Chapitre IV Obtention et application du graphne

1- Mthodes dobtention du graphne :

1-1- Obtention par exfoliation :

Lexfoliation est la mthode qui a permis disoler le premier feuillet de graphne en 2004 par
lquipe de Geim luniversit de Manchester. Elle consiste obtenir du graphne partir de
graphite et de scotch. En utilisant du HOPG (Highly Oriented Pyrolithic Graphite) ou du graphite
naturel (sous forme de grains), quelques plans de graphite sont arrachs par le scotch. Comme vu
prcdemment, la force entre les plans de graphne est faible. Le graphite arrach est recoll
plusieurs reprises sur une plaque de silicium oxyde. Avant 2004, le graphne tait dit
thermodynamiquement instable temprature ambiante. Il semblerait que le dposer sur un
substrat casserait sa symtrie et le rendrait stable. Grce cette technique on peut obtenir des
cristaux de graphne dont la taille peut aller jusqu' 100m. Un oxyde thermique de 300 nm (ou
90nm) est ncessaire pour observer au microscope optique les feuillets de graphne. Le contraste
d aux interfrences optiques permet de localiser le graphne mais aussi den estimer le nombre
de couches.

Lobtention de graphne par cette mthode est longue et ne permet pas de parvenir de trs
grandes surfaces de graphne. Aprs avoir transfr des morceaux de graphite sur la plaque de
silicium, il faut ensuite reprer au microscope optique les quelques bouts de graphne. Cette
partie est la plus longue et gnralement les morceaux de graphne obtenus font quelques m.
Nanmoins, cette technique permet dobtenir du graphne trs pur et cest avec cette mthode
que sont obtenus les meilleurs rsultats lectriques, notamment en termes de mobilit. (Clavel
2006). Elle permet davoir une qualit cristalline du graphne exceptionnelle. Nous pouvons
aussi lutiliser pour tout matriau lamellaire comme le MoS2 ou le NbSe2. (Vlez-Fort, 2014).

Figure 22 : Obtention du graphne par exfoliation.

23
Chapitre IV Obtention et application du graphne

1-2- Croissance de graphne par Chimical Vapor Deposition (CVD) :

Il est connu dans la littrature que la source de carbone pour la formation de graphne est le
mthane (CH4). Cependant, plusieurs chercheurs se sont orients vers d'autres prcurseurs.
Lthane et le propane, ont t utiliss rcemment afin de dmontrer que l'obtention du graphne
peut tre ralise l'aide des gaz diffrents que le mthane. (Wassei et al, 2012).

Figure 23: Spectres Raman des films de graphne transfr sur SiO2/Si partir du mthanol,
thanol, propanol et le mthane (Guermoune et al. 2011).

On constate d'aprs la figure 23 que les spectres Raman des films de graphne partir des
alcools ne prsentent aucunes diffrences comparativement au spectre Raman du film de
graphne issu du mthane. En effet, c'est une signature confirmant que le graphne obtenu
partir des alcools est de haute qualit. (Guermoune et al, 2011 ).

1- 2-1- Le processus de la dposition chimique en phase vapeur (CVD)

1- 2-1-1- Linstallation CVD :

Le systme CVD se compose des parties suivantes : la fournaise, systme de vide (Pompe
primaire et une pompe diffusion), un systme d'introduction (des gaz, dont le CH4, ou des
liquides comme le mthanol, l'thanol ou le propanol) et dun gaz rducteur, par exemple
l'hydrogne (H2).

La fournaise est un dispositif qui permet d'atteindre une temprature allant jusqu' 1l00 C,
celle-ci est contrle par un microcontrleur. Le tube de quartz contenant l'chantillon est
dispos lintrieur de cette dernire.

24
Chapitre IV Obtention et application du graphne

Le systme vide est consist dune pompe primaire qui est utilise pour produire un vide
primaire; ensuite ce dernier va tre pouss vers un vide plus lev en utilisant la pompe
diffusion. Ces deux pompes permettent de contrler la pression du systme.

la fin, on trouve le systme de gaz (CH4, H2) qui est contrl par un dbitmtre massique.

