Année : 2010

THESE
En vue de l’obtention du

DOCTORAT de l'UNIVERSITE DE TOULOUSE

Délivré par l’université Toulouse III – INSA
Discipline ou Spécialité :

Conception des circuits Microélectroniques et Microsystèmes

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Présentée et soutenue par
Norchene JEMAI
Le 18 Février 2010
DEVELOPPEMENT DE LA TECHNIQUE DE SERIGRAPHIE POUR LA
FORMATION DE BILLES DE CONNEXIONS INFERIEURES A 100µm POUR
L’ASSEMBLAGE 3D : OPTIMISATION ET ETUDE DE FIABILITE
JURY
RAPPORTEURS

M. LUCAT Claude Directeur de recherche Laboratoire IMS, Bordeaux

M. PIJOLAT Christophe Professeur, Ecole des Mines de Saint-Etienne

M. CAMPS Thierry
M. KAISER Clément
M. BEQUET Stéphane
EXAMINATEURS
Professeur, Université Paul Sabatier, Toulouse
Ingénieur, société Novatec, Montauban
Directeur du service du développement économique
Communauté d’agglomération Montauban 3
Rivières.

Mme. TASSELLI Josiane Co-directrice de thèse, Chargée de recherche CNRS,

LAAS-CNRS, Toulouse.
M. FOURNIOLS Jean-Yves Directeur de Thèse, Professeur INSA de Toulouse,
LAAS-CNRS.

Ecole Doctorale: Génie Electrique, Electronique, Télécommunications

Unité de recherche : LAAS/CNRS
2
 REMERCIEMENTS

Je tiens à remercier en tout premier lieu Josiane TASSELLI et Jean-Yves

FOURNIOLS qui ont dirigés cette thèse. Tout au long de ces trois années, ils
ont su orienter mes recherches aux bons moments, merci pour leurs nombreux
conseils. Je tiens aussi à remercier Samuel CHARLOT. Il a toujours été
disponible pour d’intenses et rationnelles discussions. P our tout cela, leur
confiance, du temps qu’ils ont consacré à redonner un peu de rigueur à ma
plume qui a tendance quelquefois à déraper...
Je tiens à remercier les rapporteurs de cette thèse LUCAT Claude et
PIJOLAT Christophe pour la rapidité avec laquelle ils ont lu mon manuscrit et
l’intérêt qu’ils ont porté à mon travail. Merci également aux autres membres du
jury qui ont accepté de juger ce travail : CAMPS Thierry, KAISER Clément et
BEQUET Stéphane.
Je voudrais remercier tous les membres de l’équipe Team qui ont joué un
rôle fondamental dans ma formation, une intuitive mais solide formation à la
métrologie en salle blanche.
J’ai eu également le plaisir de collaborer avec la plateforme
technologique d’assemblage électronique Micropacc et l’entreprise Novatec.
Merci aussi pour la communauté d’agglomération 3 rivières de Montauban, je
pense à M.BEQUET et Mme.ALKOUF qui ont initié et soutenu le projet.
Je souhaite remercier les chercheurs du groupe N2IS Georges LANDA,
Alain ESTEVE, Christophe ESCRIBA et Antoine MARTY
Un grand merci à mes amies pour leur soutien dans les moments
difficiles et cruciaux de ma thèse K.Salsabil, B.Nesrine.
Enfin, une pensée émue pour tous les doctorants avec qui j’ai partagé
une salle, un café, un repas, une situation stressante pendant ces trois
années : Hamida, Hamada, Ahmed, Lamine, Sofiene, Samir, Hakim et
Mathieu.

3
4
 À LA MEMOIRE D E M ON GRAND-PERE CHE
À M ON ADORABLE GRAND-M ERE J AMILA
À MA TRES CHERE M ERE S AHA
À MES CHERES F RERES MEHER E T M AHRANNE

5
6
 TABLE DES MATIERES

TABLE DES MATIERES ................................................................................................................. 7

INTRODUCTION GENERALE ..................................................................................................... 11
Chapitre I ................................................................................................................................ 15
L’ASSEMBLAGE EN MICROELECTRONIQUE............................................................................. 15
Introduction Chapitre I......................................................................................................... 16
I - 1 - Multi-Chip-Modules (MCM) ..................................................................................... 17
I - 2 - Transfert Automatique sur Bande (TAB)................................................................. 17
I - 3 - Flip-Chip ....................................................................................................................... 18
I - 3 - 1 - Connexions Filaires................................................................................................ 19
I - 3 - 2 - Connexion par Microbilles ou « Bumping » ...................................................... 22
I - 3 - 3 - Étude Comparative des Différentes Techniques ............................................... 32
Conclusion Chapitre I .......................................................................................................... 34
CHAPITRE II ............................................................................................................................. 35
WAFER BUMPING PAR SERIGRAPHIE POUR UN ALLIAGE SANS-PLOMB................................ 35
II - 1 - Les Under-Bump-Metallurgy (UBM) ...................................................................... 36
II - 1 - 1 - Piste de Connexions ............................................................................................. 37
II - 1 - 2 - Couche d’Accroche Mécanique .......................................................................... 37
II - 1 - 3 - Barrière de Diffusion ............................................................................................ 37
II - 1 - 4 - Couche de Mouillabilité....................................................................................... 38
II - 2 - Technique de Dépôt de pâte à braser par Sérigraphie ......................................... 39
II - 2 - 1 - Caractéristiques de la sérigraphie ...................................................................... 40
II - 2 - 2 - La Pâté A Braser .................................................................................................... 46
II - 3 - La refusion De La Pâte A Braser .............................................................................. 53
II - 3 - 1 - Réaction Chimique et Interface .......................................................................... 54
II - 3 - 2 - Profil Thermique de Refusion............................................................................. 55

7
II - 3 - 3 - Modes de Refusion ............................................................................................... 57
Conclusion Chapitre II.......................................................................................................... 62
CHAPITRE III ............................................................................................................................ 64
RESULTATS EXPERIMENTAUX ET OPTIMISATION DU PROCEDE ............................................. 64
III - 1 - Méthodologie du Plan Factoriel ............................................................................. 65
III - 1 - 1 - Définition des Facteurs Etudiés et du Domaine Expérimental .................... 66
III - 1 - 2 - Analyse des Résultats ......................................................................................... 67
III - 2 - Optimisation des Paramètres de la machine de sérigraphie .............................. 71
III - 2 - 1 - Caractéristiques d’un dépôt Par Sérigraphie .................................................. 71
III - 2 - 2 - Caractéristiques du Masque de Sérigraphie.................................................... 72
III - 2 - 3 - Démarche et Méthodologie (Pâte type 4) ........................................................ 73
III - 2 - 4 - Dépôt de Pâte type 5 ........................................................................................... 76

III - 3 - Optimisation des formes et des dimensions d’ouvertures du masque de

sérigraphie .............................................................................................................................. 77
III - 3 - 1 - Pâte type 4 ............................................................................................................ 77
III - 3 - 2 - Pâte type 5 ............................................................................................................ 79
III - 3 - 3 - Pâte type 6 ............................................................................................................ 81
III - 4 - Étapes Technologiques pour la Formation des UBM.......................................... 82
III - 4 - 1 - Étape 1: Dépôt des Pistes de Connexions ........................................................ 82
III - 4 - 2 - Étape 2: Passivation des Pistes de Connexions ............................................... 82
III - 4 - 3 - Étape 3: Dépôt de L’UBM................................................................................... 83
III - 5 - Optimisation Des Formes et Des Dimensions D’UBM ....................................... 85
III - 5 - 1 - Formes et Dimensions Mises en Evidence....................................................... 85
III - 5 - 2 - Résultats et analyse ............................................................................................. 86
III - 6 - Formation de Billes Dont La Taille Est Comprise Entre 50µm et 100µm ......... 89
III - 6 - 1 - Dessin De Masque ............................................................................................... 90
III - 6 - 2 - Le Profil Thermique de Refusion pour une Pâte Sans-Plomb ...................... 90
III - 6 - 3 - Résultats expérimentaux .................................................................................... 91
III - 7 - Premiers essais d’assemblage Flip-Chip ............................................................... 96
Conclusion Chapitre III ...................................................................................................... 101
CHAPITRE IV.......................................................................................................................... 102

8
ÉTUDE DE FIABILITE DES BILLES DE CONNEXION SANS-PLOMB......................................... 102
IV - 1 - Les Contraintes ....................................................................................................... 103
IV - 1 - 1 - Les Déformations .............................................................................................. 104
IV - 1 - 2 - La Dilatation Thermique .................................................................................. 104
IV - 2 - Test de Cisaillement (Shear-Test)......................................................................... 105
IV - 3 - Etude de la Défaillance de la bille de connexion ............................................... 107
IV - 3 - 1 - Influence De La Taille D’UBM Sur La Force de Rupture ............................ 107

IV - 3 - 2 - L’influence de la métallurgie de l’UBM sur la force de cisaillement et

analyse des IMC................................................................................................................... 111
IV - 4 - La variation de la force de cisaillement suivant la vitesse de l’outil............... 115
Conclusion Chapitre IV ...................................................................................................... 120
CONCLUSION GENERALE....................................................................................................... 122
BIBLIOGRAPHIE ...................................................................................................................... 129
Indexe d’Abréviation .......................................................................................................... 140
INDEX DES FIGURES................................................................................................................ 141
INDEX DES TABLEAUX............................................................................................................ 146
ANNEXE 1 : DEFINITIONS....................................................................................................... 147
Annexe 2 : Fiches techniques ...................................................................................................

9
10
 INTRODUCTION G ENERALE

L ’assemblage et le conditionnement en électronique représentent une part

importante du prix de revient d’une réalisation « système » puisque l’on
estime à un facteur variant entre 5 et 10 entre la valeur de l’approvisionnement en
composant et le prix de revient industriel.
Parmi les nombreuses solutions proposées pour remplacer les systèmes
traditionnels basés sur le couple cuivre-diélectrique, la plus prometteuse est
l’intégration tridimensionnelle, connue sous le nom d’assemblage 3D qui consiste en
un empilement de tranches électroniques dont l'interconnexion s'effectue en trois
dimensions en utilisant les faces de l'empilement pour réaliser les connexions entre
les tranches (1) (2) (3). On distingue trois principales technologies : Multi-Chip-
Module (MCM), Tape-Automated-Bonding (TAB) et la technologie Flip-chip.
Introduite par IBM où elle est appelée C4 (Control Collapse Chip Connection)
(1) (4) , la technologie Flip-chip favorise la miniaturisation des assemblages : en effet
c’est la technologie qui garantit une plus grande densité d’intégration tout en gardant
les mêmes dimensions de puce. Elle résulte d’un choix de construction de packaging
où les interconnexions sont sous forme matricielle tout au long de la chaîne
d’interconnexion. Au cœur de la technologie de connexion flip -chip, le « Bumping »
est un procédé qui consiste en l’introduction d’une microbille conductrice entre deux
plots de connexion de puces empilées, réalisant ainsi les liaisons électrique et
mécanique entre chaque niveau de l’assemblage ou packaging.
Le laboratoire a développé ces dernières années des techniques d’intégration
verticale de dispositifs microélectroniques et microsystèmes. En effet les travaux de
thèse d’Alexandre VAL (5) ont concerné, dans le cadre du projet Européen
BARMINT, le développement de l’intégration d’un microsystème complet
d’administration de médicaments à partir des technologies MCM-V, fer de lance de
la société 3DPlus. Le but était l’empilement vertical de différentes puces telles que
des capteurs de pression, d’une micropompe et d’un circuit de contrôle, le tout
enrobé dans une résine epoxy et moulé dans un cube, les faces du cube permettant la
réalisation des connexions électriques.
Plus récemment, les travaux de thèse de Stéphane PINEL (6) ont porté sur
l’intégration ultra-compacte de circuits: dans ce cas des puces du commerce étaient
amincies en dessous de 50µm, reportées sur un wafer de silicium, enrobées et

11
planarisées avec du BCB (Benzocyclobutène), puis interconnectées avec des pistes
métalliques, formant ainsi un premier niveau d’interconnexion. Les niveaux suivants
de l’empilement étaient alors réalisables de la même façon. Ces travaux ont été
conduits dans le cadre du projet européen UTCS (Ultra Thin Chip Stacking) avec
entre autres comme partenaire l’IMEC, pour son savoir-faire en intégration
microélectronique et en interconnexions.
Bien que différentes, les deux technologies précédentes d’intégration
verticale présentent une certaine complexité dans la maîtrise des matériaux
d’enrobage, et des contraintes mécaniques liées à l’empilement de matériaux
hétérogènes.
Dans le but d’étudier de nouvelles voies pour l’assemblage électronique et la
demande se faisant forte au sein du laboratoire pour l’utilisation de la technologie
flip-chip pour l’intégration des microsystèmes développés, nous avons choisi
d’envisager la fabrication de billes de connexion.
Dans le premier chapitre de cette thèse, nous présentons les différentes
techniques utilisées pour l’assemblage de composants et en particulier la fabrication
de billes métalliques afin de justifier le choix qui a été le nôtre.
Différentes techniques, connues sous le nom de « Wafer-Bumping », peuvent
être mises en œuvre: dépôt en phase vapeur, en phase liquide, en phase solide ou
dépôt par électrochimie. Cependant les trois principales techniques qui ont eu un
succès commercial sont le dépôt de billes métalliques par évaporation, le dépôt
électrolytique et la sérigraphie (7) (8) (9).
Nous avons choisi d’analyser les potentialités de la technique de sérigraphie
de pâte à braser sans-plomb pour la réalisation de ces billes de connexion. En effet,
cette technologie est récemment devenue pratique en raison de sa capacité de
production à grande échelle, son adaptation aux nouveaux matériaux non toxiques et
son faible coût.
Ce choix a été fait en collaboration avec la société NOVATEC, partenaire
privilégié du LAAS pour des projets liés à l’assemblage. La société NOVATEC est en
effet leader dans le développement de procédés innovants pour l’assemblage
électronique et en particulier pour la sérigraphie. Bien que ce procédé se heurte à la
difficulté de maîtrise des matériaux et de leurs interactions, il nous est app aru qu’il
pouvait être un bon point de départ pour de nouvelles investigations en explorant les
possibilités offertes par les nano matériaux actuellement développés.
Nous nous sommes fixés comme objectifs la réalisation des matrices de billes
de connexions électriques dont les dimensions sont comprises entre 50 µm et 100 µm,
pour des pâtes à braser sans–plomb, avec comme application les assemblages haute
densité flip-chip.

12
 Le principe de la sérigraphie de pâte à braser est décrit dans le deuxième
chapitre, en mettant l’accent sur les différents paramètres qui influent sur le procédé
et que nous optimiserons dans le chapitre 3, à savoir : l’UBM (Under Bump
Metallurgy) constitué d’un multicouche métallique sur lequel est déposé la pâte à
braser, les paramètres machine tels que la pression et la vitesse de racle, la géométrie
des ouvertures du masque de sérigraphie, les paramètres liés à la constitution de la
pâte à braser et enfin le choix du mode de refusion.
Nous présentons dans le troisième chapitre les résultats expérimentaux et les
différentes étapes qui ont conduit à l’optimisation des paramètres précédemment
cités et à la réalisation de billes de connexion de diamètre inférieur à 100µm. Nous
avons testé différents types de pâte à braser (type 4, type 5 et type 6) qui se
différencient par la taille des particules métalliques qui les constituent. Nous avons
comparé différentes ouvertures du masque de sérigraphie (carrée ou circulaire), en
faisant varier le diamètre d’ouverture et l’écartement (ou pitch). Nous avons procédé
également à l’étude de l’influence de la forme de l’UBM (carré, rond ou en étoile) et
du rapport entre la taille de l’UBM et le diamètre de l’ouverture du masque. Nous
avons enfin étudié l’influence du profil thermique de refusion sur la formation de
billes sphériques. Nous montrons, à la fin du chapitre 3, les premiers essais
d’assemblage Flip-chip que nous avons menés à partir des billes de connexions que
nous avons obtenues.
Enfin dans un dernier chapitre nous présentons l’étude de fiabilité qui a été
faite sur les billes de connexion ainsi réalisées au moyen de tests de cisaillement (ou
Shear-test) afin de mesurer la force de rupture conduisant à l’arrachement de la bille.
Des analyses EDX ont également été menées afin d’analyser la constitution des
intermétalliques formés à l’interface bille/UBM et ainsi valider le mode de refusion.
Ces travaux étant supportés financièrement par la communauté
d’agglomération Montauban 3 rivières dans le cadre de la plate forme technologique
Micropacc, nous envisagerons le transfert de nos résultats pour incrémenter le savoir
faire technologique de cette plate forme. A noter que durant ces trois dernières
années nous avons été également sollicités pour assister et encadrer
technologiquement la plateforme Micropacc du lycée Bourdelle dirigée par M. le
Proviseur JP. AIMONETTO, dont nous tenons à remercier sa volonté de faire
prospérer cet outil technologique.

13
14
 CHAPITRE I

CHAP I : L’ASSEMBLAGE EN
MICROELECTRONIQUE

15
 INTRODUCTION CHAPITRE I

L ’évolution qui caractérise principalement le domaine de la

microélectronique est la réduction des dimensions des circuits intégrés.
Au cours des quatre dernières décennies l’industrie des semi-conducteurs n’a cessé
d’améliorer ses produits grâce à l’augmentation de la densité d’intégration, de la
vitesse de fonctionnement et de la diminution du coût de fabrication. Pourtant, les
effets de la réduction des dimensions ne se limitent pas à un simple facteur d’échelle :
des effets secondaires apparaissent, des limitations physique et technologique font
surgir de nouvelles contraintes. L’introduction de solutions innovantes se révèle
indispensable : parmi les nombreuses solutions proposées pour remplacer les
systèmes traditionnels basés sur le couple cuivre-diélectrique, la plus prometteuse est
l’intégration tridimensionnelle.
L’intégration tridimensionnelle connue sous le nom d’assemblage 3D consiste
en un empilement de tranches électroniques dont l'interconnexion s'effectue en trois
dimensions en utilisant les faces de l'empilement pour réaliser les connexions entre
les tranches. On distingue trois principales technologies : la MCM, la TAB la Flip-
chip.
Un exemple d’assemblage 3D est présenté dans la Figure 1. L’objectif de ce
chapitre est de présenter les différentes technologies d’assemblage. Le choix de la
technique qui nous permettra une miniaturisation du circuit intégré tout en
assumant les contraintes physique, technologique ainsi que économique sera justifié
par une étude comparative du point de vue coût et marché industriel.

Figure 1 : Exemple d’assemblage 3D structure Flip-chip sur MCM (10)

16
I - 1 - MULTI-C HIP-MODULES (MCM)
Dès les années 80, IBM inventa le concept du MCM, en reportant un nombre
élevé de pastilles de circuits intégrés nues, directement sur un substrat multicouches
en céramique cofrittée (Figure 2) : c’est la MCM-C (Multi-Chip Module-Ceramic). Les
MCM représentent le plus récent et le plus important pas en avant en packaging
micro-électronique. Avec l’arrivée de ces technologies, on a assisté à une
amélioration significative des performances des fonctions électroniques,
accompagnée d’une réduction importante des tailles et du poids des cartes
électroniques. Avec l’augmentation prévisible des volumes en micro-électronique, la
technologie MCM représente une alternative plus économique que les actuels
boîtiers mono-chip (11).

Figure 2 : Exemple d’une structure MCM (10)

I - 2 - TRANSFERT AUTOMATIQUE SUR B ANDE (TAB)

La TAB est une technique d’assemblage développée en 1969 par la société
«General Electric ». Le mérite principal de cette technique est de faciliter le test du
composant électronique avant qu’il ne soit assemblé (11). Elle est basée sur
l’utilisation d’un ruban de format cinématographique sur lequel un réseau de
conducteur est obtenu par gravure ou croissance chimique constituant ce qui est
communément appelé une « araignée » d’interconnexions. Le ruban peut donc être
considéré comme un support d’interconnexions particulier, constitué d’un seul
niveau conducteur sur un isolant très stable dimensionnellement. Dans les débuts du
procédé d’assemblage de circuits intégrés par TAB, les plots de sorties devaient
recevoir un traitement spécifique, qui consistait à déposer une barrière de diffusion
métallique (titane ou tungstène), puis une épaisseur d’or d’une vingtaine de
micromètres d’épaisseur. Cette exigence imposait aux fabricants de circuits intégrés
une étape supplémentaire.
Cette soudure collective a été un argument dans le développement de cette
technique dans les années 70 pour des puces ayant 14 à 28 fils, mais l’augmentation
de la complexité et la dimension des circuits intégrés ont provoqué des problèmes
d’homogénéité au niveau des soudures et de leurs contrôles. En effet, la soudure
collective d’un grand nombre de plots nécessite une force unitaire considérable, qui
peut conduire au clivage de la puce (10). Pour pallier à cet inconvénient de lourds

17
investissements sont nécessaires pour les équipements « ILB » (Inner Lead Bonding)
ce qui restreint l’utilisation de cette technique à des puces de petites dimensions
(10/10mm2 ). Pour les grandes puces montées en TAB, l’obligation a été le retour à la
soudure point à point. Entre-temps les machines de micro-câblage ont évolué de
façon à rendre celui-ci plus rapide et plus fiable. Le circuit intégré est assemblé au
centre de l’araignée par l’opération d’ILB; la zone des soudures peut éventuellement
recevoir une résine de protection. Le composant est testé et peut être assemblé
ensuite sur un support d’interconnexion. Cette dernière étape s’appelle OLB (Outer
Lead Bonding) (12) : on peut envisager deux zones d’OLB successives comme le
montre la Figure 1.

I - 3 - FLIP-C HIP
La technologie Flip-chip a été introduite par IBM où elle est appelée C4 : elle
résulte d’un choix de construction d’assemblage où les interconnexions sont sous
forme matricielle tout au long de la chaîne d’interconnexion. Les billes de soudure
réalisent la liaison électrique et mécanique avec le niveau d’assemblage suivant. La
principale caractéristique de cette technologie d’assemblage est qu’elle permet un
plus grand nombre de connexions (12).
L’assemblage d’un circuit intégré sur son support, dans la configuration Flip -
Chip, peut s’effectuer par soudure ou par collage. Dans le premier cas, des billes de
soudure sont disposées sur la puce, et permettent de créer un lien mécanique et
électrique avec le support (Figure 4). Dans le second cas, c’est une substance adhésive
qui provoque la jonction des deux corps ; trois types d’adhésifs sont à distinguer :
conducteur, isolant et isotrope (c'est-à-dire que le passage de courant s’effectue
uniquement selon une direction précise). La technologie Flip-Chip favorise la
miniaturisation des microsystèmes : en effet c’est la technologie qui garantit une plus
grande densité d’intégration tout en gardant les mêmes dimensions de puce.
Comme indiqué précédemment, la technologie Flip-chip se compose de deux
principales filières : on trouve les connexions filaires et les connexions par microbille.
Après avoir décrit les différents procédés conduisant à ce type de connexions, nous
effectuerons une étude comparative de marché, afin de définir les interconnexions
nous permettant d’obéir aux critères suivants: interconnexions fiables, permettant
une augmentation de la densité d’intégration et donc la miniaturisation du
composant, garantissant un faible coût et une grande échelle de production, et
respectant l’environnement.

18
 Figure 3 : Structure TAB (12)

Figure 4 : Schéma en coupe d’une structure d’assemblage en flip-chip (10)

I - 3 - 1 - CONNEXIONS FILAIRES
La technique du câblage filaire ou «wire bonding» est développée depuis de
nombreuses années. Cette technique permet, après positionnement et fixation d’une
puce sur son support, de connecter électriquement la puce au moyen d’un fil soudé
sur sa périphérie (Figure 5) : les machines automatiques fonctionnent à des cadences
très élevées (>10fils/seconde) (13) (14) et permettent de satisfaire les assembleurs de
composants. Selon le type de composant et la nature des fils (Au, Al, Cu), leurs
diamètres varient de 17µm à quelques centaines de microns, ainsi que le pas qui
varie à son tour de 50 µm à quelques centaines de micromètres. Pour faire face à la
réduction des pas d’interconnexion, on trouve aujourd’hui des puces superposées
présentant plusieurs niveaux de connexions filaires. Cette méthode économique
possède un très fort degré d’industrialisation ; elle montre ses limites en termes
d’intégration face à l’augmentation de la densité d’interconnexions (la densité est
limitée à la périphérie de la puce) et aussi au niveau électrique (la fréquence de
fonctionnement est de plus en plus élevée). Deux techniques sont possibles pour le
wire bonding : le « ball bonding » (15) (16) (17) et le « wedge bonding » (18) (19) (20).

19
 Figure 5 : Schéma du principe du «wire bonding» (18)

I - 3 - 1 - 1 - BALL BONDING
La première méthode assurant le « Ball-bonding » a été la thermocompression.
Ce procédé permet d'obtenir une jonction par diffusion, avec apport de pression et
de chaleur. Un fil d'or passe à travers un capillaire chauffé par la décharge d'un
condensateur ou par une flamme d'hydrogène (100 à 200 °C). Une boule formée à la
sortie du capillaire, est soudée sur un plot de sortie du circuit. Le capillaire est
ensuite déplacé pour effectuer la deuxième soudure. Le fil est arraché par le
capillaire, une nouvelle boule est reformée et une nouvelle connexion peut être
effectuée. Ce procédé est décrit sur la Figure 6.
La deuxième méthode, appelée câblage thermosonique, a remplacé la
thermocompression dans la plupart des applications. Comme précédemment, on
réalise une diffusion métal/métal sous pression mais à température peu élevée
(substrat maintenu entre 100°C et 150°C). C'est l'énergie ultrasonore appliquée à
l'interface aluminium/boule d'or qui permet d'obtenir une bonne jonction (18)
(Figure 7). Les risques de formation des composants intermétalliques (IMC) et de
dégradation des composants se trouvent donc minimisés.

I - 3 - 1 - 2 - WEDGE BONDING / WIRE BONDING

La principale méthode qui garantit le «Wedge Bonding» est le câblage
ultrasonique (Figure 8). Il s'agit d'une soudure à froid assurée par l’addition de
l’énergie ultrason et la pression. Un fil est amené par le stylet, puis appliqué sur le
plot à souder. La liaison entre le fil et la zone à connecter s'effectue en combinant
pression et vibration ultrasonore (21) (22). C'est l'énergie ultrasonique qui entraine
un ramollissement du fil, semblable à l'effet obtenu par une élévation de
température. Le fil est ensuite guidé par l'outil sur le second plot et une soudure est
effectuée. La soudure étant effectuée à froid, la formation d’IMC est évitée (23) (24)
(25). Avec cette méthode on peut avoir un pas de 50µm comme le montre la Figure 9.

20
 Figure 6 : Séquences de câblage « Ball-bonding» (12)

Figure 7 : Microcâblage ball bonding à 50 μm de pas (12)

Figure 8 : Schéma du principe du câblage ultrasonique pour le «Wedge Bonding » (23)

21
 Figure 9 : Zone câblée en Wedge Bonding au pas de 50µm (12)

I - 3 - 2 - CONNEXION PAR MICROBILLES OU « BUMPING »

Au cœur de la technologie de connexion flip-chip, le « Bumping » est un
procédé qui consiste en l’introduction d’une microbille conductrice entre les deux
plots de connexion des puces (Figure 10). Ces plots sont recouverts d’une couche
adéquate d’accroche appelée UBM (Under-Bump-Metallurgy) (26) (27) (28) qui
assure deux fonctions : la connexion électrique entre le composant à assembler et son
support, et l’établissement d’un lien mécanique. L’un des points les plus importants
dans ce procédé est de limiter la taille de la bille sur la puce (29) . Par rapport à la
technique de Wire-Bonding, la technologie flip-chip par bumping permet d’obtenir
un assemblage à haute densité d’interconnexions (nombreuses entrées/sorties
électriques) hautement performant (connexions plus courtes, faible inductance, faible
bruit) (30), de diminuer la taille des composants et la taille finale du packaging.
Différentes méthodes d’obtention de ces microbilles sont mises en œuvre selon
quatre techniques (31): dépôt en phase vapeur, en phase liquide et en phase solide, et
dépôt par électrochimie (32). Dans les paragraphes suivants, nous allons exposer
chacun des principes régissant ces méthodes et leurs procédés (33).

