DIODES LASER

1 - Semi-conducteur et effet Laser

Le semi-conducteur de base utilis dans ce type de composant, l'arsniure de gallium-aluminium
(GaAlAs), possde une largeur de bande Eg = 1,6 eV. La relation
hC
= E s'crira (nm) = 1242 / Eg(eV)
g
si on exprime Eg en lectron-volt et en nanomtre. D'o une longueur d'onde de l'ordre de 780 nm,
la limite du visible.
1-1) Emission stimule
Une raie spectrale dtermine correspond la transition radiative d'un lectron entre 2 niveaux d'un
systme donn (atome, molcule, cristal semiconducteurs etc). Cette transition peut s'effectuer selon 3
processus:
a) Emission spontane : l'lectron descend spontanment d'un niveau Ej vers un niveau infrieur Ei et le
systme met un photon d'nergie hij=Ej-Ei.
b) Absorption : si des photons d'nergie hij sont dj prsents dans le milieu, alors le systme peut en
absorber un en faisant passer un lectron du niveau fondamental Ei vers le niveau suprieur Ej.

Energie a) Emission b) Absorption c) Emission

spontane stimule
En

Ej

Ei

c) Emission stimule (ou induite) : c'est le phnomne inverse du prcdent. L'un de ces photons hij
peut induire un lectron se trouvant dans le niveau suprieur Ej redescendre vers l'tat Ei en mettant un
second photon dont non seulement l'nergie hij mais aussi toutes les autres caractristiques (direction,
polarisation, phase) sont identiques celles du photon "inducteur".

L'mission stimule, qui cre une population de photons aux caractristiques identiques (nergie et
direction notamment), est le principe de base du laser. Cependant l'mission stimule et l'absorption sont 2
phnomnes concurrents. Pour favoriser l'mission stimule, il faut que la population du niveau excit Ej soit
plus leve que celle du niveau fondamental Ei. Cette situation d'inversion de population ncessite un
mcanisme de pompage pour maintenir constante la population du niveau suprieur Ej, qui tend naturellement
se vider (mission spontane).
D'autre part il faut confiner les photons ("inducteurs") dans la zone active afin d'amplifier le phnomne
d'mission stimule. On place cet effet le systme dans une cavit rsonnante accorde la frquence ij.
L'mission laser apparat alors quand le gain du milieu amplificateur excde les pertes de la cavit
(notamment la perte associe l'mission du faisceau laser).
Dans le cas des diodes laser, le niveau Ei se situe dans la bande de valence et le niveau suprieur Ej
dans la bande de conduction. Le mcanisme de pompage se fait par injection de porteurs (voir plus loin).
1-2) Cavit rsonnante

Semi-conducteurs diode laser -1

Plate-forme Matire Condense et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Universit J.Fourier Grenoble
 Un systme d'ondes stationnaires s'tablit dans
la cavit dlimite par les variations d'indice dans le
milieu semi-conducteur. L'indice de GaAs est
suprieur de quelques pour cent celui de Gal-
xAlxAs ce qui permet de confiner la lumire dans la
couche active.

Structure d'une diode laser au Ga Al

As

La longueur type L d'une telle cavit est de l'ordre de 300 m et l'indice de la couche active n de l'ordre
de 3,5.
Il y a un nombre entier q de demi-longueurs d'onde dans L

q 2n = L q est de l'ordre de 2000.

1-3) Structure des bandes et "pompage lectrique"

Pour obtenir une mission laser, il est ncessaire d'avoir une inversion de population.
A l'quilibre thermique les bandes de conduction
et de valence seront toutes deux au dessus du niveau
de Fermi du ct p de la jonction et au dessous du
ct n, comme indiqu sur la partie a de la figure ci-
contre

Quand on applique une tension de polarisation

directe sur la diode, l'injection d'lectrons dans la
partie n et de trous dans la partie p, dplace le niveau
de Fermi de part et d'autre de la jonction comme
indiqu sur la partie b de la figure.

Enfin si on augmente la tension, l'injection de

porteurs est suffisante pour obtenir la situation
reprsente en c : dans la zone de largeur d, on
trouve une importante concentration d'lectrons dans
la bande de conduction et de trous dans la bande de
valence, ce qui est la condition pour une inversion de
population. Pour que ceci se ralise, il faut que: EFC
- EFV > Eg

Diagramme de bandes pour une jonction p-n

selon l'tat de polarisation.

