gain en puissance :
i v
e g
L L
p
A A
i v
i v
A
c
= =
Expression du goin en d8 :
Tension : Z0 Iog|Av|
Couronf : Z0 Iog|Ai|
Puissonce : I0 Iog|Ap|
+V
CC
-V
EE R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
i
e
i
l Z
e
Z
s v
s
v
e
l Impdance dentre :
e
e
e
i
v
Z =
+V
CC
-V
EE R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
i
e
i
l Z
e
Z
s v
s
v
e
l Impdance de sortie :
0 =
=
g
v
x
x
s
i
v
Z
+V
CC
-V
EE
v
g
=0
R
g
source
v
x
i
e
i
x
Z
e
Z
s v
s
v
e
32
* Lamplificateur idal :
l Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre
l Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source
l Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge
* La ralit...
Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves
Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation
Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal
capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence
f (MHz)
f
systme
non linaire
f (MHz)
f 2f 3f
H2
H3
DC
fondamental
fondamental
Disforsion hormonique :
Toux de disforsion hormonique (TofoI Hormonic Disforsion) :
l fondamenta eff
s harmonique eff k
k
k
k
V
V
a
a
a
a
THD
,
,
1
2
2
2
1
2
2
= = =

ovec o
I
: voIeur efficoce du fondomenfoI
o
k
: voIeur efficoce de I'hormonique de rong k
33
Un ompIificofeur ideoI :
- Me consommeroif oucune energie en enfree : resisfonce
d'enfree = queIque soif Io frequence.
- Pourroif produire une puissonce infinie: resisfonce de sorfie
nuIIe queIque soif Io frequence.
- OM ME SAIT PAS FA8PIQUEP CELA
Defoufs sur Ies impedonces :
v A e v
ve vs
Re
Rs
v G e m
ve Rs
is
Re
i R e m
ie
vs
Re
Rs
i A e i
ie
Rs
is
Re
0 =
s
i
e
s
v
v
v
A
0 =
s
v
e
s
i
i
i
A
0 =
s
v
e
s
m
v
i
G
0 =
s
i
e
s
m
i
v
R
fension couronf
fronsconducfonce fronsresisfonce
i
v
e
e
e R