I - 3 - 2 - 1 - DEPOT EN PHASE VAPEUR

Souvent cité comme étant un procédé physique de dépôt (PVD = Physical

Vapor Deposition. Ce dépôt peut être mis en œuvre selon deux procédés distincts
mais très similaires : l’évaporation (electroplating) (34), (35) (36) et la pulvérisation
cathodique (Sputtering).

22
I - 3 - 2 - 1 - a - PROCEDE PAR EVAPORATION OU « ELECTROPLATING »
Mise au point en 1968 par IBM, elle est devenue la technique la plus mature,
connue sous le nom du procédé C4 (37). Les microbilles sont formées par
évaporation de l’alliage, dans une chambre sous vide. L’alliage est placé dans un
creuset puis chauffé au-dessus de sa température de vaporisation. Les vapeurs de
métal se condensent sur toutes les surfaces intérieures de la chambre, y compris le
substrat. Des plots de brasage se forment sélectivement à la surface du substrat au
travers des ouvertures d’un masque, qui possède deux niveaux de métal ; le premier
niveau permet le dépôt par évaporation de l’UBM sur le substrat et le deuxième
niveau permet la formation des billes comme le montre la figure 11. Par ce procédé, il
est possible de faire des microbilles de faible pitch (le pitch est défini comme la
distance entre les centres de deux billes ou deux ouvertures d’écrans) 40µm à 50µm
(38). Utilisant deux niveaux de masque et le procédé d’évaporation, cette technique a
un faible taux de reproduction et est relativement chère du point de vue industriel
(39) (Figure 11).

Figure 10 : Principe de formation des billes pour les connexions Flip-chip (18)

Figure 11 : Principe du procédé d’évaporation sous vide ou « electroplating » (37)

23
I - 3 - 2 - 1 - b - PULVERISATION CATHODIQUE
La pulvérisation cathodique (Sputtering) est une technique qui autorise la
synthèse de plusieurs matériaux à partir de la condensation d’une vapeur métallique
issue d’une source solide (cible) sur un substrat. Elle est très employée pour réaliser
les plages d’accueil (Under Bump Metallurgy UBM), mais peu utilisée pour
l’obtention des microbilles. Elle conduit également à la réalisation de dépôts de faible
épaisseur (quelques micromètres) ; mais elle est moins générique et moins flexible
que l’évaporation sous vide, donc peu pratiquée. Dans le cas précis des alliages
contenant de l’étain et du plomb, la consistance du dépôt (plutôt mou) n’est pas très
favorable (13).

I - 3 - 2 - 2 - DEPOT EN PHASE LIQUIDE

La plupart des alliages de brasage sont des solutions solides qui sont dans un
état métastable au cours de leur solidification à partir de la phase liquide gouvernée
par la cinétique de solidification. Les alliages fondus sont également très réactifs, ils
conduiront à la lixiviation (technique d’extraction de produit soluble des métaux de
n’importe quelle surface mouillée) et s’oxyderont aisément. Trois méthodes sont les
plus fréquentes : le brasage par immersion, le brasage par jet et le brasage par
injection d’alliage (37).

I - 3 - 2 - 2 - a - BRASAGE PAR IMMERSION OU « DIP SOLDERING »

Le procédé de trempe d’un substrat dans un bain de brasage a été mis au point
par Toshiba. Il s’agit d’une méthode de dépôt sans masque où les plots de connexion
se forment directement sur les plages d’accueils (UBM). Une source ultrasonique
(19.5 kHz) est utilisée pour amorcer une cavitation à la surface du plot et enlever
l’oxyde. En moyenne, on peut déposer environ 14µm d’alliage sur un plot de 100µm2
(40). Cette technique est aujourd’hui très peu employée car, d’une part, elle nécessite
l’immersion d’un substrat dans une solution portée à haute température (280°C) et,
d’autre part, le procédé dissout une part significative de l’aluminium des plots (18).

I - 3 - 2 - 2 - b - BRASAGE PAR JET DE METAL LIQUIDE OU « SOLDER JET »

L’un des plus récents développements est le jet de gouttelettes d’alliage de
brasure. Il est basé sur le principe de l’impression par jet d’encre qui est utilisé pour
des volumes importants à bas coût. Proposé par IBM en 1972, deux techniques de
brasage par jet sont adaptées pour le bumping : formation d’une bulle de vapeur,
dans l’encre, obtenue en chauffant un élément résistif (Continuous Mode) (Figure 12)
ou par le déplacement d’un matériau piézoélectrique couplé au fluide (Drop -on-
Demand) (Figure 13) (37).
Le Continuous Solder droplet printing mode est une technique qui permet de
former des gouttes uniformes à partir d’un jet de liquide provenant d’un orifice de

24
délivrance. Un changement volumétrique provoque des variations de pression dans
le fluide qui produisent la formation d’une goutte à l’extrémité d’un orifice. Une
gouttelette est créée dans le système: sa taille est approximativement égale au
diamètre d’orifice du générateur de gouttelettes. C’est une technique à fort
rendement avec une fréquence qui varie entre 5000 et 44000 Hz, permettant d’avoir
des billes de diamètre qui varie entre 50-300 µm (41). L’un des inconvénients de cette
technique est que le réservoir doit contenir une importante quantité de métal liquide
même si on a seulement besoin de faire peu d’impression.
Le Drop-on-Demand obéit au même principe que celui de la Continuous
Solder droplet printing mode. Par contre un changement de volume est induit soit
par le déplacement du matériel piézoélectrique qui est couplé au fluide, soit par la
formation des bulles de vapeur dans le liquide produite par une résistance
chauffante. La boule est créée seulement à la demande et elle a approximativement
un diamètre égal à celui de l’orifice.

Figure 12 : Le Continuous Solder droplet printing mode (37)

Figure 13 : Le Drop-on-Demand printing system (37)

25
I - 3 - 2 - 2 - c - BRASAGE PAR INJECTION D’ALLIAGE FONDU (EXTRUSION)
Un creuset percé de trous du diamètre requis et contenant un bain d’alliage de
brasure est aligné sur l’UBM. La tension de surface qui s'exerce au niveau des trous
empêche l’alliage fondu de se déverser au travers. L’application d’une pre ssion à la
surface du liquide permet un écoulement contrôlé (42) (43). Une fois que la brasure
mouille les plots, le creuset est retiré. Un ensemble de forces agit sur la soudure
fondue au niveau de chaque plot : des forces de tension superficielle, des forces de
mouillage et des forces de gravité. Lorsque le creuset est remonté, la brasure forme
des colonnes dont le diamètre diminue jusqu’à ce que la colonne ne puisse plus
s’allonger et qu’elle casse. Il reste sur le plot un volume régulier de brasure, cette
technique est montrée dans la Figure 14.

Figure 14 : IBM’s Solder Injection Process (37).

I - 3 - 2 - 3 - DEPOT PAR ELECTROCHIMIE

La plupart des métaux utilisés en assemblage (Pb, Sn, Au et Ag) s’ionise
facilement en solution. En effet le potentiel d’électrolyse du Pb et du Sn est similaire,
ce qui rend possible le dépôt électrolytique de la soudure (37). C’est une technique
qui vise la technologie flip-chip pour des faibles pitchs.
L’électrodéposition se base sur le principe de l’électrolyse : c’est un dépôt
électrolytique (PVD) qui consiste à réduire un métal présent sous forme ionique en
solution sur une cathode grâce à l’apport d’un courant extérieur. Il s’agit d’une
réaction qui se déclenche par la source de courant. Le substrat représente la cathode.
L’anode est réalisée par une barre de métal. A travers un masque de résine on vient

26
faire croître le métal dans les zones ciblées. La formation des billes est achevée par
une refusion (44) (Figure 15): un exemple de dépôt par électrodéposition avant et
après refusion est donné sur la Figure 15. Comme on utilise la résolution des
procédés de microlithographie pour définir le moule, le diamètre des billes possible
varie entre 5µm et 10µm, pour une production de 25 wafers par heure.

Figure 15 : Formation des billes par électrodéposition (45)

27
I - 3 - 2 - 4 - DEPOT EN PHASE SOLIDE
Les alliages utilisés pour le brasage ont des températures de fusion de
quelques centaines de degrés (180°C à 300°C), leurs constantes de diffusion sont
relativement élevées. Il est donc possible d’effectuer un brasage par diffusion à des
températures qui n’affectent pas thermiquement les circuits intégrés. D’où l’avantage
du soudage ainsi que la possibilité d’assembler des matériaux de microstructures très
différentes avec une déformation plastique limitée. Il existe plusieurs méthodes de
formation de billes en phase solide : le « stud bumping », le microemboutissage (ou
micropunching), le placement de billes préformées (« ball placement » (11)) et la
sérigraphie (37).
I - 3 - 2 - 4 - a - BALL OU STUD BUMPING
C’est une méthode qui dérive de la soudure par fils, utilisant la même
machine avec quelques modifications. Les fils, formés par des métaux purs, sont
produits directement à partir de la coulée par melt-spinning, en rotation d’eau. Après
l’insertion du fil dans le capillaire de la machine, la bille est formée par une décharge
d’arc électrique (18). Le principe ainsi qu’une photo de bille ainsi formée sont
reportés sur la Figure 16.

Figure 16 : Dépôt de billes par Stud Bumping (37)

A partir de fils d’Or de 17µm à 50µm de diamètre et de fils de Cuivre de 20 à
33µm de diamètre, cette technique permet d’obtenir des billes de diamètre inférieur à

28
100µm avec des pitchs de 50 à 60µm. La capacité de production est de l’ordre de 30 à
40 billes par seconde (46).
I - 3 - 2 - 4 - b - MCROEMBOUTISSAGE OU « PUNCH AND DIE »
Cette technique de micro-emboutissage consiste à transpercer un ruban
constitué par l’alliage de brasure au niveau de la couche d’UBM (Figure 17). Un
recuit, où on atteint la température de fusion de l’alliage, permet ensuite de former le
plot de soudure. Cette méthode unitaire, peu utilisée, s’applique à des substrats ou
des puces de petite série. Elle trouve son intérêt pour des états de surface non
uniformes comme des canaux en V utilisés pour des composants optiques (47).

Figure 17 : Principe de dépôt par micro-emboutissage (13)

I - 3 - 2 - 4 - c - SOLDER SPHERE
Il s’agit du placement individuel de microbilles préformées ; elles sont
déversées une par une au travers d’un tube pour venir se placer sur les UBM
(figure18). Cette méthode, brevetée par la société Pac-tech en 2000 (48), nécessite
l’application d’une force à température élevée, à laquelle on adjoint une courte
impulsion laser. Cependant, son débit très faible (49) et ses caractéristiques
techniques (Tableau1), excluent l’utilisation de cette technique dans un réseau
surfacique très dense.

Hauteur de billes Alliages Compatibilité machine Production

60 à 500µm Pb-Sn / Au-Sn / Sn-Ag- BGA / Flip-Chip 10Billes/s
Cu

Tableau 1 : Caractéristiques techniques du dépôt par solder sphere-transfer

29
 Figure 18 : Dépôt de billes préformées par solder-sphere-transfer (48)

I - 3 - 2 - 4 - d - PLACEMENT DE BILLES PREFORMEES OU « BALL PLACEMENT »

Les billes peuvent être déposées soit sur boîtiers de type BGA (Ball Grid Array)
soit sur wafers. Comme le montre le tableau 2, cette méthode est limitée à des
billes de grande dimension, supérieures à 100µm, de par l’utilisation du masque
de sérigraphie ; la capacité de production est cependant importante, avec le dépôt
de 104 à 250.104 billes par passage dans le cas d’un wafer. Les photos de la figure
19 représentent la tête contenant les billes préformées et un exemple de dépôt de
43000 billes de 300µm de diamètre réalisé sur un substrat de silicium.
Cette technique est développée par DEK et utilise le principe de la sérigraphie
Dans ce cas, le placement des microbilles préformées est collectif ; les microbilles
sont déversées collectivement au travers d’un masque pour venir se placer sur les
UBM. Le principe utilisé est schématisé sur la figure 19.

30
 Micro-BGA Wafer

Diamètre bille 300µm à 400µm 200µm à 500µm

Pitch 500µm à 750µm 400µm à 800µm

Production 104 – 2.10 4 104 – 250.10 4

(billes/passage)

Tableau 2 : Capacité de production du « Ball placement » (DEK)

Figure 19 : Schéma du principe de placement de billes préformées (DEK)

I - 3 - 2 - 4 - e - DEPOT PAR SERIGRAPHIE OU « STENCIL PRINTING »

Le procédé de sérigraphie permet un transfert sélectif de matière, à travers un
écran, vers un substrat. L’écran, percé d’ouvertures, placé au-dessus du substrat, est
balayé par une racle qui distribue la matière, à travers les ouvertures de l’écran, pour
la déposer sur le substrat comme le montre la Figure 20. C’est une technique très
connue et très utilisée par l’industrie d’assemblage électronique pour les CMS

31
(Composant Monté en Surface) à très grande série (37). Ce procédé nécessite un faible
investissement ce qui le rend accessible aux PME. Il permet une production à grande
échelle (100000 billes déposées par passage de racle), et il est compatible avec les
alliages sans-Plomb.

Figure 20 : Principe du dépôt par sérigraphie (37)

I - 3 - 3 - ÉTUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTES TECHNIQUES

Le tableau 3 compare les différentes techniques de formation des billes de
connexion, en termes de coût, de densité, de taille de pitch (à savoir distance entre
billes, voir définition en annexe 1) et de respect de l’environnement. Nous avons
utilisé trois niveaux de comparaison : procédé bien adapté (+), moyennent adapté (0)
et pas du tout adapté (-).
Les trois principales techniques qui ont eu un succès commercial sont le dépôt
par évaporation, le dépôt électrolytique et la sérigraphie. Les techniques de dépôt
électrolytique et par évaporation ont progressé à un stade où elles peuvent atteindre
actuellement la viabilité commerciale. Quelques inconvénients cependant liés à
l'environnement car le choix de la composition d'alliage est limité. La technique de
dépôt par sérigraphie de pâte à braser est récemment devenue pratique en raison de
son adaptation aux alliages sans plomb. Cette méthode présente l'avantage d'une
plus grande capacité dans le choix de compositions d’alliages, d'un faible coût et
d'une possible production à grande échelle; cependant son inconvénient majeur est
qu’elle n’est pas adaptée à l’obtention de faibles pitchs.
C’est donc cette technique que nous avons choisie d’introduire au laboratoire
afin de mettre au point les assemblages de type flip-chip pour l’intégration des
microsystèmes qui y sont développés.

32
 Coût Temps de Production Densité Faible Application Respect de
procédé I/O pitch sans Plomb l’environnement

Evaporation - - + + 0 - -
Electrolytique 0 - + + + 0 0
Sputtering 0 0 + + - + 0
Sérigraphie + + 0 + - + +
Stud bumping 0 - - - + + +

Tableau 3 : Comparaison de différentes techniques de connexion par microbilles (50).

33
 CONCLUSION C HAPITRE I

Gagner le défi économique de l’assemblage passe par la réduction du coût et

la miniaturisation des contacts. L’idée que l’on va explorer dans ces travaux de
recherche est celle de la création directe de la bille intermédiaire sur la puce pour
n’avoir à réaliser qu’une soudure unique lors du procédé d’assemblage terminal.
Cette idée est aussi compatible avec la réalisation de contacts encore plus petits et de
matrices encore plus denses. Nous avons opté pour ce faire pour la technique de
sérigraphie de pâte à braser sans plomb. Dans ce contexte, notre travail de thèse
portera sur la maîtrise d’un nouveau matériau de soudure par sérigraphie, la mise au
point de procédés de réalisation de matrices de points de soudure, l’étude et
l’expérimentation de véhicules de tests pour valider tous les procédés réalisés, la
fiabilisation des procédés, l’analyse des modes de défaillance et le transfert
industriel.
Le défi à relever est l’adaptation de la technique de sérigraphie, assurant une
très grande densité d’intégration par la réalisation simultanée de plusieurs milliers
de connexions électriques sur les substrats, avec un procédé d’assemblage de type
« Wafer Level Package », ou assemblage au niveau du substrat, avec de nouveaux
matériaux, tels que l’alliage sans Plomb.

34
 CHAPITRE II
CHAP II : WAFER-BUMPING PAR

SERIGRAPHIE POUR UN ALLIAGE

SANS-PLOMB

35
 INTRODUCTION CHAPITRE II

L a sérigraphie de pâte à braser se définit comme le dépôt d’une quantité de pâte à

braser à travers un masque. Faire de l’assemblage Flip-chip par sérigraphie
consiste à faire du Wafer-Bumping, à savoir la formation de billes de connexion
électrique directement sur substrat silicium. C’est un procédé technologique que l’on
définit comme suit :
- Formation des Under-Bump-Metallurgy (UBM) ou couches métalliques
intermédiaires entre la piste d’interconnexion et la pâte à braser ;
- Dépôt de pâte à braser sur substrat par sérigraphie ;
- Refusion thermique de la pâte permettant de la transformer en bille de
connexion ;
Dans la première partie de ce chapitre nous définirons les UBM (Under Bump
Metallurgy), à savoir les couches métalliques qui les constituent et le rôle de chacune
d’elles.
La seconde partie sera dédiée à la présentation de la technique de sérigraphie
et la détermination des paramètres qui influent sur le dépôt : pression et vitesse de
racle par exemple, nature du masque de sérigraphie. Nous discuterons des différents
types de pâtes à braser ainsi que des alliages qui les constituent.
Nous définirons enfin le profil thermique de refusion ainsi que chaque phase
qui le constitue, puis nous décrirons les différents types de refusion (conduction,
convection et rayonnement infra rouge) en définissant les lois qui les régissent.

II - 1 - LES U NDER-BUMP-M ETALLURGY (UBM)

L’UBM constitue la première étape dans la formation des billes de connexions
pour l’assemblage flip-chip. Dans l’assemblage à très forte densité d'interconnexion,
en particulier flip-chip, le point de soudure est de petite taille, formé à partir d’un
alliage à grande teneur en étain. La sélection d'un bon UBM est très importante, car il
est souvent responsable des échecs de connexion (51).
L’UBM est donc l’élément qui permet de maintenir le point de connexion
attaché au substrat. Il repose sur la piste métallique d’interconnexion déjà présente
sur le circuit silicium recouverte partiellement par une couche de passivation. Il est
constitué de plusieurs couches métalliques qui ont chacune une fonction bien précise.
La figure 21 montre une vue en coupe de l’ensemble substrat-UBM bille de
connexion.

36
 Couche de mouillabilité
UBM : Barrière de diffusion

Couche d’accroche

Piste de connexions électrique

Passivation
Wafer

Figure 21 : Vue en coupe schématique d’un UBM

On distingue trois parties essentielles dans la constitution d’UBM :

- La couche d’accroche mécanique de la bille de connexion sur le substrat.
- La barrière de diffusion des atomes des différents matériaux dans l'alliage de la
bille.
- La couche qui assure une bonne mouillabilité de la pâte à braser sur la surface du
substrat.
Nous allons décrire chacune de ces parties en mettant l’accent sur les matériaux qui
les constituent.

II - 1 - 1 - PISTE DE CONNEXION
C’est la toute première couche à réaliser, elle assure l’acheminement du
courant, d’une part entre deux puces à travers une bille, et d’autre part entre des
billes sur une même puce. Comme toute piste de connexion électrique, le métal
utilisé doit avoir une excellente conductivité électrique avec une résistance à
l’oxydation.

II - 1 - 2 - COUCHE D’ACCROCHE MECANIQUE

À travers cette couche d’adhérence, qui couvre la métallisation de la puce,
l’interface entre le plot de la puce et le substrat est renforcée. Le choix du matériau
dépend donc de la nature de la piste de connexion, et du matériau de la seconde
couche. Les couches les plus employées et qui permettent d'accrocher une large
variété de matériaux sont à base de chrome (Cr), de Titane (Ti), de Nickel (Ni), de
Tungstène(W) ou des alliages tels que (TiW, CrCu).

II - 1 - 3 - BARRIERE DE DIFFUSION
La couche barrière a pour rôle de bloquer la diffusion des atomes de la couche
d’accroche ainsi que ceux des pistes de connexions, vers l’alliage de la bille et ce dans
le but d’éviter toute formation de microstructures à l’interface entre la couche d’UBM

37
et la bille. La présence de ces microstructures limiterait l’homogénéité de la structure
de la bille et favoriserait donc sa cassure.
La microstructure des points de connexions riches en étain est fortement
influencée par des éléments d'alliage tels que l’Ag, Cu, Sb, Bi, In, Zn, et Co. La
formation des dendritiques primaire β-Sn, est assez fréquente dans les alliages
binaires ou ternaire riches en étain tels que Sn-0.7Cu, Sn-3.5Ag, et Sn-3.8Ag-0.7Cu
(52).

II - 1 - 4 - COUCHE DE MOUILLABILITE
Par définition, le mouillage d'un liquide (pâte à braser dans le cas présent) sur
un solide (UBM), désigne la forme que prend le liquide à la surface du solide.
La mouillabilité est généralement caractérisée par l’angle de contact θ formé à
la ligne triple du système (solide, liquide, vapeur) (Figure 22). On parle de mouillage
total lorsque le liquide s'étale totalement, et de mouillage partiel lorsque le liquide
forme une goutte sur le solide (53) c'est-à-dire que l’angle formé par la surface du
métal avec la tangente de la goutte d’alliage fondu est inférieur à 90°.

Figure 22 : Représentation schématique de la mouillabilité d’un solide par un liquide (54)

Le Ni a été largement utilisé en tant que barrière de diffusion en raison d e la

rapide réaction entre l’étain, alliage principal du point de soudure et le cuivre,
matériau des pistes de connexions, dans le but d’éviter la formation des
intermétalliques (Cu-Sn). L’angle de contact résultant du dépôt de pâte braser Sn-
3Ag-0.5Cu sur une surface de Ni-P (de 7% à 13% de phosphore) est compris entre 18°
et 27° (55). Mais en ajoutant une couche d’Or (Au) on assure un meilleur mouillage :
l’Au agit également en tant que barrière de diffusion en plus de sa résistance à
l’oxydation (56). Le Tableau 4 présente quelques matériaux utilisés comme UBM pour
l’assemblage flip-chip.

38
UBM Technique Alliage de la bille
TiW/Cu/ Cu Electroplating Sn-3.5Ag, Sn37Pb (51)
Cr/Cr-Cu/Cu Electroplating

Ni-W/Cu Electroplating
TiW /NiV Electroplating
Ni-P/Au Electroless Nickel immersion Gold Sn-Pb (57) (58) (59)
Ti/Cu/Ni-P Ellectroplated SAC (55)

Tableau 4 : Alliages candidats pour la formation des UBM

II - 2 - TECHNIQUE DE DEPOT DE PATE A BRASER PAR

SERIGRAPHIE
Le dépôt de la pâte à braser par sérigraphie est conditionné par de multiples
facteurs: le masque de sérigraphie à travers lequel on a un transfert sélectif et local isé
de la pâte à braser et qui définit l’épaisseur de dépôt, la nature de pâte à braser et sa
métallurgie et les paramètres de la machine de sérigraphie. Suivant ces facteurs,
différentes formes de dépôt de pâte peuvent apparaître après enlèvement du masque
de sérigraphie comme le montre la Figure 23.

Figure 23 : Variation de forme de dépôt de pâte suivant le dessin de masque

Un dépôt par sérigraphie sera considéré comme satisfaisant s’il présente :

Une hauteur uniforme égale ou légèrement inférieure à l’épaisseur du masque
de sérigraphie,
Une forme qui correspond à la forme gravée sur le masque de sérigraphie
c'est-à-dire cylindrique pour les ouvertures circulaires et cubique pour celles
rectangulaires,
Une largeur correspondant à l’ouverture du masque avec un minimum
d’étalement,
Un dépôt uniforme sur toutes les ouvertures.

39
II - 2 - 1 - CARACTERISTIQUES DE LA SERIGRAPHIE
Nous allons dans cette partie décrire les différents éléments qui constituent
une machine de sérigraphie : le masque ou pochoir, et la racle. Nous définirons
également les différents paramètres machine qui influent sur le dépôt.

II - 2 - 1 - 1 - MASQUE DE SERIGRAPHIE
Le masque de sérigraphie conditionne un grand nombre de paramètres de par
ses obligations : faciliter le dépôt de la pâte en transférant une quantité précise de
matière à un endroit donné sur le PCB (Printed Chip Board ou circuit imprimé) ou,
dans notre cas d’assemblage direct, sur le substrat semi conducteur. Un masque de
sérigraphie se distingue par sa technologie de fabrication, sa matière et le dessin de
ses ouvertures (Figure 24).
On dénombre trois technologies de fabrication de masque de sérigraphie : la
gravure chimique, la découpe laser et la croissance électrolytique. Chacune se
distingue par la qualité des parois d’ouverture et son coût ainsi que par son aptitude
à produire des pas d’ouverture fins.

Figure 24 : Coupe transversale du masque

II - 2 - 1 - 1 - a - GRAVURE CHIMIQUE
La gravure chimique se fait des deux côtés du métal qui constitue le masque
(Figure 25). Le masque qui est conçu par voie chimique est généralement utilisé pour
des applications avec de grands pitchs de l’ordre de 1400µm (60). Ce procédé de
fabrication est à éliminer dans le cas de notre étude, puisque notre objectif est de
réaliser des billes avec un faible pitch. Un exemple de réalisation est donné sur la
Figure 26.
II - 2 - 1 - 1 - a - GRAVURE LASER
Avec la gravure laser les ouvertures de masque sont découpées une par une
de façon séquentielle. Ce procédé, plus précis que la gravure chimique, est nettement
plus onéreux et présente des parois d’ouverture granuleuses comme le montre la
Figure 27.

II - 2 - 1 - 1 - b - LA CROISSANCE ELECTROLYTIQUE
Procédé d’électrodéposition de matière, il est le plus adapté pour les
applications visant des faibles pitchs (20µm). Le processus consiste à une croissance

40
électrolytique de nickel autour d'un vernis photosensible, de l'image désirée d u
pochoir. Le vernis photosensible est enlevé quand l'épaisseur désirée est atteinte: une
épaisseur de 25µm minimum est possible (Figure 28). Le coût de fabrication d’un
pochoir électro-formé peut être 5 à 10 fois moins élevé qu’un pochoir obtenu par
gravure laser pour le même nombre d’ouvertures.

Figure 25 : Principe de la gravure chimique d’un écran de sérigraphie (60).

Figure 26 : Exemple de masque dont l’ouverture est obtenue par gravure chimique
(DEK) (60).

Figure 27 : Ouvertures obtenues par découpe laser (DEK).

Figure 28 : Ouvertures définies par croissance électrolytique (DEK).

