Introduction aux dispositifs optolectroniques utiliss en lectronique de puissance

Jol Redoutey

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Dispositifs optolectroniques
SOMMAIRE 1 LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES. ............................................................................... 3 1.1 LA JONCTION P-N A L'EQUILIBRE. .................................................................................... 3 1.2 LA JONCTION P-N EN POLARISATION INVERSE. ........................................................... 4 1.3 LA JONCTION P-N EN POLARISATION DIRECTE. ........................................................... 5 1.4 PRINCIPE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES...................................................... 6 1.5 UTILISATION DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES. ............................................. 8 2 LES DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES ........................................................................................ 9 2.1 PHOTODIODE .......................................................................................................................... 9 2.2 PHOTOTRANSISTOR............................................................................................................ 10 2.3 PHOTO-DARLINGTON......................................................................................................... 12 2.4 PHOTO-THYRISTOR............................................................................................................. 12 3 LES PHOTOCOUPLEURS............................................................................................................ 13 3.1 PHOTOCOUPLEURS A TRANSISTOR. .............................................................................. 14 3.2 PHOTOCOUPLEURS A DARLINGTON. ............................................................................. 14 3.3 PHOTOCOUPLEURS SPECIAUX. ....................................................................................... 14 4 MODULES INTERRUPTEURS OU REFLECTEURS................................................................. 15 4.1 MODULES INTERRUPTEURS OPTOELECTRONIQUES. ................................................ 15 4.2 MODULES REFLECTEURS OPTOELECTRONIQUES...................................................... 15 5 CONCLUSION............................................................................................................................... 16

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INTRODUCTION AUX DISPOSITIFS OPTO-ELECTRONIQUES

Les progrs raliss dans les domaines de l'optolectronique et de la photo-lectricit ont abouti la commercialisation de composants massivement utiliss dans l'industrie, notamment les diodes lectroluminescentes (LED) et les coupleurs optolectroniques.

1 LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES.

Depuis 1956, on sait qu'une jonction PN parcourue par un courant direct met une radiation lumineuse. Cependant, en raison de difficults technologiques, il a fallu attendre 1964 pour voir apparatre sur le march des diodes mettant une radiation lumineuse dans le visible. 1.1 LA JONCTION P-N A L'EQUILIBRE. Considrons une jonction P-N l'quilibre (fig.1). La zone N renferme une certaine quantit d'lectrons libres, alors que la zone P contient des trous.

E INT

+ P +
Trou Atome ionis

+ + +

+ +

+ +

+ +
-

Electron libre Zone de charge d'espace Atome ionis

Figure 1. Jonction P-N l'quilibre.

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Au voisinage de la jonction, les lectrons libres de la zone N vont diffuser vers la zone P et rciproquement les trous de la zone P vont diffuser vers la zone N. Il y a recombinaison chaque fois qu'un lectron rencontre un trou. Au repos, il existe donc au voisinage de la jonction une zone dans laquelle il n'y a plus de porteurs libres : du ct N il ne reste plus d'lectrons libres et il ne subsiste que des atomes ioniss positivement. De mme du ct P, il ne subsiste que des atomes ioniss ngativement. Il en rsulte la cration d'une zone de charge d'espace qui s'tend de part et d'autre de la jonction et par consquent l'apparition d'un champ lectrique interne EINT qui s'oppose la diffusion des porteurs majoritaires libres prsents dans les rgions N et P. Il s'tablit ainsi une barrire de potentiel qui repousse les trous vers la zone P et les lectrons vers la zone N. 1.2 LA JONCTION P-N EN POLARISATION INVERSE. Lorsqu'on relie la jonction une source de tension, ple positif la zone N et ple ngatif la zone P, on cr un champ lectrique EEXT orient dans le mme sens que le champ lectrique interne EINT. Il en rsulte une lvation de la barrire de potentiel et une extension de la zone de charge d'espace. La jonction, qui est dite bloque, ne laisse passer qu'un courant inverse trs faible. (de l'ordre du micro-ampre).
E INT

+ P + +

+ +
E EXT

+ + +

- N

- VR

Figure 2. Jonction P-N polaris en inverse. Lorsqu'on augmente la valeur de la tension VR applique la jonction, on augmente le champ lectrique EEXT et donc le champ rsultant (qui est maximal la jonction). Selon les niveaux de dopage des zones N et P, les paisseurs respectives de ces zones et la gomtrie de la jonction, deux cas sont considrer :