0 =
v
R
e
i
v
s
s
s
ModIes reeIs des ompIificofeurs :
e
i
34
Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :
l stabilit et faible distorsion ampli stabilis
l gain lev plusieurs tages en cascades
l Z
e
leve tage forte impdance dentre
l Z
s
faible tage faible impdance de sortie
Difficults du couplage : u Polarisation de chaque tage
u Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
u Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
CoupIoge enfre efoges - ossociofion de pIusieurs fypes d'ompIificofeurs :
L'odopfofion d'impedonce doif fre vu sous deux ospecfs :
- Associer des circuifs
- Tronsmeffre une puissonce moximoI
-On cherche opfimiser Pg ef PL
En entre : on cherche ve=vg ceffe condifion sero d'oufonf
pIus sofisfoife que Pg sero pefife devonf Pe
En sortie : On souhoife fronsmeffre Ie moximum de
puissonce Io chorge (un houf porIeur por exempIe), une
opproche infuifive omne penser que PL doif fre Io pIus
pefife possibIe (IL mox) ,
g e
e
g e
R R
R
V V
+
=
CoupIoge ef odopfofion d'impedonce :
35
RS
RL
VS
L
L
R
V
P
2
=
S L
L
s L
R R
R
V V
+
=
2
2
) (
.
s L
L S
R R
R V
P
+
=
3
2
) (
.
L S
L s
S
L
R R
R R
V
dR
dP
+
=
P dans RL est max
pour RL=RS
En vert : P/PMax=f(RL/RS)
En rouge : le rendement PRL/PVS
Adopfofion d'impedonce en puissonce :
Exercice
Un copfeur deIivre un signoI de fension efficoce V
eff
~ I0mV ef possde une impedonce inferne r
g
~ b00.
Ce signoI esf desfine offoquer un houf-porIeur (HP) d'impedonce I0.
I. QueIIe esf Io puissonce fournie ou HP por Ie copfeur quond iIs sonf direcfemenf connecfes 7
10 1 10
6
Type II
5 k 50 10
6
Type I
Impdance de sortie
r
0
Amplification en tension
A
v
Impdance dentre
r
i
Z. QueIIe fension efficoce fouf-iI fournir en enfree de chocun des deux ompIificofeurs pour
deIivrer une puissonce de I0W ou HP 7
3. On dispose de pIusieurs ompIificofeurs de fype I ef II. QueI monfoge permef de deIivrer une
puissonce de I0 W ou HP porfir du copfeur 7
Le fobIeou suivonf donne Ies corocferisfiques de Z fypes d'ompIificofeurs disponibIes :
36
Z - AmpIificofeur source commune.
o. Discref.
P
S
V
DD
P
S1
P
SZ
v
g
P
g
P
L
P
D
V
DD
C
dec
C
I1
C
IZ
C
II
, C
IZ
: copocifes de Iioison (qqs I0
oines
pF)
C
dec
: copocife de decoupIoge (qqs I0
oines
pF)
v
e
v
l
i
e
i
l
generofeur chorge
AmpIificofeur source commune
PIe, comporfemenf 7
Schemo equivoIenf pefifs signoux :
G
v
gs
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
D i
g
= 0
P
L
P
S
1
/
/
P
S
Z
v
g
P
g
i
e
v
e
v
l
i
l
Impedonce d'enfree :
Z
e
~ v
e
/ i
e
~ P
0I
//P
0Z
0oin en circuif ouverf :
0 ) // (
0
< = =
=
D m
R
e
l
v
R r g
v
v
A
L
Impedonce de sorfie :
Z
s
~ r
0
//P
D
0oin en chorge :
) // // (
0 L D m
e
l
vL
R R r g
v
v
A = =
0oin composife :
) // // (
) // (
//
0
2 1
2 1
L D m
g G G
G G
g
l
vc
R R r g
R R R
R R
v
v
A
+
= =
P
D
Z
s
Z
e
37
AmpIificofeur source commune ovec resisfonce de source non decoupIee :
P
SZ
V
DD
P
S1
P
SZ
v
g
P
g
P
L
P
D
V
DD
C
dec
C
I1
C
IZ
v
e
v
l
i
e
i
l
generofeur chorge
ovec resisfonce de source
P
S
G
v
gs
g
m
.v
gs
i
d
D
i
g
= 0
P
L
P
D
P
S
1
/
/
P
S
Z
v
g
P
g
i
e
v
e
v
l
i
l
1/g
m
S
R
S
AmpIificofeur source commune ovec resisfonce de source :
UfiIisofion modIe en T
r
0
negIigee
S m
D m
v
R g
R g
A
+
=
1
P
S
: resisfonce de degenerescence diminufion du goin ef omeIiorofion de Io Iineorife
38
b. A chorge ocfive (infegre).
V
DD
Mn1
Mp2
Mp1
V
SG
v
e
v
s
v
2
i
Mn1 v
e
v
s
i
I
V
DD
I
REF
Z - AmpIificofeur source commune.
En fechnoIogie infegree (microeIecfronique) : difficuIfe infegre des resisfonces eIevees
A
v
~ -g
mI
.(r
0I
//r
0Z
) (d'oprs P
D
~ r
0Z
)
r
0Z
eIevee
Exercice 4.I (TD4 pI0)
V
DD
~ 3,3 V V
fn
~ 0,4o V k'
n
~ I7b pA/V
Z
MMOS :
Mn1
Mp2
Mp1
V
SG
v
e
v
s
v
2
i
V
DD
I
REF
Dessiner Ie schemo equivoIenf pefifs signoux de
ce monfoge ef coIcuIer Ie goin en fension
correspondonf en foncfion de g
mI
, r
0I
ef r
0Z
.
En supposonf que MnI ef MpZ oienf Io mme
fension dEorIy VA, exprimer Av en foncfion de
V
A
, (W/L)
MnI
ef de I
PEF
.
Dimensionner Ie monfoge source commune ofin
dobfenir un goin en fension de 40 d8. On
impose une mme Iongueur de griIIe L ~ Z pm
pour fous Ies fronsisfor, ceffe Iongueur
correspondonf ( frs opproximofivemenf ) une
fension dEorIy V
A
de Iordre de Z0 V pour Ies
PMOS ef MMOS, une infensife I
PEF
~ Z0 pA ef
une pIoge de foncfionnemenf symefrique pour
v
S
.
V
fp
~ -0,o V k'
p
~ b8 pA/V
Z
39
3 - Peponse en frequence.
ModIe p.s. HF simpIifie (S ef 8 direcfemenf reIies, C
db
negIige) :
o. Copocifes infernes.
effef copocifif de Io griIIe
pour une onoIyse monueIIe
4 copocifes ojoufer ou modIe p.s. : C
gs
, C
gd
, C
db
, C
sb
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
C
gd
C
gs
copocifes Iiees oux joncfions PM subsfrof-source ef subsfrof-droin
(polarises en inverse)
C
gd
qqs fF
C
gs
qqs I0
oines
fF
b. Peponse en frequence de I'ompIificofeur source commune.
P
S
V
DD
P
S1
P
SZ
v
g
P
g
P
L
P
D
V
DD
C
dec
C
I1
C
IZ
v
e
v
l
i
e
i
l
generofeur chorge
Cg
d
- copocifes infernes chufe du goin oux HF (i.e. coupure houfe)
C
gd
"courf-circuife" Ie fronsisfor
- copocifes de decoupIoge ef de Iioison chufe du goin oux 8F (i.e. coupure bosse)
40
b. Peponse en frequence de I'ompIificofeur source commune.
Av (d8)
f (H;)
3 d
f
H
f
b
frequence de coupure houfe :
) // // ))].( // // ( 1 ( [ 2
1
2 1 0 G G g L D m gd gs
H
R R R R R r g C C
f
+ +
=
frequence de coupure bosse :