41
II - 2 - 1 - 1 - c - LE DESIGN DU MASQUE
La manière la plus commune de caractériser la capacité d'une ouverture de
masque à transférer la pâte à braser est le rapport entre la largeur de l'ouverture
comparée à l'épaisseur du pochoir appelé «Area Ratio ».
Area Ratio pour une ouverture circulaire

Area Ratio = Π r2 / 2 Π r t = r/ 2 t, (II.1)

Area Ratio pour une ouverture rectangulaire

Area Ratio = Longueur x largeur /2 (longueur x t) + (largeur x t) (II.2)

Avec : r = rayon de l’ouverture, t = épaisseur du masque

II - 2 - 1 - 2 - LES TYPES DE RACLE

La racle est l’outil avec lequel on transfère la pâte à braser à travers le masque
de sérigraphie. On distingue deux catégories :
- Les racles sous forme de lame (Figure 31).
- La tête ProFlow® (61) qui est sous forme d’une chambre fermée (Figure 32).
Différents matériaux peuvent être utilisés pour la racle, métallique ou
plastique respectivement (Figures 29 et 30) : suivant l’application on ajuste les
paramètres angle et vitesse pour exercer une pression sur la pâte à braser afin
d’obtenir un remplissage conforme des ouvertures du masque. Suivant le type
d'appareil de sérigraphie, l’ajustement se fait par rapport à la pâte à braser, en jouant
sur sa viscosité et sa granulométrie.
Typiquement, dans une application de sérigraphie de pâte à braser on utilise
une racle : pour notre projet on utilise une racle en métal, inclinée de 45° par rapport
au masque de sérigraphie et longue de 300 mm.
Le ProFlow® a été la première solution de tête fermée comme le montre la
Figure 31, et reste principale dans l’industrie car sa technologie est continuellement
optimisée. La tête double-chambre de ce système contrôle directement une grande
partie des variables qui peuvent affecter le rendement, telles que la tenue de crème
sur l’écran et son conditionnement.
La technologie ProFlow® permet une vitesse de sérigraphie jusqu’à 5 fois
plus rapide qu’avec des racles conventionnelles (62). Différentes têtes sont
disponibles qui permettent soit de recharger la crème directement dans la chambre,
soit d’utiliser des cassettes pré-remplies (Figure 32) ce qui nécessite une quantité
importante de pâte.

42
Figure 29 : Racle métallique Figure 30 : Racle plastique

Figure 31 : Mouvement d’une racle de sérigraphie (62)

Figure 32 : Dépôt de pâte par le système Proflow® (62)

43
II - 2 - 1 - 3 - LES PARAMETRES DE LA MACHINE DE SERIGRAPHIE ET LEUR INFLUENCE
SUR LE DEPOT :

La machine de sérigraphie utilisée dans notre projet est une Horizon 01 de

chez DEK (Figure 33) : elle comporte un support écran de 29 pouces « 1 », un support
de racle et de tête Proflow mobile « 2 », un système de nettoyage « 3 », un support
wafer de 4 pouces « 4 » (Figure 34), une caméra pour l’alignement.
Les deux critères qui définissent la qualité du dépôt de pâte à braser par
sérigraphie sont l’épaisseur déposée et l’étalement de la pâte. Ces deux paramètres
varient suivant la constitution physico-chimique de la pâte (granulométrie de pâte et
flux), les paramètres machine (pression de racle P r, vitesse de racle V r, vitesse de
démoulage V d et distance de démoulage Dd). Dans les paragraphes qui suivent, nous
allons définir chacun de ces paramètres machine ainsi que leur influence sur la
qualité du dépôt et sur la formation de la bille.

1
2

1 2

1
3

3
2

Figure 33 : Machine de sérigraphie DEK-Horizon 01

3
3
4 4

Figure 34 : Support wafer de 4 pouces

44
II - 2 - 1 - 3 - a - PRESSION ET VITESSE DE RACLE
La pression et la vitesse de racle sont deux paramètres qui varient suivant la
viscosité de la pâte : plus la granulométrie de la pâte est faible plus elle est fluide.
Pour exemple, la viscosité dynamique passe de 160Pa.s pour une pâte Indium de
type 3 à 140Pa.s pour une pâte de type 4 (voir tableau 10 pour la définition des types
de pâte à braser).
Elles sont complémentaires, elles dépendent l’une de l’autre. Ces deux
paramètres contrôlent la quantité de matière à transférer vers le substrat et aussi son
étalement. Une pression et une vitesse de racle faibles salissent les parois internes des
ouvertures comme le montre la Figure 35, ce qui nécessitera un nettoyage plus
fréquent du masque et d’autre part un risque d’étalement de la pâte.
Par contre une pression et une vitesse de racle insuffisantes conduisent à une
quantité de matière inférieure à celle prévue avec un écrasement du dépôt comme on
peut le voir sur la Figure 36. Les valeurs limites de la vitesse et de la pression de racle
sont données par le fournisseur de pâte (voir la fiche de donnée technique en
annexe). L’optimisation de la vitesse de racle se fait visuellement : en effet on peut
conclure que la vitesse de racle est la bonne si on n’a plus de résidus de pâte sur la
surface du masque après sérigraphie, ce que l’on appelle « nappage ».

Figure 35: Parois d’un masque de sérigraphie salies par la pâte à braser (DEK)

Figure 36 : Forme de dépôt de pâte à braser pour une pression et vitesse de racle élevées.

II - 2 - 1 - 3 - b - VITESSE ET DISTANCE DE DEMOULAGE

La vitesse et la distance de démoulage sont les deux paramètres avec lesquels
on règle le mode de séparation de l’écran et du wafer. C’est l’un des paramètres

45
cruciaux dans la sérigraphie puisqu’il permet de libérer les murs d’ouverture de la
pâte sans laisser de résidus dans les ouvertures de l’écran et sans allonger la pâte.
Ces paramètres sont aussi importants que la vitesse et la pression de racle
puisqu’ils gèrent le temps de sérigraphie.

II - 2 - 1 - 3 - c - SNAP-OFF
Le snap-off est l’espacement que l’on fixe entre le dessus du substrat et le bas
du masque de sérigraphie. Cet espace, en même temps que la vitesse de sérigraphie
et la pression de racle, permet à la racle de définir la distance entre le pochoir et le
substrat pendant que la force est appliquée. On peut travailler avec un snap-off zéro
comme on peut le faire varier de quelques micromètres, ceci dépend de la taille des
ouvertures, de la nature du substrat (époxy ou Silicium) et de la viscosité de la pâte.

II - 2 - 2 - LA PATE A BRASER
La pâte utilisée pour le brasage est choisie pour ses propriétés physiques et
chimiques. Elle est composée d’une partie métallique, un alliage qui constituera la
bille d’interconnexion et qui doit avoir une métallurgie compatible avec celle de la
finition des plots, et une partie organique, appelée flux, qui doit correctement
mouiller les surfaces à braser, c’est-à-dire avoir une bonne adhérence avec ces
surfaces et avoir une viscosité adaptée aux méthodes de brasage industriel.

II - 2 - 2 - 1 - VERS LE SANS-PLOMB
L’indicateur fondamental pour le choix de l’alliage est la température
maximale d’utilisation qui doit respecter un ratio de 0.8 vis-à-vis de la température
de brasage (en degrés Kelvin). En effet sous une contrainte thermique uniforme
proche de ce seuil, la tenue au cisaillement décroît fortement et conduit à une
déformation excessive de la brasure. D’autre part, la plage de température entre le
liquidus (voir Annexe 1) et le solidus (voir Annexe1) de l’alliage doit être le plus faible
possible (l’optimum étant une brasure eutectique (voir Annexe1)), afin de limiter le
risque d’apparition des défauts lors de la réalisation de la brasure (63). Les alliages
utilisés pour le brasage sont généralement basés sur le système étain- plomb (Sn-
37Pb, Sn-40Pb, Sn-36Pb-2Ag).
Tous les alliages qui composent la brasure contiennent un élément très
toxique: le Plomb (son ingestion entraîne à faible dose des troubles neurologiques ou
des malformations à la naissance). A haute dose le plomb provoque un
empoisonnement de l’organisme (saturnisme). S’il est vrai que le risque de polluer
l’eau potable est faible pour la faible température d’utilisation, lors de l’assemblage
des composants électroniques, les risques sont par contre beaucoup plus importants
pour les fabricants qui manipulent les alliages à des températures élevées et en
quantités importantes.

46
 Le plomb fait courir de nombreux dangers tant par sa mise en œuvre que
lorsqu’il est rejeté avec des produits usagés. La répartition des principales sources en
plomb présentée par la Figure 37 (35).

Figure 37: Répartition des principales sources de plomb (35).

Depuis juillet 2006, la directive européenne RoHS (Restriction of Hazardous

Substances) a interdit le plomb ainsi que d’autres substances dans les équipements
électroniques. Le remplacement du plomb dans les alliages de soudure dans
l’industrie de la microélectronique est donc devenu l’objet d’un enjeu économique et
stratégique. Les premiers résultats, issus des nombreux programmes de recherche
(Lead Free Solder Project initié en 1992, Cost Action 531 depuis 2002, ELFNET depuis
2004… ), laissent apparaître quelques candidats prometteurs pour le remplacement
des brasages au plomb. Le Tableau 5 donne l’ensemble des alliages binaires, ternaire
et quaternaires candidats en tant qu’alliage de substitution à l’alliage étain/plomb
(36).

47
 Alliage Liquidus (°C) Solidus (C°)
Sn-58Bi E 138
Sn-56Bi-4Zn E 130
Sn-51In E 120
Sn-10In-1Ag-0.5Sb 196 206
Sn-10In-2Ag-0.4Bi 188 197
Sn-20In-2.8Ag 178 189
Sn-9Zn E 199
Sn-8Zn-3Bi 195 199

Sn-10Au E 225
Sn-3.5Ag E 221
Sn-0.7Cu E 227
Sn-3.4Ag-2.9Bi E 215
Sn-3.8Ag-0.7Cu E 217

Tableau 5 : Les alliages candidats pour remplacer l’alliage étain plomb (ICMCB)
(E : Eutectique)

II - 2 - 2 - 1 - a - CHOIX DE L’ALLIAGE
L’alliage que nous devons sélectionner doit obéir aux critères suivants (37) :
un alliage eutectique sans plomb ou autres métaux nocifs
la température de fusion de l’alliage doit être compatible avec les procédés de
report de composants existants
l’alliage doit présenter de bonnes propriétés mécaniques et métallurgiques
il doit avoir un coût moins élevé ou égal à celui de l’étain-plomb.
L’élément de base de l’alliage demeure l’étain : il a un point de fusion
relativement bas et il est l’élément le plus répandu dans les alliages de soudure.
D’autres éléments, alliés à l’étain, peuvent se substituer au plomb : nous les avons
rassemblés dans le Tableau 6.
Les systèmes binaires étudiés comme candidats potentiels au remplacement
du système étain-plomb ont été les suivants : Sn-Bi, Sn-Zn, Sn-Sb, Sn-In, Sn-Ag et Sn-
Cu. Par ailleurs des alliages ternaires et même quaternaires ont été développés sur la
base de combinaisons entre ces différents systèmes binaires. Sur la base des
différentes études réalisées, plusieurs systèmes Sn-Zn-In, Sn-Zn-Sb, Sn-Ag-Cu, Sn-
Ag-Bi, Sn-Ag-In, Sn-Bi-In et Sn-Bi-Sb sont présentés (65). Les interactions d’ordre

48
métallurgique et l’évolution de la microstructure en fonction d’une augmentation de
la température constituent les critères de base de ces alliages. Les composés
intermétalliques doivent être limités car ils peuvent fragiliser la brasure. Il est connu
que leur proportion augmente avec la température et le temps, et qu’ils croissent à
l’état solide.

Matériau Avantages Inconvénients

Améliore les propriétés mécaniques Coût (bien qu’il soit moins cher
Argent
Facilement disponible que l’In)

Diminue la température de fusion Aucun

Cuivre Facilement disponible
Soluble dans Sn

Peu cher, Facilement disponible Formation rapide d’oxyde, Oxyde

Zinc Diminue la température de fusion stable, Corrosion Réduction
significative du mouillage

Réduit sensiblement le point de Cher, Approvisionnement limité

Indium fusion, Très bon mouillage, Bonnes
propriétés physiques

Réduit le point de fusion Disponibilité limitée (Sous produit

Excellent mouillant du Pb)
Bismuth
Bonnes propriétés physiques Mauvais conducteur thermique et
électrique

Tableau 6: Avantages et inconvénients de quelques éléments candidats.

Les propriétés de certains alliages potentiels en termes de température de

fusion, densité et coût de production, sont montrées dans le Tableau (66), (67).
Cependant tous ces alliages ne peuvent pas être retenus. En effet, le remplacement
du plomb par le bismuth ou l’indium est impensable, bien qu’ils aient des zones de
fusion proches de celles de l’étain-plomb, du fait de leur coût élevé dû au prix de
l’indium et de sa faible disponibilité. Le principal obstacle à l’utilisation du zinc dans
le brasage en refusion est sa réactivité chimique qui peut donner des problèmes de
mouillage et d’évolution (67).
Une série d’alliages est proposée dans le tableau 8 où les critères tels que
soudabilité, facilité du procédé, résistance à l’allongement, fiabilité et recyclage ont

49
été retenus pour assurer la comparaison. Un indice de 1 (excellent) à 10 (très
mauvais) permet d’obtenir une analyse comparative de ces alliages (68).

Alliage Température de Coût (par unité de Densité (à 25°C)

fusion (°C) masse) ($/Kg)

Alliage Binaire

Sn-3.5Ag 221 13.90 7.42

Sn-0.7Cu 227 7.66 7.31

Sn-58Bi 139 7.57 8.75

Sn-5Sb 232-240 7.41 7.28

Sn-9Zn 199 7.11 7.28

Alliage Ternaire

Sn-3.4Ag-0.5Cu 217-218 14.41 7.44

Sn-3.5Ag-4.8Bi 208-215 13.73 7.53

Sn-3.5Ag-3 216-220 13.03 7.44

Sn-2.8Ag-20In 179-189 66.13 7.39

Sn-3.5Ag-1.5In 218 17.93 7.42

Alliage Quaternaire

Sn-2Ag-0.5Cu-7.5Bi 186-212 11.1 7.56

Sn-2.5Ag-0.8Cu-
213-219 12.06 7.39
0.5Sb

Tableau 7 : Densité et coût des alliages sans plomb (66).

50
Alliages Sn-3.5Ag Sn-Ag- Sn-Ag- Sn- Sn-Zn-
Cu Cu-Sb 0.7Cu Bi
Compatibilité Tf/TTravail 5 3.5 6 2 1
Résistance à l’allongement 2.5 2.5 2.5 5.5 5.5
Soudabilité 4 3 5 1 10
Facilité de procédé 3 1.5 5 4 10
Fiabilité 3 1.5 4 5 6
Recyclage 2.5 2.5 2.5 5 6
Total 19.5 13.5 25 22.5 38.5

Tableau 8: Analyse comparative de divers alliages (39).

L’alliage Sn-Ag-Cu semble donc présenter le meilleur compromis, car il

possède des caractères physiques et chimiques équivalents à ceux du Sn-Pb (42). Cet
alliage répond aux principaux critères précédemment cités (approvisionnement
facile, bonne mouillabilité, point de fusion plus faible que Sn-Ag et Sn-Cu et bonne
résistivité à la fatigue). Il constitue désormais le standard pour les billes de BGA ou
les billes destinées aux applications flip-chip. Les propriétés physiques de l’alliage
Sn-Ag-Cu sont reportées dans le tableau 9. C’est donc cet alliage que nous avons
choisi d’étudier.
L’alliage est défini par la nature des matériaux qui le constituent mais aussi
par sa granulométrie, c’est-à-dire la taille des particules métalliques qui le
constituent. On distingue ainsi plusieurs catégories de pâte (voir Tableau10), allant
du type 3 au type 8.

51
 Propriété physique Sn-Ag-Cu Unité

Température de fusion 218 °C

Densité 7.4 g/cm3

Coefficient de dilatation 21 10-6 /°C

Chaleur spécifique 234 J/kg.K

Conductivité thermique 55 W/m.K

Diffusivité thermique 31 mm2 /s

Tension de surface 450-500 mN/m

Module de Young 31 GPa

Coefficient de poisson 0.4

Tension de traction 35 MPa

Force de cisaillement 30 MPa

Limite d'élasticité 27 MPa

Allongement 23 %

Dureté de Vickers 15 Hv

Résistivité électrique 11 µΩ.cm

Tableau 9 : Principales caractéristiques physiques des alliages sans plomb (42)

Type de pâte Granulométrie moyenne de l’alliage (µm)

Type 3 30µm-40µm
type 4 20µm -38µm
Type 5 15µm-25µm
Type6 5µm-15µm
Type 7 2µm-11µm
Type 8 2µm-8µm

Tableau 10 : Granulométries de l’alliage de la pâte à braser.

52
II - 2 - 2 - 1 - b - LE FLUX : ROLE ET CHIMIE
Un facteur important à comprendre dans le processus de brasure est le
mouillage : il est assuré par la tension de surface exercée par la pâte sur la surface de
la plage d’accueil (tension superficielle). La tension superficielle est l'attraction que
les molécules en surface d'une goutte de liquide ont les unes pour les autres. Si cette
attraction est plus grande que celle pour le matériau que le liquide touche, celui -ci ne
s'étendra pas, mais restera sous la forme de goutte. La gravité terrestre travaille
contre la tension superficielle et essaye d'aplatir la goutte de liquide.
Si l’attraction mutuelle des molécules d'eau est plus grande que l’ensemble
des forces de la pesanteur et l'attraction de la surface, la goutte de liquide demeurera
plus ou moins ronde ; dans le cas inverse la goutte s’aplatit et s’étale sur la surface.
Pour le dépôt de pâte à braser par sérigraphie, l’étalement de la pâte est un
critère crucial sur lequel on juge le dépôt. Le flux, constitué essentiellement d’une
matière organique qui constitue la moitié de la quantité de pâte à braser, a pour rôle
de garantir une tension de surface plus grande que la somme de celle exercée par la
plage d’accueil et par la gravité, et donc avec laquelle l’étalement de la pâte est
minimal. Le flux comporte aussi des agents qui limitent l’oxydation de l’état de
surface et de l’alliage en éliminant les oxydes de la surface des plages d'accueil.
À la base, un flux est généralement un solide qui a été dissous par un solvant.
Pendant des années, le solide le plus souvent utilisé dans l'assemblage des cartes a
été la colophane. Elle est dérivée des pins, et est une substance inerte qui ne conduit
pas l'électricité à température ambiante : elle devient liquide entre 125°C et 130 C. La
substance appelée « flux colophane doux », est faite de colophane pure dissoute dans
l'alcool isopropylique. Le flux colophane doux est peu agressif et ne peut éliminer
que les couches les plus minces d'oxyde pendant la brasure. Pour rendre les flux
colophane plus agressifs, des produits activateurs sont ajoutés : leur composition
chimique est gardée secrète. Il est cependant plus important de connaître la
température à laquelle l’activateur commence à fonctionner pour l’optimisation du
profil thermique et son degré d'agressivité afin de déterminer quelle solution de
nettoyage sera nécessaire : ces deux informations sont fournies par les fabricants de
pâte à braser.

II - 3 - LA REFUSION DE L A P ATE A B RASER

Un point brasure avec un faible taux de défaut nécessite d'identifier le profil
de température optimal pour la refusion de la pâte à braser, et de le reproduire au
cours du temps. Dans cette partie du chapitre nous allons définir le profil thermique
de refusion ainsi que chaque phase qui le constitue, puis nous décrirons les différents
types de refusion (conduction, convection et rayonnement infra rouge) en définissant
les lois qui les gèrent.

53
II - 3 - 1 - REACTION CHIMIQUE ET INTERFACE
Une meilleure compréhension de la fiabilité est conditionnée par un contrôle
des réactions chimiques se produisant, lors de l’étape de refusion, à l’interface entre
l’alliage de la soudure et le métal de l’UBM, dont les matériaux de base tels que Cu,
Ni, Ag, Al, Pb et Au, forment des IMC avec l’étain (Sn), qui est généralement
l'élément majeur des soudures pour les alliages sans plomb (ces alliages contiennent
typiquement plus de 90% de Sn). Ceci suggère que les caractéristiques physiques,
chimiques, et les propriétés mécaniques de la soudure sans plomb sont fortement
influencées par les propriétés de l’étain pur, contrairement à l’alliage eutectique Sn-
Pb, dont le mélange est riche en plomb. L’étain pur est polymorphe (voir en
Annexe1), capable d'exister sous trois structures cristallines (α, β, γ) en fonction de la
température et de la pression (69).

II - 3 - 1 - 1 - REACTIONS A L’INTERFACE ENTRE Sn ET Cu

Le système Sn-Cu est caractérisé par une série de réactions péritectiques

(voir en Annexe 1) à plusieurs phases intermédiaires existant dans le système. Dans la
gamme de température de fusion (en dessous de 350 ° C), les réactions avec l’étain
donnent la formation de couches de Cu3 Snξ et Cu6 Sn5(η) (70), (71).

La structure Cu 6 Sn5 dispose de deux formes structurelles : à température

ambiante la forme stable est η’ (72). Pendant la refusion le temps disponible pour la
transformation en la structure Cu 6 Sn5(η) à basse température n'est pas suffisant et
donc à haute température demeure une phase métastable. La température de
transformation d'équilibre du Cu6 Sn5(η) est 186°C. Cela signifie que lors de la
refusion, la transformation en Cu 6 Sn5(η) devrait avoir lieu. Toutefois, si la température
est proche de la température ambiante, la transformation ne se produit pas dans un
délai raisonnable, en raison des contraintes cinétiques.

II - 3 - 1 - 2 - REACTIONS A L’INTERFACE ENTRE Sn ET Ag

Dans le système Sn-Ag il n'existe que deux composés intermétalliques l'un
d'eux est Ag3 Sn. Pendant une soudure riche en étain, l’argent se dissout rapidement,
en effet le taux de dissolution de l'Ag est presque aussi élevé que celui de l’Au (73),
(74) (réactions à l’interface entre Sn et Au).

II - 3 - 1 - 3 - REACTIONS A L’INTERFACE ENTRE Sn ET Au

Le système Sn-Au ressemble à celui Cu-Sn. Il est aussi caractérisé par une série
de réactions péritectiques (voir en Annexe1) ainsi que plusieurs phases intermédiaires.
Les phases qui nous intéressent sont les hexagonal Sn-Au : AuSn2 et AuSn4 . Pour les
soudures avec une finition Au, la phase Sn-Au la plus intéressante est AuSn4 , parce
qu'elle est généralement la première phase qui se forme pendant la refusion.

54
II - 3 - 2 - PROFIL THERMIQUE DE REFUSION
Le profil de refusion est défini par la relation entre la température et le temps
écoulé pendant la refusion de la pâte à braser. Un profil typique se compose de
plusieurs pentes de chauffage : préchauffage, phase de fusion et phase de
solidification comme le montre la Figure 38.
Les vitesses des phases, ainsi que les limites de temps et de température ,
dépendent de la crème à braser. Pour l’optimisation de ces paramètres nous nous
basons non seulement sur la fiche technique de la pâte à braser mais aussi sur
diverses études qui ont été réalisées.

Figure 38 : Différentes phases d’un profil thermique de refusion d’une pâte SAC 305
(75)

II - 3 - 2 - 1 - PHASE DE PRECHAUFFAGE

Cette phase comporte une montée en température linéaire et un palier :

l’objectif est de préchauffer entièrement le substrat et de stabiliser sa température.
Elle contribue à activer les agents de flux. La phase de préchauffage est l ’un des
paramètres les plus critiques dans le profil thermique de refusion. Avec un palier à
faible température les agents de flux ne seront pas activés et par conséquence
l’alliage de la pâte risque de s’oxyder pendant la fusion si la refusion n’est pas sous
azote, même conséquence pour un palier à température élevée puisque le flux sera
évaporé avant fusion de l’alliage.
Dans les profils conseillés par les fournisseurs de pâte à braser la température
du palier est comprise entre 180°C et 190°C, et elle varie suivant la composition de
l’alliage, le type de la pâte (métallurgie et constitution de flux), le substrat utilisé
(silicium ou circuit imprimé).

55
II - 3 - 2 - 2 - PHASE DE FUSION
Appelée phase de séchage, ou de pré-refusion, elle a principalement pour but
de s'assurer que la crème à braser est entièrement séchée avant d'atteindre la
température de refusion. Cette phase est également une phase d'activation des agents
de flux qui agissent contre l’oxydation, elle assure la stabilisation thermique pour
une refusion uniforme.
La refusion de la crème est accomplie dans l’étape suivante, où elle est amenée
à une température supérieure à son point de fusion. Pour la brasure eutectique sans
plomb dont l’alliage est composé du ternaire eutectique Sn-Ag-Cu, la température de
fusion est entre 208°C et 227°C (76).
Cette phase est caractérisée par deux paramètres très influents : le pic de
température et le temps au dessus du point de fusion appelé TAL (Time Above
Liquidus) appelé aussi temps de mouillage. Le pic est défini comme la température
maximale du profil de refusion qui doit dépasser la température de fusion de
l’alliage, il permet d’assurer une bonne mouillabilité de la pâte. Le TAL est le temps
pendant lequel on garde cette température fixe pour une bonne homogénéisation de
la fusion. Ces deux paramètres contribuent aussi à éliminer les traces de flux
restantes.
Dans le cas où le TAL est insuffisant, le risque est d’obtenir une structure de
bille non homogène et du flux qui reste emprisonné dans la bille ; tandis que si le
TAL est excessif, une large couche d’intermétalliques peut se former dans le joint, ce
qui aura pour conséquence des soudures fragiles à la cassure.
D’après la fiche technique d’Indium Corporation le pic de température doit
dépasser la température de fusion de l’alliage d’une fourchette de 12°C à 43°C et le
TAL est conseillé d’être entre 30s et 90s.

II - 3 - 2 - 3 - PHASE DE SOLIDIFICATION

La dernière étape est la phase de refroidissement : elle assure la solidification

des points de brasure, c’est une étape déterminante pour la structure interne des
billes. La solidification peut être décrite comme une chaîne de processus élémentaires
se déroulant en série, parmi eux, au niveau de l’interface, on compte une réaction
chimique hétérogène. Une solution solide cristallisée en équilibre avec une solution
liquide contiendra généralement des éléments d’alliage en moins grande quantité
que le liquide. Cette différence de composition combinée à la lenteur de la diffusion
chimique à l’état solide est à l’origine des diverses ségrégations observées dans les
produits coulés.
La plupart des métaux se contractent à la solidification. Ce retrait de
solidification, de l’ordre de 3 à 6 % suivant les métaux, souvent aggravé par la

56
contraction du solide accompagnant son refroidissement jusqu’à la température
ambiante, entraîne l’apparition de nombreux vides.
Le point de fusion des alliages sans Pb est dans une fourchette allant de 208°C
à 227°C, qui est d'environ 30 ° C plus élevé que le point de fusion de l'eutectique Sn-
Pb, à savoir 183°C. Un point de fusion plus élevé aura de graves implications sur la
performance des matériaux et des procédés d'assemblage, et pourra avoir une
incidence sur l'intégrité et la fiabilité des points de soudure sans -plomb. Par
conséquent, le processus de contrôle, pendant la phase de refusion pour les soudures
sans plomb, devient de plus en plus difficile, et son impact sur la fiabilité du point de
soudure n'est pas encore bien compris.
Les alliages de soudures sans-plomb candidats ont pour composition soit un
binaire soit un ternaire eutectique, car un eutectique offre l'avantage d'un alliage à
plus faible température de fusion, et il fond à une seule température de chauffage
(mais pas au cours de la solidification ce qui est le cas de l’alliage étain-plomb).
Parmi les nombreux alliages candidats pour la soudure sans-plomb, les eutectiques à
base de Sn-Ag-Cu (SAC), qui ont des températures de fusion autour de 217°C, sont
en passe de devenir des candidats de consensus (76).
Les caractéristiques d'un eutectique de soudure, telles que la fraction
volumique, de distribution, ou d'espacement et la taille de chaque phase, permettent
de déterminer les propriétés mécaniques et physiques d'une soudure.
Pour l'eutectique ternaire Sn-3.5Ag-0.9Cu (77), une microstructure stable
devrait être un mélange de trois phases Ag 3 Sn, et Cu6 Sn5 .

