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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE


SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU

FACULTE DE GENIE ELECTRIQUE ET DINFORMATIQUE


DEPARTEMENT DELECTROTECHNIQUE
Mmoire de MAGISTER EN ELECTROTECHNIQUE
OPTION : Machines Electriques
Prsent par :

HELALI KAMELIA
Ingnieur dEtat en Electrotechnique
de lUMMTO (Tizi-Ouzou)

Thme

Modlisation Dune Cellule Photovoltaque :


Etude Comparative
Soutenu publiquement le 25 / 06 / 20012 devant le jury compos de :
Mr Salah HADDAD
Mr Nacereddine BENAMROUCHE

Professeur
Professeur

UMMTO
UMMTO

Prsident
Rapporteur

Mr Mohand Amokrane HANDALA

Matre de Confrences A

UMMTO

Examinateur

Mr Mhemed RACHEK

Matre de Confrences A

UMMTO

Examinateur

Mr Mustapha BOUHERAOUA

Matre de Confrences B

UMMTO

Examinateur

Remerciements
Tout dabord je tiens remercier Monsieur Nacer Eddine BENAMROUCHE
Professeur luniversit de Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou pour lencadrement
quil m'a assur et ses prcieux et judicieux conseils quil n'a cess de me prodiguer
tout au long de ce projet, sa confiance tmoigne, sans oublier sa qualit humaine. Il
trouve ici ma gratitude et ma reconnaissance profonde.
Par ailleurs, je tiens exprimer mes vifs remerciements au prsident du jury
Monsieur Salah HADDAD, Professeur luniversit de Mouloud Mammeri de TiziOuzou.

Je remercie sincrement Monsieur Mohand Amokrane HANDALA Matre


de Confrences A luniversit de Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou, Monsieur
Mhemed RACHEK Matre de Confrences A luniversit de Mouloud Mammeri
de Tizi-Ouzou et Monsieur Mustapha BOUHERAOUA Matre de Confrences B
luniversit de Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou daccepter de faire partie du Jury.

Mes remerciements vont galement Monsieur ZAOUIA Matre Assistant A


luniversit de Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou et Mademoiselle KACHENORA
Matre Assistante A luniversit de Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou pour leurs
conseils scientifiques et leur disponibilit sans limite.

Je tiens galement remercier tous ceux qui ont particip de prs ou de loin
la ralisation de ce travail.

Ddicaces
Je ddie ce modeste travail :
Mes trs chers parents, pour leur sacrifices, et qui nont jamais cess de mencourager que Dieu
me les garde.
Mes trs chres surs : Chahrazad et son mari Marzak, hayate et Kahina.
Mes trs chrs frres : Nourddin, Hamza, Smal.
Ma grand-mre que dieu me le garde.
Tous mes amis (es) :

KAMELIA

Table des matires


INTRODUCTION GENERALE............1
Chapitre I : Notions essentielles sur le gisement solaire
I-1 Introduction...3
I-2 Gisement solaire3
I-2-1 Le spectre solaire4
I-2-3 Gisement solaire au sol.......5
I-2-4 Le rayonnement solaire.......7
I-2-5 Dualit de la lumire.......8
I-3 Coordonnes terrestres..9
I-3-1 Longitude9
I-3-2 La latitude.10
I-3-2 Laltitude.......10
I-4 Le mouvement de la terre et le mouvement du soleil et ses coordonnes..11
I-4-1 Mouvement de rotation.11
I-4-2 Mouvement de translation.11
I-4-3 La variation annuelle du rayonnement direct extraterrestre..12
I-5 Les coordonnes du soleil...12
I-5 -1 Coordonnes quatoriales12
I-5 -1-1 Dclinaison solaire ....13
I-5 -1-2 Angle horaire du soleil H.14
I-5 -2 Coordonnes horizontales15
I-5 -2 -1 La hauteur du soleil (h)...15
I-5 -2 -2 Azimut du soleil (a)....16
I-6 Diffrents types de rayonnement.16
I-6-1 Rayonnement direct..16
I-6-2 Rayonnement diffus..19
I-6-3 Lalbdo ou Rflchi 20
I-6-4 Rayonnement global.20
I-7 Conclusion...21

Chapitre II : Energie solaire photovoltaque


II-1 Introduction22
II-2 Conversion dnergie : les diffrentes technologies solaires.22
II-2-1 Solaire concentration thermodynamique..23
II-2-2 Solaire thermique.23
II-2-3 Solaire Photovoltaque.25
II-3 Les filires technologiques.25
II-3-1 Le silicium...27
II-3-1-1 Le silicium mono-cristallin..27
II-3-1-2 Le silicium multicristallin (Polycristallin).......27
II-3-2 Les couches minces.28
II-3-3 Cellules organiques et plastiques29
II-4 Le photovoltaque..31
II-4-1 La cellule PV.......31
II-4-2 Leffet photovoltaque.32
II-4-2-1 Comportement de La jonction PN utilise comme capteur PV...32
II-4-2-2 Fonctionnement dune cellule photovoltaque32
II-5 Gnrateur photovoltaque (GPV).34
II-5-1 Constitution dun module photovoltaque ..34
I-5-1-1 Mise en srie.35
II-5-1-2 Mise en parallle .36
II-6 Caractristique lectrique...38
II-6-1 Proprits.38
II-6-2 zones de fonctionnement du module photovoltaque..39
II-7 Paramtres photovoltaques40
II-7-1 Courant de court-circuit (Icc)...41
II-7-2 Tension de circuit ouvert (Vco)...41
II-7-3 Facteur de forme, FF...42
II-7-4 Le rendement,...43
II-7-5 Le rendement quantique, EQE43
II-8 Protection classique dun GPV..44
II-9 Fonctionnement puissance maximale..45

II-10 Influence de la temprature et de lclairement...46


II-11 Les avantages et les inconvnients de lnergie photovoltaque..48
II-11-1 Les avantages de lnergie photovoltaque48
II-11-2 Les inconvnients de lnergie photovoltaque.....48
II-12 Conclusion...49
Chapitre III : Modlisation des cellules photovoltaques

III-1 Introduction...50
III-2 Modlisation des cellules photovoltaques...51
III-3 Modles deux diodes.53
III-3-1 Modle sept paramtres (2M7P)..53
III-3-1-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de 2M7P...55
III-3-1-2 Simulation dune cellule 2M7P...57
III-3-2 Modle six paramtres (2M6P)...58
III-3-2-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de 2M6P...58
III-3-3 Modle cinq paramtres (2M5P).59
III-3-3-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de 2M5..60
III-4 Modles une diode.61
III-4-1 Modle trois paramtres (L3P)61
III-4-1-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de L3P.62
III-4-2 Modle quatre paramtres (L4P).63
III-4-2-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de L4P..64
III-4-3 Modle cinq paramtres (L5P)64
III-4-3-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de L5P..65
III-5 Etude comparative66
III-5-1 Influence de la rsistance shunt..66
III-5-2 Influence de la rsistance srie...68
III-6 Conclusion73

Chapitre IV : valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur


PV
IV-1 Introduction..74
IV-2 Calcul de la puissance maximale la sortie du module PV.75
IV-2-1 Modle de Borowy et Salameh (modle 1)75
IV-2-2 Modle de Jones et Underwood (modle 2)...77
IV-2-3 Modle de Lu Lin (modle 3)78
IV-2-4 Simulation du modle quatre ...79
IV-2-4-1 La puissance lentre du champ photovoltaque.79
IV-2-4-2 La puissance la sortie du champ photovoltaque.80
IV-3 Etude comparative....80
IV-4 Interprtation des rsultats82
IV-5 Conclusion86
CONCLUSION GENERALE...87

Symbole

Unit

Dfinition

j.s-1

Constante de Planck

Hz

Frquence de londe lumineuse

eV

Quantit dnergie

m.s-1

Vitesse de lumire

Longueur donde

jour

numro dordre du jour dans lanne 1N365

Longitude du lieu

Latitude du lieu

Dclinaison du soleil

Angle horaire du soleil

Degr

Azimut du soleil

()

Hauteur du soleil

La hauteur du capteur

Angle d'inclinaison

Azimut du capteur

Angle d'incidence

I
G

Rayonnement direct

Dh

Rayonnement global
2

W/m

Rayonnement diffus horizontal

Gh

Rayonnement global horizontal

Alb

Albdo du sol

STC

Conditions de Test Standard

GPV
MPP
NOCT
N
Ns

Gnrateur photovoltaque

Np

Le point de puissance maximum


Temprature nominale de fonctionnement de la cellule solaire
Le nombre du module constituant le champ photovoltaque
Nombre des cellules en srie
Nombre des en parallle

La tension disponible en sortie du gnrateur PV


La tension circuit ouvert

Le courant disponible en sortie du gnrateur PV


Courant de rsistance de shunt
Le courant maximum de point du fonctionnement du module Pv
Courant photonique
Le courant photonique sous condition de rfrence

A /K

Coefficient de sensibilit de la tension la temprature

V /K

Coefficient de sensibilit de lintensit la temprature


La rsistance srie

La rsistance shunt
Temprature absolue

La constante de Boltzmann
Temprature ambiante
La temprature de cellules la condition de rfrence
C
w/m
m

La constante de charge dlectron


Lclairement rels et la condition de rfrence La surface de
module photovoltaque
La surface de module photovoltaque
Facteur de forme
Le rendement des cellules
Le rendement quantique

Introduction gnrale

Introduction gnrale
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir. En
effet, les besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent daugmenter. Par
ailleurs, les pays en voie de dveloppement auront besoin de plus en plus dnergie pour
mener bien leur dveloppement. De nos jours, une grande partie de la production mondiale
dnergie est assure partir de sources fossiles. La consommation de ces sources donne lieu
des missions de gaz effet de serre et donc une augmentation de la pollution. Le danger
supplmentaire est quune consommation excessive du stock de ressources naturelles rduit
les rserves de ce type dnergie de faon dangereuse pour les gnrations futures.
Par opposition, une nergie dite renouvelable doit se regnrer naturellement et
indfiniment lchelle temporelle de notre civilisation. Parmi ces nergies, lnergie issue du
soleil rpond actuellement ces critres la fois dabondance la surface terrestre et de
regnration infinie notre chelle. Elle peut ainsi tre utilise directement sous forme
thermique et depuis la dcouverte de leffet photovoltaque, convertie en nergie lectrique.
Cette dernire, bien quelle soit connue depuis de nombreuses annes, comme source pouvant
produire de lnergie allant de quelques milliwatts au mgawatt, reste un stade anecdotique
et ne se dveloppe pas encore dans de grandes proportions, notamment cause du cot trop
lev des capteurs mis en uvre [1].
La conversion de la lumire en lectricit, appele effet photovoltaque, a t dcouverte
par E. Becquerel en 1839. Cette conversion dnergie peut seffectuer par le biais dun
capteur constitu de matriaux sensibles lnergie contenue dans les photons. Ce capteur se
prsente lchelle lmentaire sous forme dune cellule nomme cellule photovoltaque
(PV). La quantit dnergie lectrique ainsi gnre peut varier en fonction du matriau
utilis, des paramtres gomtriques du capteur et de sa capacit collecter les lectrons avant
quils ne se recombinent dans le matriau. Lassociation possible de plusieurs cellules PV en
srie/parallle permet dadapter thoriquement la production dnergie photovoltaque la
demande. Ces associations constituent un gnrateur photovoltaque (GPV) avec des
caractristiques courant-tension I(V) spcifiques, non-linaires et prsentant des points de
puissance maximale (PPM) dpendant du niveau dclairement, de la temprature de la cellule
ainsi que du vieillissement de lensemble [2, 5].
En effet, le dveloppement des systmes de conversion rentables et conomiquement
viables, passe ncessairement par la comprhension des diffrents composants du systme
leur tte le panneau solaire. Ce dernier est compos de plusieurs cellules solaires qui
1

Introduction gnrale

ncessitent tude et comprhension. Plusieurs modles ont t prsents dans la littrature


pour tudier le comportement dune cellule solaire et dterminer ses caractristiques en
particulier la caractristique courant- tension et la caractristique puissance - tension. Ces
modles peuvent tre classs en deux groupes : les modles deux diodes et les modles
une diode. De plus, le point donnant la puissance maximale a suscit un intrt
supplmentaire car lobtention de modles simplifis modlisant le comportement de la
photocellule en fonction des conditions climatiques (temprature, clairement) savre
ncessaire surtout lors de ltape de dimensionnement. Quatre modles tablis dans la
littrature ont t revus et leurs rsultats compars.
Le travail prsent dans ce mmoire a port sur la modlisation dune cellule
photovoltaque, tude comparative. Pour se faire nous avons prsent ce manuscrit de la faon
suivante :
Dans le premier chapitre, nous dcrivons les notions essentielles sur le gisement solaire
savoir les coordonnes terrestres et horaires, les temps de base, le mouvement de la terre
autour du soleil et les diffrents types de rayonnements.
Dans le second chapitre, nous avons prsent les enjeux et les dveloppements actuels
des cellules photovoltaques, le fonctionnement dune cellule en expliquant brivement le
phnomne photovoltaque et linfluence des diffrents paramtres extrieurs. Nous avons
prsent les diffrentes technologies des cellules actuellement sur le march et en cours de
dveloppement. Pour garantir une dure de vie importante dune installation photovoltaque
destine produire de lnergie lectrique sur des annes, des protections lectriques doivent
tre ajoutes aux modules.
Le troisime chapitre est consacr la modlisation des cellules photovoltaques qui
passe ncessairement par un choix judicieux des circuits lectriques quivalents. De
nombreux modles mathmatiques sont dvelopps pour reprsenter un comportement
fortement non linaire, rsultant de celui des jonctions semi-conductrices qui sont la base de
leurs ralisations.
Dans le quatrime chapitre, nous dcrivons quelques modles mathmatiques permettant
de calculer la puissance dlivre par le module solaire photovoltaque. Nous avons ensuite
ralis une comparaison entre quatre modles de puissance dans le but de dduire le modle
le plus pratique et le plus optimal.
On terminera notre travail par une conclusion gnrale.

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

I-1 Introduction

Le soleil est une source quasiment inpuisable dnergie qui envoie la surface de la
terre un rayonnement qui reprsente chaque anne environ 15000 fois la consommation
nergtique de lhumanit. Cela correspond une puissance instantane reue de 1 kilowatt
crte par mtre carr (kWc/m2) rpartie sur tout le spectre, de lultraviolet linfrarouge. Les
dserts de notre plante reoivent en 6 heures plus dnergie du soleil que ne consomme
lhumanit en une anne [4].
Depuis trs longtemps, lhomme a cherch utiliser lnergie mise par le soleil, ltoile
la plus proche de la terre. La plupart des utilisations sont directes comme en agriculture,
travers la photosynthse ou dans diverses applications de schage et chauffage, autant
artisanale quindustrielle. Cette nergie est disponible en abondance sur toute la surface
terrestre et, malgr une attnuation importante lors de la traverse de latmosphre, une
quantit encore importante arrive la surface du sol. On peut ainsi compter sur 1000 W/m2
dans les zones tempres et jusqu 1400 W/m2 lorsque latmosphre est faiblement pollue
en poussire ou en eau. Le flux solaire reu au niveau du sol terrestre dpend ainsi de
plusieurs paramtres comme :


lorientation, la nature et linclinaison de la surface terrestre,

la latitude du lieu de collecte, de son degr de pollution ainsi que de son altitude,

la priode de lanne,

linstant considr dans la journe,

la nature des couches nuageuses.

Les zones les plus favorables sont rpertories sous forme datlas et mettent en vidence
des gisements solaires la surface de la terre [5].

I-2 Gisement solaire

Comme pour toutes les applications de l'nergie solaire, une bonne connaissance du
gisement solaire est ncessaire l'tude des systmes photovoltaques. Par gisement solaire,
on entend ici les diffrentes caractristiques du rayonnement solaire, susceptibles d'influencer
les performances d'un systme en un lieu donn.
Dans un premier temps, on rappellera quelques donnes de base concernant le spectre du
rayonnement solaire.

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

I-2-1 Le spectre solaire

Le spectre du rayonnement lectromagntique solaire comporte une trs grande tendue,


depuis les rayonnements radio jusqu'aux rayons X. On distingue en gnral le spectre continu,
qui est sensiblement celui d'un corps noir environ 6000K et le spectre rel dmission du
soleil [7].
La figure I-1 prsente la courbe d'nergie du corps noir 6000K, le rayonnement solaire hors
de l'atmosphre et le rayonnement solaire au niveau de la mer en fonction de la longueur d'onde.
Ces courbes montrent que 9,2% de l'nergie de ce spectre se trouve dans l'ultraviolet, 42,4% dans
le visible et 48,4% dans l'infrarouge.