1- 2-1-2- La procdure de la croissance du graphne sur cuivre :

Premirement, on procde au prtraitement du tube de quartz et le cuivre. Le tube de quartz

est nettoy par l'acide nitrique et un chauffage pendant quelques minutes, afin de rduire le taux
de contamination. Ensuite, le traitement du cuivre (25 m dpaisseur) est ralis en quatre
tapes:

- Le chauffage du cuivre dans l'acide actique pendant 5 min, aprs un ultrason cation, un bain
deau (10 min), lactone (10 min), iso-propanol lPA (10 min) et en dernier le schage l'aide
de l'azote (N2) ;
- Une fois que le processus de traitement est ralis, passant la croissance en introduisant
2sccm (ml/min) de lhydrogne H2 (g) sous un chauffage de 1000 C et une pression de
40mTorr.
- La temprature est maintenue au moment de linjection de 35 (ml/min) de mthane CH4(g),
une pression de 500mTorr. Aprs l'exposition la source de carbone (CH4) un refroidissement
est ralis.
- Ceci est variable entre 300 C/min jusqu' 40 C/min.
La figure 24 reprsente un diagramme explicatif des diffrents paramtres (temprature,
pression et les flux de gaz), utilis lors de la croissance du graphne.

Figure 24 : Diagramme illustrant les paramtres de croissance de graphne. (Li et al, 2009b).
25
Chapitre IV Obtention et application du graphne

Il y a trois tapes de la procdure de la croissance par CVD :

a) formation dun oxyde de cuivre ;
b) L'exposition de celle-ci un mlange de gaz (H2/CH4) 1000 C, 1'hydrogne servant
rduire 1 'oxyde ;
c) la formation du graphne. (Zidi, 2014).

Figure 25 : reprsentation schmatique de processus se croissance pour la technique CVD.

1- 2-2- Les substrats utiliss pou obtention du graphne par CVD :

Les substrats les plus communs sont le cuivre (Cu) et le nickel (Ni). (Li et al 2009). Comme
indiqu prcdemment, la nature transfrable du graphne sur Cu a t considr comme l'un de
ses mrites majeurs puisque Cu peut tre facilement attaqu par des produits chimiques qui ne
semblent pas possible pour les mtaux nobles tels que Pt, Au, etc.. (Zheng, 2013).

Cependant, une exprience rcente montre que le graphne cultiv sur une feuille Pt peut tre
dcolle en toute scurit par barbotage d'hydrogne sans blesser le substrat Pt (Gao et al, 2012).

En outre, le graphne cultiv sur Pt peut atteindre quelque mm monocristal hexagonal de taille
latrale, qui est seulement possible sur Cu lorsque feuille de Cu est spcialement traite par
polissage lectro-chimique, plus haute pression (2 bar) recuit. l'exception des substrats
mtalliques tels que Ir, Au, Pt, la croissance directe de CVD graphne sur isolant a suscit des
intrts intensifs de quelques exprimentateurs. Comme l'tape finale de l'lectronique de
graphne est toujours de transfrer le graphne partir d'un mtal sur une plaquette isolante, ce
serait bien si l'on pouvait obtenir le graphne avec une bonne qualit directement sur un isolant.
(Zheng, 2013).

26
Chapitre IV Obtention et application du graphne

1- 3- Obtention de graphne par voie chimique :

Actuellement, les mthodes les plus prometteuses pour la production des nanofeuillets de
graphne en grande quantit sont bases sur l'exfoliation et la rduction de loxyde de graphite.
LOG a t prpar par Brodie et autres en 1859. Ensuite, il a t galement produit par des
mthodes alternatives dveloppes par Staudenmaier ou Hummers et autre, respectivement dans
les annes 1890 et 1950, dans les quelles le graphite est oxyd en utilisant des acides minraux
forts et des agents oxydants tels que KMnO4, KClO3, et NaNO3 en prsence d'acide sulfurique
(H2SO4) ou de son mlange avec de l'acide nitrique (HNO3). Ces ractions pour atteindre des
niveaux similaires doxydation qui peut perturber la structure lectronique dlocalise de
graphite et confrer une varit de fonctions chimiques base d'oxygne la surface de chaque
plan de graphite.