II - 3 - 3 - MODES DE REFUSION
Il existe trois modes différents de chauffage dans la plupart des processus de
refusion : la conduction, la convection, et le rayonnement infrarouge (IR). Les
systèmes de refusion des billes sur wafer sont les mêmes que les CMS. Dans les
paragraphes qui suivent nous allons définir les différents modes de refusion pour les
CMS qui s’appliquent aussi pour la formation des billes sur wafer appelée
couramment Wafer Bumping.
La refusion de la pâte à braser d’un alliage sans plomb doit être assurée par
des machines qui obéissent à deux critères essentiels :

Atteindre une température élevée vu que la refusion de la pâte se fait à 30°C -

40°C au dessus de sa température de fusion (217°C pour la Sn-3Ag-0.5Cu)
Permettre de faire des pentes de température lentes : une phase de chauffage
avec une montée inférieure à 4°C/s et celle de solidification avec une pente
inférieure à 6°C/s.

57
II - 3 - 3 - 1 - REFUSION PAR CONDUCTION
Le transfert thermique par conduction se produit quand deux masses solides
de températures différentes sont en contact l'une de l'autre. La majeure partie de la
chaleur est transférée dans la masse la plus froide par contact. La conduction se
produit également au sein d'une même masse si un gradient de température existe à
l'intérieur.
La conduction peut aider le processus de refusion : elle favorise le chauffage
uniforme de l’ensemble des points de soudure par la chaleur conduite des points
chauds aux points froids du substrat.
Afin de comprendre quels paramètres sont importants dans le transfert
thermique par conduction, on peut considérer l'équation suivante :

(II.3)

Avec :
Q = Transfert thermique par conduction (W)
A = Section (cm2 )
K = Conductivité Thermique (W/cm*°C)
T1 = Température au point 1 (°C)
T2 = Température au point 2 (°C)
∆X = Épaisseur de matière entre les points
Le transfert thermique dépend d'un certain nombre de variables, dont la
conductivité thermique (K) du substrat et de l’alliage des billes de connexion, qui est
l’aptitude d’un objet à conduire la chaleur. Le transfert thermique par conduction
dépend aussi de la section (A) du substrat et de la distance (∆X) entre deux points de
soudure. D’une part, plus le substrat est épais plus le transfert thermique est
uniforme et d’autre part, plus les points de soudure sont rapprochés plus le transfert
thermique est élevé.

II - 3 - 3 - 2 - REFUSION PAR CONVECTION

Le transfert thermique par convection se produit quand un fluide (tel que de
l'air, de l'azote, ou de l'eau), entre en contact avec un solide de température
différente. Le chauffage ou le refroidissement par convection exige un contact du
fluide avec le solide considéré. Seule la couche de fluide qui est en contact avec l'objet
transfère réellement la chaleur.
Les différences de température entre l'objet et l'environnement sont à l'origine
du transfert de chaleur par convection. La convection forcée exige une force externe
qui pousse ou tire le fluide au-dessus de l'objet par un système de ventilation.

58
 Ce qui suit est l'équation générale pour le chauffage ou le refroidissement par
convection :

(II.4)

Avec:
Q/A = Transfert thermique par convection par unité.de surface (W/cm2 )
H = Coefficient de convection

Ta = Température du fluide ( C)

Tt = Température de la cible ( C)
Le transfert thermique peut être modifié en changeant le coefficient
convecteur (H), qui peut avoir un impact significatif. La valeur de H est liée à un
certain nombre de variables, notamment la vitesse du flux et son angle d'attaque.
Augmenter la vitesse du flux augmente la valeur de H, dans des applications de
refusion, l'augmentation de la vitesse du flux améliore le transfert thermique par
convection. Il y a malgré tout des limites pratiques à ceci, car une vitesse trop élevée
peut provoquer le déplacement de matière. Le sens d'écoulement a également un
impact significatif sur H. Le transfert thermique par convection est basé sur le contact
entre le flux et l’objet.
Un flux parallèle peut avoir comme conséquence la formation d'une couche de
stagnation ou de frontière dans laquelle le transfert thermique est diminué. Un flux
perpendiculaire peut éviter la formation de cette couche et améliorer le transfert
thermique par convection. Un flux perpendiculaire fournit ainsi des transferts
thermiques plus rapides qu'un flux parallèle.
À l’échelle industrielle la refusion par convection est assurée par des grands
convoyeurs dont chaque phase du profil thermique est réservée à une zone du four.

II - 3 - 3 - 3 - REFUSION PAR RAYONNEMENT INFRAROUGE (IR)

Le transfert thermique infrarouge (IR) se produit quand deux objets à

différentes températures sont en vue l'un de l'autre. La chaleur est transférée par les
ondes électromagnétiques de longueurs d'onde comprises entre 780 nm et 10 6 nm
(78). Tous les objets émettent un certain niveau d'infrarouge, la quantité d'énergie
infrarouge émise et la longueur d'onde de l'émission sont toutes deux dépendantes
de la température absolue de l'objet. À mesure que la température de la source
augmente, le rendement de transfert thermique grimpe à la puissance quatre (voir
Équation (II.5)).

59
 L'augmentation ou la diminution de température de la source se traduit
respectivement par des longueurs d'onde plus courtes ou plus longues. Afin de
comprendre quels paramètres sont importants dans le chauffage infrarouge, on peut
considérer l'équation générale pour le transfert thermique entre la source de chaleur
et l'objet chauffé :

(II.5)

Avec:
Q/A = Transfert thermique par IR (W/cm2 )
Fv = Facteur de vision géométrique (entre 0 et 1)
es = Emissivité de la source (entre 0 et 1)
at = Absorptivité de la cible (entre 0 et 1)
s = Constante de Stefan-Boltzmann (5.67 x 10-12 W/cm2 *°K)
Ts = Température absolue de la source (°K)
Tt = Température absolue de la cible (°K)
Le facteur géométrique de vision F, est la fraction de l'énergie partant de la
source, qui frappe la cible. Dans la refusion des CMS la conception des chambres des
fours conduit à des facteurs de vision très élevés entre 0.90 et 0.95. Une part
importante du facteur de vision tient à la conception des produits, si deux très gros
composants sont proches l'un de l'autre, le facteur de vision d'un joint de brasure se
trouvant entre eux se trouve diminué, ce qui rend plus difficile leur refusion.
L'émissivité de la source (es) et l'absorptivité de cible (at) sont dans la gamme de 0.90
à 0.95 pour la plupart des applications CMS. La crème à braser est un excellent
absorbeur d'énergie infrarouge.
Le contrôle de l'infrarouge se fait généralement en contrôlant la température
de la source. Si l'émission globale de la source peut être régulée, les IR peuvent
fournir un niveau élevé de reproductibilité.

II - 3 - 3 - 4 - CHOIX DU LAAS

Dans le cadre de ce projet nous avons été amenés à nous équiper en four de
refusion. Après une étude comparative, nous avons opté pour l’achat d’un four de
refusion par convection de Madell Technology (Figure 39). Les principales
caractéristiques de ce four sont :
 Contrôle des rampes en température
 Ambiance contrôlée sous azote

60
  Température maximale de 300°C

Le détail de ces caractéristiques de ce four est donné en Annexe2.

Figure 39 : Four de refusion Madell Technology

61
 CONCLUSION CHAPITRE II

N ous avons décrit dans ce chapitre les différentes techniques qui nous
permettrons de mettre au point le procédé de Wafer-Bumping par
sérigraphie. Nous avons détaillé les différentes étapes qui jouent un rôle précis dans
le procédé afin d’aboutir à la formation de billes de connexion sur wafer.
Concernant la formation des UBM, différents alliages métalliques sont proposés dans
la littérature, le plus souvent à base de Cuivre : notre choix dépendra de la faisabilité
de ces dépôts dans notre salle blanche.
La technique de dépôt de pâte à braser par sérigraphie a été décrite. Nous avons mis
l’accent sur les paramètres machine (pression et vitesse de racle, vitesse et distance
de démoulage) et sur les caractéristiques du masque de sérigraphie (matériau et
usinage des ouvertures).
Nous avons discuté de la constitution des pâtes à braser : nature de l’alliage et rôle
du flux. Nous avons dressé un éventail de différentes pâtes sans plomb : l’alliage
SnAgCu semble être un bon compromis car il répond aux exigences de soudabilité,
mouillabilité et fiabilité.
Nous avons enfin défini le profil de refusion d’une pâte à braser, ainsi que le rôle des
trois phases différentes qui le constituent. Nous avons donné un aperçu de différents
modes de refusion possibles (conduction, convection, rayonnement infra-rouge) : là
encore notre choix se fera en fonction des moyens technologiques dont nous
disposons et en fonction des premiers résultats obtenus.

62
63
 CHAPITRE III
CHAP III : RESULTATS EXPERIMENTAUX

ET OPTIMISATION DU PROCEDE

64
 INTRODUCTION CHAPITRE III

N ous avons défini dans le chapitre précédent les différentes techniques

nous permettant d’envisager la réalisation de billes de connexion sur
wafer dans une perspective d’assemblage flip-chip. Notre choix s’est porté vers la
sérigraphie de pâte à braser sans-plomb. Nous allons dans ce chapitre présenter
l’optimisation des différentes étapes du procédé de formation de billes que nous
avons mis en place.
Nous allons dans un premier temps, travailler sur l’analyse des paramètres
machine influant sur la sérigraphie de pâtes à braser : pression et vitesse de racle,
distance et vitesse de démoulage, nature du masque de sérigraphie (forme,
dimension et espacement des ouvertures). Différents types de pâte à braser sont
étudiés en fonction de leur granulométrie : pâte de type 4, avec des tailles de
particules métalliques comprises entre 20µm et 38µm, pâte de type 5 (15-25µm) et de
type 6 (5-15µm). Nous caractériserons la qualité d’un dépôt par la capacité à
respecter l’épaisseur du masque et la dimension de l’ouverture avec un minimum
d’étalement.
Nous allons également évaluer l’influence de la forme et de la constitution de
l’UBM sur la formation de la bille. Différents métaux sont étudiés : Ti/Pt/Au,
Cr/Cu/Au et Ni/Au.
Nous présenterons enfin les résultats d’optimisation du profil de refusion
pour une pâte de type 6 afin de réaliser des billes de connexion dont le diamètre
varie entre 50 et 100µm.
Dans la dernière partie de ce chapitre nous montrons les résultats obtenus sur
les premiers essais d’assemblage Flip-chip à partir des billes que nous avons
obtenues.

III - 1 - METHODOLOGIE DU PLAN FACTORIEL

Notre objectif est de déterminer les paramètres les plus influents sur la qualité
du dépôt et de les optimiser dans le but d’obtenir le meilleur dépôt comme défini
précédemment. L’idée essentielle qui doit mener la démarche expérimentale est que
l’on met en œuvre un plan d’expérience afin de répondre à une problématique bien
précise. Il faut donc construire le plan qui donnera les informations recherchées. O n
ne pourra donc pas utiliser le même plan pour étudier efficacement les effets des
paramètres tout en cherchant un optimum. Afin d’obtenir des informations
pertinentes, une démarche méthodologique doit être suivie.

65
III - 1 - 1 - DEFINITION DES FACTEURS ETUDIES ET DU DOMAINE EXPERIMENTAL
Les plans factoriels complets ont été étudiés par Yates et Hunter (79). Ils sont notés 2k
(2k essais) avec 2 le nombre de niveaux et k le nombre de facteurs. On représente les
niveaux des facteurs notés xij par (–1) pour le niveau bas et (+1) pour le niveau haut.
Les essais sont réalisés dans l’ordre suivant : le premier essai est celui du niveau bas
de tous les facteurs puis le niveau du 1 er facteur varie à chaque essai ensuite le niveau
du 2ème facteur varie tous les deux essais, et enfin le niveau du n ème facteur varie tous
les 2n-1 essais. On peut donc représenter l’ensemble des données de l’expérimentation
sur un tableau que l’on nomme matrice d’expérience.
Dans un système complexe, les paramètres sont souvent couplés. La connaissance
des effets de chaque paramètre n'est pas suffisante pour pouvoir estimer une
réponse. Il faut donc une information sur le couplage entre les paramètres. Cette
information est appelée interaction notée « I », calculée en multipliant les termes de
réponse de paramètres.
Le plan factoriel nous permet de calculer la variance sur les effets facteurs en fonction
de la variance expérimentale.
Dans notre cas, les facteurs sont les paramètres qui dépendent de la machine
de sérigraphie (pression et vitesse de racle) et ceux qui dépendent de la pâte à
braser (vitesse et distance de démoulage).
Après chaque dépôt deux mesures sont effectuées : la hauteur moyenne de la
pâte déposée, notée Z, et la largeur du dépôt, noté Y, ces mesures étant faites à l’aide
d’un microscope confocal Veeco (microscope optique qui a la propriété de réaliser
des images de très faible profondeur de champ (environ 400 nm)).
Une inspection visuelle est faite pour la vérification de l’uniformité d u dépôt
sur toute la matrice ainsi qu’une image en 3D pour voir la forme du dépôt.

Niveaux des paramètres Niveau bas (-1) Niveau haut (+1)

Paramètre de sérigraphie

Pr, Pression de racle (Kg/mm)* 3 6

Vr, Vitesse de racle (mm/s) 20 40
Vd, Vitesse de démoulage (mm/s) 0.1 20

Tableau 11 : Les valeurs extremum de chaque paramètre de sérigraphie.

*Les valeurs de pression présentées sont pour une racle de longueur 30cm

Notre étude concerne deux pâtes à braser commerciales Formosa et Indium :

elles sont basées sur le même alliage Sn-3Ag-0.5Cu, et présentent deux types de

66
granulométrie, type 5 et type 6. Dans cette étape, seules les valeurs extrêmes de
chaque paramètre sont prises en compte (valeur minimale et maximale) afin de
déterminer les paramètres les plus influents sur le procédé. Les valeurs maximales et
minimales qui définissent les niveaux haut et bas de chaque facteur sont reportées
dans le Tableau 11.

III - 1 - 2 - ANALYSE DES RESULTATS

Les Tableaux 12 et 13 représentent les différentes combinaisons des trois
paramètres de sérigraphie V r, Pr et V d conduisant à huit essais (2 3 ) permettant de
mesurer le degré d’influence de chaque paramètre sur la largeur Y i et l’épaisseur Z i
du dépôt, pour chaque type de pâte à braser Formosa et Indium respectivement.
Cette matrice est ensuite analysée avec un logiciel appelé « SIMCA-P» qui permet de
déterminer les corrélations entre les paramètres. À partir de la matrice d’essai, ce
logiciel donne des indicateurs de qualité à travers lesquels on peut interpréter les
graphes obtenus présentés dans les Figures 40 et 41, et les Figures 42 et 43 pour les
pâtes Formosa et Indium respectivement. Ces indicateurs sont :

R2 , facteur qui indique la qualité du modèle établi (0<R2 <1). Une faible valeur
de R2 peut être due au bruit ou à des données non pertinentes.
Q2 , estimation de la capacité prédictive du modèle (0<Q 2<1). Plus Q2 est
important plus le modèle est prédictif. Si Q2 est nul, le modèle n’est pas du tout
prédictif.

Les Figures 40 et 41 donnent respectivement l’influence des paramètres de

sérigraphie pour les type 5 et type 6 de la pâte Formosa. Les facteurs indiquant la
qualité de modèle sont R 2 = 0.981 (pour la largeur de dépôt) et R 2 = 0.839 (pour
l’épaisseur de dépôt) pour le type 5, et R2 =0.739 (largeur de dépôt) et R2 = 0.877
(épaisseur de dépôt) pour le type 6, ce qui nous permet de dire que le modèle établi
est explicatif. D’après les diagrammes, on peut conclure que les paramètres qui
influent le plus sur la qualité du dépôt sont les vitesses de racle et de démoulage, et
leur interaction (Vd*Vr), qui agit négativement sur le dépôt de la pâte à braser. Des
valeurs de Vd et V r non optimisées influent négativement sur la largeur du dépôt de
pâte à braser.
Même constat pour la pâte Indium où R2 est supérieur à 0.9 (Figure 42) ce qui
montre que notre modèle est explicatif. Les paramètres qui influent significativement
sur la qualité de dépôt sont : la pression de racle P r, la vitesse de racle V r et la vitesse
de démoulage V d. Ces trois paramètres agissent en interaction donc il faut faire des
tests où l’on fait varier ces paramètres à des valeurs proches.

67
 Pâte type5 Pâte type6
N° de Vr Pr Vd Yi Zi Yi Zi
Test (mm/s) (kg) (mm/s) (µm) (µm) (µm) (µm)
1 -1 -1 -1 168 51 113 16
2 -1 -1 +1 169 48 119 31
3 -1 +1 -1 169 44 124 30
4 -1 +1 +1 171 42 130 33
5 +1 -1 -1 171 43 120 11
6 +1 -1 +1 125 15 96 12
7 +1 +1 -1 167 42 115 23
8 +1 +1 +1 140 49 143 40

Tableau 12 : Matrice des essais et résultats du dépôt de pâte à braser Formosa

pâte type5 pâte type6

N° de Vr Pr Vd Yi Zi Yi Zi
teste (mm/s) (Kg) (mm/s) (µm) (µm) (µm) (µm)
1 -1 -1 -1 177 34 129 38
2 -1 -1 +1 158 43 125 38
3 -1 +1 -1 171 38 123 28
4 -1 +1 +1 157 42 130 29
5 +1 -1 -1 164 32 112 28
6 +1 -1 +1 161 37 117 39
7 +1 +1 -1 172 32 110 34
8 +1 +1 +1 159 42 115 38

Tableau 13 : Matrice des essais et résultats du dépôt de pâte à braser Indium

68
 Investigation: Untitled (PLS, comp.=2)

Scaled & Centered Coefficients for Y Scaled & Centered Coefficients for Z

30 60

20 40

10
20

0
µm

µm
0
-10

-20
-20

-30 -40

-40 -60
Pr

Pr
Vd*Pr

Pr*Vr

Vd*Pr

Pr*Vr
Vd

Vd
Vr

Vr
Vd*Vr

Vd*Vr
N=8 R2=0,981 R2 Adj.=0,868 N=8 R2=0,839 R2 Adj.=-0,125
DF=1 Q2=0,743 RSD=6,3640 Conf. lev.=0,95 DF=1 Q2=0,011 RSD=12,0208 Conf. lev.=0,95

MODDE 7 - 10/09/2009 22:34:22

Figure 40 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Formosa type 5)

Investigation: Untitled (PLS, comp.=2)

Scaled & Centered Coefficients for Y Scaled & Centered Coefficients for Z

60
100
50
80
40
60
30
40
20
20
10
µm

µm

0 0

-20 -10

-40 -20

-60 -30

-40
-80
-50
-100
Pr

Pr
Vd*Pr

Pr*Vr

Vd*Pr

Pr*Vr
Vd

Vd
Vr

Vr
Vd*Vr

Vd*Vr

N=8 R2=0,739 R2 Adj.=-0,826 N=8 R2=0,877 R2 Adj.=0,140

DF=1 Q2=0,000 RSD=18,3848 Conf. lev.=0,95 DF=1 Q2=0,336 RSD=9,8995 Conf. lev.=0,95

MODDE 7 - 10/09/2009 22:23:10

Figure 41 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Formosa type 6).

69
 Investigation: Untitled (PLS, comp.=2)

Scaled & Centered Coefficients for Y Scaled & Centered Coefficients for Z

30
20

20

10
10
µm

µm
0
0

-10

-10
-20

-30
-20
Pr

Pr
Vd*Pr

Pr*Vr

Vd*Pr

Pr*Vr
Vd

Vd
Vr

Vr
Vd*Vr

Vd*Vr
N=8 R2=0,929 R2 Adj.=0,501 N=8 R2=0,913 R2 Adj.=0,392
DF=1 Q2=0,555 RSD=5,3033 Conf. lev.=0,95 DF=1 Q2=0,433 RSD=3,5355 Conf. lev.=0,95

MODDE 7 - 10/09/2009 22:42:44

Figure 42 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Indium type 5)

Investigation: Untitled (PLS, comp.=2)

Scaled & Centered Coefficients for Y Scaled & Centered Coefficients for Z

20

10 10

0
µm

µm

-10

-10
-20
Pr

Pr
Vd*Pr

Pr*Vr

Vd*Pr

Pr*Vr
Vd

Vd
Vr

Vr
Vd*Vr

Vd*Vr

N=8 R2=0,963 R2 Adj.=0,744 N=8 R2=0,953 R2 Adj.=0,671

DF=1 Q2=0,292 RSD=3,8891 Conf. lev.=0,95 DF=1 Q2=0,294 RSD=2,8284 Conf. lev.=0,95

MODDE 7 - 10/09/2009 23:01:32

Figure 43 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Indium type 6)

70
III - 2 - OPTIMISATION DES PARAMETRES DE LA MACHINE DE
SERIGRAPHIE
Nous allons présenter la démarche suivie afin d’optimiser le dépôt de pâte à
braser sans-plomb. Un dépôt se doit d’être structuré (respect de la forme d’ouverture
du masque) et uniforme sur tout le wafer. Le démoulage doit se faire avec le
minimum de résidus de pâte sur les parois internes des ouvertures du masque. Il est
donc important de connaitre l’influence des paramètres machine sur la qualité du
dépôt.

III - 2 - 1 - CARACTERISTIQUES D ’UN DEPOT PAR SERIGRAPHIE

Les paramètres les plus influents sont donc la pression et la vitesse de racle et
la vitesse de démoulage (P r, V r et V d), et ce sont des paramètres qui interagissent
entre eux. Un plan d’expérience dit pas à pas a été mis en œuvre afin d’optimiser ces
trois paramètres pour différents types de pâtes. Il est à noter que la plage de valeurs
de ces paramètres est assez large et qu’elle dépend de plusieurs paramètres externes :
température ambiante et de la pâte, vieillissement de la pâte, taux d’humidité par
exemple.
Le but de notre étude n’est pas de fixer les valeurs des paramètres de
sérigraphie pour chaque type de pâte, mais d’établir une méthodologie d’analyse de
la technique de dépôt et de déterminer les critères selon lesquels on peut juger de la
qualité d’un dépôt et la qualité de la bille de connexion après refusion.
Les variables qui sont mises en évidence sont l’étalement, le remplissage, la
forme du dépôt de la pâte à braser. L’étalement est égal à (∆x +∆y)/2 où ∆x (∆y) est la
variation entre la largeur (longueur) du plot de pâte après dépôt et celle qui
correspond à l’ouverture du masque de sérigraphie. Le remplissage correspond à la
hauteur moyenne de pâte déposée.
On définit Me (µm) comme étant la moyenne de l’étalement pour certaines
ouvertures, et Mr (µm) comme étant la moyenne de remplissage pour certaine s
ouvertures.
Chaque type de pâte est caractérisé non seulement par la taille des particules
qui la constituent mais aussi par sa viscosité. Les fiche techniques des fournisseurs
donnent des recommandations générales pour l’optimisation de la sérigraphie.
Par exemple pour une pâte indium de type 4 dont la viscosité est de 10rpm, on
recommande (voir fiche technique Indium type 4 en Annexe 2):
• Vitesse d’impression : 25-100 mm/s
• Pression de racle : 0,018-0,027 kg/mm de longueur de la lame.

71
Nous allons donc déterminer les paramètres de sérigraphie (P r, V r, Vd et Dd) pour le
dépôt, pour trois pâtes de différentes granulométries (type 4, 5 et 6).

III - 2 - 2 - CARACTERISTIQUES DU MASQUE DE SERIGRAPHIE

Nous avons choisi de réaliser un masque électro-formé fourni par la société
DEK. Ce masque est constitué à 90% de Ni, il contient des poussières d’Au, d’Ag et
de Cu et il présente une épaisseur de 50µm. Nous nous sommes focalisés sur des
ouvertures de type carré et circulaire (Figure 44).
Le masque en Ni-électroformé offre une très bonne finition des parois
permettant ainsi un meilleur démoulage du masque. Le Tableau résume les
différentes combinaisons (dimensions de l’ouverture, espacement entre ouvertures)
que nous avons retenues et qui conduisent à des pitchs différents (Pitch (µm) =
ouverture (µm) +espacement (µm)).
Pour chaque coupe (ouverture et pitch, nous avons dessiné une matrice de
cinq par cinq motifs. Le but est de déterminer la correspondance entre la métallurgie
des pâtes et les dimensions du masque. Le tout est réparti sur une surface
équivalente à un substrat de silicium de 4 pouces.

1 2

Figure 44 : Formes d’ouverture de masque (1) carrée (2) circulaire (DEK).

72
 Espacement
65µm 100µm 150µm 200µm
Ouverture
65µm 1 30 165 215 265
75µm 140 175 225 275 Type 6
100µm 165 200 250 300
125µm 190 225 275 325
150µm 215 250 300 350 Type 5
175µm 240 275 325 375
200µm 265 300 350 400
225µm 290 325 375 425
250µm 315 350 400 450 Type 4
275µm 340 375 425 475
300µm 365 400 450 500

Tableau 14 : Valeurs des différents pitchs pour chaque ouverture du masque.

III - 2 - 3 - DEMARCHE ET METHODOLOGIE (PATE TYPE 4)

Nos premiers tests ont été effectués avec une pâte de type 4 : compte tenu de
la taille des particules d’alliage (20µm-38µm) les mesures de remplissage et
d’étalements effectuées correspondent à des ouvertures supérieures à 200µm
(Tableau ).
La démarche suivie pour le test du dépôt de pâte à braser par sérigraphie a été
la suivante:
1- La pâte doit être sortie du frigo et mise à température ambiante (20°C) 3
heures avant utilisation.
2- Malaxage de la pâte : cela consiste en plusieurs passages de racle sur le
masque recouvert de pâte afin de bien mélanger le flux organique et l’alliage
pour redonner à la pâte sa rhéologie.
3- Nettoyage du masque.
4- Sérigraphie.

Tout d’abord, on commence à faire la sérigraphie avec une vitesse de racle

moyenne (50mm/s) et une pression de racle moyenne 6kg (les deux valeurs sont
déterminées à partir de la fiche technique, du type et de la largeur de la racle, d’une
recherche bibliographique et de quelques premiers tests). Suivant que l’on a ou pas
nappage (le nappage est le fait que la pâte à braser s’étale sur la face externe du
masque de sérigraphie) on modifie la pression de racle jusqu’a obtenir une

73
sérigraphie sans nappage (si on a nappage on augmente la pression et inversement) :
c’est la première étape de l’optimisation.
Une fois déterminée la pression de racle convenable, on lui croise plusieurs
vitesses de démoulage, on inspecte visuellement le dépôt et on mesure l’étalement et
le remplissage de la pâte à braser : c’est la seconde étape du procédé. Les paramètres
utilisés lors de ces deux étapes sont reportés ci-dessous :
 1er Étape
- Snap-off 0
- Distance de démoulage Dd= 3mm
- Vitesse de racle Vr= 50mm/s
- Vitesse de démoulage (pour le test de nappage) Vd= 1.5mm/s
- Pression de racle variable

Le Tableau 15 montre les résultats de l’inspection visuelle concernant le

nappage pour différentes pressions de racle. On peut voir qu’u ne pression de racle
de 4.8 kg est la pression nécessaire et suffisante pour un dépôt sans nappage : cette
pression est celle choisie pour la 2ème étape.

Pressions
Inspection visuelle
(kg/300mm)
6 Nappage entre Matrices / Nappage sur motif
7 Nappage entre Matrices / Nappage sur motif
10 Nappage entre Matrices/ Nappage sur motif
4.4 Nappage entre Matrices / Nappage sur motif

4.8 Pas Nappage entre Matrices / Pas de nappage sur motif

Tableau 15 : Optimisation de la pression de racle

 2ème Étape
- Snap-off 0
- Distance de démoulage Dd= 3mm
- Pression de racle admise Pr = 4.8kg
- Vitesses de démoulage Vd (mm/s= 1, 4 et 8)

74
Figure 45 : Variation du remplissage et de l’étalement de pâte à braser de type 4 pour
différentes vitesses de démoulage (Pr= 4.8kg, Vr= 50mm/s, Dd= 3mm) et différentes
ouvertures.

