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Cours d’électronique RC

V CC

RC

PHELMA – 1ère année – PMP


T1 T2

v c1 vb1 v b2 vc 2

VS S

Laurent Montès +VCC R1


-
R2

R
Ve
+
VS

P R3
R4

-VCC
Figure 6

2
I  I   viD   v /2 
iD 2 = −    1 −  iD 
2  VGS − VT  2   VGS − VT 

Laurent.Montes@minatec.inpg.fr E
ID
Dynamique 1
RD
E

http://communication.minatec.inpg.fr/montes/ E1
RD 2
EID0

Dynamique 2

E
Vgs = Vgs0

E2
VDS

15/09/08 LM (c) 2008

LM © 2008
Bibliographie

Revue des Techniques de l’ingénieur


Principes d’électronique, P. Malvino, Dunod, 2002
Électronique 1. Composants discrets et méthodes de calcul, J.M. Poitevin, Dunod, 1995
Électronique, Théorie du signal et composants, F. Manneville et J. Esquieu, Dunod, 1997
Électronique, J. Pérez, C. Lagoute, J. Y. Fourniols et S. Bouhours, Dunod, 2006
Électronique analogique des circuits intégrés, Tran Tien Lang, Elsevier-Masson, 1996

PA. Sedra, K. Smith, Microelectronic circuits, Oxford University Press, 2004

LM (c) 2008

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Objectifs du cours
- En savoir un minimum sur l’utilisation des composants électroniques de base
et sur leur mise en œuvre.
- Analyser et comprendre un schéma analogique ou numérique basique.(aspect fonctionnel)
- Faire le lien matériel entre un capteur et un ordinateur.(les grandes fonctions de l’électronique)
- Etre capable de spécifier ou comprendre un cahier des charges électronique

PREREQUIS : Notions d’électronique de classe préparatoire : calcul de circuit, diagrammes de


Bodes, fonctionnement des amplificateurs opérationnels parfaits.

CONTENU :
- Outils pour la mise en équation et l’étude de circuits
- Méthodologie de Mesure
- Composants et leur modélisation (Diodes, un seul transistor TMOS )
- Montages de base à transistor
- Amplificateur à 1 transistor, Structure et performance des portes logiques CMOS
- Structure simplifiée d’un amplificateur opérationnel
- Outils mathématiques (Numération, Binaire, Boole…)
- Logique combinatoire et séquentielle
- Méthodes de Synthèse et Machines à états LM (c) 2008
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Plan du cours

I. Introduction à l’électronique moderne

II. Rappel de calcul des circuits

III. Les composants semiconducteurs discrets

IV. Applications linéaires – Information continue, analogique

V. Applications commutation.

VI. Applications numériques - information quantifiée


LM (c) 2008

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Exemple de schéma application : dictaphone

Source: National Semi-conductor (www.national.com) LM (c) 2008

LM © 2008
LM (c) 2008

LM © 2008
LM (c) 2008

LM © 2008
Simulation / Logiciels

Orcad
http://www.cadence.com/orcad/

Altium
http://www.altium.com/

Quartus
http://www.quartus.fr

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L’évolution de l’électronique
ces 50 dernières années

1947 1980 1990 2006 2010 ?

Puissance : x 1 000 000 000 (x109)


Taille : ⌯ 1 000 000 (x10-6 )

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Electronique
1mm ou 0.001 mètre

100µm ou 0.000 1 mètre


Microsystèmes
1µm ou 0.000 001 mètre

Microélectronique
100nm ou 0.000 000 1 mètre
NanoElectronique
o Ce pixel est 4 millions de fois
1A ou 0.000
LM 000 01 mètres
(c) 2008 plus grand qu’un atome !!!!!
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Le Transistor
La brique de base de l’électronique

N+ N+

Silicium P

C’est l’objet artificiel le plus abondant sur Terre !

C’est aussi le moins cher !


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Le Transistor
Toujours plus petit (‘loi de Moore’)

1947 1980 1990 2006 2010 ?