dec
m
b
C
g
f
. 2
=
Le MOSFET
V - Inferrupfeur MOS.
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
friode sofure off
0
i
D
(mA)
v
DS
(V) V
DD
v
SS
=V
DD
droife de
chorge
v
SS
=0
R
D
V
DD
v
GS
i
D
v
D
- v
0S
~ 0 v
D
~ V
DD
- v
0S
~ V
DD
v
D
0
inverseur MMOS
MOS bIoque
MOS possonf (friode)
I - Infroducfion.
MOS bIoqu
MOS pussunt
MOS bIoqu
MOS pussunt
41
V - Inferrupfeur MOS
Z - Inverseur Iogique CMOS (compIemenfory MOS).
NMOS
v
E
V
DD
v
S
PMOS
MMOS bIoque (v
0S
~0)
PMOS possonf (v
S0
~V
DD
)
NMOS
PMOS
NMOS
v
E
= 0
V
DD
v
S
= V
DD
PMOS
v
E
~ 0 :
NMOS
v
E
V
DD
v
S
PMOS
MMOS possonf (v
0S
~V
DD
)
PMOS bIoque (v
S0
~0)
NMOS
PMOS
NMOS
v
E
= V
DD
V
DD
v
S
= 0
PMOS
v
E
~ V
DD
:
42
Puissonce consommee.
NMOS
V
DD
PMOS
NMOS
PMOS
C
L v
S
i
i
DP
i
DN
v
E
En sfofique :
i
DP
= i
DP
= i = 0
pos de puissonce consommee
En dynomique :
ou momenf du possoge des MOS
de I'efof possonf I'efof bIoque
ef inversemenf iIs sonf
froverses por Ie couronf de
chorge-dechorge de C
L
Dissipofion de puissonce por
effef JouIe (dons Ies MOS)
2
.
DD L D
V C f P
Dissipofion de puissonce (dynomique) dons Ies circuifs numeriques :
3 - ExempIe - oIIumoge d'une diode eIecfroIuminescenfe.
RD
VCC
5v
Q1(G) Q1(G)
D1(K)
D1
LED-RED
3
2
1
Q1
VN2222LL
D
1
(A
)
AnoIyser quoIifofivemenf Ies grophes
ID~Z8mA , VF~Zv
coIcuIer PD
1
1
AmpIificofeurs operofionneIs
I - Lo poire differenfieIIe.
I - Infroducfion - nofion de signoI differenfieI.
Poire differenfieIIe : pormi Ies briques de bose Ies pIus
imporfonfes de I'eIecfronique.
Un signoI eIecfrique esf generoIemenf mesure por ropporf Io mosse
(c.--d. un pofenfieI fixe) :
v
E
Z
v
S
t
v
S
Inferf : - gronde immunife ou bruif ef oux inferferences,
- fociIife de poIorisofion,
- meiIIeur Iineorife.
2
I - Lo poire differenfieIIe
Un signoI differenfieI esf mesure enfre deux nuds oyonf des
excursions de fension egoIes ef opposees por ropporf un pofenfieI
fixe (Ie mode commun) :
v
E1
Z
v
S1
v
E2
Z
v
S2
v
DIFF
v
DIFF
= v
S1
- v
SZ
t
v
S1
V
S
mode
commun
t
v
S2
V
S
t
v
DIFF
V
2 V
V
de pIus v
S1
+ v
SZ
= ZV
S
2
3
Z - Lo poire differenfieIIe MOS.
o. Presenfofion.
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
D1
v
DZ
v
S1
v
SZ
i
D1
i
DZ
MnI ef MnZ sonf idenfiques
Axe de symefrie verficoI
PoIorisofion por une source
de couronf ideoIe (r
0
~ =)
ef poIorises en regime sofure.
4
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
D1
v
DZ
v
S1
v
SZ
i
D1
i
DZ
AnoIogie poire differenfieIIe - boIonce deux fIeoux.
3
5
b. Foncfionnemenf ovec une fension d'enfree en mode commun.
v
0I
~ v
0Z
~ v
CM
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
D1 v
DZ
v
S
I
0
/Z
V
SS
V
SS
I
0
/Z
D'oprs MnI ef MnZ idenfiques ef por
considerofions de symefrie :
v
CM
i
D1
= i
DZ
= I
0
/Z
On o v
S
~ v
CM
- V
0S
feI que :
( )
2 ' 0
2
1
2
tn GS n
V V
L
W
k
I
=
soif : ( ) L W k I V
n OV
/ /
'
0
=
v
DIFF
Au niveou des droins :
D DD D D
R
I
V v v
2
0
2 1
= =
Io fension differenfieIIe de sorfie :
v
DIFF
~ v
DZ
- v
DI
~ 0
6
b. Foncfionnemenf ovec une fension d'enfree en mode commun (suife).
Lo poire differenfieIIe ne reponds pos un signoI d'enfree de mode commun, on
porIe de rejecfion de mode commun (en presence de defoufs fq MnIMnZ ce n'esf pIus vroi).
Lo pIoge de voriofion de v
CM
esf Iimifee oux deux exfremifes por :
- Le foif que Ies fronsisfors doivenf resfer en sofurofion,
- Lo source de couronf qui ne doif pos fre "efouffee" por un v
CM
frop bos.
tn D D DD CM
V I R V v + =
max
min 0 min
V V v
GS CM
+ =
Tension minimoIe necessoire oux
bornes de Io source de couronf
v
DIFF
~ v
DZ
- v
DI
~ 0
4
7
c. Foncfionnemenf gronds signoux.
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
D1
v
DZ
v
S1
v
SZ
i
D1
i
DZ
v
id
~ v
0I
