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Latome La radioactivit Lhomme et les rayonnements Lnergie Lnergie nuclaire : fusion et fission Le fonctionnement dun racteur nuclaire Le cycle du combustible nuclaire La microlectronique Le laser Limagerie mdicale Lastrophysique nuclaire Lhydrogne Le Soleil Les dchets radioactifs Le climat
DE LA RECHERCHE L I N D U S T R I E
microlectronique
LA RVOLUTION TECHNOLOGIQUE UN PEU DHISTOIRE COMMENT FABRIQUE-T-ON LES CIRCUITS INTGRS ? LA NANOLECTRONIQUE
> La
Commissariat lnergie Atomique, 2006 Direction de la communication Btiment Sige 91191 Gif-sur-Yvette cedex www.cea.fr ISSN 1637-5408. De llectron la fabrication des puces 8 > La microlectronique De llectron la fabrication des puces 8 > La microlectronique
> SOMMAIRE
> INTRODUCTION
La microlectronique, grce sa miniaturisation et ses hautes performances, permet de nouvelles applications. Par exemple, en mdecine avec cette puce ADN ( droite).
CEA
La microlectronique
LA RVOLUTION TECHNOLOGIQUE Dmocratiser la microlectronique Des calculs plus complexes Des produits et services innovants
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Toujours plus puissantes et moins chres, les puces lectroniques pourront-elles continuer se miniaturiser ?
UN PEU DHISTOIRE... 8 La diode, premier dispositif lectronique 9 Du transistor au circuit intgr 10 Les circuits intgrs actuels 11 COMMENT FABRIQUE-T-ON LES CIRCUITS INTGRS ? 13 Des usines toujours plus coteuses 14 La salle blanche, un milieu extra-naturel 15 La fabrication collective 16 Les oprations lmentaires 17 LA NANOLECTRONIQUE Top down et bottom up Porte ouverte sur les nanotechnologies 18 19 19
CEA
T
Observation au microscope optique dune plaque de silicium.
lphones mobiles, appareils photo numriques, baladeurs, micro-ordinateurs, consoles de jeux, cartes bancaires, automobiles: en quelques dcennies, les circuits intgrs ou puces ont conquis la plupart de nos objets quotidiens. Cette invasion na pas de prcdent dans lhistoire des technologies. Elle sexplique par le rythme dinnovation acclr de lindustrie microlectronique : celle-ci na cess de produire des transistors plus petits, donc des circuits intgrs plus puissants et plus performants. En 1971, le processeur 4004 dIntel contenait quelque 2 300 transistors. En 2006, la perspective de puces 1 milliard de transistors se rapproche. Cet extraordinaire condens dintelligence cote de moins en moins cher : en 1973, il fallait dbourser le prix dun appartement pour fabriquer 1 million de transistors ; aujourdhui, le prix dun post-it.
introduction
Pourtant, lhorizon de lindustrie microlectronique est loin dtre dgag. Celle-ci atteindra bientt des dimensions o les transistors seront extrmement difficiles fabriquer et faire fonctionner. Un seul exemple : lpaisseur de certains isolants (oxydes) pourrait ne pas dpasser 1,5 nm, soit 4 5 molcules doxyde ! Des programmes de recherche accompagns de lourds investissements mobilisent les industriels, les laboratoires de recherche et les institutionnels. Ceci, notamment, dans la rgion grenobloise, ple de microlectronique denvergure mondiale. Elle accueille le Lti (Laboratoire dlectronique et de technologie de linformation) du CEA, et le site de Crolles o ST Microelectronics, Philips et Freescale unissent leurs efforts. Enfin, depuis 2006, Grenoble regroupe 4 000 personnes au sein de Minatec, principal ple europen dinnovation en micro et nanotechnologies.
Conception : Spcifique - Photo de couverture : P. STROPPA/CEA - Illustrations : YUVANOE - Ralisation et impression : Imprimerie Sncaut - 09/2006
8 > La microlectronique
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40 ANS DE PROGRS CONTINUS
ET DE NOUVEAUX PRODUITS ET SERVICES DTERMINENT LRE DE LA MINIATURISATION.
Sur un circuit en technologie 90 nm, les gravures sont mille fois plus fines que lpaisseur dun cheveu.