Figure I-1 : Eclairement solaire [1].

Daprs la figure I-1, nous constatons que le rayonnement solaire peut tre rflchi,
diffus ou absorb. Par ailleurs, les spectres des rayonnements rflchi, diffus, et absorb
sont diffrents.
A la surface de la terre, le spectre solaire nest pas le mme que dans lespace, car il est
pondr par labsorption des molcules prsentes dans latmosphre (O3, CO3, H2O,). Les
conditions climatiques ainsi que la prsence de particules influencent galement la valeur
relle du spectre. Pour tenir compte de ces diffrences, comparer les performances des
cellules solaires et qualifier les diffrents spectres solaires utiliss, on introduit un coefficient
appel masse dair (AMx) dont lexpression est:
4

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire



 

(I-1)

o est langle que fait le soleil avec son znith. Par dfinition, AM0 correspond aux

conditions hors atmosphre. Quand le soleil fait un angle de 48.19 par rapport au znith, la
lumire incidente est dite AM1.5. Le nombre de masse d'air caractrise la puissance
transporte par le rayonnement solaire (83.3 mW/cm pour AM1.5 dont la surface est incline
37du soleil) et de plus, sert de standard pour quantifier les performances de nouveaux
dispositifs photovoltaques. Les conditions standards de caractrisation sont dfinis par les
normes IEC-60904 de l'International Electrotechnical Commission (IEC) selon une
distribution spectrale AM1.5 global (somme des rayonnements directs et diffus), d'intensit
100mW/cm et pour une temprature de cellule de 25C [6,12].
Au sol, le rayonnement solaire a au moins deux composantes : une composante directe et
une composant diffuse (rayonnement incident diffus ou rflchi par un obstacle : nuages, sol)
formant le rayonnement global. La Figure I-2 montre le spectre dmission solaire sous
AM1.5 global normalis 100 mW/cm [8,9].
Sa valeur dpend de la pression, de laltitude et de langle dincidence des rayons
lumineux. Lintgration de lirradiance sur la totalit du spectre permet dobtenir la puissance
P (en W.m-2) fournie par le rayonnement. Pour simplifier on utilise les notions suivantes [8]:
AM0: Hors atmosphre (application spatiale). P 1.36KW.m-2
AM1: Le soleil est au znith du lieu dobservation ( lquateur).

AM1.5G : Spectre standard, le soleil est 45.P 1KW.m-2

Figure I-2: Schma indiquant le nombre d'air masse AMx en fonction de la position gographique.

I-2-3 Gisement solaire au sol

Le gisement solaire au sol est trs variable comme prsent sur la figure I-3. La mesure a
t faite luniversit Paul Sabatier Toulouse [10].
5

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Nous constatons une variabilit importante les jours nuageux (1) par rapport aux jours
avec claircies (2) et les jours de soleil (3). Lirradiation du soleil les jours nuageux est
environ 200W/m alors quelle est de 1000W/m pour les jours ensoleills. La prsence de
nuages modifie sensiblement limportance des rayonnements du soleil, les nuages jouant un
rle de milieu diffusant [10].

Figure I-3 : Irradiation globale (W/m) au sol Toulouse du 11 juin au 14 juin 2009 (date proche du
solstice dt) [10].

Par ailleurs, lorientation et linclinaison sont essentielles. Daprs lexemple de la figure


I-4, lidal est une orientation plein sud. Nanmoins on voit que avec une orientation Est et
une pente de 20 le rendement est denviron 87% (donc 13% de pertes par rapport au plein
sud).
Sur le disque solaire de la figure I-4, on constate que dans toutes les orientations et
inclinaisons, les pertes par rapport un positionnement optimal restent infrieures 50%, ce
qui montre que lon peut gnralement utiliser lnergie solaire quelle que soit le
positionnement [10].

Figure I-4 : Disque Solaire pour la ville de Lyon [10].

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

I-2-4 Le rayonnement solaire


Le rayonnement mis par le soleil est constitu dondes lectromagntiques dont une
partie parvient constamment la limite suprieure de l'atmosphre terrestre. En raison de la
temprature superficielle du soleil (environ 5800 K), ce rayonnement lectromagntique se
situe dans la gamme de longueur donde de la lumire visible (entre 0,4 et 0,75 m) et dans le
proche infrarouge (au-del de 0,75 et jusqu 4 m environ). Lnergie vhicule par ce
rayonnement, moyenne sur une anne et sur l'ensemble de la limite suprieure de
l'atmosphre, correspond un clairement de 340 W.m-2 (Fig. I-5). Un bilan nergtique
montre que, sur cette quantit d'clairement qu'apporte le soleil au systme terre+atmosphre,
environ 100 W.m-2 sont rflchis vers l'espace ; seul le reste est absorb, pour un tiers par
l'atmosphre et pour les deux tiers par la surface de la terre [6,11].

Figure I-5 : Rayonnement solaire transmis la terre.

La figure I-5, publie par Mto France, montre que prs du quart de cet clairement
incident est rflchi dans l'espace par l'atmosphre : pareille rflexion est essentiellement le
fait des nuages (65 W.m-2), le reste (15 W.m-2) tant d aux autres constituants
atmosphriques comme les gaz et arosols. Il reste donc 180 W.m-2 qui parviennent la
surface terrestre au terme d'une transmission dont les deux tiers (120 W.m-2) se font
directement, le reste (60 W.m-2) s'effectuant par diffusion vers le bas.

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Intervient alors un processus complexe d'interaction entre la diffusion vers le bas et la


rflexion. Sur les 180 W.m-2 incidents, la surface terrestre, qui possde un albdo moyen
lev, devrait renvoyer dans l'atmosphre environ 50 W.m-2. En fait, la majeure partie de
l'clairement qu'elle rflchit ainsi lui revient tt ou tard et s'ajoute partiellement aux 180-50 =
130 W.m-2 de rayonnement solaire non rflchis son contact. Bien que l'absorption du
rayonnement solaire soit un phnomne continu, on peut simplifier la comprhension du
processus prcdent en supposant que les 50 W.m-2 rflchis par la surface du globe se
rpartissent entre 20 W.m-2 dfinitivement renvoys vers l'espace interplantaire et 30 W.m-2
qui reviennent la surface terrestre aprs diffusion diffre vers le bas. Cette nergie s'ajoute
aux 130 W.m-2 initialement non rflchis pour constituer approximativement les 160 W.m-2
qu'absorbe la surface terrestre [6].
I-2-5 Dualit de la lumire
La lumire peut tre considre sous forme dondes lectromagntiques de longueur
donde ou sous forme de photons, corpuscules possdant une nergie E lie par la
relation suivante [8]
Avec : : constante de planck (j.s-1)

 . 

.


(I-2)

 : vitesse de la lumire dans le vide (m.s-1)

: frquence (s-1)

 : longueur donde (m)

La notion de dualit onde/corpuscule est importante pour comprendre les phnomnes


dinteraction entre un rayonnement et un matriau.
Les longueurs dondes du rayonnement solaire terrestre sont comprises entre 0,2m
(ultra-violet) et 4m (infra-rouge) avec un maximum dnergie pour 0,5m. 97,5% de
lnergie solaire est comprise entre 0,2m et 2,5m. De 0,4m 0,78m, le spectre
correspond au domaine du visible. Les capteurs dnergie solaire doivent donc tre
compatibles avec ces longueurs dondes pour pouvoir piger les photons et les restituer sous
forme de chaleur ou dlectrons.
Le tableau I-1 donne les valeurs nergtiques caractristiques des photons pour diverses
longueurs dondes, ainsi que les zones correspondantes au spectre lumineux [22].

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

(
m)
0,2
0.4
0.5
0.78
1
2
4

E (ev)

Zone

6.2
3.1
2.48
1.59
1.24
0.62
0.31

Ultra-violet
Visible bleu
Visible jaune-vert
Visible rouge
Infrarouge
Infrarouge
Infrarouge

Tableau I-1 Valeurs nergtiques des photons issus du spectre solaire.

Pour que le rayonnement solaire produise un courant lectrique dans un matriau donn,
faisant alors office de capteur, il faut que les photons soient tout dabord absorbs par un ou
plusieurs matriaux sensibles la longueur donde des photons. Puis, lnergie des photons
excite des lectrons, qui sont ensuite collects afin de constituer un courant lectrique global.

I-3 Coordonnes terrestres


La Terre est pratiquement une sphre qui tourne autour dun axe passant par le pole Nord
et le pole Sud.
Tout point sur la terre est caractris par sa latitude et sa longitude. Ces deux grandeurs
reprsentent les coordonnes gographiques de ce point ainsi que par son altitude, figure -6.

Figure I-6 : Coordonns terrestre.

I-3-1 Longitude

La longitude dun lieu correspond langle form par deux plans mridiens (passant par
laxe des ples), lun tant pris comme origine (mridien de Greenwich 0) et lautre
dtermin par le lieu envisag.
9

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

On affecte du signe (+) les mridiens situs lest de ce mridien, et du signe (-) les
mridiens situs louest.
La longitude dun lieu peut aussi tre comprise entre -180 et +180, tout cart de 1 de
longitude correspond un cart de 4 minutes de temps. La longitude sera dsigne ici par la
lettre 0 [13].


Longitude OUEST 0< 0

Longitude EST 0 > 0

I-3-2 La latitude
La latitude dun lieu la surface de la terre est langle entre lquateur et le rayon de la

terre passant par le lieu considr. La latitude  est compte de 0 +90 dans lhmisphre
nord [14].

La latitude a aussi un effet important : les journes estivales sallongent mesure quon
sloigne de lquateur, et le soleil est plus bas au midi solaire.
Les journes dhiver sont plus courtes, et le soleil encore plus bas qu lquateur.
Autrement dit, lintensit maximale ( midi) et la quantit totale de rayonnement solaire (G)
sur un plan horizontal diminuent mesure quaugmente la latitude, Figure I-7 [15].

Figure I-7: Courbes densoleillement typique par mois pour diffrentes latitudes.

I-3-2 Laltitude
Laltitude dun point correspond la distance verticale entre ce point et une surface de
rfrence thorique (niveau moyen de la mer), on lexprime gnralement en mtre.

10

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

I-4 Le mouvement de la terre et le mouvement du soleil et ses coordonnes

La trajectoire de la terre autour du soleil sappelle lcliptique . La distance terre soleil


ne varie que 1.7% par rapport sa valeur moyenne qui est de 1.49675*108km. Cette distance
est minimale au dbut de janvier et maximale au dbut de juillet [17].
On peut dcomposer le mouvement de chacun deux en mouvement de rotation et
mouvement de translation.

I-4-1 Mouvement de rotation


La terre tourne autour de son axe de rotation (Ple Nord, Ple Sud) dans le sens
trigonomtrique. Lalternance des jours et des nuits est une manifestation immdiate de ce
mouvement.
On dfinit le jour solaire comme de la dure moyenne entre deux passages conscutifs au
mridien dun lieu, ce jour est divis en 24 intervalles gaux appels heurs. La rotation de la
terre seffectue avec une priode de Pr = 23h 56mn 04s 24h.
Sa vitesse linaire de rotation lquateur est Vr 0,465Km/s, elle est variable en
fonction de latitude telle que : Vr () = Vr (Cos ()).
Les saisons nexistraient pas si la terre se tenait droite, sur son orbite. Mais le fait que son

axe de rotation est pench dun angle de 23 27 23.45 avec un mouvement de rvolution,

le ple Nord et le ple Sud vont pouvoir successivement se dorer la lumire.

I-4-2 Mouvement de translation

Dans lunivers tout est en mouvement. La terre est en rotation sur elle-mme puis elle
tourne au tour du soleil en Pt = 365jours 5h 48mn 40s 365.25 jours. Elle dcrit une orbite
elliptique dont le soleil occupe lun des foyers. Cette orbite est situe dans un plan appel plan
de lcliptique o le soleil est presque au centre. Elle est lgrement aplatie, elle correspond
un cercle de rayon moyen de 1.49675*108km (1 AU). Cette distance est minimale au dbut
janvier et maximale au dbut de juillet, figure (I-8) [18].

11

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Figure I-8 : Le mouvement de la terre autour de soleil.

I-4-3 La variation annuelle du rayonnement direct extraterrestre

Le rayonnement direct Ion est lclairement reu par un plan dispos sous incidence
normale aux rayons solaires par unit de surface la limite suprieure de latmosphre. Il est
donn par lquation (I-3) en watts par mtre carr
   . 1 " 0.033 $% &

'((.)

Avec:

'(*

+,

(I-3)

N : numro dordre du jour dans lanne 1N365 ;


Isc : constante solaire, la valeur la plus probable actuellement retenue est 1367 W/m2 ;

-  1 " 0.033 $% &

'((.)
'(*

+, : facteur de correction de lexcentricit de lorbite terrestre ;

I-5 Les coordonnes du soleil

Pour un lieu donn, la position du soleil est repre chaque instant de la journe et de
lanne par deux systmes de coordonnes diffrents :


Par rapport au plan quatorial de la terre (repre quatorial).

Par rapport au plan horizontal du lieu (repre horizontal).

I-5 -1 Coordonnes quatoriales

Le mouvement du soleil est repr par rapport au plan quatorial de la terre laide de
deux angles (, H).
12

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

I-5 -1-1 Dclinaison solaire .


Cest langle form par la direction du soleil et le plan quatorial terrestre, on adopte la
convention de compter positivement les latitudes de lhmisphre Nord (compris entre 0
lquateur et +90 au ple Nord), et ngativement celle de lhmisphre Sud (compris entre 0
lquateur et -90 au ple Sud), et varie tout au long de lanne entre deux valeurs extrmes
23.45.
Les lois du mouvement relatif terre-soleil permettent de calculer les variations de la
dclinaison au long de lanne. Pour la pratique, une formule dapproximation est suffisante,
elle est donne par lquation (I-4) [18].
/  23.45. sin

'('(*

34 5 807,

(I-4)

Ou avec plus de prcision :


/  89 Sin ;0.389 %=> ?

'(-

Avec:

'*(

34 5 827 " 2 %=>

'('*(

. 34 5 27,@A

(I-5)

J : le numro du jour de lanne compt partir du 1er janvier, cest dire il varie de 1 365 ou
366 selon lanne.
varie entre deux valeurs extrmes : - 0 + 0 avec 0 = 23,45.
La variation de la dclinaison du soleil au cours de lanne est reprsente par la figure
(I-9) [16].

Figure I-9 : Variation annuelle de la dclinaison du soleil.

13

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

/  0 (Equinoxes): Les quinoxes reprsentent les deux dates de lanne o le soleil

traverse le plan quatorial, l'quinoxe automnal, le 23 septembre, marquant le dbut de


la chute de la dure de la journe, et l'quinoxe vernal le 21 mars, marquant le dbut
de laccroissement de la dure du jour.


= 23,45 (au Solstice t) : Le solstice d't (au 21 juin), nous observons que le soleil
est son point le plus lev dans le ciel. Elle marque le dbut de l't dans
l'hmisphre nordique.

= -23,45 (au Solstice hiver) : Il concide avec le 21dcembre.

I-5 -1-2 Angle horaire du soleil H


Cest langle que font les projections de la direction du soleil avec la direction du
mridien du lieu, langle horaire du soleil varie chaque instant de la journe selon la relation

Avec

B  153CDE 5 127
CDE  C 5 CF " &

L  9.87 sin 2


'('(*

HIJ
(-

(I-6)

+  CK 5 &CF 5 *+ " (-

. 34 5 817, 5 7.35 $%

'('(*

. 34 5 817, 5 1.5 sin

(I-7)
'('(*

. 34 5 817,

(I-8)

TSV (Temps Solaire Vrai) : Temps repr de faon que le soleil se trouve au znith
midi.

TU (Temps Universel) : Le dcalage horaire par rapport au mridien de Greenwich.

TL (Temps Lgal) : Temps donn par une montre.





L : Correction de lquation du temps.

: longitude du lieu.

Langle horaire H varie de 5180 "180 [19].

On prend:

H > 0 aprs midi.


H < 0 le matin
H = 0 midi TSV.

14

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Figure I-10 : variation de langle horaire en fonction de temps solaire vrai.

I-5 -2 Coordonnes horizontales

Le repre horizontal est form par le plan de lhorizon astronomique et vertical du lieu. Dans
ce repre, les coordonnes sont la hauteur h et lazimut a, figure (I-11) [19].

