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REPUBLIC OF CAMEROUN
Peace - Work Fatherland
-------------------UNIVERSITY OF YAOUNDE I
-------------------NATIONAL ADVANCED SCHOOL
OF ENGENEERING
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INTRODUCTIONAUXMICROONDES
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commerciale, Partage des conditions initiales l'identique)..
frquences
3Hz 300Hz
0.3 3KHz
3 30KHz
30 300KHz
0.3 3MHz
3 30MHz
30 300MHz
0.3 3GHz
3 30GHz
30 300GHz
Applications
Transport et distribution de
l'lectricit ;
Electromnager
Transmission de donnes
vocales ;
Mtallurgie ;
Chauffage par induction
Radio-communications
Radiodiffusion GO;
Fours induction
Radiodiffusion MO-PO;
Diathermie mdicale
Soudage ;
Collage
Tlvision ;
Radio FM
Tlvision ;
Radars ;
Tlphones mobiles ;
Fours micro-ondes ;
Hyperthermie mdicale
Radars ;
Alarmes anti-intrusion
Radars ;
Communication par satellite
REPUBLIQUE DU CAMEROUN
Paix - Travail Patrie
--------------------UNIVERSITE DE YAOUNDE I
---------------------ECOLE NATIONALE SUPERIEURE
POLYTECHNIQUE
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Leon 1 :LADIODEAJONCTIONPN
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commerciale, Partage des conditions initiales l'identique)..
De la mme faon, en franchissant le plan de jonction pour entrer dans le barreau N, les
trous deviennent des porteurs minoritaires. Par consquent, dans une rgion du barreau N
voisine du plan de jonction, les trous minoritaires sont en nombre excdentaire. Les trous en
excs vont se recombiner avec des lectrons libres (trs nombreux du ct N). Dans ce
processus, llectron libre et le trou disparaissent tous les deux. Linjection des trous dans le
barreau N a pour consquence de faire disparatre un certain nombre dlectrons libres du
barreau N dans la rgion voisine du plan de jonction. La neutralit lectrique est donc
dtruite dans cette rgion o, avant linjection, on avait :
somme des charges ngatives nno = somme des charges positives ND + pno
Aprs linjection des trous qui diffusent et leur recombinaison, on a, dans cette rgion, un
dficit de charges ngatives.
On dit que la charge volumique (en coulomb par cm3) est positive dans la rgion du barreau
N qui est voisine du plan de jonction.
Cette distribution de charges (positives du ct N, ngatives du ct P) est lorigine du
champ lectrique E qui rgne au voisinage du plan de jonction. La rgion entourant le plan
de jonction est appele zone de transition (en abrg : ZT).
Un quilibre est atteint lorsque ce champ lectrique est assez fort pour contenir la
diffusion (le champ, dirig des charges + vers les charges -, cest--dire de N vers P,
soppose au dplacement des porteurs qui diffusent).
Dans la jonction, le potentiel lectrique V est plus lev du ct N (o la densit de charge
despace est positive) que du ct P (o la densit de charge despace est ngative). A ce
saut de potentiel correspond une variation de lnergie potentielle W des porteurs. On parle
ce propos de la barrire de potentiel qui, lorsque le nouvel quilibre est atteint, soppose la
diffusion des porteurs.
Figure 1 : Un champ lectrique E rgne dans la ZT dune jonction PN : il est toujours dirig
de N vers P
2. CALCUL DE LA TENSION DE DIFFUSION DUNE JONCTION
x p
1 dn
q
dx =
n dx
KT
xn
Edx
xp
ln( n[ x n ]) ln( n [ x p ]) =
N
KT
ln D2
q
ni
N
A
VD =
q
V ( xn ) V ( x p )
KT
= VD
KT N A N D
ln
q ni2
(1)
La tension de diffusion (ainsi nomme parce quelle soppose la diffusion des porteurs)
dpend des dopages N et P, et aussi de la temprature.
3. MODELE DE SHOCKLEY POUR LA BARRIERE DE POTENTIEL
3.1 Expression du champ lectrique E
Lquation de POISSON, relie le nombre volumique de charges C(x) au champ :
dE
C ( x)
=
dx
(2)
(3)
E ( x) =
qN A
(x + x p )
E ( x) =
qN D
(x x n )
(5bis)
La figure 3 montre la variation du champ lectrique, qui est maximum en x=0, cest--dire
dans le plan de jonction, o il prend la mme valeur du ct P et du ct N :
EM = -qNAxp / = -qND xn /
(on retrouve lquation 3).