75
 Pour une vitesse de racle moyenne, Vr = 50mm/s, et une pression de racle de
4.8Kg nous avons évalué l’influence de la vitesse de démoulage sur le remplissage et
l’étalement de la pâte, pour différentes ouvertures de masque : O=300µm, O= 250µm
et O= 200µm. Une vitesse de démoulage de 1mm/s favorise un remplissage sans
débordement au-dessus du masque, sans un grand étalement (Figure 45).
Les mêmes tests ont été faits avec des vitesses de racle inférieures à 50mm/s
(40mm/s et 20mm/s). Le Tableau 16 récapitule les principaux résultats obtenus. Une
vitesse de racle de 20mm/s permet un meilleur remplissage avec un minimum
d’étalement, la pression de racle correspondante est de 4Kg.
Paramètre sérigraphie Pr
Vr Vd Mr Me
(kg/
Plaque i (mm/s) (mm/s) (µm) (µm)
mm)
1 4.8 50 1 48.5 71
2 4.8 50 4 47.76 83.16
3 4.8 50 8 62.33 125.6
4 4.8 20 1 48.16 43.33
5 4.2 40 1 43.16 49.66
6 4 20 1 53 47.83
7 4 20 1 50 45.65
8 4 20 0.5 35 94.75
9 4 20 0.5 37 87

Tableau 16 : Moyenne d’étalement et de remplissage de la pâte type 4 pour les différentes

valeurs de Pr , Vr, Vd et Dd .

III - 2 - 4 - DEPOT DE PATE TYPE 5

Nous nous sommes intéressés ensuite à la pâte de type 5, dont la taille de
particules est comprise entre 15µm et 25µm. L’inspection visuelle montre que la pâte
de type 5 est spécifique pour les ouvertures supérieures à 125µm de diamètre.
Après avoir déterminé la pression de racle qui permet un dépôt de pâte à
braser sans nappage (P r=5.5kg), les mêmes tests que précédemment ont été effectués
pour déterminer la vitesse de racle et de démoulage permettant un remplissage
correct avec un minimum d’étalement.
Comme le montre le Tableau qui récapitule les tests effectués en faisant varier
les paramètres de racle et de démoulage, une pression de l’odre de 5.4kg semble
favorable à l’obtention d’un remplissage optimum (49.5µm) et d’un faible étalement.
L’étalement le plus faible (37µm) est obtenu pour une vitesse de démoulage de
4mm/s. On peut conclure qu’une pression de racle autour de 5.4kg, une vitesse de

76
racle de 20mm/s avec une vitesse de démoulage de 4mm/s sont les paramètres de
sérigraphie à retenir pour la pâte type 5.

Paramètre sérigraphie
Pr Vr Vd Mr Me
Plaque (kg) (mm/s) (mm/s) (µm) (µm)

1 5.5 50 1 56.5 67
2 5.5 50 2 36.5 67.2
3 5.6 50 3 31.5 39.2
4 5.4 50 4 45 69.5
5 5.4 20 4 44 37
6 4 20 4 30.5 45
7 4.5 20 1 44.2 54.5
8 5.4 20 0.1 45.5 56.5
9 5.4 20 1 49.5 53
10 5.4 20 1 48.2 51.7
11 5.4 20 4 48 33
12 5.4 20 0.5 46 61.7
Tableau 17 : Moyenne d’étalement et de remplissage de la pâte type 5 pour les différentes
valeurs de Pr , Vr, Vd et Dd .

III - 3 - OPTIMISATION DES FORMES ET DES DIMENSIONS

D’OUVERTURES DU MASQUE DE SERIGRAPHIE
Nous avons cherché à déterminer quelles formes et ouvertures de masque
permettaient d’obtenir un dépôt de pâte à braser uniforme. Le dépôt est analysé à
l’aide d’un microscope confocal Veeco.

III - 3 - 1 - PATE TYPE 4

Les tailles des particules de la pâte type4 étant comprises entre 20µm et 38µm,
des ouvertures de diamètre minimum de 200µm sont recommandées. Les résultats
présentés correspondent à des ouvertures de 300µm , 250µm et 200 µm. Les premiers
tests nous ont permis de définir les espacements et les formes des ouvertures de
masque à retenir avec lesquels on obtient un dépôt de pâte à braser de qualité, jugé
selon son aspect et sa forme. L’inspection visuelle des matrices de dépôt montre que
pour des grandes ouvertures de 300µm (Figure 46), les petits espacements (100µm)
favorisent la formation de ponts après l’étalement de la pâte (un pont est le dépôt de
particules d’alliage entre deux ouvertures comme le montre la Figure 48).

77
 A B Figure
46 : Dépôt de pâte type 4 des ouvertures de 300µm de diamètre, espacement 100 µm et pitch
400µm A (rond), B (carrée).

Figure 47 : Pont de pâte à braser.

A B

Figure 48 : Dépôt de pâte type 4 pour une ouverture (ronde A et carrée B) de diamètre
200µm, espacement 200µm et pitch 400µm.
On constate également aussi que l’étalement est plus prononcé pour les
ouvertures carrées du masque (Figure 47). L’espacement minimal qui permet un
dépôt sans pont est de 200µm (Figure 48). Un dépôt homogène et structuré est donc
obtenu à partir d’ouvertures rondes de diamètre et d’espacement égaux à 200 µm ou
supérieurs pour une pâte de type 4. La Figure 49 illustre un dépôt de pâte de type 4
de bonne qualité pour des ouvertures rondes de 300µm et un espacement de 250µm.

78
 Figure 49 : Dépôt homogène et structuré d’une pâte type 4
(Ouverture ronde de 300µm).

III - 3 - 2 - PATE TYPE 5

D’après la Figure 50, qui présente une vue de dessus et une vue en coupe
suivant les deux plans (Y, Z) et (X, Z) d’un dépôt de pâte à braser type 5, pour deux
ouvertures de masque (carrée et ronde) de diamètre 250µm et de pitch 450µm
(espacement de 200µm), on peut constater que le dépôt est correct pour les deux
formes. En effet, on a une forme cubique pour les ouvertures carrées, et cylindrique
pour les circulaires, avec un minimum de résidus sur les parois du masque. On peut
donc conclure que pour la pâte type 5, dont la taille des particules est comprise entre
15µm et 20µm (Figure 51), on obtient un dépôt homogène et structuré pour des
ouvertures supérieures à 200µm même pour des ouvertures carrées.
Si l’on vise des ouvertures de diamètre inférieur à 200µm (125µm par exemple)
on voit que l’espacement limite pour le type 5 est de 100µm (Figure 52). A partir de
cette valeur, il y aura formation de ponts de pâte à braser. On peut conclure que la
pâte à braser de type 5 est dédiée pour les ouvertures supérieures à 125µm avec un
espacement minimal de 100µm.

79
A

Figure 50 : Dépôt d’une pâte à braser (SAC305-type5) pour une ouverture de diamètre
250µm de pitch 450µm : A, forme carrée et B, forme ronde circulaire.

Figure 51 : Dépôt de pâte qui montre la granulomètrie d’une pâte type 5.

80
 A B

Figure 52 : Dépôt de pâte type 5, ouvertures de 125µm de diamètre, espacement 100µm et

pitch 200µm A (rond), B (carrée).

III - 3 - 3 - PATE TYPE 6

Présentant presque la même rhéologie que la pâte type 5, la pâte type 6, dont
la taille des particules est comprise entre 5µm et 15µm (Figure 52), est la meilleure
candidate pour la formation de billes inférieures à 100µm. En effet la sérigraphie de
ce type de pâte nous permet d’avoir un dépôt homogène, uniforme et régulier pour
des ouvertures de masque de 100µm avec un espacement de 100µm comme le
montre la Figure 53.
Cette étape du travail nous a permis de définir les formes et les dimensions
d’ouverture associées à chaque type de pâte. Le type 4 est dédié pour les ouvertures
de 200µm et plus, le type 5 pour celles au-dessus de 125µm et le type 6 pour les
ouvertures comprises entre 100µm et 125µm (figure54).

A B
Figure 53 : Dépôt de pâte type6pour des ouvertures de 100 µm, espacement 100µm: A
(rond), B (carrée).

81
 Figure 54 : Dépôt de pâte type 6 pour des ouvertures carrées pour des ouvertures : 100µm,
espacement : 200µm.

III - 4 - ÉTAPES T ECHNOLOGIQUES POUR LA F ORMATION DES

UBM
Dans ce paragraphe nous présentons les étapes technologiques assurant la
formation des trois couches qui constituent l’UBM ainsi que la piste de connexions et
la couche de passivation (Figure 21). Il est nécessaire d’avoir des choix rigoureux,
d’abord pour les matériaux de l’UBM, afin de lui permettre d’accomplir ses
différentes missions (accroche mécanique, barrière de diffusion et mouillabilité) et
ensuite pour les procédés technologiques permettant les dépôts métalliques, qui
doivent offrir un minimum de contraintes mécanique et thermique avec une
résistance de contact électrique réduite au minimum.

III - 4 - 1 - ÉTAPE 1: DEPOT DES PISTES DE CONNEXIONS

Nous partons d'un substrat de silicium, de 4 pouces, de 525µm d’épaisseur
avec une résistivité électrique de 10-12 Ω.cm. La première étape consiste à déposer les
pistes de connexions par la technique de lift-off qui consiste à métalliser le wafer à
travers un masque de résine photosensible : après nettoyage de la résine on obtient
un dépôt de métal dans des endroits cibles du wafer (Figure 55.a).
Selon la nature, la fonction et l’environnement du composant, le matériau
utilisé pour les pistes de connexions varie. On trouve couramment Al, Cu, et Au, les
deux matériaux les plus utilisés étant l’aluminium et le cuivre.
Nous avons choisi comme piste de connexions l’aluminium, plus
communément utilisé au laboratoire, d’épaisseur 1µm et déposé par évaporation
thermique.

III - 4 - 2 - ÉTAPE 2: PASSIVATION DES PISTES DE CONNEXIONS

La passivation est une étape indispensable dans la formation des billes: elle
consiste à déposer une couche non conductrice permettant de protéger les pistes de
connexions contre l'oxydation et éviter tout court-circuit.

82
 Nous avons opté pour le dépôt de Nitrure de Silicium (Si3N4) par PECVD
(Dépôt Chimique en Phase Vapeur assistée par Plasma), d’une épaisseur de 0.5µm.
Après avoir déposé le nitrure sur toute la plaque, une gravure ionique réactive à base
de CF4 permet de l’enlever sur la piste en Aluminium à travers des ouvertures
définies dans de la résine photosensible (Figure 55.b).

III - 4 - 3 - ÉTAPE 3: DEPOT DE L’UBM

Afin d’étudier le maintien mécanique de la bille et sa variation en fonction de
la métallurgie de l’UBM, nous avons choisi d’étudier différents multicouches
métalliques qui doivent satisfaire les fonctions d’accroche, de barrière de diffusion et
de mouillabilté. Une recherche bibliographique et la prise en compte du savoir-faire
du laboratoire nous a amené à sélectionner trois multicouches différents : Ti-Pt-Au,
Cr-Cu-Au et Ni-Au. L’Au est dans chaque cas employé comme couche de
mouillabilité. Notre but est de limiter la formation et la croissance d’intermétalliques,
ce qui minimisera les contraintes mécaniques sur la bille (53). Ces métaux sont
déposés par évaporation thermique et les UBM sont définis par la technique du lift-
off (Figure 55.c). Le Tableau 18 donne les épaisseurs déposées pour chaque
multicouche. Un exemple d’UBM ainsi obtenu est reporté sur la Figure 56.

Métallurgie d’UBM Épaisseur

Ti- Pt-Au 50nm-100nm-50nm

Cr-Cu- Au 50nm-0.5µm-0.5µm
Ni-Au 30nm-50nm

Tableau 18 : Différentes métallurgies d’UBM choisies

83
 a)
Formation des pistes de
connexions (Al-1µm) par
lift-off

b)
Dépôt pleine plaque de
Nitrure (Si 3 N4 ) par PECVD
puis gravure chimique
sélective par CF4

c)
Formation des Pads par lift-
off Wafer

Figure 55 : Étapes technologiques de réalisation des UBM.

Figure 56 : Photo MEB d’un UBM et de la piste en Aluminium

84
III - 5 - OPTIMISATION D ES F ORMES ET DES DIMENSIONS
D’UBM
Nous allons déterminer l’influence des dimensions et des formes d’UBM sur
la forme, la taille et le maintien mécanique de la bille de connexion après refusion et
nettoyage du flux. Nous avons choisi de mener l’étude sur la pâte de type 5 de chez
Indium. Pour ce faire, n’ayant pas encore une idée précise de l’influence du recuit de
refusion sur la formation des billes (l’optimisation de cette étape sera décrite dans la
partie III-6), nous avons procédé comme suit :
1. Dépôt de pâte à braser.
2. Essai de différents profils de refusion jusqu’à obtenir des billes de constitution
satisfaisante (forme de bille et structure de l’alliage).
3. Pour le profil optimum, comparaison des différentes formes de billes obtenues
en fonction de la géométrie de l’UBM.

Pour les résultats montrés dans cette partie, la température de refusion est de
240°C-250°C, pour un TAL de 90-100 sec, et un palier entre 160-180°C. Après refusion
il est nécessaire de procéder au nettoyage de la puce afin d’éliminer les traces de flux
organique qui restent autour des billes. On utilise pour cela un produit commercial
appelé « Vigon » (Annexe). Le nettoyage se fait à 50°C en combinant des ultrasons.

III - 5 - 1 - FORMES ET DIMENSIONS MISES EN EVIDENCE

Différents diamètres d’UBM ont été caractérisés, définis par rapport aux
diamètres des ouvertures du masque, à savoir : diamètre d’UBM = 3/4, 1/2, 1/4,
1/6 et 1/8 (a, b, c, d, e) x (diamètre d’ouverture du masque) (Figure 57). A
l’ouverture de masque carrée, on associe les formes d’UBM carrée et étoile ; à
l’ouverture ronde on associe la même forme ronde. La Figure 58 montre les trois
formes d’UBM réalisées.

85
Figure 57 : Différentes formes d’ouverture de masque et différentes formes et tailles d’UBM.

Figure 58 : Les trois formes d’UBM étudiées.

III - 5 - 2 - RESULTATS ET ANALYSE

Les UBM de forme ronde dont les dimensions sont le ¾ des ouvertures du
masque favorisent la formation de points de connexions qui ne sont pas parfaitement
sphériques (Figure 59). Ce phénomène est plus prononcé pour des ouvertures plus
grandes, supérieures à 200µm (Figure 60): les points de connexions sont de forme
demi-sphérique. On peut conclure que la quantité de pâte déposée n’est pas
suffisante pour ces dimensions associées à un masque d’épaisseur de 50µm. Un
masque plus épais serait plus approprié.
Les UBM de forme carrée conduisent à des points de connexions dont les
bases prennent la forme carrée (Figure 61). La sérigraphie de pâte à braser à travers
une ouverture de masque carrée donne un dépôt de pâte non symétrique par rapport
au centre de l’ouverture : des microbilles d’alliage de la pâte se placent dans les
angles du carré ce qui favorise la formation de microbilles autour du point de
connexion après refusion de l’ensemble (Figures 61 et 62).
Les UBM de forme étoile donnent les mêmes résultats (Figure 63) que les UBM
de forme carrée avec des formes non homogènes des points de connexions.

86
A B

Figure 59 : Formation de billes pour une ouverture ronde de 125µm (A) et 100µm (B) pour
un espacement de 100µm (UBM rond =¾ x Ouverture).

A B

Figure 60 : Formation de billes pour une ouverture ronde de 225µm (A) et 275µm (B) pour
un espacement de 100µm (UBM rond =¾ x Ouverture).

A B

Figure 61 : Formation de billes pour une ouverture carrée de 125µm et un espacement de

100µm (UBM carré=¾ x Ouverture) (A) : vue d’ensemble et (B) vue de dessus.

87
 A B

Figure 62 : Formation de billes pour des ouvertures carrées de 250µm et un espacement de

200µm (UBM carré=½ x Ouverture) (A) : vue d’ensemble et (B) vue de dessus.

Figure 63 : Formation de billes pour des ouvertures de 100µm et un espacement de 65µm

(UBM étoile=3/4 * Ouverture).

Une étude quantitative des billes a été faite afin d’étudier la reproductibilité
des matrices de billes suivant la taille des UBM : les UBM dont le diamètre égal est à
¾ de l’ouverture de masque donnent des billes de forme mi-sphérique (Figure 57 et
Figure 58) tandis que les plus petits (diamètre égal à 1⁄6 et ⅛) favorisent
l’arrachement de billes mettant l’UBM à nu (Figure 64). Les billes de forme
sphérique sont obtenues à partir des UBM dont le diamètre est égal à ¼ et ½ du
diamètre de l’ouverture (Figure 65).

88
 Figure 64 : UBM nue et traces d’alliage après arrachement de la bille.

Figure 65 : Billes obtenues à partir des UBM dont le diamètre est la moitié de l’ouverture du
masque.

III - 6 - FORMATION DE BILLES DONT LA TAILLE E ST COMPRISE

ENTRE 50µm ET 100µm

Les travaux précédents nous ont permis de définir des paramètres optimums pour
l’obtention de billes de forme sphérique : paramètres machine, géométrie du masque
et géométrie des UBM. Afin de déterminer la reproductibilité de formation des billes
et d’étudier l’influence de la taille de l’UBM sur leur maintien mécanique, nous
avons défini un nouveau dessin de masque de sérigraphie et travaillé sur
l’optimisation du profil thermique de refusion. Les résultats que nous montrons ici
ont été obtenus pour une pâte à braser de type 6 de chez Indium.

89
III - 6 - 1 - DESSIN DE MASQUE
Le nouveau masque de sérigraphie que nous avons conçu est toujours en Ni-
électroformé d’une épaisseur de 50µm, les matrices comportent 100 ouverture s
chacune (10x10) de forme ronde. Dans le but d’avoir des billes de dimension
inférieure à 100µm, nous avons choisi de ne garder que trois dimensions
d’ouvertures : 100µm, 125µm et 150µm. Pour les UBM nous gardons la forme ronde,
puisqu’elle présente la meilleure reproductibilité de formation des billes. Les
dimensions d’UBM retenues sont celles qui correspondent à la moitié, le tiers et le
quart des ouvertures (notées respectivement UBM2, UBM3 et UBM4 par la suite)
dans le but de voir leur influence sur la variation des dimensions des billes et leur
maintien mécanique (Tableau ). Nous avons également fait varier la dimension des
pitch en fixant trois valeurs d’espacement: 65µm, 70µm et 80µm (Tableau).
Coefficients
1/2 1/3 1/4
Ouvertures
100µm 50µm 30.33µm 25µm
125µm 62.5µm 41.5µm 31.25µm
150µm 75µm 50µm 37.5µm
Tableau 19 : Taille des différents UBM.

Ouvertures
100µm 125µm 150µm
Espacements
65µm 165µm 190µm 215µm
70µm 170µm 195µm 220µm
80µm 180µm 205µm 230µm
Tableau 20 : Dimension des différents pitchs pour différentes ouvertures.

III - 6 - 2 - LE PROFIL THERMIQUE DE REFUSION POUR UNE PATE SANS-

PLOMB
Le profil thermique est la clé de la formation d’une bille de connexion fiable :
tout d’abord, il doit permettre une fusion totale et homogène de toutes les particules
métalliques de la pâte à braser, et en même temps il doit permettre au flux
d’accomplir sa fonction au bon moment. L’optimisation du profil thermique de
refusion consiste à optimiser chacune de ses phases: phase de préchauffage, phase
de fusion et phase de solidification qui sont définies à travers certains facteurs. La
phase de préchauffage est définie par sa vitesse de montée et le palier de
température, la phase de fusion est caractérisée par le TAL (Temps Au dessus de
Liquidus) et la température maximale du profil, tandis que la phase de solidification
est spécifiée par la vitesse de descente.
Une bonne qualité de bille est définie par : la forme géométrique, l’état de
surface et le taux de rugosité, la structure interne et l’épaisseur des IMC.

90
 On exige une forme bien sphérique de la bille, un état de surface homogène et
uniforme présentant un minimum de rugosité, une structure interne homogène et
uniforme sans vide et enfin des IMC d’une épaisseur minimum.

III - 6 - 2 - 1 - PROFIL PROPOSE PAR LES FICHES TECHNIQUES DES FOURNISSEURS

Les fournisseurs de pâte à braser proposent dans leur fiche technique un profil
type, à savoir vitesses de montée et de descente, le TAL, le palier et la température
maximale qui sont données sous forme d’intervalle. Pour l’optimisation du profil on
se base sur les données fournies par cette fiche technique afin de définir les valeurs
qui nous donnent la meilleure structure de bille.
Par exemple la pâte Indium propose : une vitesse de montée comprise entre
0.5°C/s et 3°C/s, une température de solidification ne dépassant pas les 6°C/s, un
palier de température entre 200°C et 210°C pendant 2min, une température
maximale de 12°C à 43°C au dessus de la température de fusion qui est de 217°C
pour l’alliage de la pâte (Tmax= 229°C à 260°C) et un TAL de 30s à 90s.

III - 6 - 2 - 2 - LES DIFFERENTS PROFILS DE REFUSION TESTES

En ce qui concerne le profil thermique de refusion et pour diminuer le nombre
de paramètres, nous avons choisi de fixer la vitesse des pentes de préchauffage et de
la solidification à leur valeur minimale (1°C/s). Nous avons étudié l’influence des
trois températures suivantes : Tpalier (température du palier), TAL, et Tmax. Les
différents profils thermiques de refusion que nous avons testés, sont détaillés dans le
Tableau . La température du palier varie entre 180°C et 200°C, la température
maximale varie entre 240°C et 260°C, et le TAL entre 50s et 90s.

Paramètres
Profile i Tsoak Tmax TAL
Profil 1 200°C 260°C 50s
Profil 2 200°C 260°C 60s
Profil 3 190°C 260°C 80s
Profil 4 190°C 240°C 50s
Profil 5 190°C 240°C 60s
Profil 6 190°C 240°C 80s
Profil 7 180°C 240°C 90s
Profil 8 180°C 250°C 90s
Tableau 21 : Différents profils thermiques de refusion étudiés pour la refusion de billes.

III - 6 - 3 - RESULTATS EXPERIMENTAUX

De nombreux essais ont été effectués afin de trouver le profil de refusion
thermique optimum. Nous présentons ici les résultats les plus significatifs.
La famille de profils thermiques, où le palier est au-dessus de 200°C et le TAL
inférieur ou égal à 60s (profils 1 et 2) ne permet pas d’obtenir des billes de

91
connexions après le cycle thermique de refusion. En effet les particules les plus
grandes de la pâte restent sous leur forme initiale et ne fusionnent pas avec le reste
de l’alliage (Figure 66). Nous avons supposé que la température du palier était trop
élevée et le temps au dessus du liquidus trop court (le flux s’évapore plus vite et plus
tôt). Nous avons mis en œuvre des profils où nous avons diminué la température du
palier tout en augmentant le temps au-dessus de la température du liquidus (T palier =
190°C, TAL= 60-80s), pour donner à l’alliage plus de temps pour se mettre en fusion.
Ces profils permettent une amélioration de l’état de surface des billes mais ils sont
toujours insuffisants (Figure 67) pour avoir une structure d’alliage homogène.
Notre objectif est atteint grâce à des profils dont la température de palier est à
180°C, un temps au-dessus du liquidus minimal, de 90s, et la température maximale
de 250°C : les billes de connexions obtenues ont un état de surface homogène et
structuré (Figure 68). La Figure 69 montre le détail de l’état de surface d’une bille
ainsi formée : on peut constater l’uniformité de la structure, et l’absence de vides et
de particules métalliques non refusionnées.
Nous avons pu constater un bon rendement de refusion des billes: la Figure 70
montre une vue de trois matrices correspondant à des dimensions d’ouverture de
100µm (A), 125µm (B) et 150µm (C). Dans la Figure 71 nous avons reporté les
mesures de diamètre des billes pour les trois ouvertures différentes et les trois
dimensions d’UBM (UBM2 , UBM3 et UBM4 *). Nous avons pu obtenir des billes de
diamètre inférieur à 100µm dans chacun des cas. Au vu des résultats, il est difficile de
dégager des lois permettant d’associer à une ouverture ou un UBM, un diamètre de
bille précis. Nous pouvons uniquement dégager une tendance et donner des gammes
de dimensions : entre 60-70 µm pour une ouverture de 100µm, 70-80µm pour une
ouverture de 125µm et de 70-90µm pour une ouverture de 150µm.
Pour ce qui est de l’influence de l’espacement il semble se confirmer qu’un
espacement plus large favorise le dépôt d’une quantité de matière plus importante
donc la formation de billes de plus grand diamètre.

*UBM2= diamètre d’UBM égal à la moitié de celui de l’ouverture de masque.

UBM3 = diamètre d’UBM égale au tiers celui de l’ouverture de masque.
UBM4 = diamètre d’UBM égal au quart de celui de l’ouverture de masque.

92
Figure 66 : Refusion d’une pâte à braser (type 6, SAC305) suivant les profils thermiques 1 et
2 : Tpalier au dessus de 190°C et un TAL inférieur à 60s.

Figure 67 : Refusion d’une pâte à braser (type 6, SAC305) suivant les profils thermiques 3, 4,
5 et 6 : Tpalier =190°C et un TAL =60s-80s

Figure 68 : Billes de connexion formées à partir de la refusion d’une pâte à braser (type 6,
SAC305) suivant les profils thermiques 7 et 8: Tpalier=180°C, Tmax =240°C ou 250°C,
TAL=90s).

93
 Figure 69 : État de surface d’une bille obtenue à partir d’un profil de refusion tel que :
Tpalier=180°C, Tmax =250°C, TAL=90s.

Figure 70 : Uniformité de formation des billes pour différentes ouvertures de masque (pâte à
braser type 6 SAC305) : 100µm (A), 125µm (B) et 150(C).

94
Figure 71 : Diamètre de bille mesurés en fonction du diamètre d’ouverture du masque et de
l’espacement..

95
III - 7 - PREMIERS ESSAIS D’ASSEMBLAGE F LIP-CHIP
Une fois les billes de connexion réalisées, nous avons procédé à des essais
d’assemblage flip-chip. Le principe est représenté schématiquement sur la figure 72 :
une puce contient les billes de connexion Sn-Ag-Cu, sur la deuxième nous avons
déposé les pistes métalliques en Aluminium recouvertes des mêmes UBM que ceux
de la puce 1.