Figure I-11 : Repre horizontal.

I-5 -2 -1 La hauteur du soleil (h)

Cest langle que fait la direction du soleil avec sa projection sur le plan horizontal. La
hauteur du soleil varie chaque instant de la journe et de lanne selon la relation suivante :

Avec:

%=>3 7  $%3/7. $%37. $%3B7 " %=>37. %=>3/7

h : varie entre 590 "90 .

On prend: h > 0 le jour, h < 0 la nuit et h = 0 aux lever et coucher

15

(I-10)

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

I-5 -2 -2 Azimut du soleil (a)

Cest langle que fait la projection de la direction du soleil avec la direction du Sud.
Lazimut du soleil varie chaque instant de la journe selon la relation suivante :
%=>3M7 

Avec: a : varie entre 5180 "180

3N7.O3P7
37

(I-11)

On prend: a > 0 vers louest, a < 0 vers lest et a = 0 direction du sud.

I-6 Diffrents types de rayonnement

En traversant latmosphre, le rayonnement solaire est absorb et diffus. Au sol, on


distingue plusieurs composantes.

Figure I-11 : Diffrents composants de rayonnement.

I-6-1 Rayonnement direct

Le rayonnement direct est le rayonnement reu directement du Soleil. Il peut tre mesur
par un pyrhliomtre.
Le rayonnement direct reu dans le plan du capteur est :
3Q ,S7  . $%3=7

(I-12)

Avec : I: rayonnement direct normal

= (Angle d'incidence) : cest langle entre la direction du soleil et la normale au plan, Cet angle

peut tre dtermin par la connaissance des cosinus directeurs du rayon incident T
UV et la
normale >UV en coordonnes horizontales [16]:

16

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

$%3X7. %=>3Y7
>UV W$%3X7. $%3Y7Z
%=>3X7

$%3 7. %=>3M7
T
UV W$%3 7. $%3M7Z
%=>3 7

(I-13)

Le produit scalaire de ces deux vecteurs dtermine langle dincidence i :


$%3X7. %=>3Y7
$%3 7. %=>3M7
$%3=7  >UV.T
UV  [$%3X7. $%3Y7\ . [$%3 7. $%3M7\
%=>3X7
%=>3 7

(I-14)

$%3=7  $%3Y7. $%3X7. %=>3M7. $%3 7 " $%3Y7. $%3X7. $%3M7. $%3 7 " %=>3X7. %=>3 7 (I-16)

$%3=7  $%3Y 5 M7. $%3X7. $%3 7 " %=>3X7. %=>3 7

(I-17)

Cette quation peut tre crite dune autre manire, laide de lquation des passages
dun systme de coordonnes un autre. On peut crire langle dincidence en coordonnes
horaires, quation (I-18).
%=>3 7  $%3X7. $%3B7. $%37 " %=>3/7. %=>37
Z
]
3S7.3P7
%=>3M7  37

(I-18)

Lexpression du rayonnement direct dpend de lazimut du capteur a, la hauteur du

capteur , langle d'incidence i, la hauteur du soleil h, et langle dinclinaison ^.




Soleil midi (azimut nul a=0) :

Pour un plan horizontal orient sud ( = 0 = 90 , et =0) suivant la figure (I-12- a)


Q  -  . %=>3 7

17

(I-19)

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Pour un plan inclin sur lhorizontal et orient sud (I-12-b).


On a:

=  90 5 3 " Y7
Z
_
Q  . $%3=7  . %=>3 " =7

(I-20)

Azimut quelconque : a ` 0

Pour un plan vertical orient sud ( = 90 =0, et =0), la figure (I-12-c).

On a:

Q  . $%3 7. $%3M7

(I-21)

Pour un plan inclin dun angle sur lhorizontal et orient sud (I-12-d), Q est la

rsultante de deux composantes projetes sur la normale au plan du capteur. Lune

perpendiculaire lhorizon : I.sinh, lautre dans le plan de lhorizon, pointant vers le sud : I
cos (h). cos( a).
La somme des projections donne :
Q  . a%=>3 7. $%3Y7 " $%3 7. $%3M7. %=>3Y7b

(I-22)

Pour un plan vertical dorientation quelconque dont la normale fait un angle avec le
plan mridien (I-12-e).
On a:

Y  90
Z
cL
]
Q  . $%3 7. $%3X 5 M7

(I-23)

Pour un plan inclin dinclinaison quelconque et dorientation quelconque figure (I12-f).

Q  . a%=>3 7. $%3Y7 " $%3 7. $%3X 5 M7. %=>3Y7b

18

(I-24)

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Figure (I-12-a)

Figure (I-12-b)

Figure (I-12-c)

Figure (I-12-d)

Figure (I-12-e)

Figure (I-12-f)

Figure I-12 : Mesure le rayonnement sur une surface dinclinaison quelconque [18].

I-6-2 Rayonnement diffus


Le rayonnement diffus rsulte de la diffraction de la lumire par les molcules
atmosphriques, et de sa rfraction par le sol, il parvient de toute la voute cleste [20].
Le rayonnement diffus (Dh) est le rayonnement mis par des obstacles (nuages, sol,
btiments) et provient de toutes les directions, Il peut tre mesur par un pyranomtre avec
cran masquant le soleil [17].
Dans le plan du capteur le Rayonnement diffus est donn par [18]:
d3Q ,S7  &

I3Q7
e

+ . d " 8fg &


19

h3Q7
e

+ . i

(I-25)

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

Avec :
Alb: albdo (coefficient de rflexion du sol)
h: hauteur de soleil [degr]
Dh: diffus sur plan horizontal
Gh : global horizontal

Pour un plan vertical dj  0.5. 3B " Y. i 7

I-6-3 Lalbdo ou Rflchi

Cest la fraction dun rayonnement incident diffuse ou rflchie par un obstacle. Ce


terme tant gnralement rserv au sol et aux nuages, cest une valeur moyenne de leur
rflecteur pour le rayonnement considr, et pour tous les angles dincidences possibles. Par
dfinition, le corps noir possde un albdo nul.
K Mfgl$ 38fg7 

c>c9m=c 9cnf =c
c>c9m=c 9cTc

I-6-4 Rayonnement global

Le rayonnement global au sol est donc fonction de la composition et de lpaisseur de


latmosphre traverse par les rayons lumineux au cours de la journe. Il se dcompose en
rayonnement direct et rayonnement diffus, et ce sont ces deux rayonnements qui sont
exploits par les gnrateurs solaires [20].

Dans le cas d'une surface horizontale, le rayonnement global s'crit:


i  . %=>3 7 " d

(I-26)

Pour un plan quelconque, le rayonnement global est :


i3Q ,S7   . O37 "
3O7

Avec :

pq
e

. r1 " $% &e 5 X+t "


s

Ih : direct horizontal
20

pq
e

. 8fg. r1 5 $% & e 5 X+t


s

(I-27)

Chapitre I

Notions essentielles sur le gisement solaire

La figure suivante prsente les appareils de mesure pour les diffrents types de
rayonnement :

Figure I-13 : Appareils de mesure

I-7 Conclusion
Les donnes mtorologiques concernant le rayonnement solaire ne sont gnralement
pas suffisantes pour pouvoir quantifier tous les phnomnes qui se produisent lorsquun
panneau photovoltaque reoit de la lumire. Une bonne connaissance du gisement solaire
savre ncessaire.
Dans ce chapitre, nous avons prsent des notions importantes sur le gisement solaire
comme les coordonnes terrestres et horaires, les temps de base et le mouvement de la terre
autour de soleil. Ensuite, nous avons prsent les diffrents types de rayonnements (direct,
diffus, albdo et global) et les expressions mathmatiques de chaque rayonnement selon la
variation dinclinaison et dorientation.

21

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-1 Introduction

L'nergie solaire est une source d'nergie accessible tous (industriels, collectivits et
particuliers). Grce celle-ci, il est possible de produire trois types d'nergies : l'nergie
calorifique avec les installations solaires thermiques (chauffe-eau solaire ou climatiseur
solaire), l'nergie lectrique avec les installations solaires photovoltaques et le solaire
concentration thermodynamique [21].
Llectricit photovoltaque a dans un premier temps t dveloppe pour des
applications autonomes sans connexion un rseau lectrique pour par exemple des satellites
de tlcommunication ou pour des habitations isoles. On la trouve maintenant dans des
applications de diverses puissances comme les calculatrices, les montres et dautres objets
dutilisation courante. En effet, cette lectricit produite par des cellules photovoltaques
individuelles peut alimenter diverses charges continues sans difficult. Plus rcemment, avec
lmergence dinstallations photovoltaques connectes au rseau de distribution, le
photovoltaque a connu un dveloppement important en tant que moyen de production
dlectricit.
Cette volution constante a t rendue possible grce aux recherches fondamentales
menes dans le domaine des matriaux photovoltaques, mais aussi par lamlioration
progressive des dispositifs de gestion de cette nergie mene en parallle. En effet,
llectricit photovoltaque est une source dnergie intermittente, caractre non-linaire et
dpendante de nombreux paramtres comme lirradiance et la temprature. Il a donc fallu
adapter cette source dnergie notre mode de consommation, soit en stockant la production
solaire dans des batteries ou dans tout autre moyen de stockage en cours de dveloppement,
soit en la renvoyant sur le rseau lectrique public [22].
II-2 Conversion dnergie : les diffrentes technologies solaires
Il existe principalement trois faons d'utiliser directement l'nergie solaire : la
thermodynamique, la thermique et le photovoltaque.

22

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-2-1 Solaire concentration thermodynamique


Le solaire concentration thermodynamique est une technologie qui utilise des miroirs
qui concentrent lnergie solaire vers un tube contenant un fluide caloporteur qui chauffe
jusqu une temprature pouvant atteindre 500C. La chaleur obtenue est transfre un
circuit deau, la vapeur alors produite actionne une turbine couple un alternateur qui
produit de llectricit. Lun des grands avantages de cette technologie provient du fait que la
chaleur peut tre stocke, permettant ainsi aux centrales solaires de produire de l'lectricit
pendant la nuit. La centrale ANDASOL 1, Grenade, a ainsi une autonomie de 7 heures, mais
des projets en cours ont comme objectif une autonomie de 20 heures [6].
Les miroirs qui collectent l'nergie solaire (placs 3 ou 4 mtres du sol) forment une
zone dombre sur le sol, cependant il arrive suffisamment de lumire pour cultiver des fruits
ou des lgumes. Une partie de leau douce forme sur place par condensation en sortie de
turbine, peut tre utilise pour larrosage [6,13].

Capteurs thermodynamique cylindro-paraboliques

Capteurs thermodynamique paraboliques

Figure II-1 : Deux exemples de modules concentration thermodynamique.

II-2-2 Solaire thermique


Le principe de lnergie thermique consiste transformer le rayonnement solaire en
nergie thermique grce un fluide qui circule dans des panneaux exposs au soleil, figure II2. Cette forme de conversion dnergie peut tre directe si on veut uniquement chauffer de
leau sanitaire. Par contre, si on veut gnrer de llectricit, il faudra utiliser des gnrateurs
qui convertissent lnergie thermique gnre en lectricit (par exemple, moteurs air
chaud).

23

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Figure II-2 : Deux exemples de modules thermiques

Le principe de fonctionnement de lnergie solaire thermique est montr par la figure II3.Pour commencer, le rayon solaire traverse une plaque de verre transparente ; le rayon
lumineux sera alors absorb aprs avoir pass la plaque de verre, par une plaque de mtal noir
qui absorbera environ 80 90% des rayons solaires. Puis, la chaleur ainsi gnre est
transmise un circuit deau qui alimente un circuit secondaire qui, son tour, alimente une
habitation en eau sanitaire ou en chauffage.

Figure II- 3: Principe de fonctionnement de l'nergie solaire thermique.

La composition dun panneau solaire thermique est montre dans la figure II-4. Il est
compos dun corps opaque qui absorbe le rayonnement solaire en schauffant ; un systme
de refroidissement par le fluide caloporteur (transportant lnergie) ; un isolant thermique
situ sur les faces non exposes au rayonnement et une couverture transparente sur la face
expose, destine assurer leffet de serre lintrieur du capteur.

24

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Figure II-4 : Composition dun panneau solaire thermique.

Lnergie thermique utilise la chaleur du rayonnement solaire pour le chauffage de


btiments ou de leau sanitaire. Pour cette dernire il est intressant de savoir que dans
certains pays le chauffage deau sanitaire reprsente environ 20% des dpenses nergtique
dun foyer et que lnergie solaire thermique peut subvenir environ 80% de cette dpense
nergtique [23].
II-2-3 Solaire Photovoltaque
Contrairement lnergie solaire thermique qui utilise le soleil comme source de chaleur,
lnergie solaire photovoltaque utilise le soleil comme source de lumire en transformant en
lectricit lnergie des photons arrivant la surface de la Terre. La lumire solaire (photons)
transmet son nergie aux lectrons contenus dans un semi-conducteur (qui constitue une
cellule photovoltaque) .Cette transformation (effet photovoltaque) est sans action
mcanique, sans bruit, sans pollution et sans combustible. Leffet photovoltaque a t
dcouvert par le physicien franais A. Becquerel en 1839. Le mot photovoltaque vient du
mot photo (du grec phos qui signifie lumire ) et du mot Volt (patronyme du
physicien Alessandro Volta qui a contribu de manire trs importante la recherche en
lectricit) [6,23].
Cest dans la filire photovoltaque que sinscrit notre projet.

II-3 Les filires technologiques

Une cellule photovoltaque peut tre ralise avec de nombreux semi-conducteurs. En


ralit, il existe aujourdhui trois principales filires technologiques : le silicium cristallin, les
couches minces et les cellules organiques. Ces filires se partagent ingalement le march
comme le montre la figure II-5.

25

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Figure II-5 : Evolution de la production mondiale des diffrentes technologies de cellules PV [3].

Ces technologies coexistent sur le march dans des proportions quivalentes depuis de
nombreuses annes malgr des prix et des rendements trs diffrents. Laugmentation des
rendements focalise particulirement lintrt des chercheurs.

Figure II-6 : Evolution du rendement des diffrentes technologies.

Toutes les filires continuent de progresser de faon remarquablement continue depuis


trente ans. Il ny a pas eu de grandes ruptures dans cette progression et les nouvelles filires
suivent sensiblement la mme pente que les anciennes (Figure II-6). On a pu montrer que la
limite thorique du rendement de la conversion nergtique se situe au-del de 80% et nest
pas, a priori, hors datteinte. Les records en laboratoire le rappellent rgulirement, tel celui
de 41,6% obtenu en 2008 aux USA [3].

26

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-3-1 Le silicium
La filire silicium reprsente aujourdhui lessentiel de la production mondiale des
panneaux photovoltaques. Il sagit dun matriau extrmement abondant, stable et non
toxique. Cette filire est elle-mme subdivise en plusieurs technologies distinctes de part la
nature du silicium employ et/ou sa mthode de fabrication. Cette filire comporte deux
technologies : le silicium monocristallin et le silicium multicristallin [3,24].
II-3-1-1 Le silicium mono-cristallin
Lors du refroidissement, le silicium fondu se solidifie en ne formant qu'un seul cristal de
grande dimension. On dcoupe ensuite le cristal en fines tranches qui donneront les cellules.
Ces cellules sont en gnral d'un bleu uniforme, intense et brillant. Elles sont utilises, mais
ne sont pas majoritaires sur le march de l'nergie photovoltaque.
Le rendement du silicium monocristallin est le plus lev, il est compris entre 12 et 20%
pour les cellules industrielles. Son cot lev est aujourdhui un handicap et le silicium
monocristallin perd du terrain devant le silicium multicristallin.
II-3-1-2 Le silicium multicristallin (Polycristallin)
Le silicium multicristallin (Polycristallin) est devenu aujourdhui la technologie la plus
utilise. A elle seule elle reprsente prs de 50% du march. Ces cellules sont obtenues par
coulage de cristaux de silicium, ce qui rend sa structure htrogne. Son rendement est
lgrement infrieur au silicium monocristallin il est compris entre 10 et 14% selon les
fabricants. En revanche sa fabrication est beaucoup plus simple, les cots de production sont
donc plus faibles.

(a)

(b)

Figure II-7 : Photos de cellules monocristalline (a) et multicristalline (b).