(6)
VD = V ( x n ) V ( x p ) =
VD = (q/2 )(NA xp2+ ND xn2)
xn
E ( x ) dx =
xp
E ( x ) dx
xp
E ( x ) dx
0
- relation entre VD et x p :
ND xn2 = (ND xn )2 / ND = (NA xp )2 / ND
xp =
1
NA
2 N A N D
V
q N A + ND D
(6.a)
(6.b)
- relation entre VD et x n :
de mme, en remplaant NA2xp2 par ND 2xn2 dans (6.a) :
xn =
1
ND
2 N A N D
V
q N A + ND D
(6.c)
wo = xn + xp =
2 1
1
+
VD
q N A N D
(7)
wo = xn =
2 1
VD
q ND
Relation entre EM , V D et wo :
x
VD =
VD =
E ( x ) dx
w0 E M
2
w0 EM
2
(8)
applique. Un courant rsultant non nul (mais trs faible) circule travers la jonction : cest le
courant de saturation inverse.
La polarisation est directe lorsque le ple + de la source de tension est connect au ct P
de la jonction. Dans ce cas, et si lon admet que la tension applique se retrouve
intgralement applique aux limites de la zone de transition, le saut de potentiel est plus petit
quen labsence de polarisation. Le champ lectrique correspondant est plus faible, et les
courants de conduction sont moins grands. De ce fait, ils nquilibrent plus les courants de
diffusion. Ces courants de diffusion de trous et dlectrons libres, qui peuvent tre
relativement importants, sont les composantes du courant direct traversant la diode.
w"=
2
q
1
1
+
(VD VF )
N
N
A
D
(9)
Figure 7 : Jonction PN non polarise (a) le ct N de la jonction est un potentiel plus lev que le
ct P (b) lnergie potentielle Wn des lectrons est plus faible du ct N (c) lnergie potentielle des
trous Wp est plus faible du ct P.
1
1
+
(V D + V R )
NA ND
w = xp + xn > wo
w' =
2
q
w' ( E M' )
VD + VR =
2
(11)
La valeur maximum du champ lectrique interne est alors (comme en 6) :
EM = -q ND xn /
(10)
JONCTION PN
EPAISSEUR DE
LA ZT
BARRIERE DE
POTENTIEL
CHAMP
MAXIMUM
AIRE DU
TRIANGLE DE
CHAMP
NON POLARISEE
POLARISEE EN DIRECT
POLARISEE EN
INVERSE
wo = xp + xn
(wo = xn si NA >>
ND)
w = xp + xn
(w = xn si NA >> ND)
w = xp + xn
(w = xn si NA >> ND)
1
1
+
N A ND
V D
wo =
2
q
VD =
KT N A N D
ln
q ni2
(tension de diffusion)
Emax = E(0)
= -q NA xp /
= -q ND xn /
VD
w E
= o max
2
w"=
2 1
1
(VD VF )
+
q N A N D
w'=
2
q
1
1
(V D + V R )
+
N
N
A
D
VD - VF
(VF = tension applique)
VD + VR
(-VR = tension
applique)
E"max = -q NA x"p /
= -q ND x"n /
Emax = -q NA xp /
= -q ND xn /
"
E
2
"
max
V D + VR =
'
w ' E max
Figure 11 : Rpartition des charges, variation du potentiel et du champ lectrique dans la ZT dune
jonction PN.
Au contraire, si l'on applique une tension U positive (voir figure 12), le champ
lectrique de rtention de la diffusion est diminu et les charges mobiles qui ont une
nergie suprieure celle que reprsente la hauteur de la barrire de potentiel
peuvent traverser la zone de charge spatiale.
Il est utile, ici, de se rappeler que l'nergie moyenne des charges mobiles est lie
la notion de temprature et qu' temprature donne, cette nergie est constante.
6.2. Dfinitions
Une polarisation directe permet le passage d'un courant lectrique dans la jonction
alors qu'une polarisation inverse l'empche. Cette proprit est traduite par les
relations:
(12)
(13)
soit
(14)
o
(15)
dont la drivation sort du cadre de cette tude. La loi exprime par la relation (14) est
reprsente la figure 13.
6.4. Dfinitions
(16)
o k est la constante de Boltzmann, T la temprature absolue et e la charge de
l'lectron. A 25 C, UT = 25mV.
Le facteur n est appel coefficient d'mission. Il est voisin de 1 dans les jonctions de
transistors au Si et dans les diodes au Ge. Il est compris entre 1 et 2 dans le cas de
diodes au Si.