Figure 72: Représentation schématique d’un assemblage de puces par Flip-chip

96
La puce 2 est alors reportée sur la puce 1 à l’aide d’une machine de report Flip-chip :
dans notre cas il s’agit de l’AF350 de Suss-Microtec. La puce 1 est positionnée sur le
support chauffant de la machine (dont on contrôle le profil en température), la puce 2
est maintenue par un bras qui permet de l’aligner sur la première à l’aide de caméras
et de repères métalliques dessinés au préalable sur chaque puce. La puce 2 est alors
amenée en contact avec la puce 1 portée à la température de fusion souhaitée.
La procédure de report que nous avons définie est la suivante : la puce 2 est
descendue jusqu’à la détection d’un contact avec la puce 1 (niveau zéro) ; arrivé à ce
niveau zéro, on lance la mise en température du support chauffant tout en
remontant la puce 2 à 30µm de la puce 1. Quand la température de fusion de l’alliage
des billes de connexions (217°C) est atteinte, la puce 2 est redescendue d’une distance
équivalente à la taille des billes ce qui assure la mise en contact avec la puce 1 avec
une certaine pression. La température est alors amenée à 240°C.
A ce stade nous avons testé différentes voies pour l’assemblage flip -chip qui
sont résumées sur la Figure 73.a et que nous allons expliciter ici :
Voie 1 : les deux puces sont maintenues en contact à 240°C pendant 30sec. La
puce 2 est alors remontée d’une dizaine de microns, en-dessous du niveau zéro et
maintenue ainsi pendant la descente en température du support. La figure 73.a
montre le profil en température du support chauffant ainsi que le profil donnant la
position de la puce 2 par rapport au niveau zéro (contact entre les deux puces). Les
images prises au MEB (figure 73.b) montrent que les billes de connexions passent
d’une forme sphérique avec une hauteur de 80µm et un diamètre de 95µm à une
forme de poutre (sous forme de Π) avec une hauteur de 60µm et 70µm de largeur.
Voie 2 : les deux puces sont maintenues en contact à 240°C pendant 30sec. La
puce 2 est alors remontée au niveau zéro, et maintenue ainsi pendant la descente en
température du support (voir profils sur la Figure 73.a). La puce 2 ayant été
remontée d’une hauteur plus importante que dans le cas de la voie 1, la connexion
résultante est de forme de cylindre, comme le montre la photo MEB de la Figure 73.c
Voie 3 : les deux puces sont maintenues en contact à 240°C pendant 30sec. La
puce 2 n’est pas remontée et est maintenue ainsi pendant le refroidissement du
support. On obtient une connexion sous forme de bille écrasée (Figure 74) : une bille
de 84µm de haut avant assemblage, atteint 20µm de haut et 190µm de largeur après
assemblage.

97
Figure 73.a : Profil thermique du support et les différentes positions de la puce 2

Avant flip-chip Après flip-chip

Figure 73.b : Forme de bille avant et après assemblage Flip Chip selon la voie 1

98
 Figure 73.c : Forme de bille après assemblage Flip-Chip selon la voie 2

Avant flip-chip

Après flip-chip

Figure 74 : Formes de bille avant et après assemblage Flip-Chip selon la voie 3

La figure 75 montre une vue au MEB de deux puces assemblées selon la

procédure de la voie 3. On peut remarquer d’une part l’aspect écrasé de la bille
comme décrit précédemment mais surtout dans la vue éloignée des deux puces la
bonne planéité obtenue pour le report de la puce 1.

99
 Les essais que nous avons menés ont concerné les premières billes que nous
avions réalisées, à savoir celles déposées sur des UBM en Ti-Pt-Au. Or l’étude faite
sur l’influence de la métallurgie des UBM (chapitre IV) nous a montré dernièrement
que les UBM Cr-Cu-Au donnaient les meilleurs résultats en termes d’accroche de
billes.
Il faudra donc mettre en place de nouveaux essais d’assemblage Flip-Chip
avec des UBM à base de Cu.

Figure 75: Vue au MEB d’un assemblage flip-chip de deux puces selon la voie 3

100
 CONCLUSION CHAPITRE III

N ous avons dans ce chapitre présenté le plan d’expérience qui nous a

permis de réaliser le dépôt de pâte à braser sans plomb par sérigraphie,
et de déterminer l’influence prépondérante de la vitesse et de la pression de racle, de
la vitesse de démoulage, ainsi que de leurs interactions. Nous avons proposé donc
une méthodologie de mise en œuvre de ce procédé dans le but de déterminer les
paramètres optimums permettant un dépôt de pâte de qualité.
L’optimisation des formes et dimensions des ouvertures du masque de
sérigraphie suivant les types de pâte nous a permis de conclure que les formes
carrées sont dédiées pour les grandes ouvertures et des espacements larges au-
dessus de 200µm.
Nous avons classifié les types de pâte à braser sans plomb selon la taille des
ouvertures : la type 4 est dédiée aux ouvertures au-dessus de 200µm, par contre, avec
la type 5 non pouvons utiliser des ouvertures plus petites (de 200µm jusqu'à 125µm)
avec un espacement limité à 100µm. La pâte de type 6, quant à elle, nous permet un
dépôt à travers des ouvertures de 100µm ce qui en fait une excellente candidate pour
la formation de billes de diamètre inférieur à 100µm.
L’optimisation de la forme et de la dimension de l’UBM a été faite à partir de
l’analyse de la forme de la bille après refusion de la pâte : nous avons conclu que la
forme ronde et une taille d’UBM moyennement grande, à savoir la moitié et le quart
de l’ouverture du masque, favorisent la formation de billes sphériques.
L’optimisation du profil thermique de refusion a été basé essentiellement sur
la détermination des valeurs optimums des trois paramètres : la température du
palier, la température maximale et le temps au-dessus du liquidus, tout en fixant les
vitesses des rampes en température. Cette étude nous a permis de conclure qu’une
température de palier assez basse permet au flux d’agir sur les particules de l’alliage
pour les protéger contre l’oxydation et avec particules de l’alliage d’avoir
suffisamment de temps pour qu’elles se mettent en fusion, afin de former une
structure d’alliage en se rapprochant ainsi de la structure eutectique.
Nous avons pu, après définition des paramètres optimum de sérigraphie,
d’UBM et de refusion, montrer que l’on obtenait des billes de connexions de
diamètre inférieur à 100µm pour une pâte de type 6.

101
 CHAPITRE IV

CHAP IV : ÉTUDE DE FIABILITE DES BILLES DE

CONNEXION SANS- PLOMB

102
 INTRODUCTION CHAPITRE IV

L ’assemblage Flip- chip assure non seulement les connexions électriques

mais aussi les liaisons mécaniques entre deux puces. En considérant
qu’une seule rupture d’un point de connexion suffit pour amener un système à
défaillance, il est important que la liaison soit fiable pour qu’elle ne limite pas la
durée de vie du composant.
Nous avons validé dans le chapitre précédent la fabrication de matrices de billes de
connexions sur puce (100 billes par puce) de diamètre inférieur à 100µm pour des
pâtes à braser de type 6. Nous présentons dans le chapitre qui suit l’étude de fiabilité
que nous avons menée sur les billes ainsi réalisées.
Nous avons dans un premier temps procédé à des tests de cisaillement (ou shear-
test) afin de qualifier l’adhérence de la bille sur le substrat. Nous présentons les
premiers résultats obtenus sur des billes de différent diamètre pour différents UBM.
Nous analyserons l’influence de la taille de l’UBM ainsi que de la vitesse de
cisaillement.
Nous donnerons les premiers résultats obtenus sur l’analyse des intermétalliques qui
se forment lors de la refusion de la bille.
Nous avons également soumis les composants à des variations de températures, sous
forme de cycles répétés dans le but de déterminer la durée de vie de l’assemblage
flip-chip sans-plomb dans son environnement normal d’utilisation, à partir des
résultats des cycles de vieillissement accéléré.

IV - 1 - LES CONTRAINTES
Pour mieux appréhender l’étude de la fiabilité d’un assemblage de
composants flip-chip, voici quelques définitions concernant la mécanique des
matériaux solides. Si une force Fn est exercée perpendiculairement à une surface S,
on définit la contrainte de traction ou de compression, selon le sens de la force, par :

(IV.6)

Avec σ est la contrainte exprimée en Pascal [Pa] ou en [N/m²] Si une force Ft

est exercée parallèlement à la surface S, on définit la contrainte de cisaillement par :

(IV.7)

103
IV - 1 - 1 - LES DEFORMATIONS

La déformation d’un matériau solide résulte d’une contrainte de traction ou de

cisaillement. Les déformations longitudinales (εn) et latérales (εL) en traction se
définissent par :

et (IV.8)
Avec :
U et W expriment les déplacements de la surface en mètre [m].
L est la longueur du solide en mètre [m].
l est la largeur du solide en mètre [m].
ξ est la déformation exprimée en mètre [m]
Le coefficient de Poisson (v) se définit alors par :

(IV.9)

Si un matériau solide est soumis à une contrainte, il s’ensuit des déformations

élastiques ou plastiques. La déformation élastique est réversible, c'est-à-dire que
lorsque l’on arrête la sollicitation, le matériau reprend sa forme initiale. Dans le
domaine des petites déformations, celles-ci sont proportionnelles à la contrainte,
puisque l’élasticité est linéaire. Cette loi de comportement des solides soumis à une
déformation élastique est appelée loi de Hooke. Elle s’écrit :

(IV.10)

Avec :
E est le module d’Young exprimé en [Pa]
σ est la contrainte exprimée en [Pa]
ε est la déformation exprimée en mètre [m]
Un matériau dont le module d’Young est très élevé, est un solide rigide,
comme l’acier par exemple. Aux plus grandes déformations, c'est-à-dire lorsque la
limite d’élasticité est dépassée, les déformations ne sont plus proportionnell es à la
contrainte. La déformation est alors plastique et irréversible ; elle se traduit par une
déformation définitive du matériau lorsqu’il est contraint à une force excessive.
Dans le domaine élastique, la pente de la courbe est définie par le module
d’Young (E) du matériau. La limite d’élasticité est caractérisée par l’état de contrainte
qui engendre les premières déformations irréversibles

IV - 1 - 2 - LA DILATATION THERMIQUE

Le coefficient de dilatation thermique (α) définit l’expansion du volume d’un

corps sous l’influence de la chaleur. On peut calculer la variation de longueur et donc

104
de volume d’un matériau contraint à une variation de température, de la façon
suivante :

(IV.11)

Avec :
L est la variation de la longueur en mètre [m]
α est le coefficient de dilatation thermique en 1/Kelvin [K -1 ]
L est la longueur initiale en mètre [m]
T est la variation de température en kelvin [K]
Un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est élevé subit un
allongement important de son volume sous l’effet de la chaleur. Si deux matériaux
possédant des coefficients de dilatation différents sont liés mécaniquement, une
variation de la température induit des contraintes à leur interface.
La qualité d’un objet est mesurée par son aptitude à remplir la fonction
souhaitée. La fiabilité d’un objet est évaluée par le temps pendant lequel il remplit la
fonction pour laquelle il a été construit. Les niveaux de qualité et de fiabilité requis
par un ensemble électronique dépendent bien évidemment du domaine
d’application.
La formation des billes de connexions sur puce pour l’assemblage flip -chip
impose d’associer des matériaux différents. Ces matériaux présentent des propriétés
mécaniques très variées, en particulier quant à leurs coefficients de dilatation
thermique.
Que ce soit pendant la fabrication des billes, ou pendant l’assemblage flip -
chip, toute variation de température provoquera, du fait de ces différences de
coefficients de dilatation thermique, l’apparition de contraintes mécaniques à
l’interface et au sein même de ces matériaux. Ces contraintes peuvent entraîner la
destruction des billes dans des cas extrêmes ; elles contribuent de toute manière à
réduire la durée de vie de point de connexion et par conséquence du composant
électronique.

IV - 2 - TEST DE CISAILLEMENT (SHEAR-T EST)

La qualité d'un joint de soudure est directement liée à l'adhérence de la bille
de soudure au substrat. Parmi les diverses méthodes d'essai mécanique, l’essai de
cisaillement de la bille de soudure est le plus largement utilisé pour évaluer la force
de l'attachement de billes au substrat (54). Ce test est très simple, efficace, et pratique
à mettre en œuvre. Toutefois, la procédure d'essai n'a pas encore été pleinement
normalisée pour toutes les utilisations du test de cisaillement, l e JEDEC (Joint
Electronic Devices Engineering Council) (55) et la norme standard de cisaillement
des bille JESD22-B117, 2000 (JEDEC, Solid State Technology Association) (56) prescrit

105
un écart entre le bord de la RAM de cisaillement et de la surface du substrat plus
grand que 0,05 mm, mais inférieur à 25% de la hauteur de la bille.
Le test de cisaillement a deux principales fonctions : la détermination de
l'adhérence exacte des joints et la détermination la fragilité de la bille à l’interface,
causée par une couche d’intermétalliques (IMC) trop épaisse.
Des essais de cisaillement ont été effectués à l'aide de l’outil DAGE 4000
(Figure 76) auprès de la société SERMA-TECHNOLOGIE à Bordeaux. Le procédé est
expliqué par le schéma de la Figure 77, indiquant la trajectoire, la vitesse de
cisaillement et la hauteur de l’outil, qui ne doit pas dépasser les 20% de la hauteur de
la bille (58), définie comme la distance entre l'extrémité basse de la bille et celle de
l’outil.

Figure 76 : Outil de cisaillement DAGE 4000.

Figure 77 : Schéma de test de cisaillement (Serma-Technologie)

106
IV - 3 - ETUDE DE LA D EFAILLANCE DE LA BILLE DE CONNEXION
Notre étude comporte deux axes :

1. L’étude de l’influence de la taille d’UBM sur la force de cisaillement.

2. L’étude de la variation de la force de cisaillement suivant la métallurgie de
l’UBM, et une analyse des IMC de chaque famille de billes.

IV - 3 - 1 - INFLUENCE DE LA TAILLE D’UBM ET DE SA METALLURGIE SUR LA

FORCE DE RUPTURE

Constatant que la taille d’UBM n’influe pas d’une manière significative sur les
dimensions de billes, notre étude consiste à déterminer son impact sur le maintien
mécanique de la bille.
Les tests de cisaillement concernent des billes réalisées par sérigraphi e de pâte
à braser SAC305 de type 6 et avec une refusion suivant un profil thermique tel que
TPalier=180°C, Tmax=250°C et TAL=90s, pour une vitesse d’outil V ST= 600µm/s. Les
trois types de métallurgies d’UMB seront analysés : Ti-Pt-Au, Cr-Cu-Au et Ni-Au, et
ce pour différentes dimensions (UBM2, UBM3 et UBM4).
 UBM : Ti-Pt-Au
Pour les billes réalisées à partir d’UBM en Ti-Pt-Au, deux familles de
dimensions de billes sont étudiées, définies par leur diamètre moyen, 86µm et 65µm.
Pour les billes de diamètre 86µm (Figure 78), on remarque que les forces de rupture
les plus faibles sont obtenues pour les plus petits UBM (UBM4 de diamètre 37.5µm)
avec une moyenne de 15,21gF. Pour des UBM de 50µm de diamètre, la force de
rupture moyenne est de 18,98gF. Les billes les plus résistantes sont obtenues à partir
des UBM2 de diamètre égal à 75µm (la moitié de l’ouverture du masque et plus du
trois quart de la taille de bille), avec une moyenne de force de rupture de 27,52 gF
(Figure 78).
Pour des billes de plus petite taille (diamètre de 65µm) les forces de rupture
sont plus faibles que celles de 86µm de diamètre (Figure 79).
On peut donc conclure que les dimensions de l’UBM ainsi que de la bille
agissent sur la valeur de la force de rupture : plus les tailles sont grandes, meilleure
sera la résistance de la bille à la rupture.
 UBM : Cr-Cu-Au
La deuxième catégorie de billes correspond à des UBM en Cr-Cu-Au (Figure
80-A) : les résultats sont les mêmes qu’avec un UBM en Ti-Pt-Au, à savoir qu’une
taille d’UBM plus grande présente une force de rupture seuil plus importante et donc
un maintien plus solide. On peut constater que pour les billes de diamètre moyen
85µm, la valeur moyenne de la force de rupture est de 25,15gF pour des tailles

107
 d’UBM de 62,5µm, (UBM2, correspondant à des ouvertures de masque de 125µm et à
plus de trois quart de la taille de la bille). Les UBM de petite dimension (31,25µm soit
le tiers du diamètre de la bille), donnent de faibles forces de rupture avec une
moyenne de 5,99gF, cinq fois moins que celles obtenues avec des UBM2. Les billes de
diamètre moyen de 95µm présentent une valeur de force de rupture moyenne de
36,25gF (Figure 80-B) pour des UBM2 de taille 75µm (la moitié de l’ouverture du
masque et plus du trois quart de la bille) ; pour les UBM4 de taille 37,5µm les forces
de rupture sont très faibles.
Nous pouvons donc conclure que les UBM2, de dimension la moitié de
l’ouverture du masque, permettent d’avoir un bon maintien mécanique de billes.
UBM : Ni- Au
Le troisième type d’UBM Ni-Au présente de très faibles forces de cisaillement
pour les différentes tailles d’UBM. Les valeurs de force de rupture ne dépassent pas
les 5.5gF, ce qui indique que les billes n’adhérent pas sur le substrat (Figure 81).

35

30

25

20

15

10

UBM4 = 37.5µm
UBM3= 50µm
5

0
0 5 10 15 20 25 30

Figure 78 : Histogramme des variations de force de rupture pour différentes tailles d’UBM
(Bille de taille moyenne 86µm, vitesse de cisaillement 600µm/s, UBM : Ti-Pt-Au).

108
16

14

12

10

UBM4 = 25µm
2

0
0 5 10 15 20 25 30

Figure 79 : Histogramme des variations de force de rupture pour différentes tailles d’UBM
(Bille de taille moyenne 65µm, vitesse de cisaillement 600µm/s, UBM : Ti-Pt-Au).

109
 A) Force de rupture (gF) pour différents tailles d'UBM
Bille de diamètre moyen 85µm, UBM: Cr-Cu-Au
30

25

20

15

10

0
0 2 4 6 8 10 12

UBM4=31.25µm UBM2= 62.50µm

B) Force de rupture (gF) pour différents tailles d'UBM

Bille de diamètre moyen 95µm, UBM: Cr-Cu-Au
45

40

35

30

25

20

15

10

0
0 2 4 6 8 10 12

UBM4=37.5µm UBM2= 75µm

Figure 80 : Variations des forces de rupture pour différentes tailles d’UBM avec une vitesse de
cisaillement de 600µm/s et des UBM Cr-Cu-Au.

110
 Influence de la taille d'UBM sur la force de rupture UBM : Ni-Au
12

10

0
0 2 4 6 8 10 12

UBM= 25µm UBM2= 50µm

Figure 81 : Variations des forces de rupture pour différentes tailles d’UBM avec une vitesse
de cisaillement de 600µm/s et des UBM Ni-Au.

IV - 3 - 2 - L’INFLUENCE DE LA METALLURGIE DE L’UBM SUR LA FORCE DE

CISAILLEMENT ET ANALYSE DES IMC.

Lors de cette analyse, deux types de rupture sont apparues codifiées de la

manière suivante : « code 1 », la bille est cisaillée au niveau des IMC (Figure 82), la
couche d’intermétalliques n’a pas résisté à la force de l’outil ; « code 2 », la bille après
cisaillement laisse apparaître une fine couche de soudure à la surface de la puce, les
IMC ont résisté à la force de cisaillement (Figure 83).

Figure 82: Rupture au niveau des IMC (code 1). Figure 83 : Rupture au niveau de l’alliage (code 2).

 UBM = Ti-Pt-Au

Une analyse d’IMC et de la structure interne de la bille est indispensable pour

l’étude de la défaillance de la bille. Pour ce faire une analyse EDX est nécessaire.

111
 La Figure 84 montre un résultat obtenu après cisaillement d’une bille de
connexion formée sur un UBM Ti/Pt/Au. Dans ce cas précis, l’analyse au MEB laisse
apparaître quelques traces de l’intermétallique (Sn-Au-Pt, Pt-Ti) après enlèvement de
la bille et de l’UBM, mettant à nu la piste en aluminium. Le cisaillement s’est produit
selon le code 1 précédemment défini.

Sn-Au-Pt
Pt-Ti

Al

Figure 84 : Traces d’IMC après rupture d’une bille.

Afin d’analyser la couche d’intermétallique formée après refusion nous avons

fait procéder auprès de SERMA-TECHNOLOGIE à une découpe latérale de la bille,
mettant à jour l’interface bille / UBM/ piste d’aluminium (Figure 85).
La bille formée avec un UBM en Ti-Pt-Au montre une structure interne
homogène et non défaillante : pas de diffusion de matériaux de l’UBM dans l’alliage
de la bille et absence de vide. La formation des structures dendritiques révèlent une
bonne dispersion de la phase Ag3 Sn dans l’étain Figure 85, ce qui nous confirme
l’efficacité du profil thermique utilisé.
L’analyse des IMC, dont les résultats sont reportés sur la Figure 86 montre la
présence de trois fines couches : 60nm d’Au, 60nm de platine et 40nm et de Ti restant
après la refusion. À l’interface UBM/SAC305 on constate la formation d’une phase
fine et régulière d’Au-Sn formée le long de l’interface : seule la couche d’Au semble
avoir réagi avec l’alliage de la bille.

112
 Puce de 100billes (10/10)

A
Alliage : SAC305

UBM : Ti-Pt-Au

(160nm)

Figure 85 : Découpe latérale des billes formées à partir de différents UBM : Ti-Pt-Au.

A SAC305 Ag 3Sn
Ag 3Sn

AuSn

Al Au
Pt
Ti

Si

Figure 86 : Analyse d’IMC d’une bille formée à base d’UBM en Ti-Pt-Au

113
  UBM : Cr-Cu-Au
Dans le cas d’UBM en Cr-Cu-Au, on remarque la formation de bulles d’air au
niveau de l’interface de l’UBM et de la piste Aluminium, ainsi qu’une propagation de
la phase SnCu à l’intérieur de l’alliage (Figure 87).
La formation des bulles d’air est due à l’oxydation de la couche de cuivre. En
effet le dépôt de la couche d’UBM est fait en deux étapes : dépôt de Cr-Cu puis de
Cu-Au avec deux chambres différentes. La formation d’une large phase de Cu-Sn au
sein de l’alliage montre qu’il manque une barrière de diffusion entre la couche de
cuivre et d’or.

Alliage : SAC 305

Phase : CuSn

Bulle d’air

Figure 87 : Analyse d’IMC d’une bille formée à base d’UBM en Cr-Cu-Au

 UBM : Ni-Au
La troisième catégorie de billes, formées à partir d’une métallurgie à base de
Ni-Au est également analysée. D’après la découpe latérale d’une bille (Figure 88), on
peut constater qu’il n’y a pas eu de diffusion à l’intérieur de l’alliage de la bille.
L’IMC issue d’un UBM en Ni-Au présente une couche épaisse de la phase ternaire
Sn-Cu-Ni (1µm), ce qui explique les faibles valeurs de force de rupture.

114
 A
l

IMC : Ni –Au/SAC305

SAC305

Sn-Cu-Ni (1µm)

Al
Si

Figure 88 : Découpe latérale des billes formées à partir d’UBM Ni-Au.

IV - 4 - LA VARIATION DE LA FORCE DE CISAILLEMENT SUIVANT

LA VITESSE DE L’OUTIL.
La force de cisaillement d’une bille varie suivant la métallurgie et la dimension
de l’UBM ainsi que de la bille. Sachant que la force de cisaillement dépend de
plusieurs paramètres externes, l’étude de leur influence est nécessaire.
Le paramètre le plus critique est la vitesse de cisaillement VST (µm/s) : nous
avons analysé son influence sur la force de rupture F r (gF) pour les deux tailles de
bille (gamme 63-69µm et gamme 84-86µm) et les différents UBM (UBM2 , UBM3 et
UBM4 ).
Pour des UBM en TiPtAu, qui sont les premiers que nous avons étudiés, les
résultats de mesure de force de rupture sont reportés sur les Figures 89 et 90 pour
des vitesses de cisaillement de VST1 = 600µm/s, V ST2 = 200µm/s et V ST3 = 100µm/s.
Nous pouvons remarquer que les forces de rupture correspondantes à une
vitesse de cisaillement de 600µm/s sont dans tous les cas plus importantes que celles

115
obtenues à partir des vitesses plus faibles. Les valeurs restent cependant, en
moyenne, relativement proches les unes des autres par catégorie de bille étudiée. Par
exemple, pour un même UBM4 (Figure 89) , les forces de rupture oscillent entre 6gF
et 9gF pour des billes de 69µm, et entre 10gF et 17gF pour des billes de 86µm. Les
graphes présentés sur les figures 89 et 90 mettent par contre bien en évidence
l’influence des diamètres de la bille et de l’UBM sur la force de rupture : pour une
bille de 63µm et un UBM3 , les forces sont proches de 10gF, tandis qu’elles avoisinent
25gF pour des billes de 84µm et un UBM2. On peut donc en conclure qu’un UBM et
des billes de grande dimension nécessitent des forces de rupture plus importantes.

Les figures 91 A et B montrent l’influence de la vitesse de cisaillement pour

des UBM en Cr-Cu-Au et des billes de 85µm et 95µm respectivement. Là encore les
valeurs moyennes des forces de rupture sont proches par dimension de bille (entre
19gF et 27gF pour des billes de 85µm et entre 30gF et 40gF pour des billes de 95µm de
diamètre), et ne permettent pas de mettre réellement en évidence l’influence majeure
d’une forte vitesse de cisaillement sur la force de rupture. Même constat pour les
résultats de la Figure 92 relatifs aux UBM en NiAu.
Les figures 91 à 92 nous montrent également l’influence du type de
métallurgie utilisée pour l’UBM : les plus faibles forces de rupture sont obtenues
pour des UBM en Ni-Au, avec une moyenne de 5,5gF. Nous pouvons par contre
constater que les forces de rupture sont plus importantes pour les UBM en Cr-Cu-
Au, et en Ti-Pt-Au mettant en évidence la solidité des billes déposées sur ces alliages.
La force de rupture d’une bille varie donc suivant sa taille, la dimension et la
métallurgie de l’UBM et elle est faiblement influencée par la vitesse de cisaillement. Il
semble donc plus judicieux de juger de la défaillance d’une bille à partir du type de
rupture, selon les codes 1 ou 2, de l’analyse des intermétalliques (IMC) et de sa
structure interne.

116
 A - Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de
rupture des Billes de diamètre moyen 69µm (UBM 4)

Force de rupture (gF)

10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1 2 3 4 5
VS-T= 600µm/s 6,24 6,14 6,77 5,83 6,57
VS-T = 200µm/s 5,91 5,95 6,52 6,08 6,55
VS-T = 100µm/s 7,9 8,77 8,34 7,89 8,31

B - Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de

ruptures Billes de diamètre moyen 86µm(UBM4)
20
18
Force de cisaillement (gF)

16
14
12
10
8
6
4
2
0
1 2 3 4 5
VS-T= 600µm/s 15,79 15,49 16,16 17,47 16,58
VS-T = 200µm/s 15,65 13,54 14,86 14,15 14,29
VS-T = 100µm/s 13,28 12,93 13,05 10,82 17,14

Figure 89 : Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture des billes de diamètre
69µm (A) et 86µm (B) (UBM en TiPtAu).

117
 Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture
Billes de diamètre moyen 63µm (UBM 3 )
14
Force de rupture (gF) 12
10
8
6
4
2
0
1 2 3 4 5
VS-T= 600µm/s 12,11 12,28 10,61 9,94 9,32
VS-T = 200µm/s 8,49 8,39 8,32 7,59 10,03
VS-T = 100µm/s 7,24 8,42 7,63 8,63 8,02

Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de cisaillemnt

Billes de diamètres moyen 84µm (UBM2 )
35
Force de cisaillemnt (gF)

30
25
20
15
10
5
0
1 2 3 4 5
VS-T= 600µm/s 27,18 29 29,8 29,04 24,64
VS-T = 200µm/s 26,7 27,44 25,19 23,82 25,5
VS-T = 100µm/s 22,86 22,94 25,83 22,76 26,34

Figure 90 : Variation de la force de rupture des billes en fonction des vitesses de cisaillement
V S-T= 600µm/s, 200µm/s et 100µm/s pour différentes tailles d’UBM en TiPtAu.

118
 45

40

35
Force de rupture (gF)

30

25

20

15

10

0 A-Bille de diamètre 85µm B-Bille de diamètre 95µm

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VST600 26 24 24 26 25 27 26 26 26 21 35 31 37 36 35 39 39 37 37 36
VST200 22 21 25 21 19 18 22 20 18 22 35 38 40 35 37 35 41 40 38 37
VST100 23 22 19 14 19 24 23 19 19 28 31 36 35 32 35 32 31 34 38 31

Figure 91 : Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture pour des billes de
85µm et 95µm et des UBM en Cr-Cu-Au.