27

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-3-2 Les couches minces


Le principal frein au dveloppement du photovoltaque trs grande chelle reste encore
aujourdhui, malgr la baisse de ces dernires annes, le prix trop lev du kWc. Le kilo watt
crte (kWc) est lunit qui dfini la puissance dun gnrateur PV aux Conditions de Test
Standard (STC) (1000W.m-2 et 25C). La majorit du prix dun gnrateur photovoltaque
provient du silicium et du procd de purification. Plusieurs types de cellules photovoltaques
visant diminuer la quantit de matire ncessaire leur fabrication sont aujourdhui
dvelopps et commencent tre industrialiss. Ces technologies appeles couches minces
font appel des procds de fabrication (dpt sur ruban) visant la diminution de lpaisseur
des cellules.
La technologie couche mince dont la plus mure est le silicium amorphe (Sia)
reprsentait en 2008 plus de 7% du march mondial. L'avantage de cette technique est
l'utilisation de substrats bas cot.
Le silicium est dpos basse temprature sur un substrat en verre. De plus, il est
possible de dposer ces cellules sur des substrats souples (Figure II-6) et ainsi de fabriquer des
cellules souples. Son prix est plus faible que les cellules cristallines; en revanche, le
rendement dune cellule en Sia est infrieur celui des cellules cristallines, il est denviron
7%. Lutilisation de ce type de cellules ncessite lutilisation dune isolation galvanique entre
les modules et le rseau. Sans cette isolation galvanique les cellules amorphes se dgradent
trs rapidement. La raison physique de ce phnomne reste encore obscure. Les cellules
amorphes captent trs bien le rayonnement diffus et sont donc moins sensibles aux variations
de rayonnement direct. Ces cellules sont donc une trs bonne alternative aux cellules
cristallines sur des sites soumis des ombrages svres.
Dautres matriaux sont galement utiliss dans les filires couches minces comme le
Tellure de Cadmium (CdTe), le dislniure de cuivre et d'indium (CIS) et de gallium (CIGS).
Ces technologies possdent de bons rendements, pouvant aller jusqu 19%. Malgr les
potentialits de ces trois technologies, les problmes de toxicit sur lenvironnement et
dapprovisionnement en matires premires quelles soulvent les cloisonneront au
laboratoire ou des applications trs spcifiques.

28

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Module souple Unisolar (68Wc, 1,12 m).

Module rigide Sharp (115Wc, 1.42 m).

Figure II-8 : Deux exemples de modules utilisant le Sia (Silicium amorphe).

II-3-3 Cellules organiques et plastiques


Observ depuis 30 ans dans les matriaux semi-conducteurs organiques, leffet
photovoltaque a connu cette dernire dcennie un grand essor.
Initialement donnant des valeurs trs faibles de rendement de conversion, cette
application particulire des semi-conducteurs organiques commence attirer lattention en
1986 lorsque lquipe de Tang [3] montre que les rendements proches du pourcent sont
atteignables, conformment aux prdictions de Merritt en 1978. La cellule, compose alors
dune bicouche de molcules vapores sous vide, atteint 0,95% de rendement de conversion
[6].Ces cellules comprennent deux voies : la voie des cellules humides et la voies des
cellules polymres organiques dites aussi cellules plastiques . Les progrs de ces
technologies sont trs rapides, des records de rendement sont trs frquemment battus
(actuellement prs de 6%). Le principal frein ces technologies est actuellement la stabilit de
leurs performances ainsi que leur dure de vie (actuellement environ 1000 heures) [3].

Figure II-9 : Cellule solaire tout organique sur substrat souple.


29

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Lintrt de ces cellules vient aussi du fait que, contrairement aux cellules base de
matriaux inorganiques, elles offrent lavantage de pouvoir tre dpos en grande surface,
grande vitesse, par des techniques dimpression classiques. Elles ouvrent galement la voie
aux applications lgres, nomades et souples. Enfin, grce des cots de fabrication et de
matriaux plus faibles, ces cellules devraient dans lensemble revenir beaucoup moins chres
que leurs concurrentes [24].

Le tableau ci-dessous

donne le comparatif des rendements des diffrents types de

cellules.

Tableau II-1 : Comparatif des rendements des diffrents types de cellules [6].

30

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-4 Le photovoltaque
II-4-1 La cellule PV
La cellule PV ou encore photopile est le plus petit lment dune installation
photovoltaque. Elle est compose de matriaux semi-conducteurs et transforme directement
lnergie lumineuse en nergie lectrique. Les cellules photovoltaques sont constitues :


dune fine couche semi-conductrice (matriau possdant une bande interdite, qui joue
le rle de barrire dnergie que les lectrons ne peuvent franchir sans une excitation
extrieure, et dont il est possible de faire varier les proprits lectroniques) tel que le
silicium, qui est un matriau prsentant une conductivit lectrique relativement
bonne,

dune couche anti-reflet permettant une pntration maximale des rayons solaires,

 dune grille conductrice sur le dessus ou cathode et dun mtal conducteur sur le
dessous ou anode,


les plus rcentes possdent mme une nouvelle combinaison de multicouches


rflchissants justes en dessous du semi-conducteur, permettant la lumire de
rebondir plus longtemps dans celui-ci pour amliorer le rendement.

Figure II-10 : Structure basique dune cellule solaire.

Une cellule photovoltaque est base sur le phnomne physique appel effet
photovoltaque qui consiste tablir une force lectromotrice lorsque la surface de cette
cellule est expose la lumire. La tension gnre peut varier entre 0.3 V et 0.7 V en
fonction du matriau utilis et de sa disposition ainsi que de la temprature et du
vieillissement de la cellule [2].

31

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-4-2 Leffet photovoltaque


II-4-2-1 Comportement de La jonction PN utilise comme capteur PV
En polarisant lectriquement une jonction PN et en la soumettant un clairement
solaire, on obtient les caractristiques semblables celles reprsentes par la figure II-11.
Sans clairement, le comportement dune cellule PV est semblable celui dune mauvaise
diode. Ainsi, sous polarisation directe, la barrire de potentiel est abaisse et le courant de
porteurs peut se dvelopper. Sous polarisation inverse, seul un courant de porteurs
minoritaires (courant de saturation) circule. Ce dernier varie peu avec la tension applique
tant que cette tension est infrieure la tension de claquage. Ces courants, directs ou inverses,
comme pour des jonctions classiques, sont sensibles la temprature de jonction.
Si cette jonction PN est soumise au rayonnement solaire, alors des paires lectrons-trous
supplmentaires sont cres dans le matriau en fonction du flux lumineux. Ce phnomne,
aussi appel effet photovoltaque, ne se produit que si lnergie des photons est suprieure ou
gale lnergie de la bande interdite du matriau Eg. La diffrence de potentiel qui en rsulte
aux bornes de la structure caractrise leffet photovoltaque et se situe, selon les matriaux et
la structure de la jonction [1].

Figure II-11 : Caractristiques dune jonction PN polarise sous diffrents clairements (E).

II-4-2-2 Fonctionnement dune cellule photovoltaque


Une cellule photovoltaque est un dispositif qui permet de transformer lnergie solaire en
nergie lectrique. Cette transformation est base sur les trois mcanismes suivants :


absorption des photons (dont lnergie est suprieure au gap) par le matriau
constituant le dispositif;

32

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

conversion de lnergie du photon en nergie lectrique, ce qui correspond la


cration de paires lectron/trou dans le matriau semi-conducteurs;

collecte des particules gnres dans le dispositif.

Le matriau constituant la cellule photovoltaque doit donc possder deux niveaux


dnergie et tre assez conducteur pour permettre lcoulement du courant do lintrt des
semi-conducteurs pour lindustrie photovoltaque.
Afin de collecter les particules gnres, un champ lectrique permettant de dissocier les
pairs lectrons / trou cres est ncessaire. Pour cela on utilise le plus souvent une jonction PN. Dautres structures, comme les htrojonctions et les Schottky peuvent galement tre
utilises.

Le fonctionnement des cellules photovoltaques est illustr sur la figure II-12.

Figure II-12 : Structure (gauche) et diagramme de bande (droite) dune cellule photovoltaque.
Les dimensions respectives des diffrentes zones ne sont pas respectes.

Les photons incidents crent des porteurs dans les zones N et P et dans la zone de charge
despace. Les photo-porteurs auront un comportement diffrent suivant la rgion :


dans la zone N ou P, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de charge


despace sont envoys par le champ lectrique dans la zone P (pour les trous) ou
dans la zone N (pour les lectrons) o ils seront majoritaires. On aura un photocourant
de diffusion

33

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

dans la zone de charge despace, les pairs lectron/ trou cres par les photons
incidents sont dissocies par le champ lectrique : les lectrons vont aller vers la
rgion N, les trous vers la rgion P. On aura un photocourant de gnration [25].

II-5 Gnrateur photovoltaque (GPV)


II-5-1 La constitution dun module photovoltaque

cblage des cellules photovoltaques : les cellules sont connectes entre elles par un
fins ruban mtallique (cuivre tam), du contact en face avant (-) au contact en face
arrire (+)

Cellule

Ruban

Figure II-13 : Ruban mtallique dune cellule.

les cellules sont encapsule sous vide entre 2 films thermoplastiques transparents
(EVA : Ethylne Actate de Vinyle)

le plus souvent prsence dun cadre en aluminium avec joint priphrique pour
permettre la dilatation

un verre tremp en face avant protge les cellules sur le plan mcanique tout en
laissant passer la lumire

la face arrire est constitue dun verre ou dune feuille TEDLAR

Figure II-14 : Encapsulation des cellules.

34

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

connexion ; la boite de connexion tanche regroupe les bornes de raccordement, les


diodes by-pass

les 2 cbles unipolaires sont raccords

En associant les cellules PV en srie (somme des tensions de chaque cellule) ou en


parallle (somme des intensits de chaque cellule), on peut constituer un gnrateur PV selon
les besoins des applications vises. Les deux types de regroupement sont en effet possibles et
souvent utiliss afin dobtenir en sortie des valeurs de tension et intensit souhaits. Ainsi,
pour Ns cellules en srie, constituant des branches elles-mmes Np en parallle, la puissance
disponible en sortie du gnrateur PV est donne par :
   .  .  . 

(II-1)

Avec :
 : la puissance disponible en sortie du GPV
 : la tension la sortie du GPV
 : le courant de sortie du GPV
II-5-2-1 Mise en srie
Une association de Ns cellules en srie permet daugmenter la tension du gnrateur
photovoltaque (GPV). Les cellules sont alors traverses par le mme courant et la
caractristique rsultant du groupement srie est obtenue par addition des tensions
lmentaires de chaque cellule, figure II-15. Lquation (II-2) rsume les caractristiques
lectriques dune association srie de ns cellules.

  . 

(II-2)

Avec :

: la tension du circuit ouvert
Ce systme dassociation est gnralement le plus communment utilis pour les modules
photovoltaques du commerce. Comme la surface des cellules devient de plus en plus
importante, le courant produit par une seule cellule augmente rgulirement au fur et mesure
de lvolution technologique alors que sa tension reste toujours trs faible.

35

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Lassociation srie permet ainsi daugmenter la tension de lensemble et donc daccrotre


la puissance de lensemble. Les panneaux commerciaux constitus de cellules de premire
gnration

sont

habituellement

raliss

en

associant

36

cellules

en

srie

(Vcons=0.6V*36=21.6V) afin dobtenir une tension optimale du panneau Vop proche de celle
dune tension de batterie de 12V [22].

Figure II-15 : Caractristiques rsultantes dun groupement de Ns cellules en srie.

II-5-2-2 Mise en parallle


Dautre part, une association parallle de Np cellules est possible et permet daccrotre le
courant de sortie du gnrateur ainsi cr. Dans un groupement de cellules identiques
connectes en parallle, les cellules sont soumises la mme tension et la caractristique
rsultant du groupement est obtenue par addition des courants, Figure II-16. Lquation (II-3)
rsume son tour les caractristiques lectriques dune association parallle de Np cellules.

Figure II-16. Caractristiques rsultant dun groupement de Np cellules en parallle.

  .

(II-3)

Avec

: le courant de court circuit

36

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Si lon dsire avoir un gnrateur PV ayant un courant de sortie plus intense, on peut soit
faire appel des cellules PV de plus grande surface et de meilleur rendement, soit associer en
parallle plusieurs modules PV de caractristiques similaires. Pour quun gnrateur PV ainsi
constitu puisse fonctionner de faon optimale, il faut que les (Ns. Np) cellules se comportent
toutes de faon identique. Elles doivent pour cela tre issues de la mme technologie, du
mme lot de fabrication et quelles soient soumises aux mmes conditions de fonctionnement
(clairement, temprature, vieillissement et inclinaison).
La puissance du gnrateur PV sera optimale si chaque cellule fonctionne sa puissance
maximale note Pmax. Cette puissance est le maximum dune caractristique P(V) du
gnrateur, et correspond au produit dune tension optimale note Vop et dun courant optimal
not Iop.
Pour rduire les disfonctionnements, les fabricants ont choisi de ne pas commercialiser
des cellules PV seules. Ainsi, les gnrateurs PV se trouvent souvent sous forme de modules
pr-cbls, constitus de plusieurs cellules, aussi appels par abus de langage panneaux PV.
Chaque rfrence de module a ses propres caractristiques lectriques garanties 10 % selon
le lot de fabrication [1].
Le passage dun module un panneau se fait par lajout de diodes de protection, une en
srie pour viter les courants inverses et une en parallle, dite diode by-pass, qui nintervient
quen cas de dsquilibre dun ensemble de cellules pour limiter la tension inverse aux bornes
de cet ensemble et minimiser la perte de production associe .

Figure II- 17 : Le passage dune cellule un champ photovoltaque.

37

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-6 Caractristique lectrique


II-6-1 Proprits
La cellule photovoltaque possde une caractristique I(V) non linaire (Figure II-18). La
caractristique dune cellule photovoltaque balaie 3 quadrants sur les 4 existants [26].
Une cellule PV est un rcepteur dans le quadrant 2 et dans le quadrant 4. Le
fonctionnement dans ces deux quadrants est proscrire car un risque de destruction par
phnomne dchauffement local (hot spot) est possible. Le fonctionnement dans le quadrant
1 est le fonctionnement normal, en effet dans ce cas la cellule est un gnrateur, elle produit
donc de lnergie. Lobjectif est donc de faire travailler la cellule dans ce quadrant.

Figure II-18 : Caractristique I-V d'une cellule photovoltaque.

La tension en circuit ouvert (Vco) dune cellule PV est comprise entre 0,3V et 0,7V selon
le matriau utilis, la temprature et son tat de vieillissement. Son courant de court-circuit
(Icc) varie principalement selon le niveau dclairement et selon les technologies et les tailles
de cellules (entre 5 et 8A pour le silicium cristallin). Une cellule PV peut tre modlise par
les schmas prsents sur la figure II-19.
La Figure II-19a modlise la cellule PV dans les 1er et 4me quadrants. Pour simuler la
caractristique de la cellule dans le 2me quadrant une quatrime branche est rajoute en
parallle (Figure II-19b). Cette branche est constitue dun gnrateur de tension Ubo (Ubo
tension davalanche) et dune diode mise en srie. Elle simule le fonctionnement de la cellule
PV lorsquelle est polarise en inverse [3].

38

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Figure II-19 : Circuit quivalent complet d'une cellule PV.

II-6-2 Zones de fonctionnement du module photovoltaque


Les caractristiques lectriques dun panneau photovoltaque varient en fonction de la
temprature, de lclairement et, de faon gnrale, des conditions de fonctionnement
lorsquil est connect une charge donne. Nous rappelons brivement dans ce paragraphe le
comportement du gnrateur soumis diverses contraintes. Ces notions sont en effet
ncessaires pour comprendre le comportement dun gnrateur PV et ensuite effectuer des
optimisations de fonctionnement.

Figure II-20 : Les diffrentes zones de la caractristique I (V).

La caractristique dun gnrateur PV constitu de plusieurs cellules a une allure gnrale


assimilable celle d'une cellule lmentaire, sous rserve quil ny ait pas de dsquilibre
entre les caractristiques de chaque cellule (irradiation et temprature uniformes).

39

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Nous pouvons dcomposer la caractristique I(V) dun gnrateur photovoltaque en 3


zones :


Une zone assimilable un gnrateur de courant ICC proportionnel lirradiation,


dadmittance interne pouvant tre modlise par 1/ (Zone 1),

Une zone assimilable un gnrateur de tension Vco dimpdance interne quivalente


la rsistance srie Rs (Zone 2),

Une zone o limpdance interne du gnrateur varie trs fortement de Rs Rsh (zone
3). Cest dans la zone 3 quest situ le point de fonctionnement pour lequel la
puissance fournie par le gnrateur est maximale. Ce point est appel point de
puissance optimale, caractris par le couple (Imax, Vmax), et seule une charge dont la
caractristique passe par ce point, permet dextraire la puissance maximale disponible
dans les conditions considres [1].

