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ELN Microelectronique
ELN Microelectronique
HARMONISATION
OFFRE DE FORMATION
MASTER ACADEMIQUE
2016 - 2017
Sciences
et Electronique Microlectronique
Technologies
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2017-2016
Page |3
Conditions daccs
(Indiquer les spcialits de licence qui peuvent donner accs au Master)
Semestre 1
Volume horaire
Matires Volume Travail Mode dvaluation
Coefficient
hebdomadaire
Crdits
Unit Horaire Complmentaire
d'enseignement Semestriel en Consultation Contrle
Intitul Cours TD TP (15 semaines) (15 semaines) Examen
Continu
UE Fondamentale Physique des composants
Code : UEF 1.1.1 6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60%
semiconducteurs 1
Crdits : 10
Coefficients : 5 Couches minces 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
UE Fondamentale Procds dlaboration des
4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Code : UEF 1.1.2 dispositifs semiconducteurs
Crdits : 8 Conception des circuits intgrs
Coefficients : 4 analogiques
4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Semestre 2
Volume horaire
Matires Volume Travail Mode dvaluation
Coefficient
hebdomadaire
Crdits
Unit Horaire Complmentaire
d'enseignement Semestriel en Consultation Contrle
Intitul Cours TD TP (15 semaines) (15 semaines) Examen
Continu
Semestre 3
Volume horaire
Matires Volume Travail Mode dvaluation
Coefficient
hebdomadaire
Crdits
Unit Horaire Complmentaire
d'enseignement Semestriel en Consultation Contrle
Intitul Cours TD TP (15 semaines) (15 semaines) Examen
Continu
Six matires (de dcouverte) dans le Rfrentiel des Matires du Master Microlectronique
(Tableau ci-dessus) sont laisses au libre choix des tablissements qui peuvent choisir
indiffremment leurs matires parmi la liste prsente ci-dessous en fonction de leurs
priorits.
A titre dexemple, une proposition du CPND pour le choix des matires est fournie ci-dessous
avec les programmes dtaills pour les semestres 1 & 2.
Autres matires laisses au libre choix des tablissements (programmes ouverts aprs
validation du CPND)
Semestre 4
Stage en entreprise sanctionn par un mmoire et une soutenance.
Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.1
Matire 1: Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30)
Crdits: 6
Coefficient: 3
Objectifs de lenseignement:
Connatre les phnomnes physiques se manifestant dans les matriaux semiconducteurs qui sont
utiliss pour raliser les composants de la microlectronique. Comprendre le principe de
fonctionnement des composants lectroniques de base : jonction PN, diode Schottky, JFET.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Universit, 1998
2. H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6e dition, Cours et
exercices corrigs, Dunod 2009
3. P. Leturcq, Physique des composants actifs semiconducteurs, Dunod 1978
4. H. Ng, Introduction la physique des semiconducteurs. Cours et exercices corrigs, Dunod
5. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
6. A. Vapaille, Physique des dispositifs semiconducteurs, Masson 1970
7. B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
8. J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
9. D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill, 2003
10. A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
11. M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
12. C. Ng et H. Ng, Physique des semi-conducteurs, 4e dition, Dunod.
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.1
Matire 2: Couches minces
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Apprendre ltudiant lessentiel sur la fabrication des couches minces, leurs proprits ainsi que les
mthodes dveloppes pour leur caractrisation.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. Emmanuel Defa, Intgration des couches minces ferrolectriques et pizolectriques, Editions
Wiley, 2011
2. Kurt Randerath, Chromatographie sur couches minces
3. A. Richardt, A.M.Durand, Les couches minces, les couches dures, dition In Fine 1994
4. A. Cornet, Physique et ingnierie de surfaces, EDP Sciences 1998
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.2
Matire 3: Procds dlaboration des dispositifs semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Aborder l'ensemble des tapes technologiques en dtaillant pour chacune d'elles les mcanismes
physico-chimiques mis en jeu, les prcautions qu'elles ncessitent et les contraintes ventuellement
qu'elles imposent vis--vis des autres tapes.
Contenu de la matire:
- Historique et Gnralits sur les semiconducteurs (Couches minces, technologie planaire, caissons
disolement ...).
- Du sable la plaquette de silicium.
- Le tirage et la croissance des semiconducteurs.
- Techniques de nettoyage.
- Oxydation par voie humide et sche.
- Dpt de matriau: pitaxie, pulvrisation cathodique, dpt chimique en phase vapeur.
- Dopage: diffusion, implantation ionique.
- Photolithographie.
- Gravure chimique, gravure physique, polissage mcano-chimique.