12

10
Force de ruptude (gF)

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VST:600µm 6,22 5,98 4,29 2,71 4,21 5,89 4,32 3,9 4,53 5,05
VST: 200µm 5,27 5,64 4,42 5,22 4,34 4,4 5,15 5,65 5,51 3,99
VST:100µm 5,26 7,64 9,53 5,26 4,57 4,3 4,48 4,37 3,09 6,34

Figure 92 : Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture pour les UBM Ni-
Au.

119
 CONCLUSION CHAPITRE IV

L’étude de la défaillance des billes de connexion que nous avons réalisées a été
mise en évidence à partir de tests de cisaillement. L’analyse a concerné des billes
obtenues par sérigraphie de pâte à braser SAC305 de type 6, avec une refusion
suivant un profil thermique tel que T Palier=180°C, Tmax=250°C et TAL=90s. Trois
types de métallurgies d’UMB ont été évaluées: Ti-Pt-Au, Cr-Cu-Au et Ni-Au.
Nous avons tout d’abord analysé le maintien mécanique des billes et sa
variation en fonction d’une part, de la taille des UBM et d’autre part de leur
métallurgie.
Plus le diamètre d’UBM est important, meilleur est le maintien mécanique de
la bille : la géométrie qui apparait comme optimale est un diamètre d’UBM égal au ¾
du diamètre de la bille (UBM2).
Pour les trois catégories de billes, formées à partir d’UBM Ti-Pt-Au, Cr-Cu-Au
et Ni-Au, la structure de l’alliage est homogène et régulièrement distribuée ce qui
confirme l’efficacité du profil thermique utilisé : un palier à température basse
(TPalier=180°C), une température maximale avec au minimum 40°C au dessus de la
température de fusion soit T max=250°C et un temps au dessus de liquidus assez
grand de 90s).
Toutefois, on constate divers phénomènes pour les différentes métallurgies
d‘UBM utilisées. Dans le cas d’un UBM en Cr-Cu-Au, il y a une diffusion abondante
du cuivre dans l’alliage SAC, pour l’UMB en Cr-Cu-Au, arrivant jusqu'à la structure
interne de la bille (source de fragilisation de la bille), ce qui nous incite à envisager
l’ajout d’une couche de barrière de diffusion entre la couche de cuivre et la couche
d’Au. On constate également une formation de bulles d’air au niveau de l’interface
UBM/Bille, qui semble due à une oxydation du cuivre pendant le dépôt de l’UBM et
également pendant la refusion de la bille après dépôt de pâte. Pour remédier à cela il
faudrait, d’une part déposer le Cr-Cu-Au dans la même chambre que l’Au et d’autre
part faire une refusion sous Azote.
A partir de l’analyse des IMC des billes avec des UBM en Ti-Pt-Au, on
constate la formation d’une phase fine et régulière d’Au-Sn formée le long de
l’interface. On peut en conclure qu’il n’y a pas eu diffusion du platine dans l’alliage
de la SAC, ce qui nous amène à dire qu’il n’y a pas eu formation d’IMC.
La troisième catégorie de billes, formée à partir d’une métallurgie à base de
Ni-Au, a été également analysée : une couche épaisse de phase ternaire Sn-Cu-Ni

120
(1µm) s’est formée le long de l’interface SAC/UBM, ce qui rend les billes fragiles (les
forces de cisaillement mesurées ne dépassent pas les 5.5gF).

121
 CONCLUSION GENERALE

L’un des principaux objectifs de la microélectronique est d’augmenter la

densité d’intégration et la capacité de production tout en miniaturisant le système et
produire au plus faible coût. Depuis quelques années, le respect de l’environnement
et l’élimination des produits toxiques des systèmes électroniques ont été mis en
avant, de nombreuses recherches se sont mises en œuvre afin de définir les procédés
technologiques permettant de trouver un compromis entre ces différentes exigences.
L’assemblage est l’étape de fabrication des composants électroniques la plus
influente sur l’augmentation de la densité d’intégration et la miniaturisation des
systèmes électroniques. L’enjeu est de définir un procédé technologique à bas coût,
adaptable avec des nouveaux matériaux permettant d’obéir à ces critères.
Dans ce cadre, notre objectif a été de développer un procédé permettant
l’intégration de deux puces électroniques ou de deux substrats au moyen de billes de
connexion inférieures à 100µm de diamètre, à partir d’un matériau qui obéit à la
directive ROHS (matériau sans-Plomb).
Nous avons opté pour la formation de billes de connexion sur substrat (ou
Wafer-Bumping) par sérigraphie de pâte à braser sans-plomb. Ce procédé
technologique comporte trois principales étapes : la formation des UBM (Under
Bump Metallization) qui constituent la base sur laquelle vont reposer les billes, le
dépôt puis la refusion de la pâte à braser.
Nous avons choisi de travailler avec la pâte à braser de type SAC305,
constituée de l’alliage Sn, Ag, Cu dans les proportions suivantes :Sn-3%Ag-0.5%Cu.
Nous avons tout d’abord déterminé les paramètres de sérigraphie influant le
plus sur le dépôt de la pâte à braser sans plomb, à savoir la vitesse et la pression de
racle, la vitesse de démoulage, ainsi que leurs interactions. Les paramètres optimums
sont ceux qui permettent d’obtenir un minimum d’étalement de pâte à braser pour
un remplissage maximum des ouvertures du masque de sérigraphie. Ce dernier est
en Ni-électroformé d’une épaisseur de 50µm. L’étude a été menée pour des pâtes de
différente granulométrie. Par exemple, dans le cas d’une pâte de type 5, dont la taille
des particules métalliques qui la constituent est comprise entre 15µm et 25µm, les
paramètres machine à retenir sont une pression de racle autour de 5,4kg, une vitesse
de racle de 20mm/s et une vitesse de démoulage de 4mm/s.
Un masque de sérigraphie se caractérise par la forme et la dimension de ses
ouvertures. Nous avons donc cherché à optimiser les ouvertures du masque de
sérigraphie en fonction de la granulométrie de la pâte à braser, en prenant toujours
pour critère un maximum de remplissage pour un minimum d’étalement. La pâte à

122
braser de type 4 (taille de particules comprise entre 20µm et 38µm) est dédiée aux
ouvertures de masque de sérigraphie supérieures à 200µm ; pour une pâte de type 5,
les ouvertures minimales sont de 125µm pour un espacement minimal de 100µm.
Enfin pour la pâte de type 6 (taille de particules comprise entre 5µm et 15µm)
l’ouverture minimale est de 100µm pour un espacement de 100µm. Pour ce qui est de
la forme de l’ouverture, les formes carrées sont associées à des ouvertures et des
espacements supérieurs à 200µm. Nous en avons donc déduit que le dépôt d’une
pâte de type 6 avec des ouvertures circulaires de 100µm serait favorable à la
réalisation de billes de connexion inférieures à 100µm de diamètre.
L’étape suivante du travail a été l’étude et l’optimisation de la forme et de la
dimension des UBM à partir de l’analyse de la forme de la bille obtenue après
refusion de la pâte à braser. Nous avons testé différentes formes (étoile, carrée ou
circulaire) et différentes dimensions à savoir ¾, ½, ¼,, 1/6 et 1/8 du diamètre de
l’ouverture du masque (carrée ou circulaire). L’observation de la forme des billes au
MEB a montré, pour des UBM de forme carrée, la formation de microbilles d’alliage
autour des points de connexion qui sont, la plupart du temps, de forme demi -
sphérique. Des billes de forme sphérique ont été obtenues pour des UBM circulaires,
dont le diamètre est égal à ¼ et ½ du diamètre de l’ouverture du masque.
La formation de billes spériques passe par la maîtrise du profil en température
de l’étape de refusion après dépôt par sérigraphie. Après avoir défini les paramètres
optimums de la sérigraphie, ainsi que la géométrie des ouvertures du masque, nous
avons mené une étude afin de déterminer les valeurs optimums de la température du
palier, de la température maximale et du temps au-dessus du liquidus. Cette étude
nous a permis de voir l’influence de chacun de ces paramètres sur l’état de surface de
la bille et la fusion de l’alliage. Une température de palier trop élevée (200°C) et un
temps au dessus du liquidus (TAL) inférieur à 60s ne favorisent pas la refusion
complète des particules métalliques de par l’évaporation prématurée du flux. Par
contre, pour une température de palier de 180°C, un TAL supérieur ou égal à 90s et
une température maximale de 250°C, les billes obtenues sont de forme circulaire,
avec un état de surface homogène (absence de vides et de particules non
refusionnées).
Nous avons pu ainsi réaliser des matrices de billes dont les diamètres sont
inférieurs à 100µm et compris entre 60-70 µm pour une ouverture de masque de
100µm, 70-80µm pour une ouverture de 125µm et de 70-90µm pour une ouverture de
150µm.
La formation de billes sphériques sans Plomb de diamètre inférieur à 100µm
ayant été validée, la dernière partie de notre travail a été consacrée à l’étude de
fiabilité de ces billes, afin de déterminer leur aptitude à remplir leur rôle de
connexion électrique et de maintien mécanique entre deux puces. Pour ce faire, nous

123
avons procédé à des essais de cisaillement, effectués à l'aide de l’outil DAGE 4000
auprès de la société SERMA-TECHNOLOGIE à Bordeaux.
Une étude de l’influence de la vitesse de l’outil sur la force de cisaillement a
été menée. Trois vitesses de cisaillement ont été mises en évidence : V ST1 = 600µm/s,
VST2 = 200µm/s et V ST3 = 100µm/s. De façon générale et même si les valeurs de force
de rupture sont plus élevées pour une vitesse de cisaillement de 600µm/s, l’influence
de la vitesse n’apparait pas être très significative pour les différentes métallurgies
d’UBM.
Nous avons analysé le maintien mécanique des billes et sa variation en
fonction de la taille des UBM. Plus le diamètre d’UBM est important, meilleur est le
maintien mécanique de la bille : la géométrie qui apparait comme optimale est un
diamètre d’UBM égal à la moitié de l’ouverture du masque (UBM2) ce qui
correspond au ¾ de la taille de la bille.
Concernant la métallurgie des UBM, les meilleurs résultats ont été obtenus
pour l’alliage Cr-Cu-Au, avec une force de rupture moyenne de 36.25gF pour des
billes de diamètre moyen 95µm. La structure interne des billes est constituée d’un
alliage homogène et uniformément réparti ce qui nous permet de juger de l’efficacité
du profil thermique utilisé. Cependant, on peut constater une diffusion abondante
du cuivre dans l’alliage SAC, atteignant la structure interne de la bille, ce qui nous
incite à envisager l’ajout d’une couche de barrière de diffusion entre la couche de
cuivre et la couche d’Au.
De même les billes formées avec des UBM en Ti-Pt-Au montrent une structure
interne homogène, ne présentant pas de vide. A partir de l’analyse des IMC on
constate la formation d’une phase fine et régulière d’Au-Sn formée le long de
l’interface. On peut en conclure qu’il n’y a pas eu diffusion du platine dans l’alliage
de la SAC. A noter que pour une même taille de bille (85µm), les forces de rupture
sont du même ordre de grandeur que pour le Cr-Cu-Au, soit une moyenne de 27,5gF.
La troisième catégorie de billes, formée à partir d’une métallurgie à base de
Ni-Au, a été également analysée : une couche épaisse de phase ternaire Sn-Cu-Ni
(1µm) s’est formée le long de l’interface SAC/UBM, ce qui rend les billes fragiles (les
forces de cisaillement mesurées ne dépassent pas les 5.5gF).
Comme nous avons pu le voir dans ce manuscrit, l’optimisation d’un dépôt de
pâte à braser sans-plomb par sérigraphie passe par la maîtrise de nombreux
paramètres ayant la plupart du temps des influences croisées. Nous avons tenté de
dresser un tableau récapitulatif des différentes expérimentations qui ont été menées
sur les différents types de pâte (type 4, type 5 et type 6), afin d’obtenir des billes de
connexion dont les diamètres moyens varient dans les gammes suivantes : 46-70µm,
70-100µm, et supérieur à 100µm (Tableau 22). Les paramètres mis en avant sont ceux
dont nous avons étudié l’influence : les paramètres de la machine de sérigraphie

124
(pression et vitesse de racle, vitesse de démoulage), les paramètres du masque de
sérigraphie (épaisseur, géométrie et dimensions des ouvertures), le profil thermique
(température de palier, température maximale de refusion, temps au-dessus du
liquidus) et les types d’UBM (matériau, géométrie et dimension). Ce tableau permet,
en fonction des applications souhaitées, de définir les paramètres de sérigraphie
correspondants.

125
126
 Diamètre moyen de Billes 46µm 46µm-70µm 70µm-100µm >100µm
Non testé (cela
Support de la silicium X X X
Matériau existe déjà)
bille
circuit imprimé O O O OUI (200µm)

Ti/Pt/Au Δ Δ Δ
Matériau Cr/Cu/Au + Nickel X X X
Ni/Au Δ Δ Δ X

circulaire X X X X
Forme
carrée O O O X
4/4 ouverture du
UBM O O O X
masque
3/4 ouverture du
O O O
masque
1/2 ouverture du X (billes plus X (billes plus
Dimensions X
masque résistantes) résistantes)
1/4 ouverture du
X X X
masque
1/8 ouverture du
O O O
masque

50µm X X X
Epaisseur
100µm >150µm

Forme circulaire X X X OUI

d'ouverture carrée O O O OUI
Masque de
sérigraphie 100µm à 125µm X X Δ
Diamètre
125µm à 150µm Δ Δ X
d'ouverture
>150µm Δ Δ Δ >200µm

Matériau du Ni électroformé X X X INOX

masque Pt électroformé X (très cher) X (très cher) X (très cher)

Pression de 4 à 5kg pour

Paramètres 5 à 6kg 5 à 6kg
racle pâte type6
réglage Sérigraphie
machine de Vitesse de racle 20 à 25 mm/s 20 à 25 mm/s 20 à 25 mm/s
Manuelle
sérigraphie Vitesse de
1 à 3 mm/s 1 à 3 mm/s 1 à 3 mm/s
démoulage
Température de
170°C à 180°C X X X X
palier
T.A.L 80-90s 90s 90s 90s 60S
Température
240°C à 250°C 250°C 250°C 250°C 240°C
maximum
Profil
thermique 2°C/s
Vitesse montée
4°C/s X X X X
2°C/s
Vitesse
descente 4°C/s
6°C/s X X X X

Type4 O O O X
Pâte à braser (SAC 305) Type5 O O X
Type6 X X X
Tableau 22: Récapitulatif présentant les combinaisons des différents paramètres pour l’obtention des
billes de diamètre moyen (1) de 46µm à 70µm, (2) de 70µm à 100µm et (3) supérieur à 100µm.

X: Optimum, ∆: Faisable et O: Non faisable

127
128
 BIBLIOGRAPHIE

(1) Free solder bump manufacturing with IBM's C4NP process. Laine, E.
Ruhmer, at-el - High Density Microsystem Design and Packaging and Component
Failure Analysis. Conference. 2006 P292 – 297.

(2) Microsystems packaging from milli to microscale to nanoscale. Tummala,

R.R. et Markondeya Raj. High Density Microsystem Design and Packaging and
Component Failure Analysis, 2004 P1-7.

(3) Packaging and board assembly technology trend and impact on the supply
chain. Shangguan, D. High Density Microsystem Design and Packaging and
Component Failure Analysis, 2004 P14-17.

(4) Chip to carrier C4 technology challenges with Pb free solders . Perfecto, E.D.
Sundlof, B. Custom Integrated Circuits Conference, 2008 P81-84.

(5) Etude de la technologie d'interconnexion verticale "MCM-V" appliquée aux

microsystèmes VAL, Alexandre Doctorat de l’Université Paul Sabatier, Toulouse : 9
Décembre 1996. N°2529.

(6) Conception et réalisation d'assemblages 3D ultra -compacts par empilement de

structures amincies. PINEL, Stéphane. Doctorat de l’Université Paul Sabatier,
Toulouse: 24 Novembre 2000. N°00492.

(7) Conformance of ECD wafer bumping to future demands on CSP, 3D

integration, and MEMS . Dietrich, L.,Toepper, M., Ehrmann, O., Reichl, H. Electronic
Components and Technology Proceedings Conference 2006 P56-58.

129
(8) Special bump bonding technique for silicon pixel detectors . Enric Cabruja,
Marc Bigasa. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section
Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2007 P150-153.

(9) Effect of Thermal Aging on Board Level Drop Reliability for Pb-free BGA
Packages. Tz-Cheng Chiu, Kejun Zeng, Roger Stierman and Darvin Edwards,
Kazuaki Ano : Electronic Components and Technology Conference 2004 P1256-1262.

(10) Interconnexion puce boitier flip chip : Etude des carateristique techniques et
economique: H.Trezequet Technique des ingénieur 2002N°130.

(11) Multi-chip Module Technologies and Alternatives, D.A. Doane, P.D. Franzon
VAN Nostrand Reinhold 1993.

(12) Packaging des circuits intégrés, MARTIN, Xavier SAINT, Technique de

l’Ingénieur 2005, Ref E3400.

(13) Direct solder bump formation technique on Al pad and its High Reliability.
Toshinori Ogashiwa, , Hiroyuki Shigyo. Jpn. J. Appl. Phys, 1992 P761-767.

(14) Stress on Junction-Down-Mounted Ridge-Waveguide Laser Diodes. Etsuko

Nomoto, Koji Nakahara and Makoto Shimaoka1 J. Appl. Phys. 2005 P1756-1758.

(15) Assembly and reliability of PBGA packages on FR-4 PCBs with SnAgCu
solder. Arulvanan, P., Zhong, Z.W: Microelectronic Engineering, 2006 P2462-2468.

(16) Evaluation of bondability and reliability of single crystal copper wire

bonding. Chen, H., Lee, S.W.R., Ding, Y. Conference on High Density Microsystem
Design and Packaging and Component Failure Analysis, 2005 P1-9.

130
(17) Mechanical issues of Cu-to-Cu wire bonding. Chen, J., Degryse, D., Ratchev
IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies. 2004 P539-545.

(18) Traitement de surfaces liées aux connexions en microélectronique POUPON,

Gilles, Technique de l’Ingenieur 2006, Ref-M1752.

(19) Bonding mechanism of ultrasonic wedge bonding of copper wire on

Au/Ni/Cu. TIAN Yan-hong, WANG Chun-qing, The Chinese Journal of Nonferrous
metal. 2008 P132-137.

(20) Ultrasonic friction power during Al wire wedge-wedge bonding. A. Shah, H.

Gaul: J. Appl. Phys Thermodynamic, and optical properties of condenced matter.
2009 P13503-13511.

(21) Investigation of ultrasonic copper wire wedge bonding on Au/Ni plated Cu

substrates at ambient temperature. T.Yanhong and W.Chunquig : Journal of
materials processing technology. 2008 P179-186.

(22) Study of Ultrasonic Wedge-Bonding with Aluminum Wire on Copper

Substrate. Lum, I, Mayer, M, Zhou, Y: Journal of Electronic Materials, 2006 P433-442.

(23) Investigation of ultrasonic copper wire wedge bonding on Au-Ni plated Cu

substrates at ambient temperature. Yanhong Tiana, Chunqing Wanga, Ivan Lumb,
Journal of Materials Processing Technology, 2008 P179-186.

(24) Investigation of ultrasonic vibration of wire -bonding capillaries. Z.W. Zhonga,

and K.S. Gohb Microelectronics Journal 2006 P107-113.

131
(25) Evolution of the bond interface during ultrasonic Al–Si wire wedge bonding
process, Hongjun Jia, and Mingyu Lib : Journal of Materials Processing Technology.
2007 P202-206.

(26) Under bump metallurgy study for Pb-free bumping. Jang, Se-Young, Wolf,
Juergen, Paik, Kyung-Wook: Journal of Electronic Materials, 2007 P478-487.

(27) Novel wafer-bumping process for fine pitch lead-free flip chip solder bumps
Wolf, Se-Young Jang and Juergen: Journal of Electronic Materials 2007 P133-142.

(28) Sub-100 µm SnAg Solder Bumping Technology and the Bump Reliability. Lin,
Xiaoqin. J. Electron. Packag, 2009 P11014-11020.

(29) Pb-free Sn/3.5Ag wafer-bumping process and UBM (under bump metallurgy)
study. SY. JANG et J., WOLF : Microsystem technologies, 2002 P269-272.

(30) Study of under bump metallisation barrier layer for lead-free solder. K.C.
Chan, Z.W. Zhong Journal Soldering & Surface Mount Technology 2003 P46-52.

(31) Numerical simulation of solder spreading and solidification during solder jet
bumping process . Tian, Dewen Tian Chunqing Wang Yanhong: Journal Electronic
Packaging Technology & High Density Packaging, 2008 P1-7.

(32) High-Density Solder Bump Interconnect for MEMS Hybrid Integration.

Basavanhally, N. Lopez, D. Aksyuk, V. Ramsey, D, Advanced Packaging, IEEE
Transactions on 2007 P622-627.

132
(33) Fabrication of indium bumps for hybrid infrared focal plane array application.
Jiang, Jutao, et al The Smithsonian/NASA Astrophysics Data System, Infrared
Physics & Technology 2004 P143-151.

(34) Stress characterization of electroplated gold layers for low temperature surface
micromachining . Margesin, B. Bagolini, A. Guarnieri, V. Giacomozzi, Design, Test,
Integration and Packaging of MEMS/MOEMS 2003 P402-405.

(35) Study on Sn-2.3Ag Electroplated Solder Bump Properties Fabricated by

Different Plating and Reflow Conditions. Hsiung, C.K. Chang, C.A. Tzeng, Z.H. Ho,
C.S: Electronics Packaging Technology Conference, 2007 P719-729.

(36) A novel bumping process for fine pitch Sn–Cu lead-free plating-based flip
chip solder bumps . Pen-Shan Chaoa, et al. Materials Science in Semiconductor
Processing, 2007 P 133-142.

(37) Solder bumping methode for flip chip package. Rinne,G.A. MCNC Advanced
Interconnection and Packaging Technologies, 1997 P240-247.

(38) High density of electrodeposited Sn-Ag bumps for flip-chip connection. M.

Bigas, E. Cabruja. Journal of Microelectronic Engineering, 2006 P399–403.

(39) A bumping process for fine pitch Sn-Cu-Ag lead free plating based flip chip
solder bumps. Jung-Tang, HUANG, et al. Materials Science in Semiconductor
Processing, 2007 P.143–148.

(40) Direct formation of solder bump on Al pads using ultrasonic soldering.

Michihiko Inaba, Nobuo Iwase, Seiichi Hirata , Makoto Gonda, Yasuhiro Imai,
Electronics and Communications in Japan, 2007 P32 – 39.

133
(41) High precision solder droplet printing technology and the state of the art.
Qingbin Liu Journal of Materials Processing Technology, 2001 P271-283.

(42) The design and performance of SLC MCM in NEPCOM/West, Jimarez, M.A.
Son Tran Le Coz, C, Advanced Packaging, IEEE Transactions, 1999 P372 -378.

(43) Low cost flip chip technologies for DCA. WLCSP and PBGA assemblies,
John.H .LAU, © 2000 by the McGraw-Hill companies

(44) Composition control for lead free alloy electroplating on flip chip bumping. R.
Kiumi, S. Takeda, J. Yoshioka, F. Kuriyama, N. Saito, Electronic Components and
Technology Conference, 2005, P251-502

(45) Flip- chip bumping technology status and update. Juergen, WOLF M., et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 2006 290–295.

(46) Increasing bondability and bonding strength of gold stud bumps onto copper
pads with a deposited titanium barrier layer , Chuang, Cheng-Li, Microelectronic
Engineering, 2007 P551-554.

(47) Use of AuSn solder bumps in three-dimensional passive aligned packaging of

LD/PD arrays on optical benches. Itoh, M. Sasaki, J. Uda, A. Yoneda, I. Honmou, H.
Fukushima, K. Orlando, Electronic Components and Technology Conference,
Proceedings, 1996 P28-31.

(48) WLCSP and flip-chip bumping technologies, O.Thomsas , T.Teutsch, Z.Elke,

Packaging Technologies Inc, 1997 P204-207.

134
(49) Optimisation of electroplating, stencil printing, ball placement solder-
Bumping Flip-chip process technologies. Guo-Wei Xiao Jing-Feng Gong Yau,
E.W.C. Chan, P.C.H. Lee, R.S.W. Yuen, M.M.F. Electronic Components and
Technology Conference, 2003 P1850-1855.

(50) Cost effectiveness and environmental aspect of flip-chip bumping for system.
SCHISCHKE K, et al Microsystem technologies , 2003 P324-330.

(51) UBM study for Pb-free electroplating bumping Se-Young, JANG, et al

Proceedings - Electronic Components Conference, 2002 P1213-1220.

(52) Microstructure and mechanical properties of lead free solder and solder joint.
S.K.Kang, P.A.Lauro,D.Y.Shih, D.W.Henderson, K.J.Puttletz. IBM Journal of
Research and Development 2005 P607- 620.

(55) Flip- chip bumping technology status and update. Juergen, WOLF M., et al.,
Nuclear Instruments and Methods, 2006 P290–295.
54. Fouassier, Olivier. Brasure composite sans plomb de la conseption à la caractirisation .
Rapport CEA, 2001.

(55) Wettability of electroplated Ni-P in Under Bump Metallurgy with SAC solder,
Yung-Chi, LIN, Jenq-Gong, DUH et Bi-Shiou, Journal of electronic materials, 2006,
P7-14.

(56) The influence of solder volume and pad area on Sn3.8Ag.0.7Cu and Ni UBM
reaction in reflow soldering and isothermal aging, K.WONG et al, Microelectronics
and reliability, 2008 P611-621.

135
(57) Interfacial reaction and joint reliability of fine pitch flip chip solder bump
using stencil printing method. Sang-Su Ha, Dae-Gon Kim, Microelectronic
Engineering, 2007 P184-187.

(58) Comparison of the phase morphology for several Sn-Ag based solder ball
alloys in FBGA Package, Leinert, S. Martin, N. Breuer, D. Werner, Electronics
Systemintegration Technology Conference, 2006 P1182-1186.

(59) The effect of passivation defect on electroless nickel under bump

metallization plating process, Simon P.C. Law, Jian Cai, Philip C.H. Chan, Journal
of Science and Technology, 2004 P48-55

(60) Stencil design and application for SMD through-hole BGA and Flip-chip.
Hutchins, C. L, R. Clouthier, W. E. Coleman, Advancing Microelectronics, 1996 P234-
240

(61) http://www.dek.com/web.nsf/dek/product_proflow.

(62) An overview of Pb-free, flip-chip wafer-bumping technologies, Sung K. Kang

JOM Journal of the Minerals, Metals and Materials Society, 2008 P1543-1851.

(63) On the effect of power cycling stress on IGBT modules, Fantinib, P. Covaa ,
Microelectronics Reliability, 1998 P1347-1352.

(64) http://www2.ademe.fr, Agence de l'environnement et de maitrise de l'énergie.

(65) Lead free solders for electronic assembly, design and reliability of solder
interconnections, Lane Court, Farmington Hill, EMPMD Electronics Packaging and
Interconnection Materials, 2002 P25-32.

136
(66) Remplacement du plomb dans les alliages de soudure en microélectronique.
Gilles Poupon, rapport CEA - LETI.

(67) Pb-free solder alloy for flip chip application. Kang, S.K. Horkans, J.
Andricacos, P.C. Carruthers, Electronic Components and Technology Conference,
1999 P28-31.

(69) Diagrame d'équilibre alliage binaire, Jean HERTZ Technique de l'Ingénieur,

1999 Ref-M70.

(70) Interfacial reactions in the Sn-(Cu)/Ni, Sn-(Ni)/Cu, and Sn/(Cu, Ni) systems,
CHEN Sinn-Wen, Journal of electronic materials, 2003 P1188-1194.