II-7 Paramtres photovoltaques


Il existe de nombreux paramtres qui permettent de caractriser une cellule solaire. Ces
paramtres sont appels paramtres photovoltaques et sont dduits de la caractristique I(V).
La figure II-21 reprsente une caractristique courant-tension I(V) dans le noir et sous
illumination typique dune cellule photovoltaque jonction PN. Le trac de cette courbe
permet daccder bon nombre de paramtres physiques caractristiques du composant. Les
premiers paramtres qui apparaissent sur la caractristique courant-tension dune cellule
photovoltaque sont le courant de court-circuit (Icc), la tension circuit ouvert (Vco) et le
facteur de forme (FF) du composant.

Figure II-21 : Caractristique courant-tension et paramtres physiques d'une cellule photovoltaque.

40

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

II-7-1 Courant de court-circuit (Icc)


Il sagit du courant lorsque le potentiel appliqu la cellule est nul. Cest le plus grand
courant que la cellule peut fournir. Celui-ci est fonction de la temprature, de la longueur
donde du rayonnement, de la surface active de la cellule, de la mobilit des porteurs. Ce
courant est linairement dpendant de lintensit lumineuse reue.
II-7-2 Tension de circuit ouvert (Vco)
Comme son nom lindique, cest la tension aux bornes de la cellule lorsquelle nest pas
connecte une charge ou lorsquelle est connecte une charge de rsistance infinie. Elle
dpend essentiellement du type de cellule solaire (jonction PN, jonction Schottky), des
matriaux de la couche active et de la nature des contacts de la couche active-lectrode. Elle
dpend de plus de lclairement de la cellule [7].






    1


(II-4)

Avec :



: reprsentant le potentiel thermodynamique


: est la temprature absolue
: la constante de charge d'lectron, 1.602. 10$%& '
(: la constante de Boltzmann, 1.38. 10$%& +/,
 : le courant photonique
 : le courant de saturation
Deux rgimes peuvent tre observs suivant le degr dclairement figure II-18.


Rgime des faibles flux lumineux : dans ce cas, Iph - Is, ce qui permet dcrire :


    1 





(II-5)

Do :

.

.


.   

(II-6)

Cest la zone de comportement linaire de la cellule. La formule prcdente peut scrire


aussi 
 / .  , en posant / 

.
.

: R0 est la rsistance interne de la diode en

polarisation externe nulle (circuit ouvert) et sous faible flux lumineux.


41

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Rgime des flux lumineux suffisamment intenses pour que Iph 0 Is, soit :



01

Do :






(II-7)



 



(II-8)

Cest le domaine du comportement logarithmique.

Figure II-22 : diffrents rgimes selon la puissance dclairement.

Il est important de remarquer que cette tension augmente avec le log de Iph, donc avec le
log de lillumination. En revanche, elle dcrot avec la temprature, malgr le terme




. En

effet, le courant de saturation,  dpend de la surface de la diode (donc de la cellule) et des


caractristiques de la jonction : il varie exponentiellement avec la temprature et cette
dpendance en temprature compense largement le terme




. Donc la tension de circuit

ouvert Vco baisse avec la temprature, ce qui est important dans le dimensionnement des
systmes [13].

II-7-3 Facteur de forme, FF


Un paramtre important est souvent utilis partir de la caractristique I(V) pour
qualifier la qualit dune cellule ou dun gnrateur PV : cest le facteur de remplissage ou fill
factor (FF). Ce coefficient reprsente le rapport entre la puissance maximale que peut dlivrer
la cellule note Pmax et la puissance forme par le rectangle Icc*Voc. Plus la valeur de ce
facteur sera grande, plus la puissance exploitable le sera galement. Les meilleures cellules
auront donc fait lobjet de compromis technologiques pour atteindre le plus possible les
caractristiques idales [22]. Il est dfini par la relation suivante:
42

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

11 

2345

(II-9)

67 .

II-7-4 Le rendement,8
Le rendement, 9 des cellules PV dsigne le rendement de conversion en puissance. Il est
dfini comme tant le rapport entre la puissance maximale dlivre par la cellule et la
puissance lumineuse incidente, Pin.

9

2345
2:;

<<. .67

(II-10)

2:;

Ce rendement peut tre amlior en augmentant le facteur de forme, le courant de courtcircuit et la tension circuit ouvert. Le rendement de conversion est un paramtre essentiel.
En effet, la seule connaissance de sa valeur permet d'valuer les performances de la cellule.
II-7-5 Le rendement quantique, EQE
Le rendement quantique est le rapport entre le nombre dlectrons dans le circuit externe
et le nombre de photons incidents. Lorsque les photons perdus par rflexion ( la fentre de la
cellule) et les photons perdus par transmission travers toute lpaisseur de la cellule ( cause
de labsorption incomplte) ne sont pas pris en compte, cette grandeur sappelle alors le
rendement quantique interne, IQE (internal quantum efficiency). Dans le cas contraire, ce
paramtre sappelle le rendement quantique externe, EQE (external quantum efficiency). Le
rendement quantique externe est dfini comme suit:

=>=?@A 

 ?BA D?BA


C?BA

?FA .

C?BA E.B

(II-11)

O G?@A est le flux lumineux incident, e la charge de llectron et E lnergie du photon


(avec E (@)=hc/@, h tant la constante de Planck, c la vitesse de la lumire et @ la longueur
donde).
Le rapport Icc()/() est appel rponse spectrale de la cellule, elle est note SR().
Elle reprsente la sensibilit de la cellule pour chaque longueur donde. On peut donc
redfinir le rendement quantique externe comme suit [7], [27]:
.

=>=?@A  H?@A. E.B


43

(II-12)

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

LEQE est aussi dsign sous le terme dIPCE (de lexpression anglaise Incident Photon
to Current Efficiency). En remplaant les trois constantes par leurs valeurs numriques, on
obtient



'=?@A  1.24 C?BA.B

(II-13)

II-8 Protection classique dun GPV


Pour garantir une dure de vie importante dune installation photovoltaque destine
produire de lnergie lectrique sur des annes, des protections lectriques doivent tre
ajoutes aux modules commerciaux afin dviter des pannes destructrices lies lassociation
de cellules en sries et en panneaux en parallles. Pour cela, deux types de protections
classiques sont utiliss dans les installations actuelles, figure II-23.

Figure II-23 : Schma dun module photovoltaque

La diode anti-retour empchant un courant ngatif dans les GPV. Ce phnomne peut
apparaitre lorsque plusieurs modules sont connects en parallle, ou bien quand une charge en
connexion directe peut basculer du mode rcepteur au mode gnrateur, par exemple une
batterie durant la nuit.
Les diodes by-pass peuvent isoler un sous-rseau de cellules lorsque lclairement nest
pas homogne vitant ainsi lapparition de points chauds et la destruction des cellules mal
claires.
La mise en conduction de ces diodes affecte la caractristique de sortie du gnrateur,
comme illustr sur la figure II-24, par la perte dune partie de la protection dnergie et par la
prsence de deux maximums de puissance [29].
44

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Figure II-24 : Effet de la diode by-pass sur la caractristique I(V) dun gnrateur photovoltaque.

II-9 Fonctionnement puissance maximale


La caractristique lectrique p(V) de ce type de GPV savre proche de celle dune cellule
PV aux rapports de proportionnalits prs. Ces rapports dpendent du nombre de cellules
connectes en srie et du nombre de branches de cellules associes en parallle. Cette
caractristique est galement non linaire et prsente un point de puissance maximal (PPM)
caractris par un courant et une tension nomms respectivement, comme pour la cellule,
Imax et Vmax. Sur la figure II-25, nous pouvons observer lvolution du PPM dun module
commercial typique de 80W crtes constitu de 36 cellules monocristallines en srie, en
fonction de la temprature et de lclairement.

(a)

(b)

Figure II-25 : Evolution du PPM dun module photovoltaque dune puissance crte de 80W en
fonction de la temprature (a) et de lclairement (b).

45

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Dans un systme lectrique comprenant une source et une charge, la recherche du point
de fonctionnement optimal par des techniques doptimisation reprsente ce qui est le plus
important. Dans le cas du photovoltaque, cette dmarche est plus complexe du fait que la
caractristique des cellules dpend fortement de lensoleillement et de la temprature
ambiante, entre autres. Il faut trouver un dispositif permettant de fonctionner tout moment
suivant le point de fonctionnement optimal. Diffrentes mthodes de maximisation de
puissance classes en deux catgories : les mthodes indirectes, utilisent des bases de donnes
regroupant les caractristiques des panneaux photovoltaques (PV) dans diffrentes conditions
climatiques (temprature, ensoleillement) mais aussi des quations mathmatiques
empiriques permettant de dterminer le point de puissance maximum et les mthodes directes,
sont des mthodes qui utilisent les mesures de tension et de courant des panneaux et dont
lalgorithme est base sur la variation de ces mesures. Lavantage de ces algorithmes est quils
ne ncessitent pas une connaissance pralable des caractristiques des panneaux PV. Parmi
ces mthodes, on retrouve la mthode de diffrenciation, la mthode Perturb & Observ
(P&O), lincrment de conductance.

II-10 Influence de la temprature et de lclairement


La caractristique dune cellule PV (ou dun gnrateur PV) est directement dpendante
de lclairement et de la temprature.
Les variations du courant et de la puissance en fonction de la tension pour diffrents
niveaux dclairements temprature maintenue constante 25C, figure II-26, montrent
clairement lexistence de maxima sur les courbes de puissance correspondant aux Points de
Puissance Maximale Pmax. Lorsque lirradiation varie pour une temprature donne, le courant
de court-circuit Icc varie proportionnellement lirradiation. Dans un mme temps, la tension
de circuit ouvert Vco ( vide) varie trs peu.

46

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

(a)

(b)

Figure II-26 : Evolution de la caractristique I(V) (a) et P(V) (b) en fonction de l'irradiation.

La temprature est un paramtre trs important dans le comportement des cellules


solaires.
La temprature a galement une influence sur la caractristique dun gnrateur PV. La
figure II-27 prsente la variation des caractristiques dune cellule PV en fonction de la
temprature un clairement donn. Lclairement est ici fix 1000W.m-2.

(a)

(b)

Figure II-27 : Evolution de la caractristique I(V) (a) et P(V) (b) pour diffrentes tempratures.

47

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Par contre, si la temprature crot irradiation constante, la tension vide Vco dcrot
avec la temprature. Plus la temprature est leve plus Vco est faible et le courant de courtcircuit Icc augmente avec la temprature. Cette hausse est nettement moins importante que la
baisse de tension. Linfluence de la temprature sur Icc peut tre nglige dans la majorit des
cas.
La temprature et lclairement sont donc les deux principaux paramtres qui vont
modifier la caractristique dun gnrateur PV. Ces deux paramtres devront donc tre tudis
avec soin lors de la mise en place dune installation PV.

II-11 Les avantages et les inconvnients de lnergie photovoltaque


II-11-1 Les avantages de lnergie photovoltaque
Lnergie photovoltaque offre de multiples avantages [30] :


La production de cette lectricit renouvelable est propre. Elle nest pas toxique.

Les systmes photovoltaques sont extrmement fiables.

Lnergie photovoltaque est particulirement attractive pour les sites urbains, dus
leur petite taille, et leur opration silencieuse.

La lumire du soleil tant disponible partout, lnergie photovoltaque est exploitable


aussi bien en montagne dans un village isol que dans le centre dune grande ville.

Llectricit photovoltaque est produite au plus prs de son lieu de consommation, de


manire dcentralise, directement chez lutilisateur.

Les matriaux employs (verre, aluminium) rsistent aux pires conditions climatiques
(notamment la grle).

La dure de vie des panneaux photovoltaques est trs longue. Certains producteurs
garantissent les panneaux solaires pour une dure de 25 ans.

II-11-2 Les inconvnients de lnergie photovoltaque

Production dnergie qui dpend de lensoleillement, toujours variable.

Le cot trs lev.

Faible rendement de conversion.

Sil faut stocker lnergie avec des batteries, le cot de linstallation augmente.

48

Chapitre II

Energie solaire photovoltaque

Pollution la fabrication.
Malgr ces inconvnients, le march photovoltaque ne cesse pas de trouver des
applications et de sagrandir. En plus, la technologie photovoltaque est dans un
processus de maturation dans laquelle les inconvnients pourraient sattendrir, surtout
en ce qui concerne les cots de fabrication [30].

II-12 Conclusion
En rsum, technologiquement, un capteur PV est proche dune diode PN de par sa
constitution, les matriaux utiliss, et les phnomnes physiques identiques mis en uvre. Le
comportement dune cellule PV peut donc se modliser comme celui dune mauvaise jonction
PN autant en statique quen dynamique lorsque cette dernire nest pas claire.
Dans ce chapitre, nous avons prsent les enjeux et les dveloppements actuels du
photovoltaque. Nous avons ensuite prsent le fonctionnement dune cellule en expliquant
brivement le phnomne photovoltaque (Leffet photovoltaque). Nous avons vu que la
cellule PV prsente une caractristique I(V) non linaire, prsente un point de puissance
maximal (PPM) caractris par un courant (Imax) et une tension (Vmax) et quelle peut tre
modlise par un circuit lectrique simple. Nous avons prsent linfluence des diffrents
paramtres extrieurs sur cette caractristique. Le courant de court-circuit volue
principalement avec lclairement et la tension vide avec la temprature. Linterconnexion
de cellules PV en srie ou en parallle pose plusieurs problmes de dsquilibre qui sont trs
pnalisants si les cellules n'ont pas le mme point de fonctionnement. Nous avons prsent les
diffrentes technologies de cellules actuellement sur le march et ou cours de dveloppement,
et malgr la fin du silicium annonce depuis de nombreuses annes, ce dernier garde une
grande longueur davance sur les autres technologies. Pour garantir une dure de vie
importante dune installation photovoltaque destine produire de lnergie lectrique sur
des annes, des protections lectriques doivent tre ajoutes aux modules.

49

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-1 Introduction

Lnergie solaire photovoltaque (PV), qui est la conversion directe de la lumire en


lectricit grce des cellules solaires, reprsente une alternative intressante et bien adapte
des besoins limits. Malgr sa facilit de mise en uvre, son faible impact environnemental
et le peu d'entretien quil ncessite, un systme photovoltaque nest plus concurrentiel
lorsque la demande augmente. Ainsi, une tude assez rigoureuse est ncessaire pour faire le
meilleur choix le plus performant avec moindre cot possible.
La performance dun systme PV dpend fortement des conditions mtorologiques, telle
que le rayonnement solaire, la temprature, la vitesse du vent et lclairement. Pour fournir
lnergie continuellement durant toute lanne, un systme PV doit tre correctement
dimensionn. Cependant les informations fournies par les constructeurs dquipements
photovoltaques ne permettent que de dimensionner approximativement le systme [29].
La modlisation mathmatique des cellules solaires est indispensable pour toute opration
doptimisation du rendement ou de diagnostic du gnrateur photovoltaque. Le module
photovoltaque est reprsent gnralement par un circuit quivalent dont les paramtres sont
calculs exprimentalement en utilisant la caractristique courant-tension. Ces paramtres ne
sont pas gnralement des quantits mesurables ou incluses dans les donnes de la fabrication.
En consquence, ils doivent tre dtermins partir des systmes des quations V-I divers
points de fonctionnement donns par le constructeur ou issues de la mesure directe sur le
module.
La modlisation de ces dernires simpose comme une tape cruciale et a conduit une
diversification dans les modles proposs par les diffrents chercheurs. Leurs diffrences se
situent principalement dans le nombre de diodes, la rsistance shunt finie ou infinie, le facteur
didalit constant ou non, ainsi que les mthodes numriques utilises pour la dtermination
des diffrents paramtres inconnus.
On rencontre dans la littrature plusieurs modles dant le prcisions restent tributaires de
la modlisation mathmatiques des diffrents phnomnes physiques intrinsques intervenant
dans le processus de production dlectricit. Dans la plupart des travaux de la littrature, on
trouve principalement le modle quivalent quatre paramtres bas sur la modlisation
mathmatique de la courbe-tension courant [31].