- v
0Z
On cherche exprimer i
DI,Z
en foncfion
de Io fension differenfieIIe d'enfree :
( )
2
1
'
1
2
1
tn GS n D
V V
L
W
k i =
( )
2
2
'
2
2
1
tn GS n D
V V
L
W
k i =
soif :
( )
tn GS n D
V V
L
W
k i =
1
'
1
2
1
( )
tn GS n D
V V
L
W
k i =
2
'
2
2
1
d'o :
) (
2
1
'
2 1
a v
L
W
k i i
id n D D
=
v
S
or :
) (
0 2 1
b I i i
D D
= +
8
c. Foncfionnemenf gronds signoux (suife).
(o)
Z
donne :
id
n D D
v
L
W
k I i i
2 '
0 2 1
2
1
2 =
En subsfifuonf puis en eIevonf ou corre on obfienf une equofion
du Z
nd
degre donf Io soIufion esf :
1 0 2 D D
i I i =
L
W
k I
v v
I
L
W
k
I
i
n
id id
n D
'
0
2
0
' 0
1
/
) 2 (
1 .
2
.
2
+ =
OV
V I /
0
2
OV
V
2 ' 0
2
1
2
OV n
V
L
W
k
I
=
Au poinf d'equiIibre
v
0I
~ v
0Z
Soif :
2
2
0 0
1
) 2 (
1 .
2
.
2
OV
id id
OV
D
V
v v
V
I I
i + =
2
2
0 0
2
) 2 (
1 .
2
.
2
OV
id id
OV
D
V
v v
V
I I
i =
Mon Iineoire 7
OV
V I /
0
5
9
Sorfie differenfieIIe :
v
DIFF
~ v
DZ
- v
DI
~ V
DD
- P
D
i
DZ
- (V
DD
-P
D
i
DI
)
v
DIFF
~ P
D
.(i
DI
- i
DZ
) ~
2
2
0
) 2 (
1 . . .
OV
id
id
OV
D
V
v
v
V
I
R
Lo poire differenfieIIe reponds un signoI d'enfree differenfieI
Pour v
id
~ 0 i
DI
~ i
DZ
~ I
0
/Z
Pour v
id
0 i
DI
i
DZ
Pour v
id
0 i
DI
i
DZ
fq i
DI
+ i
DZ
~ I
0
i
DI
~ I
0
/Z + i
i
DZ
~ I
0
/Z - i
2
2
0
) 2 (
1 .
2
.
OV
id id
OV
V
v v
V
I
i =
v
id
~ 7 fq i
DI
~ I
0
ef i
DZ
~ 0
v
0SZ
~ V
fn
i
DI
~ I
0
~ k'
n
(W/L)(v
0SI
- V
fn
)
Z
O
I OV tn n tn GS
V V L W k I V v
,
'
0 1
. 2 ) / ( / 2 + = + =
d'o
0
, 2 1
. 2
I OV GS GS id
V v v v = =
10
v
id
i
D1Z
/I
0
0 ,
. 2
I VO
V
0 ,
. 2
I VO
V
i
D1
/I
0
i
DZ
/I
0
01
0Z
03
04
0
0
07
0
09
1
0
Zone de foncfionnemenf Iineoire : v
id
/Z V
ov
d
id
OV
D
i
I v
V
I I
i + = + =
2 2
.
2
0 0 0
1
d
id
OV
D
i
I v
V
I I
i = =
2 2
.
2
0 0 0
2
ovec
2
.
0 id
OV
d
v
V
I
i =
6
11
feI que
OV OV
m m m
V
I
V
I
g g g
0 0
2 1
) 2 / ( 2
= = = =
soif
=
2
.
id
m d
v
g i
v
id
Mn1 Mn2
v
gs1 v
gs2
v
id
~ v
0I
- v
0Z
~ v
0SI
- V
0SZ
Por ropporf une poIorisofion "cIossique" Ie ferme s'expIique por Io reporfifion de
v
id
sur Ies Z v
gs
v
0SI
~ v
id
/Z v
0SZ
~ - v
id
/Z
12
d. Foncfionnemenf ovec une enfree differenfieIIe pefifs signoux (~0, ~0).
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
D1
v
DZ
v
id
/Z
i
D1
i
DZ
v
S
v
SZ
v
S1
v
id
/Z
V
CM
V
CM
v
diff
v
id
~ v
0I
- v
0Z
Tension differenfieIIe d'enfree :
v
0I
~ V
CM
+ .v
id
v
0Z
~ V
CM
- .v
id
v
diff
~ v
DZ
- v
DI
Tension differenfieIIe de sorfie :
V
S
S +
v
id /
Z
OV tn n tn GS GS
V V L W k I V V V + = + = = ) / ( /
'
0 2 , 1
V
S
S
-
v id
/
Z
7
13
Efude AC.
P
D P
D
MnI MnZ v
id
/Z
g
m
v
id
/Z
0V
-v
id
/Z
v
diff
=g
m
P
D
v
id
v
gsZ
=-v
id
/Z v
gs1
=+v
id
/Z
g
m
v
id
/Z
+g
m
P
D
{v
id
/Z} -g
m
P
D
{v
id
/Z}
ovec
OV OV
m
V
I
V
I
g
0 0
) 2 / ( 2
= =
D'o I'expression du goin differenfieI p. s. :
D m
id
diff
d
R g
v
v
A = =
mosse
virfueIIe
14
Prise en compfe de r
0
ef P
Source
(moduIofion de Io Iongueur du conoI des MOS).
P
D P
D
v
id
/Z
g
m
v
id
/Z
0V
-v
id
/Z
v
diff
g
m
v
id
/Z
P
Source
0
r
0
r
0
P
D
v
id
/Z r
0
v
d1
P
D
-v
id
/Z r
0
v
dZ
v
diff
Monfoges source commune
poIorises I
0
/Z
v
dI
~ -g
m
(P
D
//r
0
)(v
id
/Z)
v
dZ
~ g
m
(P
D
//r
0
)(v
id
/Z)
id D m d d diff
v r R g v v v ) // (
0 1 2
= =
8
15
e. 0oin de mode commun ef foux de rejecfion de mode commun.
Pour une enfree de mode commun pefif signoI :
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
d1
v
dZ
v
cm
v
cm
i
D1
i
DZ
v
S
v
diff
P
Source
P
D
v
d1
P
D
v
dZ
v
diff
v
cm
v
cm
ZP
Source
ZP
Source
Monfoge source commune degenere :
Source m
D m
cm d
R g
R g
v v
2 1
/
2 , 1
+
=
16
Pour une enfree de mode commun pefif signoI :
Source m
D m
cm d
R g
R g
v v
2 1
/
2 , 1
+
=
En consideronf P
Source
I/g
m
:
Source
D
cm d
R
R
v v
2
/
2 , 1
Sorfie simpIe : Sorfie differenfieIIe :