(71) Sn-Ag-Cu and Sn-Cu Solders: Interfacial Reactions with Platinum, Tae Hyun
Kim and Young-Ho Kim, J Lead free solder 2004, P45-49

(72) Interfacial reactions of Sn–Cu and Sn–Pb–Ag solder with Au/Ni during
extended time reflow in ball grid array packages, M.N. Islam, Y.C. Chan, A. Sharif, J
Materials Reaserch, 2004 P2897-2904.
.

(73) Wafer Bumping Process and Inter-Chip Connections for Ultra-High Data
Transfer Rates in Multi-Chip Modules with Superconductor Integrated Circuits,
T.Sergy, The Applied Superconductivity Conference, 2008 P598-602.

(74) Impact of printed wiring board coatings on the reliability of lead-free chip-
scale package interconnections, T.T. Mattila, V. Vuorinen, Journal of Materials
Research 2004 P3214-3223.

(75) Assembly technology using lead free solder. T.Yamamoto, K.Ichiro Sc Tech J,
2006, P43-48.

137
(76) Microstructure and mechanical properties of lead-free solders and solder
joints used in microelectronic applications,P.A.Lauro, S.K.Kang, D.Y.Shih, IBM
Journal of Research and Development, 2005. P 607 – 620.

(77) Experimental and thermodynamic assessment of Sn-Ag-Cu solder alloys. K.

Moon, W. J. Boettinger, U. R. Kitten, F. S.Biancaniello, and C. A. Handwerker
Journal of Electronic Materials, 2000, P1122–1136.

(79) Analyse et optimisation du fonctionnement de piles à combustible par la

méthode des plans d'experience, W.Bouchard. Thèse- Université de technologie de
Belfort Montbeliard et de l’université de Franche-compt, 2006.

(80) Global standards for the Microelectronics Industry, http://www.jedec.org.

(81) Solder bumping methode for flip chip package, Rinne, Glenn A, Electronic
Components and Technology Conference, 1997 P240-247.

(82) Behaviour of Platinium as UBM in Flip-chip solder joints, Klein, M. Wiens, B.

Hutter, Electronic Components and Technology Conference, 2002 P40-45.

(83) Optimisation of shear test for flip-chip solder bump using 3-dimensional
computer simulation, Jung, Jong-Woong Kim and Seung-Boo, J.Microelectronic
Engineering, 2005 P208-216.

(84) Micro-ball bumping for flip chip interconnection. TATSUMI K et al, Journal
of microcircuits and electronic packaging, 2002 P1472-1472.

(85) Selected failure mechanisms of modern power modules, M.Ciappa,

J.Microelectronics Reliability, 2006 P653-667.

138
(86) Effects of bonding pressure on the thermo-mechanical reliability of ACF
interconnection, J.W. Kim and S.B. Jung, Mater. Sci. Eng. 2004, P371-267.

(87) Agence de l’environnement et de la maîtrise de l’énergie, http://www2.ademe.fr.

(88) Advanced in metal deposition for wafer bumping,Matt and W.Melsh, J.Advanced
Pachaging, 2006, 156-161.

(89) Lead free solders for electronic assembly, design and reliability of solder
interconnections, Lane Court, Farmington Hill, EMPMD Electronics Packaging and
Interconnection Materials, 2002-P25-32.

(90) Le brasage sans plomb en électronique TEC Grenoble. Poupon, Gilles,

Remplacement du plomb dans les alliages de soudure en microélectronique, CEA -
LETI.

(91) The viability of anisotropic conductive film as a flip chip interconnect

technology for MEMS devices, Walsh, Rekha S Pai and Kevin M, J. Micromech.
Microeng. 2005 P1131-1139.

(92) Solid State Technology Association, JEDEC, http.jedec.org

(93) 3D chip stacking with C4 technology, B. Dang, S. L. Wright : IBM Journal of

Research and Development , 2008, P52-55.

139
 INDEXE D’ABREVIATION
MCM : Multi-Chip-Module.

TAB : Tape-Automated-Bonding.

C4 : Control Collapse Chip Connection.

UTCS : Ultra Thin Chip Stacking.

UBM : Under Bump Metallurgy.

MCM-C : Multi-Chip Module-Ceramic.

OLB : Outer Lead Bonding.

ILB : Inner Lead Bonding.

IMC : Intermetallic Compound (composants intermétalliques).

UBM : Under-Bump-Metallurgy.

PVD : Physical Vapor Deposition.

CMS : Composant Monté en Surface.

PCB : Printed Chip Board ou circuit imprimé.

TAL : Time Above Liquidus.

IR : Rayonnement Infrarouge.

CVD : Chimical Vapor Deposation (Dépôt Chimique en phase Capeur).

PECVD : Plasma Etching Chimical Vapor Deposation (Dépôt Chimique en phase

Capeur assisté par plasma).

140
 INDEX DES FIGURES
Figure 1 : Exemple d’assemblage 3D structure Flip-chip sur MCM (10)............................... 16

Figure 2 : Exemple d’une structure MCM (10) ...................................................................... 17

Figure 3 : Structure TAB (12) ................................................................................................. 19

Figure 4 : Schéma en coupe d’une structure d’assemblage en flip-chip (10) ........................... 19

Figure 5 : Schéma du principe du «wire bonding» (18) .......................................................... 20

Figure 6 : Séquences de câblage « Ball-bonding» (12) ............................................................ 21

Figure 7 : Microcâblage ball bonding à 50 μm de pas (12) ...................................................... 21

Figure 8 : Schéma du principe du câblage ultrasonique pour le «Wedge Bonding » (23)....... 21

Figure 9 : Zone câblée en Wedge Bonding au pas de 50µm (12) ............................................. 22

Figure 10 : Principe de formation des billes pour les connexions Flip-chip (18)..................... 23

Figure 11 : Principe du procédé d’évaporation sous vide ou « electroplating » (37)............... 23

Figure 12 : Le Continuous Solder droplet printing mode (37) ................................................ 25

Figure 13 : Le Drop-on-Demand printing system (37) ........................................................... 25

Figure 14 : IBM’s Solder Injection Process (37)...................................................................... 26

Figure 15 : Formation des billes par électrodéposition (45) ..................................................... 27

Figure 16 : Dépôt de billes par Stud Bumping (37)................................................................. 28

Figure 17 : Principe de dépôt par micro-emboutissage (13) ................................................... 29

Figure 18 : Dépôt de billes préformées par solder-sphere-transfer (48) ................................... 30

Figure 19 : Schéma du principe de placement de billes préformées (DEK) ............................. 31

Figure 20 : Principe du dépôt par sérigraphie (37) .................................................................. 32

Figure 21 : Vue en coupe schématique d’un UBM .................................................................. 37

Figure 22 : Représentation schématique de la mouillabilité d’un solide par un liquide (54) .. 38

Figure 23 : Variation de forme de dépôt de pâte suivant le dessin de masque ......................... 39

141
Figure 24 : Coupe transversale du masque .............................................................................. 40

Figure 25 : Principe de la gravure chimique d’un écran de sérigraphie (60). ........................ 41

Figure 26 : Exemple de masque dont l’ouverture est obtenue par gravure chimique (DEK) (60
.................................................................................................................................................. 41

Figure 27 : Ouvertures obtenues par découpe laser (DEK). .................................................... 41

Figure 28 : Ouvertures définies par croissance électrolytique (DEK). .................................... 41

Figure 29 : Racle métallique Figure 30 : Racle plastique ........................... 43

Figure 31 : Mouvement d’une racle de sérigraphie (62) .......................................................... 43

Figure 32 : Dépôt de pâte par le système Proflow® (62) ......................................................... 43

Figure 33 : Machine de sérigraphie DEK-Horizon 01 ............................................................. 44

Figure 34 : Support wafer de 4 pouces ..................................................................................... 44

Figure 35: Parois d’un masque de sérigraphie salies par la pâte à braser (DEK) .................... 45

Figure 36 : Forme de dépôt de pâte à braser pour une pression et vitesse de racle élevées. ..... 45

Figure 37: Répartition des principales sources de plomb (35). ................................................ 47

Figure 38 : Différentes phases d’un profil thermique de refusion d’une pâte SAC 305 (75) .. 55

Figure 39 : Four de refusion Madell Technology ..................................................................... 61

Figure 40 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Formosa type 5) ............................ 69

Figure 41 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Formosa type 6). ........................... 69

Figure 42 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Indium type 5).............................. 70

Figure 43 : Influence des paramètres de sérigraphie (pâte Indium type 6).............................. 70

Figure 44 : Formes d’ouverture de masque (1) carrée (2) circulaire (DEK). ......................... 72

Figure 45 : Variation du remplissage et de l’étalement de pâte à braser de type 4 pour

différentes vitesses de démoulage (Pr= 4.8kg, Vr= 50mm/s, Dd= 3mm) et dif férentes
ouvertures................................................................................................................................. 75

Figure 46 : Dépôt de pâte type 4 des ouvertures de 300µm de diamètre, espacement 100 µm et
pitch 400µm A (rond), B (carrée)............................................................................................. 78

142
Figure 47 : Pont de pâte à braser. ........................................................................................ 78

Figure 48 : Dépôt de pâte type 4 pour une ouverture (ronde A et carrée B) de diamètre
200µm, espacement 200µm et pitch 400µm. ........................................................................... 78

Figure 49 : Dépôt homogène et structuré d’une pâte type 4 .................................................... 79

Figure 50 : Dépôt d’une pâte à braser (SAC305-type5) pour une ouverture de diamètre
250µm de pitch 450µm : A, forme carrée et B, forme ronde circulaire. ................................... 80

Figure 51 : Dépôt de pâte qui montre la granulomètrie d’une pâte type 5. ............................. 80

Figure 52 : Dépôt de pâte type 5, ouvertures de 125µm de diamètre, espacement 100µm et

pitch 200µm A (rond), B (carrée)............................................................................................. 81

Figure 53 : Dépôt de pâte type6pour des ouvertures de 100 µm, espacement 100µm: A (rond),
B (carrée). ................................................................................................................................. 81

Figure 54 : Dépôt de pâte type 6 pour des ouvertures carrées pour des ouvertures : 100µm,
espacement : 200µm. ................................................................................................................ 82

Figure 55 : Étapes technologiques de réalisation des UBM. .................................................... 84

Figure 56 : Photo MEB d’un UBM et de la piste en Aluminium .......................................... 84

Figure 57 : Différentes formes d’ouverture de masque et différentes formes et tailles d’UBM.

.................................................................................................................................................. 86

Figure 58 : Les trois formes d’UBM étudiées. ......................................................................... 86

Figure 59 : Formation de billes pour une ouverture ronde de 125µm (A) et 100µm (B) pour
un espacement de 100µm (UBM rond =¾ x Ouverture)............................................................ 87

Figure 60 : Formation de billes pour une ouverture ronde de 225µm (A) et 275µm (B) pour
un espacement de 100µm (UBM rond =¾ x Ouverture)............................................................ 87

Figure 61 : Formation de billes pour une ouverture carrée de 125µm et un espacement de

100µm (UBM carré=¾ x Ouverture) (A) : vue d’ensemble et (B) vue de dessus...................... 87

Figure 62 : Formation de billes pour des ouvertures carrées de 250µm et un espacement de

200µm (UBM carré=½ x Ouverture) (A) : vue d’ensemble et (B) vue de dessus...................... 88

143
Figure 63 : Formation de billes pour des ouvertures de 100µm et un espacement de 65µm
(UBM étoile=3/4 * Ouverture). .................................................................................................. 88

Figure 64 : UBM nue et traces d’alliage après arrachement de la bille. .................................. 89

Figure 65 : Billes obtenues à partir des UBM dont le diamètre est la moitié de l’ouverture du
masque. ..................................................................................................................................... 89

Figure 66 : Refusion d’une pâte à braser (type 6, SAC305) suivant les profils thermiques 1 et
2 : Tpalier au dessus de 190°C et un TAL inférieur à 60s. ......................................................... 93

Figure 67 : Refusion d’une pâte à braser (type 6, SAC305) suivant les profils thermiques 3, 4,
5 et 6 : Tpalier =190°C et un TAL =60s-80s .............................................................................. 93

Figure 68 : Billes de connexion formées à partir de la refusion d’une pâte à braser (type 6,
SAC305) suivant les profils thermiques 7 et 8: T palier=180°C, Tmax =240°C ou 250°C,
TAL=90s). ................................................................................................................................ 93

Figure 69 : État de surface d’une bille obtenue à partir d’un profil de refusion tel que :
Tpalier=180°C, Tmax =250°C, TAL=90s. .................................................................................... 94

Figure 70 : Uniformité de formation des billes pour différentes ouvertures de masque (pâte à
braser type 6 SAC305) : 100µm (A), 125µm (B) et 150(C). ................................................... 94

Figure 71 : Diamètre de bille mesurés en fonction du diamètre d’ouverture du masque et de

l’espacement.. ........................................................................................................................... 95

Figure 72: Représentation schématique d’un assemblage de puces par Flip-chip ................... 96

Figure 73.c : Forme de bille après assemblage Flip-Chip selon la voie 2.................................. 99

Figure 74 : Formes de bille avant et après assemblage Flip-Chip selon la voie 3..................... 99

Figure 75: Vue au MEB d’un assemblage flip-chip de deux puces selon la voie 3 ............... 100

Figure 76 : Outil de cisaillement DAGE 4000. .................................................................... 106

Figure 77 : Schéma de test de cisaillement (Serma-Technologie) .......................................... 106

Figure 78 : Histogramme des variations de force de rupture pour différentes tailles d’UBM
................................................................................................................................................ 108

144
Figure 79 : Histogramme des variations de force de rupture pour différentes tailles d’UBM
................................................................................................................................................ 109

Figure 80 : Variations des forces de rupture pour différentes tailles d’UBM avec une vitesse
de cisaillement de 600µm/s et des UBM Cr-Cu-Au. ............................................................. 110

Figure 81 : Variations des forces de rupture pour différentes tailles d’UBM avec une vitesse
de cisaillement de 600µm/s et des UBM Ni-Au. ................................................................... 111

Figure 82: Rupture au niveau des IMC (code 1). .................................................................. 111

Figure 83 : Rupture au niveau de l’alliage (code 2). .............................................................. 111

Figure 84 : Traces d’IMC après rupture d’une bille. ............................................................. 112

Figure 85 : Découpe latérale des billes formées à partir de différents UBM : Ti-Pt-Au........ 113

Figure 86 : Analyse d’IMC d’une bille formée à base d’UBM en Ti-Pt-Au .......................... 113

Figure 87 : Analyse d’IMC d’une bille formée à base d’UBM en Cr-Cu-Au ........................ 114

Figure 88 : Découpe latérale des billes formées à partir d’UBM Ni-Au................................ 115

Figure 89 : Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture des billes de diamètre
69µm (A) et 86µm (B) (UBM en TiPtAu). ........................................................................... 117

Figure 90 : Variation de la force de rupture des billes en fonction des vitesses de cisaillement
VS-T= 600µm/s, 200µm/s et 100µm/s pour différentes tailles d’UBM en TiPtAu. ............... 118

Figure 91 : Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture pour des billes de
85µm et 95µm et des UBM en Cr-Cu-Au. ............................................................................ 119

Figure 92 : Influence de la vitesse de cisaillement sur la force de rupture pour les UBM Ni-
Au........................................................................................................................................... 119

145
 INDEX DES TABLEAUX

Tableau 1 : Comparaison de différentes techniques de connexion par microbilles 33

Tableau 2 : Alliages candidats pour la formation des UBM ........................................... 39

Tableau 3 : Granulométries de l’alliage de la pâte à braser. ........................................... 45

Tableau 6 : Densité et coût des alliages sans plomb ........................................................ 50

Tableau 7: Analyse comparative de divers alliages ........................................................ 53

Tableau 8 : Principales caractéristiques physiques des alliages sans plomb ............... 55

Tableau 9 : Les valeurs extremum de chaque paramètre de sérigraphie...................... 60

Tableau 10 : Matrice des essais et résultats du dépôt de pâte à braser Formosa ......... 68

Tableau 11 : Matrice des essais et résultats du dépôt de pâte à braser Indium ........... 68

Tableau 12 : Valeurs des différents pitchs pour chaque ouverture du masque. .......... 73

Tableau 13 : Optimisation de la pression de racle ............................................................ 74

Tableau 14 : Moyenne d’étalement et de remplissage de la pâte type 4 pour les

différentes valeurs de P r , Vr, Vd et Dd................................................................................ 76

Tableau 15 : Moyenne d’étalement et de remplissage de la pâte type 5 pour les

différentes valeurs de P r , Vr, Vd et Dd................................................................................ 77

Tableau 16 : Différentes métallurgies d’UBM choisies .................................................... 83

Tableau 17 : Taille des différents UBM. ............................................................................. 90

Tableau 18 : Dimension des différents pitchs pour différentes ouvertures.................. 90

Tableau 19 : Différents profils thermiques de refusion étudiés pour la refusion de

billes......................................................................................................................................... 91

146
 ANNEXE 1 : DEFINITIONS

Liquidus : Pour un matériau affecté par un processus de fusion ou de

cristallisation, le liquidus d'un diagramme de phase sépare le domaine où le
matériau est totalement fondu du domaine où coexistent un liquide et du
solide. À température croissante, croiser le liquidus revient à fondre
totalement ; à température décroissante, cela revient à débuter une
cristallisation partielle.
Solidus : Pour un matériau affecté par un processus de solidification,
cristallisation ou fusion, le solidus d'un diagramme de phase sépare le
domaine où n'existe que du solide de celui où coexistent solide et liquide. À
température croissante, croiser le solidus revient à débuter une fusion
partielle ; à température décroissante, cela revient à une solidification totale.
Eutectique : est un mélange de deux corps purs qui fond et se solidifie à
température constante, contrairement aux mélanges habituels. Il se
comporte en fait comme un corps pur du point de vue de la fusion.
Le polymorphisme : est la faculté que possède une substance de cristalliser
dans des structures différentes selon les conditions ambiantes

Réaction Peritectiques : Transformation d’une phase α et d’un liquide en une

nouvelle phase β αcα + LCL -----> βcβ

Pitch : le pitch et la distance qui sépare deux billes de connexions mesurés à

pa rtir du centre de la bille

147
 DIAGRAMMES DE PHASES

Diagramme d’équilibre Sn-Pb

148
Diagramme d’équilibre Sn-Pb

Micrographie Sn-Pn

149
Refroidissement à l’équilibre : Formation de
microstructures Ni-Cu

«Université de Québec, école de technologie »

150
 Product Data Sheet

Indium5.8LS
Pb-Free Solder Paste
Features Packaging
• Ultra-low flux spattering (ideal for applications with Standard packaging for
Au finger connectors) stencil printing applications
• Ultra-low solder beading includes 4 oz. jars and 6 oz.
• Halogen-free or 12 oz. cartridges. Packaging
• Superior stencil life
• Outstanding print characteristics for enclosed print head systems
• Extremely wide process window is also readily available. For
dispensing applications, 10cc and
Introduction 30cc syringes are standard. Other
Indium5.8LS is a halide-free, no-clean solder paste packaging options may be available upon
specifically formulated for low flux spatter. This mate- request.
rial is designed to accommodate the higher processing
temperatures required by the Sn/Ag/Cu, Sn/Ag, and
other Pb-Free alloy systems in an air or nitrogen reflow Storage and Handling
atmosphere. This product formulation offers consistent, Procedures
repeatable printing performance combined with long Refrigerated storage is recommended throughout
stencil and tack times to handle the rigors of today’s the shelf life of solder paste. The shelf life of
high speed as well as high mix surface mount lines. Indium5.8LS is 6 months when stored at <10°C.
Store syringes and cartridges tip down.
Alloys
Indium Corporation manufactures low-oxide spherical powder Remove solder paste from refrigeration at least
composed of a variety of Pb-Free alloys that cover a broad two hours before use to allow the solder paste
range of melting temperatures. Type 4 and Type 3 powder to reach an ambient working temperature. As
are standard offerings with SAC305 & SAC387 alloys. The the time to reach thermal equilibrium will vary
metal percent is the weight percent of the solder powder in with container size, verify solder paste temperature prior
the solder paste and is dependant upon the powder type to use. Label jars and cartridges with the date and time
and application. Standard product offerings are detailed in of opening. For optimal solder paste performance, storage
the table below. at ambient temperatures (21-25°C) should not exceed two
weeks in duration.
Standard Product Specifications
Alloy Metal Load IPN Material Safety Data Sheets
96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu (SAC305) 88.5% (Type 4) 800105 The MSDS for this product can be found online at
http://www.indium.com/techlibrary/msds.php
96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu (SAC305) 89.0% (Type 3) 83753
OVER—>

B ELLC O R E AN D J- STD TE STS & RE SULTS

Test Result Test Result
J-STD-004A* (IPC-TM-650) J-STD-005 (IPC-TM-650)
• Flux Type (per J-STD-004A) ROL0 • Typical Solder Paste Viscosity
• Flux Induced Corrosion 88.5% metal load (Type 4) 1400 poise*
(Copper Mirror) L 89% metal load (Type 3) 1600 poise*
• Presence of Halide Malcom (10rpm)
Silver Chromate Pass • Slump Test Pass
Fluoride Spot Test Pass • Solder Ball Test Pass
Quantitative Halide Content 0% • Typical Tackiness 34 grams
• Post Reflow Flux Residue • Wetting Test Pass
(ICA Test) 46% BELLCORE GR-78
• SIR Pass • SIR Pass
• Electromigration Pass
*Pending statistical validation
All information is for reference only. Not to be used as incoming product specifications.

*J-STD-004A has replaced J-STD-004 and is more stringent in its requirements.

Form No. 97801 R10

www.indium.com askus@indium.com

ASIA: Singapore, Cheongju: +65 6268 8678

CHINA: Suzhou, Shenzhen, Liuzhou: +86 (0)512 628 34900
EUROPE: Milton Keynes, Torino: +44 (0) 1908 580400
USA: Utica, Clinton, Chicago: +1 315 853 4900
©2008 Indium Corporation
Indium5.8LS Pb-Free Solder Paste
Printing Reflow
Stencil Design: Recommended Profile:
Electroformed and laser cut/electropolished stencils Óxä

produce the best printing characteristics among stencil *ÊrÊÓ£Çc

types. Stencil aperture design is a crucial step in Óää

optimizing the print process. The following are a few

general recommendations: £xä

/i“«iÀ>ÌÕÀiÊ­c
®

-Ì>
• Discrete components — A 10-20% reduction of

˜`

-œ
>À`

>Ž
stencil aperture has significantly reduced or £ää

eliminated the occurrence of mid-chip solder beads.

The “home plate” design is a common method for xä

achieving this reduction.

• Fine pitch components — A surface area reduction is ä
äÊ £Ê ÓÊ ÎÊ {Ê xÊ ÈÊ Ç
recommended for apertures of 20 mil pitch and finer. /ˆ“iÊ­ˆ˜®
This reduction will help minimize solder balling and
bridging that can lead to electrical shorts. The The stated profile recommendations apply to most
amount of reduction necessary is process dependent Pb-Free alloys in the Sn/Ag/Cu (SAC) alloy system,
(5-15% is common). including SAC 305 (96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu). This can
• For adequate release of solder paste from sten- be used as a general guideline in establishing a reflow
cil aperatures, a minimum aspect ratio of 1.5 is profile when using Indium5.8LS Solder Paste. Deviations
required. The aspect ratio is defined as the width of from these recommendations are acceptable, and may
the aperture divided by the thickness of the stencil. be necessary, based on specific process requirements,
including board size, thickness & density.
Printer Operation:
The following are general recommendations for stencil Heating Stage:
printer optimization. Adjustments may be necessary based
on specific process requirement: A linear ramp rate of 0.5°- 2.0°C/second allows gradual
evaporation of volatile flux constituents and helps minimize
• Solder Paste Bead Size: 20-25mm diameter
defects such as solder balling and/or beading and
• Print Speed: 25-100mm/sec bridging resulting from hot slump. It also prevents
• Squeegee Pressure: 0.018-0.027kg/mm of unnecessary depletion of fluxing capacity when a high peak
blade length temperature and extended time above liquidus is used.
• Underside Stencil Wipe: Once every 10-25 prints A profile with a soak between 200°-210°C for up to 2
minutes can be implemented to reduce void formation on
• Solder Paste Stencil Life: >8 hrs. @ 30-60% RH
BGA & CSP type devices. A short soak of 20-30 seconds
& 22°-28°C
just below the melting point of the solder can help minimize
Cleaning tombstoning.
Indium5.8LS is designed for no-clean applications,
Liquidus Stage:
however the flux can be removed if necessary by using a
commercially available flux residue remover. A peak temperature of 12° to 43°C above the melting point
Stencil Cleaning: This is best performed using isopropyl of the solder alloy is recommended to achieve acceptable
alcohol (IPA) as a solvent. Most commercially available wetting and form a quality solder joint. The time above
stencil cleaners work well. liquidus (TAL) should be 30–90 seconds. A peak
temperature and TAL above these recommendations can
Compatible Products result in excessive intermetallic formation that can
• Rework Flux: TACFlux 018 decrease solder joint reliability.
Cooling Stage:
A rapid cool down (4-6°C/second) is desired to form a fine
grain structure. Slow cooling will form a large grain structure,
which typically exhibits poor fatigue resistance.

This product data sheet is provided for general information only. It is not intended, described which are sold subject exclusively to written warranties and limitations
and shall not be construed, to warrant or guarantee the performance of the products thereon included in product packaging and invoices.

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©2008 Indium Corporation
Madell Technology Corporation

Desktop Automatic Reflow Oven TYR108C, Lead-Free Model w/o Nitrogen

Price: $2,950.00

Specification

http://www.madelltech.com/T100A.html (1 of 3) [12/11/2008 16:14:59]

Madell Technology Corporation

1. Number of temperature control segments: 1-128; up to 8*16 segments of program can be set and stored in
the reflow soldering machine according to practical needs.
2. Number of temperature zones: Single zone with multiple temperature segment control.
3. Temperature control system: Automatic temperature control using microcomputer; non-contact SSR output.
4. Accuracy of temperature: ±1°C.
5. Temperature rise time: 90s to enter into temperature keeping zone.
6. Temperature range: Room temperature to 300°C.
7. Heat source: Infrared + hot air convection.
8. Effective area of work bench: 350mm*250mm (larger than A4 paper), on which maximum size 350mm*250mm
of PCB can be put.
9. Soldering time: 6min±1min.
10. Temperature curve: 1-8 pieces of temperature curve can be set in the reflow soldering machine according to
needs. User can select the temperature curve according to the accuracy for product soldering. There are four
default pieces of curve, e.g. leaded, lead-free, cure etc. in the machine for selection. Cure 1: about 90s for
temperature keeping at 150°C; cure 2: about 5 min for temperature keeping at 150°C.
11. Cooling system: Cross-flow type balanced rapid cooling.
12. Rated voltage: Single phase AC 220V, 50Hz.
13. Rated power: 4.2KW; average power: 1.5kW.
15. Separate air exhausting duct for cooling: The ON/OFF of air duct is automatically controlled through the
electric controlled door to effectively ensure the airtightness of hot room.
16. Weight: 45kg.
17. Outside dimensions: 620(L)*460(W)*385(H)mm.
18. External RS232 interface, input of K-type thermocouple, drive for solid state relay, cooling signal and
ringing signal.

TYR108 Manual.pdf

http://www.madelltech.com/T100A.html (2 of 3) [12/11/2008 16:14:59]

Madell Technology Corporation

Desktop Automatic Reflow Oven TYR108N, Lead-Free Model w/ Nitrogen

Price: $3,590.00

http://www.madelltech.com/T100A.html (3 of 3) [12/11/2008 16:14:59]

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