6.5. Commentaires
Dans les cas pratiques, U >> nUT, la relation (14) peut se mettre sous la forme
approche :
(17)
(18)
o = -2 mV / C.
7. CAPACITE DE TRANSITION
7.1. Introduction
(19)
dans laquelle le paramtre m est compris entre 1/3, pour une jonction progressive
linaire, et 1/2, pour une jonction abrupte.
7.3. Dfinition
(20)
7.4. Description
(21)
o est la permittivit du semi-conducteur, A la section de la jonction et l la largeur
de la zone de dpltion.
Comme la largeur de la zone de dpltion dpend de la tension U applique (20), la
capacit de transition varie galement en fonction de U selon la relation:
(22)
o CT0 est la capacit de transition tension nulle; elle a pour expression :
(23)
A la figure 16, on a reprsent l'allure de la capacit de transition en fonction de la
tension applique la jonction.
7.5. Remarque
Cette structure est identique celle des PIN utilises en lectronique de puissance en tant
que redresseurs (bonne tenue en tension) ; cependant, la proprit que lon exploite en
hyperfrquence est totalement diffrente.
Par rapport la diode P+ N, la diode PIN possde une rgion centrale (W I ) o le champ
lectrique est constant. En l'absence de polarisation le champ lectrique est trapzodal. La
hauteur de la barrire de potentiel est plus grande que dans une diode PIN (Figure 18).
La rgion intrinsque, lorsque la diode est polarise en direct, prsente une rsistance Ri
gale :
Ri = K Idx
Avec x 0,9 et K un coefficient de proportionnalit.
En polarisation inverse la zone W I est dserte, la capacit de la jonction reste constante et
est gale :
C=
S
d
Avec :
Redresseurs de puissance en BF. La structure PIN peut tenir des tensions inverses
trs grandes (10 kV) et la chute de tension en direct est de l'ordre du volt pour des
courants de 100 A/cm2.
Applications hyperfrquences.
1. interrupteurs :
on utilise 2 proprits de la structure : la capacit de la diode varie peu en
fonction de la tension applique; la rsistance de la diode peut tre 10000 fois
plus grande en inverse qu'en direct. on insre la structure sur le chemin de
propagation de l'onde hyperfrquence, en polarisation inverse le signal passe,
en polarisation directe il est rflchi.
2. modulateurs, attnuateurs variables :
on utilise la variation de la rsistance en fonction du courant direct, la
structure tant toujours insre dans le chemin de propagation de l'onde
hyper.
Cet effet est obtenu avec une jonction cre avec des semi-conducteurs fortement dops. La
consquence sapparente un effet davalanche en direct. Le courant qui augmente
rapidement puis dcrot et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode
classique).
Il en rsulte la caractristique reprsente la Figure 21. La portion o le courant dcrot en
fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic Vp et la tension de valle Vv ).
On y observe une conductance ngative, linarise autour du point de repos (Vr, Ir).
Lutilisation de la zone autour de ce point ncessite une polarisation particulire qui permet
de travailler en variations.
Cette rsistance (ou conductance) dynamique est mise profit dans les oscillateurs hautefrquence pour compenser la rsistance dun circuit LC due aux imperfections des lments.
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Leon 2 :LETRANSISTORMESFET
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Si
1.12
AsGa 1.43
Champ de
claquage
(MV.cm-1)
0.25
0.4
Mobilit
lectronique n
(cm2.V-1.s-1)
800
4900
Vitesse de
saturation
(cm.s -1)
1x107
1x107
Conductivit
Thermique
(W.cm-1.K -1)
1.5
0.54
GaN
SiC
3.4
3.3
3
2.2
1000
560
1.5x107
2x107
1.3
3.7
1 i VG + VC dVc
I
dy
=
qN
dW
D
d
n
0
0
Vp
3/ 2
W VD 2 (i VG + VC )
I D = qN d n d [Vc ]0
L
3
Vp
0
I D = q n N d d VD
L
3
V
V
p
p
Ce rsultat est valide tant que la largeur du canal non dpeupl (d - xn (y)) est positif,
savoir pour :
VD VG VT
Cette condition dfinit galement la rgion quadratique d'un MESFET. Pour une plus
grande tension de drain, le courant sature et nous avons :
VD = VG VT = VD, sat
Le courant correspondant est le courant de saturation IDsat :
I D, sat
W
= qn N d d
L
2
( VG )3 / 2
VG VT Vp i
3
Vp
O :
W = Largeur du canal
L = Longueur du canal
n = mobilit du canal
Nd = dopage du canal
d = paisseur du canal
i = Potentiel interne
La diffrence de potentiel entre la grille et le canal tant plus faible l'extrmit
situe prs de la source que du cot drain, le canal est plus resserr proximit du
drain. La Figure III-5 reprsente l'volution des caractristiques typiques du courant
de sortie IDS en fonction de la tension V DS . Ce rseau est obtenu en faisant crotre la
tension V DS pour plusieurs niveaux de la tension V GS.