- Mtallisation, passivation.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. R. Levy, Microelectronic Materials and Processes.
2. C. Grovenor, Microelectronic materials.
3. G. Rebeiz, RF MEMS, theory, Design, and Technologies, Wiley.
4. Mohamed Gad-el-Hak, MEMS Introduction and Fundamentals. The MEMS Handbook, 2nd Ed.
5. J. Ramsden, Nanotechnology, an introduction, Elsevier.
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.2
Matire 4: Conception des circuits intgrs analogiques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Matriser le Design Flow de la conception des circuits intgrs analogiques
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40 % ; Examen: 60 %.
Rfrences bibliographiques:
1. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
2. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Design
3. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
4. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 1: TP Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 2: TP Conception des CI intgrs analogiques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100 %
Rfrences bibliographiques:
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 3: TP proprits optiques des SC
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques:
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 4: Programmation orient objet en C++
VHS: 37h30 (Cours : 1h30, TP: 1h00)
Crdits: 3
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement :
Apprendre ltudiant les fondements de base de la programmation oriente objets ainsi que la
maitrise des techniques de conception des programmes avancs en langage C++.
Connaissances pralables recommandes :
Programmation en langage C.
Contenu de la matire :
Chapitre 1. Introduction la programmation oriente objets (POO) (2 semaines)
Principe de la POO, Dfinition et Mise en route de langage C++, Le noyau C du langage C++.
Chapitre 2. Notions de base (2 semaines)
Les structures de contrle, Les fonctions, Les tableaux, La rcursivit, Les fichiers, Pointeurs, Pointeurs
et rfrences, Pointeurs et tableaux, L'allocation dynamique.
Chapitre 3. Classes et objets (3 semaines)
Dclaration de classe, Variables et mthodes d'instance, Dfinition des mthodes, Droits d'accs et
encapsulation, Sparations prototypes et dfinitions, Constructeur et destructeur, Les mthodes
constantes, Association des classes entre elles, Classes et pointeurs.
Chapitre 4. Hritage et polymorphisme (3 semaines)
Hritage, Rgles d'hritage, Chanage des constructeurs, Classes de base, Prprocesseur et directives
de compilation, Polymorphisme, Rgles suivre, Mthodes et classes abstraites, Interfaces,
Traitements uniformes, Tableaux dynamiques, Chanage des mthodes, Implmentation des mthodes
virtuelles, Classes imbriques.
Chapitre 5. Les conteneurs, itrateurs et foncteurs (3 semaines)
Les squences et leurs adaptateurs, Les tables associatives, Choix du bon conteneur, Itrateurs : des
pointeurs boosts, La pleine puissance des list et map, Foncteur : la version objet des fonctions, Fusion
des deux concepts.
Chapitre 6. Notions avances (2 semaines)
La gestion des exceptions, Les exceptions standard, Les assertions, Les fonctions templates, La
spcialisation, Les classes templates.
Mode dvaluation :
Contrle continu : 40% ; Examen : 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. Bjarne Stroustrup (auteur du C++), Le langage C++, Pearson.
2. Claude Delannoy, Programmer en langage C++, 2000.
3. Bjarne Stroustrup, Le Langage C++, dition (2000) ou Pearson Education France (2007).
4. P.N. Lapointe, Pont entre C et C++ (2me dition), Vuibert, Edition 2001
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Semestre : 1
Unit denseignement : UED 1.1
Matire : Matire 1 au choix
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
Semestre : 1
Unit denseignement : UED 1.1
Matire : Matire 2 au choix
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
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Semestre : 1
Unit denseignement : UET 1.1
Matire : Anglais technique et terminologie
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Initier ltudiant au vocabulaire technique. Renforcer ses connaissances de la langue. Laider
comprendre et synthtiser un document technique. Lui permettre de comprendre une conversation
en anglais tenue dans un cadre scientifique.
Contenu de la matire:
- Expression orale : Expos d'un sujet scientifique ou technique, laboration et change de messages
oraux (ides et donnes), Communication tlphonique, Expression gestuelle.
- Expression crite : Extraction des ides dun document scientifique, Ecriture dun message
scientifique, Echange dinformation par crit, rdaction de CV, lettres de demandes de stages ou
d'emplois.
Mode dvaluation:
Examen: 100%.
Rfrences bibliographiques :
- P.T. Danison, Guide pratique pour rdiger en anglais: usages et rgles, conseils pratiques, Editions
d'Organisation 2007
- A. Chamberlain, R. Steele, Guide pratique de la communication: anglais, Didier 1992
- R. Ernst, Dictionnaire des techniques et sciences appliques: franais-anglais, Dunod 2002.