La rvolution technologique
DMOCRATISER LA MICROLECTRONIQUE
La microlectronique nest pas un mtier tabli et stabilis : le nombre de transistors par unit de surface quadruple tous les trois ans, et le cot des circuits est divis par deux tous les 18 mois environ, notamment grce la fabrication collective de centaines de puces sur chaque plaquette de silicium. Cette courbe de croissance des performances avait t dcrite ds 1965 par Gordon Moore, cofondateur de la socit Intel. Elle sest confirme avec une telle exactitude quelle est devenue la loi de Moore pour tous les industriels du secteur, qui sen inspirent pour planifier des annes lavance leurs investissements et leurs programmes de recherche. Car pour tenir ce rythme, il faut sans cesse tout remettre en cause : les matriaux utiliss pour les circuits, les connexions lectriques et les isolants ; les architectures des circuits, qui reprsentent un lment dterminant de la performance finale ; les machines de production, dont certaines cotent plusieurs millions deuros ; la taille des tranches de silicium sur lesquelles les circuits sont raliss (200 mm, puis 300 mm), et avec elles toutes les mthodes de fabrication.
LOI DE MOORE
Denis Duret/CEA
8 > La microlectronique
8 > La microlectronique
La puissance des supercalculateurs actuels atteint 1 000milliards doprations par seconde grce aux progrs de la microlectronique.
CEA
Pour suivre cette course la performance, lindicateur le plus significatif est la finesse de gravure. Elle tait exprime initialement en microns (millionimes de mtre): La gravure reprsente 0,25 micron, puis 0,18 micron, la largeur puis 0,13 micron Depuis le des motifs sculpts dans dbut des annes 2000, lunit le silicium. la plus utilise est le nanomtre (milliardime de mtre). Un site de production comme celui de Crolles fabrique des circuits de 90 nm, soit des gravures 1 000 fois plus fines que lpaisseur dun cheveu. Ces prouesses technologiques ont permis la chute des cots, lenvole des performances et la dmocratisation de la microlectronique, avec deux consquences : des puissances de calcul toujours accrues, des nouveaux produits et services pour le grand public.
Philips
ou lvolution de la mto sur cinq jours dpendent dune multitude de paramtres. Ils peuvent tre modliss, cest--dire reprsents par une srie doprations complexes dont le rsultat est trs voisin du phnomne rel -la simulation numrique : il sagit cette fois de faire tourner les modles, en indiquant par exemple le poids de lavion, sa vitesse, la force et la direction des turbulences ; lordinateur prdit alors son comportement en vol. En conception, la simulation numrique permet par exemple de tester un moteur avant de raliser un prototype : comment tiendra-t-il lchauffement, aux vibrations de la route ou des chocs ?
De plus, lencombrement et le prix des produits diminuent rgulirement : le consommateur est gagnant sur tous les tableaux. Le tlphone mobile offre une parfaite illustration de ce phnomne. Les premiers appareils, fort encombrants, ne savaient que tlphoner. Les plus rcents, ultra lgers, proposent des jeux, des prises de vues haute dfinition, la connexion internet, pour un prix quivalent ou infrieur. Il faut noter enfin que la plupart des appareils comportent non pas un, mais plusieurs circuits intgrs (microprocesseurs, mmoires) dont lassociation bien pense contribue aux performances de lensemble.
Des produits grand public plus performants offrent plus de fonctions, ils sont moins encombrants et moins chers.
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C. DUPONT / CEA
CEA
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EN UN SICLE, LA MINIATURISATION A PERMIS
LE PASSAGE DU TUBE VIDE AU TRANSISTOR DUN MICROMTRE CARR.
1904
Un peu dhistoire...
John Alexandre Fleming, ingnieur anglais, invente la diode. Ce premier dispositif lectronique est utilis dans les postes de radio. En 1907, Lee de Forest, chercheur amricain, amliore le principe en inventant la triode.
1948
Lhistoire de la
LA DIODE, PREMIER DISPOSITIF LECTRONIQUE
Lhistoire de llectronique commence en 1904 avec linvention de la diode, utilise dans les postes de radio. Une diode, cest un dispositif sous vide comprenant un filament metteur dlectrons et une plaque, collectrice dlectrons lorsquelle est polarise positivement (les lectrons ont une charge ngative). Il suffit de faire varier la tension (positive ou ngative) de la plaque pour permettre ou interrompre le passage du courant. Ds 1907 apparat la triode, dans laquelle une grille est ajoute entre le filament et la plaque. Cette grille joue le rle de modulateur dlectrons : selon sa polarisation, elle les bloque ou acclre leur passage (amplification du courant). Dans les annes 40, les triodes et autres tubes vide sont utiliss dans les tout premiers ordinateurs pour calculer plus rapidement qu la main. Les nombres et les oprations sont cods en mode binaire, laide de 0 ou de 1 : par exemple, le 1 correspond au passage du courant lectrique, le 0 son blocage. Mais
John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, trois physiciens des laboratoires Bell (Etats-Unis) ralisent le premier transistor. Fiabilit, faible encombrement, consommation rduite : la voie de la miniaturisation est ouverte. Cette dcouverte majeure leur vaudra le prix Nobel de physique en 1956.