L'observation du rseau de caractristiques (Figure III-5) permet de distinguer
deux zones de fonctionnement du transistor effet de champ. Une rgion appele
zone ohmique dans laquelle le courant de drain varie linairement en fonction de la
tension V DS. Une deuxime rgion appele zone de fonctionnement satur o le
courant de drain ne dpend quasiment que de la tension V GS.
VG VGS
I DS
RD =
VDD VDS VS
I DS
Veff Veff
1
VGS
VB
QGS = CGS 0
+ CB
VB Veff
1
N + 1
VB
n +1
+ CBVGS
Do
d1 d 2 VT + VB
+
2
2
Avec :
Veff =
d1 =
d2 =
(VGS VB ) + D 2
(VGS VB ) D2
Tableau V-2 : Exemple de valeurs des lments constitutif de la capacit non-linaire CGS
CGS0
5.55 10-12
CB
5.55 10-12
VB
8.03
VT
-9.79
D
-6.98
N
-1.57
Tableau V-3 : Exemple de valeurs des lments extrinsques dun transistor SiC
RG(O)
3.25
LG(pH)
981
CPG(fF)
512
RS(O)
6.55
LS(pH)
650
RD(O)
5.9
LD(pH)
178
Tableau V-4 : Exemple de valeurs des lments intrinsques dun transistor SiC
RI(O)
0.01
RGD(O)
147.9
CGD(fF)
127
CDS(fF)
509
CPD(fF)
107
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Leon 3 :LESCIRCUITSMICROONDES
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G1 =
G2 =
1 S 2
1 S11S
1 L 2
1 outL
S12S21S
1 S11S
Remarque :
(3)
out = S 22 +
Si ZS = ZL = R0 , alors GT = S 21
(1 )S
MAG =
in
1 S11in
(1 )
2
out
(1 )S
21
in
1 S
*
22 out
21
(1 )
(4)
in
Remarques :
Si ZS = ZL = R0 , alors in = 0 et le gain disponible devient :
MAG =
S 21
1 S22out
(6)
*2
OCL
(S
=
RC L =
OCS
S11*
2
2
S 22
22
S 21 S12
2
S22
(6)
(7)
(S
=
RC S =
S22*
2
2
S11
11
S21 S12
2
S11
(9)
(10)
S11 < 1 : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est stable (Figure
2).
GT =
S 21
K + K 2 1
S12
(12)
RL =
OL =
1 G1 1 S11
1 + G1 S11
G1
(12)
(14)
1 + G1 S11
S11
1 G2 1 S 22
1 + G2 S 22
G2
1 + G2 S 22
(15)
S22
(16)
(17)
C fb = opt
1+ N
R fb =
N 2 + N 1 opt
(18)
1+ N
Avec :
2
F Fmin
N=
1 + opt
4rn
Le trac de ces cercles permet de chiffrer la dgradation du facteur de bruit
lorsque le coefficient de rflexion prsent l'entre s'loigne de la charge optimale.
S11
0.267|-88.5
0.178|-122
0.122|-156
0.111|-179
S22
0.57|-30.8
0.52|-29
0.49|-28
0.46|-27
S21
11.61|112
7.37|99
5.45|89
3.75|77
S12
0.043|68
0.060|70
0.082|69
0.106|69
1
1
2
300
500
700
900
0.44500|-17.35
0.37603|-20.10
0.39048|-24.71
0.34701|-35.17
0.1980
0.1414
0.1525
0.1204
3.940
4.030
3.248
3.678
3.19282|-53.7
3.09751|-32.2
2.24195|-11.3
2.49619|4.4
3.934
3.428
5.100
4.359
4.77429|41.86
4.38829|34.13
6.103915|29.80
5.46122|27.71
Figure 4a : Lieux des coefficients de rflexion 1 , prsents par la source qui rendent
la sortie critique
Frquence Coef.
Gain
(MHz)
de
ladaptation
stabilit GTm ax
K
300
0.8030
500
0.9490
700
1.0041
17.83
900
1.1277
13.315
1
1
2
Avec GTU max =
S21
2
2
1 S11
1 S 22
Entre
1
Transistor Sortie
S21
1
1 + S 22
1 + S11
0.32
0.14
0.065
0.055
21.30
17.35
14.73
11.48
1.70
1.37
1.19
1.03
Gain
unilatralis
max.