- J. Comfort, S. Hick, and A. Savage, Basic Technical English, Oxford University Press, 1980
- E. H. Glendinning and N. Glendinning, Oxford English for Electrical and Mechanical Engineering,
Oxford University Press 1995
- T. N. Huckin, and A. L. Olsen, Technical writing and professional communication for nonnative
speakers of English, Mc Graw-Hill 1991
- J. Orasanu, Reading Comprehension from Research to Practice, Erlbaum Associates 1986
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Semestre: 1
Unit denseignement: UED 1.1
Matire 1: Technologie du vide et Salle blanche
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crdits: 1
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Familiarisation avec les exigences dune salle blanche : accs, quipements, produits chimiques,
Contenu de la matire:
- Techniques du vide : terminologie du vide, pompes vide, Jauge vide, enceintes vide,
- Gnralits sur la conception de salle blanche
- Types de salle blanche et normes internationales
- Filtration de lair
- Techniques dultrapurification des salles blanches
- Production deau dsionise
- Rgles daccs une salle blanche
- Rgles dutilisation des produits chimiques dangereux (Acides, bases, solvants,)
- Prsentation gnrale des quipements de la salle blanche
- Procds Technologiques : procd de nettoyage standard, oxydation, talement de la rsine,
photolithographie,
Mode dvaluation:
Examen: 100%.
Rfrences bibliographiques:
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Semestre: 1
Unit denseignement: UED 1.1
Matire 2: Biomatriaux
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crdits: 1
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Comprhension des concepts de biocompatibilit et de bio fonctionnalit des matriaux.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Examen: 100%.
Rfrences bibliographiques:
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.1
Matire 1: Physique des composants semiconducteurs 2
VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30)
Crdits: 6
Coefficient: 3
Objectifs de lenseignement:
Connatre les phnomnes physiques se manifestant dans les matriaux semiconducteurs qui sont
utiliss pour raliser les composants de la microlectronique. Comprendre le principe de
fonctionnement des composants lectroniques de base : transisistors bipolaire, structure MIS,
transsistor MESFET, MOSFET et les composants optolectroniques.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
13. J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Universit, 1998
14. H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6e dition, Cours et
exercices corrigs, Dunod 2009
15. P. Leturcq, Physique des composants actifs semiconducteurs, Dunod 1978
16. H. Ng, Introduction la physique des semiconducteurs. Cours et exercices corrigs, Dunod
17. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
18. A. Vapaille, Physique des dispositifs semiconducteurs, Masson 1970
19. B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
20. J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
21. D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill, 2003
22. A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
23. M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
24. C. Ng et H. Ng, Physique des semi-conducteurs, 4e dition, Dunod.
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.1
Matire 2: Outils de simulation
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1.
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.2
Matire 3 : Techniques de caractrisation des dispositifs semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Un aspect important dans lvaluation de la qualit du matriau et de la fiabilit dun composant
lectronique est le dveloppement et lutilisation de techniques de caractrisation rapides, non-
destructives et prcises afin de dterminer les paramtres essentiels. Pour ce faire, amener ltudiant
comprendre le principe des techniques de caractrisation et leur intrt dans le domaine des
dispositifs semiconducteurs. Dterminer la (ou les) mthode(s) de caractrisation appliquer sur un
chantillon semiconducteur afin den extraire les proprits fondamentales souhaites.
Contenu de la matire:
Chapitre 1: Introduction
Intrt de ltude des techniques de caractrisation, diffrents types de techniques et leur
classification, leur rle dans ltude des dispositifs microlectroniques semiconducteurs.
2. Caractrisation par C-V mtrie dune structure MIS : Etude thorique de la structure MIS
idale, notion de tension de bandes plates, diffrence des travaux de sortie Mtal/SC ;
Structure MOS relle, prsence de charges dans loxyde et influence sur la tension de bandes
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plates. Notions de base sur ltude dune structure capacitive, influence de la polarisation de
grille sur linterface Oxyde/SC : rgimes daccumulation, de dpltion et dinversion.
3. Etude de la rponse C(V) en statique, puis en dynamique (BF et HF) : extraction des
paramtres fondamentaux lissue de la caractrisation.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.2
Matire 4: Dispositifs Photovoltaques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Cette matire prsente un cours qui explique les cellules solaires depuis la physique des
semiconducteurs jusquau fonctionnement des modules photovoltaques. Les diffrentes filires base
des semiconducteurs ordonns et dsordonns utiliss dans les cellules solaires sont galement
traites. Les aspects socio-conomiques et environnementaux du photovoltaque sont abords.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 1: TP Physique des composants semiconducteurs 2
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 2: TP Outils de simulation
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Consolider par la pratique les concepts thoriques appris en cours.