Source
D
cm
R
R
A
2
=
D m v
R g A . 2 1 =
Toux de rejecfion de mode commun :
(Common Mode Pejecfion Pofion)
Source m
cm
v
R g
A
A
CMRR = =
0
1 2
=
=
cm
d d
cm
v
v v
A
D m d
R g A =
Toux de rejecfion de mode commun :
(Common Mode Pejecfion Pofion)
= CMRR
9
17
Effef d'une dissymefrie sur P
D
:
P
D
v
d1
P
D
+ P
D
v
dZ
v
diff
v
cm
v
cm
ZP
Source
ZP
Source
On o oIors :
Source
D
cm d
R
R
v v
2
/
1
Source
D D
cm d
R
R R
v v
2
/
2

Source
D
cm d d cm
R
R
v v v A
2
/
1 2

=
D
D
Source m cm d
R
R
R g A A CMRR

= = 2 /
18
Effef d'une dissymefrie sur g
m
:
On demonfre :
=
m
m
Source
D
cm
g
g
R
R
A .
2
m
m
Source m cm d
g
g
R g A A CMRR

= = 2 /
Une poire differenfieIIe reeIIe ne
pourro jomois fre reoIisee
porfoifemenf symefriquemenf, c'esf
ce qui expIique que dons Io profique
on frouve un CMPP fini.
f. 0eneroIisofion des signoux d'enfree queIconques.
2 1
2 1
2
G G id
G G
cm
v v v
v v
V =
+
=
2 /
1 id cm G
v V v + =
2 /
2 id cm G
v V v =
Decomposifion des fensions d'enfree
en mode commun pIus differenfieI :
Th. de superposifion
id d cm cm diff
v A V A v + =
10
19
Exercice 7.I - Poire differenfieIIe
I
0
V
DD
P
D P
D
MnI MnZ
v
D1
v
DZ
v
S1
v
SZ
i
D1
i
DZ
Soif Io poire differenfieIIe ci-confre, feIIe que I
0
~
400pA, PD ~ Z,b k, ef W/L ~ Zb (~0 ef ~0).
On considre qu'eIIe esf soumise une enfree de
mode commun : v
0I
~ v
0Z
~ v
CM
o. Que voIenf V
OV
ef V
0S
7
b. CoIcuIer v
S
, i
DI
, i
DZ
, v
DI
ef V
DZ
pour v
CM
~ I,o V (v
S
fension
des sources de MnI ef MnZ).
c. Mme quesfion pour v
CM
~ Z,8 V.
d. Mme quesfion pour v
CM
~ I,4 V.
e. QueIIe esf Io voIeur moximoIe de v
CM
ossuronf Ie moinfien
en sofurofion de MnI ef MnZ 7
f. Lo source de couronf requierf une fension minimoIe ses
bornes, V0min ~ 0,o V, pour foncfionner correcfemenf. En
deduire Io voIeur minimoIe pouvonf fre prise por v
CM
.
Lo poire differenfieIIe precedenfe esf moinfenonf oIimenfee en mode differenfieI feI que :
v
0I
- v
0Z
~ v
id
g. Pour queIIe voIeur de v
id
Io fofoIife du couronf de poIorisofion I
0
posse-f-eIIe por Io bronche de
MnI 7 CoIcuIer Ies voIeurs correspondonfes de v
DI
ef v
DZ
.
h. Pour queIIe voIeur de v
id
Io fofoIife du couronf de poIorisofion I
0
posse-f-eIIe por Io bronche de
MnZ 7 CoIcuIer Ies voIeurs correspondonfes de v
DI
ef v
DZ
.
i. En deduire Io pIoge de voriofion de Io fension differenfieIIe de sorfie (v
diff
~ v
dZ
- v
DI
).
20
3 - Lo poire differenfieIIe chorge ocfive.
conversion signoI differenfieI vers signoI simpIe.
I
0
V
DD
MnI MnZ
v
S
v
SZ
v
S1
MpI MpZ
i
S
v G e m
ve Rs
is
Re
v G e m
ve Rs
is
Re
0 =
s v e
s
m
v
i
G
fronsconducfonce
MpI, MpZ : miroir de couronf
11
21
PoIorisofion, regime DC :
I
0
V
DD
MnI MnZ
V
S
=V
DD
-V
SS
V
CM
Mp3 Mp4
0
V
CM
V
SG MnI, MnZ idenfiques, poIorisofion
symefrique :
i
D1
= i
DZ
= I
0
/Z
I
0
/Z I
0
/Z
Mp3, Mp4 : miroir de couronf
i
D4
= i
D3
= I
0
/Z
I
0
/Z
V
DZ
~ V
DI
~ V
DD
- V
S0
22
Enfree differenfieIIe p.s., regime AC :
MnI MnZ
v
s
V
id
/Z
Mp3 Mp4
0 V
-V
id
/Z
i
d
i
d
i
d
i
s
=Zi
d
i
d
=g
m
,v
id
/Z
Tronsconducfonce du monfoge :
cuIcuI pour v
s
=0 court-circuit Iu musse
m
v
id
s
m
g
v
i
G
s
=
=
=0
Pesisfonce de sorfie :
04 02 0
// r r R =
0oin differenfieI :
) // (
04 02 0
r r g R G
v
v
A
m m
id
s
d
= = =
Source m
cm
R g
A
3
2
1
=
On demonfre egoIemenf :
12
23
Exercice 7.Z - Poire differenfieIIe chorge ocfive
I
0
V
DD
MnI MnZ
v
S
v
SZ
v
S1
MpI MpZ
i
S
I. CoIcuIer 0
m
ef P
0
(poromfres de I'ompIificofeur de fronsconducfonce equivoIenf Io poire
differenfieIIe).
Z. En deduire Ie goin differenfieI A
d
.
3. CoIcuIer Ie goin de mode commun A
cm
.
4. Donner Ie foux de rejecfion de mode commun de cef ompIificofeur differenfieI.
On considre Io poire differenfieIIe chorge ocfive donf Ie
schemo esf donne ci-confre.
EIIe esf feIIe que (W/L)
MnI,MnZ
~ I00 ef (W/L)
MpI,MpZ
~ Z00 ef
I
0
~ 800 pA. Lo source de couronf esf impIemenfee seIon Ie
modIe Ie pIus simpIe vu en cours.
On supposero que Io fension d'EorIy esf idenfique pour fous Ies
fronsisfors du monfoge : V
A
~ Z0 V.
24
AmpIificofeurs operofionneIs
II - AmpIificofeur operofionneI CMOS deux efoges.
-V
SS
MpI MpZ
Mn3 Mn4
V
DD
V
DD
-V
SS
I
REF
Mpb Mpo
Mn7
-V
SS
V
DD
Mp8
v
s
v
+
v
-
I
0
C
C
13
25
II - AmpIificofeur operofionneI CMOS Z efoges
I
er
efoge : Poire differenfieIIe d'enfree
-V
SS
MpI MpZ
Mn3 Mn4
V
DD
V
DD
-V
SS
I
REF
Mpb Mpo
Mn7
-V
SS
V
DD
Mp8
v
s
v
+
v
-
I
0
C
C
26
-V
SS
MpI MpZ
Mn3 Mn4
V
DD
V
DD
-V
SS
I
REF
Mpb Mpo
Mn7
-V
SS
V
DD
Mp8
v
s
v
+
v
-
I
0
C
C
Z
me
efoge : ompIificofeur source commune
14
27
PoIorisofion
-V
SS
MpI MpZ
Mn3 Mn4
V
DD
V
DD
-V
SS
I
REF
Mpb Mpo
Mn7
-V
SS
V
DD
Mp8
v
s
v
+
v
-
I
0
C
C
28
-V
SS
MpI MpZ
Mn3 Mn4
V
DD
V
DD
-V
SS
I
REF
Mpb Mpo
Mn7
-V
SS
V
DD
Mp8
v
s
v
+
v
-
I
0
C
C
) // (
04 02 12 1
r r g A
m
=
) // (
08 07 7 2
r r g A
m
=
) // ( ) // (
08 07 7 04 02 1 2 1
r r g r r g A A A
m m v
= =