En effet, analogue au graphite, qui est compos dun empilement de feuilles de graphne,
loxyde de graphite (OG) est compos de feuilles d'oxyde de graphne empiles avec un
espacement intercouche entre 6 et 10 en fonction de la quantit de molcules de H2O qui peut
tre prsentes entre les plans du graphite durant les processus doxydation. (El Achaby, 2012).

Figure 26 : lexfoliation dOG en des feuillets doxyde de graphne.

Lexfoliation dOG en des feuillets doxyde de graphne prsente une tape importante dans
la production des nanofeuillets de graphne. Cependant, la technique d'exfoliation dans les
solvants et celle dexfoliation thermique haute temprature prsentent les deux voies
privilgies pour cette tape. (El Achaby, 2012)

27
Chapitre IV Obtention et application du graphne

Dans la premire technique, la nature hydrophile et le large espacement intercouche dOG

peuvent faciliter l'exfoliation directe dans l'eau laide dun traitement mcanique tel que
lagitation mcanique des concentrations allant jusqu' 3 mg/ml.

Cette technique permet lobtention des suspensions collodales stables des nanofeuillets
doxyde de graphne (NFOG) (Stankovich et al 2007).

D la prsence des groupements contenus dans sa structure chimique, loxyde de graphne

est thermiquement instable et lectriquement isolant. Par consquent, au moins une rduction
partielle de l'oxyde de graphne est ncessaire pour rtablir la conductivit lectrique et la
stabilit thermique. (El Achaby, 2012).

1- 3 -1-Production du graphne par la rduction thermique doxyde de graphite :

Lobtention des nanofeuillets de graphne en utilisant la mthode de rduction de loxyde

de graphite a t premirement reporte par Schniepp ; Des nanofeuillets de graphne
thermiquement rduits peut tre obtenus par un chauffage rapide doxyde graphite dans un
environnement inerte et haute temprature. En effet, le chauffage dOG 1050 C pendant 30 s
dans un environnement inerte rsulte dans la rduction et lexfoliation dOG produisant des
nanofeuillets de graphne thermiquement rduits. Lexfoliation a lieu lorsquune pression est
gnre par le gaz CO2 qui peut tre mis due la dcomposition des groupes hydroxylique et
poxyde dOG, et qui peut surmonter les forces de Van der Waals existantes entre les feuilles
d'oxyde de graphne. (El Achaby, 2012)

Lavantage de cette technique sexplique par le fait que lexfoliation et la rduction se font en
une seule tape, ainsi cette technique permet lobtention du graphne sans passer par ltape de
dispersion dOG dans des solvants. (Schniepp et al 2006).

Figure 27 : Les tapes principales de la rduction thermique de loxyde de graphite en

nanofeuillets de graphne.

28
Chapitre IV Obtention et application du graphne

1- 3-2-Production du graphne par la rduction chimique doxyde de graphne :

Dans les mthodes de la rduction chimique, une dispersion stable de loxyde de graphne est
produite suivi par une rduction des nanofeuillets doxyde de graphne exfoli. Cependant, des
dispersions stables de loxyde de graphne peuvent tre obtenues en utilisant leau ou des
solvants organiques laide dune agitation mcanique. La rduction chimique consiste enlever
les groupes contenant loxygne prsents sur la surface et le bord de loxyde de graphne. La
mthode de rduction chimique rsulte en gnral dans la production des nanofeuillets de
graphne individuels sans dfauts structuraux. (El Achaby, 2012).

Les suspensions collodales de loxyde de graphne peuvent tre chimiquement rduits en des
nanofeuillets de graphne en utilisant des diffrents rducteurs chimiques tels que l'hydrate
d'hydrazine, la dimethylhydrazine, le borohydrure de sodium suivi par l'hydrazine,
lhydroquinone, le TiO2 irradie par UV, les composs contenant du soufre, le Vitamine C, les
atomes de Fer et lhydroxyde de sodium. (El Achaby, 2012).

Figure 28 : (a) Rduction chimique loxyde de graphne en graphne. (b) AFM image dun
nanofeuillets de graphne chimiquement rduit.

1- 4- Epitaxie du graphne sur SiC :

Le principe de cette mthode est de chauffer un substrat SiC dans un bti sous ultra vide une
certaine temprature de manire faire sublimer le silicium.