GTUmax
23.32
18.86
15.985
12.57
(19)
Remarque :
Lieu de 2 tel que G2 = constante = cercle G2 :
RG 2 =
G 2 =
1 G2 1 S 22
1 + G2 S 22
G2
1 + G 2 S 22
(20)
S11
(20)
Ces cercles ont t ensuite tracs sur labaque de Smith constituant la figure 5. On
procde alors par approximations successives ; nous avons retenu les
cheminements suivants :
Se plaant 900 MHz, on va de 0 P en ajoutant un condensateur en srie
j
dont la capacit C se dduit de lgalit :
= j1.73 ; do C = 2.05 pF.
R0C
A 500 MHz maintenant, cette valeur de capacit nous conduit au point P tel
j
que :
= jx , soit x = 3.11 ;
R0C
Toujours 500 MHz, mais cheminant cette fois sur l'abaque admittance, on
rejoint le cercle G2 = -4.8 dB (en fait -5 dB sur la figure) au point daffixe
2 (500 ) = 0.902 |77.5. Pour ce faire, il faut rajouter une bobine en parallle
jR0
dont la self inductance L est dfinie par :
= j 0.80 j 0.285 ; do L =
L
14.67 nH.
Repassant 900 MHz, cette valeur d'inductance nous mne finale ment au
point d'affixe 2 (900 ) = 0.613 |21, cette valeur se dduisant de la relation
jR0
= jy j 0.425 donnant y = 0.178.
L
La cellule d'adaptation large bande en sortie sera donc simplement constitue,
partant de la charge R0 = 50 , d'un condensateur srie puis dune bobine parallle
selon le schma de la figure 6 :
'
11
(R R0 )2 + X 2
( R + R0 )2 + X 2
(23)
Ce choix tant fait, la premire tape consistera tracer sur l'abaque de Smith
le lieu des coefficients de rflexion L tels que |S'11 | = 1 (on a vu du reste qu'il
s'agissait d'un cercle), et de dterminer la zone instable interfrant avec cet abaque ;
c'est l que nous y slectionnerons L .
Au cours de la deuxime tape, nous en dduirons alors la valeur de
l'impdance ZS devant charger l'entre. Pour cela, on peut partir du schma :
S S11 = 1
(E = 0)
'
(24)
(25)
S12 = 0.039|120
S22 = 1.068|-45
On dduit = 0.97075|101.8
2
Do = 0.94236
Et ainsi K = - 0,83865.
On a donc bien |K| < 1 ; aussi nous passons la premire tape qui consiste
tracer le cercle d'i nstabilit en entre dfini par :
*
S12S 21
S 22 S11*
R2 =
; 2 =
2
2
2
2
S 22
S 22
(k S
Centre (k ) =
S11*
2
2
k 2 S 22
2
22
(a2)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
S22 S11 S 22 + S 22 + S12 S 21
(27)
2 (1) cos( ) =
2
2
S 22 S12 S 21 S22
1.20
1.35
1.5
2
3
8
0.1303
0.0903
0.0702
0.0420
0.0245
0.0
0.8641|49.3
0.8912|47.6
0.9045|46.8
0.9220|45.8
0.9307|45.3
0.9363|45.0
dR
< 0) et tend vers zro lorsque k tend
dk
1
et comme R( ) = 0, nous avons rsolu
S22
notre problme. Le point rendant maximale l'instabilit en entre est celui la rendant
infinie ; son affixe L () est telle que :
1
(28)
L ( ) =
S22
La solution est bien sr unique, elle pouvait se dduire du simple examen de S '11.
Elle conduit (deuxime tape) :
(29)
S ( ) = 0
Il n'y aura donc pas besoin de raliser un circuit d'adaptation en "entre". Rappelons
cependant que ces conclusions ne sont valables que parce que |S22 | > 1 ; dans le
cas contraire, nous serions conduits la configuration reprsente sur la figure 11 ciaprs :
Figure 11 : Cercles d'instabilit dans le cas o |S22 | < 1; cercle tangentiel d'instabilit
La valeur maximale de l'instabilit que l'on peut alors obtenir est celle pour
laquelle le cercle |S 11 | = constante tangente extrieurement l'abaque de Smith. Soit
kt cette valeur, il vient donc la relation :
(30)
(k t ) = R( kt ) + 1
d'o on en dduit la valeur de kt. Les calculs conduisent lexpression :
kt =
S12 S 21 +
1 S 22
)(
S11
(30)