50

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-2 Modlisation des cellules photovoltaques

La modlisation des cellules photovoltaques passe ncessairement par un choix judicieux


des circuits lectriques quivalents.
Pour dvelopper un circuit quivalent prcis pour une cellule PV, il est ncessaire de
comprendre la configuration physique des lments de la cellule aussi bien que les
caractristiques lectriques de chaque lment, en prenant plus ou moins de dtails. Selon
cette philosophie, plusieurs modles mathmatiques sont dvelopps pour reprsenter un
comportement fortement non linaire, rsultant de celui des jonctions semi-conductrices qui
sont la base de leurs ralisations. Ces modles se diffrencient entre eux par les procdures
mathmatiques et le nombre de paramtres intervenant dans le calcul de la tension et du
courant du module photovoltaque.
On prsentera deux modles du GPV savoir [32] :


Modle une diode (ou exponentielle simple),

Modle deux diodes (ou double exponentielle).

Tous les deux sont bass sur l'quation de diode bien connue de Shockley.
Nous avons tudi un module BP Solar 340, prsent sur la figure III-1.

Figure III-1: Module BP Solar340.

51

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Le tableau III-1 donne les caractristiques du module BP Solar 340 sous les conditions
standards (1000 W/m, masse optique: AM 1.5, Temprature de cellule: 25 C).
Grandeurs

valeur

Puissance nominale
Tension au MPP ( )
Courant au MPP (  )
Courant de court-circuit (  )
Tension de circuit ouvert ( )
Coefficient du rendement  de la temprature
Facteur de forme ()
Nombre de cellules en srie (Ns)
Nombre de cellules en parallle (Np)
Coefficient de sensibilit de la tension la temprature 
Coefficient de sensibilit de lintensit la temprature 

40 W
16,50 V
2,42 A
2.60 A
20.00 V
0.0049 %
0.771
36
2
-0.09 V/K
+0,0065 A/K

Tableau III-1: Caractristiques du module BP Solar 340.

Les caractristiques dune cellule photovoltaque seront dcrites comme suit :




Le courant de court-circuit (Icc) qui fournit chaque cellule est :





   

(III-1)

La tension du circuit ouvert ( ) de chaque cellule est :





  



(III-2)

Le courant maximal de chaque cellule est :



  




(III-3)

La tension maximale de chaque cellule est :



  




(III-4)

La puissance maximale de chaque cellule est:


   
  . 
 

(III-5)

La rsistance srie de chaque cellule est :



  




. 


(III-6)

La rsistance shunt de chaque cellule est :


!
  




. !

52

(III-7)

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-3 Modle deux diodes

III-3-1 Modle sept paramtres (2M7P)

Il est connu aussi par le nom 2M7P (Lumped, 2 Mechanism model with 7 Parameters)
[28-30]. Le fonctionnement dune cellule solaire peut tre modlis en considrant le schma
lectrique quivalent ci-dessous figure (III-2). Il consiste en la description mathmatique dun
circuit ralis par la connexion en parallle de deux diodes ayant les courants de saturation

" et # , les facteurs de diode $" et $# , une source de courant produisant un photo-courant
! , qui dpend de lclairement solaire [34].

La rsistance srie Rs rend compte de la rsistivit du matriau, de celle des lectrodes et

du contact semi-conducteur-Mtal. Sa valeur est dtermine par l'inverse de la pente de la


caractristique I(V) pour une tension V gale Vco. Ce terme doit idalement tre le plus
faible possible pour limiter son influence sur le courant de la cellule. Ceci peut tre ralis en
optimisant le contact mtal/semi-conducteur, et en diminuant la rsistivit du matriau utilis.
Cependant, un dopage trop lev entrane une augmentation de la recombinaison des porteurs.
La rsistance parallle (shunt) ou de court-circuit Rsh traduit quant elle, la prsence dun
courant de fuite travers lmetteur, caus par un dfaut. Ceci est le cas lorsque la diffusion
des contacts mtalliques haute temprature perce lmetteur. Elle peut aussi tre due un
court-circuit sur les bords de la cellule. Cette valeur devra tre la plus leve possible [22].
Le modle deux-diodes est reprsent par une quation implicite du courant qui ne peut
tre rsolue qu laide de mthodes itratives.

Figure III-2 : Schma quivalent du modle deux exponentielles, 2M7P.

53

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de Kirchhoff
[35]:

% =! & 

&

"

& !

(III-8)

Avec:
! : courant photonique




"

: courant de diode 1

: courant de diode 2
La diode tant un lment non linaire, sa caractristique I-V est donne par la relation

[35]:


+

 " '()* ',

78
9

- ..

+

 # '()* ',

! 

Avec :
6 

"

2 32 .4

1 ..

/ & 1/

(III-9)

/ & 1/

(III-10)

45

(III-11)

: reprsentant le potentiel thermodynamique

: : est la temprature absolue

; : la constante de charge d'lectron, 1.602. 10?#@ A


B: la constante de Boltzmann, 1.38. 10?#@ E/G
! : est le courant de la rsistance de shunt

Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante

[35,36]:
%  ! & " Hexp

M2 NO2 .P


R
M. .Q-

& 1S & # H()*

M2 NO2 .P


R
M. Q1

2 32 .4

& 1S & '

45

(III-12)

Le courant photonique li lclairement, la temprature et au courant photonique


mesur aux conditions de rfrence est donn par [35,37]:
!  T

UVW

'!_Y Z &  [: & :_Y Z \/

Avec:

!_Y Z : le courant photonique sous condition de rfrence [A]


54

(III-13)

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

 : coefficient de sensibilit de lintensit la temprature [A/K]


] , ]Y Z : lclairement rels et la condition de rfrence [W/m]

: , :_Y Z : la temprature de cellule, relle et la condition de rfrence

Les courants de saturation " et # sont donns par les relations suivantes [35,38]:
"  A" . :@ . ()* '
@/#

#  A# . :

?_`a .9

. ()* '

,- .8.7

?_`a .9
,1 .8.7

(III-14)
(III-15)

Les constantes Cs1 et Cs2 sont gnralement comprises respectivement entre 150 - 180
A.K-3 et 1,3 -1,7 x 10-2 A.K-5/2 pour une cellule de 100 cm.
Une valeur du facteur didalit $ diffrent de lunit est associe un mcanisme de

recombinaison prdominant et elle dpend de la nature et de la position des niveaux piges.


 $  1 : La zone de charge despace est dpeuple (cas idal).

 1 b $ b 2 : Le niveau pige est peu profond dans la zone de charge despace et $


dpend de la polarisation [39].

 $  2 : Les centres de recombinaison sont distribus uniformment dans la zone de


charge despace et sur un seul niveau au milieu de la bande interdite.

 2 b $ b 4 : Les centres de recombinaison sont distribus de faon non uniforme avec


une densit rduite au centre de la zone de charge despace par rapport la surface

def : Energie de gap (Silicium cristallin = 1,12 eV, Silicium amorphe = 1,7 eV, CIS = 1,03

eV, CdTe = 1,5 eV).

III-3-1-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension du modle


2M7P

La caractristique courant-tension nous montre que la cellule PV est une source de


courant constante pour des faibles valeurs de la tension avec un courant approximativement
gal au courant de court circuit  . Avec laugmentation de la tension, le courant commence

diminuer exponentiellement jusqu' la valeur zro o la tension est gale la tension de


circuit ouvert  . Sur la gamme entire de tension, il y a un seul point o la cellule fonctionne

au rendement le plus lev; cest le point de puissance maximal (MPP).

55

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Il est possible de dterminer ces caractristiques par des mthodes numriques itratives.
(La mthode de dichotomie, la mthode de Lagrange, la mthode de point fixe et la mthode
de Newton Raphson).
La mthode de Newton Raphson est choisie pour la convergence rapide de la rponse
[33,40].


La mthode de Newton Raphson est lune des mthodes les plus utilises pour la
rsolution des quations non linaires.

Lalgorithme de cette mthode est bas sur lutilisation du dveloppement de Taylor.


Soit une quation rsoudre de la forme :
g
)  0

(III-16)

A partir dune valeur initiale )h de la solution, on cherche une correction i) telle que
0  g
)h j i)

(III-17)

En faisant un dveloppement de Taylor autour de )  )h , on trouve :


0  g
)h  j g k
)h . i) j '

Z ll
mn .om 1
#!

/j'

Z lll
mn .om q
@!

/jr

(III-18)

Il suffit maintenant de ngliger les termes dordre suprieur ou gal 2 en i) pour obtenir :
g
)h  j g k
)h . i) s 0

(III-19)

On peut alors isoler la correction recherche :


i)  & Zl
m
Z
m

(III-20)

La correction i) est en principe la quantit que lon doit ajouter pour annuler la fonction

g
) puisque nous avons nglig les termes dordre suprieur ou gal 2 dans le
dveloppement de Taylor, cette correction nest pas parfaite et on pose :

Donc :

Avec :

)"  )h j i)

(III-21)

)t3"  )t & Zl
m
Z
m

(III-22)

g
) : est la drive de la fonction g
)

g
)  0 , )t est une valeur actuelle et )t3" est une prochaine valeur.
g[% \   & % & " u()*

M2NP .O2
S
M. .Q-

& 1v & # u()*

56

M2NP .O2
S
M. .Q1

2 32 .4

& 1v & '

45

/  0(III-23)

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

La substitution de cette quation dans lquation (III-12) donne lquation suivante, et le


courant de sortie est calcul itrativement.

%
t3"  %
t &

M2 NO2
w .P
M2 NO2
w .P
H
S
H
S
*z j*z .{
M. .QM. .Q1
R
 ?2
w ?- x m
?"y?- x m
?"y &L

M2 NO2
w .P
M2NO2
w .P
H
S
H
S
P
P
P
M. .QM. .Q1
?"?- .L R. m
?1 .L R. m
?L  R
M.
M.
P5

{|

(III-24)

III-3-1-2 Simulation dune cellule 2M7P


La stratgie pour modliser un module PV ne prsente aucune diffrence par rapport la
modlisation dune cellule PV. Les paramtres sont les mmes, mais seulement la tension va
changer (la tension circuit ouvert) est diffrente et doit tre divise par le nombre de
cellules. Dans le programme Matlab que nous avons dvelopp des calculs itratifs sont
ralises afin dassurer la convergence des rsultats.
La mthode employe consiste dvelopper des programmes scripts pour la simulation
des diffrents effets sur les caractristiques tension-courant et puissance-tension telles que,
linfluence de lclairement, la temprature et la rsistance shunt.
Les rsultats obtenus par une cellule du module BP solar 340 en utilisant le modle 2M7P
sont reprsentes par la figure III-3

Figure III-3 : Caractristique I(V) et P(V) dune cellule photovoltaque2M7P.

57

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-3-2 Modle six paramtres (2M6P)

Si la rsistance shunt est considre infinie (Rsh=), le nombre de paramtres


dterminer devient 6 et le nom du modle dans ce cas est 2M6P (Lumped, 2 Mechanism
model with 6 Parameters) [31-33]. Cette simplification est justifie par le fait que la
rsistance shunt est d'habitude beaucoup plus grande que les autres rsistances donc le
courant qui la traverse est ngligeable. Il consiste en la description mathmatique dun circuit
ralis par la connexion en parallle de deux diodes ayant les courants de saturation "

(quation (III-14)) et # (quation (III-15)), les facteurs de diode $" et $# , une source de

courant produisant un photo-courant ! (quation (III-13)) qui dpend de lclairement

solaire et de la rsistance srie Rs.

La cellule photovoltaque est reprsente par le circuit lectrique, figure (III-4).

Figure III-4 : Schma quivalent du modle deux exponentielles, 2M6P.

Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de Kirchhoff
[33]:
% =! & 

"

&

(III-25)

Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante:
%  ! & " H()*

M2 NO2 .P


R
M. .Q-

& 1S & # H()*

M2 NO2 .P


R
M. .Q1

& 1S

(III-26)

III-3-2-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension du modle


2M6P
La mthode de Newton Raphson t utilise et le courant de sortie est donn par
lquation (III-27).
58

Chapitre III

%
t3"  %
t &

Modlisation des cellules photovoltaques

M2 NO2
w .P
M2 NO2
w .P
H
S
H
S
M. .QM. .Q1
 ?2
w ?- x m
?"y?- x m
?"y
M2 NO2
w .P
M2 NO2
w .P
H
S
H
S
P
P
M. .QM. .Q1
?"?- L  R. m
?1 L  R. m
M.
M.

(III-27)

La Figure III-5 reprsente la caractristique courant-tension I(V) et puissance-tension


P(V) dune cellule photovoltaque en utilisant le modle 2M6P.

Figure III-5 : Caractristique I(V) et P(V) dune cellule photovoltaque, 2M6P.

III-3-3 Modle cinq paramtres (2M5P)

Le circuit quivalent de ce modle est obtenu en utilisant une simplification au circuit du


modle six paramtres reprsent sur la figure (III-5) et le nom du modle dans ce cas est
2M5P (Lumped, 2 Mechanism model with 5 Parameters) [31-33]. Cette simplification se
traduit par supposer que la rsistance shunt est infinie, et la rsistance srie est nulle.
Le circuit quivalent sera reprsent comme suit, figure (III-6).

Figure III-6 : Schma quivalent du modle deux exponentielles, 2M5P.


59

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Il consiste en la description mathmatique dun circuit ralis par la connexion en

parallle de deux diodes ayant les courants de saturation " (quation (III-14)) et #

(quation (III-15)), les facteurs de diode $" et $# , une source de courant produisant un photocourant ! (quation (III-13)) qui dpend de lclairement solaire et de la temprature

Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de


Kirchhoff:
% =! & 

"

&

(III-28)

Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante [33]:
%  ! & " H()*

M2
R
M. .Q-

& 1S & # H()*

M2
R
M. .Q1

& 1S

(III-29)

III-3-3-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension du modle


2M5P
Le courant de sortie est donn par lquation (III-30).

%
t3"  &

M2

M2

L
R
L
R
 ?2
w ?- u m M. .Q- ?"v?- u m M..Q1 ?"v

?"

(III-30)

La Figure III-7 reprsente la caractristique courant-tension I(V) et puissance-tension


P(V) pour les mmes conditions; une temprature de rfrence de 25 C et un clairement de
2

1000 W/m .

Figure III-7 : Caractristique I(V) et P(V) dune cellule photovoltaque, 2M5P.


60

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-4 Modle une diode

Le fonctionnement dun module photovoltaque est dcrit par le modle standard


une diode tabli par Shocky pour une seule cellule PV. Il est gnralis un module PV en le
considrant comme un ensemble de cellules identiques branches en srie ou en parallle [4].
Une description plus simple est obtenue partir du modle une exponentielle. Ce
modle comporte une diode de moins par rapport au modle deux exponentielles, ce qui
implique que ce modle comporte dans lquation de la caractristique courant- tension une
exponentielle de moins [43], [44].

III-4-1 Modle trois paramtres (L3P)

Une cellule photovoltaque peut tre dcrite de manire simple comme une source idale
de courant qui produit un courant Iph (quation (III-13)) proportionnel la puissance
lumineuse incidente, en parallle avec une diode qui correspond laire de transition P-N de
la cellule PV. Il est connu aussi sous le nom L3P (Lumped, 1 Mechanism model with 3
Parameters) [7-30]. Pour un gnrateur PV idal, la tension aux bornes de la rsistance est
gale celle aux bornes de la diode.

Le schma lectrique quivalent de la cellule PV pour ce modle est reprsent par la


figure (III-8) :

Figure III-8 : Schma quivalent du modle une exponentielle, L3P.

Dans le cas de cellules solaires au silicium monocristallin, on considre lhypothse


dune cellule idale. Le facteur didalit est alors considr comme gal lunit.
Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de
Kirchhoff:
% =! & 

(III-31)
61

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

La diode tant un lment non linaire, sa caractristique I-V est donne par la relation
[11-33] :
   '()* ' + / & 1/


(III-32)

Le courant dbit quivaut :


%  ! &  H()*

M2
R
M. .Q

& 1S

(III-33)

Le courant de saturation de la diode est suppos variable avec la temprature selon


lexpression [45-46-47]:
  _Y Z . L8

8

_UVW

9._`a

R ()* H'

,.7

/ . L8

"

_UVW

"

R & '8 /S


(III-34)

III-4-1-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension du modle L3P


Le courant de sortie est donn par lquation (III-35).
%
t3"  %
t &

M2

L
R
 ?2
w ? u m M. .Q- ?"v

?"