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 Le claquage par effet ZENER. Lorsque le champ lectrique la jonction atteint une certaine valeur, il se produit un phnomne d'arrachement des lectrons appel effet Zener. Le claquage par effet Zener n'intervient que pour des tensions VR=VZ appliques la diode infrieures 6 volts (cas du Silicium). Le coefficient de temprature de la tension Zener VZ est ngatif. Le claquage par effet d'AVALANCHE. Les charges lectriques qui traversent la jonction (courant de fuite) reoivent une nergie proportionnelle la tension applique. Lorsque cette nergie atteint une valeur critique, il se produit une ionisation par chocs qui peut devenir cumulative ; c'est le phnomne d'avalanche. L'avalanche se produit pour une tension applique VR=VA dont le coefficient de temprature est positif. 1.3 LA JONCTION P-N EN POLARISATION DIRECTE. Si maintenant on connecte le ple positif de la source de tension extrieure la zone P et le ple ngatif la zone N, il s'tablit un champ lectrique EEXT de sens oppos au champ interne EINT (figure 3). Pour une certaine valeur de la tension applique, le champ lectrique EEXT compense le champ interne EINT. Il s'tablit alors un courant IF travers la jonction qui est dite "passante".
E INT

+ +

+ +
E EXT

++-

P
+

+-N
+

+ VF -

Figure 3. Jonction P-N polarise en direct.

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1.4 PRINCIPE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES Considrons une jonction PN polarise dans le sens direct et parcourue par un courant IF (figure 4). courant de trous
+ + + + + +

++
-

+-N ++
-

courant dlectrons

+ VF -

IF

Figure 4. : Injection des porteurs minoritaires dans une jonction PN. A l'intrieur du matriau, il y a injection de trous dans la zone N et d'lectrons dans la zone P : c'est le phnomne d'injection des porteurs minoritaires. Statistiquement, un certain nombre de porteurs minoritaires se recombinent en librant de l'nergie. En effet, lorsqu'un lectron libre rencontre un trou (c'est--dire une absence d'lectron dans un atome, qui de ce fait est charg positivement) il le comble. Lnergie de cet lectron passe donc de la bande de conduction la bande de valence du matriau P, librant par consquent une nergie gale la diffrence entre ces deux bandes (largeur de bande interdite ou band gap). Une partie de cette nergie est libre sous forme de lumire (photon) et le reste sous forme de chaleur (fig. 5 ).

P
trou

N
bande de conduction

lectron W=h

bande de valence

Figure 5. Emission dun photon lors de la recombinaison dun lectron et dun trou

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On voit donc que la frquence de la radiation mise est directement lie la largeur de la bande interdite (band gap). L'nergie d'un photon s'crit : W = h h : constante de Planck (6,6 . 10-34 Js) : frquence de la radiation mise (en Hz). La longueur donde mise est donne par la relation :

( A)

12370 Eg

: longueur d'onde de la radiation mise (en Angstrm)

Eg : largeur de la bande interdite (en eV). La tension de seuil d'une diode tant elle aussi fonction de la largeur de bande interdite, il existe une relation directe entre la tension de seuil de la diode et la frquence de la radiation mise (figure 6). Plus une jonction possde une tension de seuil leve, plus elle met haut dans le spectre. De ce fait, les diodes germanium et silicium qui possdent des tensions de seuil relativement faibles (environ 0,3V pour Ge et 0,7V pour Si) mettent dans l'infrarouge lointain. La mise au point de diodes mettant dans le visible n'a donc pu s'effectuer qu' partir d'un autre semi-conducteur : le gallium Ga dont le "Gap" vaut 1,4 eV (1,09 eV pour le silicium ; 0,66 eV pour le Germanium).

Figure 6. Caractristiques If-Vf de diodes Si, GaAs (IR), GAAsP (rouge, jaune, vert)

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A partir de diffrents composs base d'AsGa ou de GaP, on sait aujourd'hui fabriquer des diodes lectroluminescentes mettant dans l'infrarouge, le rouge, le jaune, le vert et le bleu. 1.5 UTILISATION DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES. Les LED sont utilises comme source lumineuse - soit dans un but de visualisation (voyants ...) - soit pour transmettre un signal (coupleurs optolectroniques, capteurs ...). Contrairement aux lampes incandescence, une LED ne se pilote pas en tension mais en courant. Dans le cas gnral, une LED doit tre connecte une source de tension par l'intermdiaire d'une rsistance de limitation de courant (figure 7). On utilise une LED rouge standard de
+VCC

diamtre 5mm qui est spcifie :

R

VF = 2V typ. IF = 20 mA on en dduit la valeur de R.

LED

R=
Tension dalimentation Vcc = 5V

52 = 150 0,02

Figure 7 : Exemple de branchement d'une LED sur une source de tension. L'intensit lumineuse mise par une LED dpend directement du courant qui la traverse comme le montre la figure 8.

Figure 8. Intensit lumineuse en fonction du courant dans la diode lectroluminescente.