in
Z
) // (
08 07
r r Z
out

15
29
Exercice 7.3 - AmpIificofeur differenfieI MOS Z efoges
MpI MpZ
Mn3 Mn4
V
DD
V
DD
I
REF
Mpb Mpo
Mn7
V
DD
Mp8
v
s
v
+
v
-
I
0
C
C
I. Dessiner Ie schemo equivoIenf bosse frequence pefifs signoux de I'ompIificofeur operofionneI
en modeIisonf chocun des deux efoges eIemenfoires por un ompIificofeur de fronsconducfonce.
Exprimer Ie goin en fension A
v
~ v
s
/v
id
en foncfion de V
A
ef V
OV
. En deduire V
OV
ef Ies
dimensions de fous Ies fronsisfors du monfoge.
Z. Deferminer Io pIoge de voriofion de Io fension de mode commun V
CM
.
3. Deferminer Io pIoge de voriofion de Io fension de sorfie v
s
.
4. Donner Ies voIeurs des impedonces d'enfree ef de sorfie.
On considre I'ompIificofeur operofionneI
CMOS deux efoges donf Ie schemo esf
donne ci-confre.
Tous Ies fronsisfors du circuif onf Io mme
Iongueur de griIIe L ~ I pm, Io mme fension
d'EorIy VA ~ Z0 V, ef sonf poIorises ovec Io
mme fension d'overdrive, V
OV
. On impose Ies
couronfs de poIorisofion suivonf : I
0
~ Z00 pA
ef I
D8
~ b00 pA.
On souhoife obfenir un goin de 7Z d8.
Christian Dupaty pour l EMSE

Daprs un diaporama original de Thomas Heiser
Institut d'Electronique du Solide et des Systmes
C. Koeniguer, P. Lecoeur IFIPS Paris
/ / DPSOLILFDWHXURS DPSOLILFDWHXURSp pUDWLRQQHO UDWLRQQHO
$SSOLFDWLRQV $SSOLFDWLRQV
I L
Extrait du cours du Prof. Greg
Kovacs, Stanford University
V
V
V
A
L kW

8 DI
L LM I S
1L A 8lL1
A k k SCIC 1
L

l
A
S
l
u
C
A
A C
A
AC
C
L

l
l
A
1
S v
S v
C
8
Z
3
2
6
7
4
U3
MCP6041
v
v
A AC
8

saturation
saturation
v
v
v v

Saturation : vsat Vcc

C
C

C vAvv
1 v v v

L V V
V
A
L

L v v v L v
v
2
) 2 1 (
) 2 1 (
V V
Amc V V Ad Vs
+
+ =
C
AC
u 1L
M MCS MC
C Au
vlC l
vlC 1