(III-35)

La Figure III-9 reprsente la caractristique courant-tension I(V) et puissance-tension


P(V) dune cellule photovoltaque en utilisant le modle L3P.

Figure III-9 : Caractristique I(V) et P(V) dune cellule photovoltaque, L3P.

62

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Ce modle reste thorique et ne rend pas compte du comportement dune cellule


photovoltaque dans les conditions relles. Toutefois, il reste valable sous certaines
hypothses (non prise en compte des pertes de tension, courant de fuite). Il existe dautres
modles, certes thoriques, mais qui rendent plus fidlement compte du comportement de la
cellule photovoltaque [11-31].
III-4-2 Modle quatre paramtres (L4P)

Le modle quatre paramtres est un modle largement utilis; il a t tudi par


Townsend [33]. Ce modle traite la cellule photovoltaque comme une source de courant,
dpendante de lclairement, connecte en parallle avec une diode et en srie avec une

rsistance srie  .

Les quatre paramtres apparaissant dans lquation de la caractristique I(V) sont le

courants photonique Iph (quation (III-13)), la rsistance srie  , et deux caractristiques de


la diode  (quation (III-28)), et $. Ces paramtres ne sont pas des quantits mesurables et ne
sont pas gnralement inclus dans les donnes des fabricants. Par consquent, ils doivent tre

dtermins partir des systmes des quations I (V) pour diffrents points de fonctionnement
(donns par les fabricants) [40-47].

Le schma lectrique quivalent de la cellule PV pour ce modle est reprsent sur la


figure (III-10) :

Figure III-10 : Schma quivalent du modle une exponentielle, L4P.

Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante:

%  ! &  H()*

M2 NO2 .P


R
M. .Q

63

& 1S

(III-36)

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-4-2-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension du modle L4P


Le courant de sortie est donn par lquation (III-37).

%
t3"  %
t &

 ?2
w ? x m

M2 NO2
w .P
H
S
M. .Q

?"y

M2 NO2
w .P
H
S
P
M. .Q
?"? L  R. m
M.

(III-37)

La Figure III-11 reprsente la caractristique courant-tension I(V) et puissance-tension


P(V) relatif ce modle.

Figure III-11 : Caractristique I(V) et P(V) dune cellule photovoltaque, L4P.

III-4-3 Modle cinq paramtres (L5P)

La cellule photovoltaque est reprsente par le circuit lectrique de la figure (III-12)


qui se compose dune source de courant modlisant le flux lumineux, les pertes sont
modlises par deux rsistances, une rsistance shunt, une rsistance srie. Le modle fait
donc intervenir les cinq paramtres inconnus suivants: n, Iph (quation (III-13)), Rs , Rsh et Is
(quation (III-28). Il est connu sous le nom L5P (Lumped, 1 Mechanism, Parameters ) [3345].
Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de
Kirchhoff:
% =! &  & !
64

(III-38)

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Figure III-12 : Schma quivalent du modle une exponentielle, L5P.

Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante [45]:
%  ! &  H()*

M2 NO2 .P


R
M. .Q

2 32 .4

& 1S & '

45

(III-39)

III-4-3-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension du modle L5P

Le courant de sortie est donn par lquation (III-40).

%
t3"  %
t &

 ?2
w ?

M2NO2
w .P
H
S
*z j*z .{
M. .Qx m
R
?"y&L
{|

M2NO2
w .P
H
S
P
P
M. .Q?"? L  R. m
?L  R
M.
P5

(III-40)

La figure III-13 reprsente la caractristique courant-tension I(V) et puissance-tension


P(V) en considrant ce modle.

Figure III-13 : Caractristique I(V) et P(V) dune cellule photovoltaque, L5P.

65

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

III-5 Etude comparative


III-5-1 Influence de la rsistance shunt

La rsistance shunt est une rsistance qui prend en compte les fuites invitables du
courant qui intervient entre les bornes dune photopile. En gnral, la rsistance shunt est trs
leve [42], son effet se fait sentir surtout dans la partie gnration de courant.

Figure III-14 : Linfluence de la rsistance shunt (Rsh) sur la caractristique I (V).

Figure III-15 : Linfluence de la rsistance shunt (Rsh) sur la caractristique P(V).

Linfluence de la rsistance parallle (shunt) sur la caractristique courant-tension se


traduit par une lgre diminution de la tension de circuit ouvert, et une augmentation de la
pente de la courbe I-V de la cellule dans la zone correspondant un fonctionnement comme
une source de courant.
66

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Ceci provient du fait quil faut soustraire du photo-courant, outre le courant direct de
diode, un courant supplmentaire variant linairement avec la tension dveloppe. La
puissance fournie par une cellule solaire varie avec sa rsistance parallle, plus cette
rsistance est leve plus la puissance fournie est importante.
Une comparaison de l'effet de la rsistance shunt sur le comportement des
caractristiques I(V), P(V)

est illustre sur les figures (III-16) et (III-17), aux niveaux

d'irradiance de 1000 W/m et de 250 W/m.

(a)

(b)

Figure III-16 : Linfluence de la rsistance shunt (Rsh) sur les caractristiques I (V) (a), P(V) (b,)
G=1000W/m.

(a)

(b)

Figure III-17 : Linfluence de la rsistance shunt (Rsh) sur les caractristiques I (V) (a), P(V) (b),
G=250W/m
67

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Une courbe assume la rsistance infinie de shunt tandis que l'autre assume une rsistance
de shunt de 50 ohms. 1000 W/m, la diffrence entre les deux courbes est peine
perceptible. La diffrence dans la puissance maximale pour ces deux courbes est environ
0,5%. Pour lirradiance infrieure (G=250W/m) reprsente sur la figure (III-17), la
diffrence entre les deux courbes est plus prononce et la diffrence dans la puissance
maximale est environ 4,2%.
Une autre justification partielle pour la rsistance infinie, que les courants de shunt ne
sont pas un mcanisme inhrent de perte dict par les proprits matrielles. Les courants de
shunt sont principalement dus la fuite courante le long des bords de la cellule, et ces effets
sont rduits au minimum en construisant le module dans un cadre de

bons isolateurs

lectriques [31].

III-4-2-2 Influence de la rsistance srie

Les figures (III-18, III-19) montrent linfluence de la rsistance srie sur la caractristique
I(V) et P(V) de la cellule photovoltaque.
La rsistance srie agit sur la pente de la caractristique dans la zone o la photodiode se
comporte comme un gnrateur de tension. Elle ne modifie pas la tension du circuit ouvert, et
lorsquelle est leve, elle diminue la valeur du courant de court circuit.
Laugmentation de la rsistance srie se traduit par une diminution de la pente de la
courbe de puissance.

Figure III-18 : Linfluence de la rsistance shunt (Rs) sur la caractristique I(V) dune cellule.

68

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Figure III-19 : Linfluence de la rsistance shunt (Rs) sur la caractristique P(V) dune cellule.

Pour permettre un ensemble cohrent de comparaisons pour un modle donn, la mme


condition de rfrence est choisie pour chaque modle, (la performance de la cellule solaire
est normalement value dans les conditions d'essai normalis (STC), o un spectre solaire
moyen de AM 1.5 est employ, lclairement est normalis 1000W/m, et la temprature de
25C).

Figure III-20: Caractristiques I-V pour les modles deux exponentielles.

69

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Figure III-21: Caractristiques P-V pour les modles deux exponentielles.

Figure III-22: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle.

Figure III-23: Caractristiques P-V pour les modles une exponentielle.

70

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Les figures (III-20, III-21) comparent entre les diffrents modles deux diodes et les
figures (III-22, III-23) son tour comparent les diffrents modles une diode pour une
2

temprature de rfrence de 25 C et un clairement de 1000 W/m .


Une comparaison entre les rsultats de simulation obtenus par ces modles et les rsultats
exprimentaux, Townsend [31] et R. Khezzar et al [30] nous a permis de tirer les conclusions
suivantes :
En comparant les modles 2M7P, 2M6P, et L5P on constate que leffet de la rsistance
parallle est ngligeable, par contre en ngligeant la rsistance srie dans le modle 2M5P et
le modle L3P, cela induit un loignement entre les rsultats exprimentaux et ceux du
modle. Ce qui montre limportance de la rsistance srie qui marque la diffrence entre les
diffrents modles. Les courbes I-V globales, obtenues par les modles L4P et 2M6P sont
plus prcises.

Figure III-24: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
G=250W/m.

Figure III-25: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
G=1000W/m.

71

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Figure III-26: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
T=75C et G=1000W/m.

Figure III-27: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
T=0C et G=1000W/m.

les figures (III-24), (III-25), (III-26) et (III-27) montrent que les rsultats obtenus par les
modles deux diodes (deux exponentielles) marquent un point important aux niveaux de la
zone o limpdance interne du gnrateur varie trs fortement de Rs Rsh (la zone 3 o se
situe le point de fonctionnement pour lequel la puissance fournie par le gnrateur est
maximale), la puissance fournie et la tension de circuit ouvert obtenues par ces modles sont
suprieures par rapport aux modles une diode quand les irradiations sont basses et la
temprature leve.
72

Chapitre III

Modlisation des cellules photovoltaques

Le modle deux diodes a un lger avantage, car il fait appel la recombinaison des
porteurs minoritaires dans le volume du matriau.(Les branches de chacune des diodes
reprsentent respectivement le courant de diffusion dans la base et lmetteur (Id1), et le
courant de gnration-recombinaison (Id2) dans la zone de charge despace de la jonction
(ZCE)).

III-6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons prsent les caractristiques lectriques fondamentales
dune cellule photovoltaque (module photovoltaque) et les circuits quivalents ont t
dcrits. Des modles mathmatiques de complexit variable ont t discuts (modlisation),
aussi bien que des critres pour choisir un modle convenablement dtaill. Nous avons vu
que la cellule PV prsente une caractristique I(V) non linaire dont il est possible de rsoudre
l'quation des caractristiques. Bien qu'il puisse tre possible de trouver la rponse par des
plusieurs mthodes, la mthode de Newton Raphson est choisie pour sa convergence rapide.
Six modles dune cellule photovoltaque ont t valus. Daprs les rsultats de simulation,
on peut dire que :
Les performances dune cellule photovoltaque sont dautant plus dgrades que Rs est
grande ou que Rsh est faible.
La reprsentation dune cellule photovoltaque par le circuit quivalent une ou deux
diodes semble correcte. Malgr a, le modle deux diodes prsente quand mme un lger
avantage, car il fait appel la recombinaison des porteurs minoritaires dans le volume du
matriau. Le modle deux diodes est trs bon si lon possde une quantit suffisante de
donnes exprimentales pour dterminer lensemble des paramtres.
Une comparaison entre ces modles a montr que le modle L4P combine entre la
simplicit et la prcision parce quil fournit des donnes qui sont comparables aux donnes
exprimentales [30,31].

73

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

IV-1 Introduction

Le photovoltaque a trouv son utilit dans des applications petites chelles et pour des
systmes de transmissions isols. Lnergie photovoltaque est une source dnergie
intressante. Elle est renouvelable, inpuisable et non polluante. Pour quelle soit utilise sur
une large plage dapplications et pour satisfaire les contraintes du cot, le systme devrait
prsenter une bonne exploitation des cellules photovoltaques. Pour cela, il faut extraire le
maximum de puissance du gnrateur PV.
La conception de systmes photovoltaques optimiss est par nature difficile. En effet,
ct source, pour un gnrateur photovoltaque, la production de puissance varie fortement en
fonction de lclairement, de la temprature, mais aussi du vieillissement global du systme.
Ces variables influenant le comportement du systme prsentent des fluctuations
quotidiennes et saisonnires. Pour ces raisons, le panneau photovoltaque ne peut fournir une
puissance maximale que pour une tension particulire et un courant bien dtermin ; ce
fonctionnement puissance maximale dpend de la charge ses bornes, que ce soit de nature
continue, ou bien alternative.
Pour que le gnrateur fonctionne le plus souvent possible dans son rgime optimal, la
solution communment adopte est alors dintroduire un convertisseur statique qui jouera le
rle dadaptateur source-charge. Pour des conditions donnes, cest au point de puissance
maximale de la caractristique puissance en fonction de la tension que lon exploite au mieux
la puissance crte installe. Ces points correspondent donc au point de puissance optimale,
terme traduisant le caractre relatif aux conditions dclairement et de temprature de la
puissance fournie [4].
En gnral, il y a beaucoup de modles mathmatiques simplifis permettant de
dterminer la puissance maximale fournie par un gnrateur photovoltaque en fonction des
variations de lirradiation solaire et la temprature ambiante, par exemple; Borowy et Salameh
(1996) [50], ont donn un modle simplifi, avec lequel la puissance maximale produite peut
tre calcule pour un certain module photovoltaque une fois lirradiation solaire sur le
module photovoltaque et la temprature sont dtermines. En 2002, Jones et Underwood [49]
ont propos un autre modle permettant de calculer la puissance lectrique maximale aux
bornes dun capteur photovoltaque. Cette dernire a un rapport rciproque avec la
temprature du module et elle a en plus une relation logarithmique avec lclairement solaire

74

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

absorb par le module photovoltaque. En outre, Jones et Underwood [49] ont donn le
modle thermique du module photovoltaque travers lvaluation de beaucoup de facteurs.
En 2004, Lu Lin [52] a propos un autre modle permettant de calculer la puissance
maximale fournie par un module photovoltaque pour un ensoleillement et une temprature du
module donns avec quatre paramtres constants dterminer exprimentalement.
Ltude bibliographique a fait ressortir quil existe deux approches concernant la
modlisation des capteurs photovoltaques. La premire ncessite deffectuer des mesures sur
le capteur une fois install. Cest le cas des modles de Sandia et Cenerg [49]. La deuxime
approche consiste se baser uniquement sur les donnes fournies par les constructeurs.
Ils font apparatre comme paramtre la temprature du module, qui nest autre que la
temprature de fonctionnement des cellules photovoltaques [49].
Dans ce chapitre, nous prsenterons dabord quatre modles mathmatiques simplifis
permettant de dterminer la puissance maximale en fonction des variations des conditions
mtorologiques (irradiation solaire et temprature ambiante).Ces modles sont bass aussi
sur les caractristiques techniques du module (donnes du constructeur), et puis nous
comparons les modles prsents.

IV-2 Calcul de la puissance maximale la sortie du module PV

IV-2-1 Modle de Borowy et Salameh (modle 1) [50]

En 1996, Borowy et Salameh ont propos un modle permettant de calculer la puissance


lectrique maximale aux bornes dun capteur photovoltaque. Ce modle est bas sur le circuit
quivalent une diode, figure (IV-1).

Figure IV-1 : Schma quivalent du modle une exponentielle.

Ce modle fait usage des spcifications des modules PV offertes par les fabricants, donc
il offre une faon trs simple de calculer la puissance produite par les modules PV [49, 50,].
75

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

Les formules pour calculer le point optimum de tension et le courant sous des conditions
arbitraires sont montres comme suit :
   1
. 


  
 .

1  

(IV-1)

Avec :

 : est le courant maximum correspondant au point de fonctionnement du module de PV


Icc : le courant de court circuit du module
Vco : la tension du circuit ouvert du module
C1 et C2 sont des paramtres qui peuvent tre calculs par lquation (IV-2) et (IV-3)
respectivement.

 1

" 





 . 

!

 .

# # $

&'( $  )

(IV-2)

(IV-3)

* : le courant maximal sous conditions standards (G=1000W/m2, T=25C)


+* : la tension maximale du module sous conditions standards

La tension Vmax du module est dtermine par lquation suivante :


2

+  +* 1  0.0539. 01 2   45 . 6 78 . 


3

(IV-4)

Avec :
G : clairement solaire incident sur un plan inclin (W/m2).

95 : coefficient du courant en fonction de la temprature (A/C)

45 : le coefficient de la tension en fonction de la temprature (V/C)

G0 : lirradiation solaire de rfrence sous conditions standards, ( 1000W/m" )


La rsistance srie Rs est due la contribution des rsistances de base et du front de la
jonction et des contacts des faces avant et arrire du panneau photovoltaque.

, est un paramtre qui dpend de la diffrence de temprature et de lclairement solaire. Il

est dfini par quation (IV-5).