150 atomes
50 atomes

2-30 atomes
N+
J. Bardeen, W. Brattain,W. Schockley

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La puce ou circuit intégré
Toujours plus dense

N+ N+

N+ N+
N+ N+ N+ N+ N+ N+

Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+

Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+

Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+ Silicium
N+ P N+

Silicium P Silicium P Silicium P Silicium P Silicium P

LM (c) 2008

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La puce ou circuit intégré
Toujours plus dense

1961 1971 2006

Avant 1968 LM (c) 2008 2007


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L’électronique
dans notre vie quotidienne

Radio
10 puces
50 puces 200 000 T
1 puce Voiture
Salle de bain 10 000 000 T
10 000 T GPS Feu rouge
50 puces
100 000 000 T

Carte de
crédit 1 puce
Ascenseur
2 000 000 T
1 puce Téléphone 5 puces
Cuisine 10 000 T 5 000 000 T
10 puces
10 000 000 T

Baladeur
MP3 1 puce
2 000 000 T

Réveil
4 puces Télévision Ordinateur
300 000 T 50 puces
20 puces
20 000 000 300 000 000 T
LMT(c) 2008

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Intégration
Système sur puce

Numérique

Analogique

Mémoires
Antenne

Microsystèmes
Batterie Test
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Micro/Nano Technologies
Convergences
130 nm

More Moore More than Moore


90 nm

65 nm
MEMS
45 nm
Top-down
32 nm

System on Chip (SoC)


System in Package (SiP)
MINATEC Centre

DNA Bottom-up
Beyond Moore
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Exemple d’un capteur intégré
(capteur d’empreintes)

Ampli CAN

capteur

Passage Balayage Détermination Amplification


du doigt de la rangée de la flexion de du signal Conversion
sur le capteur de micro-poutres la micro-poutre analogique du signal

LM (c) 2008

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Exemple d’un capteur intégré
(capteur d’empreintes)

LM (c) 2008 F. Parrain, TIMA - 1999

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I.2. Modélisation et performances
d’un système électronique
Système

Zs
Ze
Ve Vs
Av.Ve

Modèle dans un domaine de


validité donné
V 
-Gain en tension à vide AV =  S 
V E  I S =0

I 
-Gain en courant AI =  S 
 I E  condition
-Fonction de transfert (dépendance des paramètres vis à vis de la fréquence)
-Transimpédance
-Conductance.

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I.3. Les composants passifs.

Un composant est dit passif lorsqu’il ne peut fournir aucune puissance au circuit dans lequel il est inséré.
C’est le cas des résistances, condensateurs et inductances.

Résistance : R
U=R.I

dU I
Capacité : C I =C ≈U =
dt jCω

dI
Inductance : L U =L ≈ U = jLω
dt

LM (c) 2008

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I.3. Les composants passifs.
C
R

Ve Ve Vc R
C Vs Vs

Filtre passe-bas Filtre passe-haut

Ve

t
Vs Passe haut

Vs Passe bas

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I.3. Les dipôles non linéaires

ID
D
R

ID R
E
D UD
UD

ID
E/R D
point de fonctionnement
ID0 ou point de polarisation

droite de charge
UD0 UD
E

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I.3. Les dipôles non linéaires
Schéma petits signaux

E(t) e(t) R
E
iD(t)

UD(t) e(t)
uD(t) rD uD(t)
UD0

Chronogramme du circuit R, D Schéma dynamique équivalent petits signaux

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I.3. Les dipôles non linéaires
Modèle petits signaux

ID
Pente
1/rD

Modèle statique simplifié


ID0
VD <0 VD>0
VD0 VD Modèle statique
VD0
Modèle statique simplifié
VD<VD0 VD>=VD0
Modèle statique
Modèle dynamique petits signaux
Modèle dynamique autour du
point de polarisation ID0, VD0
rD

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II.7 Non Linear Optics
Superlinear and sublinear response

R = ζ 1S + ζ 2 S 2 + ζ 3 S 3 + ζ 4 S 4 + ...
where ζ 1 is the linear responsivity, ζ 2 is the quadratic nonlinear responsivity,
and ζ 3 , ζ 4 , etc are higher - order nonlinear coefficients of diminishin g magnitude
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II.7 Non Linear Optics
Frequency conversion
non-sinusoidal output
(mixed frequencies)

sinusoidal input
(single frequency)
LM (c) 2008

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