La raison principale de lutilisation de SiC comme base de croissance du graphne sappuie

sur ses proprits uniques, il est form par lempilement de bicouche Si-C, la dfrence de
temprature de sublimation datomes de silicium et de carbone dans SiC constitue la base se la
mthode de graphitisation.

29
Chapitre IV Obtention et application du graphne

On cherche sublimer les atomes de silicium dans la bicouche par chauffement de SiC la
temprature de leur sublimation.

Selon les dfrentes squences dempilement des bicouches de carbone et de silicium, il

existe plusieurs centaines de polytypes de SiC. Parmi ces polytypes, les plus connus sont SiC-
3C, SiC-4H, SiC-6H. SiC-3C est de maille cubique la dfrence des autres polytypes de SiC
qui sont de maille hexagonal. (Menge, 2011).

1- 4 -1- Principales tapes de graphitisation de SiC :

Solen la nature des atomes la surface du substrat qui sexpose lair, on distingue une face
de silicium et une face de carbone. Sous certaines conditions de temprature et de pression,
latome de silicium dans la surface du SiC svapore et latome de carbone reste. Ce qui conduit
la formation dune fine couche de graphne par plusieurs reconstructions de surface, il est
vrifier que trois bicouches de Sic sont ncessaires pour former une couche de graphne.

Prparation de surface de SiC :

Une tche importante pour la synthse du graphne de qualit base de SiC propre, plates
avec des marches atomique rgulires. Toute la rugosit du substrat initial va transfrer la
couche de graphne. Cette exigence est particulirement difficile pour le SiC en raison de sa
duret mcanique et de son inertie chimique. Le polissage mcanique est la technique standard
qui donne une surface spculaire lchelle macroscopique, mais la morphologie microscopique
reste. Pour enlever les rayures aprs polissage mcanique, lattaque chimique haute
temprature est une mthode communment utilise pour son efficacit. Suivant les diffrentes
compositions du gaz utilis, on peut distinguer la gravure de surface par hydrogne H 2,
H2/CXHY, H2 /HCl, HCl seul. Parmi ces mthodes, la gravure H2 dans la gamme de temprature
1500-1600C est le porcid le plus frquemment utilis. Il conduit une structure compose de
marches atomiques rgulires. (Menge, 2011).

Croissance du graphne :

Le graphne est obtenu par chauffage du substrat SiC auteur de 1400C (Menge, 2011).
Le substrat est ensuite soumis une succession de recuits de temprature croissante sous ultra
haut-vide (UHV), qui conduisent plusieurs reconstructions de surfaces spcifiques a la face de
sic (0001).

30
Chapitre IV Obtention et application du graphne

Pour observer ces structures, lchantillon est refroidi temprature ambiante entre chaque
recuit et analys par LEED (pour Low Energy Electron Diffraction, est une technique de surface
parfaitement adapte lidentification de ces reconstructions, elle repose sur la diffraction
dlectrons lents et permet dobserver les structures priodiques dans lespace rciproque).

- Vers une temprature de 950C, nous observons une reconstruction (33)R30 (figure 29 a),
constitue dun tiers de plans datomes de silicium ;
- En augmentant la temprature du recuit jusqu 1100-1150C, nous commenons voir la
formation de la reconstruction de surface (6363) R30 (couche dinterface). Il apparait des
satellites de structure hexagonale autour des spots de diffraction du substrat, dont lorigine est
attribue une couche dinterface. Linterface, prsente uniquement sur la face (0001), est
constitue datomes de carbone arrangs en nid dabeille, dont un atome sur trois se lie au
substrat par une liaison covalente. Il en rsulte un fort couplage entre le substrat et la couche
dinterface ainsi quune absence de liaisons dlocalises. Pour ces raisons, cette monocouche
ne constitue pas un plan de graphne. Elle reste cependant un prcurseur ncessaire la
formation de graphne ;
- Vers une temprature de 1150 1350 C nous avons toujours la reconstruction de surface
(6363) R30 avec lapparition dune structure 11 par rapport au graphite. Cest notre
premire couche de graphne ;
- Finalement lorsque nous atteignons des tempratures de lordre de 1350-1450C nous ne
voyons que la reconstruction (11) qui est attribue la formation de plusieurs couches de
graphne, cest dire du graphite. (Vlez-Fort, 2014).

Figure 29 : clichs des couches graphitique sur SiC(0001) lors dun recuit (a) 900C,
(b) 1050C, (c) 1150C, (d) 1350C. (Vlez-Fort, 2014).

31
Chapitre IV Obtention et application du graphne

Le graphne synthtis par cette mthode est plus homogne que celui obtenu par CVD, la
surface de sic est recouverte totalement par le graphne, grce aux multiples reconstructions de
surface. De plus en utilisant des substrats SiC isolants, il nest pas ncessaire de transfrer
les couches de graphne sur un autre support.

Linconvnient de cette mthode est li au cot de substrat relativement lev. (Menge, 2011).

Le tableau 3 rsume les avantages et les inconvnients de ces mthodes dobtention du

graphne :

Tableau 3 : les avantages et les inconvnients des mthodes dobtention du graphne. (Zheng,
2015).

32
Chapitre IV Obtention et application du graphne

2- Application du graphne :
1- Stockage d'nergie lectrique :

L'utilisation du graphne comme matriau super-condensateur lectrochimiques , qui sont

des dispositifs de stockage d'nergie lectrique passifs et statiques, a t largement rapport, avec
de nombreuses tudes faisant tat de graphne comme matriau super-condensateur de loin
suprieur que le carbone existant et des matriaux base des polymres; Panoramiques une
slection de rapports rcents de la littrature o le graphne a t utilis comme matriau de
super-condensateur par rapport aux matriaux existants, par exemple graphite et NTC., la cl
d'amlioration de la capacit spcifique est d'agrandir la surface spcifique et contrler la taille
des pores, la couche d'empilage, et la distribution du matriau d'lectrode, (Brownson, 2011).

2- Cellules photovoltaques :

Des films de graphne sont transparents, conducteurs et trs flexibles, qui sont considrs
comme d'excellents candidats pour des lectrodes conductrices transparentes dans des cellules
photovoltaques. Les cellules CPO (cellule photovoltaque organique) classiques utilisent
gnralement l'oxyde d'indium-tain (ITO) en tant que matriaux d'anode. Cependant, la raret
des rserves d'indium et de nature trs fragile d'oxydes mtalliques (Coleman, 2013). imposent
de limiter l'utilisation de l'ITO pour les applications o le cot, la conformation physique et
mcanique de flexibilit sont importantes. Les films de graphne sont trs flexibles et sont donc
prometteurs pour les applications de CPO flexibles. Quelques couches de films graphne ont t
utilises en tant que matriaux CPO d'anode. Pour obtenir une bonne performance de l'appareil,
un minimum de rugosit de surface est souhaitable afin d'viter les courts-circuits et les fuites de
courant. Des films de graphne ont montr une rugosit de surface de 0,9 nm, ce qui est
comparable celle des films d'ITO (0,7 nm). Par consquent, un compromis de la rsistance de
la feuille de graphne et la transparence optique doit tre fait pour obtenir la meilleure
performance de la cellule CPO. (Zhang, 2013).

3- Nanocomposites :

Parmi les applications envisages du graphne sont les matriaux nanocomposites. On parle
d'ajouter du graphne des polymres comme (PMMA, polystyrne, polycarbonate, etc .... ).
Ceci est ralis par la dispersion de 1'oxyde de graphne dans le polymre. Les nanocomposites
montrent une grande amlioration des proprits au niveau de llasticit (Module de Young), la
conductivit lectrique et la stabilit thermique. Une recherche a t faite sur du graphne
mlang avec de lalcool Polyvinylique (PVA), o, ils ont pu remarquer partir de cette dernire

33
Chapitre IV Obtention et application du graphne

qu'une augmentation de 76% a t obtenue pour la rsistance de traction et 62% pour le module
de Young (Zhu et al, 20 10).

4- Batteries :

Le temps de charge limit des batteries constitue certainement le plus grand problme des
dispositifs mobiles car elles ont constamment besoin dtre recharges. En 2011, des ingnieurs
de lUniversit Northwestern (chicago) ont dcouvert que les anodes en graphne conservaient
beaucoup mieux lnergie que les anodes de graphite avec un temps de chargement jusqu dix
fois plus rapide. En mai dernier, des chercheurs de lUniversit Rice (texas) ont constat que le
graphne mlang de loxyde de vanadium (une solution relativement bon march) peut servir
la cration de cathodes de batteries qui se rechargent en 20 secondes et conservent 90% de leur
capacit, mme aprs mille cycles dutilisation. (Dave, 2014)

5- Ecrans souples :

Le graphne va sans doute commencer par changer la face de nos smartphones grce ses
surprenantes proprits. Ce nest ni un mtal ni un semi-conducteur. Nous avons la libert de lui
donner les proprits que lon veut. La possibilit dobtenir une surface transparente, flexible et
conductrice ouvre la voie llectronique souple. Nous toucherons donc sans doute bientt le
graphne du doigt quand il recouvrira les crans des tlphones portables et des tablettes. Il
possde toutes les qualits pour remplacer loxyde dindium-tain utilis aujourdhui, qui est
rare, cher, cassant et toxique. De plus, il rsiste au traitement chimique et se connecte
lectriquement plus facilement que les matriaux concurrents. La firme Nokia dveloppe dj
des prototypes dcrans souples. Quant au gant Samsung, il matrise la fabrication de feuillets
de graphne de plus de 1 m2. Cette technologie servira aussi aux LED organiques, ces diodes
lectroluminescentes dont lavenir est prometteur, et peut-tre mme au secteur textile. Des
encres conductrices base de graphne existent en effet dj et pourraient tre utilises pour
imprimer des circuits lectriques sur les tissus. ( Guilbaud, 2014).

6- Le graphne comme adsorbant :

En raison de sa grande surface et la stabilit chimique, le graphne est galement devenu un candidat
polyvalent pour la construction de nanocomposites adsorbants avec des nanomatriaux inorganiques.
(Perreault et al, 2015).

Diverses tudes ont dcrit l'utilisation de matriaux base de graphne comme adsorbants pour
l'limination des espces inorganiques partir de solutions aqueuses. (Zhao, 2011). La plupart de ces

34
Chapitre IV Obtention et application du graphne

tudes ont utilis OG comme un adsorbant de modle pour l'assainissement des ions mtalliques dans
l'eau. OG est prfrable de graphne vierge pour l'adsorption des ions mtalliques en raison de teneur
leve dOG de groupes d'oxygne disponibles pour interagir avec des ions mtalliques. L'importance de
ces groupes fonctionnels contenant de l'oxygne a t dmontre en comparant le Pb (II) la performance
d'adsorption de feuilles de graphne vierges et oxydes.

En plus d'augmenter la capacit d'adsorption, la fonctionnalisation des matriaux de graphne avec des
molcules organiques peut galement tre utilise pour amliorer le processus de rcupration des
matriaux.

Mme si la plupart des tudes rapportent sur l'adsorption des ions mtalliques cationiques, les
matriaux base de graphne ont galement t explors pour l'limination des polluants anioniques
partir de solutions aqueuses, tels que le phosphate (PO4), Le perchlorate (ClO4), Et le fluorure (F).

Figure 30 : stratgies principales pour appliquer des matriaux base de graphne comme
adsorbants pour l'limination des ions mtalliques partir de solutions aqueuses.

(A) Le processus de sorption peut tre ralise en utilisant de l'oxyde de graphne (OG), le
graphne, ou rduit l'oxyde de graphne (ROG); le mcanisme d'adsorption est principalement
due l'interaction lectrostatique entre les feuilles de OG charges ngativement et des ions
mtalliques chargs positivement.
(B) des feuilles de graphne peuvent tre fonctionnaliss avec des nanoparticules magntiques
pour amliorer la capacit d'adsorption; puisque les nanocomposites OG possdent des
proprits magntiques, les ions mtalliques peuvent tre limins de l'eau par attraction
magntique.

35
Chapitre IV Obtention et application du graphne

(C) Modification des feuilles de graphne avec des molcules organiques peut tre utilis pour
prparer des adsorbants base de graphne avec une meilleure efficacit; le mcanisme
d'absorption est attribu un effet synergique entre les proprits de chlateur des molcules
organiques et des capacits d'adsorption des feuilles de graphne. (Perreault et al, 2015)

7- Membranes base de graphne :

Le graphne, en dpit d'tre un seul atome d'paisseur, est un matriau impermable dans sa
forme primitive. Les nuages d'lectrons dlocaliss des orbitales obstruent l'cart que l'on
trouverait dans les cycles aromatiques de graphne, bloquant efficacement le passage de mme
les plus petites espces molculaires. La nature impermable du graphne a permis son
application comme une barrire pour la permabilit des gaz et des liquides, (Guo, 2012). ou
pour protger les surfaces mtalliques contre la corrosion. (Prasai, 2012) Dans le domaine du
traitement de l'eau, cette proprit unique de graphne a dclench de vastes efforts pour utiliser
le graphne pour la conception de membranes ultrafines. Deux stratgies ont t explores pour
utiliser des nanomatriaux de graphne dans les procds membranaires: feuilles de graphne
nanoporeux et les barrires dOG empiles (Figure 33) (Perreault et al, 2015)

Figure 31 : Reprsentation schmatique des deux types de membranes base de graphne.

(A) Les membranes de graphne nanoporeux sont constitues d'une seule couche de graphne
avec des nanopores de taille de pores dfinie. La slectivit est obtenue par exclusion de taille et
de rpulsion lectrostatique entre espces charges et les pores.

(B) Membranes forms de feuilles empiles OG. Dans les membranes empiles OG, la taille des
pores est dtermine par la distance inter-couche entre les feuilles. En plus de l'exclusion de la
36
Chapitre IV Obtention et application du graphne

taille et de l'interaction lectrostatique, la slectivit dans les membranes OG empiles rsulte

galement de l'adsorption des espces ioniques aux feuilles dOG (Perreault et al, 2015).

8- Applications biomdicales :

Echafaudages pour les organes bio-ingnierie :

La Surface du graphne monocouche est suprieure approximativement par rapport d'autres

biomatriaux qui en fait un biomatriau trs intressant. la nature de surface plane de Graphne,
en plus des nombreux autres proprits mcaniques (modules lastiques) peuvent galement tre
exploites pour des applications telles que le renforcement structurel des films biocompatibles et
des chafaudages pour organes bio-ingnierie. (Kumar, 2013).

En ce qui concerne les tudes de culture cellulaire, une amlioration du potentiel

ostognique a t ralis en utilisant des surfaces de graphne revtues pour la diffrenciation
des cellules humaines souches msenchymateuses (CSMh) et pr-ostoblastes en ostoblastes.
(Nayak, 2011). Des tudes de culture cellulaire de feuilles d'oxyde de graphne montrent
galement que loxyde de graphne peut tre utilis comme matriau d'implant appropri. (Ryoo,
2010).

Les thrapies contre le cancer :

Le domaine biomdical est dailleurs un vaste champ dapplications potentielles du graphne.

Il pourrait servir dans les thrapies contre le cancer, Le graphne possde la facult de
saccumuler dans les tumeurs, Bien que les scientifiques ne comprennent pas encore exactement
lorigine de cette proprit, ils esprent sen servir pour cibler les cellules cancreuses. Greffer
des nanoparticules dor sur du graphne permettrait, par exemple, de rendre les cellules
cancreuses visibles par imagerie photoacoustique. De plus, quand elles reoivent de la lumire,
ces nanoparticules peuvent chauffer suffisamment pour dtruire la cellule malade, et pas ses
voisines. Les scientifiques auraient donc leur disposition un outil capable de diagnostiquer et
de soigner simultanment. (Guilbaud 2014).

Neurones mdicale:

Des chercheurs italiens et britanniques ont montr qu'il est possible d'interfacer graphne avec
des neurones ou cellules nerveuses, le maintien de l'intgrit des cellules. Le travail pourrait
conduire des lectrodes base de graphne qui pourraient tre implants dans le cerveau afin

37
Chapitre IV Obtention et application du graphne

de rtablir les fonctions sensorielles pour amputs ou les patients paralyss, ainsi que les
personnes atteintes de troubles moteurs. (Fabbro, 2015).

Squence d'ADN :

LADN ne va en effet par le biais de petits trous dans le graphne, et qu'il le fait avec une
grande vitesse. Ces deux lments sont importants progrs vers l'utilisation du graphne pour le
squenage de l'ADN. (Schneider, 2010).

38