Semi-conducteurs diode laser -2

Plate-forme Matire Condense et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Universit J.Fourier Grenoble
 Deux exemples de diode laser

En haut : laser homojonction

En bas : laser htrojonction

2 - Partie pratique

2-1) Donnes techniques

Dans un classeur mis la disposition des tudiants avec le matriel de la manipulation, on trouvera les
caractristiques du composant utilis.
Une diode laser se prsente sous forme d'un botier contenant en fait deux diodes: la diode laser
proprement dite et une photodiode qui reoit l'mission de la face arrire de la jonction de la diode laser. La
polarisation en inverse de cette photodiode permettra de crer un courant Imon, dit courant moniteur, dont la
valeur est proportionnelle la puissance optique mise par la diode laser. Une valeur typique de la sensibilit
de cette photodiode est par exemple 0,3 mA/mW. L'mission de la diode laser est stimule par un courant
direct If, dont la valeur sera commande et mesure par un circuit extrieur l'alimentation et comprenant
une rsistance variable en srie avec un milliampremtre. Le courant moniteur sera lui aussi mesur et sa
valeur soigneusement contrle. Elle ne doit en aucun cas dpasser la limite indique par le constructeur,
sous peine de destruction du composant. Cette valeur limite est de l'ordre du mA.
2-2) Influence de la temprature
Pour un courant If donn, l'mission laser, donc le courant Imon dpend fortement de la temprature t.
Le composant tudi tant mont entre 2 lments Peltier associs un capteur de temprature, pour 5 6
valeurs de t comprises entre 0C et 60C, on tracera la courbe Imon en fonction de If.

On vrifiera que pour chaque valeur de t, l'mission laser se produit partir d'une valeur Ith de If appele
seuil et qu'ensuite, au del de ce seuil, la puissance optique mise est proportionnelle au courant de stimulation
If (injection des porteurs).

Montrez que Ith(mA) est proportionnel exp(a.t), t en C. Calculez le coefficient a pour la diode laser
tudie.
Montrez galement que dans la zone ou se produit l'mission laser, on peut dfinir un coefficient
d'efficacit diffrentielle
dP o
= dI
f
o Po est la puissance optique mise en mW et If le courant d'excitation en mA. Calculez ce coefficient pour
le composant tudi.

dP o
Calculer au voisinage de la temprature ambiante un coefficient (t,Po) = dt
exprimant la variation de la puissance mise en mW par C pour un courant If constant. Contrairement ,
ce coefficient dpend de l'endroit ( t et Po ) o l'on se situe. On calculera sa valeur en grandeur et signe
autour de 2 mW. Montrez que l'on risque de dtruire la diode laser en faisant simplement baisser la
temprature des lments Peltier.

Semi-conducteurs diode laser -3

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Cette sensibilit la temprature oblige dans la plupart des cas piloter la diode par un circuit qui utilise le
courant Imon pour contrler le courant If.

Le principe d'un tel circuit est reprsent ci-

contre. Examinez son fonctionnement ou
faites-vous expliquer son principe par un
enseignant.

2-3) Htrognit du faisceau

La cohrence de la lumire mise par une diode laser est fonction de l'inclinaison du rayon par rapport
l'axe principal d'mission. Pour approcher ce problme, on se contentera d'tudier le taux de polarisation du
faisceau en fonction de l'ouverture numrique:
N A = sin
o est l'angle entre l'axe principal et un rayon s'appuyant sur le bord de la lentille ou du diaphragme.
max
Le taux de polarisation est le rapport des flux maximum et minimum obtenus au moyen d'un
min
analyseur. Le faisceau mis par la diode traverse la lentille puis un analyseur et se concentre sur une cellule
qui gnre une tension proportionnelle au flux.

On tudiera ce taux de polarisation en fonction de la puissance totale mise pour 4 ouvertures

numriques. Vrifier que l'mission laser se double d'une mission classique dont l'importance relative est
d'autant plus grande que :

- 1) la puissance totale mise est petite

- 2) l'inclinaison par rapport l'axe est grande.

Dduire de ces mesures l'orientation du plan de la jonction.

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