1954
Texas Instrument fabrique le premier transistor en silicium. En une dcennie, leur taille, qui tait celle dun d jouer, va se rduire celle dun grain de sel. Mais la multiplication des fils de connexion freine le dveloppement de circuits complexes.
microlectronique en
CEA
pour effectuer des calculs complexes, demands par exemple par les physiciens, il faut multiplier les tubes vide ; or ceux-ci sont volumineux, chauffent beaucoup et claquent facilement. Ce manque de fiabilit freine le dveloppement de linformatique.
Artechnique
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DR
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1959
Jack Kilby et Robert Noyce, deux chercheurs amricains, ralisent le premier circuit intgr (six transistors). Ils ont notamment rsolu les problmes de soudure des connexions : celles-ci sont ralises par dpt de couches mtalliques sur le silicium.
1960
Lhistoire de la microlectronique en quelques dates. utilis dans de nouveaux postes de radio auxquels DU TRANSISTOR AU CIRCUIT il donne son nom, et dans des ordinateurs. INTGR
En 1948, John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley , trois physiciens amricains inventent le transistor bipolaire et ouvrent ainsi lre de la microlectronique. Le transistor bipolaire comprend un metteur dlectrons, un collecteur et un dispositif de modulation appel base. Le dplacement des lectrons ne seffectue plus dans le vide mais dans un matriau solide, le semi-conducteuri dont on contrle la capacit Dont le matriau conduire les courants dlec- est soit du germanium trons. La fiabilit est considra- soit du silicium monocristallin blement amliore. dop, De plus, le transistor est moins par exemple. encombrant que le tube vide. Et en quelques annes, sa taille va passer de celle dun d jouer celle dun grain de sel ! Il est Pourtant, un nouvel obstacle se dresse rapidement : plus les transistors sont nombreux, plus il faut de fils de cuivre souds pour les interconnecter, do un risque de panne lev. En 1959, linvention du circuit intgr rsout le problme. Les transistors sont raliss directement la surface du silicium, leurs connexions sont fabriques par dpt de couches mtalliques sur cette surface. Rien ne soppose plus la fabrication de dispositifs toujours plus complexes, associant transistors, diodes, rsistances et condensateurs. Le tout premier circuit intgr compte six transistors. Par la suite, ces dispositifs ne cesseront de se miniaturiser et de se densifier.
CEA
Aux Etats-Unis, le lancement du programme Apollo, dot de 25 milliards de dollars, donne un formidable coup dacclrateur aux recherches sur les calculateurs et les circuits intgrs.
1964
1974
CEA
Avec le transistor, les lectrons circulent dans un matriau solide et non plus dans le vide.
La plupart des transistors sont des MOS (pour Mtal, Oxyde, Semi-conducteur), une technologie dveloppe dans les annes 1970 : elle permet de raliser des transistors qui consomment moins et de faciliter lintgration des rsistances, autres composants importants des circuits intgrs.
DR
Laboratoire de recherche technologique des annes 1980. De llectron la fabrication des puces 8 > La microlectronique De llectron la fabrication des puces 8 > La microlectronique
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1991
Michel Bruel, chercheur au CEA/Lti, invente le procd Improve permettant de fabriquer le silicium sur isolant SOI avec une productivit dcuple. Le SOI va devenir un matriau de rfrence pour fabriquer des circuits rapides, peu gourmands en nergie.
1996
Le processeur Intel Pentium Pro compte 5,5 millions de transistors. Il sera suivi en 1999 dIntel Pentium III (9,5 millions) et en 2002 dIntel Pentium IV (55 millions), contre 2 300 transistors dans le tout premier microprocesseur Intel, le 4004 sorti en 1971.
2003
Premires productions industrielles de puces sur des tranches de silicium de 300 mm de diamtre.
La taille des circuits intgrs augmente rgulirement. Celle des plaques de silicium sur lesquelles ces circuits sont fabriqus augmente galement, pour faire tenir un mme nombre de puces sur chaque plaque. Ces vingt dernires annes, lindustrie microlectronique a utilis successivement des lingots de silicium de 100mm de diamtre, puis 200 mm, puis 300mm. Le silicium nest pas utilis ltat pur : il est dop par lajout en trs faibles quantits
dions trangers (arsenic, bore, phosphore) qui guident et facilitent le passage du courant. Le circuit peut tre grav dans du silicium massif ou sur une couche mince de quelques centaines de nanomtres dpose sur un isolant : le SOI, qui permet de raliser des circuits pour Silicium plus rapides et moins gourmands sur isolant en nergie, est de plus en plus utilis. Le meilleur procd de fabrication a t invent en 1991 par un chercheur du CEA.
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P. STROPPA / CEA
Un microprocesseur actuel compte plusieurs centaines de millions de composants sur un carr de 2,5 cm de ct.
CEA
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Lair des salles blanches contient 100 000 1 million de fois moins de poussires que lair extrieur.
DES USINES TOUJOURS PLUS COTEUSES
Fabriquer un circuit intgr, cest raliser sur quelques centimtres carrs de surface et quelques microns dpaisseur un assemblage de millions de composants interconnects ; ceci, simultanment, pour des centaines dexemplaires identiques. Plus les circuits intgrs se miniaturisent, plus les usines qui les fabriquent cotent cher. Une fab (unit de production) cote peu prs le mme prix que 300 Airbus A320 ! Ceci pour plusieurs raisons : -plus on fait petit, plus les environnements de travail doivent tre propres pour viter des contaminations fatales aux circuits : les exigences de propret des salles blanches ne cessent daugmenter ; -plus on fait petit, plus les machines de production sont prcises, fiables, difficiles mettre au point et entretenir ; de plus, elles ne sont fabriques quen petites sries ; -plus on fait petit, plus il faut recourir des matriaux spciaux, des solutions techniques complexes et des tapes supplmentaires de fabrication ; aujourdhui, on en compte environ 200 par circuit.
DR
Malgr ce dploiement defforts, le rendementi dune chane de fabrica- nombre de puces tion ne dpasse pas 20 % fonctionnelles sur le lors du lancement dune nombre de puces produites. nouvelle production. Les efforts des quipes de fabrication feront rapidement passer ce chiffre 80, voire 90 %.
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P. STROPPA / CEA
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La fabrication collective par centaines dexemplaires fait chuter le cot unitaire des puces.
LA PHOTOLITHOGRAPHIE
Etape-cl, elle consiste reproduire dans une rsine photosensible le dessin des circuits raliser. Cette rsine est dpose sur le silicium. La lumire dune source lumineuse de trs faible longueur donde (UV ou infrieure) y projette limage dun masque. Plus la rsolution optique est pousse, plus la miniaturisation des circuits peut tre amliore.
LA GRAVURE
A linverse du dpt, la gravure enlve de la matire la plaquette, toujours dans le but de raliser un motif. Deux voies principales : la gravure dite humide , qui utilise des ractifs liquides, et la gravure sche (ou gravure plasma) qui emploie des ractifs gazeux.
LE DOPAGE
Pour introduire au cur du silicium les atomes qui vont modifier sa conductivit, les plaquettes sont chauffes entre 800 et 1 100C dans des fours, en prsence du gaz dopant, ou bombardes travers un masque par un faisceau dions acclr.
surface du silicium des couches conductrices ou isolantes : oxydes, nitrures, siliciures, tungstne, aluminium... Ils sont effectus par diverses techniques faisant appel des gaz ou des liquides : dpt en phase vapeur (CVD), par pulvrisation, par pitaxie etc.
P. STROPPA / CEA
P. STROPPA / CEA
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AU CARREFOUR DE LA PHYSIQUE ET DE LA CHIMIE,
UN NOUVEAU DFI POUR LA MICROLECTRONIQUE APPARAT ET SERA PORTEUR DE DCOUVERTES, DAPPLICATIONS ET DEMPLOIS.
> LA NANOLECTRONIQUE
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La nanolectronique
Il est actuellement possible dassembler la matire atome par atome, pour construire des transistors dune conception entirement nouvelle.
LE TOP DOWN ET LE BOTTOM UP
Lavnement de la nanolectronique saccompagne de dfis techniques si ambitieux quils pourraient dresser un mur infranchissable face au puissant courant dinnovation qui irrigue cette industrie. Comment raliser des traits de gravure de quelques nanomtres de largeur ? Comment isoler efficacement des pistes lectriques avec des matriaux dont lpaisseur ne dpasse pas quelques couches atomiques ? Comment raliser des transistors dans lesquels ne transite plus quune poigne dlectrons ? Deux approches sont menes en parallle pour surmonter ces obstacles : -la voie top down : elle consiste pousser jusqu ses limites extrmes la miniaturisation du transistor MOS, dans la continuit des travaux des 40 dernires annes ; -la voie bottom up : il sagit cette fois dassembler la matire atome par atome, pour construire des molcules que lon intgre ensuite dans des transistors dune conception entirement nouvelle. Cette voie fait appel des connaissances fondamentales de physique et de chimie, disciplines laquelle la microlectronique doit souvrir.
CEA
Biochip LabPM.
Ces dispositifs associeront des capteurs et des puces, indispensables au traitement des donnes recueillies. Leur fabrication fera ncessairement appel aux technologies microlectroniques, pour tenir les objectifs de miniaturisation et de cot. Un autre croisement de cultures et de mtiers se prpare : celui entre lectronique et systmes lchelle micro et nano.
PhotoDisc
Nanotube de carbone. De llectron la fabrication des puces 8 > La microlectronique De llectron la fabrication des puces 8 > La microlectronique
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