ll8 l
vCM
l
CM88 C

A C
TL081
MCP6141
L
l
L
1
1
l

1LC
u

S u8Aln
CuvL81
TLC372 LinCMOS , sortie drain ouvert
Dfaut doffset important
Courants de dcalage et de polarisation trs faibles
Courant de fuite en sortie ltat haut trs faible
Courant de sortie ltat bas important (16mA)
Tension en sortie ltat bas importante
CONSTITUTION
Les AOP possdent des caractristiques externes proches du modle parfait
-Trs grande amplification (> 10
5
)
-Grande impdance dentre (souvent considre comme infinie)
-Trs faibles courants de polarisation en entre (souvent considrs comme nuls
-Faible tension doffset (dpend des technologies, qq uV en MOS)
-Faible impdance de sortie
-Excursion de la tension de sortie proche des alimentations (Rail to Rail)
-Cela est possible
- Grce lutilisation de transistors MOS fonctionnant en rgime linaire (mode
satur)
-Grce larchitecture particulire et aux caractristiques des amplificateurs
diffrentiels
Les montages contre raction permettent la mise en uvre de ces composants
u
S C A
A
8
L
S
l
l
v
v AC

8 M
A
8
L 8l 8C A

8 8L v A

l l A S ll 8ll
v
L
8
8
C

888
Amplificateur oprationnel
Architecture simplifie dun amplificateur oprationnel:
Etage amplificateur
augmente le gain total (A
v
>>1)
ex: montage drain commun et Rd leve charge active
suiveur impdance de sortie faible
Configuration Push-Pull : domaine de linarit
Etage
amplificateur
En tension
Suiveur
Ampli en
courant
sortie
Amplificateur
diffrentiel
+
-
Amplificateur
diffrentiel
Z
e
leve MOSFET,...
amplification de v
+
-v
-
attnuation de
2
+
+ v v
(gain lev en mode diffrentiel )
(gain <<1 en mode commun )
. Contre-raction et amplificateur oprationnel

Rtroaction positive :laction de la sortie sur lentre renforce la variation du signal de sortie

s s s
v e Bv v ex: A>0, B < 0
(sans dphasage)
la sortie diverge les composants sortent du domaine linaire
par exemple : transistor sature
e s
v
AB
A
v
+
=
1
comportement non-linaire A,B modifis
Circuit boucl et rtroaction
A
B
v
e
v
s
e
B
.
v
s
La sortie agit sur lentre
Circuit boucl :
( )
s e s
v B v A e A v = =
e s
v
AB
A
v
+
=
1
?
A
B
v
e
v
s
e
B
.
v
s
Rtroaction ngative ou contre-raction :
Laction de la sortie sur lentre
attnue la variation du signal de sortie

s s s
v e Bv v
ex: A>0, B >0 (sans dphasage)
la sortie converge vers :
e e s
v G v
AB
A
v =
+
=
1
G = gain en boucle ferme :
G<A
Si AB >>1 ,
B
G
1
la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.

Amlioration de la linarit
* B = taux de rinjection
ALlCA1lCnS
L

uC
v

L v
v v
v
S
l v
S
=A
= A
(v

C
C
v
S

L
l
S C A
A
8
L
8

L
8
L
e
e i
i
i
v
R R
R
v
+
=
8

L i
L
L
S
Av
R R
R
v
+
=
0

L
A

Les valeurs de Ri et Ro sont gnralement
ngligeables devant les autres rsistances du
montage considr
C k

e S
Av v =
L kLSUML
U

U

M
S S
S

v
S
v
v
S
v

L kLSUML
I
M
M
v
M
s s
s
kv v
R R
R
R R
R
v
R
v =
+
=
+
+
=
2
2
1 1
0
1
1
1
2 1
=v
k k
v
v
e
S
S
u
8
u
v
k
v
e
L kLSUML
M
v
C v

s s
kv v
R R
R
v =
+
=
+
2 1
1
=v
k k
v
v
e
S
+ =

S
u
8
v
v
S
v
v
S
v
k
v
e

A
8
I

Exercice : Trigger de Schmitt
R1=10K, R2=20K
+Vcc=10v, -Vcc=-10v
Ve
+5v
-5v
-3v
+3v
Vs
+Vcc
-Vcc
Mise en forme dun signal numrique
Suppression de parasites
I L
M
M

l
l
1
2 1
R
R R
v
v
e
S
+
=
= =
e
e
e
i
v
Z
0
0
= =
=
e
v
S
S
S
i
v
Z
1 =
e
S
v
v
M
1
2
R
R
v
v
e
S
=
l
l
1
R
i
v
Z
e
e
e
= =
II L
L M
A S
8
+ + + =
N
N
S
R
v
...
R
v
R
v
R v
2
2
1
1
C
L
{ }
0
0
1
= =
=
= N .. i
v
S
S
S
i
v
Z
8
8
3 2
3
2
R R
R
v v
e
+
=
+
S e
v
R R
R
v
R R
R
v
+
+
+
=
1
1
1
1
u
+
=
1
1
2
3 2
3
1
1
e e S
v
R R
R
v
R R
R
R
R R
v
l
l
1 1
R Z
e
=
3 2 2
R R Z
e
+ =
C vvv 8
C vv v 8
II L
C
AN
A
8M
v
S
v
l
v
v
S
8
C v 8
III L
WKW
/
AC

n
A
C 8
C
+
=
C
v
j
A
) j ( H
1

8
A
v
III L
C
s s
kV V
R R
R
v =
+
=
2 1
1
M
) V V )( j ( H ) j ( H V donc
j
A
) j ( H
e S
C
v
= =
+
=
1
I
'
c
'
v
v c
v
v
c
v
c
c
v
c
v
c
v
e
s
j
A
) kA (
j
kA
A
j
kA j
j
A
j
A
k
j
A
V
V
+
=
+
+
+
=
+
+
+
=
+
+
+
=
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5
1
2 1
'
10
1
1
+
=
+
=
v
v
v
v
A car
R
R R
k kA
A
A
c v c v
c
kA ) kA ( ' + = 1
) )( ( s
e S
kV V j H V =
C
III L

v
A
v
A
v
u 8
C
A
III L
M
8
A
v
1/8C
RC
avec
j
jRC R
jC
Z
Z
v
v
a
a
R
C
e
s
1 1 1
1
= = = = =
Rq : si Ve est constant, i =Ve/R est constant

dt
dVs
c i = 0
.
1
V dt i
C
Vs + =
0
.
1
V t i
C
Vs + =
Rampe de tension C v v
III L
M
8
A
v
1/8C
8
8
18
+
= =
C jR R
R
Z
R // Z
v
v
R
C
e
s
1
1
1
1