76

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV


2

  95 . 2  . 6  2 1 . 
3

Avec :

(IV-5)

6  6 65

(IV-6)

T0 = 6_?@A : la temprature de cellule la condition de rfrence


Tc : temprature de la cellule, qui varie en fonction de lclairement et de la temprature
ambiante, selon la relation linaire suivante :
6  6  (BCD
6 20F/800). H

(IV-7)

Ta : temprature ambiante
NOCT : temprature nominale de fonctionnement de la cellule solaire (Nominal Operating
Cell Temperature). Elle est dfinie comme tant la temprature de la cellule, si le module est
soumis sous certaines conditions comme lclairement solaire (800 W/m2), la distribution
spectrale (AM 1.5), la temprature ambiante (20 C) et la vitesse de vent (> 1m/s);
Alors la puissance optimale la sortie dun module est dtermine par :
I   . +

(IV-8)

Pour un nombre de modules sries Ns et Np parallles, la puissance maximale produite est


dtermine par :

I  C8 . C* .  . +

(IV-9)

IV-2-2 Modle de Jones et Underwood (modle 2) [51]

En 2000, Jones et Underwood [51].ont propos un autre modle permettant de calculer la


puissance lectrique maximale aux bornes dun capteur photovoltaque. La puissance
maximale est donne par relation suivante :
2

&'BM .2F O

I"  JJ.  . 2  . +KL . &'BM N.2 F . O3 


3

77

(IV-10)

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

O K1 est un coefficient constant, qui peut tre calcul par la formule suivante :

P 


23

(IV-11)

Avec :
FF : facteur de forme
Le "facteur de forme" (fill factor) est le rapport entre la puissance maximale que peut
fournir un module photovoltaque et la puissance quil est thoriquement possible dobtenir
(puissance optimale).

JJ 

Q

# .

# .

# .

(IV-12)

Avec :

Pmp : la puissance maximale sous conditions mtorologiques standards (H  1000W/m" ,


T=25C)

IV-2-3 Modle de benchmark (modle 3) [52]

Ce modle a t labor et valid exprimentalement par Lu Lin en 2004 [52], il nous


permet de dterminer la puissance maximale fournie par un module PV pour un
ensoleillement et une temprature du module donns, avec seulement quatre paramtres
constants positifs dterminer, a, b, c et d, qui peuvent tre connus exprimentalement, plus
un systme dquations simple rsoudre rsultant en un ensemble de points de mesures
suffisamment tendu [52, 49].
IR  BS. H  TF. 6  U. H  V

(IV-13)

Avec :
Pmax3 : puissance maximale produite (W)

Selon des mesures exprimentales effectues sur un module BP Solar de 340 W, les
constantes a, b, c et d sont gales, respectivement 0.0002, 0.0004, 0.1007 et 0.1018 [52].

78

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

IV-2-4 Modle de puissance Ente/Sortie (modle 4)

IV-2-4-1 Puissance lentre du champ photovoltaque

Lnergie produite par un gnrateur photovoltaque est estime partir des donnes de
lirradiation globale sur un plan inclin, de la temprature ambiante et des donnes du
constructeur pour le module photovoltaque utilis.
La puissance lentre Pe du champ PV est donne par [53] :
I@  W. C. H

(IV-14)

Avec :
S: la surface du module photovoltaque (m2)
G : lirradiation solaire sur un plan inclin (W/m2)
N : le nombre de module constituant le champ photovoltaque

Le rendement maximum XY de conversion du champ photovoltaque est donn par la

relation suivante :

XY 

QZ
2.[.\

(IV-15)

Le rendement nest pas constant, il dpend de la temprature T et du rayonnement, la


relation du rendement est [53, 54]:

XY  X5 . X2 . X O

(IV-16)

Avec

X5 : Rendement de rsistance des modules constituants le champ photovoltaque sous


conditions standards (Tc=25C, G0=1000W/m2)

X2 : Facteur de correction du rendement du champ du rayonnement, dfini par :


X2  S]

^_

23

(IV-17)

S` et T` sont des valeurs dtermines exprimentalement (S`=1.059 et T`=31.444W/m2)

X O : Facteur de correction du rendement du la temprature de jonction, dfini par :


79

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

X O  1 aB6U 60 F

(IV-18)

Avec :

a : coefficient du rendement de temprature (C) dtermin exprimentalement, il est dfini


comme tant la variation du rendement du module pour une variation de 1C de la
temprature de la cellule. Les valeurs typiques de ce coefficient se situent entre 0.004 et 0.006
(C) [48, 53].

IV-2-4-2 La puissance la sortie du champ photovoltaque


La puissance la sortie (I8  Ib ) du champ photovoltaque est donne par la relation
suivante [54]:

Ib  XY . I@  XY . H. W. C

(IV-19)
Do :

Ib  X5 . X2 B1 aB6 65 F F. H. W. C

(IV-20)

Lintrt de ce modle rside dans sa simplicit et sa facilit de mise en uvre partir


des caractristiques techniques donnes par le constructeur dans les conditions standards (la
puissance totale, la tension en circuit ouvert (Vco), le courant de court-circuit (Icc) et la surface
du panneau).

IV-3 Etude comparative

Aprs la prsentation des quatre modles mathmatiques, nous avons dvelopp un


programme informatique script sous Matlab de telle faon que chacun de ces programmes de
calcul peut dlivrer lerreur relative commise en fonction de la temprature du module entre
les valeurs estimes par le modle dessai de Lu lin et celles estimes par les autres modles
traits dans le but de synthtiser les rsultats et de faire une tude comparative.
Le module PV utilis est BP Solar 340 constitu de 36 cellules connectes en srie [50],
les caractristiques du module sous les conditions standards sont donnes dans le chapitre III.

80

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

Figure IV-2 : Puissance maximale en fonction de la temprature, G = 300 W/m2.

Figure IV-3 : Puissance maximale en fonction de la temprature, G = 500 W/m2.

Figure IV-4 : Puissance maximale en fonction de la temprature, G = 900 W/m2.


81

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

Figure IV-5 : Puissance maximale en fonction de la temprature, G = 1000 W/m2.

IV-4 Interprtation des rsultats

Les tudes sont effectues pour plusieurs valeurs de lclairement solaire savoir 300
W/m2, 500 W/m2, 900 W/m2 et 1000 W/m2. Les rsultats qui sont prsents sur les figures
(IV-2), (IV-3), (IV-4) et (IV-5) donnent la variation de la puissance maximale en fonction de
la temprature du module photovoltaque. On remarque, que la puissance maximale dlivre
est inversement proportionnelle la temprature du module PV pour les modles 2, 3 et 4.
Pour le premier modle, la puissance augmente partir de la temprature 280 K jusqu'
atteindre un point maximal correspondant une temprature de 300 K pour la figure (IV-2)
puis chute dune manire linaire. On constate le mme comportement pour les figures (IV3), (IV-4) et (IV-5) mais les puissances maximales obtenues sont diffrentes suivant les
valeurs des irradiations.
Le tableau ci-dessous donne les valeurs de la puissance maximale obtenues pour chaque
modle du module photovoltaque pour diffrentes irradiation :

82

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

Irradiation (W /m)

300

500

900

1000

Puissance maximale du module PV (W)


Puissance maximale du Modle 1

11.000 19.450 35.659 40.031

Puissance maximale du Modle 2

8.894

Puissance maximale du Modle 3

13.392 22.352 40.152 44.540

Puissance maximale du Modle 4

13.241 22.155 39.966 44.331

18.431 37.659 42.383

Le tableau IV-1 : La puissance maximale obtenue pour chaque modle du module PV pour diffrentes
Irradiations.

Les rsultats reprsents dans le tableau IV-1 montrent que la puissance dlivre par le
modle 3 est plus importante par rapport aux autres modles (Modles 1et 2), car il donne un
rsultat porche de celui donn par le constructeur dans les conditions normales (Puissance de
40W).
De plus, si on compare les rsultats des modles 3 et 4 on remarque que ces deux
modles donnent des rsultats comparables pour diffrentes

valeurs de tempratures et

dirradiations.
En considrant que le modle 3 est semi empirique dont les coefficients sont dtermins
exprimentalement, en plus de sa caractristique linaire par rapport la temprature et
lclairement, il est considr comme tant le modle de rfrence pour comparer les
diffrents modles.
Les figures (IV-6) (IV-11) reprsentent les erreurs relatives de la puissance pour chaque
valeur de lclairement solaire par rapport au modle exprimentale de rfrence [52].

83

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

Figure IV-6 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 300 W/m2.

Figure IV-7 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 500 W/m2.

Figure IV-8 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 900 W/m2.
84

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

Figure IV-9 : Zoom- Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 900 W/m2.

Figure IV-10 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 1000 W/m2.

Figure IV-11 : Zoom- Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 1000 W/m2.

85

Chapitre IV

valuation de la puissance maximale produite par un gnrateur PV

En analysant ces rsultats, on peut dresser les remarques suivantes :


Les rsultats de simulation du modle 4 sont en trs bon accord avec le modle de
rfrence. De plus, lerreur est linaire en fonction de la temprature et de lclairement, cette
erreur ne dpasse pas 0.5% dans tous les cas.
Le modle 1 donne des rsultats trs loigns par rapport au modle de rfrence surtout
pour des faibles tempratures o lerreur dpasse 25%. Lorsque lclairement solaire est
suprieur 900W/m et des tempratures entre 300K et 330K lerreur devient faible.
Lerreur relative au modle 2 est considrable, surtout pour des faibles clairements (elle
varie entre 20% et 35% pour G=300W/m), ceci peut tre expliqu par lutilisation du
coefficient FF (facteur de forme) dans la formule en donnant la puissance maximale.

IV-5 Conclusion

Le dimensionnement dune installation photovoltaque revient dterminer le nombre


ncessaire des modules solaires constituants le champ photovoltaque dans le but dopter pour
un systme photovoltaque suffisant afin de couvrir les besoins et la capacit de charge de la
batterie. Pour avoir un dimensionnement optimal, il nous est apparu indispensable dutiliser
un modle mathmatique cohrent. A cet effet, nous avons prsent dans ce chapitre,
quelques modles mathmatiques permettant de calculer la puissance dlivre par le module
solaire photovoltaque. Nous avons ensuite, compar les autres modles, dans le but
primordial est de dduire le meilleur ou le plus optimal au modle base sur des essais [52].
Daprs les rsultats de la simulation numrique, nous avons constat que les valeurs
dlivres par le modle 4 sont en trs bon accord avec le modle de rfrence. De plus,
lerreur est linaire en fonction de la temprature et de lclairement. Le modle 1 donne des
rsultats avec moins derreurs quand lirradiation solaire est suprieure ou gale 900W/m2
et une temprature suprieure 27C. Donc on peut dire que le modle de Borowy et Salameh
peut tre recommand dans le cas o lirradiation solaire est trs leve et la temprature de
la cellule est suprieure 27 C. Le modle 2 donne une grande erreur surtout quand
lirradiation solaire est trs basse. Il est donc trs difficile de se prononcer sur lexactitude de
tel ou tel modle en labsence de rsultats exprimentaux fiables. Cest pour cette raison que
nous recommandons de refaire ce travail et de ne comparer les rsultats des modles aux
rsultats quon doit obtenir sur un banc dessais maintenant disponible au niveau du
laboratoire des Technologies Avances de Gnie Electrique (LATAGE).

86

Conclusion gnrale

Conclusion gnrale

Les travaux prsents dans ce mmoire concernent la modlisation dun systme de


production dlectricit photovoltaque. Ltude est base sur la comparaison de plusieurs
modles simple diode et double diodes pour la dtermination des caractristiques I(V) et
P(V) dun systme de panneaux photovoltaques.
En effet, pour la conception des systmes photovoltaques, la donne la plus utile
concernant les relevies mensuels du rayonnement global reu par un panneau photovoltaque
solaire, ce dernier inclin par rapport lhorizontal dun angle correspondant la latitude du
lieu pour favoriser la captation de lnergie solaire.
La cellule solaire se comporte comme un gnrateur dont la tension ses bornes et le
courant quil dbite reprsentent la caractristique I(V). Cette caractristique est influence
par plusieurs facteurs tels que : la temprature, le flux lumineux, la rsistance shunt, la
rsistance srie. On a constat daprs les rsultats obtenus dans le deuxime chapitre que
dans lassociation des cellules en srie, pour un courant constant ; la tension augmente, et
dans lassociation des cellules en parallle, pour une tension constante ; le courant augmente.
Le fonctionnement dune cellule solaire est rgi par un modle dduit partir dun circuit
lectrique quivalent, on rencontre dans la littrature plusieurs modles en particulier les
modles simple diode et les modles double-diodes que leurs prcisions restent tributaire de la
modlisation mathmatique des diffrents phnomnes physiques intrinsques intervenant
dans le processus de production dlectricit. La modlisation de ces dernires simpose
comme une tape cruciale et conduit une diversification dans les modles proposs par les
diffrents chercheurs. Leurs diffrences se situent principalement dans le nombre de diodes, la
rsistance shunt finie ou infinie, le facteur didalit constant ou non. Nous avons vu que la
cellule PV prsente une caractristique I(V) non linaire, pour la rsolution nous avons utilis
la mthode de Newton Raphson par souci de convergence et de non complexit. Les rsultats
de comparaison montrent que la rsistance srie marque la diffrence entre les diffrents
modles et que le modle quatre paramtres (L4P) combine entre la simplicit et la
prcision et prsente le choix que nous estimons le plus intressant. Dans ce modle, leffet de
la rsistance shunt est nglig du fait que sa valeur est importante.

87

Conclusion gnrale

Dans une seconde phase, nous nous sommes intresss la puissance maximale quon
peut extraire dun panneau photovoltaque
En effet, la production dnergie lectrique laide de panneau photovoltaque prsente
un point optimum de fonctionnement, c'est--dire, quil existe une tension aux bornes du
gnrateur pour laquelle la puissance rcolte est maximale. Ce point optimum a une
particularit de varier avec lclairement et la temprature. Nous avons prsent quatre
modles mathmatiques permettant de calculer la puissance maximale la sortie du module
photovoltaque en fonction des conditions mtorologiques (Eclairement solaire et
temprature du module).Selon les rsultats de comparaison et les remarques cites, on peut
dire que le modle 1 et 2 peuvent tre appliqus avec exactitude dans les applications
pratiques pour les conditions normales (Eclairement de 1000 W/m, masse optique: AM 1.5,
Temprature de cellule: 25 C), et que le modle 4 est le plus optimal car il donne les plus
petites erreurs compar au modle de rfrence qui se base sur les donnes exprimentales et
cela pour les difrents valeurs dclairement et de la temprature. De plus, cette erreur est
linaire.
Cependant, il nous est tris difficile de conclure sur lexactitude dun tel ou tel modle en
labsence de donnes exprimentales fiables. Cest pour cela quon recommande de faire les
essais sur les panneaux solaires installs au niveau du laboratoire des Technologies Avances
de Gnie Electrique (LATAGE) et de comparer les

rsultats exprimentaux aux rsultats

des modles quon peut reproduire facilement en excutant les programmes que nous avons
dvelopps sous MATLAB.

88

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Annexe

Annexe 1
Diagramme ci-dessous rsumant les tapes de calculs pour obtenir le diagramme solaire
pour une latitude donne

Diagramme solaire
Reprsentation plane en coordonnes rectangulaires de la trajectoire du soleil dans le ciel.
Les coordonnes utilises sont la hauteur et lazimut solaire, qui dfinissent univoquement la
position du soleil en un instant prcis.

Annexe

Annexe 2
Exemple de chaine de production de cellules photovoltaques en silicium

Mthode graphique de dtermination du niveau de Fermi dun semi-conducteur (daprs


Shockley, Electrons and holes in semiconductors, van Nostrand, Princeton, 1950).

Annexe

Annexe 3

Caractristiques I(V) et P(V) pour les modles deux exponentielles [30]

Caractristiques I(V) et P(V) pour les modles une exponentielles [30]

Caractristiques I(V) pour les modles une exponentielles deux exponentielles [31]

Rsume

Rsum : Lutilisation des nergies renouvelables connu ces dernires annes un


dveloppement considrable. Llment de base de cette nergie est la cellule photovoltaque
qui t lobject de plusieurs dans plusieurs laboratoires de recherche.
En effet, plusieurs modles de la cellule ont t dveloppes et rapports dans la
littrature spcialise.de plus plusieurs modles calculant la puissance fournie par cette cellule
est disponibles.
Le but du travail prsent dans ce mmoire de magister se rsume en deux points :
Etude comparative des plusieurs modles caractriseront la cellule photovoltaque
et linfluence des paramtres extrieures telles que, la temprature et lirradiation.
Etude comparative des plusieurs modles qui permettent de calcule la puissance
fournie par photopile.

Mots-cls : Cellule photovoltaque, Modles, Puissance photovoltaque.