Contenu de la matire:
Est expose ci-dessous une liste de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les quipes de formation
sont pries de raliser au moins 4 TPs (voire plus, si cela est possible) en fonction de la disponibilit des
logiciels. Par ailleurs, il est permis de rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres
TPs en relation avec la matire. Prcision : Tout changement apport cette liste doit tre signal au
CPND de manire en faire profiter les autres tablissements.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques :
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 3: TP Caractrisation des dispositifs SC / TP Dispositifs Photovoltaques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Acqurir des notions fondamentales et thoriques sur les diffrentes techniques de caractrisation
lectrique des matriaux semiconducteurs.
Au moyen de Travaux Pratiques mis en uvre sous environnement technologique et lectrique
utilisant le TCAD (Technology Computer Aided Design)- Silvaco (ATHENA-ATLAS), ltudiant simule et
dtermine les caractristiques et les paramtres lectriques des structures tudies.
Contenu de la matire:
Sont exposes ci-dessous deux listes de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les quipes de
formation sont pries de choisir entre 2 et 4 TPs (voire plus, si cela est possible) de chaque liste en
fonction de la disponibilit des quipements tant matriels que logiciels. Par ailleurs, il est permis de
rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec la matire.
Prcision : Tout changement apport ces listes doit tre signal au CPND de manire en faire profiter
les autres tablissements.
TP Dispositifs Photovoltaques
TP 0 : Simulation analytique avec PSPICE (diodes, BJT, MOS,)
TP 1 : Simulation numrique avec PC-1D de cellules photovoltaques, photodiode, phototransistor)
TP 2 : Simulation numrique avec AFORS-HET des htrojonctions, surfacephotovoltage (ID-SPV, VD-
SPV, WD-SPV), quasisteady-state photoconductance (QSSPC), impedance (IMP, ADM, C-V, C-T, C-f) et
photo-electro-luminescence (PEL)
TP 3 : Caractrisation cellule solaire
TP 4 : Optimisation des paramtres de sortie d'une cellule solaire base de silicium monocristallin
avec PC1D
TP 5 : Caractrisation d'un module photovoltaque.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
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Rfrences bibliographiques :
5. P.N. Favennec, Technologies pour les composants semiconducteurs, Masson, Paris, 1996.
6. D. K. Schroder, Semiconductor Material Device Characterization, 2nd Edition, a Wiley-Interscience
Publication, John Wiley & Sons, INC.
7. S. Dusausay, Comprendre lElectronique par la Simulation, 43 circuits simuls & rappels de cours.
Vuibert.
8. Atlas users Manual: Device Simulation Software. Santa Clara, 2013.
9. Athena users Manual: Device Simulation Software. Santa Clara, 2013.
10. Site :http://www.silvaco.com
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 4: Conception des circuits intgrs analogiques MOS
VHS: 37h30 (Cours: 1h30, TP: 1h00)
Crdits: 3
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Matriser le Design Flow de la conception des circuits intgrs analogiques.
Contenu de la matire:
Est expose ci-dessous une liste de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les quipes de formation
sont pries de raliser au moins 4 TPs (voire plus, si cela est possible) en fonction de la disponibilit des
logiciels. Par ailleurs, il est permis de rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres
TPs en relation avec la matire. Prcision : Tout changement apport cette liste doit tre signal au
CPND de manire en faire profiter les autres tablissements.
TP1 : Initiation au logiciel Pspice : Simulation et analyse des caractristiques dun transistor MOS.
TP2 : Simulation et analyse dun amplificateur source commune.
TP3 : Simulation et analyse dune source de courant.
TP4 : Simulation et analyse dun amplificateur diffrentiel.
TP5 : Initiation au logiciel Microwind : Dessin de masques : (rsistance, transistor MOS, amplificateur
diffrentiel).
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Mode dvaluation:
Contrle continu: 40 % ; Examen: 60 %.
Rfrences bibliographiques:
1. R. Jacob Baker, CMOS Circuit Design, Layout and Simulation, Wiley, 3rd ed., 2010
2. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
3. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Desig
4. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
5. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
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Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Matire 3 au choix
VHS : 22h30 (cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Matire 4 au choix
VHS : 22h30 (cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
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Semestre : 2
Unit denseignement : UET 1.2
Matire : thique, dontologie et proprit intellectuelle
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Dvelopper la sensibilisation des tudiants aux principes thiques. Les initier aux rgles qui rgissent
la vie luniversit (leurs droits et obligations vis--vis de la communaut universitaire) et dans le
monde du travail. Les sensibiliser au respect et la valorisation de la proprit intellectuelle. Leur
expliquer les risques des maux moraux telle que la corruption et la manire de les combattre.