Av
/2
l
l
III L
M
A
v
1/8C
RC
avec j jRC
Z
Z
v
v
a
a C
R
e
s
1
= = = =
dt
dVe
C i . =
dt
dVe
C R i R Vs . . . = =
III L
M
C jR
C jR
R
R
C jR
jRC
v
v
e
s
1
1
1 1
1 1 +
=
+
=

v
A
v
1/8C 1/8
C
88
3
2
1
8
4
U1:A
TL082
BAT1
12v
BAT2
12v
U1:A(+IP) U1:A(+IP)
Vs
Vs
R1
100k
3
2
1
8
4
U1:A
TL082
BAT1
12v
BAT2
12v
U1:A(+IP) U1:A(+IP)
Vs
Vs
Comparateur fentre (comparateur_fenetres.dsn)
Ce montage permet de dtecter une tension
comprise entre deux valeurs (Ve-<Ve<Ve+)
R4
10k
R5
1k
R6
10k
+10v
+10v
VS2
VS1
VS2
VS1
U1:B(-IP)
5
6
7
8
4
U1:B
TL082
3
2
1
8
4
U2:A
TL082
U2:A(-IP)
U3
NOR_2
D
D
L AC
Vs
3
2
1
8
4
U1:A
TL072
R1
R2
Ve
C
8
l v8
l 8
Ampli dinstrumentation
3
2
1
8
4
U1:A
TL082
5
6
7
8
4
U1:B
TL082
3
2
1
8
4
U2:A
TL082
R1
10k
R2
10k
R3
10k
R4
10k
R5
10k
R6
10k
R7
10k
V1
V2
Vs
Les amplificateurs sont
aliments entre +Vcc et -Vcc
Ve Vs =
5
) 6 5 4 (
5
R
R R R
V Ve
R
+ +
=
2 1
5
V V V
R
=
3 ). 2 1 ( V V Vs =
Lamplification peut tre rgl par R5
Le TRMC dpend des drives des trois amplificateurs, lamplificateur
dinstrumentation est gnralement ralis sur un seul substrat (ex : AD620)
Limpdance dentre est trs grande.
5
) 6 5 4 (
) 2 1 (
R
R R R
V V Vs
+ +
=
C vvv
Ve
Production de signaux : multivibrateur astable
3
2
1
8
4
U1:A
TL082
C1
100nF
R1
10k
R2
10k
R3
10k
Vs
Vc
+10v
-10v
Vc
+10v
-10v
-5v
+5v
Vs
+10
-10

t
e
U
Vc
1
t
Tracer Vc et Vs
Vc(0)=-5v
Vs(0)=+10v
Calculer t
Exemple dapplication de la fonction monostable : conversion frquence tension
C lu
CAn C
A
Le capteur produit une frquence proportionnelle la vitesse du bateau
Le monostable produit une tension de valeur moyenne proportionnelle la frquence.
Le passe bas limine les frquences et ne laisse passer que la valeur moyenne
La tension rsultante est convertie en un nombre puis affiche par un micro contrleur
Conversion frquence tension :
Le rapport cyclique la sortie du monostable est =th/T, (T=th+tl). tl est
constant (monostable), est donc proportionnel T.
La valeur moyenne du signal vaut Vm=Vmax.
M
3
2
1
8
4
U1:A
TL072
+10v
-10v
R1
2.2k
R2
1k
C1
1000nF
VS
Ve VE
V+
D1
1N914
R3
1k
vvCC
vl u
v 8C
C vv vL
C v
vC
C vL
S
1 vvv
3
2
1
8
4
U1:A
TL082
5
6
7
8
4
U1:B
TL082
R1
100k
R2
100k
R3
10k
C1
10n
VS1
VS2
-12v
+12v
-12v
+12v
C uA u8
1 vSvS

u vv
C vS
C vSv v
vS
C
i
vS
vS

vSvS
Tracer les chronogrammes de VS1 et VS2
C
R1
R2
68k
R3
D1
1N914
Q1
2N2222
RL1
G2R-1E-DC12
R4
R5
R6
3
2
1
8
4
U1:A
TL082
5
6
7
8
4
U1:B
TL082
3
2
1
8
4
U2:A
TL082
R4
HOS201
+VCC
Ve
VS1
VS2
VP
VS
D2
C
P
S
vv
0
vSv
vSv
S
S
S
0
vCLCv
S
Maintenant on peut tout faire ou presque

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Ce sous-chapitre illustre lintrt des diodes travers quelques exemples

Lors de la rupture de courant

frequence de coupure bosse :

Sorfie simpIe : Sorfie differenfieIIe :

Christian Dupaty pour l EMSE

Saturation : vsat Vcc

. Contre-raction et amplificateur oprationnel

la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.

Rq : si Ve est constant, i =Ve/R est constant

Maintenant on peut tout faire ou presque

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