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Cependant, fort niveau de courant, la puissance mise augmente plus vite que la puissance lectrique fournie. On peut donc avoir intrt dans certains cas fonctionner en rgime puls de fort courant mais avec un rapport cyclique rduit de manire ne pas dpasser les limites thermiques de la diode. A courant moyen gal, le rgime puls conduit gnralement un meilleur rendement lumineux. Le fonctionnement puls est frquemment utilis dans les circuits afficheurs multiplexs ou lorsqu'on dsire rgler la luminosit d'un afficheur (light dimmer).

2 LES DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES

Le fonctionnement des diffrents lments photosensibles semi-conducteur est bas sur le mme principe physique. Lorsqu'un cristal semi-conducteur absorbe un photon d'nergie W = h suprieure la largeur de sa bande interdite, il y a cration d'une paire lectron-trou ; un lectron passant de la bande de valence la bande de conduction laissant sa place un trou. 2.1 PHOTODIODE Considrons une jonction P-N polarise en inverse (figure 9). Lorsque cette jonction est dans l'obscurit, elle est le sige d'un courant de fuite que l'on appelle courant d'obscurit. Si l'on illumine cette jonction avec une radiation de longueur d'onde suffisamment faible, il y a cration de paires lectron-trou au sein du cristal.

Figure 9 Photodiode jonction PN.

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Les porteurs ainsi gnrs sont balays par le champ lectrique prsent dans la zone de dpltion. Il en rsulte un courant lectrique proportionnel la densit du flux de photons incident. En fait, le circuit se comporte comme un gnrateur de courant command par la lumire. Le coefficient de temprature est faible et le temps de rponse trs court (infrieur la microseconde). L'absorption de la lumire dans le silicium dcrot lorsque la longueur d'onde augmente. Cependant, lorsque la longueur d'onde de la radiation incidente dcrot, une plus grande quantit de hc paires lectron-trou est gnre prs de la surface (W = h = )

De ces deux phnomnes contradictoires, il rsulte une sensibilit maximale de la photodiode pour une certaine longueur d'onde (figure 10).

Figure 10 : rponse spectrale d'une photo diode. Dans la pratique les photodiodes ne sont jamais utilises seules du fait de la faiblesse du courant qu'elles peuvent dlivrer. Elles sont donc gnralement associes un amplificateur qui est souvent intgr la mme puce. Les caractristiques du composant ainsi form deviennent alors celles de l'ensemble photodiode + amplificateur.

2.2 PHOTOTRANSISTOR.
Le phototransistor est la combinaison la plus simple d'une photodiode et de son amplificateur. En dirigeant la lumire sur la jonction collecteur-base (qui est polarise en inverse) on gnre un courant base d'origine photonique qui est amplifi par le gain en courant du transistor (figure 11). Si la base est accessible de l'extrieur une polarisation du transistor est possible, on a : IE = (Ip + IB) ( + 1) Ip IB IE : courant base d'origine photonique courant base extrieur courant metteur : gain en courant du transistor.

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Figure 11. Fonctionnement dun phototransistor On remarque que la sensibilit et la rponse du phototransistor varient avec le gain du transistor, c'est--dire avec le niveau de courant, la polarisation ventuelle et la temprature. La vitesse de rponse du phototransistor est trs infrieure celle d'un transistor quivalent. Ceci est d la capacit de la photodiode d'une part associe l'impdance d'entre leve du transistor d'autre part (figure 12).

Figure 12. Rapidit dun phototransistor.

De ce fait, le temps de rponse du dispositif est essentiellement gouvern par la constante de temps d'entre de l'amplificateur. Ceci est gnral pour la plupart des photo dtecteurs et l'on peut dire : "plus le gain est lev, plus la rponse est lente". Page 11 sur 16

2.3 PHOTO-DARLINGTON.
Il s'agit d'un composant trs voisin du phototransistor l'exception du gain beaucoup plus lev du fait de la structure deux tages (fig.13).

Figure 13. Photo Darlington On peut crire : IE = (IP1 + IB) 1 2 Le produit 1 2 pouvant aller de 103 105, le photo-darlington se rvle un dtecteur extrmement sensible. Par contre, son temps de rponse est beaucoup plus long que celui du phototransistor. De mme, le courant d'obscurit du photo-darlington est trs suprieur celui du phototransistor.

2.4 PHOTO-THYRISTOR

Figure 14.

Photo thyristor et son schma quivalent Page 12 sur 16

La figure 14 illustre le fonctionnement de ce dispositif. Le schma quivalent du thyristor l'aide de deux transistors NPN et PNP permet de mieux saisir le mcanisme d'amorage (fig.14). Le courant d'origine photonique gnr dans la jonction collecteur-base du transistor NPN provoque la conduction de celui-ci entranant l'amorage du thyristor de manire identique un courant inject dans la gchette.

3 LES PHOTOCOUPLEURS

Les photo coupleurs ou coupleurs optolectroniques sont des composants intgrant dans le mme botier une diode mettrice infrarouge et un photo dtecteur (phototransistor par exemple). Ces deux lments sont coupls optiquement mais sont lectriquement isols (figure 15).

Figure 15 : Construction dun opto-coupleur L'utilisation d'un opto-coupleur permet donc la transmission unilatrale d'un signal entre deux circuits qui n'ont aucun point commun lectrique (on dit que ces deux circuits sont galvaniquement isols). Le degr d'isolement entre les deux circuits dpend de la qualit et de l'paisseur du dilectrique sparant la diode mettrice du photo dtecteur. La construction du photo coupleur rsulte donc d'un compromis entre l'isolement et "l'efficacit" du dispositif que l'on quantifie par le CTR (current transfert ratio) dfini ainsi :

CTR(%) = 100

I photodtecteur I diodemettrice

Dans le cas d'un photo coupleur utilisant un transistor comme dtecteur, le CTR est le rapport du courant collecteur au courant dans la diode. On distingue plusieurs types de coupleurs selon la nature du photo dtecteur utilis.
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3.1 PHOTO COUPLEURS A TRANSISTOR.

C'est le type le plus rpandu, Il se compose d'une diode infrarouge et d'un photo transistor (fig. 15). Ces dispositifs prsentent un CTR relativement faible (de 10 100% selon les modles), une tension d'isolement leve (de 2,5 kV 10 kV), une faible capacit parasite (de l'ordre de 1 2 pF) et une rapidit relativement grande (temps de commutation de l'ordre de quelques microsecondes. Bande passante d'environ 300 kHz). Certains modles trs rapides prsentent des temps de commutation infrieurs la microseconde.

3.2 PHOTOCOUPLEURS A DARLINGTON.

Dans ce type de coupleur, le dtecteur est un photo Darlington (fig.16), ce qui procure un CTR beaucoup plus lev (de 100 1000 % selon les modles).
A C

Figure 16 : Photo coupleur Darlington. La tension d'isolement et la capacit parasite sont les mmes que dans le cas du coupleur transistor. Par contre, la rapidit est trs infrieure (temps de commutation de l'ordre de plusieurs dizaines de microsecondes et frquence de coupure dpassant rarement 30 kHz). Du fait du gain trs important du Darlington, ces coupleurs sont assez sensibles au dV/dt. N.B. Le CTR d'un opto coupleur est un paramtre relativement instable dans le temps. On veillera donc n'utiliser les opto coupleurs en linaire qu' l'intrieur d'une boucle de rgulation.

3.3 PHOTOCOUPLEURS SPECIAUX.

En dehors des deux types prcdents, on rencontre d'autres modles de coupleurs, par exemple : - coupleurs photo thyristor - photo dclencheurs de triac - photo dclencheurs de triac au zro secteur - coupleurs sortie compatible TTL, etc... Page 14 sur 16

4 MODULES INTERRUPTEURS OU REFLECTEURS.

Contrairement aux coupleurs optolectroniques, les modules se composent d'une diode infrarouge et d'un photo dtecteur dont le couplage optique s'effectue l'extrieur du composant. De ce fait, la transmission lumineuse peut tre interrompue par la prsence d'un corps opaque.

4.1 MODULES INTERRUPTEURS OPTOELECTRONIQUES.

Ces produits sont composs d'une diode infrarouge place face un phototransistor, tous deux insrs dans un botier plastique. Une fente mnage dans le botier entre la diode mettrice et le phototransistor permet d'interrompre le signal lumineux par l'introduction d'un lment opaque (figure 17).

Figure 17 : Module interrupteur et exemple d'utilisation.

4.2 MODULES REFLECTEURS OPTOELECTRONIQUES.

Dans ce type de module, l'metteur et le dtecteur ne sont plus placs face face, mais sont inclins comme l'indique la figure 18. De ce fait, la transmission lumineuse ne peut s'effectuer qu'en prsence d'un corps rflchissant.

Figure 18 : Constitution et application des modules rflecteurs optolectroniques. Page 15 sur 16

5 CONCLUSION.

Les dispositifs optolectroniques sont prsents dans tous les domaines de l'lectronique. La diode lectroluminescente a remplac le voyant incandescence, la barrette lumineuse (bar graph) a supplant le galvanomtre aiguille dans les applications "grand public" et l'afficheur sept segments a dtrn le tube Nixie. Mais cet essor de l'optolectronique a surtout permis la ralisation de composants tels que les photo coupleurs, massivement utiliss dans l'industrie pour assurer l'isolement galvanique des circuits, les modules interrupteurs ou rflecteurs utiliss comme capteurs ou les composants de transmission par fibre optique. Paralllement, d'autres branches de l'optolectronique connaissent un dveloppement important. Citons par exemple : - Les afficheurs cristaux liquides (LCD) - Les afficheurs plasma - Les dispositifs transfert de charges (CCD) - Les diodes Laser - Les cellules photovoltaques - etc ...

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