Aucune
Contenu de la matire :
A- Ethique et dontologie
1. Introduction
1. Dfinitions : Morale, thique, dontologie
2. Distinction entre thique et dontologie
2. Charte de lthique et de la dontologie du MESRS : Intgrit et honntet. Libert
acadmique. Respect mutuel. Exigence de vrit scientifique, Objectivit et esprit critique.
Equit. Droits et obligations de ltudiant, de lenseignant, du personnel administratif et
technique.
3. Ethique et dontologie dans le monde du travail
Confidentialit juridique en entreprise. Fidlit lentreprise. Responsabilit au sein de
lentreprise, Conflits d'intrt. Intgrit (corruption dans le travail, ses formes, ses
consquences, modes de lutte et sanctions contre la corruption)
B- Proprit intellectuelle
3. Brevet
Dfinition. Droits dans un brevet. Utilit dun brevet. La brevetabilit. Demande de brevet en
Algrie et dans le monde.
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire 3: Gestion des dchets lectriques et lectroniques
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Connaitre les grands principes relatifs llimination des dchets et la rcupration des matriaux.
Prvenir (ou rduire) la production et la nocivit des dchets, notamment en agissant sur la
fabrication et sur la distribution des produits. Savoir comment organiser le transport des dchets et le
limiter. Savoir valoriser les dchets par remploi, recyclage ou toute autre action visant obtenir
partir des dchets des matriaux rutilisables et connaitre les effets sur l'environnement et la sant
publique des oprations de production et d'limination des dchets.
Contenu de la matire :
Introduction
1. Dfinitions
2. Quelques chiffres
3. La rglementation mondiale sur la gestion des dchets lectriques et lectroniques DEEE .
4. Organisation de la filire DEEE
La collecte des DEEE
Le tri des DEEE
La vente des DEEE
Liste des quipements concerns par le recyclage des DEEE
5. Enjeux conomiques
6. Impact environnemental
7. Entreprises de Collecte et de recyclage des dchets lectriques et lectroniques (DEEE, D3E) en
Algrie.
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire 4: Introduction aux Nanotechnologies
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Au terme de lenseignement de cette matire, ltudiant est cens avoir des notions sur les sciences des
nanotechnologies et des nanostructures.
Contenu de la matire :
- Introduction la nanotechnologie
- Phnomnes dans les nanostructures et tude lchelle nanomtrique
- Notions sur la croissance et la nanofabrication des nano matriaux
- Notions sur les nanotubes et transistors molculaires
- Techniques danalyse des nano matriaux (Photomission des RX, MEB, )
- Notions sur les techniques de caractrisations des nano objets
- Nanolectronique et les capacits de stockage de donnes
- Impact sur lindustrie future.
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Les matriaux intelligents
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Introduire le concept dadaptabilit des matriaux. Dcouvrir les diffrents types des matriaux
intelligents. Dfinir les caractristiques et les applications de chaque type de matriau.
Contenu de la matire :
Chapitre 2 : Pizolectricit
1. La pizolectricit
2. Proprits mcaniques dun matriau pizolectrique
3. Matriaux pizolectriques
4. Applications des matriaux pizolectriques
Chapitre 3 : Pyrolectricit
1. La pyrolectricit
2. Applications des matriaux pyrolectriques
3. Matriaux pyrolectriques
Chapitre 4 : Ferrolectricit
1. Ferrolectricit et applications lectroniques
2. Ferrolectricit et applications optiques
3. Progrs sur les matriaux ferrolectriques en couches minces
Chapitre 5 : Magntolectricit
1. Gnralits sur leffet magntostrictif
2. Magntolectricit
3. Applications
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Les matriaux
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Sont prsentes dans ce cours les grandes classes de matriaux, mtaux, alliages, cramiques,
verres, polymres avec leurs principales caractristiques et mthodes dlaboration les plus
courantes, ceci afin dinitier ltudiant dvelopper une mthodologie de choix des matriaux pour
une application donne faisant intervenir plusieurs proprits simultanment. Les matriaux
mergents sont aussi introduits dans ce cours.
Contenu de la matire :
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Appareillages et Techniques de caractrisation
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Faire acqurir aux tudiants la matrise des appareils de caractrisation que lon trouve dans les
laboratoires de microlectronique, des mthodes et des protocoles de mesure.
Contenu de la matire :
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques: